TWI276252B - Anisotropic conductive plate and manufacturing method and applications thereof - Google Patents

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1276252 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關適用於作爲半導體積體電路等電路裝置 之電氣檢查用連接器之異方性導電板，其製造方法及其應 用。 【先前技術】 異方性導電彈性板係僅於厚度方向呈現導電性之物， 或具有於厚度方向加壓時僅於厚度方向呈現導電性之加壓 導電之導電部者，不使用焊接或機械嵌合等手段即可達成 緊致之電氣接續，由於具有可吸收機械衝擊及應變而能軟 性接續等特長，因而利用此特長可廣泛使用於例如電子計 算機、電子數位鐘錶、電子相機、電腦鍵盤等領域中，作 爲電路裝置，例如印刷電路基板與無引線線晶板載體、液 晶面板等相互間達成電氣接續用之連接器。 又，於封裝1C、MCM等半導體積體電路裝置、形成 積體電路之晶圓、印刷電路基板等電路裝置之電氣檢查中 ，爲使檢查對象電路裝置之一面所形成之被驗電極與檢查 用電路基板之表面所形成之被驗電極達成電氣接續，而在 電路元件之被驗電極領域與檢查用電路基板之檢查用電極 領域之間介入異方性導電彈性板。 以往，此類異方性導電彈性板已知有各種構造’例如 日本特開昭51-93393號公報等中揭示將金屬粒子均勻分散 於彈性體中而得之異方性導電彈性板（下文亦稱其爲「分 -4- (2) 1276252 散型異方性導電彈性板」），又，特開昭5 3 - 1 47772號公 報等中揭示藉由將導電磁性粒子不均勻的分布於彈性體中 而形成往厚度方向伸展之複數導電部及與此等導電部互相 絕緣之絕緣部所形成的異方性導電彈性板（下文亦稱其爲 「不均勻型異方性導電彈性板」），此外，特開昭6 1 -25 09 06號公報等中揭示於導電部表面與絕緣部之間形成段 差之不均勻型異方性導電彈性板。 因此，不均勻型異方性導電彈性板係依據與應接續之 電路裝置之電極圖型對掌之圖型而形成導電部，因而與分 散型異方性導電彈性板相較，即使對應接續之電極其排列 間距，亦即鄰接之電極中心間距小之電路裝置等，亦可達 成高度可信賴之電極間之電氣接續，而甚爲有利。 然而，習知之異方性導電彈性板有下列問題存在。 於半導體積體電路等電路裝置之電氣檢查中，爲挑出 具有潛在缺陷之電路裝置，而於高溫環境下進行電路裝置 電氣檢查用之老化試驗。 具體說明使用異方性導電彈性板之老化試驗’即係於 異方性導電彈性板之一面配置被驗電路裝置’同時於該異 方性導電彈性板之另一面配置檢查用電路裝置’此外藉由 往厚度方向加壓，而達成被驗電路裝置之被驗電極與檢查 用電路基板之檢查電極之電氣接續。繼之’將被驗電路裝 置加熱至預定溫度，於該狀態下保持一定時間。然後，進 行該被驗電路裝置所需之電氣檢查。 然而，形成異方性導電彈性板之彈性高分子物質例如 -5- (3) 1276252 於矽橡膠中有未硬化之低分子量成分殘留，由於該低分子 量成分滲至異方性導電彈性板之表面，而污染與該異方性 導電彈性板接觸之被驗電路裝置。 又’異方性導電彈性板由於低分子量成分殘留，於高 溫下帶有黏著性，而在高溫環境下與被驗電路裝置長時間 維持壓接狀態時，異方性導電彈性板會與被驗電路裝置黏 著’導致將二者剝離時，異方性導電彈性板與被驗電路裝 置任一者或二者受損。 另一方面’於異方性導電彈性板與被驗電路裝置間介 入板狀連接器進行老化試驗時，可避免低分子量成分污染 被驗電路裝置及防止異方性導電彈性板與被驗電路裝置產 生黏著。 然而’此種情況下，異方性導電彈性板與板狀連接器 黏著之結果，於將二者剝離時，異方性導電彈性板與板狀 連接器任一者或二者可能受損。又，異方性導電彈性板與 板狀連接器黏著時，該板狀連接器發生彎曲現象，因此以 此種狀態使用於電路裝置之電氣檢查時，對被驗電路裝置 之全部被驗電極難以達成安定的電氣接續。 又’使用習知異方性導電彈性板於具有焊接而成之被 驗電極的電路裝置之電氣檢查時，會有下列問題。 亦即’具有焊接而成之被驗電極的電路裝置之探針於 試驗中多次反覆使用時，或者於在高溫環境下之試驗例如 反覆使用於老化試驗時，構成被驗電極之焊料物質附著於 異方性導電彈性板之表面，此外由於擴散至導電粒子中而 -6- (4) 1276252 導致難以維持所須之導電性。 爲解決此種問題，例如於日本特開2002-280092號公 報揭示，於異方性導電彈性板之導電部表面，形成對焊料 物質具有耐擴散性之金屬層之方法。 然而，由於此種方法無法控制焊料物質附著於該金屬 層之表面，而難以長期維持所須之導電性。 此外，習知不均勻型異方性導電彈性板有下列問題存 在。 於不均勻型異方性導電彈性板中，由於有相當大領域 之絕緣部存在，依據該不均勻型異方性導電彈性板之使用 方法或使用環境，在該不均勻型異方性導電彈性板絕緣部 之表面會產生帶有靜電等各種問題。 例如，使用不均勻型異方性導電彈性板於電路裝置之 電氣檢查時，係於應檢查之電路裝置與檢查用電路基板間 介入不均勻型異方性導電彈性板，藉由將該異方性導電彈 性板加壓，達成應檢查之電路裝置與檢查用電路基板之電 氣接續而進行電氣檢查，但因加壓動作及剝離動作易產生 電荷，於連續進行複數電路裝置之電氣檢查時，於異方性 導電彈性板中絕緣部之表面會蓄積電荷而帶有高度電壓之 靜電。 由於該靜電會經由異方性導電彈性板之導電部放電， 除了對異方性導電彈性板之導電部或檢查用電路基板之配 線電路有不良影響之外，對檢查對象之電路裝置亦有不良 影響，而導致異方性導電彈性板或檢查用電路基板故障， -7 - (5) 1276252 而破壞檢查對象之被驗電路裝置。 【發明內容】 本發明即係基於上述事貫者，其第1目的係提供不會 污染接I賈對象物，且在高溫環境下即使接續對象物於加壓 狀態下長時間放置，亦不會與接續對象物黏著，且可防止 或抑制電何畜積而排除因靜電引起之不良影響的異方性導 電板。 本發明之第2目的係在第1目的外，另提供即使接續對 象物係由焊料構成，亦可長期間維持所需導電性之異方性 導電板。 本發明之第3目的係提供不會污染接續對象物，且在 高溫環境下即使接續對象物於加壓狀態下長時間放置，亦 不會與接續對象物黏著，而且可防止或抑制電荷蓄積而排 除因靜電引起之不良影響的異方性導電板之製造方法。 本發明之第4目的係提供具有上述異方性導電板之異 方性導電連接器、電路檢查用探針及電路檢查裝置。 本發明之異方性導電板其特徵爲由具有由彈性高分子 物質所形成，往厚度方向伸展之複數導電部及與此等導電 部互相絕緣之絕緣部的異方性導電板本體’ 以及於該異方性導電板本體之一面或二面至少包覆絕 緣部而一體形成之DLC膜所構成。 本發明之異方性導電板，其D L c膜之表面電阻率以 lxlO8至 ΙχΙΟ14 Ω /□爲佳。 -8- (6) 1276252 本發明之異方性導電板，其DLC膜之厚度以1至 5 0 0 n m爲佳。 本發明之異方性導電板，其形成異方性導電板本體之 彈性高分子物質以矽橡膠爲佳。 本發明之異方性導電板，其DLC膜係以包覆於異方 性導電板本體之一面全面或兩面全面而形成爲佳。 本發明之異方性導電板中，於異方性導電板本體之一 面亦可一體形成包覆導電部之金屬層。 此種異方性導電板，其DLC膜係以包覆金屬層表面 而形成爲佳。 又，金屬層之表面電阻率以1χ1〇_2Ω/□以下爲佳。 又，金屬層之厚度以5至1000nm爲佳。 本發明之異方性導電板之製造方法，其特徵爲包含： 製造具有由彈性高分子物質所形成，往厚度方向伸展之複 數導電部及與此等導電部互相絕緣之絕緣部的異方性導電 板本體’ 且於所得異方性導電板本體之一面或二面，以物理氣 相沉積（PVD，Physical Vapor Deposition)法使 DLC 膜 至少包覆絕緣部一體形成之步驟者。 於本發明之異方性導電板之製造方法，以於1 5 0 °C以 下之溫度形成DLC膜爲佳。 又，於本發明之異方性導電板之製造方法中，以於應 形成D L C膜之異方性導電板本體之一面，進行離子蝕刻 ，然後形成DLC膜爲佳。 -9 - (7) 1276252 本發明之異方性導電連接器其特徵爲由具有開口之框 板以及配置爲堵塞框板開口，而藉該框板之開口邊緣部支 持之前述異方性導電板所構成。 本發明之電路檢查用探針’其特徵爲由依據對應於檢 查對象電路之被驗電極圖型的圖型而於表面形成檢查電極 之檢查用電路基板，以及配置於此檢查用電路基板表面上 之前述異方性導電板或前述異方性導電連接器而構成者。 又，本發明之異方性導電連接器，係有關於晶圓上各 自形成之複數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進 行電氣檢查用之異方性導電連接器，其特徵爲： 由對應檢查對象之晶圓上形成之所有積體電路中配置 被驗電極之領域而形成複數開口之框板，及配置爲分別堵 塞上述框板開口，而以該框板之開口邊緣部支持之複數異 方性導電板構成，而上述異方性導電板係具有上述DLC 膜之異方性導電板者。 又，本發明之電路檢查用探針，係有關於晶圓上各自 形成之複數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行 電氣檢查用之電路檢查用探針，其特徵爲： 由依據對應於檢查對象之晶圓上形成之所有積體電路 中被驗電極圖型的圖型而於表面形成檢查電極之檢查用電 路基板，以及配置於該檢查用電路基板表面上之前述晶圓 檢查用異方性導電連接器而構成者。 又’本發明之異方性導電連接器，係有關於晶圓上各 自形成之複數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進 -10- (8) 1276252 行電氣檢查用之異方性導電連接器，其特徵爲： 由對應於選自檢查對象之晶圓上形成之積體電路中之 複數積體電路中配置被驗電極之領域而形成複數開口之框 板，及配置爲分別堵塞上述框板開口，而藉該框板之開口 邊緣部支持之複數異方性導電板所構成，而該異方性導電 板爲具有上述DLC膜之異方性導電板者。 又，本發明之電路檢查用探針，係有關於晶圓上各自 形成之複數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行 電氣檢查用之電路檢查用探針，其特徵爲： 由對應於選自檢查對象之晶圓上形成之積體電路中之 複數積體電路中被驗電極圖型的圖型而於表面形成檢查電 極之檢查用電路基板，以及配置於該檢查用電路基板表面 上之前述晶圓檢查用異方性導電連接器所構成者。 本發明之電路檢查用探針中，由絕緣板及貫通該絕緣 板厚度方向而伸展，依據對應於檢查用電路基板之檢查電 極圖型的圖型而配置之複數電極構造體所構成之板狀連接 器’亦可配置於異方性導電連接器上。 本發明之電路檢查裝置，其特徵爲由上述電路檢查用 探針構成。 【實施方式】 發明之效果 依據本發明之異方性導電板，係藉於異方性導電板本 體之一面或二面至少以DLC膜包覆絕緣部而形成，由於 -11 - (9) 1276252 形成異方性導電板本體之彈性高分子物質中之低分子量成 分不會滲出至表面，因而低分子量成分不會污染接續對象 物，且在高溫環境下即使接續對象物於加壓狀態下長時間 放置，亦不會與接續對象物黏著。而且，DLC膜與彈性高 分子物質相較爲表面電阻率低之物，因而可防止或抑制電 荷蓄積於表面而排除因靜電引起之不良影響。 此外，由於DLC膜爲包覆導電部表面而形成之構造 ，即使接續對象物係由焊料構成，亦可充分抑制該焊料物 質附著於異方性導電板表面，而可長期間維持所需之導電 性。 