TWI833007B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供於從形成有銅膜之基板的周緣部除去銅膜的技術中，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕的技術。 [解決手段]根據本揭示的基板處理方法包含事前加熱工程和除去工程。事前加熱工程係加熱形成有銅膜的基板。除去工程係對事前加熱工程後之基板的周緣部，供給含有酸性藥液之處理液而除去被形成在周緣部的銅膜。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本揭示係關於基板理方法及基板處理裝置。
以往，已知藉由藥液除去被形成在半導體晶圓或玻璃基板等之基板的膜之技術。在專利文獻1揭示有藉由對基板之周緣部供給藥液除去被形成在基板之周緣部的膜之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5184476號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供於從形成有銅膜之基板的周緣部除去銅膜的技術中，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的基板處理方法包含事前加熱工程和除去工程。事前加熱工程係加熱形成有銅膜的基板。除去工程係對事前加熱工程後之基板的周緣部，供給含有酸性藥液之處理液而除去被形成在周緣部的銅膜。 [發明之效果]
若根據本揭示，則屬於從形成有銅膜之基板的周緣部除去銅膜的技術，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕。
以下，針對用以實施根據本揭示的基板處理方法及基板處理裝置之型態(以下，記載為「實施型態」)一面參照圖面一面詳細地予以說明。另外，並非藉由該實施型態，限定根據本揭示的基板處理方法及基板處理裝置者。再者，各實施型態可以在不使處理內容矛盾的範圍下適當組合。再者，在以下之各實施型態中，對相同的部位標示相同的符號，省略重複的說明。
再者，在以下參照的各圖面中，為了使說明容易理解，有表示規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，且將Z軸正方向設為垂直向上方向的直角座標系統之情形。再者，有將以垂直軸為旋轉中心的旋轉方向稱為θ方向之情形。
(第1實施型態) [基板處理裝置] 圖1係表示與第1實施型態有關之基板處理裝置之構成的圖。如圖1所示般，基板處理裝置1具備搬入搬出站2和處理站3。搬入搬出站2和處理站3被鄰接設置。
搬入搬出站2具備載體載置部11和搬運部12。在載體載置部11被載置以水平狀態收容複數片基板(以下，稱為「晶圓W」)的複數載體C。
搬運部12係與載體載置部11鄰接而被設置，在內部具備基板搬運裝置13和收授部14。基板搬運裝置13具備保持晶圓W之基板保持機構。再者，基板搬運裝置13可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用基板保持機構而在載體C和收授部14之間進行晶圓W之搬運。
處理站3係與搬運部12鄰接而被設置。處理站3具備搬運部15和複數處理單元16。複數處理單元16被並列設置在搬運部15之兩側。
搬運部15在內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備保持晶圓W之基板保持機構。再者，基板搬運裝置17可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用基板保持機構而收授部14和處理單元16之間進行晶圓W之搬運。
處理單元16係對藉由基板搬運裝置17被搬運之晶圓W進行特定之基板處理。
再者，基板處理裝置1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和記憶部19。在記憶部19儲存控制在基板處理裝置1中被實行之各種處理的程式。控制部18係藉由讀出並實行被記憶於記憶部19之程式，控制基板處理裝置1之動作。
