Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filedfiledCritical
Priority to UAU201609410UpriorityCriticalpatent/UA115555U/en
Publication of UA115555UpublicationCriticalpatent/UA115555U/en
Спосіб одержання монокристалу включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se. До складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу GaІnErSeпри температурі 1310-1320 K, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 K/мм, швидкістю вирощування монокристалу 0,1-0,15 мм/год.The method of obtaining a single crystal involves the Assembly of the charge from the original components In, Ga, Se. To the composition of the charge is added in an alloying amount of Er (0.4 at.%), Carry out the synthesis of the alloy composition GaInErSe at a temperature of 1310-1320 K, the cultivation of a single crystal is carried out by the method of collective recrystallization in a pre-heated two-zone furnace at a temperature gradient of 2-3 K / mm, speed single crystal growth 0.1-0.15 mm / h.
UAU201609410U2016-09-122016-09-12
METHOD OF OBTAINING A MONOCRYSTAL Ga5,94ln3,96Er0,1Se15
UA115555U
(en)