TWI810758B - 顯示設備 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種顯示設備，其包括有機發光顯示面板以及設置於有機發光顯示面板上的觸控感測單元。觸控感測單元包括觸控電極以及連接觸控電極之配線部。觸控感測單元的配線部經過(passes)設置於有機發光顯示面板的非顯示區上的凸出部件，並形成未與凸出部件重疊的第一配線部、與凸出部件重疊的第二配線部以及設置於第一配線部和第二配線部之間的配線連接部，配線連接部具有小於第一配線部和第二配線部的配線寬度，以與凸出部件的邊緣重疊。

Description

顯示設備
申請案主張於2016年7月29日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2016-0097471號之優先權和權益，其全部內容於此併入作為參照。
本發明關於一種顯示設備，且特別是關於一種降低觸控感測單元的配線部中缺陷可能性的顯示設備。
已發展各種用於多媒體設備的顯示設備，例如電視、行動電話、平板電腦、導航單元以及遊戲機。顯示設備的輸入裝置包括鍵盤、滑鼠或其相似物。再者，顯示設備備有作為輸入裝置的觸控感測單元。
先前技術部分中揭露的上述資訊僅用於增強對本發明概念的背景理解，而因此，它可能包含不構成所屬技術領域中具有通常知識者在本國已知的先前技術的資訊。
本發明的例示性實施例提供一種顯示設備，其具有改良式配線結構，以降低觸控感測單元中鄰近配線部之間造成的短路缺陷可能性。
本發明概念的例示性實施例提供一種顯示設備，其包括：劃分顯示區及鄰近顯示區的非顯示區之基底基板；設置於基底基板上的電路層；設置於顯示區上的發光元件層；覆蓋發光元件層的封裝層；設置於封裝層上的觸控感測單元，且其包括觸控電極和連接觸控電極之配線部；以及設置於非顯示區上的凸出部件。於例示性實施例中，當在平面圖(plan view)中觀看時，配線部可包括：未與凸出部件重疊的第一配線部，且其具有第一配線寬度；與凸出部件重疊的第二配線部，且其具有第二配線寬度；以及設置於第一配線部和第二配線部之間的配線連接部，且其具有小於第一配線寬度和第二配線寬度之第三配線寬度，第一配線寬度至第三配線寬度的方向可垂直於配線部的延伸方向，且配線連接部可與凸出部件的邊緣重疊。
額外的態樣將在下面的詳細描述中陳述，並且，部分地將透過本揭露而變得顯而易見，或者可透過本發明概念的實踐來了解。
前述一般說明和以下詳細描述為例示性的和說明性的，並旨在提供所請標的物的進一步說明。
在下面的描述中，為了說明的目的，闡述許多具體細節以便提供對各種例示性實施例的透徹理解。然而，明顯的是，可在沒有這些具體細節或一個或多個等效設置的情況下實踐各種示例性實施例。在其他實例中，以方塊圖形式出示習知的結構和設備，以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
在附圖中，為了清楚和描述目的，層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸可被誇大。再者，相同元件符號表示相同的元件。
當元件或層被指在另一元件或層「上(on)」、「連接到(connected to)」或「耦接至(coupled to)」另一個元件或層時，其可直接在另一元件或層上、直接連接至或耦接至另一元件或層，或可存在中間元件或層。然而，當元件或層被指「直接連接(directly on)」、「直接連接至(directly connected to)」或「直接耦接至(directly coupled to)」另一個元件或層時，則不存在中間元件或層。為了本揭露的目的，「X、Y和Z中的至少一個(at least one of X, Y, and Z)」和「選自由X、Y及Z所組成的群組中的至少一個 (at least one selected from the group consisting of X, Y ,and Z)」可以解釋為僅X、僅Y、僅Z或兩個或兩個以上X、Y、Z的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ以及ZZ。相同的數字編號表示相同的元件。如本文所用的術語「及/或(and/or)」包括一個或多個相關列出項目之任何組合和所有組合。
儘管第一、第二等術語於此可用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受到這些術語限制。這些術語用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開來。因此，在不脫離本揭露的教示的情況下，可將下面討論的第一元件、第一部件、第一區域、第一層及/或第一部分稱為第二元件、第二部件、第二區域、第二層及/或第二部分。
空間相關的用語，例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語，可用於本文中以用於描述性目的，並從而以便描述圖式中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖式中描繪的方向之外，空間相關的用語旨在包含使用、操作及/或製造中設備的不同方向。例如，如將圖式中的設備翻轉，描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」可同時包含上方與下方的方向。此外，設備可轉向其他方向(例如，旋轉90度或其他方向)，且例如於此使用的空間相關描述用語據此作相應的解釋。
本文使用的術語係為了描述特定例示性實施例的目的，而非旨於限制性的。如本文所使用的，單數形式「一（a）」、「一（an）」以及「該（the）」也旨在包括複數形式，除非上下文另有明確指示。此外，術語「包含（comprises）」、「包含（comprising）」、「包括（includes）」及/或「包括（including）」於本說明書中使用時指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其群體的存在，但未排除存在或添加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其群體。
參照理想化例示性實施例及/或中間結構的示意圖的描繪來描述各種例示性實施例。如此，例如製造技術及/或公差的原因可預期導致圖式形狀變動。因此，本文所揭露的例示性實施例不應解釋為限制特定繪示區域的形狀，而將包含由例如製造導致的形狀偏差。附圖中所繪示的區域本質上為示意性的，而其形狀不旨在繪示裝置區域的實際形狀及非旨在限制性。
除非另有定義，否則本文使用的所有術語（包含技術和科學術語）的涵義與本發明所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的涵義相同。諸如常用詞典中定義的術語應詮釋成具有與其在相關領域的內文意思有一致性的意義，除非在此明確地定義，否則不應詮釋成理想化或過於正式的意義。
第1A圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第一操作模式中的顯示設備DD的透視圖。第1B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第二操作模式中的顯示設備DD的透視圖。第1C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第三操作模式中的顯示設備DD的透視圖。
如第1A圖所描繪的，於第一操作模式中，在其上顯示影像IM的顯示表面IS平行於由第一方向DR1及第二方向DR2所界定的表面。顯示表面IS的法線方向以第三方向標示，亦即，顯示設備DD的厚度方向以第三方向標示。各構件的前表面(或上表面)及後表面(或下表面)藉由第三方向DR3區分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2及第三方向DR3所指出的方向為相對概念，並可轉變成其他方向。下文中，第一方向至第三方向是分別由第一方向至第三方向DR1、DR2及DR3所指的方向，且分別以相同參考符號指稱。
第1A圖至第1C圖繪示顯示設備DD為可折疊之可撓性顯示設備之實例。然而，本發明概念的例示性實施例可為可捲曲的顯示設備或可彎曲的顯示設備，而未特定侷限於此。再者，於現有的例示性實施例中，繪示可撓性顯示設備，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。根據現有的例示性實施例之顯示設備DD也可為平坦的剛性(rigid)顯示設備或可彎曲的剛性顯示設備。根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備DD可用於例如電視及監視器之大型尺寸的電子設備或例如手機、平板電腦、車子之導航單元、遊戲機、智慧型手錶或其相似物之小型及中型尺寸的電子裝置 。
如第1A圖所繪示，顯示設備DD的顯示表面IS可包括複數區。顯示設備DD包括影像IM顯示於其上的顯示區DD-DA及鄰近於顯示區DD-DA之非顯示區DD-NDA。非顯示區DD-NDA為影像未顯示於其上的區。第1A圖繪示花瓶作為影像IM的實例。舉例來說，顯示區DD-DA可具有四角形形狀。非顯示區DD-NDA可圍繞顯示區DD-DA。然而本發明概念的例示性實施例未侷限於此，且可對顯示區DD-DA和非顯示區DD-NDA之形狀進行相關設計。
如第1A圖至第1C圖所繪示，顯示設備DD可包括依據操作形狀界定之複數區。顯示設備DD可包括可沿彎曲軸BX彎曲的可彎曲區BA、不能彎曲的第一非彎曲區NBA1及不能彎曲的第二非彎曲區NBA2。
如第1B圖所繪示，顯示設備DD可受內部彎曲，使得第一非彎曲區NBA1的顯示表面IS和第二非彎曲區NBA2的顯示表面IS互相面對。如第1C圖所繪示，顯示設備DD可受外部彎曲，使得顯示表面IS暴露於外。
第1A圖至第1C圖僅繪示一個可彎曲區BA，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。舉例來說，於本發明概念的實施例中，顯示設備DD可包括複數個可彎曲區BA。
於本發明概念的例示性實施例中，可配置顯示設備DD以僅重複第1A圖和第1B圖之繪示的操作模式。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，可對應使用者操縱顯示設備DD的形狀界定可彎曲區BA。舉例來說，不像第1B圖和第1C圖所示的實施例，可彎曲區BA可界定為平行於第一方向DR1或也可在對角方向中界定。未固定可彎曲區BA的區域，而可根據曲率半徑決定可彎曲區BA的區域。
第2圖係根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備DD的剖面圖。第2圖描繪第二方向DR2和第三方向DR3界定的剖面。
如第2圖描繪的，顯示設備DD可包括保護膜PM、顯示模組DM、光學構件LM、視窗WM、第一黏附件AM1、第二黏附件AM2以及第三黏附件AM3。顯示模組DM設置於保護膜PM和光學構件LM之間。光學構件LM設置於顯示模組DM和視窗WM之間。第一黏附件AM1耦接顯示模組DM和保護膜PM，第二黏附件AM2耦接顯示模組DM和光學構件LM，而第三黏附件AM3耦接光學構件LM和視窗WM。
保護膜PM保護顯示模組DM。保護膜PM備有暴露於外的第一外表面OS-L以及黏附第一黏附件AM1的黏附表面。保護膜PM防止外部濕氣滲入顯示模組DM，並吸收外部撞擊。
保護膜PM可包括塑膠膜作為基底基板。保護膜PM可包括塑膠膜，其包括選自由聚醚碸(polyethersulphone, PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide, PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS)、聚芳香酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚芳醚碸(poly(arylene ether sulfone))和其組合所組成的群組中的任一個。
