WO2005008685A1 - 導電性粉末およびその製造方法 - Google Patents

導電性粉末およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005008685A1
WO2005008685A1 PCT/JP2004/010391 JP2004010391W WO2005008685A1 WO 2005008685 A1 WO2005008685 A1 WO 2005008685A1 JP 2004010391 W JP2004010391 W JP 2004010391W WO 2005008685 A1 WO2005008685 A1 WO 2005008685A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
titanium dioxide
valence
less
tin oxide
phosphorus
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/010391
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsuichi Chiba
Yuichi Yasuda
Original Assignee
Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. filed Critical Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd.
Priority to KR1020067001329A priority Critical patent/KR101056979B1/ko
Priority to EP04747803A priority patent/EP1647997B1/en
Priority to CN2004800210362A priority patent/CN1826665B/zh
Priority to US10/565,244 priority patent/US7407606B2/en
Priority to JP2005511897A priority patent/JP5095943B2/ja
Priority to AT04747803T priority patent/ATE553486T1/de
Priority to CA2533371A priority patent/CA2533371C/en
Publication of WO2005008685A1 publication Critical patent/WO2005008685A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/36Compounds of titanium
    • C09C1/3607Titanium dioxide
    • C09C1/3653Treatment with inorganic compounds
    • C09C1/3661Coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties

Definitions

  • the present invention relates to a conductive powder having a conductive layer containing titanium oxide and phosphorus on the surface of titanium dioxide and substantially free of antimony, and a method for producing the same.
  • Titanium dioxide can control the particle size in a wide range from a micron size to a nano size, and various particle shapes such as a granular shape, a substantially spherical shape, a spherical shape, a needle shape, a spindle shape, and a plate shape are known.
  • a granular shape a substantially spherical shape, a spherical shape, a needle shape, a spindle shape, and a plate shape
  • titanium dioxide having a particle size of about 0.15 to 0.25 ⁇ is used in a wide range of fields as a white pigment because of its excellent concealing properties, coloring power, and chemical stability.
  • Fine titanium dioxide particles with a particle size of less than about 0.1 ⁇ show transparency when blended with resin, and shield ultraviolet rays.Therefore, they are used as transparent pigments and have a length of 11-10 ⁇ and a length-to-diameter ratio ( Titanium dioxide having an acicular shape with an axial ratio of 3 or more is used as a special pigment or a filler having weakened coloring power.
  • titanium dioxide which is originally an insulator, and ceramic products such as glass and toner for electrophotography, and high-molecular molded products It is used as a conductivity imparting agent or antistatic agent for paper products such as plastic products such as polymer films, electrophotographic copying paper, and electrostatic recording paper.
  • Titanium dioxide is used as the base particles for forming the conductive layer, in addition to reducing the amount of conductive material required to obtain the desired conductivity, as described above. This is because there is a type having a particle diameter divided by a particle shape, and the functionality of the titanium dioxide can be appropriately selected according to the usage scene of the conductivity imparting agent.
  • a white conductive powder is obtained.
  • fine titanium dioxide is used as the base particles, a transparent conductive powder is obtained.
  • acicular titanium dioxide is used as the base particles.
  • antimony-doped tin oxide has been widely used as a conductive layer formed on the surface of titanium dioxide because of its excellent conductivity and little change in conductivity with time.
  • Patent Document 1 antimony-doped tin oxide has been widely used as a conductive layer formed on the surface of titanium dioxide because of its excellent conductivity and little change in conductivity with time.
  • Patent Document 1 antimony toxicity has been concerned, and research on conductive powders that do not use antimony has been conducted, and tin oxide doped with phosphorus has been developed in place of antimony (for example, see Patent Documents 2 and 3). .
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 6-17231
  • Patent Document 2 Patent No. 3357107
  • Patent Document 3 Patent No. 3365821
  • the present inventors reviewed the titanium dioxide forming the conductive layer of phosphorus-doped thitin oxide, and as a result, the known titanium dioxide obtained by the conventional method was added as a raw material for the production and during the production.
  • Alkali metals such as sodium and potassium, alkaline earth metals such as magnesium and calcium, aluminum, silicon, phosphorus, sulfur, zirconium, niobium, zinc, etc. It was found to contain compounds such as iron.
  • a conductive layer is formed on the surface of titanium dioxide containing a specific amount or more of alkali metal such as sodium and potassium, alkaline earth metal such as magnesium and calcium, and compounds of metal elements having a valence of 4 or less such as aluminum, zinc and iron.
  • a metal element having a valence of 4 or less is diffused into the conductive layer by sintering and good conductivity cannot be obtained, on the other hand, a metal element having a valence of 4 or less is reduced to a specific amount or less. It has been found that good conductivity can be obtained by using titanium dioxide. Furthermore, as a means for forming a conductive layer of tin oxide doped with phosphorus, an aqueous suspension of titanium dioxide containing a specific amount of a compound of a metal element having a valence of 4 or less is added to an aqueous suspension of titanium dioxide and a phosphorus-containing compound.
  • An aqueous acid solution and an aqueous alkali solution containing the compound are added so as to maintain the pH of the aqueous suspension in a specific range, and then calcined at a specific temperature, whereby a compound of a metal element having a valence of 4 or less is obtained.
  • a conductive powder containing not more than a predetermined amount is obtained, and this powder has good conductivity.
  • the present invention has been completed.
  • the present invention provides (a) a conductive layer containing tin oxide and phosphorus but substantially no antimony on the surface of titanium dioxide, and having a valence of 4 or less as an impurity contained in the conductive powder.
  • the conductive powder is characterized in that the content of the metal element is 0.1 or less as (A) determined by the following equation (1).
  • Equation (1): (A) (M) X (4-n) + (M) X (4—n) + (M) X (4—n) + (M) X (4_n
  • M, M, M, M, ⁇ ⁇ ⁇ , and M are the sources of tin oxide in the conductive powder with respect to Sn.
  • M, M, M, ⁇ ⁇ ⁇ indicate the valence of each metal element having an atomic ratio of M, M, n
  • X in 2 3 4 XXX represents the number of the metal elements contained in the conductive powder, and can be a natural number of 1 or more.
  • tin oxide forming the conductive layer has a surface area lm of titanium dioxide.
  • the amount of SnO per 2 is in the range of 0.015 to 0.3 g, and some are included in the conductive layer.
  • the ratio of phosphorus to tin oxide is 0.10 to 0.50 in terms of P / Sn atomic ratio. Further, it is also a preferable embodiment that the content power of the metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in titanium dioxide is 0.02 or less as (B) obtained by the following equation (2).
  • ⁇ ', ⁇ ',, ⁇ ⁇ ⁇ are the valence of titanium dioxide to Ti
  • indicates the valence of each of the metal elements having an atomic ratio of ⁇ ', ⁇ ', ⁇ ', ⁇ ⁇ ⁇ , ⁇ ',
  • ⁇ ' indicates the number of the metal elements contained in titanium dioxide, and is a natural number of 1 or more.
  • the content of a metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in (mouth) titanium dioxide is 0.02 or less as ( ⁇ ) obtained by the above formula (2).
  • An aqueous acid solution and an aqueous alkaline solution in which a tin sulfide compound and a phosphorus compound are dissolved are added to an aqueous suspension of titanium so that ⁇ of the aqueous suspension is maintained in the range of 26 or 8-12.
  • the obtained product is separated and calcined at a temperature of 600 to 925 ° C. to form a conductive layer containing tin oxide and phosphorus on the surface of titanium dioxide, thereby producing a conductive powder. Is the way.
  • the present invention has a conductive layer containing tin oxide and phosphorus but substantially no antimony on the surface of titanium dioxide, and a metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in the conductive powder.
  • a conductive powder characterized by having a content of 0.1 or less as (A) determined by the formula (1) and having a desired conductivity due to a small amount of impurities that impair conductivity. Things.
  • the conductive powder of the present invention can be used in the same manner as conventional conductive powders, such as ceramic products such as glass, plastic products such as polymer moldings and polymer films, and paper products such as electrophotographic copying paper and electrostatic recording paper.
  • It is used as a conductivity-imparting agent, antistatic agent, charge adjuster for toner for electronic photography or resistance adjuster for photosensitive drums, etc., and is used in ceramic products, plastic products, paper products, etc. It is used by kneading conductive powder or applying a paint containing conductive powder on the surface of the product or the surface of the raw material of the product.
  • the present invention relates to a titanium dioxide in which the content of a metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in the titanium dioxide is 0.02 or less as (B) obtained by equation (2).
  • An aqueous acid solution and an aqueous alkaline solution in which the Suzuri conjugate and the Rinni conjugate are dissolved are added to the aqueous suspension so that the pH of the aqueous suspension is maintained in the range of 2-6 or 8-12.
  • the obtained product is separated and calcined at a temperature of 600 to 925 ° C. to form a conductive layer containing tin oxide and phosphorus on the surface of titanium dioxide.
  • a conductive layer containing tin oxide and phosphorus coated on the surface can be formed as a continuous film, and an impurity that impairs conductivity can be removed. Easy to use with low content and desired conductivity BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION which can be produced
  • the conductive powder of the present invention has a conductive layer containing tin oxide and phosphorus on the surface of titanium dioxide, and this conductive layer contains substantially no antimony. It is important that the metal element having a valence of 4 or less as an impurity is not more than a specific amount, and the powder resistance value when the conductive powder is molded at a pressure of 9.8 MPa to form a columnar green compact is: It is preferably 1 ⁇ 10 5 ⁇ ′cm or less, more preferably 1 ⁇ 10 4 ⁇ ′cm or less, and most preferably 1 ⁇ 10 3 ⁇ ′cm or less.
  • the content of impurities contained in the conductive powder is converted as (A) obtained by the following equation (1).
  • Equation (1): (A) (M) X (4-n) + (M) X (4—n) + (M) X (4—n) + (M) X (4_n
  • M, M, M, M, ⁇ , M are, for example, sodium, potassium, calcium
  • each metal element having a valence of 4 or less such as magnesium, zinc, aluminum, and iron, and is the ratio of tin oxide in conductive powder to Sn.
  • the metal elements include typical metal elements such as sodium, potassium, calcium, magnesium, zinc, and aluminum, and transition metal elements such as iron, boron, silicon, germanium, arsenic, and antimony. , Selenium and tellurium.
  • elements other than these metal elements are called nonmetal elements.
  • the atomic ratio is a ratio of the number of target metal atoms to the number of reference metal atoms.
  • ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ ⁇ ⁇ , ⁇ in equation (1) are the valences (atoms) of metal elements having an atomic ratio of ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇ . Value), and can take a value greater than 0 and 4 or less.
  • X of ⁇ is the same numerical value as X of ⁇ , and can take a natural number of 1 or more.
  • Sodium and potassium have a valence of 1
  • calcium, magnesium and zinc have a valence of 2
  • aluminum and other have a valence of 3.
  • iron has a valence of 2 or 3
  • silicon and zirconium have a valence of 2 or 4, respectively
  • niobium has a valence of 2 to 5
  • the valence state contained in the conductive powder is converted to XPS (X-ray Electron spectroscopy), ESR (electron spin resonance), etc.
  • XPS X-ray Electron spectroscopy
  • ESR electron spin resonance
  • those with a valence of more than 0 and less than 4 are considered as impurities that impair conductivity, and those with a valence of 4 affect conductivity.
  • Impurities that are not possible, while those with a valence greater than 4 are not considered impurities.
  • a metal element having a valence power of more than 3 ⁇ 4 and not more than 3 is an impurity having a large influence on conductivity inhibition.
  • Equation (1) the value obtained by subtracting the valency n of those metal elements from the valence of tin in tin oxide for the metal elements having a valence of 4 or less contained in the conductive powder is calculated as
  • the influence of each impurity can be calculated by multiplying the content of the metal element (substitution by the atomic ratio to Sn), and the total (A) is defined as the total impurity content. Therefore, the total impurity content (A) is represented by ⁇ (M) X (4-n). In the present invention, this impurity
  • the weight (A) is 0.1 or less, preferably 0.07 or less, more preferably 0.06 or less, further preferably 0.02 or less, and most preferably 0.001 or less. . If the total content of impurities of the metal element having a valence of 4 or less is at least in the above range, desired conductivity can be obtained. However, if it is more than the above range, desired conductivity is hardly obtained.
  • the quantitative analysis of the metal element is performed by X-ray fluorescence analysis, and the valence of the metal element is determined by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), ESR (electron spin resonance), etc., as described above. Find out with.
  • the conductive layer formed on the titanium dioxide surface has a structure in which part of the tetravalent tin ions constituting tin oxide is replaced by pentavalent phosphorus ions, and phosphorus is dissolved (doped) in the tin oxide.
  • Antimony is not substantially contained. Substantially free of antimony means that antimony is below the detection limit in a fluorescent X-ray analysis method using a normal X-ray fluorescence analyzer, for example, RIX3000 manufactured by Rigaku Denki Kogyo.
  • the amount of tin oxide in the conductive layer can be set arbitrarily.
  • the force is in the range of 0.015 to 0.3 g S as SnO, preferably in the range of 0.013 to 0.3 g, as the surface area lm 2 of titanium dioxide. Preferred
  • the amount of tin oxide is in the range of 0.05-0.2 g.
  • the amount of phosphorus in the conductive layer can be set as appropriate.For a range of 0.10 to 0.50 as a P / Sn atomic ratio to tin oxide, which is preferable, good conductivity is obtained. can get.
  • the amount of phosphorus is more preferably from 0.13 to 0.30, further preferably from 0.15 to 0.30.
  • the conductive layer containing tin oxide and phosphorus preferably has a low content of metal elements having a valence of 4 or less, such as sodium, potassium, calcium, magnesium, zinc, anorenium, and iron. Can be confirmed by a transmission electron microscope photograph. Further, the specific surface area of the conductive layer obtained from equation (3) can be used as an index of the state of formation of the conductive layer.
  • tin oxide is present in fine particle agglomerates other than the continuous layer, and if the specific surface area is 70 m 2 Zg or less, tin oxide is a fine particle lump in at least the continuous layer. It does not exist.
  • the content of the conductive layer forming component in the formula (3) is tin oxide (amount as SnS), phosphorus (P
  • the specific surface areas of the titanium dioxide and the conductive powder can be determined by the BET method.
  • the titanium dioxide for forming the conductive layer containing tin oxide and phosphorus contains a metal element having a valence of 4 or less such as sodium, potassium, calcium, magnesium, zinc, aluminum, and iron.
  • a metal element having a valence of 4 or less such as sodium, potassium, calcium, magnesium, zinc, aluminum, and iron.
  • ⁇ ', ⁇ ', ⁇ ', ⁇ ',... ⁇ ⁇ ' are, for example, sodium, potassium,
  • each metal element having a valence of 4 or less such as shim, magnesium, zinc, anoremium, and iron, and is the ratio of titanium dioxide to Ti.
  • M ', ⁇ ⁇ -, M' is a metal element with a valence of 4 or less which is an impurity contained in titanium dioxide
  • Titanium dioxide has a valence of 4 or less
  • the value can be a number greater than 0 and 4 or less.
  • Y of n ' is the same number as Y of M'
  • Impurities that hinder, those with a valence of 4 are impurities that do not affect conductivity, while those with a valence greater than 4 are impurities.
  • metal elements having a valence of greater than 0 and less than or equal to 3 are impurities that have a large influence on conductivity inhibition.
  • the valence of tin in tin oxide coated on the surface of titanium dioxide is calculated from the valence of 4 in tin oxide.
  • the influence of each impurity can be calculated by multiplying the value obtained by subtracting the valence n of the element from the content of each metal element (substitution with the atomic ratio to Ti), and the sum of the effects (B) Is the total content of impurities in titanium dioxide. Therefore, the total impurity content (B) in titanium dioxide is represented by ()) X (4- ⁇ '). In the present invention, this total impurity content
  • the amount ( ⁇ ) force S is preferably 0.02 or less, more preferably 0.015 or less, and still more preferably 0.006 or less. If the total content of impurities in the titanium dioxide of the metal element having a valence of 4 or less is at least in the above range, desired conductivity can be obtained. However, if it is more than the above range, desired conductivity is hardly obtained.
  • metal compounds having a valence of more than 4 are not included as much as possible in titanium dioxide because metal ions having a valence of more than 4 decrease the mobility of conduction electrons generated when phosphorus is doped into tin oxide. Is preferred. Examples of such a metal element include niobium.
  • titanium dioxide includes all impurities including metal elements having a valence of 4 or less, metal elements having a valence of 4 or more, and nonmetal elements such as phosphorus and sulfur (excluding oxygen).
  • the content is 1.5% by weight or less, preferably 1.0% by weight or less based on TiO in terms of anhydrous oxide. Below, more preferably 0.5% by weight or less, still more preferably 0.1% by weight or less, that is, the TiO purity is 98.5% by weight or more, preferably 99.0% by weight or more, more preferably 99.5% by weight.
  • the particle shape and particle diameter of the titanium dioxide used in the present invention can be appropriately selected according to the usage scene of the conductive powder.
  • the particle shape may be, for example, granular, substantially spherical, spherical, needle-like, fiber-like, column-like, rod-like, spindle-like, plate-like, or any other similar shape. Those having an axial ratio, such as a shape, are preferred because they facilitate conductivity efficiency.
  • particles having a mean particle diameter of 0.01 are preferable for particles having a granular shape, a substantially spherical shape and a spherical shape, and those having an average particle size of 0.01 are more preferable.
  • the length is 0.05-0. 0, and the ratio of length to maximum diameter (axial ratio) is 3 or more, preferably Further preferred is spindle-shaped fine particle titanium dioxide of 10 or more, or needle-like or rod-like titanium dioxide having a length of 110 xm and a length-to-diameter ratio (axial ratio) of 3 or more, preferably 10 or more.
  • the particle shape and particle size of titanium dioxide are observed and measured from electron micrographs.
  • a spherical range of 0. 5- 160m 2 / g range of preferred instrument 4 one 60 m 2 / g More preferred.
  • a spherical range of 0. 5- 160m 2 / g range of preferred instrument 4 one 60 m 2 / g More preferred.
  • 0.3-20 m 2 / g is preferred, and 11-15 m 2 / g is more preferred.
  • 10-250 m 2 / g is preferred, and 30-200 m 2 / g is more preferred.
  • the crystal system of titanium dioxide used in the present invention can be any of rutile, anatase, brookite, and amorphous crystalline systems.
  • Rutile-type dioxide which is the same crystal system as tin oxide as the main component of the conductive layer, can be used. Titanium is preferable since conductivity is easily developed.
  • an organic substance may be attached to the surface of the conductive powder to improve dispersibility in a resin or improve the stability with time of conductivity.
  • the organic substance include organometallic compounds such as silicon-based, titanium-based, aluminum-based, zirconium-based, and zirconium-aluminum-based compounds, and polyols. One or more of these organic materials may be used.
  • the content of the organic powder is about 0.0001 to 0.4 g per 1 m 2 of the surface area of the conductive powder, and 0.0006 to 0.2 g. More appropriate than degree power.
  • examples of the silicon-based organometallic compound include aminopropyltriethoxysilane, N-i3 (aminoethyl) ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -phenyl_ ⁇ -aminopropylpyrutrimethoxysilane, Silane couplings such as burtrimethoxysilane, burtriethoxysilane, and burtriethoxysilane ij n_butyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, nxyltrimethoxysilane, nxyltriethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n- oranes, phenylsilanes such as phenyltriethoxysilane, fluorosilanes such
  • titanium-based organometallic compound examples include isoprovir triisostearoyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, and tetra (2 , 2-Diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (diotatinolepyro) Sufeto) titanate coupling agents such as ethylene titanate force
  • aluminate coupling agents such as ⁇ Seto alkoxy aluminum diisopropylate over preparative like.
  • zirconium-based organic metal compound examples include zirconium tributoxy acetyl acetonate, zirconium tributoxy cysteate, and the like.
