TWI824281B - 顯影裝置及顯影方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的顯影裝置包括：搬送部，將表面具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板以光致抗蝕劑膜朝上的方式水平搬送；一次供給部，向基板的上表面供給顯影液並用顯影液的液膜進行覆蓋；以及二次供給部，在基板的搬送方向上較液膜形成部更靠下游側，向所搬送的基板的上表面追加供給顯影液。二次供給部包括：二次供給噴嘴，具有對基板的上表面噴出顯影液的液體噴出口；以及氣體噴射噴嘴，從在較一次供給部更靠下游側且較液體噴出口更靠上游側與液體噴出口近接配置的氣體噴出口朝向基板上的液膜噴射氣體，形成沿寬度方向延伸的氣簾。在對形成於基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影時，進行顯影液的追加供給，由此可實現顯影處理的面內均勻性的進一步提高。

Description

顯影裝置及顯影方法
本發明涉及一種利用顯影液對基板進行顯影的顯影方法及顯影裝置。作為對象的基板為液晶顯示裝置用玻璃基板、半導體晶圓、電漿顯示器（plasma display，PDP）用玻璃基板、光罩幕用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄盤用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等各種基板。
在基板的製造步驟中，大多使用通過光微影術來形成圖案的基板處理技術。所述基板處理技術中的基本步驟為成膜步驟、塗佈步驟、曝光步驟、顯影步驟及蝕刻步驟。這些步驟中，顯影步驟為通過對積層有薄膜與經曝光處理的光致抗蝕劑層的基板供給顯影液來對光致抗蝕劑層進行顯影並形成罩幕圖案的步驟。
例如，在日本專利特開2018-120976號公報（專利文獻1）中記載的顯影裝置中，通過對以光致抗蝕劑膜朝上的方式水平搬送的基板均勻地供給顯影液來對光致抗蝕劑膜進行顯影。對於與其他部位相比需要高顯影能力的部分，通過局部追加供給顯影液而實現顯影處理的面內均勻性的提高。
[發明所要解決的問題] 在所述先前技術中，僅在與基板的搬送方向正交的寬度方向上的一部分範圍內進行顯影液的追加供給。然而，關於所述顯影液的追加供給，認為例如遍及整個寬度方向均勻地進行也有效。其理由如以下所述。隨著顯影進行而有如下現象：因光致抗蝕劑材料或空氣中的氧溶解於覆蓋基板的顯影液的液膜中而顯影液的顯影能力降低。所述情況成為顯影處理的面內均勻性降低的一個原因。其在基板上的任意位置均可產生。因此，通過遍及所搬送的基板的寬度方向均勻地追加供給顯影液來增補所述顯影能力的降低，可期待處理的均勻性提高。
本發明是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種可通過在對形成於基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影的技術中進行顯影液的追加供給來實現顯影處理的面內均勻性的進一步提高的技術。 [解決問題的技術手段]
本發明的一形態是一種顯影裝置，其包括：搬送部，一邊將表面具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢，一邊沿水平方向搬送；一次供給部，向被所述搬送部支撐的所述基板的上表面供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面；以及二次供給部，在所述基板的搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側向所搬送的所述基板的上表面追加供給所述顯影液。此處，所述二次供給部包括：二次供給噴嘴，具有對所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口；以及阻斷部，在所述搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側且較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置，限制搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側。
另外，本發明的另一形態是一種顯影方法，其中，利用顯影液對經曝光的基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影，且所述顯影方法包括：對以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢的所述基板的上表面一次供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面的步驟；將形成有所述液膜的所述基板沿水平方向搬送的步驟；以及從配置於所搬送的所述基板的上方的二次供給噴嘴的液體噴出口對所述基板的上表面噴出所述顯影液的步驟。而且，在所述搬送方向上較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置的阻斷部限制搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側。
在以下的說明中，在簡稱為“上游側”的情況下，是指基板的搬送方向上的上游側。另外，在簡稱為“下游側”的情況下，是指基板的搬送方向上的下游側。在從所搬送的基板觀察的情況下，其下游側端部相當於搬送方向上的前端部。另外，上游側端部相當於搬送方向上的後端部。
在如上所述那樣構成的發明中，對被由一次供給的顯影液形成的液膜覆蓋的基板進行追加的顯影液的供給（二次供給）。由此，進一步促進液膜中的顯影，可期待處理的均勻性提高。然而，根據本申請發明人的見解，僅僅進行顯影液的二次供給時，無法發現充分的改善。特別是沿著搬送方向的方向上的均勻性的改善效果小。認為其由以下的理由所致。
