TWI806300B - 金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法，該製造方法中，先在形成有凹槽、導電柱的襯底上依次隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層，然後在凹槽中的金屬材料層上形成焊墊，之後覆蓋介質蓋帽層並進一步蝕刻介質蓋帽層、金屬材料層和蝕刻停止層形成金屬柵格。本發明的技術方案能夠改善沉積的金屬材料層表面的粗糙度，提高最終形成的金屬柵格的高度均一性，能從整體上降低金屬柵格的製造難度，節約成本，提高器件的最終性能。

Description

金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法
本發明關於影像感測器製造技術領域，尤指一種金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法。
影像感測器(Image Sensors)是攝像設備的核心部件，通過將光訊號轉換成電訊號實現影像拍攝功能。其中，CMOS影像感測器(CMOS Image Sensors，CIS)器件，以其具有低功耗和高訊比的優點，在各種領域內得到了廣泛應用。
影像感測器按照其接收輻射的方式分為背照式(Back-side Illumination，BSI)影像感測器和前照式(Front-side Illumination，FSI)影像感測器。在背照式影像感測器中，佈線等可能影響輻射接收的部件基本位於襯底的正面，光線從襯底的背面入射進入並入射光入射到襯底中的光電二極管處，由此不會被佈線遮擋，提高了入射光量，能夠顯著提高光照條件下的拍攝效果。
然而，現有的BSI影像感測器及其製造工藝，難以滿足更高性能的產品的發展需求。
本發明的目的在於提供一種金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法，能夠提高產品性能。
為解決上述技術問題，本發明提供一種金屬柵格的製造方法，包括：提供襯底，該襯底中形成有導電組件和導電柱，該襯底的表面形成 有凹槽，該導電柱填充在從該凹槽底面穿通至該導電組件的頂面的穿通孔中，並電性連接該導電組件；在該襯底、該導電柱以及該凹槽的表面上依次隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層；在該凹槽中的該金屬材料層上形成焊墊，並在該焊墊和該金屬材料層上覆蓋介質蓋帽層；蝕刻該凹槽外圍的介質蓋帽層、該金屬材料層和蝕刻停止層以形成金屬柵格。
可選地，該導電組件包括金屬互連結構；和/或，該蝕刻停止層為不同於氧化矽和氮化矽且能夠阻擋金屬材料層中的金屬向該襯底中擴散的材料。
可選地，在該襯底中形成該凹槽和該導電柱的步驟包括：蝕刻該導電組件上方的部分厚度的該襯底，以形成凹槽；在該襯底和該凹槽的表面上隨形覆蓋緩衝介質層，該緩衝介質層未填滿該凹槽；蝕刻該凹槽中的緩衝介質層和該襯底，直至暴露出該導電組件的頂面，以形成該穿通孔；在該穿通孔中填充導電材料，以形成該導電柱。
可選地，該緩衝介質層包括依次層疊的第一氧化層、氮化層以及第二氧化層；在該穿通孔中填充導電材料，以形成該導電柱的步驟包括：在該第二氧化層和該穿通孔中沉積導電材料，沉積的導電材料至少填滿該穿通孔；通過回蝕刻工藝和/或化學機械平坦化工藝，去除該第二氧化層和該氮化層，並去除該穿通孔外圍沉積的導電材料，以形成該導電柱。
可選地，提供具有該導電組件的襯底的步驟包括：提供一具有正面和背面的器件基底，在該器件基底的正面形成邏輯 器件和光電二極管；通過金屬互連工藝在該器件基底的正面上形成層間介質層，並在該層間介質層中形成金屬互連結構作為該導電組件，該金屬互連結構與該邏輯器件電性連接；提供承載基底，並在該承載基底上形成鍵合介質層；將該層間介質層鍵合到該鍵合介質層上，以形成具有該導電組件的襯底。
可選地，在將該層間介質層鍵合到該鍵合介質層上之後，對該器件基底的背面進行減薄，並進一步從背面蝕刻部分厚度的該器件基底，以形成該凹槽。
可選地，蝕刻該凹槽外圍的介質蓋帽層、該金屬材料層和蝕刻停止層，以形成金屬柵格時，通過過蝕刻工藝蝕刻打開該蝕刻停止層，以去除該蝕刻停止層下方部分厚度的膜層；和/或，在形成該金屬柵格之前或者之後，並蝕刻打開該焊墊頂面上的介質蓋帽層，以暴露出該焊墊的部分頂面。
基於同一發明構思，本發明還提供一種背照式影像感測器的製造方法，包括：提供具有像素區和邏輯區的襯底，並採用如上所述的金屬柵格的製造方法，在該襯底的邏輯區的背面上形成容置有焊墊的凹槽，在該襯底的像素區的背面形成金屬柵格。
基於同一發明構思，本發明還提供一種背照式影像感測器，其包括：具有像素區和邏輯區的襯底，該邏輯區位於該像素區的外圍，且該邏輯區的襯底表面形成有凹槽，導電組件，埋設在該邏輯區的襯底中；導電柱，填充在從該凹槽底面穿通至該導電組件的頂面的穿通孔中，並電性連接該導電組件； 依次隨形覆蓋在該襯底上的蝕刻停止層、金屬材料層和介質蓋帽層，其中，該像素區中的該蝕刻停止層、該金屬材料層和該介質蓋帽層被蝕刻打開，以形成金屬柵格，該邏輯區中位於該焊墊頂面上的介質蓋帽層被蝕刻打開，以暴露出該焊墊的部分頂面。
