KR102558828B1 - 차광 패턴을 포함하는 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

이미지 센서는 복수의 단위 화소들을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 적층 구조체; 및 상기 적층 구조체 상에서 상기 복수의 단위 화소들 사이에 배치되는 그리드 패턴을 포함하며, 상기 그리드 패턴은 란타늄 산화물(LaO), 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리실리콘(poly-Si) 중 적어도 하나를 포함하는 하부 그리드 패턴과, 상기 하부 그리드 패턴 상에 배치되며, 도전성 물질을 포함하는 상부 그리드 패턴을 포함할 수 있다.

Description

차광 패턴을 포함하는 이미지 센서{Image sensor including laser shield pattern}
차광 패턴을 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 입사광에 반응하는 반도체의 성질을 이용하여 이미지를 획득하는 장치로서, 입사광을 전기적 신호로 변환하는 광전 변환부 및 전기적 신호를 처리하여 데이터화하는 로직 회로부를 포함한다. 이미지 센서는 광전 변환부에 집광하도록 광전 변환부의 외부 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하는 마이크로 렌즈 어레이를 채용하여 광 감도를 향상시킬 수 있다.
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 이미지 센서도 고집적화고 있다. 이에 따라 각각의 화소(pixel)의 크기들도 작아지고 있다. 이에, 미세 면적에서 낮은 크로스 토크와 높은 감도를 갖는 이미지 센서가 요구된다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 감도 특성이 보다 향상된 이미지 센서를 제공하는데 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 감도 특성이 보다 향상된 이미지 센서 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 단위 화소들을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 적층 구조체; 및 상기 적층 구조체 상에서 상기 복수의 단위 화소들 사이에 배치되는 그리드 패턴을 포함하며, 상기 그리드 패턴은 란타늄 산화물(LaO), 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리 실리콘(poly-Si) 중 적어도 하나를 포함하는 하부 그리드 패턴과, 상기 하부 그리드 패턴 상에 배치되며, 도전성 물질을 포함하는 상부 그리드 패턴을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 빛을 제공받는 포토다이오드가 배치되는 생성하는 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 광학 블랙 영역을 포함하는 기판; 상기 광학 블랙 영역에 배치되는 광학 블랙 패턴을 포함하고, 상기 광학 블랙 패턴은 양 측벽의 하단부에 오목한 리세스부가 형성될 수 있다
본 개시의 실시예들에 따르면, 차광 패턴과 기판 사이에 식각 정지층이 제공되며, 단위 화소에서는 식각 정지층이 선택적으로 제거될 수 있다. 식각 정지층이 선택적으로 제거되면서 칼라 필터 하부의 투광층이 리세스 되는 것을 방지할 수 있다. 이미지 센서의 SNR(Signal to noise ratio)이 향상되고, 이미지 센서의 제조 공정 과정에서 투광층과 칼라 필터의 산포 열화 관리가 용이해질 수 있다. 이미지 센서의 감도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 수직 단면도이다
도 3 및 도 4는 도 1의 실시예들에 따른 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 수직 단면도들이다.
도 5는 도 1의 일 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ'에 대한 수직 단면도이다.
도 6 내지 도 15는 도 2의 실시예들에 따른 A 영역에 대한 확대도들이다.
도 16은 도 2의 일 실시예에 따른 B 영역에 대한 확대도이다.
도 17은 도 2의 일 실시예에 따른 C 영역에 대한 확대도이다.
도 18 내지 도 24는 도 1의 일 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ'에 대응되는 단면을 가지는 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 수직 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 이미지 센서(100)는 기판(10), 배선 구조체(20, 21), 제1 절연층(31), 반사 방지층(32), 제2 절연층(33), 칼라 필터(CF), 그리드 패턴(40), 광학 블랙 패턴(47), 비아 플러그(48, 49), 보호층(50) 및 마이크로 렌즈(60)를 포함할 수 있다.
기판(10)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 실리콘 단결정, 실리콘 에피택시얼층을 포함할 수 있다. 기판(10)은 제1 면(10a)과 제2 면(10b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 면(10a)은 전면이고, 제2 면(10b)은 후면일 수 있다. 이미지 센서(100)는 기판(10)의 후면(10b)을 통해 입사되는 광에 응답하여 이미지 데이터를 생성하는 후면 수광 이미지 센서(backside illuminated image sensor; BIS)일 수 있다.
기판(10)은 화소 영역(PIX), 광학 블랙 영역(OB), 및 패드 영역(PAD)을 포함할 수 있다. 광학 블랙 영역(OB)은 화소 영역(PIX)과 패드 영역(PAD) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 광학 블랙 영역(OB)은 화소 영역(PIX)의 가장자리를 둘러싸면서 배치될 수 있다. 화소 영역(PIX)은 매트릭스 형태로 배치되는 복수의 단위 화소들(15, 16)과 단위 화소들(15, 16)을 한정하는 광 차단 영역(17)을 포함할 수 있다.
