WO2005050132A1 - パターンのムラ欠陥検査方法及び装置 - Google Patents

パターンのムラ欠陥検査方法及び装置 Download PDF

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WO2005050132A1
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wavelength band
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Junichi Tanaka
Noboru Yamaguchi
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Hoya Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a pattern unevenness defect inspection method for detecting a pattern unevenness defect in a video device or a pattern unevenness defect in a photomask for manufacturing a pattern of an image device, and a pattern unevenness defect. It relates to an inspection device.
  • an unevenness defect inspection as an inspection item of a pattern formed on a surface.
  • An uneven defect is an error having a different regularity that is unintentionally generated in a regularly arranged pattern, and is generated for some reason in a manufacturing process or the like.
  • uneven defects in the above-described pattern of an image device or a pattern of a photomask may not be detected in the shape inspection of individual patterns due to the regular arrangement of minute defects. Although there are many, when viewed as a whole area, it will be different from other parts. Therefore, the unevenness defect inspection is mainly carried out by visual inspection such as oblique light inspection.
  • Patent Document 1 detects non-uniformity by irradiating a substrate with a pattern formed on its surface with light and detecting scattered light from the edge of the no-turn with a CCD line sensor. It is.
  • Patent document 1 JP-A-10-300447 Disclosure of the invention
  • An object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and a plurality of types of uneven defects occurring in a pattern formed on the surface of an inspection object can be detected with high accuracy.
  • An object of the present invention is to provide an inspection method and a pattern unevenness inspection apparatus.
  • the object to be inspected provided with a repetitive pattern in which unit patterns are regularly arranged on the surface is irradiated with light.
  • the pattern unevenness inspection method of receiving reflected light or transmitted light from a body, observing the received light reception data, and detecting the unevenness defect generated in the repetitive pattern the optical power of a plurality of wavelength bands and the desired wavelength
  • the method is characterized in that one or a plurality of bands of light are selected and extracted, and the light of the selected and extracted wavelength band is used to detect the unevenness defect of the repetitive pattern.
  • light of a desired wavelength band to be selectively extracted is of a type requiring inspection. It is characterized by being light in a wavelength band in which a laser defect can be detected with high sensitivity.
  • the object to be inspected is a video device or a photo device for manufacturing the video device. It is a mask.
  • a pattern unevenness defect inspection apparatus comprising: a light source that irradiates light to an object to be inspected having a repetitive pattern in which unit patterns are regularly arranged; A light receiving device that receives reflected light or transmitted light from the object to be inspected and converts the received light into received light data, and inspects the received light data to detect an uneven defect generated in the repeated pattern.
  • a desired wavelength is converted from light in a plurality of wavelength bands.
  • Selective light extraction means for selecting and extracting one or a plurality of light in a band, and using the light in the selected and extracted wavelength band to detect the unevenness defect of the repetitive pattern. It is.
  • the selective extraction means includes: a light source power, an irradiated light power, and a desired wavelength band. It is a wavelength filter that selects and extracts light and guides it to the device under test.
  • the selective extraction means is configured to determine a desired wavelength band from light guided from the inspection object. This is a wavelength filter that selects, extracts, and guides the light to a light receiver.
  • the selection and extraction means analyzes light reception data converted by the light receiver,
  • the light receiving data is characterized by an analyzer for selecting and extracting light receiving data regarding light in a desired wavelength band.
  • the selective extracting means may include a plurality of wavelength bands of light of a desired wavelength band.
  • a plurality of monochromatic light sources for individually irradiating light are provided, and the irradiating operation of these monochromatic light sources is configured to be switchable.
  • the object to be inspected is a video device or a device for manufacturing the video device.
  • light of a plurality of wavelength bands is Force One or more light in the desired wavelength band is selected and extracted, and the light in the selected and extracted wavelength band is observed to detect a repetitive pattern unevenness defect.
  • each type of uneven defect can be made to stand out and observed, so that a plurality of types of uneven defects occurring in a repetitive pattern can be detected with high accuracy.
  • light of a desired wavelength band selected and extracted can detect a type of irregularity defect requiring inspection with high sensitivity. Since the light is in the wavelength band to be obtained, the mura defect can be observed and detected with light in a wavelength band suitable for detecting the mura defect, so that the mura defect can be detected with higher accuracy. Best form to do
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a first embodiment of a pattern unevenness inspection apparatus according to the present invention.
  • 2A and 2B show unevenness defects in the coordinate position variation system
  • FIGS. 2C and 2D show unevenness defects in the dimensional variation system in the photomask of FIG. It is a figure which shows each defect.
  • the unevenness defect inspection apparatus 10 shown in FIG. 1 detects an unevenness defect occurring in a repetitive pattern 51 formed on the surface of a photomask 50 as an object to be inspected, and includes a stage 11, a light source 12, It comprises a light receiving unit 13 and a wavelength filter 14 as a selection and extraction means.
  • the photomask 50 is an exposure mask for manufacturing, for example, a light receiving section of a CCD, which is one of the image devices.
  • examples of the video device include an imaging device and a display device.
  • Typical imaging devices are solid-state imaging devices such as CCD, CMOS, and VMIS, and display devices include liquid crystal display devices, plasma display devices, EL display devices, LED display devices, and DMD display devices. It is typical.
  • the photomask 50 is for manufacturing any of these video devices.
  • a light-shielding film such as a chrome film is provided on a transparent substrate 52 such as a glass substrate.
  • the light-shielding film is partially removed by a desired repetition pattern 51.
  • the repetition pattern 51 may be a configuration in which the unit patterns 53 are regularly arranged.
  • a method for manufacturing the photomask 50 first, a light-shielding film is formed on the transparent substrate 52, and a resist film is formed on the light-shielding film. Next, the resist film is irradiated with an electron beam or a laser beam from a drawing machine to perform drawing, and a predetermined pattern is exposed. Next, a resist pattern is formed by selectively removing the drawing portion and the non-drawing portion. Thereafter, the light-shielding film is etched using the resist pattern as a mask, and a pattern 51 is repeatedly formed on the light-shielding film. Finally, the remaining resist is removed to manufacture a photomask 50.
  • FIG. 2 shows an example of this unevenness defect.
  • the uneven defect area is indicated by reference numeral 54.