可選地，該襯底還包括：具有正面和背面的器件基底，該器件基底的邏輯區的正面上形成有邏輯器件，該凹槽形成在該器件基底的邏輯區的背面上，該器件基底的像素區的正面上形成有光電二極管；層間介質層，形成在該器件基底的正面上，並覆蓋該邏輯器件和該光電二極管，且該層間介質層中形成有作為該導電組件的金屬互連結構，該金屬互連結構與該導電柱和該邏輯器件電性連接。
與現有技術相比，本發明的技術方案至少具有以下有益效果之一：
1、在形成有凹槽、導電柱的襯底上依次隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層，由此，可以利用蝕刻停止層來改善沉積的金屬材料層表面的粗糙度，進而提高最終形成的金屬柵格的高度均一性，提高影像感測器的最終性能。
2、該蝕刻停止層為不同於氧化矽和氮化矽且能夠阻擋金屬材料層中的金屬向該襯底中擴散的材料，例如包括Ti、Ta、Cr、TiW、TiN和TaN中的至少一種，由此在通過蝕刻工藝形成金屬柵格時，可以選用金屬材料層相對蝕刻停止層有較高的蝕刻選擇比的蝕刻劑，進而避免現有技術中需要進一步蝕刻金屬材料層底部的氧化矽層和氮化矽層而造成金屬材料層頂面上的介質蓋帽層有表面凹坑(pinhole)缺陷以及金屬材料層底部下方有多餘的氮化矽層殘留等問題，進一步提高影像感測器的最終性能。
3、在蝕刻該凹槽外圍的介質蓋帽層、該金屬材料層和蝕刻停止層以形成金屬柵格時，可以在蝕刻打開蝕刻停止層時進行過蝕刻，以蝕刻去除蝕刻 停止層下方的部分厚度的膜層，由此省去現有技術中需要額外的製程來蝕刻金屬材料層底部的氧化矽層和氮化矽層的工藝，節約了成本。
4、在蝕刻金屬材料層形成金屬柵格之前，先在凹槽中的金屬材料層上形成焊墊，並使得介質蓋帽層覆蓋在該焊墊和該金屬材料層上，由此在介質蓋帽層的保護作用下，蝕刻該凹槽外圍的介質蓋帽層、該金屬材料層和蝕刻停止層以形成金屬柵格，由此省去現有技術中在介質蓋帽層頂面上沉積硬掩膜層的步驟，進一步節約了成本。
5、能夠從整體上降低金屬柵格的製造難度，從而滿足產品對更高性能的影像感測器的需求。
100,200:襯底
101,203:緩衝介質層
102:鎢層
103,208:介質蓋帽層
104:硬掩膜層
105:光刻膠層
202:底部抗反射塗層
204:導電柱
205:蝕刻停止層
206:金屬材料層
207:焊墊
209:網格
200a:導電組件
200b:器件基底
200c:層間介質層
200d:承載基底
203a:第一氧化層
203b:氮化層
203c:第二氧化層
204a:凹槽
204b:溝槽
204c:穿通孔
208a:開口
I:像素區
II:邏輯區
第1圖是現有的一種金屬柵格的製造方法中的器件剖面結構示意圖。
第2圖是本發明一實施例的金屬柵格的製造方法的流程圖。
第3圖是本發明一實施例的金屬柵格的製造方法中的器件剖面結構示意圖。
第4圖是本發明一實施例的背照式影像感測器的剖面結構示意圖。
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對於本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對於本領域公知的一些技術特徵未進行描述。應當理解的是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為侷限於這裡提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，並且將本發明的範圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被誇大。自始至終相同附圖符號表示相同的元件。應當明白，當元件或層被稱為"在…上"、"連接 到"其它元件或層時，其可以直接地在其它元件或層上、連接其它元件或層，或者可以存在居間的元件或層。相反，當元件被稱為"直接在…上"、"直接連接到"其它元件或層時，則不存在居間的元件或層。儘管可使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區、層和/或部分，這些元件、部件、區、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區、層或部分與另一個元件、部件、區、層或部分。因此，在不脫離本發明教導之下，下面討論的第一元件、部件、區、層或部分可表示為第二元件、部件、區、層或部分。空間關係術語例如“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“在……之上”、“在上面”、“上面的”等，在這裡可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係。應當明白，除了圖中所示的取向以外，空間關係術語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉，然後，描述為“在……之下”、“在下面”、“下面的”元件或特徵將取向為在其它元件或特徵“上”。