WO2005026837A2 - Stempellithografieverfahren sowie vorrichtung und stempel für die stempellithografie - Google Patents

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Karl-Heinz Schuster
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Carl Zeiss Nts Gmbh
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    • B29C43/44Compression means for making articles of indefinite length

Definitions

  • the invention relates to a stamp lithography method for producing a structure on a substrate with the aid of at least one stamp, and a stamp lithography device for carrying out the method.
  • the invention further relates to a stamp for stamp lithography and a method for its production, and to a finely structured component produced using a method according to the invention or using at least one stamp according to the invention.
  • stamp lithography encompasses a group of developing techniques for the cost-effective production of fine-structured parts and components.
  • Stamp lithography includes various process variants with specific advantages and areas of application.
  • a structured stamp (template) is used to create a relief with a three-dimensional structure in a layer of a substance to be structured, for example in a polymer layer on a semiconductor wafer.
  • the stamp has a stamp body with a three-dimensionally structured stamp surface, which generates the desired three-dimensional structure as a "stamp impression" or negative image of the stamp surface.
  • the topography of the stamp surface is usually produced using electron beam lithography or conventional optical lithography processes.
  • the structured embossing substance is used in subsequent process steps to generate a corresponding pattern in the substrate material. Because the structuring process with the help of a stamp much faster can be carried out as a direct structuring of the substrate material with the aid of electron beam lithography or the like, a significantly higher throughput can be achieved by stamp lithography with comparable structure sizes, as a result of which production costs for finely structured components can be reduced.
  • Stamp lithography achieves throughput rates similar to optical lithography. However, the cost of the reticle is much greater than the cost of a stamp. At most, comparable manufacturing costs are achieved for reticles with simple binary structures. A microlithography projection exposure system costs considerably more than a comparable nanoimprint device. In particular, the degradation of the optics represents an unsolved problem over the service life.
  • HEL hot embossing lithography
  • NIL nanomprint lithography
  • SFIL flash imprint Lithography
  • Hot stamping lithography uses high temperatures and high pressures to create the structures in an embossing process.
  • a stamp with a structured stamp surface is pressed into a thin thermoplastic layer that is heated above its glass transition temperature.
  • the molecules are rearranged, in particular at the interface with the stamp, and it is not possible for the resist to drain off over a large area.
  • the substrate is covered with the thermoplastic layer, which has openings in accordance with the pattern of the stamp.
  • Process for embossing relatively solid polymer layers are shown in patents US 4,731, 155 or US 5,772,905.
  • a low-viscosity liquid polymer is used as the substance to be structured, which is cured with the aid of ultraviolet light.
  • the stamp body is made of a material that is transparent to UV light, for example quartz glass.
  • the structured stamp surface is provided with an adhesion-reducing separating layer and aligned at a short distance from the substrate coated with a transfer layer.
  • the low-viscosity photopolymer is then introduced into the narrow gap between the stamp and the substrate.
  • the gap is closed and the polymer is cured by means of the UV light radiated by the stamp.
  • the transfer layer can be etched away through the recesses in the polymer, as a result of which the recesses are opened for further treatments of the substrate.
  • stamping method the substance to be structured as “stamping substance”, even if, for example no embossing is applied.
  • stamp lithography method with the features of claim 1, a stamp lithography device with the features of claim 45 and by a stamp with the features of claim 96.
  • stamp lithography method for producing a structure on a substrate with the aid of at least one stamp.
  • the stamp has a stamp body with a three-dimensionally structured stamp surface for producing a three-dimensional stamp impression in a layer of an embossing substance arranged on the substrate.
  • the process includes the following steps:
  • the invention thus enables automation of the loading and unloading of a stamp lithography device with stamps. This creates an essential prerequisite for using stamp lithography to carry out a large number of embossing processes per unit of time, so that inexpensive, continuous mass production of finely structured components is possible.
  • a first stamp is arranged in the working position and at least one second stamp is arranged outside the working position, and the first stamp is automatically exchanged for the second stamp by changing the first stamp and changing the second stamp with the aid of a stamp changing device. If necessary, a place can be exchanged between the first stamp and the second stamp, so that before the exchange the second stamp and after the Replacement of the first stamp is arranged in an outside position lying outside the working position.
  • the first and the second stamp can be constructed largely identically, in particular with a largely identical topography of the stamp surface. This allows the stamps to replace each other. It is also possible to switch between differently structured first and second stamps.
  • the replacement of the first stamp and the replacement of the second stamp are coordinated in time, i.e. performed synchronized.
  • the two sub-processes of changing the stamp can be carried out in a controlled time-shifted manner, for example in order to generate pauses in which no stamp is attached in the stamp lithography device. These breaks can be used for maintenance or cleaning work.
  • a particularly high throughput of embossed products can be achieved in that the work movements when exchanging the first stamp and replacing the second stamp run at least temporarily at the same time, so that an exchange time interval and an exchange time interval partially or completely overlap. As a result, the time required for a stamp change can be minimized.
  • treatment of the first stamp is provided in a treatment position lying outside the working position after the first stamp has been replaced from the working position, and the first stamp has to be changed into the working position after the treatment.
  • an automatic transfer of the first stamp between the working position and the treatment position and back can be carried out with the aid of a stamp changing device, to which further conveying or transport devices for stamps can be assigned.
  • the time in which the first stamp is outside the working position and therefore not for one Embossing process can be used to carry out an embossing with the help of one or more second stamps. It is also possible to use only the first stamp, which can be treated between different embossing processes outside of the working position.
  • the treatment of a stamp can be carried out directly in the outside position. It is also possible for the outside position to be a transfer position from which a stamp is fed for further treatment or into which a stamp is fed after a treatment carried out outside the transfer location.
  • the treatment comprises an inspection or examination of the first stamp.
  • the first stamp can be checked, for example, for contamination and / or damage in the region of the stamp surface and / or for transmission properties or the like, in order to avoid the generation of rejects. Due to the fast, automatic transfer between work position and treatment position, an inspection can be carried out after a relatively small number of, for example, 1 to 10, 11 to 50 or 51 to 100 embossing processes, in order to ensure a stable mass production process with a minimal failure rate.
  • a visual optical inspection is provided in which operating personnel qualify the stamp surface or the stamp as a whole directly with the eye or with the aid of suitable aids, such as a magnifying glass, microscope or the like.
  • a preferably digital image of the stamp surface is generated with the aid of a suitable camera or the like, and this image is then evaluated.
  • the evaluation can in turn be visually performed by an operator, for example on an image screen, or with the help of computer-aided image processing methods.
  • Image processing in particular enables an operator-independent inspection of stamps for suitability for further use in an embossing process, which is advantageous for the mass production process.
  • the inspection can be carried out using comparison techniques.
  • a reference stamp surface is provided and a comparison is made of the stamp surface to be assessed with the reference stamp surface.
  • a direct comparison is possible.
  • an image of the reference stamp surface is generated and this image is compared directly with the stamp surface to be assessed or with an image of this stamp surface.
  • the reference stamp surface represents the desired target topography of the stamp surface and can be recorded or has been recorded on a master stamp. For example, it is possible to record a hologram of the reference substrate surface and to interferometrically compare this hologram with the substrate surface to be assessed in each case of a stamp provided for the process. Comparison methods enable a particularly quick and reliable inspection, since deviations from an ideal target structure can be recognized particularly well here.
  • an indirect inspection of the stamp surface to be assessed is carried out.
  • a stamp Imprint of the stamp surface is generated and the topography of the stamp impression is inspected. It is basically possible to check the embossed image directly on the substrate to be embossed. However, a separate stamp impression or stamp cast is preferably created, which is then examined. This makes it possible to continue the manufacturing process independently of the inspection in terms of time and space. The manufacturing process is also controlled based on the ongoing production on the wafer. However, this is only possible after the end of a wafer exposure cycle and represents an intervention in the production process.
  • a mechanical inspection of the stamp surface is carried out, for example with the aid of a profilometer, mechanically-optically or by means of a power microscope.
  • Electro-optical examination methods with suitable depth resolution for example the use of a scanning electron microscope for examining a stamp surface, are also possible.
  • a conductive layer must be deposited on the surface or evaporated.
  • the inspection of stamps removed from the production process can be carried out regularly, for example according to predetermined time intervals or a predetermined number of stamping operations, or irregularly, for example depending on certain occasions that indicate an inspection.
  • An inspection can be carried out immediately after the replacement of a stamp, so that the stamp can be used again in the production process in the event of a positive inspection result. It is also possible to branch stamps regularly or irregularly from the production process and to inspect them routinely regardless of the production process. It has proven to be advantageous if the treatment of stamps comprises cleaning stamps. This makes it possible to ensure the high quality of the structure produced with one or a few stamps over many stamping cycles.
  • a cleaning fluid which is selected such that contaminants adhering to the stamp surface, such as remnants of the embossing substance, can be mechanically and / or chemically dissolved using the cleaning fluid .
  • the removal of contaminants in dissolved and / or undissolved form can also be achieved with the help of the cleaning fluid.
  • flowable or flowable substances which are capable of chemically and / or mechanically dissolving the contamination are used as cleaning fluids.
  • cleaning liquids for example, deionized water, frequently distilled acetone, N-methyl-pyrolidine (NMP) or mixtures with these substances can be used.
  • NMP N-methyl-pyrolidine
  • gaseous cleaning fluids is also possible. Ozone and ionized argon in particular have proven to be effective here for removing embossing substance residues.
  • Cleaning can include plasma cleaning.
  • oxygen / ozone can be used, possibly mixed with noble gases, in order to suitably adjust the cleaning effect and aggressiveness.
  • the cleaning can include contact cleaning, in which the stamp surface is at least partially brought into contact with a fixed, but ideally flexible cleaning surface of a cleaning device. Damaging wiping, brushing or rubbing movements between cleaning device and substrate surface should be avoided as far as possible. Ideally, the cleaning surface of the cleaning device is optimized in such a way that adhesive contact between the cleaning surface and the contaminants to be removed is possible, so that the contaminants can be lifted off the stamp surface after the cleaning device has been removed or separated.
  • the cleaning can include pressing the stamp surface against a plastically and / or elastically flexible, dirt-dissolving cleaning surface of a cleaning device.
  • a cushion or a cleaning film can be used as the cleaning device, for example a film made from polyethylene, polyvinyl chloride (PVC), from suitable silicones or polyvinyl alcohols.
  • Cleaning devices such as cleaning foils
  • Another possibility is to clean a used and possibly contaminated cleaning device, for example a film section, after the cleaning process carried out with it and, if necessary, to reactivate it in such a way that at least one further use is possible.
  • Contact cleaning is also possible in that a layer of a cleaning substance, for example polyvinyl alcohol, is applied to the surface of the stamp and this layer is then removed again after drying and curing. Contamination particles get stuck on the hardened layer material and can be removed from the stamp.
  • a cleaning substance for example polyvinyl alcohol
  • Cleaning may include irradiating the stamp surface with electromagnetic radiation to convert contaminant material.
  • electromagnetic radiation can be used to harden or embrittle residues of the embossing substance in order to facilitate subsequent detachment.
  • the cleaning can include thermal treatment of the stamp surface, for example to bake and / or carbonize contaminants.
  • the stamp material must be able to go through the temperature cycle fully reversibly with regard to shape accuracy. Suitable are e.g. Zerodur M or quartz glass.
  • the treatment of a stamp outside the working position can also include stamp temperature control, for example preheating the stamp, in order to bring it to a suitable working temperature or to a temperature close to this working temperature for a thermally assisted stamping process.
  • the preheating can reduce the dwell time in the working position and thereby speed up the manufacturing process.
  • the treatment of a stamp outside the working position can also include storing or storing the stamp, for example in a magazine or other storage device.
  • a geometry correction of the stamp surface by means of location-dependent temperature influence can advantageously be used to avoid or reduce deformations of the stamp surface. Such deformations can adversely affect the quality of the structure created by the stamp on the substrate. Deformations of the stamp surface can include a change in size of the entire stamp surface and / or location-dependent distortions or distortions. It is therefore possible to provide a temperature influence which is uniform over the entire stamp surface and also a location-dependent or spatially resolving temperature influence.
  • a geometry control of the stamp surface in particular with the help of a measurement with a real-time geometry control unit, allows a quick and direct check of the stamp quality. If the stamp proves to be excessively deformed when checking the geometry, it can be replaced if necessary, or measures for correcting the geometry can be initiated.
  • the geometry control and the geometry correction are preferably carried out in close proximity to the embossing process, in particular on a stamp which is in its working position.
  • the invention also relates to stamps for stamp lithography and methods for producing such stamps.
  • stamp lithography In order to be able to use stamp lithography now and in the future at low cost, it should be possible to generate structures with typical structure sizes of less than 150 nm. In this area however, the structural defects in stamp lithography increase sharply.
  • the inventors have found that the surface quality of the stamp surface, which can also be referred to as the active stamp surface, is particularly critical for this. Mechanical hardness and surface microstructure play a decisive role here.
  • stamps according to the invention is characterized in that the stamp surface has a low surface roughness or is microstructured for deliberately easier removal and that the stamp surface itself is essentially free of microcracks and the material adjacent to the stamp surface is essentially free of microcracks directly reaching the stamp surface ,
  • a suitable microstructuring of the surface for example a wavy or nubbed surface with a peak-to-valley value of less than 5 nm, the detachability can be increased if necessary using the lotus effect.
  • the inventors have found that the provision of a very smooth or technically specifically structured stamp surface in conjunction with the greatest possible avoidance of microcracks on the stamp surface makes a decisive contribution to reducing rejects in the stamping process.
  • the avoidance of microcracks means that extremely small structures no longer break off so easily during the stamping process.
  • a low surface roughness or a fine surface structure with structure sizes significantly below the size of the embossed structures can also contribute to easier detachment.
  • an average roughness depth R t peak-to-valley of less than 0.7 nm (RMS) was identified as advantageous for the stamp surface.
  • the mean micro-crack length should be less than 150 nm, preferably less than 50 nm. It was found that largely crack-free surfaces can be produced by etching the stamp surface, which was initially pre-machined in a highly precise and true-to-shape manner, very deeply in one etching process. This can make microcracks visible and it can last as long fine, in particular fine-optical, processed until an essentially crack-free area is reached.
  • the stamp has a very high mechanical hardness in the region of the stamp surface, values of more than 400, 500, 600 or 700 kg / mm 2 preferably being achieved. This obviously promotes shape retention of the substrate surface, which is conducive to a trouble-free embossing process and in particular for avoiding the above-mentioned defects.
  • the stamp consists of a hard material, at least in the region of the stamp surface, which provides the hardness close to the surface.
  • the area close to the surface can consist, for example, of cubic or hexagonal boron nitride, silicon carbide, corundum, diamond or borazon or a suitable heavy metal compound.
  • the stamp consists, at least in the region of the stamp surface, of a finely crystalline material which has an average grain size of less than 20% of an average structural dimension of the stamp surface. Accordingly, it can be a nanocrystalline material, with typical medium ones
  • Grain sizes in the range from 5 nm to 20 nm can be advantageous. With such materials, the fine crystalline structure or the high
  • Embodiments are also provided in which the stamp consists of an amorphous material, in particular of an amorphous metal material, at least in the region of the stamp surface. This also makes defect-free stamp surfaces of high hardness and low surface roughness possible. Glasses such as quartz glass can also be used. Favorable surface properties can also be achieved with layer-structured quartz glass, which can be produced by burning silane with oxygen or silicon tetrachloride with oxygen to SiO 2.
  • the stamp can consist of a single-crystalline material at least in the region of the stamp surface, whereby a low density of defects is possible.
  • the stamp can be made from a single block of material which forms the stamp body and the stamp surface formed thereon.
  • Some embodiments of the invention are characterized in that the stamp has a stamp body which bears a coating in the region of the stamp surface which forms at least part of the stamp surface.
  • it can be a wear-resistant coating (wear layer).
  • the use of such a coating makes it possible to optimize the properties of the stamp in the area near the stamp surface, regardless of the material of the stamp body.
  • the coating consists of a hard material in order to provide a stamp surface of high hardness regardless of the material of the stamp body.
  • the coating can consist, for example, of a fine crystalline diamond material, a hard material with heavy metal compounds, silicon carbide, boron nitride, borazon or other hard materials or combinations of these materials.
  • the coating can consist of a fine crystalline Material exist, the average grain size of which, as stated above, is small compared to the typical structure size of the stamp surface.
  • the coating has such a small layer thickness that the coating is at least partially transparent to the light used in the exposure, so that exposure through the coating through is possible.
  • Materials such as zirconium dioxide (Zr0 2 ), aluminum oxide (Al 2 0 3 ), lanthanum fluoride (LaF 3 ) or hafnium dioxide (Hf ⁇ 2 ) can be used in single-crystalline form as the material for the stamp body.
  • Zr0 2 zirconium dioxide
  • Al 2 0 3 aluminum oxide
  • LaF 3 lanthanum fluoride
  • Hf ⁇ 2 hafnium dioxide
  • directionally opaque materials are also possible, particularly for stamp lithography processes which work without an exposure process.
  • the stamp body and / or a coating thereof consists essentially of a material with a linear expansion coefficient of less than 2.5 * 10 ⁇ 6 , preferably less than 1.0 * 10 -6 , deformations of the stamp or the coating can occur - Avoidance due to external influences such as temperature fluctuations.
  • glass ceramic or quartz glass can be used.
  • a stamp When designing the topography of the stamp surface, care was taken in some embodiments that the stamp surface facilitates a separation of the stamp from the embossing substance following the structuring.
  • a stamp has preferred forms a stamp structure with a plurality of recesses and projections which merge into one another in the area of flank surfaces, at least some of the flank surfaces including a positive flank angle with a stamp plane.
  • a positive flank angle is understood here to mean an angle between a flank and a stamp plane that deviates from 90 °, which leads to the flank region being visible from the embossed side when the stamp is viewed.
  • care must be taken to ensure that none of the flank surfaces has a negative flank angle, thus avoiding undercuts.
  • Favorable positive flank angles can be in the range between 89 ° and 80 °.
  • a particular embodiment of a stamp is characterized in that it consists at least partially of a piezoelectric material which is dimensioned such that at least part of a lifting movement of the stamp surface can be generated during a stamping process by controlling an electrical field to be applied to the piezoelectric material.
  • the stamping die itself can thus be caused to change the dimensions by external electrical signals, which contributes to the stamping movement or by which the complete stamping movement of the stamp surface can be brought about.
  • a separate drive for lowering and lifting the stamp can be omitted and the stamp lithography device can be constructed very simply. Crystalline quartz or another ion crystal material or combinations of several materials can be used as the stamp material for this. It is advantageous if the active piezoelectric material, which is displaced by the piezo effect, is not directly in the area of the embossing surface.
  • stamp has temperature measuring elements and / or temperature control means for temperature measurement and / or temperature control of the Stamp on, it can be determined whether the stamp leaves a temperature range which is advantageous for stamp lithography and countermeasures can be taken, for example, by returning the stamp temperature to the temperature range which is advantageous for the embossing process with the aid of the temperature control means.
  • the measuring elements and the temperature control means can thus be used as sensors or actuators in a temperature control loop.
  • the temperature measuring elements and / or temperature control means are installed in the channels running through the stamp material, they are easily accessible from the outside. In particular, this can make wiring of the measuring elements or tempering means considerably easier.
  • the channels can be used particularly advantageously for influencing the temperature.
  • the structural outlay for realizing the temperature control means is low.
  • a temperature control means and a temperature measuring element to form a temperature control element can each be placed close to one another, the temperature control elements being able to cover the stamp in an essentially grid-like arrangement.
  • location-dependent temperature control of the stamp can take place, specifically by comparing the temperature determined locally via the temperature measuring elements with a local setpoint and adjusting them to the temperature control means.
  • the essentially grid-shaped arrangement ensures, on the one hand, that a large part of the stamp is covered uniformly by the temperature control and, on the other hand, such an arrangement facilitates the introduction of the Temperature control elements in the stamp material, since these can be arranged, for example, in the channels described above.
  • the stamp has a layer which is non-transparent to infrared radiation, it absorbs radiation emitted by a light source in this spectral range. The radiation absorption leads to a heating of the layer, so that this can be used for temperature control of the stamp.
  • Such layers can be produced by targeted implantation of ions in the stamp material.
  • the invention also relates to a method for producing a stamp, in particular a stamp for stamp lithography with a typical structural dimension of less than 250 nm, the stamp being a stamp body with a three-dimensionally structured stamp surface for producing a three-dimensional stamp impression in a layer arranged on a substrate Has embossing substance.
  • the stamp body is processed in such a way that the stamp surface has a surface topography optimized for detachment from the embossing substance after a stamp impression has been made, and a material adjacent to the stamp surface is essentially free of microcracks reaching the stamp surface.
  • An advantageous method for producing a stamp comprises high-precision and true-to-shape pre-processing of a substantially flat stamp surface, etching the stamp surface so deeply in a subsequent etching process until an essentially micro-crack-free area is reached and the subsequent generation of a three-dimensional stamp surface.
  • the occurrence of errors due to microcracks is greatly reduced in the production of the three-dimensional stamp surface.
  • the structure of the stamp material in a method according to the invention is changed by mechanical processing, in particular by milling and / or hammering, so that the hardness and strength of the material increases and / or the length of the microcrack decreases, on the one hand, a more precise impression can be made of the stamp surface on the substrate Imprint of the stamp surface are generated because the stamp surface is not significantly deformed during the stamping process due to its great hardness.
  • the small micro-crack length prevents the generation of structural defects of a larger size on the stamp surface.
  • a mechanical processing method can also be carried out with relatively little effort.
  • the invention also relates to a finely structured component, in particular a semiconductor component, which is produced using a method according to the Invention and / or was produced using at least one stamp according to the invention.
  • a finely structured component has a high quality of the embossed surface structure due to the use of a method or stamp according to the invention and is inexpensive to manufacture.
  • the invention also relates to a stamp lithography device for
  • Stamp The device comprises: a frame; at least one stamp holding device attached to the frame for holding at least one stamp in a working position; a substrate holding device arranged on the frame for holding at least one substrate; and a stamp changing device for automatic changing of
  • the stamp holding device should be constructed in such a way that stamps can be exchanged and exchanged, for example the coupling of a stamp to the stamp holding device and the removal or uncoupling of stamps from the stamp holding device without manual support from an operator.
  • the stamp holding device is designed as a clamping device in order to hold one or more stamps non-positively or frictionally. Suitable clamping springs can be provided for this purpose, for example.
  • the stamp holding device can also have latching means for the non-positive and positive locking holding of at least one stamp.
  • Stamp holding devices with at least one magnetic holder for holding a stamp with the aid of magnetic forces are also possible. Both permanent magnets and switchable electromagnetic magnet holders can be used. While the use of permanent magnets favors a particularly simple construction, the switching on and off of magnetic holding forces for electromagnets minimizes the force exerted on the stamp holding device when inserting and replacing stamps.
  • the stamp holding device can be designed as a vacuum holder or vacuum holder, for which purpose a suitable vacuum generator, for example a suction pump, can be provided on the stamp lithography system.
  • the stamp holding device can have at least one movably mounted holding element, which is movable between a locking configuration for holding the stamp on the stamp holding device and a release configuration for releasing a stamp.
  • the holding element can for example be linearly displaceable or pivotable.
  • the stamp holding device can also be designed as a snap-in device which, particularly in the locking configuration, enables a stamp to be held securely and without play on the stamp holding device.
  • the stamp holding device can comprise one or more electromagnetic or permanent magnetic holders to hold an attached stamp magnetically, as well as a movable holding element to secure the stamp against displacement or detachment via a positive fit, even if the forces acting on the stamp would be sufficient to overcome magnetic holding force.
  • the stamp changing device in such a way that it can simultaneously serve as a stamp holding device. Then a separate stamp holding device can be omitted.
  • the stamp changing device should allow a quick and safe change of stamps between their working position and an outside position outside the working position, which can be understood as a starting point for the treatment or processing of stamps outside the production process.
  • the stamp changing device can comprise a single-axis or multi-axis stamp manipulator for holding and moving at least one stamp between the working position and the outer position.
  • the stamp manipulator can be designed, for example, as a gripping arm that grips and holds a stamp.
  • the term "gripping" is to be interpreted broadly and encompasses different types of coupling of a stamp to the stamp manipulator.
  • the stamp changing device is designed in such a way that the stamp moved into the working position can be released by the stamp changing device so that its working movement is independent or detached from the stamp changing device. execution. It is also possible for the stamp changing device to be designed in such a way that it remains in engagement with the stamp during the working movement of the stamp and in this way "participates" in the working movement.
  • the stamp changing device can be designed to hold the stamp in an elastically flexible manner, for example by the stamp is held resiliently in the stamp changer or stamp manipulator. If such a stamp changing device is provided, a separate stamp holding device can be dispensed with.
  • stamp changing devices which have only a single stamp holder, for example to enable stamp manipulation in a computer-controlled manner in the manner of a robot.
  • the stamp changing device has at least two stamp receptacles. This makes it possible to have the working movements run simultaneously when changing a stamp and changing the next stamp with the aid of a single stamp changing device.
  • the stamp changing device can be designed as a linear changer, which alternately leads different stamp receptacles to the area of the working position or to the outside position by means of a linear linear movement.
  • carousel devices or turret devices with at least two stamp receiving devices are provided in order to carry out a stamp change with the aid of a rotary movement.
  • stamp changing devices with at least two stamp receptacles are particularly favorable for a tandem operation in which a stamp is used in production, while an essentially identical stamp can be in the outer position, either there or after one another transfer process at another location, e.g. cleaned, inspected or filed.
  • At least one cleaning device and / or at least one inspection device can be assigned to the stamp lithography device.
  • the stamp lithography device can have at least one storage device, e.g. a magazine, which has a large number of storage spaces for stamps.
  • the storage device can be arranged such that it can be reached directly by the stamp changing device in order to insert or remove stamps.
  • a remote arrangement is also possible, in which case a suitable transfer is then provided between the stamp changing device and the magazine, for example with the aid of a conveyor belt or the like.
  • a stamp lithography device has a distance measuring device for measuring the distance between the substrate surface and the stamp surface for the entire magnitude of the advance movement of the stamp.
  • a distance measuring device for measuring the distance between the substrate surface and the stamp surface for the entire magnitude of the advance movement of the stamp.
  • Such a distance measuring device enables a controlled approach and pressing of the stamp against the substrate surface. It is possible to vary the sensitivity of the distance measurement depending on the distance, so that the measurement accuracy is low when the stamp surface is at a large distance from the substrate surface, but is large when the distance is small. If the distance measurement is carried out in the manner described above over the entire magnitude of the feed movement of the stamp, then an embossing process is possible both with a high embossing speed and with precise transfer of the structures present on the stamp surface to the substrate.
  • stamp lithography device In a further development of the stamp lithography device, this has an optical sensor device based on the principle of the escape telescope or autocollimation.
  • An optical sensor device for distance measurement and / or angle measurement offers itself because the substrate represents a closed, optically scannable surface.
  • the stamp lithography device can also comprise a distance measuring device using membranes according to the counterpressure method.
  • the device for measuring the distance has at least one exposed nozzle for delivering gas under pressure on the surface of the substrate to be structured and a device for detecting the back pressure from which a distance signal can be derived.
  • the gas striking the surface of the substrate can produce advantageous effects in addition to the distance measurement, for example this can be used to clean the substrate surface.
  • the distance measuring device can also be or contain an inductive or capacitive measuring arrangement. Such measuring arrangements are easy to construct and reliable.
  • the stamp lithography device has an illumination device configured for irradiating the stamp from its rear in the direction of the stamp surface.
  • an illumination device can emit UV radiation for curing a low-viscosity photopolymer in exposure stamp lithography. But it is also possible that such Illuminating device emits radiation in the IR range with which the stamp material can be tempered.
  • the stamp lithography device has a vacuum generating device for producing a vacuum which comprises at least the volume region lying between the stamp and the substrate, then this region can be kept essentially free of impurities.
  • a vacuum generating device for producing a vacuum which comprises at least the volume region lying between the stamp and the substrate.
  • a further development of the stamp lithography device comprises a real-time geometry control unit for measuring the geometry of the stamp surface by measuring the position of stamp marks which, in addition to the embossing structure, i.e. on the structured side of the stamp. to the active stamp surface.
  • a real-time geometry control unit for measuring the geometry of the stamp surface by measuring the position of stamp marks which, in addition to the embossing structure, i.e. on the structured side of the stamp. to the active stamp surface.
  • the stamp lithography device can comprise a transparent reference plate with reference marks, in which the real-time geometry control unit having multiple position optics can be positioned behind the reference plate, so that the geometry of the stamp surface can be measured by comparing the position of the reference marks and the stamp marks.
  • the use of a reference plate with reference marks makes the measurement of the geometry of the stamp surface independent of the positioning of the substrate on which the stamp is stamped. By using several position optics, the deformation of the stamp surface can be measured in parallel at several locations, so that repeated positioning of the stamp surface in relation to the real-time geometry control unit can be avoided.
  • each position optics of a further development of the stamp lithography device has a first imaging optics for imaging the reference mark on a first detector surface and a second imaging optics for imaging the stamp mark on a second detector surface, the images on the two detector surfaces can be compared to determine the stamp deformations.
  • the reference plate generates a measurement standard with which the stamp geometry can be compared.
  • the beam path of the first imaging optics and the second imaging optics can be largely parallelized by collimation optics and then split into a first and second partial beam by a beam splitter.