另外，如此之程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在構成上述般之基板處理裝置1中，首先搬入搬出站2之基板搬運裝置13從被載置在載體載置部11之載體C取出晶圓W，將取出的晶圓W載置在收授部14。被載置在收授部14之晶圓W藉由處理站3之基板搬運裝置17從收授部14被取出，而被搬入至處理單元16。
被搬入至處理單元16之晶圓W藉由處理單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，被載置在收授部14。而且，被載置在收授部14之處理完的晶圓W藉由基板搬運裝置13返回至載體載置部11之載體C。
[處理單元之構成] 接著，針對處理單元16之構成，參照圖2予以說明。圖2為表示第1實施型態所涉及之處理單元16之構成的圖。
圖2所示之處理單元16係對晶圓W之周緣部供給以水(H2O)稀釋作為硫酸和過氧化氫的混合液之SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)的稀SPM。在晶圓W之表面形成銅膜。處理單元16係藉由對晶圓W之周緣部供給稀SPM，除去被形成在晶圓W之周緣部的銅膜。晶圓W之周緣部為從晶圓W之端面起算例如寬度1~5mm左右的環狀區域。
如圖2所示般，處理單元16具備腔室20、基板保持機構30、供給部40、回收杯50、加熱部60和調溫部70。
腔室20收容基板保持機構30、供給部40、回收杯50、加熱部60及調溫部70。在腔室20之頂棚部設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成向下流。
基板保持機構30係以水平並且能夠旋轉之方式保持晶圓W。基板保持機構30具備保持部31、支柱部32和驅動部33。
保持部31係例如真空挾盤，吸附保持晶圓W之下面中央部。支柱部32係在垂直方向延伸，基端部藉由驅動部33被支撐成能夠旋轉，在前端部水平地支持保持部31。驅動部33係使支柱部32繞垂直軸旋轉。基板保持機構30藉由使用驅動部33使支柱部32旋轉而使被支撐於支柱部32之保持部31旋轉，藉此使被保持於保持部31之晶圓W旋轉。
供給部40係對晶圓W之上面周緣部供給稀SPM。具體而言，供給部40具備被配置在晶圓W之上方的噴嘴41，和支持噴嘴41的臂部42，和臂部42移動的移動機構43。
噴嘴41係經由閥體401而被連接於稀SPM供給源402。稀SPM供給源402具備例如硫酸供給系統、過氧化氫供給系統、水供給系統和混合部。如此的稀SPM供給源402係以在混合部事先被設定的混合比，混合從硫酸供給系統被供給的硫酸，和從過氧化氫供給系統被供給的過氧化氫，和從水供給系統被供給的水(去離子水)。藉此，稀SPM供給源402生成稀SPM而供給至噴嘴41。
再者，噴嘴41係經由閥體403而被連接於沖洗液供給源404。沖洗液供給源404係以例如DIW(去離子水)作為沖洗液供給至噴嘴41。
回收杯50被配置成包圍保持部31，補集藉由保持部31之旋轉而從晶圓W飛散之SPM。在回收杯50之底部形成排液口51，藉由回收杯50捕集到的處理液，從如此之排液口51被排出至處理單元16之外部。再者，在回收杯50之底部形成將從FFU21被供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。
加熱部60加熱晶圓W之周緣部。在第1實施型態中，加熱部60具有被配置在晶圓W之下方的噴嘴，藉由從如此的噴嘴對晶圓W之下面周緣部供給被加熱的流體，加熱晶圓W之周緣部。
加熱部60係經由閥體601而被連接於流體供給源602。流體供給源602係供給例如氮等之惰性氣體。再者，在閥體601和流體供給源602之間，設置加熱機構603，從流體供給源602被供給的惰性氣體，藉由加熱機構603被加熱至事先被設定的溫度而被供給至加熱部60。另外，從加熱部60被供給的流體不限定於惰性氣體，即使為乾空氣等之空氣或其他氣體亦可。
調溫部70係將藉由加熱部60被加熱的晶圓W之周緣部之溫度，調節成在使用稀SPM之處理(後述周緣除去處理)中的處理溫度。在第1實施型態中，調溫部70具有被配置在晶圓W之下方的噴嘴。調溫部70係從如此的噴嘴對晶圓W之下面周緣部，供給溫度低於從加熱部60被供給的氣體(以下，記載為「熱氣體」)的氣體(以下，記載為「潔淨氣體」)。
