TWI832930B - 正型光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種光敏樹脂組成物和一種由其製備的固化膜。該正型光敏樹脂組成物包含丙烯酸類共聚物，其具有可以在聚合物中自由旋轉的官能基，由此該組成物能夠進一步增強敏感性。

Description

正型光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜
本發明係關於一種光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜。更具體地，本發明係關於一種提供優異的敏感性之正型光敏樹脂組成物，以及由其製備的待用於液晶顯示器、有機EL顯示器等中的固化膜。
在如薄膜電晶體（TFT）型液晶顯示裝置的顯示裝置中，例如由氮化矽製成的無機保護膜已經用作用於保護和絕緣TFT電路的保護膜。然而，因為此種無機保護膜由於其高介電常數而具有難以增強開口率的問題，所以對於具有低介電常數的有機絕緣膜的需求正在增加以便解決該問題。
通常使用光敏樹脂，其為與光和電子束化學反應以改變其對特定溶劑的溶解度的聚合物化合物。取決於在顯影期間暴露部分的溶解度，光敏樹脂被分為正型和負型。在正型中，暴露部分被顯影劑溶解以形成圖案。在負型中，暴露部分未被顯影劑溶解，而未暴露部分被溶解以形成圖案。
因為正型有機絕緣膜與負型有機絕緣膜相比不具有光固化因素，因此它具有難以確保敏感性和與底層膜（underlying film）的黏附的缺點。
因此，已經提出了一種光敏樹脂組成物和一種由其製備的固化膜，其中一起使用了聚矽氧烷樹脂和丙烯酸樹脂，從而具有優異的敏感性和黏附性（參見日本專利號5,099,140）。然而，敏感性還並未改善至令人滿意的水平。
技術問題 因此，為了解決上述問題，本發明之目的在於提供一種正型光敏樹脂組成物，其包含聚矽氧烷樹脂和丙烯酸樹脂，其中可以藉由將可以在聚合物中自由旋轉的官能基引入丙烯酸類共聚物中來進一步增強敏感性；以及一種由其製備的待用於液晶顯示器、有機EL顯示器等中的固化膜。 問題的解決方案
為了實現以上目的，本發明提供了一種正型光敏樹脂組成物，其包含 (A) 丙烯酸類共聚物；(B) 矽氧烷共聚物；以及 (C) 1,2-醌二疊氮化合物，其中該丙烯酸類共聚物 (A) 包含由以下式1表示的結構單元 (a-1)： [式1]。
在上式1中，R1 係C1-4 烷基。
為了實現另一個目的，本發明提供了一種由該正型光敏樹脂組成物製備的固化膜。 本發明的有益效果
根據本發明的正型光敏樹脂組成物包含丙烯酸類共聚物，其具有可以在聚合物中自由旋轉的官能基，由此在顯影步驟期間該組成物容易地被溶解於顯影劑，從而增強敏感性。
本發明的正型光敏樹脂組成物包含 (A) 丙烯酸類共聚物；(B) 矽氧烷共聚物；以及 (C) 1,2-醌二疊氮化合物，其中該丙烯酸類共聚物 (A) 包含由以下式1表示的結構單元 (a-1)： [式1]。
在上式1中，R1 係C1-4 烷基。
如本文中使用的，術語「（甲基）丙烯醯基」係指「丙烯醯基」和/或「甲基丙烯醯基」，並且術語「（甲基）丙烯酸酯」係指「丙烯酸酯」和/或「甲基丙烯酸酯」。
藉由凝膠滲透層析法（GPC，洗脫液：四氫呋喃）參照聚苯乙烯標準品測量如下所述的各組分的重均分子量（克/莫耳，Da）。(A) 丙烯酸類共聚物
根據本發明的正型光敏樹脂組成物可以包含丙烯酸類共聚物 (A)。
丙烯酸類共聚物 (A) 可以包含由以下式1表示的結構單元 (a-1)： [式1] 在上式1中，R1 係C1-4 烷基。
具體地，結構單元 (a-1) 中的官能基可以在聚合物中自由旋轉，這允許顯影液在顯影期間滲透。因此，在暴露於光後，塗膜在顯影期間更容易地顯影，從而確保優異的敏感性。
結構單元 (a-1) 的含量可以是基於丙烯酸類共聚物 (A) 的總重量的1至30重量%、較佳的是2至20重量%。在以上範圍內，有可能獲得具有優異敏感性的塗膜的圖案。丙烯酸類共聚物 (A) 可以進一步包含由以下式1-1表示的結構單元 (a-2)： [式1-1]
在上式1-1中，Ra 和Rb 各自獨立地是C1-4 烷基。
由於丙烯酸類共聚物 (A) 同時包含結構單元 (a-1) 和結構單元 (a-2)，因此在維持膜保留率的同時改善敏感性係有利的。
結構單元 (a-1) 和結構單元 (a-2) 可以具有1 : 99至80 : 20的含量比、較佳的是5 : 95至40 : 60的含量比。在以上範圍內，在維持膜保留率的同時改善敏感性係有利的。
丙烯酸類共聚物 (A) 係在顯影步驟中實現顯影性的鹼溶性樹脂，並且還起到塗覆時用於形成膜的基材和用於形成最終圖案的結構的作用。
丙烯酸類共聚物 (A) 可以進一步包含衍生自乙烯式不飽和（ethylenically unsaturated）羧酸、乙烯式不飽和羧酸酐或其組合的結構單元 (a-3)。
具體地，結構單元 (a-3) 可以衍生自乙烯式不飽和羧酸、乙烯式不飽和羧酸酐或其組合。乙烯式不飽和羧酸、乙烯式不飽和羧酸酐或其組合係在分子中含有至少一個羧基的可聚合不飽和化合物。它可以是選自以下項中的至少一種：不飽和單羧酸，如（甲基）丙烯酸、巴豆酸、α-氯代丙烯酸和肉桂酸；不飽和二羧酸及其酸酐，如馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、衣康酸、衣康酸酐、檸康酸、檸康酸酐和中康酸；具有三價或更高價的不飽和多羧酸及其酸酐；以及二價或更高價的多羧酸的單[（甲基）丙烯醯氧基烷基]酯，如單[2-（甲基）丙烯醯氧基乙基]琥珀酸酯、單[2-（甲基）丙烯醯氧基乙基]鄰苯二甲酸酯等。但它並不限於此。從顯影性的觀點來看，較佳的是以上中的（甲基）丙烯酸。
結構單元 (a-3) 的含量可以是基於丙烯酸類共聚物 (A) 的總重量的5至30重量%。在以上範圍內，有可能獲得具有良好顯影性的塗膜的圖案。
丙烯酸類共聚物 (A) 可以進一步包含衍生自不同於結構單元 (a-1)、(a-2) 和 (a-3) 的乙烯式不飽和化合物的結構單元 (a-4)。不同於結構單元 (a-1)、(a -2) 和 (a-3) 的乙烯式不飽和化合物可以是選自以下群組的至少一種，該群組由以下組成：具有芳族環的乙烯式不飽和化合物，如（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸2-苯氧基乙酯、苯氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸三溴苯酯、苯乙烯、甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、三乙基苯乙烯、丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、庚基苯乙烯、辛基苯乙烯、氟苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、碘苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、丙氧基苯乙烯、對羥基-α-甲基苯乙烯、乙醯基苯乙烯、乙烯基甲苯、二乙烯基苯、乙烯基苯酚、鄰乙烯基苄基甲醚、間乙烯基苄基甲醚和對乙烯基苄基甲醚；不飽和羧酸酯，如（甲基）丙烯酸二甲基胺基乙酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（甲基）丙烯酸羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-氯丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸甘油酯、α-羥甲基丙烯酸甲酯、α-羥甲基丙烯酸乙酯、α-羥甲基丙烯酸丙酯、α-羥甲基丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸2-甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇（甲基）丙烯酸酯、聚(乙二醇)甲醚（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸四氟丙酯、（甲基）丙烯酸1,1,1,3,3,3-六氟異丙酯、（甲基）丙烯酸八氟戊酯、（甲基）丙烯酸十七氟癸酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、和（甲基）丙烯酸二環戊烯酯；含有環氧基的不飽和單體，如（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧丁酯、（甲基）丙烯酸4,5-環氧戊酯、（甲基）丙烯酸5,6-環氧己酯、（甲基）丙烯酸6,7-環氧庚酯、（甲基）丙烯酸2,3-環氧環戊酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧環己酯、丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丁基縮水甘油酯、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲基苄基)丙烯醯胺、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲基苯基丙基)丙烯醯胺、4-羥丁基（甲基）丙烯酸酯縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、和2-甲基烯丙基縮水甘油醚；含有N-乙烯基的N-乙烯基三級胺，如N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基咔唑、以及N-乙烯基𠰌啉；不飽和醚，如乙烯基甲醚和乙烯基***；以及不飽和醯亞胺，如N-苯基馬來醯亞胺、N-(4-氯苯基)馬來醯亞胺、N-(4-羥苯基)馬來醯亞胺和N-環己基馬來醯亞胺。
衍生自以上示例性化合物的結構單元可單獨或以兩種或更多種的組合包含在共聚物中。
如果共聚物較佳的是包含衍生自以上中的含有環氧基的乙烯式不飽和化合物的結構單元，更較佳的是衍生自（甲基）丙烯酸縮水甘油酯或（甲基）丙烯酸3,4-環氧環己酯的結構單元，則它在可共聚性和改善絕緣膜強度方面可以是更有利的。
結構單元 (a-4) 的含量可以是基於構成丙烯酸類共聚物 (A) 的結構單元的總重量的5至70重量%、較佳的是15至65重量%。在以上範圍內，有可能提高丙烯酸類共聚物（即可溶於鹼的樹脂）的機械特性和熱固性因子，使得在形成光敏樹脂組成物的塗膜時可以顯著增強膜機械特性和耐化學性特徵。
丙烯酸類共聚物 (A) 可以藉由以下方式來製備：將提供結構單元 (a-1)、(a-2)、(a-3) 和 (a-4) 的化合物中的每種混配，並向其中添加分子量控制劑、聚合引發劑、溶劑等，然後向其中裝入氮氣並緩慢攪拌混合物以進行聚合。分子量控制劑可以是硫醇化合物，如丁基硫醇、辛基硫醇、月桂基硫醇等，或α-甲基苯乙烯二聚體，但它不特別限於此。
聚合引發劑可以是偶氮化合物，如2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)和2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)；或過氧化苯甲醯；過氧化月桂醯；過氧化新戊酸三級丁酯；1,1-雙(三級丁基過氧基)環己烷等，但它不限於此。聚合引發劑可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
另外，溶劑可以是在丙烯酸類共聚物 (A) 的製備中通常使用的任何溶劑。它可以較佳的是3-甲氧基丙酸甲酯或丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）。
特別地，有可能藉由在聚合反應期間保持反應時間更長同時維持反應條件更溫和來減少未反應單體的殘留量。
反應條件和反應時間不受特別限制。例如，可以將反應溫度調節至低於常規溫度的溫度，例如，從室溫至60ºC或從室溫至65ºC。然後，維持反應時間直到發生充分反應。
當藉由以上方法製備丙烯酸類共聚物 (A) 時，有可能將丙烯酸類共聚物 (A) 中未反應單體的殘留量減少到非常微小的水平。
在此，如本文中使用的術語丙烯酸類共聚物 (A) 的未反應單體（或殘留單體）係指旨在提供丙烯酸類共聚物 (A) 的結構單元 (a-1) 至 (a-4) 但不參與反應（即不形成共聚物鏈）的化合物（即單體）的量。
具體地，基於100重量份的共聚物（基於固體含量），本發明的光敏樹脂組成物中剩餘的丙烯酸類共聚物 (A) 的未反應單體的量可以是2重量份或更少、較佳的是1重量份或更少。
在此，術語固體含量係指組成物（不包括溶劑）的量。
如此製備的丙烯酸類共聚物 (A) 的重均分子量（Mw）可以是5,000至20,000 Da、較佳的是8,000至13,000 Da。在以上範圍內，與基板的黏附性係優異的，物理和化學特性係良好的，並且黏度係適當的。
丙烯酸類共聚物 (A) 可以以基於光敏樹脂組成物的總重量、基於固體含量（不包括溶劑）的10至90重量%、較佳的是30至80重量%、更較佳的是45至65重量%的量使用。在以上範圍內，適當地控制顯影性，這在膜保留率方面係有利的。(B) 矽氧烷共聚物
根據本發明的正型光敏樹脂組成物可以包含矽氧烷共聚物（或聚矽氧烷）。
矽氧烷共聚物 (B) 包含矽烷化合物和/或其水解產物的縮合物。在此種情況下，矽烷化合物或其水解產物可以是單官能至四官能的矽烷化合物。
結果，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含選自以下Q、T、D、和M型的矽氧烷結構單元：
- Q型矽氧烷結構單元：包含矽原子和四個相鄰氧原子的矽氧烷結構單元，其可以衍生自例如四官能矽烷化合物或具有四個可水解基團的矽烷化合物的水解產物。
- T型矽氧烷結構單元：包含矽原子和三個相鄰氧原子的矽氧烷結構單元，其可以衍生自例如三官能矽烷化合物或具有三個可水解基團的矽烷化合物的水解產物。
- D型矽氧烷結構單元：包含矽原子和兩個相鄰氧原子的矽氧烷結構單元（即，線性矽氧烷結構單元），其可以衍生自例如雙官能矽烷化合物或具有兩個可水解基團的矽烷化合物的水解產物。
- M型矽氧烷結構單元：包含矽原子和一個相鄰氧原子的矽氧烷結構單元，其可以衍生自例如單官能矽烷化合物或具有一個可水解基團的矽烷化合物的水解產物。
例如，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含衍生自由以下式2表示的矽烷化合物的結構單元，並且矽氧烷聚合物 (B) 可以是例如由以下式2表示的矽烷化合物和/或其水解產物的縮合物。
[式2] (R3 )n Si(OR4 )4-n
在上式2中，n係0至3的整數，R3 各自獨立地是C1-12 烷基、C2-10 烯基、C6-15 芳基、3員至12員雜烷基、4員至10員雜烯基、或6員至15員雜芳基，並且R4 各自獨立地是氫、C1-6 烷基、C2-6 醯基、或C6-15 芳基，其中該雜烷基、該雜烯基、和該雜芳基各自獨立地具有至少一個選自由O、N和S組成之群組的雜原子。
其中R3 具有雜原子的結構單元的實例包括醚、酯、和硫化物。
化合物可以是四官能矽烷化合物（其中n係0）、三官能矽烷化合物（其中n係1）、雙官能矽烷化合物（其中n係2）、或單官能矽烷化合物（其中n係3）。
