TWM647657U - 晶圓濕式處理與清洗系統 - Google Patents

Abstract

一種晶圓濕式處理與清洗系統，包含第一翻轉裝置、傳送裝置、複數個濕處理槽、第二翻轉裝置、保濕裝置以及至少一單晶圓處理裝置。第一翻轉裝置係用以將載晶卡匣沿第一方向翻轉90度。傳送裝置用以接收並移動載晶卡匣。複數個製程液體分別被設置於該複數個濕處理槽中。傳送裝置可選擇性地將載晶卡匣移動至第二翻轉裝置。保濕裝置用以對第二翻轉裝置提供一保濕液體。第二翻轉裝置翻轉後之載晶卡匣中之晶圓放置在單晶圓處理裝置。

Description

晶圓濕式處理與清洗系統

本創作是有關於一種晶圓濕式處理與清洗系統及方法。

在目前三維積體電路(three-dimensional integrated circuit, 3D-IC)封裝技術領域中，晶圓表面上具有堆疊的晶片 (Chip on Wafer)，因而形成有複雜結構之晶圓表面。

雖然使用習知濕式工作台(Wet Bench)的多槽體對一般晶圓進行蝕刻清洗製程時，可以成功達到高產能之蝕刻清洗目的。但是，在對具有特殊複雜結構晶圓的表面清洗時，例如對上述3D-IC晶圓40清洗時，會如圖1所示，容易在表面結構41之間留下殘留物 42。殘留物 42可能是未洗淨的晶圓微粒或是未乾燥的清潔液體等。

3D-IC晶圓40蝕刻清洗時，會經歷多道製程。而在最終去離子水清洗(DI Rinse)與乾燥(Dry)製程時，使用快速降液浸洗(Quick Dump Rinse, QDR)槽體批次具有清洗複雜結構之晶圓，以及使用異丙醇(isopropanol, IPA)槽體批次乾燥具有清洗複雜結構之晶圓，可能依舊無法達到有效清洗與乾燥該些晶圓之需求。例如，產生去離子水可能無法完全清洗去除晶圓微粒，或是晶圓未乾燥導致水痕殘留等情況。

在這種情況之下，僅以習知設備進行清洗將會無法達成清潔度的要求。因此，需要一種晶圓濕式處理與清洗系統及方法以解決上述習知問題。

基於上述目的，本創作係提供一種晶圓濕式處理與清洗系統，包含第一翻轉裝置、傳送裝置、複數個濕處理槽、第二翻轉裝置、保濕裝置以及至少一單晶圓處理裝置。第一翻轉裝置可用以將載晶卡匣沿第一方向翻轉90度。傳送裝置可用以接收並移動載晶卡匣。複數個製程液體可分別被設置於複數個濕處理槽中，傳送裝置將載晶卡匣所承載之至少一晶圓依序浸泡於複數個濕處理槽中。傳送裝置可選擇性地將載晶卡匣移動至第二翻轉裝置，第二翻轉裝置沿與第一方向相反之第二方向將載晶卡匣翻轉90度。保濕裝置可設置於第二翻轉裝置上，用以對第二翻轉裝置提供一保濕液體。第二翻轉裝置翻轉後之載晶卡匣中之晶圓放置在單晶圓處理裝置。

較佳地，傳送裝置包含承載機構、平移機構以及升降機構。承載機構用以接收並承載載晶卡匣。平移機構與承載機構相連接，且用以驅動該承載機構於一水平方向移動。升降機構與平移機構相連接，且用以驅動該承載機構於一垂直方向移動。

較佳地，本發明之晶圓濕式處理與清洗系統更包含第一水平傳送裝置，第一水平傳送裝置自晶圓濕式處理及清洗系統之晶圓出入貨區拿取呈水平狀態之晶圓至載晶卡匣。

較佳地，本發明之晶圓濕式處理與清洗系統更包含第二水平傳送裝置，在第二翻轉裝置沿第二方向將載晶卡匣翻轉90度後，第二水平傳送裝置自晶圓出入貨區拿取呈水平狀態之該晶圓至單晶圓處理裝置。

