WO2004021516A1

WO2004021516A1 - 異方導電性シート、その製造方法およびその応用

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Publication number: WO2004021516A1
Application number: PCT/JP2003/010747
Authority: WO
Inventors: Kazuo Inoue; Katsumi Sato
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2002-08-27
Filing date: 2003-08-26
Publication date: 2004-03-11
Also published as: CN1685568A; TWI276252B; US20060084297A1; KR100844627B1; TW200410450A; AU2003261721A1; EP1548884A4; KR20050059083A; CN100468867C; EP1548884A1; US7393471B2

Description

明細書異方導電性シート、その製造方法およびその応用

技術分野

本発明は、半導体集積回路などの回路装置の電気的検査に用いられるコネクタ一として好適な異方導電性シート、その製造方法およびその応用に関する。背景技術

異方導電性エラストマ一シートは、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用レ、ずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であることなどの特長を有するため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピュータ一キーボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント回路基板とリードレスチップキヤリァー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして広く用いられている。

また、パッケージ I C、 MCM等の半導体集積回路装置、集積回路が形成されたウェハ、プリント回路基板などの回路装置の電気的検査においては、検查対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、電気回路部品の被検查電極領域と検査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性ェラストマーシートを介在させることが行われている。

従来、このような異方導電性エラストマーシートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特開昭 5 1 - 9 3 3 9 3号公報等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマーシト（以下、これを「分散型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、また、特開昭 5 3— 1 4 7 7 7 2号公報等には、導電性磁性体粒子をエラストマ一中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマ一シート（以下、これを「偏在型異方導電' I"生エラストマ一シート」という。）が開示され、更に、特開昭 6 1— 2 5 0 9 0 6号公報等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示されている。

そして、偏在型異方導電性エラストマ一シートは、接続すべき回路装置の電極パターンと対掌のパターンに従って導電部が形成されているため、分散型異方導電性エラストマ一シートに比較して、接続すべき電極の配列ピッチすなわち隣接する電極の中心間距離が小さレヽ回路装置などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼' I"生で達成することができる点で、有利である。

しかしながら、従来の異方導電性エラストマ一シートにおいては、以下のような問題がある。

半導体集積回路装置などの回路装置の電気的検査においては、潜在的欠陥を有する回路装置を選別するために、高温環境下において回路装置の電気的検查を行うバーンィン試験が行われている。

異方導電性エラストマーシートを使用したパーンィン試験について具体的に説明すると、異方導電性エラストマーシートの一面に被検査回路装置を配置すると共に、当該異方導電性エラストマ一シートの他面に検査用回路基板を配置し、更にこれらを厚み方向に加圧することにより、被検査回路装置の被検査電極と検査用回路基板の検査電極との電気的接続が達成される。次いで、被検査回路装置を所定の温度に加熱し、この状態で、所定の時間保持される。その後、当該被検査回路装置の所要の電気的検査が行われる。

しかしながら、異方導電性エラストマ一シートを形成する弾性高分子物質例えばシリコーンゴム中には未硬ィ匕の低分子量成分が残存しており、当該低分子量成分が異方導電性エラストマーシートの表面にブリードするため、当該異方導電性エラストマ一シートに接触する被検査回路装置が汚染する。また、異方導電性エラストマ一シートは、低分子量成分が残存することにより、高い温度で接着性を帯びるため、高温環境下において被検査回路装置に圧接された状態で長時間保持された^^には、異方導電性エラストマ一シートが被検査回路装置に接着する結果、両者を剥離させる際には、異方導電性エラストマーシ一トおよび被検査回路装置のいずれか一方または両方に損傷を与える、という問題がある。

一方、異方導電性エラストマ一シートと被検査回路装置との間にシート状コネクターを介在させてバーンィン試験を行う場合には、低分子量成分による被検査回路装置の汚染および被検査回路装置に対する異方導電性エラストマーシートの接着が生ずることを回避することができる。

然るに、このような場合には、異方導電性エラストマ一シートがシート状コネクタ一に接着する結果、両者を剥離させる際には、異方導電性エラストマーシートおよぴシート状コネクターのいずれか一方または両方に損傷を与える。また、異方導電性エラストマ一シートがシート状コネクターに接着すると、当該シート状コネクターに撓みが生じるため、このような状態で回路装置の電気的検査に使用する場合には、被検査回路装置における全ての被検査電極に対して安定な電気的接続を達成することが困難となる。

また、従来の異方導電性エラストマ一シートを、半田よりなる被検査電極を有する回路装置の電気的検査に用いる場合には、以下のような問題がある。

すなわち、半田よりなる被検査電極を有する回路装置のプローブ試験に多数回にわたつて繰り返し使用した場合や、高温環境下における試験例えばバーンィン試験に繰り返し使用した場合には、被検査電極を構成する半田物質が異方導電性エラストマ一シートの表面に付着し、更には導電性粒子中に拡散する結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

このような問題を解決するため、異方導電性エラストマ一シートにおける導電部の表面に、半田物質に対して耐拡散性を有する金属層を形成する手段が提案されている（例えば特開 2 0 0 2— 2 8 0 0 9 2号公報参照。）。

然るに、このような手段では、当該金属層の表面に半田物質が付着することを抑制することができないため、結局、長期間にわたって所要の導電性を維持することが困難となる。

更に、従来の偏在型異方導電性エラストマ一シートには、以下のような問題がある。

偏在型異方導電性エラストマ一シートにおいては、相当に大きい領域の絶縁部が存在するため、当該偏在型異方導電性エラストマ一シートの使用方法や使用環境によっては、当該偏在型異方導電性エラストマ一シートの絶縁部の表面が静電気を帯びて種々の問題が生じる。

例えば、偏在型異方導電性エラストマ一シートを回路装置の電気的検査に用いる場合には、検査すべき回路装置と検査用回路基板との間に偏在型異方導電性ェラストマ一シートを介在させ、この異方導電性エラストマ一シートを加圧することにより、検査すべき回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成して電気的検査が行われるが、加圧動作おょぴ剥離動作によって電荷が発生しやすく、多数の回路装置の電気的検査を連続して行うことにより、異方導電性ェラストマーシートにおける絶縁部の表面に電荷が蓄積され、高い電圧の静電気を帯びることになる。

そして、当該静電気が異方導電性エラストマ一シートの導電部を介して放電することにより、異方導電' I"生エラストマ一シートの導電部や検査用回路基板における配線回路だけでなく、検査対象である回路装置にまで悪影響を与えることがあり、その結果、異方導電†生エラストマ一シートや検査用回路基板が故障したり、検查対象である被検查回路装置が破壊するおそれがある。発明の開示

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第 1の目的は、接続対象体を汚染することがなく、また、高温環境下において接続対象体によつて加圧された状態で長時間放置された場合にも、当該接続対象体に接着することがなく、し力も、電荷が蓄積されることが防止または抑制されて静電気による悪影響を排除することができる異方導電性シートを提供することにある。本発明の第 2の目的は、第 1の目的に加えて、更に、接続対象電極が半田よりなるものであっても、長期間にわたって所要の導電性が維持される異方導電性シ一トを提供することにある。

本発明の第 3の目的は、接続対象体を汚染することがなく、また、高温環境下にお 1/ヽて接続対象体によつて力 tl圧された状態で長時間放置された場合にも、当該接続対象体に接着することがなく、しかも、電荷が蓄積されることが防止または抑制されて静電気による悪影響を排除することができる異方導電性シートの製造方法を提供することにある。

本発明の第 4の目的は、上記の異方導電性シートを具えた異方導電性コネクタ一、回路検查用プローブおよぴ回路検査装置を提供することにある。

本発明の異方導電性シートは、弾性高分子物質により形成されてなり、厚み方向に伸びる複数の導電部おょぴこれらの導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する異方導電性シート本体と、

この異方導電性シート本体における一面または両面に、少なくとも絶縁部を覆うよう一体的に形成された D L C膜と

を有してなることを特徴とする。

本発明の異方導電性シートにおいては、 D L C膜の表面抵抗率が 1 X 1 0 ⁸〜 1 X 1 0 ¹⁴ Ω/口であることが好ましい。

また、本発明の異方導電性シートにおいては、 D L C膜の厚みが 1〜 5 0 0 n mであることが好ましい。

また、本発明の異方導電性シートにおいては、異方導電性シート本体を形成する弾性高分子物質がシリコーンゴムであることが好ましい。

また、本発明の異方導電性シートにおいては、 D L C膜が、異方導電性シート本体における一面全面または両面全面を覆うよう形成されていることが好ましいまた、本発明の異方導電性シートにおいては、異方導電性シート本体における一面に、導電部を覆うよう金属層が一体的に形成されていてもよい。

このような異方導電性シートにおいては、 D L C膜が、金属層の表面を覆うよう形成されていることが好ましい。

また、金属層の表面抵抗率が 1 X I 0— ² Ω /口以下であることが好ましい。また、金属層の厚みが 5〜1 0 0 0 n mであることが好ましい。

本発明の異方導電'性シートの製造方法は、弾性高分子物質により形成されてなり、厚み方向に伸びる複数の導電部およびこれらの導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する異方導電性シート本体を製造し、

得られた異方導電シート本体における一面または両面に、 P VD法によって

、 D L C膜を少なくとも絶縁部を覆うよう一体的に形成する工程を有することを特徴とする。

本発明の異方導電性シートの製造方法においては、 1 5 0 °C以下の温度で D L C膜を形成することが好ましい。

また、本発明の異方導電性シートの製造方法においては、異方導電性シート本体における D L C膜を形成すべき面に、イオンエッチング処理を行い、その後、 D L C膜を形成することが好ましい。

本発明の異方導電性コネクタ一は、開口を有するフレーム板と、このフレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によって支持された、上記の異方導電性シートとを具えてなることを特徴とする。

本発明の回路検查用プローブは、検查対象である回路の被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、上記の異方導電性シートまたは上記の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。

また、本発明の異方導電性コネクタ一は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電' I·生コネクターであって、

検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、それぞれ前記フレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によって支持された複数の異方導電性シートとを具えてなり、前記異方導電性シートは上記の D L C膜を有する異方導電性シートであることを特徴とする。

また、本発明の回路検査用プローブは、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる回路検查用プローブであって、

検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、上記のウェハ検査用の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。

また、本発明の異方導電性コネクタ一は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターであって、

検査対象であるゥェハに形成された集積回路の中から選択された複数の集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、それぞれ前記フレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によって支持された複数の異方導電性シートとを,具えてなり、前記異方導電性シートは上記の D L C膜を有する異方導電性シートであることを特徴とする。

検査対象であるウェハに形成された集積回路の中から選択された複数の集積回路における被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検查電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、上記のウェハ検查用の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。本発明の回路検查用プローブにおいては、絶縁†生シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸ぴ、検査用回路基板における検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクタ一が、異方導電性コネクター上に配置されていてもよい。本発明の回路検査装置は、上記の回路検査用プローブを具えてなることを特徴とする。発明の効果

本発明の異方導電性シートによれば、異方導電†生シート本体における一面または両面に、 D L C膜が少なくとも絶縁部を覆うよう形成されていることにより、異方導電性シート本体を形成する弹性高分子物質中の低分子量成分が表面にプリ一ドすることがないため、低分子量成分によって接続対象体を汚染することがなく、また、高温環境下において接続対象体によって加圧された状態で長時間放置された場合にも、当該接続対象体に接着することがない。しかも、 D L C膜は、弾性高分子物質に比較してその表面抵抗率が低いものであるため、その表面に電荷が蓄積されることが防止または抑制されて静電気による悪影響を排除することができる。 ·