矽烷化合物的具體實例可以包括，例如，作為四官能矽烷化合物，四乙醯氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、四苄氧基矽烷、和四丙氧基矽烷；作為三官能矽烷化合物，甲基三氯矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、五氟苯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、d3 -甲基三甲氧基矽烷、九氟丁基乙基三甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1-(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三甲氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、和3-三甲氧基矽基丙基琥珀酸；作為雙官能矽烷化合物，二甲基二乙醯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基二甲氧基甲基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-氯丙基二甲氧基甲基矽烷、3-巰基丙基二甲氧基甲基矽烷、環己基二甲氧基甲基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、和二甲氧基二-對甲苯基矽烷；以及作為單官能矽烷化合物，三甲基矽烷、三丁基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三丁基乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基甲氧基矽烷、和(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基乙氧基矽烷。
在四官能矽烷化合物之中較佳的是四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、和四丁氧基矽烷；在三官能矽烷化合物之中較佳的是甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、和丁基三甲氧基矽烷；在雙官能矽烷化合物之中較佳的是二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、和二甲基二乙氧基矽烷。
該等矽烷化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
用於獲得具有上式1的矽烷化合物的水解產物或縮合物的條件不受特別限制。例如，具有式2的矽烷化合物視需要用溶劑（如乙醇、2-丙醇、丙酮、乙酸丁酯等）稀釋，並且向其中添加反應所必需的水和作為催化劑的酸（例如，鹽酸、乙酸、硝酸等）或鹼（例如，氨、三乙胺、環己胺、四甲基氫氧化銨等），隨後攪拌混合物以完成水解聚合反應，由此可以獲得所希望的其水解產物或縮合物。
藉由具有上式2的矽烷化合物的水解聚合獲得的縮合物（即，矽氧烷聚合物）的重均分子量較佳的是500至50,000 Da。在以上範圍內，該縮合物在成膜特徵、溶解度、對顯影劑的溶解速率等方面係更較佳的。
溶劑或者酸催化劑或鹼催化劑的類型和量不受特別限制。另外，水解聚合反應可以在20ºC或更低的低溫下進行。可替代地，可以藉由加熱或回流加快反應。
可以取決於矽烷結構單元的類型和濃度、反應溫度等來調節所需的反應時間。例如，通常花費15分鐘至30天進行反應，直至如此獲得的縮合物的分子量變成大約500至50,000 Da。但它並不限於此。
矽氧烷共聚物 (B) 可以包含線性矽氧烷結構單元（即，D型矽氧烷結構單元）。該線性矽氧烷結構單元可以衍生自雙官能矽烷化合物，例如由上式2（其中n係2）表示的化合物。特別地，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含基於Si原子莫耳數0.5至50莫耳%、較佳的是1至30莫耳%的量的衍生自具有上式2（其中n係2）的矽烷化合物的結構單元。在以上含量範圍內，可能的是固化膜可以具有柔性特徵同時維持一定水平的硬度，由此可以進一步增強對外部應力的抗裂性。
此外，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含衍生自由上式2（其中n係1）表示的矽烷化合物的結構單元（即，T型結構單元）。較佳的是，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含基於Si原子莫耳數40至85莫耳%、更較佳的是50至80莫耳%的量的衍生自具有上式2（其中n係1）的矽烷化合物的結構單元。在以上含量範圍內，形成精確的圖案輪廓係更有利的。
另外，考慮到固化膜的硬度、敏感性和保留率，較佳的是矽氧烷共聚物 (B) 包含衍生自具有芳基的矽烷化合物的結構單元。例如，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含基於Si原子莫耳數30至70莫耳%、較佳的是35至50莫耳%的量的衍生自具有芳基的矽烷化合物的結構單元。在以上含量範圍內，矽氧烷共聚物與1,2-萘醌二疊氮化合物的相容性係優異的，這可以防止敏感性過度降低同時獲得更有利的透明度的固化膜。衍生自具有芳基的矽烷化合物的結構單元可以是衍生自具有上式2（其中R3 係芳基）的矽烷化合物、較佳的是具有上式1（其中n係1並且R3 係芳基）的矽烷化合物、特別地具有上式2（其中n係1並且R3 係苯基的矽烷化合物的結構單元（即，T-苯基型矽氧烷結構單元）。
矽氧烷共聚物 (B) 可以包含衍生自由上式2（其中n係0）表示的矽烷化合物的結構單元（即，Q型結構單元）。較佳的是，矽氧烷共聚物 (B) 可以包含基於Si原子莫耳數10至40莫耳%、較佳的是15至35莫耳%的量的衍生自由上式2（其中n係0）表示的矽烷化合物的結構單元。在以上含量範圍內，在圖案形成期間，光敏樹脂組成物可以將其對鹼性水溶液的溶解度維持在適當水平，從而防止由組成物的溶解度降低或溶解度急劇增加而引起的任何缺陷。
如本文中使用的術語「基於Si原子莫耳數的莫耳%」係指特定結構單元中包含的Si原子的莫耳數相對於構成矽氧烷聚合物的所有結構單元中包含的Si原子的總莫耳數的百分比。
矽氧烷聚合物 (B) 中矽氧烷單元的莫耳量可以藉由Si-NMR、1 H-NMR、13 C-NMR、IR、TOF-MS、元素分析、灰分測量等的組合來測量。例如，為了測量具有苯基的矽氧烷單元的莫耳量，在整個矽氧烷聚合物上進行Si-NMR分析，隨後進行對結合苯基的Si峰面積和未結合苯基的Si峰面積的分析。然後可以藉由兩者之間的峰面積比率計算莫耳量。
矽氧烷共聚物 (B) 可以以基於100重量份的丙烯酸類共聚物 (A)、基於固體含量（不包括溶劑）的1至400重量份、較佳的是2至200重量份、更較佳的是5至80重量份的量使用。在以上範圍內，適當地控制顯影性，這在膜保留率和解析度方面係有利的。(C) 基於 1,2- 醌二疊氮的化合物
根據本發明的正型光敏樹脂組成物可以包含基於1,2-醌二疊氮的化合物 (C)。
基於1,2-醌二疊氮的化合物可以是在光致抗蝕劑領域中用作光敏劑的化合物。
