TWI820514B - 電子束照射裝置及電子束照射方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的一個態樣，係提供一種於電子束照射中可減低穿透光到達至試料面之電子束照射裝置及電子束照射方法。 本發明的一個態樣之電子束照射裝置，具備：光電面，在表面側受到激發光的照射，而從背面側生成複數個電子束；遮沒孔徑陣列機構，形成有和複數個電子束的各者相對應之通過孔，將通過通過孔的複數個電子束各自做偏向控制；調整機構，調整照射出的激發光當中通過涵括至平台以前的光電面、遮沒孔徑陣列機構、及限制孔徑基板在內之配置物的至少一者而到達平台上之穿透光的軌道，以及複數個電子束的軌道的至少其中一者；配置物，遮蔽穿透光的至少一部分。

Description

電子束照射裝置及電子束照射方法
本發明的一個態樣有關電子束照射裝置及電子束照射方法。例如有關多電子束描繪裝置及多電子束描繪方法。 [關連申請案] 本申請案以日本專利申請案2020-207701號(申請日：2020年12月15日)為基礎申請案而享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部的內容。
肩負半導體元件微細化發展的微影技術，在半導體製造過程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。當中，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優良的解析性，對光罩底板(blanks)等使用電子線來描繪光罩圖樣係行之已久。 舉例來說，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產出大幅提升。這樣的多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒(blanking)控制，未被限制孔徑遮蔽的各射束則被光學系統縮小，如此光罩像被縮小並藉由偏向器被偏向而照射至試料上的期望位置。 作為電子束源，正在研究一種在光電面的表面接受雷射光的照射而從背面放出電子，藉此形成電子束之技術(例如參照日本特表2003-511855號、日本特開2020-21919號公報)。該技術中使用的光電面的膜厚非常地薄，會導致照射出的雷射光穿透光電面。因此，會有除電子束外還有穿透光到達試料，導致使試料上的阻劑感光這樣的問題。一旦使試料上的阻劑感光，會導致對描繪精度造成影響。
本發明的一個態樣，係提供一種於電子束照射中可減低穿透光到達至試料面之電子束照射裝置及電子束照射方法。 本發明的一個態樣之電子束照射裝置，具備： 光電面，在表面側受到激發光的照射，而從背面側生成複數個電子束； 遮沒孔徑陣列機構，形成有和複數個電子束的各者相對應之通過孔，將通過通過孔的複數個電子束各自做偏向控制； 限制孔徑基板，形成有開口部，限制複數個電子束的通過； 平台，可載置供通過了遮沒孔徑陣列機構及限制孔徑基板的複數個電子束照射之試料；及 調整機構，調整照射出的激發光當中通過涵括至平台以前的光電面、遮沒孔徑陣列機構、及限制孔徑基板在內之配置物的至少一者而到達平台上之穿透光的軌道，以及複數個電子束的軌道的至少其中一者； 配置物，遮蔽穿透光的至少一部分。 本發明的一個態樣之電子束照射方法，係 在光電面的表面側受到激發光的照射，而從光電面的背面側放出複數個電子束， 調整照射出的激發光當中通過涵括光電面、將複數個電子束各自做偏向控制的遮沒孔徑陣列機構、形成有開口部而限制複數個電子束的通過的限制孔徑基板在內之配置物的至少一者而到達供試料載置的平台上之穿透光的軌道，以及複數個電子束的軌道的至少其中一者， 藉由配置物遮蔽穿透光的至少一部分， 將前述複數個電子束照射至前述試料。
以下，實施形態說明一種於電子束照射中可減低穿透光到達至試料面之裝置及方法。 此外，以下於實施形態中，說明照射多光電子束之情形。但，電子束不限於多射束，一道的單射束之情形亦無妨。此外，以下作為電子束的照射裝置的一例，說明描繪裝置。 實施形態1. 圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100，具備描繪機構150與控制電路160。描繪裝置100，為多電子束描繪裝置之一例。描繪機構150中，在鏡筒104內，配置激發光源亦即雷射光源201、雷射光調整機構238、及射束擴展器等的照明光學系統202。激發光源，不僅是雷射光源，亦可為LED或燈等的適當的光源。此外，描繪機構150中，在藉由隔間窗11而空間可供光穿透地和鏡筒104阻斷，而被保持真空之鏡筒102(多電子束鏡柱)內，依序配置光電子放出機構210、多陽極電極220、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、電磁透鏡205、第一限制孔徑基板206、電磁透鏡207(對物透鏡)、及對物偏向器208。此外，鏡筒102內，配置複數個驅動機構(驅動電路)232，234，236。 驅動機構232(光電面驅動機構)，使光電子放出機構210朝和電子束的軌道中心軸正交的方向移動。此外，驅動機構234(偏向器驅動機構)，使遮沒孔徑陣列機構204(偏向器的一例)朝和電子束的軌道中心軸正交的方向移動。此外，驅動機構236(孔徑驅動機構)，使第一限制孔徑基板206朝和電子束的軌道中心軸正交的方向移動。 此外，描繪機構150中，在配置於鏡筒102下側的描繪室103內，配置XY平台105。在XY平台105上，配置有於描繪時成為描繪對象基板之塗布有阻劑的光罩底板(mask blanks)等試料101。試料101包含製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，鏡筒102內及描繪室103內，藉由未圖示之真空泵浦被抽真空，被控制成比大氣壓還低的壓力。此外，鏡筒104內被控制成大氣壓。此外，在XY平台105上，配置測定光強度之光強度測定器106。作為光強度測定器106，例如較佳是運用光二極體。此外，在XY平台105上，配置測定電子束的電流量之法拉第杯107。故，第一限制孔徑基板206，配置於遮沒孔徑陣列機構204與XY平台105之間。 光電子放出機構210中，在玻璃基板214上配置多透鏡陣列212，在玻璃基板214的背面側配置成為遮光遮罩之多遮光膜216及光電面218(光電子放出體的一例)。作為照明光學系統202的一例之射束擴展器，是藉由凹透鏡與凸透鏡之組合而構成。構成照明光學系統202的要素不限於射束擴展器，包含其他的透鏡、及/或鏡(mirror)等亦無妨。 控制電路160，具有控制描繪裝置全體的全體控制電路110、記憶體111、脈波驅動電路112、調整電路124、及測定電路126。