器件可以另外地取向(旋轉90度或其它取向)並且在此使用的空間描述語相應地被解釋。在此使用的術語的目的僅在於描述具體實施例並且不作為本發明的限制。在此使用時，單數形式的"一"、"一個"和"所述/該"也意圖包括複數形式，除非上下文清楚的指出另外的方式。還應明白術語“包括”用於確定可以特徵、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特徵、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語"和/或"包括相關所列項目的任何及所有組合。
以下結合附圖和具體實施例對現有技術和本發明提出的技術方案作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
為降低不同的背照式影像感測器件所接收到的光的光學串擾，需要形成金屬柵格以隔離光，而現有的背照式影像感測器中的金屬柵格的製造工藝，通常包括以下步驟：首先，請參考第1圖(A)，提供一具有像素區(未圖示)和邏輯區(未圖示)的襯底100，該邏輯區的襯底正面上形成有邏輯器件(未圖示)和金屬互連結構(未圖示)，該邏輯區的襯底的背面上形成有凹槽(未圖示)，該凹槽底部的襯底中形成有導電柱(TSV，未圖示)，該凹槽的底面上形成有焊墊(Bond PAD，未圖示)，該焊墊的底面與該導電柱的頂面電性接觸，該導電柱的底面與該金屬互連結構的頂面電性接觸；接著，請繼續參考第1圖(A)，在該襯底100的背面上依次覆蓋ONO緩衝介質層101(即包括依次層疊在襯底100背面上的氧化矽層、氮化矽層和氧化矽層)、鎢(W)層102(通常為採用CVD方式)、介質蓋帽層103(即包括依次層疊在鎢層102表面上的氧化矽層、氮化矽層和氧化矽層)以及硬掩膜層104，並通過光刻膠塗覆和顯影等光刻工序在硬掩膜層104上形成圖案化的光刻膠層105，其中，該硬掩膜層104通常包括APF(AdvancedPatterning Film，無定形碳材料)層、SOC(旋塗碳層)層和ODL(organic dielectriclayer，有機介電)層中的至少一層；然後，請參考第1圖(B)，以圖案化的光刻膠層105為掩膜，蝕刻硬掩膜層104和介質蓋帽層103，至暴露出鎢層102表面；然後，請參考第1圖(C)，去除圖案化的光刻膠層105、硬掩膜層104以及介質蓋帽層103中的頂層的氧化矽層，並以剩餘的介質蓋帽層103為掩膜，蝕刻鎢層102，以形成金屬柵格(Grid)，金屬柵格之間形成網格；之後，請參考第1圖(D)，以剩餘的介質蓋帽層103和金屬柵格為掩膜，蝕刻去除網格中(即剩餘的鎢層102底部外圍)的緩衝介質層101中的頂層的氧化矽層和氮化矽層。
接著，在該網格內形成濾光鏡彩膜(Color Filter)矩陣。
然而，當前，像素尺寸減小、像素數量增加以及背面的金屬柵格高度增加是當前背照式影像感測器的主流發展趨勢。但是現有技術中製造金屬柵格的工藝存在以下缺陷：1、由於採用CVD方式直接沉積鎢層102在氧化矽上，導致沉積的鎢層的表面非常粗糙，由此使得形成的金屬柵格的最終高度的均一性不好，影響後續濾光鏡彩膜矩陣的形成和影像感測器的最終性能；2、蝕刻鎢層102形成金屬柵格之後，還需要進一步蝕刻去除金屬柵格之間的網格底部的氧化矽和氮化矽，該蝕刻工藝會造成金屬柵格頂面上的氧化矽層受損、金屬柵格的外圍區域(包含邏輯區和部分像素區在內的區域)中的鎢層102頂面上的氧化矽層表面凹坑(surface pinhole)以及金屬柵格之間的網格底部有氮化矽殘留等缺陷。
上述缺陷均限制了背照式影像感測器的性能提高。
基於此，本發明提供一種金屬柵格的製造方法、背照式影像感測器及其製造方法，能夠提高金屬柵格的最終高度的均一性，改善器件缺陷，進而提高器件的最終性能。
請參考第2圖，本發明一實施例提供一種金屬柵格的製造方法，其包括以下步驟：S1，提供襯底，該襯底中形成有導電組件和導電柱，該襯底的表面形成有凹槽，該導電柱填充在從該凹槽底面穿通至該導電組件的頂面的穿通孔中，並電性連接該導電組件；S2，在該襯底、該導電柱以及該凹槽的表面上依次隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層；S3，在該凹槽中的該金屬材料層上形成焊墊，並在該焊墊和該金屬 材料層上覆蓋介質蓋帽層；S4，蝕刻該凹槽外圍的介質蓋帽層、該金屬材料層和蝕刻停止層以形成金屬柵格。
請參考第3圖(A)至第3圖(C)和第4圖，在步驟S1中，提供形成有導電組件200a、凹槽204a、穿通孔204c以及導電柱204的襯底200的過程包括：