當向覆蓋基板的顯影液的液膜二次供給顯影液時，新的顯影液的成分在液膜中擴散。因此，認為顯影能力的恢復效果不僅波及到追加供給位置的液膜，而且也波及到其周圍的液膜。在一邊搬送基板一邊進行二次供給的情況下，當在搬送方向上的基板的前端部與後端部進行比較時，在前端部附近僅向原本已形成液膜的已存的顯影液追加新的顯影液，相對於此，在後端部附近對已受到由之前的二次供給帶來的影響的已存的顯影液進行顯影液的進一步追加。認為所述情況成為搬送方向上的處理的不均勻性、即在靠近基板的前端的一側與靠近後端的一側之間處理結果產生差的原因之一。
因此，在本發明中，在較進行顯影液的二次供給的位置更靠上游側設置阻斷部。由此，限制搬送至與液體噴出口的相向位置的液膜的厚度，並且抑制從液體噴出口供給至基板的顯影液流向搬送方向上的上游側。由此，可抑制二次供給的顯影液擴展至上游側、即基板的後端部側。因此，可改善如上所述的搬送方向上的處理的不均勻性。另外，通過在即將二次供給顯影液之前減低液膜的厚度，可抑制已存的顯影液混入至二次供給的顯影液中的比率。由此，可有效地利用二次供給的顯影液所具有的高顯影能力。如上所述，阻斷部具有阻斷形成於基板上的液膜與新供給的顯影液的往來的功能。 本發明的一形態是一種顯影方法，利用顯影液對經曝光的基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影，且所述顯影方法包括：向以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢的所述基板的上表面一次供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面的步驟；將形成有所述液膜的所述基板在水平方向搬送的步驟；朝向所搬送的所述基板上的所述液膜噴射氣體，形成在與所述基板的搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾的步驟；以及對噴吹過所述氣體的所述基板的上表面二次供給所述顯影液的步驟；並且使所述氣體對於一所述基板的噴射量經時變化。 [發明的效果]
如以上所述，在本發明中，當對形成於基板上的顯影液的液膜二次供給顯影液時，在其上游側減低搬送至二次供給顯影液的位置的液膜的厚度且抑制二次供給的顯影液流出至上游側。通過此種結構，能夠實現顯影處理的面內均與性的進一步提高。
＜第一實施方式＞ 圖1A及圖1B是表示本發明的顯影裝置的第一實施方式的圖。更具體而言，圖1A是表示本實施方式的顯影裝置1的概略結構的平面圖，圖1B是顯影裝置1的側面剖面圖。為了統一表示以下各圖中的方向，如圖1A所示那樣設定XYZ正交坐標系。此處，XY平面表示水平面，Z方向表示鉛垂方向。（-Z）方向為重力方向。
所述顯影裝置1為一邊在框體2的內部沿搬送方向X搬送在前步驟中受到處理的基板S，一邊依序進行第一顯影部3中的顯影處理、第二顯影部4中的顯影處理、淋洗部5中的淋洗處理及乾燥部6中的乾燥處理的基板處理裝置。作為基板S，例如可應用半導體基板或光罩幕用、顯示裝置用、太陽電池用等面向各種用途的玻璃基板等。出於對被這些基板的表面擔載的曝光完畢的光致抗蝕劑膜進行顯影的目的，可使用所述顯影裝置1。但是，基板的種類或用途並不特別限定於這些。
在框體2的中間部設置有三個隔板21～隔板23，通過這些隔板而將框體2的內部劃分為四個處理空間。另外，在各隔板21～隔板23的中央部設置有用於搬送基板S的搬送通路口24。通過這些搬送通路口24，四個處理空間在搬送方向X上連通。在這些處理空間中位於最上游的處理空間內配置有第一顯影部3，另外，在從最上游側起位於第二個的處理空間內配置有第二顯影部4。進而，在位於第三個及第四個的處理空間內分別配置有淋洗部5及乾燥部6。
另外，在框體2中，在搬送方向X上的上游側端部設置有用於搬入由曝光裝置（省略圖示）處理過的基板S的搬入口25。另一方面，在下游側端部設置有用於將受到所述顯影處理、淋洗處理及乾燥處理的基板S搬出至下一處理裝置（例如，進行顯影處理後的後烘烤處理的後烘烤部或蝕刻裝置）的搬出口26。
另外，在框體2的內部設置有用於經由搬入口25、搬送通路口24及搬出口26來搬送基板S的基板搬送部7。所述基板搬送部7具有多個搬送輥71及驅動搬送輥71的搬送驅動機構72。如圖1B所示，多個搬送輥71沿著將搬入口25、搬送通路口24及搬出口26連結的搬送路徑隔開規定間隔地排列。各搬送輥71包含沿與搬送方向X正交的水平方向、即基板S的寬度方向Y延伸的旋轉軸711及中心部固定於所述旋轉軸的多個車輪712。多個車輪712在寬度方向Y上隔開規定間隔地排列於旋轉軸711上，能夠從下面側支撐基板S。
各旋轉軸711與搬送驅動機構72連結。而且，當搬送驅動機構72的驅動馬達（省略圖示）根據來自控制裝置整體的控制部8的動作指令而運行時，所述驅動馬達中所產生的旋轉驅動力被傳遞至旋轉軸711而使車輪712旋轉。因此，如圖1B所示，由車輪712從鉛垂下方支撐的基板S以其表面（積層有薄膜及抗蝕劑膜的面）朝向上方的水平姿勢按第一顯影部3、第二顯影部4、淋洗部5及乾燥部6的順序被搬送。
第一顯影部3包括配置於由搬送輥71搬送的基板S的上方的狹縫噴嘴31、32。狹縫噴嘴31具有沿寬度方向Y延伸設置的噴嘴主體311及在噴嘴主體311的下表面沿寬度方向Y細長延伸的狹縫狀的噴出口312。另外，狹縫噴嘴32具有沿寬度方向Y延伸設置的噴嘴主體321及在噴嘴主體321的下表面沿寬度方向Y細長延伸的狹縫狀的噴出口322。如圖1A所示，在寬度方向Y上，噴嘴主體311、321長於基板S。相對於此，噴出口312、322具有與基板S的寬度尺寸相同程度的寬度。而且，狹縫噴嘴31、32配置成噴出口312、322與基板S的上表面相向。其中，狹縫噴嘴31在上端部朝向（-X）方向傾斜45度的狀態下被保持。關於這樣做的理由，將在下文敘述。
狹縫噴嘴31、32與顯影液供給源81連接。顯影液供給源81根據來自控制部8的噴出指令而將顯影液壓送至狹縫噴嘴31、32。由此，朝向由搬送輥71搬送的基板S，從噴出口312、322遍及寬度方向Y將顯影液供給至基板S。在所述第一顯影部3中，基板S在狹縫噴嘴31、32的下方通過，由此利用表面張力而將顯影液盛於基板S的整個表面。即，形成由顯影液形成的漿狀的液膜。如此從供給顯影液的時點起開始對於基板S上的抗蝕劑膜的顯影處理。然後，如上所述那樣受到利用第一顯影部3進行的顯影處理的基板S被搬送至第二顯影部4。