依據本發明之異方性導電板之製造方法，即可製造不 會污染接續對象物，且在高溫環境下即使接續對象物於加 壓狀態下長時間放置，亦不會與該接續對象物黏著，因而 可防止或抑制電荷蓄積於表面而排除因靜電引起之不良影 響的異方性導電板。 依據本發明之異方性導電連接器，因具有上述異方性 導電板，而不會污染接續對象物，且在高溫環境下即使接 續對象物於加壓狀態下長時間放置，亦不會與該接續對象 物黏著，而且可防止或抑制電荷蓄積於表面而排除因靜電 引起之不良影響。 依據本發明之電路檢查用探針及電路裝置之檢查裝置 ’可防止檢查對象之電路裝置被污染，且在高溫環境下即 使電路裝置於加壓狀態下長時間放置時，亦可防止異方性 導電板與電路裝置或電路檢查用探針中之其他元件黏著， -12- (10) 1276252 據而可避免損及異方性導電板、電路裝置或電路檢查用探 針中之其他元件。此外，因可防止或抑制電荷蓄積於異方 性導電板之表面而可排除因靜電引起之不良影響。 實施發明之最佳形態 下文，詳細說明本發明之實施形態。 [異方性導電板] 第1圖係表示有關本發明異方性導電板之一例之構成 之說明用剖面圖。 該異方性導電板1 0，具有由彈性高分子物質所形成之 異方性導電板本體1 1。異方性導電板本體1 1係由依據對應 於接續對象，例如被驗電路裝置之被驗電極圖型的圖型而 配置，各自往厚度方向伸展之複數導電部1 2，以及與此等 導電部1 2互相絕緣之絕緣部1 3所構成。導電部1 2中緊密含 有之呈磁性導電粒子P係往厚度方向排列定向之狀態。相 對於此，絕緣部1 3爲完全或幾乎不含導電粒子p者。又， 圖示之例中，導電部1 2係分別自絕緣部1 3之兩面呈突出狀 而形成。 形成異方性導電板本體1 1之彈性高分子物質以具有交 聯構造之耐熱性高分子物質爲佳。爲獲得該交聯高分子物 質所使用之可硬化性高分子物質形成材料，可使用種種物 質，其具體例爲例如砂橡膠、聚丁二燒橡膠、天然橡膠、 聚異戊二烯橡膠、苯乙嫌-丁二烯共聚物橡膠、丙嫌腈-丁 -13- 1276252 (11) 二烯共聚物橡膠等共軛二烯系橡膠及此等之加氫物，苯乙 烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物橡膠、苯乙烯-異戊二烯嵌段 共聚物等嵌段共聚物橡膠及此等之加氫物，氯丁二烯橡膠 、聚胺酯橡膠、聚酯系橡膠、環氧氯丙烷橡膠、乙烯-丙 烯共聚物橡膠、乙烯-丙烯-二烯共聚物橡膠、軟質液狀環 氧橡膠等。 此等之中’就成形加工性、電氣特性及對後述DLC 膜1 5之黏著性觀點而言，以矽橡膠爲佳。 矽橡膠以將液狀矽橡膠交聯或縮合而得者爲佳。液狀 矽橡膠可爲縮合型者、加成型者、含有乙烯基或羥基者等 任一者。可具體例舉如二甲基矽生橡膠、甲基乙烯基矽生 橡膠、甲基苯基乙烯基矽生橡膠等。 此等之中，含乙烯基之液狀矽橡膠（含乙烯基之聚二 甲基矽氧烷）一般係使二甲基二氯矽烷或二甲基二烷氧矽 烷於二甲基乙烯氯矽烷或二甲基乙烯烷氧矽烷之存在下進 行水解及縮合反應，例如分別連續進行溶解-沉澱之重覆 操作即可獲得。 又，兩末端含乙烯基之液狀矽橡膠，係使八甲基環四 矽氧烷類環狀矽氧烷於觸媒之存在下進行陰離子聚合，使 用例如二甲基二乙烯矽氧烷作爲聚合停止劑，並適當選擇 其他反應條件（例如環狀矽氧烷之用量及聚合停止劑之用 量）即可獲得。上述陰離子聚合之觸媒可使用氫氧化四甲 基銨及氫氧化四正丁基鱗等鹼或該等之矽氧烷醇鹽溶液等 ，反應溫度爲例如80至130°C。 -14- (12) 1276252 此種含乙烯基之聚二甲基矽氧烷係以分子量Mw (即 以聚本乙細爲標準換算之重量平均分子量，以下同） 1 0 0 0 0至4 0 0 0 〇者爲佳。又，就所得異方性導電板1 〇之耐熱 性觀點而言，以分子量分布指數（以聚苯乙烯爲標準換算 之重量平均分子量Mw與以聚苯乙烯爲標準換算之數目平 均分子量Μη之比Mw/Mn之値，以下同）2以下者爲佳。 另一方面，含羥基之液狀矽橡膠（含羥基之聚二甲基 矽氧烷）一般係使二甲基二氯矽烷或二甲基二烷氧矽烷於 二甲基氫化氯矽烷或二甲基氫化烷氧矽烷之存在下進行水 解及縮合反應，例如連續進行溶解-沉澱之重覆操作即可 獲得。 又，使環狀矽氧烷於觸媒之存在下進行陰離子聚合， 並使用例如二甲基氫化氯矽烷、甲基二氫化氯矽烷或二甲 基氫化烷氧矽烷等作爲聚合停止劑，並適當選擇其他反應 條件（例如環狀矽氧烷之用量及聚合停止劑之用量）即可 獲得。此處，陰離子聚合之觸媒可使用氫氧化四甲基銨及 氫氧化四正丁基鱗等鹼或該等之矽氧烷醇鹽溶液等，反應 溫度爲例如80至130°C。 此種含羥基之聚二甲基砂氧院係以分子量Mw爲 10000至40000者較佳。又，就所得異方性導電板1〇之耐熱 性觀點而言，以分子量分布指數2以下者爲佳。 本發明中，可使用上述含乙烯基之聚二甲基矽氧烷及 含羥基之聚二甲基矽氧烷之任一者，亦可兩種倂用。 使用異方性導電板於有關晶圓上形成之積體電路之探 -15- (13) 1276252 針試驗或老化試驗時，彈性高分子物質以使用加成型液狀 矽橡膠之硬化物（下文稱爲「矽橡膠硬化物」），以使用 其150 °C下之壓縮永久應變爲10%以下者較佳，8%以下者 更佳，6 %以下者最佳。該壓縮永久應變超過1 〇 %時，所得 異方性導電板在多次重覆使用時或在高溫環境下重覆使用 時，導電部12容易發生永久應變，因而產生導電部12中導 電粒子連鎖鏈混亂，結果難以維持所需之導電性。 矽橡膠硬化物之壓縮永久應變可依據JIS K 624 9之方 法測定。 矽橡膠硬化物以使用於23 °C下硬度計A硬度爲10至 60者爲佳，15至60者更佳，20至60者最佳。該硬度計 A 硬度小於1〇時，於加壓時，與導電部12相互絕緣之絕緣部 1 3易過度彎曲，而難以維持與導電部1 2間所需之絕緣性。 另一方面，若硬度計A硬度超過60，則爲賦予導電部12 適當之應變必須藉甚大荷重施加壓力，而容易發生例如檢 查對象物變形或損壞之情況。 矽橡膠硬化物若使用硬度計A硬度爲上述範圍之外 者，則所得異方性導電板經多次重覆使用時，導電部1 2易 發生永久應變，因而產生導電部1 2中導電粒子連鎖鏈混亂 之結果，而難以維持所需之導電性。 此外，使用異方性導電板於老化試驗時，矽橡膠硬化 物以使用於23 °C下硬度計A硬度爲25至40者爲佳。 矽橡膠硬化物若使用硬度計A硬度爲上述範圍之外 者，則所得異方性導電板重覆使用於老化試驗時，導電部 -16- 1276252 (14) 1 2易發生永久應變，因而產生導電部1 2中導電粒子連鎖鏈 混亂之結果，而難以維持所需之導電性。 矽橡膠硬化物之硬度計A硬度可依據JIS K 6249之方 法測定。 矽橡膠硬化物以使用於23°C下扯裂強度爲8kN/m以上 者爲佳，10 kN/m以上更佳，15 kN/m以上又更佳，20 kN/m以上者最佳。該扯裂強度小於8kN/m時，當賦予異 方性導電板過度之應變時，易引起耐久性降低。 此處，矽橡膠硬化物之扯裂強度可依據JIS K 6249之 方法測定。 加成型液狀矽橡膠係藉由乙烯基與Si-H鍵之反應而 硬化者，可使用由含有乙烯基與Si-H鍵二者之聚矽氧烷 所構成之一液型（一成分型），以及由含有乙烯基之聚矽 氧烷與含有Si-H鍵之聚矽氧烷所成之二液型（二成分型 )之任一者，以使用二液型之加成型液狀矽橡膠爲佳。 又，加成型液狀矽橡膠以使用於23 °C下黏度100-1 5 2 5 0 P a · s 者爲佳，150-800Pa · s 者更佳，250-500Pa· s 者最佳。該黏度小於1 0 0 P a · s時，於獲得後述異方性導 電板用之成型材料中，該加成型液狀矽橡膠中之導電粒子 易發生沉降現象，而不能獲得良好之保存安定性，又，於 成形材料層施予平行磁場作用時，導電粒子不會往厚度方 向排列定向，而難以均勻狀態形成導電粒子之連鎖鏈。一 方面，該黏度超過1，2 5 0 P a · s時，因所得成形材料爲黏度 高之物而成爲難以在鑄模內形成成形材料層者，又，即使 -17- 1276252 (15) 於成形材料層施予平行磁場作用，導電粒子亦無法充分移 動，因此，導電粒子難以往厚度方向排列定向。 此類加成型液狀矽橡膠之黏度可用B型黏度計測定。 高分子物質形成材料中，可含有將該高分子物質形成 材料硬化用之硬化觸媒。此種硬化觸媒可使用有機過氧化 物、脂肪酸偶氮化合物、氫化矽烷基化觸媒等。 作爲硬化觸媒用之有機過氧化物可具體例舉如過氧化 苯醯、過氧化雙-二環苯醯、過氧化二枯烯基、過氧化二 第三丁基等。 作爲硬化觸媒用之脂肪酸偶氮化合物可具體例舉如偶 氮雙異丁腈等。 可使用作爲氫化矽烷基化反應之觸媒可具體例舉如氯 化鉑酸及其鹽，鉛-含不飽和基之矽氧烷絡合物、乙烯矽 氧烷與鉑之絡合物、鉑與1，3 -二乙烯四甲基二矽氧烷之 絡合物、三烴基膦或磷酸酯與鉛之絡合物、乙醯乙酸酯鉑 螯合物、環狀二烯與鉑之絡合物等週知物。 硬化觸媒之使用量係考慮高分子物質形成材料之種類 、硬化觸媒之種類、其他之硬化處理條件而適當選擇，通 常對高分子物質形成材料1 0 0重量份爲3至1 5重量份。 異方性導電板本體1 1中導電部1 2所含之導電粒子P， 依據下述方法，就形成該異方性導電板本體1 1用之成形材 料中該導電粒子P容易移動之觀點而言，以使用呈磁性者 爲佳。此種呈磁性之導電粒子P可具體例舉如鐵、鎳、鈷 等呈磁性之金屬粒子或此等之合金粒子或含此等金屬之粒 -18- 1276252 (16) 子，或以此等粒子爲芯粒，於該芯粒之表面電鍍金、銀、 鈀、铑等導電性良好之金屬者，或以非磁性金屬粒子或玻 璃珠等無機物質粒子或聚合物粒子爲芯粒，於該芯粒之表 面電鍍鎳、鈷等導電磁性體者，或者於芯粒上包覆導電性 磁性體及導電性良好之金屬二種者。 其中，以使用鎳粒子爲芯粒，於其表面電鍍金或銀等 導電性良好之金屬者爲佳。 於芯粒表面上包覆導電性金屬之方法並無特別限定， 例如可進行無電解電鍍。 導電粒子P係使用於芯粒表面包覆導電性金屬而成者 時，就獲得良好導電性之觀點而言，以粒子表面上導電性 金屬之包覆率（對芯粒表面積而言導電性金屬包覆面積之 比率）以40%以上爲佳，45%以上更佳，47至95%以上最 佳。 又，導電性金屬之包覆量較好爲芯粒之2.5至50重量％ ，更好爲3至3 0重量％，又更好爲3 . 5至2 5重量％，最好爲4 至20重量％。包覆之導電性金屬爲金時，其包覆量較好爲 芯粒之3至30重量％，更好爲3.5至25重量％，又更好爲4至 2〇重量％，最好爲4.5至10重量％。包覆之導電性金屬爲銀 時，其包覆量較好爲芯粒之3至30重量％，更好爲4至25重 量％，又更好爲5至23重量％，最好爲6至20重量％。 導電粒子P之粒徑以1至500/zm爲佳，2至400//m更 佳，5至300//m又更佳，10至150//m最佳。 導電粒子P之粒徑分布（Dw/Dn)以1至10爲佳，1至 -19- 1276252 (17) 7更佳，1至5//m又更佳，1至4最佳。 藉使用能滿足此種條件之導電粒子P ’而使所得異方 性導電板本體1 1成爲容易加壓變形之物’又’該異方性導 電板本體1 1之導電部1 2中導電粒子P間可獲得充分之電氣 接觸。 又，導電粒子P之形狀雖無特殊限定，但就可容易地 分散於高分子物質形成材料中之觀點而言，以球狀物、星 狀物或由此等凝集之二次粒子塊狀物爲佳。 又，導電粒子P之含水率以5%以下爲佳，3%以下更 佳，2%以下又更佳，1 %以下最佳。藉使用能滿足此種條 件之導電粒子P，於下述製造方法中，將成形材料層硬化 處理之際，可防止或抑制於該成形材料層內產生氣泡。 導電部1 2中導電粒子P之含有比例以體積分率計丨〇至 6 0 %爲佳，1 5至5 0 %更佳。該比例小於1 〇 %時，可能不能 獲得充分電阻値之小導電部1 2。另一方面，該比例大於 6 0 %時，所得之導電部1 2易成爲脆弱之物，而無法獲得作 爲導電部1 2所必須之彈性。 於高分子物質形成材料中，視需要亦可含有一般氧化 石夕粉、膠體氧化砂、溶膠氧化砂、氧化銘等無機塡充料。 藉含有此類無機塡充料而確保所得成形材料之觸變性，且 其黏度提局’導電粒子P之分散安定性亦提昇，同時硬化 處理而得之異方性導電板1 〇之強度提高。

