JP2012204546A - 電子材料洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】70質量%以上の硫酸溶液を電解する電解部11と、電解部11で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽21と、オゾンを生成するオゾン生成部(オゾン発生器28)と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽21内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部(オゾン供給管26、バブリングノズル27)を備える電子材料洗浄装置1を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料100を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽21内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。
【選択図】図2
Description
従来、半導体基板、液晶基板、有機EL基板、フォトマスク基板、ハードディスク基板等の製造分野における電子材料上のレジストの剥離洗浄は、硫酸と過酸化水素水を混合してなる過硫酸含有硫酸溶液であるSPM溶液(Sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)が用いられているが、レジスト剥離工程で使用されるSPM溶液の使用量は増える傾向にある。SPM溶液は使用しつづけると過硫酸濃度が分解によって低下するため、適宜過酸化水素水を加えながら使用している。SPM溶液では過酸化水素水を適宜加えるため水が生成して、硫酸濃度が低下し過酸化水素による過硫酸生成効率が落ちるため、SPM溶液を定期的に交換する必要がある。
また、上記SPM溶液にオゾンを加えて溶解させることで過酸化水素の濃度低下を防止する方法が提案されている(例えば特許文献1参照)が、薬液交換時期を遅らせることはできても薬液交換の必要性は回避できない。
一方、従来用いられている洗浄液(SPM溶液)の代替技術として硫酸溶液を電気分解して得られる過硫酸含有硫酸溶液である硫酸電解液を用いてレジストを剥離・分解処理を行うことが提案されている(例えば特許文献2、3)。硫酸電解液を用いることにより、硫酸濃度が低下せず過硫酸濃度が安定するため、安定的に高いレジスト剥離・分解処理能力が得られる。そのため、従来の低〜中濃度でイオン注入されたレジストのみならず、高濃度にイオン注入されたレジストでも、アッシング工程をスキップしてレジスト剥離・分解が行えることが判明している。
また、アッシングレス基板を、硫酸電解液を用いてレジスト剥離洗浄を行った場合は、硫酸電解液中に多量のレジストが剥離または溶解してしまうため、レジストを短時間で分解することが望まれている。
本発明は、また、アッシングレスでの洗浄において、レジスト剥離効果を高め、かつ、溶解したレジストを短時間で分解するための方法および装置を提供することを目的とする。
第3の本発明の電子材料洗浄方法は、前記第1または第2の本発明において、前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液が液温130℃超〜190℃(ただし前記過硫酸含有硫酸溶液の沸点以下)に加熱昇温されていることを特徴とする。
第4の本発明の電子材料洗浄方法は、前記第1〜第3の本発明のいずれかにおいて、前記洗浄槽内に供給される前記オゾンガスが50℃以上に加熱昇温されていることを特徴とする。
第5の本発明の電子材料洗浄方法は、前記第1〜第3の本発明のいずれかにおいて、前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液にバブリングした前記オゾンガスを供給することを特徴とする。
第6の本発明の電子材料洗浄方法は、前記第1〜第5の本発明のいずれかにおいて、前記硫酸溶液の前記電解に用いる電極のうち、少なくとも陽極が導電性ダイヤモンド電極であることを特徴とする。
第7の本発明の電子材料洗浄方法は、前記第1〜第6の本発明のいずれかにおいて、前記電子材料が、アッシング処理をしていない電子材料であることを特徴とする。
前記電解部で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、
