TWI822039B - 電子裝置的製造方法 - Google Patents

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林俊賢
陳逸安
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群創光電股份有限公司
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Abstract

本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一第一基板，所述第一基板包括一電路層與設置在所述電路層上的一電子元件。製造方法更包括提供一第二基板、將所述第一基板與所述第二基板貼合以形成一電子模組、切割所述電子模組、形成一線路在所述電子模組被切割後暴露出的一第一面上與所述電子模組的一第二面上，所述第一面相鄰於所述第二面，所述線路電連接到所述電路層、以及設置一驅動元件於所述電子模組的所述第二面上，且所述驅動元件電連接到所述線路。

Description

電子裝置的製造方法
本揭露涉及一種電子裝置的製造方法，特別是涉及一種可應用於拼接電子裝置的製造方法。
現有的電子裝置朝向窄邊框或無邊框發展，其可拼接成大型的電子裝置。因此，如何改善窄邊框或無邊框的電子裝置的製程是相關領域所致力發展的方向。
在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一第一基板與一第二基板，第一基板包括一電路層與設置於電路層上的一電子元件。製造方法另包括將第一基板與第二基板貼合以形成一電子模組、切割電子模組、形成一線路在電子模組被切割後所暴露出的一第一面上與電子模組的一第二面上，第一面相鄰於第二面，線路電連接到電路層。製造方法另包括設置一驅動元件於電子模組的第二面上以電連接到線路。
在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括 提供一第一基板，第一基板包括一電路層。製造方法另包括切割第一基板、形成一線路在第一基板被切割後所暴露的一第一面上與第一基板的一第二面上，第一面相鄰第二面，線路電連接到電路層。製造方法另包括設置一電子元件於電路層上、將被切割後的第一基板與一第二基板貼合以形成一電子模組、設置一驅動元件於第一基板的第二面上以電性連接到線路。
100:第一基底
102:電路層
104:電子元件
106:第二基底
AA:主動區
CF,CF1,CF2,CF3:彩色濾光層
CU,CU1,CU2,CU3,CU4:切割線
DE:驅動元件
E1:第一電極
E2:第二電極
ED:電子裝置
EL:二極體單元
EM:電子模組
EN:封裝層
GL1:第一膠體
GL2:第二膠體
LS:遮光結構
M100,M200:製造方法
MH:轉移頭
NAA:非主動區
OP:開口
OS:光學結構
P1:部分
CL:光轉換層
RS:背面
S1,S2,S3,S4:側邊
S102,S104,S106,S108,S110,S111,S112,S114,S116,S202,S204,S205,S206,S208,S210,S212,S214,S216,S219,S218,S220:步驟
SB1:第一基板
SB2:第二基板
SL:散射層
SS,SS1,SS2,SS11,SS12,SS21,SS22:側表面
W1:距離
WL:線路
X,Y,Z:方向
圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。
圖2到圖6為本揭露第一實施例的電子裝置的製造流程的裝置結構示意圖。
圖7為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。
圖8到圖12為本揭露第二實施例的電子裝置的製造流程的裝置結構示意圖。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。
應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有***的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有***的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」...可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。申請專利範圍中可不使用相同術語，而依照申請專利範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三...