  • polyol examples include trimethylolethane, trimethylolpropane, and pentaerythritol.
  • the content of a metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in titanium dioxide is 0.0 as (B) obtained by the above equation (2). 2 or less, preferably 0.015 or less, more preferably 0.006 or less titanium dioxide It is important that in a preferred embodiment, in addition to a metal element having a valence of 4 or less and a metal element having a valence of more than 4, the total impurity content including nonmetallic elements such as phosphorus and sulfur (excluding oxygen) is calculated as an anhydrous oxide. 1.5% by weight or less based on TiO, preferably
  • titanium dioxide is used in conventional titanium dioxide production such as chlorine method, sulfuric acid method, flame hydrolysis method, wet hydrolysis method, neutralization method, sol-gel method, and the like, sodium, potassium, calcium, magnesium, zinc. It can be produced by selecting a metal element having a valence of 4 or less, such as phenol, iron, or the like, or a method capable of producing titanium dioxide containing no or less than a specified amount of all impurities, or by selecting production conditions.
  • the titanium dioxide containing impurities is treated with an acid or an alkali, or treated with an alkali after being treated with an acid, or treated with an acid after treating with an alkali.
  • Metal elements having a valence of 4 or less or all impurities can be removed to the above-mentioned amount.
  • Suitable acids are inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid and the like, and usually a 150% by weight aqueous solution of these acids is used.
  • As the alkali use a 10-50% by weight aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like.
  • titanium dioxide is added to the acid solution or the alkali solution, and the mixture is stirred for 13 to 13 hours. If necessary, the mixture may be stirred while heating to 50 to 90 ° C. .
  • Such a titanium dioxide is used as an aqueous suspension, and a suzuri conjugate and a phosphorus compound are added thereto to coat the surface of the titanium dioxide with the suzui conjugate and the phosphorus compound.
  • a suzuri conjugate and a phosphorus compound are added thereto to coat the surface of the titanium dioxide with the suzui conjugate and the phosphorus compound.
  • an aqueous acid solution and an aqueous alkali solution in which a suzuri conjugate and a phosphorus compound are dissolved are separately prepared, and the pH of the aqueous titanium dioxide suspension is adjusted to 2 It is important to add to maintain a range of 6 or 8 12. If the pH of the aqueous suspension is within the above range, at least the Suzuki compound and the phosphorus compound are uniformly dispersed.
  • the desired conductivity of the Suzuki Ridge and Rindo Ridge is hard to cover the titanium dioxide surface.
  • the pH of the aqueous titanium dioxide suspension is in the range of 8-12, the range of 910 is more preferable since the tin compound and the phosphorus compound are more uniformly coated.
  • a pH range of 2-3 is preferred.
  • the concentration of titanium dioxide in the aqueous suspension can be set as appropriate, with 25 300 gZl being appropriate and 50-200 g / l being preferred.
  • the temperature of the aqueous suspension is preferably in the range of room temperature (10-30 ° C) -95 ° C, and more preferably in the range of 8090 ° C.
  • the temperature of the aqueous acid solution and the aqueous alkali solution in which the Suzuri ligated product and the phosphorus compound are dissolved are not particularly limited, and may be about the same as the temperature of the aqueous suspension.
  • Suzuri conjugates for example, stannic salt, stannous chloride, potassium stannate, sodium stannate, stannous fluoride, stannous oxalate And so on.
  • the phosphorus compound include phosphorus trichloride, orthophosphoric acid, sodium hydrogen phosphate, trisodium phosphate, ammonium hydrogen phosphate, phosphorous acid, sodium dihydrogen phosphite, trisodium phosphite, Examples thereof include phosphorus pentachloride, and one or more of these compounds can be used.
  • An aqueous solution of an acid is prepared by dissolving such a Suzui ligated product and a phosphorus compound in an inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid, or an organic acid such as formic acid, acetic acid, oxalic acid and citric acid. .
  • the addition amount of the tin compound, the 0. 015- 0. 3g and the preferred range as the surface area 1 m 2 per SnO of Yogu titanium dioxide as long as it is an amount capable of a predetermined amount covering the pair Shi acid Ihisuzu titanium dioxide Equivalent amount, more preferably
  • the amount is required to coat in an amount equivalent to 0.03 to 0.3 g, and more preferably to an amount equivalent to 0.05 to 0.2 g.
  • the PZSn atomic ratio is preferably in the range of 0.1 to 0.50, more preferably 0.13 to 0.40. It is an amount necessary for doping in a combined amount, more preferably 0.15 to 0.30.
  • the respective concentrations of the tin compound and the phosphorus compound in the aqueous acid solution can be appropriately set.
  • examples of the aqueous alkali solution used as a neutralizing agent include hydroxides and carbonates of alkali metals such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and potassium carbonate; An aqueous solution of at least one of basic compounds such as nylon, ammonium hydroxide, ammonium carbonate, ammonium bicarbonate, hydrazine and hydroxyamine can be used.
  • a product in which a tin compound and a phosphorus compound are coated on the surface of titanium dioxide is separated and fired at a temperature of 600 to 925 ° C. Separation is usually performed by filtration and washing as required.
  • the alkali metal hydroxide or carbonate When an alkali metal hydroxide or carbonate is used as the neutralizing agent, the alkali metal is adsorbed on the product due to insufficient washing, and the remaining metal causes a decrease in conductivity. It is preferable to perform sufficient washing so as not to perform the washing.
  • the degree of washing of the product can be controlled by the specific conductivity of the filtrate, and the smaller the specific conductivity (unit: ⁇ SZcm), the more the washing is performed. As for the degree of washing, it is preferable to wash the filtrate until the specific conductivity of the filtrate is 125 ⁇ SZcm or less.It is more preferable to wash the filtrate to 50 a SZcm or less.
  • the baking can be performed in any atmosphere of an oxidizing atmosphere, a reducing atmosphere, and an inert gas atmosphere. Power that is economically advantageous to perform in air is applied with an inert gas such as nitrogen, helium, or argon. Firing in a diluted low oxygen concentration atmosphere, an inert gas atmosphere such as nitrogen, helium, or argon, or a reducing atmosphere of hydrogen, ammonia, carbon monoxide, or the like is preferable because good conductivity can be obtained.
  • the oxygen concentration in a low oxygen concentration atmosphere is preferably 5 to 15% by volume, more preferably 7 to 10% by volume, from the viewpoint of economy and conductivity.
  • the firing time varies depending on the type of equipment and the amount of processing, and cannot be specified unconditionally. However, 118 hours, preferably 116-6 hours is appropriate.
  • After firing cool to a temperature where it can be removed.
  • a method of rapidly cooling immediately after firing and a method of gradually cooling the material to be fired to near room temperature over 2 hours or more can be selected.
  • the quenching method and the slow cooling method are compared, when quenching is performed in a low oxygen concentration atmosphere, an inert gas atmosphere, or a reducing atmosphere, and then cooled as it is, the rapid cooling method and the slow cooling method can be obtained.
  • the firing temperature is preferably
  • By firing at such a high temperature it is possible to fire without substantially causing coarsening and sintering of the particles of the object to be fired, and sufficient conductivity can be easily obtained by appropriately selecting an atmosphere and a cooling method at the time of firing. May be granted.
  • the object to be fired is taken out of the firing apparatus, and may be subjected to a crushing treatment in accordance with a conventional method to obtain a powder.
  • the pH of the disintegrated material can be adjusted and impurities can be removed as necessary.
  • the surface of the crushed material can be treated with an organic substance by a wet method or a dry method.
  • the conductive powder of the present invention is, like the conventional conductive powder, a ceramic product such as glass, a plastic product such as a polymer molded article or a polymer film, and a paper such as electrophotographic copying paper and electrostatic recording paper.
  • a ceramic product such as glass
  • a plastic product such as a polymer molded article or a polymer film
  • a paper such as electrophotographic copying paper and electrostatic recording paper.
  • the conductive powder of the present invention is used in ceramic products, plastic products, paper products, etc. It is used by kneading or applying a paint containing conductive powder to the surface of the product or the surface of the raw material.
  • the resin used as the raw material for the plastic product is selected according to its purpose and application, and is not particularly limited.
  • a variety of known resins can be used.
  • Special engineering such as polyarylate, polyamide bismaleimide, polyetherimide, polyimide, fluororesin, plastics, polyethylene, polypropylene, polystyrene, AS resin, ABS resin, etc. It can be exemplified thermoplastic generic resins, epoxy resins, unsaturated polyester resins, phenolic resins, melamine resins, thermosetting resins such as silicon cone resin.
  • Various resins can be used as the resin for preparing the paint containing the conductive powder of the present invention. The amount of the conductive powder of the present invention to be added to these plastic products or conductive paints can be appropriately set according to the application.
  • a high-grade rutile-type titanium dioxide powder having an average particle size of 0.25 / im was used.
  • This titanium dioxide is produced by the chlorine method, and contains silicon (tetravalent) as an impurity in a metal element having a valence of 4 or less in an atomic ratio of titanium dioxide to Ti of 0.00027.
  • (B) obtained by equation (2) was 0.
  • sulfur (hexavalent, nonmetallic element) is contained at 0.02% by weight as SO.
  • Ti ⁇ purity was 99.96% by weight.
  • the specific surface area determined by the BET method is 6.6 m 2 Zg.
  • a solution obtained by mixing 75 ml of 43.4 and 12N-hydrochloric acid solution and an aqueous solution of sodium hydroxide were added in parallel over 60 minutes so as to maintain the pH of the suspension at 2-3.
  • a coating layer composed of a tin oxide hydrate containing phosphoric acid was formed.
  • the final pH of this suspension was set to 2. Further, the mixture was stirred and aged for 20 minutes while maintaining the temperature at 70 ° C.
  • the coated titanium dioxide powder is filtered, washed until the filtrate has a specific conductivity of 50 / iS / cm, and dried at 120 ° C overnight to recover the coated titanium dioxide powder. did.
  • the recovered coated titanium dioxide powder is fired in an electric furnace at 850 ° C. for 1 hour in the air, and then pulverized and pulverized by a pulverizer and a pulverizer to obtain a white conductive powder of the present invention. (Sample A) was obtained.
  • Tin oxide contained in the Sample A 0.5 as surface area lm 2 per SnO titanium dioxide 07
  • the amount of phosphorus was 0.17 in terms of atomic ratio of PZSn to tin oxide. Further, the metal element having a valence of 4 or less as an impurity contained in this sample A was below the detection limit, and (A) obtained by the equation (1) was 0.
  • the specific surface area of Sample A was 30.2 m 2 Zg, and the specific surface area of the conductive layer was 86.4 m 2 / g.
  • Example 1 a small amount of alumina was used instead of high-grade rutile-type titanium dioxide powder. The except that the average particle diameter contained in the using rutile titanium dioxide powder of 0. 25 beta m was treated similarly to give a white conductive powder (a sample of the present invention.
  • the titanium dioxide used was manufactured by the chlorine method.
  • the aluminum (trivalent) content was 0.005 in atomic ratio of titanium dioxide to Ti, and other metal elements with a valence of 4 or less were detected.
  • (B) obtained by the equation (2) was 0.005. Elements other than metal elements having a valence of 4 or less (excluding oxygen) were not detected, and the Ti ⁇ purity was 99.7% by weight.
  • the specific surface area determined by the BET method was 6.8 m 2 / g.
  • Tin oxide contained in the Sample B 0.5 as surface area lm 2 per Sn_ ⁇ titanium dioxide 07
  • the amount of phosphorus was 0.17 in terms of atomic ratio of PZSn to tin oxide.
  • the atomic ratio of aluminum (trivalent) contained in Sample B to Sn was 0.019, and (A) represented by the formula (1) was 0.019.
  • the titanium dioxide used was manufactured by the chlorine method.
  • the aluminum (trivalent) content was 0.015 in terms of the atomic ratio of titanium dioxide to Ti, and other metal elements with a valence of 4 or less were detected.
  • (B) obtained from the equation (2) was 0.015.
  • As an element other than the metal element having a valence of 4 or less (excluding oxygen), phosphorus (pentavalent, non-metallic element) is regarded as PO as 0.
  • TiO purity is 99.0% by weight
  • specific surface area determined by BET method is 7.
  • Tin oxide contained in the Sample C 0.5 as the surface area lm 2 per SnO titanium dioxide 07
  • Example 1 instead of the high-grade rutile-type titanium dioxide powder, Use needle-like titanium oxide powder, and replace 173 parts of a 50% by weight aqueous solution of tin chloride (SnCl).
  • a white conductive powder (sample D) of the present invention was obtained in the same manner as above except for the above.
  • Tin oxide contained in the Sample D 0.5 as surface area lm 2 per Sn_ ⁇ titanium dioxide 07
  • the amount of phosphorus was 0.17 in terms of PZSn atomic ratio to tin oxide. Further, a metal element having a valence of 4 or less contained in this sample D was not detected, and (A) represented by the formula (1) was 0.
  • the acicular titanium oxide powder used in Example 4 was manufactured according to the method described in Japanese Patent Publication No. 47-44974. In other words, 4 wt.
  • the needle-like titanium oxide obtained in this way has a length of 3-5 ⁇ and a diameter of 0.05-0.07 / im. As 3.8 fold
  • the phosphorus content was 4.4% by weight as P 2 O, and the TiO purity was 91.0% by weight.
  • the fine particle water-containing titanium dioxide is a titanium tetrachloride aqueous solution with a concentration of 200 g / l as TiO.
  • the solution was neutralized with an aqueous sodium hydroxide solution to precipitate colloidal amorphous titanium hydroxide. Then, the colloidal titanium hydroxide was aged at 70 ° C for 5 hours and then at 120 ° C. It was a rutile-type microtiterua obtained by drying.
  • the needle-like titanium oxide was charged into water to form a water suspension, and an aqueous sodium hydroxide solution (200 g / l) was added thereto to adjust the pH of the system to 13.0. Thereafter, the mixture was heated to 90 ° C and stirred for 2 hours to carry out an alkali treatment, and then an aqueous hydrochloric acid solution (100 gZl) was added to adjust the pH of the system to 7.0, followed by filtration. Was washed until the volume became 50 ⁇ SZcm. Subsequently, the following acid treatment was performed.
  • the obtained filter cake is again put into water to form a water suspension, and then an aqueous hydrochloric acid solution (100 g Z1) is added to adjust the pH of the system to 1.0, heated to 90 ° C and stirred for 2 hours. After filtration, the filtrate was washed until the specific conductivity of the filtrate became 50 aS / cm.
  • the specific surface area of the acicular titanium oxide determined by the BET method was 11.5 m 2 Zg.
  • Sample E was obtained in the same manner as in Example 1, except that rutile-type titanium dioxide powder for pigment having an average particle size of 0.25 ⁇ m was used instead of high-grade rutile-type titanium dioxide powder.
  • rutile-type titanium dioxide powder for pigment having an average particle size of 0.25 ⁇ m was used instead of high-grade rutile-type titanium dioxide powder.
  • the titanium dioxide used contained 0.034 aluminum (trivalent) in an atomic ratio of titanium dioxide to Ti, 0.0027 of silicon (tetravalent), and other metal elements having a valence of 4 or less. No element was detected, and (B) determined by equation (2) was 0.034. As an element other than the metal element having a valence of 4 or less (excluding oxygen), phosphorus (pentavalent, nonmetallic element) is 0.1 as P O.
  • the TiO purity is 97.6% by weight, and the specific surface area determined by the BET method is 12.4%.
  • Tin oxide contained in the Sample E 0.5 as surface area lm 2 per SnO titanium dioxide 04
  • Sample F was obtained in the same manner as in Example 1, except that rutile-type titanium dioxide powder containing zinc oxide was used instead of high-grade rutile-type titanium dioxide powder.
  • the titanium dioxide used was produced by the sulfuric acid method.
  • the atomic ratio of titanium dioxide to Ti is 0.007 for zinc (divalent), 0.003 for sodium (monovalent), and 0.003 for aluminum (trivalent).
  • 003, containing 0.0027 of silicon (tetravalent), other metal elements having a valence of 4 or less were not detected, and (B) determined by equation (2) was 0.026.
  • Phosphorus (pentavalent, nonmetallic element) is 0.2% by weight as P O as an element (excluding oxygen) other than a metal element having a valence of 4 or less.
  • Niobium (pentavalent) contains 0.2% by weight as Nb ⁇ , TiO purity is 98.4% by weight, The specific surface area determined by the BET method was 6.7 m 2 / g.
  • the tin oxide contained in Sample F was 0.07 as Sn ⁇ per lm 2 of titanium dioxide surface area.
  • the amount of phosphorus was 0.17 in terms of P / Sn atomic ratio to tin oxide.
  • the atomic ratio of tin oxide to Sn in Sample F was 0.025 for zinc (divalent), 0.016 for sodium (monovalent), and 0.16 for aluminum (trivalent). 01, the silicon (tetravalent) value was 0.017, and other metal elements having a valence of 4 or less were not detected, and (A) determined by the formula (1) was 0.108.
  • the powder resistance ( ⁇ 'cm) of the conductive powder obtained in Examples 14 and 14 and Comparative Examples 1 and 2 was measured by the following method, and the results shown in Table 1 were obtained. From these results, it can be seen that according to the sample AD of the example of the present invention, a good powder resistance value can be obtained.
  • the sample powder lg was molded at a pressure of 9.8 MPa using a cylindrical cylinder (18 mm in inner diameter) to obtain a cylindrical green compact.
  • the DC resistance was measured, and the following formula force powder resistance was calculated.
  • Samples G, H, and I were prepared in the same manner except that 104 g, 260 g, and 346 g were used instead of 173 g of the 4% by weight aqueous solution.
  • Example 2 To investigate the effect of phosphorus content, in Example 1, no phosphoric acid was added, 85 weight. / 0 Phosphoric acid (H PO) 6. Same as above except using 10.2 g instead of lg
  • Sample J 0.0000 8.2 10 6 Sample A 0.17 3.1 X10 2 Sample 0.28 1.1X10 3
  • firing at 850 ° C. was not performed to investigate the effect of firing temperature, 600. C, 700. C, 800. C, 900. C, 950. C, 1000.
  • Samples L, M, N, ⁇ , P, Q, and R were prepared in the same manner except that calcination was performed in air at each temperature of C.
  • the firing temperature is preferably at least about 750-925 ° C.
  • Sample S was prepared in the same manner as in Example 1 except that the suspension was added in parallel over 60 minutes so that the pH of the suspension was maintained at 910. .
  • the tin oxide contained in the sample S is 0.
  • the pH in adding tin chloride and phosphoric acid is preferably in the alkaline range of about 8 to 12 as well as in the acidic range of about 2 to 6.
  • Example 1 In order to investigate the influence of the oxygen concentration and the cooling method at the time of firing, in Example 1, the coated titanium dioxide powder before firing was fired in the air, and then quenched after firing (the material to be fired was immediately cooled). It was taken out and allowed to cool at room temperature), or fired in air and then slowly cooled (cooled to 300 ° C over 2 hours) after firing (Sample T). Further, in Example 1, the coated titanium dioxide powder before firing was heated to 850 ° C in an atmosphere having an oxygen concentration of 7 to 8% by volume (air diluted with nitrogen gas) and an oxygen concentration of 0% by volume (nitrogen gas). Samples U and V were prepared by sintering at C for 1 hour, and after sintering, cooling by the rapid cooling method or the slow cooling method as described above.
  • a titanium dioxide having a conductive layer of phosphorus-doped tin oxide having good conductivity and substantially free of antimony having a toxicity problem.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

 ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、亜鉛、鉄などの原子価4以下の金属元素を特定量以下に抑制した二酸化チタンを用い、その二酸化チタンの水性懸濁液に、スズ化合物およびリン化合物を含む酸水溶液とアルカリ水溶液とを該水性懸濁液のpHを2~6の範囲あるいは8~12の範囲に維持するように加え、次いで、600~925°Cの温度で焼成し、良好な導電層を有する二酸化チタンを提供する。

Description

明 細 書
導電性粉末およびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、二酸化チタンの表面に酸化スズおよびリンを含み、実質的にアンチモン を含まない導電層を有する導電性粉末およびその製造方法に関する。 背景技術
[0002] 二酸化チタンは、ミクロンサイズからナノサイズと幅広く粒子径を制御することができ 、その粒子形状は粒状、略球状、球状のほか、針状、紡錘状、板状など種々のもの が知られている。たとえば、約 0· 15-0. 25 μ ΐηの粒子径を有する二酸化チタンは、 隠蔽性、着色力に優れ、化学的にも安定であることから、白色顔料として広い分野に 使われている。約 0. Ι μ ΐη以下の微粒子二酸化チタンは、樹脂に配合すると透明性 を示し、紫外線を遮蔽することから、透明顔料として、また、長さ 1一 10 μ πι、長さ対 直径の比 (軸比)が 3以上の針状形状を有する二酸化チタンは、着色力を弱めた特 殊顔料や充填剤として用いられてレ、る。
[0003] このような二酸化チタンの表面に導電層を形成すると、元来絶縁体である二酸化チ タンに導電性を施すことができ、ガラス、電子写真用トナーなどのセラミック製品、高 分子成形体、高分子フィルムなどのプラスチック製品、電子写真複写紙、静電記録 紙などの紙製品等の導電性付与剤あるいは帯電防止剤として使用されている。導電 層を形成する基体粒子として二酸化チタンを用いる理由は、所望の導電性を得るた めに必要な導電性物質の添加量を削減するためのほかに、前記のとおり二酸化チタ ンには種々の粒子径ゃ粒子形状のものがあり、導電性付与剤の使用場面に応じて 二酸化チタンの機能性を適宜選択できるためである。たとえば、白色顔料二酸化チ タンを基体粒子として用いると、白色導電性粉末が得られ、微粒子二酸化チタンを基 体粒子として用いると、透明導電性粉末が得られ、また、針状二酸化チタンを基体粒 子として用いると、その形状異方性を利用して導電性の効率化が図れる。
[0004] 二酸化チタンの表面に形成する導電層としては、従来、アンチモンをドープした酸 化スズが優れた導電性を有し、しかも、導電性の経時変化が少ないことから、幅広く 用いられている(たとえば、特許文献 1参照)。しかし、近年、アンチモンの毒性が懸 念され、アンチモンを用いない導電性粉末の研究が行われ、アンチモンに代えてリン をドープした酸化スズが開発されている(たとえば、特許文献 2、 3参照)。
[0005] 特許文献 1 :特公平 6 - 17231号公報
特許文献 2 :特許第 3357107号公報
特許文献 3 :特許第 3365821号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] リンをドープした酸化スズは、毒性上の問題がないものの、二酸化チタン表面上に 、良好な導電性を有する層を形成しにくぐリンドープ酸化スズの調製条件によって 導電性が大幅に変動し、不安定であることから、改善が求められている。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者等は、リンをドープした酸ィヒスズの導電層を形成する二酸化チタンを見直 し、その結果、従来法で得られる既知の二酸化チタンは、その製造原料、製造途中 で添加する添加剤あるいは製造した二酸化チタンの表面処理原料に由来するナトリ ゥム、カリウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属 、アルミニウム、ケィ素、リン、硫黄、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、鉄などの化合物を 含有していることが判明した。そのうち、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、マグ ネシゥム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、亜鉛、鉄などの原子価 4以下の金属元素の化合物を特定量以上含有した二酸化チタンの表面に導電層を 形成しても、原子価 4以下の金属元素が焼成によって導電層に拡散して、良好な導 電性が得られないこと、それに反して、原子価 4以下の金属元素を特定量以下とした 二酸化チタンを用いると良好な導電性が得られることを見出した。さらに、リンをドー プした酸化スズの導電層を形成する手段として、原子価 4以下の金属元素の化合物 を特定量以下とした二酸化チタンの水性懸濁液に、スズィ匕合物およびリンィ匕合物を 含む酸水溶液とアルカリ水溶液とを該水性懸濁液の pHを特定の範囲に維持するよう に加え、次いで、特定の温度で焼成することにより、原子価 4以下の金属元素の化合 物を所定量以下しか含まない導電性粉末が得られ、このものは良好な導電性が得ら れることを見出して、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、(ィ)二酸化チタンの表面に、酸化スズおよびリンを含むがァ ンチモンを実質的に含まない導電層を有し、導電性粉末に含まれる不純物としての 原子価 4以下の金属元素の含有量が、下記(1 )式で求められる (A)として 0. 1以下 であることを特徴とする導電性粉末である。
( 1 )式: (A) = (M ) X (4-n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4_n
1 1 2 2 3 3 4 4
)十…十(M ) X (4-n )
X X
ここで、 M、 M、 M、 M、■·■、 M は、導電性粉末中の酸化スズの Snに対する原
1 2 3 4 X
子価 4以下の金属元素のそれぞれの原子比であり、 n、 n、 n、 n、■·■、 nは、 M、
1 2 3 4 X 1
M、 M、 M、■·■、 Mの原子比を有する金属元素のそれぞれの価数を示し、 M 、 n
2 3 4 X X X の Xは、導電性粉末に含まれる前記金属元素の数を示し、 1以上の自然数をとり得る また、好ましい態様として、前記導電層を形成する酸化スズが二酸化チタンの表面 積 lm2当り、 SnOとして 0. 015—0. 3gの範囲であり、あるレ、は、前記導電層に含ま
2
れるリンが酸化スズに対して P/Sn原子比で 0. 10-0. 50の割合である。さらに、二 酸化チタンに含まれる、不純物としての原子価 4以下の金属元素の含有量力 下記( 2)式で求められる(B)として 0. 02以下であることも好ましい態様である。
(2)式: (B) = (Μ' ) X (4-n ) + (Μ' ) X (4~η ) + (Μ' ) X (4~η ) + (Μ' )
1 1 2 2 3 3 4
X (4_ ) +… + (Μ' ) X (4-η )
4 Υ Υ
ここで、 , Μ' , Μ' 、 、 · · ·、 は、二酸化チタンの Tiに対する原子価 4
1 2 3 4 Y
以下の金属元素のそれぞれの原子比であり、 η' 、η' 、η' 、η' 、 · ' ·、η' は、 、
1 2 3 4 Υ 1
Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、■·■、 Μ' の原子比を有する金属元素のそれぞれの価数を示し、 Μ
2 3 4 Υ
' 、η' の Υは、二酸化チタンに含まれる前記金属元素の数を示し、 1以上の自然数
Υ Υ
をとり得る。
さらに、本発明は、(口)二酸化チタンに含まれる、不純物としての原子価 4以下の金 属元素の含有量が、上記(2)式で求められる(Β)として 0. 02以下である二酸化チタ ンの水性懸濁液に、スズィ匕合物およびリン化合物を溶解した酸水溶液とアルカリ水 溶液とを該水性懸濁液の ρΗを 2 6の範囲あるいは 8— 12の範囲に維持するように 加え、次いで、得られた生成物を分別し、 600— 925°Cの温度で焼成して、二酸化 チタン表面に酸化スズとリンを含む導電層を形成することを特徴とする導電性粉末の 製造方法である。
発明の効果
[0009] 本発明は、二酸化チタンの表面に、酸化スズおよびリンを含むがアンチモンを実質 的に含まない導電層を有し、導電性粉末に含まれる不純物としての原子価 4以下の 金属元素の含有量が、(1)式で求められる (A)として 0. 1以下であることを特徴とす る導電性粉末であり、導電性を阻害する不純物が少ないため、所望の導電性を有す るものである。本発明の導電性粉末は、従来の導電性粉末と同じように、ガラスなど のセラミック製品、高分子成形体、高分子フィルムなどのプラスチック製品、電子写真 複写紙、静電記録紙などの紙製品等の導電性付与剤、帯電防止剤あるいは電子写 真用トナーの帯電調整剤または感光ドラムの抵抗調整剤などとして用レ、られ、セラミ ック製品、プラスチック製品、紙製品等に本発明の導電性粉末を練り込んだり、製品 表面あるいは製品原料表面に導電性粉末を含有した塗料を塗布するなどして用いら れる。
[0010] また、本発明は、二酸化チタンに含まれる、不純物としての原子価 4以下の金属元 素の含有量が、(2)式で求められる(B)として 0. 02以下である二酸化チタンの水性 懸濁液に、スズィ匕合物およびリンィ匕合物を溶解した酸水溶液とアルカリ水溶液とを該 水性懸濁液の pHを 2— 6の範囲あるいは 8— 12の範囲に維持するように加え、次レヽ で、得られた生成物を分別し、 600— 925°Cの温度で焼成して、二酸化チタン表面 に酸化スズとリンを含む導電層を形成することを特徴とする導電性粉末の製造方法 であり、このような方法とすることにより、その表面に被覆される酸化スズおよびリンを 含む導電層を連続した被膜として形成することができ、また、導電性を阻害する不純 物の含有量を少なくでき、所望の導電性を有するものを簡便に製造することができる 発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明の導電性粉末は、二酸化チタンの表面に、酸化スズおよびリンを含む導電 層を有し、この導電層中にはアンチモンを実質的に含まず、しかも、導電性粉末中に 不純物としての原子価 4以下の金属元素が特定量以下であることが重要であり、導 電性粉末を 9. 8MPaの圧力で成型し円柱状圧粉体とした時の粉体抵抗値は、好ま しくは 1 X 105 Ω ' cm以下、より好ましくは 1 X 104 Ω ' cm以下、最も好ましくは 1 X 103 Ω ' cm以下のものとすることが可能である。
本発明において、導電性粉末に含まれる不純物の含有量は、下記(1)式で求めら れる (A)として換算する。
(1)式: (A) = (M ) X (4-n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4_n
)十…十(M ) X (4-n )
(1)式中、 M、 M、 M、 M、 ·■·、 Mは、たとえば、ナトリウム、カリウム、カルシウム
、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、鉄などの、原子価 4以下のそれぞれの金属元素 の原子比を示し、導電性粉末中の酸化スズの Snに対するものである。 M、 M、 M
、Μ ' · ·、 Μは導電性粉末に含有される不純物である原子価 4以下の金属元素の数 に応じ、 Μの Xは、 1以上の自然数をとり得る。導電性粉末中に、原子価 4以下の金 属元素が含まれない場合は、 Μ =0となる。ただし、原子価 4以下の金属元素には、 酸化スズにドープしない後述するカップリング剤などの焼成後に導電性粉末表面に 処理した有機金属化合物を含まなレ、。なお、本発明において、金属元素としては、ナ トリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウムなどの典型金属元素 、鉄などの遷移金属元素のほ力に、ホウ素、ケィ素、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン 、セレン、テルルなどの半金属元素を含むものとする。一方、これらの金属元素以外 の元素を非金属元素という。また、本発明において、原子比とは、基準とする金属原 子の数に対する対象の金属原子の数の比である。
また、 (1)式中の η、 η、 η、 η、■·■、 ηは、 Μ、 Μ、 Μ、 Μ、■·■、 Μの原子比を 有する金属元素のそれぞれの価数 (原子価)を示し、 0より大きく 4以下の数値をとり 得る。 ηの Xは、 Μの Xと同じ数値であり、 1以上の自然数をとり得る。ナトリウム、カリ ゥムなどは原子価 1、カルシウム、マグネシウム、亜鉛などは原子価 2、アルミニウムな どは原子価 3である。なお、鉄は原子価 2または 3、ケィ素、ジルコニウムの原子価は それぞれ 2または 4、ニオブの原子価は 2— 5であり、複数の原子価をとり得る金属元 素がある。これらの場合、導電性粉末に含有するその原子価の状態を XPS (X線光 電子分光)、 ESR (電子スピン共鳴)などで調べ、その結果、原子価が 0より大きく 4よ り小さいものを導電性を阻害する不純物とし、原子価が 4のものを導電性に影響を与 えない不純物とし、一方、原子価が 4より大きいものは不純物としない。特に、原子価 力 ¾より大きく 3以下の金属元素は、導電性阻害の影響力が大きい不純物である。
(1)式においては、導電性粉末に含有する原子価 4以下の金属元素を対象として、 酸化スズ中のスズの価数 4力 それらの金属元素の価数 nを引いた値を、それぞれの 金属元素の含有量 (Snに対する原子比で代用)に乗じることにより、それぞれの不純 物の影響力を算出することができ、その総和 (A)を不純物総含有量とする。従って、 不純物総含有量 (A)は∑ (M ) X (4-n )で表される。本発明では、この不純物総含
X X
有量 (A)が 0. 1以下であることが重要であり、好ましくは 0. 07以下、より好ましくは 0 . 06以下、さらに好ましくは 0. 02以下、最も好ましくは 0. 001以下である。原子価 4 以下の金属元素の不純物総含有量が少なくとも前記範囲であれば所望の導電性が 得られるが、前記範囲より多すぎると、所望の導電性が得られにくくなる。なお、本発 明においては、金属元素の定量分析は蛍光 X線分析法を用い、また、金属元素の価 数は、前記の通り、 XPS (X線光電子分光)、 ESR (電子スピン共鳴)などで調べる。 二酸化チタン表面に形成される導電層は、酸化スズを構成する 4価のスズイオンの 一部が 5価のリンイオンによって置換され、酸化スズの中にリンが固溶(ドープ)した構 造をとり、実質的にアンチモンは含有されなレ、。実質的にアンチモンが含有されない とは、通常の蛍光 X線分析装置、例えば理学電気工業社製 RIX3000を使用して、 蛍光 X線分析法において、アンチモンが検出限界以下であることを意味する。導電 層中の酸化スズの量は適宜設定することができる力 二酸化チタンの表面積 lm2当 り、 SnOとして 0. 015—0. 3gの範囲力 S好ましく、 0. 03 0. 3gの範囲力より好まし
2
ぐこの範囲であれば少なくとも良好な導電性が得られる。一方、この範囲より少なす ぎると連続した導電層の形成が困難となりやすぐ所望の導電性が得られにくぐまた 、多すぎると二酸化チタン表面以外に析出しやすく経済的ではなぐまた、導電性粉 末の白度の低下も起こりやすレ、。酸化スズの量は 0. 05-0. 2gの範囲がさらに好ま しい。導電層中のリンの量は適宜設定することができる力 酸化スズに対し、 P/Sn 原子比として 0. 10-0. 50の割合が好ましぐこの範囲であれば、良好な導電性が 得られる。一方、この範囲より少なすぎると所望の導電性が得られにくくなり、また多 すぎても導電性が低下しやすレ、。リンの量は 0· 13-0. 40の割合がより好ましぐ 0. 15-0. 30の割合がさらに好ましい。酸化スズとリンを含む導電層は、ナトリウム、カリ ゥム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、ァノレミニゥム、鉄などの原子価 4以下の金属 元素の含有量が少ないものが好ましぐ連続した導電層の形成は透過型電子顕微鏡 写真で確認することができる。また、導電層の形成状態の指標として、(3)式より求め られる導電層の比表面積を用いることができる。その比表面積が 70m2/gより大きい と連続した層以外に酸化スズが微細な粒子塊で存在しており、 70m2Zg以下であれ ば少なくとも連続した層以外に酸化スズが微細な粒子塊で存在していないといえる。 なお、(3)式中の導電層形成成分の含有量は酸化スズ (Sn〇としての量)、リン (P
〇としての量)の合量である。
(3)式:導電層の比表面積 (m2/g) = (導電性粉末の比表面積値) Z (その導電性 粉末 lg中の導電層形成成分の含有量)
なお、本発明においては、二酸化チタン、導電性粉末の比表面積は BET法により 求めること力 Sできる。
本発明の導電性粉末において、酸化スズとリンを含む導電層を形成するための二 酸化チタンは、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、 鉄などの原子価 4以下の金属元素の含有量が少ないものが好ましぐ二酸化チタン に含まれる不純物としての原子価 4以下の金属元素の含有量力 下記(2)式で求め られる(B)として 0. 02以下であることがより好ましい。
(2)式: (B) = (Μ' ) X (4-η ) + (Μ' ) X (4~η ) + (Μ' ) X (4~η ) + (Μ' )
1 1 2 2 3 3 4
X (4_η' ) +… + (Μ' ) X (4-η' )
4 Υ Υ
(2)式中、 Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、…ヽ Μ' は、たとえば、ナトリウム、カリウム、力ノレ
1 2 3 4 Υ
シゥム、マグネシウム、亜鉛、ァノレミニゥム、鉄などの、原子価 4以下のそれぞれの金 属元素の原子比を示し、二酸化チタンの Tiに対するものである。 M' 、 M' 、 M' 、
1 2 3
M' ,■· - , M' は二酸化チタンに含有される不純物である原子価 4以下の金属元素
4 Y
の数に応じ、 M' の Yは、 1以上の自然数をとり得る。二酸化チタンに、原子価 4以下
Y
の金属元素力 S含まれなレヽ場合 ίま、 = 0となる。 , η' , η' , η' , - - - , n' fま、 M' , M' , M' , M' 、 · · ·、 の原子比を有する金属元素のそれぞれの価数(原
