TWI798353B

TWI798353B - 化合物、光吸收劑、組合物及光學濾光器

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Publication number: TWI798353B
Application number: TW108104400A
Authority: TW
Inventors: 金原有希子; 中屋敷哲千
Original assignee: 日商艾迪科股份有限公司
Priority date: 2018-04-19
Filing date: 2019-02-11
Publication date: 2023-04-11
Also published as: TW201943697A; CN111868027A; WO2019202815A1; KR20200144089A; JP7370964B2; JPWO2019202815A1

Abstract

本發明係一種以下述通式(A)表示之特定結構之化合物，其具有吲哚環及氰基乙烯基結構。

(式中，Ar為吲哚環，R¹ 表示氰基、-COOR等，R分別獨立表示氫原子、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基等，R² 表示氫原子、碳原子數1～40之烷基等，n表示1～10之整數，X表示n價基)

Description

化合物、光吸收劑、組合物及光學濾光器

本發明係關於一種400 nm附近之光之吸收性優異之化合物。

對特定之光具有強度較大之吸收之化合物用作CD-R(Compact Disc-Recordable，可錄光碟)、DVD-R(Digital Versatile Disc-Recordable，可錄數位多功能光碟)、DVD+R(Digital Versatile Disc+Recordable，高級可錄數位多功能光碟)、藍色雷射記錄光碟等光學記錄介質之記錄層、或液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、電致發光顯示器(ELD)、陰極管顯示裝置(CRT)、螢光顯示管、場發射型顯示器等之圖像顯示裝置之光學要素。

於液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、電致發光顯示器(ELD)、陰極管顯示裝置(CRT)、螢光顯示管、場發射型顯示器等之圖像顯示裝置用之光學濾光器中，吸收300～1100 nm之波長之光之各種化合物用作光吸收劑。

例如，於專利文獻1中報告有一種有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器元件用濾光器，其含有紫外線吸收劑，遮斷200 nm～410 nm之光。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2004-102223號公報

然而，專利文獻1記載之紫外線吸收劑存在400 nm附近之光之吸收不充分之情況。其結果，例如專利文獻1記載之濾光器存在有時無法充分地抑制有機EL顯示器元件之劣化之不良情況。

本發明係鑒於上述問題點而完成者，主要目的在於提供一種400 nm附近之光之吸收優異之化合物。

本發明者等人為了解決上述問題進行了努力研究，結果發現具有吲哚環及氰基乙烯基結構之特定結構之化合物能夠有效率地吸收400 nm附近之光，從而完成本發明。

即，本發明係下述通式(A)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物A)。

[化1]

(式中，Ar為吲哚環， R¹ 表示氰基、-COOR、-OCOR、-CONHR、-NHCOR、-COONHR、-NHCOOR、-COR、-SO₂ R、-SOR、-SO₂ NRR'、鹵素原子、硝基或膦醯基， R及R'分別獨立表示氫原子、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基， R² 表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基， R及R'以及R² 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR''-、＞P=O、-S-S-、-SO₂ -或該等之組合，R''表示氫原子或碳原子數1～8之烷基， R及R'以及R² 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子可被取代為乙烯性不飽和基、鹵素原子、醯基、醯氧基、取代胺基、磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、以及羧基、磺基、膦酸基及磷酸基之鹽， n表示1～10之整數， X表示n價基)

本發明之化合物A由於具有上述特定之結構，因此400 nm附近之光之吸收性優異。

上述化合物A較佳為下述通式(A1)、(A2)或(A3)所表示之化合物。其原因在於400 nm附近之光之吸收性更優異。

[化2]

(式中，R¹ 、R² 、R、R'、n及X與通式(A)中之R¹ 、R² 、R、R'、n及X相同， R³ 及R⁴ 表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基， R⁵ 及R⁵⁵ 分別獨立表示鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基， R³ 及R⁴ 以及R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR''-、＞P=O、-S-S-、-SO₂ -或該等之組合，R''表示氫原子或碳原子數1～8之烷基， R³ 及R⁴ 以及R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子可被取代為乙烯性不飽和基、鹵素原子、醯基、醯氧基、取代胺基、磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、以及羧基、磺基、膦酸基及磷酸基之鹽， 5a表示0～4之整數， 55a表示0～3之整數)

上述化合物A之常壓下之10%重量減少溫度較佳為250℃以上。其原因在於上述化合物A成為揮散性較低之化合物。

上述n較佳為2～10之整數。其原因在於上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異、揮散性較低之化合物。

上述X較佳為碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-之基。其原因在於上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異、揮散性較低之化合物。

較佳為上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 之至少1者為碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或者碳原子數2～20之含雜環基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或者碳原子數2～20之含雜環基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其原因在於上述化合物A成為揮散性較低之化合物。

上述化合物A較佳為滿足下述(1)或(2)者。 (1)為上述通式(A1)所表示之化合物，且n為2或3之整數，X為碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-之基。 (2)為上述通式(A3)所表示之化合物，且n為1，R⁴ 為碳原子數1～10之烷基或者該等基中之1個氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為-COO-或者-OCO-且基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異、揮散性較低之化合物。

上述化合物A於250 nm以上、600 nm以下之範圍中之最大吸收波長較佳為350 nm以上且420 nm以下。其原因在於上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。

