TW201835975A

TW201835975A - 基板處理裝置

Info

Publication number: TW201835975A
Application number: TW107119690A
Authority: TW
Inventors: 稲垣幸彥
Original assignee: 日商思可林集團股份有限公司
Priority date: 2015-08-21
Filing date: 2016-07-13
Publication date: 2018-10-01
Also published as: US20170053817A1; JP2017041588A; KR20170022931A; US9956565B2; US10573546B2; TW201717254A; KR101938040B1; TWI631597B; KR102053567B1; KR20190006042A; US20180207652A1; TWI677900B; JP6548513B2

Abstract

本發明之基板處理裝置具備前部熱處理區塊、前部中繼區塊及液體處理區塊。前部熱處理區塊具備熱處理單元及主搬送機構。前部中繼區塊具備載置部及搬送機構。液體處理區塊具備液體處理單元及液體處理用搬送機構。前部熱處理區塊與前部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板。前部中繼區塊與液體處理區塊連接，且能夠相互搬送基板。前部中繼區塊係配置於液體處理區塊與前部熱處理區塊之間。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種對半導體晶圓、光罩用之玻璃基板、液晶顯示裝置用之玻璃基板、光碟用之基板等(以下，簡稱為基板)進行處理之基板處理裝置。

先前，作為此種裝置，有包括對基板進行液體處理之液體處理單元與對基板進行熱處理之熱處理單元的基板處理裝置。於該基板處理裝置中，可對基板進行包含液體處理及熱處理之一連串處理(例如，揭示於日本專利特開2009-010291號公報)。此處，液體處理係例如將抗蝕劑膜材料塗佈於基板之處理或將顯影液供給至基板之處理。然而，於具有此種構成之先前例之情形時，存在如下問題。於先前之裝置中，將液體處理單元與熱處理單元高密度地配置。例如，液體處理單元與熱處理單元係配置於相同之區塊內。例如，液體處理單元與熱處理單元隔著搬送空間相向。因此，有液體處理單元受到熱處理單元之影響之虞。具體而言，有液體處理單元中之處理溫度因熱處理單元之影響而變動之虞。又，有因熱處理單元內之氣氛被釋放至搬送空間而導致液體處理單元內之氣氛之清潔度下降之虞。

本發明係鑒於此種情況而完成者，目的在於提供一種能夠降低熱處理單元對液體處理單元造成之影響之基板處理裝置。本發明為了達成此種目的，而採用如下構成。即，本發明係一種基板處理裝置，上述基板處理裝置包括前部熱處理區塊、前部中繼區塊、及液體處理區塊；且上述前部熱處理區塊包括：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊包括：載置部，其供載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊包括：液體處理單元，其對基板進行液體處理；及液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；且上述前部熱處理區塊與上述前部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板，上述前部中繼區塊與上述液體處理區塊連接，且能夠相互搬送基板，且上述前部中繼區塊係配置於上述液體處理區塊與上述前部熱處理區塊之間。根據本發明之基板處理裝置，於液體處理區塊與前部熱處理區塊之間配置有前部中繼區塊。此處，前部中繼區塊包括載置部與搬送機構。因此，前部中繼區塊之載置部及搬送機構係配置於液體處理區塊之液體處理單元與前部熱處理區塊之熱處理單元之間。前部中繼區塊之載置部及搬送機構較佳地阻礙前部熱處理區塊之熱處理單元釋放之熱或氣氛到達至液體處理單元。由此，能夠降低前部熱處理區塊之熱處理單元對液體處理單元造成之影響。即，液體處理單元不易自熱處理單元受到影響。於上述發明中，較佳為於俯視時，上述前部熱處理區塊、上述前部中繼區塊及上述液體處理區塊係依此順序排列成一行。根據此種配置，能夠有效地增大前部熱處理區塊之熱處理單元與液體處理單元之相隔距離。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊具有供設置上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，上述液體處理區塊具有供設置上述液體處理用搬送機構之搬送空間，且上述前部中繼區塊之上述載置部係配置於上述前部熱處理區塊之上述搬送空間與上述液體處理區塊之上述搬送空間之間。前部中繼區塊之載置部能夠較佳地阻礙前部熱處理區塊之搬送空間之氣氛流動至液體處理區塊之搬送空間。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊之液體處理用搬送機構包括：第1液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；及第2液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；且上述前部熱處理區塊之第1主搬送機構、上述前部中繼區塊之第1搬送機構及上述液體處理區塊之上述第1液體處理用搬送係機構搬送第1基板，上述前部熱處理區塊之上述第2主搬送機構、上述前部中繼區塊之上述第2搬送機構及上述液體處理區塊之上述第2液體處理用搬送機構係搬送與上述第1基板不同之第2基板。若將搬送第1基板之搬送機構稱為「第1搬送機構群」，則前部熱處理區塊之第1主搬送機構、前部中繼區塊之第1搬送機構及液體處理區塊之第1液體處理用搬送機構屬於第1搬送機構群。又，若將搬送第2基板之搬送機構稱為「第2搬送機構群」，則前部熱處理區塊之第2主搬送機構、前部中繼區塊之第2搬送機構及液體處理區塊之第2液體處理用搬送機構屬於第2搬送機構群。此處，由於不存在屬於第1、第2搬送機構群之兩者之共通之搬送機構，故利用第1搬送機構群進行之基板之搬送與利用第2搬送機構群進行之基板之搬送相互獨立。由此，能夠同時執行利用第1搬送機構群進行之基板之搬送與利用第2搬送機構群進行之基板之搬送。藉此，可使基板處理裝置之運轉率提高。又，能夠防止第1搬送機構群與第2搬送機構群相互造成影響。例如，即便於利用第1搬送機構群進行之基板之搬送產生障礙之情形時，亦能夠順利地執行利用第2搬送機構群進行之基板之搬送。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對與上述第1基板不同之第2基板進行熱處理；上述前部中繼區塊之上述載置部包括：1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；且上述液體處理單元包括：複數個第1液體處理單元，其等對上述第1基板進行液體處理；及複數個第2液體處理單元，其等對上述第2基板進行液體處理。第1熱處理單元、第1載置部及第1液體處理單元僅接受第1基板，第2熱處理單元、第2載置部及第2液體處理單元僅接受第2基板。第1基板係沿著連結第1熱處理單元、第1載置部及第1液體處理單元之第1路徑被搬送。另一方面，第2基板係沿著連結第2熱處理單元、第2載置部及第2液體處理單元之第2路徑被搬送。此處，不存在共通地包含於第1路徑與第2路徑之處理單元或載置部，第1路徑與第2路徑完全分離。由此，即便於例如沿著第1路徑之基板之搬送產生障礙之情形時，亦能夠順利地執行沿著第2路徑之基板之搬送。進而，上述熱處理區塊具備複數個第1熱處理單元，液體處理區塊具備複數個第1液體處理單元。由此，即便於一部分之第1熱處理單元或一部分之第1液體處理單元發生故障之情形時，亦能夠藉由將基板搬送至其他第1熱處理單元或其他第1液體處理單元，而繼續進行沿著第1路徑之基板之搬送。沿著第2路徑之基板之搬送亦同樣地不易受到第2熱處理單元或第2液體處理單元之故障之影響。又，本發明係一種基板處理裝置，上述基板處理裝置包括：前部熱處理區塊、前部中繼區塊、液體處理區塊、後部中繼區塊、及後部熱處理區塊；且上述前部熱處理區塊包括：熱處理單元，其對基板進行熱處理；主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊包括：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊包括：液體處理單元，其對基板進行液體處理；及液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；上述後部中繼區塊包括：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊包括：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及主搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；且上述前部熱處理區塊與上述前部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板，上述前部中繼區塊與上述液體處理區塊連接，且能夠相互搬送基板，上述液體處理區塊與上述後部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板，上述後部中繼區塊與上述後部熱處理區塊連接，且能夠相互搬送基板，且上述前部中繼區塊係配置於上述液體處理區塊與上述前部熱處理區塊之間，上述後部中繼區塊係配置於上述液體處理區塊與上述後部熱處理區塊之間。根據本發明之基板處理裝置，於液體處理區塊與前部熱處理區塊之間配置有前部中繼區塊。此處，前部中繼區塊具備載置部與搬送機構。因此，前部中繼區塊之載置部及搬送機構係配置於液體處理區塊之液體處理單元與前部熱處理區塊之熱處理單元之間。前部中繼區塊之載置部及搬送機構較佳地阻礙前部熱處理區塊之熱處理單元釋放之熱或氣氛到達至液體處理單元。由此，能夠降低前部熱處理區塊之熱處理單元對液體處理單元造成之影響。於液體處理區塊與後部熱處理區塊之間，配置有後部中繼區塊。此處，後部中繼區塊為具備載置部與搬送機構之區塊。因此，後部中繼區塊之載置部及搬送機構係配置於液體處理區塊之液體處理單元與後部熱處理區塊之熱處理單元之間。後部中繼區塊之載置部及搬送機構較佳地阻礙後部熱處理區塊之熱處理單元釋放之熱或氣氛到達至液體處理單元。由此，能夠降低後部熱處理區塊之熱處理單元對液體處理單元造成之影響。即，液體處理單元不易自熱處理單元受到影響。於上述發明中，較佳為於俯視時，上述前部熱處理區塊、上述前部中繼區塊、上述液體處理區塊、上述後部中繼區塊及上述後部熱處理區塊依此順序排列成一行。根據此種配置，能夠有效地增大前部熱處理區塊之熱處理單元與液體處理區塊之液體處理單元之相隔距離。進而，能夠使後部熱處理區塊之熱處理單元有效地遠離液體處理單元。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊具有供設置上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，上述液體處理區塊具有供設置上述液體處理用搬送機構之搬送空間，上述後部熱處理區塊具有供設置上述後部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，且上述前部中繼區塊之上述載置部係配置於上述前部熱處理區塊之上述搬送空間與上述液體處理區塊之上述搬送空間之間，上述後部中繼區塊之上述載置部係配置於上述液體處理區塊之上述搬送空間與上述後部熱處理區塊之上述搬送空間之間。前部中繼區塊之載置部能夠較佳地阻礙前部熱處理區塊之搬送空間之氣氛流動至液體處理區塊之搬送空間。進而，後部中繼區塊之載置部能夠較佳地阻礙後部熱處理區塊之搬送空間之氣氛流動至液體處理區塊之搬送空間。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊之液體處理用搬送機構包括：第1液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；及第2液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；上述後部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；且上述後部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；且上述前部熱處理區塊之第1主搬送機構、上述前部中繼區塊之第1搬送機構、上述液體處理區塊之上述第1液體處理用搬送機構、上述後部中繼區塊之上述第1搬送機構及上述後部熱處理區塊之上述第1主搬送機構搬送第1基板，上述前部熱處理區塊之上述第2主搬送機構、上述前部中繼區塊之第2搬送機構、上述液體處理區塊之上述第2液體處理用搬送機構、上述後部中繼區塊之上述第2搬送機構及上述後部熱處理區塊之上述第2主搬送機構搬送與上述第1基板不同之第2基板。若將搬送第1基板之搬送機構稱為「第1搬送機構群」，前部熱處理區塊之第1主搬送機構、前部中繼區塊之第1搬送機構、液體處理區塊之第1液體處理用搬送機構、後部中繼區塊之第1搬送機構及後部熱處理區塊之第1主搬送機構屬於第1搬送機構群。又，若將搬送第2基板之搬送機構稱為「第2搬送機構群」，則前部熱處理區塊之第2主搬送機構、前部中繼區塊之第2搬送機構、液體處理區塊之第2液體處理用搬送機構、後部中繼區塊之第2搬送機構及後部熱處理區塊之第2主搬送機構屬於第2搬送機構群。此處，由於不存在屬於第1、第2搬送機構群之兩者之共通之搬送機構，故利用第1搬送機構群進行之基板之搬送與利用第2搬送機構群進行之基板之搬送相互獨立。由此，能夠同時執行利用第1搬送機構群進行之基板之搬送與利用第2搬送機構群進行之基板之搬送。藉此，能夠使基板處理裝置之運轉率提高。又，能夠防止第1搬送機構群與第2搬送機構群相互造成影響。例如，即便於利用第1搬送機構群進行之基板之搬送產生障礙之情形時，亦能夠順利地執行利用第2搬送機構群進行之基板之搬送。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對第2基板進行熱處理；上述前部中繼區塊之上述載置部包括：1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；上述液體處理單元包括：複數個第1液體處理單元，其等對第1基板進行液體處理；及複數個第2液體處理單元，其等對第2基板進行液體處理；上述後部中繼區塊之上述載置部包括：1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；且上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對第2基板進行熱處理。前部/後部熱處理區塊之第1熱處理單元、前部/後部中繼區塊之第1載置部及液體處理區塊之第1液體處理單元僅接受第1基板。另一方面，前部/後部熱處理區塊之第2熱處理單元、前部/後部中繼區塊之第2載置部及液體處理區塊之第2液體處理單元僅接受第2基板。第1基板係沿著連結前部/後部熱處理區塊之第1熱處理單元、前部/後部中繼區塊之第1載置部及液體處理區塊之第1液體處理單元的第1路徑被搬送。另一方面，第2基板係沿著連結前部/後部熱處理區塊之第2熱處理單元、前部/後部中繼區塊之第2載置部及液體處理區塊之第2液體處理單元的第2路徑被搬送。此處，不存在共通地包含於第1路徑與第2路徑之處理單元或載置部，第1路徑與第2路徑係完全分離。由此，即便於例如沿著第1路徑之基板之搬送產生障礙之情形時，亦能夠順利地執行沿著第2路徑之基板之搬送。進而，前部/後部熱處理區塊分別具備複數個第1熱處理單元，液體處理區塊具備複數個第1液體處理單元。由此，即便於一部分之第1熱處理單元或一部分之第1液體處理單元發生故障之情形時，亦能夠藉由將基板搬送至其他第1熱處理單元或其他第1液體處理單元，而繼續進行沿著第1路徑之基板之搬送。沿著第2路徑之基板之搬送亦同樣地不易受到第2熱處理單元或第2液體處理單元之故障之影響。於上述發明中，較佳為上述前部中繼區塊之複數個上述載置部相互排列於上下方向，上述前部中繼區塊之複數個上述搬送機構係配置於上述前部中繼區塊之上述載置部之側方，複數個上述液體處理用搬送機構相互排列於上下方向，且以上述液體處理用搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部。根據此種構造，排列於上下方向之液體處理用搬送機構之各者能夠經由前部中繼區塊之載置部將基板交付給前部中繼區塊之搬送機構，又，能夠自前部中繼區塊之搬送機構接收基板。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之複數個上述主搬送機構係排列於上下方向及橫向之任一方向，且以上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部。根據此種構造，無論為前部熱處理區塊之複數個主搬送機構排列於上下方向之情形或於橫向上排列之情形，前部熱處理區塊之主搬送機構之各者均能夠經由前部中繼區塊之載置部將基板交付給前部中繼區塊之搬送機構，又，能夠自前部中繼區塊之搬送機構接收基板。於上述發明中，較佳為上述前部中繼區塊之至少任一個上述載置部係配置於與上述前部熱處理區塊之1個以上之上述主搬送機構、及上述液體處理區塊之1個以上之上述液體處理用搬送機構之兩者相向之位置。經由與前部熱處理區塊之主搬送機構及液體處理區塊之液體處理用搬送機構之兩者相向之前部中繼區塊之載置部，前部熱處理區塊之主搬送機構與液體處理區塊之液體處理用搬送機構能夠相互搬送基板。即，前部熱處理區塊之主搬送機構與液體處理區塊之液體處理用搬送機構可不使用前部中繼區塊之搬送機構而相互搬送基板。由此，能夠於前部熱處理區塊與液體處理區塊之間高效率地搬送基板。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊包括載置基板之複數個載置部，上述前部熱處理區塊之複數個上述載置部係於上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之側方，相互排列於上下方向，且以上述前部中繼區塊之上述搬送機構之各者與上述前部熱處理區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部熱處理區塊之上述載置部。前部熱處理區塊之主搬送機構與前部中繼區塊之搬送機構不僅能夠經由前部中繼區塊之載置部而相互搬送基板，亦能夠經由前部熱處理區塊之載置部而相互搬送基板。由此，能夠提高前部熱處理區塊與前部中繼區塊之間之基板搬送之可靠性。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之上述載置部係對連接於上述前部熱處理區塊之分度器部開放，且上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構與上述分度器部係經由上述前部熱處理區塊之上述載置部而相互搬送基板。於前部熱處理區塊與分度器部之間，能夠較佳地搬送基板。於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之至少任一個上述載置部與上述前部中繼區塊之1個以上之上述搬送機構相向，且對連接於上述前部熱處理區塊之分度器部開放。前部中繼區塊之搬送機構與分度器部可經由前部熱處理區塊之載置部而相互搬送基板。即，前部中繼區塊之搬送機構與分度器部可不使用前部熱處理區塊之主搬送機構而相互搬送基板。由此，能夠於前部中繼區塊與分度器部之間高效率地搬送基板。於上述發明中，較佳為上述液體處理單元包括：塗佈單元，其對基板塗佈塗膜材料；及顯影單元，其對基板供給顯影液。可於基板形成塗膜，且能夠使基板顯影。於上述發明中，較佳為上述前部中繼區塊包括：輸入緩衝器部，其儲存於上述基板處理裝置內未進行任一處理之基板；及輸出緩衝器部，其儲存於上述基板處理裝置內已進行一連串處理之基板。基板處理裝置可對儲存於輸入緩衝器部之未處理之基板進行處理，且基板處理裝置可將處理完畢之基板儲存於輸出緩衝器部。因此，即便於停止對基板處理裝置之基板之供給或自基板處理裝置之基板之回收之情形時，亦能夠抑制基板處理裝置之生產能力下降。