較佳地，單晶圓處理裝置包含旋轉台以及液體供應裝置。旋轉台可用於放置晶圓。液體供應裝置，設置在旋轉台上方，用於對晶圓施加至少一處理液體。

較佳地，該處理液體包含去離子水或蝕刻液。

較佳地，複數個製程液體包含蝕刻液、乾燥劑、去離子水中的一種或多種。

較佳地，不同的各複數個製程液體分別被設置於不同的各複數個濕處理槽中。

較佳地，本發明之晶圓濕式處理與清洗系統更包含至少一乾燥槽，載晶卡匣可選擇性地由傳送裝置傳送至乾燥槽。

基於上述目的，本創作再提供一種晶圓濕式處理與清洗方法，其包含下列步驟：

拿取至少一晶圓至設置於第一翻轉裝置之載晶卡匣；

以第一翻轉裝置將載晶卡匣沿第一方向翻轉90度；

以傳送裝置接收並移動載晶卡匣至複數個濕處理槽上方，複數個製程液體分別被設置於複數個濕處理槽中；

以傳送裝置將載晶卡匣所承載之晶圓依序浸泡於該複數個濕處理槽中；

利用傳送裝置可選擇性地將載晶卡匣移動至第二翻轉裝置；

以第二翻轉裝置沿與第一方向相反之第二方向將載晶卡匣翻轉90度。

利用設置於該第二翻轉裝置上之保濕裝置對該第二翻轉裝置提供一保濕液體，該晶圓保持濕潤狀態；以及

將由第二翻轉裝置翻轉後之載晶卡匣中之晶圓放置在單晶圓處理裝置。

較佳地，本發明之晶圓濕式處理與清洗方法更包含：以單晶圓處理裝置之液體供應裝置對晶圓施加至少一處理液體；以及以單晶圓處理裝置之旋轉台旋轉該晶圓。

較佳地，本發明之晶圓濕式處理與清洗方法更包含：提供至少一乾燥槽；以及以傳送裝置傳送載晶卡匣至乾燥槽或第二翻轉裝置。

本創作提供了晶圓濕式處理與清洗系統及方法，可以防止去離子水未能完全清洗去除晶圓微粒，或是晶圓未乾燥導致水痕殘留等情況。在本創作中，濕式工作台(Wet Bench)設備、單晶圓處理裝置、載晶卡匣翻轉裝置相互整合。因此，當晶圓在經歷批次浸泡蝕刻或清洗槽體製程後，能利用單晶圓處理裝置之優勢，進行後續處理，例如以去離子水噴灑清洗晶圓表面、高速旋轉乾燥晶圓等。因此，上述使用QDR槽體清洗與使用IPA槽體乾燥無法達到有效清洗與乾燥複雜結構晶圓之問題得以解決。

為利貴審查員瞭解本創作之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本創作配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明之用，未必為本創作實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本創作於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

以下將參照相關圖式，說明依本創作之實施例，為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。

如圖2及圖3所示，晶圓濕式處理與清洗系統10可包含第一翻轉裝置101、傳送裝置102、複數個濕處理槽103、第二翻轉裝置104、至少一單晶圓處理裝置106、第一水平傳送裝置107以及晶圓出入貨區109。

進一步說明，在本揭示中，在一實施例中，第一水平傳送裝置107可先由晶圓出入貨區(Load/Unload Port)109自前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)中拿取晶圓30並傳送到第一翻轉裝置101。當晶圓30被放置到第一翻轉裝置101後，如圖4A及圖4B所示，第一翻轉裝置101會將載晶卡匣20翻轉，以將晶圓30由水平方向轉為垂直方向。

此時，如圖5至圖6所示，傳送裝置102會將裝有晶圓30之載晶卡匣20拿取，傳送載晶卡匣20至濕處理槽103，並將晶圓30浸入濕處理槽103中。而後，依據製程之設定，例如載晶卡匣浸入具有不同製程液體的濕處理槽103之順序、時間等，以進行晶圓30的批次浸泡蝕刻、清洗等連續製程。