  • FIG. 1 is a schematic illustration of an embodiment of a stamp lithography system with a stamp lithography device and a stamp changing device as well as an inspection device, a cleaning device and a storage device;
  • FIG. 2 is a schematic illustration of details of an embodiment of a stamp lithography device with three linear motors and a wafer stage;
  • FIG. 3 is a view of an embodiment of a distance measurement system with multiple exposed nozzles
  • FIG. 4 is a schematic illustration of two embodiments of stamp holding devices in two partial images
  • FIG. 5 is a schematic view of an embodiment of a vacuum stamp holder
  • FIG. 6 is a schematic illustration of an embodiment of a dual changer with two stamp receptacles
  • FIG. 7 is a schematic illustration of a further embodiment of a double changer with two stamp receptacles
  • Fig. 8 is a schematic side view of a planar embodiment of a stamp changing device
  • 9 is a schematic side view of a tapered embodiment of a stamp changing device
  • 10 is a schematic view of a stamp changing device equipped with eight stamp receptacles in a flat version (left partial image) and in a tire-shaped version (right partial image);
  • Fig. 1 is a schematic view of an embodiment of an inspection device with a conveyor belt
  • FIG. 12 is a schematic representation of an embodiment of an inspection device with a reference stamp surface
  • Fig. 13 is a schematic view of an embodiment of an inspection device with a stamp impression
  • FIG. 14 is a schematic representation of an embodiment of a cleaning device with a band-shaped endless cleaning film
  • 15 is a schematic view of an embodiment of a cleaning device with a UV irradiation device
  • 16 is a schematic view of an embodiment of a cleaning device for irradiating the active stamp surface with ionized cleaning gas
  • 17 is a schematic representation of a variant of a cleaning device with a liquid cleaning bath
  • FIG. 18 explains a variant of a method for producing a stamp that can be used in embossing lithography
  • 19 shows different views of exemplary embodiments of stamps, the active stamp surface of which partly consists of a thin coating applied to a stamp body;
  • 20 is a side view of an embodiment of a stamp in which the recesses of the stamp surface open out in a funnel shape;
  • Fig. 21 is a schematic side view of a transparent stamp having a crystalline quartz stamp body which undergoes a dimensional change when an electric field is applied;
  • FIG. 22 is a schematic top view of an embodiment of a transparent stamp with channels for stamp temperature control
  • FIG. 23 is a schematic top view of an embodiment of a transparent stamp with channels for stamp temperature control, into which temperature control wires and temperature measuring wires are inserted;
  • 24 is a schematic top view of an embodiment of a transparent stamp with a grid-like arrangement of temperature control elements in channels;
  • FIG. 25 is a schematic illustration of an embodiment of an illumination device for locally irradiating a stamp from its rear side
  • FIG. 26 is a top view of the wafer stage shown in FIG. 2 with an embodiment of a real-time geometry control unit;
  • FIG. 27 is a schematic side view of an embodiment of a position optics of the real-time geometry control unit of FIG. 26.
  • the stamp lithography system comprises a stamp lithography device 10, in which the structuring process for the components takes place, which is also referred to here as an “embossing process” regardless of the method variant.
  • the stamp lithography device which is also referred to in the following for simplicity as “embossing device”, comprises several peripheral devices for Treatment of stamps assigned that were used in an active embossing process or are intended for such a process.
  • An inspection device 20 is used to examine stamps provided for an embossing process after a previous embossing process or before an impending embossing process for suitability for the embossing process.
  • the structured stamp surfaces of stamps are examined for damage and / or contamination, and for transparent stamps for stamp exposure, sufficient transmission can also be examined.
  • a fully automatic, operator-independent optical inspection unit with digital image processing is shown.
  • a cleaning device 30 is provided for coming from a previous embossing process or for a subsequent one To clean the stamping process in such a way that the quality of the stamping process is not affected by impurities.
  • a storage device 40 which is also referred to here as a magazine, provides a large number of storage spaces for stamps which are used in previous embossing processes or are intended for future embossing processes.
  • the individual stamps can be stored in cassettes 41 individually or in groups within the magazine.
  • An automatic conveyor system is provided for the transfer of stamps between the embossing device 10 and the peripheral devices 20, 30, 40, which in the example has a stamp changing device 50 assigned to the embossing device 10 and a transfer device arranged between the embossing device 10 and the peripheral devices 20, 30, 40.
  • Robot 60 includes, which in the example is rotatable about a vertical axis and horizontally movable.
  • the stamp changing device 50 which is also referred to as a stamp changer, is designed in the example as a two-arm changer which can be rotated about a central, vertical axis and has a stamp receiving device or stamp holder 51 in the end region of each arm, each of which is configured to receive a single stamp 60.
  • the stamp changer 50 serves to move stamps between a working position 70 in the working area of the embossing device 10 and an outer position 80 lying outside this working area. Through the working movement of the stamp changer, a stamp initially held in the outer position can be brought into the working position for an embossing process, while at the same time a stamp used in an embossing process is transferred from the working position to the outer position, from there to be sent for further treatment. All units of the stamp lithography system can be set up for a computer control and in the example are connected to a central control unit 90 which controls and coordinates the work processes of the individual units.
  • stamp lithography device 100 comprises a torsionally rigid frame 101, on which a stamp holding device 120 is attached or configured, which is configured to hold a single stamp 120 with the active stamp surface 130 directed downward in a working position at a short distance above a substrate to be structured ,
  • the substrate is a semiconductor wafer 141, on the upper side of which a thin layer 142 of polymeric resist is arranged, which serves as the substance to be structured (embossing substance).
  • the substrate lies on a substrate holder 150 which is coupled to the frame 101 and which comprises a wafer stage 151 with a wafer chuck 152 arranged thereon and in the form of a needle bed, on which the wafer rests in an evenly distributed manner with only about 20% of the area.
  • the stamp lithography device 100 comprises a fine adjustment unit 160, which is configured such that the stamp 120 or its active stamp surface for the stamping process is aligned parallel to the surface of the stamping layer and its desired position in a plane (xy plane) perpendicular to the stamping direction (z- Direction) in a desired rotational position (angle ⁇ ) about the z axis.
  • Piezoelectric elements 161 are provided for this alignment process or orientation process, which are firmly connected to the frame and are in drive connection with the stamp, which is mounted so as to be slightly movable with the aid of elastically deformable elements 162. The correct positioning of the stamp relative to the substrate is checked with the aid of an optical alignment system 170.
  • the alignment system uses alignment marks 171 present on the substrate, which can be designed, for example, as diffractive structures in the form of gratings. In order to be able to use these marks, corresponding stamp alignment marks 172 are provided on the stamp 120 (cf. FIG. 3). These marks, of which two or more should be provided, are preferably integrated in a one-piece stamp and attached outside the three-dimensionally structured, active stamp surface 130.
  • the alignment system shown here or its alignment marks work with the diffraction principle or interference principle. For this purpose, they are designed as small optical gratings or mirrors.
  • a sensor detects the relative position of the alignment marks of the substrate and the stamp via the intensity of the diffracted or interfered light. This information is processed in a computer-assisted manner and used to control the fine adjustment unit 160. It is therefore possible for stamp embossing, the lateral positions (x-y plane), the relative rotation around the embossing direction (z direction) and the coordinate systems for rotations around the x and y axis, i.e. Tilt movements, determine and correct them with the help of the fine adjustment unit 160.
  • the stamp is aligned relative to a reference mark on the wafer stage.
  • the wafer is positioned relative to suitable alignment marks in the alignment optics. It is essential that the alignment (the alignment) is stable in space and time for a wafer embossing process. With this type of alignment, position fluctuations compensated for the substrate holder. With every wafer change there is the possibility of a new alignment process.
  • a second possibility is that the stamp is again aligned on the wafer days.
  • the wafer is positioned to the stamp using the stamp alignment marks.
  • This means that the wafer and the stamp are aligned relative to a common reference point, namely to one of several reference marks arranged on the wafer stage.
  • An important difference to the first-mentioned method is that there is only a single reference point for the stamp and the substrate (wafer), in contrast to the above method, in which there are always two reference points. In this way, stability can be guaranteed over a complete wafer embossing process.
  • stamp and the wafer are aligned relative to a fixed alignment optics. It should be noted here that with this method the accuracy depends on the spatial constancy of the alignment system relative to the wafer day.
  • the stamp lithography device has a controlled feed system, which includes a distance measuring system, and a logic unit to detect the control parameters and to generate control signals for the feed system.
  • the feed unit also belongs to the feed system.
  • a device for distance measurement belonging to the feed system which can also be referred to as a focusing unit, has the task of enabling distance measurements for the distance between the substrate surface and the stamp surface for the entire magnitude of the advance movement of the stamp.
  • Typical distance ranges are between zero and approximately two millimeters. The smaller the distance, the safer or more precise the distance information should be.
  • this is achieved by an optical sensor device based on the principle of autocollimation, this device working in a wavelength range in which the surface of the substrate to be structured provides sufficient residual reflection.
  • Known autocollimation devices can be used for this.
  • the distance measuring system 185 there comprises a plurality of exposed nozzles 186, through which a gas is blown onto the surface 187 of the substrate to be structured under suitable pressure.
  • the detection of the back pressure provides a distance signal. This makes it possible to provide a distance measuring system, the sensitivity of which increases as the distance from the surface 187 decreases.
  • any known distance measuring method can be used within the scope of the invention, if necessary after suitable adaptation to the corresponding stamp lithography device. Examples of distance measuring systems are disclosed in international patent applications WO 02/08835 A2, WO 02/10721 A2 and WO 02/067055 A2, the disclosure content of which is made the content of this description by reference.
  • the feed system 180 allows the stamp and substrate to be approached and positioned in a highly precisely controllable manner, in conjunction with the alignment and distance measuring system allowing the stamp to be lowered and lifted in a controlled manner.
  • a drive system for larger, highly precisely controlled stroke movements of the stamp comprises three linear motors 181, which are arranged in a star shape with an angular spacing of 120 ° symmetrically about a central axis of the stamp or frame, in order to introduce the resulting force centrally into the stamp.
  • the linear motors which are electrically operated in the example, are connected in series in order to generate the same linear force in the z direction.
  • Each linear motor has a stator 182 fixedly connected to the frame 101 and a translator 183 which can be displaced linearly relative to the stator and which is in drive engagement with the plunger 120.
  • a relative mobility of the stamp to the frame in the z direction is achieved in the example by an elasticity built in between the frame and the stamp, which is provided schematically in FIG. 2 by the elastically deformable elements 162.
  • Monolithic, ie one-piece components can be used to build up the drive system with linear motors.
  • a stator 182 can be connected to the housing or itself a component of the housing, that is to say it can be formed in one piece with it.
  • a translator can, if necessary in an articulated manner, be firmly connected to a stamp holder (not shown in more detail) or be part of the stamp holder itself.
  • Linear motors allow very short travels down to zero, so that in extreme cases only a (completely reversible) Hook compression within the components can be sufficient for the punch stroke.
  • a force directed in the z direction is applied to the stamp exercised, which allows a controlled movement towards the substrate or back from the substrate.
  • This force can be between 500 N and 20,000 N.
  • the series connection of the linear motors creates a symmetrical force distribution and, in connection with the star-shaped arrangement, a tilt-proof drive in the z direction.
  • a single linear motor should be provided that acts coaxially to a central punch axis and applies the entire force. It is useful here if a separate joint or a monolithic joint is provided as closely as possible above the stamp in order to enable a slight pivoting movement between the translator and the stamp.
  • the underside of the punch should be aligned at an angle to the wafer surface using suitable alignment drives. This can be achieved, for example, by one or more piezoelectric elements which are arranged between the stator or frame and stamp.
  • stamping force required for the stamping process hydraulically via fluid pressure, in particular via liquid pressure.
  • One or more pressure cylinders with pistons can provide the necessary force.
  • Hydraulic cylinders for example three cylinders arranged in a star shape analogous to FIG. 2, can be connected in series in an analogous manner in order to enable a uniform pressure and a tilt-free feed.
  • the stamp is lowered and raised in several phases.
  • the first phase is characterized by a relatively rapid advance of the stamp towards the substrate until a relatively small one A distance of a few micrometers between the projections of the stamp surface and the surface to be structured is reached.
  • This feed can be achieved by relative movement between the substrate holder and the frame in the z-direction by lowering the frame as a whole and / or lifting the substrate holder.
  • the last micrometers are moved at a lower speed up to the contact between the stamp surface and the substrate surface, with the aid of the distance measuring system and the alignment system being used for particularly intensive and precise control of the lateral position and the angular position of the stamp relative to the wafer.
  • a design elasticity of the feed device in the feed direction limits the stamping force during the process of being placed on the embossing substance to very low values, for example to a few N. This minimizes accelerations and vibrations that could damage the substrate and the substrate holder.
  • the actual stamping force required for the stamping process is introduced, which presses the stamp under high pressure into the deformable and structurable stamping substance 142.
  • the pressure here can reach values of the order of 200 bar or more.
  • the stamp can be heated by a heating device, not shown, so that the chemical process of curing in the embossing substance is initiated, optionally supported by exposure to high-energy UV radiation.
  • a curing process can take place in which permanent crosslinking takes place in the resist material.
  • pressure and temperature can also be set, whereby normally lower pressures are combined with higher temperatures.
  • Suitable pressures can be, for example, between 10 and 25 bar, suitable temperatures between about 50 ° C and about 180 ° C. In the process shown in FIG. 2, exposure to UV radiation is completely dispensed with.
  • the stamp lithography device can also contain an illumination device configured for irradiating the stamp from its rear in the direction of the stamp surface.
  • heating is dispensed with in the embodiment shown, so that the structuring process can take place at ambient temperature.
  • the required higher pressures can be provided by the linear motors. Intensive UV exposure can optionally be provided.
  • the stamp After the structuring process, in which a negative form of the stamp surface arises as an embossed impression or as a stamp imprint in the embossing substance, the stamp must be released from the embossing substance again. This can be done as follows. First, the large embossing force is reduced until the above-mentioned holding force of a few N remains, but the stamp is still in full contact with the embossing substance. Lateral control and angle control remain active. A releasing weave is preferably initiated via piezoelectric elements or other micro-drives. For this purpose, care must be taken to avoid tilting and thus to create a gap that becomes evenly wider.
  • a faster retraction movement is carried out in a fifth phase until the stamp is retracted into its starting position a few millimeters above the wafer.
  • This movement can in the embodiment both by the piezo elements, as well as by the linear motors or by a combination of both types of drive.
  • the withdrawal movement allows a safety distance to be achieved between the stamp and the substrate, which prevents residues that unintentionally protrude from the structured surface from remaining on the stamp surface and contaminating it.
  • the wafer is finally moved away to either structure a new area of its surface or to completely replace the wafer.
  • a stamp lithography process can thus be carried out, in which, under lateral control, contact with the surface of the embossing substance is made on the substrate with little force and only then a greater effective press-in force is used, i.e. a multi-stage, in particular two-stage, approach.
  • the lifting can be carried out under lateral control with a controlled force after the large press-in force has been withdrawn.
  • the approximation process can be carried out at a non-constant speed, preferably a rapid approach over a larger distance and a slower, controlled approach over a smaller distance.
  • Lifting can also be carried out at non-linear speed. It is advantageous if a short distance correlates with a lower speed and a larger distance with a higher speed.
  • rapid feed or retraction movements can take place at speeds in the range between 10 and 27 m / s, for slow, controlled, possibly contact-producing and contact-releasing movements, speeds between 0.05 m / s and 0.8 m / s can be advantageous on average .
  • the contact movement can be carried out with a passive force of less than 35 N, while the embossing forces for a surface pressure are advantageously so great that surface pressures are between 12 and 270 bar can occur. Embossing processes at room temperature, for example between 20 and 24 °, in particular between 21, 5 and 22.5 °, are possible.
  • the drive axis of the single drive and the punch axis should be co-linear in the direction of gravity.
  • Stamp lithography devices are characterized by an efficient system for quick and highly accurate stamp replacement.
  • the inventors have recognized that an efficient, automatable change is an essential prerequisite for flexible use of stamp lithography systems and for cost-effective mass production of structured components.
  • the corresponding components are, on the one hand, the stamps, which can be optimized for rapid replacement and replacement if necessary through special design measures, and, on the other hand, a suitable stamp holder to hold a stamp in the working position.
  • FIG. 4 shows, in two separate sub-images, different embodiments of stamp holding devices, which are designed as magnetic holders and allow a stamp to be secured in position on the stamp holding device exclusively by means of magnetic forces.
  • the magnetic stamp holding device 200 comprises holding elements 201, 202 which can be fixedly connected to the frame of the embossing device or can be coupled to the frame in a movable or resilient manner.
  • the holding element 201 has a permanent magnet 202, the north pole of which points towards the lower, flat holding surface of the stamp holder.
  • a corresponding stamp 220 has in its outer region outside the active stamp surface a corresponding permanent magnet 222, which is polarized in such a way that an attractive magnetic force develops when the permanent magnets approach, which pulls the stamp reliably and securely to the stamp holder and holds it there.
  • Suitable to support a precise coupling Form-locking elements, for example locking lugs and corresponding recesses on the holding element and on the stamp may be provided.
  • the right part of the figure shows an alternative in which an element 232 made of, for example, iron-containing, magnetizable material is installed in a recess of the stamp 230 outside the active stamp surface.
  • an electromagnet 234 Arranged in the corresponding holding element 202 is an electromagnet 234 which can be electrically controlled from outside, which in the switched-on state pulls the stamp onto the holding device with the aid of the magnetizable element and releases the stamp in the switched-off state.
  • FIG. 1 For example, a clamping bracket which acts exclusively via frictional engagement is just as possible as only form-fitting working brackets, e.g. with swivel lever or the like. Holding devices in which form-fit and force-fit interact are also possible. Furthermore, the holding force can be generated with the help of fluid pressure.
  • FIG. 5 An embodiment of a vacuum stamp holding device 300 is explained on the basis of the schematic illustration in FIG. 5.
  • This has a stamp holder block 301 with a flat underside 302, which serves as a suction surface for a stamp 320 (which is slightly flexible in the example).
  • Numerous channels 303 run within the block 301, which open in a regular grid on the stamp holder surface 302 and lead to a common vacuum generator, for example a connected vacuum pump.
  • An electrically controllable valve 304 is mounted in each of the channels, the valves being switchable independently of one another between the blocking configuration and the passage configuration.
  • the corresponding stamps must have a back 321 which is complementary to the holder underside 302 and, in the example, is flat, and where appropriate, corresponding projections and recesses can be provided on the stamp holder and on the stamp in order to bring about a positionally secured coupling of the stamp and to prevent rotation.
  • the suction channels are switched to passage, so that a stamp brought up to the underside of the stamp holder is sucked in over a large area and held firmly on the stamp holder.
  • the suction effect can be switched off by closing the valves, so that the stamp can be removed from the stamp holder with little force. If necessary, a switch between suction and blowing can be made to support the uncoupling of a stamp from the holder.
  • stamp lithography devices according to the invention have a stamp changing device which enables a quick and safe change.
  • a single-axis or multi-axis gripping arm grips a stamp in the working position, for example by means of negative pressure, and moves it outwards, for example into a magazine, in order to then grab another stamp, for example of the same design, and into the working position bring to.
  • stamp changers with at least two stamp receptacles are particularly favorable, which make it possible to move a stamp from the working position to an external position and at the same time to reload the stamp lithography device, in that a second stamp is brought to the working position in parallel with the removal of the first stamp.
  • Figures 6 and 7 show different embodiments of double changers with exactly two stamp receptacles.
  • the stamp changer device 400 is designed as a double changer which has a double arm 402 which can be rotated about a vertical axis of rotation 401 and at whose ends seated stamp receiving devices 403 are seated.
  • the stamp receiving devices are designed as gripping devices and each comprise a support section 404 which is formed in one piece with the change arm 402 and a gripping arm 405 which is movable linearly relative to the support section and which can be moved transversely to the radial direction of the changer by a drive (not shown) in such a way that in cooperation with the support section an opening and closing gripping movement is possible in the manner of a pliers movement. Between the planes facing each other A support 420 of the gripping member formed in this way can be firmly received or released in a defined position.
  • the stamp changer 400 can be operated in such a way that it releases the stamp provided for the stamping process and shifted into the working position for the stamp process by opening its pliers. It is also possible for the changer to remain in engagement with the stamp during the stamping process and to take part in its lifting movement during the stamping process.
  • the stamp changer can be axially resiliently mounted to enable movement along its axis of rotation 401.
  • FIG. 7 schematically shows other possibilities of the stamp holder on a double changer 500, different constructions for resilient mounting of stamps on the stamp changing device being shown here on both sides of the changer.
  • the stamp receptacle 503 shown on the left has two guide rails 504 in a U-shaped opening of the changer arm, the mutually facing inner contours of which are adapted to corresponding outer contours of a stamp 520 in such a way that a stamp is inserted between the rails from outside when the stamp changer is loaded and when the stamp changer is unloaded can be moved out of the rail guide in the radial direction of the punch changer.
  • the guide rails 504 are resiliently or elastically resilient in relation to the two-armed changer arm 502, which can be achieved by the schematically shown springs 505 or by another suitable resilient holder, for example via monolithic joints or the like.
  • the guide rails 511 which permit the removal and insertion of a stamp on the changer arm, are directly with the changer arm connected, the advantageous elasticity between the changer arm and the punch being made possible by spring elements 512 or other elastically flexible bearings with which the holding elements 515 attached to the punch are movably mounted relative to the changer arm.
  • Both embodiments of a stamp changing device offer essentially no holding forces acting in the embossing direction or transversely thereto during the embossing process. Nevertheless, they enable stamps to be positioned precisely in the working position and to be securely and quickly docked onto the fine adjustment unit.
  • the stamp is fed, the feed unit can carry out an active gripping movement and places the stamp in the fine adjustment unit and releases it.
  • the stamp can also remain connected to the fine adjustment unit during the embossing process. Then a lowering process of the stamp changing device is indicated in the fine adjustment unit. Forces exceeding the dead weight of the stamp can be converted in the embodiment according to FIG. 7 into a relative movement between the stamp and the stamp changing device, because the stamp is held essentially resiliently in the changer.
  • stamps are each mounted in a carousel-like manner, with exactly two carousel places being provided in each case.
  • stamp changing device cf. FIG. 10
  • Such carousel or turret devices offer particularly high changing speeds.
  • conical or cylindrical devices are also possible, which can bring spatial advantages because the elements of the stamp changer lying outside the working position can be at a greater distance from the sensitive substrate.
  • stamp changing devices 550 and 570 in FIGS. 8 and 9 the working position of the stamp is shown on the left in each case and the external position intended for stamp loading or stamp removal is shown on the right in each case.
  • the left partial figure of FIG. 10 shows a stamp changing device 580 equipped with eight stamp receptacles in a flat design, in which the stamping direction (z direction) of the assigned stamping device runs parallel to the axis of rotation 581 of the changer.
  • a tire-shaped stamp changing device 590 is shown, in which two or more stamps with radially outwardly directed stamp surfaces are arranged, the stamp changer being able to rotate about a horizontal axis of rotation 591. This is perpendicular to the embossing direction 592.
  • a mirror 593 can be provided within the ring, which directs the exposure radiation 594 in the direction 592 to the active stamp in the working position.
  • FIG. 11 shows an inspection device 600 which is used for the continuous quality control of stamps.
  • a conveyor belt 601 which can be moved back and forth, is installed in a housing (not shown) with a clean room atmosphere, with which stamps 620, 620 'can be moved back and forth between a transfer point 602 that can be fed by a robot and the detection area of various optical inspection modules.
  • an inspection module 610 is provided, in which the active stamp surface of a stamp 620 is optically detected independently of the operator with the aid of a high-magnification objective 611 and typical numerical apertures of more than 0.5 to 0.95.
  • a telecentric test beam path is advantageous here in order to generate identical test conditions within the field of view of the test device.
  • An image of the stamp surface falls on a CCD chip 612, which is connected to an evaluation unit 613, by a digital, enlarged one Generate image of the stamp surface or areas of the stamp surface.
  • the evaluation unit 613 is connected to an image processing computer, in which the image information originating from the stamp 620 is analyzed to determine whether the stamp surface has contaminations, damage or other damages which impair the stamp quality.
  • the evaluation process is automated in some embodiments. In other embodiments, an image that may have been processed using false colors or other techniques is output on a screen, so that a trained operator can carry out the analysis. Depending on the result of the analysis, an inspection value is assigned to the stamp 620.
  • the stamp can be returned directly to the embossing process via the transfer point 602 with the aid of a robot or the like. It is also possible to temporarily store intact stamps in a magazine or the like. If the inspection value corresponds to a contaminated and / or damaged stamp, the system is controlled in such a way that this stamp is either cleaned or branched off from the stamp circuit.
  • the inspection module 610 can work with working wavelengths in the UV range, for example at 193 nm, 248 nm, 365 nm, 405 nm or with broadband UV radiation or excimer radiation. Visible light inspections are also possible.
  • the inspection module 630 which likewise enables an operator-independent inspection, comprises a transmitter 631 for emitting inspection radiation directed onto the stamp surface and a detector 632 for detecting the inspection radiation reflected from the stamp surface.
  • the transmitter and the receiver are connected to an evaluation unit 613, which contains the information about the Stamp quality processed for forwarding to a central computer.
  • the inspection modules 610, 630 can be used alternatively or in combination.
  • the inspection comprises exclusively or additionally a visual control via a suitably trained operator 640, who observes and qualifies the stamp surface either with the naked eye or via optical aids, for example a microscope 641.
  • a suitably trained operator 640 who observes and qualifies the stamp surface either with the naked eye or via optical aids, for example a microscope 641.
  • optical aids for example a microscope 641.
  • special lighting can be provided.
  • a tilt manipulator for multi-axis swiveling of a stamp can simplify the examination.
  • a particularly efficient method of stamp inspection is schematically explained with reference to FIG. 12.
  • a user-independent comparison is made between the stamp surface of a stamp 720 to be examined and a reference stamp surface of a sample stamp which has an identical stamp surface structure to the examined stamp 720 and is free from contamination and damage.
  • a holographic image of the target stamp surface is encoded in a hologram 721.
  • the stamp surface to be examined is irradiated vertically with collimated laser light 722.
  • the obliquely irradiated examination light 723 passes through the hologram 721 and is reflected on the surface of the stamp.
  • the image information stored in the hologram is superimposed in phase with the star surface and falls on the rotating screen 726.
  • the comparison image acquired in this way interferometrically is passed via suitable optics 724 into a camera 725, which processes the image information for further processing.
  • the image information obtained does not contain any impurities, damage and others in an undamaged reference surface existing faults can be identified particularly reliably and easily.
  • the image information coming from the camera can be evaluated visually or with the aid of a computer, digital image processing being particularly advantageous for a quick and good reproducible inspection.
  • a cast or impression 821 of the active stamp surface of the stamp 820 is produced by means of suitable replication technology. After the negative form of the stamp surface has been detached from the stamp, the surface of the replica 821 structured by the stamp is examined. For the examination of the stamp impression, all the techniques also provided for the direct examination of stamp surfaces can be used.
  • the cleaning device 900 in FIG. 14 enables efficient cleaning of the active stamp surface of a stamp 920 via intensive contact with a band-shaped cleaning film 921, the surface of which facing the stamp is optimized in such a way that contaminants adhere to the cleaning surface.
  • the cleaning device comprises a circumferential cleaning film 921, which itself is continuously cleaned and reactivated for further cleaning processes.
  • a stamp pressure device 922 is provided on the side of the active cleaning surface of the film and a counterpressure element 923 with a flat, elastically slightly resilient pressure surface is provided on the opposite side.
  • the cleaning film which can be driven intermittently is briefly stopped and the stamp with its active stamp surface is pressed against the cleaning side of the film 921 so strongly that the film material comes into extensive contact with the structured stamp surface and can detect existing impurities.
  • the film movement is continued and the film carries the contaminants 924 with it in a contaminated film section.
  • the cleaning device comprises, in the direction of flow of the film, a film cleaning device 925, for example in the form of a cleaning bath, a drying section 926 in which the film material is heated and stretched, and a subsequent compression section 927 in which the film material is optimized for further cleaning Condition is restored.
  • the cleaning bath 925 the impurities coming from the stamp are first physically and / or chemically removed from the film, and this cleaning process can be supported by ultrasound.
  • the subsequent restoration of the cleaning film makes it possible to reorient the cross-linked molecules of the film material.
  • the process can be supported by a slightly reversible mechanical stretching of the film material and by heating the same. In this way, in particular thermoplastics, such as polyethylene, can be used for multiple uses as a cleaning film.
  • FIG. 15 schematically shows an embodiment in which the cleaning of the active stamp surface of a stamp 940 comprises irradiation with hard UV light which is irradiated by a UV lamp 941.
  • This radiation can embrittle residues of polymeric resist material adhering to the stamp surface, so that subsequent removal of the contaminants, for example by the film cleaning described above, by blowing away or in another way can be eliminated.
  • 16 schematically shows the irradiation of an active stamp surface of a stamp 960 with ionized cleaning gas, for example ionized argon.
  • FIG. 17 shows the variant of a cleaning device 970 in which a stamp 980 is cleaned with the aid of a liquid cleaning bath 981.
  • the stamp 980 is attached to a stamp holder 982 with the stamp surface facing downward and immersed in a cleaning liquid 981 which can chemically dissolve contaminant material, e.g. Acetone, NMP or the like.
  • the cleaning process can be physically supported with the aid of ultrasound, which is generated with an ultrasound generator 983. After cleaning is complete, the stamp is removed from the cleaning fluid, dried and passed on for further processing.
  • FIG. 18 is characterized in particular by the fact that its active stamp surface is essentially free of microcracks reaching the stamp surface.
  • a stamp blank 1000 is machined for flatness on its side 1001 provided for producing the stamp surface. This is achieved by dressing, subsequent lapping and subsequent polishing.
  • This first process step is initially optimized for rapid polishing of the surface topography with plastic polishing, whereby typical surface defects in the range of a few wavelengths ⁇ or below the wavelength ⁇ should be achieved based on a measuring wavelength of 632 nm.
  • the micro roughness is of secondary importance.
  • a smoothing process follows, preferably on pitch, which leads to a very smooth surface 1002.
  • the shape of the surface remains in the range of the wavelength ⁇ . So that the extreme Small structures of the stamp surface, which can reach into the range of 20 or 10 nm, do not break off due to microcracks during an embossing process, special emphasis is placed on avoiding microcracks. There is a check for microcracks. In the method, this is achieved in that the smoothed surface is etched very deeply in a subsequent method step using a suitable acid 1003, for example hydrofluoric acid. Here, etching depths of a few ⁇ m to 0.1 to 0.2 mm can be quite useful. This etching process reveals microcracks 1004 reaching the surface.
  • an essentially crack-free and essentially flat starting surface for example from ⁇ / 5 to ⁇ / 20, can be achieved by fine-optical removal of the surface area 1005 interspersed with microcracks, into which the three-dimensional structure of the stamp surface is then introduced.