以下，參照圖式說明本發明之實施例1。＜基板處理裝置之概要＞圖1係實施例1之基板處理裝置之概念圖。實施例1係對基板(例如，半導體晶圓)W進行包含液體處理及熱處理之一連串處理之基板處理裝置1。再者，基板W係於下述圖2等中予以圖示。基板處理裝置1包括分度器部11與處理部17。分度器部11將基板W搬送至處理部17。處理部17對基板W進行處理。分度器部11與處理部17係直接連接，相互能夠搬送基板W。再者，所謂「相互搬送」，意指自一者向另一者搬送基板W之情況、及自另一者向一者搬送基板W之情況之兩者。進而，基板處理裝置1與曝光機EXP連接。更具體而言，處理部17與曝光機EXP直接連接，且相互能夠搬送基板W。曝光機EXP係基板處理裝置1之外部機器。曝光機EXP對基板W進行曝光處理。處理部17包括熱處理區塊BA、中繼區塊BB、液體處理區塊BC、中繼區塊BD及熱處理區塊BE。熱處理區塊BA、BE分別對基板進行熱處理。中繼區塊BB、BD分別將基板W中繼。液體處理區塊BC對基板W進行液體處理。區塊BA、BB、BC、BD、BE係依此順序連接。區塊BA-BB係直接連接，且相互能夠搬送基板W。同樣地，區塊BB-BC、BC-BD、BD-BE係分別直接連接，且相互能夠搬送基板W。但是，區塊BA並未與區塊BC、BD、BE直接連接。區塊BB並未與區塊BD、BE直接連接。區塊BC並未與區塊BA、BE直接連接。若著眼於區塊之功能，則自區塊BA至區塊BE之功能之排列係如下所述。功能之排列：熱處理→中繼→液體處理→中繼→熱處理該功能之排列與逆向之(即，自區塊BE至區塊BA之)功能之排列相同。前部熱處理區塊BA進而與分度器部11直接連接。後部熱處理區塊BE進而與曝光機EXP直接連接。以下，將熱處理區塊BA稱為「前部熱處理區塊BA」，將熱處理區塊BE稱為「後部熱處理區塊BE」。同樣地，將中繼區塊BB稱為「前部中繼區塊BB」，將中繼區塊BD稱為「後部中繼區塊BD」。前部熱處理區塊BA包括熱處理單元HA與主搬送機構TA。熱處理單元HA對基板W進行熱處理。熱處理係例如加熱處理或冷卻處理。主搬送機構TA將基板W搬送至熱處理單元HA。主搬送機構TA並非指所謂之區域搬送機構(設置於每個熱處理單元、用以專門針對1個熱處理單元搬入/搬出基板之機構)。前部中繼區塊BB包括載置部PB與搬送機構TB。載置部PB係載置基板W。搬送機構TB將基板W搬送至載置部PB。液體處理區塊BC包括液體處理單元SC與液體處理用搬送機構TC。液體處理單元SC對基板進行液體處理。液體處理係對基板W供給處理液之處理。處理液係例如塗膜材料或顯影液。即，液體處理係例如塗佈處理或顯影處理。液體處理用搬送機構TC將基板W搬送至液體處理單元SC。後部中繼區塊BD包括載置部PD與搬送機構TD。載置部PD係載置基板W。搬送機構TD將基板W搬送至載置部PD。後部熱處理區塊BE包括熱處理單元HE與主搬送機構TE。熱處理單元HE對基板W進行熱處理。主搬送機構TE將基板W搬送至熱處理單元HE。主搬送機構TE並非指所謂之區域搬送機構。再者，例如，於僅記載為「熱處理單元HA」時，意指前部熱處理區塊BA之熱處理單元，而並非指後部熱處理區塊BE之熱處理單元。關於其他相同名稱之構件，亦同樣地利用符號進行區分。相鄰之搬送機構彼此相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TA-TB相互搬送基板W。搬送機構TB-TC、TC-TD、TD-TE分別相互搬送基板W。進而，主搬送機構TA與分度器部11相互搬送基板W。主搬送機構TE與曝光機EXP相互搬送基板W。基板處理裝置1例如以如下方式進行動作。將基板W自分度器部11搬送至處理部17。處理部17對基板W進行處理。具體而言，液體處理單元SC對基板W進行液體處理(例如，塗佈處理)，熱處理單元HE對基板W進行熱處理。藉此，於基板W形成塗膜。將形成有塗膜之基板W自處理部17搬送至曝光機EXP。曝光機EXP將基板W曝光。將經曝光之基板W自曝光機EXP搬送至處理部17。處理部17對經曝光之基板W進行處理。具體而言，液體處理單元SC對基板W進行液體處理(例如，顯影處理)，熱處理單元HA對基板W進行熱處理。藉此，使基板W顯影。將顯影後之基板W自處理部17搬送至分度器部11。於以此方式構成之基板處理裝置1中，在前部熱處理區塊BA與液體處理區塊BC之間配置有前部中繼區塊BB。即，前部熱處理區塊BA與液體處理區塊BC並未直接連接。前部中繼區塊BB包括載置部PB與搬送機構TB。因此，載置部PB及搬送機構TB係配置於液體處理單元SC與熱處理單元HA之間。載置部PB與搬送機構TB較佳地阻礙熱處理單元HA釋放之熱或氣氛到達至液體處理單元SC。即，能夠降低熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之影響。換言之，液體處理單元SC不易自熱處理單元HA受到影響。其結果，液體處理單元SC能夠品質良好地進行液體處理。在液體處理區塊BC與後部熱處理區塊BE之間配置有後部中繼區塊BD。即，液體處理區塊BC與後部熱處理區塊BE並未直接連接。此處，後部中繼區塊BD包括載置部PD與搬送機構TD。因此，載置部PD及搬送機構TD係配置於液體處理單元SC與熱處理單元HE之間。載置部PD與搬送機構TD較佳地阻礙熱處理單元HE釋放之熱或氣氛到達至液體處理單元SC。即，能夠降低熱處理單元HE對液體處理單元SC造成之影響。其結果，液體處理單元SC能夠進一步品質良好地進行液體處理。以下，對基板處理裝置1之構造，進而詳細地進行說明。＜基板處理裝置1之整體構造＞圖2係實施例之基板處理裝置1之俯視圖。各區塊BA、BB、BC、BD、BE排列成一行，各區塊BA、BB、BC、BD、BE排列之方向為水平。此處，將各區塊BA、BB、BC、BD、BE排列之方向稱為「前後方向X」。尤其，將自區塊BE朝向區塊BA之方向稱為「前方XF」，將與前方XF相反之方向稱為「後方XB」。又，將與前後方向X正交之水平之方向稱為「橫向Y」或簡稱為「側方」。進而，適當地將「橫向Y」之一方向稱為「右側YR」，將與右側YR相反之另一方向稱為「左側YL」。將垂直之方向稱為「上下方向Z」。各區塊BA、BB、BC、BD、BE分別於俯視時為大致矩形。各區塊BA、BB、BC、BD、BE之橫向Y之長度大致相同。處理部17之整體亦於俯視時為大致矩形。分度器部11、處理部17及曝光機EXP亦依此順序於前後方向X上排列成一行。分度器部11連接於前部熱處理區塊 BA之前表面。曝光機EXP連接於後部熱處理區塊BE之背面。＜分度器部11＞參照圖2至圖4。圖3係沿圖2中之箭頭a-a方向觀察之側視圖。圖4係沿圖2中之箭頭b-b方向觀察之側視圖。分度器部11包括載具載置部12、分度器用搬送機構13、及搬送空間16。載具載置部12係載置載具C。載具C收容複數片基板W。載具C例如為FOUP(front opening unified pod，前開式晶圓盒)。載具C係藉由例如未圖示之外部搬送機構而被載置於載具載置部12上。搬送空間16係設置於載具載置部12之後方XB。於搬送空間16，設置有分度器用搬送機構13。分度器用搬送機構13將基板W搬送至載具C。分度器用搬送機構13能夠進而將基板W搬送至前部熱處理區塊BA。例如，分度器用搬送機構13包括：2個手14，其等保持基板W；及手驅動機構15，其驅動各手14。各手14分別保持1片基板W。手驅動機構15使手14於前後方向X、橫向Y及上下方向Z上移動，且使手14以上下方向Z為中心旋轉。藉此，分度器用搬送機構13將基板W搬送至載具C及前部熱處理區塊BA。＜前部熱處理區塊BA之構造＞參照圖2至圖6。圖5係模式性地表示搬送機構與載置部之關係之概念圖。附有箭頭之線表示搬送機構進行存取之載置部。再者，所謂「進行存取」係指搬送機構移動至搬送機構能夠相對於載置部/處理單元將基板W搬入或搬出之位置。圖6係自分度器部11觀察前部熱處理區塊BA之前視圖。前部熱處理區塊BA除了包括熱處理單元HA與主搬送機構TA以外，還包括搬送空間AA與載置部PA。於俯視時，搬送空間AA係配置於前部熱處理區塊BA之橫向Y中央。換言之，於俯視時，搬送空間AA係配置於通過基板處理裝置1之橫向Y之中心之中心線IC上。中心線IC為假想線，與前後方向X平行。於俯視時，搬送空間AA沿前後方向X延伸。前部熱處理區塊BA進而包括：供氣單元SAA，其將清潔之氣體供給至搬送空間AA；及排氣單元EXA，其將氣體自搬送空間AA排出。供氣單元SAA係配置於搬送空間AA之上部，將氣體向下方吹出。排氣單元EXA係配置於搬送空間AA之下部。藉此，於搬送空間AA形成向下之氣體之流動(降流)。主搬送機構TA係設置於搬送空間AA。主搬送機構TA包含主搬送機構TAR與主搬送機構TAL。主搬送機構TAR與主搬送機構TAL係以相互於橫向Y上排列之方式配置。熱處理單元HA與載置部PA分別配置於搬送空間AA之兩側方。熱處理單元HA包含：2個熱處理單元HAR，其等配置於搬送空間AA之右側YR；及2個熱處理單元HAL，其等配置於搬送空間AA之左側YL。配置部PA包含：載置部PAR，其配置於搬送空間AA之右側YR；及載置部PAL，其配置於搬送空間AA之左側YL。熱處理單元HAR及載置部PAR位於主搬送機構TAR之右側YR。主搬送機構TAR與2個熱處理單元HAR及1個載置部PAR相向。2個熱處理單元HAR與1個載置部PAR係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。主搬送機構TAR構成為能夠於上下方向Z上升降，且對熱處理單元HAR及載置部PAR進行存取。熱處理單元HAL及載置部PAL位於主搬送機構TAL之左側YL。主搬送機構TAL與2個熱處理單元HAL及1個載置部PAL相向。2個熱處理單元HAL與1個載置部PAL係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。主搬送機構TAL構成為能夠於上下方向Z上升降，且對熱處理單元HAL及載置部PAL進行存取。＜前部中繼區塊BB之構造＞參照圖2-5、7。圖7係自分度器部11觀察前部中繼區塊BB之前視圖。前部中繼區塊BB包括載置部PB與搬送機構TB。於俯視時，載置部PB係配置於前部中繼區塊BB之橫向Y中央。換言之，於俯視時，載置部PB係配置於基板處理裝置1之中心線IC上。複數個載置部PB係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。更具體而言，載置部PB包含載置部PB1、PB2、PB3、PB4。載置部PB1、PB2、PB3、PB4相互於上下方向Z上排列。載置部PB1、PB2、PB3、PB4係自下朝上依此順序排列。搬送機構TB分別配置於載置部PB之兩側方。具體而言，搬送機構TB包含：搬送機構TBR，其配置於載置部PB之右側YR；及搬送機構TBL，其配置於載置部PB之左側YL。搬送機構TBR、TBL分別與載置部PB相向。換言之，前部中繼區塊BB包括：搬送空間ABR，其形成於載置部PB之右側YR；及搬送空間ABL，其形成於載置部PB之左側YL。於搬送空間ABR設置搬送機構TBR。於搬送空間ABL設置搬送機構TBL。再者，於搬送空間ABR、ABL之上部分別設置供氣單元SABR、SABL。於搬送空間ABR、ABL之下部分別設置有排氣單元EXBR、EXBL。搬送機構TBR、TBL分別與載置部PB相向。搬送機構TBR構成為能夠於上下方向Z上升降，且能夠對載置部PB進行存取。搬送機構TBL構成為能夠於上下方向Z上升降，且能夠對載置部PB進行存取。＜液體處理區塊BC之構造＞參照圖2-5、8。圖8係自分度器部11觀察液體處理區塊BC之前視圖。液體處理區塊BC具有包含於上下方向Z上排列之複數個階層K1、K2、K3、K4之階層構造(參照圖8)。各階層K1、K2、K3、K4分別具有：1個液體處理用搬送機構TC；及1個以上之液體處理單元SC，其供該液體處理用搬送機構TC搬送基板W。階層K1、K2、K3、K4係自下朝上依此順序排列。以下，具體地進行說明。液體處理區塊BC除了包括液體處理單元SC與液體處理用搬送機構TC以外，亦具備搬送空間AC。於俯視時，搬送空間AC係配置於液體處理區塊BC之橫向Y中央。換言之，於俯視時，搬送空間AC係配置於基板處理裝置1之中心線IC上。於俯視時，搬送空間AC沿前後方向X延伸。搬送空間AC被劃分為複數個(例如4個)分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4。分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4係自下朝上依此順序排列。於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之上部分別設置有供氣單元(未圖示)，於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之下部分別設置有排氣單元(未圖示)。液體處理區塊BC亦可具備複數個(例如3個)遮蔽板40。遮蔽板40係設置於在上下方向Z上相鄰之2個分割搬送空間之間，阻斷2個分割搬送空間之氣氛。例如，遮蔽板40係設置於分割搬送空間AC1與分割搬送空間AC2之間、分割搬送空間AC2與分割搬送空間AC3之間、及分割搬送空間AC3與分割搬送空間AC4之間。於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4，各設置有1個液體處理用搬送機構TC。各液體處理用搬送機構TC係以相互於上下方向Z上排列之方式設置。更具體而言，液體處理用搬送機構TC包含液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4。液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4。各液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4相互於上下方向Z上排列。各液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4係自下朝上依此順序排列。液體處理用搬送機構TC1係於分割搬送空間AC1內移動，不會到達其他分割搬送空間AC2、AC3、AC4。其他液體處理用搬送機構TC2、TC3、TC4亦同樣。液體處理單元SC係分別配置於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之側方。更具體而言，液體處理單元SC包含液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4。液體處理單元SC1分別配置於分割搬送空間AC1之兩側方。於本實施例1中，1個液體處理單元SC1係配置於液體處理用搬送機構TC1之右側YR，另一個液體處理單元SC1係配置於液體處理用搬送機構TC1之左側YL。同樣地，液體處理單元SC2係分別配置於分割搬送空間AC2之兩側方。液體處理單元SC3係分別配置於分割搬送空間AC3之兩側方。液體處理單元SC4係分別配置於分割搬送空間AC4之兩側方。配置於搬送空間AC之右方YR之液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4相互於上下方向Z上排列。配置於搬送空間AC之左方YL之液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4亦相互於上下方向Z上排列。液體處理用搬送機構TC1與設置於兩側方之2個液體處理單元SC1相向。液體處理用搬送機構TC1構成為能以上下方向Z為中心旋轉，對2個液體處理單元SC1進行存取。惟階層K1之液體處理用搬送機構TC1不對設置於其他階層K2、K3、K4之液體處理單元SC2、SC3、SC4進行存取。同樣地，液體處理用搬送機構TC2、TC3、TC4分別對液體處理單元SC2、SC3、SC4進行存取。上述之分割搬送空間ACi、液體處理用搬送機構TCi、液體處理單元SCi分別為構成階層Ki之要素(其中，i係1、2、3、4中之任一者)。＜後部中繼區塊BD之構造＞參照圖2-5、9。圖9係自分度器部11觀察後部中繼區塊BD之前視圖。後部中繼區塊BD具有與前部中繼區塊BB相同之構造。即，後部中繼區塊BD除了包括載置部PD與搬送機構TD以外，且具備搬送空間ADR、ADL、供氣單元SADR、SADL、排氣單元EXDR、EXDL。載置部PD包含載置部PD1、PD2、PD3、PD4，搬送機構TD包含搬送機構TDR、TDL。該等後部中繼區塊BD之各要素之相對位置關係與前部中繼區塊BB之各要素之相對位置關係相同。