TW202038284A - 多電子束檢查裝置 - Google Patents

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Abstract

實施形態之多電子束檢查裝置，具備：照射源，對基板照射多電子束；及平台，載置前述基板；及電磁透鏡，設於照射源與平台之間，產生可供多電子束通過的透鏡磁場；及靜電透鏡，設於透鏡磁場中，具有可供多電子束的各者通過之複數個貫通孔、與各自設於複數個貫通孔的壁面之複數個電極，其中和多電子束的軌道中心軸相隔距離而設置之貫通孔的配置係具有螺旋形狀；及電源，連接至複數個電極。

Description

多電子束檢查裝置
本發明有關多電子束檢查裝置。
近年來隨著大規模積體電路(LSI)的高度積體化及大容量化，對半導體裝置要求之電路線寬愈來愈變狹小。又，對於耗費莫大的製造成本之LSI的製造而言，產率的提升不可或缺。但，以十億位元(gigabyte)級的DRAM(隨機存取記憶體)為首，構成LSI之圖樣，從次微米成為了奈米尺度。近年來，隨著形成於半導體晶圓上之LSI圖樣尺寸的微細化，必須檢測出圖樣缺陷之尺寸亦成為極小。故，檢查被轉印至半導體晶圓上之超微細圖樣的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。除此之外，作為使產率降低的一個重大因素，可以舉出將超微細圖樣以光微影技術曝光、轉印至半導體晶圓上時所使用之光罩的圖樣缺陷。因此，檢查LSI製造中使用的轉印用光罩的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。 作為檢查手法，已知有下述方法，即，將拍攝形成於半導體晶圓或微影光罩等基板上之圖樣而得之測定圖像，和設計資料或拍攝基板上的同一圖樣而得之測定圖像予以比較，藉此進行檢查。例如，作為圖樣檢查方法，有將拍攝同一基板上的相異場所之同一圖樣而得之測定圖像資料彼此比較之「die to die(晶粒-晶粒)檢查」、或以圖樣設計而成的設計資料作為基礎而生成設計圖像資料(參照圖像)，而將其和拍攝圖樣而得之測定資料亦即測定圖像比較之「die to database(晶粒-資料庫)檢查」。被拍攝的圖像，會作為測定資料被送往比較電路。比較電路中，做圖像彼此之對位後，將測定資料和參照資料遵照適合的演算法予以比較，當不一致的情形下，判定有圖樣缺陷。 上述的圖樣檢查裝置中，除了將雷射光照射至檢查對象基板，而拍攝其透射像或反射像之裝置以外，下述檢查裝置之開發亦在進展當中，即，以電子束在檢查對象基板上掃描(scan)，檢測伴隨電子束的照射而從檢查對象基板放出的2次電子，來取得圖樣像之檢查裝置。使用了電子束之檢查裝置中，又，使用了多電子束之裝置的開發亦在進展當中。 使用了上述的多電子束之多電子束檢查裝置中，照射至試料上的電子束愈遠離光軸而照射，則愈會伴隨像場彎曲的影響，而有電子束的點徑產生差異這樣的問題。此外，由於此差異，而有無法擴大FOV(Field Of View：視野)這樣的問題。
本發明提供一種提升多射束的照***度之多電子束檢查裝置。 本發明的一個態樣之多電子束檢查裝置，具備：照射源，對基板照射多電子束；及平台，載置前述基板；及電磁透鏡，設於照射源與平台之間，產生可供多電子束通過的透鏡磁場；及靜電透鏡，設於透鏡磁場中，具有可供多電子束的各者通過之複數個貫通孔、與各自設於複數個貫通孔的壁面之複數個電極，其中和多電子束的軌道中心軸相隔距離而設置之貫通孔的配置係具有螺旋形狀；及電源，連接至複數個電極。
以下，實施形態中，說明多電子束檢查裝置。 (實施形態) 圖1為實施形態中的圖樣檢查裝置的構成示意概念圖。圖1中，檢查形成於基板之圖樣的檢查裝置100，為圖像取得裝置的一例。檢查裝置100，具備圖像取得機構150、及控制系統電路160(控制部)。圖像取得機構150，具備電子束鏡柱102(多射束電子鏡筒)、檢查室103、檢測電路106、圖樣記憶體123、驅動機構132、驅動機構142、及雷射測長系統122。在電子束鏡柱102內，配置有電子槍201(照射源)、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、集體遮沒偏向器212、縮小透鏡213、射束分離器214、電極220、多檢測器222、投影透鏡224，226、偏向器228、廣域檢測器230、及校準線圈232，234。 在檢查室103內，配置有至少可於XY平面上移動之XY平台105(平台)。在XY平台105上，配置有作為檢查對象之基板101。基板101中，包含曝光用光罩基板、及矽晶圓等的半導體基板。當基板101為半導體基板的情形下，在半導體基板形成有複數個晶片圖樣(晶圓晶粒)。當基板101為曝光用光罩基板的情形下，在曝光用光罩基板形成有晶片圖樣。形成於該曝光用光罩基板之晶片圖樣被複數次曝光轉印至半導體基板上，藉此，在半導體基板便會形成複數個晶片圖樣(晶圓晶粒)。以下，主要說明基板101為半導體基板之情形。基板101，例如以圖樣形成面朝向上側而被配置於XY平台105。此外，在XY平台105上，配置有將從配置於檢查室103的外部之雷射測長系統122照射的雷射測長用雷射光予以反射之鏡216。此外，在XY平台105上，配置有標記圖樣相異的標記217，218、及限制射束入射域之透射標記219。標記217、218、及透射標記219的表面高度合適是契合基板101表面的高度。 多檢測器222及廣域檢測器230，在電子束鏡柱102的外部連接至檢測電路106。