此類無機塡充料之使用量並無特殊限定，但若太過多 厘使用時，於下述製造方法中，由於嚴重阻礙導電粒子P -20- (18) 1276252 隨磁場之移動而不佳。 於此類異方性導電板本體11之表面形成DLC膜15。 圖示之例，DLC膜15係包覆異方性導電板本體1 1之全面表 面而形成。 DLC膜15之厚度以1至500nm爲佳，2至50nm更佳。 該膜厚若小於1 nm，則D L C膜1 5會在異方性導電板本體1 1 上形成島狀，而難以形成將該異方性導電板本體1 1中至少 包覆絕緣部表面全面之DLC膜15。另一方面，若其膜厚 超過5 00nm，則由於該DLC膜15而異方性導電板本體1 1中 導電部1 2之電阻値降低，導電部1 2間可能產生電氣洩漏。 DLC膜15之表面電阻率以lxlO8至1χ1014Ω/□爲佳， lxl01G至1χ1012Ω/□更佳。該表面電阻率小於1χ108Ω/口 時，與異方性導電板本體1 1鄰接之導電部1 2間可能無法獲 得所需之絕緣性。另一方面，該表面電阻率若超過1 X 1 〇 14 Ω /□時，則難以充分抑制電荷蓄積於表面。 又，DLC膜15係以鑽石結合與石墨結合之比率爲9 : 1 至5 : 5較佳，8 ·· 2至6 ·· 4更佳，據此而可確實獲得具有上 述範圍之表面電阻率的DLC膜15。 此種異方性導電板可依據下述方法製造。 第2圖係表示製造異方性導電板本體1 1用鑄模之一例 之構成說明用剖面圖。該鑄模爲上模50與相對之下模55， 經由框狀間隔板54相互對向配置所構成，而於上模50之下 面與下模5 5之上面之間形成空穴。 上模5 0中，於強磁性體基板5 1之下面依據應接續之異 - 21 - 1276252 (19) 方性導電板本體11之導電部12之配置圖型爲對掌之圖型而 形成強磁性體層52，於該強磁性體層52以外之處，形成具 有較該強磁性體層52厚度更厚之非磁性體層53。 另一方面，下模5 5中，於強磁性體基板5 6之上面依據 應接續之異方性導電板本體1 1之導電部1 2之配置圖型相同 之圖型而形成強磁性體層57，於該強磁性體層57以外之處 ’形成具有較該強磁性體層57厚度更厚之非磁性體層58。 各個上模50與下模55之強磁性體基板51，56之構成材 料可使用鐵、鐵-鎳合金、鐵-銘合金、鎳、銘等強磁性金 屬。該強磁性體基板51，56之厚度以0.1至50mm爲佳，以 表面平滑且施予化學脫脂處理及經機械硏磨處理者爲佳。 又，各個上模50與下模55之強磁性體層52，5 7之構成 材料可使用鐵、鐵-鎳合金、鐵-鈷合金、鎳、鈷等強磁性 金屬。該強磁性體層5 2，5 7之厚度以1 0 // m以上爲佳。該 厚度小於1 0 μ m時，對鑄模內形成之成形材料層難以施予 具有足夠強度分布之磁場作用，結果使得該成形材料層中 應形成導電部之部分中導電粒子難以高密度集合，因而不 能獲得具有良好異方性導電性之板。 各個上模50與下模5S之非磁性體層53，5 8之構成材料 可使用銅等非磁性金屬、具耐熱性之高分子物質等，就容 易以微影蝕刻方法形成非磁性體層5 3，5 8方面而言，以使 用藉放射線硬化之高分子物質爲佳。其材料可使用例如丙 烯系乾膜阻劑、環氧系液狀阻劑、聚醯亞胺系液狀阻劑等 阻劑。 -22- 1276252 (20) 又，非磁性體層5 3，5 8之厚度係視強磁性體層5 2，5 7 之厚度、目的異方性導電板本體11之導電部12之突出高度 而設定。 因此，使用上述鑄模如下述般操作即可製造異方性導 電板本體1 1。 首先，於硬化而形成彈性高分子物質之高分子形成材 料例如液狀矽橡膠中，調製由呈磁性之導電粒子分散而成 之流動性成形材料，如第3圖所示，將該成形材料注入鑄 模之空穴內而形成成形材料層1 1 A。此時，導電粒子P係 以分散狀態含於成形材料層1 1 A中。 繼之，於上模5 0強磁性體基板5 1之上面及下模5 5強磁 性體基板5 6之下面，例如配置一對電磁石，藉由驅動該電 磁石而使具有強度分布之平行磁場，亦即於上模5 0之強磁 性體部分5 2與相對應之下模5 5之強磁性體部分5 7間具有甚 大強度之平行磁場作用於成形材料層1 1 A之厚度方向。結 果於成形材料層1 1 A中，如第4圖所示，分散於該成形材 料層1 1 A中之導電粒子p，係集合至位於上模5 〇之強磁性 體部分52與相對應之下模55之強磁性體部分57間可成爲導 電部之部分1 2 A處，且往厚度方向排列定向。 然後，於該狀態中藉由硬化處理成形材料層i i A，即 可製造如第5圖所示，全體由彈性高分子物質形成而導電 粒子P緊密充塡之導電部12與幾乎完全無導電粒子p存在 之絕緣部1 3構成之異方性導電板本體丨i。 於上述中，成形材料層丨丨A之硬化處理可於平行磁 -23- 1276252 (21) 場作用之狀態下進行，亦可於停止平行磁場之作用後進行 〇 作用於成形材料層1 1 A之平行磁場之強度以成爲平均 0.2至2泰斯拉者爲佳。 以平行磁場作用於成形材料層1 1 A之方法，亦可使用 永久磁石替代電磁石。就可獲得上述範圍之平行磁場強度 之點而言，永久磁石以由鋁鎳鈷合金（Fe-Al-Ni-Co系合 金）、鐵氧體等構成者爲佳。 成形材料層1 1 A之硬化處理係視使用之材料而適當選 擇，一般係進行加熱處理。具體之加熱溫度及加熱時間係 考慮構成成形材料層1 1 A之高分子形成材料之種類及導電 粒子P之移動所需之時間而適當選擇。 繼之，於所得異方性導電板本體1 1中應形成DLC膜 之面（此例爲表面全面），以進行離子蝕刻處理爲佳。 此處，離子蝕刻處理中所用之氣體離子可使用氬氣離 子等。 離子蝕刻處理之處理時間爲5至20分鐘。 因此’藉於異方性導電板本體1 1經離子蝕刻處理之面 上形成DLC膜，可獲得第1圖所示構成之異方性導電板i 〇 〇 此處，形成DLC膜之方法，可利用PVD法、電漿 CVD法等，而於較低溫度下形成所欲厚度之DLC膜，據 此’於DLC膜之形成中，就可迴避對異方性導電板本體 1 1特性之不良影響之點而言，以PVD法爲佳。 -24- 1276252 (22) 用以形成DLC膜之PVD法可利用 種方法，例如濺鍍法、電子束蒸鍍法、 之電弧放電法等，固體碳源可使用石墨 PVD法之具體條件係依據應形成之 DLC膜之化學構造等而適當設定，其读 下爲佳，60至120 °C更佳。藉由設定此 對異方性導電板本體1 1特性無不良影響 之DLC膜。 依據上述之異方性導電板1 0，藉於 11之表面全面上形成DLC膜15，則形 體1 1之彈性高分子物質中之低分子量成 性導電板1 〇之表面，因而可防止低分子 象物，同時亦可防止在高溫環境下接續 下長時間放置時與接續對象物黏著。 而且，由於DLC膜15之表面電阻 物質，因而可防止或抑制電荷蓄積於其 又，由於DLC膜15係包覆導電部 由於應接續電極其接觸部分之表面硬度 施例可明瞭般，稍加壓力即可得高導電 第6圖係表示本發明之異方性導電 明用剖面圖。該異方性導電板1 〇中，於 11之一面上，金屬層14係包覆導電部而 1 5係包覆異方性導電板本體1丨及金屬層 成。異方性導電板本體11及DLC膜15 使用固體碳源之種 以固體碳源爲陰極 等。 .DLC膜之厚度， S理溫度以1 5 0 °c以 種溫度條件，可在 之下形成所欲厚度 異方性導電板本體 成異方性導電板本 分不會滲至該異方 量成分污染接續對 對象物於加壓狀態 率低於彈性高分子 表面。 1 2之表面而形成， 增高，如由下述實 性。 板另一例構成之說 異方性導電板本體 一體形成，DLC膜 14之表面全面而形 ，基本上係與第1圖 -25- 1276252 (23) 所示之異方性導電板1 〇中之異方性導電板本體1 1及D L C 膜1 5爲同樣之構成。 構成金屬層1 4之材料可使用鈦、铑、銥、鎢、鎳等， 當與異方性導電板1 〇直接接觸之接續對象物之電極係由焊 料形成時，就防止焊料附著或焊料引起之移動方面而言， 以使用鈦、铑、鎢爲佳。 金屬層14之厚度以5至lOOOnm爲佳，10至lOOnm更佳 。該厚度未滿5nm時，難以形成均勻厚度之金屬層14，因 而安定之金屬層14之形成困難。另一方面，該厚度超過 1000 nm時，隨者堆積應力之增加金屬層14容易破損或剝 離。 金屬層14之表面電阻率以lxl CT2 Ω / □以下爲佳， 1x1 (Γ3 Ω /□以下更佳。金屬層14之表面電阻率超過ιχ10_2 Ω / □時，因所得異方性導電板1 〇之接觸電阻增加而導致 作爲接觸探針之性能降低。上述異方性導電板1 〇除了金屬 層1 4之形成以外，均可與第1圖所示之異方性導電板1 〇同 樣方法製造。 而且，金屬層1 4可採用例如下述方法製造。 首先，如第7圖所示般’準備依據對應於異方性導電 板本體11中導電部12圖型之圖型而形成開口 17之板狀遮罩 16，將該遮罩16配置於異方性導電板本體1 1之一面，而該 遮罩16之各開口 17係對應於該等之導電部12上之位置。 此處，構成遮罩1 6之材料可使用不鏽鋼等金屬材料、 樹脂材料。形成遮罩1 6之開口 1 7之方法可利用鈾刻加工、 -26- 1276252 (24) 機械加工、雷射加工等方法。 繼之，對異方性導電板本體11之導電部12之表面’經 由遮罩1 6之開口 1 7進行離子鈾刻處理。然後’如第8圖所 示般，經由遮罩1 6之開口 1 7於異方性導電板本體1 1之導電 部12之表面形成金屬層14。再自異方性導電板本體11之一 面去除遮罩16，而獲得如第9圖所示，形成包覆導電部12 一面之金屬層14之異方性導電板本體11。 此處，形成金屬層1 4之方法，可利用以形成金屬層1 4 之金屬材料構成之電極作爲陰極之電弧放電法、濺鍍法等 方法。 然後，於含金屬層14之異方性導電板本體11之表面全 面進行離子鈾刻處理後，以PVD法形成DLC膜，而獲得 第6圖所示之異方性導電板1 0。 依據第6圖所示構成之異方性導電板1 〇，可獲得與第1 圖所示構成之異方性導電板同樣之效果，而且另具有下述 效果。 亦即，因爲於異方性導電板本體1 1之導電部1 2之表面 形成金屬層1 4，對應接續電極之接觸電阻降低。又，因導 電部1 2中導電粒子P之連鎖鏈而形成複數導電路，各導電 路間由於金屬層14而短路，應接續之電極對金屬層14接續 電氣時，由於可有效利用導電部1 2所形成之全部電路，而 可抑制由於應接續電極與導電部1 2之位置不吻合導致之導 電性低下。因此，可獲得對接續對象物之高度接續信賴性 •27- 1276252 (25) 又，因導電部12受到金屬層14保護，而可獲得重覆耐 久性高之異方性導電板1 〇。 本發明之異方性導電板並不限於上述實施型態，另可 加以種種變更。 例如，於異方性導電板本體1 1中，各導電部1 2並非必 須自絕緣部1 3之兩面突出，可爲兩面均平坦者，亦可爲導 電部1 2係僅自絕緣部1 3之單面突出者。 又，異方性導電板本體1 1中，除了與接續對象物之電 極電氣接續之導電部12以外，亦可形成與該電極電氣不接 續之非接續用導電部。 又，DLC膜15亦可僅於單面形成，亦可僅包覆絕緣部 之一面或兩面而形成。 [異方性導電連接器] 第1 〇圖係表示本發明之異方性導電連接器一例之平面 圖，第1 1圖係表示第1 0圖所示異方性導電連接器主要部分 之放大說明用剖面圖。 