M363678 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作是有關於一種托 封裝體的托盤。 寺別是有關於一種承載晶片 【先前技術】 一般用以承載晶片封萝驊 料作為托盤的材質，以避免带皿」多半以抗靜電的複合材 常見的托盤只能用以$電錢而損壞晶#封裝體。 封襄體的尺寸規格有戶 尺寸規格的晶片封裝體。當晶片 有尺寸固定的凹槽，呈方須重新設計。傳統的托盤具 底面直接承载晶片封I體^ edl)排列。純盤以凹槽的 凹槽的底面接觸而、皮占护备/面（bal1 Slde)時，銲球面與 免與晶片封裝體的Ϊ球°因此’傳統的乾盤為了避 的承靠面的凹样，以改盖f觸、計了一種可承靠晶片封裝艘 成損傷或㈣。日t上述畴球面與凹槽的底面接觸所造 的托ίί考^ 1A及圖1B，其分別為習知—種承載晶片封褒體 102用?Γ:圖及凹槽區域的剖面示意圖。托盤100的凹槽 sr署二:载曰晶片封裝體110。晶片封裝體110的承靠面110a 緣夕固銲球’而最外侧的鲜球JΜ相對於基板外側周 1八，目1^ —適當寬度h1，以使晶片封裝體110的承靠面U〇a 另1承f在凹槽102的至少二水平壁面上，然而採用上述的 承罪面U〇a必須事先預留足夠的間距，因而佔用了銲 球114的配晋办p弓 .. 二夏二間。此外，當凹槽102的二水平壁面的寬度 f大於承#面U〇a的寬度hl時，晶片封裝體11〇在運送過 '、易在凹槽1 〇2内產生側向位移，或配置的過程中定位不 M363678 良產生偏移，造成最外側的銲球114與水平壁面或垂直側壁相 碰觸。上述的缺點需進—步的改善，以尋找出最佳化的解決方 案。 【新型内容】 本創作提供一種承載晶片封裝體的托盤，避免晶片封裝體 ‘產生側向位移及定位不良，進而避免最外側的銲球與側壁碰觸 -而損傷。 本創作提出一種托盤，適於承載多個晶片封裝體，此托盤 包括一盤體以及多個位於盤體的開口部，這些開口部分別具有 一容納空間，用以容納這些晶片封裝體，且這些開口部的至少 二相對側壁限制這些晶片封裝體於各容納空間中的側向位 移，其中上述至少二相對側壁分別包括一上部壁面、一下部卷 面以及由上部壁面延伸至下部壁面的一收斂壁，而上述晶片圭 裝體的外侧周緣與上部壁面相隔—水平間距 的，二外側邊分別承靠於各收傲壁上，且上述;; 承罪面與收斂壁相夾一收斂角。 在本創作之—實施例中，上述的上部壁面、收斂壁以及1 #壁面為一曲面，且收斂壁的曲率大於上部玄 部壁面的曲率。 ㈣半請上。卩壁_曲率以幻 線盘Γ例中，上述的收敛角為收敛壁上的-線與上述日日片封裝體的承靠面相交處的-夹角Θ 在本紹k-實補巾，上述的晶 有多個銲球，而最外側鮮球的中心位=體的承罪耐
水平寬度a，財平寬度a私 、相周緣相R 乘上央角Θ的正切值大於或等二 M363678 (a-r ) tan 0 2 b。 在本創作之-實施例中，上述的收傲壁為一斜面 角的正切值為該斜面的斜率。 在本創作之-實施例巾，上述至少二收缝的下 的間距為W ’而上述晶片封裝體的外側周緣具有声、H， 且上述晶片封裝體的承靠面配置有多個鮮球，最鲜
於該外側周緣相隔—第一水平寬度ai，其中〜小二= 大於 Wl-2ai。 ^ W 在本創作之-實施财，上述晶片封裝體的承靠面配 夕個鮮球，而最外側銲球相對於外侧周緣相隔一第—水 h ’且收斂壁的上死點與下死點之間具有 &， 其中a】大於a2。 κ十見度a2 多個ΪΠΪ；—彳實闕^以“賴翻承靠面配置有 夕们知球*最外側_相對於外側周緣相隔—第 收斂㈣，點與下死點之間具有—第二水平寬度&， 上收斂角θ的正切值大於或等於鲜球 亘同度t>，表不為aitan6> 。 梯面=創5之—實施例中，上述的收斂壁為-階梯面，且階 梯面具有mum — 相連接，而第二_下死點與下部壁面相連接。…F土面 在本創作之-實施例中，上述的第—面為—斜面或垂直 :平面為—水平面’且上述晶片封裝體的承靠面承靠於 之間實施例中’上述至少二相對第—面的下死點 上、f曰H 辨，而上述晶片封裝體位於各容納空間中時， 上述日日片封衣體的外側周緣的寬度約略小於W2。 