また、 D L C膜が導電部の表面を覆うよう形成された構成によれば、接続対象電極が半田よりなるものであっても、当該半田物質が異方導電性シートの表面に付着することが十分に抑制されるので、長期間にわたって所要の導電性を維持することができる。

本発明の異方導電性シートの製造方法によれば、接続対象体を汚染することがなく、また、高温環境下において接続対象体によって加圧された状態で長時間放置された場合にも、当該接続対象体に接着することがなく、しかも、電荷が蓄積されることが防止または抑制されて静電気による悪影響を排除することができる異方導電性シートを製造することができる。

本発明の異方導電性コネクターによれば、上記の異方導電性シートを有するため、接続対象体を汚染することがなく、また、高温環境下において接続対象体によつて加圧された状態で長時間放置された場合にも、当該接続対象体に接着することがなく、しカゝも、表面に電荷が蓄積されることが防止または抑制されて静電気による悪影響を排除することができる。

本発明の回路検査用プローブぉよぴ回路装置の検查装置によれば、検査対象である回路装置が汚染されることを防止することかできると共に、高温環境下にお

Vヽて回路装置によつて力 [I圧された状態で長時間放置された場合にも、異方導電性シートが回路装置または回路検査用プローブにおける他の部材に接着することを防止することができ、これにより、異方導電性シート、回路装置または回路検査用プロープにおける他の部材に損傷を与えることを回避することができる。更に

、異方導電性シートの表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制することができるので、静電気による悪影響を排除することができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明に係る異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。

図 2は、異方導電性シート本体を製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。

図 3は、図 2に示す金型内に、異方導電性シート本体用の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 4は、成形材料層中の導電性粒子が当該成形材料層における導電部となる部分に集合した状態を示す説明用断面図である。

図 5は、異方導電'性シート本体の構成を示す説明用断面図である。

図 6は、本発明に係る異方導電性シートの他の例における構成を示す説明用断面図である。

図 7は、異方導電性シートの一面にマスクが配置された状態を示す説明用断面図である。

図 8は、異方導電' f生シート本体の導電部の表面に金属層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 9は、導電部の表面に金属層が形成され異方導電性シート本体の構成を示す説明用断面図である。

図 1 0は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。図 1 1は、図 1 0に示す異方導電性コネクターの要部を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 2は、異方導電性シート本体成形用の金型の上型おょぴ下型の間にスぺーサーを介してフレーム板が配置された状態を示す説明用断面図である。

図 1 3は、金型の上型と下型の間に、目的とする形態の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 4は、コネクター用中間体の要部の構成を示す説明用断面図である。図 1 5は、本発明に係るウェハ検査装置の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。

図 1 6は、本発明に係る回路検查用プローブの一例における要部を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 7は、本発明に係るウェハ検査装置の他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。

図 1 8は、本発明に係る回路検査用プローブの他の例における要部を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 9は、本発明に係るウェハ検査装置の更に他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。

図 2 0は、実施例 1および比較例 1に係る異方導電性シートの加圧一歪み曲線図おょぴ歪み一抵抗曲線図である。

図 2 1は、実施例で作製した試験用ウェハ W 1を示す平面図である。

図 2 2は、試験用ウェハ W 1に形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。 '

図 2 3は、試験用ウェハ W 1に形成された集積回路の被検査電極を示す説明図である。

図 2 4は、試験用ウェハ W 1における試験領域 E 1を示す説明図である。図 2 5は、実施例で作製したフレーム板を示す平面図である。

図 2 6は、実施例で作製した金型の要部を拡大して示す説明用断面図である。図 2 7は、図 2 6に示す金型の成形面を拡大して示す説明図である。

図 2 8は、実施例において、試験用ウェハ W 1の試験領域 E 1上に異方導電性コネクターを配置した状態を示す説明図である。

〔符号の説明〕

1 ウェハ 2 被検查電極

5 ウェハ載置台 1 0 異方導電性シート

1 1 異方導電性シート本体

1 1 A, 1 1 B 成形材料層

1 2 導電部 1 2 A 導電部となるべき部分

1 3 絶縁部 1 4 金属層

1 5 D L C膜 1 6 マスク

1 7 開口 1 8 フレーム板

1 9 開口 2 0 異方導電性コネクター

2 5 回路検查用プローブ

3 0 検査用回路基板

3 1 検查電極 3 2 接続端子

3 3 内部配線 4 0 シート状コネクタ、

4 1 絶縁性シート 4 2 電極構造体

3 表面電極部 4 4 裏面電極部

4 5 短絡部

5 0 上型 5 1 強磁性体基板

5 2 強磁性体層 5 3 非磁性体層

5 4 スぺーサ一 5 5 下型

5 6 強磁性体基板 5 7 強磁性体層

5 8 非磁性体層 P 導電性粒子発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〔異方導電性シート〕

この異方導電性シート 1 0は、弾性高分子物質によって形成された異方導電性シート本体 1 1を有する。異方導電性シート本体 1 1は、接続対象体例えば被検査回路装置の被検查電極のパターンに対応するパターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部 1 2と、これらの導電部 1 2を相互に絶縁する絶縁部 1 3とにより構成されている。導電部 1 2には、磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部 1 3は、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。また、図示の例では、導電部 1 2は、絶縁部 1 3の両面の各々から突出するよう形成されている。

異方導電性シート本体 1 1を形成する弹チ生高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬ィ匕性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン一ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル一ブタジェン共重合体ゴムなどの共役ジェン系ゴムおょぴこれらの水素添加物、スチレン一ブタジエンージェンブロック共重合体ゴム、スチレンーィソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおょぴこれらの水素添加物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステノレ系ゴム、ェピクロノレヒドリンゴム、ェチレン一プロピレン共重合体ゴム、エチレン一プロピレン一ジェン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。

これらの中では、成形加工性、電気特性おょぴ後述する D L C膜 1 5に対する接着性の観点から、シリコーンゴムが好ましい。

シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましレ、。液状シリコーンゴムは、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基ゃヒド口キシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビュルシリコーン生ゴム、メチルフエ-ルビ二ルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。これらの中で、ビュル基を含有する液状シリコーンゴム（ビュル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチノレジァノレコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたはジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解一沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

また、ビュル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、ォクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてァ-オン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビュルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、ァユオン重合の触媒としては、水酸ィ匕テトラメチルアンモ-ゥムおよび水酸化 _n—ブチルホスホ-ゥムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば 8 0〜1 3 0 °Cである。

このようなビュル基含有ポリジメチルシ口キサンは、その分子量 Mw (標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が 1 0 0 0 0〜 4 0 0 0 0 のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シート 1 0の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量 Mwと標準ポリスチレン換算数平均分子量 Mnとの比 MwZMnの値をいう。以下同じ。）が 2以下のものが好ましい。

一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサン) は、通常、ジメチルジク口口シランまたはジメチルジァルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解一沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

また、環状シロキサンを触媒の存在下においてァユオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチ^^ヒドロクロロシラン、メチノレジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、ァニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモ -ゥムおよぴ水酸化 n—ブチルホスホニゥムなどのアル力リまたはこれらのシラノレ一ト溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば 8 0〜1 3 0 °Cである。

このようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシ口キサンは、その分子量 Mwが 1 0 0 0 0〜4 0 0 0 0のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シート 1 0の耐熱性の観点から、分子量分布指数が 2以下のものが好ましい。本焭明においては、上記のビュル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併用することもできる。

また、異方導電性シートを、ウェハに形成された集積回路についてのプローブ試験またはバーンイン試験に用いる場合には、弾性高分子物質として、付加型液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）であつて、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下であるものを用いることが好ましく、より好ましくは 8 %以下、さらに好ましくは 6 %以下である。この圧縮永久歪みが 1 0 %を超える場合には、得られる異方導電性シートを多数回にわたつて繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、導電部 1 2に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部 1 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となることがある。

ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によつて測定することができる。

また、シリコーンゴム硬化物としては、その 2 3 °Cにおけるデュロメーター A 硬度が 1 0〜6 0のものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 5〜6 0 、特に好ましくは 2 0〜6 0のものである。このデュロメーター A硬度が 1 0未満である場合には、加圧されたときに、導電部 1 2を相互に絶縁する絶縁部 1 3 が過度に歪みやすく、導電部 1 2間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーター A硬度が 6 0を超える場合には、導電部 1 2に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による力 tl圧力が必要となるため、例えば検査対象物の変形や破損が生じやすくなる。

また、シリコーンゴム硬化物として、デュロメーター A硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性シートを多数回にわたって繰り返し使用したときには、導電部 1 2に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部 1 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電' 14を維持することが困難となることがある。

更に、異方導電性シートをバーンイン試験に用いる場合には、シリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおけるデュロメーター A硬度が 2 5〜4 0のものであることが好ましい。

シリコーンゴム硬化物として、デュロメーター A硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性シートをパーンィン試験に繰り返し使用したときには、導電部 1 2に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部 1 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となることがある。

ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

また、シリコーンゴム硬化物としては、その 2 3 °Cにおける引き裂き強度が 8 k N/m以上のものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 O k N/m以上、より好ましくは 1 5 k N/m以上、特に好ましくは 2 0 k NZm以上のものである。この引き裂き強度が 8 k N/m未満である場合には、異方導電性シートに過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしゃすい。

ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によつて測定することができる。

また、付加型液状シリコーンゴムとしては、ビュル基と S i—H結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基おょぴ S i— H結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のもの、およびビュル基を含有するポリシロキサンおょぴ S i—H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型 ( 二成分型）のもののいずれも用いることができるが、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。

また、付力 B型液状シリコーンゴムとしては、その 2 3 °Cにおける粘度が 1 0 0 〜1， 2 5 O P a · sのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 5 0 〜8 0 0 P a · s、特に好ましくは 2 5 0〜5 0 O P a · sのものである。この粘度が 1 0 0 P a · s未満である^には、後述する異方導電性シートを得るための成形材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、成形材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が 1 ， 2 5 O P a - sを超える場合には、得られる成形材料が粘度の高いものとなるため、金型内に成形材料層を形成しにくいものとなることがあり、また、成形材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。

このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計によつて測定することができる。

高分子物質形成材料中には、当該高分子物質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有させることができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸ァゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。

硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾィル、過酸化ビスジシクロべンゾィル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリープチルなどが挙げられる。

硬化触媒として用いられる脂肪酸ァゾ化合物の具体例としては、ァゾビスィソプチロニトリルなどが挙げられる。

ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸おょぴその塩、白金一不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビュルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と 1 , 3—ジビュルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスフアイトと白金とのコンプレックス、ァセチルアセテート白金キレート、環状ジェンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。

硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料 1 0 0重量部に対して 3〜 1 5重量部である。

異方導電'性シート本体 1 1における導電部 1 2に含有される導電性粒子 Pとしては、後述する方法によって、当該異方導電性シート本体 1 1を形成するための成形材料中において当該導電性粒子 Pを容易に移動させることができる観点から、磁性を示すものを用いることが好ましい。このような磁性を示す導電性粒子 P の具体例としては、鉄、エッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメツキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメツキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが挙げられる。

これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメツキを施したものを用いることが好ましレ、。

芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば無電解メツキにより行うことができる。

導電性粒子 Pとして、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が 4 0 %以上であることが好ましく、さらに好ましくは 4 5 %以上、特に好ましくは 4 7〜 9 5 %である。

また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の 2. 5〜 5 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 3〜3 0重量％、さらに好ましくは 3 . 5〜 2 5重量％、特に好ましくは 4〜 2 0重量。 /₀である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の 3〜 3 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 3 . 5〜2 5重量％、さらに好ましくは 4〜 2 0重量％、特に好ましくは 4 . 5〜1 0重量％でぁる。また、被覆される導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯粒子の 3〜 3 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 4 〜2 5重量％、さらに好ましくは 5〜 2 3重量％、特に好ましくは 6〜 2 0重量 %である。

また、導電性粒子 Pの粒子径は、：！〜 5 0 0 /z mであることが好ましく、より好ましくは 2〜4 0 0 m、さらに好ましくは 5〜3 0 0 μ πι、特に好ましくは 1 0〜： L 5 0 μ ιαである。

また、導電性粒子 Ρの粒子径分布 (D wZD n ) は、 1〜 1 0であることが好ましく、より好ましくは 1〜 7、さらに好ましくは 1〜5、特に好ましくは 1〜 4である。

このような条件を満足する導電性粒子 Pを用いることにより、得られる異方導電性シート本体 1 1は、力 [I圧変形が容易なものとなり、また、当該異方導電性シート本体 1 1における導電部 1 2において導電性粒子 P間に十分な電気的接触が得られる。

また、導電性粒子 Pの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した 2次粒子による塊状のものであることが好ましい。

また、導電性粒子 Pの含水率は、 5 %以下であることが好ましく、より好ましくは 3 %以下、さらに好ましくは 2 %以下、特に好ましくは 1 %以下である。このような条件を満足する導電性粒子 Pを用いることにより、後述する製造方法において、成形材料層を硬化処理する際に、当該成形材料層内に気泡が生ずることが防止または抑制される。

導電部 1 2における導電性粒子 Pの含有割合は、体積分率で 1 0〜6 0 %、好ましくは 1 5〜 5 0 %であることが好ましい。この割合が 1 0 %未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部 1 2が得られないことがある。一方、この割合が 6 0 %を超える^^には、得られる導電部 1 2は脆弱なものとなりやすく、導電部 12として必要な弾性が得られないこと力 Sある。

高分子物質形成材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリ力、エア口ゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、得られる成形材料のチクソトロピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、導電性粒子 Pの分散安定性が向上すると共に、硬化処理されて得られる異方導電性シート 10の強度が高くなる。

このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、あまり多量に使用すると、後述する製造方法において、磁場による導電性粒子 Pの移動が大きく阻害されるため、好ましくない。

このような異方導電性シート本体 11の表面には、 DLC膜 15が形成されている。図示の例では、 DLC膜 15は、異方導電性シート本体 11の表面全面を覆うよう形成されている。

DLC膜 15の厚みは、 1〜500 nmであることが好ましく、より好ましくは 2〜50nmである。この厚みが 1 nm未満である場合には、当該 DLC膜 1 5が異方導電性シート本体 11上に島状に形成されることがあり、当該異方導電性シート本体 11における少なくとも絶縁部の表面全面を覆うよう DLC膜 15 を形成することが困難となる。一方、この厚みが 500 nmを超える場合には、当該 DLC膜 15によって異方導電性シート本体 11における導電部 12間の電気抵抗値が低下し、導電部 12間に電気的なリークが生ずることがある。

また、 0し。膜15は、その表面抵抗率が 1 X 10⁸ 〜1 X 10¹⁴ΩΖ口であることが好ましく、より好ましくは 1 X 10¹⁰〜1 X 10¹²Ω /口である。この表面抵抗率が 1 X 10⁸ Ω /口未満である場合には、異方導電性シート本体 11 における隣接する導電部 12間において、所要の絶縁性が得られないことがある。一方、この表面抵抗率が 1 X 10¹⁴Ω /口を超える場合には、表面に電荷が蓄積されることを十分に抑制することが困難となる。

また、 DLC膜 15は、ダイヤモンド結合とグラフアイト結合との比率が 9 ： 1〜5： 5であることが好ましく、より好ましくは 8 ： 2〜6： 4であり、これにより、上記の範囲の表面抵抗率を有する D L C膜 1 5が確実に得られる。このような異方導電性シートは、以下のようにして製造することができる。図 2は、異方導電性シート本体 1 1を製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。この金型は、上型 5 0およびこれと対となる下型 5 5力枠状のスぺーサー 5 4を介して互いに対向するよう配置されて構成され、上型 5 0の下面と下型 5 5の上面との間にキヤビティが形成されている。

上型 5 0においては、強磁性体基板 5 1の下面に、製造すべき異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層 5 2が形成され、この強磁性体層 5 2以外の個所には、当該強磁性体層 5 2の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層 5 3が形成されている。

一方、下型 5 5においては、強磁性体基板 5 6の上面に、製造すべき異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 5 7が形成され、この強磁性体層 5 7以外の個所には、当該強磁性体層 5 7 の厚みより大きレ、厚みを有する非磁性体層 5 8が形成されている。

上型 5 0およぴ下型 5 5の各々における強磁性体基板 5 1， 5 6を構成する材料としては、鉄、鉄—ニッケル合金、鉄一コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板 5 1 , 5 6は、その厚みが 0 . 1〜5 O mmであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。

また、上型 5 0およぴ下型 5 5の各々における強磁性体層 5 2， 5 7を構成する材料としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄一コバルト合金、ニッケル、コパルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板 5 2， 5 7は、その厚みが 1 0 μ m以上であることが好ましい。この厚みが 1 0 μ m未満である場合には、金型内に形成される成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該成形材料層における導電部を形成すべき部分に導電性粒子を高密度に集合させることが困難となるため、良好な異方導電性を有するシートが得られないことがある。また、上型 5 0および下型 5 5の各々における非磁性体層 5 3， 5 8を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィ一の手法により容易に非磁性体層 5 3， 5 8を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。

また、非磁性体層 5 3， 5 8の厚みは、強磁性体層 5 2， 5 7の厚み、目的とする異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の突出高さに応じて設定される。そして、上記の金型を用い、次のようにして異方導電性シート本体 1 1が製造される。

先ず、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料例えば液状シリコーンゴム中に、磁性を示す導電性粒子が分散されてなる流動性の成形材料を調製し、図 3に示すように、この成形材料を金型のキヤビティ内に注入して成形材料層 1 1 Aを形成する。このとき、導電性粒子 Pは成形材料層 1 1 A中に分散された状態で含有されている。

次いで、上型 5 0における強磁性体基板 5 1の上面および下型 5 5における強磁性体基板 5 6の下面に、例えば一対の電磁石を配置し、当該電磁石を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型 5 0の強磁性体部分 5 2とこれに対応する下型 5 5の強磁性体部分 5 7との間において大きい強度を有する平行磁場を成形材料層 1 1 Aの厚み方向に作用させる。その結果、成形材料層 1 1 Aにおいては、図 4に示すように、当該成形材料層 1 1 A中に分散されている導電性粒子 Pが、上型 5 0の強磁性体部分 5 2とこれに対応する下型 5 5の強磁性体部分 5 7との間に位置する導電部となるべき部分 1 2 Aに集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。

そして、この状態において、成形材料層 1 1 Aを硬化処理することにより、図 5に示すように、全体が弾性高分子物質により形成され、導電性粒子 Pが密に充填された導電部 1 2と、導電性粒子 Pが全くあるいは殆ど存在しない絶縁部 1 3 とよりなる異方導電性シート本体 1 1が製造される。

以上において、成形材料層 1 1 Aの硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、 ί亍磁場の作用を停止させた後に行うこともできる成形材料層 1 1 Αに作用される平行磁場の強度は、平均で 0 . 2〜 2テスラとなる大きさが好ましい。

また、成形材料層 1 1 Aに平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（F e— A 1— N i— C 0系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。

成形材料層 1 1 Aの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、カ卩熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層 1 1 Aを構成する高分子形成材料の種類、導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。 '

次いで、得られた異方導電性シート本体 1 1における D L C膜を形成すべき面 (この例では表面全面）に、好ましくはイオンエッチング処理を行う。

ここで、イオンエッチング処理において用いられるガスイオンとしては、アルゴンィオンなどを用いることができる。

イオンエツチング処理の処理時間は、 5〜 2 0分間である。

そして、異方導電性シート本体 1 1におけるイオンエッチング処理された面に、 D L C膜を形成することにより、図 1に示す構成の異方導電性シート 1 0が得られる。

ここで、 D L C膜を形成する方法としては、 P VD法、プラズマ C VD法などを利用することができるが、比較的低い温度で所要の厚みの D L C膜を形成することができ、これにより、 D L C膜の形成において、異方導電性シート本体 1 1 の特性に悪影響を与えることを回避することができる点で、 P VD法が好ましい

D L C膜を形成するための P VD法としては、固体炭素源を用いる種々の方法、例えばスハ。ッタ法、電子ビーム蒸着法、固体炭素源を陰極としたアーク放電法などを利用することができ、固体炭素源としては、グラフアイトなどを用いることができる。

また、 P VD法における具体的な条件は、形成すべき D L C膜の厚み、 D L C 膜の化学構造などに応じて適宜設定される力処理温度は、 1 5 0 °C以下であることが好ましく、より好ましくは 6 0〜1 2 0 °Cである。このような温度条件を設定することにより、異方導電性シート本体 1 1の特性に悪影響を与えることなしに所要の厚みの D L C膜を形成することができる。

上記の異方導電性シート 1 0によれば、異方導電性シート本体 1 1における表面全面に、 D L C膜 1 5が形成されていることにより、異方導電性シート本体 1 1を形成する弾性高分子物質中の低分子量成分が当該異方導電性シート 1 0の表面にプリードすることがないため、低分子量成分によつて接続対象体が汚染されることを防止することができると共に、高温環境下において接続対象体によって加圧された状態で長時間放置された場合にも、接続対象体に接着することを防止することができる。

し力も、 D L C膜 1 5は、弾性高分子物質に比較してその表面抵抗率が低いものであるため、その表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制することができる。

また、 D L CB莫 1 5が導電部 1 2の表面を覆うよう形成されていることにより、接続すべき電極が接触する部分の表面硬度が高くなるため、後述する実施例から明らかなように、小さい加圧力で高い導電性が得られる。

図 6は、本発明に係る異方導電性シートの他の例における構成を示す説明用断面図である。この異方導電性シート 1 0においては、異方導電性シート本体 1 1 における一面に、金属層 1 4が導電部 1 2を覆うよう一体的に形成されており、異方導電性シート本体 1 1および金属層 1 4の表面全面を覆うよう、 D L C膜 1

5が形成されている。異方導電性シート本体 1 1および D L C膜 1 5は、図 1に示す異方導電性シート 1 0における異方導電性シート本体 1 1および D L C膜 1