保護膜PM的組成材料並不限於塑膠樹脂，可包括有機/無機組成材料。保護膜PM可包括多孔有機層和填充有機層之孔洞之無機材料。保護膜PM可更包括設置於塑膠膜上之功能層。功能層可包括樹脂層。功能層可以塗佈方式形成。於本發明概念的例示性實施例中，可未備有保護膜PM。
視窗WM可保護顯示模組DM免於外部衝擊，並提供輸入表面予使用者。視窗WM備有暴露於外的第二外表面OS-U以及黏附於第三黏附件AM3的黏附表面。第1A圖至第1C圖所繪示的顯示表面IS可為第二外表面OS-U。
視窗WM可包括塑膠膜。視窗WM可包括多層結構。視窗可具有選自玻璃基板、塑膠膜及塑膠基板的多層結構。視窗WM更可包括遮光(bezel)圖案。多層結構可透過連續程序或利用黏附層的黏附程序形成。
光學構件LM減少外來光的反射。光學構件LM可包括至少一層偏振膜。光學構件LM更可包括至少一層光學延遲膜。於本發明概念的例示性實施例中，可未備有光學構件LM。
顯示模組DM包括有機發光顯示面板DP (或顯示面板DP)以及觸控感測單元TS。觸控感測單元TS設置於有機發光顯示面板DP上。於例示性實施例中，觸控感測單元TS也可直接設置於有機發光顯示面板DP上。於本說明書中，術語「直接設置(directly disposed)」排除個別的黏附層的黏附，而意謂透過連續程序的形成。
有機發光顯示面板DP對應輸入的影像資料產生影像(例如第1A圖的影像IM)。有機發光顯示面板DP備有第一顯示面板表面BS1-L和第二顯示面板表面BS1-U，其於厚度方向DR3互相面對。於本例示性實施例中，例示性描述有機發光顯示面板DP，但顯示面板未侷限於此。
觸控感測單元TS取得外部輸入的座標資訊。觸控感測單元TS可透過靜電電容法(electrostatic capacitance)偵測外部輸入。
雖然未個別繪示，根據本發明概念的例示性實施例之顯示模組DM也更可包括反射防止層。反射防止層可包括導電層/絕緣層/導電層之層疊結構(laminated structure)的彩色濾波器。反射防止層可藉由吸收從外面入射的光、讓從外面入射的光產生破壞性干涉或極化從外面入射的光來減少外來光的反射。反射防止層可取代光學構件LM的功能。
各個第一黏附件AM1、第二黏附件AM2和第三黏附件AM3可為例如光學透明黏膜(OCA)、光學透明樹脂(OCR)或感壓性黏膜(PSA)之光學黏附層。光學黏附層可包括黏附材料，例如聚氨脂類(polyurethane-based)、聚丙烯酸類(polyacryl-based)、聚脂類(polyester-based)、 聚環氧類(polyepoxy-based)或聚乙酸乙烯酯類(polyacetate vinyl-based)之黏附材料。
雖然未特別繪示，顯示設備DD更可包括支撐功能層之框架結構，以維持第1A圖至第1C圖所繪示的狀態。框架結構可包括接合結構或鉸鏈結構。
第3A圖和第3B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示設備DD-1的透視圖。第3A圖繪示於未彎曲狀態之顯示設備DD-1，而第3B圖繪示於彎曲狀態之顯示設備DD-1。
顯示設備DD-1可包括一個可彎曲區BA以及一個非彎曲區NBA。可彎曲顯示設備DD-1的非顯示區DD-NDA。然而，於本發明概念的例示性實施例中，可改變顯示設備DD-1的可彎曲區BA的位置。
根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備DD-1可於固定其在某一個形狀的狀態中操作，不像第1A圖至第1C圖中繪示的顯示設備DD。如第3B圖繪示的顯示設備DD-1可於彎曲狀態中操作。顯示設備DD-1可以彎曲狀態固定於框架或其相似物，且框架可耦接電子設備的機座(housing)。
根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備DD-1可具有等同於第2圖繪示的剖面結構。然而，非彎曲區NBA和可彎曲區BA可具有彼此不同的層疊結構。非彎曲區NBA可具有等同於第2A圖繪示的剖面結構，而可彎曲區BA可具有異於第2A圖繪示的剖面結構。於可彎曲區BA中，可未設置光學組件LM和視窗WM。亦即，光學組件LM和視窗WM可僅設置於非彎曲區NBA中。第二黏附件AM2和第三黏附件AM3也可不設置於可彎曲區BA中。
第4A圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示設備DD-2的透視圖。
顯示設備DD-2可包括於其的前表面上顯示主影像之非彎曲區NBA(或平面區)以及於其的側表面上顯示子影像之可彎曲區BA。雖然未個別繪示，子影像可包括提供預定資訊的圖示。於本例示性實施例中，「非彎曲區NBA(non-bending region)」和「可彎曲區(bending region)BA」藉由形狀區分的複數個區界定顯示設備DD-2。
從非彎曲區NBA彎曲的可彎曲區BA於第一方向DR1、第二方向DR2以及與第三方向DR3相交的第四方向DR4中顯示子影像。然而，第一方向DR1至第四方向DR4所標示的方向為相對概念，並可轉變為其他方向。
第4B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示設備DD-3的透視圖。
顯示設備DD-2可包括於其的前表面上顯示主影像之非彎曲區NBA(或平面區)以及於其的側表面上顯示子影像之第一可彎曲區BA1和第二可彎曲區BA2。第一可彎曲區BA1和第二可彎曲區BA2可從非彎曲區NBA的兩側彎曲。
第5A圖係根據本發明概念的例示性實施例之有機發光顯示面板DP的平面圖。第5B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示模組DM的剖面圖。舉例來說，第5B圖可在平行於第二方向DR2和第三方向DR3界定的表面之表面中繪示部分剖面圖。
如第5A圖繪示，當在平面圖中觀看時，有機發光顯示面板DP包括顯示區DA和非顯示區NDA。有機發光顯示面板DP的顯示區DA和非顯示區NDA分別對應顯示設備DD(見第1A圖)的顯示區DD-DA(見第1A圖)及非顯示區DD-NDA(見第1A圖)。有機發光顯示面板DP的顯示區DA和非顯示區NDA未必定需要與顯示設備DD(見第1A圖)的顯示區DD-DA(見第1A圖)及非顯示區DD-NDA(見第1A圖)相同，但可根據有機發光顯示面板DP的結構/設計改變。
有機發光顯示面板DP包括複數個像素PX。設置像素PX的區界定為顯示區DA。於本例示性實施例中，可沿顯示區DA的邊緣界定非顯示區NDA。
有機發光顯示面板DP包括閘極線GL、資料線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD以及墊部PD。
閘極線GL分別連接複數個像素PX中的相應像素PX，而資料線DL分別連接複數個像素PX中的相應像素PX。發光線EL分別平行閘極線GL中對應的閘極線GL而設置。控制訊號線SL-D可提供控制訊號至閘極驅動電路GDC。初始電壓線SL-Vint可提供初始電壓至複數個像素PX。電壓線SL-VDD連接複數個像素PX，並可提供第一電壓至複數個像素。電壓線SL-VDD可包括向第一方向DR1延伸的複數條線以及向第二方向DR2延伸的複數條線。
閘極驅動電路GDC中的閘極線GL和發光線EL連接，且閘極驅動電路GDC可設置於非顯示區NDA的一側上。閘極線GL、資料線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD中的一些係設置於同層上，而其他則設置於不同層上。
墊部PD可連接資料線DL、控制訊號線SL-D、初始電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD的末端。
如第5B圖繪示，有機發光顯示面板DP可包括基底基板SUB、設置於基底基板SUB上之電路層DP-CL、設置於電路層DP-CL上的發光元件層DP-OLED以及包圍發光元件層DP-OLED的封裝層TFE。
基底基板SUB可包括塑膠基板、玻璃基板、金屬基板、有機/無機複合材料基板或其相似基板。塑膠基板可包括丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、聚異戊二烯(polyisoprene)、乙烯類樹脂(vinyl-based resin)、 環氧類樹脂 (epoxy-based resin)、聚氨酯類樹脂(urethane-based resin)、纖維素類樹脂(cellulose-based resin)、矽氧烷類樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimide-based resin)、聚醯胺類樹脂(polyamide-based resin)或苝類樹脂(perylene-based resin)。基底基板SUB可為可撓性基板。或者，基底基板SUB可為剛性基板。
基底基板SUB可劃分為顯示區DA以及鄰近於顯示區DA之非顯示區NDA。非顯示區NDA可設置於顯示區DA的側邊上。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，且可在顯示區DA的唯一側邊上備有非顯示區NDA。
電路層DP-CL可設置於基底基板SUB上。電路層DP-CL可設置於基底基板SUB的顯示區DA和非顯示區NDA上。雖然未在圖式中個別繪示，電路層DP-CL可包括至少一層像素絕緣層、複數層導電層以及半導體層。可配置電路層DP-CL的複數層導電層於像素的驅動電路或訊號線。
發光元件層DP-OLED可包括有機發光二極體。發光元件層DP-OLED可設置於顯示區DA上。將於下文中的第6C圖敘述中詳細討論有機發光二極體。
封裝層TFE可設置於發光元件層DP-OLED上。可設置封裝層TFE來包圍發光元件層DP-OLED。封裝層TFE可覆蓋及封裝發光元件層DP-OLED。封裝層TFE可包括一層無機層和一層有機層。封裝層TFE可包括至少兩層無機層以及設置於該至少兩層無機層間的有機層。無機層保護發光元件層DP-OLED免於水/氧，而有機層保護發光元件層DP-OLED免於例如塵粒之外來物質。無機層可包括氮化矽(silicon nitride)層、氮氧化矽(silicon oxynitride)層、矽氧化物(silicon oxide)層或其相似物。有機層可包括丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)，而本發明概念的例示性實施例未侷限於此。可透過沉積法提供無機層，而可透過塗佈程序提供有機層，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。將於下文中的第7A圖至第7C圖敘述中詳細討論封裝層TFE的配置。
觸控感測單元TS設置於封裝層TFE上。觸控感測單元TS可直接設置於封裝層TFE上。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此。單層無機層可設置於封裝層TFE上，而觸控感測單元TS也可設置於單層無機層上。單層無機層可為氮化矽(silicon nitride)層、氮氧化矽(silicon oxynitride)層、矽氧化物(silicon oxide)層之至少其中一種。然而，此為例示性，而本發明概念的例示性實施例未侷限於此。再者，緩衝層可為有機層。雖然描述緩衝層為個別配置，緩衝層可包括在封裝層TFE中。
觸控感測單元TS包括觸控感測器以及訊號線。觸控感測器以及訊號線可具有單層結構或多層結構。
觸控訊號線和觸控感測器可包括氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide, ITZO)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT)、金屬奈米線或石墨烯(graphene)。觸控訊號線及觸控感測器可包括金屬層，例如鉬(molybdenum)、銀(silver)、鈦(titanium)、銅(copper)、鋁(aluminum)或其合金。觸控訊號線和觸控感測器可包括彼此相同的層結構或彼此相異的層結構。將於下文中詳細描述觸控感測單元TS。