該送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記オゾン生成部で生成されたオゾンを前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部と、を備えることを特徴とする。
第10の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第8または第9の本発明において、前記洗浄槽内に収容される過硫酸含有硫酸溶液を加熱して前記洗浄槽内での過硫酸含有硫酸溶液の液温を130℃超〜190℃(ただし前記過硫酸含有硫酸溶液の沸点以下)に加熱昇温させる過硫酸加熱部を備えることを特徴とする。
第11の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第10の本発明において、前記過硫酸加熱部が、前記洗浄槽内に供給される過硫酸含有硫酸溶液を加熱する外部加熱器を有することを特徴とする。
第12の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第10または第11の本発明において、前記過硫酸加熱部が、前記洗浄槽内に収容されている過硫酸含有硫酸溶液を加熱する内部加熱器を有することを特徴とする。
第13の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第8〜第12の本発明のいずれかにおいて、前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾンを50℃以上に加熱昇温させるオゾン加熱部を備えることを特徴とする。
第14の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第8〜第13の本発明のいずれかにおいて、前記オゾン供給部は、前記オゾンガスをバブリングして前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するバブリングノズルを有しており、該バブリングノズルが焼結ガラス製,PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製,PFA(パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂)製からなる群のいずれか1種であることを特徴とする。
第15の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第8〜第14の本発明のいずれかにおいて、前記電解部に備える電極のうち、少なくとも陽極が導電性ダイヤモンド電極で構成されていることを特徴とする。
第16の本発明の電子材料洗浄装置は、前記第8〜第15の本発明のいずれかにおいて、前記オゾン供給部による前記過硫酸含有硫酸溶液へのオゾンの供給方向と、前記送りラインによる前記洗浄槽内への過硫酸含有硫酸溶液の供給方向とが交差し、供給された前記オゾンと供給された前記過硫酸含有硫酸溶液とが直ちに交流するように前記オゾン供給部と前記送りラインとが配置されていることを特徴とする。
ラジカルが多く生成する理由は、硫酸電解液中の過硫酸とオゾンガス気泡とが接する気泡界面において、過硫酸の分解で生成した硫酸ラジカルやOHラジカルによりオゾンの分解を促進することによって、さらに硫酸ラジカルおよびOHラジカルを生成するためであると推定される。よって本発明ではラジカルを生成しているところにオゾンを吹き込む必要がある。なお、上記機構の詳細は必ずしも明らかにはなっていない。
このため、硫酸電解液にオゾンガスを供給(望ましくはバブリング)することで、アッシングウエハのみならず、アッシングレスウエハの処理も短時間で行うことが可能となり、例えば1時間あたりのウエハ処理枚数(スループット)を大幅に増やすことができる。
以下に、本発明をさらに説明する。
本発明で用いる過硫酸とは、ペルオキソ一硫酸(H2SO5)およびペルオキソ二硫酸(H2S2O8)を示す。これらペルオキソ一硫酸およびペルオキソ二硫酸とオゾンは、いずれも高い酸化力を有する。
ペルオキソ一硫酸は、以下の反応式に示すように硫酸とオゾンとの反応によって生成させることができる。
3H2SO4+O3→3H2SO5
一方、ペルオキソ二硫酸は、以下の反応式に示すように硫酸溶液の電解酸化により生成させることができる。
2SO4 2−→S2O8 2−+2e−
又は、
2HSO4 −→S2O8 2−+2H++2e−
S2O8 2−→2SO4・−