  • FIG. 2A shows a non-uniformity defect due to a partial difference in the interval between the unit patterns 53 in the repetitive pattern 51 due to the occurrence of a positional shift at the joint of drawing by the beam.
  • Fig. 2 (B) shows the unevenness caused by the displacement of the unit pattern 53 in the repetitive pattern 51 with respect to other unit patterns due to the misregistration at the joint of drawing by the same beam. Show.
  • the unevenness defects shown in FIGS. 2A and 2B are referred to as unevenness defects of the coordinate position variation system.
  • 2 (C) and 2 (D) show uneven defects in which the unit pattern 53 of the repetitive pattern 51 is partially thinned or thickened due to variations in the beam intensity of the drawing machine.
  • the unevenness defect is referred to as a dimensional variation type unevenness defect.
  • the stage 11 in the unevenness inspection apparatus 10 shown in FIG. 1 is a table on which a photomask 50 is placed.
  • the light source 12 is arranged above one side of the stage 11 and irradiates the diagonal upward force to the repetitive pattern 51 on the surface of the photomask 50.
  • the light source 12 emits light including a plurality of wavelengths over a wide range, such as white light, and for example, a halogen lamp is used.
  • the light receiving unit 13 is disposed above the other side of the stage 11, and reflects light reflected from the repetitive pattern 51 of the photomask 50, particularly, scattering scattered at the edge of the repetitive pattern 51.
  • an image sensor such as a CCD line sensor or a CCD area sensor is used as the light receiving unit 13 for receiving light and converting the light into received light data.
  • the received light data converted by the light receiving unit 13 if the repetitive pattern 51 of the photomask 50 has an uneven defect, the regularity of the received light data is disturbed. Therefore, by observing the received light data, it is possible to detect the unevenness defect.
  • the wavelength filter 14 is for selecting and extracting one or a plurality of lights in a desired wavelength band from the lights in a plurality of wavelength bands. That is, the wavelength filter 14 is prepared by preparing a single wavelength filter capable of individually extracting light in a plurality of wavelength bands or a single wavelength filter capable of extracting only light in a specific wavelength band. is there. The wavelength filter 14 irradiates the light source 12 with the illuminated light power and extracts one or more lights in a desired wavelength band, and individually irradiates the light in each wavelength band onto the repetitive pattern 51 of the photomask 50. Is done.
  • Each of a plurality of wavelength bands of light selected and extracted by the wavelength filter 14 is reflected (scattered) by the repetitive pattern 51 of the photomask 50, and is converted into light receiving data via the light receiving unit 13. .
  • the received light data it is possible to observe the unevenness defect of the repetitive pattern 51 with light in different wavelength bands.
  • each of these types of mura defects has a different appearance depending on the wavelength band of the light to be observed in the mura defect inspection apparatus 10, and each type of mura defect has light in a wavelength band that can be observed or detected with high sensitivity. . Therefore, the light in the desired wavelength band selected and extracted by the wavelength filter 14 is light in the wavelength band in which the type of unevenness defect requiring detection can be detected with high sensitivity.
  • Light of about 500 nm), green light (light of about 500 to 570 nm), red light (light of about 620 to 700 nm), or monochromatic light such as laser light may be used.
  • the blue light enables highly sensitive detection of unevenness defects of the coordinate position variation system shown in FIGS. 2A and 2B, and the green light shows the dimensional variation shown in FIGS. 2C and 2D. It enables highly sensitive detection of system unevenness defects. As a result, the uneven defect can be sensed with light in a wavelength band suitable for the type of the uneven defect. It can be detected every time.
  • the wavelength filter 14 selects and extracts light of one or more desired wavelength bands from the plurality of wavelength bands emitted from the light source 12. For example, the wavelength filter 14 individually selects and extracts the light emitted from the light source 12 into blue light and green light.
  • a plurality of lights of a desired wavelength band selected and extracted by the wavelength filter 14 are respectively reflected by the repetitive pattern 51 on the photomask 50, and in particular, at the edge of the repetitive pattern 51.
  • the scattered light scattered is received by the light receiving section 13 and converted into light reception data. By observing the received light data, an uneven defect existing in the repetitive pattern 51 is detected.
  • the unevenness defect is a green color selected and extracted by the wavelength filter 14. Compared to observation using light, observation using the blue light selected and extracted by the wavelength filter 14 is observed with significantly higher sensitivity. Therefore, using this blue light, it is possible to detect uneven defects in the coordinate position variation system with high accuracy.
  • the unevenness defect is selected and extracted by the wavelength filter 14. Compared to observation using blue light, observation using the green light selected and extracted by the wavelength filter 14 is observed with significantly higher sensitivity. Therefore, using this green light, it is possible to detect a dimensional variation-based uneven defect with high accuracy.
  • the wavelength filter 14 selects and extracts one or more lights of a desired wavelength band from a plurality of wavelength bands emitted from the light source 12, and extracts the light power of the selected and extracted wavelength band.
  • the light receiving unit 13 converts the light into received light data, and by observing the received light data individually, detects the uneven defect of the repetitive pattern 51 in the photomask 50. By using light in different wavelength bands, each type of unevenness Since defects can be visualized and clearly observed, a plurality of types of unevenness defects occurring in the repetitive pattern 51 of the photomask 50 can be detected with high accuracy.
  • the unevenness defect of the repetitive pattern 51 in the photomask 50 is detected using the light of two different wavelength bands of blue light and green light selected and extracted by the wavelength filter 14.
  • different types of uneven defects such as a coordinate position variation system and a dimension variation system can be detected with high accuracy.
  • Light in a desired wavelength band selected and extracted by the wavelength filter 14 is light in a wavelength band capable of detecting a type of unevenness defect requiring inspection with high sensitivity (for example, a coordinate position variation system).
  • a wavelength band capable of detecting a type of unevenness defect requiring inspection with high sensitivity for example, a coordinate position variation system.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of the second embodiment of the pattern unevenness defect inspection apparatus according to the present invention.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the unevenness inspection apparatus 20 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that the wavelength filter 14 that selects and extracts light of a desired wavelength band emitted from the light source 12 in the first embodiment.