  • materials can be used which are available with favorable material specifications with regard to inclusions, air bubbles, grain boundaries or the like, e.g. Silicon, germanium, gallium arsenide or other semiconductor materials.
  • the single-crystalline material need not be doped.
  • Another solution to the material question are high-glass, i.e. extremely amorphous, optically transparent materials.
  • Silicon dioxide deposited from the flame can be particularly advantageous, the layer structure of which should be as uniform as possible.
  • the active stamp surface preferably works in a quartz deposition layer that is as open as possible, so that the quartz layers should be as parallel as possible to the active stamp surface.
  • the processing captures the layer structure and defines the processing depth and angular position to match the layer structure of the quartz glass.
  • Favorable properties of such quartz glass materials are medium hardness, relative lack of defects, small mechanical-thermal Expansion and a large spectral transmission range down to approx. 175 nm.
  • Uniaxial crystals are preferably oriented such that they have the same expansion under pressure and / or temperature along the active stamp surface in both spatial directions.
  • the stamp is preferably made from a uniaxial crystal in such a way that the optical crystal axis is almost perpendicular to the stamp press-in surface, so that there are no different transverse expansions under pressure.
  • isotropic crystals There are several suitable orientations for isotropic crystals.
  • An essential prerequisite for cost-effective mass production with the help of stamp lithography is the long service life of the stamp.
  • the use of aluminum oxide (Al 2 0 3 or sapphire) can be advantageous here. This is a uniaxial, birefringent crystal of high hardness and wear resistance.
  • stamp thicknesses of up to approximately 10 mm, it is sufficiently transparent for an exposure wavelength of 193 nm.
  • Mixed crystals can also be used. Mixed crystals of Zr ⁇ 2 + Y 2 0 3 or Hf0 2 + Y 2 ⁇ 3 have proven to be advantageous.
  • Zr0 2 and Hf0 2 are stabilized cubically by the proportion Y 2 0 3 .
  • stamps are described, the active stamp surface of which partly consists of a thin coating applied to a stamp body the mechanical properties of the stamp surface decisively influenced.
  • a layer 1 102 of a fine nanocrystalline, very hard material is first applied to a transparent stamp body 1101, the average grain diameter of which is small compared to the typical structure sizes of the stamp surface and, for example, in Range can be between 5 nm and 10 nm.
  • the three-dimensional structure of the stamp surface is produced by lithography, the processing depth being greater than the layer thickness, so that the exposed projections of the stamp surface are coated with a coating, while the exposed recesses are coating-free.
  • the stamp body 1111 is first structured before a coating 1112 is applied to the structured surface. It is thereby achieved that both the projections and the recesses are covered with a coating, where it is possible for flank areas to remain uncoated.
  • a coating 1122 is first applied to a stamp body 1121. In the structuring process for the stamp surface, only the coating is removed locally, so that the projections of the stamp surface are formed by the coating, while the stamp body 1121 is exposed at the bottom of the recesses.
  • the coating can be a low-wear layer made of extremely fine, polycrystalline diamond. It is also possible to deposit a fine-grained wear layer from suitable heavy metal compounds. Fine crystalline layers Silicon carbide, silicon nitride, boron nitride or other hard materials or mixtures of these materials are possible. As a result, stamps can be created whose surfaces have the highest mechanical hardness in the range of more than 500, 600 or 700 kg / mm 2 or significantly more.
  • stamps are intended for lithographic stamp exposure, ensure that the stamp is sufficiently transparent.
  • zirconium dioxide, aluminum dioxide or hafnium dioxide for example, can be selected as the transparent material for the stamp body.
  • the coatings such as diamond can be so thin with just a few nanometers that they are sufficiently transparent and allow exposure through the coatings, although they are considered to be impermeable to the intended wavelength in a thickness of a few mm.
  • the structured stamp surface 1151 is free of undercuts in order to avoid detachment of structured stamping substance after the stamping process. It is expedient if the recesses on the stamp surface open out in a funnel shape, as is shown schematically for the stamp 1150 in FIG. 20. This can be achieved in that some or all of the side flanks of the stamp structure have a positive flank angle.
  • FIG. 21 schematically shows a transparent stamp 1200, the stamp body 1201 of which is made of crystalline quartz, which undergoes a dimensional change in the direction perpendicular to the structured stamp surface 1202 when an electric field is applied due to the reverse piezoelectric effect.
  • the stamp thickness is dimensioned so that the exclusively piezoelectrically generated stroke of the stamp surface in the for the The stamping process requires an order of magnitude, for example in the order of between approximately 10 and approximately 100 nm.
  • the stamp body has electrical contacts 1203 on opposite side faces, which can come into contact with spring-loaded contacts 1204 of the stamp holder when inserting the stamp into a stamp holding device to enable electrical connection of the piezoelectric stamp 1200 to the control of the embossing lithography device.
  • stamps of this type can be used both in embossing lithography, in particular in hot stamping lithography, and in lithographic stamp exposure.
  • a transparent stamp 1300 shows a schematic top view of a transparent stamp 1300.
  • the latter has cylindrical passages 1301, 1302 which pass through the stamping material in the longitudinal direction and through which a liquid can be passed during the stamping operation for tempering purposes.
  • the liquid is passed through the channels according to the countercurrent principle, so that in adjacent channels 1301, 1302 the direction of flow of the liquid is opposite.
  • a uniform temperature distribution can be generated in the stamp material and on the stamp surface.
  • a gas can also be passed through the channels as a temperature control agent.
  • FIG. 23 schematically shows a top view of a transparent stamp 1400, in which the stamp material is traversed by cylindrical channels 1401 arranged in the longitudinal direction.
  • adjacent channels 1403, 1404 are each used as a temperature control acting temperature control wires 1403 and temperature measuring wires 1404 serving as temperature measuring elements are integrated.
  • the temperature measuring wires 1404 the temperature distribution of the stamp can be measured in the transverse direction and can be influenced in a targeted manner by using the temperature control wires 1403. It may prove to be advantageous if some channels have temperature control wires 1403, while others pass a liquid for temperature control. It may also be appropriate to cool certain areas of the stamp while heating others.
  • FIG. 24 shows a schematic plan view of a transparent stamp 1500, in which channels 1501 running in the longitudinal direction are introduced into the stamp material.
  • a sequence of temperature control elements 1504 Arranged in each individual channel is a sequence of temperature control elements 1504 which are arranged at the same distance and each consist of a temperature measuring element 1503 and temperature control element 1502 placed close to one another.
  • the entirety of the temperature control elements 1504 is arranged in a grid-like arrangement so that the stamp 1500 is covered uniformly by them. With this arrangement, local deformations of the stamp can be corrected up to a maximum upper spatial frequency, which depends on the number of temperature control elements and the distance to the active stamp surface.
  • FIG. 25 shows an embodiment of an illumination device 1600 for irradiating a stamp 1606 from its rear side.
  • the lighting device 1600 comprises a focusing device 1601 for focusing the radiation onto a small area compared to the total size of the back of the stamp and an infrared light source 1602. By moving the lighting device 1600 or using a scanner mirror, any point on the back of the stamp can be reached for the focused radiation.
  • the stamp 1606 has a stamp body 1604, an active stamp surface 1605 and a layer 1603 which is non-transparent to infrared radiation.
  • the radiation emitted by the lighting device 1600 is absorbed in this layer and leads to local heating there.
  • This heating is transmitted through the preferably 0.5 mm or thinner stamp body 1604 to the active stamp surface 1605, so that its temperature is locally increased and deformations thereof can be compensated for.
  • the layer 1603, which is impermeable to infrared radiation, can be realized by using quartz glass as the material for the stamp body 1604, for example by implanting OH ions.
  • the stamp 1606 is transparent to UV radiation in all parts, so that the arrangement can be used for exposure stamp lithography and the UV radiation illustrated by arrows in the figure can be used to cure a low-viscosity photopolymer.
  • FIG. 26 shows a plan view of the wafer stage 151 from FIG. 2 with a semiconductor wafer 141 positioned thereon, of which only a thin layer 142 of polymer resist covering it is visible in the plan view.
  • the wafer stage has two mirrors 1710, 1711 and an illumination sensor 1712.
  • a circular opening 1715 is provided in the wafer stage 151, which has a transparent reference plate 1725 completely covering it. Under this reference plate 1725 there is a real-time geometry control unit 1720 positioned.
  • the stamp (not shown) can be positioned over the opening 1715 to check its surface geometry by moving the unit 1720 under the stamp held in its working position by moving the wafer days.
  • the geometry control unit 1720 has a plurality of position optics, each of which is assigned a stamp mark on the stamp surface and a reference mark on the reference plate, so that the geometry of the stamp surface and deformations thereof can be determined by comparing their position.
  • FIG. 27 shows a schematic side view of an embodiment of a position optics 1860 of the real-time geometry control unit 1720.
  • This maps a stamp mark 1810, which is attached to the surface of a stamp 1800 outside of its active stamp surface, onto a first detector surface 1854 and a corresponding reference mark 1820, which is fitted onto the reference plate 1725, onto a second detector surface 1856.
  • the stamp has stamp reference marks 1830 which are positioned outside the active stamp surface.
  • Suitable detectors are, for example, CCD arrays or four-quadrant detectors.
  • the shape of the stamp marks on the stamp surface 1810 and on the reference plate 1820 can be selected from a large number of possible shapes.
  • a stamp mark 1810 can be, for example, a full cross, a hole cross, a line cross, a circle, a ring, a triangle target or a diamond of suitable orientation (portrait or landscape).
  • a circular brand shape is particularly suitable.
  • the stamp mark 1810 and the reference mark 1820 can be arranged centrally one above the other, the reference mark 1820 having a smaller dimension than the stamp mark 1810 of typically less than 50%. having. This has metrological advantages, since the brands with a high aperture have to be resolved. However, it is also possible to arrange the stamp mark and the reference mark slightly laterally offset, so that both can have the same dimensions.
  • the position optics 1860 has a collimator 1850 which parallelizes the two light beams coming from the marks 1810, 1820.
  • the parallel beams hit a deflection mirror 1851 and are split into two partial beams at a beam splitter 1851 adjoining this.
  • the first partial beam originating from the stamp mark 1810 is focused on the detector surface 1854 with a focusing lens 1853.
  • the second partial beam coming from the reference mark 1820 is focused on the second detector surface 1856 by a second focusing lens 1855.
  • An evaluation unit 1870 compares the two images recorded by the detectors 1854, 1856 and calculates from their offset deformations of the stamp surface which would be transferred during the embossing process into the substance to be structured, which is applied to a substrate. With the help of spatially resolving temperature control, e.g. 22 to 25, these geometry errors can be compensated and the compensation can be monitored by the geometry control unit. Once the stamp geometry has been optimally set, the next stamping process can follow. A short-term "real-time geometry analysis and geometry optimization of the stamp surface is possible, as a result of which considerable improvements in quality and yield can be achieved.
  • the position optics 1860 are small compared to the stamp surface, so that a sufficiently large number of these optics can be attached in the real-time geometry control unit 1720. With just five optics the most important distortion errors can be determined very precisely. If working at very high and fluctuating temperatures, the refractive lens elements can also be made of quartz glass and with invar mount or alternatively replaced by mirrors in glass ceramic technology.
  • the real-time geometry control unit 1720 can also be used without the use of a reference plate for measuring the geometry of the stamp surface, but any positioning errors that may occur during the wafer days are then fully included in the measurement result.

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Abstract

Bei einem Stempellithografieverfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines Stempels hat der Stempel einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf dem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz. Bei dem Verfahren wird ein erster Stempel in einer Arbeitsposition an einer Stempellithografievorrichtung bereitgestellt und es wird mit Hilfe des ersten Stempels mindestens ein Stempelabdruck in der Prägesubstanz erzeugt. Dann erfolgt ein automatisches Auswechseln des ersten Stempels mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung aus der Arbeitsposition zur Behandlung des ersten Stempels außerhalb der Arbeitsposition und ein automatisches Einwechseln des ersten Stempels oder eines zweiten Stempels mit Hilfe der Stempelwechseleinrichtung in die Arbeitsposition. Die Behandlung kann eine Inspektion und/oder eine Reinigung von Stempeln umfassen, um einen störungsarmen Produktionsprozess mit hohem Durchsatz sicherzustellen.

Description

Beschreibung Stempellithoαrafieverfahren sowie Vorrichtung und Stempel für die Stempellithoorafie
Die Erfindung betrifft ein Stempellithografieverfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines Stempels, sowie eine Stempellithografievorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Stempel für die Stempellithografie und ein Verfahren zu seiner Herstellung, sowie ein mit einem erfindungsgemäßen Verfahren oder unter Verwendung mindestens eines erfindungsgemäßen Stempels hergestelltes, feinstrukturiertes Bauteil.
Der Begriff Stempellithografie (imprint lithography) umfasst eine Gruppe von sich entwickelnden Techniken zur kostengünstigen Herstellung feinstrukturierter Bauteile und Komponenten. Zur Stempellithografie gehören verschiedene Verfahrensvarianten mit spezifischen Vorteilen und Anwendungsbereichen. Bei der Stempellithografie wird ein strukturierter Stempel (stamp, template) dazu verwendet, in eine auf einem Substrat angebrachte Schicht einer zu strukturierenden Substanz, beispielsweise in eine Polymerschicht auf einem Halbleiterwafer, ein Relief mit einer dreidimensionalen Struktur zu erzeugen. Hierzu hat der Stempel einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche, die die gewünschte dreidimensionale Struktur als „Stempel- abdruck" bzw. Negativbild der Stempeloberfläche erzeugt.
Die Topographie der Stempeloberfläche wird üblicherweise mit Hilfe der Elektronenstrahllithografie oder herkömmlicher optischer Lithografieverfahren hergestellt. Nach dem Strukturierungsschritt wird die strukturierte Prägesubstanz in nachfolgenden Verfahrensschritten zur Erzeugung eines entsprechenden Musters im Substratwerkstoff benutzt. Da der Strukturierungsvorgang mit Hilfe eines Stempels viel schneller durchgeführt werden kann als eine Direktstrukturierung des Substratmaterials mit Hilfe von Elektronenstrahllithografie oder dergleichen, kann durch die Stempellithografie bei vergleichbaren Struktu rgrößen ein wesentlich höherer Durchsatz erzielt werden, wodurch Produktions- kosten für feinstrukturierte Bauteile vermindert werden können.
Die Stempellithographie erreicht ähnliche Durchsatzmengen wie die optische Lithographie. Allerdings sind die Kosten für das Retikel sehr viel größer als die Kosten für einen Stempel. Allenfalls fü r Retikel mit einfachen binären Strukturen werden vergleichbare Herst llungskosten erzielt. Eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage kostet erheblich mehr als eine vergleichbare Nanoimprint-Einrichtung. Insbesondere stellt die Degradation der Optiken über die Lebensdauer ein ungelöstes Problem dar.
Zur Zeit werden im wesentlichen zwei unterschiedliche Verfahren verwendet, nämlich die Heißprägelithografie (Hot Embossi ng Lithogra- phy (HEL), die auch als Nanomprint Lithography (NIL) bezeichnet wird), und die lithographische Stempelbelichtung bzw. Belichtungsstempellitho- grafie (Step and Flash Imprint Lithography (SFIL)).
Bei der Heißprägelithografie werden hohe Temperaturen und hohe Drücke angewendet, um die Strukturen in einem Prägeverfahren zu erzeugen. Dabei wird ein Stempel mit strukturierter Stempeloberfläche in eine dünne thermoplastische Schicht gedrückt, die über ihre Glasübergangstemperatur erhitzt wird. Es findet eine Umordnung der Moleküle insbesondere an der Grenzfläche zum Stempel statt, ein großflächiges Abfließen des Resistes ist dabei nicht möglich. Nach dem Entformen und einem lonenätzschritt ist das Substrat mit der thermo- plastischen Schicht bedeckt, die Durchbrüche entsprechend dem Muster des Stempels hat. Verfahren zum Prägen relativ fester Polymer- schichten sind in den Patenten US 4,731 ,155 oder US 5,772,905 gezeigt.
Bei der lithografischen Stempelbelichtung wird als zu strukturierende Substanz ein niedrigviskoser flüssiger Polymer verwendet, der mit Hilfe von Ultraviolettlicht ausgehärtet wird. Der Stempelkörper ist aus einem für UV-Licht transparenten Material, beispielsweise Quarzglas, hergestellt. In einem ersten Schritt wird die strukturierte Stempeloberfläche mit einer haftungsmindernden Trennschicht versehen und mit geringem Abstand zu dem mit einer Transferschicht beschichteten Substrat ausgerichtet. Dann wird der niedrigviskose Photopolymer in den schmalen Spalt zwischen Stempel und Substrat eingebracht. In einem dritten Schritt wird der Spalt geschlossen und der Polymer wird mittels des durch den Stempel eingestrahlten UV-Lichtes ausgehärtet. Nach Trennung des Stempels vom Substrat kann die Transferschicht durch die Ausnehmungen des Polymers weggeätzt werden, wodurch die Ausnehmungen für weitere Behandlungen des Substrates geöffnet werden.
Da auch bei dieser Verfahrensvariante der zu strukturierenden Substanz die dreidimensionale Struktur der Stempeloberfläche, bzw. eine dazu komplementäre Struktur „aufgeprägt" wird, wird im folgenden auch dieses Verfahren als „Prägeverfahren" und die zu strukturierende Substanz als „Prägesubstanz" bezeichnet, auch wenn z.B. kein Prägedruck aufgebracht wird.
Die lithografische Stempelbelichtung wird unter anderem in folgenden Veröffentlichungen im Detail dargestellt: Artikel „Step and Flash Imprint Lithography: A Progress Report" von C. Grant Willson, S.V. Sreenivasan, J.G. Ekerdt, T.C. Bailey, S. Johnson, E.K. Kim, D.J. Resnick, W.J. Daukscher, D. Mansini, K.J. Nordquist; „High Resolution Templates for Step and Flash Imprint Lithography" von D.J. Resnick, W.J. Daukscher, D. Manicini, K.J. Nordquist, E. Ainley, K. Gehoski, J.H. Baker, T.C. Bailey, B.J. Choi, S. Johnson, S.V. Sreenivasan, J.G. Ekerdt and CG. Willson; „Step & stamp imprint lithography using a commercial flip chip bonder" von Tomi Haatainen, Jouni Ahopelto, Gabi Gruetzner, Marion Fink, Karl Pfeiffer.
Die lithografische Stempelbelichtung erfordert aufgrund der Verwendung einer flüssigen Prägesubstanz besonderen Aufwand bei der Kontrolle von Form und Breite des zu füllenden Spaltes und bei der gegenseitigen Ausrichtung zwischen Stempel und Substrat vor und während der Belichtung. In den internationalen Patentanmeldungen WO 02/08835 A2, WO 02/10721 A2 und WO 02/067055 A2 sind zahlreiche Vorschläge zur Lösung dieser Probleme angegeben.
Intensive Forschung im Bereich der Stempellithografieverfahren hat inzwischen zu zahlreichen erfolgversprechenden Versuchen geführt, im Labormaßstab Strukturen mit typischen Strukturgrößen von 50 nm und darunter zu erzeugen.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, für die eingangs erwähnten Verfahren der Stempellithografie Verfahren und Einrichtungen bereitzustellen, die dazu beitragen, diese Verfahren für eine industrielle Massenproduktion nutzbar zu machen.
Diese Aufgabe wird durch ein Stempellithografieverfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1 , eine Stempellithografievorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 45 sowie durch einen Stempel mit dem Merkmalen von Anspruch 96 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird durch Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht. Gemäß einer Formulierung der Erfindung betrifft diese ein Stempellithografieverfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines Stempels. Der Stempel hat einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeu- gung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf dem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz. Das Verfahren umfasst folgende Schritte:
Bereitstellen eines ersten Stempels in einer Arbeitsposition an einer Stempellithografievorrichtung; Erzeugen mindestens eines Stempelabdrucks in der Prägesubstanz mit Hilfe des ersten Stempels;
Automatisches Auswechseln des ersten Stempels mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung aus der Arbeitsposition zur Behandlung des ersten Stempels außerhalb der Arbeitsposition; Automatisches Einwechseln des ersten Stempels oder eines zweiten Stempels mit Hilfe der Stempelwechseleinrichtung in die Arbeitsposition.
Die Erfindung ermöglicht somit eine Automatisierung der Beschickung und Entladung einer Stempellithografievorrichtung mit Stempeln. Dadurch ist eine wesentliche Voraussetzung geschaffen, mit Hilfe der Stempellithografie eine hohe Anzahl von Prägevorgängen pro Zeiteinheit durchzuführen, so dass eine kostengünstige, kontinuierliche Massenproduktion feinstrukturierter Komponenten möglich ist.
Bei einer Ausführungsform wird ein erster Stempel in der Arbeitsposition und mindestens ein zweiter Stempel außerhalb der Arbeitsposition angeordnet und es findet ein automatischer Austausch des ersten Stempels gegen den zweiten Stempel durch Auswechseln des ersten Stempels und Einwechseln des zweiten Stempels mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung statt. Gegebenenfalls kann ein Platztausch zwischen erstem Stempel und zweitem Stempel vorgenommen werden, so dass vor dem Austausch der zweite Stempel und nach dem Austausch der erste Stempel in einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Aussenposition angeordnet ist. Der erste und der zweite Stempel können weitgehend identisch aufgebaut sein, insbesondere mit weitgehend gleicher Topographie der Stempeloberfläche. Dadurch können sich die Stempel gegenseitig ersetzen. Es kann auch zwischen unterschiedlich strukturierten ersten und zweiten Stempeln gewechselt werden.
Vorzugsweise werden das Auswechseln des ersten Stempels und das Einwechseln des zweiten Stempels zeitlich koordiniert, d.h. synchronisiert durchgeführt. Die beiden Teilvorgänge des Stempelwechsels können gesteuert zeitversetzt durchgeführt werden, um beispielsweise Pausen zu erzeugen, in denen in der Stempellithografievorrichtung kein Stempel angebracht ist. Diese Pausen können für Wartungs- oder Reinigungsarbeiten genutzt werden. Ein besonders hoher Durchsatz an Prägeprodukten kann dadurch erreicht werden, dass die Arbeitsbewegungen beim Auswechseln des ersten Stempels und Einwechseln des zweiten Stempels mindestens zeitweise gleichzeitig verlaufen, so dass sich ein Auswechselzeitintervall und ein Einwechselzeitinterwall teilweise oder vollständig überlappen. Hierdurch kann eine Minimierung der für einen Stempelwechsel erforderlichen Zeit erreicht werden.
Bei einer Ausführungsform ist eine Behandlung des ersten Stempels in einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Behandlungsposition nach Auswechseln des ersten Stempels aus der Arbeitsposition sowie ein Einwechseln des ersten Stempels in die Arbeitsposition nach der Behandlung vorgesehen. Dabei kann ein automatischer Transfer des ersten Stempels zwischen der Arbeitsposition und der Behandlungsposition und zurück mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung durchge- führt werden, der ggf. weitere Förder- oder Transporteinrichtungen für Stempel zugeordnet sein können. Die Zeit, in der sich der erste Stempel außerhalb der Arbeitsposition befindet und damit nicht für einen Prägevorgang genutzt werden kann, kann dazu genutzt werden, mit Hilfe eines oder mehrerer zweiter Stempel eine Prägung durchzuführen. Es ist auch möglich, nur den ersten Stempel zu verwenden, der zwischen verschiedenen Prägevorgängen außerhalb der Arbeitsposition behandelt werden kann.
Die Behandlung eines Stempels kann direkt in der Aussenposition durchgeführt werden. Es ist auch möglich, dass die Aussenposition eine Übergabeposition ist, von der ein Stempel einer weiteren Behandlung zugeführt wird oder in die ein Stempel nach einer außerhalb des Übergabeortes durchgeführten Behandlung zugeführt wird.
Bei einer Ausführungsform umfasst die Behandlung eine Inspektion bzw. Untersuchung des ersten Stempels. Hierbei kann der erste Stempel beispielsweise auf Verunreinigungen und/oder Schäden im Bereich der Stempeloberfläche und/oder auf Transmissionseigenschaften oder dergleichen überprüft werden, um die Erzeugung von Ausschuss zu vermeiden. Durch die schnelle, automatische Überführung zwischen Arbeitsposition und Behandlungsposition kann eine Inspektion nach einer relativ kleinen Anzahl von beispielsweise 1 bis 10, 11 bis 50 oder 51 - 100 Prägevorgängen durchgeführt werden, um einen stabilen Massenfertigungsprozess mit minimaler Ausfallquote sicherzustellen.
Bei manchen Ausführungsformen ist eine visuelle optische Inspektion vorgesehen, bei der Bedienpersonal direkt mit dem Auge oder mit Hilfe geeigneter Hilfsmittel, wie Lupe, Mikroskop oder dergleichen, die Stempeloberfläche oder den Stempel als Ganzes qualifiziert.
Bei manchen Ausführungsformen wird mit Hilfe einer geeigneten Kamera oder dergleichen ein vorzugsweise digitales Bild der Stempeloberfläche erzeugt und dieses Bild wird dann ausgewertet. Die Auswertung kann wiederum von einem Bediener visuell, z.B. an einem Bild- schirm, oder mit Hilfe computergestützter Bildverarbeitungsverfahren durchgeführt werden. Besonders die Bildverarbeitung ermöglicht eine für den Massenfertigungsprozess vorteilhafte, bedienerunabhängige Inspektion von Stempeln auf Tauglichkeit bei der Weiterverwendung in einem Prägeprozess.
Die Inspektion kann mit Hilfe von Vergleichstechniken durchgeführt werden. Bei einer Ausführungsform wird eine Referenz-Stempeloberfläche bereitgestellt und es wird ein Vergleich der zu beurteilenden Stempeloberfläche mit der Referenz-Stempeloberfläche durchgeführt. Es ist ein Direktvergleich möglich. Bei einer Ausführungsform wird ein Bild der Referenz-Stempeloberfläche erzeugt und dieses Bild wird direkt mit der zu beurteilenden Stempeloberfläche oder mit einem Bild dieser Stempeloberfläche verglichen. Die Referenz-Stempeloberfläche reprä- sentiert dabei die gewünschte Soll-Topographie der Stempeloberfläche und kann an einem Master-Stempel erfasst werden oder worden sein. Beispielsweise ist es möglich, ein Hologramm der Referenz- Substratoberfläche aufzunehmen und dieses Hologramm inter- ferometrisch mit der jeweils zu beurteilenden Substratoberfläche eines für den Prozess vorgesehen Stempels zu vergleichen. Vergleichsverfahren ermöglichen eine besonders schnelle und zuverlässige Inspektion, da hier Abweichungen von einer idealen Soll-Struktur besonders gut erkennbar werden. Dies macht sowohl eine visuelle als auch eine computergestützte Auswertung mit hoher Zuverlässigkeit möglich. Insbesondere sind pixelweise Vergleiche binärer Helligkeitsstufen der zu vergleichenden Teile der Referenz-Stempeloberfläche und der Stempeloberfläche des Arbeitsstempels schnell zu erreichen. Ein virtuelles Vergleichsnormal kann auch in einem Rechner abgelegt sein und zur Inspektion herangezogen werden.
Bei anderen Ausführungsformen wird eine indirekte Inspektion der zu beurteilenden Stempeloberfläche durchgeführt. Hierzu wird ein Stempel- abdruck der Stempeloberfläche erzeugt und die Topographie des Stempelabdruckes wird inspiziert. Dabei ist es grundsätzlich möglich, das Prägebild direkt am zu prägenden Substrat zu überprüfen. Vorzugsweise wird jedoch ein gesonderter Stempelabdruck oder Stempelabguss erstellt, der dann untersucht wird. Dadurch ist es möglich, den Fertigungsprozess zeitlich und räumlich unabhängig von der Inspektion fortzuführen. Der Fertigungsprozess wird zwar auch anhand der laufenden Produktion am Wafer kontrolliert. Allerdings ist dies nur nach Beendigung eines Wafer-Belichtungszyklus möglich und stellt einen Eingriff in den Fertigungsablauf dar.
Bei einer anderen Ausführungsform wird eine mechanische Inspektion der Stempelober läche durchgeführt, beispielsweise mit Hilfe eines Profilometers, mechanisch-optisch oder mittels eines Kraftmikroskops. Auch elektro-optische Untersuchungsverfahren mit geeigneter Tiefenauflösung, beispielsweise die Verwendung eines Scanning- Elektronenmikroskopes zur Untersuchung einer Stempeloberfläche, sind möglich. Hierzu muss eine leitende Schicht auf der Oberfläche abgeschieden oder aufgedampft werden.
Die Inspektion von aus dem Fertigungsprozess herausgenommenen Stempeln kann regelmäßig, beispielsweise nach vorgegebenen Zeitintervallen oder einer vorgegebenen Anzahl von Stempelvorgängen durchgeführt werden oder unregelmäßig, beispielsweise abhängig von gewissen Anlässen, die eine Inspektion angezeigt sein lassen. Eine Inspektion kann direkt im Anschluss an das Auswechseln eines Stempels durchgeführt werden, um den Stempel im Falle eines positiven Inspektionsergebnisses sofort wieder im Produktionsprozess verwenden zu können. Es ist auch möglich, Stempel regelmäßig oder unregelmäßig aus dem Produktionsprozess abzuzweigen und unabhängig vom Produktionsprozess routinemäßig zu inspizieren. Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, wenn die Behandlung von Stempeln eine Reinigung von Stempeln umfasst. Dadurch ist es möglich, mit einem oder wenigen Stempeln über viele Prägezyklen eine hohe Qualität der erzeugten Struktur sicherzustellen.
Um Beschädigungen der zu reinigenden Stempeloberfläche beim Reinigungsvorgang zuverlässig zu vermeiden, wird bei manchen Ausführungsformen ein Reinigungsfluid verwendet, welches so ausgewählt ist, dass an der Stempeloberfläche haftende Verunreinigungen, wie beispielsweise Reste der Prägesubstanz, mit Hilfe des Reinigungsfluids mechanisch und/oder chemisch gelöst werden können. Der Abtransport von Verunreinigungen in gelöster und/oder ungelöster Form kann ebenfalls mit Hilfe des Reinigungsfluids erreicht werden. Als Reinigungsfluide werden dabei insbesondere solche fließfähigen oder strömungsfähigen Substanzen verwendet, die in der Lage sind, die Verunreinigung chemisch und/oder mechanisch zu lösen.