生成した硫酸ラジカルは、溶液中に溶解しているレジストの分解およびオゾンガスと過硫酸溶液の気液界面でオゾンと反応し、オゾンの分解も促進することによって、OHラジカル(OH・)を生成し、加速度的(スパイラル状)にラジカル分解反応が進行する。そのため、ラジカル量は硫酸電解液を単独で使用するときよりもラジカル量が格段に増え、レジストの分解を短時間に実施するできるものと考えられる。
電解部では、硫酸溶液に陽極および陰極を接触させ、電極間に電流を流して電気分解することによって硫酸イオン又は硫酸水素イオンを酸化してペルオキソ二硫酸イオンを生成させ、過硫酸濃度が十分に高い硫酸溶液を再生する。再生した過硫酸含有硫酸溶液を、循環ラインを通して洗浄槽に返送し、レジストの剥離洗浄に再使用する。このように、過硫酸含有硫酸溶液を洗浄槽と電解部との間で繰り返し循環することで、剥離洗浄に用いる過硫酸含有硫酸溶液の過硫酸イオン組成を、レジストの剥離洗浄に好適な高濃度に維持した状態で効率的な洗浄を継続することができる。
上記過硫酸含有硫酸溶液は、洗浄に際し130℃超〜190℃の液温を有するのが望ましい。該液温は過硫酸含有硫酸溶液を加熱することにより調整する。洗浄槽内での過硫酸含有硫酸溶液の液温が130℃以下であると、過硫酸の分解で生成される硫酸ラジカルやOHラジカルの量が少なく、酸化力が十分に得られないだけでなく、オゾンの分解促進作用が十分に得られなくなる。一方、190℃を超えると過硫酸含有硫酸溶液の沸騰の恐れが高くなり、また部材が熱により変形する恐れもあるため好ましくない。したがって、過硫酸含有硫酸溶液の液温は下限を130℃超、上限を190℃とするのが望ましい。ただし硫酸濃度が低いと190℃未満でも沸騰することがあるので190℃以下でかつ沸点以下とする。
本発明で用いるオゾンガスの発生機構には特に制限はない。酸素ガスを無声放電して生成するオゾンガスでもよいし、水を電気分解して生成するオゾンガスでもよい。
無声放電方式で用いられる酸素ガスの純度には特に制限はないが、より好ましくは99.99体積%以上の純度を有する酸素ガスを使うことが望ましい。
電気分解方式で用いられる水の純度に特に制限はないが、より好ましくは18MΩ・cm以上の水質であることが望ましい。
オゾンガスの濃度には特に制限はないが、100g/Nm3以上、より好ましくは200g/Nm3以上であることが望ましい。オゾンガスは通常20℃程度であるが、過硫酸含有硫酸溶液に供給したときの酸化反応効率を高めるため、また、過硫酸含有硫酸溶液の温度を不均等にしないためヒーターなどで事前に50℃以上に加熱昇温しておいてもよい。放電方式のO3ガス濃度は14体積%程度であり、この程度のO3ガスであれば爆発の危険性は低いので100℃までは昇温可能である。なお、あまりに高温では安全性に加えてO3ガスの半減期が短いので好ましくない。
比較的低温のオゾンガスが過硫酸溶液中に供給されることで、過硫酸溶液の温度調整として内部加熱器を効果的に用いることができる。
また、本発明において、洗浄槽内でオゾンガスを効率良く微細な気泡でバブリングすることのできるノズルを用いることで、気泡と硫酸電解液の界面にてラジカルが効率良く発生するためより高い洗浄効果を得ることができる。
本発明においては、その優れた洗浄効果により、アッシング処理を施していない電子材料に対しても本発明の洗浄方法を適用することができ、この場合においても、電子材料上にレジストが残留することなくオゾンガスバブリングを行っている硫酸電解液処理で確実に、かつ、短時間での処理が行え、一連のレジスト剥離処理に要する時間を一層短縮して効率的な洗浄を行うことができる。
洗浄槽内でのオゾンガスのバブリング方法には特に制限はない。配管を切りっぱなしの形状でもよいが、より好ましくはバブリングノズルが望ましい。バブリングノズルの材質は耐熱性耐酸性、耐酸化性を有するものであれば特に制限はないが、焼結ガラス製、PTFE製、PFA製などのノズルを用いることが望ましい。
洗浄槽は、1つの槽で構成することができるが、過硫酸含有硫酸溶液を収容した洗浄槽を2槽以上ならべて構成することもでき、2槽目以降の洗浄槽ではオゾンガスの供給を行わないものとしてもよい。また、これらの洗浄工程間にはリンスを行ってもよい。
この剥離洗浄の洗浄方式は、複数枚の電子材料を一括して洗浄処理するバッチ式で行うものに好適である。バッチ式洗浄は、通常、複数枚の電子材料を洗浄槽内の洗浄液に浸漬することにより行われる。
本発明において洗浄対象となる電子材料は、例えば、半導体基板、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、およびそのフォトマスク等の製造工程において、レジストパターンが形成された電子材料である。
