TWM479522U - 發光二極體封裝及照明裝置 - Google Patents

發光二極體封裝及照明裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWM479522U
TWM479522U TW103201709U TW103201709U TWM479522U TW M479522 U TWM479522 U TW M479522U TW 103201709 U TW103201709 U TW 103201709U TW 103201709 U TW103201709 U TW 103201709U TW M479522 U TWM479522 U TW M479522U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting diode
electrode
light emitting
power supply
Prior art date
Application number
TW103201709U
Other languages
English (en)
Inventor
Kuan-Yu Chen
Tzu-Pin Lin
Original Assignee
Chunghwa Picture Tubes Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chunghwa Picture Tubes Ltd filed Critical Chunghwa Picture Tubes Ltd
Priority to TW103201709U priority Critical patent/TWM479522U/zh
Priority to US14/205,308 priority patent/US20150214441A1/en
Publication of TWM479522U publication Critical patent/TWM479522U/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Description

發光二極體封裝及照明裝置
本新型創作是有關於一種光電元件，且特別是有關於一種發光二極體封裝及照明裝置。
發光二極體晶片的工作原理如下：藉由對發光二極體晶片施加電流，鄰近於發光二極體晶片的第一型半導體層與第二型半導體層交界處的電子電洞會復合，進而使發光二極體晶片發出光束。有別於傳統的加熱或放電等發光方式，由於發光二極體晶片的發光現象是屬於冷性發光，因此發光二極體晶片具有使用壽命長的優點。此外，發光二極體晶片更具有反應速度快、體積小、省電、低污染等優點，因此發光二極體晶片已廣泛地被應用在各種領域中。
為了進一步地提升發光二極體晶片的使用壽命及信賴性，發光二極體晶片完成後多會再進行一封裝製程，以構成發光二極體封裝。圖1為習知的發光二極體封裝的示意圖。請參照圖 1，一般而言，完成後的發光二極體晶片10會固定於一杯狀物20中，即俗稱的固晶製程。然後，再將發光二極體晶片10的二電極12分別與二導電接腳30電性連接。之後，再將具有螢光粉的封裝材料40填入杯狀物20，以覆蓋發光二極體晶片10，於此便完成了發光二極體封裝50。然而，由於導電接腳30及杯狀物20多為不透光材質，因此從發光二極體晶片10的第一型半導體層14與第二型半導體層16交界處15發出的部分光束L會被導電接腳30及杯狀物20阻擋，從而降低了發光二極體封裝50的光提取效率。
本新型創作提供一種發光二極體封裝，其光提取效率高。
本新型創作提供一種照明裝置，其光提取效率高。
本新型創作的發光二極體封裝，包括透光基板、至少一發光二極體晶片、第一封裝層以及第二封裝層。透光基板具有第一表面以及相對於第一表面的第二表面。發光二極體晶片配置於透光基板的第一表面上。第一封裝層配置於透光基板的第一表面上且覆蓋發光二極體晶片。第二封裝層配置於透光基板的第二表面上且在垂直於透光基板的方向上與發光二極體晶片重疊。發光二極體晶片用以發出一光束。部分的光束經過透光基板以及第二封裝層而離開發光二極體封裝。
本新型創作的照明裝置，包括燈罩、與燈罩圍出一容置空間的燈頭以及上述的發光二極體封裝。發光二極體封裝配置於 容置空間中。
在本新型創作的一實施例中，上述的透光基板為玻璃基板。
在本新型創作的一實施例中，上述的每一發光二極體晶片包括第一半導體層、與第一半導體層連接的第二半導體層、配置於第一半導體層上的第一電極以及配置於第二半導體層上且與第一電極分離的第二電極。
在本新型創作的一實施例中，上述的至少一發光二極體晶片為多個發光二極體晶片。透光基板更具有第一供電電極以及與第一供電電極分離的第二供電電極。發光二極體晶片由第一供電電極向第二供電電極排成至少一發光二極體晶片列。發光二極體封裝更包括多條導線。發光二極體晶片列中除了最靠近第一供電電極的一個發光二極體晶片以外，部份的多個發光二極體晶片的每一個發光二極體晶片的第二電極透過一條導線與相鄰的一個發光二極體晶片的第一電極電性連接。最靠近第一供電電極的一個發光二極體晶片的第一電極透過一條導線與第一供電電極電性連接。而最靠近第二供電電極的一個發光二極體晶片的第二電極透過一條導線與第二供電電極電性連接。簡言之，同一發光二極體晶片列的多個發光二極體晶片彼此串聯。