該異方性導電連接器20係有關於晶圓上各自形成之複 數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行電氣檢查 用者，具有對應於檢查對象晶圓上形成之所有積體電路中 配置被驗電極之領域形成複數開口 1 9之框板1 8。於框板1 8 之開口 1 9各自分別配置堵塞該開口 1 9之異方性導電板1 〇， 該等異方性導電板1 〇之周邊部係固定於該框板1 8之開口邊 緣部而獲得支持。 -28- 1276252 (26) 該例中各個異方性導電板1 0與檢查對象晶圓接觸之面 (於第1 1圖中爲上面）爲平坦面時，亦即排除異方性導電 板本體11之導電部12爲該面未突出者，基本上係與第1圖 所示之異方性導電板1 0同樣之構成。 構成異方性導電連接器2 0中框板1 8之材料，可使用金 屬材料、陶瓷材料、樹脂材料等各種材料，可具體例舉如 鐵、銅、鎳、鉻、鈷、鎂、錳、鉬、銦、鉛、鈀、鈦、鎢 、銘、金、鉑、銀等金屬或此等2種以上組合之合金或者 合金鋼等金屬材料，氮化矽、碳化矽、氧化鋁等陶瓷材料 ，芳族聚醯胺不織布補強型環氧樹脂、芳族聚醯胺不織布 補強型聚醯亞胺樹脂、芳族聚醯胺不織布補強型雙馬來醯 亞胺三畊樹脂等樹脂材料。 又’使用異方性導電連接器20於老化試驗時，構成框 板1 8之材料以使用線熱膨脹係數與構成檢查對象晶圓材料 之線熱膨脹係數同等或接近者爲佳。具體而言，構成晶圓 之材料爲矽時，以使用線熱膨脹係數UxiO^/K以下，特 別是3xl〇_6至8χ1(Γ6/Κ者更佳，可具體例舉如殷鋼等殷鋼 型合金、恆彈性鎳鉻鋼等型合金、超級殷鋼、柯瓦鐵鎳鈷 合金、42合金等金屬材料，芳族聚醯胺不織布補強型有機 樹脂材料。 又’框板1 8之厚度爲可維持其形狀，且同時保持異方 性導電板10者即可，並無特殊限定，例如爲0.03 d瓜❿，較 好爲 0.05 -0.25mm。 此類異方性導電連接器2 〇可如下述般製造。 -29- (27) 1276252 首先，製作對應檢查對象晶圓上形成之所有積體電路 配置被驗電極之電極領域形成複數開口 1 9之框板1 8。此處 ，形成框板1 8之開口 1 9之方法可使用例如蝕刻等方法。 繼之’調製於硬化形成彈性局分子物質之高分子形成 材料中，分散有呈磁性之導電粒子而成之成形材料。然後 ，如第1 2圖所示，準備異方性導電板本體成形用鑄模，將 調製之成形材料依據所需圖型，亦即依據應形成異方性導 電板10之配置圖型塗布於該鑄模之上模50與下模55之各成 形面上，而形成成形材料層1 1 B。此處，將成形材料塗布 於上模50與下模55之成形面之方法，以使用網篩之方法爲 佳。依據此種方法，可容易的將成形材料依據所需圖型塗 布，而且可塗布適量之成形材料。 又，有關製模之具體說明如下：於上模5 0中強磁性體 基板5 1之下面，依據應成形之所有異方性導電板本體1 1之 導電部1 2之配置圖型爲對掌之圖型形成強磁性體層52，於 該強磁性體層52以外之處，形成非磁性體層53，依據此等 強磁性體層52及非磁性體層53而形成成形面。 另一方面，下模55中，於強磁性體基板56之上面依據 應成形之異方性導電板本體1 1之導電部1 2之配置圖型相同 之圖型而形成強磁性體層57，於該強磁性體層57以外之處 ，形成非磁性體層5 8，依據此等強磁性體層5 7及非磁性體 層5 8而形成成形面。又，於下模55之成形面上，對應於應 成形之異方性導電板本體11之另一面之突出部分形成凹處 58a。 •30- (28) 1276252 強磁性體基板5 1，5 6、強磁性體層5 2，5 7及非磁性體 層5 3，5 8之材質等其他條件係與前述第2圖所不之_模相 同。 然後，於形成成形材料層1 1 B之下模5 5之成形面上， 分別經由具有適合應形成之異方性導電板本體1 1之平面形 狀之形狀的數個開口 K而形成之間隔板54b，以吻合之位 置配置框板1 8，同時於該框板1 8上，分別經由具有適合應 形成之異方性導電板本體1 1之平面形狀之形狀的數個開口 K而形成之間隔板54a，以吻合之位置配置形成成形材料 層1 1 B於上模5 0，此外，藉由將其重疊而形成如第1 3圖所 示，於上模5 0與下模5 5間，形成目的型態（應形成之異方 性導電板本體1 1之型態）之成形材料層1 1 A。 如此，藉於框板18與上模50及下模55之間配置間隔板 5 4a、5 4b，而形成目的型態之異方性導電板本體1 1，同時 可防止鄰接之異方性導電板本體間互相連結，因此可確實 形成互相獨立之複數異方性導電板本體。 繼之，於上模5 0中強磁性體基板5 1之上面及下模5 5中 強磁性體基板5 6之下面，例如配置一對電磁石，藉由驅動 該電磁石而使分散於成形材料層20A中之導電粒子集合至 位於上模5 0之強磁性體層5 2與相對應之下模5 5之強磁性體 層5 7間成爲導電部1 2之部分，並往厚度方向排列定向。然 •後於該狀態下藉由硬化處理成形材料層20A，彈性高分子 物質中含有導電粒子爲往厚度方向排列定向之狀態構成之 複數導電部1 2，以與完全或幾乎無導電粒子存在之彈性高 -31 - 1276252 (29) 分子物質構成之絕緣部1 3相互絕緣之狀態配置而成之複數 異方性導電板本體11，係以固定於框板1 8開口周邊部之狀 態而形成，因而可製造如第1 4圖所示，由具有對應於檢查 對象之晶圓上形成之所有積體電路中配置被驗電極之領域 形成複數開口 1 9之框板1 8，以及以堵塞該框板1 8之開口 1 9 配置，而以該框板1 8之開口邊緣部支持之複數異方性導電 板本體1 1構成之連接器用中間體1 〇 A。 然後，藉於該連接器用中間體1 〇 A之異方性導電板本 體11之各表面形成DLC膜15，而獲得第10圖及第11圖所 示之異方性導電連接器20。 由於此種異方性導電連接器2 0具有形成D L C膜1 5之 異方性導電板1 〇，而可獲得上述異方性導電板1 0之效果， 同時另可獲得以下效果。 亦即依據上述之異方性導電連接器20，異方性導電板 1 〇係固定於框板1 8，因而不易變形且操作容易，於檢查對 象晶圓之電氣接續作業中，可容易的吻合該晶圓之位置以 及保持固定。 又，框板1 8之各開口 1 9係對應於檢查對象之晶圓上形 成之所有積體電路中配置被驗電極之電極領域而形成，由 於配置於該各開口 1 9之異方性導電板1 〇宜爲面積小者，因 而各個異方性導電板1 0之形成甚爲容易。而且，由於面積 小之異方性導電板i 〇即使在承受熱之情況，該異方性導電 板1 〇面方向之熱膨脹之絕對量亦少，藉由使用線熱膨脹係 數小之物作爲構成框板1 8之材料，異方性導電板1 〇面方向 -32- (30) 1276252 之熱膨脹可確實以框板1 8規範。因此，即使檢查對象爲於 大面積晶圓上形成之複數積體電路，即使對該等積體電路 整體進行老化試驗時，亦可安定的維持良好之電氣接續狀 態。 本發明之異方性導電板連接器並不限於上述型態，亦 可施予種種變更。 例如可於框板上，對應於選自檢查對象之晶圓上形成 之積體電路中之複數積體電路配置被驗電極之領域形成複 數之開口，配置分別堵塞上述框板開口之複數異方性導電 板而構成。此處，所選擇積體電路之數目係考慮晶圓之尺 寸、於晶圓上形成之積體電路之數目、各積體電路中被驗 電極之數目等而適當選擇，例如爲1 6個、3 2個、64個、 12 8個。 又，亦可於框板上形成單一開口，配置堵塞該開口之 單一異方性導電板而構成。 [電路檢查裝置] 繼之，有關本發明之電路檢查裝置，例舉以形成複數 積體電路之晶圓作爲電氣檢查之晶圓檢查裝置之情況加以 說明。 第1 5圖係表示有關本發明晶圓檢查裝置一例中主要部 分之構成之說明用剖面圖，該晶圓檢查裝置係對形成具有 各種突起狀之被驗電極之複數積體電路之晶圓施予電氣檢 查用者。 -33- (31) 1276252 該晶圓檢查裝置亦如第1 6圖放大所示，於一面（第1 5 圖及第1 6圖下面）上具有依據對應於檢查對象之晶圓上突 起狀之被驗電極圖型之圖形而配置複數檢查電極3 1之檢查 用電路基板3 0，以及配置於該檢查用電路基板3 0之一面上 ，與檢查對象晶圓接觸之具第1 〇圖構成之異方性導電連接 器20所構成之電路檢查用探針25，於該電路檢查用探針25 之下方位置設置載置檢查對象晶圓1之晶圓載置台5。 於檢查用電路基板30之另一面（於圖中上面）上，與 測試器接續之多數接續端子3 2係依據適當圖型而形成，此 等各個接續端子32係經由該檢查用電路基板30之內部配線 3 3與各個檢查電極3 1進行電氣接續。 檢查用電路基板3 0之基材只要是具耐熱性者即可並無 特殊限制，可使用一般常用於作爲印刷電路基板使用之各 種基板材料，可具體例舉如玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻 璃纖維補強型聚醯亞胺樹脂、玻璃纖維補強型雙馬來醯亞 胺三畊樹脂、聚醯亞胺樹脂、芳族聚醯胺不織布補強型環 氧樹脂、芳族聚醯胺不織布補強型聚醯亞胺樹脂、芳族聚 醯胺不織布補強型雙馬來醯亞胺三畊樹脂等樹脂材料，陶 瓷材料、玻璃材料、金屬芯材料等，而使用於老化試驗時 ’以使用線熱膨脹係數與構成檢查對象晶圓之材料之線熱 膨脹係數同等或接近者爲佳。具體言之，晶圓係由矽橡膠 構成時’以使用線熱膨脹係數1.5x1 0·4/Κ以下，特別是 3χ10·6 至 8χ1〇·6/Κ 者更佳。 於此種晶圓檢查裝置中如下述般實行晶圓1之檢查 -34 - (32) 1276252 首先，於晶圓載置台5上，檢查對象晶圓1係以其被驗 電極2向上方之狀態且各個被驗電極2係配置於檢查用電路 基板3 0之各個檢查電極3 1之正下方位置。繼之，例如藉 由下方加壓對檢查用電路基板3 〇施予適當加壓之手段’使 異方性導電連接器20之異方性導電板10與晶圓1之被驗電 極2接觸，而成爲以被驗電極2加壓之狀態。據此，異方性 導電板1 〇之異方性導電板本體1 1中之導電部1 2，視晶圓1 之被驗電極2之突出高度往厚度方向壓縮般而彈性變形’ 該異方性導電板1 〇之異方性導電板本體1 1之導電部1 2，於 晶圓1之被驗電極2與檢查用電路基板30之檢查電極31間， 以導電粒子P形成往該異方性導電板1 〇之厚度方向伸展之 導電路，結果達成晶圓1之被驗電極2與檢查用電路基板30 之檢查電極3 1之電氣接續。其後，進行老化試驗時，將晶 圓加熱至規定溫度，以該狀態實施有關該晶圓所需之電氣 檢查。 依據上述之晶圓檢查裝置，於電路檢查用探針2 5中與 晶圓1接觸之異方性導電連接器20，由於具有形成DLC膜 1 5之異方性導電板1 〇，因而可防止晶圓1之污染，且在高 溫環境下即使晶圓1於加壓狀態下長時間放置，亦可防止 異方性導電板1 0與晶圓1黏著，據而可避免損及異方性導 電板1 〇及晶圓1。此外，因可防止或抑制電荷蓄積於異方 性導電板1 〇之表面而可排除靜電引起之不良影響。 第17圖係表示有關本發明晶圓檢查裝置另一例中主要 部分之構成之說明用剖面圖，該晶圓檢查裝置係對形成具 -35- 1276252 (33) 有各種平面狀之被驗電極之複數積體電路之晶圓施予電氣 檢查用者。 該晶圓檢查裝置亦如第1 8圖放大圖所示，於一面（第 1 7圖及第1 8圖下面）上具有由依據對應檢查對象之晶圓之 被驗電極圖型之圖型而配置複數檢查電極3 1之檢查用電路 基板30，及配置於該檢查用電路基板30—面之異方性導電 連接器20，以及於該異方性導電連接器20之一面（第17圖 及第1 8圖下面）配置之板狀連接器40所構成之電路檢查用 探針25，於該電路檢查用探針25之下方位置設置載置檢查 對象晶圓1之晶圓載置台5。 