本發明提供一種光吸收劑，其特徵在於包含上述化合物A。藉由包含上述化合物A，該光吸收劑成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。

本發明提供一種組合物，其特徵在於包含上述化合物A、及樹脂。藉由包含上述化合物A，該組合物成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。

本發明提供一種光學濾光器，其特徵在於具有包含上述化合物A之光吸收層。藉由上述光吸收層包含上述化合物A，該光學濾光器成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。

本發明係關於一種化合物、光吸收劑、組合物及光學濾光器。以下，針對本發明之化合物、光吸收劑、組合物及光學濾光器詳細地進行說明。

A.化合物首先，針對本發明之化合物進行說明。本發明之化合物之特徵在於以上述通式(A)表示。

本發明之化合物由於具有上述特定之結構，即於吲哚環上鍵結有氰基乙烯基(-CR² =C(CN)R¹ )之結構，故而400 nm附近之光之吸收性優異。關於因具有上述特定之結構而成為400 nm附近之光之吸收性優異者之原因，並不明確，推測如下。

關於吲哚環，若為單獨成分，則於250 nm～300 nm具有最大吸收波長。藉由向其中導入氰基乙烯基，而共軛系變長，產生最大吸收波長之長波長位移。其結果為，能夠吸收400 nm附近之光。又，上述化合物A可使用二氰基乙烯基作為氰基乙烯基。其結果為，上述化合物A容易於400 nm附近、尤其是350 nm以上且420 nm以下顯示出陡峭之吸收峰。根據此種情況，認為上述化合物A會藉由具有上述特定之結構而成為400 nm附近之光之吸收性優異者。

包含上述化合物A之光學濾光器藉由化合物A之如上述之特性，成為能夠穩定地吸收特定之光者。因此，該光學濾光器例如在與有機電致發光元件一起使用之情形時，能夠有效地抑制有機EL元件之劣化。

以下，針對本發明之化合物詳細地進行說明。本發明之化合物係上述通式(A)所表示者，於上述吲哚環Ar上直接鍵結有氰基乙烯基(-CR² =C(CN)R¹ )及n價基X。作為鍵結位置，只要為氰基乙烯基可鍵結之部位，則無限制，較佳為下述式(a1)中「**」所表示之吲哚環之第3位之位置。其原因在於：藉由為該鍵結位置，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。

[化3]

上述吲哚環Ar係與氰基乙烯基及n價基X直接鍵結，但除該等基所鍵結之部位以外之氫原子亦可經取代基取代。

上述化合物A於n為2以上之情形時，與n價基X之鍵結位置之種類可為2種以上，但較佳為1種。其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。所謂上述化合物A中之與n價基X之鍵結位置之種類為2種以上，意指如下情況等：例如於n為2之情形時，2價基X與一個吲哚環Ar在第1位之位置上鍵結，與另一個吲哚環Ar在第2位之位置上鍵結。又，所謂上述化合物A之與n價基X之鍵結位置之種類為1種，意指如下情況等：例如於n為2之情形時，2價基X與兩個吲哚環Ar分別在第1位之位置上鍵結。

關於上述化合物A，更具體而言，較佳為上述通式(A1)、(A2)或(A3)所表示之化合物(以下，有時分別稱為化合物A1、化合物A2及化合物A3)。其中，上述化合物A更佳為化合物A1。其原因在於：化合物A1藉由與n價基X之鍵結位置為上述吲哚環Ar之第1位之位置，而400 nm附近之光之吸收性優異。又，其原因在於：化合物A1容易合成。

化合物A2係與n價基X之鍵結位置為上述吲哚環Ar之第2位之位置之例，化合物A3係與n價基X之鍵結位置為第4位～第7位之例。又，化合物A1～A3係與n價基X之鍵結位置之種類為1種之例。

作為R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之碳原子數1～40之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、環戊基、己基、2-己基、3-己基、環己基、4-甲基環己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、第三庚基、1-辛基、異辛基、第三辛基及金剛烷基等。

作為R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之碳原子數6～30之芳基，可列舉苯基、萘基及蒽基等。

作為R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之碳原子數7～30之芳烷基，可列舉苄基、茀基、茚基及9-茀基甲基等。

作為R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之碳原子數2～20之含雜環基，可列舉吡啶基、嘧啶基、嗒𠯤基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三𠯤基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、***基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基、噻吩基(thienyl)、苯硫基(thiophenyl)、苯并噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、㗁唑基、苯并㗁唑基、異噻唑基、異㗁唑基、吲哚基、2-吡咯啶酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧基咪唑啶-3-基及2,4-二氧基㗁唑啶-3-基等。

作為R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之鹵素原子，可列舉氟、氯、溴及碘等。

R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR''-、＞P=O、-S-S-、-SO₂ -或該等之組合。

即，R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 可為烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR''-、＞P=O、-S-S-、-SO₂ -或該等之組合而成之基。

上述R''表示氫原子或碳原子數1～8之烷基，作為碳原子數1～8之烷基，可列舉作為R² 等所例示者之中滿足特定之碳原子數者。作為上述碳-碳雙鍵，更具體而言，可列舉-CH=CH-、-C(CH₃ )=CH-、-C(CH₃ )=C(CH₃ )-等。

R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基被上述之碳-碳雙鍵等取代的數量並不限定於1，亦可為2以上。