  • a wavelength filter having the same structure as the wavelength filter 14 that selects and extracts one or more lights in a desired wavelength band from the scattered light scattered by the repetitive pattern 51 of the photomask 50 and guides the light to the light receiving unit 13 21 is provided as selective extraction means.
  • the wavelength filter 21 selects and extracts one or a plurality of lights in a desired wavelength band from the lights in a plurality of wavelength bands, thereby repeatedly using light in different wavelength bands. Since the unevenness defect of the pattern 51 can be detected, a plurality of types of unevenness defects occurring in the repetitive pattern 51 of the photomask 50 can be detected with high accuracy, similarly to the effect (1) of the first embodiment.
  • the coordinate position is obtained.
  • Different types of unevenness defects such as variable and dimensional Each can be detected with high accuracy.
  • light in a desired wavelength band selected and extracted by the wavelength filter 21 can detect a type of unevenness defect requiring inspection with high sensitivity.
  • a type of unevenness defect requiring inspection For example, blue light for unevenness defects in the coordinate position variation system, and green light for unevenness defects in the dimension variation system
  • the effect (2) of the first embodiment can be obtained.
  • the mura defects can be observed and detected with light in a wavelength band suitable for detecting the mura defects, the mura defects can be detected with higher accuracy.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a third embodiment of the pattern unevenness defect inspection apparatus according to the present invention.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the light receiving unit 13 receives and converts the light without using the wavelength filters 14 and the wavelength filters 21 as in the first and second embodiments.
  • An analysis device for analyzing the received light data and selecting and extracting one or a plurality of received light data relating to the light in the analyzed light reception data power in a desired wavelength band is provided as a selective extraction means.
  • This analyzer for example, analyzes the received light data of the white light of the light source 12 which is received and converted by the light receiving unit 13, and individually receives one or more of the received light data for the blue light, the received light data for the green light, and the received light data for the red light. Select and extract.
  • the analysis device 31 selects and extracts one or a plurality of light reception data regarding light in a desired wavelength band from the light reception data regarding light in a plurality of wavelength bands. Since the unevenness defect of the repetitive pattern 51 can be detected with the received light data regarding the light of different wavelength bands (for example, the received light data regarding the blue light and the received light data regarding the green light), the effect similar to the effect (1) of the first embodiment is obtained In addition, a plurality of types of uneven defects generated in the repetitive pattern 51 of the photomask 50 can be detected with high accuracy.
  • the received light data on the light in the desired wavelength band selected and extracted by the analysis apparatus 31 detects the type of unevenness defect requiring inspection with high sensitivity.
  • Light-receiving data for light in the applicable wavelength band e.g., light-receiving data for blue light for non-uniform defects in the coordinate position variation system, and light-receiving data for green light for non-uniform defects in the dimension variation system.
  • the mura defect can be detected with higher accuracy. Can be detected.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of a pattern unevenness defect inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the unevenness defect inspection apparatus 40 of the fourth embodiment differs from the first and second embodiments in that the wavelength filter 14 and the wavelength filter 21 are replaced with light of a plurality of wavelength bands.
  • the plurality of monochromatic light sources 41, 42,... Each individually irradiating light of a desired wavelength band, and the irradiation operation of these monochromatic light sources 41, 42,. And a selective extraction mechanism 43.
  • the monochromatic light source 41 emits blue light
  • the monochromatic light source 42 emits green light.
  • These monochromatic light sources 41, 42,... May emit monochromatic light such as laser light.
  • the selection and extraction mechanism 43 individually irradiate light of a desired wavelength band out of light of a plurality of wavelength bands, and these irradiation operations are performed.
  • the unevenness defect of the repetitive pattern 51 can be detected with light of different wavelength bands emitted from the monochromatic light sources 41, 42,..., As in the effect (1) of the first embodiment.
  • a plurality of types of unevenness defects occurring in the repetitive pattern 51 of the photomask 50 can be detected with high accuracy.
  • the coordinates are obtained.
  • Different types of unevenness defects such as a position variation system and a dimension variation system can be detected with high accuracy.
  • light of a desired wavelength band individually illuminated by the monochromatic light sources 41, 42, ... in the selection and extraction mechanism 43 emits light of a type that requires inspection.
  • the mura defect can be observed and detected with light in a wavelength band suitable for detecting the mura defect, so that the mura defect can be detected with higher accuracy. Can be done.
  • the object to be inspected is a photomask used as an exposure mask when forming the light receiving portion of the CCD, and the photomask has a repetitive pattern having a chromium-based light-shielding film pattern force corresponding to the light receiving portion. Is formed. With respect to the repetitive pattern formed on this photomask, a mura defect was detected by using the mura defect inspection apparatus 30 (FIG. 4) in the third embodiment.
  • FIGS. 6 to 8 show unevenness defects detected using the received light data for red light, the received light data for green light, and the received light data for blue light analyzed by the analyzer 31 of the unevenness defect inspection apparatus 30.
  • 5 is a graph showing a detection result for a partial region of a photomask.
  • the horizontal axis indicates the distance in the predetermined direction on the photomask
  • the vertical axis indicates the density of the unevenness defect.
  • the numerical value of 5-5 on the vertical axis indicates a predetermined level arbitrarily assigned to the density of the unevenness defect.
  • the unevenness defect inspection device 30 according to the third embodiment was used, but the present invention is not limited to this. That is, the wave of the unevenness defect inspection apparatus 10 according to the first embodiment.
  • the long filter 14, the wavelength filter 21 of the mura defect inspection device 20 in the second embodiment, or the selection / extraction mechanism 43 of the mura defect inspection device 40 in the fourth embodiment selects and extracts each.
  • the same result as in the above embodiment can be obtained when each of the uneven defect inspection apparatuses detects the uneven defect in the repetitive pattern of the photomask using the red light, the green light, or the blue light.
  • the light receiving unit 13 is a force described as one that receives light scattered at the edge of the repetitive pattern 51 in the photomask 50. Transmitted light transmitted between the repetitive patterns 51 of the photomask 50, particularly Of the light, diffraction light diffracted at the edge of the photomask 50 may be received.
  • the object to be inspected is the photomask 50, and the unevenness defect inspection apparatuses 10, 20, 30, and 40 repeat the pattern 51 of the photomask 50 for manufacturing an image device.
  • the object to be inspected is a device for detecting unevenness defects, but the object to be inspected may be an image device such as an imaging device or a display device.