5と基本的に同様の構成である。金属層 1 4を構成する材料としては、チタン、ロジウム、イリジウム、タンダステン、ニッケなどを用いることができるが、当該異方導電' 14シート 1 0に直接接触する接続対象体における電極が半田により形成されている場合には、半田の付着や半田によるマイグレーションを防止する観点から、チタン、ロジウム、タングステンを用いることが好ましい。

金属層 1 4の厚みは、 5〜1 0 0 O n mであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜1 0 0 n mである。この厚みが 5 n m未満である場合には、均一な厚みの金属層 1 4を形成することが困難であるため、安定した金属層 1 4の形成が困難となる。一方、この厚みが 1 0 0 O n mを超える場合には、堆積応力の増加に伴い、金属層 1 4の破損や剥離が生じやすくなる。

金属層 1 4は、その表面抵抗率が 1 X 1 0— ² Ω//口以下であることが好ましく、より好ましく 1 X 1ひ—³ Ω/ロ以下である。金属層 1 4の表面抵抗率が 1 X 1 0一² Ω /口を超える場合には、得られる異方導電性シート 1 0の接触抵抗が増加するため、コンタクトプローブとしての性能の低下を招くことがある。

上記の異方導電性シート 1 0は、金属層 1 4の形成を除き、図 1に示す異方導電性シ一ト 1 0と同様にして製造することができる。

そして、金属層 1 4は例えば以下のようにして製造することができる。

先ず、図 7に示すように、異方導電性シート本体 1 1における導電部 1 2のパターンに対応するパターンに従って開口 1 7が形成された板状のマスク 1 6を用意し、このマスク 1 6を、異方導電性シート本体 1 1の一面に当該マスク 1 6の各開口 1 7がこれに対応する導電部 1 2上に位置するよう配置する。

ここで、マスク 1 6を構成する材料としては、ステンレスなどの金属材料、樹脂材料を用いることができる。マスク 1 6の開口 1 7を形成する方法としては、エッチング加工、機械加工、レーザー加工などによる方法を利用することができる。

次いで、異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の表面に対して、マスク 1 6 の開口 1 7を介してイオンエッチング処理を行う。その後、図 8に示すように、マスク 1 6の開口 1 7を介して異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の表面に金属層 1 4を形成する。そして、異方導電性シート本体 1 1の一面からマスク 1 6を除去することにより、図 9に示すように、導電部 1 2の一面を覆うよう金属層 1 4が形成された異方導電性シート本体 1 1力 S得られる。

ここで、金属層 1 4を形成する方法としては、金属層 1 4を形成する金属材料よりなる電極を陰極としたアーク放電法、スパッタ法などの方法を利用することができる。

そして、金属層 1 4を含む異方導電性シート本体 1 1の表面全面に、イオンェツチング処理を行った後、 P VD法により、 D L C膜を形成することにより、図 6に示す異方導電性シート 1 0が得られる。

図 6に示す構成の異方導電性シート 1 0によれば、図 1に示す構成の異方導電性シートと同様の効果が得られると共に、更に以下のような効果が得られる。すなわち、異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の表面に金属層 1 4が形成されているため、接続すべき電極に対する接触抵抗が低くなる。また、導電部 1 2には、導電性粒子 Pの連鎖によって複数の導電路が形成されるが、各導電路同士が金属層 1 4によって短絡されるため、接続すべき電極が金属層 1 4に対して電気的に接続されれば、導電部 1 2に形成される全ての導電路が有効に利用されるので、接続すべき電極と導電部 1 2との位置ずれによる導電性の低下が抑制される。従って、接続対象体に対して高い接続信頼性が得られる。

また、導電部 1 2が金属層 1 4に保護されるため、繰り返し耐久性の高い異方導電性シート 1 0が得られる。

本発明の異方導電性シートは、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。

例えば、異方導電性シート本体 1 1において、各導電部 1 2が絶縁部 1 3の両面から突出することは必須のことではなく、両面が平坦面なものであっても、導電部 1 2が絶縁部 1 3の片面のみから突出するものであってもよい。

また、異方導電性シート本体 1 1には、接続対象体の電極に電気的に接続される導電部 1 2以外に、当該電極に電気的に接続されない非接続用導電部が形成されていてもよい。また、 D L C膜 1 5は、片面のみに形成されていてもよく、また、絶縁部の一面または両面のみを覆うよう形成されていてもよい。

〔異方導電性コネクター〕

図 1 0は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図であり、図 1 1は、図 1 0に示す異方導電性コネクターにおける要部を拡大して示す説明用断面図である。

この異方導電性コネクター 2 0は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるものであって、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口 1 9が形成されたフレーム板 1 8を有する。フレーム板 1 8の開口 1 9の各々には、当該開口 1 9を塞ぐよう異方導電性シ一ト 1 0が配置され、これらの異方導電性シート 1 0の周縁部が、当該フレーム板 1 8の開口縁部に固定されて支持されている。

この例における異方導電性シート 1 0の各々は、検査対象であるウェハに接触する一面（図 1 1において上面）が平坦面とされていること、すなわち異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2がその一面において突出していないことを除き、基本的に図 1に示す異方導電性シート 1 0と同様の構成である。

異方導電性コネクター 2 0におけるフレーム板 1 8を構成する材料としては、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、その具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、パラジウム、チタン、タングステン、ァルミ二ゥム、金、白金、銀などの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などの金属材料、窒化珪素、炭化珪素、アルミナなどのセラミツクス材料、ァラミツド不 ϋ^ϊ捕強型エポキシ樹脂、ァラミツド不繊布捕強型ポリィミド樹脂、ァラミッド不 »補強型ビスマレイミドトリァジン樹脂などの樹脂材料が挙げられる。

また、異方導電性コネクター 2 0をバーンイン試験に使用する場合には、フレーム板 1 8を構成する材料としては、線熱膨系数が検查対象であるウェハを構成する材料の線熱膨,数と同等若しくは近似したものを用いることが好まし！/ヽ。具体的には、ウェハを構成する材料がシリコンである場合には、線熱膨張係数が 1 . 5 X 1 0— ⁴ZK以下、特に、 3 X 1 0— ⁶〜8 X 1 0— ⁶/Κのものを用いることが好ましく、その具体例としては、インパーなどのインパ一型合金、エリンパーなどのエリンパー型合金、スーパーインパー、コパール、 4 2ァロイなどの金属材料、ァラミツド不繊布補強型有機樹脂材料が挙げられる。

また、フレーム板 1 8の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート 1 0を保持することが可能であれば、特に限定されないが、例えば 0. 0 3 〜； L mm、好ましくは 0. 0 5〜0. 2 5 mmである。

このような異方導電性コネクター 2 0は、以下のようにして製造することがでさる。

先ず、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口 1 9が形成されたフレーム板 1 8を作製する。ここで、フレーム板 1 8の開口 1 9を形成する方法としては、例えばェツチング法などを禾 IJ用することができる。

次いで、硬ィ匕されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料を調製する。そして、図 1 2に示すように、異方導電性シート本体成形用の金型を用意し、この金型における上型 5 0および下型 5 5の各々の成形面に、調製した成形材料を、所要のパターンすなわち形成すぺき異方導電性シート 1 0の配置パターンに従って塗布することによって成形材料層 1 1 Bを形成する。ここで、上型 5 0およぴ下型 5 5の成形面に成形材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。このような方法によれば、成形材料を所要のパターンに従って塗布することが容易で、しカも、適量の成形材料を塗布することができる。

また、金型について具体的に説明すると、上型 5 0においては、強磁性体基板 5 1の下面に、成形すべき全ての異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層 5 2が形成され、この強磁性体層 5 2以外の個所には、非磁性体層 5 3が形成されており、これらの強磁性体層 5 2およぴ非磁性体層 5 3によって成形面が形成されている。

—方、下型 5 5においては、強磁性体基板 5 6の上面に、成形すべき全ての異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 5 7が形成され、この強磁性体層 5 7以外の個所には、非磁性体層 5 8が形成されており、これらの強磁性体層 5 7およぴ非磁性体層 5 8によって成形面が形成されている。また、下型 5 5の成形面には、成形すべき異方導電性シ一ト本体の他面における突出部分に対応して凹所 5 8 aが形成されている。強磁性体基板 5 1， 5 6、強磁性体層 5 2， 5 7およぴ被磁性体層 5 3， 5 8 の材質その他の条件は、前述の図 2に示す金型と同様である。

そして、成形材料層 1 1 Bが形成された下型 5 5の成形面上に、それぞれ形成すべき異方導電性シート本体 1 1の平面形状に適合する形状を有する複数の開口 Kが形成されたスぺーサー 5 4 bを介して、フレーム板 1 8を位置合わせして配置すると共に、このフレーム板 1 8上に、それぞれ形成すべき異方導電性シート本体 1 1の平面形状に適合する形状を有する複数の開口 Kが形成されたスぺーサ一 5 4 aを介して、成形材料層 1 1 Bが形成された上型 5 0を位置合わせして配置し、更に、これらを重ね合わせることにより、図 1 3に示すように、上型 5 0 と下型 5 5との間に、目的とする形態（形成すべき異方導電性シート本体 1 1の形態）の成形材料層 1 1 Aが形成される。

このようにフレーム板 1 8と上型 5 0および下型 5 5との間にスぺーサー 5 4 a， 5 4 bを配置することにより、目的とする形態の異方導電性シート本体を形成することができると共に、隣接する異方導電†生シート本体同士が連結することが防止されるため、互いに独立した多数の異方導電性シート本体を確実に形成することができる。

次いで、上型 5 0における強磁性体基板 5 1の上面およぴ下型 5 5における強磁性体基板 5 6の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、成形材料層 2 O A中に分散されていた導電性粒子が、上型 5 0の強磁性体層 5 2とこれに対応する下型 5 5の強磁性体層 5 7との間に位置する導電部 1 2 となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態において、成形材料層 2 O Aを硬化処理することにより、弾'! 4高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の導電部 1 2が、導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 1 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる複数の異方導電性シート本体 1 1が、フレーム板 1 8の開口縁部に固定された状態で形成され、以て、図 1 4に示すように、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口 1 9を有するフレーム板 1 8と、このフレーム板 1 8の開口 1 9を塞ぐよう配置され、当該フレーム板 1 8の開口縁部によつて支持された複数の異方導電性シート本体 1 1とよりなるコネクター用中間体 1 O Aが製造される。

その後、このコネクター用中間体 1 0 Aにおける異方導電†生シート本体 1 1の各々の表面に D L C膜を形成することにより、図 1 0およぴ図 1 1に示す異方導電性コネクター 2 0が得られる。

このような異方導電性コネクター 2 0によれば、 D L C膜 1 5が形成された異方導電性シート 1 8を有するため、前述した異方導電性シート 1 0による効果が得られると共に、更に以下のような効果が得られる。

すなわち、上記の異方導電性コネクター 2 0によれば、異方導電性シート 1 0 がフレーム板 1 8に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、フレーム板 1 8の開口 1 9の各々は、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路の被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されており、当該開口 1 9の各々に配置される異方導電性シート 1 0は面積が小さいものでよいため、個々の異方導電性シート 1 0の形成が容易である。しかも、面積の小さい異方導電性シート 1 0は、熱履歴を受けた場合でも、当該異方導電性シート 1 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 8を構成する材料として線熱膨,数の小さいものを用いることにより、異方導電性シート 1 0の面方向における熱膨張がフレーム板 1 8によって確実に規制される。従って、検査対象が大面積のウェハに形成された多数の集積回路であり、これらの集積回路について一括してバーンィン試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