調溫部70係經由閥體701而被連接於流體供給源702。流體供給源702係供給例如氮等之惰性氣體。再者，在閥體701和流體供給源702之間，設置調溫機構703，從流體供給源702被供給的惰性氣體，藉由調溫機構703被調節成事先被設定的溫度而被供給至調溫部70。另外，從調溫部70被供給的流體不限定於惰性氣體，即使為乾空氣等之空氣或其他氣體亦可。
在此，加熱部60及調溫部70分別具備噴嘴，表示從不同的噴嘴供給熱氣體及潔淨氣體之情況之例。不限定於此，即使加熱部60及調溫部70具備單一的噴嘴亦可，即使從如此的單一噴嘴供給熱氣體及潔淨氣體亦可。
[針對在除去界面周邊產生腐蝕] 然而，若使用稀SPM除去基板周緣部之銅膜，則有除去界面周邊之銅膜腐蝕之情形。本案發明者精心研究之結果，追究腐蝕原因在於存在於銅膜上的氫氧化銅。針對此點，參照圖3予以說明。圖3為表示在除去界面周邊產生腐蝕之機制之一例的圖。
如圖3所示般，有在銅膜之表面存在氫氧化銅(Cu(OH)2 )之情形。此係因為在例如鍍敷處理等之在晶圓W上形成銅膜的處理中，若於銅膜形成後進行DIW所致之沖洗處理，則銅膜中的銅與水反應而變化成氫氧化銅之故。
若對在表面存在氫氧化銅的銅膜供給稀SPM，則藉由氫氧化銅與稀SPM含有的過氧化氫反應，在銅膜上生成過氧化銅(CuO2 )。雖然對晶圓W周緣部之銅膜供給稀SPM，藉由稀SPM除去晶圓W周緣部之銅膜，但是因在除去界面周邊之銅膜也附著稀SPM，故成為在除去界面周邊生成過氧化銅(CuO2 )，而產生腐蝕。
在此，雖然舉出稀SPM作為一例，但是即使含有過氧化氫的其他處理液亦能產生相同的現象。具體而言，如此的處理液係含有酸性藥液和過氧化氫者，例如除了上述稀SPM之外，有SPM、FPM、SC2等。FPM係氟酸(HF)和過氧化氫的混合液，SC2係鹽酸(HCl)和過氧化氫的混合液。
另一方面，作為氫氧化銅之特性，已知相對於熱比較不穩定，若加熱成60℃以上之溫度，則脫水而分解，且變化成氧化銅(II)(CuO)。
於是，在第1實施型態所涉及之基板處理裝置1中，藉由進行使用稀SPM之周緣除去處理之前，加熱晶圓W而除去銅膜上之氫氧化銅，來抑制在除去界面產生腐蝕。
[處理單元之具體性動作] 接著，針對本實施型態所涉及之處理單元16實行的基板處理之內容，參照圖4予以說明。圖4為表示第1實施型態所涉及之處理單元16實行的基板處理之順序的流程圖。圖4所示的各處理程序係依照控制部18之控制而被實行。
首先，在處理單元16中，進行晶圓W之搬入處理(步驟S101)。具體而言，晶圓W藉由基板搬運裝置17(參照圖1)被搬入至處理單元16之腔室20(參照圖2)內而被保持在保持部31。之後，處理單元16係以特定的旋轉速度(例如，50rpm)使保持部31旋轉。
接著，在處理單元16中，進行事前加熱處理(步驟S102)。圖5為表示事前加熱處理之動作例的圖。
如圖5所示般，藉由在事前加熱處理中，處理單元16從加熱部60對晶圓W之下面周緣部供給熱氣體，加熱包含晶圓W之周緣部的區域。
若包含晶圓W之周緣部的區域被加熱，則被形成在如此的區域之銅膜上的氫氧化銅被分解而變化成氧化銅(II)。藉此，氫氧化銅從包含晶圓W之周緣部的區域之銅膜被除去。
事前加熱處理之處理條件被設定成使被形成在包含晶圓W之周緣部的區域之銅膜上的氫氧化銅熱分解所需的必需條件。例如，在事前加熱處理的晶圓W之加熱溫度以被設定成60℃以上100℃以下之溫度為佳。此係因為藉由加熱至60℃以上，可使氫氧化銅變化成氧化銅(II)，另一方面，若加熱溫度過高，則銅膜會硬化之故。
另外，在此，雖然表示加熱部60對晶圓W之下面周緣部供給熱氣體之情況之例，但是若加熱部60對晶圓W之下面之中至少包含晶圓W之周緣部的區域供給熱氣體即可。再者，即使對晶圓W之周緣部供給熱氣體為間接性亦可。例如，即使加熱部60對較晶圓W之下面周緣部更靠徑向內側的區域供給熱氣體亦可。在此情況，可以藉由熱氣體沿著晶圓W之下面而朝徑向外方移動而到達至晶圓W之下面周緣部，加熱晶圓W之周緣部。
接著，在處理單元16中，進行調溫處理(步驟S103)。圖6為表示調溫處理之動作例的圖。