在本新型創作的一實施例中，上述的發光二極體晶片排成多個發光二極體晶片列。這些發光二極體晶片列彼此並聯。
在本新型創作的一實施例中，上述的每一發光二極體晶 片具有面向透光基板的底面、相對於底面的頂面以及連接底面與頂面的側面。發光二極體晶片彼此相隔開。
在本新型創作的一實施例中，上述的第一封裝層包括第一封裝材料以及混入第一封裝材料的第一螢光粉，而第二封裝層包括第二封裝材料以及混入第二封裝材料的第二螢光粉。
在本新型創作的一實施例中，部分上述的光束經過第二封裝層的第二螢光粉後轉換為與光束顏色不同的第二色光，而另一部分的光束經過第一封裝層的第一螢光粉後轉換為與光束顏色不同的第一色光。
在本新型創作的一實施例中，上述的第一色光以及第二色光皆為白光。
基於上述，在本新型創作一實施例的發光二極體封裝及照明裝置中，是利用透光基板來封裝發光二極體晶片，因此除了從發光二極體晶片的頂面、側面發出的光束可傳遞至發光二極體封裝外，從發光二極體晶片的底面發出的光束亦可穿過透光基板，進而為使用者所運用。如此一來，發光二極體封裝以及照明裝置的光提取效率便可提高。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧發光二極體晶片
12‧‧‧電極
14‧‧‧第一型半導體層
15‧‧‧交界處
16‧‧‧第二型半導體層
20‧‧‧杯狀物
30‧‧‧導電接腳
40‧‧‧封裝材料
50‧‧‧發光二極體封裝
100‧‧‧發光二極體封裝
110‧‧‧透光基板
110a‧‧‧第一表面
110b‧‧‧第二表面
112‧‧‧第一供電電極
114‧‧‧第二供電電極
120‧‧‧發光二極體晶片
120a‧‧‧底面
120b‧‧‧頂面
120c‧‧‧側面
122‧‧‧第一半導體層
124‧‧‧第二半導體層
126‧‧‧第一電極
128‧‧‧第二電極
130‧‧‧第一封裝層
132‧‧‧第一封裝材料
134‧‧‧第一螢光粉
140‧‧‧第二封裝層
142‧‧‧第二封裝材料
144‧‧‧第二螢光粉
150‧‧‧透光膠
160‧‧‧導線
200‧‧‧燈罩
300‧‧‧燈頭
1000‧‧‧照明裝置
A-A’‧‧‧剖線
L、L1、L2‧‧‧光束
R‧‧‧發光二極體晶片列
R1、R2‧‧‧區域
X‧‧‧容置空間
z‧‧‧方向
圖1為習知的發光二極體封裝的示意圖。
圖2A為本創作一實施例之發光二極體封裝的上視示意圖。
圖2B為沿圖2A的剖線A-A’繪示的發光二極體封裝的剖面示意圖。
圖3為本創作一實施例之照明裝置的示意圖。
圖2A為本創作一實施例之發光二極體封裝的上視示意圖。圖2B為沿圖2A的剖線A-A’繪示的發光二極體封裝的剖面示意圖。請參照圖2A及圖2B，發光二極體封裝100包括透光基板110、至少一發光二極體晶片120、第一封裝層130以及第二封裝層140。透光基板110具有相對的第一表面110a以及第二表面110b。在本實施例中，第一表面110a以及第二表面110b可為互相平行的二平面。然而，本創作不限於此，在其他實施例中，第一表面110a以及第二表面110b亦可為凸面、凹面、平面或其組合。透光基板110的材質以選用具有高透光率的材質為佳，例如玻璃，但本創作不限於此，在其他實施例中，透光基板110亦可選用其他適當透光材料。
至少一發光二極體晶片120配置於透光基板110的第一表面110a上。在本實施例中，至少一發光二極體晶片120可利用一透光膠150固著於透光基板110的第一表面110a上。然而，本創作不限於此，在其他實施例中，發光二極體晶片120亦可利用 其他適當方式固定在透光基板110的第一表面110a上。在本實施例中，至少一發光二極體晶片120可以是多個發光二極體晶片120，這些發光二極體晶片120可陣列排列於透光基板110上。然而，本創作不限於此，發光二極體晶片120的使用數量及排列方式均可視實際的需求做適當的設計。
如圖2B所示，在本實施例中，每一發光二極體晶片120包括第一半導體層122(例如n型半導體層)、與第一半導體層122連接的第二半導體層124(例如p型半導體層)、配置於第一半導體層122上的第一電極126以及配置於第二半導體層124上且與第一電極126分離的第二電極128。更進一步地說，第二半導體層124位第一半導體層122與透明基板110之間。第二半導體層124具有被第一半導體層122暴露出的區域R2。第二電極128可配置於區域R2上。第一半導體層122具有與第二半導體層124重疊的區域R1。第一電極126可配置於區域R1上。每一發光二極體晶片120具有面向透光基板110的底面120a、相對於底面120a的頂面120b以及連接底面120a與頂面120b的側面120c。在本實施例中，第一電極126以及第二電極128可配置在頂面120b上。然而，需說明的是，本創作的發光二極體晶片的型式並不限於本段所述及圖2A、圖2B所繪，在其他實施例中，發光二極體晶片亦可為其他適當型式。