檢測電路106，連接至圖樣記憶體123。此外，電子束鏡柱102及檢查室103內，藉由未圖示的真空泵浦而被排氣，形成真空狀態。 作為廣域檢測器230，例如有半導體檢測器、亦能使用將光電子檢測器連接至在表面為了防止帶電而包膜的塑膠閃爍體(plastic scintillator)而成之物、亦能單純使用將電流計接上由導體所構成的板而成之物。在此情形下，就流入電流測定的精度的觀點看來，在表面使用碳等2次電子發生效率低的材料較為有利。 例如，藉由照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、縮小透鏡205、縮小透鏡213、對物透鏡207、主偏向器208、及副偏向器209，構成1次電子光學系統。但，不限於此，在1次電子光學系統包含其他的線圈、透鏡、或偏向器等亦無妨。此外，例如藉由射束分離器214、投影透鏡224，226、偏向器228、及校準線圈232，234，構成2次電子光學系統。但，不限於此，在2次電子光學系統包含其他的線圈、透鏡、或偏向器等亦無妨。 控制系統電路160中，控制檢查裝置100全體之控制計算機110，係透過匯流排120，連接至位置電路107、比較電路108、參照圖像作成電路112、平台控制電路114、透鏡控制電路124、遮沒控制電路126、偏向控制電路128、減速(retarding)控制電路129、搬入/搬出控制電路130、檢測電路144、磁碟裝置等的記憶裝置109、監視器117、記憶體118、及印表機119。 此外，圖樣記憶體123，連接至比較電路108。此外，XY平台105，在平台控制電路114的控制之下藉由驅動機構142而被驅動。驅動機構142中，例如，構成有於X方向、Y方向、θ方向驅動之3軸(X-Y-θ)馬達這樣的驅動系統，使得XY平台105可移動。這些未圖示之X馬達、Y馬達、θ馬達，例如能夠使用步進馬達。XY平台105，藉由XYθ各軸的馬達而可於水平方向及旋轉方向移動。又，XY平台105的移動位置，會藉由雷射測長系統122而被測定，被供給至位置電路107。雷射測長系統122，接收來自鏡216的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來將XY平台105的位置予以測長。 在電子槍201，連接有未圖示之高壓電源電路，從高壓電源電路對於電子槍201內的未圖示燈絲(filament)與引出電極(陽極)間施加加速電壓，並且藉由規定的引出電極(韋乃特(Wehnelt)電極)之電壓施加與規定溫度之陰極加熱，從陰極放出的電子群會受到加速，而成為電子束200被放出。照明透鏡202、縮小透鏡205、縮小透鏡213、對物透鏡207、及投影透鏡224，226，例如是使用電磁透鏡，皆藉由透鏡控制電路124而受到控制。此外，射束分離器214亦藉由透鏡控制電路124而受到控制。集體遮沒偏向器212、及偏向器228，各自由至少2極的電極群所構成，藉由遮沒控制電路126而受到控制。主偏向器208及副偏向器209，各自由至少4極的電極群所構成，藉由偏向控制電路128而受到控制。電極220，構成於在中央部形成有貫通的通過孔之圓盤上，藉由減速控制電路129，和基板101一起受到控制。 此處，圖1中記載了用以說明實施形態所必須之構成。對檢查裝置100而言，通常具備必要的其他構成亦無妨。 圖2為實施形態中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，有二維狀的橫(x方向)m1 列×縱(y方向)n1 段(m1 ，n1 為2以上的整數)的孔(開口部)22於x，y方向以規定之排列間距形成。圖2例子中雖示意形成有23×23的孔之情形，但此實施形態中訂為例如形成有5×5的孔(開口部)22。孔22的排列數不限於此。各孔22均形成為相同外徑的圓形。或者是相同尺寸形狀的矩形亦無妨。電子束200的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此會形成多電子束20。在此，雖然揭示了於橫縱(x，y方向)均配置了2列以上的孔22之例子，但並不限於此。例如，亦可為在橫縱(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的排列方式，亦不限於如圖2般配置成橫縱為格子狀之情形。例如，縱方向(y方向)第k段的列及第k+1段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第k+1段的列及第k+2段的列的孔，彼此也可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。 接下來說明檢查裝置100中的圖像取得機構150的動作。 從電子槍201(放出源)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對成形孔徑陣列基板203全體做照明。在成形孔徑陣列基板203，如圖2所示，形成有矩形的複數個孔22(開口部)，電子束200對包含所有複數個孔22之區域做照明。照射至複數個孔22的位置之電子束200的各一部分，會分別通過該成形孔徑陣列基板203的複數個孔22，藉此形成例如矩形的複數個電子束(多射束)20a~20d(圖1的實線)。 形成的多電子束20a~20d(1次電子束)，通過遮沒孔徑陣列機構204的多射束20a~e，藉由縮小透鏡205而被縮小，朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。