全體控制電路110、記憶體111、脈波驅動電路112、及調整電路124，透過未圖示的匯流排相互連接。測定電路126，連接至調整電路124。 藉由驅動機構232、234、236及/或雷射光調整機構238、調整電路124，而構成調整機構162。調整機構162，基於藉由光強度測定器106測定的雷射光當中穿透光電子放出機構210等的配置物而到達至XY平台105的穿透光的強度，而調整該強度。為此，調整機構162，調整照射出的激發光當中通過涵括至XY平台105以前的包含光電面218的光電子放出機構210、遮沒孔徑陣列機構204、及第一限制孔徑基板206在內之配置物的至少一個而到達XY平台105上之穿透光的軌道，以及複數個電子束的軌道的至少其中一者。配置物，阻斷穿透光的至少一部分。 此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必要之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。 接著說明描繪機構150的動作。在控制描繪裝置100全體的全體控制電路110之控制下，脈波驅動電路112驅動雷射光源201。雷射光源201，產生規定的射束徑的雷射光200(激發光)。雷射光200包含脈波。雷射光源201，產生紫外光作為雷射光200。例如，較佳是運用波長為260~280nm程度的紫外光，例如波長266nm的紫外光。 從雷射光源201產生的雷射光200，藉由照明光學系統202具有的射束擴展器而被擴大，穿透隔間窗11，將多透鏡陣列212照明。多透鏡陣列212，將雷射光200分割成複數個光。多透鏡陣列212，藉由多電子束20的數量以上的數量的個別透鏡被陣列配置而成之透鏡陣列所構成。例如，藉由512×512的透鏡所構成。多透鏡陣列212，將分割出的複數個光各自聚光，將各光的焦點位置對齊光電面218的表面的高度位置。藉由多透鏡陣列212聚光，藉此能夠提高各光的實效亮度。 在多遮光膜216形成複數個開口部，供被分割、被聚光的複數個光(多光)的各光的照射點的區域露出。藉此，能夠將未藉由多透鏡陣列212被聚光而通過了玻璃基板214的光、或/及散射光以開口部以外的部分予以遮光。作為多遮光膜216，例如較佳是使用鉻(Cr)膜。 通過了多遮光膜216的各光入射至光電面218的表面。光電面218，從表面讓複數個光入射，從背面放出多光電子束20。於x，y方向例如放出512×512道的陣列排列而成之光電子束。具體而言，光電面218，從表面讓複數個光入射，從和入射位置相對應的背面的各位置各自放出光電子。光電面218，例如較佳為藉由以鉑(Pt)為主材料的膜所構成。又，較佳為在Pt的主膜的背面側(圖1的下游側)塗布例如碳(C)系材料。若以比光電面218的材料的功函數還大的能量的光子照射光電面218表面，則光電面218會從背面放射光電子。為了得到描繪裝置100中使用的足夠的電流密度的多光電子束20，對光電面218表面較佳是入射例如0.1~100W/cm 2程度(10 3~10 6W/m 2程度)的光。 從光電面218放出的多光電子束20，藉由被施加相對而言正的電位之多陽極電極220而被引出而加速，朝向成形孔徑陣列基板203前進。 圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，於x，y方向有p列×q列(p，q≧2)的孔(開口部)22以規定之排列間距形成為矩陣狀。圖2中，例如於x，y方向形成512×512列的孔22。複數個孔22，對齊從光電面218放出的多光電子束20的軌道上而形成。從光電面218放出的各光電子束，並非以均一的形狀及尺寸放出。例如，會朝發散的方向擴展。鑑此，藉由成形孔徑陣列基板203來將各光電子束的形狀及尺寸成形。圖2中，各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同直徑的圓形亦可。成形孔徑陣列基板203，形成描繪所使用的多光電子束20。具體而言，放出的多光電子束的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此將多光電子束20成形為期望的形狀及尺寸。 圖3為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。遮沒孔徑陣列機構204，如圖3所示，是在支撐台33上配置由矽等所構成之半導體基板31。基板31的中央部，例如從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域330(第1區域)。圍繞薄膜區域330之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域332(第2區域)。薄膜區域330的上面與外周區域332的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域332的背面而被保持於支撐台33上。支撐台33的中央部係開口，薄膜區域330的位置，位於支撐台33的開口之區域。 在薄膜區域330，於和圖2所示之成形孔徑陣列基板203的各孔22相對應之位置，有供多光電子束20的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。換言之，在基板31的薄膜區域330，供使用了電子線的多光電子束20的各個相對應的射束通過之複數個通過孔25係以陣列狀形成。又，在基板31的薄膜區域330上，且在夾著複數個通過孔25當中相對應的通過孔25而相向之位置，各自配置有具有2個電極之複數個電極對。具體而言，在薄膜區域330上，如圖3所示，於各通過孔25的鄰近位置，夾著該通過孔25而各自配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在基板31內部且薄膜區域330上的各通過孔25的鄰近，配置有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之控制電路45(邏輯電路)。各射束用的相向電極26被接地連接。 此外，各控制電路45，連接至控制訊號用之n位元(例如10位元)的並列配線。各控制電路45，除了控制訊號用之n位元的並列配線以外，還連接至時脈訊號線、讀入(read)訊號、擊發(shot)訊號及電源用的配線等。對於構成多射束之各個射束的每一者，構成由控制電極24及相向電極26及控制電路45所組成之個別遮沒控制機構。此外，在薄膜區域330以陣列狀形成之複數個控制電路45，例如藉由同一行或同一列而被群組化，群組內的控制電路45群被串聯連接。又，來自對每一群組配置的墊43之訊號會被傳遞至群組內的控制電路45。