TWI809769B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

一種基板處理裝置，具備：基板處理部，係用溶解有臭氧之處理液來處理基板；回收槽，係回收從前述基板處理部所排出之前述處理液；回收配管，係連接前述基板處理部與前述回收槽；加熱構件，係將前述回收配管內的前述處理液以及前述回收槽內的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；供給配管系統，係將前述回收槽內的前述處理液供給至前述基板處理部；以及臭氧氣體配管，係將臭氧氣體供給至前述供給配管系統，並將臭氧氣體混合至通過前述供給配管系統的前述處理液。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係關於用於處理基板的基板處理裝置以及用於處理基板的基板處理方法。
作為處理對象之基板，包括例如：半導體晶圓、如液晶顯示裝置以及有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
於下述專利文獻1揭示了一種基板處理裝置，該基板處理裝置係使用混合有臭氧氣體的微小氣泡之硫酸來去除基板的阻劑(resist)。於下述專利文獻1的基板處理裝置中，於進行去除基板的阻劑之後測量硫酸的濃度，並判斷是否能夠再利用。 [先前技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-21335號公報。
[發明所欲解決之課題]
於專利文獻1的基板處理裝置中，於再利用硫酸時並不調整殘留於硫酸的臭氧濃度。因此，當被再利用的硫酸中殘留有臭氧時，由於臭氧氣體混合至被再利用的硫酸，因此會有供給至基板的硫酸中的臭氧的濃度比預想還高之疑慮。
因此，本發明的一個目的在於提供基板處理裝置以及基板處理方法，係能在使用溶解有臭氧氣體的處理液來處理基板之構成中，一邊調整處理液中的臭氧濃度，一邊再利用處理液。 [用以解決課題之手段]
本發明的一實施形態提供一種基板處理裝置，具備：基板處理部，係用溶解有臭氧之處理液來處理基板；回收槽，係回收從前述基板處理部所排出之前述處理液；回收配管，係連接前述基板處理部與前述回收槽；加熱構件，係將前述回收配管內的前述處理液以及前述回收槽內的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；供給配管系統，係將前述回收槽內的前述處理液供給至前述基板處理部；以及臭氧氣體配管，係將臭氧氣體供給至前述供給配管系統，並將臭氧氣體混合至通過前述供給配管系統的前述處理液。
根據此基板處理裝置，於回收配管內以及回收槽內中的至少其中之一中將用於基板的處理之處理液加熱至第一溫度。因此，處理液所含有的臭氧作為臭氧氣體產生，使得處理液中的臭氧濃度降低。
藉由供給配管系統將回收槽內的處理液供給至基板處理部。通過供給配管系統的處理液在供給至基板處理部之前，與從臭氧氣體配管供給至供給配管系統之臭氧氣體混合。因此，使得臭氧氣體溶解於處理液，並將臭氧濃度經充分提高之處理液供給至基板處理部。
如上所述，在有意地從用於基板的處理之處理液中去除臭氧之後，能使臭氧氣體溶解於該處理液並將處理液再利用於基板的處理。因此，能調整處理液中的臭氧濃度並且再利用處理液。
於本發明的一實施形態中，前述基板處理裝置進一步具備：調溫構件，係將通過前述供給配管系統之前述處理液的溫度調整為比前述第一溫度還低的第二溫度。
根據此基板處理裝置，將通過供給配管系統之處理液的溫度調整為比起作為回收槽內的處理液的溫度之第一溫度(例如150℃以上至200℃以下的溫度)還低的第二溫度(例如80℃以上至130℃以下的溫度)。也就是說，將處理液加熱至第一溫度並使處理液中的臭氧濃度充分地降低之後，將處理液的溫度調整至第二溫度。藉由將從臭氧氣體配管供給至供給配管系統之臭氧氣體混和至溫度經充分降低的處理液，能使臭氧氣體溶解於處理液。以此方式，從處理液充分去除臭氧之後，能使處理液中的臭氧濃度再次上升。藉此，能高精度地調整從供給配管系統供給至基板處理部之處理液中的臭氧濃度。
於本發明的一實施形態中，前述調溫構件於前述供給配管系統中連接至比前述臭氧氣體配管還上游側。因此，從臭氧氣體配管供給至供給配管系統之臭氧氣體與處理液混合之前，將處理液的溫度調整至第二溫度。
因此，能迅速地使供給至供給配管系統之臭氧氣體迅速地溶解於處理液。
於本發明的一實施形態中，前述處理液係含有硫酸之含硫酸液。若處理液為含硫酸液，則藉由使臭氧氣體溶解於含硫酸液，能形成適合於去阻劑處理之硫酸臭氧混合液(SOM(Sulfuric acid Ozone Mixture；硫酸臭氧混合物)液)。例如，能藉由將SOM液供劑至具有矽層以及阻劑層之基板來去除阻劑層，該矽層具有主表面，該阻劑層係形成於矽層的主表面的保護區域上。
當用SOM液來去除阻劑層時，若SOM液中的臭氧濃度過高，則矽層的主表面中的保護區域之外的區域的表層部會氧化，可能形成不期望的氧化層。
因此，在有意地從用於基板的去阻劑處理之含硫酸液中去除臭氧之後，若使臭氧氣體溶解於該含硫酸液，則能將含硫酸液再利用於去阻劑處理。藉此，能抑制矽層的表層部的非預期的氧化。
於本發明的一實施形態中，前述供給配管系統包含：儲存槽，係儲存前述處理液；上游供給配管，係將前述處理液從前述回收槽輸送至前述儲存槽；以及下游供給配管，係與前述臭氧氣體配管連接，並向前述基板處理部供給前述儲存槽內的前述處理液。
根據該基板處理裝置，能將於回收配管內以及回收槽內中的至少其中之一中所加熱且臭氧濃度經降低之處理液儲存於儲存槽。藉由下游供給配管向基板處理部供給儲存槽內的處理液。由於臭氧氣體配管與下游供給配管連接，使得處理液在即將供給至基板處理部之前與臭氧氣體混合。因此，使得在處理液與臭氧氣體混合之後至供給至基板處理部之期間，能抑制從處理液中產生臭氧氣體使得處理液中的臭氧濃度降低。藉此，能高精度地調整從供給配管系統供給至基板處理部之處理液中的臭氧濃度。