檢查用電路基板3 0係與第1 4圖及第1 5圖所示之晶圓檢 查裝置之檢查用電路基板30爲同樣之構成，異方性導電連 接器20係該異方性導電板10之異方性導電板本體1 1之導電 部1 2，爲分別自絕緣部1 3之兩面突出之狀態形成，係與第 1 4圖及第1 5圖所示之晶圓檢查裝置之異方性導電連接器2 0 爲同樣之構成。 板狀連接器40係具有柔軟之絕緣板4 1，該絕緣板4 1上 由往該絕緣板厚度方向伸展之複數金屬構成之電極構造體 42，係依據對應於檢查用電路基板30之檢查電極31圖型之 圖型，亦即對應於檢查對象晶圓之被驗電極2圖型之圖型 ，於該絕緣板4 1之面方向相互分隔配置。各個電極構造體 42係由露出絕緣板41表面（圖中爲下面）之突起狀表面電 極部43及露出絕緣板4 1內面之板狀內面電極部44，以往絕 緣板厚度方向伸展之短絡部45互相連結而構成。 -36- (34) 1276252 板狀連接器4 0之各個電極構造體4 2係配置於異方性導 電連接器20及異方性導電板1〇之導電部12上之位置。 板狀連接器4 0中之絕緣板4 1，只要是具有絕緣性且柔 軟者即可，並無特別限定，例如可使用聚_亞胺樹脂、液 晶聚合物、聚酯、氟系樹脂等構成之樹脂板，將纖維編織 布含浸上述樹脂而得之板等。 又，絕緣板4 1之厚度只要該絕緣板4 1爲柔軟者即可， 並無特別限定，例如以1 〇至5 0 // m爲佳，1 0至2 5 // m更佳 〇 構成電極構造體42之金屬可使用鎳、銅、金、銀、鈀 、鐵等，電極構造體42可全體均由單一金屬構成，亦可由 2種以上之金屬合金構成或由2種以上之金屬積層而構成者 〇 又，於電極構造體42中表面電極部43及內面電極部44 之表面，就防止該電極部氧化及可獲得接觸電阻小之電極 部觀點而言，以形成金、銀、鈀等化學上安定且具有高導 電性之金屬被膜爲佳。 電極構造體42中表面電極部43之突出高度，就對晶圓 1之被驗電極2可達成安定的電氣接續觀點而言，以1 5至5 0 // m爲佳，2 0至3 5 // m更佳。表面電極部4 3之直徑係視晶 圓1被驗電極之尺寸及間距而定，例如以3 0至8 0 /z m爲佳 ，30至65// m更佳。 電極構造體42中內面電極部44之直徑以大於短絡部45 之直徑，且小於電極構造體42之配置間距者即可，以僅可 -37- 1276252 (35) 能大者爲佳，據此可確實達成對異方性導電連接器20之異 方性導電板1 0中導電部1 2安定的電氣接續。又，內面電極 部44之厚度，就可獲得相當高強度及優越重覆耐久性之觀 點而言，以20至50//m爲佳，35至50//m更佳。 電極構造體42中短絡部4 5之直徑，就可獲得相當高強 度性觀點而言，以3 0至8 0 // m爲佳，3 0至6 5 // m更佳。 板狀連接器40例如可依據以下方法製造。 亦即，準備於絕緣板4 1上積層金屬層而構成之積層材 料，於該積層材料中對絕緣板4 1施予雷射加工、乾蝕刻加 工等，依據對應於應形成電極構造體42圖型之圖型形成往 該絕緣板4 1之厚度方向貫通之複數貫通孔。繼之，對該積 層材料施予微影蝕刻及電鍍處理，而於絕緣板4 1之貫通孔 內形成與金屬層一體連結之短絡部4 5，同時於該絕緣板4 1 之表面形成與短絡部4 5 —體連結之突起狀表面電極部4 3。 然後，對積層材料中之金屬層施予光鈾刻處理去除其中一 部分，而形成具有內面電極部44之電極構造體42，而獲得 板狀連接器40。 依據此種晶圓檢查裝置，電路檢查用探針2 5中與晶圓 1接觸之異方性導電連接器20，因具有形成DLC膜15之異 方性導電板1 〇，於該電路檢查用探針2 5於加壓狀態下長時 間放置時，亦可防止異方性導電板10與板狀連接器40黏著 ，因而可避免板狀連接器彎曲，結果即使重覆使用時，對 被驗電路裝置中所有之被驗電極亦均可達成安定的電氣接 續。此外，因可防止或抑制電荷蓄積於異方性導電板1 0之 -38- (36) 1276252 表面，而可排除因靜電引起之不良影響。 本發明之電路檢查用探針及電路檢查裝置並不限於上 述實施型態，另可加以種種變更。 例如，檢查對象之電路，並不僅限於形成多數積體電 路之晶圓，亦可使用於半導體晶片、BGC、CSP等封裝 IC MCM等半導體積體電路裝置，於印刷電路基板等形成 之電路之檢查裝置。 又，各個於第15圖所示之電路檢查用探針25及第17圖 所示之電路檢查用探針25，可爲對晶圓1上形成之所有積 體電路之被驗電極2達成整體的電氣接續者，亦可爲如第 19圖所示，與選自晶圓1上形成之各積體電路中之複數積 體電路之被驗電極2達成電氣接續者。所選擇櫝體電路之 數目係考慮晶圓之尺寸、於晶圓上形成之積體電路之數目 、各積體電路中被驗電級之數目而適當選擇，例如爲1 6個 、32 個、64 個、128 個 ° 於具有此種電路檢查用探針25之晶圓檢查裝置中，選 自晶圓1上形成之各積體電路中之複數積體電路之被驗電 極2與電路檢查用探針25達成電氣接續而進行檢查，然後 藉由重覆進行選自其他積體電路中之複數積體電路之被驗 電極2與電路檢查用探針2 5達成電氣接續而進行檢查之步 驟，可對晶圓1上所形成之全部積體電路進行電氣檢查。 下文，說明有關本發明之具體實施例，但本發明並非 限定於該等實施例。 -39- 1276252 (37) (實施例1 ) [成材料之調製] 於加成型液狀矽橡膠100重量份中添加平均粒徑20 // m之導電粒子7 0重量份並混合後’以減壓進行脫泡處理， 而調製異方性導電板本體用之成形材料。 上述中，導電粒子係使用以鎳粒爲芯粒，對該芯粒施 予無電解電鍍而得者（平均包覆量：爲芯粒重量25重量％ 之量）。 [異方性導電板製造用鑄模] 基本上依據第2圖所不之構成，以下列條件製作異方 性導電板製造用鑄模。 強磁性體積板：材質；鐵，厚度；6 m m， 強磁性體層：材質；鎳，厚度；0.1 mm，直徑；〇 . 6mm， 間距（中心間距離）12mm， 非磁性體層：材質；液狀阻劑硬化物，厚度；0.125mm 間隔板之厚度；〇 . 2 m m [異方性導電板本體之製造] 將調製之成形材料注入上述鑄模之空穴內，於該鑄模 內形成成形材料層。 然後’對成形材料層以電磁石往厚度方向施予1 . 8泰 斯拉之平行磁場作用，同時以l〇〇t：，1小時之條件進行該 成形材料層之硬化處理，·而製造具有往厚度方向伸展之複 -40- (38) 1276252 數導電部及與此等導電部相絕緣之絕緣部的異方性導電板 本體。 所得之異方性導電板本體，外徑爲〇.〇6mm之導電部 係以0.12mm間距排列而成者，絕緣部厚度爲0.2mm，導 電部厚度爲〇.25mm，該導電部係自絕緣部之二面分別以 突出之狀態（突出高度分別爲〇.〇25mm )形成，導電部中 導電粒子之比例爲體積分率25%。 [DLC膜之形成] 於異方性導電板本體一面之全面上，以氬氣離子進行 離子蝕刻處理1 〇分鐘。然後，使用石墨作爲固體碳源，以 電子束蒸鍍法、，於處理溫度50°C，處理時間20分鐘之條件 下，於異方性導電板本體之表面全面形成厚度l〇nm之 DLC膜，而製造發明之異方性導電板。 以切割刀將所得異方性導電板之DLC膜切割成棋盤 格狀，於該DLC膜上合計形成100個互相分離之1mm正方 形區，以斯科奇膠帶（Scotch Tape)進行DLC膜剝離試 驗，剝離區爲0/100個。 以異方性導電板形成DLC膜之面爲內側，將其彎曲 成爲約180°後，觀察其表面，未確認DLC膜之剝離。 又，使用修雷特帕德（Hulet Pakad )公司製電阻測定 器「高電阻計（High Resistance Meter) 4339」及「電阻 率電池（Resistivity Cell ) 1 6008B」，測定DLC膜之表 面電阻率，結果爲1χ1〇12Ω/Ε]。 -41 - 1276252 (39) (實施例2 ) 與實施例1同樣製造異方性導電板本體’並製作依據 對應該異方性導電板本體中導電部圖型之圖型而形成開口 之不鏽鋼構成之板狀遮罩。 然後，將該光罩配置於異方性導電板本體之一面上， 使該光罩之各開口位於其對應之導電部上，於自光罩開口 露出之導電部之表面，以氬氣離子進行離子蝕刻處理1 〇分 鐘。然後，以鈦構成之電極作爲陰極以電弧放電法，於導 電部表面形成厚度lOOnm由欽構成之金屬層。 繼之，於含金屬層之異方性導電板本體之一面全面上 ，以氬氣離子進行離子鈾刻處理1 〇分鐘。然後，使用石墨 作爲固體碳源，以電子束蒸鍍法，於處理溫度5 Ό °C，處理 時間20分鐘之條件下，於異方性導電板本體之表面全面形 成厚度10nm之DLC膜，而製造有關本發明之異方性導電 板。 所得之異方性導電板以與實施例相同之方法進行DLC 膜剝離試驗，剝離區爲0/1 〇〇個。 以異方性導電板形成DLC膜之面爲內側，將其彎曲 成爲約180°後，觀察其表面，未確認DLC膜之剝離。 又，與實施例1同樣測定DLC膜之表面電阻率，結果 爲 1χ1012Ω/[|。 (比較例1 ) 與實施例1同樣操作製造異方性導電板本體，使用該 -42- 1276252 (40) 異方性導電板本體作爲比較用異方性導電板。 使用修雷特帕德公司製電阻測定器「高電阻計43 3 9」 及「電阻率電池1 600 8B」，測定異方性導電板之一面之表 面電阻率，結果爲1x1 Ο15 Ω /□以上。 [異方性導電板之特性評估] (1 )導電特性： 將實施例1及比較例1之各個異方性導電板，以對每個 導電部以成爲荷重5 g往厚度方向加壓，於該狀態下測定 該導電部之電阻，實施例1之異方性導電板爲60m Ω ’比 較例1之異方性導電板爲1 Ω，實施例1之異方性導電 板與比較例1之異方性導電板相較之下，確認可獲得良好 之加壓導電性。 又，藉由改變異方性導電板之導電部增加之荷重’並 同時測定該導電部之應變率及電阻値，作成加壓一應變曲 線圖及應變一電阻曲線圖。結果示於第2〇圖。 又，測定異方性導電板中相鄰接之導電部間之電阻’ 實施例1之異方性導電板與比較例1之異方性導電板任一者 均爲1χ1〇14Ω /□以上。 (2 )非黏著性試驗 將實施例1至2之異方性導電板及比較例1之異方性導 電板分別配置於矽基板上，加壓至其導電部之應變率成爲 30%。於該狀態下，於150 °C之大氣下放置48小時後’檢 - 43- 1276252 (41) 視異方性導電板與矽基板之黏著性。結果實施例1至2之異 方性導電板完全未與矽基板黏著，將矽基板傾斜90 °C時異 方性導電板容易脫落。另一方面，比較例1之異方性導電 板則與矽基板強固黏著，將異方性導電板剝離時，該異方 性導電板破損，其一部分爲黏著於矽基板之狀態。 又’觀察配置貫施例1至2之異方性導電板之砂基板表 面，完全未見到矽橡膠低分子量成分之污染。 (3 )帶電特性： 將實施例1至2之異方性導電板與比較例1之異方性導 電板各自配置於檢查用電路基板上並固定之，而製作電路 檢查用探針。將該電路檢查用探針配置於矽基板上，於溫 度25 °C，相對溼度30%之環境中，將電路檢查用探針往厚 度方向加壓使異方性導電板之導電部之應變率成爲25%， 於該狀態下保持1秒後，將電路檢查用探針自矽基板拉開 ，經過2秒後再將電路檢查用探針往厚度方向加壓。以該 操作爲一循環合計共進行5 0 0 0循環，操作終了後於4 0秒內 測定異方性導電板之表面電位。結果實施例1之異方性導 電板之表面電位爲100V，實施例2之異方性導電板之表面 電位爲5 0V，依據實施例1至2之異方性導電板，確認可防 止電荷續積於其表面。 (實施例3 ) [試驗用晶圓之製作] -44- 1276252 (42) 製作例l : 如第2 1圖所示，於直徑8英吋之矽（線熱膨脹係數 3·3χ10_6/Κ)製晶圓1上，分別形成尺寸爲6.5mm X 6.5mm 之正方形積體電路L共計5 96個。