取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在申請專利範圍中可能為第二組成元件。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接皆可以指直接連接或間接連 接，於直接連接的情況下，兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上組件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的組件、或上述組件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本揭露中所提到的術語“等于”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型 態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。在本揭露中，電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置做為電子裝置或拼接裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。
請參考圖1到圖6，圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，而圖2到圖6為本揭露第一實施例的電子裝置的製造流程的裝置結構示意圖。本揭露的電子裝置(例如圖6所示的電子裝置ED)可例如包括顯示裝置，但不以此為限。舉例來說，本揭露的電子裝置ED可例如作為拼接電子裝置的拼接單元，藉由拼裝多個電子裝置ED以形成拼接電子裝置，但不以此為限。根據本實施例，電子裝置ED的製造方法M100可包括以下步驟：
S102：提供第一基板，第一基板包括電路層與設置於電路層上的電子元件
S104：提供第二基板
S106：在第一基板與第二基板之間形成第一膠體與圍繞第一膠體的第二膠體
S108：將第一基板與第二基板貼合以形成電子模組
S110：切割電子模組
S111：進行研磨製程
S112：形成線路於電子模組被切割後所暴露出的第一面上與電子模組的第二面上，第一面相鄰於第二面，線路電連接到電路層
S114：形成封裝層於電子模組被切割所後暴露出的第一面上
S116：設置驅動元件於電子模組的第二面上以電連接到線路
以下將詳述電子裝置ED的製造方法M100的各步驟內容。
電子裝置ED的製造方法M100包括步驟S102，提供第一基板SB1。圖2示出本實施例的第一基板SB1的剖視示意圖。如圖2所示，第一基板SB1可包括第一基底100、電路層102及設置於電路層102上的電子元件104。第一基底100可包括可撓曲基底、硬質基底或上述基底的組合，但不限於此。可撓曲基底的材料可例如包括聚醯亞胺(polyimide，Pl)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料、或上述材料的組合，但不限於此。硬質基底的材料可例如包括玻璃、陶瓷、石英、藍寶石或上述材料的組合，但不限於此。在一些實施例中，第一基底100可包括單層結構、多層結構或複合層結構。在一些實施例中，電路層102可設置在第一基底100與電子元件104之間。在一些實施例中，電路層102可包括連接墊、導線、驅動電路，但不以此為限。在一些實施例中，電子元件104可例如包括被動元件與主動 元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等，但不限於此，詳細可參考如上舉例。如圖2所示，電子元件104可包括二極體單元EL、第一電極E1和第二電極E2，第一電極E1和第二電極E2可例如位在二極體單元EL的同一側，但不以此為限。電子元件104可通過適合的方法設置在電路層102上，舉例電子元件104可藉由轉移頭MH將複數個電子元件104轉移到電路層102上，但不以此為限。雖然圖2中未示出，將電子元件104設置在電路層102上之後可選擇性在電子元件104的周圍及/或在電路層102上方設置填充材料(未繪示)，藉由填充材料以固定電子元件104，但不限於此。在一些實施例中，填充材料可選擇具有流平性佳、低固化收縮率、低熱膨脹係數、高穿透率或高反射率等特性的材料或其他適合的材料，但不限於此。舉例來說，填充材料可包括壓克力樹酯(acrylic resin)、環氧樹酯(epoxy resin)、矽氧烷(siloxane)材料、矽膠(silicone)、其他適合的材料或上述材料的組合。