具體而言，關於後部中繼區塊BD之構造，設為如下者：於上述＜前部中繼區塊BB之構造＞之說明中，將前部中繼區塊BB改稱為為後部中繼區塊BD，將搬送機構TB、TBR、TBL分別改稱為為搬送機構TD、TDR、TDL，將載置部PB、PB1、PB2、PB3、PB4分別改稱為為載置部PD、PD1、PD2、PD3、PD4，將搬送空間ABR、ABL改稱為為搬送空間ADR、ADL，將供氣單元SABR、SABL改稱為為供氣單元SADR、SADL，將排氣單元EXBR、EXBL改稱為為排氣單元EXDR、EXDL。＜後部熱處理區塊BE之構造＞參照圖2-5、10。圖10係自分度器部11觀察後部熱處理區塊BE之前視圖。後部熱處理區塊BE具有與前部熱處理區塊BA相同之構造。即，後部熱處理區塊BE除了包括熱處理單元HE與主搬送機構TE以外，且具備搬送空間AE、載置部PE、供氣單元SAE及排氣單元EXE。熱處理單元HE包含熱處理單元HER與熱處理單元HEL，載置部PE包含載置部PER與載置部PEL，主搬送機構TE包含主搬送機構TER與主搬送機構TEL。後部熱處理區塊BE之各要素之相對位置關係與前部熱處理區塊BA之各要素之相對位置關係相同。具體而言，關於後部熱處理區塊BE之構造，設為如下者：於上述＜前部熱處理區塊BA之構造＞之說明中，將前部熱處理區塊BA改稱為為後部熱處理區塊BE，將主搬送機構TA、TAR、TAL分別改稱為為主搬送機構TE、TER、TEL，將熱處理單元HA、HAR、HAL分別改稱為為熱處理單元HE、HER、HEL，將載置部PA、PAR、PAL分別改稱為為載置部PE、PER、PEL，將搬送空間AA改稱為為搬送空間AE，將供氣單元SAA改稱為為供氣單元SAE，將排氣單元EXA改稱為為排氣單元EXE。＜分度器部11與區塊BA之關係＞參照圖2-5。載置部PA(載置部PAR及載置部PAL)對分度器部11(搬送空間16)開放。分度器用搬送機構13對載置部PA進行存取。藉此，分度器用搬送機構13與主搬送機構TAR經由載置部PAR相互搬送基板W。分度器用搬送機構13與主搬送機構TAL經由載置部PAL相互搬送基板W。＜前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之關係＞主搬送機構TA與搬送機構TB經由前部熱處理區塊BA之載置部PA而相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TBR與載置部PAR於前後方向X上排列。載置部PAR對搬送空間ABR開放。搬送機構TBR與載置部PAR相向。搬送機構TBR構成為能以上下方向Z為中心旋轉，且對載置部PAR進行存取。藉此，主搬送機構TAR與搬送機構TBR能夠經由載置部PAR而相互搬送基板W。同樣地，搬送機構TBL與載置部PAL於前後方向X上排列。載置部PAL對搬送空間ABL開放。搬送機構TBL與載置部PAL相向。搬送機構TBL構成為能以上下方向Z為中心旋轉，且對載置部PAL進行存取。藉此，主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由載置部PAL而相互搬送基板W。進而，主搬送機構TA與搬送機構TB經由前部中繼區塊BB之載置部PB而相互搬送基板W。具體而言，載置部PB與搬送空間AA於前後方向X上排列。即，主搬送機構TAR與載置部PB大致於前後方向X上排列，主搬送機構TAL與載置部PB大致於前後方向X上排列。各載置部PB對搬送空間AA開放。主搬送機構TAR與載置部PB相向。主搬送機構TAL係與載置部PB相向。主搬送機構TAR於上下方向Z上升降，且以上下方向Z為中心旋轉，藉此能夠對載置部PB進行存取。藉此，主搬送機構TAR與搬送機構TBR能夠經由載置部PB而相互搬送基板W。於本實施例中，主搬送機構TAR與搬送機構TBR經由載置部PB1、PB3而相互搬送基板W。主搬送機構TAL於上下方向Z上升降，且以上下方向Z為中心旋轉，藉此能夠對載置部PB進行存取。藉此，主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由載置部PB而相互搬送基板W。於本實施例中，主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由載置部PB2、PB4而相互搬送基板W。＜分度器部11、區塊BA及區塊BB之關係＞分度器用搬送機構13與搬送機構TB可不使用主搬送機構TA而相互搬送基板W。具體而言，載置部PAR與分度器用搬送機構13及搬送機構TBR之兩者相向。分度器用搬送機構13與搬送機構TBR能夠經由載置部PAR而相互搬送基板W。即，分度器用搬送機構13與搬送機構TBR可跳過主搬送機構TA而相互搬送基板W。同樣地，載置部PAL與分度器用搬送機構13與搬送機構TBL之兩者相向。分度器用搬送機構13與搬送機構TBL能夠經由載置部PAL而相互搬送基板W。即，分度器用搬送機構13與搬送機構TBL可跳過主搬送機構TA而相互搬送基板W。＜區塊BB與區塊BC之關係＞搬送空間AC與載置部PB係於前後方向X上排列。載置部PB1、PB2、PB3、PB4係分別配置於與分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4相向之位置。載置部PB1、PB2、PB3、PB4分別對分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4開放。各液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別與載置部PB1、PB2、PB3、PB4相向。各液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別構成為能夠於前後方向X上移動，且對載置部PB1、PB2、PB3、PB4進行存取。藉此，液體處理用搬送機構TC1與搬送機構TBR經由載置部PB1而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC2與搬送機構TBL經由載置部PB2而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC3與搬送機構TBR經由載置部PB3而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC4與搬送機構TBL經由載置部PB4而相互搬送基板W。＜區塊BA、區塊BB及區塊BC之關係＞主搬送機構TA與液體處理用搬送機構TC可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。具體而言，載置部PB1與液體處理用搬送機構TC1及主搬送機構TAR之兩者相向。液體處理用搬送機構TC1與主搬送機構TAR能夠經由載置部PB1而相互搬送基板W。即，液體處理用搬送機構TC1與主搬送機構TAR可跳過搬送機構TB而相互搬送基板W。載置部PB2與液體處理用搬送機構TC2與主搬送機構TAL之兩者相向。液體處理用搬送機構TC2與主搬送機構TAL能夠經由載置部PB2而相互搬送基板W。即，液體處理用搬送機構TC2與主搬送機構TAL可跳過搬送機構TB而相互搬送基板W。載置部PB3與液體處理用搬送機構TC3及主搬送機構TAR之兩者相向。液體處理用搬送機構TC3與主搬送機構TAR能夠經由載置部PB3而相互搬送基板W。即，液體處理用搬送機構TC3與主搬送機構TAR可跳過搬送機構TB而相互搬送基板W。載置部PB4與液體處理用搬送機構TC4及主搬送機構TAL之兩者相向。液體處理用搬送機構TC4與主搬送機構TAL能夠經由載置部PB4而相互搬送基板W。即，液體處理用搬送機構TC4與主搬送機構TAL可跳過搬送機構TB而相互搬送基板W。＜區塊BC與區塊BD之關係＞液體處理區塊BC與後部中繼區塊BD之關係和前部中繼區塊BB與液體處理區塊BC之關係相同。即，液體處理用搬送機構TC與搬送機構TD經由載置部PD而相互搬送基板W。具體而言，液體處理用搬送機構TC1與搬送機構TDR經由載置部PD1而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC2與搬送機構TDL經由載置部PD2而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC3與搬送機構TDR經由載置部PD3而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC4與搬送機構TDL經由載置部PD4而相互搬送基板W。＜區塊BD與區塊BE之關係＞後部中繼區塊BD與後部熱處理區塊BE之關係和前部中繼區塊BB與前部熱處理區塊BA之關係相同。即，搬送機構TD與主搬送機構TE經由後部中繼區塊BD之載置部PD而相互搬送基板W。於本實施例中，搬送機構TDR與主搬送機構TER經由載置部PD1、PD3而相互搬送基板W。搬送機構TDL與主搬送機構TEL經由載置部PD2、PD4而相互搬送基板W。進而，搬送機構TD與主搬送機構TE經由後部熱處理區塊BE之載置部PE而相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TDR與主搬送機構TER經由載置部PER而相互搬送基板W。搬送機構TDL與主搬送機構TEL經由載置部PEL而相互搬送基板W。＜區塊BC、區塊BD及區塊BE之關係＞液體處理區塊BC、後部中繼區塊BD及後部熱處理區塊BE之關係和液體處理區塊BC、前部中繼區塊BB及前部熱處理區塊BA之關係相同。即，液體處理用搬送機構TC與主搬送機構TE可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。於本實施例中，液體處理用搬送機構TC1與主搬送機構TER經由載置部PD1而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC2與主搬送機構TEL經由載置部PD2而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC3與主搬送機構TER經由載置部PD3而相互搬送基板W。液體處理用搬送機構TC4與主搬送機構TEL經由載置部PD4而相互搬送基板W。＜後部熱處理區塊BE與曝光機EXP之關係＞各載置部PE對曝光機EXP開放。曝光機EXP對載置部PER與載置部PEL進行存取。藉此，主搬送機構TER與曝光機EXP經由載置部PER而相互搬送基板W。主搬送機構TEL與曝光機EXP經由載置部PEL而相互搬送基板W。＜前部熱處理區塊BA之各要素之構造＞例示各要素之構造。此處，於不同之要素(例如熱處理板HA與熱處理板HE)具有同種構件之情形時，藉由對該構件標註共通之符號而省略詳細之說明。例如，於熱處理板HA具有板21，熱處理板HE具有與板21同種之板時，將熱處理板HE之板記載為「板21」。參照圖2-4、6。熱處理單元HA具備板21、腔室23及擋板24。熱處理板21供載置基板W。於板21之內部或外部，安裝有調節板21之溫度之調溫機器(例如，加熱器等發熱機器或散熱片等吸熱機器)。板21對板21上之基板W賦予熱，或自板21上之基板W奪取熱，而將基板W調整為特定之溫度(即進行熱處理)。腔室23收容板21。腔室23具有形成於腔室23之表面之基板搬送口23a。基板搬送口23a係配置於與主搬送機構TA相向之位置。換言之，基板搬送口23a係配置於與搬送空間AA相接之位置。擋板24將基板搬送口23a開閉。於圖6中，熱處理單元HAR之腔室23被封閉，熱處理單元HAL之腔室23開放。載置部PA具備供載置基板W之板26。板26係設置於擱架27上。板26並未由腔室等封閉，而基本上於水平方向(前後方向X及橫向Y)上開放。因此，不僅主搬送機構TA可容易地對載置部PA進行存取，分度器用搬送機構13或搬送機構TB等亦能夠容易地對載置部PA進行存取。主搬送機構TA具備導引軸部31、驅動機構32及一對手33。導引軸部31沿上下方向Z延伸。驅動機構32安裝於導引軸部31。驅動機構32沿著導引軸部31升降，且繞導引軸部31旋轉。進而，驅動機構32相對於導引軸部31於水平方向上進退移動(伸縮)。例如，驅動機構32亦可具備能夠伸縮之連桿機構(未圖示)。一對手33係安裝於驅動機構32。各手33將1片基板W以水平姿勢保持。＜前部中繼區塊BB之各要素之構造＞參照圖2-4、7。載置部PB具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PB具備安裝於擱架27之板26。搬送機構TB具有與主搬送機構TA大致相同之構造。即，搬送機構TB具備導引軸部31、驅動機構32及手33。＜液體處理區塊BC之各要素之構造＞參照圖2-4、8。液體處理單元SC1、SC2對基板W進行塗佈處理。液體處理單元SC1、SC2具有大致相同之構造。具體而言，液體處理單元SC1、SC2分別具備旋轉保持部41、護罩42、噴嘴43、腔室44、及擋板45。旋轉保持部41將基板W可旋轉地保持。護罩42係設置於旋轉保持部41之周圍，回收飛濺之處理液。噴嘴43將塗膜材料作為處理液噴出至基板W。塗膜材料例如為抗蝕劑膜材料。噴嘴43係設置為可遍及旋轉保持部41之上方之處理位置、與自護罩42之上方偏移之退避位置之間而移動。腔室44收容旋轉保持部41、護罩42及噴嘴43。腔室44具有形成於腔室44之表面之基板搬送口44a。液體處理單元SC1之基板搬送口44a係配置於與液體處理用搬送機構TC1相向之位置。換言之，液體處理單元SC1之基板搬送口44a係配置於與分割搬送空間AC1相接之位置。同樣地，液體處理單元SC2之基板搬送口44a係配置於與液體處理用搬送機構TC2相向之位置。擋板45將基板搬送口44a開閉。於圖8中，液體處理單元SC1之腔室44被封閉，液體處理單元SC2之腔室44開放。液體處理單元SC3、SC4對基板W進行顯影處理。液體處理單元SC3、SC4具有大致相同之構造。液體處理單元SC3、SC4分別具備旋轉保持部51、護罩52、噴嘴53、腔室54及擋板55。旋轉保持部51將基板W可旋轉地保持。護罩52係配置於旋轉保持部51之周圍，回收飛濺之處理液。噴嘴53對基板W噴出顯影液(處理液)。噴嘴53係設置為可遍及旋轉保持部51之上方之處理位置、與自護罩52之上方偏移之退避位置之間移動。腔室54收容旋轉保持部51、護罩52及噴嘴53。腔室54具有形成於腔室54之表面之基板搬送口54a。液體處理單元SC3之基板搬送口54a係配置於與液體處理用搬送機構TC3相向之位置。液體處理單元SC4之基板搬送口54a係配置於與液體處理用搬送機構TC4相向之位置。擋板55將基板搬送口54a開閉。於圖8中，液體處理單元SC3之腔室54被封閉，液體處理單元SC4之腔室54開放。液體處理用搬送機構TC具備驅動機構61與1對手62。驅動機構61係例如安裝於遮蔽板40。手62係安裝於驅動機構61。驅動機構61使各手62沿各種方向X、Y、Z移動，且使各手62以上下方向Z為中心旋轉。各手62保持基板W。＜後部中繼區塊BD之各要素之構造＞參照圖2-4、9。載置部PD具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PD具備安裝於擱架27之板26。搬送機構TD具有與主搬送機構TA大致相同之構造。即，搬送機構TD具備導引軸部31、驅動機構32及手33。＜後部熱處理區塊BE之各要素之構造＞參照圖2-4、10。熱處理單元HE具有與熱處理單元HA大致相同之構造。即，熱處理單元HE具備板21、腔室23及擋板24。載置部PE具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PE具備安裝於擱架27之板26。主搬送機構TE具有與主搬送機構TA大致相同之構造。即，主搬送機構TE具備導引軸部31、驅動機構32及手33。＜區塊之連接構造＞參照圖2-4、圖6-10。前部熱處理區塊BA進而具備框架FA。框架FA支持熱處理單元HA、主搬送機構TA及載置部PA。框架FA具有大致箱形狀，收容熱處理單元HA、載置部PA及主搬送機構TA。框架FA具有用以使載置部PA分別對分度器部11及前部中繼區塊BB開放之開口(未圖示)。同樣地，其他區塊BB、BC、BD、BE分別具備框架FB、FC、FD、FE。各框架FB-FE分別支持區塊BB-BE之處理單元、載置部、搬送機構等。各框架FB-FE分別具有大致箱形狀，收容區塊BB-BE之要素。各框架FB、FC、FD、FE分別具有用以使載置部PB、PD、PE對鄰接之區塊開放之開口(未圖示)。區塊BA-BB之連接係藉由框架FA-FB之連結而實現。區塊BB-BC、BC-BD、BD-BE之連接係分別藉由框架FB-FC、FC-FD、FD-FE之連結而實現。於製造基板處理裝置1時，首先，組裝區塊BA。例如，於框架FA安裝熱處理單元HA、主搬送機構TA及載置部PA。同樣地，將區塊BB、BC、BD、BE個別地組裝。繼而，將各區塊BA、BB、BC、BD、BE相互連接，並且於區塊BA連接分度器部11。