於本發明的一實施形態中，前述基板處理裝置進一步具備：臭氧濃度計，係測量前述回收槽內的前述處理液中的臭氧濃度、或是於前述回收槽內中與前述處理液的液面接觸的空間中的臭氧濃度。
根據該基板處理裝置，藉由臭氧濃度計直接或間接地檢測回收槽內的處理液中的臭氧濃度。因此，藉由加熱構件所作的加熱，能判別是否充分地從回收槽內的處理液中去除臭氧氣體。
於本發明的一實施形態中，前述基板處理裝置具備：切換閥，係切換前述處理液是否從前述回收槽流入至前述供給配管系統；以及控制器，係根據前述臭氧濃度計的檢測結果控制前述切換閥。而且，前述控制器係在當前述臭氧濃度計的檢測濃度為預定的臨限值以下時打開前述切換閥，在當前述檢測濃度高於預定的臨限值時關閉前述切換閥。
根據該基板處理裝置，若臭氧濃度高於臨限值，則關閉切換閥並禁止處理液從回收槽流入至供給配管系統。當臭氧濃度為臨限值以下時，打開切換閥，允許處理液流入至供給配管系統。因此，能使只有臭氧濃度為臨限值以下的處理液自動地流入供給配管系統。是以，能更高精度地調整供給配管系統內中的處理液中的臭氧濃度。
於本發明的另一實施形態中，提供一種基板處理方法，包括：供給工序，從供給配管系統供給處理液至基板處理部，前述基板處理部係用溶解有臭氧的前述處理液來處理基板；回收工序，經由回收配管而從前述基板處理部將前述處理液回收至回收槽；加熱工序，將通過前述回收槽內的前述處理液以及通過前述回收配管的前述處理液中的至少其中之一加熱，使得前述回收槽內的前述處理液的溫度成為第一溫度；送液工序，將由前述加熱工序所加熱之前述處理液輸送至前述供給配管系統；溫度調整工序，將前述供給配管系統內的前述處理液的溫度調整為比前述第一溫度還低的第二溫度；以及臭氧氣體混合工序，將臭氧氣體混合至溫度經前述溫度調整工序調整之前述供給配管系統內的前述處理液。
若根據該基板處理方法，則具有與上述實施形態相同的功效。
於本發明的另一實施形態中，前述第一溫度可為150℃以上至200℃以下的溫度，前述第二溫度可為80℃以上至130℃以下的溫度。
於本發明的另一實施形態中，前述處理液可為含有硫酸的含硫酸液。
本發明中的上述或其他目的、特徵以及功效，將透過參照附錄的圖式於下敘述的實施形態的說明而闡明。
[基板處理裝置1的構成] 圖1係顯示本發明一實施形態之基板處理裝置1的整體構成之示意圖。
基板處理裝置1係逐片地處理半導體晶圓等圓盤狀的基板W之葉片式處理裝置。於本實施方式中，基板處理裝置1係構成為藉由作為硫酸與臭氧氣體的混合液之硫酸臭氧混合液(SOM液)來執行去阻劑處理，該去阻劑處理為從基板W的上表面(上側的主表面)剝離阻劑層103(參照後述的圖4A)。
基板處理裝置1包含：基板處理部2，係用溶解有臭氧氣體之含硫酸液(處理液)來處理基板W；回收槽3，係回收從基板處理部2所排出的含硫酸液；回收配管4，係連接基板處理部2與回收槽3；供給配管系統5，係將回收槽3內的含硫酸液供給至基板處理部2；臭氧氣體配管6，係將臭氧氣體供給至供給配管系統5，並將臭氧氣體混合至通過供給配管系統5的含硫酸液；臭氧氣體產生器7，係與臭氧氣體配管6連接，並使臭氧氣體產生；以及控制器8(參照後述的圖2)，係控制基板處理裝置1的各構件。
基板處理部2包含：箱形的腔室10，係具有內部空間；自轉夾具(spin chuck)11(旋轉保持構件)，係於腔室10內以水平姿勢保持一片基板W，並使基板W以通過基板W的中心之鉛直的自轉軸線A1為軸而使基板W旋轉；含硫酸液噴嘴12，係將含硫酸液供給至由自轉夾具11所保持之基板W的上表面；以及筒狀的處理杯(processing cup)13，係圍繞自轉夾具11。含硫酸液為含硫酸的液體，例如濃硫酸等硫酸水溶液。
於腔室10的上壁設置有用於輸送清潔空氣之送風單元(未圖示出)。排氣裝置(未圖示出)經由排氣管14而與處理杯13連接。排氣裝置係從處理杯13的底部抽吸處理杯13內的氣體。排氣管14係設置有臭氧消除器15，臭氧消除器15係將排氣裝置所抽吸的氣體中的臭氧分解。
作為自轉夾具11，採用夾持式的夾具，係沿水平方向夾住基板W並水平地保持基板W。具體地說，自轉夾具11包含：旋轉驅動構件16，如旋轉馬達等；自轉軸(spin axis)17，係由該旋轉驅動構件16所驅動；圓盤狀的自轉基座(spin base)18，係大致水平地安裝於自轉軸17的上端。
自轉基座18包含水平的圓形的上表面18a，上表面18a的外徑大於基板W的外徑。於上表面18a的周緣部配置有複數個(3個以上，例如6個)夾持構件19。複數個夾持構件19係於自轉基座18的上表面周緣部中在與基板W的外周形狀對應的圓周上隔著適當的間隔而配置。
含硫酸液噴嘴12例如為直線噴嘴，以連續流動的狀態噴吐含硫酸液。含硫酸液噴嘴12係藉由噴嘴移動機構20而沿水平方向移動。噴嘴移動機構20係包含：噴嘴臂20A，係於前端部安裝有含硫酸液噴嘴12；以及臂移動機構20B，係藉由使噴嘴臂20A移動，而使含硫酸液噴嘴12水平移動。含硫酸液噴嘴12例如以沿著垂直於基板W的上表面的方向噴吐含硫酸液之垂直姿勢而安裝於噴嘴臂20A。噴嘴臂20A係沿水平方向延伸。臂移動機構20B包含電動馬達、汽缸等致動器。
回收配管4的上游端係連接至基板處理部2的處理杯13，回收配管4的下游端係連接至回收槽3。回收配管4的下游端係位於比回收槽3內的含硫酸液的液面還上方。回收槽3具有與回收槽3內的含硫酸液的液面接觸之內部空間SP。
基板處理裝置1進一步具備：回收閥21，係將回收配管4予以開閉；回收過濾器22，係從通過回收配管4內之含硫酸液中去除雜質；回收配管加熱器23，係加熱回收配管4內的含硫酸液；排氣配管24，係對回收槽3的內部空間SP進行排氣；臭氧濃度計25，係測量回收槽3的內部空間SP中的臭氧濃度；回收槽加熱器26，係加熱回收槽3內的含硫酸液；以及回收側溫度計27，係測量回收槽3內的含硫酸液的溫度。
回收閥21係插設於回收配管4。回收過濾器22係插設於回收配管4中比回收閥21還下游側。於回收配管4中由回收配管加熱器23所加熱的位置(回收加熱位置4a)係設定為比回收過濾器22還要下游側。