如圖6所示般，藉由在調溫處理中，處理單元16從調溫部70對晶圓W之下面周緣部供給潔淨氣體，將晶圓W之周緣部之溫度調節至後段之周緣除去處理的處理溫度。具體而言，周緣除去處理係在常溫(例如，25℃)進行。因此，在調溫處理中，處理單元16使用調溫部70而使晶圓W之周緣部之溫度下降至常溫。
藉由如此地進行調溫處理，例如可以抑制在後段的周緣除去處理中，稀SPM所致的銅膜之蝕刻率變得較期望的速率高之情形。亦即，藉由進行調溫處理，可以適當地進行後段之周緣除去處理。
接著，在處理單元16中，進行周緣除去處理(步驟S104)。圖7及圖8為表示周緣除去處理之動作例的圖。如圖7所示般，處理單元16使用移動機構43使噴嘴41移動至晶圓W之上面周緣部之上方之後，從噴嘴41對晶圓W之上面的周緣部供給稀SPM。藉此，如圖8所示般，銅膜從晶圓W之上面周緣部被除去。
在處理單元16中，銅膜上之氫氧化銅藉由事前加熱處理被除去。因此，在周緣除去處理中，即使對晶圓W之上面周緣部供給稀SPM，在銅膜之除去界面周邊也不會生成過氧化銅。因此，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕的情形。
若結束步驟S104之周緣除去處理，則在處理單元16中，進行沖洗處理(步驟S105)。在如此的沖洗處理中，從噴嘴41對晶圓W之上面周緣部供給作為沖洗液的DIW。被供給至晶圓W之DIW係藉由隨著晶圓W之旋轉的離心力，在晶圓W之上面周緣部全面被塗抹散開。藉此，殘存在晶圓W之上面周緣部的稀SPM藉由DIW被沖洗。
接著，在處理單元16中，進行乾燥處理(步驟S106)。在如此的乾燥處理中，以特定的旋轉速度(例如，1000rpm)使晶圓W旋轉特定時間。藉此，殘存在晶圓W之DIW被甩掉，晶圓W乾燥。之後，晶圓W之旋轉停止。
然後，在處理單元16中，進行搬出處理(步驟S107)。在搬出處理中，被保持在保持部31的晶圓W被轉交至基板搬運裝置17。若如此之搬出處理完成，則完成針對一片之晶圓W的基板處理。
(第2實施型態) 接著，針對第2實施型態所涉及之加熱部的構成，參照圖9予以說明。圖9係表示第2實施型態所涉及之加熱部之構成的圖。
如圖9所示般，第2實施型態所涉及之加熱部60A具備發熱體61A和移動機構62A。發熱體61A係藉由例如護套加熱器等之電阻發熱的加熱器，被配置在晶圓W周緣部之下方。移動機構62A使發熱體61A升降。
在事前加熱處理中，加熱部60A使用移動機構62A使發熱體61A上升，藉此使發熱體61A接近於晶圓W之下面周緣部。而且，藉由加熱部60A進行對發熱體61A通電，使發熱體61A發熱。藉此，晶圓W之下面周緣部係藉由從發熱體61A發出的熱被加熱。
再者，調溫處理中，加熱部60A係停止對發熱體61通電之後，使用移動機構62A使發熱體61A下降，藉此使發熱體61A遠離晶圓W之下面周緣部。於停止對發熱體61A通電之後，直至發熱體61A本身冷卻係需要時間。因此，若預先維持使發熱體61A接近於晶圓W之下面周緣部，則難以使晶圓W之周緣部之溫度提前下降至在周緣除去處理的處理溫度亦即常溫。
對此，第2實施型態所涉及之加熱部60A使用移動機構62A使發熱體61A遠離晶圓W之下面周緣部，藉此可以使晶圓W之周緣部的溫度提前下降至常溫。
另外，在此，雖然表示移動機構62A使發熱體61A升降之情況之例，但是若移動機構62A可以使發熱體61A相對於晶圓W之下面周緣部接近或遠離即可，使發熱體61A移動的方向不限定於垂直方向。例如，即使移動機構62A使發熱體61A水平地移動，藉此使發熱體61A相對於晶圓W之下面周緣部接近或遠離亦可。
(第3實施型態) 接著，針對第3實施型態所涉及之基板處理裝置的構成，參照圖10予以說明。圖10係表示與第3實施型態有關之基板處理裝置之構成的圖。
如圖10所示般，第3實施型態所涉及之基板處理裝置1B係在處理站3B具備複數加熱單元16B1，和複數處理單元16B2。
複數加熱單元16B1具備例如熱板。熱板在內部具備加熱部。再者，在熱板之上面，設置有用以支撐晶圓W之支撐銷22。複數處理單元16B2具有例如從第1實施型態所涉及之處理單元16省略加熱部60及調溫部70的構成。