電子裝置ED的製造方法M100可包括步驟S104，提供第二基板SB2。圖3為本實施例的第二基板的剖視示意圖。如圖3所示，第二基板SB2可包括第二基底106、遮光結構LS及/或光學結構OS，但不以此為限。第二基底106的材料可參考上述第一基底100的材料敘述。遮光結構LS可設置在第二基底106上。在一些實施例中，遮光結構LS可具有複數個開口OP，光學結構OS可例如於第二基底106的法線方向(如方向Z)上重疊於開口OP。在一些實施例中，光學結構OS可設置在遮光結構LS的開口OP內。在一些實施例中，遮光結構LS可例如包括黑色矩陣(black matrix)材料或其他合適材料，但不以此為限。在一些實施例中，光學結構OS可包括彩色濾光層CF、光轉換層CL、光散射材料(未繪示)、其他合適的材料或上述之組合，但不限於此。依據電子裝置ED的設計，不同的開口OP中可包 括相同顏色或不同顏色的彩色濾光層CF。舉例來說，圖3所示的第二基板SB2中可包括彩色濾光層CF1、彩色濾光層CF2及/或彩色濾光層CF3，分別為紅色、綠色和藍色的彩色濾光層，但不以此為限。彩色濾光層可根據需求選擇其他顏色的濾光層。在圖3中，彩色濾光層CF1、彩色濾光層CF2和彩色濾光層CF3的位置可分別定義出紅色、綠色和藍色的子像素，此些子像素可構成一像素，但不以此為限。在其他實施例中，像素中的子像素顏色、數量及/或排列方式可根據需求而改變。
在一些實施例中，如圖3所示，光學結構OS可選擇性包括光轉換層CL，光轉換層CL可例如設置在彩色濾光層CF上，即彩色濾光層CF可設置於光轉換層CL與第二基底106之間，但不以此為限。在一些實施例中，將電子元件104發出的光線轉換為紅光的光轉換層CL可例如設置在紅色彩色濾光層CF1上，將電子元件104發出的光線轉換為綠光的光轉換層CL可設置在綠色彩色濾光層CF2上，但不限於此。在一些實施例中，當電子元件104發射藍光時，光轉換層CL可不設置在彩色濾光層CF3上，且可選擇性設置散射層SL於彩色濾光層CF3上，即彩色濾光層CF可設置於散射層SL與第二基底106之間。在一些實施例中，光轉換層CL可包括任何適合的光轉換材料，例如量子點(quantum dot)、磷光材料(phosphor)、螢光材料(fluorescent)、其他適合的材料或上述材料的組合。雖然圖3未示出，本實施例的第二基板SB2可包括一保護層(未繪示)設置在光學結構OS及/或遮光結構LS上。
須注意的是，製造方法M100的步驟S102和步驟S104可以任何適合的順序進行，或是可同時進行步驟S102和步驟S104。此外，製造方法M100中的任 何步驟之間可根據需求***其它步驟。再者，製造方法M100中的任何步驟可根據需求調整順序或是刪除。
請參考圖1與圖3，在形成第一基板SB1與第二基板SB2之後，可進行步驟S106，在第一基板SB1與第二基板SB2之間形成第一膠體GL1與圍繞第一膠體GL1的第二膠體GL2。具體來說，第一膠體GL1可設置在第一基板SB1或第二基板SB2上，第二膠體GL2可設置在第一基板SB1或第二基板SB2上。換句話說，第一膠體GL1與第二膠體GL2可根據需求設置於相同或不同的基板上。
圖3示出第一膠體GL1和第二膠體GL2皆設置在第二基板SB2上的情形，但不限於此。如圖3所示，第一膠體GL1可設置在遮光結構LS及/或光學結構OS上，第二膠體GL2可圍繞第一膠體GL1。須注意的是，第一膠體GL1和第二膠體GL2可以任何適合的順序設置在第二基板SB2或第一基板SB1上。如圖3示，可先在第二基板SB2上設置第二膠體GL2，接著在第二膠體GL2所圍成的區域中設置第一膠體GL1。或者，可先在第二基板SB2上設置第一膠體GL1，接著形成圍繞第一膠體GL1的第二膠體GL2。
請參考圖4，圖4示出了本實施例的電子模組的剖視示意圖。於步驟S106之後，可進行步驟S108，將第一基板SB1與第二基板SB2貼合以形成電子模組EM。於步驟S108中，第一基板SB1與第二基板SB2是透過第一膠體GL1與圍繞第一膠體GL1的第二膠體GL2貼合，但不以此為限。在其它實施例中(未繪示)，第一基板SB1與第二基板SB2可更透過其他膠體貼合。在其它實施例中(未繪示)，第一基板SB1與第二基板SB2可選擇性透過第一膠體GL1及第二膠體GL2的 一者而貼合。
在一些實施例中，第一膠體GL1可選擇具有高穿透率、低固化收縮率、高黏著強度、流平性佳、無溶劑、高耐溫性等特性的材料，但不限於此。高穿透率的材料例如在可見光波長範圍內具有大於95%的光穿透率，但不限於此。低固化收縮率的材料例如其收縮率小於3%，較佳地小於1%，但不限於此。在一些實施例中，第一膠體GL1可例如包括壓克力樹酯、環氧樹酯、矽氧烷材料、矽膠材料、其他適合的材料或上述材料的組合。在一些實施例中，第一膠體GL1可例如具有熱固化及/或光固化的材料，但不以此為限。光固化的材料例如UV光固化材料。在一些實施例中，第二膠體GL2可例如包括壓克力樹酯、環氧樹酯、矽膠材料、其他適合的材料或上述材料的組合。第二膠體GL2可例如具有熱固化及/或光固化的材料，但不以此為限。在一些實施例中，第一膠體GL1和第二膠體GL2的材料可相同或不同。
