KR20090110610A - 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR20090110610A
KR20090110610A KR1020080036200A KR20080036200A KR20090110610A KR 20090110610 A KR20090110610 A KR 20090110610A KR 1020080036200 A KR1020080036200 A KR 1020080036200A KR 20080036200 A KR20080036200 A KR 20080036200A KR 20090110610 A KR20090110610 A KR 20090110610A
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cleaning
substrate
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hydrofluoric acid
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KR1020080036200A
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이금주
백재직
황인석
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 세정하는 방법 관한 것이다. 본 발명은 인라인 혼합방식으로 불산 및 오존수를 혼합하여 기설정된 불산 농도를 가지는 세정액을 생성한다. 세정액은 0.04% 내지 0.15%의 불산 농도를 가질 수 있다. 본 발명은 기설정된 농도범위를 만족하는 세정액을 생성하고, 생성된 세정액의 농도를 일정하게 유지시켜, 기판 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
반도체, 세정, 인라인 혼합, 불산, 오존, 농도

Description

기판 처리 방법{method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조용 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 습식 세정 공정은 웨이퍼에 세정액을 공급하여 상기 웨이퍼 상의 이물질을 제거하는 공정이다. 이러한 습식 세정 공정들 중 오존 세정 공정(ozone cleaning process)은 오존 세정액을 웨이퍼 상에 공급하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클(particle), 반응 부산물(reaction byproduct), 감광액(photoresist), 그리고 유기 오염물질(organic contaminant) 등과 같은 이물질을 제거하는 공정이다. 상기 오존 세정액은 오존(O₃), 초순수(DIW:Deionized Water), 그리고 불산(HF)을 혼합한 혼합액일 수 있다.
이러한 오존 세정 공정을 수행하는 세정 장치는 통상적으로 혼합 용기, 버퍼 용기, 그리고 세정유닛을 가진다. 상기 혼합 용기는 상기 불산과 상기 오존을 혼합하여 상기 세정액을 생성한다. 보통 상기 혼합 용기는 상기 혼합 용기에 연결되는 순환라인을 통해 상기 혼합 용기 내 상기 불산과 상기 오존을 순환시켜 혼합함으로써, 상기 세정액을 생성할 수 있다. 상기 버퍼 용기는 상기 혼합 용기로부터 상기 세정액을 공급받아 이를 저장한다. 상기 세정유닛은 상기 버퍼 용기로부터 공급받은 상기 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼 상의 이물질을 제거한다.
그러나, 상술한 세정 장치는 상기 세정액의 농도 관리가 어렵다. 예를 들면, 일반적인 오존(O₃)은 산소가스(O, O₂)로 쉽게 분해된다. 따라서, 상기 혼합 용기가 기설정된 농도를 만족하는 세정액을 생성하더라도, 상기 혼합 용기 또는 상기 버퍼 용기에서 대기하는 상기 세정액의 대기 시간이 길어지면 상기 세정액의 오존 농도는 점차 떨어진다. 이에 따라, 상기 세정 공정시 사용되는 상기 세정액의 오존 농도는 기설정된 농도보다 낮을 수 있다. 기설정된 농도범위를 벗어난 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼를 세정하는 경우, 상기 웨이퍼 세정의 효율이 저하될 수 있다.