於晶圓1上形成之#個積 體電路L係如第22圖所示，於中央具有被驗電極領域A， 於該被驗電極領域 A，如第2 3圖所示，分別以1 2 0 // m間 距橫方向排列二列（每列被驗電極2之數目爲1 3個）縱方 向（第23圖中上下之方向）尺寸200//m而橫方向（第23 圖中左右之方向）尺寸60//m之26個被驗電極2。縱方向 相連接之被驗電極2間之間隔距離爲25 0 // m。又，26個被 驗電極2中每2個互相電氣接續。各個被驗電極2係由長方 形平板狀之鋁墼構成，晶圓1全體被驗電極2之總數爲 1 5 49 6個。下文，稱該晶圓爲「試驗用晶圓W1」。又，於 該試驗用晶圓W1上形成之5 96個積體電路中，選擇第24圖 中粗線所示縱橫排列之64個（縱8個’橫8個）之積體電路 L，以形成該64個積體電路L之領域作爲「試驗領域E1」 製作例2 : 除了以鋁墼上形成共晶焊料（Sb/Sn = 4/6 )構成之半 球狀突起電極（直徑：約80#，突出高度：約60#m)作 爲被驗電極外，以與製作例1相同之條件’於晶圓上形成 5 9 6個積體電路。下文，稱該晶圓爲「試驗用晶圓W 2」。 又，於該試驗用晶圓W2上形成之596個積體電路中’選擇 -45- 1276252 (43) 於對應於試驗用晶圓W 1之試驗領域E 1之領域形成之64個 (縱8個，橫8個）積體電路，以形成該6 4個積體電路之領 域作爲「試驗領域E2」。 [異方性導電連接器之製造] (1 )框板之製作 如第2 1圖所示，製作對應於上述試驗用晶圓w 1之試 驗領域E 1形成之6 4個積體電路中被驗電極領域，形成6 4 個開口 19而直徑爲10 cm之框板18。該框板18之具體樣式 如下。 框板1 8之材質爲鈷（飽和磁化1 · 4 W b / m 2 ’線熱膨脹係 數5xl(K6/K) ，厚度60//m。框板18之開口 19各自爲長方 形，其橫方向（第25圖中左右方向）之尺寸爲2640//m而 縱方向（第25圖中上下方向）之尺寸爲900//m。 (2 )間隔板之製作： 製作2片間隔片，其適合應形成異方性導電板平面形 狀之形狀的複數開口，係依據對應於上述框板之開口圖型 之圖型而形成者。該等間隔片之具體樣式如下。 間隔片之材質爲不鏽鋼（SUS304)，其厚度爲25//m 。間隔片之開口各自爲長方形，其橫方向之尺寸爲3 5 00 # m而縱方向之尺寸爲1600// m。 (3 )鑄模之製作 -46 - 1276252 (44) 依據第26圖及第27圖所示之構成，以下列條件製作異 方性導電板本體成形用鑄模。 該鑄模中上模50與下模55，各自具有由厚度6 mm之 鐵構成之強磁性體基板5 1、5 6，於該強磁性體基板5 1、5 6 上，依據對應於試驗用晶圓W 1中被驗電極圖型之圖型而 配置由鎳構成之導電部形成用強磁性體層52、57 ’及非接 續用導電部形成用強磁性體層52a、57a。具體言之，導電 部形成用強磁性體層52、57其尺寸分別爲60 // m (橫方向 )x200//m (縱方向）χΙΟΟμπι (厚度），26個強磁性體 層5 2、5 7係分別以1 2 0 // m間距橫方向排列二歹U (每列強 磁性體層5 2、5 7之數目爲1 3個，縱方向相連接之強磁性體 層5 2、5 7間之間隔距離爲2 5 0 // m )。又，強磁性體層5 2 、5 7並列方向中，於最外側之強磁性體層5 2、5 7之外側， 配置非接續用導電部形成用強磁性體層5 2 a、5 7 a。各強磁 性體層52a、57a之尺寸分別爲60//m(橫方向）x200//m (縱方向）xl00//m (厚度）。 然後，於形成2 6個導電部形成用強磁性體層5 2、5 7 ’ 及4個非接續用導電部形成用強磁性體層5 2 a、5 7 a之領域 ’對應於試驗用晶圓W 1之試驗領域E 1中積體電路之被驗 電極領域形成合計64個，全體爲1 664個導電部形成用強磁 性體層52、57，及2 5 6個非接續用導電部形成用強磁性體 層 52a、57a ° 又，非磁性體層5 3、5 8係將乾膜阻劑硬化處理而形成 ，導電部形成用強磁性體層52、57位置之凹處53a，58a -47- 1276252 (45) 其尺寸分別爲7〇//m(橫方向）x210//m (縱方向）) m (深度），非接續用導電部形成用強磁性體層52a 位置之凹處53b，58b其尺寸分別爲70//m (橫方向） // m (縱方向）X 3 5 μ m (深度），凹處以外部份之厚 135//m (凹處部份之厚度爲lOO/zm)。 (4 )連接器用中間體之製造 使用上述框板、間隔板及鑄模，如下述般於框板 成異方性導電板本體。 於加成型液狀矽橡膠1 0 0重量份中添加導電粒子 量份並混合後，以減壓進行脫泡處理，而調製異方性 板本體用之成形材料。 此處，導電粒子係使用以平均粒徑爲1 8 // m之鎳 芯粒，對其施予20重量％電鍍者。 加成型液狀矽橡膠係使用A液黏度爲25 OPa · s， 黏度爲2 5 0 P a · s之二液型者，硬化物於1 5 0 °C下之永 縮應變爲5 %，硬化物之硬度計A硬度爲3 5，硬化物 裂強度爲25kN/m者。 又，上述加成型液狀矽橡膠及其硬化物之特性以 測定。 (i )加成型液狀矽橡膠之黏度： 以B型黏度計測定2 3 ±2 °C之黏度。 【3 5 // 、57a x210 度爲 上形 30重 導電 粒爲 B液 久壓 之扯 下法 -48- 1276252 (46) (ii )矽橡膠硬化物之壓縮永久應變： 將二液型之加成型液狀矽橡膠中之A液與B液以等 量之比例攪拌混合，繼之將該混合物注入鑄模內，對該混 合物施予減壓脫泡處理後，以120 °C，30分鐘之條件進行 硬化處理，而製作由厚度12.7mm，直徑29mm之矽橡膠硬 化物構成之圓柱體，以200 °C，4小時之條件對該圓柱體進 行後硬化。使用如此所得之圓柱體作爲試驗片，依據JIS K 6249之方法測定150±2°C之壓縮永久應變。 (iii)矽橡膠硬化物之扯裂強度： 以與上述（i i )之同樣條件進行加成型液狀矽橡膠之 硬化處理及後硬化，製作厚度2.5mm之板。於該板上打洞 而製作月牙型試驗片，依據JIS K 6249之方法測定23 ±2 °C之扯裂強度。 (i v )硬度計A硬度： 將與上述（iii )同樣操作製得之板5片重疊，使用所 得之堆積體爲試驗片，依據JIS K 6249之方法測定23 ±2 °C之硬度計A硬度。 於上述鑄模之上模與下模之表面，以網篩印刷法塗布 調製之成形材料，依據應形成異方性導電板之圖型形成成 形材料層，而於下模之成形面上，經由下模側之間隔板以 與框板吻合之位置重疊，此外，於該框板上，經由上模側 之間隔板以與上模吻合之位置重疊。 -49- (47) 1276252 因而’對上模與下模間形成之成形材料層，位於強磁 性體層間之部分，以往電磁石之厚度方向施予1 . 8泰斯拉 之磁場作用’冋時以1 〇 0 °C，1小時之條件施予硬化處理， 於框板之各自開口形成異方性導電板本體，而製造連接器 用中間體。 具體說明所形成之異方性導電板本體，該各個異方性 導電板本體爲橫方向尺寸3500// m，縱方向尺寸1600// m 。於各個異方性導電板本體上，對應試驗用晶圓1中被驗 電極之2 6個導電部係以1 2 0 // m間距橫方向排列二列（每 列被驗電極之數目爲1 3個，縱方向鄰接之導電部間之間隔 距離爲2 5 0 // m )，各個導電部爲橫方向尺寸70 # m，縱方 向尺寸210//m，厚度爲18 0//m，絕緣部之厚度爲110//m 。又，於橫方向最外側位置之導電部與框板之間配置非接 續用導電部。各個非接續用導電部橫方向尺寸爲70 // m， 縱方向尺寸爲210//m，厚度爲180//m。又，各個異方性 導電板本體中以框板支持之部分其厚度（二股部分一方之 厚度）爲25 // m。 又，檢視各個異方性導電板本體之導電部中所含導電 粒子之含有比例，爲全部導電部體積分率之約3 0 %。 [DLC膜之形成] 於所得連接器用中間體之異方性導電板本體一面之全 面上，以氬氣離子進行離子蝕刻處理1 0分鐘。然後，使用 石墨作爲固體碳源，以電子束蒸鍍法，於處理溫度5 0 °C， -50- (48) 1276252 處理時間20分鐘之條件下，於異方性導電板本體之表面全 面形成厚度l〇nm之DLC膜，而製造有關本發明之異方性 導電連接器。 使用修雷特帕德公司製電阻測定器「高電阻計4 3 3 9」 及「電阻率電池1 600 8B」，測定所得異方性導電連接器中 DLC膜之表面電阻率，結果爲1χ10ΐ2Ω /口。 [檢查用電路基板之製作] 使用氧化鋁陶瓷（線熱膨脹係數4.8χ10_6/Κ)作爲基 板材料，製作依據對應於試驗用晶圓W 1之試驗領域Ε 1中 積體電路之被驗電極圖型之圖型而形成檢查電極之檢查用 電路基板。該檢查用電路基板整體尺寸爲10cm X 10cm之 方形，其平面精度爲± 10 // m。檢查電極爲橫方向尺寸70 //m，縱方向尺寸210#m。下文將該檢查用電路基板稱爲 「檢查用電路基板T」。 [異方性導電連接器之評估] (1)初期導電特性： 將試驗用晶圓W 1配置於試驗台上，如第2 8圖所示， 於S式驗用晶圓W 1之試驗領域Ε 1上’將異方性導電連接益 配置於其各個導電部吻合該試驗用晶圓w 1之被驗電極位 置之位置上，於該異方性導電連接器上，將檢查用電路基 板T配置於其各個被驗電極吻合該異方性導電連接器中異 方性導電板之導電部上之位置。 然後，於室溫（2 5 °c )下，將檢查用電路基板τ於下 -51 - (49) 1276252 方以規定之荷重加壓，依序測定檢查用電路基板T中1 664 個各檢查電極，以及與該檢查電極經由異方性導電連接器 及試驗用晶圓W 1電氣接續之其他檢查電極間之電阻，以 測定之電阻値之2分之1之値作爲異方性導電連接器中導電 部之電阻（下文，稱爲「導通電阻」），求得該等之平均 値。結果示於表1。 (2 )電極物質之附著性： 將試驗用晶圓W2配置於具有加熱器之試驗台上，於 試驗用晶圓W2之試驗領域Ε2上，將異方性導電連接器配 置於其各個導電部吻合該試驗用晶圓 W2之被驗電極位置 之位置上，於該異方性導電連接器上，將檢查用電路基板 Τ配置於其各個被驗電極吻合該異方性導電連接器中異方 性導電板之導電部上之位置，再將檢查用電路基板Τ於下 方以25kg之荷重（每1個導電部施加之荷重平均爲約15g )加壓。繼之，就檢查用電路基板T於加壓之狀態，將試 驗台加熱至125 t，再於該狀態下保持24小時後，對檢查 用電路基板T解除加壓並放置1小時。以該操作爲一循環 合計連續共進行5循環。 然後，對異方性導電連接器中異方性導電板之被驗電 極接觸之部分，以俄歇（Auger )分析電子分光法進行元 素分析，以對構成被驗電極之物質Sn以及構成導電粒 子之物質Au及Ni合計質量，計算Sn質量之比例（下文 ，將該比例稱爲「Sn之比例S 1」）。結果示於表2。 -52- (50) 1276252 (3 )重覆使用中之導電特性： 將試驗用晶圓W2配置於具有加熱器之試驗台上，於 該試驗用晶圓W2之試驗領域E2上，將異方性導電連接器 配置於其各個導電部吻合該試驗用晶圓W 2之被驗電極位 置之位置上，於該異方性導電連接器上’將檢查用電路基 板T配置於其各個被驗電極吻合該異方性導電連接器中異 方性導電板之導電部上之位置，再將檢查用電路基板T於 下方以25kg之荷重（每1個導電部施加之荷重平均爲約 1 5 g )加壓。 繼之，就檢查用電路基板T於加壓之狀態，將試驗台 升溫至8 5 °C後，依序測定異方性導電連接器中各個導電部 之導通電阻。