M363678 上述曰Ϊ片本例中’上述的水平面具有—寬度cU， 心位置相對於外側周有多：銲球’而最外側銲球的中 銲球的半徑r、及兮^目^水平見度a’且水平寬度a減去 收敛角Θ的正H平面的寬度&所得到的數值㈣D乘上 等於鮮球的垂直高度b，表示為 y dn6^b，且 a_r>d卜 ’第一 =另—實施例中’上述的階梯面還具有連接於該 ，上述^ 録面，該水平面具有—寬度 的中:位置相對置rt >d]o U直间度b，表不為（a-OtanUb，且a_r 在本創作之一實施例t，盤體具有一上表面， imr還具有—向上延伸面，向上延伸面傾斜地連接^ 二：。=’盤體具有一下表面，且下表面與下部壁面之間 ，向下延伸面傾斜地連接至下表面。 體，作制最錄料触财承載晶片封裝 二的:二^ 咖，下文特舉實 【實施方式】 θ 目2C刀別為本創作—實施例的把盤的俯視示意 M363678 圖，而圖3為本創作第一實施例的托盤沿著〗_[線的剖面示意 圖。 請參考圖2A〜圖2C ’本實施例的托盤的盤體2〇〇具有三 種態樣的開口部202a〜202c (僅紛示其一），分別由盤體2〇〇 的上表面200a貫穿延伸至盤體200的下表面2〇〇b。這三種態 樣的開口部202a〜202c的上邊緣P1圍成較大尺寸的空間，而 開口部202a~202c的側壁swl〜sw4由上邊緣pi朝下邊緣p2 向内延伸，以形成較小尺寸的一容納空間（凹槽）c，以使晶 片封裝體210 (見圖3)能由上而下放置於此容納空間（凹槽） C中，並且晶片封裝體210能夠承載於開口部的至少二相對侧 壁swl〜sw4 (本實施例繪示四個壁面）上，以限制晶片封裝 體210於容納空間C中的側向位移，如圖3所示。在本實施例 中’晶片封裝體210例如是球腳格狀陣列（Ball Gdd Army， BGA)封裝之晶片封裝體。 在圖2A中’開口部202a的側壁是由四個連續的壁面swi 〜sw4所圍成的，以使晶片封裝體21〇的四個外侧邊分別承靠 在四個連續的壁面swl〜SW4上。在圖2B中，開口部202b的 側壁是由四個獨立的壁面SW1〜sw4所組成的，以使晶片封裝 體210的四個外側邊分別承靠在四個獨立的壁面swl〜sw4 上。在圖2C中，開口部202c的側壁是由四個獨立角形的壁面 swl〜sw4所組成的，以使晶片封裝體21〇的四個角落分別承 罪在四個獨立角形的壁面swl〜sw4上。然而，由圖3可知， 在同一方向的I-Ι剖面上，晶片封裝體21〇只要能夠承靠在至 少二相對側壁上即可，不限定其開口部的態樣。 以下介紹上述其中一種態樣的開口部的二相對側壁的細 部構造，共有四種具體的實施方式，但並非用以限制本創作。 M363678 請先參考圖3的剖面示意圖，由盤體200的上表面2〇0&往下 表面200b延伸的剖面圖中，開口部的二相對側壁2〇〇c分別具 有上部壁面R1、收斂壁R2以及下部壁面R3。值得注意的是'， 上部壁面R1、收斂壁R2以及下部壁面R3例如為連續曲率變 化的曲面（亦可為不連續曲率），以曲率的大小來論，、收敛壁 R2的中心處可為曲率最大的壁面，也就是晶片封裝體21〇承 -靠所在處，而上部壁面R1的曲率以及下部壁面R3的曲率分 .別小於收斂壁R2的中心處的曲率，如此，曲面漸漸由中心處 φ 向上、下兩側擴張，以使晶片封裝體210的外侧周緣212與上 部壁面R1相隔一水平間距d(例如沿著上部壁面R1向上漸增 或為固定值），而晶片封裝體210的承靠面21〇a的至少二夕曰卜 側邊s分別承靠於收斂壁R2上，且晶片封裝體21〇的承靠面 210a與收斂壁;R2相夾一收斂角θ。 承上所述，當收斂壁R2為曲面時，收斂壁R2上任一點 的切線（tangent)斜率會隨著曲率的變化而改變，以本實施例 而二，在收斂壁R2的中心處上的切線τ與晶片封裝體21〇的 承罪面210a相交處的夾角0定義為收斂角。值得注竜的是， # 纽斂^符合下列的公式⑴，可避免最外側的鋅球Vl4 (配 置於承靠面21〇a)與下部壁面R3接觸而損傷，公式(1)為： (a-r) tan0 其中’a為最外側銲球214的中心位置相對於外側周緣2i2 相的水平寬度’ r為鐸球214的半徑，而b為銲球214的垂 直高度，tan6>為夾角的正切值。 