본 발명은 기설정된 농도범위를 만족하는 세정액을 생성하고, 생성된 세정액의 농도를 일정하게 유지시켜 기판 세정 공정의 효율을 향상시키는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 불산과 오존수를 혼합하여 0.04% 내지 0.15%의 불산 농도를 가지는 세정액을 생성하는 단계 및 상기 세정액으로 기판 상의 이물질을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액은 5ppm 내지 100ppm의 오존 농도를 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액의 불산 농도가 0.04wt%보다 낮거나 0.15%를 초과하는 경우, 상기 세정액을 회수시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액의 오존 농도가 5ppm보다 낮거나 100ppm을 초과하는 경우, 상기 세정액을 회수시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 상의 이물질을 제거하는 단계는 상기 기판에 형성된 자기정렬 콘택홀들 상의 이물질을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액을 생성하는 단계는 인라인 혼합 방식으로 상기 세정액을 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 상의 이물질을 제거하는 단계는 매엽식 기판 세정 방식으로 상기 이물질을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 인라인 혼합방식으로 기설정된 농도범위를 만족하는 세정액을 안정적으로 생성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 기판 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있 도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각각의 도면들에 있어서, 기판 및 그 밖의 장치에 구비되는 구성들의 크기 및 형상은 본 발명의 기술적 특징을 명확히 나타내기 위해 과장된 것이다. 또한, "어느 대상물은 다른 대상물 상에 위치된다"라고 언급되는 경우에 상기 어느 대상물은 상기 다른 대상물의 표면에 접촉되어 배치되는 경우와 상기 다른 대상물과 이격되어 배치되는 경우를 모두 포함할 수 있다. 또한, 상기 어느 대상물이 상기 다른 대상물과 이격되어 배치되는 경우에는, 상기 어느 대상물과 상기 다른 대상물 사이에 또 다른 대상물이 더 개재될 수 있다. 그리고, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 매엽식으로 기판을 세정하는 방법을 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명에 따른 기판 처리 기술은 배치식으로 기판을 세정하는 방법에도 적용이 가능할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for cleaning substrate)(100)는 반도체 소자 제조용 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 세정할 수 있다. 상기 기판 처리 장치(100)는 기판 세정유닛(substrate cleaning unit)(110), 세정액 공급유닛(cleaning solution supply unit)(120), 그리고 제어유닛(control unit)(130)을 포함할 수 있다.
상기 기판 세정유닛(110)은 웨이퍼(W) 상의 이물질을 제거하는 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 세정유닛(110)은 매엽식 세정 공정을 수행할 수 있다. 상기 매엽식 기판 세정 공정은 한번의 세정 공정시 낱장의 웨이퍼(W)를 세정하는 공정일 수 있다. 상기 세정유닛(110)은 하우징(112), 척(114), 그리고 노즐(116)을 포함할 수 있다.
상기 하우징(112)은 상기 세정 공정이 수행되는 내부 공간을 가질 수 있다. 상기 하우징(112)은 상부가 개방된 컵(cup) 형상을 가질 수 있다. 상기 척(114)은 상기 세정 공정시 상기 하우징(112) 내부 공간에서 상기 웨이퍼(W)를 지지 및 회전시킬 수 있다. 이에 더하여, 상기 척(114)은 상기 세정 공정시 상기 웨이퍼(W)를 승강 및 하강시킬 수 있다. 상기 척(114)으로는 스핀척(spin chuck)이 사용될 수 있다. 상기 노즐(116)은 상기 세정 공정시, 상기 세정액 공급유닛(120)으로부터 공급받은 세정액을 상기 척(114)에 놓여진 상기 웨이퍼(W) 상으로 공급할 수 있다.
상기 세정액 공급유닛(120)은 상기 세정액을 생성하여 생성된 세정액을 상기 기판 세정유닛(110)으로 공급할 수 있다. 상기 세정액 공급유닛(120)은 제1 처리액 공급라인(122), 제2 처리액 공급라인(124), 혼합 라인(126), 그리고 회수 라인(129)을 포함할 수 있다. 상기 제1 처리액 공급라인(122)은 제1 처리액 공급원(121)으로부터 상기 혼합 라인(126)으로 제1 처리액을 공급할 수 있다. 제2 처리액 공급라인(124)은 제2 처리액 공급원(123)으로부터 상기 혼합 라인(126)으로 제2 처리액을 공급할 수 있다.