步驟S1.1，請參考第3圖(A)和第4圖，提供一具有正面(即第4圖中200b朝下的一面)和背面(即第4圖中200b朝上的一面)的器件基底200b，器件基底200b可以是本領域技術人員所熟知能用於製作影像感測器的任意合適的襯底材料，諸如Si、SiGe、SiGeC、SiC、GaAs、InAs、InP等半導體材料。通過積體電路製造的前道製程(FEOL)在器件基底200b的正面進行離子注入、器件隔離結構(例如淺溝槽隔離結構STI、深溝槽隔離結構DTI或者局部場氧隔離結構等)製造等，形成邏輯器件和光電二極管。其中，光電二極管位於像素區I，可以按行和按列排佈成陣列，邏輯器件可以位於像素區I外圍的邏輯區II，包括多種無源和有源微型電子部件，諸如包括電阻器、電容器、電感器、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、互補MOS(CMOS)晶體管、雙極結型晶體管(BJT)、橫向擴散MOS(LDMOS)晶體管、高功率MOS晶體管、鰭型場效應晶體管(FinFEF)等中的至少一種。
步驟S1.2，請繼續參考第3圖(A)和第4圖，進入積體電路製造的後道製程(BEOL)，通過金屬互連工藝(例如包括接觸孔工藝、大馬士革工藝和焊墊工藝中的至少一種)，在該器件基底200b的正面上形成層間介質層200c，並在該層間介質層200c中形成金屬互連結構作為該導電組件200a，該金屬互連結構與該邏輯器件電性連接。層間介質層200c可以是單層結構，也可以是多層膜層疊的結構，其在製作金屬互連結構的相應金屬層時來沉積。金屬互連結構包括多層金屬線以及連通兩層金屬線的通孔(via)。在一些示例性實施例中，層間介質 層200c可以包括低k介電層、高k介電層、氧化矽層、氮化矽層、有機材料(例如聚醯亞胺)層、TEOS氧化物、磷矽酸玻璃(PSG)、硼磷矽玻璃(BPSG)、氟矽玻璃(FSG)、碳摻雜氧化矽等中的至少一種。低k介電層具有低於3.0的k值，高k介電層具有大於7.0的k值。本實施例中，金屬互連結構的表面與層間介質層200c的表面齊平，以提供鍵合界面。
步驟S1.3，請繼續參考第3圖(A)和第4圖，提供承載基底200d，並在該承載基底200d上形成鍵合介質層，鍵合介質層可以包括氧化矽和/或氮化矽等。承載基底200d可以是經過再佈線加工或者其他部件加工等的基底，也可以是裸矽襯底或玻璃。其可以提供用於處理器件基底200b的背面的機械強度和支撐。
步驟S1.4，請繼續參考第3圖(A)和第4圖，將該層間介質層200c鍵合到該承載基底200d的鍵合介質層上，並進一步對器件基底200b的背面(即器件基底200b背向承載基底200d的一面)進行研磨減薄，以使得光能夠從器件基底200b的背面進入並到達像素區I中的光電二極管處。
步驟S1.5，請繼續參考第3圖(A)和第4圖，對器件基底200b的背面進行溝槽蝕刻，以形成深度達到要求的凹槽204a。
可選地，在蝕刻器件基底200b的背面形成凹槽204a的同時，還在器件基底200b的像素區I中形成若干個線寬小於凹槽204a的溝槽204b，或者，在蝕刻器件基底200b的背面形成凹槽204a之後，且在形成緩衝介質層203之前，先在器件基底200b的背面形成襯墊氧化層(未圖示)，然後從器件基底200b的背面蝕刻凹槽204a外圍的區域(即像素區I)中的襯墊氧化層和器件基底200b，以形成若干個線寬小於凹槽204a的溝槽204b；亦或者，在蝕刻器件基底200b的背面形成凹槽204a之前，先在器件基底200b的像素區I中形成若干個線寬小於凹槽204a的溝槽204b。
其中，溝槽204b的深度可以小於、等於或大於凹槽204a的深度，溝槽 204b中需要填充隔離介質材料以用於形成深溝槽隔離結構，該深溝槽隔離結構能夠對器件基底200b中已形成的光電二極管等器件對進行物理隔離、電學隔離，因此，溝槽204b的數量可以與已形成在器件基底200b像素區I中的光電二極管或者後續需要在器件基底200b像素區I上形成的金屬柵格的數量一致。
在本發明的其他實施例中，也可以省去溝槽204b的形成。
步驟S1.6，請繼續參考第3圖(A)和第4圖，通過沉積或者塗覆等合適的工藝，在器件基底200b的背面以及凹槽204a的內表面上覆蓋緩衝介質層203。其中，緩衝介質層203可以是多層膜層堆疊的結構。作為一種示例，緩衝介質層203包括第一氧化層203a、氮化層203b以及第二氧化層(或者氮氧化層)203c，且第一氧化層203a的沉積厚度能夠填滿像素區中的溝槽204b，在沉積第一氧化層203a之後，先對第一氧化層203a進行頂面平坦化，以保證後續膜層在像素區I的厚度一致性，防止後續形成的金屬柵格的高度不均勻。緩衝介質層203的作用如下：(1)可以在後續蝕刻器件基底200b以形成穿通孔204c的工藝中，作為蝕刻停止層和保護器件基底200b的保護層；(2)可提供從器件基底200b背面入射的光傳播的路徑；(3)隔離用於製作金屬柵格的金屬材料層和器件基底200b。
可選地，在覆蓋緩衝介質層203之前，先通過沉積或者塗覆等合適的工藝，在器件基底200b的背面以及凹槽204a的內表面上隨形覆蓋一層或多層較薄的底部抗反射塗層202，可以包括氮化矽、氮氧化矽、高k介質、金屬氮化物(例如氮化鈦、氮化鉭)和金屬氧化物等中的至少一種。進一步可選地，底部抗反射塗層202帶有負電荷，光從器件基底200b的背面一側入射，進入器件基底200b中，經器件基底200b中的光電二極管產生電子，底部抗反射塗層202上的負電荷與光電二極管產生的電子相互排斥，如此一來，電子向遠離底部抗反射塗層202的方向移動，從而可以抑制噪點和暗電流的產生。