1 2 3 4 Y
子価)を示し、 0より大きく 4以下の数値をとり得る。 n' の Yは、 M' の Yと同じ数値で
Y Y
あり、 1以上の自然数をとり得る。ナトリウム、カリウムなどは原子価 1、カルシウム、マグ ネシゥム、亜鉛などは原子価 2、アルミニウムなどは原子価 3である。なお、鉄は原子 価 2または 3、ケィ素、ジルコニウムの原子価はそれぞれ 2または 4、ニオブの原子価 は 2 5であり、複数の原子価をとり得る金属元素がある。これらの場合二酸化チタン に含有するその原子価の状態を XPS (X線光電子分光)、 ESR (電子スピン共鳴)な どで調べ、その結果、原子価が 0より大きく 4より小さいものを導電性を阻害する不純 物とし、原子価が 4のものを導電性に影響を与えない不純物とし、一方、原子価が 4よ り大きいものは不純物としなレ、。特に、原子価が 0より大きく 3以下の金属元素は、導 電性阻害の影響力が大きレ、不純物である。
(2)式にぉレ、ては、二酸化チタンに含有する原子価 4以下の金属元素を対象として 、二酸化チタンの表面に被覆処理される酸化スズ中のスズの価数 4からそれらの金 属元素の価数 nを引いた値を、それぞれの金属元素の含有量 (Tiに対する原子比で 代用)に乗じることにより、それぞれの不純物の影響力を算出することができ、その総 和(B)を二酸化チタン中の不純物総含有量とする。従って、二酸化チタン中の不純 物総含有量 (B)は∑ ) X (4-η' )で表される。本発明では、この不純物総含有
Υ Υ
量(Β)力 S好ましくは 0. 02以下、より好ましくは 0. 015以下、さらに好ましくは 0. 006 以下である。原子価 4以下の金属元素の二酸化チタン中の不純物総含有量が少なく とも前記範囲であれば所望の導電性が得られるが、前記範囲より多すぎると、所望の 導電性が得られにくくなる。また、原子価 4より大きい金属元素は、リンが酸化スズにド ープされ発生した伝導電子の移動度を低下させるため、二酸化チタンとしては原子 価 4より大きい金属元素の化合物もできる限り含まないのが好ましい。このような金属 元素としてはたとえばニオブなどが挙げられる。また、リン、硫黄などの非金属元素( 酸素は除く)の化合物も二酸化チタンにはできる限り含まれないのが好ましい。より具 体的には、二酸化チタンとしては、原子価 4以下の金属元素および原子価 4より大き い金属元素のほか、リン、硫黄などの非金属元素(酸素は除く)を含めた全不純物含 有量が無水酸化物換算で TiOに対して 1. 5重量%以下、好ましくは 1. 0重量%以 下、より好ましくは 0. 5重量%以下、さらに好ましくは 0. 1重量%以下、すなわち TiO 純度が 98. 5重量%以上、好ましくは 99. 0重量%以上、より好ましくは 99. 5重量
2
%以上、さらに好ましくは 99. 9重量%以上の高品位のものが好適である。
[0015] 本発明で用いる二酸化チタンの粒子形状、粒子径は、導電性粉末の使用場面に 応じて適宜選択することができる。粒子形状は、たとえば、粒状、略球状、球状のもの 、針状、繊維状、柱状、棒状、紡錘状、板状、その他の類似形状のものをそれぞれ用 レ、ることができ、後者の針状形状などの軸比を有するものが導電性の効率化を図りや すいため好ましレ、。また、粒子径は、粒状、略球状、球状のものでは 0. 01 の 平均粒子径を持つものが好ましぐ 0. 03-0. 3 x mがより好ましレ、。一方、針状、繊 維状、柱状、棒状、紡錘状などの軸比を有する場合は、長さ 0. 05-0. 、長さ 対最大直径の比(軸比)が 3以上、好ましくは 10以上の紡錘状微粒子二酸化チタン、 あるいは、長さ 1一 10 x m、長さ対直径の比(軸比)が 3以上、好ましくは 10以上の針 状、棒状等の二酸化チタンがさらによい。二酸化チタンの粒子形状、粒子径は電子 顕微鏡写真より観測され、測定される。
また、二酸化チタンの比表面積は粒子の形状や大きさによって異なり、粒状、略球 状、球状のものでは 0. 5— 160m2/gの範囲が好ましぐ 4一 60m2/gの範囲がより 好ましい。針状、繊維状、柱状、棒状のものでは 0. 3— 20m2/gが好ましぐ 1一 15 m2/gがより好ましい。また、紡錘状のものでは 10— 250m2/gが好ましぐ 30— 20 0m2/gがより好ましい。本発明で用いる二酸化チタンの結晶系は、ルチル、アナタ ース、ブルッカイト、無定形のどの結晶系のものでも使用できる力 導電層の主成分 である酸化スズと同じ結晶系であるルチル型の二酸化チタンは導電性が発現しやす いため、好ましい。
[0016] 前記の導電性粉末の表面には、樹脂への分散性を改善したり、導電性の経時安定 性を改善するなどのために、有機物を付着させてもよい場合がある。有機物としては 、たとえば、ケィ素系、チタニウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、ジルコニウム' アルミニウム系などの有機金属化合物や、ポリオールなどが挙げられる。これらの有 機物を一種あるいは二種以上用いてもよぐその含有量は、導電性粉末の表面積 1 m2に対して、 0. 0001— 0. 4g程度であり、 0. 0006 0. 2g程度力より適当である。 具体的には、ケィ素系有機金属化合物としては、ァミノプロピルトリエトキシシラン、 N- i3 (アミノエチル) γ—ァミノプロピルトリエトキシシラン、 Ν—フエニル _ γ—アミノプ 口ピルトリメトキシシラン、ビュルトリメトキシシラン、ビュルトリエトキシシラン、ビュルトリ キシシランなどのシランカップリング斉 ij n_ブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメト キシシラン、 n キシルトリメトキシシラン、 n キシルトリエトキシシラン、 n—ォクチ ルトリメトキシシラン、 n—ォクチルトリエトキシシラン、 n—デシルトリメトキシシラン、 n—ォ ラン類、フエニルトリエトキシシランンなどのフエニルシラン類、トリフルォロプロピルトリ メトキシシランなどのフルォロシラン類、メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチル ポリシロキサン、メチルフエ二ルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンジオール、ァ ルキル変性シリコーンオイル、アルキルァラルキル変性シリコーンオイル、ァミノ変性 シリコーンオイル、両末端アミノ変性シリコーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル 、両末端エポキシ変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイルなどのポリシ口 キサン類等が挙げられ、また、チタニウム系有機金属化合物としては、イソプロビルト リイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジォクチルピロホスフェート)チタネ ート、テトラ(2, 2—ジァリルォキシメチルー 1—ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチ タネート、ビス(ジォクチルピロホスフェート)ォキシアセテートチタネート、ビス(ジオタ チノレピロホスフェート)エチレンチタネートなどのチタネートカップリング剤等力 また、 アルミニウム系有機金属化合物としては、ァセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレ ートなどのアルミネートカップリング剤等が挙げられる。ジルコニウム系有機金属化合 物としては、例えば、ジルコニウムトリブトキシァセチルァセトネート、ジルコニウムトリ ブトキシステアレートなどが挙げられる。
また、ポリオールとしてはトリメチロールェタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリス リトールなどが挙げられる。
本発明の導電性粉末の製造方法においては、二酸化チタンに含まれる、不純物と しての原子価 4以下の金属元素の含有量が、上記(2)式で求められる(B)として 0. 0 2以下、好ましくは 0. 015以下、より好ましくは 0. 006以下である二酸化チタンを用 レ、ることが重要である。また、好ましい態様として、原子価 4以下の金属元素および原 子価 4より大きい金属元素のほか、リン、硫黄などの非金属元素(酸素は除く)を含め た全不純物含有量が無水酸化物換算で TiOに対して 1. 5重量%以下、好ましくは
2
1. 0重量%以下、より好ましくは 0. 5重量%以下、さらに好ましくは 0. 1重量%以下 、すなわち Ti〇純度が 98. 5重量%以上、好ましくは 99. 0重量%以上、より好ましく
2
は 99. 5重量%以上、さらに好ましくは 99. 9重量%以上の高品位の二酸化チタンを 好適に用いることができる。このような二酸化チタンは、塩素法、硫酸法、火炎加水分 解法、湿式加水分解法、中和法、ゾルーゲル法などの従来の二酸化チタンの製造に おいて、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、ァノレミニゥム、鉄などの 原子価 4以下の金属元素、あるいは全不純物を特定量以下し力、含有しない二酸化 チタンを製造できる方法、あるいは製造条件を選択することにより製造することができ る。また、不純物を特定量以上含む二酸化チタンを製造した後に、不純物含有の二 酸化チタンを酸またはアルカリで処理して、あるいは酸処理した後にアルカリ処理し たり、アルカリ処理した後に酸処理して、原子価 4以下の金属元素、あるいは全不純 物を上記範囲の量にまで除去することができる。使用する酸としては、塩酸、硫酸、 硝酸、弗酸などの無機酸が適当であり、普通これらの酸の 1一 50重量%水溶液を用 いる。アルカリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの 10— 50重量%水溶液 を用いる。酸処理あるいはアルカリ処理は、二酸化チタンを前記酸溶液あるいはアル カリ溶液に投入し、 1一 3時間撹拌すればよぐ必要に応じて 50— 90°Cに加熱しなが ら撹拌してもよい。酸あるいはアルカリのそれぞれ単独処理で所望の品位の二酸化 チタンが得られる力 S、望ましくは酸処理とアルカリ処理とを組み合せる方が高品位の 二酸化チタンが得られやすレ、。
このような二酸化チタンを水性懸濁液とし、この中にスズィ匕合物およびリン化合物を 加えて二酸化チタンの表面にスズィ匕合物とリン化合物を被覆させる。被覆させる方法 としては種々の方法がある力 本発明では、スズィ匕合物およびリン化合物を溶解した 酸水溶液とアルカリ水溶液とを別々に調製し、それらを、二酸化チタン水性懸濁液の pHを 2 6の範囲あるいは 8 12の範囲に維持するように加えることが重要である。 水性懸濁液の pHが前記範囲であれば少なくともスズィヒ合物、リン化合物が均一に二 酸化チタン表面に被覆され、良好な導電性が得られるが、この範囲より低すぎても、 高すぎてもスズィ匕合物、リンィ匕合物が二酸化チタン表面に被覆されにくぐ所望の導 電性が得られにくぐ不純物としての原子価 4以下の金属元素の化合物の含有量が 増加してしまう。二酸化チタン水性懸濁液の pHが 8— 12の範囲であれば、スズ化合 物、リンィ匕合物がより均一に被覆するので好ましぐ 9一 10の範囲がより好ましい。酸 性サイドでは 2— 3の pH範囲が好ましい。水性懸濁液の二酸化チタン濃度は適宜設 定することができ、 25 300gZlが適当であり、 50— 200g/l力好ましレ、。また、水 性懸濁液の温度は室温(10— 30°C)— 95°Cの範囲が好ましぐ 60 8090°Cの範 囲がより好ましレ、。スズィ匕合物およびリン化合物を溶解した酸水溶液とアルカリ水溶 液の温度は特には限定されず、水性懸濁液と同程度の温度で差し支えない。
[0019] スズィ匕合物として、種々のものを使用し得る力 たとえば塩ィ匕第二スズ、塩化第一ス ズ、スズ酸カリウム、スズ酸ナトリウム、フッ化第一スズ、シユウ酸第一スズなどが挙げら れる。また、リン化合物としては、たとえば三塩化リン、オルトリン酸、リン酸水素ナトリ ゥム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素アンモニゥム、亜リン酸、亜リン酸二水素ナトリウ ム、亜リン酸三ナトリウム、五塩化リンなどが挙げられ、これらのうちの一種あるいは二 種以上の化合物を使用することができる。このようなスズィ匕合物、リン化合物を、塩酸 、硫酸、硝酸、弗酸などの無機酸、あるいは蟻酸、酢酸、シユウ酸、クェン酸などの有 機酸に溶解して、酸水溶液を調製する。スズ化合物の添加量は、二酸化チタンに対 し酸ィヒスズを所定量被覆することができる量であればよぐ二酸化チタンの表面積 1 m2当り SnOとして好ましい範囲である 0. 015— 0. 3gに相当する量、より好ましくは
2
0. 03-0. 3gに相当する量、さらに好ましくは 0· 05-0. 2gに相当する量で被覆す るのに必要な量であり、リンィ匕合物の添カ卩量は、酸化スズに対し所定量ドープするこ とができる量であればよぐ PZSn原子比として好ましくは 0. 10-0. 50の割合とな る量、より好ましくは 0. 13-0. 40の害 U合となる量、さらに好ましくは 0. 15-0. 30の 割合でドープするのに必要な量である。酸水溶液中のスズ化合物、リン化合物のそ れぞれの濃度は適宜設定することができる。
[0020] 一方、中和剤として使用するアルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ ゥム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物や炭酸塩、アンモ ニァ、水酸化アンモニゥム、炭酸アンモニゥム、炭酸水素アンモニゥム、ヒドラジン、ヒ ドロキシァミンなどの塩基性化合物の少なくとも一種の水溶液を用いることができる。 次に、二酸化チタンの表面にスズ化合物とリン化合物を被覆させた生成物を分別し 、 600— 925°Cの温度で焼成する。分別は普通濾過し、必要に応じて洗浄して行う。 中和剤としてアルカリ金属の水酸化物や炭酸塩を使用する場合は、洗浄不足でアル カリ金属が該生成物に吸着し、残存すると導電性を低下させる原因となるのでアル力 リ金属が残存しないように充分な洗浄を行うのが好ましい。生成物の洗浄の程度は濾 液の比導電率で管理することができ、比導電率(単位 μ SZcm)が小さいほど洗浄 が行われていることを示す。洗浄の程度として、濾液の比導電率が 125 μ SZcm以 下になるまで洗浄するのが好ましぐ 50 a SZcm以下まで洗浄するのがより好ましい 分別して得られる生成物は、その後必要に応じて乾燥した後 600— 925°C、好まし くは 750— 9250C、より好ましくは 800— 900oC、さらに好ましくは 825— 875°Cの温 度で焼成する。焼成は、酸化雰囲気、還元雰囲気、不活性ガス雰囲気のいずれの雰 囲気中でも行うことができ、空気中で行うのが経済的に有利である力 空気を窒素、 ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスで希釈した低酸素濃度の雰囲気下、窒素、ヘリ ゥム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、あるいは水素、アンモニア、一酸化炭素 などの還元雰囲気下で焼成すると良好な導電性が得られるため好ましい。低酸素濃 度雰囲気下の酸素濃度としては経済性ならびに導電性の観点を考慮して 5— 15容 量%が好ましぐ 7— 10容量%がより好ましい。なお、焼成時間は装置形式、処理量 などによって異なり一概に規定できないが 1一 8時間、好ましくは 1一 63— 6時間が適 当である。焼成後取り出しができる温度まで冷却する。冷却には、焼成後直ちに急冷 する方式と、被焼成物の物温を 2時間以上かけてゆっくりと室温近くまで冷却する徐 冷方式とを選択することができる。急冷方式と徐冷方式とを比べると、低酸素濃度雰 囲気下、あるいは不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下で焼成した後そのままの状態 で冷却する場合、急冷方式と徐冷方式には得られる導電性に大差なく安定してレ、る が、空気中で焼成した後そのままの状態で冷却する場合、急冷方式では徐冷方式に 比べ良好な導電性が得られやすい。このことから、急冷方式ではいずれの雰囲気下 であっても良好な導電性が得られるため好ましい方式である。焼成温度は好ましくは
750°C以上、特に 800°C以上の高温度である。このように高温で焼成すると、被焼成 物の粒子の粗大化や焼結を実質的に惹起することなく焼成でき、焼成時の雰囲気や 冷却方式を適宜選択することによって十分な導電性を容易に付与し得る。
冷却後、被焼成物を焼成装置から取り出した後、粉末にするために常法に従って 解砕処理を施すこともできる。解砕後、必要に応じて解砕物の pHを調整したり、不純 物を除去したりすることもできる。また、必要に応じて、解砕物の表面に湿式法または 乾式法等で有機物を処理することもできる。
本発明の導電性粉末は、従来の導電性粉末と同じように、ガラスなどのセラミック製 品、高分子成形体、高分子フィルムなどのプラスチック製品、電子写真複写紙、静電 記録紙などの紙製品等の導電性付与剤、帯電防止剤、電子写真用トナーの帯電調 整剤または感光ドラムの抵抗調整剤などとして用いられ、セラミック製品、プラスチック 製品、紙製品等に本発明の導電性粉末を練り込んだり、製品表面あるいは製品原料 表面に導電性粉末を含有した塗料を塗布するなどして用いられる。前記のプラスチッ ク製品原料の樹脂としては、その目的、用途などに応じて選択され、特に限定される ものでなく種々の公知のものを使用し得る力 たとえば、ポリアミド、ポリアセタール、 ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、変性ポリ フエ二レンオキサイド、変性ポリフエ二レンエーテルなどの汎用エンジニアリング 'プラ スチックス、ポリエーテノレサノレフォン、ポリサノレフォン、ポリエーテノレエーテノレケトン、ポ リエーテルケトン、ポリフエ二レンサルファイド、ポリアリレート、ポリアミドビスマレイミド、 ポリエーテルイミド、ポリイミド、フッ素樹脂などの特殊エンジニアリング 'プラスチックス 、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、 AS樹脂、 ABS樹脂などの熱可塑性汎 用樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フエノール樹脂、メラミン樹脂、シリ コーン樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。また、本発明の導電性粉末を 含む塗料を調製するための樹脂としては、種々の樹脂を用いることができる。これら のプラスチック製品あるいは導電性塗料に配合する本発明の導電性粉末の配合量 は用途に応じて適宜設定することができる。