具體而言，在各控制電路45內，配置有未圖示之移位暫存器，例如p×q道的多射束當中例如同一行的射束的控制電路45內的移位暫存器係被串聯連接。又，例如p×q道的多射束的同一行的射束的控制訊號是以序列(series)被發送，例如各射束的控制訊號係藉由p次的時脈訊號而被存放於相對應之控制電路45。 在控制電路45內，配置有未圖示之放大器(切換電路之一例)。在放大器連接正的電位(Vdd：遮沒電位：第1電位)(例如5V)(第1電位)與接地電位(GND：第2電位)。放大器的輸出線(OUT)連接至控制電極24。另一方面，相向電極26被施加接地電位。又，可切換地被施加遮沒電位與接地電位之複數個控制電極24，係配置在基板31上，且在夾著複數個通過孔25的各自相對應之通過孔25而和複數個相向電極26的各自相對應之相向電極26相向之位置。 在對放大器的輸入(IN)施加L電位之狀態下，放大器的輸出(OUT)會成為正電位(Vdd)，而藉由與相向電極26的接地電位之電位差所造成的電場將對應射束偏向，並以第一限制孔徑基板206遮蔽，藉此控制成射束OFF。另一方面，在對放大器的輸入(IN)施加H電位之狀態(有效(active)狀態)下，放大器的輸出(OUT)會成為接地電位，與相向電極26的接地電位之電位差會消失而不會將對應射束偏向，故會通過第一限制孔徑基板206，藉此控制成射束ON。 遮沒孔徑陣列機構204(偏向器的一例)，將通過相對應的通過孔25之多光電子束20的各射束偏向，藉此進行個別地切換各射束的射束ON/OFF之個別遮沒控制。具體而言，通過各通過孔的光電子束20，會各自獨立地藉由施加於成對之2個控制電極24及相向電極26的電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。具體而言，控制電極24及相向電極26之組合，係以藉由作為各自相對應的切換電路之放大器而被切換之電位，將多光電子束20的相對應射束各自個別地遮沒偏向。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列基板203的複數個孔22(開口部)的多光電子束20當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。 通過了遮沒孔徑陣列機構204的多光電子束20，藉由電磁透鏡205而被縮小，朝向配置於交叉點(crossover)位置附近的形成於第一限制孔徑基板206的中心的孔(開口部)前進。此處，多光電子束20當中藉由遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器而被偏向的電子束，其位置會偏離第一限制孔徑基板206的中心的孔，而被第一限制孔徑基板206遮蔽，藉此限制其通過。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器偏向的電子束，會如圖1所示般通過第一限制孔徑基板206的中心的孔。藉由該個別遮沒機構47的ON/OFF，來進行遮沒控制，控制射束的ON/OFF。像這樣，第一限制孔徑基板206，是將藉由個別遮沒控制機構而偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後，對每一射束，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了第一限制孔徑基板206的射束，形成1次份的擊發的射束。試料101，以藉由電子光學系統而被控制成射束ON的多光電子束20而受到照射。具體而言，通過了第一限制孔徑基板206的多光電子束20，藉由電磁透鏡207(對物透鏡)而合焦，成為期望的縮小率的圖樣像，藉由對物偏向器208，被控制成射束ON的多光電子束20全體朝同方向被集體偏向，照射至各射束的試料101上的各自的照射位置。一次所照射之多光電子束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。 圖4A及圖4B為實施形態1中的穿透光說明用圖。如上述般，光電面218的膜厚非常地薄，如圖4A所示，會導致照射出的雷射光的一部分穿透光電面218。圖4A例子中，示意穿透了光電面218的複數個穿透光13。各穿透光13中還會加入繞射光。複數個穿透光13，如圖4B所示，帶有強度分布。若從雷射光源201例如以1000mW的輸出而輸出雷射光200，照明光學系統202的穿透效率例如假定為30%，光電面218的穿透率例如假定為40%，則穿透光電面218的穿透光的強度會成為120mW。若多陽極電極220的開口率例如假定為1%，涵括成形孔徑陣列基板203及遮沒孔徑陣列機構204在內之機構中的開口率例如假定為1%，則會導致0.01mW的強度的穿透光通過遮沒孔徑陣列機構204。如果通過了遮沒孔徑陣列機構204的穿透光100%到達試料101面，且被阻劑100%吸收的情形下，0.01mW的強度相當於50kV的電子束0.2nA份。像這樣，會有除電子束外還有穿透光導致試料101上的阻劑感光這樣的問題。一旦使試料101上的阻劑感光，會導致對描繪精度造成影響。鑑此，實施形態1中，使到達XY平台105的穿透光的強度減低。 圖5為實施形態1中的調整穿透光的強度的手法說明用圖。實施形態1中，一面藉由光強度測定器106測定到達XY平台105上的穿透光的強度，一面進行將光電子放出機構210照明的雷射光200之調整、光電子放出機構210的位置之調整、遮沒孔徑陣列機構204的位置之調整、及/或第一限制孔徑基板206的位置之調整。實施形態1中，例如從上游側的調整項目逐漸進行調整。 圖6為實施形態1中的調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。圖6中，在調整電路124內，配置雷射光入射角調整電路41、雷射光收斂角調整電路51、光電子放出機構位置調整電路61、遮沒機構位置調整電路71、及限制孔徑位置調整電路81。 在雷射光入射角調整電路41內，配置磁碟裝置等的記憶裝置42、雷射光入射角變動量設定部40、判定部44、及雷射光入射角設定部46。 在雷射光收斂角調整電路51內，配置磁碟裝置等的記憶裝置52、雷射光收斂角變動量設定部50、判定部54、及雷射光收斂角設定部56。 在光電子放出機構位置調整電路61內，配置磁碟裝置等的記憶裝置62、光電子放出機構移動量設定部60、判定部64、及光電子放出機構位置設定部66。 在遮沒機構位置調整電路71內，配置磁碟裝置等的記憶裝置72、遮沒機構移動量設定部70、判定部74、及遮沒機構位置設定部76。 在限制孔徑位置調整電路81內，配置磁碟裝置等的記憶裝置82、限制孔徑移動量設定部80、判定部84、及限制孔徑位置設定部86。 