第6A圖係根據本發明概念的例示性實施例之像素PX的等效電路圖。第6A圖例示性繪示第i個像素PXi連接複數條資料線DL (見第5A圖)中第k條資料線DLk。
第i個像素PXi包括有機發光二極體OLED和控制有機發光二極體OLED的像素驅動電路。像素驅動電路可包括T1至T7之七個薄膜電晶體以及一個儲存電容Cst。
第二電晶體T2作為驅動電晶體來控制供應至有機發光二極體OLED的驅動電流。第二電晶體T2的輸出電極電性連接有機發光二極體OLED。第二電晶體T2的輸出電極可直接接觸有機發光二極體OLED的陽極或可藉由另一個電晶體連接(本發明概念的例示性實施例中的第六電晶體)。
控制電晶體的控制電極可接收控制訊號。施加於第i個像素PXi的控制訊號可包括第(i-1)個閘極訊號Si-1、第i個閘極訊號Si、第(i+1)個閘極訊號Si+1、第k個資料訊號Dk以及第i個發光控制訊號Ei。於本發明概念的例示性實施例中，控制電晶體可包括第一電晶體T1以及第三電晶體T3至第七電晶體T7。
第一電晶體T1包括連接第k個資料線DLk的輸入電極、連接第i個閘極線GLi的控制電極以及連接第二電晶體T2的輸出電極之輸出電極。打開第一電晶體T1以回應施加於第i個閘極線GLi的閘極訊號Si (下文中，第i個閘極訊號)。
第6B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示有機發光顯示面板的部分剖面圖。第6C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示有機發光顯示面板的部分剖面圖。具體而言，第6B圖繪示第6A圖繪示的等效電路圖中第一電晶體T1之對應部分的部分剖面圖。第6C圖繪示第6A圖繪示的等效電路圖中第二電晶體T2、第六電晶體T6以及有機發光二極體OLED之對應部分的部分剖面圖。
參考第6B圖和第6C圖，緩衝層BFL可設置於基底基板SUB上。緩衝層BFL改善基底基板SUB和導電圖案或半導體圖案之間的結合力。緩衝層BFL可包括無機層。雖然未個別繪示，用於預防外來物質滲入的障壁層更可設置於基底基板SUB的上表面上。可選擇性設置/省略障壁層和緩衝層BFL。
於緩衝層BFL上設置第一電晶體T1的半導體圖案OSP1 (下文中稱為「第一半導體圖案」)和第二電晶體T2的半導體圖案OSP2 (下文中稱為「第二半導體圖案」)以及第六電晶體T6的半導體圖案OSP6 (下文中稱為「第六半導體圖案」)。第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2以及第六半導體圖案OSP6可選自非晶矽、多晶矽或金屬氧化物半導體。
可於第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2以及第六半導體圖案OSP6上設置第一絕緣層10。第6B圖和第6C圖例示性繪示的是，提供第一絕緣層10作為分層形狀(layered shape)覆蓋第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2以及第六半導體圖案OSP6，但也可提供第一絕緣層10作為對應第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2以及第六半導體圖案OSP6設置的圖案。
第一絕緣層10可包括複數層無機薄膜。各層無機薄膜可包括氮化矽(silicon nitride)層、氮氧化矽(silicon oxynitride)層以及矽氧化物(silicon oxide)層。
於第一絕緣層10上設置第一電晶體T1的控制電極GE1(下文中稱為「第一控制電極」)、第二電晶體T2的控制電極GE2(下文中稱為「第二控制電極」)以及第六電晶體T6的控制電極GE6(下文中稱為「第六控制電極」)。可透過與閘極線GL (見第5A圖)相同的光刻製程製造第一控制電極GR1、第二控制電極GE2以及第六控制電極GE6。
可於第一絕緣層10上設置第二絕緣層20覆蓋第一控制電極GE1、第二控制電極GE2以及第六控制電極GE6。第二絕緣層20可提供平坦的上表面。第二絕緣層20可包括有機材料及/或無機材料。
於第二絕緣層20上設置第一電晶體T1的輸入電極SE1 (下文中稱為「第一輸入電極」)和輸出電極DE1 (下文中稱為「第一輸出電極」)、第二電晶體T2的輸入電極SE2 (下文中稱為「第二輸入電極」)和輸出電極DE2(下文中稱為「第二輸出電極」)以及第六電晶體T6的輸入電極SE6(下文中稱為「第六輸入電極」)和輸出電極DE6 (下文中稱為「第六輸出電極」)。
第一輸入電極SE1和第一輸出電極DE1分別透過穿越第一絕緣層10和第二絕緣層20的第一貫穿孔CH1和第二貫穿孔CH2連接於第一半導體圖案OSP1。第二輸入電極SE2和第二輸出電極DE2分別透過穿越第一絕緣層10和第二絕緣層20的第三貫穿孔CH3和第四貫穿孔CH4連接於第二半導體圖案OSP2。第六輸入電極SE6和第六輸出電極DE6分別透過穿越第一絕緣層10和第二絕緣層20的第五貫穿孔CH5和第六貫穿孔CH6連接第六半導體圖案OSP6。再者，於本發明概念的另一個例示性實施例中，可於底部閘極結構中實施第一電晶體T1、第二電晶體T2以及第六電晶體T6。
於第二絕緣層20上，第三絕緣層30覆蓋第一輸入電極SE1、第一輸出電極DE1、第二輸入電極SE2、第二輸出電極DE2、第六輸入電極SE6以及第六輸出電極DE6。第三絕緣層30包括有機層及/或無機層。特別的是，第三絕緣層30可包括有機材料以提供平坦表面。
可根據像素PX的電路結構而未需要備有第一絕緣層10、第二絕緣層20及第三絕緣層30中之任一。第二絕緣層20和第三絕緣層30之各層可界定為絕緣夾層。絕緣夾層設置於其下方導電圖案和其上方導電圖案之間，並從而使導電圖案彼此絕緣。
於第三絕緣層30上設置像素定義層PDL以及有機發光二極體OLED。於第三絕緣層30上設置陽極AE。陽極AE透過穿越第三絕緣層30的第七貫穿孔CH7連接第六輸出電極DE6。於像素定義層PDL中界定開口部OP。像素定義層PDL中的開口部OP暴露至少一部份的陽極AE。
當在平面圖中觀看時，像素PX可設置於像素區中。像素PX可包括發光區PXA以及鄰近發光區PXA之非發光區NPXA。非發光區NPXA可圍繞發光區PXA。於本發明概念的例示性實施例中，界定發光區PXA以對應陽極AE透過開口部OP暴露的一些區域。
電洞控制層HCL可設置於發光區PXA及非發光區NPXA上。雖然未個別繪示，例如電洞控制層HCL之公共層可共同形成於複數個像素PX (見第5A圖)中。
有機發光層EML設置於電洞控制層HCL上。有機發光層EML可設置於開口部OP之對應的區域中。亦即，有機發光層EML可分散形成於各個像素PX中。於本發明概念的例示性實施例中，例示性繪示圖案化的有機發光層EML，但有機發光層EML可共同設置於複數個像素PX中。於此，有機發光層EML可產生白光。再者，有機發光層EML可具有多層結構。
電子控制層ECL設置於有機發光層EML上。雖然未個別繪示，電子控制層ECL可共同形成於複數個像素PX (見第5A圖)中。
陰極CE設置於電子控制層ECL上。陰極CE共同設置於複數個像素PX中。
封裝層TFE設置於陰極CE上。封裝層TFE共同設置於複數個像素PX中。封裝層TFE包括至少一層無機層以及至少一層有機層。封裝層TFE可包括交替層疊之複數層無機層以及複數層有機層。
於當前的例示性實施例中，封裝層TFE直接覆蓋陰極CE。於本發明概念的例示性實施例中，覆蓋陰極CE之覆蓋層(capping layer)更可設置於封裝層TFE和陰極CE之間。於此，封裝層TFE可直接覆蓋覆蓋層。
第7A圖至第7C圖繪示封裝層TFE1、封裝層TFE2以及封裝層TFE3之實例的剖面圖，其包括於例示性實施例的顯示設備中。如第7A圖繪示，封裝層TFE1可包括n層無機薄膜IOL1至IOLn，其包括設置於陰極CE上的第一無機薄膜IOL1(見第6C圖)。再者，可設置第一無機薄膜IOL1直接接觸陰極CE(見第6C圖)。第一無機薄膜IOL1可界定為下方無機薄膜，且除了在n層無機薄膜中的第一無機薄膜IOL1之外的無機薄膜可界定為上方無機薄膜。
封裝層TFE1可包括n-1層有機薄膜OL1至OLn-1，且n-1層有機薄膜OL1至OLn-1可與n層無機薄膜IOL1至IOLn交替設置。
n-1層有機薄膜OL1至OLn-1可具有大於n層無機薄膜IOL1至IOLn之平均厚度的平均厚度。
無機薄膜IOL1至IOLn之各層可具有包括單一材料的單層或可具有各層包括相異材料之多層結構。有機薄膜OL1至OLn-1之各層可藉由備有的有機單體形成。有機單體可包括丙烯酸類(acrylic-based)單體。舉例來說，有機薄膜OL1至OLn-1之各層可藉由塗佈包括丙烯酸類單體之組成物形成。具體而言，有機薄膜OL1至OLn-1可藉由使用噴墨列印法形成。於本發明概念的例示性實施例中，封裝層TFE1更可包括第n層有機薄膜。
如第7B圖和第7C圖繪示，包括在各封裝層TFE2及封裝層TFE3的無機薄膜可具有相同無機材料或彼此相異的無機材料，並可具有相同厚度或彼此相異的厚度。包括在各封裝層TFE2及封裝層TFE3的有機薄膜可具有相同有機材料或彼此相異的有機材料，並可具有相同厚度或彼此相異的厚度。
如第7B圖繪示，封裝層TFE2可包括第一無機薄膜IOL1、第一有機薄膜OL1、第二無機薄膜IOL2、第二有機薄膜OL2及第三無機薄膜IOL3。
第一無機薄膜IOL1可具有雙層結構。第一子層S1和第二子層S2可包括彼此相異的無機材料。
如第7C圖繪示，封裝層TFE3可包括第一無機薄膜IOL10、第一有機薄膜OL1以及第二無機薄膜IOL20。第一無機薄膜IOL10可具有雙層結構。第一子層S10和第二子層S20可包括彼此相異的無機材料。第二無機薄膜IOL20可具有雙層結構。第二無機薄膜層IOL20可包括第一子層S100及第二子層S200，其可在彼此相異的沉積環境下沉積。舉例來說，第一子層S100可在低功率條件下沉積，而第二子層S200可在高功率條件下沉積。第一子層S100及第二子層S200可包括相同的無機材料。
再者，無機層更可設置於封裝層TFE上。無機層可為緩衝層。於例示性實施例中，可設置觸控感測單元TS在設置於封裝層TFE上的緩衝層之上。
第8圖繪示包括在例示性實施例的顯示設備中的觸控感測單元TS的剖面圖。觸控感測單元TS包括第一導電層TS-CL1、第一絕緣層TS-IL1、第二導電層 TS-CL2及第二絕緣層TS-IL2。第一導電層TS-CL1可直接設置於封裝層TFE上。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，且另一層無機層(舉例為緩衝層)更可設置於第一導電層TS-CL1和封裝層TFE之間。
各個第一導電層TS-CL1及第二導電層 TS-CL2可具有在第三方向DR3中堆疊層的單層結構或可具有在第三方向DR3中堆疊層的多層結構。多層結構的導電層可包括透明導電層及金屬層中至少兩種層或更多種層。多層結構的導電層可包括含括彼此相異的金屬之金屬層。透明導電層可包括氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)、PEDOT、金屬奈米線或石墨烯(graphene)。金屬層可包括鉬(molybdenum)、銀(silver)、鈦(titanium)、銅(copper)、鋁(aluminum)及其合金。
各個第一導電層TS-CL1及第二導電層 TS-CL2可包括複數個圖案。下文中，將描述的是，第一導電層TS-CL1包括第一導電圖案，而第二導電層TS-CL2包括第二導電圖案。各個第一導電圖案和第二導電圖案可包括觸控電極以及觸控訊號線。