進一步說明，如圖3所示，第一水平傳送裝置107可包含第一伸縮臂1071及第一承接部1072。第一承接部1072具有可吸引或夾取晶圓30的元件，例如夾爪、吸盤、抽氣孔等，以夾取或吸引晶圓30。在一實施例中，第一水平傳送裝置107自晶圓30濕式處理及清洗系統10之晶圓出入貨區109拿取呈水平狀態之該晶圓30至載晶卡匣20。

在一實施例中，如圖4A及圖4B所示，在一實施例中，第一翻轉裝置101可包含基座1011、支撐架1012、翻轉架1013、翻轉動力單元1014、限位構件1015、限位動力單元1016以及驅動元件1017，第一翻轉裝置101可用以將載晶卡匣20沿第一方向(例如順時針方向)翻轉90度。

在一較佳實施例中，翻轉架1013以可旋轉方式設置在二支撐架1012上，翻轉動力單元1014設置在其中一支撐架1012上，並連接翻轉架1013，且用於旋轉翻轉架1013以使翻轉架1013呈垂直狀態或水平狀態。翻轉動力單元1014可為馬達，例如步進馬達、伺服馬達等。在該馬達上具有一可旋轉的轉軸，轉軸與翻轉架1013固定以帶動翻轉架1013轉動。

另外，限位構件1015可分別樞設在載晶卡匣20的二相對側上，且用於樞轉到限位位置或釋放位置。限位構件1015可在限位位置時靠向載晶卡匣20的中心，其中當限位構件1015樞轉到限位位置時，二限位構件1015之間的距離將會小於載晶卡匣20的寬度。而當二限位構件1015樞轉到釋放位置時，二限位構件1015之間的距離會等於或大於載晶卡匣20的寬度。其中，此寬度通常是指的是載晶卡匣20的最寬處寬度。

進一步說明，在一較佳實施例中，如圖4A及圖4B所示，各限位構件1015可包含限位橫桿，而晶圓30可被放置於載晶卡匣20的載晶匣槽201中。限位橫桿的長度可等於或大於所有載晶匣槽201沿並排方向的總長度，藉此確保限位橫桿能夠同時抵靠載晶卡匣20中的所有晶圓30的邊緣，以固定晶圓30的位置。

進一步說明，驅動元件1017可連接至限位動力單元1016上，以受限位動力單元1016之驅動而使對應的限位構件1015自限位位置樞轉到釋放位置，或用於受限位動力單元1016之驅動而使對應的限位構件1015自釋放位置樞轉至限位位置。

在一實施例中，傳送裝置102可包含承載機構1021、平移機構1022以及升降機構1023，且用以接收並承載載晶卡匣20。進一步說明，平移機構1022，與承載機構1021相連接，用以驅動承載機構1021於水平方向移動，升降機構1023與平移機構1022相連接，用以驅動承載機構1021於一垂直方向移動用以接收並移動載晶卡匣20。

如圖5至圖6所示，承載機構1021可由平移機構1022以及升降機構1023驅動至接收位置以準備接收已由第一翻轉裝置101翻轉之載晶卡匣20。此時，載晶卡匣20中的晶圓30是呈垂直狀態，使得載晶卡匣20中的各晶圓30能夠在濕處理槽103由製程溶液均勻地浸泡。

在一實施例中，平移機構1022及升降機構1023可包含步進馬達、伺服馬達、齒輪、線性滑軌、氣壓缸、油壓缸中的一種或多種；另外，承載機構1021可包含掛勾、吸盤、磁吸裝置、卡榫等接合元件中的一種或多種，以使得承載機構1021可自第一翻轉裝置101中取出載晶卡匣20，並進行後續製程。

進一步說明，複數個製程液體分別被設置於複數個濕處理槽103中，而傳送裝置102將載晶卡匣20所承載之至少一晶圓30，例如一片至二十五片之任一數量之晶圓30，依序浸泡於複數個濕處理槽103中。在一實施例中，複數個製程液體可包含蝕刻液、乾燥劑、去離子水中的一種或多種，而濕處理槽103的數量可依據需求進行設置。