圖6所示雷射光入射角變動量設定部40、判定部44、雷射光入射角設定部46、雷射光收斂角變動量設定部50、判定部54、雷射光收斂角設定部56、光電子放出機構移動量設定部60、判定部64、光電子放出機構位置設定部66、遮沒機構移動量設定部70、判定部74、遮沒機構位置設定部76、限制孔徑移動量設定部80、判定部84、及限制孔徑位置設定部86這些一連串的「~部」，具有處理電路。該處理電路，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各部亦可運用共通的處理電路(同一處理電路)。或，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。雷射光入射角變動量設定部40、判定部44、雷射光入射角設定部46、雷射光收斂角變動量設定部50、判定部54、雷射光收斂角設定部56、光電子放出機構移動量設定部60、判定部64、光電子放出機構位置設定部66、遮沒機構移動量設定部70、判定部74、遮沒機構位置設定部76、限制孔徑移動量設定部80、判定部84、及限制孔徑位置設定部86中必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於調整電路124內的未圖示的記憶體或記憶體111。 圖7為實施形態1中的描繪方法的主要工程的一部分示意流程圖。圖7中，實施形態1中的描繪方法，係實施雷射光入射角變動量設定工程(S102)、穿透雷射光強度測定工程(S104)、判定工程(S106)、雷射光入射角設定工程(S108)這一連串的工程。圖7中，作為穿透雷射光強度的調整用的手法的一種，示意進行雷射光入射角的調整之工程。 作為雷射光入射角變動量設定工程(S102)，雷射光入射角變動量設定部40，在事先設定好的變動量範圍內，對雷射光調整機構238設定往照明光學系統202的雷射光入射角的變動量。作為雷射光入射角的初始值，最初例如設定0°。 作為穿透雷射光強度測定工程(S104)，首先，使XY平台105移動，使光強度測定器106移動至多光電子束20的照射區域內。接著，雷射光調整機構238，輸入來自雷射光源201的雷射光200，以設定好的變動量使往照明光學系統202的雷射光入射角變動。 雷射光調整機構238，調整往光電子放出機構210(光電面)入射的雷射光的入射條件。具體而言，雷射光調整機構238，使雷射光入射角或雷射光收斂角變更。作為雷射光調整機構238，例如能夠運用藉由伺服馬達或壓電元件而控制之鏡或透鏡、檢流計鏡、摩爾紋透鏡、焦點可變透鏡、液體透鏡當中的一種以上。 圖8為實施形態1中的雷射光入射角說明用圖。雷射光調整機構238，如圖8所示，調整往照明光學系統202的雷射光入射角θ1。使入射至光電面218的各光的入射條件(此處為入射角)變動，而使穿透光電面218的穿透光的軌道變動，藉此便能使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 使雷射光入射角變動，而對每一變動的入射角如圖5所示，藉由光強度測定器106測定穿透光電子放出機構210(光電面218)，通過遮沒孔徑陣列機構204及第一限制孔徑基板206，到達XY平台105上的穿透光13的強度。測定出的穿透光13的強度，藉由測定電路126被變換成數位訊號，輸出至調整電路124。被輸入至調整電路124的穿透光13的強度資料，暫時性地存儲於記憶裝置42。 作為判定工程(S106)，判定部44，判定測定出的穿透光13的強度是否在事先設定好的變動範圍內取極小值。當取極小值的情形下進入雷射光入射角設定工程(S108)。當未取極小值的情形下回到雷射光入射角變動量設定工程(S102)，一面改變雷射光入射角，一面反覆雷射光入射角變動量設定工程(S102)至判定工程(S106)的各工程，直到判定取極小值為止。例如，第1、2次的測定中，無法判斷是否為極小值，故會如上述般反覆。當穿透光的強度隨著使雷射光入射角變動而逐漸下降的情形下，通常來說，穿透光的強度依序逐漸變小，轉為上昇傾向後又再度變小，可認為是噪訊所造成的誤差。因此，判定部44，只要穿透光的強度在事先設定好的變動範圍內依序逐漸變小，而於超過噪訊份轉為上昇傾向之時間點判定極小值即可。但，在事先設定好的變動範圍內取複數個極小值的可能性未必為零，故更佳為雖然調整時間會變長，但於進行了在事先設定好的變動範圍內的所有穿透光的強度測定後再判定極小值。 作為雷射光入射角設定工程(S108)，雷射光入射角設定部46，將穿透光13的強度在事先設定好的變動範圍內取極小值之雷射光入射角設定至雷射光調整機構238，而將雷射光200的入射角調整成讓穿透光13的強度成為比初始值還小的入射角例如取極小值的入射角。 圖9為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。圖9中，實施形態1中的描繪方法，接續圖7的工程，係實施雷射光收斂角變動量設定工程(S112)、穿透雷射光強度測定工程(S114)、判定工程(S116)、雷射光收斂角設定工程(S118)這一連串的工程。圖9中，作為穿透雷射光強度的調整用的手法的一種，示意進行雷射光收斂角的調整之工程。 作為雷射光收斂角變動量設定工程(S112)，雷射光收斂角變動量設定部50，在事先設定好的變動量範圍內，對雷射光調整機構238設定往照明光學系統202的雷射光收斂角的變動量。作為雷射光收斂角的初始值，最初例如設定0°。 作為穿透雷射光強度測定工程(S114)，雷射光調整機構238，輸入來自雷射光源201的雷射光200，以設定好的變動量使往照明光學系統202的雷射光收斂角變動。 圖10為實施形態1中的雷射光收斂角說明用圖。雷射光調整機構238，如圖10所示，可變地調整往照明光學系統202的雷射光收斂角θ2。使入射至光電面218的各光的入射條件(此處為收斂角)變動，而使穿透光電面218的穿透光的軌道變動，藉此便能使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 使雷射光收斂角變動，而對每一變動的收斂角如圖5所示，藉由光強度測定器106測定穿透光電子放出機構210(光電面218)，通過遮沒孔徑陣列機構204及第一限制孔徑基板206，到達XY平台105上的穿透光13的強度。測定出的穿透光13的強度，藉由測定電路126被變換成數位訊號，輸出至調整電路124。被輸入至調整電路124的穿透光13的強度資料，暫時性地存儲於記憶裝置52。 作為判定工程(S116)，判定部54，判定測定出的穿透光13的強度是否在事先設定好的變動範圍內取極小值。當取極小值的情形下進入雷射光收斂角設定工程(S118)。當未取極小值的情形下回到雷射光收斂角變動量設定工程(S112)，一面改變雷射光收斂角，一面反覆雷射光收斂角變動量設定工程(S112)至判定工程(S116)的各工程，直到判定取極小值為止。