此處，當藉由配置於成形孔徑陣列基板203(遮沒孔徑陣列機構204)與縮小透鏡205之間的集體遮沒偏向器212，而多電子束20a~20d全體被集體偏向的情形下，位置會偏離限制孔徑基板206的中心的孔，而藉由限制孔徑基板206被遮蔽。另一方面，未藉由集體遮沒偏向器212被偏向的多電子束20a~20d，會如圖1所示通過限制孔徑基板206的中心的孔。藉由該集體遮沒偏向器212的ON/OFF，來進行遮沒控制，射束的ON/OFF受到集體控制。像這樣，限制孔徑基板206，是將藉由集體遮沒偏向器212而被偏向成為射束OFF的狀態之多電子束20a~20d予以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束群，形成檢查用的多電子束20a~20d。 通過了限制孔徑基板206的多電子束20a~20d，藉由縮小透鏡213被折射成朝向光軸，形成交叉點(Crossover；C.O.)。然後，通過了配置於多電子束20的交叉點位置之射束分離器214之後，朝對物透鏡207行進。通過了射束分離器214的多電子束20a~20d，藉由對物透鏡207而焦點被對合於基板101面上，在基板101將多電子束20a~20d(電子束)成像。此時，多電子束20a~20d，成為期望之縮小率的圖樣像(射束徑)，藉由主偏向器208及副偏向器209，通過了限制孔徑基板206的多電子束20全體朝同方向被集體偏向，通過電極220的中央部的通過孔，各射束照射至基板101上的各自的照射位置。在此情形下，藉由主偏向器208，將多電子束20全體予以集體偏向至多電子束20所掃描之光罩晶粒的基準位置。當一面使XY平台105連續移動一面進行掃描的情形下，會進一步以跟隨XY平台105的移動之方式來進行追蹤偏向。然後，藉由副偏向器209，將多電子束20全體做集體偏向以便各射束掃描各自相對應之區域內。一次所照射之多電子束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率(1/a)而得之間距而並排。像這樣，電子束鏡柱102，一次會將二維狀的m1 ×n1 道的多電子束20照射至基板101。由於多電子束20被照射至基板101的期望之位置，從基板101會放出和多電子束20的各射束相對應之包含反射電子之2次電子的束(多2次電子300)(圖1的虛線)。 此處，在電極220與基板101之間，藉由減速控制電路129被施加電壓，以獲得期望的往基板上之1次電子束的入射能量。電極220和電子束鏡柱102同樣為接地電位，而將基板101設定在規定的負電位。藉此，於真空下，能夠使得以高能量受到加速的1次電子束(多電子束20)於撞入基板101的前一刻減速，並且能夠使從基板101放出的低能量的2次電子(多2次電子300)朝多檢測器222側加速。 從基板101放出的多2次電子300，通過了電極220的通過孔之後，藉由對物透鏡207朝多2次電子300的中心側被折射，朝向射束分離器214行進。 此處，射束分離器214(例如維恩濾波器(Wien filter))是在和多電子束20行進的方向(光軸)正交之面上，令電場與磁場於正交之方向產生。電場和電子的行進方向無關而對同一方向施力。相對於此，磁場會遵循弗萊明左手定則而施力。因此藉由電子的侵入方向能夠使作用於電子之力的方向變化。對於從上側朝射束分離器214侵入而來的多電子束20(1次電子束)，電場所造成的力與磁場所造成的力會相互抵消，多電子束20會朝下方直進。相對於此，對於從下側朝射束分離器214侵入而來的多2次電子300，電場所造成的力與磁場所造成的力皆朝同一方向作用，多2次電子300會朝斜上方被彎折。 朝斜上方被彎折了的多2次電子300，於廣域檢測器230未被搬入至光路上的狀態下，藉由投影透鏡224、226，一面使其折射一面投影至多檢測器222。多檢測器222，檢測被投影的多2次電子300。多檢測器222，例如具有未圖示之二極體型的二維感測器。然後，在和多電子束20的各射束相對應之二極體型的二維感測器位置，多2次電子300的各2次電子會衝撞二極體型的二維感測器，產生電子，對於後述每個像素生成2次電子圖像資料。當XY平台105一面移動一面進行掃描動作的情形下，伴隨XY平台105的移動，偏向器228會以跟隨XY平台105的移動之方式將多2次電子300偏向(做追蹤控制)，以免多檢測器222中的多2次電子300的各2次電子的檢測位置偏離。 像以上這樣，檢查裝置100中，配置有調整多電子束20(1次電子束)的軌道(照射位置及焦點等)之1次電子光學系統、及調整多2次電子300(2次電子)的軌道(照射位置及焦點等)之2次電子光學系統。但，在1次電子光學系統及2次電子光學系統的調整(射束調整)未完善的狀態下，通常無法得到上述般的電子的軌道。因此，必須做1次電子光學系統及2次電子光學系統的調整。 圖3為實施形態中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。遮沒孔徑陣列機構204，如圖3所示，是在支撐台33上配置由例如矽等所構成之基板31。基板31的中央部，例如從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜(membrane)區域30(第1區域)。圍繞薄膜區域30之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域32(第2區域)。