在一實施例中，蝕刻液、去離子水、乾燥劑等不同的各製程液體可分別設置於不同的濕處理槽103中，例如蝕刻液設置於第一濕處理槽103，去離子水設置於第二濕處理槽103，乾燥劑設置於第三濕處理槽103，晶圓30可依序浸泡於第一至第三濕處理槽103。

進一步說明，蝕刻液可為硫酸溶液、鹽酸溶液、氫氟酸溶液、氨水溶液、氫氧化氨溶液、二氧化矽蝕刻液或其他清洗化學藥劑，若是有選用兩種以上的蝕刻液，也可不限於僅使用上述三個濕處理槽103，例如可能會有盛裝不同蝕刻液的兩個濕處理槽103以及分別盛裝去離子水及乾燥劑的濕處理槽103。另外，乾燥劑可為異丙醇(isopropanol, IPA)，但不以此為限。

除此之外，在一實施例中，晶圓濕式處理與清洗系統10可更包含乾燥槽110。因此，對於某些適用浸泡於乾燥劑的晶圓30，亦可以在浸泡過去離子水後以乾燥槽110進行乾燥。乾燥槽110可以加熱、施加乾空氣等各種乾式方式對晶圓30批次乾燥。因此，在此實施例中，可依晶圓30的種類，將載晶卡匣20可選擇性地由傳送裝置102傳送至乾燥槽110。

在一實施例中，除了上述對於一整批的晶圓30進行清洗以外，對於有複雜結構的晶圓30或是不適用IPA等批次乾燥方式的晶圓30來說，上述的方式並無法達成洗淨或是乾燥的需求。因此可再將此種晶圓30依據需求，於浸泡過去離子水後，由傳送裝置102可選擇性地將載晶卡匣20移動至第二翻轉裝置104。而後，第二翻轉裝置104再沿與第一方向相反之第二方向(逆如逆時針方向)將載晶卡匣20翻轉90度，此時晶圓30呈水平狀態。

值得一提的是，如圖7所示，為了避免晶圓30在後續清洗時已乾燥，產生水痕或是其它後續難以清洗的情況，晶圓濕式處理與清洗系統10還可包含保濕裝置105。保濕裝置105可設置於第二翻轉裝置104上用以對第二翻轉裝置104提供一保濕液體，例如去離子水。因此在一實施例中，保濕裝置105可以使第二翻轉裝置104內有去離子水，以浸泡晶圓30，以防止晶圓30乾燥留下難以去除之水痕。在一實施例中，保濕裝置105可包含供水管、噴灑單元、水霧產生單元中的一種或多種。

在一實施例中，晶圓濕式處理與清洗系統10還可包含排水裝置111，以排除保濕裝置105所提供的去離子水。排水裝置111可包含排水孔、抽水單元中的一種或多種。舉例來說，當第二翻轉裝置104內不需要有去離子水時，排水裝置111可將去離子水排除，使得載晶卡匣20內的晶圓30可進行下一製程。

除此之外，排水裝置111亦可包含乾燥單元，依據製程上的需求，或是設定，乾燥第二翻轉裝置104。舉例來說，若是該些晶圓30不需要傳送至單晶圓處理裝置106，進行後續的清洗處理，且已清洗完畢並乾燥，可再傳送至乾燥的第二翻轉裝置104，或是傳送至第一翻轉裝置101進行翻轉，以傳送至晶圓出入貨區109。

而對於上述有複雜結構的晶圓30，為了後續的清洗乾燥流程，可在載晶卡匣20由第二翻轉裝置104翻轉後，將載晶卡匣20中之晶圓30放置在單晶圓處理裝置106。在一實施例中，晶圓濕式處理與清洗系統10可更包含第二水平傳送裝置108。在第二翻轉裝置104沿第二方向將載晶卡匣20翻轉90度後，第二水平傳送裝置108自晶圓出入貨區109拿取呈水平狀態之晶圓30至單晶圓處理裝置106。