在一些實施例中，電子裝置ED可具有主動區AA及/或非主動區NAA，非主動區NAA例如鄰近於或環繞於主動區AA。在一些實施例中，第二膠體GL2可例如大致環繞於主動區AA，但不限於此。主動區AA可例如定義為電子裝置ED的操作區域(例如發光區域或顯示區域)，而非主動區NAA可例如為操作區域以外的區域。舉例來說，當電子裝置ED包含遮光結構LS，操作區域可例如定義為框住所有遮光結構LS的開口OP的區域，但不以此為限。在其它實施例中(未繪示)，當電子裝置ED不包括遮光結構LS，操作區域可例如定義為電子元件104所在的區域。當電子裝置ED不包括遮光結構LS，及/或光學結構OS時，電子裝置ED中的電子元件104可例如包含發射不同顏色的發光元件，但不限於此。
上述的“第二膠體GL2大致環繞主動區AA設置”可包括部分第二膠體GL2與主動區AA於第二基底106的法線方向(例如方向Z)上重疊或不重疊的情況。當第二膠體GL2與主動區AA於第二基底106的法線方向(例如方向Z)上重疊時，第二膠體GL2可例如選擇高穿透率的材料，但不以此為限。
請參考圖4，在一些實施例中，於步驟S108“將第一基板SB1與第二基板SB2貼合以形成電子模組EM”中，可例如將光學結構OS朝向電子元件104以貼合，但不以此為限。在一些實施例中，第一基板SB1和第二基板SB2可例如在一真空腔中彼此貼合，但不以此為限。在一些實施例中，第一基板SB1可包括突出於第二基板SB2的至少一部分，例如部分P1，但不以此為限。在一些實施例中，部分P1上可設置測試線路(未繪示)和/或測試墊(未繪示)，測試線路和/或測試墊可用以在進行後續製程前先進行電子元件104的測試，但不限於此。據此，可改善最終形成的電子裝置ED的良率。
圖5示出了本實施例的電子模組的俯視示意圖。請參考圖1、圖4及圖5，形成電子模組EM之後，可進行步驟S110，切割電子模組EM。在步驟S110中，電子模組EM可沿著至少一切割線CU被切割，切割線CU(例如切割線CU1、切割線CU2、切割線CU3、切割線CU4)可對應切在非主動區NAA上且分別鄰近於主動區AA的不同側邊(例如側邊S1、側邊S2、側邊S3及/或側邊S4)，但不以此為限。在其它實施例，此些切割線CU(例如切割線CU1、切割線CU2、切割線CU3、切割線CU4)可大致切在非主動區NAA與主動區AA的交界處上以提高窄邊框或無邊框的效果，但不以此為限。電子模組EM的切割製程可通過任何適合的切割方 法進行，例如刀輪切割(wheel cutting)、雷射切割或其他合適方法，但不以此為限。須注意的是，本實施例的切割製程中切割線的位置設計並不以上述內容為限。圖5示出的主動區AA的形狀僅為示例，主動區AA可具有任何適合的形狀，切割線CU的位置可選擇性根據主動區AA的形狀而改變。
如圖6所示，在切割電子模組EM之後，可暴露出電子模組EM的側表面SS，側表面SS例如包括側表面SS1及/或側表面SS2，但不以此為限。詳細來說，側表面SS1可包括第一基板SB1的側表面SS11和第二基板SB2的側表面SS12，但不限於此。側表面SS2可包括第一基板SB1的側表面SS21和第二基板SB2的側表面SS22，但不限於此。
需注意的是，在切割電子模組EM之後，電子模組EM的一部分可被移除，而留下包含主動區AA的部份。在一些實施例中，藉由製造方法M100所製造所完成的電子裝置ED中可不包括第二膠體GL2及/或部分P1，但不以此為限。在其他實施例中(未繪示)，藉由製造方法M100所製造所完成的電子裝置ED中可包括部份的第二膠體GL2及/或部分P1。
如圖6所示，根據本實施例，在電子模組EM的切割製程後可進行步驟S111，進行研磨製程。研磨製程包括研磨電子模組EM被切割後所暴露出的第一面，第一面例如為在切割製程後之電子模組EM所暴露出的側表面SS(包括側表面SS1及/或側表面SS2)，但不以此為限。請參考圖1及圖6，進行電子模組EM的切割製程或研磨製程後，可進行步驟S112，形成線路WL在電子模組EM被切割後所暴露出的第一面上與電子模組EM的第二面上，第二面可相鄰於第一面。 詳細來說，第一面如上所述為側表面SS，第二面為第一基板SB1的背面RS，背面RS可相鄰於側表面SS。第一基板SB1的背面RS可例如為第一基板SB1中之遠離於使用者操作的表面(例如顯示面，但不限於此)。換句話說，於步驟S112中，線路WL可例如形成在側表面SS及第一基板SB1的背面RS。在一些實施例中，線路WL可設置在至少一側表面SS(側表面SS1及/或側表面SS2)上並可延伸到第一基板SB1的背面RS。在一些實施例中，線路WL可例如電連接到電路層102，線路WL可藉由電路層102電連接到電子元件104，但不限於此。圖6中示出的線路WL的數量僅為示例，線路WL的數量可依據需求而調整。在一些實施例中，線路WL在側表面SS上可具有任何適合的長度或延伸方向，本揭露不以此為限，例如線路WL在側表面SS上可選擇性延伸並接觸於第二基板SB2的第二基底106，但不以此為限。