請繼續參照圖2A及圖2B，在本實施例中，透光基板110更具有第一供電電極112以及與第一供電電極112分離的第二供 電電極114。每一發光二極體晶片120的第一電極126以及第二電極128分別與透光基板110的第一供電電極112以及第二供電電極114電性連接。詳言之，發光二極體封裝100可選擇性包括多條導線160。多條導線160電性連接每一發光二極體晶片120的第一電極126與第一供電電極112以及每一發光二極體晶片120的第二電極128與第二供電電極114。在本實施例中，發光二極體晶片120可利用打線(wire bonding)的方式與第一供電電極112以及第二供電電極114電性連接。然而，本創作不限於此，在他實施例中，發光二極體晶片120亦可利用覆晶(flip chip)或其他適當的方式與第一供電電極112以及第二供電電極114電性連接。
在本實施例中，如圖2A所示，多個發光二極體晶片120由第一供電電極112向第二供電電極114排成多個發光二極體晶片列R。發光二極體封裝100更包括多條導線160。如圖2B所示，每一發光二極體晶片列R中除了最靠近第一供電電極112的一個發光二極體晶片120以外，部分的發光二極體晶片120的每一個發光二極體晶片120的第二電極128透過一條導線160與相鄰的一個發光二極體晶片120的第一電極126電性連接。最靠近第一供電電極112的一個發光二極體晶片120的第一電極126透過一條導線160與第一供電電極112電性連接。而最靠近第二供電電極114的一個發光二極體晶片120的第二電極128透過一條導線160與第二供電電極114電性連接。簡言之，每一發光二極體晶片列R的多個發光二極體晶片120是彼此串聯。此外，如圖2A所示， 多個發光二極體晶片列R是彼此並聯的。然而，本創作不限於此，在其他實施例中，多個發光二極體晶片120亦可其他適當的方式電性連接。
第一封裝層130配置於透光基板110的第一表面110a上且覆蓋發光二極體晶片120。更進一步地說，在本實施例中，第一封裝層130可全面性覆蓋透光基板110的第一表面110a上且覆蓋每一發光二極體晶片120的頂面120b與側面120c以及導線160。第一封裝層130包括第一封裝材料132以及混入第一封裝材料132的第一螢光粉134。在本實施例中，第一螢光粉134例如為黃磷，但本創作不以此為限。
當第一供電電極112以及第二供電電極114供應一電流至每一發光二極體晶片120的第一電極126以及第二電極128時，每一發光二極體晶片120可發出光束L。在本實施例中，光束L未經過第一封裝層130或第二封裝層140之前，例如為藍光。部分的光束L1經過第一封裝層130的第一螢光粉134後可轉換為與光束L顏色不同的第一色光，例如白光。
第二封裝層140配置於透光基板110的第二表面110b上且在垂直於透光基板110的方向z上與發光二極體晶片120重疊。更進一步地說，第二封裝層140可全面性覆蓋透光基板110的第二表面110b，而透光基板110的第二表面110b被第二封裝層140覆蓋處可完全地覆蓋每一發光二極體晶片120的底面120a。在本實施例中，第二封裝層140包括第二封裝材料142以及混入第二 封裝材料142的第二螢光粉144。在本實施例中，第二螢光粉144例如為黃磷，但本創作不以此為限。
當第一供電電極112以及第二供電電極114供應一電流至每一發光二極體晶片120的第一電極126以及第二電極128時，每一發光二極體晶片120可發出光束L。在本實施例中，光束L未經過第一封裝層130或第二封裝層140之前，例如為藍光。部分的光束L2經過第二封裝層140的第二螢光粉144後可轉換為與光束L顏色不同的第二色光，例如白光。
需說明的是，上述之光束L未經過第一封裝層130或第二封裝層140之前的顏色、第一螢光粉134的用料、第二螢光粉144的用料是用以舉例說明本創作，而非用以限制本創作。光束L未經過第一封裝層130或第二封裝層140之前的顏色、第一螢光粉134的用料、第二螢光粉144的用料皆可視發光二極體封裝100最終所欲呈現的發光形態而定。更進一步地說，在其他實施例中，若發光二極體封裝最終欲呈現多種色光，則第一螢光粉134、第二螢光粉144亦可選用不同的用料。
值得一提的是，當利用透光基板110來封裝發光二極體晶片120時，除了從發光二極體晶片120的頂面120b、側面120c發出的光束L可傳遞至發光二極體封裝100外，從發光二極體晶片120的底面120a發出的光束L亦可經過透光基板110以及第二封裝層140而傳遞至發光二極體封裝100外，進而為使用者所運用。換言之，利用透光基板110封裝發光二極體晶片120可提升 發光二極體封裝100的光提取效率。
另一提的是，本實施例的發光二極體封裝100可選用價格低廉的多個發光二極體晶片120做為發光源。多個發光二極體晶片120彼此相隔開，且任一個發光二極體晶片120暴露出其餘的每一個發光二極體晶片120的底面120a、頂面120b及側面120c。因此，發光源的總發光面積可極大化，是以成本低廉且具有高亮度的發光二極體封裝100可實現。
圖3為本創作一實施例之照明裝置的示意圖。請參照圖3，照明裝置1000包括燈罩200、燈頭300以及發光二極體封裝100。燈罩200與燈頭300圍出容置空間X。發光二極體封裝100配置於容置空間X中。由於從發光二極體晶片120的頂面120b、側面120c以及底面120a所發出的光束L皆可傳遞至發光二極體封裝100外，因此採用發光二極體封裝100的照明裝置1000可實現一向四面八方發光的光源。