雖未圖示出，回收閥21係包含：閥身，係設有供液體流動的內部流路以及包圍內部流路之環狀的閥座；閥體，係能夠相對於閥座而移動；以及致動器，係使閥體於使得閥體與閥座接觸之關閉位置以及使得閥體從閥座分離之打開位置之間移動。以下所說明的其他閥也具有與回收閥21相同的構成。
回收配管加熱器23例如藉由從外部加熱回收配管4的回收加熱位置4a，而將通過回收加熱位置4a的含硫酸液予以加熱。例如如圖1所示，回收槽加熱器26可為從外側面安裝至回收槽3的壁部之加熱器。於圖1中，回收槽加熱器26係安裝於回收槽3的側壁的外側面，惟亦可安裝於回收槽3的底壁的下側面，亦可安裝於底壁以及側壁兩者。回收槽加熱器26亦可不同於圖1而為浸漬於回收槽3內的含硫酸液之加熱器。回收配管加熱器23以及回收槽加熱器26皆為加熱構件的一例。回收配管加熱器23以及回收槽加熱器26皆可稱為回收側加熱器。
回收槽3係上部關閉的儲罐(tank)，回收槽3的內部空間SP係經由排氣配管24而與外部連接。例如，臭氧濃度計25具有：測量器本體25A；以及氣體供給管25B，係具有位於回收槽3的內部空間SP之前端，並將回收槽3的內部空間SP的氣體輸送至測量器本體25A。
由回收配管加熱器23以及回收槽加熱器26將從基板處理部2所排出之含硫酸液加熱。因此，將回收槽3內的含硫酸液的溫度維持在第一溫度。第一溫度為例如150℃以上至200℃以下。回收槽加熱器26可不常態地運作，可根據由回收側溫度計27所測量的溫度而於加熱狀態與非加熱狀態之間切換。
供給配管系統5包含：儲存槽30，係儲存含硫酸液；上游供給配管31，係將含硫酸液從回收槽3輸送至儲存槽30；下游供給配管32，係與臭氧氣體配管6連接，並向基板處理部2供給儲存槽30內的含硫酸液；以及循環配管33，係藉由使下游供給配管32內的含硫酸液返回至儲存槽30而使儲存槽30內的含硫酸液循環。循環配管33係分歧連接至下游供給配管32。
上游供給配管31的上游端係連接至回收槽3，上游供給配管31的下游端係連接至儲存槽30。下游供給配管32的上游端係連接至儲存槽30，下游供給配管32的下游端係連接至基板處理部2的含硫酸液噴嘴12。循環配管33的上游端係連接至下游供給配管32，下游供給配管32的下游端係連接至儲存槽30。
基板處理裝置1進一步具有：上游送液泵34，係將回收槽3內的含硫酸液輸送至上游供給配管31；上游供給閥35，係將上游供給配管31予以開閉；上游供給泵36，係將儲存槽30內的含硫酸液輸送至下游供給配管32；下游供給閥37，係將下游供給配管32予以開閉；下游供給流量調整閥38，係調整下游供給配管32內的含硫酸液的流量；以及循環閥39，係插設於循環配管33並將循環配管33予以開閉。
上游送液泵34係插設於上游供給配管31。泵係吸入液體並噴吐所吸入的液體之裝置。以下所說明的其他泵也具有與上游送液泵34相同的構成。
上游供給閥35係插設於上游供給配管31中比上游送液泵34更下游側。上游供給閥35係用於切換是否向供給配管系統5供給含硫酸液之切換閥的一例。
上游供給泵36係插設於下游供給配管32。下游供給流量調整閥38係插設於下游供給配管32中比上游供給泵36還下游側且比循環配管33的連接位置(循環連接位置32a)還上游側。下游供給閥37係插設於下游供給配管32中比循環連接位置32a還下游側。
基板處理裝置1進一步具備：臭氧氣體閥40，係將臭氧氣體配管6予以開閉；以及臭氧氣體流量調整閥41，係調整臭氧氣體配管6內的臭氧氣體的流量。
臭氧氣體流量調整閥41係插設於臭氧氣體配管6。臭氧氣體閥40係插設於臭氧氣體配管6中比臭氧氣體流量調整閥41還下游側。
基板處理裝置1進一步具備：供給側加熱器50，係作為調溫構件，將通過供給配管系統5之含硫酸液的溫度調整至第二溫度；以及供給側溫度計51，係測量供給配管系統5內的含硫酸液的溫度。第二溫度為比第一溫度還低的溫度，例如80℃以上至130℃以下。
供給側加熱器50可不常態地運作，可根據由供給側溫度計51所測量的溫度而於加熱狀態與非加熱狀態之間切換。由於第二溫度比第一溫度還低，因此藉由從加熱狀態切換至非加熱狀態，易於使供給配管系統5內的含硫酸液的溫度降低並調整至第二溫度。
於此實施形態中，供給側加熱器50係加熱下游供給配管32內的含硫酸液。於下游供給配管32中由供給側加熱器50所加熱的位置(供給加熱位置32b)係位於下游供給配管32中比上游供給泵36還要上游側。
供給側加熱器50例如藉由從外部將下游供給配管32的供給加熱位置32b加熱，來將通過供給加熱位置32b的含硫酸液加熱。不同於此實施形態，供給側加熱器50亦可為於儲存槽30內浸漬於含硫酸液並加熱儲存槽30內的含硫酸液之加熱器；亦可安裝於儲存槽30的側壁的外側面以及底壁的下側面中的至少其中之一。供給側加熱器50亦可為加熱循環配管33內的含硫酸液之加熱器。作為調溫構件的供給側加熱器50亦可為這些加熱器的組合。
基板處理裝置1進一步具備：流體混合器60，係設置於連接有下游供給配管32與臭氧氣體配管6的位置；補充配管70，係從含硫酸液供給源75補充新的含硫酸液(新液)至儲存槽30；以及排液配管80，係連接至回收配管4，並將回收配管4內的含硫酸液排出至基板處理裝置1外。流體混合器60係例如將臭氧氣體與含硫酸液攪拌並混合之靜止型混合器。流體混合器60係插設於下游供給配管32中比下游供給閥37還下游側。
基板處理裝置1並進一步具備：補充閥71，係插設於補充配管70，並將補充配管70予以開閉；以及排液閥81，係插設於排液配管80，並將排液配管80予以開閉。排液配管80係於比回收閥21還上游側處與回收配管4連接。
圖2係用來說明關於基板處理裝置1的控制之構成例之方塊圖。控制器8係具備微電腦，並根據預定的控制程式來控制基板處理裝置1所具備之控制對象。
具體地說，控制器8係包含：處理器(CPU(Central Process Unit；中央處理單元))8A；以及記憶體8B，係儲存有控制程式。控制器8係構成為透過由處理器8A來執行控制程式來執行用於基板處理的各種控制。