実施例 [0023] 以下に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
[0024] 実施例 1
平均粒径が 0. 25 /i mの高品位ルチル型二酸化チタン粉末を用いた。この二酸化 チタンは、塩素法で製造したものであり、不純物としての原子価 4以下の金属元素と してケィ素(4価)が二酸化チタンの Tiに対する原子比で 0. 00027含まれてレ、たが、 式(2)で求められる(B)は 0であった。不純物として原子価 4以下の金属元素以外の 元素(酸素は除く)として、硫黄(6価、非金属元素)が SOとして 0. 02重量%含まれ
3
、Ti〇純度は 99. 96重量%であった。 BET法で求めた比表面積は 6. 6m2Zgであ
2
つた。
この高品位ルチル型二酸化チタン粉末 100gを水中に投入して濃度 lOOg/1の懸 濁液とした。塩酸水溶液を添加して系の pHを 2— 3に調整し、 70°Cに加熱した後こ の中に塩化スズ(SnCl ) 50重量%水溶液173§、 85重量%リン酸(H PO ) 6. lgお
4 3 4 よび 12N—塩酸溶液 75mlを混合した溶液と水酸化ナトリウム水溶液とを該懸濁液の pHを 2— 3に維持するように 60分間に亘つて並行添加して、二酸化チタン粉末上に リン酸を含有する酸化スズの水和物からなる被覆層を形成させた。なお、この懸濁液 の最終 pHを 2とした。さらに 70°Cに維持したまま 20分間撹拌して熟成させた。
次に、被覆された二酸化チタン粉末を濾過し、濾液の比導電率が 50 /i S/cmにな るまで洗浄した後、 120°Cで一晩乾燥して被覆された二酸化チタン粉末を回収した。 回収された被覆された二酸化チタン粉末を空気中、電気炉で 850°Cにて 1時間焼成 し、次いでパルべライザ一パルべライザ一にて解砕粉砕して、本発明の白色導電性 粉末 (試料 A)を得た。
この試料 Aに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り SnO として 0. 07
2
6gであり、リンは酸化スズに対して PZSn原子比で 0. 17の割合であった。また、この 試料 Aに含まれる不純物としての原子価 4以下の金属元素は検出限界以下であり、 ( 1)式で求められる(A)は 0であった。また、試料 Aの比表面積は 30. 2m2Zgであり、 導電層の比表面積は 86. 4m2/gであった。
[0025] 実施例 2
実施例 1におレ、て、高品位ルチル型二酸化チタン粉末の代わりに少量のアルミナ を含有する平均粒径が 0. 25 β mのルチル型二酸化チタン粉末を用いたこと以外は 同様に処理して、本発明の白色導電性粉末 (試料 を得た。
用いた二酸化チタンは、塩素法で製造したものであり、アルミニウム(3価)の含有量 は二酸化チタンの Tiに対する原子比で 0. 005であり、その他の原子価 4以下の金属 元素は検出されず、(2)式で求められる(B)は 0. 005であった。また、原子価 4以下 の金属元素以外の元素(酸素は除く)は検出されず、 Ti〇純度は 99. 7重量%であ
2
り、 BET法で求めた比表面積は 6. 8m2/gであった。
この試料 Bに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り Sn〇として 0. 07
2
4gであり、リンは酸化スズに対して PZSn原子比で 0. 17の割合であった。また、この 試料 Bに含まれるアルミニウム(3価)の Snに対する原子比は 0. 019であり、(1)式で 表される(A)は 0. 019であった。
[0026] 実施例 3
実施例 1におレ、て、高品位ルチル型二酸化チタン粉末の代わりに少量のアルミナ を含有する平均粒径が 0. 25 β mのルチル型二酸化チタン粉末を用いたこと以外は 同様に処理して、本発明の白色導電性粉末 (試料 C)を得た。
用いた二酸化チタンは、塩素法で製造したものであり、アルミニウム(3価)の含有量 は二酸化チタンの Tiに対する原子比で 0. 015であり、その他の原子価 4以下の金属 元素は検出されず、(2)式で求められる(B)は 0. 015であった。また、原子価 4以下 の金属元素以外の元素(酸素は除く)として、リン(5価、非金属元素)が P Oとして 0
2 5
. 1重量%含まれ、 TiO純度は 99. 0重量%であり、 BET法で求めた比表面積は 7.
2
lm / gでめった。
この試料 Cに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り SnO として 0. 07
2
Ogであり、リンは酸化スズに対して PZSn原子比で 0. 17の割合であった。また、この 試料 Cに含まれるアルミニウム(3価)の Snに対する原子比は 0. 057であり、その他 の原子価 4以下の金属元素は検出されず、(1)式で求められる(A)は 0. 057であつ た。
[0027] 実施例 4
実施例 1におレ、て、高品位ルチル型二酸化チタン粉末の代わりに下記の高品位の 針状酸化チタン粉末を用い、また、塩化スズ (SnCl ) 50重量%水溶液173§の代ゎ
4
りに 307g、 85重量%リン酸(H PO ) 6. lgの代わりに 10· 8gをそれぞれ使用したこ
3 4
と以外は同様に処理して、本発明の白色導電性粉末 (試料 D)を得た。
この試料 Dに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り Sn〇として 0. 07
7gであり、リンは酸化スズに対して PZSn原子比で 0. 17の割合であった。また、この 試料 Dに含まれる原子価 4以下の金属元素は検出されず、 (1)式で表される (A)は 0 であった。
なお、実施例 4で用いた針状酸化チタン粉末は、特公昭 47-44974号明細書に記 載の方法に従って製造した。すなわち微粒子含水二酸化チタンを Ti〇として 4重量
2
部、塩化ナトリウム 4重量部およびリン酸水素ナトリウム(Na HPO · 2Η〇)1重量部
2 4 2
を均一に混合してルツボに入れ、電気炉にて 825°Cで 3時間焼成した。その後焼成 物を水中に投入して 1時間煮沸した後濾過、洗浄して可溶性塩類を除去した。このよ うにして得られた針状酸化チタンは長さ 3— 5 μ ΐη、直径 0. 05-0. 07 /i mのもので あり、このものの成分を分析した結果不純物としてナトリウム分を Na Oとして 3. 8重
2
量%、リン分を P Oとして 4. 4重量%含み、 TiO純度は 91. 0重量%であった。な
2 5 2
お、微粒子含水二酸化チタンは、 TiOとして 200g/lの濃度の四塩化チタン水溶液
2
を 30°Cに保持しながら水酸化ナトリウム水溶液で中和してコロイド状の非晶質水酸化 チタンを析出させ、このコロイド状水酸化チタンを 70°Cで 5時間熟成しその後 120°C で乾燥して得られたルチル型の微少チタユアであった。
次に、前記の針状酸化チタンを水中に投入して水懸濁液とし、この中に水酸化ナト リウム水溶液(200g/l)を添加して系の pHを 13. 0に調整した。その後 90°Cに加熱 して 2時間撹拌してアルカリ処理を行レ、、次に塩酸水溶液(lOOgZl)を添加して系の pHを 7. 0に調整した後濾過し、濾液の比導電率が 50 μ SZcmになるまで洗浄した 。引続き次のような酸処理をした。
得られた濾過ケーキを再び水中に投入して水懸濁液とした後塩酸水溶液(100gZ 1)を添加して系の pHを 1. 0に調整し、 90°Cに加熱して 2時間撹拌後濾過し、濾液の 比導電率が 50 a S/cmになるまで洗浄した。
以上のようにして処理された針状酸化チタンの成分を分析した結果、不純物として の原子価 4以下の金属元素は検出限界以下であり、 (2)式で求められる(B)は 0であ つた。不純物として原子価 4以下の金属元素以外の元素(酸素は除く)として、リン(5 価、非金属元素)が p oとして 0. 1重量%含まれ、 TiO純度は 99. 9重量%であつ
2 5 2
た。また、この針状酸化チタンの BET法で求めた比表面積は 11. 5m2Zgであった。
[0028] 比較例 1
実施例 1において、高品位ルチル型二酸化チタン粉末の代わりに平均粒径が 0. 2 5 μ mの顔料用のルチル型二酸化チタン粉末を使用したこと以外は同様に処理して 、試料 Eを得た。
用いた二酸化チタンは、二酸化チタンの Tiに対する原子比で 0. 034のアルミユウ ム(3価)を含有し、ケィ素(4価)を 0. 0027含有し、その他の原子価 4以下の金属元 素は検出されず、式(2)で求められる(B)は 0. 034であった。また、原子価 4以下の 金属元素以外の元素(酸素は除く)として、リン(5価、非金属元素)が P Oとして 0. 1
2 5 重量%含まれ、 TiO純度は 97. 6重量%であり、 BET法で求めた比表面積は 12. 4
2
m / gであった。
この試料 Eに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り SnOとして 0. 04
2
0gであり、リンは酸化スズに対して P/Sn原子比で 0. 17の割合であった。また、この 試料 Eに含まれるアルミニウム(3価)の Snに対する原子比は 0· 12であり、ケィ素(4 価)が 0· 0080であり、その他の原子価 4以下の金属元素は検出されず、 (1)式で表 される(A)は 0· 12であった。
[0029] 比較例 2
実施例 1におレ、て、高品位ルチル型二酸化チタン粉末の代わりに酸化亜鉛を含む ルチル型二酸化チタン粉末を用いたこと以外は同様に処理して、試料 Fを得た。 用いた二酸化チタンは、硫酸法で製造したものであり、二酸化チタンの Tiに対する 原子比で亜鉛(2価)が 0. 007、ナトリウム(1価)が 0. 003、アルミニウム(3価)が 0. 003、ケィ素(4価)が 0. 0027含まれており、その他の原子価 4以下の金属元素は検 出されず、式(2)で求められる(B)は 0. 026であった。また、原子価 4以下の金属元 素以外の元素(酸素は除く)として、リン(5価、非金属元素)が P Oとして 0. 2重量%
2 5
、ニオブ(5価)が Nb〇として 0. 2重量%含まれ、 TiO純度は 98. 4重量%であり、 BET法で求めた比表面積は 6. 7m2/gであった。
この試料 Fに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り Sn〇として 0. 07
2
5gであり、リンは酸化スズに対して P/Sn原子比で 0. 17の割合であった。また、酸 化スズの Snに対する原子比でこの試料 Fに含まれる亜鉛(2価)は 0. 025であり、ナ トリウム(1価)は 0. 016であり、アルミニウム(3価)は 0. 01であり、ケィ素(4価)が 0. 017であり、その他の原子価 4以下の金属元素は検出されず、(1)式で求められる( A)は 0. 108であった。
[0030] 試験例 1
前記実施例 1一 4および比較例 1、 2で得られた導電性粉末にっレ、てその粉体抵抗 ( Ω ' cm)を次の方法で測定し、第 1表の結果を得た。この結果から、本発明の実施 例の試料 A Dによれば、良好な粉体抵抗値が得られることがわかる。
(粉体抵抗の評価)
試料粉末 lgを円柱状筒 (内径 18mm)を用いて、 9. 8MPaの圧力で成型して円柱 状圧粉体を得た。その直流抵抗を測定し下記の式力 粉体抵抗を算出した。
粉体抵抗( Ω · cm) =測定値( Ω ) X断面積 (cm2) /厚み (cm)
[0031] [表 1]
Figure imgf000020_0001
* 1 :二酸化チタンの表面積 lm2当りの Sn〇含有量 (g)
2
試験例 2
実施例 1一 4および比較例 2の導電性粉末各 20gをアクリル樹脂(アタリディック A— 165— 45、固形分 45重量%、大日本インキ化学工業製) 30. 6g、トルエンーブタノ一 ル混合溶液(混合重量比 1: 1) 16. 4gおよびガラスビーズ 50gと混合した後ペイント シェーカー(Red devil社、 # 5110)に入れて 20分間振とうしてそれぞれのミルベース を調製した。次に、各ミルベースにそれぞれの顔料濃度が第 2表のものになるように 上記アクリル樹脂および上記トルエン -ブタノール混合溶液をそれぞれ所定量加え、 撹拌、混合して塗料を調節した。この塗料をアート紙に乾燥膜厚が 22 z mとなるよう に塗布し、 24時間自然乾燥して試験紙を作成した。 TR-8601 (アドバンテスト製、 チャンバ一: TR-42)または R—506 (川口電気製作所製、チャンバ一: P_611)でこ のシートの表面抵抗率を測定して第 2表の結果を得た。この結果から、本発明の実施 例の試料 A Dによれば、良好な表面抵抗値を有するものが得られることがわかる。
[0033] [表 2]
Figure imgf000021_0001
[0034] 酸化スズ含有量の影響を調べるために、実施例 1において、塩化スズ (SnCl ) 50
4 重量%水溶液 173gの代わりに、 104g、 260g、 346gをそれぞれ用いること以外は 同様に処理して、試料 G、 H、 Iを調製した。
なお、これらの試料のリン含有量を P/Sn原子比で 0. 17とするため、実施例 1に おいて用いた、 85重量%リン酸(H PO ) 6. lgの代わりにそれぞれ 3. 7g、 9. 2g、 1
3 4
2. 2gを使用した。
得られた試料の粉体抵抗を試験例 1に従って測定したところ、第 3表に示す結果が 得られた。また、得られた試料の表面抵抗率を試験例 2に従って測定したところ、第 4 表に示す結果が得られた。これらの結果から、導電層を形成する酸化スズが二酸化 チタンの表面積 lm2当り、 SnOとして少なくとも 0. 03-0. 3gの範囲であれば、良
2
好な粉体抵抗値、表面抵抗値が得られることがわかる。 [0035] [表 3]
Figure imgf000022_0001
*1:二酸化チタンの表面積 lm2当りの Sn〇含有量 )
2
[表 4]
Figure imgf000022_0002
*1:二酸化チタンの表面積 lm2当りの Sn〇含有量 (g)
2
[0037] リン含有量の影響を調べるために、実施例 1において、リン酸を添加しないこと、 85 重量。 /0リン酸 (H PO )6. lgの代わりに 10· 2gをそれぞれ用いること以外は同様に
3 4
処理して、試料 J、 Kを調製した。
得られた試料の粉体抵抗を試験例 1に従って測定したところ、第 5表に示す結果が 得られた。これらの結果から、導電層に含まれるリンが酸化スズに対して PZSn原子 比で 0.10-0.50の割合であれば、良好な粉体抵抗値が得られることがわかる。
[0038] [表 5]
P/S n原子比 粉体抵抗 (Ω · cm)
試料 J 0. 00 8.2 106 試料 A 0. 17 3.1 X 102 試料 0. 28 1.1X103 [0039] 焼成温度の影響を調べるために、実施例 1において、 850°Cでの焼成を行わない こと、 600。C、 700。C、 800。C、 900。C、 950。C、 1000。Cのそれぞれの温度で空気中 焼成すること以外は同様に処理して、試料 L、 M、 N、〇、 P、 Q、 Rを調製した。
得られた試料の粉体抵抗を試験例 1に従って測定したところ、第 6表に示す結果が 得られた。これらの結果から、焼成温度として、少なくとも 750— 925°C程度が好まし レ、ことがわ力る。
[0040] [表 6]
Figure imgf000023_0001
[0041] 塩化スズ、リン酸を添カ卩する際の pHの影響を調べるために、実施例 1において、高 品位ルチル型二酸化チタン水性懸濁液に、塩化スズ (SnCl )、 85重量%リン酸 (H
4 3
PO )および 12N -塩酸溶液を混合した溶液と水酸化ナトリウム水溶液とを該懸濁液
4
の pHを 9一 10に維持するように 60分間に亘つて並行添加し、その後この懸濁液の 最終 pHを 2としたこと以外は実施例 1と同様に処理して、試料 Sを調製した。
この試料 Sの比表面積は 17. 3m2Zgであり、導電層の比表面積は 49. 5m2/gで あることから、実施例 1の試料 Aに比べて、より連続した導電層が形成されていること が示され、また、透過型電子顕微鏡写真からも連続した導電層を確認できた。
なお、試料 Sに含まれる酸化スズは二酸化チタンの表面積 lm2当り Sn〇として 0. 0
2
75gであり、リンは酸化スズに対して PZSn原子比で 0. 17の割合であった。また、こ の試料 Sに含まれる原子価 4以下の金属元素は検出限界以下であり、(1)式で表さ れる(A)は 0であった。
得られた試料の粉体抵抗を試験例 1に従って測定したところ、第 7表に示す結果が 得られた。これらの結果から、塩化スズ、リン酸を添加する際の pHとして、 2— 6程度 の酸性域と同様に 8— 12程度のアルカリ性域も好ましいことがわかる。
[表 7]
Figure imgf000024_0001
[0043] 焼成の際の酸素濃度、冷却方式の影響を調べるために、実施例 1において、焼成 前の被覆された二酸化チタン粉末を空気中で焼成し、焼成後急冷 (被焼成物をすぐ に取り出し室温中で放冷)したもの、あるいは、空気中で焼成し、焼成後徐冷(300°C まで 2時間かけて冷却)したものを調製した (試料 T)。さらに、実施例 1において、焼 成前の被覆された二酸化チタン粉末を酸素濃度 7— 8容積% (空気を窒素ガスで希 釈)、酸素濃度 0容積% (窒素ガス)の雰囲気下で 850°Cにて 1時間焼成し、焼成後 前記と同じように急冷方式または徐冷方式で冷却して、試料 U、 Vを調製した。
得られた試料の粉体抵抗を試験例 1に従って測定したところ、第 8表に示す結果が 得られた。これらの結果から、低酸素濃度雰囲気下、あるいは不活性ガス雰囲気下 で焼成した後そのままの状態で冷却する場合、急冷方式と徐冷方式には得られる導 電性に大差なく安定しており、冷却方式の影響が少ないこと、一方、空気中で焼成し た後そのままの状態で冷却する場合、急冷方式が好ましいことがわかる。
[0044] [表 8]
Figure imgf000024_0002
産業上の利用可能性 本発明によれば、毒性上の問題のあるアンチモンを実質的に含まない、良好な導 電性を有するリンをドープした酸化スズの導電層を有する二酸化チタンが提供される