基於1,2-醌二疊氮的化合物的實例包括酚類化合物與1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸或1,2-苯醌二疊氮-5-磺酸的酯；酚類化合物與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸或1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸的酯；其中羥基被胺基取代的酚類化合物與1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸或1,2-苯醌二疊氮-5-磺酸的磺醯胺；其中羥基被胺基取代的酚類化合物與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸或1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸的磺醯胺。以上化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
酚類化合物的實例包括2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,3,3',4-四羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、雙(2,4-二羥苯基)甲烷、雙(對羥苯基)甲烷、三(對羥苯基)甲烷、1,1,1-三(對羥苯基)乙烷、雙(2,3,4-三羥苯基)甲烷、2,2-雙(2,3,4-三羥苯基)丙烷、1,1,3-三(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯基丙烷、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基]伸乙基]雙酚、雙(2,5-二甲基-4-羥苯基)-2-羥苯基甲烷、3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚-5,6,7,5',6',7'-己醇、2,2,4-三甲基-7,2',4'-三羥基黃烷等。
基於1,2-醌二疊氮的化合物的更具體實例包括2,3,4-三羥基二苯甲酮與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸的酯、2,3,4-三羥基二苯甲酮與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸的酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基] 伸乙基]雙酚與1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸的酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥苯基]-1-甲基乙基]苯基] 伸乙基]雙酚與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸的酯等。
以上化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
如果使用以上示例的較佳的化合物，則可以增強光敏樹脂組成物的透明度。
基於1,2-醌二疊氮的化合物 (C) 可以以基於100重量份的丙烯酸類共聚物 (A)、基於固體含量的2至30重量份、較佳的是5至25重量份的量使用。在以上含量範圍內，更容易形成圖案，並且有可能防止在形成經塗覆的膜時如其粗糙表面的缺陷以及在顯影時在圖案的底部部分出現的如浮渣的圖案形狀，並且有可能確保優異的透射率。(D) 溶劑
本發明的正型光敏樹脂組成物可以以液體組成物（其中以上組分與溶劑混合）的形式製備。溶劑可以是例如有機溶劑。
根據本發明的正型光敏樹脂組成物中的溶劑的量不受特別限制。例如，可以使用溶劑以使得基於組成物的總重量固體含量為10至70重量%、較佳的是15至60重量%。
術語固體含量係指構成組成物的組分，不包括溶劑。如果溶劑的量在以上範圍內，則可以容易地進行組成物的塗覆，並且可以將其流動性維持在適當水平。
本發明的溶劑不受特別限制，只要它可以溶解上述組分並且是化學穩定的。例如，溶劑可以是醇、醚、二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、丙二醇烷基醚丙酸酯、芳族烴、酮、酯等。
溶劑的具體實例包括甲醇、乙醇、四氫呋喃、二㗁𠮿、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇二甲醚、乙二醇二***、丙二醇二甲醚、丙二醇二***、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丙醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇***乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇丁醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮、γ-丁內酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、2-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等。
以上中較佳的是乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、酮等。特別地，較佳的是二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇甲醚乙酸酯、2-甲氧基丙酸甲酯、γ-丁內酯、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。
以上示例的溶劑可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。(E) 環氧化合物
在根據本發明的正型光敏樹脂組成物中，環氧化合物可附加地與矽氧烷共聚物 (B) 一起使用以便增加矽氧烷黏合劑（即，矽氧烷共聚物）的內部密度，以從而改善有待由其製備的固化膜的耐化學性。
環氧化合物可以是含有至少一個環氧基的不飽和單體的同源寡聚體或異源寡聚體。
含有至少一個環氧基的不飽和單體的實例可以包括（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、4-羥丁基丙烯酸酯縮水甘油醚、（甲基）丙烯酸3,4-環氧丁酯、（甲基）丙烯酸4,5-環氧戊酯、（甲基）丙烯酸5,6-環氧己酯、（甲基）丙烯酸6,7-環氧庚酯、（甲基）丙烯酸2,3-環氧環戊酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧環己酯、丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丙基縮水甘油酯、丙烯酸α-正丁基縮水甘油酯、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲基苄基)丙烯醯胺、N-(4-(2,3-環氧丙氧基)-3,5-二甲基苯基丙基)丙烯醯胺、烯丙基縮水甘油醚、2-甲基烯丙基縮水甘油醚、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、及其混合物。較佳的是，可以使用甲基丙烯酸縮水甘油酯。
環氧化合物可以藉由本領域眾所周知的任何方法合成。
可商購的環氧化合物的實例可以是GHP03（甲基丙烯酸縮水甘油酯均聚物，美源商事株式會社（Miwon Commercial Co., Ltd.））。
環氧化合物 (E) 可以進一步包含以下結構單元。