Wird die Reinigung mit Hilfe einer oder mehrerer Reinigungsflüssigkeiten durchgeführt, so können beispielsweise deionisiertes Wasser, vielfach destilliertes Aceton, N-Methyl-Pyrolidin (NMP) oder Mischungen mit diesen Substanzen verwendet werden. Alternativ oder zusätzlich ist auch die Verwendung gasförmiger Reinigungsfluide möglich. Hier haben sich vor allem Ozon und ionisiertes Argon als wirksam zur Beseitigung von Prägesubstanz-Resten herausgestellt.
Es ist auch möglich, die zu reinigende Stempeloberfläche in ein Bad mit einer Reinigungsflüssigkeit einzutauchen, um Verunreinigungen zu lösen. Eine Reinigung mit Hilfe von Ultraschall ist ebenfalls möglich, wobei Ultraschall allein oder in Kombination mit anderen Reinigungs- arten, beispielsweise mit der Eintauchreinigung oder einer thermischen Behandlung, eingesetzt werden kann. , _„„„
WO 2005/026837 11
Die Reinigung kann eine Plasmareinigung umfassen. Hierzu kann beispielsweise Sauerstoff/Ozon verwendet werden, evtl. abgemischt mit Edelgasen, um die Reinigungswirkung und Aggressivität geeignet einzustellen.
Die Reinigung kann eine Kontaktreinigung umfassen, bei der die Stempeloberfläche mindestens teilweise mit einer festen, idealerweise jedoch nachgiebigen Reinigungsfläche einer Reinigungseinrichtung in Berührungskontakt gebracht wird. Dabei sind beschädigungsträchtige Wisch-, Bürst- oder Reibebewegungen zwischen Reinigungseinrichtung und Substratoberfläche möglichst zu vermeiden. Idealerweise ist die Reinigungsfläche der Reinigungseinrichtung so optimiert, dass ein Haftkontakt zwischen der Reinigungsoberfläche und den zu entfernenden Verunreinigungen möglich ist, so dass die Verunreinigungen nach Abziehen bzw. Trennung der Reinigungseinrichtung von der Stempeloberfläche von dieser abgehoben werden können. Die Reinigung kann ein Anpressen der Stempeloberfläche an eine plastisch und/oder elastisch nachgiebige, verunreinigungslösende Reinigungsoberfläche einer Reinigungseinrichtung umfassen. Als Reinigungseinrichtung kann ein Kissen oder eine Reinigungsfolie verwendet werden, beispielsweise eine Folie aus Polyäthylen, Polyvinylchlorid (PVC), aus geeigneten Silikonen oder Polyvinylalkoholen.
Reinigungseinrichtungen, wie beispielsweise Reinigungsfolien, können zur Einmalreinigung verwendet werden, was eine besonders hohe Betriebsicherheit gewährleistet. Eine andere Möglichkeit besteht darin, eine verwendete und gegebenenfalls kontaminierte Reinigungseinrichtung, beispielsweise einen Folienabschnitt, nach dem damit durchgeführten Reinigungsprozess zu reinigen und gegebenenfalls derart zu reaktivieren, dass mindestens eine weitere Verwendung möglich ist. Besonders vorteilhaft ist hierbei die Verwendung einer umlaufenden Reinigungsfolie, bei der ein Reinigungsabschnitt nach der Stempel- reinigung eine oder mehrere Reinigungs- und/oder Reaktivierungs- stationen durchläuft, bevor der reaktivierte Folienabschnitt zur Stempelreinigung zurückgeführt wird.
Eine Kontaktreinigung ist weiterhin dadurch möglich, dass auf die Stempeloberfläche eine Schicht einer Reinigungssubstanz, beispielsweise Polyvinylalkohol, aufgebracht und diese Schicht anschließend nach Durchtrocknung und Aushärtung wieder abgezogen wird. Dabei bleiben Verunreinigungspartikel an dem ausgehärteten Schichtmaterial hängen und können vom Stempel abgezogen werden.
Die Reinigung kann eine Bestrahlung der Stempeloberfläche mit elektromagnetischer Strahlung zur Umwandlung von Verunreinigungsmaterial umfassen. Beispielsweise kann UV-Strahlung verwendet werden, um Reste von Prägesubstanz auszuhärten bzw. zu verspröden, um eine nachfolgende Ablösung zu erleichtern. Alternativ oder zusätzlich kann die Reinigung eine thermische Behandlung der Stempeloberfläche umfassen, um beispielsweise Verunreinigungen auszubacken und/oder zu verkohlen. Das Stempelmaterial muss den Temperaturzyklus bezüglich Formtreue vollreversibel durchlaufen können. Geeignet sind z.B. Zerodur M oder Quarzglas.
Die Behandlung eines Stempels außerhalb der Arbeitsposition kann auch eine Stempeltemperierung, z.B. ein Vorheizen des Stempels umfassen, um ihn für einen thermisch unterstützten Prägeprozess auf die geeignete Arbeitstemperatur oder auf eine Temperatur nahe dieser Arbeitstemperatur zu bringen. Durch die Vorheizung kann die Verweildauer in der Arbeitsposition verringert und dadurch der Herstellungsprozess beschleunigt werden. Die Behandlung eines Stempels außerhalb der Arbeitsposition kann auch eine Speicherung bzw. Lagerung des Stempels umfassen, z.B. in einem Magazin oder einer anderen Speichereinrichtung.
Eine Geometriekorrektur der Stempeloberfläche mittels ortsabhängiger Temperaturbeeinflussung kann zur Vermeidung oder Verminderung von Deformationen der Stempeloberfläche vorteilhaft eingesetzt werden. Solche Deformationen können sich nachteilig auf die Qualität der durch den Stempel auf dem Substrat erzeugten Struktur auswirken. Deformationen der Stempeloberfläche können eine Größenveränderung der gesamten Stempeloberfläche und/oder ortsabhängige Verzerrungen oder Verzeichnungen umfassen. Es kann daher sowohl eine über die ganze Stempeloberfläche gleichförmige als auch eine ortsabhängige bzw. ortsauflösende Temperaturbeeinflussung vorgesehen sein.
Eine Geometriekontrolle der Stempeloberfläche, insbesondere mit Hilfe einer Vermessung mit einer Echtzeit-Geometriekontrolleinheit, erlaubt eine schnelle und direkte Überprüfung der Stempelqualität. Erweist sich bei der Kontrolle der Geometrie der Stempel als zu stark deformiert, kann er gegebenenfalls ausgewechselt werden, oder es können Maßnahmen zur Geometriekorrektur eingeleitet werden.
Die Geometriekontrolle und die Geometriekorrektur werden vorzugsweise zeitnah zum Prägeprozess durchgeführt, insbesondere an einem Stempel, der sich in seiner Arbeitsposition befindet.
Die Erfindung betrifft auch Stempel für die Stempellithografie und Verfahren zur Herstellung solcher Stempel.
Um die Stempellithografie aktuell und in Zukunft kostengünstig einsetzen zu können, sollte es möglich sein, Strukturen mit typischen Strukturgrößen von weniger als 150 nm zu erzeugen. In diesem Bereich nehmen jedoch die Strukturdefekte bei der Stempellithografie stark zu. Die Erfinder haben herausgefunden, dass die Oberflächenbeschaffenheit der Stempeloberfläche, die auch als aktive Stempelfläche bezeichnet werden kann, hierfür besonders kritisch ist. Dabei spielen mechanische Härte und Oberflächenmikrostruktur eine entscheidende Rolle.
Zu vermeiden ist einerseits das Anbacken von Resten der Prägesubstanz an der Stempeloberfläche. Diese Gefahr nimmt zu, je kleiner die typischen Strukturbreiten sind und je extremer das Seiten-Höhen- Verhältnis (aspect ratio) der zu prägenden bzw. zu strukturierenden Strukturen ist. Ein typischer Defekt besteht darin, dass ein ganzer Strukturbereich am Stempel haften bleibt, z.B. anbackt, und dadurch von der zu strukturierenden Oberfläche abgehoben wird. Ein weiterer Defekt ist das Abheben von Strukturbereichen mit ungünstigem Seiten-Höhen- Verhältnis. Dieser Defekt äußert sich vor allem in einem Abbrechen der Struktur innerhalb der Prägesubstanz. Problematisch sind auch die sogenannten „Mäusezähnchen", die dazu führen, dass die zu bildenden Strukturen an ihren Strukturkanten aufgeraut bzw. „angefressen" erscheinen. Als eine Ursache hierfür wurden kleinste Partikel von Prägesubstanz identifiziert, die nach dem vorhergehenden Abhebevorgang in den Ecken der Stempeloberfläche verbleiben und zum nächsten Prägevorgang übertragen werden können. Ein weiterer Fehler ist, dass die zu prägenden Strukturen nicht vollständig ausgebildet werden, so dass an Stelle gewünschter scharfer Kanten abgerundete Ecken entstehen. Dieser Fehler kann aufgrund eines unvollkommen ausgebildeten Negativbildes im Stempel entstehen oder durch eine Prägesubstanz, deren räumliche Auflösungsgrenze unterschritten wurde, da die langen Molekülketten der Prägesubstanz die exakte Ausformung von scharfen Kanten verhindern. Diese und andere Probleme können mit erfindungsgemäßen Stempeln abgemildert oder vermieden werden. Eine Klasse erfindungsgemäßer Stempel zeichnet sich dadurch aus, dass die Stempeloberfläche eine geringe Oberflächenrauhigkeit aufweist oder zur gezielt leichteren Ablösbarkeit mikrostrukturiert ist und dass die Stempeloberfläche selbst im wesentlichen frei von Mikrorissen und das an die Stempeloberfläche angrenzende Material im wesentlichen frei von die Stempeloberfläche direkt erreichenden Mikrorissen ist. Durch eine geeignete Mikrostrukturierung der Oberfläche, z.B. eine wellenförmige oder genoppte Oberfläche mit einem Peak-to-Valley-Wert von unter 5nm, kann gegebenenfalls unter Nutzung des Lotuseffekts die Ablösbarkeit erhöht werden.
Die Erfinder haben herausgefunden, dass die Bereitstellung einer sehr glatten oder technisch gezielt strukturierten Stempeloberfläche in Verbindung mit der weitest gehenden Vermeidung von Mikrorissen an der Stempeloberfläche entscheidend zur Verminderung von Ausschuss beim Prägeprozess beiträgt. Dabei führt die Vermeidung von Mikrorissen dazu, dass extrem kleine Strukturen beim Prägevorgang nicht mehr so leicht abbrechen. Eine geringe Oberflächenrauhigkeit oder eine Oberflächenfeinstruktur mit Strukturgrößen deutlich unterhalb der Größe der Prägestrukturen können ebenfalls zu einem erleichterten Ablösen beitragen.
In Versuchen konnte für die Stempeloberfläche eine mittlere Rautiefe Rt (peak-to-valley) von weniger als 0,7 nm (RMS) als vorteilhaft identifiziert werden. Die mittlere Mikrorisslänge sollte weniger als 150 nm, vorzugsweise weniger als 50 nm betragen. Dabei hat sich herausgestellt, dass weitgehend rissfreie Oberflächen dadurch erzeugt werden können, dass die zunächst hochgenau und formgetreu vorbearbeitete Stempeloberfläche in einem Ätzvorgang sehr tief abgeätzt wird. Dadurch können Mikrorisse sichtbar gemacht und es kann in der Folge solange fein, insbesondere feinoptisch, bearbeitet werden, bis ein im wesentlichen rissfreier Bereich erreicht ist.
Es hat sich weiterhin als vorteilhaft herausgestellt, wenn der Stempel im Bereich der Stempeloberfläche eine sehr große mechanische Härte aufweist, wobei vorzugsweise Werte von mehr als 400, 500, 600 oder 700 kg/mm2 erreicht werden sollten. Offenbar wird hierdurch eine Formhaltigkeit der Substratoberfläche gefördert, die für einen störungsfreien Prägeprozess und insbesondere für die Vermeidung der oben genannten Fehler förderlich ist.
Bei manchen Ausführungsformen besteht der Stempel zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem Hartwerkstoff, der die oberflächennahe Härte bereitstellt. Der oberflächennahe Bereich kann beispielsweise aus kubischem oder hexagonalem Bornitrid, Siliziumcarbid, Korund, Diamant oder Borazon oder einer geeigneten Schwermetallverbindung bestehen.
Es hat sich herausgestellt, dass neben der Werkstoffauswahl auch die Einstellung einer geeigneten MikroStruktur des oberflächennahen
Bereiches des Stempels die Prozesssicherheit erhöhen kann. Bei manchen Ausführungsformen besteht der Stempel zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem feinkristallinen Werkstoff, der eine mittlere Korngröße von weniger als 20% einer mittleren Struktur- dimension der Stempeloberfläche aufweist. Dementsprechend kann es sich um ein nanokristallines Material handeln, wobei typische mittlere
Korngrößen im Bereich von 5 nm bis 20 nm vorteilhaft sein können. Bei solchen Werkstoffen kann die feinkristalline Struktur bzw. die hohe
Dichte von Korngrenzen und anderen Kristalldefekten zu einer großen Festigkeit und Härte des Materials beitragen. Es sind auch Ausführungsformen vorgesehen, bei denen der Stempel zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem amorphen Werkstoff besteht, insbesondere aus einem amorphen Metallwerkstoff. Auch hierdurch sind defektfreie Stempeloberflächen hoher Härte und geringer Oberflächenrauhigkeit möglich. Auch Gläser, wie Quarzglas, sind verwendbar. Günstige Oberflächeneigenschaften können auch mit schichtstrukturiertem Quarzglas erzielt werden, das durch Verbrennen von Silan mit Sauerstoff oder Siliziumtetrachlorid mit Sauerstoff zu Siθ2 herstellbar ist.
Der Stempel kann zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem einkristallinen Werkstoff bestehen, wodurch eine geringe Dichte von Defekten möglich ist.
Der Stempel kann aus einem einzigen Materialblock hergestellt sein, der den Stempelkörper und die daran ausgebildete Stempeloberfläche bildet. Manche Ausführungsformen der Erfindung zeichnen sich dadurch aus, dass der Stempel einen Stempelkörper hat, der im Bereich der Stempeloberfläche eine Beschichtung trägt, die mindestens einen Teil der Stempeloberfläche bildet. Es kann sich insbesondere um eine verschleißresistente Beschichtung (Verschleißschicht) handeln. Die Verwendung einer solchen Beschichtung macht es möglich, die Eigenschaften des Stempels im Bereich nahe der Stempeloberfläche unabhängig vom Material des Stempelkörpers zu optimieren.
Bei manchen Ausführungsformen besteht die Beschichtung aus einem Hartwerkstoff, um unabhängig vom Material des Stempelkörpers eine Stempeloberfläche hoher Härte bereitzustellen. Die Beschichtung kann beispielsweise aus einem feinkristallinen Diamantwerkstoff, einem Hartwerkstoff mit Schwermetallverbindungen, Siliziumcarbid, Bornitrid, Borazon oder anderen Hartwerkstoffen oder Kombinationen aus diesen Materialien bestehen. Die Beschichtung kann aus einem feinkristallinen Material bestehen, dessen mittlere Korngröße wie oben ausgeführt klein gegen die typische Strukturgröße der Stempeloberfläche ist.
Ist ein Stempel für die Verwendung bei der lithografischen Stempel- belichtung vorgesehen, so ist es bevorzugt, wenn die Beschichtung eine derart geringe Schichtdicke aufweist, dass die Beschichtung für das bei der Belichtung verwendete Licht mindestens teilweise transparent ist, so dass eine Belichtung durch die Beschichtung hindurch möglich ist. Als Material für den Stempelkörper können z.B. Werkstoffe wie Zirkondioxid (Zr02), Aluminiumoxid (Al203), Lanthanfluorid (LaF3) oder Hafniumdioxid (Hfθ2) in einkristalliner Form verwendet werden. Neben diesen transparenten Materialien, von denen insbesondere LaF3 im UV-Wellenlängenbereich sehr gut lichtdurchlässig ist, sind besonders für Stempellithografieverfahren, die ohne Belichtungsprozess arbeiten, auch richtundurchlässige Materialien möglich. Die Verwendung von sehr harten Verbindungen wie Siliziumcarbid (SiC), Borcarbid (Bι8C2) bzw. (B24C), von Diamant sowie von Mischkristallen, z.B. Zr02/Hfθ2, Hfθ2 Y2θ3 oder Zr02/Y2θ3 für den Stempelkörper und/oder eine Beschichtung hat sich ebenfalls als vorteilhaft herausgestellt.
Besteht der Stempelkörper und/oder eine Beschichtung desselben im wesentlichen aus einem Material mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 2,5 * 10~6, vorzugsweise von weniger als 1 ,0 * 10-6, so können Deformationen des Stempels bzw. der Beschich- tung durch äußere Einflüsse wie z.B. Temperaturschwankungen weitgehend vermieden werden. Verwendbar sind z.B. Glaskeramik oder Quarzglas.
Bei der Auslegung der Topographie der Stempeloberfläche wurde bei manchen Ausführungsformen darauf geachtet, dass die Stempeloberfläche eine der Strukturierung folgende Trennung des Stempels von der Prägesubstanz erleichtert. Hierzu hat ein Stempel bevorzugter Aus- führungsformen eine Stempelstruktur mit einer Vielzahl von Ausnehmungen und Vorsprüngen, die im Bereich von Flankenflächen ineinander übergehen, wobei mindestens ein Teil der Flankenflächen einen positiven Flankenwinkel mit einer Stempelebene einschließt. Als positiver Flankenwinkel wird hier ein von 90° abweichender Winkel zwischen einer Flanke und einer Stempelebene verstanden, der dazu führt, dass der Flankenbereich bei Betrachtung des Stempels von der Prägeseite sichtbar ist. Insbesondere ist darauf zu achten, dass keine der Flankenflächen einen negativen Flankenwinkel hat, womit Hinter- schneidungen vermieden werden. Günstige positive Flankenwinkel können im Bereich zwischen 89° und 80° liegen.
Eine besondere Ausführungsform eines Stempels zeichnet sich dadurch aus, dass er mindestens teilweise aus einem piezoelektrischen Material besteht, welches derart dimensioniert ist, dass mindestens ein Teil einer Hubbewegung der Stempeloberfläche bei einem Prägevorgang durch Steuerung eines an das piezoelektrische Material anzulegenden elektrischen Feldes erzeugbar ist. Der Prägestempel selbst kann also durch externe elektrische Signale zu einer Dimensionsänderung veranlasst werden, die zur Prägebewegung beiträgt oder durch die die vollständige Prägebewegung der Stempeloberfläche herbeigeführt werden kann. In diesem Fall kann ein gesonderter Antrieb zum Absenken und Anheben des Stempels entfallen und die Stempellithografievorrichtung kann sehr einfach aufgebaut sein. Als Stempelmaterial hierfür kommt beispielsweise kristallines Quarz oder ein anderer lonenkristall-Werkstoff oder Kombinationen aus mehreren Werkstoffen in Betracht. Es ist vorteilhaft, wenn das aktive piezoelektrische Material, welches durch den Piezoeffekt verschoben wird, nicht unmittelbar im Bereich der Prägeoberfläche liegt.
Weist der Stempel Temperaturmesselemente und/oder Temperierungsmittel zur Temperaturmessung und/oder Temperaturregelung des Stempels auf, so kann festgestellt werden, ob der Stempel einen für die Stempellithographie vorteilhaften Temperaturbereich verlässt und gegebenenfalls können Gegenmaßnahmen ergriffen werden, z.B. indem die Stempeltemperatur mit Hilfe der Temperierungsmittel in den für den Prägevorgang vorteilhaften Temperaturbereich zurückgeführt wird. Die Messelemente und die Temperierungsmittel lassen sich somit als Sensoren bzw. Aktuatoren in einem Temperaturregelkreis verwenden.
Werden die Temperaturmesselemente und/oder Temperierungsmittel in das Stempelmaterial durchlaufenden Kanälen angebracht, so sind diese von außen leicht zugänglich. Dies kann insbesondere eine Verkabelung der Messelemente bzw. Tempe erungsmittel wesentlich erleichtern.
Wird als Temperierungsmittel eine durch die Kanäle leitbare Flüssigkeit oder ein Gas eingesetzt, so können die Kanäle besonders vorteilhaft für eine Temperaturbeeinflussung genutzt werden. Der bautechnische Aufwand für die Realisierung der Temperierungsmittel ist in diesem Fall gering.
Zur ortsauflösenden, lokalen Temperaturregelung des Stempels können jeweils ein Temperierungsmittel und ein Temperaturmesselement zur Bildung eines Temperaturregelelements dicht nebeneinander platziert sein, wobei die Temperaturregelelemente den Stempel in einer im wesentlichen rasterförmigen Anordnung überdecken können. Hierdurch kann eine ortsabhängige Temperaturregelung des Stempels erfolgen, und zwar indem die lokal über die Temperaturmesselemente bestimmte Temperatur mit einem lokalen Sollwert verglichen und mit den Temperierungsmitteln an diesen angeglichen wird. Die im wesentlichen rasterförmige Anordnung stellt einerseits sicher, dass ein großer Teil des Stempels gleichförmig von der Temperaturregelung erfasst wird und andererseits erleichtert eine solche Anordnung das Einbringen der Temperaturregelelemente in das Stempelmaterial, da diese z.B. in den oben beschriebenen Kanälen angeordnet werden können.
Weist der Stempel eine für infrarote Strahlung intransparente Schicht auf, so absorbiert diese eine von einer Lichtquelle in diesem Spektralbereich ausgesandte Strahlung. Die Strahlungsabsorption führt zu einer Erwärmung der Schicht, so dass diese für eine Temperaturregelung des Stempels verwendet werden kann. Derartige Schichten können durch gezielte Implantation von Ionen in das Stempelmaterial hergestellt werden.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines Stempels, insbesondere eines Stempels für die Stempellithografie mit einer typischen Strukturdimension von weniger als 250 nm, wobei der Stempel einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf einem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz aufweist. Hierzu wird der Stempelkörper derart bearbeitet, dass die Stempeloberfläche eine für eine Ablösung von der Prägesubstanz nach Erzeugung eines Stempelabdruckes optimierte Oberflächentopographie aufweist und ein an die Stempeloberfläche angrenzendes Material im wesentlichen frei von zur Stempeloberfläche reichenden Mikrorissen ist.
Mit der Durchführung eines solchen Verfahrens zur Herstellung eines Stempels soll einerseits sichergestellt werden, dass bei einem Prägevorgang möglichst wenige Rückstände der Prägesubstanz an der Stempeloberfläche zurückbleiben, und andererseits, dass bei der dreidimensionalen Strukturierung der Stempeloberfläche eine möglichst genaue Entsprechung einer vorgegebenen dreidimensionalen Struktur erzeugt werden kann. Letzteres ist nur dann erreichbar, wenn die Stempeloberfläche nur eine geringe Zahl von Mikrorissen aufweist, da anderenfalls die mit Strukturen typischerweise unterhalb von 250 nm dreidimensional strukturierte Stempeloberfläche bereits vor dem ersten Prägevorgang eine gegebenenfalls nicht zu vernachlässigende Zahl von Strukturfehlern enthält.
Ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines Stempels umfasst eine hochgenaue und formgetreue Vorbearbeitung einer im wesentlichen ebenen Stempelfläche, ein so tiefes Abätzen der Stempelfläche in einem nachfolgenden Ätzvorgang, bis ein im wesentlichen mikrorissfreier Bereich erreicht ist und die anschließende Erzeugung einer dreidimensionalen Stempeloberfläche. Bei Verwendung eines solchen Verfahrens ist die Entstehung von Fehlern aufgrund von Mikrorissen bei der Herstellung der dreidimensionalen Stempelfläche stark vermindert.
Wird das Stempelmaterial bei einem erfindungsgemäßen Verfahren durch mechanische Bearbeitung, insbesondere durch Walken und/oder Hämmern in seiner Struktur verändert, so dass die Härte und Festigkeit des Materials zunimmt und/oder die Mikrorisslänge abnimmt, kann einerseits beim Einprägen der Stempeloberfläche auf dem Substrat ein präziser Abdruck der Stempeloberfläche erzeugt werden, da die Stempeloberfläche aufgrund ihrer großen Härte beim Prägevorgang nicht wesentlich deformiert wird. Andererseits wird durch die geringe Mikrorisslänge die Erzeugung von Strukturfehlern größeren Ausmaßes auf der Stempeloberfläche vermieden. Ein mechanisches Bearbeitungsverfahren ist außerdem mit relativ geringem Aufwand durchzuführen.
Bei einem vorteilhaften Verfahren zur Herstellung eines Stempels wird dieser mittels Laserscantechnik strukturiert.
Die Erfindung betrifft auch ein feinstrukturiertes Bauteil, insbesondere ein Halbleiter-Bauelement, welches mit einem Verfahren gemäß der Erfindung und/oder unter Verwendung mindestens eines Stempels gemäss der Erfindung hergestellt wurde. Ein solches feinstrukturiertes Bauteil weist aufgrund des Einsatzes eines erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. Stempels eine hohe Qualität der eingeprägten Oberflächenstruktur auf und ist kostengünstig herzustellen.
Die Erfindung betrifft auch eine Stempellithografievorrichtung zur
Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines
Stempels. Die Vorrichtung umfasst: einen Rahmen; mindestens eine an dem Rahmen angebrachte Stempelhalteeinrichtung zum Halten mindestens eines Stempels in einer Arbeitsposition; eine an dem Rahmen angeordnete Substrathalteeinrichtung zum Halten mindestens eines Substrates; und eine Stempelwechseleinrichtung zum automatischen Auswechseln von
Stempeln aus der Arbeitsposition und zum automatischen Einwechseln von Stempeln in die Arbeitsposition.
Die Stempelhalteeinrichtung sollte so konstruiert sein, dass das Ein- wechseln und Auswechseln von Stempeln, z.B. das Ankoppeln eines Stempels an der Stempelhalteeinrichtung und die Abnahme bzw. ein Entkoppeln von Stempeln von der Stempelhalteeinrichtung ohne manuelle Unterstützung eines Bedieners möglich ist. Es gibt Ausführungsformen, bei denen die Stempelhalteeinrichtung als Klemmeinrichtung ausgebildet ist, um einen oder mehrere Stempel kraftschlüssig bzw. reibschlüssig zu halten. Hierzu können beispielsweise geeignete Klemmfedern vorgesehen sein. Die Stempelhalteeinrichtung kann auch Rastmittel zum kraft- und formschlüssigen Halten mindestens eines Stempels haben. Stempelhalteeinrichtungen mit mindestens einem Magnethalter zum Halten eines Stempels mit Hilfe magnetischer Kräfte sind ebenfalls möglich. Hierbei können sowohl Permanentmagnete, als auch schaltbare elektromagnetische Magnethalter verwendet werden. Während die Verwendung von Permanentmagneten einen besonders einfachen Aufbau begünstigt, kann durch das Ein- und Ausschalten magnetischer Haltekräfte bei Elektromagneten die beim Einwechseln und Auswechseln von Stempeln auf die Stempelhalteeinrichtung ausgeübte Kraft minimiert werden.
Einer Halterung mit Hilfe von Fluiddruck, d.h. Unterdruck oder Überdruck, der gegebenenfalls schaltbar ist, ist ebenfalls möglich. Beispielsweise kann die Stempelhalteeinrichtung als Unterdruckhalter bzw. Vakuumhalter ausgebildet sein, wozu an der Stempellithografieanlage eine geeigneter Unterdruckerzeuger, beispielsweise eine Saugpumpe vorgesehen sein kann. Die Stempelhalteeinrichtung kann mindestens ein beweglich gelagertes Halteelement aufweisen, das zwischen einer Arretierkonfiguration zum Festhalten des Stempels an der Stempelhalteeinrichtung und einer Freigabekonfiguration zum Freigeben eines Stempels beweglich ist. Das Halteelement kann beispielsweise linear verschiebbar oder verschwenkbar sein. Bei geeigneter Anbringung einer Federkraft an einem solchen Halteelement kann die Stempelhalteeinrichtung auch als Schnappvorrichtung ausgebildet sein, die besonders in der Arretierkonfiguration einen sicheren, spielfreien Halt eines Stempels an der Stempelhalteeinrichtung ermöglicht. Es sind auch Kombinationen unterschiedlicher Halteeinrichtungen möglich. Beispielsweise kann die Stempelhalteeinrichtung einen oder mehrere elektromagnetische oder permanentmagnetische Halter umfassen, um einen angebrachten Stempel magnetisch festzuhalten, sowie ein bewegliches Halteelement, um über einen Formschluss den Stempel gegen Verlagerung oder Ablösen zu sichern, auch wenn die auf den Stempel wirkenden Kräfte ausreichen würden, die magnetische Haltekraft zu überwinden. Es ist auch möglich, die Stempelwechseleinrichtung so zu konstruieren, dass sie gleichzeitig als Stempelhalteeinrichtung dienen kann. Dann kann eine gesonderte Stempelhalteeinrichtung entfallen.
Die Stempelwechseleinrichtung sollte einen schnellen und sicheren Wechsel von Stempeln zwischen ihrer Arbeitsposition und einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Aussensposition ermöglichen, die als Ausgangspunkt für eine Behandlung bzw. Bearbeitung von Stempeln außerhalb des Produktionsprozesses verstanden werden kann. Die Stempelwechseleinrichtung kann einen einachsig oder mehrachsig gelagerten Stempelmanipulator zum Halten und Bewegen mindestens eines Stempels zwischen Arbeitsposition und Aussensposition umfassen. Der Stempelmanipulator kann beispielsweise als Greifarm ausgebildet sein, der einen Stempel ergreift und hält. Dabei ist der Begriff des „Greifens" weit auszulegen und umfasst unterschiedliche Arten von Ankopplung eines Stempels an den Stempelmanipulator. Neben einer aktiven Greifbewegung mit Hilfe beweglicher Greifglieder sind auch andere Möglichkeiten des Greifens und Haltens vorgesehen, beispielsweise mit Hilfe eines dauermagnetischen oder elektromagne- tischen Feldes, mit Hilfe mechanischer Federkräfte, mit Hilfe von Fluiddruck (Überdruck oder Unterdruck) von Gasen oder Flüssigkeiten, mit Hilfe von mechanischen Einrichtungen, die eine formschlüssige Halterung ermöglichen (beispielsweise Klappvorrichtung) oder auf andere Weise. Prinzipiell können sämtliche auch für die Stempelhalterung an der Prägevorrichtung vorgesehen Möglichkeiten auch zum Halten und gegebenenfalls Greifen eines Stempels durch die Stempelwechseleinrichtung vorgesehen sein.