기판(10) 내에는 포토다이오드(PD), 및 소자분리층(13)이 배치될 수 있다. 포토다이오드(PD)는 단위 화소(15)에 대응되어 배치될 수 있다. 포토다이오드(PD)는 P형으로 도핑된 영역과 N형으로 도핑된 영역을 포함할 수 있다. 소자분리층(13)은 화소 영역(PIX)에서 단위 화소들(15) 사이에 배치될 수 있다. 소자분리층(13)은, 도 2에 도시된 것과 같이, 기판(10)의 제1 면(10a)과 제2 면(10b)을 관통할 수 있다. 이와 같은 소자분리층(13)은 FDTI(frontside deep trench isolation) 공정에 의해서 형성될 수 있다.
배선 구조체(20, 21)가 기판(10)의 제1 면(10a)에 배치될 수 있다. 배선 구조체(20, 21)는 층간 절연층(20)과 배선들(21)을 포함할 수 있다. 층간 절연층(20)은 복수의 층들이 접합되어 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 도 2의 층간 절연층(20)은 적어도 두 개의 층이 접합된 것일 수 있으며, 두 개의 층은 접합면(10c)을 따라 접합된 것일 수 있다. 층간 절연층(20)의 내부에는 복수의 배선들(21)이 배치될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 배선 구조체(20, 21)에는 지지 기판이 부착될 수 있다.
제1 절연층(31), 반사 방지층(32), 및 제2 절연층(33)이 순차로 적층되는 적층 구조체(30)가 기판(10)의 제2 면(10b) 상에 배치될 수 있다. 적층 구조체(30)는 입사광이 통과되는 투광층일 수 있다.
제1 절연층(31)은 음의 고정 전하(negative fix charge)를 가지고 있는 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 절연층(31)은 금속 산화막 또는 불소가 도핑된 금속 산화막으로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(31)은 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 이트륨(Y) 및 란타노이드(La)를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 산화물 또는 불소가 도핑된 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(31)은 알루미늄 산화물(AlO)일 수 있다. 제1 절연층(31)은 기판(10)의 제2 면(10b) 주변에 정공(hole)의 축적을 발생시켜 암 전류(dark current)와 화이트 스팟(white spot)을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
반사 방지층(anti-reflective layer)(32)은 굴절률을 조정하여 입사광의 반사를 억제하고 높은 투과율을 확보할 수 있다. 반사 방지층(32)은 칼라 필터(CF)를 통해 입사광이 단위 화소(15)의 포토다이오드(PD)에 원활히 도달되도록 입사광의 반사를 방지할 수 있다. 예를 들어, 반사 방지층(32)의 굴절률은 2.0 이상 2.5 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사 방지층(32)은 입사하는 광의 파장에 따라 그 물질 및 두께가 달라질 수 있다. 예를 들어, 반사 방지층(32)은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 반사 방지층(32)은 광이 입사되는 마이크로 렌즈(60) 및 칼라 필터(CF) 층의 하부에 형성된다는 의미에서 하부 반사 방지층(32)(Bottom Anti-Reflective layer: BARL)이라고 지칭될 수 있다.
제2 절연층(33)은 이미지 센서(100)를 물리적, 화학적으로 보호하는 절연층일 수 있다. 제2 절연층(33)은 BDTI(backside deep trench isolation)를 갖는 이미지 센서(100)에서 BDTI(backside deep trench isolation)를 갭필(gap fill)할 수 있다. 제2 절연층(33)은 입사광 중에서 적외선(infrared)을 흡수하여 이미지 센서(100)의 감도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(33)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 옥시카바이드(SiOC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
화소 영역(PIX)에서 칼라 필터(CF), 그리드 패턴(40), 및 마이크로 렌즈(60)가 적층 구조체(30) 상에 배치될 수 있다. 칼라 필터(CF)는 단위 화소(15)에 따라 적색, 녹색, 또는 청색의 칼라 필터(CF)를 포함할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 2차원적으로 배열될 수 있고, 옐로우 필터(yellow filter), 마젠타 필터(magenta filter), 및 시안 필터(cyan filter)를 포함할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 화이트 필터(white filter)를 더 포함할 수도 있다. 이미지 센서(100)가 적외선 포토 다이오드를 포함하는 경우, 적외선 포토다이오드(PD)에 대응한 IR 필터를 포함할 수도 있다.
그리드 패턴(40)은 제2 절연층(33) 상에서 칼라 필터(CF) 사이에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(40)은 단위 화소들(15) 사이의 광 차단 영역(17)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴(40)은 평면적 관점에서 소자분리층(13)과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴(40)은 행 방향 및 열 방향을 가지는 격자(grid) 형태를 가질 수 있다. 그리드 패턴(40)은 기판(10) 상에 비스듬히 입사되는 입사광을 반사시켜 포토다이오드(PD)에 보다 많은 입사광을 도달시키고, 크로스 토크를 방지할 수 있다. 보호층(50)이 제2 절연층(33)과 그리드 패턴(40)을 덮을 수 있다. 보호층(50)은 제2 절연층(33)과 칼라 필터(CF) 사이, 그리드 패턴(40)과 칼라 필터(CF) 사이에 배치될 수 있다. 그리드 패턴(40)과 그리드 패턴(40) 상의 보호층(50)의 높이는 칼라 필터(CF)에 대응될 수 있다. 보호층(50)은 흡습 방지 역할을 할 수 있다. 보호층(50)은 수분이나 먼지들로부터 칼라 필터(CF) 주변의 금속층(34, 36)이나 절연층들을 보호하여 칼라 필터(CF)의 산포 열화를 예방할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 보호층(50)은 알루미늄 산화물(AlO)을 포함할 수 있다.