本発明の異方導電性コネクタ一は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。

例えばフレーム板に、検査対象であるウェハに形成された集積回路の中から選択された複数の集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口が形成され、これらの開口の各々を塞ぐよう複数の異方導電性シートが配置された構成であってもよい。ここで、選択される集積回路の数は、ウェハのサイズ、ウェハに形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極の数などを考慮して適宜選択され、例えば 1 6個、 3 2個、 6 4個、 1 2 8個である。また、フレーム板に単一の開口が形成され、当該開口を塞ぐよう単一の異方導電性シ一トが配置された構成であってもよい。

〔回路検査装置〕

次に、本発明に係る回路検査装置について、多数の集積回路が形成されたゥェハを電気的に検査するウェハ検査装置として実施した場合を例に挙げて説明する図 1 5は、本発明に係るウェハ検査装置の一例における要部の構成を示す説明用断面図であり、このウェハ検查装置は、それぞれ突起状の被検査電極を有する多数の集積回路が形成されたウェハを電気的に検査するためのものである。このウェハ検查装置は、図 1 6にも拡大して示すように、一面（図 1 5および図 1 6において下面）に検查対象であるウェハにおける突起状の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って多数の検查電極 3 1が配置された検査用回路基板 3 0と、この検査用回路基板 3 0の一面上に配置された、検査対象であるゥェハに接触される図 1 0に示す構成の異方導電性コネクター 2 0とよりなる回路検査用プローブ 2 5を有し、この回路検査用プローブ 2 5の下方位置には、検査対象であるウェハ 1が載置されるウェハ載置台 5が設けられている。

検査用回路基板 3 0の他面（図において上面）には、テスターに接続される多数の接続端子 3 2が適宜のパターンに従って形成されており、これらの接続端子 3 2の各々は、当該検査用回路基板 3 0における内部配線 3 3を介して検査電極 3 1の各々に電気的に接続されている。

検査用回路基板 3 0の基材としては、耐熱性を有するものであれば特に限定されず、プリント回路基板の基板材料として通常使用されている種々のものを用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ァラミツド不 »補強型エポキシ樹脂、ァラミツド不繊布補強型ポリイミド樹脂、ァラミツド不繊布補強型ビスマレイミドトリァジン樹脂等の樹脂材料、セラミックス材料、ガラス材料、金属コア材料などを挙げることができるが、バーンイン試験に適用する場合には、その線熱膨張係数が、検査対象であるウェハを構成する材料の線熱膨張係数が同等若しくは近似したものを用いることが好ましい。具体的には、ウェハがシリコンよりなるものである場合には、線熱膨張係数が 1 . 5 X 1 0— ⁴/K以下、特に、 3 X 1 0— ⁶〜8 X 1 0— ⁶ZKのものを用いることが好ましい。

このようなウェハ検査装置においては、以下のようにしてウェハ 1の検査が実行される。

先ず、ウェハ載置台 5上に、検査対象であるウェハ 1が、その被検査電極 2が上方を向いた状態でかつ被検査電極 2の各々が検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1の各々の直下に位置するよう配置される。次いで、例えば検査用回路基板 3 0 が適宜のカロ圧手段によって下方に加圧されることにより、異方導電†生コネクター 2 0における異方導電性シート 1 0力ウェハ 1の被検查電極 2に接触し、更には被検査電極 2によってカロ圧された状態となる。これにより、異方導電性シート 1 0の異方導電' f生シート本体 1 1における導電部 1 2は、ウェハ 1の被検査電極 2の突出高さに応じて厚み方向に圧縮するよう弹性的に変形し、当該異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2には、ウェハ 1の被検査電極 2と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との間に、導電性粒子 Pによつて当該異方導電性シート 1 0の厚み方向に伸びる導電路が形成され、その結果、ウェハ 1の被検查極極 2と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、パーンィン試験を行う場合には、ウェハ 1が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ゥェハ 1について所要の電気的検査が実行される。

上記のウェハ検査装置によれば、回路検査用プローブ 2 5におけるウェハ 1に接触する異方導電性コネクター 2 0が、 0 ( 膜1 5が形成された異方導電性シート 1 0を有するものであるため、ウェハ 1が汚染されることを防止することかできると共に、高温環境下においてウェハ 1によってカロ圧された状態で長時間放置された場合にも、異方導電性シート 1 0がウェハ 1に接着することを防止することができ、これにより、異方導電性シート 1 0およびウェハ 1に損傷を与えることを回避することができる。更に、異方導電性シート 1 0の表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制することができるので、静電気による悪影響を排除することができる。

図 1 7は、本発明に係るウェハ検査装置の他の例における要部の構成を示す説明用断面図であり、このウェハ検查装置は、それぞれ平面状の被検査電極を有する多数の集積回路が形成されたウェハを電気的に検査するためのものである。このウェハ検査装置は、図 1 8にも拡大して示すように、一面（図 1 7および図 1 8において下面）に検査対象であるウェハにおける被検査電極のパターンに対応するパタ^ "ンに従って多数の検査電極 3 1が配置された検査用回路基板 3 0 と、この検査用回路基板 3 0の一面に配置された異方導電性コネクター 2 0と、この異方導電性コネクター 2 0の一面（図 1 7およぴ図 1 8において下面）に配置されたシート状コネクター 4 0とにより構成された回路検査用プローブ 2 5を有し、この回路検査用プローブ 2 5の下方位置には、検查対象であるウェハ 1が載置されるウェハ载置台 5が設けられている。

検査用回路基板 3 0は、図 1 4および図 1 5に示すウェハ検査装置における検查用回路基板 3 0と同様の構成であり、異方導電性コネクター 2 0は、その異方導電性シート 1 0における異方導電性シート本体 1 1の導電部 1 2が、絶縁部 1 3の両面の各々から突出した状態に形成されていることを除き、図 1 4およぴ図 1 5に示すウェハ検査装置における異方導電性コネクター 2 0と同様の構成である。

シート状コネクター 4 0は、柔軟な絶縁性シート 4 1を有し、この絶縁性シート 4 1には、当該絶縁 'i生シート 4 1の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる電極構造体 4 2が、検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1のパターンに対応するパターンすなわち検查対象であるウェハ 1の被検査電極 2のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁性シート 4 1の面方向に互いに離間して配置されている。電極構造体 4 2の各々は、絶縁性シート 4 1の表面（図において下面）に露出する突起状の表面電極部 4 3と、絶縁†生シート 4 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 4 4とが、絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通して伸びる短絡部 4 5によつて互レ、に一体に連結されて構成されている。

そして、シート状コネクター 4 0は、その電極構造体 4 2の各々が異方導電性コネクター 2 0の異方導電性シート 1 0における導電部 1 2上に位置するよう配置されている。

シート状コネクター 4 0における絶縁性シート 4 1としては、絶縁'性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。

また、絶縁性シート 4 1の厚みは、当該絶縁性シート 4 1が柔軟なものであれば特に限定されないが、 1 0〜5 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜2 5 μ ιηである。

電極構造体 4 2を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体 4 2としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであってもよい。

また、電極構造体 4 2における表面電極部 4 3および裏面電極部 4 4の表面には、当該電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていることが好ましい。電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の突出高さは、ウェハ 1の被検査電極 2に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、 1 5〜 5 0〃 mであることが好ましく、より好ましくは 2 0〜3 5 /z mである。また、表面電極部 4 3の径は、ウェハ 1の被検査電極の寸法おょぴピッチに応じて設定される力例えば 3 0〜8 0 μ πιであり、好ましくは 3 0〜6 5 μ ιηである。

電極構造体 4 2における裏面電極部 4 4の径は、短絡部 4 5の径より大きく、かつ、電極構造体 4 2の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、異方導電 1"生コネクター 2 0の異方導電性シート 1 0における導電部 1 2に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極部 4 4の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 2 0〜 5 0 mであることが好ましく、より好ましくは 3 5〜 5 0 i mである。

電極構造体 4 2における短絡部 4 5の径は、十分に高い強度が得られる点で、 3 0〜8 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは 3 0〜 6 5 μ ταである。シート状コネクター 4 0は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、絶縁性シート 4 1上に金属層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シート 4 1に対して、レーザ加工、ドライエツチング加工等によって、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、形成すべき電極構造体 4 2のパターンに対応するパターンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィーおよぴメツキ処理を施すことによって、絶縁性シート 4 1の貫通孔内に金属層に一体に連結された短絡部 5を形成すると共に、当該絶縁性シート 4 1の表面に、短絡部 4 5に一体に連結された突起状の表面電極部 4 3を形成する。その後、積層材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、裏面電極部 4 4を形成して電極構造体 4 2を形成し、以てシート状コネクター 4 0が得られる。

このようなウェハ検査装置によれば、回路検査用プローブ 2 5におけるウェハ 1に接触する異方導電性コネクター 2 0が、 D L C膜 1 5が形成された異方導電性シート 1 0を有するものであるため、当該回路検査用プローブ 2 5が加圧された状態で長時間放置されたにも、異方導電性シート 1 0がシート状コネクタ一 4 0に接着することを防止することができ、これにより、シート状コネクターに撓みが生じることが回避され、その結果、繰り返し使用した^^にも、被検查回路装置における全ての被検査電極に対して安定な電気的接続を達成することができる。更に、異方導電性シート 1 0の表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制することができるので、静電気による悪影響を排除することができる。本発明の回路検査用プローブおよび回路検査装置は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。

例えば、検査対象である回路は、多数の集積回路が形成されたウェハに限定されるものではなく、半導体チップや、 B GA、 C S Pなどのパッケージ I CMC Mなどの半導体集積回路装置、プリント回路基板などに形成された回路の検査装置に適用することができる。

また、図 1 5に示す回路検查用プローブ 2 5および図 1 7に示す回路検查用プロープ 2 5の各々は、ゥェハ 1に形成された全ての集積回路の被検查電極 2に対して一括して電気的接続を達成するものである力図 1 9に示すように、ウェハ 1に形成された各集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 2に電気的に接続されるものであってもよい。選択される集積回路の数は、ウェハ 1 のサイズ、ウェハ 1に形成された集積回路の数、各集積回路における被検查電極の数などを考慮して適宜選択され、例えば 1 6個、 3 2個、 6 4個、 1 2 8個である。

このような回路検查用プローブ 2 5を有するウェハ検査装置においては、ゥェハ 1に形成された各集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 2 に、回路検査用プローブ 2 5を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検查電極 2に、回路検査用プローブ 2 5を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウェハ 1に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〈実施例 1 )

〔成形材料の調製〕

付加型液状シリコーンゴム 100重量部に、平均粒子径が 20 mの導電性粒子 70重量部を添加して混合した後、減圧による脱泡処理を行うことにより、異方導電†生シート本体用の成形材料を調製した。

以上において、導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メツキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の 25重量％となる量）を用いた。