＜控制系統之構成＞圖11係基板處理裝置1之控制區塊圖。基板處理裝置1進而包括控制部67。控制部67係設置於例如處理部17。控制部67總括地控制分度器部11及處理部17。具體而言，控制分度器部11之分度器用搬送機構13之動作，且控制設置於區塊BA-BE之各搬送機構及設置於區塊BA、BC、BE之各處理單元之動作。控制部67係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory，隨機存取記憶體)、固定磁碟等記憶媒體等而實現。於記憶媒體中記憶有用以對基板W進行處理之處理程序(處理程式)、或用以識別各基板W之資訊等各種資訊。＜處理部17中之基板之搬送路徑＞圖12係模式性地表示基板W之搬送路徑之圖。如圖12所示般，於處理部17內基板W移動之路徑之數量為2條。具體而言，處理部17具有第1路徑與第2路徑。為了便於說明，將處理部17內之基板W之搬送路徑分為去路與返路。去路係自基板W自分度器部11朝處理部17進入之位置起至基板W自處理部17朝曝光機EXP出來之位置為止的基板W之路徑。返路係自基板W自曝光機EXP朝處理部17進入之位置起至基板W自處理部17朝分度器部11出來之位置為止的基板W之路徑。第1路徑包含第1去路與第1返路。第2路徑包含第2去路與第2返路。 (第1路徑) 第1去路係依如下順序通過以下各要素：載置部PAR→載置部PB1→液體處理單元SC1→載置部PD1→熱處理單元HER→載置部PER。第1返路係依如下順序通過以下各要素：載置部PER→載置部PD3→液體處理單元SC3→載置部PB3→熱處理單元HAR→載置部PAR。 (第2路徑) 第2去路係依如下順序通過以下各要素：載置部PAL→載置部PB2→液體處理單元SC2→載置部PD2→熱處理單元HEL→載置部PEL。第2返路係依如下順序通過以下各要素：載置部PEL→載置部PD4→液體處理單元SC4→載置部PB4→熱處理單元HAL→載置部PAL。此處，不存在共通地包含於第1路徑與第2路徑之處理單元或載置部。即，第1路徑與第2路徑完全不同(完全分離)。包含於第1路徑之載置部PAR、PB1、PB3、PD1、PD3、PER為本發明之第1載置部之例。包含於第2路徑之載置部PAL、PB2、PB4、PD2、PD4、PEL為本發明之第2載置部之例。包含於第1路徑之液體處理單元SC1、SC3為本發明之第1液體處理單元之例。包含於第2路徑之液體處理單元SC2、SC4為本發明之第2液體處理單元之例。包含於第1路徑之熱處理單元HAR、HER為本發明之第1熱處理單元之例。包含於第2路徑之熱處理單元HAL、HEL為本發明之第2熱處理單元之例。進而，於第1路徑上，並列地連接有複數個處理單元SC1。處理單元HER、SC3、HAR亦分別並列地設置於第1路徑上。同樣地，於第2路徑上，分別並列地連接有處理單元SC2、HEL、SC4、HAL。於第1路徑移動之基板W與於第2路徑移動之基板W不同。以下，將於第1路徑移動之基板W適當地稱為「第1基板W」，將於第2路徑移動之基板W適當地稱為「第2基板W」。又，搬送機構TAR、TBR、TC1、TC3、TDR、TER搬送之基板W、與搬送機構TAL、TBL、TC2、TC4、TDL、TEL搬送之基板W不同。若將搬送機構TAR、TBR、TC1、TC3、TDR、TER稱為第1搬送機構群，則第1搬送機構群將上述第1基板W沿著第1路徑搬送。若將搬送機構TAL、TBL、TC2、TC4、TDL、TEL稱為第2搬送機構群，則第2搬送機構群將上述第2基板W沿著第2路徑搬送。此處，不存在共通地包含於第1搬送機構群與第2搬送機構群之搬送機構。即，第1搬送機構群與第2搬送機構群相互獨立。主搬送機構TAR、TER為本發明之第1主搬送機構之例，主搬送機構TAL、TEL為本發明之第2主搬送機構之例。搬送機構TBR、TDR為本發明之第1搬送機構之例，搬送機構TBL、TDL為本發明之第2搬送機構之例。液體處理用搬送機構TC1、TC3為本發明之第1液體處理用搬送機構之例，液體處理用搬送機構TC2、TC4為本發明之第2液體處理用搬送機構之例。＜基板處理裝置1之動作例＞參照圖12-15，說明基板處理裝置1之動作例。圖13係表示對基板進行之處理之順序之流程圖。圖14係模式性地表示第1基板W及第2基板W於區塊BA-BE之間移動之情況之概念圖。再者，於圖14中，為了方便起見，於液體處理單元SC1、SC2附註意指塗佈處理之「COAT」，於液體處理單元SC3、SC4附註意指顯影處理之「DEV」。圖15係模式性地表示各搬送機構反覆進行之動作例之圖。＜分度器部11將基板W供給至處理部17之動作＞分度器用搬送機構13自載具C搬出1片基板W，並將該基板W載置於載置部PAR上。繼而，分度器用搬送機構13自載具C搬出1片基板W，並將該基板W載置於載置部PAL上。其後，分度器用搬送機構13再次將基板W自載具C搬送至載置部PAR。如此，分度器用搬送機構13交替地將基板W逐片搬送至載置部PAR與載置部PAL。＜處理部17之動作(去路)＞由於與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1去路相關之動作。再者，與第2去路相關之動作相當於如下者：於以下之說明中，將搬送機構TBR、TC1、TER分別改稱為為搬送機構TBL、TC2、TEL，將載置部PAR、PB1、PD1、PER分別改稱為為載置部PAL、PB2、PD2、PEL，將處理單元SC1、HER分別改稱為為處理單元SC2、HEL。搬送機構TBR取得載置部PAR上之基板W，並將該基板W搬送至載置部PB1。液體處理用搬送機構TC1取得載置部PB1上之基板W，並將該基板W搬送至液體處理單元SC1。此處，液體處理用搬送機構TC1將基板W交替地搬送至2個液體處理單元SC1。於液體處理用搬送機構TC1將基板W搬送至液體處理單元SC1時，擋板45將基板搬送口44a暫時開放。藉此，容許手62進入至腔室44內。於手62退出至腔室44之外部後，擋板45再次將基板搬送口44a封閉。藉此，液體處理單元SC1於腔室44被封閉之狀態下，進行液體處理。液體處理單元SC1對基板W塗佈塗膜材料(步驟S1)。具體而言，旋轉保持部41保持基板W。噴嘴43自退避位置移動至處理位置。旋轉保持部41使基板W旋轉，噴嘴43噴出塗膜材料。塗膜材料被塗佈於基板W之表面。塗膜材料之一部分自基板W被甩開而由護罩42回收。當塗佈處理結束時，液體處理用搬送機構TC1將基板W自液體處理單元SC1搬出。此時，腔室44亦對分割搬送空間AC1開放。然後，液體處理用搬送機構TC1將該基板W搬送至載置部PD1。再者，液體處理用搬送機構TC1亦可於保持著自載置部PB1取得之未處理之基板W之狀態下，自液體處理單元SC1搬出已處理完畢之基板W，繼而，將未處理之基板W搬入至液體處理單元SC1。主搬送機構TER自載置部PD1取得基板W，並搬送至熱處理單元HER。此處，主搬送機構TER將基板W交替地搬送至2個熱處理單元HER。於主搬送機構TER將基板W搬送至熱處理單元HER時，擋板24將基板搬送口23a暫時開放。藉此，容許主搬送機構TER之手33進入至腔室23內。於手33退出至腔室23之外部後，擋板24再次將基板搬送口23a封閉。藉此，熱處理單元HER於腔室23被封閉之狀態下，進行熱處理。熱處理單元HER對基板W進行熱處理(步驟S2)。當熱處理結束時，主搬送機構TER將基板W自熱處理單元HER搬出。此時，腔室23亦對搬送空間AE開放。然後，主搬送機構TER將該基板W搬送至載置部PER。以上係與第1去路相關之動作。與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作亦可同時進行。＜曝光機EXP之動作＞載置部PER及載置部PEL上之基板W被搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W進行曝光處理(步驟S3)。當曝光處理結束時，將基板W自曝光機EXP搬送至載置部PER及載置部PEL。＜處理部17之動作(返路)＞由於與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1返路相關之動作。再者，與第2返路相關之動作相當於如下者：於以下之說明中，將搬送機構TAR、TC3、TDR分別改稱為為搬送機構TAL、TC4、TDL，將載置部PAR、PB3、PD3、PER分別改稱為為載置部PAL、PB4、PD4、PEL，將處理單元SC3、HAR改稱為為處理單元SC4、HAL。搬送機構TDR將基板W自載置部PER搬送至載置部PD3。液體處理用搬送機構TC3將基板W自載置部PD3搬送至液體處理單元SC3。此處，液體處理用搬送機構TC3將基板W交替地搬送至2個液體處理單元SC3。於液體處理用搬送機構TC3將基板W搬送至液體處理單元SC3時，擋板55將基板搬送口54a暫時開放。液體處理單元SC3對基板W供給顯影液(步驟S4)。具體而言，旋轉保持部51保持基板W。噴嘴53自退避位置移動至處理位置。噴嘴53噴出顯影液。顯影液覆蓋基板W之表面。此時，旋轉保持部51亦可使基板W旋轉。若經過特定之時間，則自基板W上去除顯影液。例如，亦可藉由旋轉保持部51使基板W旋轉而將顯影液自基板W上甩開。或者，亦可由與噴嘴53不同之噴嘴(未圖示)將清洗液供給至基板W，而將基板W上之顯影液置換為清洗液。顯影液等係由護罩52回收。當顯影處理結束時，液體處理用搬送機構TC3將基板W自液體處理單元SC3搬出。此時，腔室54亦對分割搬送空間AC3開放。然後，液體處理用搬送機構TC3將該基板W搬送至載置部PB3。主搬送機構TAR將基板W自載置部PB3搬送至熱處理單元HAR。此處，主搬送機構TAR將基板W交替地搬送至2個熱處理單元HAR。於主搬送機構TAR將基板W搬送至熱處理單元HAR時，擋板24使熱處理單元HAR之腔室23開閉。熱處理單元HAR對基板W進行熱處理(步驟S5)。當熱處理結束時，主搬送機構TAR將基板W自熱處理單元HAR搬出。此時，腔室23亦對搬送空間AA開放。然後，主搬送機構TAR將該基板W搬送至載置部PAR。以上係與第1返路相關之動作。與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作亦可同時進行。上述步驟S1至S5之一連串處理係基板處理裝置1內之一連串處理。＜分度器部11自處理部17回收基板W之動作＞分度器用搬送機構13將基板W自載置部PAR搬送至載具C。繼而，分度器用搬送機構13將基板W自載置部PAL搬送至載具C。其後，分度器用搬送機構13再次將基板W自載置部PAR搬送至載具C。如此，分度器用搬送機構13交替地自載置部PAR與載置部PAL將基板W逐片搬出。再者，繼取得載置部PAR上之基板W之動作之後，分度器用搬送機構13亦可接著將另一基板W載置於載置部PAR。同樣地，繼取得載置部PAL上之基板W之動作之後，分度器用搬送機構13亦可接著將另一基板W載置於載置部PAL。＜實施例1之效果＞如上所述，能夠降低熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之影響。又，能夠降低熱處理單元HE對液體處理單元SC造成之影響。更具體地例示該效果。於將基板W搬入至液體處理單元HA時或將基板W自熱處理單元HA搬出時，使腔室23對搬送空間AA開放。因此，無法避免熱處理單元HA(腔室23)內之處理氣體(以下，稱為「熱處理氣體」)流出至搬送空間AA。然而，在搬送空間AA與液體處理單元SC之間，設置有前部中繼區塊BB(即載置部PB與搬送機構TB)。因此，能夠較佳地抑制搬送空間AA之熱處理氣體到達至液體處理單元SC。同樣地，每當開放熱處理單元HE時，熱處理氣體會自熱處理單元HE流出至搬送空間AE。然而，後部中繼區塊BD能夠較佳地保護液體處理單元SC不受自熱處理單元HE流出之熱處理氣體影響。由於前部熱處理區塊BA包括供氣單元SAA與排氣單元EXA，故熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之熱之影響被進一步抑制。由於前部中繼區塊BB包括供氣單元SABR、SABL與排氣單元EXBR、EXBL，故熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之熱之影響被進一步抑制。由於液體處理區塊BC包括供氣單元(未圖示)與排氣單元(未圖示)，故熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之熱之影響被進一步抑制。同樣地，由於後部中繼區塊BD包括供氣單元SADR、SADL與排氣單元EXDR、EXDL，故能夠進一步降低熱處理單元HE對液體處理單元SC造成之熱之影響。由於後部熱處理區塊BE包括供氣單元SAE與排氣單元EXE，故能夠進一步降低熱處理單元HE對液體處理單元SC造成之熱之影響。由於區塊BA、BB、BC係依此順序排列成一行，故能夠使熱處理單元HA有效地遠離液體處理單元SC。同樣地，由於區塊BC、BD、BE係依此順序排列成一行，故能夠使熱處理單元HE有效地遠離液體處理單元SC。載置部PB係配置於搬送空間AA與搬送空間AC之間。更具體而言，載置部PB1、PB2、PB3、PB4分別配置於搬送空間AA與分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之間。因此，載置部PB(PB1、PB2、PB3、PB4)能夠較佳地阻礙搬送空間AA之氣氛流動至搬送空間AC(AC1、AC2、AC3、AC4)。同樣地，載置部PD係配置於搬送空間AE與搬送空間AC之間。更具體而言，載置部PD1、PD2、PD3、PD4分別配置於搬送空間AE與分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之間。因此，載置部PD(PD1、PD2、PD3、PD4)能夠較佳地阻礙搬送空間AE之氣氛流動至搬送空間AC(AC1、AC2、AC3、AC4)。尤其是由於搬送空間AA、載置部PB及搬送空間AC沿著中心線IC排列成1行，故能夠進一步較佳地防止搬送空間AA之氣氛流入至搬送空間AC。同樣地，由於搬送空間AE、載置部PD及搬送空間AC沿著中心線IC排列成一行，故能夠進一步較佳地防止搬送空間AE之氣氛流入至搬送空間AC。第1搬送機構群與第2搬送機構群相互獨立。由此，能夠防止利用第1搬送機構群進行之基板W之搬送與利用第2搬送機構群進行之基板W之搬送相互造成影響。例如，即便於屬於第1搬送機構群之至少1個搬送機構發生故障之情形時，利用第2搬送機構群進行之基板W之搬送亦不會延遲或停止。藉此，能夠抑制基板處理裝置1之運轉率下降。第1路徑與第2路徑完全分離。即，第1基板W通過之載置部/處理單元、與第2基板W通過之載置部/處理單元完全不同。由此，能夠防止沿著第1路徑之基板搬送與沿著第2路徑之基板搬送相互造成影響。例如，即便於第1路徑上之至少1個以上之載置部/處理單元發生故障之情形時，亦無需停止沿著第2路徑之基板搬送。藉此，能夠進一步抑制基板處理裝置1之運轉率下降。於第1路徑上，分別各配置有2個處理單元SC1、SC3、HAR、HER。2個處理單元SC1相互並列地連接。其他處理單元SC3、HAR、HER亦同樣。由此，能夠同時進行液體處理或熱處理。其結果，能夠提高第1路徑上之基板W之處理能力(產出量)。又，即便於例如處理單元SC1之一者發生故障之情形時，亦能夠藉由將基板W搬送至另一處理單元SC1而繼續沿著第1路徑之基板搬送。其結果，能夠提高第1路徑上之基板搬送之可靠性。同樣地，於第2路徑上，各設置有2個處理單元SC2、SC4、HAL、HEL。由此，能夠提高第2路徑上之基板W之處理能力，且能夠提高沿著第2路徑之基板搬送之可靠性。沿著第1路徑搬送之第1基板W、與沿著第2路徑搬送之第2基板W不同。由此，能夠防止第1基板W之搬送與第2基板W之搬送相互造成影響。例如，即便於停止第1基板W之搬送之情形時，亦無需停止第2基板W之搬送。藉此，能夠進一步抑制基板處理裝置1之運轉率下降。載置部PB1、PB2、PB3、PB4相互於上下方向Z上排列，且液體處理用搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4亦相互於上下方向Z上排列。進而，載置部PB1係配置於與液體處理用搬送機構TC1相向之位置。因此，液體處理用搬送機構TC1與搬送機構TBR能夠經由載置部PB1而相互搬送基板W。同樣地，載置部PB3係配置於與液體處理用搬送機構TC3相向之位置，故液體處理用搬送機構TC3與搬送機構TBR能夠經由載置部PB3而相互搬送基板W。又，載置部PB2係配置於與液體處理用搬送機構TC2相向之位置，故液體處理用搬送機構TC2與搬送機構TBL能夠經由載置部PB2而相互搬送基板W。同樣地，載置部PB4係配置於與液體處理用搬送機構TC4相向之位置，故液體處理用搬送機構TC4與搬送機構TBL能夠經由載置部PB4而相互搬送基板W。