  • the unevenness defect inspection apparatuses 10, 20, 30, and 40 are generated in a pixel pattern (specifically, a repetitive pattern that forms a light receiving unit such as a CCD or a CMOS) that forms an imaging surface of the imaging device. Detects unevenness defects and unevenness in pixel patterns that form the display surface of the display device (specifically, repetitive patterns of thin film transistors, counter substrates, color filters, etc. on liquid crystal display panels). You may.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a pattern unevenness defect inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows mura defects occurring in the repetitive pattern in the photomask of FIG. 1, (A) and (B) show mura defects of the coordinate position variation system, and (C) and (D) show mura defects of the dimension variation system. It is a figure which each shows a nonuniformity defect.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of a pattern unevenness defect inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a pattern unevenness inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of a pattern unevenness inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 shows the results of detecting uneven defects detected using red light in the examples.
  • FIG. 7 shows the results of detecting unevenness defects detected using green light in the examples.
  • FIG. 8 shows the results of detecting uneven defects detected using blue light in the examples.

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Abstract

被検査体の表面に形成されたパターンに発生する複数種類のムラ欠陥 を高精度に検出できること。 　単位パターン５３が規則的に配列されてなる繰り返しパターン５１を表面に備えたフォトマスク５０に光を照射する光源１２と、上記フォトマスクからの散乱光を受光して受光データに変換する受光部１３とを有し、この受光データを観察して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査装置１０において、複数の波長帯の光から所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出する波長フィルタ１４を有し、この選択して抽出された波長帯の光を用いて上記繰り返しパターンのムラ欠陥を検出することを特徴とするものである。

Description

明 細 書
パターンのムラ欠陥検査方法及び装置
技術分野
[0001] 本発明は、映像デバイスにおけるパターンのムラ欠陥を検出し、または映像デバィ スのパターンを製造するためのフォトマスクにおけるパターンのムラ欠陥を検出する パターンのムラ欠陥検査方法及びパターンのムラ欠陥検査装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、撮像デバイス及び表示デバイス等の映像デバイス、或いは、それらを製造す るためのフォトマスクにおいては、表面に形成されたパターンの検査項目としてムラ欠 陥検査がある。ムラ欠陥とは、規則的に配列したパターンに、意図せずに発生した異 なる規則性をもつエラーであり、製造工程等において何らかの原因により発生する。
[0003] 撮像デバイスや表示デバイスにおいて、ムラ欠陥が存在すると、感度ムラ及び表示 ムラが発生し、デバイス性能の低下につながる恐れがある。撮像デバイスや表示デバ イスを製造する際に用いられるフォトマスクにぉ 、ても、フォトマスクのパターンにムラ 欠陥が発生すると、そのムラ欠陥が映像デバイスのノターンに転写されるため、映像 デバイスの性能が低下する恐れがある。
[0004] 従来、上述のような映像デバイスのパターンやフォトマスクのパターンにおけるムラ 欠陥は、通常微細な欠陥が規則的に配列していることにより、個々のパターンの形状 検査においては検出できない場合が多いものの、領域全体として見たときに、他の部 分と異なる状態となってしまうものである。そのため、ムラ欠陥検査は、目視による斜 光検査等の外観検査によって主に実施されて 、る。
[0005] し力しながら、この目視検査は、作業者によって検査結果にばらつきが発生すると いう問題があるため、例えば、特許文献 1のようなムラ欠陥検査装置が提案されてい る。この特許文献 1のムラ欠陥検査装置は、表面にパターンが形成された基板に光を 照射し、ノターンのエッジ部からの散乱光を、 CCDラインセンサで感知することによ つてムラを検出するものである。
特許文献 1：特開平 10- 300447号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] ところで、ムラ欠陥には、例えばその発生原因等により、形状や規則性等が異なる 様々な種類のムラ欠陥が存在する。しかし、特許文献 1のムラ欠陥検査装置を含む 従来のムラ欠陥検査装置においては、これら検出を必要とする複数種類のムラ欠陥 をそれぞれ高感度に検出できない恐れがある。
[0007] 本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、被検査体の表面に 形成されたパターンに発生する複数種類のムラ欠陥を高精度に検出できるパターン のムラ欠陥検査方法及びパターンのムラ欠陥検査装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0008] 請求項 1に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、単位パターンが規 則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体に光を照射し、この 被検査体からの反射光または透過光を受光し、この受光した受光データを観察して 上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査方法 において、複数の波長帯の光力 所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出 し、この選択して抽出した波長帯の光を用いて上記繰り返しパターンのムラ欠陥を検 出することを特徴とするものである。