〔異方導電性シート製造用金型〕

基本的に図 2に示す構成に従って、下記の条件により、異方導電性シート製造用金型を作製した。

強磁性体基板：材質；鉄，厚み； 6 mm,

強磁性体層：材質；ニッケル，厚み； 0. lmm，径； 0. 6mm，ピッチ（中心間距離）； 0. 12 mm,

非磁性体層：材質；液状レジスト硬化物，厚み； 0. 125 mm,

スぺーサの厚み； 0. 2mm

〔異方導電性シート本体の製造〕

上記の金型のキヤビティ内に、調製した成形材料を注入することにより、当該金型内に成形材料層を形成した。

そして、成形材料層に対して、電磁石によって厚み方向に 1. 8テスラの平行磁場を作用させながら、 100°C、 1時間の条件で当該成形材料層の硬化処理を行うことにより、それそれ厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とを有する異方導電性シート本体を製造した。

得られた異方導電性シート本体は、外径が 0. 06 mmの導電部が、 0. 12 mmのピッチで配列されてなるものであって、絶縁部の厚みは 0. 2inm、導電部の厚みは 0. 25mmであり、当該導電部が絶縁部の両面の各々から突出した状態（それぞれの突出高さが 0. 025mm) に形成されてなるものである。また、導電部における導電性粒子の割合は、体積分率で 25%であった。

〔DLC膜の形成〕

異方導電性シート本体の一面全面に、アルゴンガスイオンによって 10分間ィオンエッチング処理を行った。その後、固体炭素源としてグラフアイトを用い、電子ビーム蒸着法によって、処理温度 50° (：、処理時間 20分間の条件で、異方導電性シート本体の表面全面に厚みが 10 nmの DLC膜を形成し、以て、本発明に係る異方導電性シートを製造した。

得られた異方導電性シートにおける D L C膜を、カツタ一ナイフによつて碁盤目状に切り込むことにより、当該 DLC膜に互いに分離された lmrn角のエリアを合計 100個形成し、スコッチテープによって DLC膜の剥離試験を行ったところ、剥離したエリアは 0/100個であった。

また、異方導電性シートをその DLC膜が形成された面が内側となるよう約 1 80° に折り曲げた後、その表面を観察したところ、 DLC膜の剥離は認められなかった。

また、ヒューレットパッカード社製の電気抵抗測定器 rHigh Resistance Mete r 4339」および ["Resistivity Cell 16008B」を用い、 DLC膜の表面抵抗率を測定したところ、 1 X 10¹²ΩΖ口であった。

〈実施例 2〉

実施例 1と同様にして異方導電性シート本体を製造すると共に、当該異方導電性シート本体における導電部のパターンに対応するパターンに従って開口が形成されたステンレスよりなる板状のマスクを作製した。

そして、このマスクを、異方導電性シート本体の一面に当該マスクの開口の各々がこれに対応する導電部上に位置するよう配置し、マスクの開口から露出した導電部の表面に、ァノレゴンガスイオンによって 10分間イオンエッチング処理を行った。その後、チタンよりなる電極を陰極としたアーク放電法によって、導電部の表面に、厚みが 100 nmのチタンよりなる金属層を形成した。

次いで、金属層を含む異方導電性シート本体の一面全面に、アルゴンガスィォンによって 10分間イオンエッチング処理を行った。その後、固体炭素源としてグラフアイトを用い、電子ビーム蒸着法によって、処理温度 5 0°C、処理時間 2 0分間の条件で、異方導電性シート本体の表面全面に厚みが 1 0 n mの D L C膜を形成し、以て、本発明に係る異方導電性シートを製造した。

得られた異方導電性シートについて、実施例 1と同様にして D L C膜の剥 fim 験を行ったところ、剥離したエリアは 0 Z 1 0 0個であった。

また、異方導電性シートをその D L C膜が形成された面が内側となるよう約 1 8 0 ° に折り曲げた後、その表面を観察したところ、 D L C膜の剥離は認められなかった。

また、実施例 1と同様にして D L C膜の表面抵抗率を測定したところ、 1 X 1 0 ^{1 2} Ωノロであった。

〈比較例 1〉

実施例 1と同様にして異方導電性シート本体を製造し、この異方導電性シート本体を比較用の異方導電性シートとした。

また、ヒユーレツトパッカード社製の電気抵抗測定器「High Resistance Mete r 4339」および「Resistivity Cell 16008B」を用い、異方導電性シートの一面における表面抵抗率を測定したところ、 1 X 1 0 ^{1 5} Ω ロ以上であった。

〔異方導電性シートの特性評価〕

( 1 ) 導電特性：

実施例 1および比較例 1に係る異方導電性シートの各々を、導電部 1個当たりの荷重が 5 gとなるよう厚み方向に加圧し、この状態で、当該導電部の電気抵抗を測定したところ、実施例 1に係る異方導電性シートが 6 Ο ιη Ωで、比較例 1に係る異方導電性シートが 1 Ο Ο πι Ωであり、実施例 1に係る異方導電性シートによれば、比較例 1に係る異方導電性シートに比較して、良好なカロ圧導電性が得られることが確認された。

また、異方導電性シートの導電部に加わる荷重を変えながら、当該導電部の歪み率おょぴ電気抵抗値を測定することにより、力 Π圧一歪み曲線図おょぴ歪みー抵抗曲線図を作成した。結果を図 2 0に示す。

また、異方導電性シートにおける隣接する導電部間の電気抵抗を測定したところ、実施例 1に係る異方導電性シートおよび比較例 1に係る異方導電性シートのいずれも 1 X 1 0 ¹⁴ Ω以上であった。

( 2 ) 非接着性試験：

実施例 1〜 2に係る異方導電性シートおよび比較例 1に係る異方導電性シートの各々をシリコン基板上に配置し、その導電部の歪み率が 3 0 %となるよう加圧した。この状態で、 1 5 0 °Cの雰囲気下に 4 8時間放置した後、異方導電性シートとシリコン基板との接着性を調べた。その結果、実施例 1〜 2に係る異方導電性シートにおいては、シリコン基板に全く接着しておらず、シリコン基板を 9 0 ° に傾けたところ、異方導電性シートが容易に落下した。一方、比較例 1に係る異方導電性シートにおいては、シリコン基板に強固に接着しており、異方導電 '性シートを剥離させたところ、当該異方導電性シートが破損し、その一部がシリコン基板に接着したままの状態であつた。

また、実施例 1〜2に係る異方導電性シートを配置したシリコン基板の表面を観察したところ、シリコーンゴムの低分子量成分による汚染は全く認められなかつた。

( 3 ) 帯電特性：

実施例 1〜 2に係る異方導電性シートおよび比較例 1に係る異方導電性シートの各々を検査用回路基板上に配置して固定することにより、回路検査用プローブを作製した。この回路検査用プローブをシリコン基板上に配置し、温度 2 5 °C、相対湿度 3 0 %の環境下において、回路検查用プローブを異方導電性シートの導電部の歪み率が 2 5 %となるよう厚み方向に加圧し、この状態で 1秒間保持した後、回路検查用プローブをシリコン基板から引き離し、更に、 2秒間経過後に回路検查用プローブを厚み方向に加圧した。この操作を 1サイクルとして合計 5 0 0 0サイクル行い、操作が終了してから 4 0秒間以内に異方導電性シートの表面電位を測定した。その結果、実施例 1に係る異方導電性シートの表面電位が 1 0 0 V、実施例 2に係る異方導電性シートの表面電位が 5 0 V、比較例 1に係る異方導電性シートの表面電位が 1 0 0 0 Vであり、実施例 1〜 2に係る異方導電性シートによれば、表面に電荷が蓄積されることを防止することができることが確認された。

く実施例 3 >

〔試験用ウェハの作製〕

(1) 作製例 1 ：

図 21に示すように、直径が 8インチのシリコン（線熱膨張係数 3. 3X10 — ⁶/K) 製のウェハ 1上に、それぞれ寸法が 6. 5mmX 6. 5 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 596個形成した。ウェハ 1に形成された集積回路 Lの各々は、図 22に示すように、その中央に被検査電極領域 Aを有し、この被検查電極領域 Aには、図 23に示すように、それぞれ縦方向（図 23において上下方向）の寸法が 200 μ mで横方向（図 23において左右方向）の寸法が 60 μπιの 2 6個の被検査電極 2が 120 μ mのピッチで横方向に二列（一列の被検查電極 7 の数が 13個）に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極 7の間の離間距離は、 250 / mである。また、 26個の被検査電極 2のうち 2個ずつが互いに電気的に接続されている。被検查電極 2の各々は矩形の平板状のアルミニウムパッドよりなるものであり、ウェハ 1全体の被検査電極 2の総数は 15496個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ Wl」という。また、この試験用ゥェハ W1に形成された 596個の集積回路のうち、図 24において太線でに示す縦横に並ぶ 64個（縦 8個，横 8個）の集積回路 Lを選択し、これらの 64個の集積回路 Lが形成された領域を「試験領域 El」とした。

(2) 作製例 2 ：

被検査電極として、アルミゥニムパッド上に共晶半田 (S b/S n = 4/6) よりなる半球状の突起電極（直径：約 80 μ m，突出高さ：約 60 μ m) を形成したこと以外は作製例 1と同様の条件により、ウェハ上に 596個の集積回路を形成した。以下、このウェハを「試験用ウェハ W2」という。また、この試験用ウェハ W 2に形成された 596個の集積回路のうち、試験用ウェハ W 1の試験領域 E1に対応する領域に形成された 64個（縦 8個，横 8個）の集積回路を選択し、これらの 64個の集積回路が形成された領域を「試験領域 E 2」とした。

〔異方導電性コネクタ一の製造〕 (1) フレーム板の作製：

図 25に示すように、上記の試験用ウェハ W1の試験領域 E 1に形成された 6 4個の集積回路における被検査電極領域に対応して 64個の開口 19が形成された直径が 10 c mのフレーム板 18を作製した。このフレーム板 18の具体的な仕様は、以下のとおりである。

フレーム板 18の材質はコパール（飽和磁化 1. 4Wb/m² ，線熱膨張係数 5 X 10— ⁶ZK) で、その厚みは 60 imである。フレーム板 18の開口 19の各々は矩形であって、その横方向（図 25において左右方向）の寸法が 2640 μ mで縦方向（図 25において上下方向）の寸法が 900 μ mである。

(2) スぺーサ一の作製：

形成すべき異方導電' I·生シートの平面形状に適合する形状の複数の開口が、上記のフレーム板の開口のパターンに対応するパターンに従って形成されたスぺーサ一を 2枚作製した。これらのスぺーサ一の具体的な仕様は、以下のとおりであるスぺーサ一の材質はステンレス（SUS 304) で、その厚みは 25 mである。スぺーサ一の開口の各々は矩形であって、その横方向の寸法が 3500 で縦方向の寸法が 1600 ^ mである。

(3) 金型の作製：

図 26および図 27に示す構成に従い、下記の条件により、異方導電性シート本体成形用の金型を作製した。

この金型における上型 50および下型 55は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる強磁性体基板 51， 56を有し、この強磁性体基板 51， 56上には、試験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って-ッケルょりなる導電部形成用の強磁性体層 52， 57およぴ非接続用導電部形成用の強磁性体層 52 a, 57aが配置されている。具体的には、導電部形成用の強磁性体層 52， 57の各々の寸法は 60 μ m (横方向） X 200 μ m (縦方向） X Ι Ο Ομπι (厚み）で、 26個の強磁性体層 52， 57が 120 μ mのピッチで横方向に二列（一列の強磁性体層 52， 57の数が 13個で、縦方向に隣接する強磁性体層 52， 57の間の離間距離が 250〃 m) に配列されている。また、強磁性体層 52， 57が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層 52 ， 57の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層 52 a, 57 aが配置されている。各強磁性体層 52 a， 57 aの寸法は、 60 πι (横方向） Χ200 / m (縦方向） Χ Ι Ο Ομηι (厚み）である。