각각의 칼라 필터(CF)에 대응되는 마이크로 렌즈(60)가 칼라 필터(CF) 상에 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(60)는 대응하는 칼라 필터(CF)와 중첩되어 형성될 수 있다. 마이크로 렌즈(60)는 볼록한 형상을 가지며, 소정의 곡률 반경을 가질 수 있다. 마이크로 렌즈(60)는 포토다이오드(PD) 이와의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 변경시켜 포토다이오드(PD)에 빛을 집광시킬 수 있다.
광학 블랙 영역(OB)에 광학 블랙 패턴(47)과 기준 화소(16)가 배치될 수 있다. 광학 블랙 영역(OB)에는 제어 회로들(도면 미도시)이 포함될 수 있다. 기준 화소(16)는 기판(10) 내부에 배치되는 기준 포토다이오드와 이로부터 발생되는 전하를 이송하기 위한 기준 트랜지스터(도면 미도시)를 포함할 수 있다.
광학 블랙 패턴(47)은 적층 구조체(30) 상에서 광학 블랙 영역(OB)을 전체를 덮도록 배치될 수 있다. 광학 블랙 패턴(47)은 기준 화소(16)와 기준 트랜지스터(도면 미도시)를 덮도록 배치될 수 있다. 광학 블랙 패턴(47)은 일 단이 연장되어 일부가 화소 영역(PIX)까지 배치될 수 있으며, 타 단이 연장되어 일부가 패드 영역(PAD)까지 배치될 수 있다. 광학 블랙 패턴(47)은 화소 영역(PIX)에서 그리드 패턴(40)을 덮는 보호층(50)에 의해 덮일 수 있다.
광학 블랙 패턴(47)은 기준 화소(16)로 입사되는 빛을 차단시킬 수 있다. 예를 들어, 빛이 차단된 기준 포토다이오드로부터 발생될 수 있는 전하량을 기준 트랜지스터가 전송하고 이를 센싱하여 기준 전하량으로 간주할 수 있다. 기준 전하량은 단위 화소(16)로부터 전송되는 단위 전하량과 비교되며, 단위 전하량과 기준 전하량의 차이값에 따라 각 단위 화소(16)로부터 감지되는 신호가 산출될 수 있다.
패드 영역(PAD)에는 비아 플러그(48, 49)가 배치될 수 있다. 비아 플러그(48, 49)는 층간 절연층(20)을 관통하여 배선들(21)에 접촉되며, 배선들(21)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 1의 실시예들에 따른 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 수직 단면도들이다. 도 5는 도 1의 일 실시예에 따른 Ⅱ-Ⅱ'에 대한 수직 단면도이다. 도 1 내지 도 5에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 3을 참조하면, 화소 영역(PIX)에 배치되는 그리드 패턴(40) 상의 보호층(50)의 높이는 칼라 필터(CF)의 높이보다 낮을 수 있다. 또한, 광학 블랙 영역(OB)에 배치되는 광학 블랙 패턴(47)상의 보호층(50)의 높이도 칼라 필터(CF)의 높이보다 낮을 수 있다.
도 4를 참조하면, 소자분리층(13)은 기판(10)의 제2 면(10b)을 관통하며, 제1 면(10a)과는 이격될 수 있다. 이와 같은 소자분리층(13)은 BDTI(backside deep trench isolation) 공정에 의해서 형성될 수 있다. 도 5를 참조하면, 그리드 패턴(40)은 평면적 관점에서 적어도 일부가 중심선이 소자분리층(13)의 중심선과 어긋나게 위치하도록 배치될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 그리드 패턴(40)의 중심선은 도 5에 도시된 그리드 패턴(40) 단면의 중심을 수직으로 지나는 직선이며, 소자분리층(13)의 중심선은 도 5에 도시된 소자분리층(13)의 중심을 수직으로 지나는 직선일 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴(40)은 평면적 관점에서 화소 영역(PIX)의 중앙에 가깝게 배치될수록 중심선이 소자분리층(13)의 중심선과 가깝게 배치되고, 화소 영역(PIX)의 중앙에서 멀리 배치될수록 중심선이 소자분리층(13)의 중심선과 멀리 배치될 수 있다.
도 6 및 도 7은 도 2의 실시예들에 따른 A 영역에 대한 확대 단면도들이다. 도 1 내지 도 7에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 2, 도 6 및 도 7을 참조하면, 그리드 패턴(40)은 하부 그리드 패턴(41)과 상부 그리드 패턴(42)을 포함할 수 있다. 하부 그리드 패턴(41)은 그리드 패턴(40)의 패턴의 하부를 이루며, 제2 절연층(33) 상에 배치될 수 있다. 하부 그리드 패턴(41)은 식각 공정에서 식각 정지층(etch stop layer)의 역할을 하는 식각 정지 패턴일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 하부 그리드 패턴(41)은 산화물, 질화물, 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리 실리콘(Poly-Si) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 그리드 패턴(41)은 란타늄 산화물(LaO)일 수 있다.