於本發明中，關於基之碳原子數，於基中之亞甲基被取代為上述碳-碳雙鍵等之情形時，係規定其取代後之基之碳原子數。例如，本說明書中，於碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為上述碳-碳雙鍵等之情形時，該「碳原子數1～40」係指亞甲基被取代後之碳原子數，並非指亞甲基被取代之前之碳原子數。因此，例如如下文所述之化合物(41)之R¹ 般，丙基中之1個亞甲基被取代為-CO-O-而成之基的碳原子數成為3。

R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基可具有取代基。上述化合物A只要無特別說明，則包含不具有取代基者及具有取代基者。

R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子可被取代為乙烯基、烯丙基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基等乙烯性不飽和基；氟、氯、溴及碘等鹵素原子；乙醯基、2-氯乙醯基、丙醯基、辛醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯基羰基(苯甲醯基)、酞醯基、4-三氟甲基苯甲醯基、三甲基乙醯基、鄰羥苯甲醯基、草醯基、硬脂醯基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、第三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基及胺甲醯基等醯基；乙醯氧基及苯甲醯氧基等醯氧基；胺基、乙基胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、丁基胺基、環戊基胺基、2-乙基己基胺基、十二烷基胺基、苯胺基、氯苯基胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺、N-甲基-苯胺基、二苯基胺基、萘基胺基、2-吡啶基胺基、甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯基胺基、苯甲醯基胺基、甲醯基胺基、三甲基乙醯基胺基、月桂醯基胺基、胺甲醯基胺基、N,N-二甲基胺基羰基胺基、N,N-二乙基胺基羰基胺基、𠰌啉基羰基胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基羰基胺基、第三丁氧基羰基胺基、正十八烷氧基羰基胺基、N-甲基-甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、胺磺醯基胺基、N,N-二甲基胺基磺醯基胺基、甲基磺醯基胺基、丁基磺醯基胺基及苯基磺醯基胺基等取代胺基；磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、以及羧基、磺基、膦酸基及磷酸基之鹽等。

即，R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 可為烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基、鹵素原子、醯基、醯氧基、取代胺基、磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、或羧基、磺基、膦酸基或者磷酸基之鹽之基。

R、R'、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子經取代基取代之數量不限定於1，亦可為2以上。

於本發明中，關於基之碳原子數，於基中之氫原子經取代基取代之情形時，係規定其取代後之基之碳原子數。例如，於上述碳原子數1～40之烷基之氫原子經取代之情形時，碳原子數1～40係指氫原子經取代後之碳原子數，並非指氫原子經取代前之碳原子數。因此，例如如下文所述之化合物(40)之R⁴ 般，丙基之末端之1個氫原子被取代為-CH=CH₂ 而成之基的碳原子數成為5。又，下文所述之化合物(103)及化合物(104)之R⁴ 之碳原子數分別成為13及17。

上述R¹ 係表示氰基、-COOR、-OCOR、-CONHR、-NHCOR、-COONHR、-NHCOOR、-COR、-SO₂ R、-SOR、-SO₂ NRR'、鹵素原子、硝基或膦醯基者，其中較佳為氰基、-COOR，尤佳為氰基。其原因在於：藉由上述R¹ 為該等基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。進而，其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

上述R及R'係分別獨立表示氫原子、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基者，較佳為碳原子數1～40之烷基、碳原子數7～30之芳烷基，其中較佳為碳原子數1～40之烷基，尤佳為碳原子數1～10之烷基，其中尤佳為甲基、乙基、丙基等碳原子數1～5之烷基。其原因在於：藉由上述R及R'為該等基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。進而，其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

上述R及R'較佳為分別獨立為碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基及碳原子數2～20之含雜環基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其中，較佳為碳原子數1～40之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，尤佳為碳原子數1～10之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數1～10之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其中尤佳為碳原子數3～7之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數3～7之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其原因在於：藉由上述R等為上述基，上述化合物A成為揮散性較低之化合物。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。

上述R² 係表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基者，較佳為氫原子、氰基或碳原子數1～40之烷基，其中，較佳為氫原子。其原因在於：藉由上述R² 為該等基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。

上述R³ 及R⁴ 係分別獨立表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基者，較佳為氫原子、碳原子數1～40之烷基。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為揮散性較低之化合物，進而，成為容易合成者。於本發明中，於R³ 為不具有下文所述之聚合性基之基之情形時，較佳為氫原子、碳原子數1～40之烷基或碳原子數6～30之芳基，其中，較佳為氫原子、碳原子數1～10之烷基或碳原子數6～15之芳基，尤佳為氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數6～12之芳基。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為揮散性較低之化合物，進而，成為容易合成者。又，就使400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異之觀點而言，較佳為R³ 為氫原子。又，於本發明中，於R⁴ 為不具有下文所述之聚合性基之基之情形時，較佳為碳原子數1～40之烷基，其中，較佳為碳原子數1～20之烷基，尤佳為碳原子數1～5之烷基。其原因在於：藉由上述R⁴ 為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

上述R⁵ 及R⁵⁵ 係分別獨立表示鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基者，較佳為氫原子、碳原子數1～40之烷基，尤佳為氫原子。其原因在於：成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。上述R⁵ 及R⁵⁵ 於存在複數個之情形時，可相同亦可不同。