特別地，控制器8係編程為控制旋轉驅動構件16、噴嘴移動機構20、回收配管加熱器23、回收槽加熱器26、供給側加熱器50、回收側溫度計27、供給側溫度計51、臭氧濃度計25、上游送液泵34、上游供給泵36、回收閥21、上游供給閥35、下游供給閥37、下游供給流量調整閥38、循環閥39、臭氧氣體閥40、臭氧氣體流量調整閥41、補充閥71、排液閥81以及臭氧濃度計25等。
另外，控制器8還控制後述的各變形例的基板處理裝置1所具備的構件的動作。
[基板處理裝置1的動作例] 接著說明基板處理裝置1的動作例。圖3A以及圖3B係用來說明基板處理裝置1的動作例之示意圖。
首先，將基板W搬入至腔室10內，並將基板W保持於自轉夾具11(基板保持工序)。之後，如圖3A所示，藉由自轉夾具11旋轉基板W(基板旋轉工序)，並將含硫酸液噴嘴12配置於處理位置。處理位置為例如含硫酸液接觸基板W的上表面的中央區域之位置。於含硫酸液噴嘴12位於處理位置的狀態下 ，打開臭氧氣體閥40以及下游供給閥37。藉由打開臭氧氣體閥40以及下游供給閥37，使得含硫酸液與臭氧氣體於流體混合器60內混合(臭氧氣體混合工序)。
藉由含硫酸液與臭氧氣體於流體混合器60內混合，使得臭氧氣體溶解於含硫酸液。於流體混合器60內所形成的SOM液係從含硫酸液噴嘴12噴吐出，並供給至旋轉狀態的基板W的上表面(供給工序)。亦即從供給配管系統5供給溶解有臭氧的含硫酸液至基板處理部2。
透過將溶解有臭氧氣體的含硫酸液供給至基板W的上表面，使得阻劑層103(參照後述的圖4A)溶解而從基板W去除阻劑層103，詳細情況後述。
在將含硫酸液供給至基板W的上表面的期間中，回收閥21係維持在打開的狀態。供給至基板W的上表面的含硫酸液係在基板W的旋轉所引起的離心力的作用下，往基板W的外側飛散，並由處理杯13所接住。由處理杯13所接住的含硫酸液係經由回收配管4而回收至回收槽3(回收工序)。
溶解有臭氧的含硫酸液在通過回收配管4時係被回收配管加熱器23所加熱。被回收至回收槽3的含硫酸液係被回收槽加熱器26所加熱。藉此，使得回收槽3內的液體的溫度成為第一溫度。藉由加熱含硫酸液使得溶解於含硫酸液的臭氧作為臭氧氣體產生，並使得含硫酸液中的臭氧濃度降低。以此方式加熱通過回收槽3內的含硫酸液以及通過回收配管4的含硫酸液，使得回收槽3內的含硫酸液的溫度成為第一溫度(加熱工序)。
透過從含硫酸液中產生臭氧氣體使得回收槽3的內部空間SP中的臭氧濃度上升。另一方面，內部空間SP的臭氧氣體經由排氣配管24而從內部空間SP排出，使得內部空間SP中的臭氧濃度降低。當臭氧濃度計25的檢測濃度小於臨限值時，代表存在於內部空間SP的臭氧氣體充分地減少，並代表溶解於回收槽3內的含硫酸液的臭氧的量充分地減少。因此，控制器8係根據臭氧濃度計25的檢測結果(檢測濃度)來控制上游供給閥35。
詳細地說，控制器8係在當臭氧濃度計25的檢測濃度高於預定的臨限值時關閉上游供給閥35，當臭氧濃度計25的檢測濃度為預定的臨限值以下時打開上游供給閥35。因此，當含硫酸液的加熱溫度、加熱時間等不充足時，如圖3A所示般，上游供給閥35關閉。據預估，當剛開始含硫酸液的回收時，或是含硫酸液的回收量多時，會使得含硫酸液的加熱溫度、加熱時間等不充足。
當含硫酸液被充分加熱且從含硫酸液中充分去除臭氧時，如圖3B所示，上游供給閥35打開。藉由上游供給閥35打開而將回收槽3內的含硫酸液輸送至供給配管系統5(送液工序)。詳細地說，回收槽3內的含硫酸液係經由上游供給配管31而輸送至儲存槽30。流入至供給配管系統5的含硫酸液中的臭氧濃度係已充分地降低。
儲存槽30中的含硫酸液係經由下游供給配管32而供給至含硫酸液噴嘴12。含硫酸液的溫度係於下游供給配管32中流動時由供給側加熱器50所調整(溫度調整工序)。含硫酸液可藉由循環配管33而循環。含硫酸液係藉由循環配管33而循環，藉此複數次地通過供給加熱位置32b。藉此，由供給側加熱器50複數次加熱含硫酸液，且適當地調整含硫酸液的溫度(循環加熱工序)。經溫度調整的含硫酸液係在通往含硫酸液噴嘴12的途中於流體混合器60內與臭氧氣體混合(臭氧氣體混合工序)。
不同於此實施形態，於去阻劑處理也可使用含硫酸液與過氧化氫水的混合液(SPM(sulfuric peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合物)液)。藉由去阻劑處理，使得SPM液中的過氧化氫分解並生成水。因此，為了再利用去阻劑處理後的含硫酸液，必須從含硫酸液中使水蒸發。然而，會有用來從SPM液中去除水的設備很龐大之疑慮。
因此，於此實施形態中，使用含有臭氧的含硫酸液來取代過氧化氫，以進行去阻劑處理。因此，能在不去除水的情況下再利用含硫酸液。
進一步地，根據此實施形態，於回收配管4內以及回收槽3內中的至少其中之一中將去阻劑處理所使用的含硫酸液加熱至第一溫度。因此，含硫酸液所含的臭氧係作為臭氧氣體產生，使得含硫酸液中的臭氧濃度降低。
回收槽3內的含硫酸液係由供給配管系統5供給至基板處理部2。通過供給配管系統5的含硫酸液在供給至基板處理部2之前，係與從臭氧氣體配管6供給至供給配管系統5的臭氧氣體混合。因此使得臭氧氣體溶解於含硫酸液，並將臭氧濃度經充分升高的含硫酸液供給至基板處理部2。
如上所述，在有意地從去阻劑處理所使用的含硫酸液中去除臭氧之後，使臭氧氣體溶解於該含硫酸液並能將含硫酸液再利用於去阻劑處理。因此，能高精度地調整含硫酸液中的臭氧濃度的並且再利用含硫酸液。
此外，根據此實施形態，將通過供給配管系統5的含硫酸液的溫度調整為比回收槽3內的含硫酸液的溫度(第一溫度)還低的第二溫度。亦即，在將含硫酸液加熱至第一溫度並使含硫酸液中的臭氧濃度充分降低之後，將含硫酸液的溫度調整至第二溫度。藉由將從臭氧氣體配管6供給至供給配管系統5的臭氧氣體混合至溫度經充分降低的含硫酸液，能使臭氧氣體溶解於含硫酸液。以此方式，從含硫酸液中充分去除臭氧之後，能使含硫酸液中的臭氧濃度再次上升。藉此，能高精度地調整從供給配管系統5供給至基板處理部2的含硫酸液中的臭氧濃度。
此外，由於供給配管系統5內的含硫酸液的溫度係調整為適度高於常溫(例如25℃)之第二溫度，因此能適當地對基板處理部2內的基板W進行去阻劑處理。