然後，對檢查用電路基板T解除加壓，再將 試驗台冷卻至室溫。 然後，以上述操作爲一循環合計連續共進行10萬循環 ，求得各循環中測定之導電部之導通電阻之平均値。結果 示於表3。 (4 )非黏著性： 將異方性導電連接器介在表面經電鍍之玻璃纖維補強 型環氧樹脂基板與矽基板之間，加壓至該異方性導電連接 器之導電部之應變率成爲3 0 %。於該狀態下，於1 5 0 °C之 大氣下放置4 8小時後，檢視異方性導電連接器中異方性導 電板與玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板之黏著性。 -53- 1276252 (51) 異方性導電連接器完全未與玻璃纖維補強型環氧樹脂 基板及矽基板之任一者黏著，將玻璃纖維補強型環氧樹脂 基板傾斜時，任一異方性導電連接器均容易自玻璃纖維補 強型環氧樹脂基板與矽基板剝離脫落。 又，觀察矽基板之表面，完全未見到被矽橡膠之低分 子量成分污染。 (實施例4 ) 除了使DLC膜之厚度成爲5nm外以與實施例3同樣之 操作，製造本發明之異方性導電連接器。該異方性導電連 接器中DLC膜之表面電阻以與實施例3相同之方法測定， 結果爲 1χ1〇12Ω /□。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用中之 導電特性。結果示於表1至表3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果異方性導電連接器完全未與玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板及矽基板之任一者黏著，將玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板傾斜時，任一異方性導電連接器均 容易自玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板剝離脫落。 又，觀察矽基板之表面，完全未見到被矽橡膠之低分 子量成分污染。 (比較例2 ) -54- 1276252 (52) 與實施例3同樣操作而製造連接器用中間體，以該連 接器用中間體作爲比較用異方性導電連接器。 使用修雷特帕德公司製電阻測定器「高電阻計43 3 9」 及「電阻率電池1 600 8B」，測定異方性導電連接器中異方 性導電板本體一面之表面電阻率，結果爲1χ1015Ω /□以上 〇 又，所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之 方法評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用 中之導電特性。結果示於表1至表3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果將玻璃纖維補強型環氧樹脂基板保 持並反轉1 8 0 °，，則異方性導電連接器與玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板黏著，強固黏著於玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板二者，該異方性導電板破損，其一 部分爲黏著於玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板之狀 態。 (實施例5 ) (1 )連接器用中間體之製造： 與實施例3同樣操作而製造連接器用中間體。 (2 )金屬層之形成： 製作依據對應於所得連接器用中間體之各異方性導電 板本體之導電部圖型之圖形而形成開口之不鏽鋼構成之遮 -55- 1276252 (53) 罩。 繼之，於連接器用中間體之異方性導電板本體一面上 ，將製作之遮罩配置於使該遮罩之各開口係位於其對應之 導電部上之位置，對自遮罩開口露出之導電部之一面，以 氬氣離子進行離子蝕刻處理1 〇分鐘。然後，以釕構成之電 極作爲陰極以電弧放電法，於導電部表面形成厚度l〇〇nm 由釕構成之金屬層。 (3 ) DLC膜之形成 對形成金屬層之連接器用中間體，於含金屬層之異方 性導電板本體一面之全面上，以氬氣離子進行離子蝕刻處 理10分鐘。然後，使用石墨作爲固體碳源，以電子束蒸鍍 法，於處理溫度50°C，處理時間20分鐘之條件下，於異方 性導電板本體之表面全面形成厚度lOnm之DLC膜，而製 造有關本發明之異方性導電連接器。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用中之 導電特性。但有關電極物質之附著性，S i之比例S 1之替 代，係以對構成被驗電極之物質Sn，構成導電粒子之物 質Au及Ni以及構成金屬層之金屬之合計質量，計算Sn 之質量比例（下文，將該比例稱爲「Sn之比例S2」）。 結果示於表1至3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果異方性導電連接器完全未與玻璃纖 -56- 1276252 (54) 維補強型環氧樹脂基板及矽基板之任一者黏著，將玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板傾斜時，任一異方性導電連接器均 容易自玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板剝離脫落。 又’觀察矽基板之表面，完全未見到被矽橡膠之低分 子量成分污染。 (實施例6 ) 於金屬層之形成中，除了形成陰極之材料由釕變更爲 鎢以外，與實施例5同樣操作而製造有關本發明之異方性 導電連接器。所得之異方性導電連接器中由鎢構成之金屬 層厚度爲l〇〇nm。 所得之異方性導電連接器以與實施例3同樣之方法評 估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用中之導 電特性。但是，電極物質之附著性係以Si之比例S2替代 S i之比例S 1而計算。結果示於表1至3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果異方性導電連接器完全未與玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板及矽基板之任一者黏著，將玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板傾斜時，任一異方性導電連接器均 容易自玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板剝離脫落。 又，觀察矽基板之表面，完全未見到被矽橡膠之低分 子量成分污染。 (實施例7 ) -57- 1276252 (55) 於金屬層之形成中’除了形成陰極之材料由釕變更爲 铑以外，與實施例5同樣操作而製造有關本發明之異方性 導電連接器。所得之異方性導電連接器中由铑構成之金屬 層厚度爲l〇〇nm 。 所得之異方性導電連接器以與實施例3同樣之方法評 估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用中之導 電特性。但是，電極物質之附著性係以Si之比例S2替代 S i之比例S 1而計算。結果示於表1至3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果異方性導電連接器完全未與玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板及矽基板之任一者黏著，將玻璃纖 維補強型環氧樹脂基板傾斜時，任一異方性導電連接器均 容易自玻璃纖維補強型環氧樹脂基板及矽基板剝離脫落。 又，觀察矽基板之表面，完全未見到被矽橡膠之低分 子量成分污染。 (比較例3 ) 與實施例5同樣操作而製造形成釕構成金屬層之連接 器用中間體’以該連接器用中間體作爲比較用異方性導電 連接器。 又’所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之 方法評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用 中之導電特性。但是，電極物質之附著性係以Si之比例 S2替代Si之比例S1而計算。結果示於表丨至表3。 -58 - 1276252 (56) 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果將玻璃纖維補強型環氧樹脂基板保 持並反轉1 8 0 °，則異方性導電連接器與玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板黏著，強固黏著於玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板二者，將異方性導電連接器強制剝 離時，該異方性導電板破損，其一部分爲黏著於玻璃纖維 補強型環氧樹脂基板及矽基板之狀態。 (比較例4 ) 與實施例6同樣操作而製造形成鎢構成金屬層之連接 器用中間體，以該連接器用中間體作爲比較用異方性導電 連接器。 又，所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之 方法評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用 中之導電特性。但是，電極物質之附著性係以S i之比例 S 2替代Si之比例S1而計算。結果示於表1至表3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果將玻璃纖維補強型環氧樹脂基板保 持並反轉1 8 0 °，則異方性導電連接器與玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板黏著，強固黏著於玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板二者，將異方性導電連接器強制剝 離時，該異方性導電板破損，其一部分爲黏著於玻璃纖維 補強型環氧樹脂基板及矽基板之狀態。 -59- 1276252 (57) (比較例5 ) 與實施例7同樣操作而製造形成铑構成金屬層之連接 器用中間體’以該連接器用中間體作爲比較用異方性導電 連接器。 又’所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之 力法評估其初期導電特性、電極物質之附著性及重覆使用 中之導電特性。但是，電極物質之附著性係以S i之比例 S 2替代Si之比例S1而計算。結果示於表1至表3。 所得之異方性導電連接器，以與實施例3同樣之方法 評估其非黏著性，結果將玻璃纖維補強型環氧樹脂基板保 持並反轉1 8 0 °，則異方性導電連接器與玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及砂基板黏著，強固黏著於玻璃纖維補強型 環氧樹脂基板及矽基板二者，將異方性導電連接器強制剝 離時，該異方性導電板破損，其一部分爲黏著於玻璃纖維 補強型環氧樹脂基板及矽基板之狀態。 -60- (58)1276252 s均値(Ω ) LO CNI D) l〇 t— 0.08 τ- Ο 0.06 0.05 0.06 0.15 τ- Ο τ- Ο τ- Ο 〇 CNJ D) CM τ— 0.09 s 0.06 0.06 0.07 0.16 τ- Ο τ- Ο 0.09 D) l〇 t— D) O) τ— d CD 0.05 0.08 0.07 0.17 0.12 5 5 ^O) CD t— T— D) 0.12 0.11 0.06 0.09 0.08 CNI Ο 0.13 τ- Ο ΙνΓ W m o T— O) CO 0.14 0.15 0.11 0.11 ! 0.13 _I 0.23 0.15 0.14 0.11 If 1^2. 啪11 ιΜπ) fpr » O) CO CO D) to 0.26 0.25 0.19 0.16 CM Ο 0.44 0.21 0.23 0.19 卜 CD O) 0.41 0.43 0.34 0.42 0.41 0.82 寸 ο 0.43 0.35 UO D) CO 0.63 0.61 0.58 0.65 0.61 CO τ— 0.61 I 0.65 0.57 ^D) CO CO D) CM τ— C\j τ— CNI τ~ 0.95 卜 LO 寸 τ— 00 τ— τ— 全體 每個導電部 CO 键 IK 寸 Μ UO 舞 IK CD 舞 實施例7 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 腔侧