同樣地，載置部PD與液體處理用搬送機構TC之相對位置關係和載置部PB與液體處理用搬送機構TC之相對位置關係相同。因此，各液體處理用搬送機構TC1、TC3能夠分別與搬送機構TDR相互搬送基板W，各液體處理用搬送機構TC2、TC4能夠分別與搬送機構TDL相互較佳地搬送基板W。主搬送機構TAR、TAL於橫向Y排列。載置部PB1係配置於與主搬送機構TAR及主搬送機構TAL之兩者相向之位置。同樣地，載置部PB2-PB4係分別配置於與主搬送機構TAR及主搬送機構TAL之兩者相向之位置。因此，主搬送機構TAR與搬送機構TBR能夠經由例如載置部PB1、PB3而相互搬送基板W。主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由例如載置部PB2、PB4而相互較佳地搬送基板W。主搬送機構TAR與液體處理用搬送機構TC1、TC3可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。又，主搬送機構TAL與液體處理用搬送機構TC2、TC4可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。由此，由於在前部熱處理區塊BA與液體處理區塊BC之間，故能夠高效率地搬送基板W。同樣地，主搬送機構TER與液體處理用搬送機構TC1、TC3可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。又，主搬送機構TEL與液體處理用搬送機構TC2、TC4可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。由此，由於在後部熱處理區塊BE與液體處理區塊BC之間，故能夠高效率地搬送基板W。載置部PAR係配置於主搬送機構TAR之側方、且與搬送機構TBR相向之位置。由此，主搬送機構TAR與搬送機構TBR能夠經由載置部PAR而相互搬送基板W。若進行總結，則主搬送機構TAR與搬送機構TBR能夠經由載置部PAR、PB1、PB3中之任一者而相互搬送基板W。同樣地，載置部PAL係配置於主搬送機構TAL之側方、且與搬送機構TBL相向之位置。由此，主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由載置部PAL而相互搬送基板W。若進行總結，則主搬送機構TAL與搬送機構TBL能夠經由載置部PAL、PB2、PB4中之任一者而相互搬送基板W。因此，可於前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之間靈活地搬送基板。同樣地，主搬送機構TER與搬送機構TDR能夠經由載置部PD1、PD3、PER中之任一者而相互搬送基板W。主搬送機構TEL與搬送機構TDL能夠經由載置部PD2、PD4、PEL中之任一者而相互搬送基板W。由此，可於後部熱處理區塊BE與後部中繼區塊BD之間靈活地搬送基板。由於載置部PAR對分度器部11開放，故分度器用搬送機構13與主搬送機構TAR能夠相互較佳地搬送基板W。由於載置部PAL對分度器部11開放，故分度器用搬送機構13與主搬送機構TAL能夠相互較佳地搬送基板W。分度器用搬送機構13與搬送機構TBR可不使用主搬送機構TA而相互搬送基板W。又，分度器用搬送機構13與搬送機構TBL可不使用主搬送機構TA而相互搬送基板W。由此，由於在分度器部11與前部中繼區塊BB之間，故能夠高效率地搬送基板W。液體處理單元SC具備液體處理單元SC1、SC2，液體處理單元SC1、SC2係將塗膜材料塗佈於基板W之塗佈單元。由此，能夠較佳地對基板W進行塗佈處理。液體處理單元SC具備液體處理單元SC3、SC4，液體處理單元SC3、SC4係將顯影液供給至基板W之顯影單元。由此，能夠較佳地對基板W進行顯影處理。液體處理區塊BC具有較其他區塊BA、BB、BD、BE更多之搬送機構。具體而言，液體處理區塊BC中之搬送機構(即液體處理用搬送機構TC)之數量為4台，為其他區塊BA、BB、BD、BE之2倍。由此，能夠有效地提高液體處理區塊BC中之基板W之搬送能力。自區塊BA至區塊BE之功能之排列與自區塊BE至區塊BA之功能之排列相同。由此，亦可取代將分度器部11連接至前部熱處理區塊BA，而將分度器部11連接至後部熱處理區塊BE。同樣地，亦可取代將曝光機EXP連接至後部熱處理區塊BE，而將曝光機EXP連接至前部熱處理區塊BA。參照圖16。圖16係藉由將分度器部11連接於區塊BE而獲得之基板處理裝置1R之概念圖。如由圖1、圖16所明知，基板處理裝置1R發揮與實施例1之基板處理裝置1同等之功能。進而，基板處理裝置1與基板處理裝置1R具有基本上相同之構造。亦即，前部熱處理區塊BA與後部熱處理區塊BE為實質上相同之構造，前部中繼區塊BB與後部中繼區塊BD為實質上相同之構造。由此，自區塊BA觀察到之處理部17之構造與自區塊BE觀察到之處理部17之構造相同。因此，基板處理裝置1R可與基板處理裝置1視為相同。無論將分度器部11連接於區塊BA、BE之何者，皆可組裝實質上相同之裝置。換言之，無論將分度器部11連接於區塊BA、BE之何者，皆不會成為誤連接。由此，能夠簡化基板處理裝置1之組裝作業。又，不會因為將分度器部11連接於區塊BA、BE之何者而導致區塊BA、BE之設計、或處理部17之設計產生變化。由此，即便於尚未決定將分度器部11連接於區塊BA、BE之何者之階段，亦可預先製造處理部17。於該情形時，於決定分度器部11與處理部17之連接位置後，只要如上所述般進行將分度器部11與處理部17連接之作業便完成基板處理裝置1。如此，可自決定分度器部11與處理部17之連接位置之前製造處理部17，故若分度器部11與處理部17之連接位置決定後，便能夠於短時間內完成基板處理裝置1。 [實施例2] 其次，參照圖式說明本發明之實施例2。再者，對與實施例1相同之構成標註相同符號，而省略詳細之說明。＜基板處理裝置1之整體構造＞圖17係實施例2之基板處理裝置1之俯視圖。實施例2之基板處理裝置1係於基板W形成抗反射膜、抗蝕劑膜及保護膜且將基板W顯影之裝置。基板處理裝置1包括分度器部11、處理部17及介面區塊BF。介面區塊BF於與曝光機EXP之間相互搬送基板W。分度器部11、處理部17、介面區塊BF及曝光機EXP係依此順序於前後方向X上排列成1行。介面區塊BF與處理部17(後部熱處理區塊BE)直接連接，且與曝光機EXP直接連接。曝光機EXP係藉由例如液浸法而對基板W進行曝光處理。＜前部熱處理區塊BA之構造＞參照圖17-20。圖18係沿圖17中之箭頭a-a方向觀察之側視圖。圖19係沿圖17中之箭頭b-b方向觀察之側視圖。圖20係自分度器部11觀察上述熱處理區塊BA之前視圖。前部熱處理區塊BA具有包含於上下方向Z上排列之2個階層之階層構造。具體而言，搬送空間AA被劃分為2個分割搬送空間AA1、AA2。分割搬送空間AA1、AA2相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AA1、AA2係依此順序自下朝上排列。主搬送機構TA包括主搬送機構TA1與主搬送機構TA2。主搬送機構TA1係設置於分割搬送空間AA1，主搬送機構TA2係設置於分割搬送空間AA2。各主搬送機構TA1、TA2係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。前部熱處理區塊BA包括加熱單元HPaA、HPbA、HPcA及疏水化處理單元AHP，作為熱處理單元。前部熱處理區塊BA包括載置部SPA、RPA。各要素HPaA、HPbA、HPcA、AHP、SPA、RPA係分別配置於分割搬送空間AA1、AA2之側方。以下，對各要素之符號適當地標註表示設置場所之記號。表示設置場所之記號係將表示高度位置之數字「1」、「2」、及表示右側YR、左側YL之「R」、「L」組合而成者。對與主搬送機構TA1相向之要素標註表示高度位置之數字「1」，對與主搬送機構TA2相向之要素標註表示高度位置之數字「2」。換言之，對配置於分割搬送空間AA1之側方之要素標註表示高度位置之數字「1」，對配置於分割搬送空間AA2之側方之要素標註表示高度位置之數字「2」。例如，載置部SPA1R係設置於分割搬送空間AA1之右側YR之載置部SPA，加熱單元HPaA2L係設置於分割搬送空間AA2之左側YL之加熱單元HPaA。各加熱單元HPaA、HPbA、HPcA分別對基板W進行加熱。疏水化處理單元AHP進行提高基板W與塗膜之密接性之疏水化處理。具體而言，疏水化處理單元AHP一面將包含六甲基二矽氮烷(HMDS：Hexamethyldisilazane)之處理氣體供給至基板W，一面對基板W進行調溫。加熱單元HPaA除了具備於實施例1中所說明之板21、腔室23及擋板24以外，還具備區域搬送機構25(參照圖17)。區域搬送機構25將基板W沿橫向Y搬送，而將基板W載置於板21上。其他加熱單元HPbA、HPcA及疏水化處理單元AHP亦同樣地具備區域搬送機構25。載置部SPA、RPA具有與實施例1之載置部PA相同之構造。載置部SPA係例如專門為了載置朝向後方XB之基板W而使用，載置部RPA係例如專門為了載置朝向前方XF之基板W而使用。主搬送機構TA1、TA2分別具備導引軸部31、驅動機構32及手33。主搬送機構TA1對設置於分割搬送空間AA1之右側YR之各要素HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、SPA1R、RPA1R、以及設置於分割搬送空間AA1之左側YL之各要素HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、SPA1L、RPA1L進行存取。主搬送機構TA2對設置於分割搬送空間AA2之右側YR之各要素HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R、SPA2R、RPA2R、以及設置於分割搬送空間AA2之左側YL之各要素HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L、SPA2L、RPA2L進行存取。＜前部中繼區塊BB之構造＞參照圖17-19、21。圖21係自分度器部11觀察前部中繼區塊BB之前視圖。前部中繼區塊BB包括載置部SPB、RPB、冷卻載置部PCPB及冷卻單元CPB。冷卻單元CPB係熱處理單元之一態樣，將基板W冷卻。冷卻載置部PCPB供載置基板W並且將基板W冷卻。冷卻載置部PCPB係載置部之一態樣並且亦為熱處理單元之一態樣。冷卻載置部PCPB具備板26、與奪取板26之熱之吸熱機器(未圖示)。冷卻載置部PCPB與載置部SPB、RPB同樣地朝水平方向開放。載置部SPB、RPB、冷卻載置部PCPB及冷卻單元CPB係於前部中繼區塊BB之橫向Y中央，相互於上下方向Z上積層。前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB被分類為：第1群，其位於分割搬送空間AA1之後方XB；及第2群，其位於分割搬送空間AA2之後方XB。屬於第1群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與主搬送機構TA1相向。屬於第2群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與主搬送機構TA2相向。對屬於第1群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB標註表示高度位置之數字「1」、「2」、「3」、「4」中之任一者。對屬於第2群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB標註表示高度位置之數字「5」、「6」、「7」、「8」中之任一者。液體處理區塊BC係如下所述般包括於上下方向Z上排列之複數個分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8、及設置於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8。以要素SPB、RPB、PCPB、CPB之至少1個以上位於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之前方XF之方式，配置前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB。換言之，以要素SPB、RPB、PCPB、CPB之至少1個以上與各液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8相向之方式，配置要素SPB、RPB、PCPB、CPB。標註有表示高度位置之數字「1」之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與液體處理用搬送機構TC1相向。同樣地，標註有表示高度位置之數字「2」、…、「8」之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與液體處理用搬送機構TC2、…、TC8相向。如圖19所示般，形成分割搬送空間AC1-AC4之上下方向Z之範圍與形成分割搬送空間AA1之上下方向Z之範圍同等。形成分割搬送空間AC5-AC8之上下方向Z之範圍與形成分割搬送空間AA2之上下方向Z之範圍同等。前部中繼區塊BB包括輸入緩衝器部Bf-in與輸出緩衝器部Bf-out。輸入緩衝器部Bf-in儲存於基板處理裝置1內未進行熱處理或液體處理等任何處理之基板W。輸出緩衝器部Bf-out儲存於基板處理裝置1內已完成一連串處理後之基板W。輸入緩衝器部Bf-in及輸出緩衝器部Bf-out分別能夠儲存之基板W之數量例如為50片。輸入緩衝器部Bf-in係配置於搬送空間ABR(搬送機構TBR)之右側YR。輸出緩衝器部Bf-out係配置於搬送空間ABL(搬送機構TBL)之左側YL。搬送機構TBR、TBL可分別對各要素SPB、RPB、PCPB、CPB進行存取。搬送機構TBR進而對輸入緩衝器部Bf-in進行存取。搬送機構TBL進而對輸出緩衝器部Bf-out進行存取。＜液體處理區塊BC之構造＞參照圖17-19、22。圖22係自分度器部11觀察液體處理區塊BC之前視圖。液體處理區塊BC具有包含於上下方向Z上排列之8個階層K1、K2、…、K8之階層構造。具體而言，搬送空間AC被劃分為8個分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8。分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8係自下朝上依此順序排列。液體處理用搬送機構TC包含液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8。液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8係分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8。液體處理單元SC包含液體處理單元SC1、SC2、…、SC8。液體處理單元SC1、SC2、…、SC8係分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之側方。液體處理單元SC1、SC2、…、SC6為塗佈單元。更詳細而言，液體處理單元SC1、SC2為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，液體處理單元SC3、SC4為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)，液體處理單元SC5、SC6為保護膜用塗佈單元(TARC)。抗反射膜用塗佈單元SC1、SC2對基板W塗佈抗反射膜材料。抗蝕劑膜用塗佈單元SC3、SC4對基板W塗佈抗蝕劑膜材料。保護膜用塗佈單元SC5、SC6對基板W塗佈保護膜材料。液體處理單元SC7、SC8為顯影單元(DEV)。再者，於實施例2中，如圖17、18所示般，2個液體處理單元SC係配置於液體處理用搬送機構TC之右側YR，2個液體處理單元SC係配置於液體處理用搬送機構TC之左側YL。設置於液體處理用搬送機構TC之右側YR之2個液體處理單元SC共用噴嘴43/53與腔室44/54。例如，設置於液體處理用搬送機構TC8之右側YR之2個液體處理單元SC8共用噴嘴53與腔室54。同樣地，設置於液體處理用搬送機構TC之左側YL之2個液體處理單元SC亦共用噴嘴43/53及腔室44/54。