상부 그리드 패턴(42)은 하부 그리드 패턴(41) 상에 배치될 수 있다. 상부 그리드 패턴(42)은 기판(10) 상에 비스듬히 입사되는 입사광을 반사시켜 포토다이오드(PD)에 보다 많은 입사광을 도달시키는 차광 패턴일 수 있다. 상부 그리드 패턴(42)의 두께는 하부 그리드 패턴(41)보다 두꺼울 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상부 그리드 패턴(42)은 도전성 물질일 수 있다. 예를 들어, 텅스텐(W)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 하부 그리드 패턴(41)의 두께(Wa)는 보호층(50)의 두께(Wb)와 대응되거나 그보다 얇을 수 있다. 예를 들어, 하부 그리드 패턴(41)의 두께(Wa)는 1~100nm일 수 있으며, 바람직하게는 1~20nm일 수 있다. 하부 그리드 패턴(41)의 두께(Wa)가 얇을수록 그리드 패턴(40)의 측벽이 컨포멀(conformal)하게 형성될 수 있다. 보호층(50)이 하부 그리드 패턴(41)의 두께(Wa)보다 두꺼우면, 식각 공정에서 하부 그리드 패턴(41)이 오버 에치(over-etch)되는 경우에도 보호층(50)의 표면은 컨포멀(conformal)해질 수 있으며, 보호층(50) 상의 칼라 필터(CF)의 산포와 표면 거칠기 등의 관리가 용이해질 수 있다.
도 8 내지 도 15는 도 2의 다른 실시예들에 대한 A 영역을 도시하는 확대 단면도들이다. 도 1 내지 도 15에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 8을 참조하면, 상부 그리드 패턴(42)은 중 다중층 구조일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상부 그리드 패턴(42)은 제1 상부 그리드 패턴(42a) 및 제2 상부 그리드 패턴(42b)을 포함할 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a)과 제2 상부 그리드 패턴(42b)은 하부 그리드 패턴(41) 상에 순차로 적층될 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a)과 제2 상부 그리드 패턴(42b)은 서로 다른 도전성 물질을 포함하는 금속층일 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 그리드 패턴(42a)은 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 상부 그리드 패턴(42b)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 상부 그리드 패턴(42a)의 두께는 제2 상부 그리드 패턴(42b)의 두께보다 얇을 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 그리드 패턴(40)의 양 측벽의 하부가 내측으로 함입되어 제2 절연층(33)과 상부 그리드 패턴(42) 사이에 리세스부(R)가 형성될 수 있다. 리세스부(R)는 하부 그리드 패턴(41)의 양 측벽이 내측으로 함입되는 오목한 형상을 가질 수 있다. 하부 그리드 패턴(41)의 폭(w2)은 상부 그리드 패턴(42)의 폭(w1)보다 좁을 수 있다. 즉, 하부 그리드 패턴(41)의 최단폭(w2)이 상부 그리드 패턴(42)의 하면의 최단폭(w1)보다 좁을 수 있다. 도 9와 같이, 상부 그리드 패턴(42) 하면의 일부는 리세스부(R)를 통해 노출되어 하부 그리드 패턴(41)과 접하지 않고, 보호층(50)과 접할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 도 10과 같이 리세스부(R)가 형성되는 경우에도 상부 그리드 패턴(42)의 하면은 전체가 하부 그리드 패턴(41)과 접하고, 보호층(50)과는 접하지 않을 수 있다.
도 11을 참조하면, 상부 그리드 패턴(42)은 도전성 물질을 포함하는 제1 상부 그리드 패턴(42c) 및 절연성 물질을 포함하는 제2 상부 그리드 패턴(42d)을 포함할 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42c)은 하부 그리드 패턴(41) 상에 배치될 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42c)은 접지 배선일 수 있다. 포토다이오드(PD)가 입사광에 의해 생성되는 전자-정공 쌍 중 전자를 수집하고, 금속 배선이 이러한 전자-정공 쌍 중 정공의 드레인 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 그리드 패턴(42c)은 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 상부 그리드 패턴(42d)은 제1 상부 그리드 패턴(42c) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 상부 그리드 패턴(42d)은 저굴절률(low reflective index, LRI) 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 저굴절률 물질은 실리콘 산화물(SiOx)이 증착, 또는 코팅되어 형성되는 다공성 구조 또는 망상 구조의 실리카 나노 입자로 이루어질 수 있다. 제2 상부 그리드 패턴(42d)의 굴절률은 마이크로 렌즈(60)나 칼라 필터(CF)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제2 상부 그리드 패턴(42d)의 굴절률은 1.0 내지 1.3일 수 있다. 제2 상부 그리드 패턴(42d)은 입사광을 전반사 시켜 포토다이오드(PD)에 보다 많은 입사광을 도달시킬 수 있다. 즉, 저굴절 물질을 포함하는 제2 상부 그리드 패턴(42d)은 차광 패턴일 수 있다.
도 12를 참조하면, 상부 그리드 패턴(42)이 저굴절률 물질을 포함하는 경우에도 그리드 패턴(42)의 하부에는 리세스부(R)가 형성될 수 있다. 즉, 하부 그리드 패턴(41)의 최단폭(w2)은 제1 상부 그리드 패턴(42c)의 하면의 최단폭(w3)과 실질적으로 동일하거나 그보다 좁을 수 있다.