進一步說明，如圖3所示，在一實施例中，第一水平傳送裝置107及第二水平傳送裝置108可為雙夾爪式(Dual Finger)之機械手臂。另外，可將第一水平傳送裝置107及第二水平傳送裝置108整合為同一裝置，以節省空間，但不以此為限。舉例來說，在其它實施例中，亦可分別設置第一水平傳送裝置107及第二水平傳送裝置108，使得第一水平傳送裝置107獨立於第二水平傳送裝置108。

如圖6所示，第二水平傳送裝置108可包含第二伸縮臂1081及第二承接部1082。第二承接部1082具有可吸引或夾取晶圓30的元件，例如夾爪、吸盤、抽氣孔等，以夾取或吸引晶圓30。在一實施例中，第二水平傳送裝置108自晶圓30濕式處理及清洗系統10之第二翻轉裝置104的載晶卡匣20內拿取呈水平狀態之晶圓30至單晶圓處理裝置106。但不以此為限，在適當的配置下，例如確保第一水平傳送裝置107的清潔度及乾燥度的情況下，亦可以第一水平傳送裝置107拿取呈水平狀態之晶圓30至單晶圓處理裝置106，並省略設置第二水平傳送裝置108。

在一實施例中，自第二翻轉裝置104內取出晶圓30時，操作流程可如下所示。首先，第二翻轉裝置104與第一翻轉裝置101有大致相同的結構與元件，可參閱有關圖4A、圖4B及上述說明，在此不再贅述。在載晶卡匣20翻轉後，使載晶卡匣20由垂直狀態轉為水平狀態，後續利用限位動力單元1014（氣壓缸）使驅動元件1017（推抵元件）推抵位於載晶卡匣20兩側的限位構件1015，進而使限位構件1015離開晶圓30，此時限位構件1015回到釋放位置以使晶圓30不再受到拘束。接著以第二水平傳送裝置108取出載晶卡匣20內的晶圓30以將呈水平狀態之晶圓30傳送至單晶圓處理裝置106。

在一實施例中，如圖8所示，單晶圓處理裝置106可包含旋轉台1061、液體供應裝置1062及轉軸1063。旋轉台1061用於放置晶圓30，液體供應裝置1062設置在旋轉台1061上方，用於對晶圓30施加至少一處理液體。且在一實施例中，處理液體可包含去離子水、蝕刻液或其他化學藥劑，以進一步對晶圓30進行清洗或是其它製程。

當清洗完後，可再以轉軸1063帶動旋轉台1061，以使得放置於旋轉台1061上的晶圓30進行高速旋轉。高速旋乾後之晶圓30，可再由水平式單晶圓機械手臂，例如第一水平傳送裝置107、第二水平傳送裝置108或其它類似於的傳送裝置傳送至晶圓出入貨區109。

綜上所述，本創作之晶圓濕式處理與清洗方法，可包含下列步驟：

拿取至少一晶圓30至設置於第一翻轉裝置101之載晶卡匣20，例如以第一水平傳送裝置107自晶圓30濕式處理及清洗系統10之晶圓出入貨區109拿取呈水平狀態之該晶圓30至載晶卡匣20；

以第一翻轉裝置101將載晶卡匣20沿第一方向翻轉90度；

以傳送裝置102接收並移動載晶卡匣20至濕處理槽103上方，複數個製程液體分別被設置於該複數個濕處理槽103中，此外不同的製程液體分別設置於不同的濕處理槽103；