此外，根據此實施形態，供給側加熱器50(調溫構件)係於供給配管系統5中連接至比臭氧氣體配管6還上游側。因此，在從臭氧氣體配管6供給至供給配管系統5的臭氧氣體與含硫酸液混合之前，將含硫酸液的溫度調整為第二溫度。因此，能使供給至供給配管系統5的臭氧氣體迅速地溶解於含硫酸液。
根據此實施形態，能將於回收配管4內以及回收槽3內兩者中所加熱且臭氧濃度降低之含硫酸液儲存於儲存槽30。由下游供給配管32向基板處理部2供給儲存槽30內的含硫酸液。由於臭氧氣體配管6連接至下游供給配管32，使得含硫酸液在即將供給至基板處理部2之前與臭氧氣體混合。因此，在含硫酸液與臭氧氣體混合之後至供給至基板處理部2之期間，能抑制從含硫酸液中產生臭氧氣體而含硫酸液中的臭氧濃度降低的情況。藉此能高精度地調整從供給配管系統5供給至基板處理部2的含硫酸液中的臭氧濃度。
此外，根據此實施形態，由臭氧濃度計25直接或間接地檢測回收槽3內的含硫酸液中的臭氧濃度。因此，能判別藉由回收配管加熱器23以及回收槽加熱器26所作的加熱是否有充分地從回收槽3內的含硫酸液中去除臭氧氣體。
根據此實施形態，當臭氧濃度高於臨限值時，上游供給閥35(切換閥)關閉，禁止含硫酸液從回收槽3流入至供給配管系統5。當臭氧濃度為臨限值以下時，上游供給閥35打開，允許含硫酸液流入至供給配管系統5。因此，能使只有臭氧濃度為臨限值以下的含硫酸液自動地流入至供給配管系統5。是以，能更高精度地於供給配管系統5中調整含硫酸液中的臭氧濃度。
[去阻劑處理所引起的基板的表面附近的結構的變化] 接著說明去阻劑處理所引起的基板W的表面附近的結構的變化。
圖4A係用來說明用含硫酸液進行去阻劑處理之前的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。圖4B係用來說明用含硫酸液進行去阻劑處理之後的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。
參照圖4A，作為去阻劑處理對象之基板W係例如具有矽層100，矽層100具有主表面100a。矽層100的主表面100a係具有保護區域101以及非保護區域102。基板W具有：阻劑層103，係形成於矽層100的主表面100a的保護區域101上；第一氧化矽層104，係形成於主表面100a的保護區域101上；第一多晶矽層105，係形成於第一氧化矽層104上；第二氧化矽層106，係形成於主表面100a的非保護區域102上；以及第二多晶矽層107，係形成於第二氧化矽層106上。阻劑層103係覆蓋第一氧化矽層104以及第一多晶矽層105。基板W包含：第一導電型(例如n型)的第一雜質區域108，係形成於非保護區域102中矽層100的主表面100a的表層部；以及第一導電型的第二雜質區域109，係與第一雜質區域108隔著間隔，並形成於非保護區域102中矽層100的主表面100a的表層部。
第二多晶矽層107以及第二氧化矽層106可構成於矽層100的主表面100a上形成的平面閘極(planer gate)結構，該平面閘極結構係與第一雜質區域108與第二雜質區域109之間的第二導電型(例如p型)的通道區域對向。於此情況下，第一雜質區域108以及第二雜質區域109係分別發揮汲極區域以及源極區域的作用。
藉由基於含硫酸液來進行去阻劑處理，使得如圖4B所示，從基板W去除阻劑層103。當含硫酸液中的臭氧濃度過高時，使得非保護區域102中的矽層100的表層部氧化。因此，第一雜質區域108以及第二雜質區域109的表層部也氧化，形成氧化膜110。藉由以去阻劑處理之後所進行的處理來去除氧化膜110，使得作為閘極的第一多晶矽層105相距第一雜質區域108以及第二雜質區域109的表面的距離變大，且使得第一雜質區域108以及第二雜質區域109的雜質濃度降低。結果會有產生器件缺陷之疑慮。具體地說，會有使得汲極電流降低之疑慮。
因此，若為在有意地從於基板W的去阻劑處理所使用的含硫酸液中去除臭氧之後使臭氧氣體溶解於該含硫酸液而將含硫酸液再利用於基板的去阻劑處理之構成，即能抑制矽層100的表層部(第一雜質區域108以及第二雜質區域109)的非預期的氧化。
[基板處理裝置的變形例] 圖5至圖10係分別為用來說明基板處理裝置1的第一變形例至第六變形例的示意圖。
如圖5所示，第一變形例的基板處理裝置1具備用來冷卻供給配管系統5內的含硫酸液之供給側冷卻器52，以取代供給側加熱器50。供給側冷卻器52可不為常態地運作，亦可根據供給側溫度計51所測量的溫度而於冷卻狀態與非冷卻狀態之間切換。由於第二溫度比第一溫度還低，因此藉由從非冷卻狀態切換至冷卻狀態，易於使供給配管系統5內的含硫酸液的溫度降低並調整至第二溫度。
於此實施形態中，供給側冷卻器52對下游供給配管32內的含硫酸液進行冷卻。於下游供給配管32中由供給側冷卻器52進行冷卻的位置(供給冷卻位置32c)係位於下游供給配管32中比上游供給泵36還上游側。
不同於此實施形態，供給側冷卻器52亦可為於儲存槽30內浸漬於含硫酸液並對儲存槽30內的含硫酸液進行冷卻之冷卻器；亦可安裝於儲存槽30的側壁的外側面以及底壁的下側面中的至少其中之一。供給側冷卻器52可為對循環配管33內的含硫酸液進行冷卻之冷卻器。作為調溫構件的供給側冷卻器52亦可為這些冷卻器的組合。
不同於第一變形例，亦可設置供給側加熱器50以及供給側冷卻器52兩者。
如圖6所示，於第二變形例的基板處理裝置1中，供給配管系統5並不包含儲存槽30以及循環配管33，並包含將上游供給配管31以及下游供給配管32一體化之供給配管90。供給配管90將回收槽3內的含硫酸液供給至基板處理部2。第二變形例的基板處理裝置1係進一步具備：送液上游供給泵91，係將回收槽3內的含硫酸液輸送至供給配管90；供給側冷卻器52，係對供給配管90內的含硫酸液進行冷卻；供給側溫度計51，係測量供給配管系統5內的含硫酸液的溫度；供給閥92，係將供給配管90予以開閉；以及供給流量調整閥93，係調整供給配管90內的含硫酸液的流量。於第二變形例中，供給閥92係發揮切換是否向供給配管系統5供給含硫酸液的切換閥的作用。