其原因在於：藉由上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 為該等基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。進而，其原因在於：上述化合物A成為揮散性較低之化合物。

上述化合物A較佳為上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 之至少1者為具有聚合性基者。藉此，上述化合物A成為揮散性較低之化合物。更具體而言，其原因在於：上述化合物A例如藉由化合物A彼此之聚合能夠多聚化，藉由與丙烯酸酯單體等聚合性化合物之聚合等能夠高分子量化，結果，成為揮散性較低之化合物。作為上述聚合性基，只要為利用聚合性基彼此進行聚合能夠高分子量化者即可，例如可列舉自由基聚合性基、陽離子聚合性基、陰離子聚合性基等。於本發明中，較佳為僅上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 之任一者為具有聚合性基者，其中，較佳為僅R⁴ 具有聚合性基者。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

作為上述自由基聚合性基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等乙烯性不飽和基等。又，作為上述自由基聚合性基，亦可使用取代亞甲基之上述碳-碳雙鍵。作為上述陽離子聚合性基，可列舉環氧基、氧雜環丁烷基、乙烯醚基等。作為上述陰離子聚合性基，可列舉環氧基、內酯基等。作為上述聚合性基，其中，較佳為乙烯性不飽和基、碳-碳雙鍵等自由基聚合性基。其原因在於：上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物。

上述化合物A更具體而言較佳為上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 之至少1者為碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或碳原子數2～20之含雜環基、或碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或者碳原子數2～20之含雜環基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數1～40之烷基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數7～30之芳烷基或者碳原子數2～20之含雜環基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，其中，較佳為上述R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁵⁵ 之至少1者為碳原子數1～40之烷基、或碳原子數1～40之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，尤佳為R⁴ 為碳原子數1～40之烷基、或碳原子數1～40之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，其中尤佳為R⁴ 為碳原子數1～10之烷基、或碳原子數1～10之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～10之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，較佳為R⁴ 為碳原子數3～10之烷基、或碳原子數3～10之烷基中之1個氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數3～10之烷基中之1個亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其原因在於：藉由上述R³ 等為上述基，上述化合物A成為揮散性較低之化合物。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。

於本發明中，於R⁴ 為碳原子數1～40之烷基、或碳原子數1～40之烷基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基的情形時，作為R⁴ ，亦較佳為碳原子數1～40之烷基中之2個以上氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數1～40之烷基中之2個以上亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其中，較佳為碳原子數5～25之烷基中之2個以上氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數5～25之烷基中之2個以上亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，尤佳為碳原子數8～22之烷基中之2～5個氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數8～22之烷基中之2～5個亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基，尤佳為碳原子數10～20之烷基中之2～4個氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數10～20之烷基中之2～4個亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基。其原因在於：藉由上述R⁴ 為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

又，於R⁴ 為碳原子數1～40之烷基中之2個以上氫原子被取代為乙烯性不飽和基之基、或上述碳原子數1～40之烷基中之2個以上亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基的情形時，較佳為進而該等基中之亞甲基分別獨立被取代為-COO-或-OCO-之基。其原因在於：藉由上述R⁴ 為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡優異者。

上述碳原子數1～40之烷基中之亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之基之碳數係指亞甲基被取代為碳-碳雙鍵後之碳原子數，並非指亞甲基被取代為碳-碳雙鍵之前之碳原子數。其他基中之亞甲基被取代之情形時亦相同。又，上述碳原子數1～40之烷基中之氫原子經取代基取代之基之碳原子數係指氫原子經取代基取代後之碳原子數，並非指氫原子被取代為取代基之前之碳原子數。其他基中之氫原子經取代之情形時亦相同。

上述n為1～10之整數，較佳為2～10之整數，其中較佳為2～6之整數，尤佳為2～4之整數。其原因在於：藉由上述n為上述範圍，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異、揮散性較低之化合物。

上述5a表示0～4之整數，較佳為0或1之整數。上述55a表示0～3之整數，較佳為0或1之整數。其原因在於：藉由5a及55a為上述範圍，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。

上述通式(A)所表示之化合物A具有X所表示之n價基與n個包含吲哚環Ar及氰基乙烯基結構之特定之結構鍵結的結構。該n個特定之結構存在相互相同之情況，亦存在不同之情況。

上述X表示n價基。作為上述X，具體而言，可列舉直接鍵、氫原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子、下述(II-a)或者(II-b)所表示之基、＞C=O、＞NR⁵³ 、-OR⁵³ 、-SR⁵³ 、-NR⁵³ R⁵⁴ 或具有與n相同數目之價數之碳原子數1～120之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或者碳原子數2～35之含雜環基。

上述R⁵³ 及R⁵⁴ 分別獨立表示氫原子、碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基。上述X、R⁵³ 及R⁵⁴ 所表示之脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NH-CO-O-、-NR^' -、-S-S-、-SO₂ -、氮原子或該等之組合。供取代之亞甲基之數不限定於1個，亦可為2個以上。即，上述X、R⁵³ 及R⁵⁴ 亦可為碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NH-CO-O-、-NR^' -、-S-S-、-SO₂ -、氮原子或該等之組合而成之基。又，上述芳香環或雜環亦可與其他環進行縮合。