如上述般，例如第1、2次的測定中，無法判斷是否為極小值，故會如上述般反覆。當穿透光的強度隨著使雷射光收斂角變動而逐漸下降的情形下，通常來說，穿透光的強度依序逐漸變小，轉為上昇傾向後又再度變小，可認為是噪訊所造成的誤差。因此，判定部54，只要穿透光的強度在事先設定好的變動範圍內依序逐漸變小，而於超過噪訊份轉為上昇傾向之時間點判定極小值即可。但，在事先設定好的變動範圍內取複數個極小值的可能性未必為零，故更佳為雖然調整時間會變長，但於進行了在事先設定好的變動範圍內的所有穿透光的強度測定後再判定極小值。 作為雷射光收斂角設定工程(S118)，雷射光收斂角設定部56，將穿透光13的強度在事先設定好的變動範圍內取極小值之雷射光收斂角設定至雷射光調整機構238，而將雷射光200的收斂角調整成讓穿透光13的強度成為比初始值還小的收斂角例如取極小值的收斂角。 圖11為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。圖11中，實施形態1中的描繪方法，接續圖9的工程，係實施光電子放出機構(光電面)的移動量設定工程(S122)、穿透雷射光強度測定工程(S124)、判定工程(S126)、光電子放出機構的位置設定工程(S128)這一連串的工程。圖11中，作為穿透雷射光強度的調整用的手法的一種，示意進行光電子放出機構210的位置的調整之工程。 作為光電子放出機構的移動量設定工程(S122)，光電子放出機構移動量設定部60，在事先設定好的移動量範圍內，對驅動機構232設定使光電子放出機構210移動的移動量。作為光電子放出機構(光電面)210的初始位置，最初例如設定x，y=0。 作為穿透雷射光強度測定工程(S124)，驅動機構232，以設定好的移動量使光電子放出機構210移動。驅動機構232，能夠使光電子放出機構210朝和電子束的軌道中心軸(z方向)正交的二維方向(x，y方向)移動。此處雖說明使其朝二維方向移動之情形，但僅使其朝一維方向移動亦無妨。 如圖5所示，使配置物亦即光電子放出機構(光電面)210朝x，y方向移動，藉此能夠挪移各穿透光13的放出位置，使穿透光的軌道變動。其結果，能夠使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 使光電子放出機構210移動，而對每一移動如圖5所示，藉由光強度測定器106測定穿透配置物亦即光電子放出機構210(光電面218)、遮沒孔徑陣列機構204及第一限制孔徑基板206，到達XY平台105上的穿透光13的強度。測定出的穿透光13的強度，藉由測定電路126被變換成數位訊號，輸出至調整電路124。被輸入至調整電路124的穿透光13的強度資料，暫時性地存儲於記憶裝置62。 作為判定工程(S126)，判定部64，判定測定出的穿透光13的強度是否在事先設定好的移動範圍內取極小值。當取極小值的情形下進入光電子放出機構的位置設定工程(S128)。當未取極小值的情形下回到光電子放出機構的移動量設定工程(S122)，一面改變光電子放出機構的位置，一面反覆光電子放出機構的移動量設定工程(S122)至判定工程(S126)的各工程，直到判定取極小值為止。如上述般，例如第1、2次的測定中，無法判斷是否為極小值，故會如上述般反覆。當穿透光的強度隨著使光電子放出機構210的位置移動而逐漸下降的情形下，通常來說，穿透光的強度依序逐漸變小，轉為上昇傾向後又再度變小，可認為是噪訊所造成的誤差。因此，判定部64，只要穿透光的強度在事先設定好的變動範圍內依序逐漸變小，而於超過噪訊份轉為上昇傾向之時間點判定極小值即可。但，在事先設定好的變動範圍內取複數個極小值的可能性未必為零，故更佳為雖然調整時間會變長，但於進行了在事先設定好的變動範圍內的所有穿透光的強度測定後再判定極小值。 作為光電子放出機構的位置設定工程(S128)，光電子放出機構位置設定部66，將穿透光13的強度在事先設定好的移動量範圍內取極小值之光電子放出機構210的位置設定至驅動機構232，而將光電子放出機構210的位置調整成讓穿透光13的強度成為例如比初始值還小的位置例如取極小值的位置。 圖12為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。圖12中，實施形態1中的描繪方法，接續圖11的工程，係實施遮沒機構的移動量設定工程(S132)、穿透雷射光強度測定工程(S134)、判定工程(S136)、遮沒機構的位置設定工程(S138)這一連串的工程。圖12中，作為穿透雷射光強度的調整用的手法的一種，示意進行遮沒孔徑陣列機構204的位置的調整之工程。配置物亦即遮沒孔徑陣列機構204的各孔徑，會讓電子束通過並且使穿透光的一部分通過。另一方面，在孔徑以外的區域會將穿透光的一部分遮蔽。鑑此，藉由調整遮沒孔徑陣列機構204(的孔徑位置)，便能調整穿透雷射光強度。 作為遮沒機構的移動量設定工程(S132)，遮沒機構移動量設定部70，在事先設定好的移動量範圍內，對驅動機構234設定使遮沒孔徑陣列機構204移動的移動量。作為遮沒孔徑陣列機構204的初始位置，最初例如設定x，y=0。 作為穿透雷射光強度測定工程(S134)，驅動機構234，以設定好的移動量使遮沒孔徑陣列機構204移動。驅動機構234，能夠使遮沒孔徑陣列機構204朝和電子束的軌道中心軸(z方向)正交的二維方向(x，y方向)移動。此處雖說明使其朝二維方向移動之情形，但僅使其朝一維方向移動亦無妨。 如圖5所示，使遮沒孔徑陣列機構204朝x，y方向移動，藉此能夠挪移可供各穿透光13通過的通過孔25的位置。其結果，能夠使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 使遮沒孔徑陣列機構204移動，而對每一移動如圖5所示，藉由光強度測定器106測定分別穿透配置物亦即光電子放出機構210(光電面218)、遮沒孔徑陣列機構204及第一限制孔徑基板206，到達XY平台105上的穿透光13的強度。測定出的穿透光13的強度，藉由測定電路126被變換成數位訊號，輸出至調整電路124。被輸入至調整電路124的穿透光13的強度資料，暫時性地存儲於記憶裝置72。 作為判定工程(S136)，判定部74，判定測定出的穿透光13的強度是否在事先設定好的移動範圍內取極小值。當取極小值的情形下進入遮沒機構的位置設定工程(S138)。當未取極小值的情形下回到遮沒機構的移動量設定工程(S132)，一面改變遮沒機構的位置，一面反覆遮沒機構的移動量設定工程(S132)至判定工程(S136)的各工程，直到判定取極小值為止。如上述般，例如第1、2次的測定中，無法判斷是否為極小值，故會如上述般反覆。當穿透光的強度隨著使遮沒孔徑陣列機構204的位置移動而逐漸下降的情形下，通常來說，穿透光的強度依序逐漸變小，轉為上昇傾向後又再度變小，可認為是噪訊所造成的誤差。