在第3實施型態所涉及之基板處理裝置1B中，首先在加熱單元16B1中進行事前加熱處理。具體而言，晶圓W係藉由基板搬運裝置17被搬運至加熱單元16B1，被載置於被設置在熱板之上面的支持銷。接著，加熱單元16B1使用被設置在熱板之內部的加熱部而加熱熱板，藉此加熱被載置於熱板的晶圓W。藉此，銅膜上之氫氧化銅被分解、被除去。
接著，在基板處理裝置1B中，在晶圓W藉由基板搬運裝置17從加熱單元16B1被搬運至處理單元16B2為止之期間，進行調溫處理。具體而言，基板搬運裝置17從加熱單元16B1取出被加熱的晶圓W而搬運至處理單元16B2。在此期間，可以將在事前加熱處理中被加熱的晶圓W冷卻至作為在周緣除去處理中的處理溫度的常溫。
另外，即使基板搬運裝置17在保持晶圓W的基板保持機構具備調溫部亦可。藉此，可以將晶圓W之溫度確實地調整成常溫。
之後，在基板處理裝置1B中，在處理單元16B2進行周緣除去處理、沖洗處理及乾燥處理。
如此一來，即使基板處理裝置1B在不同的單元進行事前加熱處理和周緣除去處理亦可。
圖11為表示第3實施型態中的調溫處理之變形例的圖。如圖11所示般，即使在第3實施型態的調溫處理係將藉由加熱單元16B1被加熱的晶圓W暫時收容在載體C的處理亦可。在此情況，若於進行周緣除去處理之前，使用基板搬運裝置13、17，將晶圓W從載體C搬運至處理單元16B2即可。
如此一來，藉由將事前加熱處理後之晶圓W暫時返回至載體C，可以確保晶圓W之冷卻時間。另外，若事前加熱處理後之晶圓W之收容目的地為可以暫時性地載置事前加熱處理後之晶圓W之處即可，不限定於載體C。例如，即使事前加熱處理後之晶圓W被收容在被配置在收授部14之上方或下方的無圖示的暫時載置部亦可。
(第4實施型態) 接著，針對第4實施型態所涉及之基板處理裝置的構成，參照圖12予以說明。圖12係表示第4實施型態所涉及之基板處理裝置之構成的圖。
如圖12所示般，第4實施型態所涉及之基板處理裝置1C具備加熱裝置1C1和周緣除去裝置1C2。周緣除去裝置1C2具有例如從第1實施型態所涉及之基板處理裝置1省略加熱部60及調溫部70的構成。再者，加熱裝置1C1具備複數例如第3實施型態所涉及的加熱單元16B1。
在第3實施型態中，晶圓W首先在被收容在載體C之狀態被搬運至加熱裝置1C1，在加熱裝置1C1從載體C被取出而被搬運至加熱單元。在加熱單元中，對晶圓W進行事前加熱處理。藉此，從晶圓W上之銅膜除去氫氧化銅。事前加熱處理後之晶圓W再次被收容在載體C而從加熱裝置1C1被搬出。
收容事前加熱處理後之晶圓W的載體C被載置於周緣除去裝置1C2之載體載置部11。之後，在周緣除去裝置1C2中，從載體C取出事前加熱處理後之晶圓W，對取出的事前加熱處理後之晶圓W進行周緣除去處理。藉此，從晶圓W上之上面周緣部除去銅膜。
如此一來，即使基板處理裝置1C在進行周緣除去處理之周緣除去裝置1C2之外部，具備進行事前加熱處理的加熱裝置1C1亦可。藉由構成如此，無須在周緣除去裝置1C2設置事前加熱處理專用之單元(加熱單元)。
如上述般，實施型態所涉及的基板處理方法包含事前加熱工程(以事前加熱處理作為一例)，和除去工程(以周緣除去處理作為一例)。事前加熱工程係加熱形成有銅膜的基板(以晶圓W作為一例)。除去工程係對事前加熱工程後之基板的周緣部，供給含有酸性藥液之處理液(以稀SPM作為一例)而除去被形成在周緣部的銅膜。
藉由在事前加熱工程中加熱基板，熱分解存在於銅膜上之氫氧化銅而從銅膜上予以除去。藉此，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕的情形。
處理液係進一步含有過氧化氫者。氫氧化銅與過氧化氫反應而變化成過氧化銅。在事前加熱工程中除去氫氧化銅，抑制上述反應，抑制在除去界面周邊產生腐蝕。
處理液係作為酸性藥液的硫酸和過氧化氫混合的SPM、作為酸性藥液的氟酸和過氧化氫混合的FPM，或作為酸性藥液的鹽酸和過氧化氫混合的SC2。藉由使用該些處理液，可以在除去工程中從基板之周緣部適當地除去銅膜。
事前加熱工程係藉由加熱基板，使銅膜所含的氫氧化銅變化成氧化銅。藉此，抑制在含有過氧化氫之處理液被供給至基板之周緣部的情況，氫氧化銅和過氧化氫反應而生成過氧化銅的情形。