第二顯影部4包括配置於由搬送輥71搬送的基板S的上方的空氣噴嘴41及狹縫噴嘴42。狹縫噴嘴42具有與狹縫噴嘴31大致同等的結構。即，狹縫噴嘴42具有沿寬度方向Y延伸設置的噴嘴主體421及在噴嘴主體421的下表面沿寬度方向Y細長延伸的狹縫狀的噴出口422。狹縫噴嘴42與顯影液供給源81連接。當顯影液供給源81根據來自控制部8的噴出指令而將顯影液壓送至狹縫噴嘴42時，朝向由搬送輥71搬送的基板S，從噴出口422遍及寬度方向Y將顯影液供給至基板S。
此時，在基板S的上表面已經形成有由顯影液形成的液膜。因此，狹縫噴嘴42具有對基板S上的液膜進一步追加供給顯影液的功能。為了區別這些顯影液供給，將用於利用狹縫噴嘴31、32進行的液膜形成的顯影液供給稱為“一次供給”，將利用狹縫噴嘴42進行的追加顯影液供給稱為“二次供給”。
就減低環境負荷的觀點而言，在第一顯影部3及第二顯影部4中供給至基板S的顯影液中從基板S灑落的顯影液有再次使用的餘地。例如，理想的是經由未圖示的回收路徑來回收灑落的顯影液，去除溶解於液體中的抗蝕劑材料或溶解氧等，實施增補藥劑成分的再生處理，然後返回至顯影液供給源81。
相對於二次供給用的狹縫噴嘴42，在搬送方向X上的上游側、即（-X）側鄰接地配置有通過噴射氣體而作為氣刀發揮功能的空氣噴嘴41。空氣噴嘴41具有沿寬度方向Y以大於基板S的寬度的寬度延伸設置的噴嘴主體411及在其下部朝向基板S的上表面開口的狹縫狀的噴出口412。
空氣噴嘴41經由例如質量流量控制器等流量控制機構84而與空氣供給源83連接。當空氣供給源83根據來自控制部8的控制指令而送出例如乾燥空氣之類的氣體時，氣體經由流量控制機構84而從空氣噴嘴41的噴出口412朝向基板S噴射。噴出口412沿著寬度方向Y以長於基板S的寬度的寬度且呈細長狹縫狀延伸。因此，從噴出口412噴射的氣體在即將從狹縫噴嘴42進行顯影液的二次供給之前的位置形成在Y方向上遍及基板S的整個寬度方向均勻、在X方向上噴出範圍被限制的氣簾。關於這樣做的理由，將在下文詳細說明。
淋洗部5包括配置於由搬送輥71搬送的基板S的上方的狹縫噴嘴（淋洗液噴嘴）51。狹縫噴嘴51具有與第一顯影部3中所採用的狹縫噴嘴31相同的結構。設置於噴嘴主體511的下表面的噴出口512配置成與基板S的表面相向。狹縫噴嘴51與淋洗液供給源82連接。當淋洗液供給源82根據來自控制部8的噴出指令而將淋洗液壓送至狹縫噴嘴51時，朝向由搬送輥71搬送的基板S，從噴出口512遍及寬度方向Y將淋洗液供給至基板S。通過供給所述淋洗液，附著於基板S的表面上的顯影液與所溶解的抗蝕劑成分一起被沖洗，從而停止顯影處理。如此由淋洗液潤濕的基板S被搬送至乾燥部6。
乾燥部6包括一對空氣噴嘴61、62。空氣噴嘴61、62分別配設於搬送輥71的上方側及下方側。另外，空氣噴嘴61、62與空氣供給源83連接。因此，空氣供給源83根據來自控制部8的乾燥指令而運行，將乾燥用空氣壓送至空氣噴嘴61、62。於是，對由搬送輥71搬送的基板S的表面及背面供給簾狀的乾燥用空氣，從而將附著於基板S上的淋洗液去除。如此受到乾燥處理的基板S通過搬送輥71而經由搬出口26從顯影裝置1中搬出。
圖2是表示利用所述顯影裝置進行的顯影處理的概要的流程圖。更具體而言，圖2記述了對投入至顯影裝置1中的一片基板S實施的一系列處理。實際而言，向顯影裝置1中逐片依序投入多片基板S，並對這些基板S並行執行裝置各部中的處理。
當將由前步驟的曝光裝置曝光的基板S搬入至顯影裝置1中時，基板搬送部7開始基板S在X方向上的搬送（步驟S101）。然後，在第一顯影部3中，從狹縫噴嘴31、32進行顯影液的一次供給（步驟S102）。由此，形成有顯影液的液膜P的基板S被搬送至第二顯影部4。在第二顯影部4中，從空氣噴嘴41向基板S上的液膜P噴吹簾狀空氣（步驟S103），之後立即從狹縫噴嘴42進行顯影液的二次供給（步驟S104）。
然後，基板S經過淋洗部5中的淋洗處理（步驟S105）及乾燥部6中的乾燥處理（步驟S106）而被搬出（步驟S107）。由於這些處理內容眾所周知，因此省略說明。
圖3A至圖3D是示意性表示基於顯影液的一次供給進行的液膜形成處理的圖。顯影液的一次供給是通過相互近接配置的狹縫噴嘴31、32來進行。如圖3A所示，上游側的狹縫噴嘴31的上端朝向（-X）側、即基板S的搬送方向上的上游側傾斜，噴嘴主體311的下側的唇面313大致水平。圖3A所示的虛線表示所搬送來的基板S的上表面的高度。根據圖而可知，狹縫噴嘴31配置成其唇面313相對於基板的上表面相對較近接。相對於此，下游側的狹縫噴嘴32以噴出口322朝向下的直立狀態配置。噴出口322與基板上表面的間隙大於狹縫噴嘴31的噴出口312與基板上表面的間隙。
如圖3B所示，在基板S的前端部Sa在狹縫噴嘴31的正下方位置通過的時間點，從狹縫噴嘴31噴出顯影液。所噴出的顯影液通過表面張力的作用而將唇面313與基板S上表面的間隙設為液密狀態。在所述狀態下，將基板S沿X方向搬送，由此在基板S的表面（上表面）形成由顯影液形成的均勻且薄的液膜。通過減小狹縫噴嘴31與基板S的間隙，並將唇面313與基板S的上表面之間設為液密狀態，即便顯影液的噴出量相對較少，也能夠形成均勻的液膜。
如圖3C所示，在基板S的前端部Sa在狹縫噴嘴32的正下方位置通過時，從狹縫噴嘴32供給顯影液。由此，基板S上的液膜的厚度增大。將所述操作繼續至基板S的後端部Sb在狹縫噴嘴32的正下方位置通過為止。由此，如圖3D所示，可在基板S的整個上表面形成均勻且充分厚度的液膜P。
為了供給對於將抗蝕劑膜良好地顯影而言充分量的顯影液，需要使液膜P的厚度適當。然而，為了形成充分厚度的液膜P，當欲從最初供給大量顯影液時，需要預先使噴嘴與基板S的距離相對較大。於是，基板S上的顯影液的流動變大，難以穩定地形成連續且均勻的液膜。如上所述，通過採用如下方法而能夠穩定地形成具有充分厚度的液膜P：利用與基板S近接的狹縫噴嘴31來形成薄的液膜，並通過來自狹縫噴嘴32的液供給來增大液膜的厚度。
如圖3D所示，預先使下游側的狹縫噴嘴32的噴出口322與第二顯影部4的空氣噴嘴41的噴出口412在X方向上的水平距離D大於所述方向上的基板S的長度Lx。於是，可將基板S上的液膜P在保持得靜穩的狀態下搬送。在此期間，基板S上的光致抗蝕劑膜與顯影液持續接觸，由此進行顯影處理。
