UA95506U - METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS - Google Patents

Abstract

Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури. Синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала здійснюють методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті вздовж кристала 2-3 К/мм з використанням в цьому процесі двох операцій відпалу, першу з яких здійснюють при 1110 К протягом 48 год. та другу при 820 К протягом 100 год., при цьому у проміжку між останніми відпалами охолодження монокристала здійснюють зі швидкістю 0,1-0,15 мм/год.A method of obtaining semiconductor chalcogenide single crystals involves the assembly of a mixture of elemental components, alloy synthesis, annealing, crystallization and cooling to room temperature. Synthesis of the alloy is carried out with heating to a temperature of 1320 K with the implementation in the process of synthesis of homogenizing annealing at 1110 K for 240 hours. and at 820 K for 300 hours, and the process of growing a single crystal is carried out by the method of pre-heated recrystallization in a preheated two-zone furnace at a temperature gradient along the crystal 2-3 K / mm using two annealing operations in the process, the first of which is carried out at 1110 K for 48 years and the second at 820 K for 100 hours, while in the interval between the last annealing, the cooling of the single crystal is carried out at a rate of 0.1-0.15 mm / h.