薄膜區域30的上面與外周區域32的上面，合適是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域32的背面而被保持於支撐台33上。支撐台33的中央部係開口，薄膜區域30的位置，位於支撐台33的開口之區域。 在薄膜區域30，於和圖2所示之成形孔徑陣列基板203的各孔22相對應之位置，有供多電子束20的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。換言之，在基板31的薄膜區域30，供使用了電子線的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔25係以陣列狀形成。又，在基板31的薄膜區域30上，且在夾著複數個通過孔25當中相對應的通過孔25而相向之位置，各自配置有具有2個電極之複數個電極對。具體而言，在薄膜區域30上，如圖3所示，於各通過孔25的鄰近位置，夾著該通過孔25而各自配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在基板31上，形成有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之配線(未圖示)。對於各控制電極24之個別的偏向電壓施加的ON/OFF，是藉由遮沒控制電路126而控制。此外，各射束用的相向電極26被接地連接。 圖4為實施形態之個別遮沒機構的一例示意圖。圖4中，在遮沒控制電路126內，形成有用來將偏向電壓個別地施加給各控制電極24之個別控制電路41。在各個別控制電路41內，配置有放大器46(切換電路的一例)。圖4例子中，作為放大器46之一例，配置CMOS(Complementary MOS)反相器(inverter)電路。又，CMOS反相器電路連接至正的電位(Vdd：遮沒電位：第1電位)(例如5V)(第1電位)與接地電位(GND：第2電位)。CMOS反相器電路的輸出線(OUT)連接至控制電極24。另一方面，相向電極26被施加接地電位。 在CMOS反相器電路的輸入(IN)，被施加比閾值電壓還低之L(low)電位(例如接地電位)、及閾值電壓以上之H(high)電位(例如1.5V)的其中一者，以作為控制訊號。實施形態中，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加L電位之狀態下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為正電位(Vdd)，而藉由與相向電極26的接地電位之電位差所造成的電場將相對應多電子束20偏向，並以限制孔徑基板206遮蔽，藉此控制成射束OFF。另一方面，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加H電位之狀態(有效(active)狀態)下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為接地電位，與相向電極26的接地電位之電位差會消失而不會將相對應射束20偏向，故會通過限制孔徑基板206，藉此控制成射束ON。 通過各通過孔的多電子束20，會各自獨立地藉由施加於成對之2個控制電極24及相向電極26的電壓而被個別地偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。具體而言，控制電極24及相向電極26之組合，係以藉由作為各自相對應的切換電路之CMOS反相器電路而被切換之電位，將多射束的相對應射束各自個別地遮沒偏向。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列基板203的複數個孔22(開口部)的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。 作為個別遮沒機構，亦可不是在遮沒控制電路126內將上述般的CMOS電路形成於基板上之物。例如，亦可在遮沒控制電路126內配置由DC電源與繼電器電路所成之簡易的電源電路，而控制成從遮沒控制電路126對遮沒孔徑陣列機構204的各電極施加期望的電位。此外，亦能在形成有控制電極24，26與通過孔之個別遮沒孔徑陣列機構直接形成上述的CMOS電路等的驅動電路。 該遮沒孔徑陣列機構204所做的各射束之個別遮沒控制，於檢查裝置100的光學系統調整時會被利用。光學系統調整後的通常的圖樣檢查的期間，所有射束會被控制成為射束ON。又，通常的圖樣檢查的期間，多電子束20藉由集體遮沒偏向器212而射束ON/OFF受到集體控制。另，藉由使遮沒孔徑陣列機構204的各遮沒器同步，在同一時間點進行所有的射束的ON/OFF控制，亦能做出和集體遮沒偏向器212的動作同樣之動作。在該情形下，省略集體遮沒偏向器212亦無妨。 圖5為實施形態之檢查裝置100及電子束鏡柱102(多射束電子鏡筒)所具備的透鏡98的模型截面圖。圖6為實施形態之靜電透鏡72的模型立體圖。另，圖5及圖6中，省略後述的導電膜的圖示。 透鏡98，較佳是能夠作為縮小透鏡205、縮小透鏡213及對物透鏡207來使用。透鏡98，具備電磁透鏡(磁場透鏡)90、及靜電透鏡72。 電磁透鏡90，具備線圈91、軛92、磁極片(pole piece)上極93、磁極片下極94。線圈91藉由銅線等的線被捲繞而形成。線圈91的線的端部連接至未圖示之電源。