因此，判定部74，只要穿透光的強度在事先設定好的變動範圍內依序逐漸變小，而於超過噪訊份轉為上昇傾向之時間點判定極小值即可。但，在事先設定好的變動範圍內取複數個極小值的可能性未必為零，故更佳為雖然調整時間會變長，但於進行了在事先設定好的變動範圍內的所有穿透光的強度測定後再判定極小值。 作為遮沒機構的位置設定工程(S128)，遮沒機構位置設定部76，將穿透光13的強度在事先設定好的移動量範圍內取極小值之遮沒機構的位置設定至驅動機構234，而將遮沒孔徑陣列機構204的位置調整成讓穿透光13的強度成為例如比初始值還小的位置例如取極小值的位置。 圖13為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。圖13中，實施形態1中的描繪方法，接續圖12的工程，係實施限制孔徑的移動量設定工程(S142)、穿透雷射光強度測定工程(S144)、判定工程(S146)、限制孔徑的位置設定工程(S148)這一連串的工程。圖13中，作為穿透雷射光強度的調整用的手法的一種，示意進行第一限制孔徑基板206的位置的調整之工程。配置物亦即第一限制孔徑基板206的孔徑，會讓電子束通過並且使穿透光的一部分通過。另一方面，在孔徑以外的區域會將穿透光的一部分遮蔽。鑑此，藉由調整第一限制孔徑基板206(的孔徑位置)，便能調整穿透雷射光強度。 作為限制孔徑的移動量設定工程(S142)，限制孔徑移動量設定部80，在事先設定好的移動量範圍內，對驅動機構236設定使第一限制孔徑基板206移動的移動量。作為第一限制孔徑基板206的初始位置，最初例如設定x，y=0。 作為穿透雷射光強度測定工程(S144)，驅動機構236，以設定好的移動量使第一限制孔徑基板206移動。驅動機構236，能夠使第一限制孔徑基板206朝和電子束的軌道中心軸(z方向)正交的二維方向(x，y方向)移動。此處雖說明使其朝二維方向移動之情形，但僅使其朝一維方向移動亦無妨。 如圖5所示，使第一限制孔徑基板206朝x，y方向移動，藉此能夠挪移可供各穿透光13通過的開口部的位置。其結果，能夠使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 使第一限制孔徑基板206移動，而對每一移動如圖5所示，藉由光強度測定器106測定穿透配置物亦即光電子放出機構210(光電面218)、遮沒孔徑陣列機構204及第一限制孔徑基板206，到達XY平台105上的穿透光13的強度。測定出的穿透光13的強度，藉由測定電路126被變換成數位訊號，輸出至調整電路124。被輸入至調整電路124的穿透光13的強度資料，暫時性地存儲於記憶裝置82。 作為判定工程(S146)，判定部84，判定測定出的穿透光13的強度是否在事先設定好的移動範圍內取極小值。當取極小值的情形下進入限制孔徑的位置設定工程(S148)。當未取極小值的情形下回到限制孔徑的移動量設定工程(S142)，一面改變限制孔徑的位置，一面反覆限制孔徑的移動量設定工程(S142)至判定工程(S146)的各工程，直到判定取極小值為止。如上述般，例如第1、2次的測定中，無法判斷是否為極小值，故會如上述般反覆。當穿透光的強度隨著使第一限制孔徑基板206的位置移動而逐漸下降的情形下，通常來說，穿透光的強度依序逐漸變小，轉為上昇傾向後又再度變小，可認為是噪訊所造成的誤差。因此，判定部84，只要穿透光的強度在事先設定好的變動範圍內依序逐漸變小，而於超過噪訊份轉為上昇傾向之時間點判定極小值即可。但，在事先設定好的變動範圍內取複數個極小值的可能性未必為零，故更佳為雖然調整時間會變長，但於進行了在事先設定好的變動範圍內的所有穿透光的強度測定後再判定極小值。 作為限制孔徑基板的位置設定工程(S148)，限制孔徑位置設定部86，將穿透光13的強度在事先設定好的移動量範圍內取極小值之限制孔徑基板的位置設定至驅動機構236，而將第一限制孔徑基板206的位置調整成讓穿透光13的強度成為例如比初始值還小的位置例如取極小值的位置。 圖14為實施形態1中的穿透雷射光強度與各調整項目之關係說明用圖。圖14中，縱軸示意穿透雷射光強度(穿透光13的強度)，橫軸示意作為各調整項目的入射角、收斂角、光電面機構(光電子放出體)位置、遮沒孔徑陣列機構(BAA(Blanking Aperture Array)單元)位置、或限制孔徑位置。藉由調整各調整項目，對於每一調整項目，分別讓到達XY平台105的穿透光13的強度變動。圖14例子中，示意極小值在兩處發生之情形，惟在該情形下，較佳為調整成取更小的極小值之條件。 藉由以上，以到達XY平台105的穿透光13的強度成為例如比初始值還小之方式來調整調整項目的值。藉此，當對試料101面照射多光電子束20時，能夠抑制或減低到達試料101面的穿透光13。故，能夠抑制或減低塗布於試料101上的阻劑的感光。 圖15為實施形態1中的描繪方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。圖15中，實施形態1中的描繪方法，接續圖13的工程，係實施電子束校正工程(S152)、描繪工程(S154)這一連串的工程。 作為電子束校正工程(S152)，首先，使XY平台105移動而使法拉第杯107位於多光電子束20的照射區域。然後，藉由法拉第杯107測定多光電子束20的電流量。然後，以多光電子束20的電流量滿足期望的值之方式進行校正。例如，將512×512道的多光電子束20依每一規定的數量(例如64×64)的射束予以群組化，對每一群組藉由法拉第杯107測定電流量，確認是否滿足閾值範圍。當未滿足閾值範圍的情形下，以滿足閾值範圍之方式調整從雷射光源201產生的雷射光200的強度。或，調整遮沒孔徑陣列機構204、或/及第一限制孔徑基板206的位置。若調整遮沒孔徑陣列機構204、或/及第一限制孔徑基板206的位置，則穿透光13的強度會變動，故較佳為重新實施穿透光13的強度調整。穿透光13的強度調整，是在多光電子束20滿足閾值範圍之範圍進行。 作為描繪工程(S154)，描繪機構150，在穿透光13的強度被調整成為比初始值還小的條件下，以多光電子束20(電子束)照射試料101。藉此，在試料101上描繪期望的圖樣。 像以上這樣，按照實施形態1，於電子束照射中能夠減低穿透光13到達至試料101面。故，例如能夠抑制穿透光13所造成的阻劑感光，能夠減低描繪出的圖樣的位置偏離、尺寸偏離，提升描繪精度。 實施形態2. 實施形態2中，說明一種在比遮沒孔徑陣列機構204還上游側減低穿透光13之構成。以下，未特別說明之要點，係與實施形態1相同。 圖16為實施形態2中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖16中，在多陽極電極220與成形孔徑陣列基板203之間，配置了電磁透鏡222、第二限制孔徑基板227、及電磁透鏡224，及更配置了驅動第二限制孔徑基板227的驅動機構(驅動電路)233來取代驅動電路236，除這兩點以外和圖1相同。