通常、電子材料上のレジスト膜の厚さは0.1〜5.0μm程度であるが、何らこの厚さに限定されるものではない
(実施形態1)
図1は、本発明の電子材料洗浄装置1の一実施形態を示すものであり、硫酸電解装置10と洗浄機20とを備えている。
硫酸電解装置10は、電解部11を備えており、ホウ素をドープしたダイヤモンド電極により構成された陽極および陰極(図示しない)が内部に配置され、両電極には図示しない電源が接続されている。なお、陽極、陰極以外にバイポーラ電極を備えるものであってもよい。
また、循環ライン13の送り側には、過硫酸含有硫酸溶液を循環させる循環ポンプ15が介設されている。なお、上記では、気液分離部14と電解液貯留槽12とをそれぞれ備えるものについて説明したが、電解液貯留槽12で気液分離部14を兼ねるものであってもよい。
以上の構成により硫酸電解装置10が構成されている。
循環ライン22の排液側には、送液ポンプ23とフィルタ24とインラインヒーター25とが介設されている。インラインヒーター25は、本発明の外部加熱器に相当する。
循環ライン22には、送液ポンプ23の下流側かつインラインヒーター25の上流側で、戻り循環ライン18が分岐接続されている。
また、戻り循環ライン18には、硫酸供給ユニット29が接続されており、初期稼働時や必要時に戻り循環ライン18を通して電子材料洗浄装置に硫酸を供給することができる。
上記インラインヒーター25は、上記したように本発明の過硫酸加熱部の外部加熱器に相当する。その構成は特に限定されず、既知のヒーターを用いることができるが、硫酸溶液を一過式で加熱するものが好ましい。
オゾン供給管26は、高温の過硫酸含有硫酸溶液と接触するので、耐熱性、耐酸性、耐酸化性を有するものが望ましく、焼結ガラス製、PTFE製、PFA製などとすることができる。なお、オゾン供給管26が過硫酸含有硫酸溶液と接触する部位のみを耐熱性耐酸性、耐酸化性の材質で構成してもよい。
上記オゾン供給管26とバブリングノズル27とによって、本発明のオゾン供給部が構成されている。
また、上記各構成により洗浄機20が構成されている。
また、上記洗浄槽21に接続された循環ライン22の分岐位置まで、戻り循環ライン18、電解部11の入液側に接続された循環ライン13は、本発明の戻りラインを構成している。
なお、電子材料洗浄装置1は、制御部2によって、硫酸電解装置10および洗浄機20の各部がそれぞれ制御されている。
電解液貯留槽12には、硫酸濃度70質量%以上、液温度40〜80℃の硫酸溶液が貯留される。硫酸溶液は、硫酸供給ユニット29によって、戻り循環ライン18を通して供給されている。硫酸溶液は、必要に応じて装置の稼働中または停止中にも硫酸供給ユニット29から供給することができる。
電解液貯留槽12に貯留された硫酸溶液は、循環ポンプ15によって循環ライン13を通して送液され、電解に好適な温度のままで電解部11の入液側に導入される。電解部11では、図示しない直流電源によって陽極、陰極間に通電され、電解部11内に導入された硫酸溶液が電解される。なお、該電解によって電解部11では、陽極側で過硫酸を含む酸化性物質が生成されるとともに酸素ガスが発生し、陰極側では水素ガスが発生する。
これらの酸化性物質とガスは、前記硫酸溶液と混在した状態で電解部11から排液され、気液分離部14でガス成分が分離され、本システム系外に排出されて触媒装置(図示しない)などにより安全に処理される。
送り循環ライン17で送られる過硫酸を含んだ硫酸溶液(過硫酸含有硫酸溶液)は、インラインヒーター25の上流側で循環ライン22に合流し、循環ライン22を通して洗浄槽21内に導入される。
インラインヒーター25では、過硫酸含有硫酸溶液が流路を通過しながら加熱される。このとき前記送り循環ライン17で送られた過硫酸含有硫酸溶液と混合されて、洗浄槽21内に供給された際に130℃超〜190℃(ただし過硫酸含有溶液の沸点以下)の範囲の液温を有するように加熱が行われる。
半導体材料100は、洗浄槽21内で、過硫酸含有硫酸溶液中に浸漬して処理が行われる。この際にオゾン発生器28でオゾンガスを発生させ、オゾン供給管26を通してバブリングノズル27にオゾンガスを供給する。すると、バブリングノズル27からはバブリングされたオゾンガスが放出され、循環ライン22で供給される過硫酸含有硫酸溶液と直ちに接触する。
半導体材料100は、過硫酸の自己分解による酸化力や硫酸の酸化力、オゾンの分解による酸化力などによって表面のレジスト等が短時間で剥離除去され、溶液中に移行したレジストも容易に分解される。