在一些實施例中，線路WL可例如透過印刷製程形成在電子模組EM的第一面與第二面上，但不以此為限。在一些實施例中，線路WL的材料可例如包括金屬粒子、金屬碎片、金屬柱等型態，線路WL的材料可例如根據製程需求調整材料特性，例如可包括墨水、膠體、光阻、靶材，但不限於此。在一些實施例中，上述金屬可包括銀、銅、金、鈀、鉑、鎳、鉬、鈦、鋁、其他適合的金屬材料或上述金屬的合金，但不以此為限。在一些實施例中，線路WL的材料可包括低溫燒成的材料，其燒成溫度約為150℃，但不限於此。在此實施例中，線路WL的材料的燒成溫度可根據第一膠體GL1及/或第二膠體GL2的材料而調變。
由於線路WL例如在第一基板SB1與第二基板SB2貼合之後才形成， 為了降低於形成線路WL的製程中對於電子模組EM的元件(例如第一膠體GL1、第二膠體GL2或其它元件)的影響，線路WL的材料可例如選用具較低燒成溫度的材料，但不限於此。在一些實施例中，第一膠體GL1及/或第二膠體GL2可選擇具有高耐溫性的材料，改善電子裝置ED的良率。
請參考圖6及圖1，在電子模組EM上設置線路WL後，可進行步驟S114，形成封裝層EN在電子模組EM被切割後所暴露出的第一面上，第一面如上所述為側表面SS。在一些實施例中，封裝層EN可覆蓋設置在側表面SS1及/或側表面SS2上的線路WL。在一些實施例中，封裝層EN可覆蓋設置在背面RS的線路WL的一部分。在一些實施例中，封裝層EN可包括任何適合的有機材料、無機材料或上述材料的組合。在一些實施例中，有機材料可例如包括壓克力樹酯、環氧樹酯、矽氧烷材料、矽膠材料、其他適合的材料或上述材料的組合。無機材料可包括氮化矽、氧化矽、液態玻璃、玻璃膠、二氧化鈦、氧化鋁、其他適合的材料或上述材料的組合。
雖然圖6示出的封裝層EN為單一膜層，但不以此為限。在一些實施例中(未繪示)，封裝層EN為多層結構。在一些實施例中，封裝層EN可包括有機材料/無機材料交替堆疊而形成的多層結構。封裝層EN可用於保護線路WL，藉此降低線路WL受到損壞或被腐蝕的可能性。
請參考圖1及圖6，在電子模組EM中設置封裝層EN之後，可接著進行步驟S116，設置驅動元件DE於電子模組EM的第二面上以電連接到設置在第二面的線路WL，第二面如上所述為第一基板SB1的背面RS。在一些實施例中，驅 動元件DE可例如電連接到線路WL未被封裝層EN覆蓋的一部分，驅動元件DE可藉由線路WL和電路層102電連接到電子元件104，以控制電子元件104的操作。在一些實施例中，驅動元件DE可包括晶片、印刷電路板、其他適合的元件或上述元件的組合。在電子模組EM中設置驅動元件DE之後，可形成本實施例的電子裝置ED。
下文中將詳述本揭露另一實施例的電子裝置的製造方法。為了簡化說明，下述實施例中相同的膜層或元件會使用相同的標註，且其特徵不再贅述。
請參考圖7到圖12，圖7為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，圖8到圖12為本揭露第二實施例的電子裝置的製造流程的裝置結構示意圖。根據本實施例，電子裝置ED(示於圖12)的製造方法M200可包括以下步驟：
S202：提供第一基板，第一基板包括電路層
S204：切割第一基板
S205：對第一基板被切割後所暴露出的第一面進行研磨製程
S206：形成線路於第一基板被切割後暴露出的第一面上與第一基板的第二面上
S208：形成封裝層於線路上
S210：設置電子元件於電路層上
S212：提供第二基板
S214：在第一基板與第二基板之間形成第一膠體與圍繞第一膠體的第二膠體
S216：將被切割的第一基板與第二基板貼合以形成電子模組
S218：切割電子模組
S219：研磨電子模組被切割後所暴露出的一表面
S220：設置驅動元件於第一基板的第二面上以電連接到所述線路
需注意的是，製造方法M200中的任何步驟之間可根據需求***其它步驟。此外，製造方法M200中的任何步驟可根據需求調整順序或是刪除。
以下將詳述電子裝置ED的製造方法M200的各步驟內容。
圖8示出了本實施例的第一基板SB1的剖視示意圖。電子裝置ED的製造方法M200可包括進行步驟S202，提供第一基板SB1，第一基板SB1可包括第一基底100與電路層102，但不以此為限。第一基底100和電路層102的特徵可參考第一實施例的內容，故不再贅述。
接著，可進行步驟S204，切割第一基板。詳細來說，如圖8所示，可例如沿著切割線CU1及/或切割線CU2切割第一基板SB1，但不以此為限。換句話說，圖8所示的第一基板SB1例如為原第一基板經切割製程之後所留下的部分。如圖8所示，第一基板SB1沿著切割線CU1及/或切割線CU2被切割後可暴露出側表面SS11及/或側表面SS21。在一些實施例中，在進行切割製程後，可進行步驟 S205，對第一基板SB1被切割後所暴露出的第一面選擇性進行一研磨製程，但不以此為限。上述第一面為第一基板SB1被切割後所暴露出的側表面SS11及/或側表面SS21。