圖4A、圖4B、圖5A及圖5B是用於說明第二顯影部中的處理的圖。通過在上表面形成有液膜P的狀態下搬送基板S來進行顯影。此時，從基板S游離的抗蝕劑材料或空氣中的氧等逐漸溶解於顯影液中，由此顯影液的顯影能力逐漸降低。此處所述的顯影液的“顯影能力”是表示所述顯影液可去除多少抗蝕劑膜的概念。定量而言，例如能夠由每單位時間可溶解的抗蝕劑的量來表示顯影能力。隨著顯影進行，無法避免抗蝕劑材料或氧的溶解量增大，進而因液溫的降低等而顯影液的顯影能力隨時間降低。
如圖4A所示，認為在靜穩狀態下搬送的基板S上的液膜P具有越是靠近基板S的前端部Sa的一側、即搬送方向上的下游側，顯影能力越降低的分佈。其原因在於：如上所述，在第一顯影部3中，從所搬送的基板S的前端部Sa起依序供給顯影液，因此越是靠近前端部Sa的部分，從供給起經過時間越多。
為了彌補因所述顯影能力的降低而引起的顯影效率的降低，在所述顯影裝置1中，在第二顯影部4中進行顯影液的追加供給（二次供給）。如圖4B所示，在基板S中從狹縫噴嘴42新供給顯影液的部位，如圖4B下部的圖表中實線所示，可期待獲得由新鮮顯影液帶來的高顯影能力。然而，實際而言，如虛線所示，新的顯影液與液膜P中的已存的顯影液混合，由此基板S上的顯影力降低，而且朝向上游側（在圖中為左側）有擴展。
當在所述狀態下繼續搬送基板S時，新的顯影液在液膜P中所占的比率逐漸上升，液膜P具有與本來所期望的顯影能力不同的顯影能力的分佈。所述情況成為顯影處理結果的面內均勻性、特別是搬送方向上的均勻性降低的一個原因。
為了解決所述問題，在本實施方式中，如圖5A所示，在即將從狹縫噴嘴42二次供給顯影液之前，利用空氣噴嘴41進行氣刀向液膜P的噴吹。氣刀的噴吹是為了阻斷所述噴吹位置的上游側與下游側之間的顯影液的往來而進行，具體而言，具有以下兩個效果。第一，通過減低液膜P的厚度，可降低已存的即顯影能力降低的顯影液混入新供給的顯影液中的比率。由此，新供給的顯影液可在維持當初的顯影能力的狀態下處理基板S。
第二，可防止新供給的顯影液超過氣刀的噴吹位置而流入至上游側（以下，將此現象稱為“溢流”）。由此，可避免進行顯影液的二次供給之前的上游側的顯影能力的分佈的變動。
圖5A的虛線示意性表示此時的顯影能力的分佈。通過減少已存的顯影液向二次供給的顯影液中的混入，且抑制二次供給的顯影液向上游側的溢流，可獲得接近實線所示的理想分佈的分佈。
即便是在所述狀態下搬送基板S的情況，如圖5B所示，新供給的顯影液Ln與已存的顯影液Lo的邊界附近的分佈也在大致保持原來的形狀的狀態下，隨著基板S的移動而向上游側偏移。因此，在從基板S的前端部Sa至後端部Sb之間顯影條件大致保持一定，在顯影處理結果中能夠獲得優異的面內均勻性。
圖6A及圖6B是例示本實施方式中的氣刀的效果的圖。本申請發明人通過以下的實驗來驗證本實施方式的氣刀的效果。在實驗中，使用圖1所示的顯影裝置1，在各種顯影條件下對為實驗而準備的測試基板進行顯影，根據其顯影結果來評價處理的均勻性。作為顯影條件，使用如下情況：均不使用氣刀而（1）僅進行一次供給顯影液，（2）進行一次供給及二次供給的兩種情況；以及（3）除一次供給及二次供給以外，還使用氣刀的情況。
圖6A表示實驗中所使用的測試基板St。測試基板St是在表面形成有光致抗蝕劑膜的矩形玻璃基板的四角附近及中央附近這5個部位的位置A～位置E，分別通過曝光而形成規定的測試圖案TP的基板。作為測試圖案TP，使用具有規定間距的線與空間結構的圖案，在各圖案內的多個部位測量顯影後的圖案線寬來求出其偏差3σ。
圖6B是表示實驗結果的例子的圖。“位置A”等表示各位置的測試圖案TP內的線寬測定結果的偏差，另外，右端的“整體”表示不區別各位置A～位置E的所有線寬測定結果的偏差。在進行顯影液的一次供給的情況（1）中，各位置A～位置E的線寬的偏差相對較大，整體的偏差也大。相對於各位置A～位置E的偏差，整體的偏差更大，這表示即便是同一圖案，顯影後的線寬也根據基板內的位置而不同。
在增加顯影液的二次供給的情況（2）中，雖然各位置A～位置E的偏差得到改善，但整體的偏差基本未改善。即，雖具有通過進行二次供給來抑制基板內的相對較窄範圍內的線寬的偏差的效果，但可以說對於抑制更廣的範圍內的偏差而言未必充分。
在進而增加氣刀的情況（3）中，除進一步改善各位置A～位置E的偏差以外，還抑制了整體的偏差。而且，其程度與各位置A～位置E的偏差無太大改變。因此，通過利用氣刀將一次供給的液膜與二次供給的顯影液分離，換言之阻斷兩者之間的干涉，可提高顯影處理中的基板整體的面內均勻性。
圖7是用於說明顯影液的逆流現象的圖。以下，對由氣刀噴吹帶來的另一個作用進行研究。如上所述，通過氣刀的噴吹，能夠減少已存的液膜P的厚度。但是，由氣刀的風壓擠出的液膜P中的顯影液如圖7的（a）中箭頭所示流入至上游側（以下，將此現象稱為“逆流”）。如上所述，在氣刀噴吹位置的上游側，產生由顯影液逆流所致的顯影能力的分佈的紊亂。
作為所述紊亂的影響，可能有液膜P中的顯影能力降低的情況與增大的情況。例如，當通過顯影而形成的圖案是需要去除相對較多的抗蝕劑膜的圖案時，逆流的影響可在降低顯影能力的方向上發揮作用。
即，在應去除的抗蝕劑的量多的圖案中，大量的抗蝕劑材料溶解於液膜P中，由此如圖7的（b）中實線所示，顯影能力的降低顯著。在所述狀態下，顯影能力進一步降低的顯影液從下游側逆流而來時，如虛線所示，液膜P的顯影能力進一步降低。所述情況導致應去除的抗蝕劑無法完全去除、即顯影不足的狀態。
另一方面，在應去除的抗蝕劑的量相對較少的圖案中，如圖7的（b）中實線所示，顯影能力的降低也少。即，液膜P中的顯影液維持高顯影能力。此處，當維持著高顯影能力的顯影液逆流而來時，通過與增加顯影液的液量的情況相同的作用，如虛線所示，顯影能力的降低變得緩慢，可能有時視情況而上升。所述情況導致連應殘留的抗蝕劑也被去除、所謂的顯影過多的狀態。
如上所述，關於因氣刀噴吹而引起的液膜P中的顯影液的逆流，在所述任意類型的圖案中，均對上游側的顯影處理造成欠佳的影響。因此，理想的是盡可能抑制所述逆流。來自空氣噴嘴41的噴射量越大，逆流的顯影液的量也越多。因此，就此觀點而言，氣體的噴射量以小為宜，但若過小，則無法抑制二次供給的顯影液的溢流。