[0009] 請求項 2に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、請求項 1に記載の 発明において、選択して抽出する所望の波長帯の光は、検査を必要とする種類のム ラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光であることを特徴とするものである。
[0010] 請求項 3に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、請求項 1または 2に 記載の発明において、上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製 造するためのフォトマスクであることを特徴とするものである。
[0011] 請求項 4に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、単位パターンが規 則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体に光を照射する光 源と、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとする受光器 とを有し、この受光データを観察して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検 出するパターンのムラ欠陥検査装置において、複数の波長帯の光から所望の波長 帯の光を一または複数選択して抽出する選択抽出手段を有し、この選択して抽出さ れた波長帯の光を用いて上記繰り返しパターンのムラ欠陥を検出することを特徴とす るものである。
[0012] 請求項 5に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4に記載の 発明において、上記選択抽出手段が選択して抽出する所望の波長帯の光は、検査 を必要とする種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光であることを特徴とす るものである。
[0013] 請求項 6に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4または 5に 記載の発明において、上記選択抽出手段は、光源力 照射された光力 所望の波 長帯の光を選択して抽出し被検査体へ導く波長フィルタであることを特徴とするもの である。
[0014] 請求項 7に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4または 5に 記載の発明において、上記選択抽出手段は、被検査体から導かれた光から所望の 波長帯の光を選択し抽出して受光器へ導く波長フィルタであることを特徴とするもの である。
[0015] 請求項 8に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4または 5に 記載の発明において、上記選択抽出手段は、受光器にて変換された受光データを 解析し、この受光データ力 所望の波長帯の光に関する受光データを選択して抽出 する解析装置であることを特徴とするものである。
[0016] 請求項 9に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4または 5に 記載の発明において、上記選択抽出手段は、複数の波長帯の光のうち所望の波長 帯の光を個別に照射する複数の単色光源を備え、これらの単色光源の照射動作が 切り替え可能に構成されたものであることを特徴とするものである。
[0017] 請求項 10に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項 4乃至 9の いずれか〖こ記載の発明において、上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デ バイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とするものである。
発明の効果
[0018] 本発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法及び装置によれば、複数の波長帯の光 力 所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出し、この選択して抽出された波 長帯の光を観察して繰り返しパターンのムラ欠陥を検出することから、複数種類のそ れぞれのムラ欠陥に対し異なる波長帯の光を用いることによって、それぞれの種類の ムラ欠陥を顕在化し際立たせて観察できるので、繰り返しパターンに発生する複数種 類のムラ欠陥を高精度に検出できる。
[0019] また、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法及び装置によれば、選択して抽 出される所望の波長帯の光が、検査を必要とする種類のムラ欠陥を高感度に検出し 得る波長帯の光であることから、ムラ欠陥を、そのムラ欠陥を検出するに適した波長 帯の光で観察し検出できるので、ムラ欠陥をより一層高精度に検出することができる 発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。
[A]第 1の実施の形態（図 1、図 2)
図 1は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 1の実施の形態の 概略構成を示す斜視図である。図 2は、図 1のフォトマスクにおける繰り返しパターン に発生したムラ欠陥を示し、（A)及び (B)が座標位置変動系のムラ欠陥を、（C)及び (D)が寸法変動系のムラ欠陥をそれぞれ示す図である。
[0021] この図 1に示すムラ欠陥検査装置 10は、被検査体としてのフォトマスク 50の表面に 形成された繰り返しパターン 51に発生するムラ欠陥を検出するものであり、ステージ 11、光源 12、受光部 13、及び選択抽出手段としての波長フィルタ 14を有して構成さ れる。上記フォトマスク 50は、本実施の形態では、映像デバイスの一つである、例え ば CCDの受光部を製造するための露光マスクである。
[0022] ここで、上記映像デバイスとしては、撮像デバイスと表示デバイスが挙げられる。撮 像デバイスは、 CCD、 CMOS, VMIS等の固体撮像装置が代表的なものであり、表 示デバイスは、液晶表示装置、プラズマ表示装置、 EL表示装置、 LED表示装置、 D MD表示装置等が代表的なものである。フォトマスク 50は、これらの映像デバイスの いずれかを製造するためのものである。
[0023] 上記フォトマスク 50は、ガラス基板等の透明基板 52上にクロム膜等の遮光膜が設 けられ、この遮光膜が所望の繰り返しパターン 51で部分的に除去されたものであり、 上記繰り返しパターン 51は、単位パターン 53が規則的に配列して構成されたもので める。
[0024] このフォトマスク 50の製造方法としては、まず、透明基板 52上に遮光膜を形成し、 この遮光膜上にレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜に描画機における電子 線またはレーザのビームを照射して描画を施し、所定のパターンを露光する。次に、 描画部と非描画部を選択的に除去してレジストパターンを形成する。その後、レジスト パターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、この遮光膜に繰り返しパターン 51を形 成し、最後に、残存レジストを除去してフォトマスク 50を製造する。
[0025] 上述の製造工程では、電子線またはレーザのビームの走査により、レジスト膜に直 接描画を施す際に、ビームのスキャン幅やビームの径に依存して描画に繋ぎ目が生 じ、この繋ぎ目に、描画不良によるエラーが描画単位ごとに周期的に発生することが あり、これが前記ムラ欠陥発生の原因となってしまう。
[0026] このムラ欠陥の一例を図 2に示す。この図 2では、ムラ欠陥領域を符号 54で示す。