步驟S1.7，請繼續參考第3圖(B)和第4圖，通過光刻結合蝕刻的工 藝，蝕刻凹槽204a底部的部分區域(即對準導電組件200a的區域)中的緩衝介質層203、底部抗反射層202以及器件基底200b，直至暴露出導電組件200a的頂面(即導電組件200a朝上且面向凹槽204a的表面)，形成穿通孔204c。
步驟S1.8，請參考第3圖(B)、第3圖(C)和第4圖，首先，通過物理氣相沉積(PVD)或者化學氣相沉積(CVD)等合適工藝，沉積導電材料至緩衝介質層203、凹槽204a以及穿通孔204c的表面上，且沉積的導電材料至少填滿穿通孔204c，沉積的導電材料可以包括金屬(例如包括Co、W、Cr、Mo、Ni、Cu等中的至少一種)、摻雜的多晶矽、金屬矽化物等中的至少一種；然後，通過回蝕刻工藝和/或化學機械平坦化(CMP)工藝，去除第二氧化層203c和該氮化層203b，並去除該穿通孔204c外圍多餘的導電材料，以形成導電柱204。在凹槽204a的底面處，導電柱204的頂面與第一氧化層203a的頂面基本齊平。
請參考第3圖(D)和第4圖，在步驟S2中，首先，通過化學氣相沉積或原子層沉積等合適的工藝，在第一氧化層203a和導電柱204的表面上覆蓋蝕刻停止層205；然後，通過化學氣相沉積或原子層沉積等合適的工藝，在蝕刻停止層205上覆蓋用於製作金屬柵格的金屬材料層206。
其中，蝕刻停止層205和金屬材料層206在像素區I中的堆疊厚度需要滿足影像感測器對金屬柵格高度的需求。該蝕刻停止層205為不同於氧化矽和氮化矽的材料，且蝕刻停止層205的設置需要起到如下作用：(1)能夠為金屬材料層206在像素區I中的沉積提供平坦的界面，保證像素區I中沉積的金屬材料層206的膜厚均勻性，進而保證後續形成的金屬柵格的高度均勻性；(2)能夠阻擋金屬材料層206中的金屬向該器件基底200b中擴散；(3)能夠在後續蝕刻金屬材料層206形成金屬柵格的工藝中，作為蝕刻停止點，並使得金屬材料層206與之具有相對較高的蝕刻選擇比，保證蝕刻效果，避免金屬柵格之間的網格底部的蝕刻殘留；(4)能夠在後續蝕刻金屬材料層206形成金屬柵格的工藝中，使得金屬材 料層206與其表面上的介質蓋帽層208有較高的蝕刻選擇比，防止介質蓋帽層208的表面產生凹坑缺陷；(5)能夠使得形成的焊墊207通過金屬材料層206以及蝕刻停止層205與導電柱204電性導通。
作為一種示例，蝕刻停止層205的材料包括氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢化鈦(TiW)、矽化鈦(TiSi)、氮化矽鈦(TiSiN)、氮化矽鉭(TaSiN)、鎳釩(NiV)和氮化鎢(WN)等中的至少一種。
請參考第3圖(D)、第3圖(E)和第4圖，在步驟S3中，首先，可以通過物理氣相沉積(PVD)或者化學氣相沉積(CVD)等合適工藝，在金屬材料層206上覆蓋焊墊材料層；然後，通過光刻結合蝕刻的工藝，蝕刻焊墊材料層，去除凹槽204a外圍的焊墊材料層以及凹槽204a中的部分焊墊材料層，以形成與導電柱204對準的焊墊207，焊墊207通過底部的金屬材料層206和蝕刻停止層205與導電柱204電性連接；之後，通過旋塗或者化學氣相沉積等合適的工藝，在焊墊207及其暴露出的金屬材料層206的表面上隨形覆蓋介質蓋帽層208。其中，可選地，焊墊207的材料可以包括：鎳(Ni)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)等中的至少一種。介質蓋帽層208可以是單層膜結構，也可以是多層膜層疊的結構，其一方面用於保護待保留的金屬材料層206和焊墊207，另一方面能夠作為蝕刻金屬材料層206形成金屬柵格工藝的硬掩膜層，從而可以省去現有技術中在介質蓋帽層頂面上沉積硬掩膜層的步驟。可選地，介質蓋帽層208的材料可以包括氧化矽、氮化矽和氮氧化矽中的至少一種。作為一種示例，介質蓋帽層208為依次堆疊在金屬材料層206上的氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層的結構。可選地，介質蓋帽層208的厚度不足以填滿凹槽204a，以在焊墊207周圍形成縫隙，該縫隙可以在後續在焊墊上進行打線或植球等焊接工藝時，阻擋焊接材料流動至凹槽204a外圍。
應當注意的是，焊墊207的形成方法也可以採用金屬剝離(lift-off) 工藝，其過程是：先形成光刻膠，並對光刻膠進行光刻，定義出待形成焊墊207的窗口，然後沉積焊墊材料層，之後將光刻膠和多餘的焊墊材料層一起去除，剩餘的焊墊材料層即為焊墊207。