綜上所述，在本新型創作一實施例的發光二極體封裝及照明裝置中，是利用透光基板來封裝發光二極體晶片，因此除了從發光二極體晶片的頂面、側面發出的光束可傳遞至發光二極體封裝外，從發光二極體晶片的底面發出的光束亦可穿過透光基板而為使用者所運用。如此一來，發光二極體封裝以及照明裝置的光提取效率便可提高。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧發光二極體封裝
110‧‧‧透光基板
110a‧‧‧第一表面
110b‧‧‧第二表面
112‧‧‧第一供電電極
114‧‧‧第二供電電極
120‧‧‧發光二極體晶片
120a‧‧‧底面
120b‧‧‧頂面
120c‧‧‧側面
122‧‧‧第一半導體層
124‧‧‧第二半導體層
126‧‧‧第一電極
128‧‧‧第二電極
130‧‧‧第一封裝層
132‧‧‧第一封裝材料
134‧‧‧第一螢光粉
140‧‧‧第二封裝層
142‧‧‧第二封裝材料
144‧‧‧第二螢光粉
150‧‧‧透光膠
160‧‧‧導線
A-A’‧‧‧剖線
L、L1、L2‧‧‧光束
R1、R2‧‧‧區域
z‧‧‧方向

Claims (10)

  1. 一種發光二極體封裝，包括：一透光基板，具有相對的一第一表面以及一第二表面；至少一發光二極體晶片，配置於該透光基板的該第一表面上；一第一封裝層，配置於該透光基板的該第一表面上且覆蓋該發光二極體晶片；以及一第二封裝層，配置於該透光基板的該第二表面上且在垂直於該透光基板的一方向上與該發光二極體晶片重疊，該發光二極體晶片用以發出一光束，部分的該光束經過該透光基板以及該第二封裝層而離開該發光二極體封裝。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝，其中該透光基板為一玻璃基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝，其中該至少一發光二極體晶片為多個發光二極體晶片，每一該發光二極體晶片包括一第一半導體層、與該第一半導體層連接的一第二半導體層、配置於該第一半導體層上的一第一電極以及配置於該第二半導體層上且與該第一電極分離的一第二電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體封裝，其中該透光基板更設有一第一供電電極以及與該第一供電電極分離的一第二供電電極，該些發光二極體晶片由該第一供電電極向該第二供電電極排成至少一發光二極體晶片列，該發光二極體封裝更包括多條導線，該發光二極體晶片列中除了最靠近該第一供電電極的 一該發光二極體晶片以外，部分的該些發光二極體晶片的每一該發光二極體晶片的該第二電極透過該導線與相鄰的該發光二極體晶片的該第一電極電性連接，而最靠近該第一供電電極的該發光二極體晶片的該第一電極透過另一該導線與該第一供電電極電性連接，且最靠近該第二供電電極的該發光二極體晶片的該第二電極透過又一該導線與該第二供電電極電性連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體封裝，其中該些發光二極體晶片排成多個發光二極體晶片列，而該些發光二極體晶片列彼此並聯。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝，其中該至少一發光二極體晶片為多個發光二極體晶片，每一該發光二極體晶片具有面向該透光基板的一底面、相對於該底面的一頂面以及連接該底面與該頂面的一側面，該些發光二極體晶片彼此相隔開。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝，其中該第一封裝層包括一第一封裝材料以及混入該第一封裝材料的一第一螢光粉，而該第二封裝層包括一第二封裝材料以及混入該第二封裝材料的一第二螢光粉。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體封裝，其中部分的該光束經過該第二封裝層的該第二螢光粉後轉換為與該光束顏色不同的一第二色光，而另一部分的該光束經過該第一封裝層的該第一螢光粉後轉換為與該光束顏色不同的一第一色光。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體封裝，其中該第 一色光以及該第二色光皆為白光。
  10. 一種照明裝置，包括：一燈罩；一燈頭，該燈罩與該燈頭圍出一容置空間；以及如申請專利範圍第1項所述的該發光二極體封裝，配置於該容置空間中。
TW103201709U 2014-01-27 2014-01-27 發光二極體封裝及照明裝置 TWM479522U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103201709U TWM479522U (zh) 2014-01-27 2014-01-27 發光二極體封裝及照明裝置
US14/205,308 US20150214441A1 (en) 2014-01-27 2014-03-11 Light emitting diode package and illuminating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103201709U TWM479522U (zh) 2014-01-27 2014-01-27 發光二極體封裝及照明裝置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM479522U true TWM479522U (zh) 2014-06-01