図 2 (A)は、ビームによる描画の繋ぎ目に位置ずれが発生することによって、繰り返し パターン 51における単位パターン 53の間隔が部分的に異なってしまうことによるムラ 欠陥を示す。図 2 (B)は、同じぐビームによる描画の繋ぎ目に位置ずれが発生する ことによって、繰り返しパターン 51における単位パターン 53の位置力 他の単位パタ ーンに対しずれてしまうことによるムラ欠陥を示す。これらの図 2 (A)及び 2 (B)に示 すムラ欠陥を座標位置変動系のムラ欠陥と称する。また、図 2 (C)及び 2 (D)は、描 画機のビーム強度がばらつくこと等によって、繰り返しパターン 51の単位パターン 53 が部分的に細くなつたり、太くなるムラ欠陥であり、これらのムラ欠陥を寸法変動系の ムラ欠陥と称する。
[0027] さて、図 1に示すムラ欠陥検査装置 10における前記ステージ 11は、フォトマスク 50 を載置する台である。また、前記光源 12は、ステージ 11の一方側上方に配置されて 、フォトマスク 50の表面の繰り返しパターン 51へ斜め上方力も光を照射するものであ る。この実施形態では、光源 12は、白色光などのように、広い範囲に複数の波長を 含む光を照射するものであり、例えばハロゲンランプが用いられる。 [0028] 前記受光部 13は、ステージ 11の他方側上方に配置されて、フォトマスク 50の繰り 返しパターン 51から反射された反射光、特に、繰り返しパターン 51のエッジ部にて散 乱された散乱光を受光して受光データに変換するものである、例えば、この受光部 1 3は、 CCDラインセンサまたは CCDエリアセンサ等の撮像センサが用いられる。受光 部 13により変換された受光データにおいては、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51 にムラ欠陥が生じていると、受光データの規則性に乱れが生じる。従って、この受光 データを観察することにより、ムラ欠陥が検出可能となる。
[0029] 前記波長フィルタ 14は、複数の波長帯の光から所望の波長帯の光を一または複数 選択して抽出するものである。即ち、この波長フィルタ 14は、複数の波長帯の光を個 別に抽出可能な 1枚の波長フィルタ、或いは特定の波長帯の光のみを抽出可能な 1 枚の波長フィルタを複数枚用意したものである。この波長フィルタ 14により、光源 12 力 照射された光力 所望の波長帯の光が一または複数選択して抽出され、それぞ れの波長帯の光が個別にフォトマスク 50の繰り返しパターン 51へ照射される。
[0030] この波長フィルタ 14により選択され抽出された複数の波長帯の光のそれぞれは、フ オトマスク 50の繰り返しパターン 51により反射 (散乱）され、受光部 13を経て受光デ ータに変換される。これらの受光データを観察することにより、異なる波長帯の光で上 記繰り返しパターン 51のムラ欠陥を観察することが可能となる。
[0031] ところで、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51に発生するムラ欠陥は、前述のよう に、繰り返しパターン 51の製造工程等に起因して複数種類存在する。これら各種類 のムラ欠陥は、ムラ欠陥検査装置 10において、観察する光の波長帯により見え方が 異なり、ムラ欠陥の種類ごとに、高感度に観察または検出され得る波長帯の光が存 在する。従って、波長フィルタ 14により選択して抽出される所望の波長帯の光は、検 查を必要とする種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光であり、例えば青 色光（440— 500nm付近の光）、緑色光（500— 570nm付近の光）、赤色光（620 一 700nm付近の光）であり、或いはレーザ光のような単色光であってもよい。即ち、 青色光は、図 2 (A)及び (B)に示す座標位置変動系のムラ欠陥を高感度に検出可 能とし、緑色光は、図 2 (C)及び (D)に示す寸法変動系のムラ欠陥を高感度に検出 可能とする。これにより、ムラ欠陥の種類に適した波長帯の光で当該ムラ欠陥を高感 度に検出することが可能となる。
[0032] 次に、ムラ欠陥検査装置 10を用いたフォトマスク 50における繰り返しパターン 51の ムラ欠陥の検出方法を説明する。
光源 12から照射された複数の波長帯の光を波長フィルタ 14が、一または複数の所 望の波長帯の光に選択して抽出する。例えば、波長フィルタ 14は、光源 12から照射 された光を青色光と緑色光に個別に選択して抽出する。
[0033] この波長フィルタ 14により選択され抽出された所望の波長帯の複数の光は、それ ぞれ、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51にて反射され、特に、繰り返しパタ ーン 51のエッジ部にて散乱された散乱光が、受光部 13に受光されて受光データに 変換される。これらの受光データを観察して繰り返しパターン 51に存在するムラ欠陥 を検出する。
[0034] 繰り返しパターン 51に、図 2 (A)及び (B)に示す座標位置変動系のムラ欠陥が存 在する場合には、このムラ欠陥は、波長フィルタ 14により選択して抽出された緑色光 を用いて観察される場合に比べ、この波長フィルタ 14により選択して抽出された青色 光を用いて観察される場合の方が、際立って高感度に観察される。従って、この青色 光を用いて、座標位置変動系のムラ欠陥を高精度に検出することとができる。
[0035] また、繰り返しパターン 51に、図 2 (C)及び (D)に示す寸法変動系のムラ欠陥が存 在する場合には、このムラ欠陥は、波長フィルタ 14により選択して抽出された青色光 を用いて観察される場合に比べ、この波長フィルタ 14により選択して抽出された緑色 光を用いて観察される場合の方が、際立って高感度に観察される。従って、この緑色 光を用いて、寸法変動系のムラ欠陥を高精度に検出することとができる。
[0036] 以上のように構成されたことから、上記実施の形態によれば次の効果（1)及び（2) を奏する。
[0037] (1)波長フィルタ 14が、光源 12から照射された複数の波長帯の光力も所望の波長 帯の光を一または複数選択して抽出し、この選択して抽出された波長帯の光を受光 部 13が受光データに変換し、この受光データを個別に観察することにより、フォトマス ク 50における繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検出することから、複数種類のそれぞ れのムラ欠陥に対し異なる波長帯の光を用いることによって、それぞれの種類のムラ 欠陥を顕在化し際立たせて観察できるので、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51に 発生する複数種類のムラ欠陥を高精度に検出できる。
[0038] 例えば、上述のように、波長フィルタ 14により選択して抽出された青色光と緑色光 の、異なる 2つの波長帯の光を用いて、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51 のムラ欠陥を検出することにより、座標位置変動系と寸法変動系のように異なる種類 のムラ欠陥をそれぞれ高精度に検出できる。
[0039] (2)波長フィルタ 14が選択して抽出する所望の波長帯の光が、検査を必要とする 種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光 (例えば、座標位置変動系のムラ 欠陥に対しては青色光、寸法変動系のムラ欠陥に対しては緑色光)であることから、 ムラ欠陥を、そのムラ欠陥を検出するに適した波長帯の光で観察し検出できるので、 ムラ欠陥をより一層高精度に検出することができる。
[0040] [B]第 2の実施の形態（図 3)
図 3は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 2の実施の形態の 概略構成を示す斜視図である。この第 2の実施の形態において、上記第 1の実施の 形態と同様な部分は同一の符号を付すことにより説明を省略する。