Claims

請求の範囲 [1] 二酸化チタンの表面に、酸化スズおよびリンを含むがアンチモンを実質的に含まな い導電層を有し、導電性粉末に含まれる不純物としての原子価 4以下の金属元素の 含有量が、下記(1)式で求められる (A)として 0. 1以下であることを特徴とする導電 性粉末。
(1)式: (A) = (M ) X (4-n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4— n ) + (M ) X (4_n
1 1 2 2 3 3 4 4
) +〜+ (M ) X (4-n )
X X
ここで、 M、 M、 M、 M、 · · ·、 M は、導電性粉末中の酸化スズの Snに対する原
1 2 3 4 X
子価 4以下の金属元素のそれぞれの原子比であり、 n、 n、 n、 n、 · · ·、 nは、 M、
1 2 3 4 X 1
M、 M、 M、 · · ·、 Mの原子比を有する金属元素のそれぞれの価数を示し、 M 、 n
2 3 4 X X X の Xは、導電性粉末に含まれる前記金属元素の数を示し、 1以上の自然数をとり得る
[2] 前記導電層を形成する酸化スズが二酸化チタンの表面積 lm2当り、 SnOとして 0.
2
015-0. 3gの範囲であることを特徴とする請求項 1に記載の導電性粉末。
[3] 前記導電層に含まれるリンが酸化スズに対して P/Sn原子比で 0. 10-0. 50の割 合であることを特徴とする請求項 1に記載の導電性粉末。
[4] 二酸化チタンに含まれる、不純物としての原子価 4以下の金属元素の含有量が、下 記(2)式で求められる(B)として 0. 02以下であることを特徴とする請求項 1に記載の 導電性粉末。
(2)式: (B) = (Μ' ) X (4-η' ) + (Μ' ) X (4_η' ) + (Μ' ) X (4— η' ) + (Μ' )
1 1 2 2 3 3 4
X (4_η' ) +… + (Μ' ) X (4-η' )
4 Υ Υ
ここで、 Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、■·■、 Μ' は、二酸化チタンの Tiに対する原子価 4
1 2 3 4 Y
以下の金属元素のそれぞれの原子比であり、 η' 、η' 、η' 、η' 、■·■、!!' は、 Μ' 、
1 2 3 4 Υ 1
Μ' 、 Μ' 、 Μ' 、…、 Μ' の原子比を有する金属元素のそれぞれの価数を示し、 Μ
2 3 4 Υ
' 、 の Υは、二酸化チタンに含まれる前記金属元素の数を示し、 1以上の自然数
Υ Υ
をとり得る。
[5] 二酸化チタンに含まれる、不純物としての原子価 4以下の金属元素の含有量力 上 記(2)式で求められる(Β)として 0. 02以下である二酸化チタンの水性懸濁液に、ス ズィ匕合物およびリン化合物を溶解した酸水溶液とアルカリ水溶液とを該水性懸濁液 の pHを 2— 6の範囲あるいは 8— 12の範囲に維持するように加え、次いで、得られた 生成物を分別し、 600— 925°Cの温度で焼成して、二酸化チタン表面に酸化スズとリ ンを含む導電層を形成することを特徴とする導電性粉末の製造方法。
PCT/JP2004/010391 2003-07-23 2004-07-22 導電性粉末およびその製造方法 WO2005008685A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020067001329A KR101056979B1 (ko) 2003-07-23 2004-07-22 전도성 분말 및 그 제조를 위한 방법
EP04747803A EP1647997B1 (en) 2003-07-23 2004-07-22 Electroconductive powder and method for production thereof
CN2004800210362A CN1826665B (zh) 2003-07-23 2004-07-22 导电粉末及其生产方法
US10/565,244 US7407606B2 (en) 2003-07-23 2004-07-22 Electroconductive powder and method for production thereof
JP2005511897A JP5095943B2 (ja) 2003-07-23 2004-07-22 導電性粉末の製造方法
AT04747803T ATE553486T1 (de) 2003-07-23 2004-07-22 Elektroleitfähiges pulver und herstellungsverfahren dafür
CA2533371A CA2533371C (en) 2003-07-23 2004-07-22 Electroconductive powder and method for production thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003278208 2003-07-23
JP2003-278208 2003-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005008685A1 true WO2005008685A1 (ja) 2005-01-27