即使實施型態所涉及之基板處理方法進一步包含於事前加熱工程後、除去工程前，將基板之溫度調節成在除去工程中的處理溫度的調溫工程(以調溫處理作為一例)亦可。藉此，可以適當地進行後段的除去工程。
處理溫度係較在事前加熱工程中之基板的加熱溫度低的溫度(例如，常溫)。因此，藉由進行調溫工程，可以抑制在除去工程中，處理液所致的銅膜之蝕刻率變得較期望的速率高的情形。
再者，實施型態所涉及之基板處理裝置(以基板處理裝置1、1B、1C作為一例)具備加熱部(以加熱部60、發熱體61A、加熱單元16B1、加熱裝置1C1作為一例)、供給部(以供給部40作為一例)、調溫部(以調溫部70、移動機構62A、基板搬運裝置17作為一例)。加熱部係加熱形成有銅膜的基板(以晶圓W作為一例)。供給部係對基板之周緣部供給含有酸性藥液的處理液(以稀SPM作為一例)。調溫部係將藉由加熱部被加熱的基板之溫度，調節成從供給部對周緣部供給處理液而除去被形成在周緣部的銅膜之除去處理中的處理溫度(以常溫作為一例)。
藉由使用加熱部加熱基板，可以熱分解存在於銅膜上之氫氧化銅而從銅膜上予以除去。藉此，可以抑制在除去界面周邊產生腐蝕的情形。再者，藉由使用調溫部將基板之溫度調節成處理溫度，可以適當地進行從基板之周緣部除去銅膜的處理。
應理解成此次揭示的實施型態係所有的點皆為例示，並非限制性者。實際上，上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者，上述實施型態可不脫離附件的申請專利範圍及其主旨地以各種型態進行省略、替換或變更。
W:晶圓 1:基板處理裝置 2:搬入搬出站 3:處理站 4:控制裝置 16:處理單元 18:控制部 19:記憶部 30:基板保持機構 40:供給部 50:回收杯 60:加熱部 70:調溫部 402:稀SPM供給源 404:沖洗液供給源
[圖1]為表示第1實施型態所涉及之基板處理裝置之構成的圖。 [圖2]為表示第1實施型態所涉及之處理單元之構成的圖。 [圖3]為表示在除去界面周邊產生腐蝕之機制之一例的圖。 [圖4]為表示第1實施型態所涉及之處理單元實行的基板處理之順序的流程圖。 [圖5]為表示事前加熱處理之動作例的圖。 [圖6]為表示調溫處理之動作例的圖。 [圖7]為表示周緣除去處理之動作例的圖。 [圖8]為表示周緣除去處理之動作例的圖。 [圖9]為表示第2實施型態所涉及之加熱部之構成的圖。 [圖10]為表示第3實施型態所涉及之基板處理裝置之構成的圖。 [圖11]為表示第3實施型態中的調溫處理之變形例的圖。 [圖12]為表示第4實施型態所涉及之基板處理裝置之構成的圖。

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，包含：事前加熱工程，其係加熱形成有銅膜的基板，使上述銅膜所含的氫氧化銅變化成氧化銅；和除去工程，其係對上述事前加熱工程後之上述基板的周緣部，供給含有過氧化氫之處理液而除去被形成在上述周緣部的上述銅膜。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述處理液係硫酸和過氧化氫混合的SPM、氟酸和過氧化氫混合的FPM，或鹽酸和過氧化氫混合的SC2。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中進一步包含調溫工程，其係於上述事前加熱工程後、上述除去工程前，將上述基板之溫度調節成在上述除去工程中的處理溫度。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中上述處理溫度係低於在上述事前加熱工程中之上述基板之加熱溫度的溫度。
  5. 一種基板處理裝置，具備：加熱部，其係加熱形成有銅膜的基板，使上述銅膜所含的氫氧化銅變化成氧化銅；及供給部，其係對上述基板之周緣部，供給含有過氧化氫的處理液。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中具備調溫部，其係將藉由上述加熱部而被加熱的上述 基板之溫度，調節成在從上述供給部對上述周緣部供給上述處理液而除去被形成在上述周緣部的上述銅膜的除去處理中的處理溫度。
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