-61 (59) 1276252 [表2] 金屬層 Sn之比例 Sn之比例 S 1 S2 實施例3 Μ j \\\ 0 實施例4 Μ J i ΝΝ 0 實施例5 釕 0 實施例6 鎢 0 實施例7 铑 0 比較例2 Μ 0.5 1 比較例3 釕 0.11 比較例4 鶴 0.13 比較例5 铑 0.16 - 62- (60)1276252 P均値(Ω ) 100000 0.53 f ! 0.83 0.73 0.59 0.74 未測定 未測定 未測定 未測定 70000 ! 0.28 I 0.54 0.48 0.33 0.39 50000 ! 0.23 I 0.34 0.29 0.25 0.26 >10 36000 0.11 0.16 0.17 0.14 0.15 CO 導電部之導通電阻之2 20000 0.06 0.15 0.13 i 0.11 0.14 >10 >10 >10 I 0.43 10000 0.05 0.13 0.12 0.08 i I ! 0.11 0.73 寸· CN CO 0.11 5000 0.05 5 0.09 0.06 0.08 0.07 0.54 0.81 0.12 1000 0.08 0.08 1 0.08 0.05 5 0.05 0.21 ! 0.43 0.11 τ— 5 5 0.05 0.08 0.07 0.16 0.12 X— d 5 循環數 CO 鹣 寸 LO 箱 IK CD ㈣ {_ 實施例7 比較例2 比較例3 比較例4 -! 比較例5 -63- 1276252 (61) 【圖式簡單說明】 第1圖係表示有關本發明異方性導電板一例之構成說 明用剖面圖。 第2圖係表示製造異方性導電板本體用鑄模一例之構 成δ兌明用剖面圖。 第3圖係表示於第2圖所示鑄模內，形成異方性導電板 本體用之成形材料層狀態之說明用剖面圖。 第4圖係表示成形材料層中之導電粒子在成爲該成形 材料層中導電部之部位集合之狀態之說明用剖面圖。 第5圖係表示異方性導電板本體之構成說明用剖面圖 〇 第6圖係表示本發明之異方性導電板另一例之構成說 明用剖面圖。 第7圖係表示於異方性導電板之一面配置遮罩之狀態 之說明用剖面圖。 第8圖係表示於異方性導電板本體之導電部表面形成 金屬層之狀態之說明用剖面圖。 第9圖係表示於導電部表面形成金屬層之異方性導電 板本體之構成之說明用剖面圖。 第1 〇圖係表示本發明之異方性導電連接器之一例之平 面圖。 第11圖係表示第10圖所示異方性導電連接器主要部分 之放大說明用剖面圖。 第1 2圖係表示於異方性導電板本體成形用鑄模之上模 -64- 1276252 (62) 與下模之間，經由間隔板配置框板之狀態之說明用剖面圖 〇 第1 3圖係表示於上模與下模之間，形成目的形態之成 形材料層之狀態之說明用剖面圖。 第14圖係表示連接器用中間體之主要部分之構成之說 明用剖面圖。 第1 5圖係表示有關本發明晶圓檢查裝置之一例中主要 部分之構成之說明用剖面圖。 第1 6圖係表示有關本發明電路檢查用探針之一例中主 要部分之放大說明用剖面圖。 第1 7圖係表示有關本發明晶圓檢查裝置另一例中主要 部分之構成之說明用剖面圖。 第1 8圖係表示有關本發明電路檢查用探針另一例中主 要部分之放大說明用剖面圖。 第1 9圖係表示有關本發明晶圓檢查裝置又另一例中主 要部分之構成之說明用剖面圖。 第20圖係表示有關實施例1及比較例1之異方性導電板 之加壓-應變曲線圖及應變-電阻曲線圖。 第2 1圖係表示實施例所製作之試驗用晶圓W 1之平面 圖。 第22圖係表示於試驗用晶圓W 1上形成之積體電路之 被驗電極領域之位置說明圖。 第23圖係表示於試驗用晶圓wi上形成之積體電路之 被驗電極之說明圖。 -65- (63) 1276252 第24圖係表示於試驗用晶圓W1中試驗領域El之說明 圖。 第2 5圖係表示實施例所製作之框板之平面圖。 第26圖係表示實施例所製作之鑄模主要部分之放大說 明用剖面圖。 第2 7圖係表示第2 6圖所示鑄模成形面之放大說明圖。 第2 8圖係表示於實施例中，試驗用晶圓W 1之試驗領 域E 1上配置異方性導電連接器之狀態之說明圖。 [圖號說明] 1 晶圓 2 5 10 11 1 1 A 12 1 2A 13 14 15 16 17 18

1 1 B 被驗電極 晶圓載置台 異方性導電板 異方性導電板本體 成形材料層 導電部 可成爲導電部之部分 絕緣部 金屬層 DLC膜 遮罩 開口 框板 -66 - 開口 異方性導電連接器 電路檢查用探針 検查用電路基板 檢查電極 接續端子 內部配線 板狀連接器 絕緣板 電極構造體 表面電極部 內面電極部 短絡部 上模 強磁性體基板 強磁性體層 非磁性體層 間隔板 下模 強磁性體基板 強磁性體層 非磁性體層 導電粒子 -67-

Claims (1)

1276252 (1) 拾、申請專利範圍 第92 1 23482號專利申請案 中文申請專利p圍修正本——__ 民1函9夸年ft月 1 ·一種異方性導電板，其特徵爲由具有彈性高分子物 質所形成，往厚度方向伸展之複數導電部及與此等導電部 互相絕緣之絕緣部的異方性導電板本體，以及 於該異方性導電板本體之一面或二面至少包覆絕緣部 而一體形成的DLC膜構成者。 2·如申請專利範圍第1項之異方性導電板，其中， DLC膜之表面電阻率爲1χι〇8至1χ1〇μω/□者。 3 ·如申請專利範圍第2項之異方性導電板，其中， DLC膜之厚度爲1至500nm者。 4 ·如申請專利範圍第3項之異方性導電板，其中，形 成異方性導電板本體之彈性高分子物質爲矽橡膠者。 5 ·如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之異方性導 電板，其中，DLC膜係包覆於異方性導電板本體之一面全 面或兩面全面而形成者。 6 ·如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之異方性導 電板，其中’於該異方性導電板本體之一面上，一體形成 包覆導電部之金屬層。 7 ·如申請專利範圍第6項之異方性導電板，其中，該 DLC膜係包覆金屬層表面而形成者。 8 ·如申請專利範圍第7項之異方性導電板，其中，金 1276252 (2) 屬層之表面電阻率爲1χ1(Γ2Ω/□以下者。 9 ·如申請專利範圍第6項之異方性導電板，其中，金 屬層之厚度爲5至1000 nm者。 1 0 ·如申請專利範圍第7項之異方性導電板，其中，金 屬層之厚度爲5至lOOOnm者。 11· 一種異方性導電板之製造方法，其特徵爲包含下 列步驟： 製造具有由彈性高分子物質所形成，往厚度方向伸展 之複數導電部及與此等導電部互相絕緣之絕緣部的異方性 導電板本體， 再於所得異方性導電板本體之至少一面或二面，以 PVD法包覆絕緣部而一體形成DLC膜。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之異方性導電板之製造方 法，其中，係於150°C以下之溫度形成DLC膜者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項或第1 2項之異方性導電板 之製造方法，係於應形成DLC膜之異方性導電板本體之 一面，進行離子蝕刻處理，然後形成DLC膜者。 14· 一種異方性導電連接器，其特徵爲： 由具有開口之框板，及分別配置爲堵塞上述框板之開 □ ’而以該框板之開口邊緣部支持之申請專利範圍第1項 至第1 0項中任一項之異方性導電板所構成。 1 5 · —種異方性導電連接器，係對晶圓上形成之各複 數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行電氣檢查 用者，其特徵爲： -2- 1276252 (3) 具備對應檢查對象晶圓上形成之所有積體電路中配置 被驗電極之區域而形成複數開口之框板，及配置爲分別堵 塞上述框板之開口，而以該框板之開口邊緣部支持之複數 異方性導電板而構成，且該異方性導電板爲申請專利範圍 第1項至第1 〇項中任一項之異方性導電板者。 1 6. —種異方性導電連接器，係對晶圓上各自形成之 複數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行電氣檢 查用者，其特徵爲： 具備對應於選自檢查對象之晶圓上形成之積體電路之 複數積體電路中配置被驗電極之領域形成複數開口之框板 ，及配置爲分別堵塞上述框板開口而藉該框板之開口邊緣 部支持之複數異方性導電板而構成，且該異方性導電板爲 申請專利範圍第1項至第1 0項中任一項之異方性導電板者 〇 17. —種電路檢查用探針，其特徵爲： 具備依據對應於檢查對象電路之被驗電極圖形之圖形 而於表面形成檢查電極之檢查用電路基板，以及配置於該 檢查用電路基板表面之申請專利範圍第1項至第1 〇項中任 一項之異方性導電板而構成者。 18. —種電路檢查用探針，其特徵爲：具備依據對應 於檢查對象電路之被驗電極圖型之圖型而於表面形成檢查 電極之檢查用電路基板，以及配置於該檢查用電路基板表 面之申請專利範圍第1 4項之異方性導電連接器而構成者。 1 9. 一種電路檢查用探針，係對晶圓上各自形成之複 -3 - 1276252 (4) 數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行電氣檢查 用者，其特徵爲： 具備對應於檢查對象電路之被驗電極圖型之圖型而於 表面形成檢查電極之檢查用電路基板，以及配置於該檢查 用電路基板表面之申請專利範圍第1 5項之異方性導電連接 器而構成者。 2 0.—種電路檢查用探針，係對晶圓上各自形成之複 數積體電路，爲了以晶圓狀態對該積體電路進行電氣檢查 用者，其特徵爲： 具備依據對應於選自檢查對象之晶圓上形成之積體電 路中之複數積體電路之被驗電極圖型之圖型而於表面形成 檢查電極之檢查用電路基板’以及配置於該檢查用電路基 板表面之申請專利範圍第16項之異方性導電連接器而構成 者。 21. 如申請專利範圍第19項或第20項之電路檢查用探 針，其中，由絕緣板及貫通該絕緣板厚度方向而伸展，依 據對應於檢查用電路基板之檢查電極圖型之圖型而配置之 複數電極構造體所構成之板狀連接器，係配置於異方性導 電連接器上者。 22. —種電路檢查裝置，其特徵爲具備申請專利範圍 第1 7項至第2 1項中任一項之電路檢查用探針而構成者。