各個第一絕緣層TS-IL1及第二絕緣層TS-IL2可包括無機材料或有機材料。無機材料可包括氧化鋁(aluminum oxide)、 二氧化鈦(titanium oxide)、 矽氧化物(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽( silicon oxynitride)、二氧化鋯(zirconium oxide)及二氧化鉿(hafnium oxide)中的至少一種。有機材料可至少包括丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、甲基丙烯酸類樹脂(methacryl-based resin)、聚異戊二烯類樹脂(polyisoprene-based resin)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、胺甲酸乙酯類樹脂(urethane-based resin)、纖維素類樹脂 (cellulose-based resin)、矽氧烷類樹脂(siloxane-based resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimide-based resin)、聚醯胺類樹脂(polyamide-based resin) 及苝類樹脂(perylene-based resin)中的任一種。
各個第一絕緣層TS-IL1及第二絕緣層TS-IL2可包括單層結構或多層結構。各個第一絕緣層TS-IL1及第二絕緣層TS-IL2可包括至少一層無機層或至少一層有機層。無機層和有機層可透過化學氣相沉積法形成。觸控感測單元TS的層疊結構未限制於第8圖所繪示的結構。舉例來說，可未備有觸控感測單元TS的第二絕緣層TS-IL2。
只要第一絕緣層TS-IL1和第一導電層TS-CL1以及第二導電層TS-CL2絕緣，而未限制第一絕緣層TS-IL1的形狀。根據第一導電圖案的形狀和第二導電圖案的形狀，可改變第一絕緣層TS-IL1的形狀。可塑造第一絕緣層TS-IL1以完全覆蓋封裝層TFE或包括複數個絕緣圖案。複數個絕緣圖案僅需覆蓋第一連接部CP1或第二連接部CP2。
於本例示性實施例中，例示性繪示雙層觸控感測單元，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。單層觸控感測單元包括導電層和覆蓋導電層之絕緣層。導電層包括觸控感測器以及連接觸控感測器之配線部。單層觸控感測器可透過自電容法(self cap method)取得座標資訊。
下文中，第9圖至第19B圖中，將描述例示性實施例的顯示設備。下文中，關於例示性實施例的顯示設備的描述中，與第1圖至第8圖中詳細描述內容重複之內容將不再描述，且將主要描述差異。
第9圖係根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備的平面圖。第10A圖至第10C圖繪示第9圖的例示性實施例的顯示設備中所含括的觸控感測單元TS的平面圖。第10D圖為第10C圖之BB區的放大平面圖。第11圖對應第9圖的截線I-I’繪示例示性實施例的顯示設備剖面圖。
例示性實施例的顯示設備可包括基底基板SUB、電路層DP-CL、發光元件層DP-OLED、封裝層TFE、設置於封裝層TFE上的觸控感測單元TS以及凸出部件DAM。有機發光顯示面板DP可包括基底基板SUB、電路層DP-CL、發光元件層DP-OLED以及封裝層TFE。參考第9圖至第11圖，例示性實施例的顯示設備DD可包括有機發光顯示面板DP、設置於有機發光顯示面板DP上的觸控感測單元TS以及凸出部件DAM。
目前(as is)可應用第5B圖的敘述中詳細描述的內容於有機發光顯示面板DP。例示性實施例的顯示設備DD可包括劃分為顯示區DA以及非顯示區NDA之基底基板SUB。例示性實施例的顯示設備DD可包括設置於基底基板SUB上的電路層DP-CL以及設置於基底基板SUB的顯示區DA中的發光元件層DP-OLED。可設置封裝層TFE來覆蓋發光元件層DP-OLED。
再者，凸出部件DAM可設置於基底基板SUB的非顯示區NDA中。至少一個凸出部件DAM可設置於非顯示區NDA中。舉例來說，一個凸出部件DAM或兩個或多個凸出部件DAM可設置於非顯示區NDA中。再者，當凸出部件DAM設置於非顯示區NDA中，一個凸出部件DAM設置於非顯示區NDA的部分中，而複數個凸出部件DAM可設置於其餘部分中。再者，當設置複數個凸出部件DAM時，可根據非顯示區NDA的位置改變凸出部件DAM的設置數目。再者，可設置封裝層TFE來覆蓋凸出部件DAM，且其延伸至基底基板SUB的非顯示區NDA。於此，可排除有機薄膜OL1至OLn-1 (見第7A圖)而僅從無機薄膜IOL1至IOLn (見第7A圖)配置覆蓋凸出部件DAM的封裝層TFE。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，且封裝層TFE可包括無機薄膜IOL1至IOLn (見第7A圖)和設置於無機薄膜IOL1至IOLn (見第7A圖)間的有機薄膜OL1至OLn-1 (見第7A圖)之所有層，也部分覆蓋凸出部件DAM。再者，當設置複數個凸出部件DAM時，包圍作為靠近顯示區之凸出部件DAM的第一凸出部件DAM1的封裝層TFE可包括設置於無機薄膜IOL1至IOLn (見第7A圖)間的有機薄膜OL1至OLn-1 (見第7A圖)。與第一凸出部件DAM1的封裝層TFE比較，包圍設置於第一凸出部件DAM1外的第二凸出部件DAM2的封裝層TFE僅可從無機薄膜IOL1至IOLn (見第7A圖)配置。
凸出部件DAM可設置於非顯示區NDA中。凸出部件DAM可設置於顯示區DA外。可設置凸出部件DAM來圍繞顯示區DA。凸出部件DAM包括實質上鄰近顯示區DA設置的第一凸出部件DAM1以及設置於第一凸出部件DAM1外的第二凸出部件DAM2。第二凸出部件DAM2於第三方向DR3中可具有大於第一凸出部件DAM1厚度之厚度。舉例來說，第一凸出部件DAM1阻止藉由塗佈有機薄膜OL1至OLn-1 (見第7A圖)形成的有機單體流至外面。
可以複數層形成凸出部件DAM。舉例來說，兩層可層疊為第一凸出部件DAM1，而三層可層疊為第二凸出部件DAM2。第9圖繪示凸出部件DAM圍繞整個顯示區DA，但本發明的例示性實施例未侷限於此。舉例來說，凸出部件DAM可設置於顯示區DA的至少一側邊上。
雖然未在第9圖中繪示，例示性實施例的顯示設備DD更可包括設置於基底基板SUB之非顯示區NDA中的側面凸出部件(未繪示)。側面凸出部件(未繪示)可設置於第二凸出部件DAM2外。舉例來說，可從第二凸出部件DAM2的邊緣設置側面凸出部件(未繪示)以讓其朝向第一方向DR1延伸。側面凸出部件(未繪示)可提供預防斷裂功能，其藉由吸收施加外部刺激(stimulation)時的衝擊而防止衝擊向顯示區DA轉移。
再者，例示性實施例的顯示設備DD更可包括設置於第二凸出部件DAM2外的堤部BK (bank part)以鄰近觸控墊TS-PD。再者，堤部BK可為設置於第二凸出部件DAM2外的第三凸出部件以讓其朝向第二方向DR2延伸。堤部BK可提供間隔功能，使得有機發光顯示面板DP和觸控感測單元TS之製造程序中所使用的光罩未直接接觸有機發光顯示面板DP或觸控感測單元TS之配置。堤部BK的厚度可大於第一凸出部件DAM1的厚度或第二凸出部件DAM2的厚度。
於例示性實施例中，不需備有堤部BK。再者，於例示性實施例中，不需備有側面凸出部件(未繪示)及堤部BK之其中任一個。
觸控感測單元TS可設置於封裝層TFE上。觸控感測單元TS可包括觸控電極TE以及配線部TW。觸控電極TE可設置於顯示區DA的封裝層TFE上，而配線部TW可連接觸控電極TE並設置於凸出部件DAM上。配線部TW可沿著凸出部件DAM的梯級(step)設置於凸出部件DAM上。配線部TW可從觸控電極TE延伸以連接觸控墊TS-PD。
第9圖的平面圖中，觸控感測單元TS可包括第一觸控電極TE1-1至TE1-4、連接第一觸控電極TE1-1至TE1-4的第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4、第二觸控電極TE2-1至TE2-5以及連接第二觸控電極TE2-1至TE2-5之第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5。再者，連接電極TSD可設置於第一觸控電極TE1-1至TE1-4和第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4之間以及第二觸控電極TE2-1至TE2-5和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5之間。連接電極TSD可連接第一觸控電極TE1-1至TE1-4之各末端以及第二觸控電極TE2-1至TE2-5之各末端，並可從而傳送訊號。於本發明概念之另一個例示性實施例中，不需備有連接電極TSD。
於第9圖中，第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5連接觸控電極TE和觸控墊TS-PD，並對應本發明概念的配線部TW。第11圖中繪示的配線部TW可表示第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5中任一條訊號線。再者，第11圖中繪示的觸控電極TE可為第一觸控電極TE1-1至TE1-4或第二觸控電極TE2-1至TE2-5中任一個觸控電極。
於第9圖中，例示性繪示觸控感測單元TS包括四個第一觸控電極TE1-1至TE1-4以及五個第二觸控電極TE2-1至TE2-5，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。
第一觸控電極TE1-1至TE1-4之每一個個可具有界定複數個觸控開口之網狀形狀。第一觸控電極TE1-1至TE1-4之每一個可包括複數個第一觸控感測部SP1以及複數個第一連接部CP1。第一觸控感測部SP1排列在第一方向DR1。各個第一連接部CP1連接在第一觸控感測部SP1中的互相鄰近的兩個第一觸控感測部SP1。雖然未明確繪示，第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4也可具有網狀形狀。
第二觸控電極TE2-1至TE2-5和第一觸控電極TE1-1至TE1-4以絕緣方式(insulating manner)交叉。第二觸控電極TE2-1至TE2-5之每一個可具有界定複數個觸控開口之網狀形狀。第二觸控電極TE2-1至TE2-5之每一個可包括複數個第二觸控感測部SP2以及複數個第二連接部CP2。第二觸控感測部SP2排列在第二方向DR2。各個第二連接部CP2連接在第二觸控感測部SP2中之互相鄰近的兩個第二觸控感測部SP2。第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5也可具有網狀形狀。
第一觸控電極TE1-1至TE1-4和第二觸控電極TE2-1至TE2-5靜電性耦接。由於觸控感測訊號施加於第一觸控電極TE1-1至TE1-4，所以於第一觸控感測部SP1和第二觸控感測部SP2間形成電容。
複數個第一觸控感測部SP1、複數個第一連接部CP1、複數條第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4、複數個第二觸控感測部SP2、複數個第二連接部CP2以及複數條第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5之一些部分可經由圖案化第8圖中繪示的第一導電層TS-CL1而形成，而其他部分可經由圖案化第8圖中繪示的第二導電層TS-CL2而形成。
為了電性連接設置於不同層上的導電圖案，可形成穿越第8圖中繪示的第一絕緣層TS-IL1之接觸孔。下文中，參考第10A圖至第10C圖，將根據例示性實施例描述觸控感測單元TS。於第10A圖至第10C圖中，第一凸出部件DAM1、第二凸出部件DAM2以及第三凸出部件BK可設置於非顯示區NDA中。
如第10A圖中繪示，第一導電圖案設置於封裝層TFE上。第一導電圖案可包括橋接圖案(bridge patterns)。橋接圖案直接設置於封裝層TFE上。橋接圖案對應第9圖中繪示的第二連接部CP2。