상기 혼합라인(126)의 일단은 상기 제1 및 제2 처리액 공급라인들(122, 124) 각각에 연결되고, 타단은 상기 노즐(116)에 연결될 수 있다. 상기 혼합라인(126) 상에는 제1 농도계측기(127), 제2 농도계측기(128), 그리고 제1 밸브(V1)가 구비될 수 있다. 상기 제1 농도계측기(127)는 상기 혼합 라인(126) 내 상기 세정액의 제1 처리액의 농도를 측정할 수 있다. 상기 제2 농도계측기(128)는 상기 혼합 라인(126) 내 상기 세정액의 제2 처리액의 농도를 측정할 수 있다. 상기 제1 밸브(V1)는 상기 노즐(116)로의 상기 세정액 공급량을 조절할 수 있다. 상기 회수 라인(129)은 상기 혼합 라인(126)의 상기 제1 밸브(V1) 전단으로부터 분기될 수 있다. 상기 회수 라인(129) 상에는 제2 밸브(V2)가 설치될 수 있다. 상기 제2 밸브(V2)는 상기 회수 라인(129)으로의 상기 세정액 공급량을 조절할 수 있다. 상기 회수 라인(129)은 상기 혼합 라인(126)으로부터 세정액을 수용하여, 이를 다시 상기 혼합 라인(126)으로 회수(return)시킬 수 있다. 또는, 다른 실시예로서, 상기 회수 라인(129)은 회수된 세정액을 상기 혼합 라인(126)으로 회수시키지 않고, 배수(drain)시킬 수 있다.
한편, 상기 세정액 공급유닛(120)은 인라인 혼합방식(in-line mixing method)으로 상기 세정액을 생성할 수 있다. 상기 인라인 혼합방식은 처리액들이 공정상 요구되는 지점으로 공급되는 동안에 상기 처리액들의 혼합을 완료시켜, 기설정된 농도의 혼합액을 생성시키는 처리액 혼합 방식일 수 있다. 이러한 인라인 혼합방식의 세정액 공급유닛(120)은 상기 세정액의 흐름이 정체되는 구성들(예컨대, 혼합탱크 및 버퍼탱크)을 사용하지 않고, 기설정된 농도범위를 만족하는 세정액을 생성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액은 상기 혼합 라인(126) 상에서 정체되지 않고, 상기 혼합 라인(126)을 따라 흐르는 동안 서로 혼합되어 기설정된 농도의 상기 세정액으로 생성될 수 있다.
상기 제어유닛(130)은 상기 세정액의 제1 처리액 농도 및 제2 처리액 농도 각각이 기설정된 농도범위를 벗어나는지를 판단하여, 상기 기판 처리 장치(100)의 매엽식 세정 공정을 제어할 수 있다. 상기 제어유닛(130)이 상기 매엽식 세정 공정을 제어하는 상세한 과정은 후술된다.
한편, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 상의 이물질을 제거하기 위한 용액일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 처리액은 불산(HF)이고, 제2 처리액은 오존수(ozonated water)일 수 있다. 상기 오존수는 초순수(DIW:Deionized Water)에 오존 가스(O₃)가 용해된 용액일 수 있다. 상기 세정액은 상기 불산과 상기 오존수가 균일하게 혼합된 혼합액일 수 있다. 상기 세정액 내 상기 오존수는 상기 웨이퍼(W) 상의 이물질을 산화시킬 수 있다. 상기 세정액 내 상기 불산은 상기 오존수에 의해 산화된 이물질을 상기 웨이퍼(W) 상으로부터 제거시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 세정액은 0.04wt% 내지 0.15wt%의 불산 농도를 가질 수 있다. 0.04%보다 낮은 불산 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 상기 세정액의 세정율이 낮아 상기 세정액이 상기 이물질을 제거하는 효율이 떨어질 수 있다. 예를 들면, 상기 세정 공정은 자기정렬 콘택홀들(self-align contact holes)(미도시됨)이 형성된 웨이퍼(W)를 세정하는 공정일 수 있다. 이 경우 상기 웨이퍼(W)에 형성된 자기정렬 콘택홀들 상에는 플라즈마 식각 공정시 발생되는 반응 부산물들 및 기타 미세오염입자들(예컨대, 파티클) 등과 같은 이물질이 잔류할 수 있다. 이때, 0.04%보다 낮은 불산 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 상기 세정액의 세정율이 낮아 상기 세정액이 상기 자기정렬 콘택홀들 상으로부터 상술한 이물질들을 효과적으로 제거하기 어렵다. 따라서, 상기 세정액의 불산 농도가 0.04%보다 낮은 경우에는 웨이퍼(W)의 세정 시간이 증가하여, 상기 기판 세정유닛(110)의 처리량(throughput)이 감소할 수 있다.