從未圖示之電源對線圈91流通電流，藉此在線圈91的周圍會產生磁場。 軛92，例如含有坡莫合金(permalloy)(Ni-Fe合金)等的導磁率高的材料，使藉由線圈91而產生的磁場的磁力線良好地通過其內部。通過軛92的磁力線，流向連接至軛92而使用比軛92還高品質的材料形成之磁極片上極93及磁極片下極94。依此方式，在主要被磁極片上極93及磁極片下極94包圍而多電子束可通過之區域，會集中產生藉由線圈91而形成之未圖示的透鏡磁場。較佳是，透鏡磁場的中心，配置於基板面的高度位置。 靜電透鏡72，設於藉由電磁透鏡(磁場透鏡)90而產生之透鏡磁場內。靜電透鏡72，具有可供多電子束20的各者通過之貫通孔74。圖5中，示意了貫通孔74a、74b、74c、74d及74e。另，貫通孔74a、74b、74d及74e，實際上具有螺旋形狀，惟圖5中為求說明簡便而圖示作為垂直孔。 如圖6中所示，在靜電透鏡72，合計排列有25個和圖2中所示5×5的孔(開口部)22相對應而形成之供多電子束20的各者通過之貫通孔74。貫通孔74當中，中心的貫通孔74c為垂直貫通孔，亦即在多電子束20的軌道中心軸99(或光軸，或中心射束的軌道中心軸)會通過之位置，和軌道中心軸平行地設置。其他24個的貫通孔74的配置，具有螺旋形狀。又，螺旋形狀的軸，平行於軌道中心軸。 作為具有螺旋形狀之貫通孔74的形成方法的一例，可舉出如圖6所示般使用複數個絕緣板73來形成之方法。實施形態之靜電透鏡72，是使用絕緣板73a、73b、73c、73d、73e、73f及73g而形成。各個絕緣板73，具有5×5的貫通孔。 此處，形成在絕緣板73b的貫通孔74，相對於形成在絕緣板73a的貫通孔74，是以絕緣板73b的貫通孔74c為中心而於xy平面例如旋轉5度左右。此處，旋轉的方向，例如從圖6的紙面上方觀看的情形下為逆時針。接著，形成在絕緣板73c的貫通孔74，相對於形成在絕緣板73b的貫通孔74，是於xy平面例如旋轉5度左右。此處，旋轉的方向，例如從圖6的紙面上方觀看的情形下為逆時針。以下，針對絕緣板73d、絕緣板73e、絕緣板73f及絕緣板73g，亦依同樣方式形成有貫通孔74。依此方式，便形成螺旋形狀的軸平行於軌道中心軸之貫通孔74。若依此方式，便能容易地且在受到良好控制的狀態下形成螺旋形狀。另，貫通孔74的形狀呈螺旋形狀的理由在於，電子束由於磁場透鏡90產生的磁場，在相對於電子束的進行方向而言垂直之方向會受到勞侖茲力(Lorentz force)而做螺旋運動，因此配合電子束的軌道來將貫通孔74做成螺旋形狀。 另，靜電透鏡的形態或形成方法，不限定於圖6所示者。例如使用3D印表機，來形成在內部形成有具有螺旋形狀的貫通孔之絕緣材料，藉由形成靜電透鏡亦無妨。 絕緣板73，例如由氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)、氧化鋯(ZrO)等的陶瓷而形成。當然，絕緣板73使用其他的絕緣材料亦能良好地形成。 靜電透鏡72的z方向(例如平行於軌道中心軸99的方向)的厚度並無特別限定，但如例如較佳為10mm以上20mm以下的程度。此外，貫通孔74具有的螺旋形狀的旋轉角並無特別限定，但例如較佳為30度以上40度以下的程度。 此外，從圖6紙面中配置於上方的絕緣板73a，到圖6紙面中配置於較下方的絕緣板73b、73c、73d、73e、73f及73g，較佳是貫通孔74的開口間距(pitch)漸漸變化。例如，絕緣板73a中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73b中的貫通孔74的開口間距還大，絕緣板73b中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73c中的貫通孔74的開口間距還大，絕緣板73c中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73d中的貫通孔74的開口間距還大，絕緣板73d中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73e中的貫通孔74的開口間距還大，絕緣板73e中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73f中的貫通孔74的開口間距還大，絕緣板73f中的貫通孔74的開口間距比絕緣板73g中的貫通孔74的開口間距還大較佳。 此外，在靜電透鏡72，連接有接地78及電源86。 圖7A~B為實施形態之構成靜電透鏡72的絕緣板73及導電膜75的一例的模型圖。圖7中，作為絕緣板73示意了絕緣板73d。圖7A為從上方觀看絕緣板73及導電膜75時之模型俯視圖，圖7B為圖7A的B-B’線下之模型截面圖。 在絕緣板73d的上面及貫通孔74的側面，設有導電膜75。此外，在絕緣板73d的上面，設有溝76d。溝76d中，導電膜75被完全削去。因此，藉由溝76d，設於溝76d的外側之導電膜75a與設於溝76d的內側之導電膜75b相互電性絕緣。導電膜75，例如藉由金屬材料的濺鍍等而形成。其後藉由形成溝76d，來形成導電膜75a及導電膜75b。 圖8為實施形態之構成靜電透鏡72的絕緣板73及導電膜75的模型截面圖。圖8為通過靜電透鏡72的貫通孔74a、74b、74c、74d及74e的截面下之模型截面圖。另，貫通孔74a、74b、74d及74e，實際上具有螺旋形狀，惟圖8中為求說明簡便而圖示作為垂直孔。