液膜內的顯影液的過剩流動可成為降低處理的均勻性的原因。因此，可以說來自空氣噴嘴41的氣體的噴射量或其流速以在可阻止溢流的範圍內盡可能小為宜。此外，當然應避免噴吹基板S的表面會露出的強氣流。關於氣體的噴射量的適當值，由於可根據抗蝕劑材料及顯影液的物性值或圖案的種類、搬送速度等各種參數而改變，因此需要預先進行實驗來確定最佳條件。
即便如此，既然進行氣刀的噴吹，則無法避免產生某程度的逆流。特別是基板S的靠近後端部Sb的部分較長地持續受到逆流的影響，且蓄積所述影響。因此，在與靠近前端部Sa的一側之間顯影處理結果會產生差。
鑒於所述情況，在所述實施方式中，更優選為不使作為氣刀噴射的氣體的量一定而在對於一個基板S的處理的期間中使所述噴射量經時變化。由此，可抑制由逆流所致的顯影不良。
關於氣刀用氣體的噴射量的適當值，可根據抗蝕劑材料及顯影液的物性值或圖案的種類、搬送速度等各種參數而改變。因此，需要預先進行實驗來確定最佳條件。同樣地，關於逆流的影響，也可根據各種條件而改變，因此關於噴射量的變化分佈，也事先實驗性確定。
關於如此獲得的適當分佈，可作為處理製程預先準備並登記。在使顯影裝置1運行時，控制部8控制流量控制機構84，根據所述處理製程而使來自空氣噴嘴41的氣體噴射量經時變化，由此可實現目標處理。
圖8A至圖8C是表示氣體噴射量的變化分佈的例子的圖。在圖中，時刻Ts為對一個基板S開始噴射氣體的時刻，相當於基板S的前端部Sa到達至氣刀的噴吹位置的時刻。另一方面，時刻Te為氣體對於同一基板S噴射結束的時刻，相當於基板S的後端部Sb到達至氣刀的噴吹位置的時刻。
在圖8A所示的例子中，來自空氣噴嘴41的氣體的噴射量連續地逐漸減少。如實線所示，在時刻Te，也可繼續某程度的噴吹，另外，如虛線所示，可為最終停止噴射的形態。此外，在所述例中，噴射量的變化相對於時刻而呈線形，但也可為沿著適宜的曲線的非線形的變化形態。
在停止噴射的情況下，對於二次供給的顯影液的溢流阻止效果消失。認為在基板S的後端部Sb，所述影響小。另外，為了避免顯影不足，有意將新的顯影液注入至液膜P中也有可能有效。據此，也能夠採用事後停止噴射的變化分佈。
在圖8B所示的例子中，在某時刻噴射量呈階梯狀變化。在所述情況下，如實線所示，在時刻Te，也可繼續某程度的噴吹，另外，如虛線所示，也可最終停止噴射。另外，也可表示沿著曲線的變化形態。
如上所述，通常而言，認為優選的是氣體的噴射量經時減少的變化形態。原因在於：由氣刀噴吹所致的顯影液的逆流在增大顯影不良的方向上發揮作用，因此為了抑制所述情況，有效的是減少噴射量。
然而，如圖8C所示，包含增加噴射量的局面的變化形態也有可能優選。例如為在基板S中靠近前端部Sa的部分與靠近後端部Sb的部分之間圖案的密度不同的情況。具體而言，在基板S的靠近前端部Sa的部分配置應去除的抗蝕劑量少的圖案並在較其更靠後端部Sb側配置應去除的抗蝕劑量多的圖案的情況中，存在如下情況：通過使維持高顯影能力的顯影液的逆流量增加，可避免後端側的圖案的顯影不足。
如上所述，噴射量的優選的變化形態看具體情況而定，且需要結合顯影處理的規格分別進行調整。
＜第二實施方式＞ 接下來，對本發明的顯影裝置的第二實施方式進行說明。在所述實施方式中，在用於二次供給顯影液的狹縫噴嘴42的上游側鄰接配置的空氣噴嘴41形成氣刀。由此，將一次供給而構成液膜P的顯影液與二次供給的顯影液分離。相對於此，在接下來進行說明的第二實施方式的顯影裝置中，代替氣刀而與基板S的上表面近接相向地配置葉片構件。由此，刮取構成液膜P的顯影液的一部分來限制液膜P的厚度，並且抑制二次供給的顯影液的溢流。此外，除這一點以外，顯影裝置的結構與第一實施方式的顯影裝置共通，因此省略詳細的說明。
圖9A及圖9B是表示本發明的顯影裝置的第二實施方式的主要部分的圖。在所述實施方式中，代替空氣噴嘴而設置有葉片構件43。具體而言，如圖9A所示，葉片構件43為在狹縫噴嘴42的上游側、即（-X）側鄰接並沿著寬度方向Y延伸設置的平板狀構件。葉片構件43的下端沿水平方向延伸，被支撐成與所搬送的基板S的上表面隔著規定間隙地近接相向。例如可安裝於狹縫噴嘴42的（-X）側側面，但也可另行設置支撐機構。另外，狹縫噴嘴與葉片構件也可一體形成。
如圖9B所示，葉片構件43的下端與基板S的上表面的間隙的大小小於通過第一顯影部3而形成於基板S上的液膜P的厚度。因此，與基板S一起搬送來的液膜P與葉片構件43接觸，在其膜厚被限制為間隙大小的狀態下進一步被搬送。相對於如此減低了厚度的液膜，狹縫噴嘴42進行顯影液的二次供給，由此可抑制因已存的顯影液的混入而引起的顯影能力的降低。另外，即便二次供給的顯影液流向上游側，通過葉片構件43及從其下部流入而來的已存的顯影液，也可抑制超過葉片構件43並進一步擴散至上游側。即，可防止溢流。
在所述實施方式中，也理想的是第一顯影部3的狹縫噴嘴32的噴出口322與葉片構件43的水平距離大於搬送方向X上的基板S的長度Lx（圖3D）。由此，能夠在形成覆蓋基板S整體的液膜P之後至液膜P與葉片構件43接觸為止的期間內靜穩地保持液膜P。
如上所述，通過與基板S隔著微小間隙地相向的葉片構件43，也可獲得與第一實施方式中的由空氣噴嘴41所得的氣刀相同的效果。即，能夠限制二次供給顯影液時的液膜P的厚度，並且防止二次供給的顯影液擴散至上游側。
＜其他＞ 如以上所說明那樣，在所述實施方式的顯影裝置1中，基板搬送部7作為本發明的“搬送部”發揮功能，第一顯影部3及第二顯影部4分別作為本發明的“一次供給部”及“二次供給部”發揮功能。而且，在作為二次供給部的第二顯影部4中，狹縫噴嘴42作為本發明的“二次供給噴嘴”發揮功能。另外，狹縫噴嘴42的噴出口422相當於本發明的“液體噴出口”，空氣噴嘴41的噴出口412相當於本發明的“氣體噴出口”。進而，狹縫噴嘴32的噴出口322相當於本發明的一次供給部的“液體噴出口”。
另外，第一實施方式的空氣噴嘴41相當於本發明的“氣體噴射噴嘴”，另一方面，第二實施方式的葉片構件43相當於本發明的“阻斷構件”。而且，它們分別作為本發明的“阻斷部”發揮功能。另外，流量控制機構84及控制部8以一體的形式作為本發明的“噴射控制部”發揮功能。
此外，本發明並不限定於所述實施方式，只要不脫離其主旨，則能夠在所述以外進行各種變更。例如在所述實施方式中，當在基板S上形成顯影液的液膜P時，組合兩個狹縫噴嘴31、32。然而，用於形成液膜的結構並不限定於此而為任意。例如，可通過單一的狹縫噴嘴來形成液膜，另外，也可通過狹縫噴嘴以外的液體供給機構來形成液膜。例如，也可不將基板S沿一方向搬送（例如，在停止的狀態或旋轉的狀態下）而形成液膜。