如圖7所示，於第三變形例的基板處理裝置1中並未設置回收配管加熱器23，而設置回收槽加熱器26以作為回收側加熱器。如圖8所示，於第四變形例的基板處理裝置1中並未設置回收槽加熱器26而是設置回收配管加熱器23以作為回收側加熱器。以此方式，只要有設置以下兩者中的至少其中之一即可，一為將回收配管4內的含硫酸液加熱至第一溫度之回收配管加熱器23(加熱構件)以及二為將回收槽3內的含硫酸液加熱至第一溫度之回收槽加熱器26(加熱構件)。同樣地，於去阻劑處理的加熱工序中，只要將通過回收槽3內的含硫酸液以及通過回收配管4的含硫酸液中的至少其中之一加熱至第一溫度即可。
如圖9所示，於第五變形例的基板處理裝置1中，臭氧濃度計25係構成為測量回收槽3內的含硫酸液中的臭氧濃度。於第五變形例中，臭氧濃度計25係包含：測量器本體25A；以及液體供給管25C，係具有位於比回收槽3內的含硫酸液的液面還下側的前端，並將回收槽3內的含硫酸液輸送至測量器本體25A。
如圖10所示，第六變形例的基板處理裝置1中，複數個(於此實施形態中為兩個)回收槽3係並排設置。
複數個回收槽3係包含第一回收槽3A以及第二回收槽3B。第一回收槽3A以及第二回收槽3B具有相同的構成。亦即，第一回收槽3A以及第二回收槽3B兩者都設置有排氣配管24、臭氧濃度計25、回收槽加熱器26以及回收側溫度計27。
回收配管4的上游端係連接至基板處理部2的處理杯13(參照圖1)，回收配管4的下游端係連接至第一回收槽3A。上游供給配管31的上游端係連接至第一回收槽3A，上游供給配管31的下游端係連接至儲存槽30(參照圖1)。
第六變形例的基板處理裝置1進一步具備：下游回收閥94，係位於比回收閥21還下游側，並將回收配管4予以開閉；分歧回收配管95，係分歧連接至回收配管4，並連接至第二回收槽3B；以及分歧供給配管96，係分歧連接至上游供給配管31，並連接至第二回收槽3B。
下游回收閥94係插設於回收配管4中比回收配管加熱器23還下游側。於回收配管4中，分歧回收配管95所連接的分歧連接位置4b係比回收配管加熱器23還下游側且比下游回收閥94還上游側的位置。於上游供給配管31中分歧供給配管96所連接的分歧連接位置31a係比上游供給閥35還下游側的位置。
第六變形例的基板處理裝置1具備：分歧回收閥97，係將分歧回收配管95予以開閉；分歧送液泵98，係將第二回收槽3B內的含硫酸液輸送至分歧供給配管96；以及分歧供給閥99，係將分歧供給配管96予以開閉。分歧回收閥97係插設於分歧回收配管95。分歧送液泵98係插設於分歧供給配管96，分歧供給閥99係插設於分歧供給配管96中比分歧送液泵98還下游側。
於複數個回收槽3並排設置之構成中，若將兩個回收槽3中至少一個回收槽3內的含硫酸液中的臭氧濃度充分降低，就能向儲存槽30輸送含硫酸液。
[基於含硫酸液之外的液體之處理] 供給至基板W的上表面的處理液並不限於含硫酸液，也可為氨水或氫氟酸(氟化氫水)。藉由使臭氧氣體溶解於氨水，能形成適合於清洗處理的氨水臭氧混合液(AOM(ammonia ozone mixture；氨水臭氧混合物)液)。藉由使臭氧氣體溶解於氫氟酸，能形成適合於乾蝕刻後的清洗處理之氫氟酸臭氧混合液(FOM(hydrofluoric acid ozone mixture；氫氟酸臭氧混合物)液)。
圖11A係用來說明用溶解有臭氧之氨水來進行清洗處理之前的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。圖11B係用來說明用溶解有臭氧之氨水來進行清洗處理之後的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。
參照圖11A，作為溶解有臭氧的氨水的清洗處理的對象之基板W係例如包含：矽層100，係具有主表面100a；氧化矽層111，係形成於主表面100a上；多晶矽層112，係形成於氧化矽層111上；層間絕緣膜113，係覆蓋形成於主表面100a的氧化矽層111以及多晶矽層112；以及接觸電極115，係埋設於接觸孔114，接觸孔114係形成於層間絕緣膜113。層間絕緣膜113例如由氧化矽以及氮化矽中的至少其中之一所形成。接觸電極115例如為鎢等金屬。
藉由用溶解有臭氧的氨水進行清洗處理，將附著於層間絕緣膜113的表面的異物沖洗掉。當氨水中的臭氧濃度過高時，如圖11B所示，使得從層間絕緣膜113露出的接觸電極115被蝕刻。會有因蝕刻而使得接觸電極115的表面後退而形成非預期的凹部116之疑慮。也會有因凹部116的形成而產生器件缺陷之疑慮。
因此，若在從基板W的清洗處理所使用的氨水中有意地去除臭氧之後，使臭氧氣體溶解於該氨水，就能將氨水再利用於清洗處理。藉此，能抑制基板W的主表面中的非預期的凹部116的形成。
圖12A係用來說明用溶解有臭氧之氫氟酸來進行清洗處理之前的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。圖12B係用來說明用溶解有臭氧之氫氟酸來進行清洗處理之後的基板W的表面附近的結構之示意性剖面圖。
參照圖12A，溶解有臭氧的氫氟酸的清洗處理的對象之基板W係例如藉由乾蝕刻去除層間絕緣膜後的基板W。具體地說，溶解有臭氧的氫氟酸的清洗處理的對象之基板W包含：矽層100，係具有主表面100a；凸部120，係從矽層100的主表面100a突出；墊(pad)氧化物層121，係形成於凸部120的頂部120a上；以及氮化物層122，係形成於墊氧化物層121上。凸部120係由矽所形成。
藉由用溶解有臭氧的氫氟酸來進行清洗處理，來去除乾蝕刻時的損傷。如圖12B所示，當溶解有臭氧的氫氟酸中的臭氧濃度過高時，凸部120的側壁120b被蝕刻。會有凸部120的寬度因蝕刻而變窄從而造成器件缺陷產生之疑慮。
因此，若有意地從基板W的清洗處理所使用的氫氟酸中去除臭氧之後使臭氧氣體溶解於該氫氟酸中，能將氫氟酸再利用於清洗處理。藉此能抑制基板W的主表面中的非預期的凸部120的蝕刻。
[其他實施形態] 本發明並不限於以上所說明的實施形態，能進一步以其他形態實施。
例如，於圖1所示形態中，循環閥39亦可插設於下游供給配管32中比循環連接位置32a還上游側。