其具體實例可以包括任何衍生自以下項的結構單元：苯乙烯；具有烷基取代基的苯乙烯，如甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、三乙基苯乙烯、丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、庚基苯乙烯和辛基苯乙烯；具有鹵素的苯乙烯，如氟苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯和碘苯乙烯；具有烷氧基取代基的苯乙烯，如甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯和丙氧基苯乙烯；乙醯基苯乙烯，如對羥基-α-甲基苯乙烯；具有芳族環的乙烯式不飽和化合物，如二乙烯基苯、乙烯基苯酚、鄰乙烯基苄基甲醚、間乙烯基苄基甲醚和對乙烯基苄基甲醚；不飽和羧酸酯，如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸二甲基胺基乙酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸三級丁酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（甲基）丙烯酸羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-氯丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸甘油酯、α-羥甲基丙烯酸甲酯、α-羥甲基丙烯酸乙酯、α-羥甲基丙烯酸丙酯、α-羥甲基丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸2-甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇（甲基）丙烯酸酯、聚(乙二醇)甲醚（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸2-苯氧基乙酯、苯氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、對壬基苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸四氟丙酯、（甲基）丙烯酸1,1,1,3,3,3-六氟異丙酯、（甲基）丙烯酸八氟戊酯、（甲基）丙烯酸十七氟癸酯、（甲基）丙烯酸三溴苯酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊氧基乙酯和（甲基）丙烯酸二環戊烯氧基乙酯；具有N-乙烯基的三級胺，如N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基咔唑和N-乙烯基𠰌啉；不飽和醚，如乙烯基甲醚和乙烯基***；不飽和醯亞胺，如N-苯基馬來醯亞胺、N-(4-氯苯基)馬來醯亞胺、N-(4-羥苯基)馬來醯亞胺和N-環己基馬來醯亞胺。衍生自以上示例的化合物的結構單元可單獨或以其兩種或更多種的組合包含在環氧化合物 (E) 中。
考慮到聚合性，可以較佳的是以上化合物中的基於苯乙烯的化合物。
特別地，在耐化學性方面更較佳的是環氧化合物 (E) 由於未使用以上中的衍生自含有羧基的單體的結構單元而不含有羧基。
結構單元可以以基於構成環氧化合物 (E) 的結構單元的總莫耳數的0至70莫耳%、較佳的是10至60莫耳%的量使用。在以上含量範圍內，在膜強度方面可能是更有利的。
環氧化合物 (E) 的重均分子量可以較佳的是100至30,000 Da。其重均分子量可更較佳的是1,000至15,000 Da。如果環氧化合物的重均分子量為至少100 Da，則固化膜的硬度可能更有利。如果它為30,000 Da或更少，則固化膜可以具有均勻的厚度，該厚度適合用於平坦化其上的任何步驟。
在本發明的正型光敏樹脂組成物中，環氧化合物 (E) 可以以基於100重量份的丙烯酸類共聚物 (A)、基於固體含量的0至40重量份、較佳的是5至25重量份的量使用。在以上含量範圍內，光敏樹脂組成物的耐化學性和黏附性可以是更有利的。(F) 矽烷化合物
本發明的正型光敏樹脂組成物可以包含至少一種由以下式3表示的矽烷化合物，特別地T型和/或Q型矽烷單體，以由此在後加工中的處理期間藉由減少與環氧化合物（例如環氧低聚物）相關聯的矽氧烷共聚物中的高反應性矽醇基團（Si-OH）來增強耐化學性。
[式3] (R5 )n Si(OR6 )4-n
在上式3中，n係0至3的整數，R5 各自獨立地是C1-12 烷基、C2-10 烯基、C6-15 芳基、3員至12員雜烷基、4員至10員雜烯基、或6員至15員雜芳基，並且R6 各自獨立地是氫、C1-6 烷基、C2-6 醯基、或C6-15 芳基，其中該雜烷基、該雜烯基、和該雜芳基各自獨立地具有至少一個選自由O、N和S組成之群組的雜原子。
其中R5 具有雜原子的結構單元的實例包括醚、酯、和硫化物。
根據本發明，該化合物可以是四官能矽烷化合物（其中n係0）、三官能矽烷化合物（其中n係1）、雙官能矽烷化合物（其中n係2）、或單官能矽烷化合物（其中n係3）。
矽烷化合物的具體實例可以包括，例如，作為四官能矽烷化合物，四乙醯氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、四苄氧基矽烷、和四丙氧基矽烷；作為三官能矽烷化合物，甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、d3 -甲基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1-(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、4-羥基-5-(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三甲氧基矽烷、[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲氧基]丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、和3-三甲氧基矽基丙基琥珀酸；作為雙官能矽烷化合物，二甲基二乙醯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基二甲氧基甲基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-巰基丙基二甲氧基甲基矽烷、環己基二甲氧基甲基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、和二甲氧基二-對甲苯基矽烷；以及作為單官能矽烷化合物，三甲基矽烷、三丁基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三丁基乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基甲氧基矽烷、和(3-縮水甘油氧基丙基)二甲基乙氧基矽烷。
在四官能矽烷化合物之中較佳的是四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、和四丁氧基矽烷；在三官能矽烷化合物之中較佳的是甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、和2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷；在雙官能矽烷化合物之中較佳的是二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、和二甲基二乙氧基矽烷。
該等矽烷化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