此外，各個絕緣板73是相互接觸來使用，惟圖8中為求說明簡便令其分離圖示。 設於貫通孔74內部的導電膜75a，為電極的一例。 導電膜75b被連接至接地78(圖5)。此外，導電膜75a被連接至電源86。 在絕緣板73a未設有溝76。在絕緣板73a，設有作為導電膜75之導電膜75b。 在絕緣板73b，在貫通孔74a、74b、74c、74d及74e的周圍設有溝76b。在溝76b的外側設有導電膜75a，在溝76b的內側設有導電膜75b。 在絕緣板73c，在貫通孔74a、74b、74c、74d及74e的周圍設有溝76c。在溝76c的外側設有導電膜75a，在溝76c的內側設有導電膜75b。 在絕緣板73d，在貫通孔74b、74c及74d的周圍設有溝76d。貫通孔74a及貫通孔74e，設於溝76d的外側。在溝76d的外側設有導電膜75a，在溝76d的內側設有導電膜75b。 在絕緣板73e，在貫通孔74b、74c及74d的周圍設有溝76e。貫通孔74a及貫通孔74e，設於溝76e的外側。在溝76e的外側設有導電膜75a，在溝76e的內側設有導電膜75b。 在絕緣板73f未設有溝76。在絕緣板73f，設有作為導電膜75之導電膜75a。 在絕緣板73g未設有溝76。在絕緣板73g，設有作為導電膜75之導電膜75b。 此外，當將導電膜75a與導電膜75b重疊時，導電膜75的凹部77以相互不接觸之方式適宜設置。 藉此，通過貫通孔74a及74e的電子束，當通過絕緣板73d、73e及73f時，會被施加來自電源86的電壓。此外，通過貫通孔74b、74c及74d的電子束，當通過絕緣板73f時，會被施加來自電源86的電壓。像這樣，導電膜75a，被用作為用來對電子束施加電壓之電極，根據貫通孔74不同，用來對電子束施加電壓之電極的長度會相異。 此外，在配置於靜電透鏡72的最上面與最下面之絕緣板73a及絕緣板73g，設有連接至接地78之導電膜75b，而未設有連接至電源86之導電膜75a。這是為了設計成不讓電源86所做的電壓施加所伴隨之電場相對於靜電透鏡72的上下方向而言洩漏，以免多電子束的軌道失控。 另，藉由適宜設置凹部77，對設於各貫通孔74的側面之導電膜75b亦可容易地施加各自相異的電壓。 另，靜電透鏡72的構造不限定於上述者。 接下來，記載實施形態之作用效果。 多射束所形成之像場彎曲，會和距光軸的距離的平方成比例而變大。較佳是修正此像場彎曲。 實施形態中，藉由將磁場透鏡90與靜電透鏡72組合，能夠使用靜電透鏡72將對各個電子束施加之電壓降低。因此，可達成靜電透鏡72的微細化。 又，靜電透鏡72，具有各自具螺旋形狀的複數個貫通孔74。這是因為電子束由於磁場透鏡90產生的磁場，在相對於電子束的進行方向而言垂直之方向會受到勞侖茲力而做螺旋運動，因此配合電子束的軌道來將貫通孔74做成螺旋形狀。此處，螺旋運動的軌道，是呈具有平行於多電子束的軌道中心軸之軸的螺旋形狀。換言之，配合電子束螺旋的方向，貫通孔74的形狀呈螺旋形狀。因此，螺旋形狀的軸，較佳是平行於多射束的軌道中心軸。另，螺旋形狀旋轉的方向，相對於電子束的進行方向而言呈逆時針。 又，電源86，較佳是對各個貫通孔74的導電膜75a各者施加相異的電壓。這是因為藉此，通過各個貫通孔74的電子束會產生速度差，根據該速度差而各個電子束的聚光於相異的聚光位置。藉此，能夠調整各個電子束的聚光作用，因此能夠使多射束的照***度提升。 另，螺旋軌道的形狀，會根據距軌道中心軸的距離而變化，因此從電源對複數個電極施加之電壓，較佳是令其根據距軌道中心軸的距離而變化，根據距軌道中心軸的距離來增大或減小。 按照本實施形態之檢查裝置，可提供提升了多射束的照***度之多射束電子鏡筒及檢查裝置。 以上說明中，一連串的「~電路」包含處理電路，該處理電路中，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或是半導體裝置等。此外，各「~電路」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。令處理器等執行之程式，可記錄於磁碟裝置、磁帶裝置、FD、或是ROM(唯讀記憶體)等的記錄媒體。例如，比較電路108、參照圖像作成電路112、透鏡控制電路124、及遮沒控制電路126等，亦可藉由上述的至少1個處理電路來構成。 以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。 此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。 實施形態中，針對檢查方法及檢查裝置的構成或其製造方法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略了記載，但能夠適當選擇使用必要之帶電粒子束檢查方法的構成。其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有檢查方法，均包含於本發明之範圍。本發明之範圍，由申請專利範圍及其均等範圍所定義。