液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8分別對液體處理單元SC1、SC2、…、SC8進行存取。＜後部中繼區塊BD之構造＞參照圖17-19、23。圖23係自分度器部11觀察後部中繼區塊BD之前視圖。後部中繼區塊BD包括載置部SPD、RPD、冷卻載置部PCPD及冷卻單元CPD。載置部SPD、RPD、冷卻載置部PCPD及冷卻單元CPD係於後部中繼區塊BD之橫向Y中央，相互於上下方向Z上積層。以要素SPD、RPD、PCPD、CPD之至少1個以上位於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之後方XB之方式，配置後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。換言之，以要素SPD、RPD、PCPD、CPD之至少1個以上與各液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8相向之方式，配置要素SPD、RPD、PCPD、CPD。對與液體處理用搬送機構TC1相向之要素SPD、RPD、PCPD、CPD標註表示高度位置之數字「1」。同樣地，對與液體處理用搬送機構TC2、…、TC8相向之要素SPD、RPD、PCPD、CPD標註表示高度位置之數字「2」、…、「8」。搬送機構TDR、TDL可分別對各要素SPD、RPD、PCPD、CPD進行存取。再者，於搬送機構TDR之右側YR或搬送機構TDL之左側YL，未設置緩衝器部等(例如，相當於輸入緩衝器部Bf-in或輸出緩衝器部Bf-out之構件)。因此，可於後部中繼區塊BD之右側部或左側部設置例如用以對液體處理區塊BC供給處理液之泵等。＜後部熱處理區塊BE之構造＞參照圖17-19、24。圖24係自分度器部11觀察後部熱處理區塊BE之前視圖。後部熱處理區塊BE係與前部熱處理區塊BA同樣地，具有包含2個階層之階層構造。具體而言，搬送空間AE被劃分為分割搬送空間AE1、AE2。主搬送機構TE包括主搬送機構TE1與主搬送機構TE2。主搬送機構TE1係設置於分割搬送空間AE1，主搬送機構TE2係設置於分割搬送空間AE2。搬送空間AE1與後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第1群於前後方向X上排列。即，主搬送機構TE1與屬於第1群之要素SPD、RPD、PCPD、CPD相向。搬送空間AE2與後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第2群於前後方向X上排列。即，主搬送機構TE2與屬於第2群之要素SPD、RPD、PCPD、CPD相向。此處，第1群包含標註有表示高度位置之數字「1」、「2」、「3」、「4」中之任一者之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。第2群包含標註有表示高度位置之數字「5」、「6」、「7」、「8」中之任一者之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。後部熱處理區塊BE包括加熱單元HPaE、HPbE、及冷卻單元CPE，作為熱處理單元。又，後部熱處理區塊BE包括載置部SPE、RPE及邊緣曝光單元EEW。邊緣曝光單元EEW將基板W上之抗蝕劑膜之周緣部曝光。各要素單元HPaE、HPbE、CPE、SPE、RPE、EEW係分別配置於分割搬送空間AE1、AE2之側方。以下，對各要素之符號適當地標註表示設置場所之記號。表示設置場所之記號係將表示高度位置之數字「1」、「2」、與表示右側YR、左側YL之「R」、「L」進行組合而成者。對與主搬送機構TE1相向之要素標註表示高度位置之數字「1」，對與主搬送機構TE2相向之要素標註表示高度位置之數字「2」。＜介面區塊BF之構造＞參照圖17-19、25。圖25係自分度器部11觀察介面區塊BF之前部之前視圖。此處，介面區塊BF之前部係介面區塊BF中之處理部17側之部分。於5介面區塊BF之前部，設置有載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2、搬送機構TFR、TFL、曝光前清洗單元BSR、BSL及曝光後清洗處理單元SOR、SOL。曝光前清洗單元BSR、BSL對曝光處理前之基板W進行清洗，並進行乾燥。曝光前清洗單元BSR、BSL例如對基板W之背面或端部進行清洗。曝光後清洗處理單元SOR、SOL對曝光處理後之基板W進行清洗，並進行乾燥。例如，曝光前清洗處理單元BSR、BSL與曝光後清洗處理單元SOR、SOL分別包括使基板W旋轉之基板旋轉機構、或對基板W供給清洗液之清洗液供給機構、或用以對基板W進行清洗之刷子等清洗用具等(任一者均未圖示)。載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2係配置於介面區塊BF之橫向Y中央。載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2相互於上下方向Z上排列。如圖19所示般，載置部SPF1、RPF1係配置於與後部熱處理區塊BE之分割搬送空間AE1相向之位置。載置部SPF2、RPF2係配置於與後部熱處理區塊BE之分割搬送空間AE2相向之位置。搬送機構TFR係配置於載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2之右側YR。曝光前清洗單元BSR與曝光後清洗處理單元SOR係配置於搬送機構TFR之右側YR。曝光前清洗單元BSR與曝光後清洗處理單元SOR相互於上下方向Z上排列。搬送機構TFL係配置於載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2之左側YL。曝光前清洗單元BSL與曝光後清洗處理單元SOL係配置於搬送機構TFL之左側YL。曝光前清洗單元BSL與曝光後清洗處理單元SOL相互於上下方向Z上排列。參照圖17-19、26。圖26係自分度器部11觀察介面區塊BF之後部之前視圖。此處，介面區塊BF之後部為介面區塊BF中之曝光機EXP側之部分。於介面區塊BF之後部，設置有冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、搬送機構BHU、曝光後加熱處理單元PEBR、PEBL、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf。曝光後加熱處理單元PEBR、PEBL為熱處理單元之一態樣，進行將曝光處理後之基板W加熱之曝光後加熱處理(Post Exposure Bake)。傳送緩衝器部SBf儲存搬送至曝光機EXP前之基板W。返回緩衝器部RBf儲存自曝光機EXP返回來之基板W。冷卻載置部PCPF與載置部RPFB係配置於介面區塊BF之橫向Y中央。冷卻載置部PCPF與載置部RPFB相互於上下方向Z上排列。搬送機構BHU係配置於冷卻載置部PCPF及載置部RPFB之右側YR。傳送緩衝器部SBf與返回緩衝器部RBf係於介面區塊BF之橫向Y中央，配置於冷卻載置部PCPF及載置部RPFB之上方。傳送緩衝器部SBf與返回緩衝器部RBf相互於上下方向Z上排列。曝光後加熱處理單元PEBR係配置於傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf之右側YR。複數個曝光後加熱處理單元PEBR相互於上下方向Z上排列。曝光後加熱處理單元PEBL係配置於傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf之左側YL。複數個曝光後加熱處理單元PEBL相互於上下方向Z上排列。搬送機構TFR對載置部SPF1、RPF1、曝光前清洗單元BSR、曝光後清洗處理單元SOR、冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、曝光後加熱處理單元PEBR、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf進行存取。搬送機構TFL對載置部SPF2、RPF2、曝光前清洗單元BSL、曝光後清洗處理單元SOL、冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、曝光後加熱處理單元PEBL、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf進行存取。搬送機構BHU對冷卻載置部PCPF與載置部RPFB進行存取。搬送機構BHU進而將基板W搬送至曝光機EXP，且自曝光機EXP接收基板W。＜分度器部11與區塊BA之關係＞參照圖17-19。分度器用搬送機構13與主搬送機構TA相互搬送基板W。具體而言，載置部SPA、RPA對分度器部11(搬送空間16)開放，從而分度器用搬送機構13可對載置部SPA、RPA進行存取。分度器用搬送機構13與主搬送機構TA1經由載置部SPA1R、SPA1L、RPA1R、RPA1L而相互搬送基板W。分度器用搬送機構13與主搬送機構TA2經由載置部SPA2R、SPA2L、RPA2R、RPA2L而相互搬送基板W。＜前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之關係＞主搬送機構TA與搬送機構TB可相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TBR可對配置於搬送空間AA之右側YR之載置部SPA1R、RPA1R、SPA2R、RPA2R進行存取。由此，主搬送機構TA1與搬送機構TBR能夠經由載置部SPA1R、RPA1R而相互搬送基板W。主搬送機構TA2與搬送機構TBR能夠經由載置部SPA2R、RPA2R而相互搬送基板W。同樣地，搬送機構TBL可對配置於搬送空間AA之左側YL之載置部SPA1L、RPA1L、SPA2L、RPA2L進行存取。由此，主搬送機構TA1與搬送機構TBL能夠經由載置部SPA1L、RPA1L而相互搬送基板W。主搬送機構TA2與搬送機構TBL能夠經由載置部SPA2L、RPA2L而相互搬送基板W。主搬送機構TA1可對前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群進行存取。由此，主搬送機構TA1與搬送機構TBR/TBL能夠經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群而相互搬送基板W。同樣地，主搬送機構TA2可對前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群進行存取。由此，主搬送機構TA2與搬送機構TBR/TBL能夠經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群而相互搬送基板W。搬送機構TBR可進而對配置於搬送空間AA之右側YR之熱處理單元HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R進行存取。搬送機構TBL可進而對配置於搬送空間AA之左側YL之熱處理單元HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L進行存取。＜分度器部11、區塊BA及區塊BB之關係＞分度器用搬送機構13與搬送機構TB可不使用主搬送機構TA而相互搬送基板W。具體而言，分度器用搬送機構13及搬送機構TBR能夠經由載置部SPA1R、RPA1R及載置部SPA2R、RPA2R中之任一者而相互搬送基板W。又，分度器用搬送機構13及搬送機構TBL能夠經由載置部SPA1L、RPA1L及載置部SPA2L、RPA2L中之任一者而相互搬送基板W。＜區塊BB與區塊BC之關係＞搬送機構TB與液體處理用搬送機構TC能夠相互搬送基板W。具體而言，液體處理用搬送機構TC1可對與液體處理用搬送機構TC1相向之載置部RPB1與冷卻載置部PCPB1進行存取。搬送機構TBR/TBL與液體處理用搬送機構TC1能夠經由載置部RPB1或冷卻載置部PCPB1而相互搬送基板W。同樣地，液體處理用搬送機構TC2、TC3、…、TC8能夠分別經由與液體處理用搬送機構TC2、TC3、…、TC8相向之載置部SPB、RPB或冷卻載置部PCPB而與搬送機構TBR/TBL交接基板W。＜區塊BA、區塊BB與區塊BC之關係＞主搬送機構TA與液體處理用搬送機構TC可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。例如，主搬送機構TA1與液體處理用搬送機構TC1/TC2/TC3/TC4能夠經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群而相互搬送基板W。主搬送機構TA2與液體處理用搬送機構TC5/TC6/TC7/TC8能夠經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群而相互搬送基板W。＜區塊BC與區塊BD之關係＞液體處理區塊BC與後部中繼區塊BD之關係和前部中繼區塊BB與液體處理區塊BC之關係相同。即，液體處理用搬送機構TC1、TC2、…、TC8可分別與搬送機構TDR/TDL交接基板W。＜區塊BD與區塊BE之關係＞後部中繼區塊BD與後部熱處理區塊BE之關係和前部中繼區塊BB與前部熱處理區塊BA之關係相同。具體而言，搬送機構TDR與主搬送機構TE1能夠經由載置部SPE1R、RPE1R而相互搬送基板W。搬送機構TDR與主搬送機構TE2能夠經由載置部SPE2R、RPE2R而相互搬送基板W。同樣地，搬送機構TDL與主搬送機構TE1能夠經由載置部SPE1L、RPE1L而相互搬送基板W。搬送機構TDL與主搬送機構TE2能夠經由載置部SPE2L、RPE2L而相互搬送基板W。進而，搬送機構TDR/TDL與主搬送機構TE1能夠經由後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第1群而相互搬送基板W。搬送機構TDR/TDL與主搬送機構TE2能夠經由後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第2群而相互搬送基板W。搬送機構TDR可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之右側YR之加熱單元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷卻單元CPE1R、CPE2R及邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R。搬送機構TDL可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之左側YL之加熱單元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷卻單元CPE1L、CPE2L及邊緣曝光單元EEW1L、EEW2L。＜區塊BC、區塊BD及區塊BE之關係＞液體處理區塊BC、後部中繼區塊BD及後部熱處理區塊BE之關係和液體處理區塊BC、前部中繼區塊BB及前部熱處理區塊BA之關係相同。即，液體處理用搬送機構TC與主搬送機構TE可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。＜區塊BE與介面區塊BF之關係＞主搬送機構TE與搬送機構TF能夠相互搬送基板W。具體而言，主搬送機構TE1可對載置部SPF1、RPF1進行存取。主搬送機構TE2可對載置部SPF2、RPF2進行存取。搬送機構TFR可對載置部SPE1R、RPE1R、SPE2R、RPE2R進行存取。搬送機構TFL可對載置部SPE1L、RPE1L、SPE2L、RPE2L進行存取。由此，主搬送機構TE1與搬送機構TFR能夠經由載置部SPE1R、RPE1R、SPF1、RPF1而搬送基板W。主搬送機構TE2與搬送機構TFR能夠經由載置部SPE2R、RPE2R、SPF2、RPF2而搬送基板W。主搬送機構TE1與搬送機構TFL能夠經由載置部SPE1L、RPE1L、SPF1、RPF1而搬送基板W。主搬送機構TE2與搬送機構TFL能夠經由載置部SPE2L、RPE2L、SPF2、RPF2而搬送基板W。搬送機構TFR可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之右側YR之加熱單元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷卻單元CPE1R、CPE2R及邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R。