矽烷化合物 (F) 可以以基於100重量份的丙烯酸類共聚物 (A)、基於固體含量的0至20重量份、較佳的是4至12重量份的量使用。在以上含量範圍內，可以進一步增強有待形成的固化膜的耐化學性。(G) 表面活性劑
如果需要，本發明的正型光敏樹脂組成物可以進一步包含表面活性劑以增強其塗覆性。
表面活性劑的種類不受限制。其實例可以包括基於氟的表面活性劑、基於矽的表面活性劑、非離子表面活性劑等。
表面活性劑 (G) 的具體實例可包括基於氟和基於矽的表面活性劑，如由道康寧東麗株式會社（Dow Corning Toray Co., Ltd.）供應的FZ-2122，由BM化學公司（BM CHEMIE Co., Ltd.）供應的BM-1000和BM-1100，由大日本油墨化學工業株式會社（Dai Nippon Ink Chemical Kogyo Co., Ltd.）供應的Megapack F-142 D、F-172、F-173和F-183，由住友3M株式會社（Sumitomo 3M Ltd.）供應的Florad FC-135、FC-170 C、FC-430和FC-431，由旭硝子株式會社（Asahi Glass Co., Ltd.）供應的Sufron S-112、S-113、S-131、S-141、S-145、S-382、SC-101、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105和SC-106，由島旭株式會社（Shinakida Kasei Co., Ltd.）供應的Eftop EF301、EF303和EF352，由東麗矽株式會社（Toray Silicon Co., Ltd.）供應的SH-28 PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428、DC-57和DC-190；非離子表面活性劑，如聚氧乙烯烷基醚，包括聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯硬脂醚、聚氧乙烯油醚等；聚氧乙烯芳基醚，包括聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等；以及聚氧乙烯二烷基酯，包括聚氧乙烯二月桂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯等；以及有機矽氧烷聚合物KP341（由信越化學工業株式會社（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.）製造）、基於（甲基）丙烯酸酯的共聚物Polyflow No.57和95（由共榮社化學株式會社（Kyoei Yuji Chemical Co., Ltd.）製造）等。它們可以單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
表面活性劑 (G) 可以以基於光敏樹脂組成物的總重量的0.001至5重量份、較佳的是0.05至2重量份的量使用。在以上範圍內，組成物的塗覆順利地進行。(H) 黏附補充劑
本發明的光敏樹脂組成物可以進一步包含黏附補充劑以增強與基板的黏附性。
黏附補充劑可以具有選自以下群組的至少一個反應性基團，該群組由以下組成：羧基、（甲基）丙烯醯基、異氰酸酯基、胺基、巰基、乙烯基和環氧基。
黏附補充劑的種類不受特別限制。它可以是選自以下群組中的至少一種，該群組由以下組成：三甲氧基矽基苯甲酸、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷和β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷。較佳的是能夠提高膜保留率並且與基板的黏附性係優異的γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷或N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷。
黏附補充劑 (H) 可以以基於光敏樹脂組成物的總重量的0至5重量份、較佳的是0.001至2重量份的量使用。在以上範圍內，可以進一步增強與基板的黏附性。
另外，本發明的光敏樹脂組成物可以進一步包含其他添加劑，只要不對光敏樹脂組成物的物理特性造成不利影響。
根據本發明的光敏樹脂組成物可以用作正型光敏樹脂組成物。
特別地，本發明的正型光敏樹脂組成物包含丙烯酸類共聚物，其具有可以在聚合物中自由旋轉的官能基，由此可以進一步增強敏感性。
本發明提供了一種由光敏樹脂組成物形成的固化膜。
可以藉由本領域已知的方法形成固化膜，例如，其中將光敏樹脂組成物塗覆在基板上並且然後固化的方法。
更具體地，在固化步驟中，可以在例如60ºC至130ºC的溫度下使塗覆在基板上的光敏樹脂組成物經受預烘烤以除去溶劑；然後使用具有所希望圖案的光掩模曝光；並且使用顯影劑，例如四甲基氫氧化銨（TMAH）溶液使其經受顯影，以在塗層上形成圖案。此後，如果需要，例如在150ºC至300ºC的溫度下使圖案化的塗層經受後烘烤持續10分鐘至5小時以製備所希望的固化膜。可以在200至500 nm的波段中基於365 nm的波長以10至200 mJ/cm2 的曝光速率進行曝光。根據本發明的方法，從該方法的觀點來看，有可能容易地形成所希望的圖案。
將光敏樹脂組成物塗覆到基板上可以藉由旋塗法、狹縫塗覆法、輥塗法、網版印刷法、敷抹器法等以所希望的厚度（例如2至25 µm）進行。另外，可以使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈、氬氣雷射器等作為用於曝光（照射）的光源。如果需要，還可以使用X射線、電子射線等。
本發明的光敏樹脂組成物能夠形成固化膜，其在耐熱性、透明度、介電常數、耐溶劑性、耐酸性、和耐鹼性方面係優異的。因此，當使如此形成的本發明的固化膜經受熱處理或者將其浸入溶劑、酸、鹼等中或使其與溶劑、酸、鹼等接觸時，該固化膜具有優異的透光率，無表面粗糙度。因此，固化膜可以有效地用作用於液晶顯示器或有機EL顯示器的薄膜電晶體（TFT）基板的平坦化膜；有機EL顯示器的分區；半導體裝置的層間電介質；光波導的芯或包覆材料，等等。此外，本發明提供了包含固化膜作為保護膜的電子零件。 具體實施方式
在下文中，將參照以下實例更詳細地描述本發明。然而，提供該等實例以說明本發明，並且本發明的範圍不僅限於此。
在以下合成實例中，重均分子量藉由凝膠滲透層析法（GPC，洗脫液：四氫呋喃）參照聚苯乙烯標準品來確定。合成實例 1 ：丙烯酸類共聚物 (A-1) 的合成
向配備有冷卻管和攪拌器的燒瓶中裝入200重量份的作為溶劑的丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA），並將溶劑的溫度升至70ºC同時緩慢攪拌溶劑。隨後，向其中添加20.3重量份的苯乙烯（Sty）、29.3重量份的甲基丙烯酸甲酯（MMA）、20.8重量份的甲基丙烯酸縮水甘油酯（GMA）、17.6重量份的甲基丙烯酸（MAA）和12.0重量份的丙烯酸甲酯（MA）。然後，在5小時內向其中逐滴地添加作為自由基聚合引發劑的3重量份的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)以進行聚合反應。如此獲得的共聚物（固體含量：32重量%）的重均分子量係9,000至11,000 Da。合成實例 2 至 5 ：丙烯酸類共聚物 (A-2 至 A-5) 的合成
以與實例1中相同的方式各自獲得丙烯酸類共聚物 (A-2至A-5)，除了如下表1中示出的對各自組分的種類和含量進行改變。
[表1] 合成實例 6 ：矽氧烷聚合物 (B) 的合成