如第10B圖中繪示，覆蓋橋接圖案CP2的第一絕緣層TS-IL1設置於封裝層TFE上。於第一絕緣層TS-IL1中界定暴露部分的橋接圖案CP2之接觸孔CH。接觸孔CH可透過光刻製程形成。
如第10C圖中繪示，第二導電圖案可設置於第一絕緣層TS-IL1上。第二導電圖案可包括複數個第一觸控感測部SP1、複數個第一連接部CP1、第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4、複數個第二觸控感測部SP2以及第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5。雖然未個別繪示，覆蓋第二導電圖案之第二絕緣層TS-IL2設置於第一絕緣層TS-IL1上。
於本發明概念的另一個例示性實施例中，第一導電圖案可包括第一觸控電極TE1-1至TE1-4以及第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4。第二導電圖案可包括第二觸控電極TE2-1至TE2-5以及第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5。於此，未在第一絕緣層TS-IL1中界定接觸孔。
再者，於本發明概念的例示性實施例中，第一導電圖案和第二導電圖案可互相交換(interchanged)。亦即，第二導電圖案可包括橋接圖案CP2。
第10D圖為第10C圖之BB區的放大平面圖。如第10D圖中繪示，第一觸控感測部SP1和非發光區NPXA重疊。第一觸控感測部SP1包括複數個第一延伸部SP1-A朝向與第一方向DR1和第二方向DR2相交之第五方向DR5延伸以及複數個第二延伸部SP1-B朝向與第五方向DR5相交之第六方向延伸。複數個第一延伸部SP1-A以及複數個第二延伸部SP1-B可界定為網格線。網格線的寬度可為幾毫米。
複數個第一延伸部SP1-A以及複數個第二延伸部SP1-B可互相連接以形成複數個觸控開口TS-OP。換句話說，第一觸控感測部SP1具有網狀形狀提供複數個觸控開口TS-OP。觸控開口TS-OP被繪示以與發光區PXA一一對應，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。單一個觸控開口TS-OP可對應兩個或多個發光區PXA。
發光區PXA的尺寸可為不同的。舉例來說，提供藍光的發光區PXA尺寸和提供紅光的發光區PXA尺寸可為不同的。因此，觸控開口TS-OP也可為不同的。於第10D圖中，繪示發光區PXA尺寸為不同的，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。發光區PXA尺寸可彼此相同，且觸控開口TS-OP可彼此相同。
於第9圖和第10C圖繪示的例示性實施例中，凸出部件DAM設置於非顯示區NDA中，並可設置第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2圍繞設置於顯示區DA中的第一觸控電極TE1-1至TE1-4和第二觸控電極TE2-1至TE2-5。再者，繪示配線部TW僅經過鄰近觸控墊TS-PD之凸出部件DAM，但本發明概念的實施例未侷限於此。可設置配線部TW不僅經過鄰近觸控墊TS-PD之部分，而且經過凸出部件DAM之其他部分。舉例來說，可設置為配線部TW之第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5經過朝向第一方向DR1延伸之第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2。再者，堤部BK可設置於第二凸出部件DAM2外的一側上作為第三凸出部件，且配線部TW可經過堤部BK以連接觸控墊TS-PD。
第12圖為繪示第9圖之AA區的放大平面圖。第12圖繪示配線部TW連接觸控電極以及觸控墊TS-PD(第9圖)之放大平面圖。觸控電極可為第一觸控電極TE1-1至TE1-4和第二觸控電極TE2-1至TE2-5之中任一個。配線部TW可表示為第一觸控訊號線SL1-1至SL1-4(見第9圖)和第二觸控訊號線SL2-1至SL2-5(見第9圖)中任一條。
第13A圖繪示對應第12圖的截線II-II’之部分剖面圖，第13B圖為繪示第12圖之CC區的放大平面圖。第13A圖和第13B圖繪示第12圖的平面圖中配線部TW經過第一凸出部件DAM1之例示性實施例。
再者，第12圖繪示配線部TW之經過並重疊於第一凸出部件DAM1的部分的形狀和配線部TW之經過並重疊於第二凸出部件DAM2的部分的形狀為相同的，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。第二配線部TW2重疊於第一凸出部件DAM1的形狀和第二配線部TW2重疊於第二凸出部件DAM2的形狀彼此相異。
第12圖繪示經過第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2之配線部TW，且配線部TW經過第一凸出部件DAM1並向第二凸出部件DAM2延伸。配線部TW可於第一方向DR1中延伸。
參考第12圖、第13A圖以及第13B圖，配線部TW可包括未與凸出部件DAM重疊之第一配線部TW1、與凸出部件DAM重疊之第二配線部TW2以及設置於第一配線部TW1和第二配線部TW2間的配線連接部TWC。再者，設置於第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2間的配線部TW對應未與凸出部件DAM重疊之第一配線部TW1。
第13A圖和第13B圖繪示第一凸出部件DAM1以及經過第一凸出部件DAM1之配線部TW的圖。第一配線部TW1可具有第一配線寬度W1，第二配線部TW2可具有第二配線寬度W2，而配線連接部TWC可具有小於第一配線寬度W1和第二配線寬度W2之第三配線寬度W3。舉例來說，第一配線寬度W1和第二配線寬度W2可為相同的。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，而第一配線寬度W1和第二配線寬度W2可彼此相異。
在本發明概念的描述中，第一配線部TW1、第二配線部TW2以及配線連接部TWC之配線寬度W1、W2及W3表示其寬度所在的方向垂直於配線部TW的延伸方向。下文中，在本發明概念的描述中，將描述配線部的寬度以表明在平面圖觀看時寬度方向垂直於配線部的延伸方向。參考第12圖，配線寬度W1、W2及W3可表示寬度所在的第二方向DR2垂直配線部TW於其中延伸之第一方向DR1。
於例示性實施例中，第一配線部TW1可為其配線寬度維持在第一配線寬度W1的部分，而第二配線部TW2可為其配線寬度維持在第二配線寬度W2的部分。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此。第一配線部TW1可具有部分不同的配線寬度。再者，第二配線部TW2可具有部分不同的配線寬度。
配線連接部TWC可為具有小於第一配線部TW1寬度和第二配線部TW2寬度之寬度的部分。第三配線寬度W3可表示配線連接部TWC的最小配線寬度。可設置配線連接部TWC以重疊於凸出部件DAM的邊緣DM-E。舉例來說，可設置具有作為配線連接部TWC的最小配線寬度之第三配線寬度W3的部分以重疊於凸出部件的邊緣DM-E。
再參考第13B圖，第一配線部TW1的第一配線寬度W1和配線連接部TWC之第三配線寬度W3之比值可大於或等於約1：0.3並小於約1：1。舉例來說，第一配線寬度W1可約為8 μm 至 15 μm(含)，而第三配線寬度W2可約為4 μm 至 10 μm(含)。第一配線寬度W1可約為10 μm 至 12 μm(含)，而第三配線寬度W2可約為6 μm 至 8 μm(含)。當第三配線寬度W2小於約4 μm時，可未連接配線部，而當第三配線寬度W2大於約10 μm，可能由於鄰近配線連接部的間距減少而造成短路缺陷。
配線連接部TWC於配線部TW的延伸方向中的長度L可約為5 μm 至 50 μm(含)。亦即，於第一方向DR中延伸的第一配線寬度W1和第二配線寬度W2間的間距可約為5 μm 至 50 μm(含)。再者，配線連接部TWC的中心部分可重疊於凸出部件的邊緣DM-E。舉例來說，配線連接部TWC中重疊於第一凸出部件DAM1的部分和配線連接部TWC中未重疊於第一凸出部件DAM1的部分可為相同的。
舉例來說，當配線連接部TWC於第一方向DR1的長度L約為50 μm、重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分至第一配線部TW1的距離為長度L1及重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分至第二配線部TW2的距離為長度L2時，長度L1和長度L2之兩者可約為25 μm。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，而長度L1和長度L2可彼此相異。於此，長度L1可為配線連接部TWC中未重疊於第一凸出部件DAM1的部分長度，而長度L2可為配線連接部TWC中重疊於第二凸出部件DAM2的部分長度。
於配線部TW中，配線連接部TWC可為具有凹槽(notch)形狀的部分。參考第13B圖，配線連接部TWC可包括具有小於第一配線寬度W1之配線寬度的第一子連接部TWC-1、設置於第一配線部TW1和第一子連接部TWC-1間的第二子連接部TWC-2以及設置於第二配線部TW2和和第一子連接部TWC-1間的第三子連接部TWC-3。第一子連接部TWC-1可為具有作為配線連接部TWC的最小配線寬度之第三配線寬度W3的部分。參考第13B圖，可設置配線連接部TWC的第一子連接部TWC-1以重疊於凸出部件的邊緣DM-E。
可於第一子連接部TWC-1朝向第一配線部TW1的方向中增加第二子連接部TWC-2的配線寬度。再者，可於第一子連接部TWC-1朝向第二配線部TW2的方向中增加第三子連接部TWC-3的配線寬度。舉例來說，第二子連接部TWC-2的邊緣和第三子連接部TWC-3的邊緣可具有曲線形狀。再者，雖然未於圖式中繪示，第二子連接部TWC-2的邊緣或第三子連接部TWC-3的邊緣可具有直線形狀。
參考第13A圖，第一凸出部件DAM1可包括底面BS、面向底面BS之頂面US以及連接底面BS和頂面US之側面SS。側面SS可具有相對於底面BS的傾斜度(inclination)。舉例來說，第一凸出部件DAM1可在垂直於基底基板SUB的剖面中具有梯形形狀。亦即，當觀看第一方向DR1和第三方向DR3界定的平面時，第一凸出部件DAM1可具有於底面BS朝向頂面US的方向中逐漸減少凸出寬度的形狀。凸出部件DAM的底面BS區域可不少於頂面US的區域。再者，雖然未於圖式中個別繪示，可於凸出部件中堆疊複數層。
於第13A圖中，雖然僅繪示配線部TW經過第一凸出部件DAM1，第12圖的第二凸出部件DAM2也可具有與第一凸出部件DAM1相同之形狀。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2可具有彼此相異的形狀。舉例來說，第一凸出部件DAM1和第二凸出部件DAM2可具有彼此相異的的高度。第二凸出部件DAM2的高度可大於第一凸出部件DAM1的高度。
第14A圖至第14B圖繪示當第9圖繪示的例示性實施例的顯示設備中複數層形成凸出部件DAM的例子的圖。第14A圖至第14B圖例示性繪示兩層堆疊成第一凸出部件DAM1的實例。
第14A圖繪示對應第12圖的截線II-II’之部分的剖面圖，而第14B圖為繪示第12圖的CC區之放大平面圖。第14A圖和第14B圖繪示第12圖的平面圖中配線部TW經過第一凸出部件DAM1的圖。第14C圖為繪示第14A圖的第一凸出部件DAM1的剖面圖。
當以垂直於基底基板SUB的剖面觀看時，第一凸出部件DAM1可包括設置於基底基板SUB上並具有第一寬度D1的下方凸出部DAM1-B以及設置於下方凸出部DAM1-B上並具有第二寬度D2的上方凸出部DAM1-T。