[0041] この第 2の実施の形態のムラ欠陥検査装置 20は、第 1の実施の形態において、光 源 12から照射された光力 所望の波長帯の光を選択して抽出する波長フィルタ 14 の代わりに、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51にて散乱した散乱光から、所望の 波長帯の光を一または複数選択して抽出し受光部 13へ導ぐ波長フィルタ 14と同様 な構造の波長フィルタ 21を選択抽出手段として備えたものである。
[0042] このムラ欠陥検査装置 20においても、波長フィルタ 21が、複数の波長帯の光から 所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出し、これにより、異なる波長帯の光で 繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検出できるので、前記第 1の実施の形態の効果（1) と同様に、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51に発生する複数種類のムラ欠陥を高 精度に検出できる。
例えば、波長フィルタ 21により選択して抽出された青色光と緑色光の、異なる 2つ の波長帯の光を用いて、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検 出することにより、座標位置変動系と寸法変動系のように異なる種類のムラ欠陥をそ れぞれ高精度に検出できる。
[0043] また、このムラ欠陥検査装置 20においても、波長フィルタ 21により選択して抽出さ れる所望の波長帯の光は、検査を必要とする種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る 波長帯の光 (例えば、座標位置変動系のムラ欠陥に対しては青色光、寸法変動系の ムラ欠陥に対しては緑色光)であることから、前記第 1の実施の形態の効果（2)と同 様に、ムラ欠陥を、そのムラ欠陥を検出するに適した波長帯の光で観察し検出できる ので、ムラ欠陥をより一層高精度に検出することができる。
[0044] [C]第 3の実施の形態（図 4)
図 4は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 3の実施の形態の 概略構成を示す斜視図である。この第 3の実施の形態において、上記第 1の実施の 形態と同様な部分は同一の符号を付すことにより説明を省略する。
[0045] この第 3の実施の形態のムラ欠陥検査装置 30は、第 1及び第 2の実施の形態のよう な波長フィルタ 14及び波長フィルタ 21を用いず、受光部 13が受光して変換した受 光データを解析し、この解析した受光データ力 所望の波長帯の光に関する受光デ 一タをーまたは複数選択して抽出する解析装置を、選択抽出手段として備えたもの である。この解析装置は、例えば、受光部 13が受光して変換した光源 12の白色光の 受光データを解析し、青色光に関する受光データ、緑色光に関する受光データ、赤 色光に関する受光データを一または複数個別に選択して抽出する。
[0046] このムラ欠陥検査装置 30においても、解析装置 31が、複数の波長帯の光に関する 受光データから、所望の波長帯の光に関する受光データを一または複数選択して抽 出し、これにより、異なる波長帯の光に関する受光データ (例えば、青色光に関する 受光データ、緑色光に関する受光データ)で繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検出 できるので、前記第 1の実施の形態の効果（1)と同様に、フォトマスク 50の繰り返しパ ターン 51に発生する複数種類のムラ欠陥を高精度に検出できる。
例えば、解析装置 31により選択して抽出された青色光と緑色光の、異なる 2つの波 長帯の光に関する受光データを用いて、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51 のムラ欠陥を検出することにより、座標位置変動系と寸法変動系のように異なる種類 のムラ欠陥をそれぞれ高精度に検出できる。 [0047] また、このムラ欠陥検査装置 30においても、解析装置 31により選択して抽出される 所望の波長帯の光に関する受光データは、検査を必要とする種類のムラ欠陥を高感 度に検出し得る波長帯の光に関する受光データ (例えば、座標位置変動系のムラ欠 陥に対しては青色光に関する受光データ、寸法変動系のムラ欠陥に対しては緑色光 に関する受光データ)であることから、前記第 1の実施の形態の効果 (2)と同様に、ム ラ欠陥を、そのムラ欠陥を検出するに適した波長帯の光で観察し検出できるので、ム ラ欠陥をより一層高精度に検出することができる。
[0048] [D] 第 4の実施の形態（図 5)
図 5は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 4の実施の形態の 概略構成を示す斜視図である。この第 4の実施の形態において、上記第 1の実施の 形態と同様な部分は同一の符号を付すことにより説明を省略する。
[0049] この第 4の実施の形態のムラ欠陥検査装置 40は、第 1及び第 2の実施の形態のよう な波長フィルタ 14及び波長フィルタ 21の代わりに、複数の波長帯の光のうち、所望 の波長帯の光をそれぞれ個別に照射する複数の単色光源 41、 42、…を備え、これ らの単色光源 41、 42、…の照射動作が切替可能に構成された、選択抽出手段とし ての選択抽出機構 43を有するものである。例えば、単色光源 41が青色光を、単色 光源 42が緑色光をそれぞれ照射する。これらの単色光源 41、 42、…は、レーザ光 のような単色光を照射するものであってもよ 、。
[0050] このムラ欠陥検査装置 40においても、選択抽出機構 43における単色光源 41、 42 、…が、複数の波長帯の光のうち所望の波長帯の光を個別に照射し、これらの照射 動作が切り替えられることから、単色光源 41、 42、…から照射される異なる波長帯の 光で繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検出できるので、前記第 1の実施の形態の効 果（1)と同様に、フォトマスク 50の繰り返しパターン 51に発生する複数種類のムラ欠 陥を高精度に検出できる。
例えば、選択抽出機構 43により選択して抽出された青色光と緑色光の、異なる 2つ の波長帯の光を用いて、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51のムラ欠陥を検 出することにより、座標位置変動系と寸法変動系のように異なる種類のムラ欠陥をそ れぞれ高精度に検出できる。 [0051] また、このムラ欠陥検査装置 40においても、選択抽出機構 43における単色光源 4 1、 42、…により個別に照射される所望の波長帯の光は、検査を必要とする種類のム ラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光 (例えば、座標位置変動系のムラ欠陥に対 しては青色光、寸法変動系のムラ欠陥に対しては緑色光)であることから、前記第 1 の実施の形態の効果 (2)と同様に、ムラ欠陥を、そのムラ欠陥を検出するに適した波 長帯の光で観察し検出できるので、ムラ欠陥をより一層高精度に検出することができ る。
実施例
[0052] 次に、本発明を実施例により具体的に説明する。 本実施例において、被検査体 は、 CCDの受光部を形成する際に露光マスクとして用いるフォトマスクであり、このフ オトマスクに、上記受光部に対応するクロム系遮光膜パターン力もなる繰り返しパター ンが形成されている。このフォトマスクに形成された繰り返しパターンについて、第 3 の実施の形態におけるムラ欠陥検査装置 30 (図 4)を用いてムラ欠陥を検出した。
[0053] 図 6—図 8は、ムラ欠陥検査装置 30の解析装置 31が解析した赤色光に関する受 光データ、緑色光に関する受光データ、青色光に関する受光データのそれぞれを用 いて検出したムラ欠陥の検出結果を、フォトマスクの一部の領域について示すグラフ である。ここで、横軸はフォトマスク上における所定方向の距離を示し、縦軸はムラ欠 陥の濃度を示す。この縦軸の 5— 5の数値は、ムラ欠陥の濃度について任意に割り 振った所定のレベルを示す。