向配備有回流冷凝器的反應器中裝入20重量份的苯基三甲氧基矽烷、30重量份的甲基三甲氧基矽烷、20重量份的四乙氧基矽烷和15重量%的純化水，隨後添加15重量%的丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA，Chemtronics公司），將其在回流下在0.1重量%的草酸催化劑的存在下攪拌6小時。然後，將混合物冷卻並用PGMEA稀釋，使得固體含量為30%，從而獲得矽氧烷聚合物 (B)。作為GPC分析的結果，參比聚苯乙烯，聚合物的重均分子量為9,000至15,000 Da。合成實例 7 ：環氧化合物 (E) 的製備
將三頸燒瓶配備冷卻管，並放置在配備有恒溫器的攪拌器上。向燒瓶中裝入100重量份的由100莫耳%的甲基丙烯酸縮水甘油酯構成的單體、10重量份的2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)和100重量份的丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA），隨後向其中裝入氮氣。此後，將溶液的溫度升至80ºC同時將其緩慢攪拌，並且將該溫度維持5小時。然後，添加PGMEA使得固體含量為20重量%，從而獲得具有3,000至6,000 Da的重均分子量的環氧化合物。實例和對比實例：光敏樹脂組成物的製備
使用以上合成實例中製備的化合物製備以下實例和對比實例的光敏樹脂組成物。
以下實例和對比實例中使用的組分如下。
[表2] 實例 1 ：光敏樹脂組成物的製備
將合成實例1的基於光敏樹脂組成物（不包括餘量的溶劑）的總重量的57.92重量%的丙烯酸類共聚物 (A-1)、合成實例6的基於100重量份的丙烯酸類共聚物（基於固體含量）的45.45重量份的矽氧烷共聚物 (B)、合成實例7的基於100重量份的丙烯酸類共聚物（基於固體含量）的6.06重量份的環氧化合物 (E)、基於100重量份的丙烯酸類共聚物（基於固體含量）的20.72重量份的1,2-醌二疊氮化合物 (C) 以及基於100重量份的丙烯酸類共聚物（基於固體含量）的0.24重量份的表面活性劑 (G) 均勻混合並在作為溶劑 (D) 的PGMEA中溶解3小時，使得固體含量為22%。將其通過具有0.2 µm孔徑的膜濾器過濾，以獲得具有22重量%固體含量的組成物溶液。實例 2 至 4 以及對比實例 1
以與實例1中相同的方式各自製備光敏樹脂組成物溶液，除了如下表3中示出的對各自組分的種類和/或含量進行改變。
[表3] 測試實例 1 ：敏感性的評價
將實例和對比實例中製備的組成物各自藉由旋塗塗覆到玻璃基板上。然後將塗覆的基板在保持在105ºC的熱板上預烘烤105秒以除去溶劑，從而形成乾膜。將具有方孔的圖案的尺寸在1 µm至30 µm的掩模放置在乾燥膜上。然後使用發射波長為200 nm至450 nm的光的對準器（型號名稱：MA6）將膜曝光。在此種情況下，基於曝光，掩膜與基板之間的間隙為25 µm，並且基於365 nm的波長以0至200 mJ/cm2 的曝光速率將曝光進行一定時間段（即漂白步驟）。然後在23ºC下通過攪拌噴嘴用顯影劑使其顯影80秒，該顯影劑為2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液。然後，使用發射波長為200 nm至450 nm的光的對準器（型號名稱：MA6），基於365 nm的波長以40 mJ/cm2 和80 mJ/cm2 的曝光速率將經顯影的膜曝光一定時間段（即漂白步驟）。將曝光的膜在對流烘箱中在230ºC下加熱30分鐘，以製備具有3.5 µm厚度的固化膜。對於在以上程序中按照10 µm的掩膜尺寸所形成的孔圖案，測量了用於獲得10 µm的臨界尺寸（CD，單位：µm）的曝光能量的量。該值（mJ/cm2 ）越低，敏感性越好。測試實例 2 ：圖案化的孔圖案中的 CD 尺寸的評價
將實例和對比實例中製備的組成物各自藉由旋塗塗覆到玻璃基板上。然後將塗覆的基板在保持在105ºC的熱板上預烘烤105秒以除去溶劑，從而形成乾膜。通過具有方孔的圖案的尺寸在1 µm至30 µm的掩模，使用發射波長為200 nm至450 nm的光的對準器（型號名稱：MA6），基於365 nm的波長以0至200 mJ/cm2 的曝光速率將乾燥膜曝光一定時間段。在此種情況下，基於曝光，掩膜與基板之間的間隙為25 µm（即，漂白步驟）。然後在23ºC下通過攪拌噴嘴用顯影劑使其顯影80秒，該顯影劑為2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液。然後，使用發射波長為200 nm至450 nm的光的對準器（型號名稱：MA6），基於365 nm的波長以40 mJ/cm2 和80 mJ/cm2 的曝光速率將經顯影的膜曝光一定時間段（即漂白步驟）。將曝光的膜在對流烘箱中在230ºC下加熱30分鐘，以製備具有3.5 µm厚度的固化膜。對於在以上程序中按照10 µm的掩膜尺寸所形成的孔圖案，對CD的尺寸進行了測量。10 µm的孔尺寸越大，敏感性越快。
[表4]
如表4中示出的，實例的組成物（落入本發明的範圍內）在敏感性方面係快速且優異的，而對比實例的組成物（落入本發明的範圍外）在敏感性方面係差的。
無
無
無

Claims (7)

  1. 一種正型光敏樹脂組成物，其包含：(A)丙烯酸類共聚物；(B)矽氧烷共聚物；和(C)1,2-醌二疊氮化合物，其中該丙烯酸類共聚物(A)包含由以下式1表示的結構單元(a-1)：
    Figure 108143366-A0305-02-0034-1
     在上式1中，R1係C1-4烷基，其中，該丙烯酸類共聚物(A)以基於光敏樹脂組成物的總重量、基於不包括溶劑之固體含量的10至90重量%的量使用，其中，該矽氧烷共聚物(B)以基於100重量份的該丙烯酸類共聚物(A)、基於固體含量的1至400重量份的量使用，以及其中，該基於1,2-醌二疊氮的化合物(C)以基於100重量份的該丙烯酸類共聚物(A)、基於固體含量的2至30重量份的量使用。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之正型光敏樹脂組成物，其中，該丙烯酸類共聚物(A)進一步包含由以下式1-1表示的結構單元(a-2)：[式1-1]
    Figure 108143366-A0305-02-0035-4
     在上式1-1中，Ra和Rb各自獨立地是C1-4烷基。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之正型光敏樹脂組成物，其中，該結構單元(a-1)和該結構單元(a-2)具有1：99至80：20的含量比。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之正型光敏樹脂組成物，其中，該丙烯酸類共聚物(A)包含基於該丙烯酸類共聚物(A)的總重量5至30重量%的量的衍生自乙烯式不飽和羧酸、乙烯式不飽和羧酸酐或其組合的結構單元(a-3)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之正型光敏樹脂組成物，其中，該矽氧烷共聚物(B)包含衍生自由以下式2表示的矽烷化合物的結構單元：[式2](R3)nSi(OR4)4-n在上式2中，n係0至3的整數；R3各自獨立地是C1-12烷基、C2-10烯基、C6-15芳基、3員至12員雜烷基、4員至10員雜烯基、或6員至15員雜芳基，並且R4各自獨立地是氫、C1-6烷基、C2-6醯基、或C6-15芳基，其中該雜烷基、該雜烯基、和該雜芳基各自獨立地具有至少一個選自由O、N和S組成之群組的雜原子。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之正型光敏樹脂組成物，其進一步包含環氧化合物。