如圖1及圖8所示，切割第一基板SB1及/或研磨製程後，可接著進行步驟S206，形成線路WL於第一基板SB1被切割後所暴露出的第一面上與第一基板SB1的第二面上，第一面相鄰於第二面，線路WL可例如電連接到電路層102。第一面為上述的第一基板SB1的側表面SS11和/或側表面SS21，第二面為第一基板SB1的背面RS。在其它實施例中(未繪示)，線路WL可例如選擇性延伸到部份的電路層102上並與電路層102電性連接，但不限於此。在一些實施例中，線路WL例如透過印刷製程形成在第一基板SB1的第一面與第二面上。
接著，可進行步驟S208，形成封裝層EN於線路WL上，藉此提供線路WL的保護效果。封裝層EN的材料和結構敘述可參可上述製造方法M100的內容，故不再贅述。
圖9示出了本實施例的第一基板SB1的剖視示意圖。如圖1及圖9所示，形成封裝層EN之後，可接著進行步驟S210，設置電子元件104於電路層102上。換句話說，設置電子元件104於電路層102上的步驟是在形成線路WL在第一基板SB1被切割後暴露出的第一面上與第一基板的第二面上的步驟之後。透過上述步驟S210可使電子元件104與電路層102電性連接。電子元件104的種類及設置方式可參考上述製造方法M100的內容，故不再贅述。
如圖7所示，本實施例的製造方法M200可包括步驟S212，提供第二基板SB2。本實施例的第二基板SB2的結構可與第一實施例的第二基板SB2相同。
本實施例的第二基板SB2包括一光學結構(可先參考圖10之光學結構OS)，而光學結構OS可包括一彩色濾光層CF。本實施例的第二基板SB2的光學結構可更包括一光轉換層CL設置在彩色濾光層CF上，即彩色濾光層CF可設置於光轉換層CL與第二基底106之間，但不限於此。本實施例的部分的光學結構OS可更包括一散射層SL設置在彩色濾光層CF上，即彩色濾光層CF可設置於散射層SL與第二基底106之間，但不限於此。
第二基板SB2可在任何適合的時候形成，但不以此為限。
需注意的是，圖10之實施例的此些電子元件104可例如發射相同顏色的光，例如藍光，但不限於此。在其它實施例(未繪示)，當不同的電子元件104可分別發出不同的顏色光(例如紅光、藍光及/或綠光，但不限於此)時，第二基板SB2的光學結構OS可不包含光轉換層CL，但不限於此。
如圖7及圖10所示，接者，可進行步驟S216，將被切割的第一基板SB1與第二基板SB2貼合以形成電子模組EM。圖10示出了本實施例的第一基板SB1與第二基板SB2貼合以形成電子模組EM的剖視示意圖。上述之第一基板SB1的第二面(即第一基板SB1的背面RS)可例如遠離第二基板SB2。如圖7、9及圖10所示，於步驟S210及/或步驟S212之後，可進行步驟S214，在第一基板SB1與第二基板SB2之間形成第一膠體GL1與圍繞第一膠體GL1的第二膠體GL2，以使被切割後的第一基板SB1與第二基板SB2透過第一膠體GL1與圍繞第一膠體GL1的第 二膠體GL2貼合。本實施例中，第一膠體GL1可設置在第一基板SB1或第二基板SB2上，第二膠體GL2可設置在第一基板SB1或第二基板SB2上。本實施例中，第一膠體GL1與第二膠體GL2可設置於相同或不同的基板上。第一膠體GL1和第二膠體GL2的設置方式可參考上述第一實施例的相關內容。
於製造方法M200中，因為形成線路WL的步驟在步驟S216之前，故線路WL的材料相對於製造方法M100較不受限制。於製造方法M200中，線路WL的材料可參考上述製造方法M100的內容，故不再贅述。於製造方法M200中，線路WL的材料可根據需求選用低溫燒成的材料或高溫燒成的材料。
如圖7至圖10所示，本實施例的製造方法M200中是先在第一基板SB1上形成線路WL後才將第一基板SB1與第二基板SB2貼合，因此線路WL可例如不延伸到第二基板SB2(例如側表面SS22及/或側表面SS12)上，但不限於此。
請參考圖7及圖11，形成電子模組EM之後，可接著進行步驟S218，切割電子模組EM。圖11示出本實施例的電子模組EM的俯視示意圖。須注意的是，為了簡化附圖，圖11中僅示出了第一基板SB1、第二基板SB2和第二膠體GL2，其餘元件和/或膜層則被省略。如圖10及圖11所示，第二膠體GL2的一部分可例如未透過切割製程所移除，故第二膠體GL2的一部分可保留於電子模組EM中。