以傳送裝置102將載晶卡匣20所承載之晶圓30依序浸泡於複數個濕處理槽103中；

利用傳送裝置102可選擇性地將載晶卡匣20移動至第二翻轉裝置104；

以第二翻轉裝置104沿與第一方向相反之第二方向將該載晶卡匣20翻轉90度；

利用設置於第二翻轉裝置104上之保濕裝置105對第二翻轉裝置104提供保濕液體，晶圓30保持濕潤狀態；以及

將由第二翻轉裝置104翻轉後之載晶卡匣20中之晶圓30放置在單晶圓處理裝置106。

當單晶圓處理裝置106清洗完晶圓30後，可再以轉軸1063帶動旋轉台1061，以使得放置於旋轉台1061上的晶圓30進行高速旋轉。高速旋乾後之晶圓30，可再由水平式單晶圓機械手臂，例如第一水平傳送裝置107、第二水平傳送裝置108或其它類似於的傳送裝置傳送至晶圓出入貨區109。

進一步說明，本創作的晶圓濕式處理與清洗系統10可將各種不同清洗需求的晶圓30進行處理。舉例來說，對於適合批次處理的晶圓30，可僅將該些晶圓30浸泡在濕處理槽103中，並視情況是否傳送至乾燥槽110或是以濕處理槽103中的乾燥劑進行乾燥，乾燥完成之後即可在乾燥狀態之下，由第一翻轉裝置101或第二翻轉裝置104將晶圓翻轉回水平狀態，並傳送至晶圓出入貨區109，以進行後續製程。

而對於有複雜表面結構的晶圓30，例如進行三維積體電路(three-dimensional integrated circuit , 3D-IC)封裝之晶圓，則適合以單晶圓處理裝置106進行後續的清洗及乾燥，換言之，傳送裝置102可依據晶圓30所需的製程在適當的時機將裝載有晶圓30的載晶卡匣20傳送至適當的位置進行處理。

在此情況之下，由於濕式工作台(Wet Bench)設備(包含傳送裝置102、濕處理槽103等的設備)、單晶圓處理裝置106、載晶卡匣翻轉裝置相互整合，因此對於需要單晶圓處理裝置106處理的晶圓可在晶圓濕式處理與清洗10完成處理與清洗，可增加產品的製造效率。

另外，本創作提供了晶圓濕式處理與清洗系統及方法，可以防止去離子水未能完全清洗去除晶圓微粒，或是晶圓未乾燥導致水痕殘留等情況。因此，當晶圓在經歷批次浸泡蝕刻或清洗槽體製程後，能利用單晶圓處理裝置之優勢，進行後續處理，例如以去離子水噴灑清洗晶圓表面、高速旋轉乾燥晶圓等。因此，對於使用快速降液浸洗(Quick Dump Rinse ,QDR)槽體與使用IPA槽體乾燥，無法達到有效清洗與乾燥複雜結構晶圓之問題得以解決。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本創作之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

10:晶圓濕式處理與清洗系統 101:第一翻轉裝置 1011:基座 1012:支撐架 1013:翻轉架 1014:翻轉動力單元 1015:限位構件 1016:限位動力單元 1017:驅動元件 102:傳送裝置 1021:承載機構 1022:平移機構 1023:升降機構 103:濕處理槽 104:第二翻轉裝置 105:保濕裝置 106:單晶圓處理裝置 1061:旋轉台 1062:液體供應裝置 1063:轉軸 107:第一水平傳送裝置 1071:第一伸縮臂 1072:第一承接部 108:第二水平傳送裝置 1081:第二伸縮臂 1082:第二承接部 109:晶圓出入貨區 110:乾燥槽 111:排水裝置 20:載晶卡匣 201:載晶匣槽 30:晶圓 40:3D-IC晶圓 41:表面結構 42:殘留物

圖1為習知技術中3D-IC晶圓之清洗後示意圖。

圖2為根據本創作之實施例之晶圓濕式處理與清洗系統之示意圖。

圖3為根據本創作之實施例之水平傳送裝置之示意圖。

圖4A為根據本創作之實施例之翻轉裝置之第一示意圖。

圖4B為根據本創作之實施例之翻轉裝置之第二示意圖。

圖5為根據本創作之實施例之傳送裝置之示意圖。

圖6為根據本創作之實施例之晶圓濕式處理與清洗系統之實施示意圖。

圖7為根據本創作之實施例之翻轉裝置之第二示意圖。

圖8為根據本創作之實施例之單晶圓處理裝置之示意圖。

10:晶圓濕式處理與清洗系統

101:第一翻轉裝置

102:傳送裝置

103:濕處理槽

104:第二翻轉裝置

106:單晶圓處理裝置

107:第一水平傳送裝置

108:第二水平傳送裝置

109:晶圓出入貨區

Claims (10)