[0054] 本実施例におけるフォトマスクの繰り返しパターンについてのムラ欠陥の検査では、 図 6に示すように、赤色光に関する受光データを用いた場合にはムラ欠陥は検出さ れない。し力しながら、図 7、図 8に示すように、緑色光に関する受光データまたは青 色光に関する受光データを用いた場合にはムラ欠陥を検出することができる。特に、 緑色光に関する受光データを用いた場合には (図 7)ムラ欠陥を高感度に検出するこ とができた。従って、このフォトマスクの繰り返しパターンに発生したムラ欠陥は、寸法 変動系のムラ欠陥であると考えられる。
[0055] 尚、上記実施例では、第 3の実施の形態におけるムラ欠陥検査装置 30を用いたが 、それに限定されない。つまり、第 1の実施の形態におけるムラ欠陥検査装置 10の波 長フィルタ 14、第 2の実施の形態におけるムラ欠陥検査装置 20の波長フィルタ 21、 または第 4の実施の形態におけるムラ欠陥検査装置 40の選択抽出機構 43により、そ れぞれ選択して抽出される赤色光、緑色光または青色光を用いて、それぞれのムラ 欠陥検査装置により上記フォトマスクの繰り返しパターンにおけるムラ欠陥を検出す る場合にも、上記実施例と同様な結果が得られる。
[0056] 以上、本発明を上記実施の形態及び上記実施例に基づいて説明したが、本発明 はこれに限定されるものではな!/、。
例えば、上記受光部 13は、フォトマスク 50における繰り返しパターン 51のエッジ部 で散乱された光を受光するものを述べた力 このフォトマスク 50の繰り返しパターン 5 1間を透過する透過光、特にこの透過光のうち、フォトマスク 50のエッジ部で回折され た回析光を受光してもよい。
[0057] また、上記実施の形態では被検査体がフォトマスク 50であり、ムラ欠陥検査装置 10 、 20、 30、 40は、映像デバイスを製造するための上記フォトマスク 50の繰り返しパタ ーン 51に発生したムラ欠陥を検出ものを述べたが、この被検査体は、撮像デバイス や表示デバイス等の映像デバイスであってもよい。この場合には、ムラ欠陥検査装置 10、 20、 30、 40は、撮像デバイスにおける撮像面を形成する画素パターン (具体的 には、 CCDや CMOS等の受光部を形成する繰り返しパターン）に生じたムラ欠陥、 表示デバイスにおける表示面を形成する画素パターン (具体的には、液晶表示パネ ルの薄膜トランジスタや対向基板、カラーフィルタ等の繰り返しパターン）に生じたム ラ欠陥を、それぞれ検出するものであってもよい。
図面の簡単な説明
[0058] [図 1]本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 1の実施の形態の概略 構成を示す斜視図である。
[図 2]図 1のフォトマスクにおける繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を示し、（A)及 び (B)が座標位置変動系のムラ欠陥を、（C)及び (D)が寸法変動系のムラ欠陥をそ れぞれ示す図である。
[図 3]本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 2の実施の形態の概略 構成を示す斜視図である。 [図 4]本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 3の実施の形態の概略 構成を示す斜視図である。
[図 5]本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第 4の実施の形態の概略 構成を示す斜視図である。
[図 6]実施例において、赤色光を用いて検出したムラ欠陥の検出結果を示- める。
[図 7]実施例において、緑色光を用いて検出したムラ欠陥の検出結果を示- める。
[図 8]実施例において、青色光を用いて検出したムラ欠陥の検出結果を示- める。
符号の説明
10 ムラ欠陥検査装置 (パターンのムラ欠陥検査装置）
12 光源
13 受光部
14 波長フィルタ (選択抽出手段）
20 ムラ欠陥検査装置 (パターンのムラ欠陥検査装置）
21 波長フィルタ (選択抽出手段）
30 ムラ欠陥検査装置 (パターンのムラ欠陥検査装置）
31 解析装置 (選択抽出手段）
40 ムラ欠陥検査装置 (パターンのムラ欠陥検査装置）
41、 42、… 単色光源
43 選択抽出機構 (選択抽出手段）
50 フォトマスク (被検査体）
51 繰り返しパターン
53 単位パターン
54 ムラ欠陥領域

Claims

請求の範囲
[1] 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査 体に光を照射し、この被検査体力 の反射光または透過光を受光し、この受光した 受光データを観察して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターン のムラ欠陥検査方法にぉ 、て、
複数の波長帯の光力 所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出し、この選 択して抽出した波長帯の光を用いて上記繰り返しパターンのムラ欠陥を検出すること を特徴とするパターンのムラ欠陥検査方法。
[2] 選択して抽出する所望の波長帯の光は、検査を必要とする種類のムラ欠陥を高感 度に検出し得る波長帯の光であることを特徴とする請求項 1に記載のパターンのムラ 欠陥検査方法。
[3] 上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマ スクであることを特徴とする請求項 1または 2に記載のパターンのムラ欠陥検査方法。
[4] 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査 体に光を照射する光源と、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光 データとする受光器とを有し、この受光データを観察して上記繰り返しパターンに発 生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査装置において、
複数の波長帯の光力 所望の波長帯の光を一または複数選択して抽出する選択 抽出手段を有し、この選択して抽出された波長帯の光を用いて上記繰り返しパター ンのムラ欠陥を検出することを特徴とするパターンのムラ欠陥検査装置。
[5] 上記選択抽出手段が選択して抽出する所望の波長帯の光は、検査を必要とする 種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光であることを特徴とする請求項 4に 記載のパターンのムラ欠陥検査装置。
[6] 上記選択抽出手段は、光源から照射された光から所望の波長帯の光を選択して抽 出し被検査体へ導く波長フィルタであることを特徴とする請求項 4または 5に記載のパ ターンのムラ欠陥検査装置。
[7] 上記選択抽出手段は、被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択し 抽出して受光器へ導く波長フィルタであることを特徴とする請求項 4または 5に記載の パターンのムラ欠陥検査装置。
[8] 上記選択抽出手段は、受光器にて変換された受光データを解析し、この受光デ一 タカ 所望の波長帯の光に関する受光データを選択して抽出する解析装置であるこ とを特徴とする請求項 4または 5に記載のパターンのムラ欠陥検査装置。
[9] 上記選択抽出手段は、複数の波長帯の光のうち所望の波長帯の光を個別に照射 する複数の単色光源を備え、これらの単色光源の照射動作が切り替え可能に構成さ れたものであることを特徴とする請求項 4または 5に記載のパターンのムラ欠陥検査
[10] 上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマ スクであることを特徴とする請求項 4乃至 9のいずれかに記載のパターンのムラ欠陥
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