도 13 내지 도 15는 도 2의 A 영역에 대한 다른 실시예들을 도시하는 확대 단면도들이다. 도 1 내지 도 15에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 13을 참조하면, 상부 그리드 패턴(42)은 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼(taper) 형상을 가질 수 있다. 상부 그리드 패턴(42)의 상단(w4)의 폭이 하단의 폭(w5)보다 좁을 수 있다. 상부 그리드 패턴(42)의 양 측벽은 기판(10)의 제2 면(10b)에 대하여 기울기를 가질 수 있다. 상부 그리드 패턴(42)은 평면적 관점에서 하부 그리드 패턴(41)과 중첩되지 않는 오버행(OH) 부분을 포함할 수 있다. 즉, 상부 그리드 패턴(42)은 하부 그리드 패턴(41)과 중첩되는 중심부(C)와 중심부(C)의 양 측에서 외측으로 돌출되는 오버행(OH) 부분을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 하부 그리드 패턴(41)의 최단폭(w6)은 상부 그리드 패턴(42)의 하단의 최단폭(w5)과 실질적으로 동일하거나 그보다 좁고, 상부 그리드 패턴(42)의 상단의 폭(w4)보다 넓을 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 하부 그리드 패턴(41)의 폭(w6)은 상부 그리드 패턴(42)의 상단의 폭(w4)보다 좁을 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상부 그리드 패턴(42)은 서로 다른 물질을 포함하는 제1 상부 그리드 패턴(42a, 42c)과 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)을 포함할 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a 42c)은 도전성 물질을 포함하고, 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)은 도전성 물질 또는 저굴절률(Low Reflective Index, LRI)을 가지는 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a 42c)과 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)의 폭은 상단으로부터 하단으로 갈수록 폭이 점점 증가될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(10)의 제2 면(10b)에 대한 제1 상부 그리드 패턴(42a, 42c)과 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)의 측벽의 기울기는 서로 다를 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a 42c)의 측벽의 기울기가 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)의 측벽의 기울기보다 완만할 수 있다. 예를 들어, 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)의 폭(w8a, w8b)은 하단부터 상단까지 실질적으로 균일할 수 있다. 하부 그리드 패턴(41)의 폭은 제1 상부 그리드 패턴(42a 42c)의 하단의 폭(w7)과 실질적으로 동일하거나 그보다 좁을 수 있다. 제1 상부 그리드 패턴(42a 42c)은 평면적 관점에서 하부 그리드 패턴(41)과 중첩되지 않는 오버행(OH) 부분을 포함할 수 있다.
도 13 내지 도 15에서, 하부 그리드 패턴(41)의 측면이 일직선으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 하부 그리드 패턴(41)의 측면은 9에서와 같이 내측으로 오목하게 함입된 형상을 가질 수 있다.
도 16은 도 2의 일 실시예에 따른 B 영역에 대한 확대 단면도이다. 도 17은 도 2의 일 실시예에 따른 C 영역에 대한 확대 단면도이다. 도 1 내지 도 17에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 2 및 도 16을 참조하면, 광학 블랙 패턴(47)은 제1 블랙 패턴(47a), 제2 블랙 패턴(47b) 및 제3 블랙 패턴(47c)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 블랙 패턴(47a, 47b, 47c)은 전술한 그리드 패턴(40)의 하부 그리드 패턴(41), 제1 상부 그리드 패턴(42a, 42c) 및 제 제2 상부 그리드 패턴(42b, 42d)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 블랙 패턴(47a)은 하부 그리드 패턴(41)은 산화물, 질화물, 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리 실리콘(Poly-Si), 란타늄 산화물(LaO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 블랙 패턴(47b)은 티타늄(Ti) 및/또는 질화 티타늄(TiN)을 포함하고, 제3 블랙 패턴(47c)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있다.
제1 블랙 패턴(47a)은 하부 그리드 패턴(41)과 동일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 블랙 패턴(47a)의 두께는 보호층(50)의 두께와 대응되거나 그보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
광학 블랙 패턴(47)의 양 측의 하부에는 리세스부(R)가 형성될 수 있다. 리세스부(R)는 제1 블랙 패턴(47a)의 양 측벽이 내측으로 오목하게 함입된 것일 수 있다.
도 2 및 도 17을 참조하면, 패드 영역(PAD)에 비아홀(25)과 비아 플러그(48, 49)가 배치될 수 있다. 비아홀(25)이 기판(10)을 관통하며, 층간 절연층(20)까지 연장되어 배선들을 노출시킬 수 있다. 비아 플러그(48, 49)가 비아홀(25) 내에 배치될 수 있다.
비아 플러그(48, 49)는 코어 패턴(48)과 패드 패턴(49)을포함할 수 있다. 코어 패턴(48)은 패드 패턴(29)에 의해 둘러싸일 수 있다. 코어 패턴(48)은 도전성 물질, 절연성 물질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 코어 패턴(48)은 카본 계열 물질을 포함할 수 있다.
패드 패턴(29)은 비아홀(25)의 측벽에 접하여 형성될 수 있다. 패드 패턴(29)은 하부 패드 패턴(49a)과 상부 패드 패턴(49b, 49c)를 포함할 수 있다. 하부 패드 패턴(49a)은 전술한 하부 그리드 패턴(41) 및 제1 블랙 패턴(47a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 하부 패드 패턴(49a)은 상부 패드 패턴(49b, 49c)과 적층 구조체(30) 사이에 개재될 수 있다.