上記硫酸溶液の循環を繰り返すことで、過硫酸濃度が安定した状態で電子材料100の洗浄を行うことができ、オゾンガスのバブリングによって洗浄時間を十分に短縮化することができる。
なお、超純水としては、下記条件をいずれも満たす純水が望ましい。
電気比抵抗 :18MΩ・cm以上
金属イオン濃度:5ng/L以下
残留イオン濃度:10ng/L以下
微粒子数 :1mL中に0.1μm以上の微粒子5個以下
TOC :0.1〜10μg/L
洗浄後は、リンス工程を実施する場合はその後、常法に従って、スピン乾燥、IPA乾燥することにより一連のレジスト剥離洗浄除去処理を終了することができる。レジストを除去した電子材料は、次工程へ送られる。
なお、本発明によるレジストの剥離洗浄を行うに先立ち、アッシング処理を行ってもよい。アッシング処理は、常法に従って、酸素プラズマなどにより、電子材料上のレジストを灰化処理することにより行われる。
ただし、本発明においては、オゾンガスバブリングした硫酸電解液を用いれば、アッシング処理を省略してもレジスト残渣の問題を引き起こすことなく、確実にレジストを洗浄除去することができる。アッシング処理の省略で、一連のレジスト剥離処理に要する時間とコストの大幅な削減が可能となる。
次に他の実施形態を図2に基づいて説明する。
この実施形態2は、オゾン供給管26にオゾンガスを加熱するオゾンガス加熱器30を備えている以外は、前記実施形態1と同様の構成を有している。以下では、前記実施形態1と同様の構成については省略または簡略化して説明する。
オゾンガス加熱器30は、本発明のオゾンガス加熱部に相当し、オゾン供給管26で供給されるオゾンガスを加熱するものである。その際には、洗浄槽21で過硫酸含有硫酸溶液に供給する際にオゾンガスを50℃以上に昇温した状態になるように加熱している。
過硫酸含有硫酸溶液中に適度に加熱されたオゾンガスが供給されることで、過硫酸含有硫酸溶液中の温度分布を均等に保つことができるとともに、過硫酸の自己分解によって生成した硫酸ラジカルによってオゾンガスがより効果的に分解され、酸化力を高めて半導体材料100の洗浄処理をより短時間で行うことを可能にする。
なお、オゾンガス加熱器30の構成は、本発明としては特に限定されるものではなく、既知のものなどを用いることができる。要は、オゾンガスを適温に加熱できるものであればよい。
以下の条件で洗浄試験を行い、各実験方式の処理時間を比較した。試験結果は表1に示した。
<条件>
ウエハサイズ :150mm(ドーズ量:5×1014atoms/cm2,ドーズ元素:Bドーズ品。)
レジスト塗布厚み :1.7μm
アッシング有無 :アッシングレス
一回の処理枚数 :50枚/ロット
処理数 :4ロット/時間〜6ロット/時間
洗浄槽内処理温度 :140℃
硫酸 :電子工業グレード96質量%
過酸化水素 :電子工業グレード30質量%
・過硫酸含有の硫酸電解液の場合は、回収した溶液を再度電解セルに通して再利用。硫酸濃度は85質量%で一定。
・レジスト剥離時間はウエハ上からレジストが剥離するまでの時間を目視により確認した。
・液回復時間は、目視による(処理液が透明に戻るまでの時間とした)。
・なお、時間は処理したロット枚で多少異なったため、最小値と最大値を載せた。
また、本実施例では最大値も他の条件よりも短いため、スループット向上に大きな優位性が認められた。
そのため、オゾンガスバブリングした硫酸電解液で洗浄することによりレジスト剥離時間が短縮でき、かつ、液回復時間が短縮できたことにより、レジスト剥離に要する時間を15分間から10分間に短縮できた。結果、1時間あたりに処理できる枚数は、200枚/時間から300枚/時間になり、単位時間あたりの処理効率は50%向上した。
10 硫酸電解装置
11 電解部
12 電解液貯留槽
13 循環ライン
17 送り循環ライン
18 戻り循環ライン
19 冷却器
20 洗浄機
21 洗浄槽
22 循環ライン
25 インラインヒーター
26 オゾン供給管
27 バブリングノズル
28 オゾン発生器
100 電子材料
Claims (16)
- 70質量%以上の硫酸溶液を電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液を電子材料に接触させて該電子材料を洗浄する電子材料洗浄方法において、