於上述實施形態中，使用流體混合器60來混合臭氧氣體與含硫酸液。然而，不同於上述實施形態，亦可設置於儲存含硫酸液的儲罐內使臭氧氣體起泡而使臭氧氣體溶解於含硫酸液之起泡機構，以取代流體混合器60。於此情況下，臭氧氣體配管6係在不經由流體混合器60的情況下連接至下游供給配管32。
於上述實施形態中，於下游供給配管32中，供給加熱位置32b(參照圖1)係設定於比臭氧氣體配管6的連接位置(流體混合器60)還上游側。然而，供給加熱位置32b亦可設置於下游供給配管32中比流體混合器60還下游側。
於上述實施形態中，控制器8係在當臭氧濃度計25的檢測濃度高於預定的臨限值時將上游供給閥35關閉，當臭氧濃度計25的檢測濃度為預定的臨限值以下時將上游供給閥35打開。然而，控制器8亦可控制上游供給閥35而使得當檢測濃度為0ppm時將上游供給閥35打開，當檢測濃度大於0ppm時關閉上游供給閥35。
於上述實施形態中，基板處理裝置1為逐片地處理基板W的葉片型處理裝置。然而，基板處理裝置1亦可為將複數片基板W浸漬儲存於浸漬槽的處理液而進行處理之浸漬處理裝置。
另外，於上述實施形態中，使用了諸如「水平」、「鉛直」之表述，惟並不需要嚴密地「水平」、「鉛直」。亦即，這些各種表述允許製造精度、設置精度等的偏差。
雖已詳細說明了發明的實施形態，然而這些僅為用於闡明本發明的技術內容所使用的具體例，本發明不應限定於這些具體例來解釋，本發明僅被附錄的申請範圍所限制。
本申請係對應2021年3月25日向日本專利局提交的特願2021-52417號，並透過引用將該申請的所有揭示引入本文。
1:基板處理裝置 2:基板處理部 3:回收槽 3A:第一回收槽 3B:第二回收槽 4:回收配管 4a:回收加熱位置 4b:分歧連接位置 5:供給配管系統 6:臭氧氣體配管 7:臭氧氣體產生器 8:控制器 8A:處理器 8B:記憶體 10:腔室 11:自轉夾具 12:含硫酸液噴嘴 13:處理杯 14:排氣管 15:臭氧消除器 16:旋轉驅動構件 17:自轉軸 18:自轉基座 18a:上表面 19:夾持構件 20:噴嘴移動機構 20A:噴嘴臂 20B:臂移動機構 21:回收閥 22:回收過濾器 23:回收配管加熱器 24:排氣配管 25:臭氧濃度計 25A:測量器本體 25B:氣體供給管 25C:液體供給管 26:回收槽加熱器 27:回收側溫度計 30:儲存槽 31:上游供給配管 31a:分歧連接位置 32:下游供給配管 32a:循環連接位置 32b:供給加熱位置 32c:供給冷卻位置 33:循環配管 34:上游送液泵 35:上游供給閥 36:上游供給泵 37:下游供給閥 38:下游供給流量調整閥 39:循環閥 40:臭氧氣體閥 41:臭氧氣體流量調整閥 50:供給側加熱器(調溫構件) 51:供給側溫度計 52:供給側冷卻計(調溫構件) 60:流體混合器 70:補充配管 71:補充閥 75:含硫酸液供給源 80:排液配管 81:排液閥 90:供給配管 91:送液上游供給泵 92:供給閥 93:供給流量調整閥 94:下游回收閥 95:分歧回收配管 96:分歧供給配管 97:分歧回收閥 98:分歧送液泵 99:分歧供給閥 100:矽層 100a:主表面 101:保護區域 102:非保護區域 103:阻劑層 104:第一氧化矽層 105:第一多晶矽層 106:第二氧化矽層 107:第二多晶矽層 108:第一雜質區域 109:第二雜質區域 110:氧化膜 111:氧化矽層 112:多晶矽層 113:層間絕緣膜 114:接觸孔 115:接觸電極 116:凹部 120:凸部 120a:頂部 120b:側壁 121: 墊氧化物層 122:氮化物層 A1:自轉軸線 SP:內部空間 W:基板
[圖1]係顯示本發明一實施形態之基板處理裝置的整體構成之示意圖。 [圖2]係顯示用來說明關於該基板處理裝置的控制之構成例之方塊圖。 [圖3A]係用來說明該基板處理裝置的動作例之示意圖。 [圖3B] 係用來說明該基板處理裝置的動作例之示意圖。 [圖4A]係用來說明用溶解有臭氧之含硫酸液進行去阻劑處理之前的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。 [圖4B]係用來說明用溶解有臭氧之含硫酸液進行去阻劑處理之後的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。 [圖5]係用來說明該基板處理裝置的第一變形例之示意圖。 [圖6]係用來說明該基板處理裝置的第二變形例之示意圖。 [圖7]係用來說明該基板處理裝置的第三變形例之示意圖。 [圖8]係用來說明該基板處理裝置的第四變形例之示意圖。 [圖9]係用來說明該基板處理裝置的第五變形例之示意圖。 [圖10]係用來說明該基板處理裝置的第六變形例之示意圖。 [圖11A]係用來說明用溶解有臭氧之氨水來進行清洗處理之前的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。 [圖11B]係用來說明用溶解有臭氧之氨水來進行清洗處理之後的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。 [圖12A]係用來說明用溶解有臭氧之氫氟酸來進行清洗處理之前的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。 [圖12B] 係用來說明用溶解有臭氧之氫氟酸來進行清洗處理之後的基板的表面附近的結構之示意性剖面圖。
1:基板處理裝置
2:基板處理部
3:回收槽
4:回收配管
4a:回收加熱位置
5:供給配管系統
6:臭氧氣體配管
7:臭氧氣體產生器
10:腔室
11:自轉夾具
12:含硫酸液噴嘴
13:處理杯
14:排氣管
15:臭氧消除器
16:旋轉驅動構件
17:自轉軸
18:自轉基座
18a:上表面
19:夾持構件
20:噴嘴移動機構
20A:噴嘴臂
20B:臂移動機構
21:回收閥
22:回收過濾器
23:回收配管加熱器
24:排氣配管
25:臭氧濃度計