另外，在所述第一實施方式中，空氣噴嘴41與狹縫噴嘴42獨立地形成，但它們也可一體地形成。在所述情況下，可以更高的自由度設定氣體噴出口與液體噴出口的位置關係或流路形狀等。同樣地，第二實施方式中的葉片構件43也可與狹縫噴嘴42一體地形成。
另外，在所述實施方式中，基板S相當於本發明的“基板”的一例，作為本發明的“基板”，也包括基板S以外的基板、例如半導體晶圓或太陽電池用基板等。
另外，在所述實施方式中，通過在固定配置的噴嘴的正下方搬送基板S，使基板S相對於噴嘴相對移動。然而，在將基板S固定的狀態或搬送基板S的狀態下使噴嘴移動來進行顯影處理的顯影裝置中，也能夠採用與所述相同的方法。
如以上例示具體的實施方式來說明那樣，在本發明的顯影裝置及顯影方法中，例如，阻斷部也可構成為在液體噴出口的近接位置朝向基板上的液膜噴射氣體，通過氣體而形成沿與搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾。根據此種結構，可通過噴吹氣體來限制基板上的液膜的厚度，另外，抑制新供給的顯影液超過氣體的噴吹位置並擴散至上游側。更具體而言，如以下所述。
在所述結構中，在較進行顯影液的二次供給的位置更靠上游側形成沿寬度方向延伸的氣簾。由此，可抑制二次供給的顯影液超過氣體的噴吹位置並擴散至上游側、即基板的後端部側。因此，可改善如上所述的搬送方向上的處理的不均勻性。另外，通過氣體的噴吹而減低液膜的厚度，由此可抑制已存的顯影液混入至二次供給的顯影液中的比率。由此，可有效地利用二次供給的顯影液的高顯影能力。
另一方面，在基板的搬送方向上較氣簾的噴吹位置更靠上游側產生如下現象：通過氣體的風壓而將在基板上構成液膜的已存的顯影液沖向上游側。此處，將此現象稱為顯影液的“逆流”。
此處，液膜中的顯影液的顯影能力降低的程度受到應顯影的圖案的影響。即，在應去除的光致抗蝕劑膜的量多的圖案中，由於溶解於顯影液中的抗蝕劑材料的量變多，因此顯影能力的降低也顯著。如上所述，顯影能力降低的顯影液逆流時，混入至已存的顯影液中而使其顯影能力降低。所述情況特別是在應去除的光致抗蝕劑膜的量多的圖案中產生顯影不足。
相對於此，在應去除的光致抗蝕劑膜的量少的圖案中，由於溶解於顯影液中的抗蝕劑材料的量也少，因此抑制顯影能力的降低。如上所述，維持顯影能力的顯影液逆流而混入至已存的顯影液中時，產生與增加液量的情況相同的效果，特別是在應去除的光致抗蝕劑膜的量少的圖案中產生過顯影（顯影過多）。
若設為視需要增減氣體的噴射量，則能夠控制二次供給的顯影液超過氣體噴出位置而流入至液膜中的流入量及上游側的液膜中的顯影液的逆流程度。由此，能夠控制顯影的進行程度。即，通過根據處理的進行而使氣體的噴射量經時變化，能夠使沿著基板的搬送方向的方向上的處理的均勻性提高。
例如，可設為噴射量根據預先確定的處理製程而變化的形態。關於液膜中的顯影液的顯影能力如何變化以及二次供給的顯影液的影響在液膜中如何顯現，可根據各種條件而改變。因此，例如，若設為預先基於實驗來製作處理製程，並基於此來決定噴射量的變化形態，則可使相同顯影條件下的處理結果穩定。
作為噴射量的具體的變化形態，例如可設為噴射量經時減少的形態，例如也可為使氣體對於一基板的噴射量最終成為零的形態。通過氣體的噴射而沖向上游側的顯影液在增大顯影不良的方向上發揮作用，而且其影響逐漸蓄積。因此，通常而言，認為通過設為使噴射量降低的變化，可減低顯影不良。
另外，關於噴出用於一次供給的顯影液的液體噴出口，可設為與氣體噴出口的最短距離大於搬送方向上的基板的長度。根據此種結構，在其間進行搬送的過程中，產生可在無擾亂基板上的液膜的外部因素的狀態下靜穩地維持液膜的期間，因此能夠良好且穩定地進行基於液膜的顯影處理。
另外，例如，阻斷部也可與液體噴出口近接並沿與搬送方向正交的寬度方向延伸設置，使下端水平延伸的阻斷構件與所搬送的基板的上表面隔著間隙相向，所述間隙小於形成於基板上的所述液膜的厚度。根據此種結構，阻斷構件與液膜接觸，來限制通過間隙的液膜的厚度。同時，阻斷構件防止新供給的顯影液超過間隙而流動擴散至上游側。
在所述情況下，關於噴出用於一次供給的顯影液的液體噴出口，可設為所述液體噴出口與所述阻斷構件的最短距離大於所述搬送方向上的所述基板的長度。根據此種結構，在其間進行搬送的過程中，產生可在無擾亂基板上的液膜的外部因素的狀態下靜穩地維持液膜的期間，因此能夠良好且穩定地進行基於液膜的顯影處理。
另外，例如，阻斷構件也可設置於二次供給噴嘴的側面中搬送方向上的上游側的側面。根據此種結構，容易將阻斷構件與二次供給噴嘴的液體噴出口的距離保持為一定，另外，不需要另行設置用於支撐阻斷構件的機構。
來自氣體噴射噴嘴的氣體也可遍及基板的整個寬度方向均勻地噴射。由此，可實現寬度方向上的處理的均勻性的提高。具體而言，可抑制被氣體沖走的已存的顯影液或新供給的顯影液在寬度方向上流動而產生顯影不均。
另外，例如，二次供給的顯影液也可遍及基板的整個寬度方向均勻地噴出。由此，可實現寬度方向上的處理的均勻性的提高。具體而言，可抑制寬度方向上的顯影不均的產生。
另外，可一邊以一定速度搬送基板，一邊依序執行液膜的形成、其厚度限制及顯影液的二次供給。根據此種結構，可與位置無關地以一定的處理間距進行對於基板的各部的處理，因此能夠實現均勻的顯影處理。 [產業上的可利用性]
本發明可適用於向具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板供給顯影液來進行顯影的所有顯影技術。
1:顯影裝置 2:框體 3:第一顯影部（一次供給部） 4:第二顯影部（二次供給部） 5:淋洗部 6:乾燥部 7:基板搬送部（搬送部） 8:控制部（噴射控制部） 21、22、23:隔板 24:搬送通路口 25:搬入口 26:搬出口 31、32:狹縫噴嘴 41:空氣噴嘴（氣體噴射噴嘴、阻斷部） 42:狹縫噴嘴（二次供給噴嘴） 43:葉片構件（阻斷構件、阻斷部） 51:狹縫噴嘴（淋洗液噴嘴） 61、62:空氣噴嘴 71:搬送輥 72:搬送驅動機構 81:顯影液供給源 82:淋洗液供給源 83:空氣供給源 84:流量控制機構（噴射控制部） 311、321:噴嘴主體 312:噴出口 313:唇面 322:（狹縫噴嘴32的）噴出口（一次供給部的液體噴出口） 411:噴嘴主體 412:（空氣噴嘴41的）噴出口（氣體噴出口） 421:噴嘴主體 422:（狹縫噴嘴42的）噴出口（液體噴出口） 511:噴嘴主體 512:噴出口 711:旋轉軸 712:車輪 D:水平距離 Ln、Lo:顯影液 Lx:長度 P:液膜 S:基板 Sa:前端部 Sb:後端部 St:測試基板 S101～S107:步驟 Te、Ts:時刻 TP:測試圖案 X:搬送方向 Y:寬度方向 Z:鉛垂方向