於X為氮原子、磷原子或下述(II-a)或(II-b)所表示之鍵結基之情形時，n為3，於X為直接鍵、氧原子或硫原子、＞C=O、-NH-CO-、-CO-NH-或＞NR⁵³ 之情形時，n為2，於X為-OR⁵³ 、-SR⁵³ 或-NR⁵³ R⁵⁴ 之情形時，n為1，X亦可與苯環一起形成環。

[化4]

(*意指於*部分與鄰接之基鍵結)

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數1～120之脂肪族烴基，作為1價者，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、環戊基、己基、2-己基、3-己基、環己基、聯環己基、1-甲基環己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基及癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、第三戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、異庚氧基、第三庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、第三辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基及癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、第三戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、異庚硫基、第三庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、第三辛硫基及2-乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、異丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、環己烯基、二環己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五碳烯基、二十碳烯基及二十三烯基等烯基；以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數1～120之脂肪族烴基，作為2價者，可列舉自上述1價脂肪族烴基除去1個氫原子而成之基，具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基及丁基二基等伸烷基；上述伸烷基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-而成之基；乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇等二醇基之殘基；乙二硫醇、丙二硫醇、丁二硫醇、戊二硫醇、己二硫醇等二硫醇基之殘基及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數1～120之脂肪族烴基，作為3價者，可列舉自上述1價脂肪族烴基除去2個氫原子而成之基，例如可列舉次丙基及1,1,3-次丁基次丙基等次烷基；以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。作為3價者，不限定於如次烷基般自丙烷、丁烷等脂肪族烴中之1個碳原子除去3個氫原子而成之基，亦可列舉自脂肪族烴中之2個碳原子合計除去3個氫原子而成之基、自脂肪族烴中之不同之3個碳原子分別各除去1個氫原子而成之基。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數6～35之含芳香環烴基，作為1價者，可列舉：苄基、苯乙基、二苯甲基、三苯甲基、苯乙烯基及肉桂基等芳烷基；苯基及萘基等芳基；苯氧基及萘氧基等芳氧基；苯硫基及萘硫基等芳硫基：以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數6～35之含芳香環烴基，作為2價者，可列舉伸苯基及伸萘基等伸芳基；兒茶酚基、雙酚基等二官能苯酚基之殘基；2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷基；伸烷基、伸芳基及伸烷基依序鍵結而成之基等將伸烷基及伸芳基組合而成之基；以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。作為伸烷基，可列舉與上述X所表示之伸烷基相同者。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數6～35之含芳香環烴基，作為3價者，可列舉苯基-1,3,5-三亞甲基及該基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數2～35之含雜環基，作為n為1價者，可列舉：吡啶基、嘧啶基、嗒𠯤基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三𠯤基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、***基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基、噻吩基(thienyl)、噻吩基(thiophenyl)、苯并噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、㗁唑基、苯并㗁唑基、異噻唑基、異㗁唑基、吲哚基、2-吡咯啶酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧基咪唑啶-3-基、2,4-二氧基㗁唑啶-3-基及苯并***基、以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數2～35之含雜環基，作為n為2價者，可列舉具有吡啶環、嘧啶環、哌啶環、哌𠯤環、三𠯤環、呋喃環、噻吩環及吲哚環之2價基、以及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

關於上述X所表示之具有與n相同數目之價數之碳原子數2～35之含雜環基，作為n為3價者，可列舉具有異三聚氰酸環之3價基、具有三𠯤環之3價基及該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基等。

作為R⁵³ 及R⁵⁴ 所表示之碳原子數1～35之脂肪族烴基，可列舉上述X所表示之脂肪族烴基或上述脂肪族烴基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基中碳原子數為1～35者。

作為R⁵³ 及R⁵⁴ 所表示之碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基，可列舉上述X所表示之碳原子數6～35之含芳香環烴基或者碳原子數2～35之含雜環基或該等基之氫原子被取代為下文所述之取代基而成之基。

上述X、R⁵³ 、R⁵⁴ 等所表示之脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基等各官能基亦可具有取代基。作為此種取代脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基等之氫原子之取代基，例如可列舉與取代R² 等所表示之烷基等之氫原子之取代基相同者。本發明之化合物A只要無特別說明，則包含不具有取代基者及具有取代基者。

作為上述X，於n為2時，可列舉下述通式(1)所表示之基。作為上述X，於n為3時，可列舉下述通式(2)所表示之基。作為上述X，於n為4時，可列舉下述通式(3)所表示之基。作為上述X，於n為5時，可列舉下述通式(4)所表示之基。作為上述X，於n為6時，可列舉下述通式(5)所表示之基。

[化5]

(上述通式(1)中，Y¹ 表示-CR⁵⁵ R⁵⁶ -、-NR⁵⁷ -、2價之碳原子數1～35之脂肪族烴基、2價之碳原子數6～35之含芳香環烴基、2價之碳原子數2～35之含雜環基、或下述(1-1)～(1-3)所表示之任一基， R⁵⁵ 及R⁵⁶ 分別獨立表示氫原子、碳原子數1～8之烷基、碳原子數6～20之芳基或碳原子數7～20之芳烷基， Z¹ 及Z² 分別獨立表示直接鍵、-O-、-S-、＞CO、-CO-O-、-O-CO-、-SO₂ -、-SS-、-SO-、＞NR⁵⁷ 或＞PR⁵⁸ ， R⁵⁷ 及R⁵⁸ 表示氫原子、碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基，上述Y¹ 、R⁵⁵ 、R⁵⁶ 及R⁵⁷ 所表示之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基及碳原子數2～35之含雜環基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或者-NH-或該等之組合之基， *意指於*部分與鄰接之基鍵結)