25A:測量器本體
25B:氣體供給管
26:回收槽加熱器
27:回收側溫度計
30:儲存槽
31:上游供給配管
32:下游供給配管
32a:循環連接位置
32b:供給加熱位置
33:循環配管
34:上游送液泵
35:上游供給泵
36:上游供給泵
37:下游供給泵
38:下游供給流量調整閥
39:循環閥
40:臭氧氣體閥
41:臭氧氣體流量調整閥
50:供給側加熱器(調溫構件)
51:供給側溫度計
60:流體混合器
70:補充配管
71:補充閥
75:含硫酸液供給源
80:排液配管
81:排液閥
A1:自轉軸線
SP:內部空間
W:基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，具備：基板處理部，係用溶解有臭氧之處理液來處理基板；回收槽，係回收從前述基板處理部所排出之前述處理液；回收配管，係連接前述基板處理部與前述回收槽，並將從前述基板處理部所排出之前述處理液回收至前述回收槽；加熱構件，係將前述回收配管內的前述處理液以及前述回收槽內的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；供給配管系統，係將前述回收槽內的前述處理液供給至前述基板處理部；以及臭氧氣體配管，係將臭氧氣體供給至前述供給配管系統，並將臭氧氣體混合至通過前述供給配管系統的前述處理液。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：調溫構件，係將通過前述供給配管系統之前述處理液的溫度調整為比前述第一溫度還低的第二溫度。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述第一溫度為150℃以上至200℃以下的溫度；前述第二溫度為80℃以上至130℃以下的溫度。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述調溫構件於前述供給配管系統中連接至比前述臭氧氣體配管還上游側。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述處理液係含有硫酸之含硫酸液。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述基板具有：矽層，係具有主表面；以及阻劑層，係形成於前述矽層的前述主表面的保護區域上，能夠藉由溶解有臭氧之前述含硫酸液而予以去除。
  7. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述供給配管系統包含：儲存槽，係儲存前述處理液；上游供給配管，係將前述處理液從前述回收槽輸送至前述儲存槽；以及下游供給配管，係與前述臭氧氣體配管連接，並向前述基板處理部供給前述儲存槽內的前述處理液。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：臭氧濃度計，係測量前述回收槽內的前述處理液中的臭氧濃度、或是於前述回收槽內中與前述處理液的液面接觸的空間中的臭氧濃度。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：切換閥，係切換前述處理液是否從前述回收槽流入至前述供給配管系統；以及控制器，係根據前述臭氧濃度計的檢測結果控制前述切換閥；前述控制器係在當前述臭氧濃度計的檢測濃度為預定的臨限值以下時打開前述切換閥，在當前述檢測濃度高於預定的臨限值時關閉前述切換閥。
  10. 一種基板處理方法，包括：供給工序，從供給配管系統供給處理液至基板處理部，前述基板處理部係用溶解有臭氧的前述處理液來處理基板；回收工序，經由回收配管而從前述基板處理部將前述處理液回收至回收槽；加熱工序，將通過前述回收槽內的前述處理液以及通過前述回收配管的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；送液工序，將由前述加熱工序所加熱之前述處理液輸送至前述供給配管系統；溫度調整工序，將前述供給配管系統內的前述處理液的溫度調整為比前述第一溫度還低的第二溫度；以及臭氧氣體混合工序，將臭氧氣體混合至溫度經前述溫度調整工序調整之前述供給配管系統內的前述處理液。
  11. 如請求項10所記載之基板處理方法，其中前述第一溫度為150℃以上至200℃以下的溫度；前述第二溫度為80℃以上至130℃以下的溫度。
  12. 如請求項10或11所記載之基板處理方法，其中前述處理液係含有硫酸之含硫酸液。
  13. 一種基板處理裝置，具備：基板處理部，係用溶解有臭氧之處理液來處理基板；回收槽，係回收從前述基板處理部所排出之前述處理液；回收配管，係連接前述基板處理部與前述回收槽； 加熱構件，係將前述回收配管內的前述處理液以及前述回收槽內的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；供給配管系統，係將前述回收槽內的前述處理液供給至前述基板處理部；臭氧氣體配管，係將臭氧氣體供給至前述供給配管系統，並將臭氧氣體混合至通過前述供給配管系統的前述處理液；以及調溫構件，係將通過前述供給配管系統之前述處理液的溫度調整為比前述第一溫度還低的第二溫度。
  14. 一種基板處理裝置，具備：基板處理部，係用溶解有臭氧之處理液來處理基板；回收槽，係回收從前述基板處理部所排出之前述處理液；回收配管，係連接前述基板處理部與前述回收槽；加熱構件，係將前述回收配管內的前述處理液以及前述回收槽內的前述處理液中的至少其中之一加熱至第一溫度；供給配管系統，係將前述回收槽內的前述處理液供給至前述基板處理部；臭氧氣體配管，係將臭氧氣體供給至前述供給配管系統，並將臭氧氣體混合至通過前述供給配管系統的前述處理液；以及臭氧濃度計，係測量前述回收槽內的前述處理液中的臭氧濃度、或是於前述回收槽內中與前述處理液的液面接觸的空間中的臭氧濃度。
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