詳細來說，根據本實施例，由於在切割電子模組EM後需要保留形成 在第一基板SB1的側表面SS11及/或側表面SS21上的線路WL及/或封裝層EN，故線路WL及/或封裝層EN可例如未於步驟S218中被切割。如圖10所示，形成電子模組EM之後，可例如沿著切割線CU3及/或切割線CU4切割電子模組EM，切割線CU3及/或切割線CU4的延伸方向(例如方向Y)可例如與側表面SS11及/或側表面SS21的延伸方向(例如方向X)不同。圖10舉例切割線CU3及/或切割線CU4的延伸方向(例如方向Y)可例如大致垂直於側表面SS11和側表面SS21的延伸方向(例如方向X)，但不以此為限。在一些實施例中，切割線CU3及/或切割線CU4可例如鄰近主動區AA的側邊S4及/或側邊S2，側邊S4及/或側邊S2的延伸方向(例如方向Y)可例如與側表面SS11和側表面SS21的延伸方向(例如方向X)不同。
如圖7所示，在切割電子模組EM之後，可進行步驟S219，研磨電子模組EM被切割後所暴露出的一表面，但不以此為限。
雖然圖11僅示出切割電子模組EM前的俯視示意圖，但沿切割線CU3及/或切割線CU4切割電子模組EM之後，電子模組EM的第一基板SB1中突出於第二基板SB2的部分P1和第二膠體GL2的一部分(例如，第二膠體GL2對應到側邊S2和側邊S4的一部分)可例如被移除。根據本實施例，第二膠體GL2的另一部分在切割製程後仍可保留於電子模組EM中，此第二膠體GL2的另一部分可例如為鄰近側表面SS11和側表面SS21的部分，但不以此為限。在此實施例中，第一膠體GL1的材料和第二膠體GL2的材料可例如具有相似的固化後的折射率、穿透率及/或顏色等性質的材料，藉此降低因第一膠體GL1和第二膠體GL2的材料差異而影響電子裝置ED的顯示效果，但不以此為限。在一些實施例中，第一膠體GL1的材料和第二膠體GL2的材料可以相同或不同。
圖12示出本實施例的電子裝置ED的剖視示意圖。如圖7及圖12所示，進行電子模組EM的切割製程之後，可進行步驟S220，設置驅動元件DE於第一基板SB1的第二面上以電連接到線路WL，第二面可為第一基板SB1的背面RS。在一些實施例中，可透過線路WL電連接到電子元件104，藉此控制電子元件104的操作。本實施例的驅動元件DE的特徵可參考第一實施例的內容，故不再贅述。在電子模組EM中設置驅動元件DE之後，可形成本實施例的電子裝置ED。
相較於第一實施例的製造方法M100，本實施例的製造方法M200是先在第一基板SB1上形成線路WL之後，才將第一基板SB1與第二基板SB2貼合。因此，可降低用於貼合第一基板SB1與第二基板SB2的第一膠體GL1和/或第二膠體GL2受到線路WL的製程溫度影響而被破壞的可能性，藉此增加第一膠體GL1和/或第二膠體GL2的材料選擇，或是線路WL的材料可選擇高溫燒成的材料，藉此提高電子裝置ED的製程彈性。
綜上所述，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，電子裝置包括第一基板、第二基板、用於貼合第一基板與第二基板的第一膠層和第二膠層、設置在第一基板和/或第二基板的側表面上的線路以及設置在第一基板的背面的驅動元件。當本揭露的電子裝置應用於拼接電子裝置時，可降低拼接的縫隙感。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
100:第一基底
102:電路層
104:電子元件
106:第二基底
CF:彩色濾光層
DE:驅動元件
E1:第一電極
E2:第二電極
ED:電子裝置
EL:二極體單元
EN:封裝層
GL1:第一膠體
LS:遮光結構
OS:光學結構
CL:光轉換層
RS:背面
SL:散射層
SS,SS1,SS2,SS11,SS12,SS21,SS22:側表面
WL:線路
X,Y,Z:方向

Claims (17)

  1. 一種電子裝置的製造方法，包括：提供一第一基板，所述第一基板包括一電路層與設置於所述電路層上的一電子元件；提供一第二基板；將所述第一基板與所述第二基板貼合以形成一電子模組；切割所述電子模組；形成一線路在所述電子模組被切割後所暴露出的一第一面上與所述電子模組的一第二面上，所述第一面相鄰於所述第二面，所述線路電連接到所述電路層，其中所述線路是透過一印刷製程形成在所述電子模組的所述第一面與所述第二面上；以及設置一驅動元件於所述電子模組的所述第二面上以電連接到所述線路。
  2. 根據請求項1所述的製造方法，其中，所述第一基板與所述第二基板是透過一第一膠體與圍繞所述第一膠體的一第二膠體貼合。
  3. 根據請求項1所述的製造方法，更包括研磨所述電子模組被切割後所暴露出的所述第一面。
  4. 根據請求項1所述的製造方法，更包括形成一封裝層於所述電子模組被切割後所暴露出的所述第一面上。
  5. 根據請求項1所述的製造方法，其中，所述第二基板包括一光學結構。
  6. 根據請求項5所述的製造方法，其中，所述光學結構包括一彩色濾光層。
  7. 根據請求項6所述的製造方法，其中，所述光學結構更包括一光轉換層設置在所述彩色濾光層上。