在公式(1)中，當水平寬度a減去銲球214的半徑r所得到 的數乘上夾角θ的正切值大於或等於鲜球214的垂直高 度b時’即可避免晶片封裝體21〇的縣214在容納空間c M363678 中被直接碰觸而損壞。 接著’在圖3之-較佳實施例中，盤體2〇〇的上表面細& 與上部壁面R1之間還射—向上延伸面R4，向上延伸面似 傾斜地連接至上表面2_，可使開口部更寬廣，更容易放置 晶片封裝體210。此外，盤體的下表面懸與下部壁面 R3之間退具有一向下延伸面R5，向下延伸面傾斜地連接 至下表面鳩，並增加銲球214下方㈣間，可 以4碰撞到下表面2〇〇b的風險。 战少知球 本領域具有通常知識者可理解，上述的向上延伸面則鱼 面R5不限定配置於圖3的實施例中，_度地配 置於本巧作的其他實施财，故不再於其他實施例中費述。 —立接著’ ^ 4為本創作第二實施觸減沿著H線的剖面 不思圖。請蒼考圖4，開口部的二相對側壁2_分 ，壁面U、收斂壁L2以及下部壁面u。值得注意的是，收 斂壁L2例如為向下傾斜的斜面，此斜面的上死點與上部壁面 例如疋垂直壁面）相連接，而下死點與下部壁面U (例 壁面）相連接，而當晶片封裝體21G的至少二外側邊 =承罪於各收斂壁L2的中心處時，晶片封賴_的外側 與上部壁面L1相隔—水平間距d，晶片封裝體21〇 的承罪面210a與收斂壁L2相夹一收斂角0，例如是3〇度〜 =度’故可避免晶片封裝體21〇產生側向位移。由圖4可:口， 收斂角0的正切值為收斂壁L2 (斜面）的斜率。 有關收斂角的計算方式，請參考公式⑴：（a_〇tanUb， 但'不以ith卷Ρϋ。 周緣 在公式(1)中，a為最外側銲球214的中心位置相對於外側 212相隔的水平寬度，r為銲球214的半徑，而b為婷球 M363678 214的垂直高度。 為了使斜面能確實承載晶片封裝體210’圖4的開口部的 尺寸可配合晶片封裝體210的尺寸做最佳化設計。首先，定義 w為至少二收斂.L2的下死點之間的間距，而d為水平間距， ai為最外側銲球214相對於外側周緣212相隔的水平寬度，且 知為收斂壁L2的上死點與下死點之間相隔的水平寬度，其中 〜大於处。接著，定義晶片封裝體210的外側周緣212具有一 -寬度wi ’其中w小於W1，且w大於W1_2ai，以避免晶 封褒體210位於容納空間C中時，無法完全地承靠在斜面上。 在另-實施例t，當ai小於％時，&乘上μ θ的正切值大 於或等於銲球214的垂直高度b，表示為altanGb，也可避 免在放置過程中晶片封裳體210沿收敛壁L2滑動時，下部辟 面u與最外側的銲球214相碰觸。 下4 土 面亍=，’ LIB為ί創作第三實施例的著W線的剖 圖二而圖5B為圖5A的晶片封裝體配置於容納空 過程中的放大示意圖。喑夂本θ n门 η工门的 側壁200e分別具有上^ ^ 5Α及圖犯，開口部的二相對 面S4。值得注意的是，^S、收f壁S2、S3以及下部壁 面具有相交的第-面S2i^1 s 3^_^’此階梯 疋玉直壁面）相連接，而當- =點與下雜面S4 (糾_錢 I 3的下 當晶片封裝體21〇的承靠而，ln逐接在圖5B中， 滑落至第二面S3 (水第—面S2 (斜面）向下 犯與上部壁面S1相隔，匕 裝曰體210的外侧周緣 靠面210a盥收斂壁的第 日日片封裝體210的承 ” 土的弟〜面S2 (例如是斜面）於滑 -收敛角Θ，例如約6〇声 ㈣；〜约相夾 度〜80度。由圖5A可知，當 11 M363678 展 位於各容納空間c中時，至少二相對第—面S2的下 死點之間的間距為W2，而晶片封裝體21〇的外側周緣加的 寬度W1約略小於W2，因此可避免產生侧向位移。、' η此外’在圖5B中，當收斂角Θ符合下列的公式⑵，{避 免最外側的銲ί求214與下部壁面S4接觸而損傷，公 (a-r-dl) taMgb，且 a-r>dl ^外側銲球214的中心位置相對於外側周緣21 ϋΐ 為銲球214的半徑，以為第二面％ (水:
=的寬度’ * b為銲球214的垂直高度，t㈣為央角的』 而的ίίί/2)中’當水平寬度a減去鲜球214的半徑r及水， 到的數值㈣υ乘上夾角0的正切值大於邊 ί έ Γ直高度b時，即可避免晶片封農體⑽的舞 表 在合、、、内二間c中被直接碰觸而損壞。 接著’圖6A為本創作另—實關的托盤沿著n 1剖面示意圖’而® 6B為圖6A的晶片封裝體配置於容納; 間的過私中的放大示意圖。請參考圖6A，開