이와 반대로, 0.15%을 초과하는 불산 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 세정액은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 막들을 과식각(overetch)할 수 있다. 이에 따라, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 막들을 손상시킬 수 있다. 예를 들면, 0.15%를 초과하는 불산 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 상의 절연막, 예컨대 비피에스지(Boron Phosphorus Silicate Glass:BPSG) 및 플라즈마 강화 실리콘 질화막(Plasma Enhanced Nitride:PE-SiN) 등을 과도하게 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 막들 및 자기정렬 콘택홀들을 손상시킬 수 있다.
또한, 상기 세정액은 5ppm 내지 100ppm의 오존 농도를 가질 수 있다. 예를 들면, 5ppm보다 낮은 오존 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 오존이 상기 이물질을 산화시키는 효율이 낮아 상기 불산의 이물질 제거율이 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 세정액의 세정율이 감소하여 상기 세정 시간이 증가함으로써, 상기 세정유닛(110)의 기판 처리량이 감소할 수 있다. 이와 반대로, 100ppm을 초과하는 오존 농도를 가지는 세정액으로 상기 세정 공정을 수행하는 경우, 세정액이 상기 자기정렬 콘택홀들이 형성됨으로써 노출되는 상기 웨이퍼(W) 상의 막들을 과도하게 산화시킴으로써, 상기 막들의 특성을 변형시킬 수 있다.
계속해서, 앞서 설명된 기판 처리 장치(100)를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 방법을 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 설명된 기판 처리 장치(100)의 구성들에 대한 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 3 및 도 4a을 참조하면, 세정액 공급유닛(120)은 불산 및 오존수를 혼합하여 세정액을 생성한다(S110). 상기 세정액 공급유닛(120)은 앞서 설명된 인라인 혼합방식으로 상기 세정액을 혼합할 수 있다. 예를 들면, 제어유닛(130)은 제1 밸브(V1)를 클로우즈하고, 제2 밸브(V2)를 오픈시킨다. 혼합 라인(126)은 제1 및 제2 처리액 공급라인들(122, 124) 각각으로부터 상기 불산 및 상기 오존수를 공급받는다. 상기 불산 및 상기 오존수는 상기 혼합 라인(126)을 따라 흐르면서 서로 혼합됨으로써, 기설정된 농도범위를 가지는 세정액으로 생성될 수 있다. 생성된 세정액의 불산 농도는 0.04wt% 내지 0.15wt%일 수 있다. 이에 더하여, 상기 생성된 세정액의 오존 농도는 5ppm 내지 100ppm일 수 있다. 상기 생성된 세정액은 상기 혼합 라인(126)으로부터 회수 라인(129)으로 이동된 후 다시 혼합 라인(126)으로 리턴(return)될 수 있다. 이에 따라, 상기 생성된 세정액은 상기 혼합 라인(126) 및 상기 회수 라인(129)을 따라 계속적으로 순환될 수 있다.
제어유닛(130)은 상기 혼합 라인(126) 내 세정액의 불산 농도가 0.04wt% 내지 0.15%wt인지 여부를 판단한다(S120). 예를 들면, 상기 제어유닛(130)은 제1 농도계측기(127)로부터 상기 제1 농도계측기(127)가 측정한 상기 세정액의 불산 농도 데이터를 전송받는다. 상기 제1 농도계측기(127)가 측정한 상기 세정액의 불산 농 도가 0.04wt% 내지 0.15wt%인 경우, 상기 제어유닛(130)은 상기 세정액의 불산 농도가 기설정된 불산 농도를 만족하는 것으로 판단할 수 있다.
또한, 상기 제어유닛(130)은 상기 혼합 라인(126) 내 세정액의 오존 농도가 5ppm 내지 100ppm인지 여부를 판단한다(S130). 예를 들면, 상기 제어유닛(130)은 제2 농도계측기(128)로부터 상기 제2 농도계측기(128)가 측정한 상기 세정액의 오존 농도 데이터를 전송받는다. 상기 제2 농도계측기(128)가 측정한 상기 세정액의 오존 농도가 5ppm 내지 100ppm인 경우, 상기 제어유닛(130)은 상기 세정액의 오존 농도가 기설정된 오존 농도를 만족하는 것으로 판단할 수 있다.