[化6]

(上述式中，R⁵⁹ 表示氫原子、可具有取代基之苯基、或可具有取代基之碳原子數3～10之環烷基， R⁶⁰ 表示碳原子數1～10之烷基、碳原子數1～10之烷氧基、碳原子數2～10之烯基或鹵素原子，上述烷基、烷氧基及烯基可具有取代基， c1表示0～5之整數， *意指於*部分與鄰接之基鍵結)

[化7]

(*意指於*部分與鄰接之基鍵結)

[化8]

(上述式中，R⁶¹ 及R⁶² 分別獨立表示碳原子數1～10之烷基、碳原子數6～20之芳基、碳原子數6～20之芳氧基、碳原子數6～20之芳硫基、碳原子數6～20之芳基烯基、碳原子數7～20之芳烷基、碳原子數2～20之含雜環基或鹵素原子，上述R⁶¹ 及R⁶² 所表示之烷基及芳烷基中之亞甲基亦可被取代為碳-碳雙鍵、-O-或-S-， R⁶¹ 亦可利用鄰接之R⁶¹ 彼此形成環， c2表示0～4之數， c3表示0～8之數， c4表示0～4之數， c5表示0～4之數， c4與c5之數之合計為2～4， *意指於*部分與鄰接之基鍵結)

[化9]

(上述通式(2)中，Y¹¹ 表示3價之碳原子數3～35之脂肪族烴基、碳原子數3～35之脂環族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基， Z¹ 、Z² 及Z³ 分別獨立表示與上述通式(1)中之Z¹ ～Z² 所表示之基相同之範圍之基，上述Y¹¹ 所表示之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基及碳原子數2～35之含雜環基之亞甲基亦可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-或-SO₂ -)

[化10]

(上述通式(3)中，Y¹² 表示碳原子、4價之碳原子數1～35之脂肪族烴基、4價之碳原子數6～35之含芳香環烴基、或4價之碳原子數2～35之含雜環基，上述Y¹² 所表示之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基之亞甲基亦可被取代為-COO-、-O-、-OCO-、-NHCO-、-NH-或-CONH-， Z¹ ～Z⁴ 分別獨立為與上述通式(1)中之Z¹ ～Z² 所表示之基相同之範圍之基)

[化11]

(上述通式(4)中，Y¹³ 表示5價之碳原子數2～35之脂肪族烴基、5價之碳原子數6～30之含芳香環烴基或5價之碳原子數2～30之含雜環基，上述Y¹³ 所表示之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或者碳原子數2～35之含雜環基之亞甲基亦可被取代為-COO-、-O-、-OCO-、-NHCO-、-NH-或-CONH-， Z¹ ～Z⁵ 分別獨立為與上述通式(1)中之Z¹ ～Z² 所表示之基相同之範圍之基)

[化12]

(上述通式(5)中，Y¹⁴ 表示6價之碳原子數2～35之脂肪族烴基、6價之碳原子數6～35之含芳香環烴基或6價之碳原子數2～35之含雜環基，上述Y¹⁴ 所表示之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或者碳原子數2～35之含雜環基之亞甲基亦可被取代為-COO-、-O-、-OCO-、-NHCO-、-NH-或-CONH-， Z¹ ～Z⁶ 分別獨立為與上述通式(1)中之Z¹ ～Z² 所表示之基相同之範圍之基)

作為上述通式(1)所表示之基中之Y¹ 所表示之2價之碳原子數1～35之脂肪族烴基，可列舉上述X所表示之2價之脂肪族烴基之中為特定之碳原子數之基，例如可列舉甲烷、乙烷、丙烷、異丙烷、丁烷、第二丁烷、第三丁烷、異丁烷、己烷、2-甲基己烷、3-甲基己烷、庚烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、異庚烷、第三庚烷、1-甲基辛烷、異辛烷、第三辛烷、環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、2,4-二甲基環丁烷、4-甲基環己烷等脂肪族烴之氫原子被取代為Z¹ 及Z² 而成之2價基。該等基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-或將該等組合而成之基。

作為上述通式(1)所表示之基中之Y¹ 所表示之2價之碳原子數6～35之含芳香環烴基，可列舉上述X所表示之2價之含芳香環烴基，例如可列舉苯、萘、聯苯等含芳香環烴之氫原子被取代為Z¹ 及Z² 而成之2價基等。

作為上述通式(1)所表示之基中之Y¹ 所表示之2價之碳原子數2～35之含雜環基，可列舉上述X所表示之2價之含雜環基，例如可列舉哌啶、哌𠯤、嘧啶、嗒𠯤、三𠯤、六氫三𠯤、呋喃、四氫呋喃、𠳭唍、𠮿

、噻吩、四氫噻吩(thiolane)等含雜環化合物之氫原子被取代為Z¹ 及Z² 而成之2價基。

上述通式(1)所表示之基中之Y¹ 所表示之脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基之氫原子亦可被取代為鹵素原子、氰基、硝基或碳原子數1～8之烷氧基。作為此種取代脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基等之氫原子之取代基，可列舉與取代R² 等所表示之烷基等之氫原子之取代基相同者。上述脂肪族烴基、含芳香環烴基及含雜環基等各官能基亦可具有取代基，只要無特別說明，則為不具有取代基之未經取代者或具有取代基者。