壁冨分別具有上部壁面S1、收敛壁幻、％、幻 壁面S4。值得注意的是，收斂壁S2、V卜S3例如為階梯面 =梯面具有-第—面S2、—第二面S3以及連接於^梯面面§ ^-面S3之間的—垂直面v卜垂直面％的高度為匕，市 弟面S2的上死點與上部壁面S1 (例如是斜面）相連接，筹 二面S3的下死點與下部壁面如（例如是垂直壁面）相連接< 在圖6B中，當晶片封裝體210的承靠面21〇a沿著第—面s, (斜面）向下滑落至第二面S3 (水平面）時，，晶片 楚 210的外侧周緣212與上部壁面S1相隔一水平間距4，且^ > 12 M363678 封衣體210的承靠面21〇a與收斂壁的第—面於滑落時相爽 一收斂角Θ ’例如約6〇度〜8〇度。如同圖5A所述，由於 封裝體210的外侧周、緣212喊度W1約略小於％，因:可 避免產生側向位移。。 门另外，在圖6B中，當收斂角0符合下列的公式⑶，可避 免最外側轉球214與下部壁面84或收斂壁接觸而損傷，公 式(3)為： (a-r ) tan 61 2b，且 a-r> dl 其中’a為最外側銲球214的中心位置相對於外側 i2 相隔的水平寬度，r為銲球叫的半徑，dl為第二面％ (水平 面）的寬度，* b為銲球214的垂直高度，_為失角的正 切值。 在公式(3)中，當水平寬度a減去銲球214的半徑r所得到 的數值㈣乘上夾角Θ的正切值大於或等於鲜球214的垂 度b時’即可避免晶片封裝體21G的輝球214在容納 中被直接碰觸而損壞。 綜上料，賴作_最佳化設計触錄㈣晶片封裝 體’可避免晶片封裝體在運送過程中產生側向位移或在配置的 棘中良產生偏移，進㈣免最相的銲球與側壁碰觸 而損傷。同時’本創作可廣泛地應用於各式設計的晶 體’以符合使用者不同的需求。 、 車巳 雖然本創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 任何所屬技觸域巾具有通f知識者，在不脫離本創作之 精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本創作之保 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 13 M363678 【圖式簡單說明】 圖1A及圖1B分別為習知一種承載晶片封裝體的托盤的 示意圖及凹槽區域的剖面示意圖。 圖2A〜圖2C分別為本創作一實施例的托盤的俯視示意 圖。 圖3為本創作第一實施例的托盤沿著I-Ι線的剖面示意圖。 圖4為本創作第二實施例的托盤沿著I-Ι線的剖面示意圖。 圖5A為本創作第三實施例的托盤沿著I-Ι線的剖面示意 圖。 圖5B為圖5A的晶片封裝體配置於容納空間的過程中的 放大示意圖。 圖6A為本創作另一實施例的托盤沿著I-Ι線的局部剖面 示意圖。 圖6B為圖6A的晶片封裝體配置於容納空間的過程中的 放大示意圖。 【主要元件符號說明】 100 :托盤的盤體 102 :凹槽 110 :晶片封裝體 112 :外側周緣 110a :承靠面 114 :銲球 hi、h2 :寬度 200 :托盤的盤體 202a〜202c :開口部 M363678 200a :上表面 200b :下表面 200c、200d、200e、200f ··側壁 210 :晶片封裝體 212 :外側周緣 210a :承靠面 . 214 :銲球 . P1 :上邊緣 P2 :下邊緣 • swl〜sw4 :侧壁（壁面） C:容納空間（凹槽） ίϋ、U、S1 :上部壁面 R2、L2、S2、S3 :收斂壁 R3、L3、S4 :下部壁面 R4 :向上延伸面 R5 :向下延伸面 d ·水平間距 • dl :寬度 6» :收斂角 T :切線 S :外侧邊 b ·垂直南度 ‘ r:銲球的半徑 - W :間距 W1 :寬度 W2 :間距 15 M363678 ai:第一水平寬度 a2 :第二水平寬度 52 :第一面 53 :第二面 VI :垂直面