한편, 상기 제어유닛(130)은 상기 세정액의 불산 및 오존 농도가 기설정된 농도범위를 벗어나면, 상기 기설정된 농도범위를 벗어나는 세정액을 회수시킬 수 있다(S140). 예를 들면, 상기 제1 농도계측기(127)가 측정한 상기 세정액의 불산 농도가 0.04%보다 낮거나 0.15%를 초과하는 경우, 상기 제어유닛(130)은 제1 밸브(V1)를 오픈시키지 않음으로써, 불산 농도가 벗어난 세정액을 상기 혼합라인(126)으로부터 상기 회수라인(129)으로 회수시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 농도계측기(128)가 측정한 상기 세정액의 오존 농도가 5ppm보다 낮거나 100ppm을 초과하는 경우, 상기 제어유닛(130)은 제1 밸브(V1)를 오픈시키지 않음으로써, 농도가 오존 농도가 벗어난 세정액을 상기 혼합라인(126)으로부터 상기 회수라인(129)으로 회수시킬 수 있다. 이때, 상기 세정액의 불산 및 오존 농도 중 적어도 어느 하나가 기설정된 농도 범위를 벗어나는 경우, 상기 제어유닛(130)은 작업자가 이러한 상황을 인지할 수 있도록 경보(alarm)를 발생시킬 수 있다.
도 3 및 도 4b를 참조하면, 세정유닛(140)은 매엽식으로 웨이퍼(W)를 세정한다(S150). 웨이퍼(W)의 세정 공정이 개시되면, 척(144)에 낱장의 웨이퍼(W)가 놓여진다. 상기 웨이퍼(W)는 자기정렬 콘택홀 형성 공정이 수행된 기판일 수 있다. 상기 척(144)은 하우징(142) 내부 공간에서 상기 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 상기 제어유닛(130)은 제2 밸브(V2)를 클로우즈하고 제1 밸브(V1)를 오픈시킨다. 이에 따라, 노즐(146)은 혼합 라인(126)으로부터 공급받은 세정액을 상기 웨이퍼(W) 상으로 공급할 수 있다. 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 상의 이물질을 제거한 후 상기 하우징(142)으로부터 배수될 수 있다. 여기서, 상기 웨이퍼(W)가 자기정렬 콘택홀 형성 공정이 수행된 기판인 경우, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 자기정렬 콘택홀들(미도시됨) 상의 이물질을 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 인라인 혼합 방식으로 불산 및 오존을 혼합하여 기설정된 농도범위를 만족하는 세정액을 생성할 수 있다. 또한, 본 발명은 생성된 세정액이 상기 세정액 공급유닛(120)에서 정체되지 않도록 하여, 상기 세정 공정시 기설정된 농도의 상기 세정액을 항상 공급할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 기판 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 세정액의 불산 농도에 따른 세정액의 식각율을 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4a 및 도 4b은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 기판 세정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
100 : 기판 처리 장치
110 : 기판 세정유닛
112 : 하우징
114 : 척
116 : 노즐
120 : 세정액 공급유닛
122 : 제1 처리액 공급라인
124 : 제2 처리액 공급라인
126 : 혼합라인
130 : 제어유닛

Claims (7)

  1. 불산과 오존수를 혼합하여 0.04% 내지 0.15%의 불산 농도를 가지는 세정액을 생성하는 단계; 및
    상기 세정액으로 기판 상의 이물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액은 5ppm 내지 100ppm의 오존 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액의 불산 농도가 0.04wt%보다 낮거나 0.15%를 초과하는 경우, 상기 세정액을 회수시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액의 오존 농도가 5ppm보다 낮거나 100ppm을 초과하는 경우, 상기 세정액을 회수시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 이물질을 제거하는 단계는 상기 기판에 형성된 자기정렬 콘택홀들 상의 이물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액을 생성하는 단계는 인라인 혼합 방식으로 상기 세정액을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 이물질을 제거하는 단계는 매엽식 기판 세정 방식으로 상기 이물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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