Bei manchen Ausführungsformen ist die Stempelwechseleinrichtung so ausgebildet, dass der in die Arbeitsposition bewegte Stempel durch die Stempelwechseleinrichtung freigegeben werden kann, um seine Arbeitsbewegung unabhängig bzw. losgelöst von der Stempelwechseleinrich- tung auszuführen. Es ist auch möglich, dass die Stempelwechseleinrichtung so ausgestaltet ist, dass sie während der Arbeitsbewegung des Stempels in Eingriff mit dem Stempel bleibt und auf diese Weise die Arbeitsbewegung „mitmacht". Hierzu kann die Stempelwechseleinrichtung zur elastisch nachgiebigen Halterung des Stempels ausgebildet sein, beispielsweise indem der Stempel federnd im Stempelwechsler bzw. Stempelmanipulator gehalten ist. Ist eine solche Stempelwechseleinrichtung vorgesehen, kann eine gesonderte Stempelhalteeinrichtung entfallen.
Es gibt Ausführungsformen von Stempelwechseleinrichtungen, die nur eine einzige Stempelaufnahme haben, um z.B. computergesteuert nach Art eines Roboters Stempelmanipulationen zu ermöglichen. Es gibt auch Ausführungsformen, bei denen die Stempelwechseleinrichtung mindes- tens zwei Stempelaufnahmen hat. Hierdurch ist es möglich, die Arbeitsbewegungen beim Auswechseln eines Stempels und Einwechseln des nächsten Stempels mit Hilfe einer einzigen Stempelwechseleinrichtung gleichzeitig ablaufen zu lassen. Beispielsweise kann die Stempelwechseleinrichtung als Linearwechsler ausgebildet sein, der über eine geradlinige Linearbewegung wechselweise verschiedene Stempelaufnahmen zum Bereich der Arbeitsposition bzw. zur Außenposition führt. Bei anderen Ausführungsformen sind Karusselleinrichtungen bzw. Revolvereinrichtungen mit mindestens zwei Stempelaufnahmeeinrichtungen vorgesehen, um einen Stempelwechsel mit Hilfe einer Drehbewegung durchzuführen. Hierdurch ist eine besonders hohe Wechselgeschwindigkeit möglich. Es sind sowohl planare bzw. ebene, als auch gekrümmte Einrichtungen möglich. Stempelwechseleinrichtungen mit mindestens zwei Stempelaufnahmen sind besonders günstig für einen Tandembetrieb, bei dem ein Stempel bei der Produktion genutzt wird, während sich ein im wesentlichen identischer Stempel in der Außenposition befinden kann, um entweder dort oder nach einem weiteren Transfervorgang an anderer Stelle, z.B. gereinigt, inspiziert oder abgelegt wird.
Der Stempellithografievorrichtung kann mindestens eine Reinigungs- einrichtung und/oder mindestens eine Inspektionseinrichtung zugeordnet sein.
Der Stempellithografievorrichtung kann mindestens eine Speichereinrichtung, z.B. ein Magazin, zugeordnet sein, die eine Vielzahl von Speicherplätzen für Stempel aufweist. Die Speichereinrichtung kann so angeordnet sein, dass sie direkt von der Stempelwechseleinrichtung erreicht werden kann, um Stempel einzuführen oder zu entnehmen. Es ist auch eine entfernte Anordnung möglich, wobei dann zwischen der Stempelwechseleinrichtung und dem Magazin ein geeigneter Transfer vorgesehen ist, beispielsweise mit Hilfe eines Förderbandes oder dergleichen.
Eine Ausführungsform einer Stempellithographievorrichtung weist eine Abstandsmesseinrichtung zur Messung des Abstandes zwischen der Substratoberfläche und der Stempeloberfläche für die gesamte Größenordnung der Vorschubbewegung des Stempels auf. Eine solche Abstandsmesseinrichtung ermöglicht ein kontrolliertes Heranfahren und Anpressen des Stempels an die Substratoberfläche. Hierbei ist es möglich, die Empfindlichkeit der Abstandsmessung abstandsabhängig zu variieren, so dass bei großen Abständen der Stempeloberfläche von der Substratoberfläche die Messgenauigkeit gering, bei kleinen Abständen hingegen groß ist. Wird über die gesamte Größenordnung der Vorschubbewegung des Stempels die Abstandsmessung in der oben beschriebenen Weise durchgeführt, so ist ein Prägeprozess sowohl mit hoher Prägegeschwindigkeit als auch präziser Übertragung der auf der Stempeloberfläche vorhandenen Strukturen auf das Substrat möglich. Bei einer Weiterbildung der Stempellithographievorrichtung weist diese eine optische Sensoreinrichtung nach dem Prinzip des Fluchtfernrohres oder der Autokollimation auf. Eine optische Sensoreinrichtung zur Abstandsmessung und/oder Winkelmessung einzusetzen bietet sich an, weil das Substrat eine geschlossene, optisch abtastbare Fläche darstellt.
Die Stempellithographievorrichtung kann auch eine Abstandsmessvor- richtung unter Verwendung von Membranen nach dem Gegendruckverfahren umfassen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform hat die Vorrichtung zur Abstandsmessung mindestens eine freiliegende Düse zur Abgabe von Gas unter Druck auf die Oberfläche des zu strukturierenden Substrates und eine Einrichtung zur Erfassung des Gegendrucks, aus dem ein Abstandssignal ableitbar ist. Das auf die Oberfläche des Substrates auftreffende Gas kann über die Abstandsmessung hinaus vorteilhafte Wirkungen erzeugen, beispielsweise kann dieses zur Reinigung der Substratoberfläche verwendet werden.
Die Abstandsmesseinrichtung kann auch eine induktive oder kapazitive Messanordnung sein oder enthalten. Solche Messanordnungen sind leicht zu konstruieren und zuverlässig.
Bei einer Ausführungsform weist die Stempellithographievorrichtung eine für eine Bestrahlung des Stempels von seiner Rückseite in Richtung Stempeloberfläche konfigurierte Beleuchtungseinrichtung auf. Eine solche Beleuchtungseinrichtung kann bei der Belichtungs- Stempellithographie UV-Strahlung zum Aushärten eines niedrigviskosen Photopolymers abgeben. Es ist aber auch möglich, dass eine solche Beleuchtungseinrichtung Strahlung im IR-Bereich abgibt, mit der das Stempelmaterial temperiert werden kann.
Wenn die Stempellithographievorrichtung eine Vakuumerzeugungsvor- richtung zur Herstellung eines mindestens den zwischen Stempel und Substrat liegenden Volumenbereich umfassenden Vakuums aufweist, so kann dieser Bereich im wesentlichen frei von Verunreinigungen gehalten werden. Bei der Belichtungsstempellithographie, bei der ein niedrigviskoses Photopolymer ausgehärtet wird, kann das Durchführen des Prägevorgangs im Vakuum dazu beitragen, dass die Bildung von Gasbläschen in dem Polymer vermieden oder stark verringert wird.
Eine Weiterbildung der Stempellithographievorrichtung umfasst eine Echtzeit-Geometriekontrolleinheit zur Vermessung der Geometrie der Stempeloberfläche durch Vermessung der Position von Stempelmarken, die an der strukturierten Seite des Stempels zusätzlich zur prägenden Struktur, d.h. zur aktiven Stempeloberfläche, vorgesehen sind. Durch Verwendung einer solchen Kontrolleinheit können während des Betriebs Deformationen der Stempeloberfläche schnell erkannt werden. Bei Überschreiten eines vorgegebenen Grenzwertes kann der Stempel gegebenenfalls ausgetauscht werden. Es kann aber auch eine aktive Korrektur der Deformation der Stempeloberfläche stattfinden, z.B durch geeignete, ggf. ortsauflösend wirksame Temperierungsmittel.
Die Stempellithographievorrichtung kann eine transparente Referenzplatte mit Referenzmarken umfassen, bei der die mehrere Positionsoptiken aufweisende Echtzeit-Geometriekontrolleinheit hinter der Referenzplatte positionierbar ist, so dass durch Vergleich der Position der Referenzmarken und der Stempelmarken die Geometrie der Stempeloberfläche vermessen werden kann. Die Verwendung einer Referenzplatte mit Referenzmarken macht die Vermessung der Geometrie der Stempeloberfläche unabhängig von der Positionierung des Substrates, auf das der Stempel eingeprägt wird. Durch den Einsatz mehrerer Positionsoptiken kann die Deformation der Stempeloberfläche an mehreren Orten parallel vermessen werden, so dass eine mehrmalige Positionierung der Stempeloberfläche im Bezug zur Echtzeit-Geometriekontrolleinheit vermieden werden kann.
Weist jede Positionsoptik einer Weiterbildung der Stempellithographievorrichtung eine erste Abbildungsoptik zur Abbildung der Referenzmarke auf eine erste Detektorfläche und eine zweite Abbildungsoptik zur Abbil- düng der Stempelmarke auf eine zweite Detektorfläche auf, so können die Bilder auf den beiden Detektorflächen zur Ermittlung der Stempeldeformationen verglichen werden. Durch die Referenzplatte wird hierbei ein Messnormal erzeugt, mit dem die Stempelgeometrie verglichen werden kann.
Der Strahlengang der ersten Abbildungsoptik und der zweiten Abbildungsoptik kann durch eine Kollimationsoptik weitgehend parallelisiert und im Anschluss durch einen Strahlteiler in einen ersten und zweiten Teilstrahl aufgespalten werden.
Diese und weitere Merkmale von bevorzugten Weiterbildungen der Erfindung gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Stempellithografieanlage mit einer Stempellithographievorrichtung und einer Stempelwechseleinrichtung sowie einer Inspektionseinrichtung, einer Reinigungseinrichtung und einer Spei- chereinrichtung;
Fig.2 ist eine schematische Darstellung von Einzelheiten einer Ausführungsform einer Stempellithographievorrichtung mit drei Linearmotoren und einer Waferstage;
Fig.3 ist eine Ansicht einer Ausführungsform eines Abstandsmess- systems mit mehreren freiliegenden Düsen;
Fig.4 ist eine schematische Darstellung zweier Ausführungsformen von Stempelhalteeinrichtungen in zwei Teilbildern;
Fig. 5 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Unterdruck-Stempelhalteeinrichtung;
Fig. 6 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Zweifachwechslers mit zwei Stempelaufnahmen ;
Fig. 7 ist eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Zweifachwechslers mit zwei Stempelaufnahmen;
Fig.8 ist eine schematische Seitenansicht einer planaren Ausführungsform einer Stempelwechseleinrichtung;
Fig. 9 ist eine schematische Seitenansicht einer kegeligen Aus- führungsform einer Stempelwechseleinrichtung; Fig.10 ist eine schematische Ansicht einer mit acht Stempelaufnahmen ausgestatteten Stempelwechseleinrichtung in flacher Ausführung (linkes Teilbild) sowie in einer reifenförmigen Ausführung (rechtes Teilbild);
Fig.1 1 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Inspektionseinrichtung mit einem Förderband;
Fig.12 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Inspektionseinrichtung mit einer Referenz-Stempeloberfläche;
Fig.13 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Inspektionseinrichtung mit einem Stempelabdruck;
Fig. 14 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Reinigungseinrichtung mit einer bandförmigen Endlos-Rei- nigungsfolie;
Fig. 15 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Reinigungseinrichtung mit einer UV-Bestrahlungseinrichtung;
Fig. 16 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Reinigungseinrichtung zur Bestrahlung der aktiven Stempeloberfläche mit ionisiertem Reinigungsgas;
Fig.17 ist die schematische Darstellung einer Variante einer Reinigungseinrichtung mit einem flüssigen Reinigungsbad;
Fig.18 erläutert eine Variante eines Verfahrens zur Herstellung eines bei der Prägelithographie nutzbaren Stempels; Fig.19 zeigt verschiedene Ansichten von Ausführungsbeispielen von Stempeln, deren aktive Stempeloberfläche teilweise aus einer auf einem Stempelkörper aufgebrachten dünnen Beschichtung besteht;
Fig. 20 ist eine Seitenansicht einer Ausführungsform eines Stempels, bei der sich die Ausnehmungen der Stempeloberfläche nach außen hin trichterförmig öffnen;
Fig. 21 ist eine schematische Seitenansicht eines transparenten Stempels mit einem Stempelkörper aus kristallinem Quarz, der bei Anlegen eines elektrischen Feldes eine Dimensionsänderung erfährt;
Fig.22 ist eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform eines transparenten Stempels mit Kanälen zur Stempeltemperierung;
Fig.23 ist eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform eines transparenten Stempels mit Kanälen zur Stempeltemperierung, in die Temperierungsdrähte und Temperaturmessdrähte eingebracht sind;
Fig. 24 ist eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform eines transparenten Stempels mit einer rasterförmigen Anordnung von Temperaturregelelementen in Kanälen;
Fig.25 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Beleuchtungseinrichtung zur lokalen Bestrahlung eines Stempels von seiner Rückseite;
Fig.26 ist eine Draufsicht auf die in Figur 2 gezeigte Waferstage mit einer Ausführungsform einer Echtzeit-Geometriekontrolleinheit; Fig.27 ist eine schematische Seitenansicht einer Ausführungsform einer Positionsoptik der Echtzeit-Geometriekontrolleinheit von Fig. 26.
In Fig. 1 ist schematisch eine Ausführungsform einer Stempellithografieanlage 1 gezeigt, mit der in einem kontinuierlichen Fertigungsprozess feinstrukturierte Komponenten, beispielsweise Halbleiterbausteine, mit Hilfe eines Stempellithografieverfahrens in großer Stückzahl mit geringem Ausschuss schnell und kostengünstig hergestellt werden können. Die Stempellithografieanlage umfasst eine Stempellithografievorrichtung 10, in der der Strukturierungsprozess für die Komponenten stattfindet, der unabhängig von der Verfahrensvariante hier auch als „Prägeprozess" bezeichnet wird. Der Stempellithografievorrichtung, die im folgenden vereinfachend auch als „Prägevorrichtung" bezeichnet wird, sind mehrere periphere Einrichtungen zur Behandlung von Stempeln zugeordnet, die in einem aktiven Prägeprozess benutzt wurden oder für einen solchen Prozess vorgesehen sind.
Eine Inspektionseinrichtung 20 dient dazu, für einen Prägeprozess vorgesehene Stempel nach einem vorhergehenden Prägeprozess oder vor einem bevorstehenden Prägeprozess auf Tauglichkeit für den Prägeprozess zu untersuchen. Dabei werden besonders die strukturierten Stempeloberflächen von Stempeln auf Beschädigungen und/oder Verunreinigungen untersucht, bei transparenten Stempeln für die Stempelbelichtung kann auch auf ausreichende Transmission untersucht werden. Gezeigt ist ein vollautomatische, bedienerunabhängig arbeitende optische Inspektionseinheit mit digitaler Bildverarbeitung.
Eine Reinigungsein chtung 30 ist dazu vorgesehen, aus einem vorhergehenden Prägeprozess kommende oder für einen nachfolgenden Prägeprozess vorgesehene Stempel so zu reinigen, dass im Prägeprozess keine durch Verunreinigungen verursachten Qualitätseinbußen auftreten.
Eine Speichereinrichtung 40, die hier auch als Magazin bezeichnet wird, stellt eine Vielzahl von Speicherplätzen für Stempel bereit, die in vorhergehenden Prägeprozessen genutzt oder für zukünftige Prägeprozesse vorgesehen sind. Die einzelnen Stempel können in Kassetten 41 einzeln oder in Gruppen innerhalb des Magazins aufbewahrt werden.
Für den Transfer von Stempeln zwischen der Prägevorrichtung 10 und den Peripheriegeräten 20, 30, 40 ist ein automatisches Fördersystem vorgesehen, welches im Beispiel eine der Prägevorrichtung 10 zugeordnete Stempelwechseleinrichtung 50 und einen zwischen der Prägevorrichtung 10 und den Peripheriegeräten 20, 30, 40 angeordneten Transfer-Roboter 60 umfasst, der im Beispielsfall um eine vertikale Achse drehbar und horizontal verfahrbar ist.
Die auch als Stempelwechsler bezeichnete Stempelwechseleinrichtung 50 ist im Beispiel als Zweiarm-Wechsler ausgebildet, der um eine zentrale, vertikale Achse drehbar ist und im Endbereich jedes Armes eine Stempelaufnahmeeinrichtung bzw. Stempelaufnahme 51 aufweist, die jeweils zur Aufnahme eines einzelnen Stempels 60 konfiguriert ist. Der Stempelwechsler 50 dient dazu, Stempel zwischen einer Arbeitsposition 70 im Arbeitsbereich der Prägevorrichtung 10 und einer außerhalb dieses Arbeitsbereiches liegenden Außenposition 80 zu bewegen. Durch die Arbeitsbewegung des Stempelwechsler kann ein zunächst in der Außenposition vorgehaltener Stempel in die Arbeitsposition für einen Prägeprozess gebracht werden, während gleichzeitig ein in einem Prägeprozess benutzter Stempel aus der Arbeitsposition in die Außenposition transferiert wird, um von dort aus einer weiteren Behandlung zugeführt zu werden. Alle Einheiten der Stempellithografieanlage können für eine Computersteuerung eingerichtet sein und sind im Beispielsfall an eine zentrale Steuereinheit 90 angeschlossen, die die Arbeitsvorgänge der einzelnen Einheiten steuert und koordiniert.
In Fig. 2 sind schematisch Einzelheiten einer Ausführungsform einer Stempellithografievorrichtung 100 gezeigt. Sie umfasst einen ver- windungssteifen Rahmen 101 , an dem eine Stempelhalteeinrichtung 120 angebracht bzw. ausgebildet ist, die dazu konfiguriert ist, einen einzelnen Stempel 120 mit nach unten gerichteter, aktiver Stempeloberfläche 130 in einer Arbeitsposition in geringem Abstand oberhalb eines zu strukturierenden Substrates zu halten. Das Substrat ist im Beispielsfall ein Halbleiterwafer 141 , an dessen Oberseite eine dünne Schicht 142 aus polymerem Resist angeordnet ist, der als zu strukturierende Substanz (Prägesubstanz) dient. Das Substrat liegt auf einem mit dem Rahmen 101 gekoppelten Substrathalter 150 auf, der eine Waferstage 151 mit einem darauf angeordneten, als Nadelbett ausgebildeten Waferchuck 152 umfasst, auf dem der Wafer mit lediglich ca. 20% der Fläche gleichverteilt abgestützt aufliegt.
Die Stempellithografievorrichtung 100 umfasst eine Feinjustiereinheit 160, die so konfiguriert ist, dass der Stempel 120 bzw. dessen aktive Stempeloberfläche für den Prägevorgang parallel zur Oberfläche der Prägeschicht ausgerichtet ist und seine gewünschte Position in einer Ebene (x-y-Ebene) senkrecht zur Prägerichtung (z-Richtung) in einer gewünschten Drehstellung (Winkel α) um die z-Achse einnimmt. Für diesen Ausrichtungsprozess bzw. Orientierungsprozess sind piezoelektrische Elemente 161 vorgesehen, die fest mit dem Rahmen verbunden sind und in Antriebsverbindung mit dem Stempel stehen, der mit Hilfe elastisch verformbarer Elemente 162 geringfügig beweglich gelagert ist. Die richtige Positionierung des Stempels relativ zum Substrat wird mit Hilfe eines optischen Alignmentsystems 170 kontrolliert. Das Alignmentsystem nutzt auf dem Substrat vorhandene Alignmentmarken 171 , die beispielsweise als beugende Strukturen in Form von Gittern ausgebildet sein können. Um diese Marken nutzen zu können, sind am Stempel 120 korrespondierende Stempel-Alignmentmarken 172 vorgesehen (vergl. Fig. 3). Vorzugsweise sind diese Marken, von denen zwei oder mehr vorgesehen sein sollten, in einem einteiligen Stempel integriert und außerhalb der dreidimensional strukturierten, aktiven Stempeloberfläche 130 angebracht.
Das hier gezeigte Alignmentsystem bzw. dessen Alignmentmarken arbeiten mit dem Beugungsprinzip oder Interferenzprinzip. Dazu sind sie als kleine optische Gitter oder Spiegel ausgebildet. Ein Sensor erkennt über die Intensität des gebeugten oder interferierten Lichtes die relative Lage der Alignmentmarken von Substrat und Stempel. Diese Information wird computergestützt verarbeitet und zur Steuerung der Feinjustiereinheit 160 genutzt. Damit ist es für die Stempelprägung möglich, die lateralen Positionen (x-y-Ebene), die relative Rotation um die Prägerichtung (z-Richtung) und die Koordinatensysteme für Rotationen um die x- und y-Achse, d.h. Kippbewegungen, festzustellen und gezielt mit Hilfe der Feinjustiereinheit 160 zu korrigieren.
Es sind verschiedene Alignmentprozeduren möglich. Beispielsweise ist ein indirektes Alignment des Wafers zum Stempel möglich. Dazu wird der Stempel relativ zu einer Referenzmarke auf der Waferstage ausgerichtet. Der Wafer wird relativ zu geeigneten Ausrichtmarken in der Alignmentoptik positioniert. Wesentlich dabei ist, dass die Ausrichtung (das Alignment) räumlich und zeitlich für einen Waferprägevorgang stabil ist. Durch diese Art des Alignments werden Positionsschwan- kungen des Substrathalters ausgeglichen. Mit jedem Waferwechsel besteht die Möglichkeit eines neuen Ausrichtvorganges.
Eine zweite Möglichkeit besteht darin, dass der Stempel wiederum zur Waferstage ausgerichtet wird. Der Wafer wird mit Hilfe der Stempel- alignmentmarken zum Stempel positioniert. Dies bedeutet, dass der Wafer und der Stempel relativ zu einem gemeinsamen Bezugspunkt, nämlich zu einer von mehreren auf der Waferstage angeordneten Referenzmarken ausgerichtet werden. Ein wichtiger Unterschied zum erstgenannten Verfahren besteht darin, dass nur noch ein einziger Bezugspunkt für den Stempel und das Substrat (den Wafer) besteht, im Gegensatz zum obigen Verfahren, bei dem es immer zwei Bezugspunkte gibt. Dadurch kann die Stabilität über einen kompletten Waferprägevorgang gewährleistet werden.
Bei Bedarf kann auch eine dritte Möglichkeit genutzt werden. Bei dieser werden der Stempel und der Wafer relativ zu einer ortsfesten Alignmentoptik ausgerichtet. Hierbei ist zu beachten, dass beim diesem Verfahren eine Abhängigkeit der Genauigkeit von der räumlichen Konstanz des Alignmentsystems relativ zur Waferstages vorliegt.
Um ein möglichst getreues Abbild (Prägeabdruck oder Stempelabdruck) der Stempelstruktur in der zu strukturierenden Substanz zu erhalten, ist es z.B. beim Heissprägen notwendig, dass der Stempel exakt kontrolliert in die Prägesubstanz eingepresst wird bzw. bei der Stempelbelichtung seine Relativposition zum Substrat genau einnimmt, bevor die zu strukturierende Substanz eingebracht und ausgehärtet wird. Um dies zu erreichen, hat die Stempellithografievorrichtung ein geregeltes Zufuhrsystem, das ein Abstandsmesssystem beinhaltet, sowie eine logische Einheit, um die Regelparameter zu erfassen und Steuersignale für das Zufuhrsystem zu erzeugen. Zum Zufuhrsystem gehört auch die Zuführungseinheit selbst. Eine zum Zufuhrsystem gehörende Einrichtung zur Abstandsmessung, die auch als Fokussiereinheit bezeichnet werden kann, hat die Aufgabe, Abstandsmessungen für den Abstand zwischen Substratoberfläche und Stempeloberfläche für die gesamte Größenordnung der Vorschubbewegung des Stempels zu ermöglichen. Typische Distanzbereiche liegen zwischen null und ca. zwei Millimetern. Je kleiner der Abstand ist, desto sicherer bzw. genauer sollte die Abstandsinformation sein. Dies wird bei manchen Ausführungsformen durch eine optische Sensoreinrichtung nach dem Prinzip der Autokollimation erreicht, wobei diese Einrichtung in einem Wellenlängenbereich arbeitet, in dem die Oberfläche des zu strukturierenden Substrates ausreichende Restreflexion liefert. Hierfür können an sich bekannte Autokollimationseinrichtungen genutzt werden.
Eine weitere Möglichkeit zur Abstandsmessung ist die Verwendung von Membranen nach dem Gegendruckverfahren. Eine weitere Möglichkeit ist in der unteren Teilfigur von Fig. 3 schematisch dargestellt. Das dortige Abstandsmesssystem 185 umfasst mehrere freiliegende Düsen 186, durch die unter geeignetem Druck ein Gas auf die Oberfläche 187 des zu strukturierenden Substrates geblasen wird. Die Erfassung des Gegendruckes liefert ein Abstandssignal. Dadurch ist es möglich, ein Abstandsmesssystem bereitzustellen, dessen Empfindlichkeit mit abnehmendem Abstand zur Oberfläche 187 zunimmt.
Weitere Messmöglichkeiten ergeben sich bei Verwendung von Ultraschallsensoren. Im übrigen kann im Rahmen der Erfindung jedes bekannte Abstandsmessverfahren, gegebenenfalls nach geeigneter Anpassung an die entsprechende Stempellithografievorrichtung, genutzt werden. Beispiele für Abstandsmesssysteme sind in den internationalen Patentanmeldungen WO 02/08835 A2, WO 02/10721 A2 und WO 02/067055 A2 offenbart, deren Offenbarungsgehalt durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Beschreibung gemacht wird. Das Zufuhrsystem 180 erlaubt eine hochgenau kontrollierbare Annäherung und Relativpositionierung von Stempel und Substrat, wobei im Zusammenspiel mit dem Alignment- und Abstandsmesssystem ein kontrolliertes Absenken des Stempels und ein kontrolliertes Abheben ermöglicht werden. Ein Antriebssystem für größere, hochgenau kontrollierte Hubbewegungen des Stempels umfasst bei der Ausführungsform drei Linearmotoren 181 , die sternförmig mit einem Winkelabstand von 120° symmetrisch um eine zentrale Achse des Stempels bzw. des Rahmens angeordnet sind, um die resultierende Kraft mittig in den Stempel einzuleiten. Um die Kraft symmetrisch möglichst gleichartig über alle drei Linearmotoren zu verteilen, sind die im Beispielsfall elektrisch betriebenen Linearmotoren in Reihe geschaltet, um jeweils die gleiche Linearkraft in z-Richtung zu erzeugen. Jeder Linearmotor hat einen fest mit dem Rahmen 101 verbundenen Stator 182 und einen relativ zum Stator linear verschieblichen Translator 183, der in Antriebseingriff mit dem Stempel 120 steht. Eine Relativbeweglichkeit des Stempels zum Rahmen in z-Richtung wird im Beispielsfall durch eine zwischen Rahmen und Stempel eingebaute Elastizität erreicht, die in Fig. 2 schematisch durch die elastisch verformbaren Elemente 162 bereitgestellt wird. Zum Aufbau des Antriebssystems mit Linearmotoren kann auf monolithische, d.h. einstückige Bauteile zurückgegriffen werden. Einen Stator 182 kann mit dem Gehäuse verbunden oder selbst Bestandteil des Gehäuses, also einstückig mit diesem ausgebildet sein. Ein Translator kann, gegebenenfalls gelenkig, mit einer nicht näher dargestellten Stempelaufnahme fest verbunden sein oder Bestandteil der Stempelaufnahme selbst sein. Linearmotoren erlauben sehr kurze Verfahrwege bis hin zum Verfahrweg null, so dass im Extremfall lediglich eine (vollständig reversible) Hooksche Kompression innerhalb der Bauteile für den Stempelhub ausreichen kann. Bei geeigneter Konstruktion wird eine in z-Richtung gerichtete Kraft auf den Stempel ausgeübt, die eine kontrollierte Bewegung Richtung Substrat oder vom Substrat zurück ermöglicht. Diese Kraft kann durchaus zwischen 500 N und 20.000 N liegen. Durch die Reihenschaltung der Linearmotoren ist eine symmetrische Kraftverteilung und in Verbindung mit der sternförmigen Anordnung ein kippsicherer Antrieb in z-Richtung geschaffen.
Möchte man mit weniger als drei Linearmotoren arbeiten, so sollte ein einzelner Linearmotor vorgesehen sein, der koaxial zu einer zentralen Stempelachse wirkt und die komplette Kraft aufbringt. Hierbei ist es nützlich, wenn möglichst dicht oberhalb des Stempels ein gesondertes Gelenk oder ein monolithisches Gelenk vorgesehen ist, um eine geringfügige Schwenkbewegung zwischen Translator und Stempel zu ermöglichen. Bevor die volle Kraft des Linearmotors beim Strukturierungsvorgang einsetzt, sollte die Stempelunterseite durch geeignete Ausrichtantriebe winkelgerecht zur Waferoberfläche ausgerichtet sein. Dies kann beispielsweise durch ein oder mehrere piezoelektrische Elemente erreicht werden, die zwischen Stator bzw. Rahmen und Stempel angeordnet sind.
Es ist auch möglich, die für den Prägevorgang erforderliche Stempelkraft über Fluiddruck, insbesondere über Flüssigkeitsdruck hydraulisch bereitzustellen. Dabei können ein oder mehrere Druckzylinder mit Kolben die notwendige Kraft bereitstellen. Hydraulikzylinder, beispielsweise drei sternförmig angeordnete Zylinder analog zu Fig. 2, können in analoger Weise in Reihe geschaltet sein, um einen gleichmäßigen Druck und einen kippfreien Vorschub zu ermöglichen.