  8. 一種電子裝置的製造方法，包括：提供一第一基板，所述第一基板包括一電路層；切割所述第一基板；形成一線路在所述第一基板被切割後所暴露出的一第一面上與所述第一基板的一第二面上，所述第一面相鄰於所述第二面，所述線路電連接到所述電路層，其中所述線路是透過一印刷製程形成在所述第一基板的所述第一面與所述第二面上；設置一電子元件於所述電路層上；將被切割後的所述第一基板與一第二基板貼合以形成一電子模組；以及設置一驅動元件於所述第一基板的所述第二面上以電連接到所述線路。
  9. 根據請求項8所述的製造方法，其中，設置所述電子元件於所述電路層上的步驟是在形成所述線路在所述第一基板被切割後所暴露出的所述 第一面上與所述第一基板的所述第二面上的步驟之後。
  10. 根據請求項8所述的製造方法，其中，被切割後的所述第一基板與所述第二基板是透過一第一膠體與圍繞所述第一膠體的一第二膠體貼合。
  11. 根據請求項8所述的製造方法，更包括形成一封裝層於在所述線路上。
  12. 根據請求項8所述的製造方法，更包括對所述第一基板被切割後所暴露出的所述第一面進行一研磨製程。
  13. 根據請求項8所述的製造方法，更包括切割所述電子模組。
  14. 根據請求項13所述的製造方法，更包括研磨所述電子模組被切割後所暴露出的一表面。
  15. 根據請求項8所述的製造方法，其中，所述第二基板包括一光學結構。
  16. 根據請求項15所述的製造方法，其中，所述光學結構包括一彩色濾光層。
  17. 根據請求項16所述的製造方法，其中，所述光學結構更包括一光轉換層設置在所述彩色濾光層上。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190305073A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Innolux Corporation Tiled electronic device
CN110325005A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 群创光电股份有限公司 拼接电子装置
TW201944592A (zh) * 2018-04-18 2019-11-16 友達光電股份有限公司 拼接用顯示面板及其製造方法
US20200029439A1 (en) * 2017-08-22 2020-01-23 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Substrate, display panel and fabrication method thereof, and spliced screen
US20200333655A1 (en) * 2019-04-17 2020-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN112447118A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 群创光电股份有限公司 显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200029439A1 (en) * 2017-08-22 2020-01-23 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Substrate, display panel and fabrication method thereof, and spliced screen
US20190305073A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Innolux Corporation Tiled electronic device
CN110325005A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 群创光电股份有限公司 拼接电子装置
TW201944592A (zh) * 2018-04-18 2019-11-16 友達光電股份有限公司 拼接用顯示面板及其製造方法
US20200333655A1 (en) * 2019-04-17 2020-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN112447118A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 群创光电股份有限公司 显示装置

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