20(20a~20d):多電子束 22:孔(開口部) 24:控制電極 25:通過孔 26:相向電極 30:薄膜區域 31:基板 32:外周區域 33:支撐台 41:個別控制電路 46:放大器 72:靜電透鏡 73(73a~73g):絕緣板 74(74a~74e):貫通孔 75(75a~75b):導電膜 76(76b~76e):溝 77:凹部 78:接地 86:電源 90:電磁透鏡 91:線圈 92:軛 93:磁極片上極 94:磁極片下極 98:透鏡 99:軌道中心軸 100:檢查裝置 101:基板 102:電子束鏡柱 103:檢查室 105:XY平台 106:檢測電路 107:位置電路 108:比較電路 109:記憶裝置 110:控制計算機 112:參照圖像作成電路 114:平台控制電路 117:監視器 118:記憶體 119:印表機 120:匯流排 122:雷射測長系統 123:圖樣記憶體 124:透鏡控制電路 126:遮沒控制電路 128:偏向控制電路 129:減速控制電路 130:搬入/搬出控制電路 132,142:驅動機構 144:檢測電路 150:圖像取得機構 160:控制系統電路 200:電子束 201:電子槍 202:照明透鏡 203:成形孔徑陣列基板 204:遮沒孔徑陣列機構 205:縮小透鏡 206:限制孔徑基板 207:對物透鏡 208:主偏向器 209:副偏向器 212:集體遮沒偏向器 213:縮小透鏡 214:射束分離器 216:鏡 217,218:標記 219:透射標記 220:電極 222:多檢測器 224,226:投影透鏡 228:偏向器 230:廣域檢測器 232,234:校準線圈 300:多2次電子
[圖1]為實施形態之多電子束檢查裝置的構成示意模型圖。 [圖2]為實施形態之成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。 [圖3]為實施形態中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 [圖4]為實施形態之個別遮沒機構的一例示意圖。 [圖5]為實施形態之多電子束檢查裝置所具備的靜電透鏡與電磁透鏡的模型截面圖。 [圖6]為實施形態之靜電透鏡的模型立體圖。 [圖7]為實施形態之構成靜電透鏡的絕緣板及導電膜的一例的模型圖。 [圖8]為實施形態之構成靜電透鏡的絕緣板及導電膜的模型截面圖。
20a~20d:多電子束
100:檢查裝置
101:基板
102:電子束鏡柱
103:檢查室
105:XY平台
106:檢測電路
107:位置電路
108:比較電路
109:記憶裝置
110:控制計算機
112:參照圖像作成電路
114:平台控制電路
117:監視器
118:記憶體
119:印表機
120:匯流排
122:雷射測長系統
123:圖樣記憶體
124:透鏡控制電路
126:遮沒控制電路
128:偏向控制電路
129:減速控制電路
130:搬入/搬出控制電路
132,142:驅動機構
144:檢測電路
150:圖像取得機構
160:控制系統電路
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列機構
205:縮小透鏡
206:限制孔徑基板
207:對物透鏡
208:主偏向器
209:副偏向器
212:集體遮沒偏向器
213:縮小透鏡
214:射束分離器
216:鏡
217,218:標記
219:透射標記
220:電極
222:多檢測器
224,226:投影透鏡
228:偏向器
230:廣域檢測器
232,234:校準線圈
300:多2次電子

Claims (8)

  1. 一種多電子束檢查裝置，具備： 照射源，對基板照射多電子束；及 平台，載置前述基板；及 電磁透鏡，設於前述照射源與前述平台之間，產生前述多電子束可通過的透鏡磁場；及 靜電透鏡，設於前述透鏡磁場中，具有前述多電子束的各者可通過之複數個貫通孔、與各自設於前述複數個貫通孔的壁面之複數個電極，其中和前述多電子束的軌道中心軸相隔距離而設置之前述貫通孔的配置係具有螺旋形狀；及 電源，連接至前述複數個電極。
  2. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述螺旋形狀的軸，設置成平行於前述軌道中心軸。
  3. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述電源對前述複數個電極的各者施加相異的電壓。
  4. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，平行於前述軌道中心軸的方向之前述複數個電極的長度彼此相異。
  5. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述透鏡磁場的中心配置於基板面的高度位置。
  6. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述靜電透鏡，各自具有具複數個貫通孔之複數個絕緣板。
  7. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述靜電透鏡的平行於前述軌道中心軸的方向之厚度，為10mm以上20mm以下。
  8. 如請求項1記載之多電子束檢查裝置，其中，前述貫通孔的螺旋形狀的旋轉角，為30度以上40度以下。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11664191B2 (en) 2020-12-15 2023-05-30 Nuflare Technology, Inc. Electron beam irradiation apparatus and electron beam irradiation method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11562879B2 (en) * 2020-09-15 2023-01-24 Nuflare Technology, Inc. Low-blur electrostatic transfer lens for multi-beam electron gun