1. 一種晶圓濕式處理與清洗系統，包含： 一第一翻轉裝置，用以將一載晶卡匣沿一第一方向翻轉90度； 一傳送裝置，用以接收並移動該載晶卡匣； 複數個濕處理槽，複數個製程液體分別被設置於該複數個濕處理槽中，該傳送裝置將該載晶卡匣所承載之至少一晶圓依序浸泡於該複數個濕處理槽中； 一第二翻轉裝置，其中該傳送裝置可選擇性地將該載晶卡匣移動至該第二翻轉裝置，該第二翻轉裝置沿與該第一方向相反之一第二方向將該載晶卡匣翻轉90度； 一保濕裝置，設置於該第二翻轉裝置上，用以對該第二翻轉裝置提供一保濕液體；以及 至少一單晶圓處理裝置，其中由該第二翻轉裝置翻轉後之該載晶卡匣中之該晶圓放置在該單晶圓處理裝置。
2. 如請求項1所述之晶圓濕式處理與清洗系統，其中該傳送裝置包含： 一承載機構，用以接收並承載該載晶卡匣； 一平移機構，與該承載機構相連接，用以驅動該承載機構於一水平方向移動；以及 一升降機構，與該平移機構相連接，用以驅動該承載機構於一垂直方向移動。
3. 如請求項1所述之晶圓濕式處理與清洗系統，更包含一第一水平傳送裝置，該第一水平傳送裝置自該晶圓濕式處理及清洗系統之一晶圓出入貨區拿取呈一水平狀態之該晶圓至該載晶卡匣。
4. 如請求項3所述之晶圓濕式處理與清洗系統，更包含一第二水平傳送裝置，在該第二翻轉裝置沿該第二方向將該載晶卡匣翻轉90度後，該第二水平傳送裝置自該載晶卡匣拿取呈該水平狀態之該晶圓至該單晶圓處理裝置。
5. 如請求項1所述之晶圓濕式處理與清洗系統，其中該單晶圓處理裝置包含： 一旋轉台，用於放置該晶圓；以及 一液體供應裝置，設置在該旋轉台上方，用於對該晶圓施加至少一處理液體。
6. 如請求項5所述之晶圓濕式處理與清洗系統，其中該處理液體包含去離子水或蝕刻液。
7. 如請求項1所述之晶圓濕式處理與清洗系統，其中該複數個製程液體包含蝕刻液、乾燥劑、去離子水中的一種或多種。
8. 如請求項7所述之晶圓濕式處理與清洗系統，其中不同的各該複數個製程液體分別被設置於不同的各該複數個濕處理槽中。
9. 如請求項1所述之晶圓濕式處理與清洗系統，更包含至少一乾燥槽，該載晶卡匣可選擇性地由該傳送裝置傳送至該乾燥槽。
10. 一種晶圓濕式處理與清洗系統，包含： 一第一翻轉裝置，用以將一載晶卡匣沿一第一方向翻轉90度； 一傳送裝置，用以接收並移動該載晶卡匣； 複數個濕處理槽，複數個製程液體分別被設置於該複數個濕處理槽中，該傳送裝置將該載晶卡匣所承載之至少一晶圓依序浸泡於該複數個濕處理槽中； 一第二翻轉裝置，其中該傳送裝置可選擇性地將該載晶卡匣移動至該第二翻轉裝置，該第二翻轉裝置沿與該第一方向相反之一第二方向將該載晶卡匣翻轉90度；以及 至少一單晶圓處理裝置，其中由該第二翻轉裝置翻轉後之該載晶卡匣中之該晶圓放置在該單晶圓處理裝置。