상부 패드 패턴(49b, 49c)은 제1 상부 패드 패턴(49b)과 제2 상부 패드 패턴(49c)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 패드 패턴(49b)은 제1 상부 그리드 패턴(42a), 및 제2 블랙 패턴(47b)과 동일한 물질을 포함하며, 제2 상부 패드 패턴(49c)은 제2 상부 그리드 패턴(42b) 및 제3 블랙 패턴(47c)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상부 패드 패턴(49b, 49c)는 코어부(49b-1, 49c-1)와 패드부(49b-2, 49c-2)를 포함할 수 있다. 코어부(49b-1, 49c-1)는 비아홀(25) 내에 배치되며, 상단이 적층 구조체(30)의 높이보다 높은 위치까지 연장될 수 있다. 패드부(49b-2, 49c-2)는 코어부(49b-1, 49c-1)의 상부가 비아홀(25)의 외측 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 패드부(49b-2, 49c-2)는 하부 패드 패턴(49a) 상에 배치될 수 있다.
상부 패드 패턴(49b, 49c)과 적층 구조체(30) 사이에 개재된 하부 패드 패턴(49a)은 일 측이 상부 패드 패턴(49b, 49c)의 코어부(48)에 접하며, 타 측은 노출될 수 있다. 하부 패드 패턴(49a)의 타 측은 오목하게 함입되어 전술한 그리드 패턴(40)의 리세스부(R)와 같은 구조를 형성할 수 있다.
도 18 내지 도 24는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'에 대응되는 단면을 가지는 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다. 도 1 내지 도 24에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성을 나타내며, 이하에서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 중복 설명을 생략한다.
도 18 및 도 19을 참조하면, 서로 반대 방향을 향하는 제1 면(10a)과 제2 면(10b)을 포함하는 기판(10) 내에 소자분리층(13)과 포토다이오드(PD)가 형성될 수 있다. 기판(10)의 제1 면(10a)은 전면이며, 기판(10)의 제2 면(10b)은 그라인딩 하기 전의 후면일 수 있다. 기판(10)의 제1 면(10a) 상에 마스크 패턴이 형성되고, 마스크 패턴을 이용하는 식각 공정에 의해 제1 면(10a)에서 제2 면(10b)으로 향하는 트렌치가 형성될 수 있다. 트렌치에 절연 물질이 채워져 소자분리층(13)이 형성될 수 있다. 소자분리층(13)은 기판(10)을 복수의 화소 영역(PIX)으로 구분할 수 있다.
포토다이오드(PD)가 불순물 도핑 공정을 통해 복수의 단위 화소(15) 각각에 형성될 수 있다. 포토다이오드(PD)는 기판(10)의 제1 면(10a)에 인접하게 형성될 수 있다. 포토다이오드(PD)는 서로 다른 도전형의 제1 불순물 영역(Pa)과 제2 불순물 영역(Pb)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 불순물 영역은 기판(10)의 제1 면(10a)과 이격되어 깊게 형성될 수 있다. 제2 불순물 영역은 제1 면(10a)과 인접하여 얇게 형성될 수 있다.
기판(10)의 제1 면(10a) 상에 배선 구조체(20, 21)가 형성될 수 있다. 배선 구조체(20, 21)는 층간 절연층(20)과 배선들(21)을 포함할 수 있다. 층간 절연층(20)은 단일층으로 도시되었으나 다중층일 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(20)은 실리콘 산화물과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 배선들(21)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 실리사이드, 폴리 실리콘, 도전성 카본 또는 이들의 조합과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 배선들(21)은 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 질화 티타늄(titanium nitride) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 배선 구조체(20, 21) 상에는 지지 기판이 접착될 수 있다. 지지 기판은 후속 공정들을 수행할 때, 기판(10)과 배선 구조체(20, 21)를 지지하는 역할을 할 수 있다.
도 20를 참조하면, 기판(10)은 배선 구조체(20, 21)가 기판(10)의 하측에 배치되도록 뒤집혀 놓일 수 있다. 기판(10)의 제2 면(10b)이 그라인딩 되어 기판(10)의 일부가 제거될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 그라인딩 공정에 의해 소자분리층(13)이 노출될 수 있다.
도 21을 참조하면, 기판(10) 상에 제1 절연층(31), 반사 방지층(32), 제2 절연층(33), 및 식각 정지층(34)이 순차로 적층될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 절연층(31)을 형성하기 전에 기판(10)의 제2 면(10b)에 산소 플라즈마를 처리하여 표면 결함 밀도를 낮추고 제1 절연층(31)의 금속 원소(예를 들어, Al)의 확산을 방지할 수 있다.
패드 영역(PAD)에서 식각 정지층(34), 제2 절연층(33), 반사 방지층(32), 및 제1 절연층(31)의 일부가 각각 순차로 식각되어 비아홀(25)이 형성될 수 있다. 비아홀(25)은 이방성 식각 공정과 같은 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다. 비아홀(25)은 패드 영역(PAD)에 배치된 배선을 노출시킬 수 있다. 비아홀(25)이 형성되는 과정에서 배선 구조체(20, 21) 또한 부분적으로 식각될 수 있다. 비아홀(25)은 패드 영역(PAD)에 배치된 소자분리층(13)과 이격되어 배치될 수 있다. 비아홀(25)의 형상은 도 21에 도시된 모습에 한정되지 않으며, 다양한 형상을 가질 수 있다.