圖1A及圖1B是表示本發明的顯影裝置的第一實施方式的圖。 圖2是表示利用所述顯影裝置進行的顯影處理的概要的流程圖。 圖3A至圖3D是示意性表示基於顯影液的一次供給進行的液膜形成處理的圖。 圖4A及圖4B是用於說明第二顯影部中的處理的圖。 圖5A及圖5B是用於說明第二顯影部中的處理的圖。 圖6A及圖6B是例示本實施方式的氣刀的效果的圖。 圖7的（a）至圖7的（c）是用於說明顯影液的逆流現象的圖。 圖8A至圖8C是表示氣體噴射量的變化分佈的例子的圖。 圖9A及圖9B是表示本發明的顯影裝置的第二實施方式的主要部分的圖。
1:顯影裝置
2:框體
3:第一顯影部(一次供給部)
4:第二顯影部(二次供給部)
5:淋洗部
6:乾燥部
8:控制部(噴射控制部)
21、22、23:隔板
24:搬送通路口
25:搬入口
26:搬出口
31、32:狹縫噴嘴
41:空氣噴嘴(氣體噴射噴嘴、阻斷部)
42:狹縫噴嘴(二次供給噴嘴)
51:狹縫噴嘴(淋洗液噴嘴)
61:空氣噴嘴
72:搬送驅動機構
81:顯影液供給源
82:淋洗液供給源
83:空氣供給源
84:流量控制機構(噴射控制部)
312:噴出口
322:(狹縫噴嘴32的)噴出口(一次供給部的液體噴出口)
412:(空氣噴嘴41的)噴出口(氣體噴出口)
422:(狹縫噴嘴42的)噴出口(液體噴出口)
512:噴出口
P:液膜
S:基板
X:搬送方向
Y:寬度方向
Z:鉛垂方向

Claims (21)

  1. 一種顯影裝置，包括：搬送部，一邊將表面具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢，一邊在水平方向搬送；一次供給部，向被所述搬送部支撐的所述基板的上表面供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面；以及二次供給部，在所述基板的搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側向所搬送的所述基板的上表面追加供給所述顯影液；並且所述二次供給部包括：二次供給噴嘴，具有對所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口；以及阻斷部，在所述搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側且較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置，限制搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側，所述阻斷部具有從與所述液體噴出口近接配置的氣體噴出口朝向所述基板上的所述液膜噴射氣體的氣體噴射噴嘴，通過所述氣體而形成在與所述搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾，所述一次供給部具有對由所述搬送部搬送的所述基板的上表 面噴出所述顯影液的液體噴出口，所述一次供給部的所述液體噴出口與所述氣體噴出口的最短距離大於所述搬送方向上的所述基板的長度。
  2. 如請求項1所述的顯影裝置，其中，所述氣體噴射噴嘴遍及所述基板的整個所述寬度方向均勻地噴射所述氣體。
  3. 如請求項1所述的顯影裝置，其中，所述二次供給噴嘴遍及與所述搬送方向正交的所述基板的整個寬度方向均勻地噴出所述顯影液。
  4. 一種顯影裝置，包括：搬送部，一邊將表面具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢，一邊在水平方向搬送；一次供給部，向被所述搬送部支撐的所述基板的上表面供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面；以及二次供給部，在所述基板的搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側向所搬送的所述基板的上表面追加供給所述顯影液；並且所述二次供給部包括：二次供給噴嘴，具有對所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口；以及阻斷部，在所述搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側且較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置，限制 搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側，所述阻斷部具有與所述液體噴出口近接並在和所述搬送方向正交的寬度方向延伸設置的阻斷構件，所述阻斷構件的下端水平延伸且與所搬送的所述基板的上表面隔著間隙地相向配置，所述間隙小於所述一次供給部在所述基板上形成的所述液膜的厚度。
  5. 如請求項4所述的顯影裝置，其中，所述阻斷構件設置於所述二次供給噴嘴的側面中所述搬送方向上的上游側的側面。
  6. 如請求項4或請求項5所述的顯影裝置，其中，所述一次供給部具有對由所述搬送部搬送的所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口，所述一次供給部的所述液體噴出口與所述阻斷構件的最短距離大於所述搬送方向上的所述基板的長度。
  7. 如請求項4所述的顯影裝置，其中，所述二次供給噴嘴遍及與所述搬送方向正交的所述基板的整個寬度方向均勻地噴出所述顯影液。