WO2024009913A1 (ja) * 2022-07-06 2024-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム画像取得装置、マルチ電子ビーム画像取得方法、電子ビーム画像取得装置、及び電子ビーム画像取得方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61101944A (ja) 1984-10-25 1986-05-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電粒子ビ−ム用集束装置
US4928010A (en) * 1986-11-28 1990-05-22 Nippon Telegraph And Telephone Corp. Observing a surface using a charged particle beam
NL8700528A (nl) * 1987-03-05 1988-10-03 Philips Nv Magnetische focusseerlens voor een kathodestraalbuis.
US5362964A (en) * 1993-07-30 1994-11-08 Electroscan Corporation Environmental scanning electron microscope
JP3455071B2 (ja) * 1997-07-29 2003-10-06 株式会社東芝 荷電粒子ビーム照射装置
EP2559534B1 (en) * 2008-09-26 2023-10-25 Raytheon Technologies Corporation Composition and method for casting manufacturing
JP2011023126A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Kobe Univ 荷電粒子線照射装置、描画装置、分析顕微鏡、荷電粒子線出射装置および荷電粒子線用のレンズ装置
DE102010041156B9 (de) * 2010-09-21 2018-01-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Blendeneinheit für ein Teilchenstrahlgerät sowie Teilchenstrahlgerät
TWI593961B (zh) * 2010-12-15 2017-08-01 日立全球先端科技股份有限公司 Charged particle line application device, and irradiation method
CA2828967C (en) * 2011-03-04 2018-07-10 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Electrostatic lenses and systems including the same
JP5275396B2 (ja) * 2011-03-17 2013-08-28 株式会社東芝 電子ビーム照射装置
JP6080540B2 (ja) * 2012-12-26 2017-02-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP6523767B2 (ja) * 2015-04-21 2019-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2017126674A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6781582B2 (ja) * 2016-07-25 2020-11-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法
DE102018115012A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11664191B2 (en) 2020-12-15 2023-05-30 Nuflare Technology, Inc. Electron beam irradiation apparatus and electron beam irradiation method
TWI820514B (zh) * 2020-12-15 2023-11-01 日商紐富來科技股份有限公司 電子束照射裝置及電子束照射方法

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Publication number Publication date
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