請參考第3圖(E)、第3圖(F)和第4圖，在步驟S4中，首先，可以在介質蓋帽層208上進行光刻膠塗覆、曝光、顯影，在光刻膠層中定義出金屬柵格的圖案，然後以光刻膠層為掩膜，蝕刻像素區I(該凹槽204a外圍的區域)中的介質蓋帽層208和金屬材料層206至蝕刻停止層205的表面，然後去除光刻膠層，並以介質蓋帽層208為掩膜，蝕刻打開像素區I中的蝕刻停止層205，以暴露緩衝介質層203的表面，由此在像素區I中形成金屬柵格，金屬柵格之間形成暴露出緩衝介質層203的表面的網格209。然後，通過光刻結合蝕刻的工藝，蝕刻打開焊墊207上的介質蓋帽層208，形成暴露出焊墊207的部分頂面的開口208a。
可選地，蝕刻打開該像素區I的蝕刻停止層205時，可以進行一定的過蝕刻，以在蝕刻打開該蝕刻停止層205後，還進一步去除該蝕刻停止層205下方部分厚度的緩衝介質層203(例如蝕刻打開第二氧化層203c或者蝕刻打開第二氧化層203c和氮化層203b)。
應當注意的是開口208a的形成順序可以不限於上述舉例，在本發明的其他實施例中，可以在蝕刻像素區I的金屬材料層206以形成該金屬柵格之前或者之後，蝕刻打開該焊墊207頂面上的介質蓋帽層208，以暴露出該焊墊207的部分頂面的開口208a。
基於同一發明構思，請參考第2圖至第4圖，本發明一實施例還提供一種背照式影像感測器的製造方法，包括：提供具有像素區I和邏輯區II的襯底200，並採用如本發明所述的金屬柵格的製造方法，在該襯底200的邏輯區II的背面上形成容置有焊墊207的凹槽204a，在該襯底200的像素區I的背面形成金屬柵格。
其中，該邏輯區II的襯底200的正面還形成有導電組件200a，該凹槽204a底部下方的襯底200中還形成有導電柱204，該導電柱204填充在從該凹槽204a底面穿通至該邏輯區II中的導電組件200a的頂面的穿通孔204c中。其中，提供形成有導電組件200a、凹槽204a、穿通孔204c以及導電柱204的襯底200的過程如上文中的步驟S1所述，在此不再贅述。
焊墊207的底部還有與金屬柵格一道沉積形成的金屬材料層206和蝕刻停止層205，焊墊207的底面通過金屬材料層206和蝕刻停止層205與導電柱204的頂面電性導通。
綜上所述，本發明的金屬柵格的製造方法及背照式影像感測器的製造方法，其先在形成有凹槽、導電柱的襯底上依次隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層，然後在凹槽中的金屬材料層上形成焊墊，之後覆蓋介質蓋帽層並進一步蝕刻介質蓋帽層、金屬材料層和蝕刻停止層形成金屬柵格。本發明的技術方案能夠改善沉積的金屬材料層表面的粗糙度，提高最終形成的金屬柵格的高度均一性，且能避免現有技術中需要進一步蝕刻用於製作金屬柵格的金屬材料層(例如，鎢)底部的氧化矽層和氮化矽層而造成金屬柵格頂面上的介質蓋帽層有表面凹坑(pinhole)缺陷以及金屬柵格底部下方有多餘的氮化矽層殘留等問題，還能夠省去現有技術中需要額外的製程來蝕刻用於製作金屬柵格的金屬材料層底部的氧化矽層和氮化矽層的工藝，以及，省去現有技術中在介質蓋帽層頂面上沉積硬掩膜層的步驟，從整體上降低金屬柵格的製造難度，節約了成本，提高了器件的最終性能，從而滿足產品對更高柵格、更高性能的影像感測器的需求。
基於同一發明構思，請參考第3圖至第4圖，本發明一實施例還提供一種背照式影像感測器，其可以採用本發明的影像感測器的製造方法形成，該背照式影像感測器包括：具有像素區I和邏輯區II的襯底200，導電組件200a，導 電柱204，焊墊207，以及，依次隨形覆蓋在該襯底200的背面上的蝕刻停止層205、金屬材料層206和介質蓋帽層208。
其中，該邏輯區II位於該像素區I的外圍，且該邏輯區II的襯底200的正面埋設有導電組件200a，該邏輯區II的襯底200的背面形成有對應導電組件200a的凹槽204a，凹槽204a中容納有焊墊207，焊墊207形成在凹槽204a的底面上。該邏輯區II的襯底200的正面還可以形成有邏輯器件和器件隔離結構，導電組件200a可以是金屬互連結構，電性連接邏輯區II的襯底200中的邏輯器件。邏輯區II的襯底200正面的結構可以參考上文對步驟S1的相關描述，在此不再贅述。襯底200的背面上還形成有緩衝介質層203，緩衝介質層203覆蓋邏輯區II的襯底200的背面並從邏輯區II延伸到像素區I中。
導電柱204填充在從該凹槽204a底面穿通至該導電組件200a的頂面的穿通孔204c中，且底面電性連接該導電組件200a的頂面。導電柱204的材料可以參考上文中對步驟S1的相關描述，在此不再贅述。焊墊207的底面通過依次覆蓋在凹槽204a內壁上的蝕刻停止層205、金屬材料層206與導電柱204的頂面電性導通。
該像素區I中若干位置處的該蝕刻停止層205、該金屬材料層206和該介質蓋帽層208被蝕刻打開，形成金屬柵格，金屬柵格之間形成有能夠暴露出緩衝介質層203的表面的網格209。該邏輯區II中位於該焊墊207頂面上的介質蓋帽層208被蝕刻打開，以暴露出該焊墊207的部分頂面。
可選地，該襯底200還包括：具有正面和背面的器件基底200b，層間介質層200c以及承載基底200d。其中，該器件基底200b的邏輯區II的正面上形成有邏輯器件，該凹槽204a形成在該器件基底200b的邏輯區II的背面上，該器件基底200b的像素區I的正面上形成有光電二極管(未圖示)。層間介質層200c形成在該器件基底200b的正面上，並覆蓋該邏輯器件和該光電二極管，且該層間介質層 200c中形成有作為該導電組件200a的金屬互連結構，該金屬互連結構與該導電柱204和該邏輯器件電性連接。