作為上述通式(1)所表示之基中之R⁵⁵ 及R⁵⁶ 所表示之碳原子數1～8之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、己基、2-己基、3-己基、環己基、4-甲基環己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、第三庚基、1-辛基、異辛基及第三辛基等。

作為上述通式(1)所表示之基中之R⁵⁵ 及R⁵⁶ 所表示之碳原子數6～20之芳基，可列舉：苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-第三丁基苯基、4-己基苯基、4-環己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4-二-第三丁基苯基、2,5-二-第三丁基苯基、2,6-二-第三丁基苯基、2,4-二-第三戊基苯基、2,5-二-第三戊基苯基及2,4,5-三甲基苯基等。

作為上述通式(1)所表示之基中之R⁵⁵ 及R⁵⁶ 所表示之碳原子數7～20之芳烷基，可列舉苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、苯烯丙基等。

上述通式(1)所表示之基中之R⁵⁷ 及R⁵⁸ 所表示之碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或碳原子數2～35之含雜環基可列舉與作為R⁵³ 及R⁵⁴ 所例示者相同者。

作為上述通式(1-1)所表示之基中之R⁵⁹ 所表示之碳原子數3～10之環烷基，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環庚基、環辛基等及該等基之氫原子被取代為碳原子數1～10之烷基或者碳原子數1～10之烷氧基而成之基等。

作為上述通式(1-1)所表示之基中之R⁶⁰ 所表示之碳原子數1～10之烷基，可列舉上述作為R² 等所表示之烷基所例示者之中碳原子數為1～10者。

作為上述通式(1-1)所表示之基中之R⁶⁰ 所表示之碳原子數1～10之烷氧基，可使用上述作為R² 等所表示之烷基所例示之基之末端之亞甲基被取代為-O-而成者之中碳原子數為1～10者。作為上述烷氧基，例如可列舉甲氧基、乙氧基、異丙氧基等。

作為上述通式(1-1)所表示之基中之R⁶⁰ 所表示之碳原子數2～10之烯基，可列舉乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基及2-辛烯基等。

上述R⁶⁰ 所表示之烷基、烷氧基及烯基之氫原子亦可被取代為鹵素原子，其取代位置並無限制。作為上述鹵素原子，可列舉上述作為R² 等所例示者。

作為上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之碳原子數1～10之烷基、碳原子數6～20之芳基、碳原子數7～20之芳烷基、鹵素原子，可列舉上述作為R² 等所例示者之中滿足特定之碳原子數者。

作為上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之碳原子數6～20之芳氧基，可列舉：苯氧基、萘氧基、2-甲基苯氧基、3-甲基苯氧基、4-甲基苯氧基、4-乙烯基苯氧基、3-異丙基苯氧基、4-異丙基苯氧基、4-丁基苯氧基、4-第三丁基苯氧基、4-己基苯氧基、4-環己基苯氧基、4-辛基苯氧基、4-(2-乙基己基)苯氧基、2,3-二甲基苯氧基、2,4-二甲基苯氧基、2,5-二甲基苯氧基、2,6-二甲基苯氧基、3,4-二甲基苯氧基、3,5-二甲基苯氧基、2,4-二-第三丁基苯氧基、2,5-二-第三丁基苯氧基、2,6-二-第三丁基苯氧基、2,4-二-第三戊基苯氧基、2,5-第三戊基苯氧基、4-環己基苯氧基、2,4,5-三甲基苯氧基及二茂鐵基氧基及該等基之氫原子被取代為鹵素原子而成之基。

作為上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之碳原子數6～20之芳硫基，可列舉將上述可經鹵素原子取代之碳原子數6～20之芳氧基之氧原子取代為硫原子而成者。

作為上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之碳原子數8～20之芳基烯基，可列舉將上述可經鹵素原子取代之碳原子數6-20之芳氧基之氧原子取代為乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、2-辛烯基等烯基而成之基等。

作為上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之碳原子數2～20之含雜環基，可列舉吡啶基、吡𠯤基、哌啶基、哌𠯤基、嘧啶基、嗒𠯤基、三𠯤基、六氫三𠯤基、呋喃基、四氫呋喃基、𠳭唍基、𠮿

基、噻吩基及硫呋喃基以及將該等基之氫原子取代為鹵素原子而成之基等。

上述通式(1-3)所表示之基中之R⁶¹ 及R⁶² 所表示之芳氧基、芳硫基、芳基烯基、含雜環基等各官能基亦可具有取代基，只要無特別說明，則為不具有取代基之未經取代者或具有取代基者。作為將芳氧基、芳硫基、芳基烯基、含雜環基等之氫原子取代之取代基，可列舉與將R² 等所表示之烷基等之氫原子取代之取代基相同之基。

作為上述通式(2)所表示之基中之Y¹¹ 所表示之3價之碳原子數3～35之脂肪族烴基，可列舉上述X所表示之3價之脂肪族烴基中為特定之碳原子數之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之脂肪族烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 及Z³ 而成之3價基。該等基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-SO₂ -、-NH-或將該等組合而成之基。