  8. 一種顯影方法，利用顯影液對經曝光的基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影，且所述顯影方法包括：自一次供給部向以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢的所述基板的上表面一次供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面的步驟； 將形成有所述液膜的所述基板在水平方向搬送的步驟；以及從配置於所搬送的所述基板的上方的二次供給噴嘴的液體噴出口對所述基板的上表面噴出所述顯影液的步驟；並且在所述基板的搬送方向上較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置的阻斷部限制搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側，所述阻斷部具有從與所述液體噴出口近接配置的氣體噴出口朝向所述基板上的所述液膜噴射氣體的氣體噴射噴嘴，通過所述氣體而形成在與所述搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾，所述一次供給部具有對被搬送的所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口，所述一次供給部的所述液體噴出口與所述氣體噴出口的最短距離大於所述搬送方向上的所述基板的長度。
  9. 如請求項8所述的顯影方法，其中，一邊將所述基板以一定速度搬送，一邊依序執行所述液膜的形成、利用所述阻斷部進行的所述液膜的厚度限制及所述顯影液的二次供給。
  10. 一種顯影方法，利用顯影液對經曝光的基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影，且所述顯影方法包括：向以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢的所述基板的上表面一次供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面的步驟；將形成有所述液膜的所述基板在水平方向搬送的步驟；以及 從配置於所搬送的所述基板的上方的二次供給噴嘴的液體噴出口對所述基板的上表面噴出所述顯影液的步驟；並且在所述基板的搬送方向上較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置的阻斷部限制搬送至與所述液體噴出口的相向位置的所述液膜的厚度，並且抑制從所述液體噴出口供給至所述基板的所述顯影液流向所述搬送方向上的上游側，所述阻斷部與所述液體噴出口近接並在和所述搬送方向正交的寬度方向延伸設置，使下端水平延伸的阻斷構件與所搬送的所述基板的上表面隔著間隙地相向，所述間隙小於形成於所述基板上的所述液膜的厚度。
  11. 如請求項10所述的顯影方法，其中，一邊將所述基板以一定速度搬送，一邊依序執行所述液膜的形成、利用所述阻斷部進行的所述液膜的厚度限制及所述顯影液的二次供給。
  12. 一種顯影裝置，包括：搬送部，一邊將表面具有經曝光的光致抗蝕劑膜的基板以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢，一邊在水平方向搬送；一次供給部，向被所述搬送部支撐的所述基板的上表面供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面；以及二次供給部，在所述基板的搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側向所搬送的所述基板的上表面追加供給所述顯影液；並且 所述二次供給部包括：二次供給噴嘴，具有對所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口；氣體噴射噴嘴，從氣體噴出口朝向所述基板上的所述液膜噴射氣體，而形成在與所述搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾，所述氣體噴出口在所述搬送方向上較所述一次供給部更靠下游側且較所述液體噴出口更靠上游側與所述液體噴出口近接配置；以及噴射控制部，控制來自所述氣體噴射噴嘴的所述氣體的噴射量，所述噴射控制部使所述氣體對於一所述基板的噴射量經時變化。
  13. 如請求項12所述的顯影裝置，其中，所述噴射控制部根據預先確定的處理製程而使所述噴射量變化。
  14. 如請求項12或請求項13所述的顯影裝置，其中，所述噴射控制部使所述噴射量經時減少。
  15. 如請求項12或請求項13所述的顯影裝置，其中，所述噴射控制部使所述氣體對於一所述基板的所述噴射量最終成為零。
  16. 如請求項12或請求項13所述的顯影裝置，其中，所述二次供給噴嘴遍及所述基板的整個所述寬度方向均勻地噴出所述顯影液。
  17. 如請求項12或請求項13所述的顯影裝置，其中，所述氣體噴射噴嘴遍及所述基板的整個所述寬度方向均勻地噴射所述氣體。
  18. 如請求項12或請求項13所述的顯影裝置，其中，所述一次供給部具有對由所述搬送部搬送的所述基板的上表面噴出所述顯影液的液體噴出口，所述一次供給部的所述液體噴出口與所述氣體噴出口的最短距離大於所述搬送方向上的所述基板的長度。
  19. 一種顯影方法，利用顯影液對經曝光的基板表面的光致抗蝕劑膜進行顯影，且所述顯影方法包括：向以所述光致抗蝕劑膜朝上的方式支撐為水平姿勢的所述基板的上表面一次供給顯影液，並用所述顯影液的液膜覆蓋所述基板的上表面的步驟；將形成有所述液膜的所述基板在水平方向搬送的步驟；朝向所搬送的所述基板上的所述液膜噴射氣體，形成在與所述基板的搬送方向正交的寬度方向延伸的氣簾的步驟；以及對噴吹過所述氣體的所述基板的上表面二次供給所述顯影液的步驟；並且使所述氣體對於一所述基板的噴射量經時變化。
  20. 如請求項19所述的顯影方法，其中，使所述噴射量經時減少。
  21. 如請求項19或請求項20所述的顯影方法，其中，一邊將所述基板以一定速度搬送，一邊依序執行所述液膜的形成、所述氣體的噴射及所述顯影液的二次供給。
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