Family

ID=51394841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103201709U TWM479522U (zh) 2014-01-27 2014-01-27 發光二極體封裝及照明裝置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20150214441A1 (zh)
TW (1) TWM479522U (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102275576B1 (ko) * 2017-08-08 2021-07-12 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
CN113503469A (zh) * 2021-07-14 2021-10-15 深圳市定千亿电子有限公司 一种新型led芯片封装技术光源

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
JP5345363B2 (ja) * 2008-06-24 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置
US8905610B2 (en) * 2009-01-26 2014-12-09 Flex Lighting Ii, Llc Light emitting device comprising a lightguide film
JP2011134474A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Sharp Corp 面発光装置
KR101843501B1 (ko) * 2011-03-30 2018-03-29 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2013110273A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Sharp Corp 半導体発光装置
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150214441A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7015278B2 (ja) 発光ダイオードモジュール及びその製造方法
TWI642874B (zh) 發光二極體組件以及相關之照明裝置
US10508778B2 (en) Light-emitting device
US8921873B2 (en) Light-emitting device
TWI542039B (zh) 發光二極體封裝以及承載板
JP6406069B2 (ja) 発光装置の選別方法及び照明装置の製造方法並びに照明装置
EP3745476B1 (en) Light emitting device
JP6080053B2 (ja) 発光モジュール
KR20140005389U (ko) 2칩 발광 다이오드
CN104976547A (zh) 发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡
TWI482318B (zh) 發光二極體及其封裝結構
TWI472011B (zh) 發光二極體封裝結構
JP2015022859A (ja) 照明装置
JP2015035532A (ja) Ｌｅｄ集合プレート及びこれを用いた発光装置
KR20130046175A (ko) 멀티칩형 엘이디 패키지
TWM479522U (zh) 發光二極體封裝及照明裝置
JP6537410B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN204011469U (zh) 发光二极管封装及照明装置
JP5417556B1 (ja) 電球形ランプ及び照明装置
TWM496847U (zh) 發光模組
TWI713236B (zh) 發光二極體組件及製作方法
TWI495165B (zh) 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構
TW201320301A (zh) 混光式多晶封裝結構及使用混光式多晶封裝結構的燈泡
KR20160056183A (ko) 칩 온 보드형 발광 장치
TWM496849U (zh) 發光二極體封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
MM4K Annulment or lapse of a utility model due to non-payment of fees