下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T可分別包括底面BS1和底面BS2、頂面US1和頂面US2以及側面SS1和側面SS2。底面BS1和頂面US1可互相面對及底面BS2和頂面US2可互相面對，而側面SS1可設置於底面BS1和頂面US1間以連接底面BS1和頂面US1及側面SS2可設置於底面BS2和頂面US2以連接底面BS2和頂面US2。舉例來說，側面SS1和側面SS2可分別為具有相對於底面BS1和底面BS2的傾斜度之斜面。再者，上方凸出部DAM1-T的底面BS2可為下方凸出部DAM1-B的頂面US1部分。
於第14A圖和第14C圖的剖面圖中，各個下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T可具有梯形形狀。亦即，各個下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T可具有於底面BS1和底面BS2向頂面US1和頂面US2的方向中逐漸減少凸出高度的梯形形狀。
下方凸出部DAM1-B的寬度和上方凸出部DAM1-T的寬度可彼此相異。下方凸出部DAM1-B的底面BS1的第一寬度D1和上方凸出部DAM1-T的底面BS2的第二寬度D2可彼此相異。下方凸出部DAM1-B的第一寬度D1可大於上方凸出部DAM1-T的第二寬度D2。上方凸出部DAM1-T可設置於下方凸出部DAM1-B上，以便暴露下方凸出部DAM1-B的頂面US1部分。亦即，下方凸出部DAM1-B可包括重疊於上方凸出部DAM1-T的部分以及未重疊於上方凸出部DAM1-T並暴露的部分。舉例來說，第一凸出部件DAM1可藉由堆疊彼此具有相異寬度之下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T而具有梯級形狀(step shape)。
再者，第14A圖至第14C圖繪示第一凸出部件DAM1以及經過第一凸出部件DAM1的配線部TW，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。於第12圖中繪示的第二凸出部件DAM2中，也可應用第14A圖至第14C圖中繪示的凸出部件形狀。
含括下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T且其堆疊成梯級形狀之第一凸出部件DAM1中，下方凸出部DAM1-B中未重疊於上方凸出部DAM1-T並暴露的部分之暴露寬度D3可約為5 μm 至 30 μm(含)。舉例來說，暴露寬度D3可約為10 μm 至 25 μm(含)，且明確地，暴露寬度D3可約為15 μm 至 20 μm(含)。
下方凸出部DAM1-B的底面BS1的第一寬度D1可約為60 μm 至 80 μm(含)。明確地，第一寬度D1可約為65 μm 至 75 μm(含)。上方凸出部DAM1-T的底面BS2寬度，亦即第二寬度D2可約為10 μm 至 60 μm(含)。明確地，第二寬度D2可約為30 μm 至 50 μm(含)。
下方凸出部DAM1-B的第一寬度D1和下方凸出部DAM1-B的暴露寬度D3的比值可約為1：0.01至1：0.4(含)。當暴露寬度D3增加時，可減少鄰近配線部TW的配線連接部TWC間的短路可能性。然而，當第一寬度D1和暴露寬度D3的比值大於1：0.4時，減少上方凸出部DAM1-T的區域，並可從而穩固地設置經過上方凸出部DAM1-T的配線連接部TWC。
下方凸出部DAM1-B的高度H1可約為2 μm 至 5 μm(含)。明確地，下方凸出部DAM1-B的高度H1可約為2 μm 至 3 μm(含)。當下方凸出部DAM1-B的高度H1和下方凸出部DAM1-B的暴露寬度D3的比值增加時，配線部可穩固地設置於凸出部件上。下方凸出部DAM1-B的高度H1和下方凸出部DAM1-B的暴露寬度D3的比值可大於約1：1且小於或等於約1：15。當下方凸出部DAM1-B的高度H1和下方凸出部DAM1-B的暴露寬度D3的比值小於約1：1或大於約1：15，不可穩固地形成配線連接部。明確地，下方凸出部DAM1-B的高度H1和下方凸出部DAM1-B的暴露寬度D3的比值可大於約1：1且小於或等於約1：5。
再者，上方凸出部DAM1-T的高度H2可約為2 μm 至 5 μm(含)。明確地，上方凸出部DAM1-T的高度H2可約為2 μm 至 3 μm(含)。舉例來說，上方凸出部DAM1-T的高度H2可小於下方凸出部DAM1-B的高度H1。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，上方凸出部DAM1-T的高度H2可等同於下方凸出部DAM1-B的高度H1。
再者，可透過製造有機發光顯示面板的程序形成第14A圖中繪示的第一凸出部件DAM1。第一凸出部件DAM1可透過形成發光元件層DP-OLED的程序連續(together)形成。舉例來說，下方凸出部DAM1-B和上方凸出部DAM1-T可與像素定義層PDL(第6B圖)一起形成，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。
於第14A圖至第14B圖繪示的例示性實施例中，重疊於第一凸出部件DAM1的第二配線部TW2可重疊於上方凸出部DAM1-T。配線連接部TWC可重疊於第一凸出部件DAM1的下方凸出部DAM1-B的邊緣。配線連接部TWC中具有第三寬度W3的第一子連接部TWC-1可重疊於下方凸出部DAM1-B的邊緣及第三連接部TWC-3以連接第二配線部TW2，且第一子連接部TWC-1可重疊於上方凸出部DAM1-T的邊緣。
第15A圖和第15B圖繪示含括配線連接部TWC之配線部TW的例示性實施例之平面圖。與第13B圖和第14B圖繪示的配線部TW比較之下，第15A圖和第15圖中繪示的例示性實施例的配線部在配線連接部TWC形狀上不同。
再者，第13B圖和第14B圖繪示的配線部TW的形狀和第15A圖至第15B圖繪示的配線部TW的形狀繪示例示性實施例，而配線部TW的配線連接部TWC形狀未侷限於此。
參考第15A圖，配線連接部TWC可為配線寬度維持於第三配線寬度W3之部分。可以配線寬度的不同來區別第一配線部TW1、配線連接部TWC以及第二配線部TW2。舉例來說，與第13B圖中繪示的例示性實施例中的配線連接部TWC相比下，於第15A圖的例示性實施例中，在維持於第一配線寬度W1的第一配線部TW1和具有小於第一配線寬度W1之第三配線寬度W3的配線連接部TWC之間可未備有以曲面形成的子配線連接部。再者，在配線連接部TWC和其配線寬度維持於第二配線寬度W2的第二配線部TW2之間可未備有以曲面形成的子配線連接部。亦即，在第15A圖的例示性實施例中的配線部TW中的第一配線部TW1和配線連接部TWC之間可未備有其邊緣具有曲線形狀的子配線連接部。舉例來說，與第13B圖繪示的例示性實施例的配線部TW相比下，第二子連接部TWC-2和第三子連接部 TWC-3之中至少任何一個可未備有。
參考第15B圖，配線連接部TWC可為在第一配線部TW1和第二配線部TW2間凹形凹陷(concavely recessed)的部分。舉例來說，配線連接部TWC可為相對於連接第一配線部TW1和第二配線部TW2之邊緣部分的虛擬線IML向內凹形凹陷的部分。
再者，雖然未於第15A圖和第15B圖中繪示，配線連接部TWC設置於第一配線部TW1和第二配線部TW2間，且如果僅具有其配線連接部TWC的邊緣設置於連接第一配線部TW1和第二配線部TW2之邊緣部分的虛擬線內的形狀，則配線連接部TWC可無限制地使用。
第16圖可為繪示第9圖的AA區之對應部分的放大平面圖。於第16圖中，與第12圖的例示性實施例相比下，第二配線部TW2之重疊於凸出部件的形狀可為不同的。再者，如第16圖繪示的，經過第一凸出部件DAM1之配線部TW形狀和經過第二凸出部件DAM2之配線部TW形狀可為相同的，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。舉例來說，經過第一凸出部件DAM1之配線部TW形狀在平面圖中觀看時可具有如第14B圖繪示的形狀。
第17A圖及第17B圖繪示第二凸出部件DAM2以及經過第二凸出部件DAM2之配線部TW的圖。第17A圖可為沿著第16圖的截線III-III’截取的剖面圖。第17B圖可為繪示第16圖的EE區之放大平面圖。於第17A圖的例示性實施例中，例示性繪示第二凸出部件DAM2，且第17A圖的例示性實施例中的第二凸出部件DAM2可具有異於第13A圖及第14A圖繪示的例示性實施例中的凸出部件形狀的形狀。
參考第17A圖的繪示，第二凸出部件DAM2可包括基底凸出部DAM2-U、第二下方凸出部DAM2-B以及第二上方凸出部DAM2-T，其皆於厚度方向中依序堆疊。第二凸出部件DAM2可以製造有機發光顯示面板的程序連續形成。舉例來說，第二凸出部件DAM2的基底凸出部DAM2-U可以製造電路層DP-CL的程序連續形成，而第二下方凸出部DAM2-B以及第二上方凸出部DAM2-T可一起形成，同時形成發光元件層DP-OLED的像素定義層PDL(第6B圖)。然而，本發明概念的例示性實施例未侷限於此，而第二凸出部件DAM2可透過異於推薦程序的程序形成。
於第二凸出部件DAM2中，基底凸出部DAM2-U、第二下方凸出部DAM2-B以及第二上方凸出部DAM2-T可以梯級形狀堆疊。基底凸出部DAM2-U可具有第一寬度D1、第二下方凸出部DAM2-B可具有第二寬度D2以及第二上方凸出部DAM2-T可具有第四寬度D4。再者，當第二下方凸出部DAM2-B設置於基底凸出部DAM2-U上時，可暴露基底凸出部DAM2-U的上表面。當基底凸出部DAM2-U的暴露寬度為暴露寬度D3時，基底凸出部DAM2-U中的第一寬度D1和暴露寬度D3的比值可約為1：0.1至1：0.4(含)。再者，當第二上方凸出部DAM2-T設置於第二下方凸出部DAM2-B上時，第二下方凸出部DAM2-B的第二寬度D2和暴露寬度D5之比值可約為1：0.1至1：0.4(含)。
參考第17A圖和第17B圖，經過第二凸出部件DAM2的配線部TW可包括未與第二凸出部件DAM2重疊之第一配線部TW1、與第二凸出部件DAM2重疊之第二配線部TW2以及設置於第一配線部TW1和第二配線部TW2間的配線連接部TWC。配線連接部TWC可連接第一配線部TW1和第二配線部TW2，並重疊於第二凸出部件DAM2的邊緣DM-E。
再者，重疊於第二凸出部件DAM2的第二配線部TW2可包括具有大於第一配線寬度W1之第一子配線寬度W4的第一子配線部TW2-1、從配線連接部TWC延伸並具有小於第一子配線寬度W4之第二配線寬度W2的第二子配線部TW2-2以及設置於第一子配線部TW2-1和第二子配線部TW2-2間的第三子配線部TW2-3。於此，第二子配線部TW2-2的第二配線寬度W2可等同於作為第一配線部TW1的配線寬度之第一配線寬度TW1。
可於第一子配線部TW2-1朝向第二子配線部TW2-2的方向中逐漸減少第三子配線部TW2-3的配線寬度。可設置第三子配線部TW2-3以重疊於第二凸出部件DAM2的第二上方凸出部DAM2-T的邊緣。
亦即，第17A圖和第17B圖中繪示的例示性實施例中的配線部TW可具有凹槽形狀，而於凹槽形狀中，朝向配線部內側凹設(concavely formed)重疊於基底凸出部DAM2-U的邊緣之配線連接部TWC。再者，在作為第二凸出部件DAM2的最上表面之第二上方凸出部DAM2-T的上表面中，第二配線部TW2可包括第一子配線部TW2-1，其相對於第一配線部TW1凸出形成且未重疊第二凸出部件DAM2。第一子配線部TW2-1可具有大於第一配線部TW1的配線寬度之配線寬度。亦即，第二配線部TW2可包括相對於第一配線部TW1以凸面方式凸出的第一子配線部TW2-1。舉例來說，於第二配線部TW2中，第一子配線部TW2-1具有含凸出形狀的第一子配線部TW2-1，使得重疊於具有相當窄小的平坦表面之凸出部件的最上表面的配線部具有足夠的配線寬度，並從而可預防配線部的未連接。
第18A圖為繪示凸出部件以及設置來經過凸出部件的配線部之平面圖。第18A圖可為繪示第9圖的AA區之對應部分的放大平面圖。與第12圖以及第16圖相比下，第18A圖繪示的實例中重疊於第一凸出部件DAM1的第二配線部TW2a和重疊於第二凸出部件DAM2的第二配線部TW2b彼此相異。第18B圖可為沿著第18A圖的截線IV-IV’截取的剖面圖。