本實施例的背照式影像感測器中的各結構的具體設置和選材可以參考上文中的金屬柵格的製造方法中的相應內容，在此不再贅述。本實施例的背照式影像感測器，金屬柵格的高度均勻性好，介質蓋帽層的表面的凹坑缺陷被大大改善，且金屬柵格之間的網格底部沒有蝕刻殘留，器件性能得到改善。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬本發明技術方案的範圍。
S1~S4:步驟

Claims (10)

  1. 一種金屬柵格的製造方法，包括：提供襯底，該襯底中形成有導電組件和導電柱，該襯底的表面形成有凹槽，該導電柱填充在從該凹槽底面穿通至該導電組件的頂面的穿通孔中，並電性連接該導電組件；在該襯底、該導電柱以及該凹槽的表面上隨形覆蓋蝕刻停止層和金屬材料層；在該凹槽中的該金屬材料層上形成焊墊，並在該焊墊和該金屬材料層上覆蓋介質蓋帽層；蝕刻該凹槽外圍的該介質蓋帽層、該金屬材料層和該蝕刻停止層，以形成金屬柵格。
  2. 如請求項1所述的金屬柵格的製造方法，其中該導電組件包括金屬互連結構；該蝕刻停止層為不同於氧化矽和氮化矽且能夠阻擋該金屬材料層中的金屬向該襯底中擴散的材料。
  3. 如請求項1所述的金屬柵格的製造方法，其中在該襯底中形成該凹槽和該導電柱的步驟包括：蝕刻該導電組件上方的部分厚度的該襯底，以形成該凹槽；在該襯底和該凹槽的表面上隨形覆蓋緩衝介質層，該緩衝介質層未填滿該凹槽；蝕刻該凹槽中的該緩衝介質層和該襯底，直至暴露出該導電組件的頂面，以形成該穿通孔；在該穿通孔中填充導電材料，以形成該導電柱。
  4. 如請求項3所述的金屬柵格的製造方法，其中該緩衝介質層包括依次層疊的第一氧化層、氮化層以及第二氧化層；在該穿通孔中填充該導 電材料，以形成該導電柱的步驟包括：在該第二氧化層和該穿通孔中沉積該導電材料，沉積的該導電材料至少填滿該穿通孔；通過回蝕刻工藝和化學機械平坦化工藝的至少其中之一，去除該第二氧化層和該氮化層，並去除該穿通孔外圍沉積的該導電材料，以形成該導電柱。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的金屬柵格的製造方法，其中提供具有該導電組件的該襯底的步驟包括：提供一具有正面和背面的器件基底，在該器件基底的正面形成邏輯器件和光電二極管；通過金屬互連工藝在該器件基底的正面上形成覆蓋該邏輯器件和該光電二極管的層間介質層，並在該層間介質層中形成金屬互連結構作為該導電組件，該金屬互連結構與該邏輯器件電性連接；提供承載基底，並在該承載基底上形成鍵合介質層；將該層間介質層鍵合到該鍵合介質層上，以形成具有該導電組件的該襯底。
  6. 如請求項5所述的金屬柵格的製造方法，其中在將該層間介質層鍵合到該鍵合介質層上之後，對該器件基底的背面進行減薄，並進一步從背面蝕刻部分厚度的該器件基底，以形成該凹槽。
  7. 如請求項1至4中任一項所述的金屬柵格的製造方法，其中蝕刻該凹槽外圍的該介質蓋帽層、該金屬材料層和該蝕刻停止層，以形成該金屬柵格時，通過過蝕刻工藝蝕刻打開該蝕刻停止層，以去除該蝕刻停止層下方部分厚度的膜層；在形成該金屬柵格之前或者之後，蝕刻打開該焊墊頂面上的該介質蓋帽層，以暴露出該焊墊的部分頂面。
  8. 一種背照式影像感測器的製造方法，包括：提供具有像素區和邏輯區的襯底，並採用如請求項1至7中任一項所述的金屬柵格的製造方法， 在該襯底的該邏輯區的背面上形成容置有焊墊的凹槽，在該襯底的該像素區的背面形成金屬柵格。
  9. 一種背照式影像感測器，包括：具有像素區和邏輯區的襯底，該邏輯區位於該像素區的外圍，且該邏輯區的該襯底表面形成有凹槽，導電組件，埋設在該邏輯區的該襯底中；導電柱，填充在從該凹槽底面穿通至該導電組件的頂面的穿通孔中，並電性連接該導電組件；依次隨形覆蓋在該襯底上的蝕刻停止層、金屬材料層，在該凹槽中的該金屬材料層上形成焊墊，並在該焊墊和該金屬材料層上覆蓋介質蓋帽層，其中，該像素區中的該蝕刻停止層、該金屬材料層和該介質蓋帽層被蝕刻打開，以形成金屬柵格，該邏輯區中位於該焊墊頂面上的該介質蓋帽層被蝕刻打開，以暴露出該焊墊的部分頂面。
  10. 如請求項9所述的背照式影像感測器，其中該襯底還包括：具有正面和背面的器件基底，該器件基底的該邏輯區的正面上形成有邏輯器件，該凹槽形成在該器件基底的該邏輯區的背面上，該器件基底的該像素區的正面上形成有光電二極管；層間介質層，形成在該器件基底的正面上，並覆蓋該邏輯器件和該光電二極管，且該層間介質層中形成有作為該導電組件的金屬互連結構，該金屬互連結構與該導電柱和該邏輯器件電性連接。