搬送機構TFL可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之左側YL之加熱單元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷卻單元CPE1L、CPE2L及邊緣曝光單元EEW1L、EEW2L。＜介面區塊BF與曝光機EXP之關係＞搬送機構BHU將基板W搬送至曝光機EXP，且自曝光機EXP接收基板W。＜處理部17中之基板之搬送路徑＞圖27係模式性地表示基板W之去路之搬送路徑之圖。圖28係模式性地表示基板W之返路之搬送路徑之圖。如圖27、28所示般，處理部17內之基板W之搬送路徑之數量為2條。具體而言，處理部17具有第1路徑與第2路徑。為了便於說明，將處理部17內之基板W之搬送路徑分為去路與返路。第1路徑包含第1去路與第1返路。第2路徑包含第2去路與第2返路。不存在共通地包含於第1路徑與第2路徑之處理單元或載置部。即，第1路徑與第2路徑完全分離。第1路徑上之各要素分別為本發明之第1載置部、第1熱處理單元及第1液體處理單元之任一者之例，第2路徑上之各要素分別為本發明之第2載置部、第2熱處理單元及第2液體處理單元之任一者之例。於第1路徑上，例如疏水化處理單元AHP1R或液體處理單元SC1等般，並列地配置有進行相同處理之複數個處理單元。於第2路徑上，同樣地亦分別並列配置有各種處理單元。沿著第1路徑搬送基板W之搬送機構群包含搬送機構TA1、TA2、TBR、TC1、TC3、TC5、TC7、TDR、TE1、TE2。沿著第2路徑搬送基板W之搬送機構群包含搬送機構TA1、TA2、TBL、TC2、TC4、TC6、TC8、TDL、TE1、TE2。例如，主搬送機構TA1屬於第1搬送機構群、且第2搬送機構群之兩者。如此，存在共通地包含於第1搬送機構群與第2搬送機構群之搬送機構。即，第1搬送機構群與第2搬送機構群並非相互獨立。＜基板處理裝置1之動作例＞參照圖27-30，說明實施例2之基板處理裝置1之動作例。圖29係表示對基板進行之處理之順序之流程圖。圖30係模式性地表示各搬送機構反覆進行之動作例之圖。＜分度器部11將基板W供給至處理部17之動作＞分度器用搬送機構13將基板W自載具C搬送至載置部SPA。例如，分度器用搬送機構13將基板W交替地搬送至載置部SPA1R、SPA1L、SPA2R、SPA2L。＜處理部17之動作(去路)＞由於與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1去路相關之動作，省略與第2去路相關之動作之說明。搬送機構TBR將基板W自載置部SPA1R/SPA2R搬送至疏水化處理單元AHP1R/AHP2R。再者，若停止自分度器部11向處理部17之基板W之供給，則不將基板W載置於載置部SPA。於此種情形時，搬送機構TBR將基板W自輸入緩衝器部Bf-in搬送至疏水化處理單元AHP1R/AHP2R。於輸入緩衝器部Bf-in預先儲存有基板W。疏水化處理單元AHP1R/AHP2R對基板W進行疏水化處理。搬送機構TBR將基板W自疏水化處理單元AHP1R/AHP2R搬送至冷卻載置部PCPB1。冷卻載置部PCPB1將基板W冷卻。疏水化處理單元AHP1R/AHP2R及冷卻載置部PCPB1進行之一連串之熱處理相當於圖29所示之步驟S11。液體處理用搬送機構TC1將基板W自冷卻載置部PCPB1搬送至液體處理單元SC1。液體處理單元SC1對基板W塗佈抗反射膜材料(步驟S12)。液體處理用搬送機構TC1將基板W自液體處理單元SC1搬送至載置部RPB1。搬送機構TBR將基板W自載置部RPB1搬送至加熱單元HPaA1R、HPaA2R。加熱單元HPaA1R、HPaA2R對基板W進行加熱。主搬送機構TA1將基板W自加熱單元HPaA1R搬送至加熱單元HPbA1R。主搬送機構TA2將基板W自加熱單元HPaA2R搬送至加熱單元HPbA2R。加熱單元HPbA1R、HPbA2R對基板W進行加熱。例如，加熱單元HPbA1R、HPbA2R進行加熱之溫度較加熱單元HPaA1R、HPaA2R高。藉由此種2階段加熱，能夠快速地升高基板W之溫度。搬送機構TBR將基板W自加熱單元HPbA1R、HPbA2R搬送至冷卻載置部PCPB3。冷卻載置部PCPB3將基板W冷卻。加熱單元HPaA1R、HPbA1R、HPaA2R、HPbA2R與冷卻載置部PCPB3進行之一連串之熱處理相當於圖29所示之步驟S13。液體處理用搬送機構TC3將基板W自冷卻載置部PCPB3搬送至液體處理單元SC3。液體處理單元SC3對基板W塗佈抗蝕劑膜材料(步驟S14)。液體處理用搬送機構TC3將基板W自液體處理單元SC3搬送至載置部SPD3。搬送機構TDR將基板W自載置部SPD3搬送至加熱單元HPaE1R、HPaE2R。加熱單元HPaE1R、HPaE2R對基板W進行加熱。搬送機構TDR將基板W自加熱單元HPaE1R、HPaE2R搬送至冷卻載置部PCPD5。冷卻載置部PCPD5將基板W冷卻。加熱單元HPaE1R、HPaE2R與冷卻載置部PCPD5進行之一連串之熱處理相當於圖29所示之步驟S15。液體處理用搬送機構TC5將基板W自冷卻載置部PCPD5搬送至液體處理單元SC5。液體處理單元SC5對基板W塗佈保護膜材料(步驟S16)。液體處理用搬送機構TC5將基板W自液體處理單元SC5搬送至載置部SPD5。搬送機構TDR將基板W自載置部SPD5搬送至加熱單元HPbE1R、HPbE2R。加熱單元HPbE1R、HPbE2R對基板W進行加熱。主搬送機構TE1將基板W自加熱單元HPbE1R搬送至冷卻單元CPE1R。主搬送機構TE2將基板W自加熱單元HPbE2R搬送至冷卻單元CPE2R。冷卻單元CPE1R、CPE2R將基板W冷卻。加熱單元HPbE1R、HPbE2R與冷卻單元CPE1R、CPE2R進行之一連串之熱處理相當於圖29所示之步驟S17。主搬送機構TE1將基板W自冷卻單元CPE1R搬送至邊緣曝光單元EEW1R。主搬送機構TE2將基板W自冷卻單元CPE2R搬送至邊緣曝光單元EEW2R。邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R將基板W之周緣部曝光(步驟S18)。搬送機構TFR將基板W自邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R搬送至介面區塊BF(載置部SPF1)。＜介面區塊BF與曝光機EXP之動作＞搬送機構TFR將基板W自載置部SPF1搬送至曝光前清洗單元BSR。曝光前清洗單元BSR對基板W進行清洗(步驟S19)。搬送機構TFR將基板W自曝光前清洗單元BSR搬送至冷卻載置部PCPF。冷卻載置部PCPF將基板W調整為特定之溫度。搬送機構BHU將基板W自冷卻載置部PCPF搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W進行曝光處理(步驟S20)。搬送機構BHU將基板W自曝光機EXP搬送至載置部RPFB。搬送機構TFR將基板W自載置部RPFB搬送至曝光後清洗處理單元SOR。曝光後清洗處理單元SOR對基板W進行清洗(步驟S21)。搬送機構TFR將基板W自曝光後清洗處理單元SOR搬送至曝光後加熱處理單元PEBR。曝光後加熱處理單元PEBR對基板W進行加熱(步驟S22)。搬送機構TFR將基板W自曝光後加熱處理單元PEBR搬送至載置部RPE1。＜處理部17之動作(返路)＞由於與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1返路相關之動作，省略與第2返路相關之動作之說明。搬送機構TDR將基板W自載置部RPE1搬送至冷卻載置部PCPD7。冷卻載置部PCPD7將基板W冷卻(步驟23)。液體處理用搬送機構TC7將基板W自冷卻載置部PCPD7搬送至液體處理單元SC7。液體處理單元SC7使基板W顯影(步驟S24)。液體處理用搬送機構TC7將基板W自液體處理單元SC7搬送至載置部RPB7。搬送機構TBR將基板W自載置部RPB7搬送至加熱單元HPcA1R、HPcA2R。加熱單元HPcA1R、HPcA2R對基板W進行加熱。主搬送機構TA1將基板W自加熱單元HPcA1R搬送至冷卻單元CPB4。主搬送機構TA2將基板W自加熱單元HPcA2R搬送至冷卻單元CPB5。冷卻單元CPB4、CPB5將基板W冷卻。加熱單元HPcA1R、HPcA2R與冷卻單元CPB4、CPB5進行之一連串之熱處理相當於圖29所示之步驟S25。主搬送機構TA1將基板W自冷卻單元CPB4搬送至載置部RPA1R。主搬送機構TA2將基板W自冷卻單元CPB5搬送至載置部RPA2R。＜分度器部11自處理部17回收基板W之動作＞分度器用搬送機構13將基板W自載置部RPA1R/RPA2R搬送至載具C。再者，若分度器部11自處理部17回收基板W之動作停止，則維持將基板W載置於載置部RPA之狀態不變，而無法將新的基板W載置於載置部RPA。於此種情形時，亦可將基板W自冷卻單元CPB4/CPB5搬送至輸出緩衝器部Bf-out。藉此，將於基板處理裝置1內已進行過一連串處理之基板W儲存於輸出緩衝器部Bf-out。此處，基板處理裝置1內之一連串處理係上述步驟S11至S25之一連串處理。為了將基板W搬送至輸出緩衝器部Bf-out，亦可使用搬送機構TBR、TBL。＜實施例2之效果＞如上所述，藉由實施例2之基板處理裝置1，亦發揮與實施例1相同之效果。尤其，能夠降低液體處理單元SC自釋放高溫之熱或處理氣體之加熱單元HPa、HPb、HPc與疏水化處理單元AHP受到之影響。又，亦能夠降低液體處理單元SC自釋放高溫之熱或處理氣體之加熱單元HPaE、HPbE受到之影響。又，根據實施例2之基板處理裝置1，可對基板W進行各種處理。例如，可於基板W形成抗蝕劑膜、抗反射膜及保護膜。於實施例2中，主搬送機構TA1、TA2於上下方向Z上排列。主搬送機構TA1與前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群相向。因此，主搬送機構TA1與搬送機構TBR能夠相互搬送基板W。主搬送機構TA2與前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群相向。因此，主搬送機構TA2與搬送機構TBL能夠相互較佳地搬送基板W。前部中繼區塊BB具備輸入緩衝器部Bf-in。由此，即便於停止自分度器部11向處理部17之基板W之供給之情形時，處理部17亦能夠對儲存於輸入緩衝器部Bf-in之基板W進行處理。前部中繼區塊BB具備輸出緩衝器部Bf-out。由此，即便於停止自處理部17向分度器部11之基板W之移出(換言之，藉由分度器部11進行之基板W之回收)之情形時，處理部17亦能夠將基板W儲存於輸出緩衝器部Bf-out。由此，能夠抑制基板處理裝置1之生產能力下降。於實施例2之基板處理裝置1中，分度器部11與前部熱處理區塊BA直接連接，且介面區塊BF與後部熱處理區塊BE直接連接。目前，將分度器部11與後部熱處理區塊BE直接連接且介面區塊BF與前部中繼區塊BB直接連接之裝置稱為「基板處理裝置1R」。若如此，則基板處理裝置1R發揮與實施例2之基板處理裝置1同等之功能。因此，無論將分度器部11連接於區塊BA、BE之哪一者，均會組裝實質上相同之裝置。無論將介面區塊BF連接於區塊BA、BE之哪一者，均會組裝實質上相同之裝置。由此，能夠簡化基板處理裝置1之組裝作業。本發明並不限定於上述實施形態，亦可如下述般變化實施。 (1)如上述實施例1中，如圖14所示般，將自液體處理單元SC1搬出之基板W及自液體處理單元SC2搬出之基板W之兩者搬送至後部熱處理區塊BE，但並不限定於此。即，亦可將自液體處理單元SC1搬出之基板W搬送至前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE之一者，將自液體處理單元SC2搬出之基板W搬送至前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE之另一者。換言之，於上述實施例1中，與基板W為第1基板W或第2基板W無關，均於後部熱處理區塊BE中進行圖13所示之步驟2之熱處理，但並不限定於此。例如，亦可於前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE之一者對第1基板W進行步驟2之熱處理，於前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE之另一者對第2基板W進行步驟2之熱處理。參照圖31。圖31係模式性地表示於變化實施例中，第1基板W及第2基板W於區塊BA-BE之間移動之情況之概念圖。如圖示般，將第1基板W自液體處理單元SC1搬送至前部熱處理區塊BA，將第2基板W自液體處理單元SC2搬送至後部熱處理區塊BE。第1基板W係於前部熱處理區塊BA之熱處理單元HAR被進行熱處理(步驟S2)。第2基板W係於後部熱處理區塊BE之熱處理單元HER被進行熱處理(步驟S2)。又，將第1基板W自液體處理單元SC3搬送至前部熱處理區塊BA，將第2基板W自液體處理單元SC4搬送至後部熱處理區塊BE。第1基板W係於前部熱處理區塊BA之熱處理單元HAL被進行熱處理(步驟S5)。第2基板W係於後部熱處理區塊BE之熱處理單元HEL被進行熱處理(步驟S5)。藉由此種變化實施例，亦能夠對第1基板W與第2基板W進行相同之一連串處理。 (2)於上述實施例1、2中，亦可適當地變更液體處理區塊BC之構成。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之階層K之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之液體處理用搬送機構TC之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之液體處理單元SC之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之液體處理單元SC之處理內容。圖32A、32B、32C分別係模式性地表示變化實施例之液體處理區塊之構成之側視圖。於圖32A所示之變化實施例中，液體處理區塊BC具有8個階層K1、K2、…、K8。於各階層K1、K2、…、K8，設置有液體處理單元SC1、SC2、…、SC8。階層K1、K2之液體處理單元SC1、SC2為抗反射膜用塗佈單元(BARC)。階層K3、K4之液體處理單元SC3、SC4為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。階層K5-K8之液體處理單元SC5-SC8為顯影單元(DEV)。於圖32所示之變化實施例中，階層K1之液體處理單元SC1係塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元(RESIST/BARC)。例如，於階層K1設置複數個液體處理單元SC1，液體處理單元SC1之一部分為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，其他液體處理單元SC1為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。同樣地，階層K2-K4之液體處理單元SC2-SC4分別為塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元(RESIST/BARC)。階層K5-K8之液體處理單元SC5-SC8為顯影單元(DEV)。於圖32C所示之變化實施例中，階層K1-K8之液體處理單元SC1-SC8分別為塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元(RESIST/BARC)。例如，於階層K1設置複數個液體處理單元SC1，液體處理單元SC1之一部分為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，其他液體處理單元SC1為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。 (3)於上述實施例1、2中，亦可適當地變更液體處理單元SC使用之處理液。例如，處理液亦可為清洗液或藥液。又，於上述實施例1、2中，對基板W進行之一連串處理之順序亦可適當地變更。 (4)於上述實施例1、2中，亦可省略區塊BD、BE。藉由此種變化實施例，亦能夠降低設置於前部熱處理區塊BA之熱處理單元HA對液體處理單元SC造成之影響。 (5)亦可以適當地組合上述實施例及各變化實施例之各構成之方式進行變更。