식각 정지층(34)과 비아홀(25)의 표면을 덮는 금속층(35, 36)이 형성될 수 있다. 금속층(35, 36)은 배선에 직접적으로 접촉될 수 있다. 금속층(35, 36)은 그라인딩 전 접합된 지지 기판 내의 배선과 접촉될 수 있다. 금속층(35, 36)은 비아홀(25)의 내부를 완전하게 채우지 않고 잔여 공간(26)이 남도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 금속층(35, 36)은 식각 정지층(34)과 비아홀(25)의 표면에 접하여 형성되는 제1 금속층(42a)과, 제1 금속층(42a)의 표면에 접하여 형성되는 제2 금속층(42b)을 포함할 수 있다. 금속층(34, 36)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 실리사이드, 폴리 실리콘, 도전성 카본, 또는 이들의 조합과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속층(42a)은 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN), 탄탈륨(Ta), 질화 탄탈륨(TaN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 금속층(42a)과 제2 금속층(42b) 중 화소 영역(PIX)에 형성되는 부분은 후속 공정을 통해 단위 화소들(15)을 구획하며, 입사광을 포토다이오드(PD)로 집광하기 위한 차광 패턴으로 제공될 수 있다. 제1 금속층(42a)과 제2 금속층(42b) 중 광학 블랙 영역(OB)에 형성되는 부분은 광학 블랙 영역(OB)으로 입사되는 광을 차광하기 위한 차광층으로 제공될 수 있다. 또한, 제2 금속층(42b)은 후속 공정을 통해 패드(도면 미도시)와 연결되기 위한 비아 플러그(49)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 금속층(42b)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있다.
다른 일 실시예에 있어서, 식각 정지층(34)과 비아홀(25)의 표면을 덮는 금속층(42a)과, 금속층(42a)을 덮는 저굴절률층(Low refractive index layer)이 배치될 수 있다. 금속층(42a)은 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함하고, 저굴절률층은 다공성 실리카 나노 입자를 포함할 수 있다.
도 22를 참조하면, 금속층(34, 36) 상에 하드 마스크 패턴(45)이 형성될 수 있다. 하드 마스크 패턴(45)은 화소 영역(PIX)에서 광 차단 영역(17)에 배치될 수 있다. 또한, 하드 마스크 패턴(45)은 광학 블랙 영역(OB)을 덮으며, 패드 영역(PAD)에서 비아홀(25)의 잔여 공간(26)을 채울 수 있다. 하드 마스크 패턴(45) 사이의 오픈 영역(OP)은 금속층(34, 36)의 상면을 노출시킬 수 있다.
도 23을 참조하면, 하드 마스크 패턴(45)을 이용한 건식 식각 공정을 통해 금속층(35, 36)이 식각 정지층(34) 상단까지 식각된 이후 습식 식각 공정을 통해 식각 정지층(34)이 식각되어 화소 영역(PIX)에 그리드 패턴(40)이 형성되고, 광학 블랙 영역(OB)에 광학 블랙 패턴(47)이 형성되며, 패드 영역(PAD)에 패드 패턴(49)이 형성될 수 있다.
식각 정지층(34)은 금속층(35, 36)과 선택비가 있는 물질로 금속층(35, 36)이 건식 식각되는 동안 식각되지 않고 남아 있을 수 있다. 식각 정지층(34)은 예를 들어, HCl 용액, DSP(diluted sulfuric acid peroxide) 용액, 또는 NH4OH 용액 중 어느 하나를 이용하는 습식 식각 공정에 의해 제거될 수 있다. 식각 정지층(34)은 SiO2를 포함하는 절연층과 습식 식각 선택비가 있는 물질로서, 식각 정지층(34)이 제거되는 동안 절연층은 리세스 되지 않고 남아있을 수 있다.
패드 패턴(49) 내에 코어 패턴(48)이 형성되어 비아 플러그(48, 49)가 형성될 수 있다. 코어 패턴(48)이 패드 패턴(49)의 내부를 완전히 채우도록 형성될 수 있다. 즉, 코어 패턴(48)은 비아홀(25)에 금속층(35, 36)이 형성되고 남은 잔여 공간(26)을 채울 수 있다. 패드 패턴(49)이 코어 패턴(48)의 측면들과 바닥을 감쌀 수 있다. 코어 패턴(48)은 도전성 물질, 절연성 물질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 코어 패턴(48)은 카본 계열 물질을 포함할 수 있다.
그리드 패턴(40), 광학 블랙 패턴(47), 및 비아 플러그(48, 49)를 덮는 보호층(50)이 형성될 수 있다. 보호층(50)은 오픈 영역(OP)에 의해 노출되는 제2 절연층(33)의 상면도 덮을 수 있다
도 24를 참조하면, 패드 영역(PAD)에서 보호층(50)의 적어도 일부가 제거될 수 있다. 보호층(50) 중 비아 플러그(48, 49)를 덮는 부분을 제거하여 비아 플러그(48, 49)의 상부를 노출시킬 수 있다.