Family

ID=34074697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/010391 WO2005008685A1 (ja) 2003-07-23 2004-07-22 導電性粉末およびその製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7407606B2 (ja)
EP (1) EP1647997B1 (ja)
JP (1) JP5095943B2 (ja)
KR (1) KR101056979B1 (ja)
CN (1) CN1826665B (ja)
AT (1) ATE553486T1 (ja)
CA (1) CA2533371C (ja)
TW (1) TWI365459B (ja)
WO (1) WO2005008685A1 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005108732A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性粉末及びその製造方法
WO2007102490A1 (ja) 2006-03-07 2007-09-13 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. 酸化チタン及び導電性酸化チタン並びにそれらの製造方法
JP2008288196A (ja) * 2007-04-16 2008-11-27 Kao Corp 透明導電膜の製造方法
JP2010123302A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Mitsubishi Materials Corp 表面改質白色導電性粉末およびその製造方法
JP2011501880A (ja) * 2007-10-18 2011-01-13 セラムテック アクチエンゲゼルシャフト 圧電セラミック多層エレメント
WO2011027911A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
WO2011027912A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP2011054508A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Mitsubishi Materials Corp 白色導電性粉末
JP2012018405A (ja) * 2009-09-04 2012-01-26 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2012018381A (ja) * 2009-09-04 2012-01-26 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2012118230A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
WO2012118229A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electrophotographic photosensitive member
US8455170B2 (en) 2011-03-03 2013-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member
WO2014002915A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member
JP2014148431A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Mitsubishi Materials Corp 導電性複合粒子およびその製造方法
JP2015144117A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 三井金属鉱業株式会社 導電性粒子
EP2891016A4 (en) * 2012-08-30 2016-04-06 Canon Kk ELECTRO-PHOTOGRAPHIC LENS-SENSITIVE ELEMENT, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTRO-PHOTOGRAPHIC DEVICE
JP2017082231A (ja) * 2010-12-01 2017-05-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung 誘電性コーティングおよび物品

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2533293C (en) * 2003-07-23 2009-09-29 Kansai Paint Co., Ltd. White electrically conducting primer composition and method for forming multilayer coating film
WO2005008685A1 (ja) 2003-07-23 2005-01-27 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. 導電性粉末およびその製造方法
CN105050757B (zh) * 2013-04-05 2018-04-13 株式会社村田制作所 金属粉末及其制造方法、使用该金属粉末的导电性糊膏以及层叠陶瓷电子部件
DE102014008963A1 (de) 2014-06-23 2016-01-07 Merck Patent Gmbh Additiv für LDS-Kunststoffe
US9803055B2 (en) 2015-02-24 2017-10-31 Hempel A/S Method for producing fluorinated polysiloxane
CN107216687A (zh) * 2017-06-30 2017-09-29 安徽金星钛白(集团)有限公司 一种基于改进表面处理工艺制备导电型钛白的方法
JP7403346B2 (ja) * 2020-02-21 2023-12-22 チタン工業株式会社 帯電した電荷を維持する能力に優れた帯電調整用粉体及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154621A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性二酸化チタン粉末の製造方法
JPH06207118A (ja) * 1993-01-12 1994-07-26 Titan Kogyo Kk 白色導電性二酸化チタン粉末及びその製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3522078A (en) * 1967-04-21 1970-07-28 Ppg Industries Inc Process of treating titanium dioxide
US3579310A (en) * 1967-06-28 1971-05-18 Du Pont Preparation of acicular rutile tio2
GB1336292A (en) * 1970-01-15 1973-11-07 Laporte Industries Ltd Treatment of oxide pigments
EP0025583B1 (en) * 1979-09-14 1982-11-24 Mitsubishi Materials Corporation Electroconductive powder and process for production thereof
FR2568577B1 (fr) * 1984-08-02 1986-10-03 Centre Nat Etd Spatiales Pigment oxyde d'etain dope a l'oxyde d'antimoine ayant des proprietes de conductivite electrique ameliorees, sa preparation et peintures conductrices blanches et teintees le contenant utiles pour l'elimination des charges electrostatiques
DE3666450D1 (en) * 1986-02-27 1989-11-23 Kronos Titan Gmbh Process for improving dioxide pigments by after-treatment
DE3764238D1 (de) * 1986-11-11 1990-09-13 Ishihara Sangyo Kaisha Nadelkristallfoermiges elektrisch leitfaehiges titanoxid und verfahren zur herstellung desselben.
JPH0617231B2 (ja) 1986-11-11 1994-03-09 石原産業株式会社 針状導電性酸化チタン及びその製造方法
CN1072700A (zh) * 1991-11-22 1993-06-02 尹维平 一种薄厚膜复合电热涂层
JP3365821B2 (ja) * 1992-06-11 2003-01-14 石原産業株式会社 導電性酸化スズ微粉末及びその製造方法
JPH0617231A (ja) 1992-06-30 1994-01-25 Kyocera Corp 硬質膜を有する透光窓およびその製造方法
US5698315A (en) * 1992-09-07 1997-12-16 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Electrically-conductive colorless transparent barium sulfate filler
EP0609511B1 (en) * 1992-12-01 1998-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus employing the same
US5364566A (en) * 1993-02-12 1994-11-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making electroconductive powders
US5569412A (en) * 1994-08-18 1996-10-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tin oxide based conductive powders and coatings
DE4435301A1 (de) * 1994-10-01 1996-04-04 Merck Patent Gmbh Leitfähige Pigmente
US6211144B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-03 Novo Nordisk A/S Stable concentrated insulin preparations for pulmonary delivery
JP3904174B2 (ja) * 1999-02-18 2007-04-11 パウダーテック株式会社 電子写真現像剤用キャリア及び該キャリアを用いた現像剤
US6653356B2 (en) * 1999-12-13 2003-11-25 Jonathan Sherman Nanoparticulate titanium dioxide coatings, and processes for the production and use thereof
CN1385862A (zh) * 2001-05-15 2002-12-18 上海博纳维来新材料有限公司 一种浅色超细导电粉的制备方法
WO2004078861A1 (ja) 2003-03-04 2004-09-16 Kansai Paint Co. Ltd. 白色導電性プライマー塗料組成物及び複層塗膜形成方法
US6787231B1 (en) * 2003-04-11 2004-09-07 Electroplated Metal Solutions, Inc. Tin (IV) oxide nanopowder and methods for preparation and use thereof
JP4712288B2 (ja) 2003-05-23 2011-06-29 チタン工業株式会社 白色導電性粉末及びその応用
WO2005008685A1 (ja) 2003-07-23 2005-01-27 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. 導電性粉末およびその製造方法
CA2533293C (en) 2003-07-23 2009-09-29 Kansai Paint Co., Ltd. White electrically conducting primer composition and method for forming multilayer coating film
FR2874927B1 (fr) * 2004-09-03 2012-03-23 Kansai Paint Co Ltd Compositions de peintures, procedes d'application de ces peintures et pieces revetues de ces peintures.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154621A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性二酸化チタン粉末の製造方法
JPH06207118A (ja) * 1993-01-12 1994-07-26 Titan Kogyo Kk 白色導電性二酸化チタン粉末及びその製造方法

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4493966B2 (ja) * 2003-09-30 2010-06-30 三井金属鉱業株式会社 導電性粉末及びその製造方法
JP2005108732A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性粉末及びその製造方法
US8227083B2 (en) 2006-03-07 2012-07-24 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. Conductive titanium oxide comprising titanium oxide of columnar shape and specific dimensions, and processes for producing thereof
WO2007102490A1 (ja) 2006-03-07 2007-09-13 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. 酸化チタン及び導電性酸化チタン並びにそれらの製造方法
US9809461B2 (en) 2006-03-07 2017-11-07 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. Titanium oxide, conductive titanium oxide, and processes for producing these
US9428400B2 (en) 2006-03-07 2016-08-30 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. Processes for producing columnar titanium dioxide particles
US8926713B2 (en) 2006-03-07 2015-01-06 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. Method of making titanium dioxide in the shape of columnar particles
JP2008288196A (ja) * 2007-04-16 2008-11-27 Kao Corp 透明導電膜の製造方法
JP2011501880A (ja) * 2007-10-18 2011-01-13 セラムテック アクチエンゲゼルシャフト 圧電セラミック多層エレメント
JP2010123302A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Mitsubishi Materials Corp 表面改質白色導電性粉末およびその製造方法
US9256145B2 (en) 2009-09-04 2016-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US8778580B2 (en) 2009-09-04 2014-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP2011054508A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Mitsubishi Materials Corp 白色導電性粉末
WO2011027911A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP2012018405A (ja) * 2009-09-04 2012-01-26 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2011027912A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US10073362B2 (en) 2009-09-04 2018-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP2012018381A (ja) * 2009-09-04 2012-01-26 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
RU2506619C2 (ru) * 2009-09-04 2014-02-10 Кэнон Кабусики Кайся Электрофотографический светочувствительный элемент, технологический картридж и электрофотографическое устройство
RU2507554C2 (ru) * 2009-09-04 2014-02-20 Кэнон Кабусики Кайся Электрофотографический фоточувствительный элемент, технологический картридж и электрофотографическое устройство
JP2017082231A (ja) * 2010-12-01 2017-05-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung 誘電性コーティングおよび物品
US10640658B2 (en) 2010-12-01 2020-05-05 Merck Patent Gmbh Dielectric coatings and articles
US8455170B2 (en) 2011-03-03 2013-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member
CN103430104A (zh) * 2011-03-03 2013-12-04 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备以及电子照相感光构件的制造方法
KR101476578B1 (ko) * 2011-03-03 2014-12-24 캐논 가부시끼가이샤 전자사진 감광체의 제조 방법
JP2013083909A (ja) * 2011-03-03 2013-05-09 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法
RU2541719C1 (ru) * 2011-03-03 2015-02-20 Кэнон Кабусики Кайся Электрофотографический фоточувствительный элемент, технологический картридж и электрофотографическое устройство, и способ изготовления электрофотографического фоточувствительного элемента
US9040214B2 (en) 2011-03-03 2015-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
US9046797B2 (en) 2011-03-03 2015-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electrophotographic photosensitive member
JP2013083910A (ja) * 2011-03-03 2013-05-09 Canon Inc 電子写真感光体の製造方法
WO2012118229A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electrophotographic photosensitive member
WO2012118230A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
WO2014002915A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member
US9372417B2 (en) 2012-06-29 2016-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member
JP2014029458A (ja) * 2012-06-29 2014-02-13 Canon Inc 電子写真感光体の製造方法
US9372419B2 (en) 2012-08-30 2016-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
RU2596193C1 (ru) * 2012-08-30 2016-08-27 Кэнон Кабусики Кайся Электрофотографический фоточувствительный элемент, технологический картридж и электрофотографическое устройство
EP2891016A4 (en) * 2012-08-30 2016-04-06 Canon Kk ELECTRO-PHOTOGRAPHIC LENS-SENSITIVE ELEMENT, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTRO-PHOTOGRAPHIC DEVICE
JP2014148431A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Mitsubishi Materials Corp 導電性複合粒子およびその製造方法
JP2015144117A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 三井金属鉱業株式会社 導電性粒子

Also Published As

Publication number Publication date
JP5095943B2 (ja) 2012-12-12
EP1647997A1 (en) 2006-04-19
TW200506970A (en) 2005-02-16
EP1647997A4 (en) 2010-02-17
KR101056979B1 (ko) 2011-08-16
ATE553486T1 (de) 2012-04-15
EP1647997B1 (en) 2012-04-11
CA2533371A1 (en) 2005-01-27
US7407606B2 (en) 2008-08-05
US20060208228A1 (en) 2006-09-21
TWI365459B (en) 2012-06-01
CN1826665A (zh) 2006-08-30
CA2533371C (en) 2012-10-09
CN1826665B (zh) 2010-11-24
KR20060060661A (ko) 2006-06-05
JPWO2005008685A1 (ja) 2007-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005008685A1 (ja) 導電性粉末およびその製造方法
Morales-Morales Synthesis of hematite a-Fe 2 O 3 nano powders by the controlled precipitation method
JP4712288B2 (ja) 白色導電性粉末及びその応用
JP2838686B2 (ja) 水とアルコールの混合溶媒中のチタン塩溶液からの結晶質チタニア粉末の製造方法
JP5629344B2 (ja) 酸化スズ粒子及びその製造方法
JP3005319B2 (ja) 針状あるいは板状低次酸化チタンおよびその製造方法
DE102009037992A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dispersionen mit metalloxidischen Nanopartikeln und Dispersion
JP2001026423A (ja) ルチル型超微粒子二酸化チタンの製造方法
Nosrati et al. One-step synthesis of high purity ZnO micro/nanostructures from pure Zn and pre-alloyed brass powders by vapor phase transport
Mishra Smart ceramics: preparation, properties, and applications
JP3422832B2 (ja) 樹枝状又はヒトデ状微粒子二酸化チタン及びその製造方法
JP2020011857A (ja) チタン酸カルシウム粉体及びその製造方法並びに電子写真用トナー外添剤
JPS61106414A (ja) 導電性低次酸化チタン微粉末及びその製造方法
JP2994020B2 (ja) 導電性二酸化チタン粉末の製造方法
JP2013177259A (ja) 複合金属酸化物粒子およびこれを含む組成物
JP5415864B2 (ja) 塗料組成物
KR101082040B1 (ko) 탄화 티타늄 분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄화 티타늄 분말
Jafari et al. Structural, magnetic and electrical properties of pure and Dy-doped Fe2O3 nanostructures synthesized using chemical thermal decomposition technique
JP5096802B2 (ja) 疎水性オルトチタン酸微粒子及び電子写真用トナー
JP6559595B2 (ja) 二酸化チタン複合粉末及び導電性複合粉末の製造方法並びに二酸化チタン複合粉末及び導電性複合粉末
Nussbaumer et al. Transparent, anatase-free TiO2 nanoparticle dispersions
Han et al. Catalytic synthesis of hematite–mica pearlescent pigments using a low-temperature method
Nattah et al. An Overview of Iron Oxide Nanoparticles: Characterisation, Synthesis, and Potential Applications.
Gowtham Sanjai et al. Synthesis of Titanium Dioxide (TiO2) Nanoparticles by Sol-Gel Method and its Characterization
Trommer et al. Ceramic Products Produced by FS

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480021036.2

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005511897

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10565244

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2533371

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067001329

Country of ref document: KR

Ref document number: 2004747803

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004747803

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067001329

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10565244

Country of ref document: US