於第18A圖至第18B圖的敘述中，和關於第12圖和第16圖之上述實施例的前文敘述重疊的敘述內容將不再描述，而主要將描述與前述實施例的差異。
參考第18A圖和第18B圖，第一凸出部件DAM1可為兩層堆疊的凸出部件，而第二凸出部件DAM2可為三層堆疊的凸出部件。第一凸出部件DAM1可包括第一下方凸出部DAM1-B以及第一上方凸出部DAM1-T，而第二凸出部件DAM2可包括基底凸出部DAM2-U、第二下方凸出部DAM2-B以及第二上方凸出部DAM2-T。
於例示性實施例中，第一下方凸出部DAM1-B和第二下方凸出部DAM2-B可透過相同程序製造。再者，第一上方凸出部DAM1-T和第二上方凸出部DAM2-T可透過相同程序製造。舉例來說，可透過與有機發光顯示面板DP的像素定義層PDL(第6C圖)形成程序相同的程序製造第一下方凸出部DAM1-B和第二下方凸出部DAM2-B及第一上方凸出部DAM1-T和第二上方凸出部DAM2-T。再者，可透過與電路層DP-CL形成程序相同的程序製造第二凸出部件DAM2的基底凸出部DAM2-U。
於第18A圖和第18B圖的例示性實施例中，設置於第二凸出部件DAM2上的第二配線部TW2b可包括重疊於第二上方凸出部DAM2-T的第一子配線部TW2-1、重疊於第二下方凸出部DAM2-B之暴露部分的第二子配線部TW2-2以及設置於第二下方凸出部DAM2-B和第二上方凸出部DAM2-T間之梯級部分的第三子配線部TW2-3。
當在平面圖中觀看時，配線部TW可具有凹槽形狀，其在重疊於第一凸出部件DAM1邊緣和第二凸出部件DAM2邊緣的部分凹形凹陷。再者，其凸出高度大於第一凸出部件DAM1高度之第二凸出部件DAM2可包括從第二配線部TW2b以凸面方式凸出的凸出部分。
配置配線部在由複數層形成的凸出部件中含有的梯級部分中具有凹槽形狀，且配置配線部具有相對於具有相當窄小的平坦表面之凸出部件的最上表面上的其他部分凸形凸出(convexly protruding)的形狀，並從而可減少或消除配線部的未連接缺陷或短路缺陷的可能性。
第19A圖和第19B圖繪示剖面圖和部分放大平面圖，此時配線部TW的配置異於第14A圖和第14B圖之前述例示性實施例中的配線部TW。參考第19A圖和第19B圖，配線部TW可具有雙層配線結構。
於例示性實施例中，配線部TW可包括第一金屬層MTL1、絕緣層ISL、第二金屬層MTL2以及接觸孔CL。第一金屬層MTL1可設置於封裝層TFE上，而絕緣層ISL可設置於第一金屬層MTL1和第二金屬層MTL2間。再者，複數個接觸孔CL可設置於第一金屬層MTL1和第二金屬層MTL2間。接觸孔CL可電性連接於第一金屬層MTL1和第二金屬層MTL2。可形成接觸孔CL以穿越絕緣層ISL。可藉由配置由第一金屬層MTL1和第二金屬層ML2堆疊之雙層結構的配線部而減少配線部電阻。
再者，於例示性實施例中，可設置接觸孔CL以未重疊於配線連接部TWC。可設置接觸孔CL以未重疊於凸出部件中具有梯級的部分。配置接觸孔CL設置於封裝層TFE的平坦表面和上方凸出部DAM1-T的平坦表面上，以改善第一金屬層MTL1和第二金屬層MTL2間的電性連接，並可從而減少配線部TW的電阻。
於第9圖至第19B圖中所描述的例示性實施例中，例示性繪示經過凸出部件的配線部在鄰近觸控感測單元的觸控墊的部分中的形狀，但本發明概念的例示性實施例未侷限於此。舉例來說，當設置連接第9圖繪示的第二觸控電極TE2-1 至TE2-5並向第二方向DR2延伸之配線部TW來經過向第一方向DR1延伸的凸出部件DAM時，也可應用前述例示性實施例中描述的配線部形狀。再者，不僅經過凸出部件DAM也經過具有梯級的結構之配線部可具有在結構的梯級部分凹形凹陷的凹槽形狀。
具有前述配線部結構的例示性實施例的顯示設備可減少配線部間的短路缺陷和配線部的未連接缺陷之兩者可能性。
第20圖繪示例示性實施例的顯示設備之形成觸控感測單元的配線部的流程中說明光刻製程的部分剖面圖。可藉由圖案化第20圖程序之沉積於有機發光顯示面板DP的封裝層TFE上的金屬層TW-M而形成配線部於例示性實施例中。金屬層TW-M可沉積於封裝層TFE上，並可於金屬層TW-M上備有有機層OM以圖案化配線部。有機層OM可為光阻材料，舉例來說，負型光阻可作為有機層OM。光罩MSK設置於已塗佈有機層OM的有機發光顯示面板DP上，接著有機層OM透過紫外光固化，並接著根據光罩的形狀移除未固化的有機層OM而圖案化有機層OM。然後，執行蝕刻程序以沿著已圖案化的有機層OM圖案化金屬層TW-M。圖案化金屬層TW-M後，執行剝離程序以移除剩餘的有機層OM，並從而形成配線部。
第21A圖根據先前技術繪示作為形成配線部的光罩MSK’的形狀。第21B圖繪示利用第21A圖繪示的光罩MSK’形成的配線部TW’圖。
於第21A圖中，光罩MSK’可包括透光部OTA以及擋光部OBA。於第21A圖繪示的光罩MSK’中，透光部OTA的邊緣為直線形狀。當經過凸出部件DAM’的配線部為藉由利用具有第21A圖繪示的光罩形狀之光罩MSK’形成時，例如第21B圖的FF區之互相鄰近的配線部TW’於凸出部件的邊緣DM-E’互相連接，並因而可造成配線部TW’的短路現象。這是因為當提供有機層OM來圖案化配線部TW’時，有機層OM的堆疊高度在形成凸出部件DAM’的梯級部分中增加，並從而造成問題，使得配線部TW’的邊緣部分的圖案化品質於蝕刻金屬層TW-M時下降。於形成厚厚的有機層OM影響下，可未圖案化經過凸出部件DAM’的金屬層以具有依據光罩圖案而含有直線形狀的邊緣，並從而減少已圖案化的鄰近配線部TW’間的距離，並從而可造成配線部部分短路。
第22圖繪示例示性實施例的顯示設備中用於形成配線部的光罩MSK1形狀。光罩MSK1可包括透光部OTA以及擋光部OBA，而透光部OTA的形狀對應第12圖的例示性實施例的顯示設備中的凸出部件上形成的配線部TW形狀。
第22圖繪示設置而重疊於凸出部件DAM上的部分光罩MSK1的形狀。光罩MSK1的透光部OTA可在未重疊於凸出部件DAM部分具有第一寬度M1，可在重疊於凸出部件DAM部分具有第二寬度M2，且可在重疊於凸出部件DAM的邊緣DM-E的連接部分中具有第三寬度M3。於此，第一寬度M1和第二寬度M2可為相同的，而第三寬度D3可小於第一寬度M1和第二寬度M2。舉例來說，於光罩MSK1中，第一寬度M1和第二寬度M2可分別對應第一配線寬度W1和第二配線寬度W2，其為第12圖繪示的例示性實施例的顯示設備的配線部中的第一配線部TW1的配線寬度和第二配線部TW2的配線寬度。再者，透光部OTA的第三寬度M3可對應配線連接部TWC的第三配線寬度W3。
當藉由利用第22圖中繪示的光罩MSK1形狀圖案化配線部時，設計光罩MSK1的透光部OTA在重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分中具有小於第一寬度M1或第二寬度M2的第三寬度M3，並從而可預防配線部間的短路現象。配置光罩MSK1的透光部OTA在重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分中具有小於透光部OTA重疊於凸出部件DAM的部分之第三寬度M3，並從而可減少透過光傳遞(transmit)至具有第三寬度M3的光罩之透光部OTA而形成的有機層厚度。因此，在後來藉由蝕刻程序而形成的配線部中，在重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分中互相鄰近的配線部可足夠互相隔開，並從而可改善配線部間的短路問題。
再者，當形成凸出部件而使得複數層堆疊且凸出部件的最上表面區域小於下方凸出部的區域時，可藉由利用第23圖中繪示的光罩MSK2圖案化配線部。
第23圖繪示例示性實施例的顯示設備中用於形成配線部的光罩MSK2形狀。光罩MSK2可包括透光部OTA以及擋光部OBA，而透光部OTA的形狀對應第16圖的例示性實施例的顯示設備中的凸出部件上形成的配線部TW形狀。
第23圖繪示設置來重疊於凸出部件DAM的部分光罩MSK2形狀。光罩MSK2的透光部OTA可在未重疊於凸出部件DAM部分具有第一寬度M1，並可包括在重疊於凸出部件DAM部分中具有第二寬度M2的部分及具有大於第二寬度M2之第四寬度M4的部分。再者，光罩MSK2的透光部OTA可在重疊於凸出部件DAM的邊緣DM-E部分中具有第三寬度M3。於此，第一寬度M1和第二寬度M2可為相同的，而第三寬度D3可小於第一寬度M1和第二寬度M2。舉例來說，於光罩MSK2中，透光部OTA之第一寬度M1和第二寬度M2可分別對應第一配線寬度W1和第二配線寬度W2，其為第16圖繪示的例示性實施例的顯示設備的配線部中的第一配線部TW1的配線寬度和第二配線部TW2的配線寬度。再者，透光部OTA之第三寬度M3可對應配線連接部TWC的第三配線寬度W3。透光部OTA之第四寬度M4可對應第16圖繪示的例示性實施例的第一子配線部TW2-1的第一子配線寬度W4。
當藉由利用第23圖中繪示的光罩MSK2形狀圖案化配線部時，設計光罩MSK2的透光部OTA在重疊於凸出部件的邊緣DM-E部分中具有小於第一寬度M1或第二寬度M2的第三寬度M3，並從而可預防配線部間的短路現象。
再者，當根據先前技術利用光罩MSK’的形狀圖案化連接部時，由於凸出部件的最上表面中的相當窄小的區域，過度蝕刻凸出部件的最上方邊緣部分的金屬層，可造成連接部的短路問題。
與此比較，當藉由利用具有第23圖中繪示的光罩形狀之光罩MSK2圖案化連接部時，可於凸出部件的最上層中相對增加光罩的透光部OTA寬度，使得配線部可圖案化以具有足夠的寬度，並可從而改善配線部的未連接問題。
因此，例示性實施例的顯示設備中，藉由在凸出部件的梯級部分中形成凹形的凹槽形狀而減少鄰近配線部間的短路問題的可能性，並也可藉由在凸出部件的最上表面中形成具有凸形形狀的凸出部而減少配線部的未連接問題的可能性。
再者，例示性實施例的顯示設備中，凸出部件的設置，使得下方凸出部和上方凸出部以梯級形狀堆疊，以從而引進凸出部件上的平坦表面，並可從而減少鄰近配線部間的短路問題的可能性。
當藉由降低重疊於凸出部件邊緣的配線部寬度至小於重疊於凸出部件的配線部寬度而形成配線部時，根據例示性實施例的顯示設備可減少或預防鄰近配線部間的短路缺陷。
儘管本文已經描述了某些例示性實施例和執行程序，其他實施例和修改將從該描述中是顯而易見的。因此，本發明的概念不限於這些例示性實施例，而是所提出的申請專利範圍的更廣泛的範圍和各種明顯的修改及等效設置。