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CN115000113B (zh) * 2022-06-27 2024-05-03 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 背照式图像传感器及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012008120A1 (ja) * 2010-07-15 2012-01-19 コニカミノルタエムジー株式会社 金属格子の製造方法および金属格子
WO2013086813A1 (zh) * 2011-12-15 2013-06-20 中国科学院微电子研究所 半导体器件制造方法
US20190067345A1 (en) * 2017-08-22 2019-02-28 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Image sensor and manufacturing method thereof
CN110783358A (zh) * 2019-12-02 2020-02-11 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法
CN111029353A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法
CN112397541A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 背照式图像传感器的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187256B (zh) * 2011-12-29 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属栅极的形成方法
US8796805B2 (en) * 2012-09-05 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple metal film stack in BSI chips
KR102539472B1 (ko) * 2016-07-13 2023-06-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 제조 방법
CN106298829B (zh) * 2016-11-08 2019-05-03 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种金属栅格的形成方法
CN107221541B (zh) * 2017-05-23 2019-11-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 图像传感器的制备方法
KR102558828B1 (ko) * 2018-10-10 2023-07-24 삼성전자주식회사 차광 패턴을 포함하는 이미지 센서
US11121169B2 (en) * 2019-06-25 2021-09-14 Omnivision Technologies, Inc. Metal vertical transfer gate with high-k dielectric passivation lining
US11335817B2 (en) * 2019-08-15 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Composite etch stop layers for sensor devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012008120A1 (ja) * 2010-07-15 2012-01-19 コニカミノルタエムジー株式会社 金属格子の製造方法および金属格子
WO2013086813A1 (zh) * 2011-12-15 2013-06-20 中国科学院微电子研究所 半导体器件制造方法
US20190067345A1 (en) * 2017-08-22 2019-02-28 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Image sensor and manufacturing method thereof
CN110783358A (zh) * 2019-12-02 2020-02-11 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法
CN111029353A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法
CN112397541A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 背照式图像传感器的制造方法

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