Das Absenken und Anheben des Stempels wird bei einer bevorzugten Variante des Strukturierungsverfahrens in mehreren Phasen vorgenommen. Die erste Phase ist gekennzeichnet durch einen relativ schnellen Vorschub des Stempels in Richtung Substrat, bis ein relativ geringer Abstand von wenigen Mikrometern zwischen den Vorsprüngen der Stempeloberfläche und der zu strukturierenden Oberfläche erreicht ist. Dieser Vorschub kann durch Relativbewegung zwischen Substrathalter und Rahmen in z-Richtung erreicht werden, indem der Rahmen als ganzes abgesenkt und/oder der Substrathalter angehoben wird. In einer zweiten Phase werden die letzten Mikrometer bis zum Berührungskontakt zwischen Stempeloberfläche und Substratoberfläche mit geringerer Geschwindigkeit verfahren, wobei hier mit Hilfe des Abstandsmesssystems und des Alignmentsystems eine besonders intensive und genaue Regelung der lateralen Position und der Winkellage des Stempels zum Wafer durchgeführt wird. Eine konstruktiv vorgesehene Elastizität der Zuführeinrichtung in Zufuhrrichtung begrenzt die Stempelkraft beim Vorgang des Aufsetzens auf die Prägesubstanz auf sehr geringe Werte, beispielsweise auf einige wenige N. Dadurch sind Beschleunigungen und Schwingungen, die das Substrat und die Substrathalterung schädigen könnten, minimiert.
In einer dritten Phase wird die eigentliche, für den Prägeprozess nötige Stempelkraft eingebracht, die den Stempel unter hohen Druck in die verformbare und strukturierbare Prägesubstanz 142 eindrückt. Der Druck kann hier Werte in der Größenordnung von 200 bar oder darüber erreichen. Gleichzeitig kann der Stempel durch eine nicht gezeigte Heizeinrichtung beheizt werden, so dass, gegebenenfalls unterstützt durch eine Belichtung mit energiereicher UV-Strahlung, der chemische Prozess der Aushärtung in der Prägesubstanz eingeleitet wird. In Abhängigkeit von der Art der Verfahrensführung kann es hier zu einem Aushärtprozess kommen, bei dem permanente Vernetzungen im Resistmaterial stattfinden. Um den Prozess zu optimieren, können Druck und Temperatur ergänzend eingestellt werden, wobei normalerweise geringere Drücke mit höheren Temperaturen kombiniert werden. Geeignete Drücke können beispielsweise zwischen 10 und 25 bar liegen, geeignete Temperaturen zwischen ca. 50°C und ca. 180°C. Bei der in Fig. 2 gezeigten Verfahrensführung wird auf eine Belichtung mit UV-Strahlung völlig verzichtet. Für die Stempelbelichtungslithografie mit Hilfe transparenter Stempel kann die Stempellithografievorrichtung auch eine für eine Bestrahlung des Stempels von seiner Rückseite in Richtung Stempeloberfläche konfigurierte Beleuchtungseinrichtung enthalten.
Da hohe Temperaturen beim Prägeprozess für das Matching, d.h. die Anpassung an nachfolgende Prozessschritte problematisch sein können, wird bei der gezeigten Ausführungsform auf eine Beheizung verzichtet, so dass der Strukturierungsprozess bei Umgebungstemperatur stattfinden kann. Die erforderlichen höheren Drücke können durch die Linearmotoren bereitgestellt werden. Eine intensive UV-Belichtung kann optional vorgesehen sein.
Nach dem Strukturierungsprozess, bei welchem eine negative Form der Stempeloberfläche als Prägeabdruck bzw. als Stempelabdruck in der Prägesubstanz entsteht, muss der Stempel wieder aus der Prägesubstanz gelöst werden. Dieser Vorgang kann wie folgt durchgeführt werden. Zunächst wird die große Prägekraft zurückgefahren, bis die oben erwähnte Haltekraft von wenigen N übrig bleibt, wobei der Stempel jedoch noch voll in Berührungskontakt mit der Prägesubstanz steht. Die laterale Regelung und Winkelkontrolle bleibt aktiv. Vorzugsweise wird eine Lösebewebung über piezoelektrische Elemente oder andere Mikroantriebe eingeleitet. Dazu ist sorgfältig auf die Vermeidung von Verkippungen und damit auf eine Entstehung eines gleichmäßig breiter werdenden Spaltes zu achten. Hat der Spalt eine Spaltbreite von wenigen Mikrometern erreicht, wird in einer fünften Phase eine schnellere Rückzugbewegung vollzogen, bis der Stempel in seine Ausgangsposition wenige Millimeter oberhalb des Wafers zurückgezogen ist. Diese Bewegung kann im Ausführungsbeispiel sowohl durch die Piezoelemente, als auch durch die Linearmotoren oder durch eine Kombination beider Antriebsarten bewirkt werden. Durch die Rückzugsbewegung kann ein Sicherheitsabstand zwischen Stempel und Substrat erreicht werden, der verhindert, dass ungewollt über die strukturierte Oberfläche hinausstehende Reste an der Stempeloberfläche verbleiben und diesen kontaminieren können. In einer sechsten Phase wird schließlich der Wafer seitlich wegbewegt, um entweder einen neuen Bereich seiner Oberfläche zu strukturieren oder um den Wafer komplett auszuwechseln.
Es kann somit insbesondere ein Stempellithografieprozess durchgeführt werden, bei dem unter lateraler Regelung mit geringer Kraft der Kontakt zur Prägesubstanzoberfläche auf dem Substrat hergestellt wird und danach erst eine größere wirksame Einpresskraft einsetzt, also eine mehrstufige, insbesondere zweistufige Annäherung. Entsprechend kann das Abheben unter lateraler Regelung mit geregelter Kraft durchgeführt werden, nachdem die große Einpresskraft zurückgenommen wurde. Dabei kann der Annäherungsvorgang mit nicht-konstanter Geschwindigkeit durchgeführt werden, wobei vorzugsweise eine schnelle Annähe- rung über eine größere Distanz und eine langsamere, geregelte Annäherung über eine geringere Distanz stattfinden kann. Auch das Abheben kann mit nicht-linearer Geschwindigkeit durchgeführt werden. Günstig ist es, wenn eine geringe Entfernung mit einer geringeren Geschwindigkeit und eine größere Entfernung mit einer größeren Geschwindigkeit korreliert. Beispielsweise können schnelle Zufuhr- oder Rückzugsbewegungen mit Geschwindigkeiten im Bereich zwischen 10 und 27 m/s stattfinden, für langsame, geregelte, gegebenenfalls kontaktherstellende und kontaktlösende Bewegungen können im Mittel Geschwindigkeiten zwischen 0,05 m/s und 0,8 m/s vorteilhaft sein. Die Kontaktbewegung kann mit einer passiven Kraft von weniger als 35 N durchgeführt werden, während die Prägekräfte für eine Flächenpressung günstigerweise so groß sind, dass Flächendrücke zwischen 12 und 270 bar auftreten können. Prägevorgänge bei Raumtemperatur, beispielsweise zwischen 20 und 24°, insbesondere zwischen 21 ,5 und 22,5°, sind möglich. Die Vortriebsachse des Einzelantriebes sowie die Stempelachse sollten co-linear in Richtung Schwerkraft ausgerichtet sein.
Stempellithografieeinrichtungen gemäß der Erfindung zeichnen sich durch ein effizientes System zur schnellen und hochgenauen Stempelauswechslung aus. Die Erfinder haben erkannt, dass ein effizienter, automatisierbarer Wechsel eine wesentliche Voraussetzung für einen flexiblen Einsatz von Stempellithografieanlagen und für eine kostengünstige Massenproduktion strukturierter Bauteile ist. Die korrespondierenden Komponenten sind einerseits die Stempel, die gegebenenfalls durch besondere konstruktive Maßnahmen für eine schnelle Ein- und Auswechselung optimiert sein können, und andererseits eine geeignete Stempelhalterung, um einen Stempel in der Arbeitsposition zu halten.
Figur 4 zeigt in zwei gesonderten Teilbildern verschiedene Ausführungsformen von Stempelhalteeinrichtungen, die als Magnethalter ausgebildet sind und eine lagegesicherte Aufnahme eines Stempels an der Stempel- halteeinrichtung ausschließlich über magnetische Kräfte ermöglichen. Die magnetische Stempelhalteeinrichtung 200 umfasst Halteelemente 201 , 202, die mit dem Rahmen der Prägevorrichtung fest verbunden oder beweglich bzw. elastisch nachgiebig mit dem Rahmen gekoppelt sein können. Im linken Teilbild hat das Halteelements 201 einen Permanentmagneten 202, dessen Nordpol zur unteren, ebenen Haltefläche des Stempelhalters weist. Ein korrespondierender Stempel 220 hat in seinem Außenbereich außerhalb der aktiven Stempeloberfläche einen korrespondierenden Permanentmagneten 222, der so gepolt ist, dass sich bei Annäherung der Permanentmagneten eine anziehende, magnetische Kraft entwickelt, die den Stempel zuverlässig und lagegesichert an den Stempelhalter zieht und dort festhält. Zur Unterstützung einer lagegenauen Ankopplung können geeignete Formschlusselemente, z.B. Rastnasen und korrespondierende Ausnehmungen am Halteelement und am Stempel vorgesehen sein. Die rechte Teilfigur zeigt eine Alternative, bei der in einer Ausnehmung des Stempels 230 außerhalb der aktiven Stempelfläche ein Element 232 aus einem beispielsweise eisenhaltigen, magnetisierbaren Material eingebaut ist. Im korrespondierenden Halteelement 202 ist ein von außen elektrisch ansteuerbarer Elektromagnet 234 angeordnet, der im eingeschalteten Zustand den Stempel mit Hilfe des magnetisierbaren Elementes an die Halteeinrichtung heranzieht und im ausgeschalteten Zustand den Stempel freigibt.
Andere Ausführungsformen wirken über mechanische Haltekräfte zwischen Stempelhalter und Stempel, wobei beispielsweise eine ausschließlich über Reibschluss wirkende Klemmhalterung genauso möglich ist wie ausschließlich formschlüssig arbeitende Halterungen, z.B. mit Schwenkhebel oder dergleichen. Auch Halteeinrichtungen, bei denen Formschluss und Kraftschluss zusammenwirken, sind möglich. Weiterhin kann die Haltekraft mit Hilfe von Fluiddruck erzeugt werden.
Anhand der schematischen Darstellung in Fig. 5 wird eine Ausführungsform einer Unterdruck-Stempelhalteeinrichtung 300 erläutert. Diese hat einen Stempelhalterblock 301 mit einer ebenen Unterseite 302, die als Ansaugfläche für einen (im Beispiel geringfügig biegsamen) Stempel 320 dient. Innerhalb des Blockes 301 verlaufen zahlreiche Kanäle 303, die an der Stempelhalterfläche 302 in einem regelmäßigen Raster münden und zu einem gemeinsamen Unterdruckerzeuger, beispielsweise einer angeschlossenen Vakuumpumpe führen. In jedem der Kanäle ist ein elektrisch steuerbares Ventil 304 angebracht, wobei die Ventile unabhängig voneinander zwischen Sperrkonfiguration und Durchlasskonfiguration umschaltbar sind. Die korrespondierenden Stempel müssen eine zur Halterunterseite 302 komplementäre, im Beispielsfall ebene Rückseite 321 haben, wobei gegebenenfalls am Stempelhalter und am Stempel korrespondierende Vorsprünge und Ausnehmungen vorgesehen sein können, um eine lagegesicherte Ankopplung des Stempels und einen Verdrehschutz zu bewirken. Zum Ankoppeln eines Stempels an die freie Stempelhalterunterseite werden die Saugkanäle auf Durchlass geschaltet, so dass ein an die Unterseite des Stempelhalters herangeführter Stempel großflächig angesogen und fest am Stempelhalter gehalten wird. Für eine Freigabe kann durch Schließen der Ventile die Saugwirkung abgestellt werden, so dass der Stempel mit geringer Kraft vom Stempelhalter abgenommen werden kann. Gegebenenfalls kann eine Umstellung zwischen Saugwirkung und Blaswirkung vorgenommen werden, um das Abkoppeln eines Stempels vom Halter zu unterstützen.
Bei Verwendung eines dünnen, in sich leicht verbiegbaren Stempels ist mit Hilfe eines solchen Halters auch ein besonders günstiger Ablöseprozess zwischen dem Stempel und der geprägten Substanz nach dem Prägeschritt möglich. Hierbei wird eine Art Abschälbewegung (peeling) ermöglicht. Dazu werden alle Saugkanäle bis auf eine Reihe im Randbereich links geschlossen. Es erfolgt nun eine Abhebebewegung im μm-Bereich. Sukzessive werden die weiteren Saugkanäle von links nach rechts wieder geöffnet und die dünne Stempelmatrix schälend aus dem Resist gelöst. Dadurch wird es möglich, den Stempel sukzessive entlang eines relativ schmalen, linienhaften Ablösebereiches von der geprägten Struktur abzuziehen, wobei der Ablösebereich langsam über die geprägte Struktur wandert. Im Gegensatz zu einer an allen Stellen gleichzeitigen Abhebung, die relativ große Abhebekräfte erfordert, sind hier die für ein Ablösen erforderlichen Kräfte wesentlich geringer, wodurch eine schonende Abhebung ermöglicht wird, die durch flächenhaftes Ausreißen bewirkte Strukturdefekte an der geprägten Struktur vermeidet. Für einen schnellen, kontinuierlichen Fertigungsprozess ist es erforderlich, Stempel schnell und zuverlässig in die Arbeitsposition an der Stempellithografievorrichtung zu bringen und aus dieser zu entfernen. Hierzu haben erfindungsgemäße Stempellithografievorrichtungen eine Stempelwechseleinrichtung, die einen schnellen und sicheren Wechsel ermöglicht. Dies ist beispielsweise dadurch möglich, dass ein einachsig oder mehrachsig gelagerter Greifarm einen Stempel in der Arbeitsposition z.B. mittels Unterdruck ergreift und ihn nach außen, beispielsweise in ein Magazin, verlagert, um sich danach einen anderen, beispielsweise gleich gestalteten Stempel zu greifen und in die Arbeitsposition zu bringen.
Besonders günstig sind Mehrfachwechsler mit mindestens zwei Stempelaufnahmen, die es ermöglichen, einen Stempel aus der Arbeitsposition in eine Außenposition zu bringen und gleichzeitig die Stempellithografievorrichtung neu zu beschicken, indem ein zweiter Stempel zeitlich parallel zur Entnahme des ersten Stempels zur Arbeitsposition gebracht wird. Die Figuren 6 und 7 zeigen verschiedene Ausführungsformen von Zweifachwechslern mit genau zwei Stempelaufnahmen. Die Stempelwechslereinrichtung 400 ist als Zweifach- Wechsler ausgebildet, der einen um eine vertikale Drehachse 401 drehbaren Doppelarm 402 hat, an dessen Enden gegengleich ausgebildete Stempelaufnahmeeinrichtungen 403 sitzen. Die Stempelaufnahmeeinrichtungen sind als Greifeinrichtungen ausgestaltet und umfassen jeweils einen einstückig mit dem Wechselarm 402 ausgebildeten Stützabschnitt 404 und einen linear relativ zum Stützabschnitt beweglichen Greifarm 405, der durch einen (nicht gezeigten) Antrieb quer zur Radialrichtung des Wechslers so bewegt werden kann, dass in Zusammenarbeit mit dem Stützabschnitt eine sich öffnende und schliessende Greifbewegung nach Art einer Zangenbewegung möglich ist. Zwischen den einander zugewandten, ebenen Stützflächen des hierdurch gebildeten Greiforgans kann ein Stempel 420 lagedefiniert fest aufgenommen bzw. freigegeben werden.
Der Stempelwechsler 400 kann so betrieben werden, dass er den für den Prägevorgang vorgesehenen, in die Arbeitsposition verlagerten Stempel für den Stempelprozess durch Öffnen seiner Zange freigibt. Es ist auch möglich, dass der Wechsler während des Prägevorgangs in Eingriff mit dem Stempel bleibt und dessen Hubbewegung beim Prägevorgang mitmacht. Hierzu kann der Stempelwechsler axial federnd gelagert sein, um eine Bewegung entlang seiner Drehachse 401 zu ermöglichen.
Fig. 7 zeigt schematisch andere Möglichkeiten der Stempelhalterung an einem Zweifachwechsler 500, wobei hier an beiden Seiten des Wechslers unterschiedliche Konstruktionen für eine federnde Lagerung von Stempeln an der Stempelwechseleinrichtung gezeigt sind. Die links gezeigte Stempelaufnahme 503 hat in einer U-förmigen Öffnung des Wechslerarms zwei Führungsschienen 504, deren einander zugewandten Innenkonturen derart an entsprechenden Außenkonturen eines Stempels 520 angepasst sind, dass ein Stempel beim Beschicken des Stempelwechslers von außen zwischen die Schienen eingeführt und bei Entladen des Stempelwechslers aus der Schienenführung heraus in Radialrichtung des Stempelwechslers bewegt werden kann. Die Führungsschienen 504 sind gegenüber dem zweiarmigen Wechslerarm 502 federnd bzw. elastisch nachgiebig angebracht, was durch die schematisch gezeigten Federn 505 oder durch eine andere geeignete nachgiebige Halterung, beispielsweise über monolithische Gelenke oder dergleichen, erreicht werden kann.
Bei der rechts gezeigten Stempelaufnahmeeinrichtung 510 sind die Führungsschienen 511 , die ein Herausnehmen und Einfügen eines Stempels am Wechslerarm erlauben, direkt mit dem Wechslerarm verbunden, wobei die vorteilhafte Elastizität zwischen Wechslerarm und Stempel durch Federelemente 512 oder andere elastisch nachgiebige Lagerungen ermöglicht werden, mit denen am Stempel angebrachte Halteelemente 515 relativ zum Wechslerarm beweglich gelagert werden.
Beide Ausführungsformen einer Stempelwechseleinrichtung bieten während des Prägevorgangs im wesentlichen keine in Prägerichtung oder quer dazu wirkenden Haltekräfte. Trotzdem ermöglichen sie eine lagegenaue Positionierung von Stempeln in der Arbeitsposition und ein sicheres und schnelles Andocken an die Feinjustiereinheit. Der Stempel wird zugeführt, die Zuführeinheit kann eine aktive Greifbewegung durchführen und setzt den Stempel in die Feinjustiereinheit ab und gibt ihn frei. Der Stempel kann auch während des Prägevorgangs mit der Feinjustiereinheit verbunden bleiben. Dann ist ein Absenkvorgang der Stempelwechseleinrichtung in die Feinjustiereinheit angezeigt. Das Eigengewicht des Stempels übertreffende Kräfte können bei der Ausführungsform gemäß Fig. 7 in eine Relativbewegung zwischen Stempel und Stempelwechseleinrichtung umgesetzt werden, weil der Stempel im wesentlichen federnd im Wechsler gehalten wird.
Bei den Stempelwechseleinrichtungen gemäß Fig. 1 , 6 und 7 sind die Stempel jeweils karussellartig gelagert, wobei jeweils genau zwei Karussellplätze vorgesehen sind. Es können jedoch auch mehr als zwei Stempelaufnahmeeinrichtungen an einer Stempelwechseleinrichtung vorgesehen sein (vgl. Fig. 10). Solche Karussell- bzw. Revolvereinrichtungen bieten besonders hohe Wechselgeschwindigkeiten. Neben einer ebenen bzw. planaren Karusselleinrichtung (Stempelwechseleinrichtung wie in Fig. 8) sind auch kegelige oder zylindrische Einrichtungen möglich, die räumliche Vorteile bringen können, weil die außerhalb der Arbeitsposition liegenden Elemente des Stempelwechslers zum empfindlichen Substrat einen größeren Abstand haben können. Bei den schematischen Darstellungen von Stempelwechseleinrichtungen 550 und 570 in Fig. 8 und 9 ist die Arbeitsposition des Stempels jeweils links und die für eine Stempelbeschickung oder Stempelentnahme vorgesehene Außenposition jeweils rechts gezeigt.
Die linke Teilfigur von Fig. 10 zeigt eine mit acht Stempelaufnahmen ausgestattete Stempelwechseleinrichtung 580 in ebener Ausführung, bei der die Prägerichtung (z-Richtung) der zugeordneten Prägevorrichtung parallel zur Drehachse 581 des Wechslers verläuft. In der rechten Teilfigur ist eine reifenförmige Stempelwechseleinrichtung 590 gezeigt, bei der zwei oder mehr Stempel mit radial nach außen gerichteten Stempeloberflächen angeordnet sind, wobei sich der Stempelwechsler um eine horizontale Drehachse 591 drehen kann. Diese steht senkrecht auf der Prägerichtung 592. Wenn eine belichtungsunterstützte Prägung gewünscht ist, kann innerhalb des Ringes ein Spiegel 593 vorgesehen sein, der die Belichtungsstrahlung 594 in Richtung 592 zum aktiven, in der Arbeitsposition befindlichen Stempel lenkt.
In Fig. 11 ist eine Inspektionseinrichtung 600 gezeigt, die zur laufenden Qualitätskontrolle von Stempeln verwendet wird. In einem nicht gezeigten Gehäuse mit Reinraum-Atmosphäre ist ein vor- und zurückbewegbares Förderband 601 installiert, mit dem Stempel 620, 620' zwischen einem von einem Roboter beschickbaren Übergabepunkt 602 und dem Erfassungsbereich verschiedener optischer Inspektionsmodule hin- und herbewegt werden können. Bei einer Ausführungsform ist ein Inspektionsmodul 610 vorgesehen, bei dem die aktive Stempeloberfläche eines Stempels 620 mit Hilfe eines Objektivs 611 hoher Vergrößerung und typischen numerischen Aperturen von mehr als 0,5 bis 0,95 bedienerunabhängig optisch erfasst wird. Ein telezentrischer Prüfstrahlengang ist hier vorteilhaft, um innerhalb des Gesichtsfeldes der Prüfeinrichtung identische Prüfbedingungen zu erzeugen. Ein Bild der Stempeloberfläche fällt auf einen CCD-Chip 612, der an eine Auswerteeinheit 613 angeschlossen ist, um ein digitales, vergrößertes Bild der Stempeloberfläche bzw. von Bereichen der Stempeloberfläche zu erzeugen. Die Auswerteeinheit 613 ist an einen Bildverarbeitungsrechner angeschlossen, in dem die vom Stempel 620 stammende Bildinformation daraufhin analysiert wird, ob die Stempeloberfläche Verunreinigungen, Beschädigungen oder andere die Stempelqualität beeinträchtigende Schäden aufweist. Der Auswerteprozess ist bei manchen Ausführungsformen automatisiert. Bei anderen Ausführungsformen wird ein gegebenenfalls mit Hilfe von Falschfarben oder anderen Techniken bearbeitetes Bild an einem Bildschirm ausgegeben, so dass ein ausgebildeter Bediener die Analyse durchführen kann. Abhängig vom Ergebnis der Analyse wird dem Stempel 620 ein Inspektionswert zugeordnet. Entspricht dieser einer einwandfreien Stempelqualität, so kann der Stempel über den Übergabepunkt 602 mit Hilfe eines Roboters oder dergleichen direkt zum Prägeprozess zurückgeführt werden. Auch eine Zwischenspeicherung intakter Stempel in einem Magazin oder dergleichen ist möglich. Entspricht der Inspektionswert einem verunreinigten und/oder beschädigten Stempel, so wird die Anlage so gesteuert, dass dieser Stempel entweder einer Reinigung zugeführt oder aus dem Stempelkreislauf abgezweigt wird.
Für höchste Auflösungen des Inspektionsmoduls 610 kann dieses mit Arbeitswellenlängen im UV-Bereich arbeiten, beispielsweise bei 193 nm, 248 nm, 365 nm, 405 nm oder mit breitbandiger UV-Strahlung bzw. Excimerstrahlung. Inspektionen mit sichtbarem Licht sind ebenfalls möglich.
Das Inspektionsmodul 630, das ebenfalls eine bedienerunabhängige Inspektion ermöglicht, umfasst einen Sender 631 zur Abgabe von auf die Stempeloberfläche gerichteter Inspektionsstrahlung sowie einen Detektor 632 zur Erfassung der von der Stempeloberfläche reflektierten Inspektionsstrahlung. Der Sender und der Empfänger sind an eine Auswerteeinheit 613 angeschlossen, die die Information über die Stempelqualität zur Weiterleitung an einen Zentralrechner aufarbeitet. Die Inspektionsmodule 610, 630 können alternativ oder in Kombination verwendet werden.
Bei anderen Ausführungsformen umfasst die Inspektion ausschließlich oder zusätzlich eine visuelle Kontrolle über einen geeignet geschulten Bediener 640, der die Stempeloberfläche entweder mit bloßem Auge oder über optische Hilfsmittel, beispielsweise ein Mikroskop 641 beobachtet und qualifiziert. Um Beschädigungen und Verunreinigungen besser erkennen zu können, kann eine spezielle Beleuchtung vorgesehen sein. Ein Kippmanipulator zum mehrachsigen Verschwenken eines Stempels kann die Untersuchung vereinfachen.
Anhand von Fig. 12 wird eine besonders effiziente Methode der Stempelinspektion schematisch erläutert. Bei der Inspektionseinrichtung 700 wird bedienerunabhängig ein Vergleich zwischen der Stempeloberfläche eines zu untersuchenden Stempels 720 und einer Referenz- Stempeloberfläche eines Muster-Stempels durchgeführt, der eine zum untersuchten Stempel 720 identische Struktur der Stempeloberfläche besitzt und frei von Verunreinigungen und Beschädigungen ist. Ein holographisches Bild der Soll-Stempeloberfläche ist in einem Hologramm 721 kodiert. Zur Inspektion wird die zu untersuchende Stempeloberfläche senkrecht mit kollimiertem Laserlicht 722 bestrahlt. Das schräg eingestrahlte Untersuchungslicht 723 durchtritt das Hologramm 721 und wird an der Stempeloberfläche reflektiert. Die im Hologramm gespeicherte Bildinformation wird mit der Stemepoberfläche phasenrichtig überlagert und fällt auf die rotierende Mattscheibe 726. Das auf diese Weise interferometrisch erfasste Vergleichsbild wird über eine geeignete Optik 724 in eine Kamera 725 geleitet, die die Bildinformation für eine Weiterverarbeitung aufbereitet. Durch den Vergleichsprozess sind in der erhaltenen Bildinformation Verunreinigungen, Beschädigungen und andere in einer unverletzten Referenzoberfläche nicht vorhandene Störungen besonders zuverlässig und leicht zu identifizieren. Die Auswertung der von der Kamera kommenden Bildinformationen kann visuell oder rechnergestützt erfolgen, wobei eine digitale Bildverarbeitung für eine schnelle und gute reproduzierbare Inspektion besonders vorteilhaft ist.
Anhand von Fig. 13 wird eine Möglichkeit einer indirekten Inspektion der Stempeloberfläche schematisch dargestellt. Bei dieser Verfahrensvariante wird durch geeignete Replikationstechnik ein Abguss oder Abdruck 821 der aktiven Stempeloberfläche des Stempels 820 erzeugt. Nach Ablösen der negativen Form der Stempeloberfläche vom Stempel wird die durch den Stempel strukturierte Oberfläche der Replika 821 untersucht. Für die Untersuchung des Stempelabdrucks können alle auch für die direkte Untersuchung von Stempeloberflächen vorgesehe- nen Techniken eingesetzt werden.
Anhand der Fig. 14 bis 17 wird eine Auswahl von Möglichkeiten für eine effiziente Stempelreinigung erläutert. Die Reinigungseinrichtung 900 in Fig. 14 ermöglicht eine effiziente Reinigung der aktiven Stempeloberfläche eines Stempels 920 über intensiven Berührungskontakt mit einer bandförmigen Reinigungsfolie 921 , deren stempelzugewandte Oberfläche so optimiert ist, dass Verunreinigungen an der Reinigungsoberfläche haften bleiben. Die Reinigungseinrichtung umfasst eine umlaufende Reinigungsfolie 921 , die selbst kontinuierlich gereinigt und für weitere Reinigungsprozesse reaktiviert wird. Im Stempelreinigungsbereich ist auf der Seite der aktiven Reinigungsoberfläche der Folie eine Stempelandruckeinrichtung 922 und auf der gegenüberliegenden Seite ein Gegendruckelement 923 mit einer ebenen, elastisch leicht nachgiebigen Andruckfläche vorgesehen. Für eine Stempelreinigung wird die intermittierend antreibbare Reinigungsfolie kurzzeitig angehalten und der Stempel mit seiner aktiven Stempeloberfläche an die Reinigungsseite der Folie 921 so stark angepresst, dass das Folienmaterial in großflächige Berührung mit der strukturierten Stempeloberfläche gerät und dort vorhandene Verunreinigungen erfassen kann. Nach Abheben des Stempels wird die Folienbewegung fortgeführt und die Folie trägt in einem verunreinigten Folienabschnitt die Verunreinigungen 924 mit sich.
Nach dieser physikalischen Reinigung der Stempeloberfläche wird die umlaufende Folie wieder aufgearbeitet. Hierzu umfasst die Reinigungseinrichtung in Durchlaufrichtung der Folie eine Folienreinigungseinrich- tung 925, beispielsweise in Form eines Reinigungsbades, eine Trocknungsstrecke 926, in der das Folienmaterial erwärmt und gedehnt wird, und eine nachfolgende Stauchungsstrecke 927, in der das Folienmaterial in einen für eine weitere Reinigung optimierten Zustand zurückgeführt wird. In dem Reinigungsbad 925 werden zunächst die vom Stempel kommenden Verunreinigungen physikalisch und/oder chemisch von der Folie gelöst, wobei dieser Reinigungsprozess durch Ultraschall unterstützt werden kann. Die nachfolgende Restauration der Reinigungsfolie ermöglicht es, die vernetzten Moleküle des Folienmaterials neu zu orientieren. Der Prozess kann durch eine leicht reversible mechanische Streckung des Folienmaterials und über Erwärmung desselben unterstützt werden. Auf diese Weise können insbesondere thermoplastische Kunststoffe, wie Polyethylen, für eine vielfache Verwendung als Reinigungsfolie genutzt werden.