1‧‧‧基板處理裝置

1R‧‧‧基板處理裝置

11‧‧‧分度器部

12‧‧‧載具載置部

13‧‧‧分度器用搬送機構

14‧‧‧手

15‧‧‧手驅動機構

16‧‧‧搬送空間

17‧‧‧處理部

21‧‧‧板

23‧‧‧腔室

23a‧‧‧基板搬送口

24‧‧‧擋板

25‧‧‧區域搬送機構

26‧‧‧板

27‧‧‧擱架

31‧‧‧導引軸部

32‧‧‧驅動機構

33‧‧‧手

40‧‧‧遮蔽板

41‧‧‧旋轉保持部

42‧‧‧護罩

43‧‧‧噴嘴

44‧‧‧腔室

44a‧‧‧基板搬送口

45‧‧‧擋板

51‧‧‧旋轉保持部

52‧‧‧護罩

53‧‧‧噴嘴

54‧‧‧腔室

54a‧‧‧基板搬送口

55‧‧‧擋板

61‧‧‧驅動機構

62‧‧‧手

67‧‧‧控制部

AA‧‧‧搬送空間

AA1‧‧‧分割搬送空間

AA2‧‧‧分割搬送空間

ABR‧‧‧搬送空間

ABL‧‧‧搬送空間

AC‧‧‧搬送空間

AC1～AC8‧‧‧分割搬送空間

ADR‧‧‧搬送空間

ADL‧‧‧搬送空間

AE‧‧‧搬送空間

AE1‧‧‧分割搬送空間

AE2‧‧‧分割搬送空間

AHP1L‧‧‧熱處理單元

AHP1R‧‧‧疏水化處理單元

AHP2L‧‧‧熱處理單元

AHP2R‧‧‧疏水化處理單元

BA‧‧‧熱處理區塊

BB‧‧‧前部中繼區塊B

BC‧‧‧液體處理區塊

BD‧‧‧後部中繼區塊

BE‧‧‧熱處理區塊

BF‧‧‧介面區塊

Bf-in‧‧‧輸入緩衝器部

Bf-out‧‧‧輸出緩衝器部

BHU‧‧‧搬送機構

BSL‧‧‧曝光前清洗單元

BSR‧‧‧曝光前清洗單元

C‧‧‧載具

CPB‧‧‧冷卻單元

CPB4‧‧‧冷卻單元

CPB5‧‧‧冷卻單元

CPD‧‧‧冷卻單元

CPE1L‧‧‧冷卻單元

CPE1R‧‧‧冷卻單元

CPE2L‧‧‧冷卻單元

CPE2R‧‧‧冷卻單元

EEW1L‧‧‧邊緣曝光單元

EEW1R‧‧‧邊緣曝光單元

EEW2L‧‧‧邊緣曝光單元

EEW2R‧‧‧邊緣曝光單元

EXA‧‧‧排氣單元

EXBL‧‧‧排氣單元

EXBR‧‧‧排氣單元

EXDL‧‧‧排氣單元

EXDR‧‧‧排氣單元

EXE‧‧‧排氣單元

EXP‧‧‧曝光機

FA‧‧‧框架

FB‧‧‧框架

FC‧‧‧框架

FD‧‧‧框架

FE‧‧‧框架

HA‧‧‧熱處理單元

HAL‧‧‧熱處理單元

HAR‧‧‧熱處理單元

HE‧‧‧熱處理單元

HEL‧‧‧熱處理單元

HER‧‧‧熱處理單元

HPaE1L‧‧‧加熱單元

HPaE1R‧‧‧加熱單元

HPaE2L‧‧‧加熱單元

HPaE2R‧‧‧加熱單元

HPbE1L‧‧‧加熱單元

HPbE1R‧‧‧加熱單元

HPbE2L‧‧‧加熱單元

HPbE2R‧‧‧加熱單元

HPaA1L‧‧‧熱處理單元

HPaA1R‧‧‧熱處理單元

HPaA2L‧‧‧加熱單元

HPaA2R‧‧‧熱處理單元

HPaA2L‧‧‧熱處理單元

HPbA1L‧‧‧熱處理單元

HPbA2L‧‧‧熱處理單元

HPbA2R‧‧‧熱處理單元

HPbA1R‧‧‧熱處理單元

HPcA1L‧‧‧熱處理單元

HPcA1R‧‧‧熱處理單元

HPcA2L‧‧‧熱處理單元

HPcA2R‧‧‧熱處理單元

IC‧‧‧中心線

K1～K8‧‧‧階層

PA‧‧‧載置部

PAL‧‧‧載置部

PAR‧‧‧載置部

PB‧‧‧載置部

PB1‧‧‧載置部

PB2‧‧‧載置部

PB3‧‧‧載置部

PB4‧‧‧載置部

PCPB1～PCPB6‧‧‧冷卻載置部

PCPD5～PCPD8‧‧‧冷卻載置部

PCPF‧‧‧冷卻載置部

PD‧‧‧載置部

PD1‧‧‧載置部

PD2‧‧‧載置部

PD3‧‧‧載置部

PD4‧‧‧載置部

PE‧‧‧載置部

PEBL‧‧‧曝光後加熱處理單元

PEBR‧‧‧曝光後加熱處理單元

PEL‧‧‧載置部

PER‧‧‧載置部

RBf‧‧‧返回緩衝器部

RPA1L‧‧‧載置部

RPA1R‧‧‧載置部

RPA2L‧‧‧載置部

RPA2R‧‧‧載置部

RPB1‧‧‧載置部

RPB7‧‧‧載置部

RPD‧‧‧載置部

RPE1‧‧‧載置部

RPE1L‧‧‧載置部

RPE1R‧‧‧載置部

RPE2L‧‧‧載置部

RPE2R‧‧‧載置部

RPF1‧‧‧載置部

RPF2‧‧‧載置部

RPFB‧‧‧載置部

SAA‧‧‧供氣單元

SABL‧‧‧供氣單元

SABR‧‧‧供氣單元

SADL‧‧‧供氣單元

SADR‧‧‧供氣單元

SAE‧‧‧供氣單元

SBf‧‧‧傳送緩衝器部

SC‧‧‧液體處理單元

S1～S5‧‧‧步驟

S11～S25‧‧‧步驟

SC1～SC8‧‧‧液體處理單元

SOL‧‧‧曝光後清洗處理單元

SOR‧‧‧曝光後清洗處理單元

SPA1L‧‧‧載置部

SPA1R‧‧‧載置部

SPA2L‧‧‧載置部

SPA2R‧‧‧載置部

SPD‧‧‧載置部

SPD3～SPD6‧‧‧載置部

SPE1L‧‧‧載置部

SPE1R‧‧‧載置部

SPE2L‧‧‧載置部

SPE2R‧‧‧載置部

SPF1‧‧‧載置部

SPF2‧‧‧載置部

TA‧‧‧主搬送機構

TA1‧‧‧主搬送機構

TA2‧‧‧主搬送機構

TAL‧‧‧主搬送機構

TAR‧‧‧主搬送機構

TB‧‧‧搬送機構

TBL‧‧‧搬送機構

TBR‧‧‧搬送機構

TC‧‧‧液體處理用搬送機構

TC1～TC8‧‧‧液體處理用搬送機構

TD‧‧‧搬送機構

TDL‧‧‧搬送機構

TDR‧‧‧搬送機構

TE‧‧‧主搬送機構

TE1‧‧‧主搬送機構

TE2‧‧‧主搬送機構

TEL‧‧‧主搬送機構

TER‧‧‧主搬送機構

TFL‧‧‧搬送機構

TFR‧‧‧搬送機構

W‧‧‧基板

X‧‧‧前後方向

XB‧‧‧後方

XF‧‧‧前方

Y‧‧‧橫向

YL‧‧‧左側

YR‧‧‧右側

Z‧‧‧上下方向

a-a‧‧‧線

b-b‧‧‧線

雖然為了說明發明而圖示出目前認為較佳之若干個形態，但應理解，發明並不限定於如圖所示之構成及對策。圖1係實施例1之基板處理裝置之概念圖。圖2係實施例1之基板處理裝置之俯視圖。圖3係沿圖2中之箭頭a-a方向觀察之側視圖。圖4係沿圖2中之箭頭b-b方向觀察之側視圖。圖5係模式性地表示搬送機構與載置部之關係之概念圖。圖6係自分度器部觀察到之前部熱處理區塊之前視圖。圖7係自分度器部觀察到之前部中繼區塊之前視圖。圖8係自分度器部觀察到之液體處理區塊之前視圖。圖9係自分度器部觀察到之後部中繼區塊之前視圖。圖10係自分度器部觀察到之後部熱處理區塊之前視圖。圖11係實施例1之基板處理裝置之控制區塊圖。圖12係模式性地表示基板之搬送路徑之圖。圖13係表示對基板進行之處理之順序之流程圖。圖14係模式性地表示第1基板及第2基板於區塊之間移動之情況之概念圖。圖15係模式性地表示各搬送機構反覆進行之動作例之圖。圖16係實施例1之基板處理裝置之概念圖。圖17係實施例2之基板處理裝置之俯視圖。圖18係沿圖17中之箭頭a-a方向觀察之側視圖。圖19係沿圖17中之箭視b-b方向觀察之側視圖。圖20係自分度器部觀察到之前部熱處理區塊之前視圖。圖21係自分度器部觀察到之前部中繼區塊之前視圖。圖22係自分度器部觀察到之液體處理區塊之前視圖。圖23係自分度器部觀察到之後部中繼區塊之前視圖。圖24係自分度器部觀察到之後部熱處理區塊之前視圖。圖25係自分度器部觀察到之介面區塊之前部之前視圖。圖26係自分度器部觀察到之介面區塊之後部之前視圖。圖27係模式性地表示基板之去路之搬送路徑之圖。圖28係模式性地表示基板之返路之搬送路徑之圖。圖29係表示對基板進行之處理之順序之流程圖。圖30係模式性地表示各搬送機構反覆進行之動作例之圖。圖31係模式性地表示於變化實施例中，第1基板及第2基板於區塊之間移動之情況之概念圖。圖32A、32B、32C係分別模式性地表示變化實施例之液體處理區塊之構成之側視圖。

Claims

一種基板處理裝置，上述基板處理裝置包括：於俯視時為大致矩形之前部熱處理區塊；於俯視時為大致矩形之前部中繼區塊；及於俯視時為大致矩形之液體處理區塊；且上述前部熱處理區塊包括：熱處理單元，其配置於上述前部熱處理區塊內，對基板進行熱處理；及主搬送機構，其配置於上述前部熱處理區塊內，將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊包括：載置部，其配置於上述前部中繼區塊內，供載置基板；及搬送機構，其配置於上述前部中繼區塊內，將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊包括：液體處理單元，其配置於上述液體處理區塊內，對基板進行液體處理；及液體處理用搬送機構，其配置於上述液體處理區塊內，將基板搬送至上述液體處理單元；且上述前部熱處理區塊與上述前部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板；上述前部中繼區塊與上述液體處理區塊連接，且能夠相互搬送基板；且上述前部中繼區塊係配置於上述液體處理區塊與上述前部熱處理區塊之間。
如請求項1之基板處理裝置，其中於俯視時，上述前部熱處理區塊、上述前部中繼區塊及上述液體處理區塊係依此順序排列成一行。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊具有供設置上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，上述液體處理區塊具有供設置上述液體處理用搬送機構之搬送空間，且上述前部中繼區塊之上述載置部係配置於上述前部熱處理區塊之上述搬送空間與上述液體處理區塊之上述搬送空間之間。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊之液體處理用搬送機構包括：第1液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；及第2液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；且上述前部熱處理區塊之第1主搬送機構、上述前部中繼區塊之第1搬送機構及上述液體處理區塊之上述第1液體處理用搬送機構係搬送第1基板；上述前部熱處理區塊之上述第2主搬送機構、上述前部中繼區塊之上述第2搬送機構及上述液體處理區塊之上述第2液體處理用搬送機構係搬送與上述第1基板不同之第2基板。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對與上述第1基板不同之第2基板進行熱處理；上述前部中繼區塊之上述載置部包括： 1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及 1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；上述液體處理單元包括：複數個第1液體處理單元，其等對上述第1基板進行液體處理；及複數個第2液體處理單元，其等對上述第2基板進行液體處理。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置包括：於俯視時為大致矩形之後部中繼區塊；及於俯視時為大致矩形之後部熱處理區塊；且上述後部中繼區塊包括：載置部，其配置於上述後部中繼區塊內，載置基板；及搬送機構，其配置於上述後部中繼區塊內，將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊包括：熱處理單元，其配置於上述後部熱處理區塊內，對基板進行熱處理；及主搬送機構，其配置於上述後部熱處理區塊內，將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；且上述液體處理區塊與上述後部中繼區塊連接，且能夠相互搬送基板；上述後部中繼區塊與上述後部熱處理區塊連接，且能夠相互搬送基板；且上述後部中繼區塊係配置於上述液體處理區塊與上述後部熱處理區塊之間。
如請求項6之基板處理裝置，其中於俯視時，上述前部熱處理區塊、上述前部中繼區塊、上述液體處理區塊、上述後部中繼區塊及上述後部熱處理區塊係依此順序排列成一行。
如請求項6之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊具有供設置上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，上述液體處理區塊具有供設置上述液體處理用搬送機構之搬送空間，上述後部熱處理區塊具有供設置上述後部熱處理區塊之上述主搬送機構之搬送空間，且上述前部中繼區塊之上述載置部係配置於上述前部熱處理區塊之上述搬送空間與上述液體處理區塊之上述搬送空間之間，上述後部中繼區塊之上述載置部係配置於上述液體處理區塊之上述搬送空間與上述後部熱處理區塊之上述搬送空間之間。
如請求項6之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊之液體處理用搬送機構包括：第1液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；及第2液體處理用搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；上述後部中繼區塊之上述搬送機構包括：第1搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；及第2搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊之上述主搬送機構包括：第1主搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；及第2主搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元；且上述前部熱處理區塊之第1主搬送機構、上述前部中繼區塊之第1搬送機構、上述液體處理區塊之上述第1液體處理用搬送機構、上述後部中繼區塊之上述第1搬送機構及上述後部熱處理區塊之上述第1主搬送機構係搬送第1基板；上述前部熱處理區塊之上述第2主搬送機構、上述前部中繼區塊之上述第2搬送機構、上述液體處理區塊之上述第2液體處理用搬送機構、上述後部中繼區塊之上述第2搬送機構及上述後部熱處理區塊之上述第2主搬送機構係搬送與上述第1基板不同之第2基板。
如請求項6之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對第2基板進行熱處理；上述前部中繼區塊之上述載置部包括： 1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及 1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；上述液體處理單元包括：複數個第1液體處理單元，其等對第1基板進行液體處理；及複數個第2液體處理單元，其等對第2基板進行液體處理；上述後部中繼區塊之上述載置部包括： 1個以上之第1載置部，其載置上述第1基板；及 1個以上之第2載置部，其載置上述第2基板；且上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元包括：複數個第1熱處理單元，其等對第1基板進行熱處理；及複數個第2熱處理單元，其等對第2基板進行熱處理。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部中繼區塊之複數個上述載置部係相互排列於上下方向，上述前部中繼區塊之複數個上述搬送機構係配置於上述前部中繼區塊之上述載置部之側方，複數個上述液體處理用搬送機構係相互排列於上下方向，且以上述液體處理用搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部。
如請求項11之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之複數個上述主搬送機構係排列於上下方向及橫向之任一方向，且以上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部。
如請求項12之基板處理裝置，其中上述前部中繼區塊之至少任一個上述載置部係配置於與上述前部熱處理區塊之1個以上之上述主搬送機構、及上述液體處理區塊之1個以上之上述液體處理用搬送機構之兩者相向之位置。
如請求項12之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊具備載置基板之複數個載置部，上述前部熱處理區塊之複數個上述載置部係於上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構之側方，相互排列於上下方向，且以上述前部中繼區塊之上述搬送機構之各者與上述前部熱處理區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部熱處理區塊之上述載置部。
如請求項14之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之上述載置部係對連接於上述前部熱處理區塊之分度器部開放，且上述前部熱處理區塊之上述主搬送機構與上述分度器部係經由上述前部熱處理區塊之上述載置部而相互搬送基板。
如請求項14之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之至少任一個上述載置部係與上述前部中繼區塊之1個以上之上述搬送機構相向，且對連接於上述前部熱處理區塊之分度器部開放。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述液體處理單元包括：塗佈單元，其對基板塗佈塗膜材料；及顯影單元，其對基板供給顯影液。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部中繼區塊包括：輸入緩衝器部，其儲存於上述基板處理裝置內未進行任一處理之基板；及輸出緩衝器部，其儲存於上述基板處理裝置內已進行一連串之處理之基板。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊與上述液體處理區塊並未直接連接。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述前部中繼區塊之上述載置部及上述搬送機構係配置於上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元與上述液體處理區塊之上述液體處理單元之間。