另，維持配置圖1所示的驅動機構236亦無妨。 藉由電磁透鏡222與電磁透鏡224而構成雙重透鏡(doublet lens)。電磁透鏡222與電磁透鏡224，其軸上磁場的符號相反，且被激磁成相同大小。此外，在電磁透鏡222與電磁透鏡224之中間高度位置配置第二限制孔徑基板227。故，第二限制孔徑基板227，配置於光電面218與遮沒孔徑陣列機構204之間。 實施形態2中，在比遮沒孔徑陣列機構204還上游側藉由第二限制孔徑基板227能夠遮蔽大多數的穿透光電面218的穿透光13。然而，穿透光13的一部分會通過第二限制孔徑基板227的開口部。鑑此，實施形態2中，在調整電路124所做的控制之下，藉由驅動機構233調整第二限制孔徑基板227的位置，使得到達XY平台105的穿透光13的強度減低。配置物亦即第二限制孔徑基板227的孔徑，會讓電子束通過並且使穿透光的一部分通過。另一方面，在孔徑以外的區域會將穿透光的一部分遮蔽。鑑此，藉由調整第二限制孔徑基板227(的孔徑位置)，便能調整穿透雷射光強度。第二限制孔徑基板227的位置的調整的方式，和圖13中說明的第一限制孔徑基板206的情形相同。實施形態2中，如同實施形態1般，較佳為從上游側進行各調整項目的調整。故，實施形態2中，較佳為在遮沒孔徑陣列機構204的位置的調整之前，調整第二限制孔徑基板227的位置。 故，實施形態2中，一面藉由光強度測定器106測定到達XY平台105上的穿透光的強度，一面進行將光電子放出機構210照明的雷射光200之調整、光電子放出機構210的位置之調整、第二限制孔徑基板227的位置之調整、及/或遮沒孔徑陣列機構204的位置之調整。各調整的方式和實施形態1相同。 另，實施形態2中，藉由第二限制孔徑基板227的位置的調整會減低穿透光13的強度，故省略了第一限制孔徑基板206的位置的調整所造成之穿透光13的強度的減低調整。但，無需贅言地，如同實施形態1般，即使進行第一限制孔徑基板206的位置的調整亦無妨。 其他的內容可和實施形態1相同。按照實施形態2，如同實施形態1般，於電子束照射中能夠減低穿透光13到達至試料101面。 實施形態3. 實施形態3中，說明一種藉由挪移多光電子束20的軌道而減低穿透光的強度之構成。 圖17為實施形態3中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖17中，在多陽極電極220與成形孔徑陣列基板203之間配置了校準線圈226，228，挪移了成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、電磁透鏡205、第一限制孔徑基板206、電磁透鏡207(對物透鏡)、及對物偏向器208的中心軸的位置，以及省略了驅動機構(驅動電路)236的配置，除這三點以外和圖1相同。另，維持配置圖1所示的驅動機構236亦無妨。 實施形態3中，調整機構係調整複數個電子束的軌道。實施形態3中，如圖17所示，將由於多陽極電極220而受到加速的多光電子束20藉由校準線圈226偏向，藉此將軌道中心軸以規定的角度朝斜下方向偏向之後，藉由校準線圈228以反方向的規定的角度偏向，藉此擺回軌道中心軸。藉此，便能將多光電子束20的軌道中心軸朝平行於z軸的位置挪移。第一限制孔徑基板206、電磁透鏡207(對物透鏡)、及對物偏向器208的中心軸，係配合藉由校準線圈226，228而被移動了的多光電子束20的軌道中心軸而配置。 藉此，便能將多陽極電極220的各開口部與成形孔徑陣列基板203的各孔22之相對位置關係錯開。故，多陽極電極220的各開口部與成形孔徑陣列基板203的各孔22便不會成為同一直線上。故，通過了多陽極電極220的各開口部的穿透光13，於入射至成形孔徑陣列基板203時，位置會從各孔22錯開。其結果，能夠將位置錯開了的穿透光13藉由成形孔徑陣列基板203遮蔽。依這樣的方式，本實施形態中藉由使多光電子束的軌道變動，能夠使到達XY平台105的穿透光的強度變化。 故，在比遮沒孔徑陣列機構204還上游側藉由成形孔徑陣列基板203能夠遮蔽大多數的穿透光電面218的穿透光13。然而，一部分的穿透光13會通過成形孔徑陣列基板203，朝遮沒孔徑陣列機構204前進。故，通過了成形孔徑陣列基板203的穿透光，係藉由遮沒孔徑陣列機構204的位置的調整而進一步減低強度。 故，實施形態3中，一面藉由光強度測定器106測定到達XY平台105上的穿透光的強度，一面進行將光電子放出機構210照明的雷射光200之調整、光電子放出機構210的位置之調整、及/或遮沒孔徑陣列機構204的位置之調整。各調整的方式和實施形態1相同。 另，實施形態3中，藉由多光電子束20的軌道中心軸的移動會減低穿透光13的強度，故省略了第一限制孔徑基板206的位置的調整所造成之穿透光13的強度的減低調整。但，無需贅言地，如同實施形態1般，即使進行第一限制孔徑基板206的位置的調整亦無妨。 其他的內容可和實施形態1相同。按照實施形態3，如同實施形態1般，於電子束照射中能夠減低穿透光13到達至試料101面。 以上已一面參照具體例一面說明了實施形態。但，本發明並非限定於該些具體例。該些實施形態中，雖舉出了調整光電面、遮沒孔徑陣列機構204、第一限制孔徑206、第二限制孔徑227的例子，但不限定於該些，藉由調整其他成形孔徑陣列基板等的設於穿透光的路徑之配置物的位置，能夠調整穿透光13的強度。 此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構成。 其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有電子束照射裝置及電子束照射方法，均包含於本發明之範圍。
11:隔間窗 20:多光電子束 22:孔 24:控制電極 25:通過孔 26:相向電極 31:基板 33:支撐台 40:雷射光入射角變動量設定部 41:雷射光入射角調整電路 42,52,62,72,82:記憶裝置 44:判定部 45:控制電路 46:雷射光入射角設定部 50:雷射光收斂角變動量設定部 51:雷射光收斂角調整電路 54:判定部 56:雷射光收斂角設定部 60:光電子放出機構移動量設定部 61:光電子放出機構位置調整電路 64:判定部 66:光電子放出機構位置設定部 70:遮沒機構移動量設定部 71:遮沒機構位置調整電路 74:判定部 76:遮沒機構位置設定部 80:限制孔徑移動量設定部 81:限制孔徑位置調整電路 84:判定部 86:限制孔徑位置設定部 100:描繪裝置 101:試料 102,104:鏡筒 103:描繪室 105:XY平台 106:光強度測定器 107:法拉第杯 110:全體控制電路 111:記憶體 112:脈波驅動電路 124:調整電路 126:測定電路 150:描繪機構 160:控制電路 162:調整機構 200:雷射光 201:激發光源 202:照明光學系統 203:成形孔徑陣列基板 204:遮沒孔徑陣列機構 205:電磁透鏡 206:第一限制孔徑基板 207:電磁透鏡 208:對物偏向器 210:光電子放出機構 212:多透鏡陣列 214:玻璃基板 216:多遮光膜 218:光電面 220:多陽極電極 222,224:電磁透鏡 226,228:校準線圈 227:第二限制孔徑基板 232,233,234,236:驅動機構 238:雷射光調整機構 330:薄膜區域 332:外周區域