そして、 26個の導電部形成用の強磁性体層 52， 57および 4個の非接続用導電部形成用の強磁†生体層 52 a, 57 aが形成された領域が、試験用ウェハ W 1の試験領域 E 1における集積回路の被検査電極領域に対応して合計で 64個形成され、全体で 1664個の導電部形成用の強磁性体層 52， 57および 256 個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 52 a, 57 aが形成されている。

また、非磁性体層 53， 58は、ドライフイノレムレジストを硬化処理することによつて形成され、導電部形成用の強磁性体層 52, 57が位置する凹所 53 a , 58 aの各々の寸法は、 70 m (横方向） X 210 μ m (縦方向） X 35 /z m (深さ）で、非接続用導電部形成用の強磁性体層 52 a， 57 aが位置する凹所 53 b， 58 bの各々の寸法は、 70μπι (横方向） X 210 μ m (縦方向） X 35 μπι (深さ）で、凹所以外の部分の厚みは 135 m (凹所部分の厚み 1 00 im) である。

(4) コネクター用中間体の製造：

上記のフレーム板、スぺーサ一および金型を用い、以下のようにしてフレーム板に異方導電性シート本体を形成した。

付加型液状シリコーンゴム 100重量部に、導電性粒子 30重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート本体用の成形材料を調製した。

ここで、導電性粒子としては、平均粒子径が 18 μ mのニッケルよりなる芯粒子に 20重量％の金メツキが施されてなるものを用いた。

また、付加型液状シリコーンゴムとしては、 A液の粘度が 250 P a · sで、 B液の粘度が 250 P a · sである二液型のものであって、硬化物の 150°Cにおける永久圧縮歪みが 5 硬化物のデュ口メ一ター A硬度が 35、硬化物の引裂強度が 2 5 k N/mのものを用いた。

また、上記の付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、次のようにして御 j定した。

( i ) 付加型液状シリコーンゴムの粘度：

B型粘度計により、 2 3 ± 2 °Cにおける粘度を測定した。

(ii) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：

二液型の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、 1 2 0°C、 3 0分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが 1 2 . 7 mm、直径が 2 9 mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、 2 0 0 °C、 4時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 1 5 0土 2。Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度：

上記 (ii) と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬ィ匕処理おょぴポストキュアを行うことにより、厚みが 2 . 5 mmのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってタレセント形の試験片を作製し、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 2 3 ± 2 °Cにおける引裂強度を測定した。

(iv) デュロメーター A硬度：

上記（iii)と同様にして作製されたシートを 5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 2 3 ± 2 °Cにおけるデュ口メ一ター A硬度を測定した。

上記の金型の上型および下型の表面に、調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき異方導電性シートのパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサ一を介して上型を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 1. 8Tの磁場を作用させながら、 100 °C、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の開口の各々に異方導電†生シート本体を形成し、以てコネクター用中間体を製造した。

形成された異方導電性シート本体について具体的に説明すると、異方導電性シ一ト本体の各々は、横方向の寸法が 3500 μ m、縦方向の寸法が 1600〃 m である。異方導電性シート本体の各々には、試験用ウェハ W1における被検查電極に対応する 26個の導電部が 120 μ mのピッチで横方向に二列（一列の導電部の数が 13個で、縦方向に隣接する導電部の間の離間距離が 25 Ο/im) に配列されており、導電部の各々は、横方向の寸法が 70μπι、縦方向の寸法が 21 0〃 m、厚みが 180 μ mであり、絶縁部の厚みが 110^ mである。また、横方向において最も外側に位置する導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 7 Ο_μ 'πι、縦方向の寸法が 210 μ m、厚みが 180 μ mである。また、異方導電性シート本体の各々におけるフレーム板に支持された部分の厚み（二股部分の一方の厚み）は 25 μπιである。

また、異方導電性シート本体の各々における導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部について体積分率で約 30 %であった。

〔DLC膜の形成〕

得られたコネクター用中間体における異方導電性シート本体の一面全面に、ァルゴンガスイオンによって 10分間イオンエッチング処理を行った。その後、固体炭素源としてグラフアイトを用い、電子ビーム蒸着法によって、処理温度 50 °C、処理時間 20分間の条件で、異方導電性シート本体の一面全面に厚みが 10 nmの DLC膜を形成し、以て、本発明に係る異方導電性コネクターを製造したまた、ヒユーレツトパッカード社製の電気抵抗測定器「High Resistance Mete r 4339」および「Resistivity Cell 16008B」を用い、得られた異方導電性コネクタ一における DLC膜の表面抵抗率を測定したところ、 1 X 10¹²ΩΖ口であつ 7こ。〔検査用回路基板の作製〕

基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨赚数 4. 8 X 1 0— ⁶ZK) を用い、試験用ウェハ W 1の試験領域 Ε 1における集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が l O c m X l O c mの矩形であり、その平面精度は土 1 0 ^ mである。また、検査電極は、横方向の寸法が 7 0 _μ mで縦方向の寸法が 2 1 0 /i mである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 TJ という。

〔異方導電性コネクターの評価〕

得られた異方導電性コネクターについて、下記の評価を行った。

( 1 ) 初期導電特性：

試験用ウェハ W 1を試験台に配置し、図 2 8に示すように、試験用ウェハ W 1 における試験領域 E 1上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々が当該試験用ウェハ W 1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板 Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターにおける異方導電性シートの導電部上に位置するよう位置合わせして配置した。

そして、室温（2 5 °C) 下において、検査用回路基板 Tを下方に所定の荷重で加圧し、検査用回路基板 Tにおける 1 6 6 4個の検査電極の各々と、当該検查電極に異方導電性コネクタ一おょぴ試験用ウェハ W 1を介して電気的に接続された他の検査電極との間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の 2分の 1 の値を異方導電性コネクターにおける導電部の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として算出し、これらの平均値を求めた。結果を表 1に示す。

( 2 ) 電極物質の付着性：

試験用ウェハ W 2をヒ一ターを具えた試験台に配置し、試験用ウェハ W 2における試験領域 E 2上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々が当該試験用ウェハ W 2の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板 Tをその検查電極の各々が当該異方導電性コネクターにおける異方導電性シートの導電部上に位置するよう'位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 Tを下方に 2 5 k gの荷重（導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 1 5 g ) で加圧した。次いで、検査用回路基板 Tをカ卩圧したままの状態で、試験台を 1 2 5 °Cに加熱し、更にこの状態で 2 4時間保持した後、検査用回路基板に対する加圧を解除し、 1時間放置した。この操作を 1サイクルとして、合計で 5サイクル連続して行った。

そして、異方導電性コネクターの各異方導電性シートにおける被検査電極が接触した部分について、ォージヱ分析電子分光法により元素分析を行い、被検查電極を構成する物質である S n並びに導電性粒子を構成する物質である A uおよび N iの合計の質量に対する S nの質量の割合（以下、この割合を「S nの割合 S 1」という。）を算出した。結果を表 2に示す。

( 3 ) 繰り返し使用における導電特性：

試験用ウェハ W 2を、電熱ヒーターを.具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W 2の試験領域 E 2上に異方導電性コネクターをその導電部の各々が当該試験用ウェハ W 2の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板 Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検查用回路基板 Tを下方に 2 5 k gの荷重（導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 1 5 g ) で力 Π圧した。

次いで、検査用回路基板 Tを加圧したままの状態で、試験台の温度を 8 5 °Cに昇温した後、異方導電性コネクターにおける導電部の各々の導通抵抗を順次測定した。そして、検查用回路基板に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温まで冷却した。

そして、上記の操作を 1サイクルとして、合計で 1 0万サイクル連続して行い、各サイクルにおいて測定した導電部の導通抵抗の平均値を求めた。結果を表 3 に示す。

( 4) 非接着性：

異方導電' I·生コネクターを、表面が金メツキされたガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板とシリコン基板との間に介在させ、当該異方導電性コネクターにおける導電部の歪み率が 3 0 %となるよう加圧した。この状態で、 1 5 0 °Cの雰囲気下に 4 8時間放置した後、異方導電性コネクターにおける異方導電性シートとガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板おょぴシリコン基板との接着性を調べた。

異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維捕強型エポキシ樹脂基板およびシリコン基板のいずれにも全く接着しておらず、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して傾けたところ、いずれの異方導電性コネクターも、ガラス繊維捕強型ェポキシ樹脂おょぴシリコン基板から容易に剥離して落下した。

また、シリコン基板の表面を観察したところ、シリコーンゴムの低分子量成分による汚染は全く認められなかった。

〈実施例 4〉

D L C膜の厚みを 5 n mとしたこと以外は実施例 3と同様にして、本発明に係る異方導電性コネクターを製造した。この異方導電性コネクターにおける D L C 膜の表面抵抗を実施例 3と同様にして測定したところ、 1 X 1 0 ^{1 2} Ω/口であつた。

得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行った。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行ったところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板おょぴシリコン基板のいずれにも全く接着しておらず、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して傾けたところ、いずれの異方導電性コネクターも

、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およびシリコン基板から容易に剥離して落下した。

〈比較例 2〉

実施例 3と同様にしてコネクター用中間体を製造し、このコネクター用中間体を比較用の異方導電性コネクターとした。

また、ヒューレットパッカードネ ±Sの電気抵抗測定器 rHigh Resistance Mete r 4339」および「Resistivity Cell 16008B」を用い、異方導電性コネクターにおける異方導電性シート本体の一面における表面抵抗率を測定したところ、 1 X

1 0 ^{1 5} Ω /口以上であった。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行つた。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行った。その結果、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して 1 8 0° 反転させたところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およびシリコン基板に接着したままで、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およぴシリコン基板の両方に強固に接着しており、異方導電性コネクターを強制的に剥離させたところ、その異方導電性シートが破損し、その一部がガラス繊維補強型エポキシ樹脂おょぴシリコン基板に接着したままの状態であつた。

〈実施例 5〉

( 1 ) コネクター用中間体の製造：

実施例 3と同様にしてコネクター用中間体を製造した。

( 2 ) 金属層の形成：

得られたコネクター用中間体の異方導電性シート本体の各々における導電部のパターンに対応するパターンに従って開口が形成されたステンレスよりなるマスクを作製した。

次いで、作製したマスクを、コネクター用中間体における異方導電性シート本体の一面に当該マスクの各開口がこれに対応する導電部上に位置するよう配置し、マスクの開口から露出した導電部の一面に対して、アルゴンガスイオンによつて 1 0分間イオンエッチング処理を行った。その後、ルテニウムよりなる電極を陰極としたアーク放電法によって、導電部の一面に厚みが 1 0 0 n mのルテニゥムよりなる金属層を形成した。 ( 3 ) D L C膜の形成：

金属層が形成されたコネクター用中間体に対して、金属層を含む異方導電性シート本体の一面全面に、アルゴンガスイオンによって 1 0分間イオンエッチング処理を行った。その後、固体炭素源としてグラフアイトを用い、電子ビーム蒸着法によって、処理温度 5 0 °C、処理時間 2 0分間の条件で、異方導電性シート本体の一面全面に厚みが 1 O n mの D L C膜を形成し、以て、本発明に係る異方導電¾£コネクターを製造した。