AA,BB,CC,EE,FF:區 AE:陽極 AM1:第一黏附件 AM2:第二黏附件 AM3:第三黏附件 BA:可彎曲區 BA1:第一可彎曲區 BA2:第二可彎曲區 BFL:緩衝層 BK:堤部 BS,BS1,BS2:底面 BS1-L:第一顯示面板表面 BS1-U:第二顯示面板表面 BX:彎曲軸 CE:陰極 CH,CL:接觸孔 CH1:第一貫穿孔 CH2:第二貫穿孔 CH3:第三貫穿孔 CH4:第四貫穿孔 CH5:第五貫穿孔 CH6:第六貫穿孔 CH7:第七貫穿孔 Cst:儲存電容 CP1:第一連接部 CP2:第二連接部 DA:顯示區 DAM,DAM’:凸出部件 DAM1:第一凸出部件 DAM1-B:下方凸出部 DAM1-T:上方凸出部 DAM2:第二凸出部件 DAM2-U:基底凸出部 DAM2-B:第二下方凸出部 DAM2-T:第二上方凸出部 DD,DD-1,DD-2,DD-3:顯示設備 DD-DA:顯示區 DD-NDA:非顯示區 DE1:第一輸出電極 DE2:第二輸出電極 DE6:第六輸出電極 Dk:資料訊號 DL,DLk:資料線 DM:顯示模組 DM-E,DM-E’:邊緣 DP:有機發光顯示面板 DP-CL:電路層 DP-OLED:發光元件層 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DR3:第三方向 DR4:第四方向 DR5:第五方向 DR6:第六方向 D1:第一寬度 D2:第二寬度 D3, D5:暴露寬度 D4:第四寬度 ECL:電子控制層 Ei:發光控制訊號 EL:發光線 EML:有機發光層 GDC:閘極驅動電路 GE1:第一控制電極 GE2:第二控制電極 GE6:第六控制電極 GL,GLi,GLi-1,GLi+1:閘極線 HCL:電洞控制層 H1,H2:高度 I-I’,II-II’,III-III’,IV-IV’:截線 IM:影像 IML:虛擬線 IOLn:無機薄膜 IOL1,IOL10:第一無機薄膜 IOL2,IOL20:第二無機薄膜 IOL3:第三無機薄膜 IS:顯示表面 ISL:絕緣層 LM:光學構件 L,L1,L2:長度 MSK,MSK’,MSK1,MSK2:光罩 MTL1:第一金屬層 MTL2:第二金屬層 M1:第一寬度 M2:第二寬度 M3:第三寬度 M4:第四寬度 NBA:非彎曲區 NBA1:第一非彎曲區 NBA2:第二非彎曲區 NDA:非顯示區 NPXA:非發光區 OBA:擋光部 OLED:有機發光二極體 OLn-1:有機薄膜 OL1:第一有機薄膜 OL2:第二有機薄膜 OM:有機層 OP:開口部 OS-L:第一外表面 OSP1:第一半導體圖案 OSP2:第二半導體圖案 OSP6:第六半導體圖案 OS-U:第二外表面 OTA:透光部 PD:墊部 PDL:像素定義層 PM:保護膜 PXA:發光區 PX,PXi:像素 SE1:第一輸入電極 SE2:第二輸入電極 SE6:第六輸入電極 Si-1,Si,Si+1:閘極訊號 SL-D:控制訊號線 SL-VDD:電壓線 SL-Vint:初始電壓線 SL1-1,SL1-2,SL1-3,SL1-4:第一觸控訊號線 SL2-1,SL2-2,SL2-3,SL2-4,SL2-5:第二觸控訊號線 SP1:第一觸控感測部 SP1-A:第一延伸部 SP1-B:第二延伸部 SP2:第二觸控感測部 SS,SS1,SS2:側面 SUB:基底基板 S1,S10,S100:第一子層 S2,S20,S200:第二子層 TE:觸控電極 TE1-1,TE1-2,TE1-3,TE1-4:第一觸控電極 TE2-1,TE2-2,TE2-3,TE2-4,TE2-5:第二觸控電極 TFE,TFE1,TFE2,TFE3:封裝層 TS:觸控感測單元 TS-CL1:第一導電層 TS-CL2:第二導電層 TS-IL1:第一絕緣層 TS-IL2:第二絕緣層 TSD:連接電極 TS-OP:觸控開口 TS-PD:觸控墊 TW,TW’:配線部 TW1:第一配線部 TW2,TW2a,TW2b:第二配線部 TWC:配線連接部 TWC-1:第一子連接部 TWC-2:第二子連接部 TWC-3:第三子連接部 TW-M:金屬層 TW2-1:第一子配線部 TW2-2:第二子配線部 TW2-3:第三子配線部 T1:第一薄膜電晶體 T2:第二薄膜電晶體 T3:第三薄膜電晶體 T4:第四薄膜電晶體 T5:第五薄膜電晶體 T6:第六薄膜電晶體 T7:第七薄膜電晶體 US,US1,US2:頂面 WM:視窗 W1:第一配線寬度 W2:第二配線寬度 W3:第三配線寬度 W4:第一子配線寬度 10:第一絕緣層 20:第二絕緣層 30:第三絕緣層
包括之附圖提供本發明概念的進一步理解，並將其併入本說明書而構成本說明書的一部分、說明本發明概念的例示性實施例以及與描述一起用於解釋本發明概念的原理。
第1A圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第一操作模式中的顯示設備的透視圖。
第1B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第二操作模式中的顯示設備的透視圖。
第1C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示於第三操作模式中的顯示設備的透視圖。
第2圖係根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備的剖面圖。
第3A圖和第3B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示設備的透視圖。
第4A圖和第4B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示設備的透視圖。
第5A圖係根據本發明概念的例示性實施例之有機發光顯示面板的平面圖。
第5B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示顯示模組的剖面圖。
第6A圖係根據本發明概念的例示性實施例之像素的等效電路圖。
第6B圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示有機發光顯示面板的部分剖面圖。
第6C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示有機發光顯示面板的部分剖面圖。
第7A圖、第7B圖及第7C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示封裝層的剖面圖。
第8圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示觸控感測單元的剖面圖。
第9圖係根據本發明概念的例示性實施例之顯示設備的平面圖。
第10A圖、第10B圖及第10C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示觸控感測單元的平面圖。
第10D圖為第10C圖之BB區的放大平面圖。
第11圖係沿著第9圖的截線I-I’截取的剖面圖。
第12圖為繪示第9圖之AA區的放大平面圖。
第13A圖係沿著第12圖的截線II-II’截取的剖面圖。
第13B圖為第12圖之CC區的放大平面圖。
第14A圖係沿著第12圖的截線II-II’截取的剖面圖。
第14B圖為第12圖之CC區的放大平面圖。
第14C圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示凸出部件的剖面圖。
第15A圖和第15B圖繪示例示性實施例之包括配線連接部之配線部的平面圖。
第16圖為第9圖之AA區的放大平面圖。
第17A圖係沿著第16圖的截線III-III’截取的剖面圖。
第17B圖為第16圖之EE區的放大平面圖。
第18A圖為第9圖之AA區的放大平面圖。
第18B圖係沿著第18A圖的截線IV-IV’截取的剖面圖。
第19A圖係沿著第12圖的截線II-II’截取的剖面圖。
第19B圖為第12圖之CC區的部分放大平面圖。
第20圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示製造顯示設備的程序中的光刻製程的示意性剖面圖。
第21A圖例示性繪示使用通常光罩於製造配線部的實例的平面圖。
第21B圖係根據相關先前技術繪示配線部的結構平面圖。
第22圖和第23圖係根據本發明概念的例示性實施例繪示製造顯示設備中的配線部配置的平面圖。
AA:區
BK:堤部
CP1:第一連接部
CP2:第二連接部
DA:顯示區
DAM:凸出部件
DAM1:第一凸出部件
DAM2:第二凸出部件
DD:顯示設備
DP:有機發光顯示面板
DR1:第一方向
DR2:第二方向
I-I’:截線
NDA:非顯示區
SL1-1,SL1-2,SL1-3,SL1-4:第一觸控訊號線
SL2-1,SL2-2,SL2-3,SL2-4,SL2-5:第二觸控訊號線
SP1:第一觸控感測部
TE1-1,TE1-2,TE1-3,TE1-4:第一觸控電極
TE2-1,TE2-2,TE2-3,TE2-4,TE2-5:第二觸控電極
TSD:連接電極
TS-PD:觸控墊
TW:配線部

Claims (20)

  1. 一種顯示設備，其包括：一基底基板，包括一顯示區和鄰近該顯示區的一非顯示區；一發光元件層，設置於該顯示區上；一封裝層，設置於該發光元件層上；一觸控感測單元，設置於該封裝層上，並包括一觸控電極及一配線部；以及一凸出部件，設置於該非顯示區上；其中：當在平面圖中觀看時，該配線部包括：一第一配線部，未與該凸出部件重疊，且具有一第一配線寬度；一第二配線部，與該凸出部件重疊，且具有一第二配線寬度；以及一配線連接部，具有不同於該第一配線寬度和該第二配線寬度之一第三配線寬度，並設置於該第一配線部和該第二配線部之間；該第一配線寬度至該第三配線寬度的寬度方向垂直於該配線部的一延伸方向。
  2. 如請求項1所述之顯示設備，其中該配線連接部與該凸出部件的一邊緣重疊。
  3. 如請求項1所述之顯示設備，其中該第三配線寬度小於該第 一配線寬度和該第二配線寬度。
  4. 如請求項1所述之顯示設備，其中：該配線連接部包括：一第一子連接部；一第二子連接部，設置於該第一配線部和該第一子連接部之間；以及一第三子連接部，設置於該第二配線部和該第一子連接部之間；以及該第一子連接部與該凸出部件的一邊緣重疊。
  5. 如請求項4所述之顯示設備，其中：該第二子連接部的一配線寬度於朝向該第一配線部的方向中增加；以及該第三子連接部的一配線寬度於朝向該第二配線部的方向中增加。
  6. 如請求項1所述之顯示設備，其中：該凸出部件包括：一下方凸出部，具有一第一寬度；以及一上方凸出部，設置於該下方凸出部上，並具有等於或小於該第一寬度之一第二寬度；該第一寬度和該第二寬度的寬度方向垂直於該配線部的該延伸方向。
  7. 如請求項6所述之顯示設備，其中： 該配線連接部包括：一第一子連接部；一第二子連接部，設置於該第一配線部和該第一子連接部之間；以及一第三子連接部，設置於該第二配線部和該第一子連接部之間；該第一子連接部與該下方凸出部的一邊緣重疊，且該第三子連接部與該上方凸出部的一邊緣重疊。
  8. 如請求項6所述之顯示設備，進一步包括一電路層，該電路層設置於該基底基板上；其中該發光元件層包括一像素定義層以及位於該電路層上的一有機發光二極體。
  9. 如請求項8所述之顯示設備，其中該電路層包括一絕緣層，該絕緣層靠近於該發光元件層；及其中該下方凸出部與該絕緣層設置於同層上。
  10. 如請求項8所述之顯示設備，其中該上方凸出部及該像素定義層設置於同層上。
  11. 如請求項1所述之顯示設備，其中該凸出部件包括：一第一凸出部件，實質上設置鄰近於該顯示區；以及一第二凸出部件，設置於該第一凸出部件的外側，並具有等於或大於該第一凸出部件的一高度。
  12. 如請求項11所述之顯示設備，其中該配線連接部與該第一凸出部件的一邊緣、該第二突出部件的一邊緣中的每一個重疊。
  13. 如請求項11所述之顯示設備，其中： 該第一凸出部件包括沿一厚度方向層疊的兩個凸出部；及該第二凸出部件包括沿一厚度方向層疊的三個凸出部。
  14. 如請求項11所述之顯示設備，其中：該第一凸出部件包括一第一下方凸出部和於該第一下方凸出部上的一第一上方凸出部，該第一下方凸出部和該第一上方凸出部在其厚度方向中層疊；以及該第二配線部與該第一上方凸出部重疊。
  15. 如請求項14所述之顯示設備，其中：該第二凸出部件包括：一基底凸出部；一第二下方凸出部，位於該基底凸出部上；以及一第二上方凸出部，位於該第二下方凸出部上，其皆在其厚度方向中層疊；其中該配線連接部與該基底凸出部的一邊緣重疊。
  16. 如請求項11所述之顯示設備，其中該第二配線部包括：一第一部分，與該第一凸出部件重疊；以及一第二部分，與該第二凸出部件重疊；其中該第一部分的一形狀與該第二部分的一形狀彼此相異。
  17. 如請求項1所述之顯示設備，其中該配線部包括：一第一金屬層；一第二金屬層，設置於該第一金屬層上；以及 多個接觸孔，電性連接該第一金屬層和該第二金屬層。
  18. 如請求項17所述之顯示設備，其中該配線部包括一絕緣層，該絕緣層設置於該第一金屬層與該第二金屬層之間；及其中該多個接觸孔是穿越該絕緣層而形成。
  19. 如請求項18所述之顯示設備，其中該多個接觸孔設置於該第一金屬層和該第二金屬層之間。
  20. 如請求項18所述之顯示設備，其中該多個接觸孔未與該配線連接部重疊。
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