[圖1]為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。 [圖2]為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。 [圖3]為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 [圖4A]及[圖4B]為實施形態1中的穿透光說明用圖。 [圖5]為實施形態1中的調整穿透光的強度的手法說明用圖。 [圖6]為實施形態1中的調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。 [圖7]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的一部分示意流程圖。 [圖8]為實施形態1中的雷射光入射角說明用圖。 [圖9]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。 [圖10]為實施形態1中的雷射光收斂角說明用圖。 [圖11]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。 [圖12]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。 [圖13]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的另一部分示意流程圖。 [圖14]為實施形態1中的穿透雷射光強度與各調整項目之關係說明用圖。 [圖15]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。 [圖16]為實施形態2中的描繪裝置的構成示意概念圖。 [圖17]為實施形態3中的描繪裝置的構成示意概念圖。
11:隔間窗
20:多光電子束
100:描繪裝置
101:試料
102,104:鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
106:光強度測定器
107:法拉第杯
110:全體控制電路
111:記憶體
122:脈波驅動電路
124:調整電路
126:測定電路
150:描繪機構
160:控制電路
162:調整機構
200:雷射光
201:激發光源
202:照明光學系統
203:成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列機構
205:電磁透鏡
206:第一限制孔徑基板
207:電磁透鏡
208:對物偏向器
210:光電子放出機構
212:多透鏡陣列
214:玻璃基板
216:多遮光膜
218:光電面
220:多陽極電極
232,234,236:驅動機構
238:雷射光調整機構

Claims (11)

  1. 一種電子束照射裝置，具備：光電面，在表面側受到激發光的照射，而從背面側生成複數個電子束；遮沒孔徑陣列機構，形成有和前述複數個電子束的各者相對應之通過孔，將通過前述通過孔的前述複數個電子束各自做偏向控制；限制孔徑基板，形成有開口部，限制前述複數個電子束的通過；XY平台，可載置供通過了前述遮沒孔徑陣列機構及前述限制孔徑基板的前述複數個電子束照射之試料；及調整機構，調整照射出的前述激發光當中通過涵括至前述XY平台以前的前述光電面、前述遮沒孔徑陣列機構、及前述限制孔徑基板在內之配置物的至少一者而到達前述XY平台上之穿透光的軌道，以及前述複數個電子束的軌道的至少其中一者；前述配置物，遮蔽前述穿透光的至少一部分。
  2. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述調整機構，具有：激發光調整機構，調整往前述光電面入射的前述激發光的入射條件。
  3. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述調整機構，具有：至少一個驅動機構，使前述配 置物當中的至少一個的位置移動。
  4. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述調整機構，將前述複數個電子束以規定角度偏向之後，以反方向的前述規定角度偏向而將前述複數個電子束的軌道中心軸平行地移動。
  5. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述調整機構，具有：驅動機構，使前述光電面移動。
  6. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述限制孔徑基板，配置於前述遮沒孔徑陣列機構與前述XY平台之間。
  7. 如請求項1記載之電子束照射裝置，其中，前述限制孔徑基板，配置於前述光電面與前述遮沒孔徑陣列機構之間。
  8. 一種電子束照射方法，係在光電面的表面側受到激發光的照射，而從前述光電面的背面側放出複數個電子束，調整照射出的前述激發光當中通過涵括前述光電面、將前述複數個電子束各自做偏向控制的遮沒孔徑陣列機構、形成有開口部而限制前述複數個電子束的通過的限制 孔徑基板在內之配置物的至少一者而到達供試料載置的XY平台上之穿透光的軌道，以及前述複數個電子束的軌道的至少其中一者，藉由前述配置物遮蔽前述穿透光的至少一部分，將前述複數個電子束照射至前述試料。
  9. 如請求項8記載之電子束照射方法，其中，於前述調整時，調整前述激發光的往前述光電面的入射條件。
  10. 如請求項8記載之電子束照射方法，其中，使前述配置物當中的至少一個的位置移動。
  11. 如請求項8記載之電子束照射方法，其中，將前述複數個電子束以規定角度偏向之後，以反方向的前述規定角度偏向而將前述複數個電子束的軌道中心軸平行地移動，藉此調整前述複數個電子束的軌道。
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