得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行った。但し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに、被検査電極を構成する物質である S n、導電性粒子を構成する物質である A uおよび N i並びに金属層を構成する金属の合計の質量に対する S nの質量の割合（以下、この割合を「S nの割合 S 2 J という。）を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着个生の評価を行ったところ、異方導電' I"生コネクタ一は、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板およびシリコン基板のいずれにも全く接着しておらず、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して傾けたところ、いずれの異方導電性コネクターも

また、シリコン基板の表面を観察したところ、シリコーンゴムの低分子量成分による汚染は全く認められなかつた。

〈実施例 6 )

金属層の形成において、陰極を形成する金属材料をルテニウムからタンダステンに変更したこと以外は実施例 5と同様にして、本発明に係る異方導電性コネクターを製造した。得られた異方導電性コネクターにおけるタングステンよりなる金属層の厚みは 1 0 0 n mである。

得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行った。伹し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに S nの割合 S 2を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行ったところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス »補強型エポキシ樹脂基板およぴシリコン基板のいずれにも全く接着しておらず、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して傾けたところ、いずれの異方導電性コネクターも

、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂おょぴシリコン基板から容易に剥離して落下した。

〈実施例 7〉

金属層の形成において、陰極を形成する金属材料をルテニウムからロジウムに変更したこと以外は実施例 5と同様にして、本発明に係る異方導電性コネクタ一を製造した。得られた異方導電性コネクターにおけるロジウムよりなる金属層の厚みは 1 0 0 n mである。

得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行った。但し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに S nの割合 S 2を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行ったところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維捕強型エポキシ樹脂基板およびシリコン基板のいずれにも全く接着しておらず、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して傾けたところ、レ、ずれの異方導電性コネクターも

、ガラス H !補強型エポキシ樹脂およびシリコン基板から容易に剥離して落下した。

〈比較例 3〉実施例 5と同様にしてノレテ-ゥムよりなる金属層が形成されたコネクター用中間体を製造し、このコネクター用中間体を比較用の異方導電性コネクターとしたまた、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性および繰り返し使用における導電特性の評価を行った。但し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに S nの割合 S 2を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行った。その結果、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して 1 8 0 ° 反転させたところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維補強型エポキシ樹月旨おょぴシリコン基板に接着したままで、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およぴシリコン基板の两方に強固に接着しており、異方導電性コネクターを強制的に剥離させたところ、その異方導電性シートが破損し、その一部がガラス繊維補強型エポキシ樹脂おょぴシリコン基板に接着したままの状態であった。

〈比較例 4〉

実施例 6と同様にしてタングステンよりなる金属層が形成されたコネクター用中間体を製造し、このコネクター用中間体を比較用の異方導電性コネクターとした。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性おょぴ繰り返し使用における導電特性の評価を行つた。但し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに S nの割合 S

2を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行った。その結果、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して 1

8 0° 反転させたところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維捕強型エポキシ樹脂およびシリコン基板に接着したままで、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およぴシリコン基板の両方に強固に接着しており、異方導電性コネクターを強制的に剥離させたところ、その異方導電性シートが破損し、その一部がガラス繊維補強型エポキシ樹脂おょぴシリコン基板に接着したままの状態であった。

〈比較例 5 >

実施例 7と同様にしてロジウムよりなる金属層が形成されたコネクター用中間体を製造し、このコネクター用中間体を比較用の異方導電性コネクターとした。また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして初期導電特性、電極物質の付着性およぴ繰り返し使用における導電特性の評価を行つた。伹し、電極物質の付着性については、 S nの割合 S 1の代わりに S nの割合 S 2を算出した。結果を表 1〜表 3に示す。

また、得られた異方導電性コネクターについて、実施例 3と同様にして非接着性の評価を行った。その結果、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂基板を保持して 1 8 0° 反転させたところ、異方導電性コネクタ一は、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およびシリコン基板に接着したままで、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂およぴシリコン基板の両方に強固に接着しており、異方導電性コネクターを強制的に剥離させたところ、その異方導電性シートが破損し、その一部がガラス繊維補強型エポキシ樹脂およぴシリコン基板に接着したままの状態であった。

導電部の導通抵抗の平均値（Ω)

何全体 3.3 kg 5 k g 6.7 kg 8.3 kg 1 Okg 11.6 k g 15 kg 20 kg 25kg

導電部 1個当たり 2 g 3 g 4 g 5 g 6 g 7 g 9 g 1 2 g 1 5 g

実施例 3 1.1 0.6 3 0.4 1 0.26 0.1 4 0.1 2 0.1 0.0 9 0.08

実施例 4 1.2 0.6 1 0.4 3 0.2 5 0.1 5 0.1 1 0.1 0.1 0.1

実施例 5 1.1 0.5 8 0.34 0.1 9 0.1 1 0.06 0.05 0.06 0.06

実施例 6 1.2 0.6 5 0.4 2 0.1 6 0.1 1 0.09 0.08 0.06 0.0 5

実施例 7 0.9 5 0.6 1 0.4 I 0.2 0.1 3 0.08 0.07 0.0 7 0.06 n

CO

比較例 2 5.7 1.3 0.82 0.44 0.2 3 0.2 0.1 7 0..-1 6 0.1 5

比較例 3 1.4 0.6 1 0.4 0.2 1 0.1 5 0.1 3 0.1 2 0.1 0.1

比較例 4 1.3 0.6 5 0.4 3 0.2 3 0.1 4 0.1 1 0.1 0.1 0.1

比較例 5 1.1 0.5 7 0.3 5 0.1 9 0.1 1 0.1 0.1 0.0 9 0.1

¾1 [表 2]

S nの害恰 Snの害恰 S 1 S2 なし 0 一婦 |J4 なし 0 ：, 一

ルテニウム 0 タングステン 0 ^n ロジウム 0

J:國 2 なし 0. 51

i:圆 3 ルテニウム "0. 1 1

J:瞧 4 タングステン 0. 13 i:國 5 ロジウム 0. 16

導電部の導通抵抗の平均値（Ω)

サイクル数 1 1 0 0 0 5 0 0 0 1 00 00 2 00 00 3 6 0 0 0 5 0 0 00 7 0 0 0 0 1 00000

実施例 3 0. 1 0. 0 8 0. 0 5 0. 0 5 0. 0 6 0. 1 1 0. 2 3 0. 2 8 0. 5 3

実施例 4 0. 1 0. 0 8 0. 1 0. 1 3 0. 1 5 0. 1 6 0. 3 4 0. 5 0. 8 3

実施例 5 0. 0 5 0. 0 8 0. 0 9 0. 1 2 0. 1 3 0. 1 7 0. 2 9 0. 4 8 0. 7 3

実施例 6 0. 0 8 0. 0 5 0. 0 6 0. 0 8 0. 1 1 0. 1 4 0. 2 5 0. 3 3 0. 5 9

実施例 7 0. 0 7 0. 1 0. 0 8 0. 1 1 0. 1 4 0. 1 5 0. 2 6 0. 3 9 0. 7 4

比較例 2 0. 1 6 0. 0 5 0. 0 7 0. 7 3 > 1 0 測定せず .

U1 比較例 3 0. 1 2 0. 2 1 0. 5 4 1 . 4 > 1 0 測：定せず

比較例 4 0. 1 0. 4 3 0. 8 1 3. 2 > 1 0 測定せず

比較例 5 0. 1 0. 1 1 0. 1 2 0. 1 1 0. 4 3 1 . 3 > 1 0 測定せず

¾3

Claims

請求の範囲

1. 弾性高分子物質により形成されてなり、厚み方向に伸びる複数の導電部およびこれらの導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する異方導電性シート本体と、この異方導電性シート本体における一面または両面に、少なくとも絶縁部を覆うよう一体的に形成された D L C膜と

を有してなることを特徴とする異方導電 ¾£シ一ト。

2. DL C膜の表面抵抗率が 1 X 10⁸〜1 X 10¹⁴ ΩΖ口であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の異方導電性シート。

3. DL C膜の厚みが 1〜 500 n mであることを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の異方導電性シート。

4. 異方導電性シート本体を形成する弹' I·生高分子物質がシリコーンゴムであることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれかに記載の異方導電性シー

5. DL C膜が、異方導電性シート本体における一面全面または両面全面を覆うよう形成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれかに記載の異方導電性シート。

6. 異方導電性シート本体における一面に、導電部を覆うよう金属層が一体的に形成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれかに記載の異方導電性シート。

7. DLC膜が、金属層の表面を覆うよう形成されていることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の異方導電性シート。

8. 金属層の表面抵抗率が 1 XI 0— ² ΩΖ口以下であることを特徴とする請求の範囲第 6項または第 7項に記載の異方導電性シート。

9. 金属層の厚みが 5〜1000 nmであることを特徴とする請求の範囲第 6項乃至第 8項のいずれかに記載の異方導電性シート。

1 0. 弾性高分子物質により形成されてなり、厚み方向に伸びる複数の導電部おょぴこれらの導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する異方導電性シート本体を製造し、

得られた異方導電性シート本体における一面または両面に、 P VD法によって、 D L C膜を少なくとも絶縁部を覆うよう一体的に形成する工程を有することを特徴とする異方導電性シートの製造方法。

1 1 . 1 5 0 °C以下の温度で D L C膜を形成することを特徴とする請求の範囲第 1 0項に記載の異方導電性シートの製造方法。

1 2 . 異方導電性シート本体における D L C膜を形成すべき面に、イオンエッチング処理を行い、その後、 D L C膜を形成することを特徴とする請求の範囲第 1 0項または第 1 1項に記載の異方導電性シートの製造方法。

1 3 . 開口を有するフレーム板と、このフレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によつて支持された、請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれかに記載の異方導電性シートとを具えてなることを特徴とする異方導電性コネクター。

1 4 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターであって、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、それぞれ前記フレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によって支持された複数の異方導電性シートとを具えてなり、前記異方導電性シートは請求の範囲第 1項乃至第 9項の、ずれかに記載の異方導電性シートであることを特徴とする異方導電性コネクター。

1 5 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターであって、検査対象であるウェハに形成された集積回路の中から選択された複数の集積回 -路における被検査電極が配置された領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、それぞれ前記フレーム板の開口を塞ぐよう配置され、当該フレーム板の開口縁部によつて支持された複数の異方導電性シートとを具えてなり、前記異方導電性シートは請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれかに記載の異方導電性シートであることを特徴とする異方導電性コネクタ一。

1 6 . 検査対象である回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検查用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれかに記載の異方導電性シートまたは請求の範囲第 1 3項に記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。

1 7. ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる回路検査用プローブであって、検查対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極のバターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検查用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、請求の範囲第 1 4項に記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。

1 8 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる回路検査用プローブであって、検査対象であるウェハに形成された集積回路の中から選択された複数の集積回路における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、請求の範囲第 1 5項に記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。

1 9 . 絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸ぴ、検査用回路基板における検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが、異方導電性コネクター上に配置されていることを特徴とする請求の範囲第 1 7項または第 1 8項に記載の回路検查用プローブ。

2 0 . 請求の範囲第 1 6項乃至第 1 9項のいずれかに記載の回路検査用プローブを具えてなることを特徴とする回路検査装置。