칼라 필터(CF)가 화소 영역(PIX)의 보호층(50) 상에 형성될 수 있다. 칼라 필터(CF)는 각각의 단위 화소들(15)에 상응하도록 형성될 수 있다. 칼라 필터(CF)의 상단의 레벨은 그리드 패턴(40) 상단의 레벨과 대응되거나 그보다 높을 수 있다. 마이크로 렌즈(60)가 화소 영역(PIX)의 칼라 필터(CF) 상에 형성될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
10: 기판 13: 소자분리층
15: 단위 화소 17: 광 차단 영역
20: 층간 절연층 21: 배선
31: 제1 절연층 32: 반사 방지층 33: 제2 절연층
CF: 칼라 필터 40: 그리드 패턴
41: 하부 그리드 패턴
42: 상부 그리드 패턴
41a, 41c: 제1 상부 그리드 패턴
41b, 41d: 제2 상부 그리드 패턴
50: 보호층 60: 마이크로 렌즈
PIX: 화소 영역 0B: 광학 블랙 영역
PAD: 패드 영역
OH: 오버행 C: 중심부

Claims (20)

  1. 복수의 단위 화소들을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 적층 구조체; 및
    상기 적층 구조체 상에서 상기 복수의 단위 화소들 사이에 배치되는 그리드 패턴을 포함하며,
    상기 그리드 패턴은 란타늄 산화물(LaO), 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리 실리콘(poly-Si) 중 적어도 하나를 포함하는 하부 그리드 패턴과, 상기 하부 그리드 패턴 상에 배치되며, 도전성 물질을 포함하는 상부 그리드 패턴 및 측벽의 하부가 오목하게 함입된 리세스부를 포함하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부 그리드 패턴은 두께가 1nm ~ 20nm인 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부 그리드 패턴은 서로 다른 물질을 가지는 제1 상부 그리드 패턴과 제2 상부 그리드 패턴을 포함하는 이미지 센서.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 상부 그리드 패턴은 도전성 물질을 포함하고, 상기 제2 상부 그리드 패턴은 LRI(Low Refractive Index) 물질을 포함하는 이미지 센서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 상부 그리드 패턴이 포함하는 LRI(Low Refractive Index) 물질의 굴절률은 1.0~1.3인 이미지 센서.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하부 그리드 패턴은 양 측벽의 최단폭이 상기 상부 그리드 패턴의 양 측벽의 최단폭보다 좁은 이미지 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상부 그리드 패턴의 하면은 상기 리세스부에 의해 일부가 노출되는 이미지 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적층 구조체는,
    상기 기판에 접하며 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어진 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되는 반사 방지층; 및
    상기 반사 방지층 상에 배치되는 실리콘 산화물(SiO2)로 이루어진 제2 절연층을 포함하는 이미지 센서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 절연층 및 상기 그리드 패턴을 덮는 보호층을 더 포함하는 이미지 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 보호층은 알루미늄 산화물(AlO)을 포함하는 이미지 센서.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 상기 하부 그리드 패턴의 두께와 대응되거나 그보다 두꺼운 이미지 센서.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 상부 그리드 패턴은 평면적 관점에서 상기 하부 그리드 패턴과 오버랩 되는 중심부와 상기 중심부의 양 측으로부터 연장되는 오버행을 포함하는 이미지 센서.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 오버행의 하면에 접하는 이미지 센서.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 하부 그리드 패턴은 HCl 용액, DSP(diluted sulfuric acid peroxide) 용액, 또는 NH4OH 용액 중 어느 하나의 의해 습식 식각되는 이미지 센서.
  16. 빛을 제공받는 포토다이오드가 배치되는 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 광학 블랙 영역을 포함하는 기판;
    상기 광학 블랙 영역에 배치되는 광학 블랙 패턴; 및
    상기 광학 블랙 패턴을 덮는 보호층을 포함하고,
    상기 광학 블랙 패턴은 양 측벽의 하단부에 오목한 리세스부가 형성되며,
    상기 보호층은 상기 리세스부와 접하는 이미지 센서.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 광학 블랙 패턴은,
    란타늄 산화물(LaO), 비정질 실리콘(a-Si), 또는 폴리 실리콘(poly-Si) 중 적어도 하나로 이루어진 하부 블랙 패턴을 포함하는 이미지 센서.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 광학 블랙 영역 외측에 배치되는 패드 영역;
    상기 패드 영역에 배치되며, 상기 기판을 관통하여 하방으로 길게 연장되는 비아 플러그; 및
    상기 화소 영역, 상기 광학 블랙 영역, 및 상기 패드 영역에 걸쳐 배치되는 적층 구조체를 더 포함하는 이미지 센서.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 비아 플러그는,
    상기 기판을 관통하는 코어부와, 상기 적층 구조체보다 높은 위치에 위치하는 상기 코어부의 상부가 수평 방향으로 연장된 패드부를 포함하는 상부 패드 패턴; 및
    상기 상부 패드 패턴과 상기 적층 구조체 사이에 개재되는 하부 패드 패턴을 포함하는 이미지 센서.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 비아 플러그는,
    양 측벽의 하단부에 오목한 리세스부가 형성되는 이미지 센서.
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