  7. 一種固化膜，其由如申請專利範圍第1項所述之正型光敏樹脂組成物製備。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200081889A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381247B (zh) * 2004-11-26 2013-01-01 Toray Industries 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
TW201504764A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Chi Mei Corp 光硬化性聚矽氧烷組成物及其應用
TW201544899A (zh) * 2014-04-22 2015-12-01 Zeon Corp 放射線感應性樹脂組合物、樹脂膜以及電子元件
TW201829553A (zh) * 2016-10-05 2018-08-16 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6444408B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-03 International Business Machines Corporation High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists
EP1343048A3 (en) * 2002-03-08 2004-01-14 JSR Corporation Anthracene derivative and radiation-sensitive resin composition
CN100535749C (zh) * 2002-10-23 2009-09-02 Az电子材料（日本）株式会社 化学增强正性光敏树脂组合物
JP4934353B2 (ja) * 2005-06-10 2012-05-16 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド ネガティブ感光性樹脂組成物
JP5099140B2 (ja) 2007-08-24 2012-12-12 東レ株式会社 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5451570B2 (ja) * 2009-10-16 2014-03-26 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
JP5676179B2 (ja) * 2010-08-20 2015-02-25 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
KR102183741B1 (ko) * 2013-01-15 2020-11-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102172818B1 (ko) * 2013-04-08 2020-11-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
US10409163B2 (en) * 2014-09-30 2019-09-10 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, cured film, element provided with cured film, and method for manufacturing semiconductor device
KR102375191B1 (ko) * 2015-01-05 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6684818B2 (ja) * 2015-10-21 2020-04-22 昭和電工株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP7058214B2 (ja) * 2015-11-06 2022-04-21 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド 感光性樹脂組成物及びそれから調製される硬化膜
KR20180118614A (ko) * 2016-01-20 2018-10-31 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2017173741A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 感光性シロキサン組成物
KR102310794B1 (ko) * 2016-05-19 2021-10-12 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102472280B1 (ko) * 2016-08-19 2022-12-01 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20190081079A (ko) * 2017-12-29 2019-07-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막
KR20190136248A (ko) * 2018-05-30 2019-12-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막
KR20210001705A (ko) * 2019-06-28 2021-01-06 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20210001704A (ko) * 2019-06-28 2021-01-06 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20220093540A (ko) * 2020-12-28 2022-07-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381247B (zh) * 2004-11-26 2013-01-01 Toray Industries 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
TW201504764A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Chi Mei Corp 光硬化性聚矽氧烷組成物及其應用
TW201544899A (zh) * 2014-04-22 2015-12-01 Zeon Corp 放射線感應性樹脂組合物、樹脂膜以及電子元件
TW201829553A (zh) * 2016-10-05 2018-08-16 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜

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Publication number Publication date
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