前記過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に前記電子材料を浸漬することによって前記接触による前記洗浄を行うとともに、前記洗浄中に前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することを特徴とする電子材料洗浄方法。 - 前記洗浄に用いた硫酸溶液を再び電解して過硫酸を再生し、前記過硫酸含有硫酸溶液を前記洗浄に再利用することを特徴とする請求項1記載の電子材料洗浄方法。
- 前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液が液温130℃超〜190℃(ただし前記過硫酸含有硫酸溶液の沸点以下)に加熱昇温されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子材料洗浄方法。
- 前記洗浄槽内に供給される前記オゾンガスが50℃以上に加熱昇温されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子材料洗浄方法。
- 前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液にバブリングした前記オゾンガスを供給することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子材料洗浄方法。
- 前記硫酸溶液の前記電解に用いる電極のうち、少なくとも陽極が導電性ダイヤモンド電極であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子材料洗浄方法。
- 前記電子材料が、アッシング処理をしていない電子材料であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子材料洗浄方法。
- 70質量%以上の硫酸溶液を電解する電解部と、
前記電解部で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、
該送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記オゾン生成部で生成されたオゾンを前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部と、を備えることを特徴とする電子材料洗浄装置。 - 前記洗浄槽の硫酸溶液を前記電解部に返流する戻しラインを備えることを特徴とする請求項8記載の電子材料洗浄装置。
- 前記洗浄槽内に収容される過硫酸含有硫酸溶液を加熱して前記洗浄槽内での過硫酸含有硫酸溶液の液温を130℃超〜190℃(ただし前記過硫酸含有硫酸溶液の沸点以下)に加熱昇温させる過硫酸加熱部を備えることを特徴とする請求項8または9に記載の電子材料洗浄装置。
- 前記過硫酸加熱部が、前記洗浄槽内に供給される過硫酸含有硫酸溶液を加熱する外部加熱器を有することを特徴とする請求項10記載の電子材料洗浄装置。
- 前記過硫酸加熱部が、前記洗浄槽内に収容されている過硫酸含有硫酸溶液を加熱する内部加熱器を有することを特徴とする請求項10または11に記載の電子材料洗浄装置。
- 前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾンを50℃以上に加熱昇温させるオゾン加熱部を備えることを特徴とする請求項8〜12のいずれか1項に記載の電子材料洗浄装置。
- 前記オゾン供給部は、前記オゾンガスをバブリングして前記洗浄槽内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するバブリングノズルを有しており、該バブリングノズルが焼結ガラス製またはPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製またはPFA(パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂)製であることを特徴とする請求項8〜13のいずれか1項に記載の電子材料洗浄装置。
- 前記電解部に備える電極のうち、少なくとも陽極が導電性ダイヤモンド電極で構成されていることを特徴とする請求項8〜14のいずれか1項に記載の電子材料洗浄装置。
- 前記オゾン供給部による前記過硫酸含有硫酸溶液へのオゾンの供給方向と、前記送りラインによる前記洗浄槽内への過硫酸含有硫酸溶液の供給方向とが交差し、供給された前記オゾンと供給された前記過硫酸含有硫酸溶液とが直ちに交流するように前記オゾン供給部と前記送りラインとが配置されていることを特徴とする請求項8〜15のいずれか1項に記載の電子材料洗浄装置。
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