Fig. 15 zeigt schematisch eine Ausführungsform, bei der die Reinigung der aktiven Stempeloberfläche eines Stempels 940 eine Bestrahlung mit hartem UV-Licht umfasst, das von einer UV-Lampe 941 eingestrahlt wird. Durch diese Bestrahlung können an der Stempeloberfläche haftende Reste von polymerem Resistmaterial versprödet werden, so dass eine nachfolgende Beseitigung der Verunreinigungen, beispielsweise durch die oben beschriebene Folienreinigung, durch Wegblasen oder auf andere Weise beseitigt werden können. Fig. 16 zeigt schematisch die Bestrahlung einer aktiven Stempeloberfläche eines Stempels 960 mit ionisiertem Reinigungsgas, beispielsweise ionisiertem Argon.
In Fig. 17 ist die Variante einer Reinigungseinrichtung 970 gezeigt, in der ein Stempel 980 mit Hilfe eines flüssigen Reinigungsbades 981 gereinigt wird. Hierzu wird der Stempel 980 mit nach unten gerichteter Stempeloberfläche an einem Stempelhalter 982 befestigt und in eine Reinigungsflüssigkeit 981 getaucht, die Verunreinigungsmaterial chemisch lösen kann, z.B. Aceton, NMP oder dgl.. Der Reinigungsprozess kann physikalisch mit Hilfe von Ultraschall unterstützt werden, der mit einem Ultraschallerzeuger 983 erzeugt wird. Nach Abschluss der Reinigung wird der Stempel aus der Reinigungsflüssigkeit genommen, getrocknet und für die Weiterverarbeitung weitergeleitet.
Anhand Fig. 18 wird eine bevorzugte Variante eines Verfahrens zur Herstellung eines bei der Prägelithographie nutzbaren Stempels erläutert, der sich besonders dadurch auszeichnet, dass seine aktive Stempeloberfläche im wesentlichen frei von zur Stempeloberfläche reichenden Mikrorissen ist. Zunächst wird ein Stempelrohling 1000 auf seiner zur Erzeugung der Stempeloberfläche vorgesehenen Seite 1001 auf Ebenheit bearbeitet. Dies wird durch Zurichten, nachfolgendes Läppen und nachfolgendes Polieren erreicht. Dieser erste Prozessschritt ist zunächst auf schnelle Durchpolitur der Oberflächentopographie mit Kunststoff pol itur optimiert, wobei bezogen auf eine Messwellenlänge von 632 nm typische Oberflächenfehler im Bereich von wenigen Wellenlängen λ oder unterhalb der Wellenlänge λ erreicht werden sollten. Dabei ist die Mikrorauhigkeit zunächst zweitrangig. Es folgt ein Glättprozess, vorzugsweise auf Pech, der zu einer sehr glatten Oberfläche 1002 führt. Dabei ist es durchaus zugelassen, dass die Formtreue der Oberfläche im Bereich der Wellenlänge λ verbleibt. Damit die extrem kleinen Strukturen der Stempeloberfläche, die bis in den Bereich von 20 oder 10 nm reichen können, bei einem Prägevorgang nicht aufgrund von Mikrorissen abbrechen, wird auf die Vermeidung von Mikrorissen besonderer Wert gelegt. Es erfolgt eine Prüfung auf Mikrorisse. Dies wird bei dem Verfahren dadurch erreicht, dass die geglättete Oberfläche in einem nachfolgenden Verfahrensschritt mit Hilfe einer geeigneten Säure 1003, beispielsweise Flusssäure, sehr tief abgeätzt wird. Hierbei können Ätztiefen von wenigen μm bis 0,1 bis 0,2 mm durchaus nützlich sein. Durch diesen Ätzprozess werden zur Oberfläche reichende Mikrorisse 1004 sichtbar. Nachfolgend kann durch feinoptisches Abtragen des mit Mikrorissen durchsetzten Oberflächenbereiches 1005 eine im wesentlichen rissfreie und im wesentlichen ebene Ausgangsoberfläche z.B. von λ/5 bis λ/20 erzielt werden, in die dann die dreidimensionale Struktur der Stempeloberfläche eingebracht wird.
Um ein defektarmes Ausgangsmaterial zu erhalten, können Materialien eingesetzt werden, die mit günstigen Materialspezifikationen bezüglich Einschlüssen, Luftblasen, Korngrenzen oder dergleichen erhältlich sind, z.B. Silizium, Germanium, Galliumarsenid oder andere Halbleitermate- rialien. Das einkristalline Material braucht nicht dotiert zu sein. Eine weitere Lösung für die Materialfrage sind hochglasige, also extrem amorphe optisch transparente Werkstoffe.
Besonders vorteilhaft kann aus der Flamme abgeschiedenes Siliziumdioxid sein, dessen Schichtstruktur möglichst gleichmäßig sein sollte. Vorzugsweise arbeitet die aktive Stempeloberfläche in einer möglichst undurchbrochenen Quarzabscheidungsschicht, so dass die Quarzschichten möglichst parallel zur aktiven Stempeloberfläche liegen sollten. Die Bearbeitung erfasst die Schichtstruktur und legt die Bearbeitungstiefe und Winkellage passend zum Schichtaufbau des Quarzglases fest. Günstige Eigenschaften solcher Quarzglasmaterialien sind mittlere Härte, relative Defektarmut, kleine mechanisch-thermische Ausdehnung und ein großer spektraler Durchlässigkeitsbereich bis hinunter zu ca. 175 nm.
Ebenfalls möglich ist die Verwendung von einkristallinem Quarz, welches noch größere Härte hat und sich durch einen bis hinunter zu 157 nm reichenden Transmissionsbereich auszeichnet. Zu dieser Art von Kristallen mit guter Transmission und brauchbarer Härte zählt auch Magnesiumfluorid, Saphir und Lanthanfluorid. Die Doppelbrechung dieser Kristalle spielt für diesen Anwendungsbereich keine Rolle. Einachsige Kristalle werden vorzugsweise so orientiert, dass sie entlang der aktiven Stempeloberfläche in beide Raumrichtungen dieselbe Ausdehnung unter Druck und/oder Temperatur besitzen. Vorzugsweise wird der Stempel aus einem einachsigen Kristall so gearbeitet, dass die optische Kristallachse nahezu senkrecht zur Stempeleinpressfläche liegt, damit es unter Druck nicht zu unterschiedlichen Querdehnungen kommt. Bei isotropen Kristallen gibt es mehrere geeignete Orientierungen.
Eine wesentliche Voraussetzung für eine kostengünstige Massen- fertigung mit Hilfe der Stempellithographie sind hohe Standzeiten der Stempel. Hier kann die Verwendung von Aluminiumoxid (Al203 bzw. Saphir) vorteilhaft sein. Dies ist ein einachsiger, doppelbrechender Kristall von hoher Härte und Verschleißfestigkeit. Zusätzlich ist es bei Stempeldicken bis zu etwa 10 mm ausreichend transparent für 193 nm Belichtungswellenlänge. Mischkristalle können ebenfalls verwendet werden. Mischkristalle aus Zrθ2+Y203 oder Hf02+Y2θ3 haben sich als vorteilhaft erwiesen. Zr02 und Hf02 werden durch den Anteil Y203 kubisch stabilisiert.
Anhand Fig. 19 werden Ausführungsbeispiele von Stempeln beschrieben, deren aktive Stempeloberfläche teilweise aus einer auf einem Stempelkörper aufgebrachten dünnen Beschichtung besteht, die vor allem die mechanischen Eigenschaften der Stempeloberfläche entscheidend mitbestimmt. Bei der Herstellung des Stempels 1100 in Fig. 19 (a) wird zunächst auf einen transparenten Stempelkörper 1101 eine wenige Nanometer dicke Schicht 1 102 aus einem feinkristallinen, sehr harten Werkstoff aufgebracht, dessen mittlerer Korndurchmesser klein gegen die typischen Strukturgrößen der Stempeloberfläche ist und beispielsweise im Bereich zwischen 5 nm und 10 nm liegen kann. Nach Aufbringen der Schicht auf eine ebene Trägeroberfläche wird auf lithographischem Wege die dreidimensionale Struktur der Stempeloberfläche erzeugt, wobei die Bearbeitungstiefe größer als die Schichtdicke ist, so dass die freiliegenden Vorsprünge der Stempeloberfläche mit einer Beschichtung belegt sind, während die freiliegenden Ausnehmungen beschichtungsfrei sind. Bei der in Fig. 19 (b) gezeigten Variante eines Stempels 1 110 wird zunächst der Stempelkörper 1 1 11 strukturiert, bevor auf die strukturierte Oberfläche eine Beschichtung 1112 aufgebracht wird. Dadurch wird erreicht, dass sowohl die Vorsprünge, als auch die Ausnehmungen mit einer Beschichtung belegt sind, wobei gegebenenfalls Flankenbereiche unbeschichtet bleiben können. Bei der Variante eines Stempels 1120 gemäß Fig. 19 (c) wird auf einen Stempelkörper 1121 zunächst eine Beschichtung 1122 aufgebracht. Beim Strukturierungsprozess für die Stempeloberfläche wird nur die Beschichtung lokal abgetragen, so dass die Vorsprünge der Stempeloberfläche durch die Beschichtung gebildet werden, während am Boden der Ausnehmungen der Stempelkörper 1121 freiliegt.
Die Verwendung von Beschichtungen, besonders von feinkristallinen Beschichtungen, erlaubt die Fertigung von Stempeln mit Stempeloberflächen höchster Härte, größter Verschleißfestigkeit und großer Defektarmut. Beispielsweise kann die Beschichtung eine verschleißarme Schicht aus extrem feinem, polykristallinem Diamant sein. Es ist auch möglich, eine feinkörnige Verschleißschicht aus geeigneten Schwermetallverbindungen abzuscheiden. Feinkristalline Schichten aus Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Bornitrid oder anderen Hartwerkstoffen bzw. Mischungen aus diesen Werkstoffen sind möglich. Dadurch können Stempel geschaffen werden, deren Oberflächen höchste mechanische Härten im Bereich von mehr als 500, 600 oder 700 kg/mm2 oder deutlich mehr haben.
Sind die Stempel für die lithographische Stempelbelichtung vorgesehen, so ist auf ausreichende Transparenz des Stempels zu achten. Für solche Fälle können beispielweise Zirkondioxid, Aluminiumdioxid oder Hafniumdioxid als transparentes Material für den Stempelkörper gewählt werden. Die Beschichtungen wie Diamant können mit wenigen Nanometern so dünn sein, dass sie ausreichend transparent sind und eine Belichtung durch die Beschichtungen hindurch zulassen, obwohl sie in einer Dicke von wenigen mm für die vorgesehene Wellenlänge als undurchlässig angesehen werden.
Für beschichtete und unbeschichtete Stempeloberflächen ist es vorteilhaft, wenn die strukturierte Stempeloberfläche 1151 hinterschnei- dungsfrei ist, um ein Ablösen von strukturierter Prägesubstanz nach dem Prägeprozess zu vermeiden. Günstig ist es, wenn sich die Ausnehmungen der Stempeloberfläche nach außen hin trichterförmig öffnen, wie es für den Stempel 1150 in Fig. 20 schematisch gezeigt ist. Dies kann dadurch erreicht werden, dass einige oder alle Seitenflanken der Stempelstruktur einen positiven Flankenwinkel haben.
In Fig. 21 ist schematisch ein transparenter Stempel 1200 gezeigt, dessen Stempelkörper 1201 aus kristallinem Quarz hergestellt ist, welches bei Anlegen eines elektrischen Feldes aufgrund des umgekehrten piezoelektrischen Effektes eine Dimensionsänderung in Richtung senkrecht zur strukturierten Stempeloberfläche 1202 erfährt. Die Stempeldicke ist so dimensioniert, dass der ausschließlich piezoelektrisch erzeugte Hub der Stempeloberfläche in der für den Prägeprozess erforderliche Größenordnung liegt, beispielsweise in der Größenordnung zwischen ca. 10 und ca. 100 nm. Der Stempelkörper hat an gegenüberliegenden Seitenflächen elektrische Kontakte 1203, die beim Einsetzen des Stempels in eine Stempelhalteeinrichtung in Kontakt mit gefederten Kontakten 1204 des Stempelhalters treten können, um einen elektrischen Anschluss des piezoelektrischen Stempels 1200 an die Steuerung der Prägelithographievorrichtung zu ermöglichen. Dadurch, dass bei der gezeigten Ausführungsform die gesamte für den Prägevorgang erforderliche Hubbewegung durch das Stempelmaterial erzeugt werden kann, kann ein gesonderter Antrieb zur Hubbewegung des Stempels entfallen. Aufgrund der Transparenz des Stempelmaterials auch für kurzwellige UV-Strahlung, zumindest bis hinunter zu 193 nm, können Stempel dieser Art sowohl bei der Prägelithographie, insbesondere bei der Heißprägelithographie, als auch bei der lithographischen Stempelbelichtung verwendet werden.
In Fig. 22 ist eine schematische Draufsicht auf einen transparenten Stempel 1300 gezeigt. Dieser weist das Stempelmaterial in Längsrichtung durchziehende, zylindrische Kanäle 1301 , 1302 auf, durch die im Prägebetrieb zu Temperierungszwecken eine Flüssigkeit geleitet werden kann. Die Flüssigkeit wird hierbei nach dem Gegenstromprinzip durch die Kanäle geleitet, so dass in benachbarten Kanälen 1301 , 1302 die Fließrichtung der Flüssigkeit entgegengesetzt gerichtet ist. Dadurch kann zur Vermeidung von Deformationen eine gleichmäßige Temperaturverteilung im Stempelmaterial und auf der Stempeloberfläche erzeugt werden. Natürlich kann alternativ auch ein Gas als Temperierungsmittel durch die Kanäle geleitet werden.
Fig. 23 zeigt schematisch eine Draufsicht auf einen transparenten Stempel 1400, bei dem das Stempelmaterial von in Längsrichtung angeordneten, zylindrischen Kanälen 1401 durchzogen wird. In benachbarten Kanälen 1403, 1404 sind jeweils als Temperierungsmittel wirkende Temperierungsdrähte 1403 sowie als Temperaturmesselemente dienende Temperaturmessdrähte 1404 integriert. Mit Hilfe der Temperaturmessdrähte 1404 kann die Temperaturverteilung des Stempels in Querrichtung gemessen und durch den Einsatz der Temperierungsdrähte 1403 gezielt beeinflusst werden. Es kann sich gegebenenfalls als günstig erweisen, wenn manche Kanäle Temperierungsdrähte 1403 aufweisen, während durch andere eine Flüssigkeit zur Temperierung geleitet wird. Es kann auch angezeigt sein, bestimmte Bereiche des Stempels zu kühlen, während andere gleichzeitig beheizt werden.
Fig. 24 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen transparenten Stempel 1500, bei dem in Längsrichtung verlaufende Kanäle 1501 in das Stempelmaterial eingebracht sind. In jedem einzelnen Kanal ist eine Folge von in gleichem Abstand angeordneten Temperaturregelelementen 1504 angeordnet, die aus jeweils einem dicht nebeneinander platzierten Temperaturmesselement 1503 und Temperierungselement 1502 bestehen. Die Gesamtheit der Temperaturregelelemente 1504 ist hierbei in einer rasterförmigen Anordnung angebracht, so dass der Stempel 1500 gleichmäßig von diesen überdeckt wird. Mit dieser Anordnung können lokale Deformationen des Stempels bis zu einer maximalen oberen Ortsfrequenz korrigiert werden, die von der Anzahl der Temperaturregelelemente und dem Abstand zur aktiven Stempeloberfläche abhängt.
Als elektrische Temperierungsmittel können z.B. Widerstandsdrähte, Widerstandsfolien oder Peltier-Elemente (zur Kühlung) verwendet werden. Eine Kombination aus elektrischer Heizung und intermittierender oder permanenter Fluidkühlung mittels Gas oder Flüssigkeit ist ebenfalls möglich. Fig. 25 zeigt eine Ausführungsform einer Beleuchtungseinrichtung 1600 zur Bestrahlung eines Stempels 1606 von seiner Rückseite. Die Beleuchtungseinrichtung 1600 umfasst eine Fokussiereinrichtung 1601 zur Fokussierung der Strahlung auf einen im Vergleich zur Gesamtgröße der Rückseite des Stempels kleinen Bereich und eine Infrarotlichtquelle 1602. Durch Verschiebung der Beleuchtungseinrichtung 1600 oder Verwendung eines Scannerspiegels ist jede Stelle der Rückseite des Stempels für die fokussierte Strahlung erreichbar. Der Stempel 1606 weist einen Stempelkörper 1604, eine aktive Stempelfläche 1605 und eine für Infrarotstrahlung intransparente Schicht 1603 auf. Die von der Beleuchtungseinrichtung 1600 abgegebene Strahlung wird in dieser Schicht absorbiert und führt dort zu einer lokalen Erwärmung. Diese Erwärmung wird durch den vorzugsweise 0,5 mm oder dünneren Stempelkörper 1604 auf die aktive Stempelfläche 1605 übertragen, so dass deren Temperatur lokal erhöht wird und dadurch Deformationen derselben ausgeglichen werden können. Die für infrarote Strahlung undurchlässige Schicht 1603 kann bei Verwendung von Quarzglas als Material für den Stempelkörper 1604 beispielsweise durch Implantation von OH-Ionen realisiert werden. Der Stempel 1606 ist in allen Teilen durchlässig für UV-Strahlung, so dass die Anordnung für die Belichtungsstempellithographie verwendet werden und die in der Figur durch Pfeile veranschaulichte UV-Strahlung zur Aushärtung eines niedrigviskosen Photopolymers verwendet werden kann.
Fig. 26 zeigt eine Draufsicht auf die Waferstage 151 von Fig. 2 mit einem auf dieser positionierten Halbleiterwafer 141 , von dem in der Draufsicht nur eine diesen bedeckende dünne Schicht 142 aus polymerem Resist sichtbar ist. Die Waferstage weist zwei Spiegel 1710, 1711 und einen Beleuchtungssensor 1712 auf. In der Waferstage 151 ist eine kreisförmige Öffnung 1715 angebracht, welche eine diese vollständig überdeckende, transparente Referenzplatte 1725 aufweist. Unter dieser Referenzplatte 1725 ist eine Echtzeit-Geometriekontroll- einheit 1720 positioniert. Der nicht bildlich dargestellte Stempel kann zur Kontrolle seiner Oberflächengeometrie über der Öffnung 1715 positioniert werden, indem die Einheit 1720 durch Verfahren der Waferstage unter den in seiner Arbeitsposition gehaltenen Stempel gefahren wird. Die Geometriekontrolleinheit 1720 weist mehrere Positionsoptiken auf, denen jeweils eine Stempelmarke auf der Stempeloberfläche sowie eine Referenzmarke auf der Referenzplatte zugeordnet sind, so dass durch Vergleich von deren Position die Geometrie der Stempeloberfläche und Deformationen derselben ermittelt werden können.
In Fig. 27 ist eine schematische Seitenansicht einer Ausführungsform einer Positionsoptik 1860 der Echtzeit-Geometriekontrolleinheit 1720 gezeigt. Diese bildet eine auf der Oberfläche eines Stempels 1800 aus- serhalb von dessen aktiver Stempeloberfläche angebrachte Stempelmarke 1810 auf eine erste Detektorfläche 1854 sowie eine korrespondierende, auf der Referenzplatte 1725 angebrachte Referenzmarke 1820 auf eine zweite Detektorfläche 1856 ab. Der Stempel weist zur Positionierung Stempelreferenzmarken 1830 auf, die außerhalb der aktiven Stempelfläche positioniert sind. Als Detektoren eignen sich beispielsweise CCD-Arrays oder Vierquadrantendetektoren.
Die Form der Stempelmarken auf der Stempeloberfläche 1810 sowie auf der Referenzplatte 1820 können aus einer Vielzahl möglicher Formen ausgewählt werden. Wie in Fig. 27 gezeigt kann eine Stempelmarke 1810 z.B. ein Vollkreuz, ein Lochkreuz, ein Linienkreuz, ein Kreis, ein Ring, eine Dreiecks-Zielmarke oder eine Raute geeigneter Ausrichtung (hoch oder quer) sein. Bei Verwendung von Vierquadrantendetektoren ist eine kreisförmige Markenform besonders gut geeignet. Die Stempel- marke 1810 und die Referenzmarke 1820 können mittig übereinander angeordnet sein, wobei die Referenzmarke 1820 eine kleinere Abmessung als die Stempelmarke 1810 von typischerweise weniger als 50% aufweist. Dies hat messtechnische Vorteile, da die Marken mit hoher Apertur aufgelöst werden müssen. Es ist aber auch möglich, die Stempelmarke und die Referenzmarke leicht lateral versetzt anzuordnen, so dass beide dieselben Abmessungen aufweisen können.
Die Positionsoptik 1860 weist einen Kollimator 1850 auf, der die beiden von den Marken 1810, 1820 kommenden Lichtstrahlen parallelisiert. Die parallelen Strahlen treffen auf einen Umlenkspiegel 1851 und werden an einem sich an diesen anschließenden Strahlteiler 1851 in zwei Teilstrahlen aufgespalten. Der erste, von der Stempelmarke 1810 herrührende Teilstrahl wird mit einer Fokussierlinse 1853 auf der Detektorfläche 1854 fokussiert. Der zweite, von der Referenzmarke 1820 her kommende Teilstrahl wird durch eine zweite Fokussierlinse 1855 auf die zweite Detektorfläche 1856 fokussiert.
Eine Auswerteeinheit 1870 vergleicht die beiden von den Detektoren 1854,1856 aufgezeichneten Bilder und errechnet aus deren Versatz Deformationen der Stempeloberfläche, die beim Prägevorgang in die auf einem Substrat aufgebrachte, zu strukturierende Substanz übertragen würden. Mit Hilfe einer ortsauflösenden Temperierung, z.B. gemäß den Darstellungen im Zusammenhang mit Fig. 22 bis 25, können diese Geometriefehler kompensiert werden und die Kompensation kann durch die Geometriekontrolleinheit überwacht werden. Ist die Stempelgeometrie wieder optimal eingestellt, kann der nächste Prägeprozess folgen. Es ist somit eine kurzfristige „Echtzeif-Geometrieanalyse und -Geometrieoptimierung der Stempeloberfläche möglich, wodurch erhebliche Verbesserungen bei Qualität und Ausbeute erzielbar sind.
Um eine möglichst gute Ortsauflösung zu erreichen, sind die Positions- optiken 1860 im Vergleich zur Stempeloberfläche klein, so dass eine genügend große Anzahl dieser Optiken in der Echtzeit-Geometriekontrolleinheit 1720 angebracht werden kann. Schon mit fünf Optiken können die wichtigsten Verzeichnungsfehler sehr genau bestimmt werden. Wird bei sehr hohen und schwankenden Temperaturen gearbeitet, können die brechenden Linsenelemente auch in Quarzglas und mit Invarfassung ausgeführt werden oder alternativ durch Spiegel in Glaskeramiktechnik ersetzt werden. Die Echtzeit-Geometriekontrolleinheit 1720 kann auch ohne Verwendung einer Referenzplatte zur Vermessung der Geometrie der Stempeloberfläche eingesetzt werden, allerdings gehen dann gegebenenfalls auftretende Positionierungsfehler der Waferstage voll in das Messergebnis ein.

Claims

Patentansprüche
1. Stempellithografieverfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines Stempels, der einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf dem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz aufweist mit: Bereitstellen eines ersten Stempels in einer Arbeitsposition an einer Stempellithografievorrichtung;
Erzeugen mindestens eines Stempelabdrucks in der Prägesubstanz mit
Hilfe des ersten Stempels;
Automatisches Auswechseln des ersten Stempels mit Hilfe einer
Stempelwechseleinrichtung aus der Arbeitsposition zur Behandlung des ersten Stempels außerhalb der Arbeitsposition;
Automatisches Einwechseln des ersten Stempels oder eines zweiten
Stempels mit Hilfe der Stempelwechseleinrichtung in die Arbeitsposition.
2. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 1 , bei dem ein erster Stempel in der Arbeitsposition und mindestens ein zweiter Stempel außerhalb der Arbeitsposition angeordnet wird und ein automatischer Austausch des ersten Stempels gegen den zweiten Stempel durch Auswechseln des ersten Stempels und Einwechseln des zweiten Stempels mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung durchgeführt wird.
3. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Platztausch zwischen dem ersten Stempel und einem zweiten Stempel vorgenommen wird, so dass vor dem Austausch der zweite Stempel und nach dem Austausch der erste Stempel in einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Aussenposition angeordnet ist.
4. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Auswechseln des ersten Stempels und das Einwechseln des zweiten Stempels synchronisiert durchgeführt werden.
5. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem Arbeitsbewegungen beim Auswechseln des ersten Stempels und Einwechseln des zweiten Stempels mindestens zeitweise gleichzeitig verlaufen, so dass sich ein Auswechselzeitintervall und ein Einwechselzeitintervall teilweise oder vollständig überlappen.
6. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Behandlung des ersten Stempels in einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Behandlungsposition nach Auswechseln des ersten Stempels aus der Arbeitsposition und/oder vor Einwechseln des ersten Stempels in die Arbeitsposition nach der Behandlung vorgesehen ist.
7. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein automatischer Transfer des ersten Stempels zwischen der Arbeitsposition und der Behandlungsposition und zurück mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung durchgeführt wird.
8. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 7, bei dem der automatische Transfer mit Hilfe einer Stempelwechseleinrichtung und mindestens einer weiteren, der Stempelwechseleinrichtung zugeordneten Fördereinrichtung für Stempel durchgeführt wird.
9. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Behandlung eines Stempels direkt in einer durch die Stempelwechseleinrichtung erreichbaren Aussenposition durchgeführt wird.
1 0. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine durch die Stempelwechseleinrichtung erreichbare Aussenposition eine Übergabeposition ist, von der ein Stempel einer weiteren Behandlung zugeführt wird oder in die ein Stempel nach einer außerhalb des Übergabeortes durchgeführten Behandlung zugeführt wird.
1 1. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Behandlung eine Inspektion des ersten Stempels umfasst, bei der der erste Stempel insbesondere auf Verunreinigungen und/oder Schäden im Bereich der Stempeloberfläche und/oder auf Transmissionseigenschaften überprüft wird.
1 2. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 11 , bei dem zur Inspektion die Erzeugung eines, vorzugsweise digitalen, Bildes der Stempeloberfläche und eine Auswertung des Bildes vorgesehen ist.
1 3. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 12, bei dem eine Auswertung eines Bildes der Stempeloberfläche mit Hilfe mindestens eines computergestützten Bildverarbeitungsverfahrens durchgeführt wird.
1 4. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem eine Inspektion einer Stempeloberfläche oder eine Auswertung eines Bildes der Stempeloberfläche von einem Bediener visuell vorgenommen wird.
1 5. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14 mit folgenden Schritten:
Bereitstellung einer Referenz-Stempeloberfläche, die eine Soll-Topographie der Stempeloberfläche repräsentiert; Vergleich der zu beurteilenden Stempeloberfläche mit der Referenz- Stempeloberfläche.
16. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 15, mit: Erzeugung eines Bildes der Referenz-Stempeloberfläche;
Vergleich des Bildes der Referenz-Stempelloberfläche mit der zu beurteilenden Stempeloberfläche oder mit einem Bild dieser Stempeloberfläche.
17. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 15 oder 16, mit: Erzeugung eines Hologramms der Referenz-Substratoberfläche; interferometrischer Vergleich dieses Hologramms mit der zu beurteilenden Substratoberfläche.
18. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, mit:
Erzeugung eines Stempelabdrucks der Stempeloberfläche; Inspektion der Topographie des Stempelabdruckes.
19. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, bei dem eine mechanische Inspektion der Stempeloberfläche durchgeführt wird, insbesondere mit Hilfe eines Profilometers.
20. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, bei dem eine Inspektion mit Hilfe eines elektro-optischen Untersuchungsverfahrens mit geeigneter Tiefenauflösung durchgeführt wird, insbesondere unter Verwendung eines Scanning-Elektronenmikro- skopes oder eines Laser-Scanners,.
21. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Behandlung von Stempeln eine Reinigung von Stempeln umfasst.
22. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 21 , bei dem zur Reinigung ein Reinigungsfluid verwendet wird, welches so ausgewählt ist, dass an der Stempeloberfläche haftende Verunreinigungen mit Hilfe des Reinigungsfluids mechanisch und/oder chemisch lösbar sind.
23. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 21 oder 22, bei dem die Reinigung mit Hilfe einer oder mehrerer Reinigungsflüssigkeiten durchgeführt wird.
24. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 23, bei dem als Reinigunsflüssigkeit deionisiertes Wasser, vielfach destilliertes Aceton, N-IVIethyl-Pyrolidin (NMP) oder Mischungen mit mindestens einer dieser Substanzen verwendet wird.
25. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24 , bei dem mindestes ein gasförmiges Reinigungsfluid verwendet wird, insbesondere Ozon oder ionisiertes Argon.
26. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, bei dem während der Reinigung die zu reinigende Stempeloberfläche in ein Bad mit einer Reinigungsflüssigkeit eingetaucht wird.
27. Stempellithografieverfahren nach nach einem der Ansprüche 21 bis 26, bei dem eine Reinigung mit Hilfe von Ultraschall durchgeführt wird.
28. Stempellithografieverfahren nach nach einem der Ansprüche 21 bis 26, bei dem die Reinigung eine Plasmareinigung umfasst.
29. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 28, bei dem die Reinigung eine Kontaktreinigung der Stempeloberfläche umfasst.
30. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 29, bei dem die Stempeloberfläche bei der Kontaktreinigung mindestens teilweise mit einer festen, vorzugsweise nachgiebigen Reinigungsfläche einer Reinigungseinrichtung in Berührungskontakt gebracht wird, vorzugsweise ohne Wisch-, Bürst- oder Reibebewegungen zwischen Reinigungseinrichtung und Substratoberfläche.
31. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 30, bei dem die Reinigungsfläche der Reinigungseinrichtung so optimiert ist, dass ein Haftkontakt zwischen der Reinigungsoberfläche und den zu entfernenden Verunreinigungen möglich ist.
32. Stempellithografieverfahren nach nach einem der Ansprüche 21 bis 31 , bei dem die Reinigung ein Anpressen der Stempeloberfläche an eine plastisch und/oder elastisch nachgiebige, verunreinigungslösende Reinigungsoberfläche einer Reinigungseinrichtung umfasst.
33. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 32, bei dem als Reinigungseinrichtung für eine Kontaktreinigung eine Reinigungsfolie verwendet wird, insbesondere eine Folie aus Polyäthylen, Polyvinylchlorid (PVC), aus Silikon oder einem Polyvinylalkohol.
34. Stempellithografieverfahren nach nach einem der Ansprüche 30 bis 33, bei dem eine Reinigungseinrichtung zur Einmalreinigung verwendet wird.
35. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 30 bis 33, bei dem eine verwendete Reinigungseinrichtung nach einem damit durchgeführten Reinigungsprozess derart reaktiviert wird, dass mindestens eine weitere Verwendung möglich ist.
36. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 35, bei dem eine umlaufende Reinigungsfolie als Reinigungseinrichtung verwendet wird, wobei ein Folienabschnitt nach einer Stempelreinigung eine oder mehrere Reinigungs- und/oder Reaktivierungsstationen durchläuft, bevor der reaktivierte Folienabschnitt zur Stempelreinigung zurückgeführt wird.
37. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 29 bis 36, bei dem zur Kontaktreinigung auf die Stempeloberfläche eine Schicht einer Reinigungssubstanz, insbesondere Polyvinylalkohol, aufgebracht und diese Schicht nach Aushärtung wieder abgezogen wird.
38. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 37, bei dem die Reinigung eine Bestrahlung der Stempeloberfläche mit elektromagnetischer Strahlung außerhalb der Arbeitsposition umfasst, insbesondere eine Bestrahlung mit Ultraviolettstrahlung.
39. Stempellithografieverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 38, bei dem die Reinigung eine thermische Behandlung der Stempeloberfläche außerhalb der Arbeitsposition umfasst.
40. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Behandlung eines Stempels eine Stempeltemperierung außerhalb der Arbeitsposition umfasst.
41. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Behandlung eines Stempels eine Speicherung des Stempels außerhalb der Arbeitsposition in einer Speichereinrichtung umfasst.
42. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Geometriekorrektur der Stempeloberfläche mittels Temperaturbeeinflussung der Stempeloberfläche durchgeführt wird, wobei die Temperaturbeeinflussung vorzugsweise ortsabhängig erfolgt.
43. Stempellithografieverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Geometriekontrolle der Stempeloberfläche durchgeführt wird, insbesondere mit Hilfe einer Vermessung der Stempeloberfläche mit einer Echtzeit-Geometriekontrolleinheit.
44. Stempellithografieverfahren nach Anspruch 42 oder 43, bei dem die Geometriekorrektur und/oder die Geometriekontrolle an einem in seiner Arbeitsposition befindlichen Stempel durchgeführt wird.
45. Stempellithografievorrichtung zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat mit Hilfe mindestens eines Stempels, der einen Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf dem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz aufweist mit: einem Rahmen; mindestens einer an dem Rahmen angebrachten Stempelhalteeinrichtung zum Halten eines ersten Stempels in einer Arbeitsposition; mindestens einer an dem Rahmen angeordneten Substrathalteeinrichtung zum Halten mindestens eines Substrates; und mindestens einer Stempelwechseleinrichtung zum automatischen Auswechseln des ersten Stempels aus der Arbeitsposition und zum automatischen Einwechseln des ersten Stempels oder eines zweiten Stempels in die Arbeitsposition.
46. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 45, bei der die Stempelhalteeinrichtung so konstruiert ist, dass das Einwechseln und Auswechseln von Stempeln an der Stempelhalteeinrichtung ohne manuelle Unterstützung eines Bedieners durchführbar ist.
47. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 45 oder 46, bei der die Stempelhalteeinrichtung als Klemmeinrichtung ausgebildet ist
48. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
47, bei der die Stempelhalteeinrichtung Rastmittel zum kraft- und formschlüssigen Halten mindestens eines Stempels hat.
49. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
48, bei der die Stempelhalteeinrichtung mindestens einen Magnethalter zürn Halten eines Stempels mit Hilfe magnetischer Kräfte aufweist.
50. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
49, bei der die Stempelhalteeinrichtung als Unterdruckhalter ausgebildet ist.
51 . Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
50, bei der die Stempelhalteeinrichtung mindestens ein beweglich gelagertes Halteelement aufweist, das zwischen einer Arretierkonfiguration zürn Festhalten des Stempels an der Stempelhalteeinrichtung und einer Freigabekonfiguration zum Freigeben eines Stempels beweglich ist.
52. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
51 , bei der die Stempelhalteeinrichtung als Schnappvorrichtung ausgebildet ist.
53. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
52, bei der die Stempelwechseleinrichtung so konstruiert ist, dass sie gleichzeitig als Stempelhalteeinrichtung nutzbar ist.
54. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
53, bei der die Stempelhalteeinrichtung durch die Stempelwechseleinrichtung gebildet ist.
55. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
54, bei der die Stempelwechseleinrichtung so konstruiert ist, dass das Einwechseln und Auswechseln von Stempeln an der Stempelwechseleinrichtung ohne manuelle Unterstützung eines Bedieners durchführbar ist.
56. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
55, bei der die Stempelwechseleinrichtung als einachsig oder mehrach- sig gelagerter Stempelmanipulator zum Halten und Bewegen mindestens eines Stempels zwischen der Arbeitsposition und einer Außenposition ausgebildet ist.
57. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
56, bei der die Stempelwechseleinrichtung als Greifer zur Durchführung einer aktiven Greifbewegung mit Hilfe mindestens eines beweglichen Greifgliedes ausgebildet ist.
58. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
57, bei der die Stempelwechseleinrichtung zum Erfassen mindestens eines Stempels mit Hilfe eines dauermagnetischen oder elektromagnetischen Feldes ausgebildet ist.
59. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
58, bei der die Stempelwechseleinrichtung zum Erfassen mindestens eines Stempels mit Hilfe von Unterdruck ausgebildet ist.
60. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
59, bei der die Stempelwechseleinrichtung als Klemmeinrichtung ausgebildet ist
61. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
60, bei der die Stempelwechseleinrichtung Rastmittel zum kraft- und formschlüssigen Halten mindestens eines Stempels hat.
62. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
61 , bei der die Stempelwechseleinrichtung so ausgebildet ist, dass der in die Arbeitsposition bewegte Stempel durch die Stempelwechseleinrichtung freigebbar ist, um seine Arbeitsbewegung unabhängig von der Stempelwechseleinrichtung auszuführen.
63. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
62, bei der die Stempelwechseleinrichtung so ausgestaltet ist, dass sie während der Arbeitsbewegung des Stempels in Eingriff mit dem Stempel bleibt und die Arbeitsbewegung des Stempels mitmacht.
64. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
64, bei der die Stempelwechseleinrichtung zur elastisch nachgiebigen Halterung des Stempels ausgebildet ist, wobei vorzugsweise der Stempel federnd an der Stempelwechseleinrichtung aufnehmbar ist.
65. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 64, bei der die Stempelwechseleinrichtung nur eine einzige Stempelaufnahme hat.
66. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 64, bei der die Stempelwechseleinrichtung mindestens zwei, vorzugsweise genau zwei, Stempelaufnahmen hat.
67. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
66, bei der die Stempelwechseleinrichtung als Karusselleinrichtung mit mindestens zwei Stempelaufnahmeeinrichtungen ausgebildet ist, um einen Stempelwechsel mit Hilfe einer Drehbewegung durchzuführen.
68. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
67, bei der die Stempelwechseleinrichtung als Zweiarm-Wechsler mit genau zwei Stempelaufnahmen ausgebildet ist.
69. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
68, der mindestens eine Behandlungseinrichtung zur Behandlung mindestens eines Stempels in einer außerhalb der Arbeitsposition liegenden Behandlungsposition zugeordnet ist, wobei ein Stempel unter Verwendung der Stempelwechseleinrichtung zwischen der Arbeitsposition und der Behandlungsposition bewegbar ist.
70. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 69, bei der die Behandlungseinrichtung so angeordnet ist, dass sie direkt von der Stempelwechseleinrichtung erreichbar ist, um Stempel einzuführen oder zu entnehmen.
71. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 70, der mindestens eine Stempeltransporteinrichtung zum Transfer mindestens eines Stempels zwischen der Stempelwechseleinrichtung und mindestens einer Behandlungseinrichtung zugeordnet ist.
72. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 71 , der mindestens eine als Behandlungseinrichtung dienende Reinigungseinrichtung zur Behandlung mindestens eines Stempels zugeordnet ist.
73. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 72, bei der die Reinigungseinrichtung zur Reinigung mittels mindestens eines Reinigungsfluids ausgebildet ist, welches so ausgewählt ist, dass an der Stempeloberfläche haftende Verunreinigungen mit Hilfe des Reinigungsfluids mechanisch und/oder chemisch lösbar sind.
74. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 72 oder 73, bei der die Reinigungseinrichtung für eine Plasmareinigung ausgebildet ist.
75. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 72 bis
74, bei der die Reinigungseinrichtung für eine Kontaktreinigung der Stempeloberfläche ausgebildet ist, wobei die Reinigungseinrichtung vorzugsweise mindestens eine feste oder nachgiebige Reinigungsoberfläche aufweist, die so optimiert ist, dass ein Haftkontakt zwischen der Reinigungsoberfläche und den zu entfernenden Verunreinigungen möglich ist, wobei die Reinigungseinrichtung insbesondere eine Reinigungsfolie ist.
76. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 72 bis
75, bei der die Reinigungseinrichtung eine Bestrahlungseinrichtung zur Bestrahlung der Stempeloberfläche mit elektromagnetischer Strahlung umfasst, insbesondere für eine Bestrahlung mit Ultraviolettstrahlung.
77. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 76, der mindestens eine als Behandlungseinrichtung dienende Inspektionseinrichtung zur Inspektion mindestens eines Stempels auf Verunreinigungen und/oder Schäden im Bereich der Stempeloberfläche und/oder auf Transmissionseigenschaften zugeordnet ist.
78. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 77, bei der die Inspektionseinrichtung eine Bilderzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines, vorzugsweise digitalen, Bildes der Stempeloberfläche umfasst.
79. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 78, bei der die Inspektionseinrichtung eine Auswerteeinrichtung zur Auswertung des Bildes umfasst, wobei die Auswerteeinrichtung vorzugsweise mit einem computergestützten Bildverarbeitungsverfahren arbeitet.
80. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 77 bis
79, bei der die Inspektionseinrichtung eine die Soll-Topographie der Stempeloberfläche repräsentierende Referenz-Stempeloberfläche oder ein Bild der Referenz-Stempeloberfläche und eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der zu beurteilenden Stempeloberfläche oder eines Bildes der Stempeloberfläche mit der Referenz-Stempeloberfläche umfasst.
81. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 77 bis
80, bei der die Inspektionseinrichtung für eine mechanische Inspektion der Stempeloberfläche ausgebildet ist, insbesondere mit Hilfe eines Profi lometers.
82. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 76 bis
81 , der mindestens eine als Behandlungseinrichtung dienende Speichereinrichtung mit einer Vielzahl von Speicherplätzen für Stempel zugeordnet ist.
83. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 82, bei der eine Abstandsmesseinrichtung zur Messung des Abstandes zwischen der Substratoberfläche und der Stempeloberfläche für die gesamte Größenordnung der Vorschubbewegung des Stempels vorgesehen ist.
84. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 83, bei der die Abstandsmesseinrichtung eine optische Sensoreinrichtung nach dem Prinzip der Autokollimation umfasst.
85. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 83 oder 84, bei der die Abstandsmesseinrichtung zur Abstandsmessung unter Verwendung von Membranen nach dem Gegendruckverfahren ausgebildet ist.
86. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 83 bis
85, bei der die Abstandsmesseinrichtung mindestens eine freiliegende Düse zur Abgabe von Gas unter Druck auf die Oberfläche des zu strukturierenden Substrates und eine Einrichtung zur Erfassung des Gegendruckes umfasst, aus dem ein Abstandssignal ableitbar ist.
87. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 83 bis
86, bei der die Abstandsmesseinrichtung eine induktive oder kapazitive Messanordnung ist.
88. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
87, bei der ein Antriebssystem für Hubbewegungen des Stempels vorgesehen ist, das drei Linearmotoren aufweist, die sternförmig mit einem Winkelabstand von 120° symmetrisch um eine zentrale Achse des Stempels angeordnet sind, wobei die Linearmotoren vorzugsweise in Reihe geschaltet sind.
89. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
88, die eine für eine Bestrahlung eines Stempels von seiner Rückseite in Richtung Stempeloberfläche konfigurierte Beleuchtungseinrichtung enthält.
90. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
89, die eine Vakuumerzeugungsvorrichtung zur Herstellung eines mindestens den zwischen Stempel und Substrat liegenden Volumenbereich umfassenden Vakuums aufweist.
91. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis
90, die eine Geometriekorrektureinrichtung zur Beeinflussung der Geometrie der Stempeloberfläche eines Stempels aufweist, der sich vorzugsweise in der Arbeitsposition befindet.
92. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 91 , bei der die Geometriekorrektureinrichtung zur ortsauflösenden Geometriekorrektur der Stempeloberfläche mit Hilfe einer ortsabhängigen Temperaturbeeinflussung ausgebildet ist.
93. Stempellithografievorrichtung nach einem der Ansprüche 45 bis 92, die eine Echtzeit-Geometriekontrolleinheit zur Vermessung der Geometrie der Stempeloberfläche aufweist, insbesondere durch Vermessung der Position von an dem Stempel angebrachten Stempelmarken.
94. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 93, die eine transparente Referenzplatte mit Referenzmarken umfasst und bei der eine mehrere Positionsoptiken aufweisende Echtzeit-Geometriekontrolleinheit hinter der Referenzplatte positionierbar ist, so dass durch Vergleich der Position der Referenzmarken und der Stempelmarken die Geometrie der Stempeloberfläche bestimmbar ist.
95. Stempellithografievorrichtung nach Anspruch 94, bei der jede Positionsoptik eine erste Abbildungsoptik zur Abbildung der Referenzmarke auf eine erste Detektorfläche und eine zweite Abbildungsoptik zur Abbildung der Stempelmarke auf eine zweite Detektorfläche umfasst.
96. Stempel, insbesondere für die Stempellithografie mit einer typischen Strukturdimension von weniger als 250 nm, mit einem Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf einem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz, wobei die Stempeloberfläche eine für eine Ablösung von der Prägesubstanz nach Erzeugung eines Stempelabdruckes optimierte Oberflächentopographie aufweist und die Stempeloberfläche selbst frei von Mikrorissen und an die Stempeloberfläche angrenzendes Material im wesentlichen frei von die Stempeloberfläche direkt erreichenden Mikrorissen ist.
97. Stempel nach Anspruch 96, bei dem die Stempeloberfläche eine mittlere Rautiefe Rt (peak-to-valley) von weniger als 0,7 nm (RMS) hat.
98. Stempel nach nach Anspruch 96 oder 97, bei dem die Stempeloberfläche eine wellenförmige oder genoppte Oberflächenstruktur mit einem peak-to-valley-Wert von weniger als 5 nm zur Erzeugung eines Lotuseffektes hat.
99. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 98, bei dem die Stempeloberfläche eine mittlere Mikrorisslänge von weniger als 150 nm, vorzugsweise weniger als 50 nm hat.
100. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 99, der im Bereich der Stempeloberfläche eine mechanische Härte von mehr als 400, 500, 600 oder 700 kg/mm2 aufweist.
101. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 100, der zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem Hartwerkstoff besteht, der die oberflächennahe Härte bereitstellt.
102. Stempel nach Anspruch 101 , bei dem der oberflächennahe Bereich im wesentlichen aus Bornitrid, Siliziumcarbid, Diamant oder einer Hartstoff-Schwermetallverbindung besteht.
103. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 102, der zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem feinkristallinen Werkstoff besteht, der eine mittlere Korngröße von weniger als 20% einer mittleren Strukturdimension der Stempeloberfläche aufweist.
104. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 100, der zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem amorphen Werkstoff besteht, insbesondere aus einem amorphen Metallwerkstoff.
105. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 100, der zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus schichtstrukturiertem Quarzglas besteht, wobei die Schichten der Schichtstruktur vorzugsweise im wesentlichen parallel zu einer durch die Stempeloberfläche definierten Stempelebene verlaufen.
106. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 100, der zumindest im Bereich der Stempeloberfläche aus einem einkristallinen Werkstoff besteht.
107. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 106, der aus einem einzigen Materialblock hergestellt ist, der den Stempelkörper und die daran ausgebildete Stempeloberfläche bildet.
108. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 106, der einen Sternpelkörper hat, der im Bereich der Stempeloberfläche ein Beschichtung trägt, die mindestens einen Teil der Stempeloberfläche bildet.
109. Stempel nach Anspruch 108, bei dem die Beschichtung eine verschleißresistente Beschichtung ist.
110. Stempel nach Anspruch 108 oder 109, bei dem die Beschichtung aus einem Hartwerkstoff besteht.
111 . Stempel nach einem der Ansprüche 108 bis 110, bei dem die Beschichtung aus einem feinkristallinen Diamantwerkstoff, einem Hartwerkstoff mit Schwermetallverbindungen, Siliziumcarbid, Bornitrid oder einer Kombinationen aus diesen Materialien besteht.
112. Stempel nach einem der Ansprüche 108 bis 111 , bei dem die Beschichtung aus einem feinkristallinen Material besteht, dessen mittlere Korngröße weniger als 20% einer typischen Strukturgröße der Stempeloberfläche beträgt.
113. Stempel nach einem der Ansprüche 108 bis 112, bei dem die Beschichtung eine derart geringe Schichtdicke aufweist, dass die Beschichtung für das bei einer Belichtung verwendete Licht mindestens teilweise transparent ist.
114. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 113, bei dem der Stempelkörper und/oder eine Beschichtung im wesentlichen aus einachsigen Kristallen wie Zirkondioxid (Zr02), Aluminiumoxid (Al203),
Hafniumdioxid (Hf02), Lanthanfluorid (LaF3) oder Quarzkristall (Si02) besteht und dessen optische Kristallachse nahezu senkrecht zur Stempelfläche steht.
11 5. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 114, bei dem der Stempelkörper und/oder eine Beschichtung im wesentlichen aus einem harten kubischen Mischkristall besteht, insbesondere aus Zr02/Hf02 /Y203 oder Hf02/Y203 oder Zr02/ Y203.
11 6. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 115, bei dem der Stempelkörper und/oder eine Beschichtung desselben im wesentlichen aus einem Material mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 2,5 * 10, vorzugsweise von weniger als 1 ,0 * 10-6 besteht.
11 7 Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 116, der eine Stempeloberfläche mit einer Vielzahl von Ausnehmungen und Vorsprüngen hat, die im Bereich von Flankenflächen ineinander übergehen, wobei mindestens ein Teil der Flankenflächen einen positiven Flankenwinkel mit einer Stempelebene einschließt, wobei vorzugsweise an der Stempeloberfläche keine Hinterschneidungen vorkommen.
11 8. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 117, der mindestens teilweise aus einem piezoelektrischen Material besteht, welches derart dimensioniert ist, dass mindestens ein Teil einer Hubbewegung der Stempeloberfläche bei einem Prägevorgang durch Steuerung eines an das piezoelektrische Material anzulegenden elektrischen Feldes erzeugbar ist.
11 9. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 118, der ein oder mehrere Temperaturmesselemente zur Temperaturmessung und/oder Temperierungsmittel zur Temperaturbeeinflussung des Stempels aufweist.
120. Stempel nach Anspruch 119, bei dem die Temperaturmesselemente und/oder Temperierungsmittel in das Stempelmaterial durchlaufenden Kanälen angebracht sind.
121. Stempel nach Anspruch 119 oder 120, bei dem als Temperierungsmittel eine durch die Kanäle leitbare Flüssigkeit oder ein Gas verwendet wird.
122. Stempel nach einem der Ansprüche 119 bis 121 , bei dem jeweils ein Temperierungsmittel und ein Temperaturmesselement zur Bildung eines Temperaturregelelements dicht nebeneinander platziert sind, und bei dem die Temperaturregelelemente den Stempel in einer im wesentlichen rasterförmigen Anordnung überdecken.
123. Stempel nach einem der Ansprüche 96 bis 122, der mindestens eine für infrarote Strahlung absorbierend wirkende Schicht aufweist.
124. Verfahren zur Herstellung eines Stempels, insbesondere eines Stempels für die Stempellithografie, wobei der Stempel einem Stempelkörper mit einer dreidimensional strukturierten Stempeloberfläche zur Erzeugung eines dreidimensionalen Stempelabdruckes in einer auf einem Substrat angeordneten Schicht einer Prägesubstanz aufweist, mit:
Bearbeiten des Stempelkörpers derart, dass die Stempeloberfläche eine für eine Ablösung von der Prägesubstänz nach Erzeugung eines Stempelabdruckes optimierte Oberflächentopographie aufweist und ein an die Stempeloberfläche angrenzendes Material im wesentlichen frei von zur Stempeloberfläche reichenden Mikrorissen ist.
125. Verfahren nach Anspruch 124, bei dem eine im wesentlichen ebene Stempelfläche zunächst hochgenau und formgetreu vorbearbeitet wird, danach die Stempelfläche in einem Ätzvorgang so tief abgeätzt wird, bis ein im wesentlichen mikrorissfreier Bereich erreicht ist und danach die dreidimensionale Stempeloberfläche erzeugt wird.
126. Verfahren nach Anspruch 124 oder 125, bei dem das Stempelmaterial durch mechanische Bearbeitung, insbesondere durch Walken und/oder Hämmern in seiner Struktur verändert wird, so dass die Härte des Materials zunimmt und/oder die Mikrorisslänge abnimmt.
127. Verfahren nach einem der Ansprüche 124 bis 126, bei dem die Stempeloberfläche mittels Laserscantechnik strukturiert wird.
128. Feinstrukturiertes Bauteil, insbesondere Halbleiter-Bauelement, hergestellt mit einem Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 44 und/oder unter Verwendung mindestens eines Stempels gemäss einem der Ansprüche 96 bis 123.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008045520A2 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and methods
EP2138896A1 (de) 2008-06-25 2009-12-30 Obducat AB Nanoimprint-Vorrichtung und Verfahren
WO2010039196A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Molecular Imprints, Inc. In-situ cleaning of an imprint lithography tool
WO2011094383A3 (en) * 2010-01-27 2011-09-29 Molecular Imprints, Inc. Methods and systems of material removal and pattern transfer
WO2012022561A1 (en) 2010-08-16 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor
TWI410288B (zh) * 2008-10-02 2013-10-01 Molecular Imprints Inc 壓印微影術工具之原地清潔技術
DE102006008464B4 (de) * 2005-02-25 2015-01-08 Toshiba Kikai K.K. Eindruckeinrichtung
EP2354846A3 (de) * 2010-01-28 2015-03-25 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Optische Bestrahlungsvorrichtung und optisches Bestrahlungsverfahren für die Nanoimprintlithographie
CN109923658A (zh) * 2016-11-03 2019-06-21 分子印记公司 基板装载***
CN111215629A (zh) * 2014-11-24 2020-06-02 添加剂工业有限公司 用于通过增材制造生产物品的设备和校准设备的方法
CN113147205A (zh) * 2021-04-26 2021-07-23 叶玮 一种产品包装用玻璃杯***设备
CN114454631A (zh) * 2022-01-17 2022-05-10 叶春 一种医疗洁净板分类用***设备

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112011102903B4 (de) * 2010-09-01 2014-11-27 Toshiba Kikai K.K. Übertragungssystem und Übertragungsverfahren
DE102011055705B4 (de) * 2011-11-25 2015-10-15 Kunststoff-Institut Für Die Mittelständische Wirtschaft Nrw Gmbh (Kimw Nrw Gmbh) Verfahren zum Erstellen einer Authentifikation auf der Oberfläche eines urgeformten Kunststoffteils sowie Authentifikationsstempel
DE102020103613A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Bundesdruckerei Gmbh Belichtungstisch für eine hologrammbelichtungsmaschine und verfahren zum einbringen eines volumenreflexionshologramms in einen filmabschnitt
DE102020103614B4 (de) 2020-02-12 2023-05-11 Bundesdruckerei Gmbh Belichtungstisch für eine hologrammbelichtungsmaschine
DE102021123510A1 (de) 2021-09-10 2023-03-16 Schmidt & Heinzmann Gmbh & Co Kg Produktionsvorrichtung, insbesondere SMC-Produktionsvorrichtung, zu einer Herstellung von duroplastischen Halbzeugen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0561393A1 (de) * 1992-03-18 1993-09-22 Nissei Plastic Industrial Co., Ltd. Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Wechseln einer Matrizeeinheit mit einer Anderen
JP2001266415A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク成形用スタンパ交換装置
US6305097B1 (en) * 2000-06-29 2001-10-23 Texas Instruments Incorporated Apparatus for in-situ reticle cleaning at photolithography tool
WO2002079876A2 (en) * 2001-03-28 2002-10-10 Motorola, Inc. Lithographic template
JP2002304781A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Sony Disc Technology Inc スタンパー交換装置及びスタンパー交換方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3630065A (en) * 1969-08-28 1971-12-28 Gulf & Western Ind Prod Co Die changing apparatus
US5582782A (en) * 1995-03-01 1996-12-10 Kato; Kazuo Method of stopping a die of an injection molding machine and a die clamping apparatus
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
SE515785C2 (sv) * 2000-02-23 2001-10-08 Obducat Ab Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen
US6365059B1 (en) * 2000-04-28 2002-04-02 Alexander Pechenik Method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate
EP2264523A3 (de) * 2000-07-16 2011-11-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Verfahren zur Bildung von Mustern auf einem Substrat in Lithographiedruckverfahren
AU2001280980A1 (en) * 2000-08-01 2002-02-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
KR101031528B1 (ko) * 2000-10-12 2011-04-27 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0561393A1 (de) * 1992-03-18 1993-09-22 Nissei Plastic Industrial Co., Ltd. Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Wechseln einer Matrizeeinheit mit einer Anderen
JP2001266415A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク成形用スタンパ交換装置
US6305097B1 (en) * 2000-06-29 2001-10-23 Texas Instruments Incorporated Apparatus for in-situ reticle cleaning at photolithography tool
WO2002079876A2 (en) * 2001-03-28 2002-10-10 Motorola, Inc. Lithographic template
JP2002304781A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Sony Disc Technology Inc スタンパー交換装置及びスタンパー交換方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAISMA J ET AL: "MOLD-ASSISTED NANOLITHOGRAPHY: A PROCESS FOR RELIABLE PATTERN REPLICATION" JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, Bd. 14, Nr. 6, November 1996 (1996-11), Seiten 4124-4128, XP000721137 ISSN: 1071-1023 *
MCMACKIN I ET AL: "Design and performance of a step and repeat imprinting machine" PROCEEDINGS OF THE SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING SPIE-INT. SOC. OPT. ENG USA, Bd. 5037, M{rz 2003 (2003-03), Seiten 178-186, XP002343365 ISSN: 0277-786X *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN Bd. 2003, Nr. 02, 5. Februar 2003 (2003-02-05) -& JP 2002 304781 A (SONY DISC TECHNOLOGY INC), 18. Oktober 2002 (2002-10-18) & JP 2002 304781 A (SONY DISC TECHNOLOGY INC) 18. Oktober 2002 (2002-10-18) *

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006008464B4 (de) * 2005-02-25 2015-01-08 Toshiba Kikai K.K. Eindruckeinrichtung
WO2008045520A3 (en) * 2006-10-10 2008-06-19 Hewlett Packaard Dev Company L Imprint lithography apparatus and methods
US7832416B2 (en) 2006-10-10 2010-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and methods
WO2008045520A2 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and methods
EP2138896A1 (de) 2008-06-25 2009-12-30 Obducat AB Nanoimprint-Vorrichtung und Verfahren
US8277717B2 (en) 2008-06-25 2012-10-02 Obducat Ab Nano imprinting method and apparatus
WO2010039196A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Molecular Imprints, Inc. In-situ cleaning of an imprint lithography tool
KR20110063639A (ko) * 2008-10-02 2011-06-13 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 임프린트 리소그래피 도구의 원위치 청소
KR101659461B1 (ko) 2008-10-02 2016-09-23 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 임프린트 리소그래피 도구의 원위치 청소
US8394203B2 (en) 2008-10-02 2013-03-12 Molecular Imprints, Inc. In-situ cleaning of an imprint lithography tool
TWI410288B (zh) * 2008-10-02 2013-10-01 Molecular Imprints Inc 壓印微影術工具之原地清潔技術
CN102171611B (zh) * 2008-10-02 2014-11-12 分子制模股份有限公司 压印平版印刷术工具的就地清洁
WO2011094383A3 (en) * 2010-01-27 2011-09-29 Molecular Imprints, Inc. Methods and systems of material removal and pattern transfer
US8980751B2 (en) 2010-01-27 2015-03-17 Canon Nanotechnologies, Inc. Methods and systems of material removal and pattern transfer
EP2354846A3 (de) * 2010-01-28 2015-03-25 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Optische Bestrahlungsvorrichtung und optisches Bestrahlungsverfahren für die Nanoimprintlithographie
US9274441B2 (en) 2010-08-16 2016-03-01 Asml Netherlands B.V. Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor
WO2012022561A1 (en) 2010-08-16 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor
CN111215629A (zh) * 2014-11-24 2020-06-02 添加剂工业有限公司 用于通过增材制造生产物品的设备和校准设备的方法
CN111215629B (zh) * 2014-11-24 2022-02-01 添加剂工业有限公司 用于通过增材制造生产物品的设备和校准设备的方法
CN109923658A (zh) * 2016-11-03 2019-06-21 分子印记公司 基板装载***
CN109923658B (zh) * 2016-11-03 2022-11-04 分子印记公司 基板装载***
CN113147205A (zh) * 2021-04-26 2021-07-23 叶玮 一种产品包装用玻璃杯***设备
CN113147205B (zh) * 2021-04-26 2023-08-25 南京格美达科技有限公司 一种产品包装用玻璃杯***设备
CN114454631A (zh) * 2022-01-17 2022-05-10 叶春 一种医疗洁净板分类用***设备

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