作為上述通式(2)所表示之基中之Y¹¹ 所表示之3價之碳原子數6～35之含芳香環烴基，可列舉上述X所表示之3價之含芳香環烴基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含芳香環烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 及Z³ 而成之3價基。

作為上述通式(2)所表示之基中之Y¹¹ 所表示之3價之碳原子數2～35之含雜環基，可列舉上述X所表示之3價之含雜環基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含雜環化合物之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 及Z³ 而成之3價基。

作為上述通式(3)所表示之基中之Y¹² 所表示之4價之碳原子數1～35之脂肪族烴基，可列舉自上述X所表示之1價之脂肪族烴基除去3個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之脂肪族烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 及Z⁴ 而成之4價基。該等基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-或將該等組合而成之基。

作為上述通式(3)所表示之基中之Y¹² 所表示之4價之碳原子數6～35之含芳香環烴基，可列舉自上述X所表示之1價之含芳香環烴基除去3個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含芳香環烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 及Z⁴ 而成之4價基。

作為上述通式(3)所表示之基中之Y¹² 所表示之4價之碳原子數2～35之含雜環基，可列舉自上述X所表示之1價之含雜環基除去3個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含雜環化合物之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 及Z⁴ 而成之4價基。

作為上述通式(4)所表示之基中之Y¹³ 所表示之5價之碳原子數2～35之脂肪族烴基，可列舉自上述X所表示之1價之脂肪族烴基除去4個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之脂肪族烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 及Z⁵ 而成之5價基。該等基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-SO₂ -、-NH-或將該等組合而成之基。

作為上述通式(4)所表示之基中之Y¹³ 所表示之5價之碳原子數6～35之含芳香環烴基，可列舉自上述X所表示之1價之含芳香環烴基除去4個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含芳香環烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 及Z⁵ 而成之5價基。

作為上述通式(4)所表示之基中之Y¹³ 所表示之5價之碳原子數2～35之含雜環基，可列舉自上述X所表示之1價之含雜環基除去4個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含雜環化合物之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 及Z⁵ 而成之5價基。

作為上述通式(5)中之Y¹⁴ 所表示之6價之碳原子數2～35之脂肪族烴基，可列舉自上述X所表示之1價之脂肪族烴基除去5個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之脂肪族烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 、Z⁵ 及Z⁶ 而成之6價基，基中之亞甲基亦可被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂ -、-NH-或將該等組合而成之基。

作為上述通式(5)中之Y¹⁴ 所表示之6價之碳原子數6～35之含芳香環烴基，可列舉自上述X所表示之1價之含芳香環烴基除去5個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含芳香環烴之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 、Z⁵ 及Z⁶ 而成之6價基。

作為上述通式(5)中之Y¹⁴ 所表示之6價之碳原子數2～35之含雜環基，可列舉自上述X所表示之1價之含雜環基除去5個氫原子而成之基，例如可列舉上述通式(1)中之Y¹ 之說明中所例示之含雜環化合物之氫原子被取代為Z¹ 、Z² 、Z³ 、Z⁴ 、Z⁵ 及Z⁶ 而成之6價基。

上述X較佳為碳原子數1～120之脂肪族烴基，其中，較佳為碳原子數1～10之脂肪族烴基。其原因在於：藉由上述X為上述基，上述化合物A成為容易合成者。

於n為2～10之情形時，上述X較佳為碳原子數1～120之脂肪族烴基，尤佳為碳原子數1～10之脂肪族烴基。又，上述X亦可較佳地使用碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基。其原因在於：藉由上述X為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：藉由上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物，並且成為合成容易者。

於n為2之情形時，上述X較佳為2價之碳原子數1～120之脂肪族烴基，尤佳為2價之碳原子數1～10之脂肪族烴基，其中，尤佳為2價之碳原子數4～10之脂肪族烴基，其中，尤佳為基中之氫原子及亞甲基未被取代之碳原子數5～10之2價之脂肪族烴基(未經取代之碳原子數5～10之2價之脂肪族烴基)。其中，尤佳為基中之氫原子及亞甲基未被取代之直鏈之碳原子數5～10之2價之脂肪族烴基(為直鏈且未經取代之碳原子數5～10之脂肪族烴基)，其中，尤佳為基中之氫原子及亞甲基未被取代之直鏈之碳原子數5～10之伸烷基(為直鏈且未經取代之碳原子數5～10之伸烷基)。其原因在於：藉由上述X為上述基，上述化合物A成為容易合成者。上述脂肪族烴基可為直鏈狀亦可為支鏈狀，但較佳為直鏈狀。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A成為容易合成者。又，其原因在於：上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物。

又，於n為2之情形時，上述X亦較佳為2價之碳原子數1～35之脂肪族烴基或2價之碳原子數6～35之含芳香環烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中，較佳為二價之碳原子數3～20之脂肪族烴基或2價之碳原子數8～20之含芳香環烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為2價之碳原子數5～15之脂肪族烴基或2價之碳原子數10～20之含芳香環烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為2價之碳原子數5～15之脂肪族烴基或2價之碳原子數10～20之含芳香環烴基中之亞甲基被取代為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為碳原子數5～15之伸烷基或碳原子數10～20之將伸烷基及伸芳基組合而成之基中之亞甲基被取代為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為碳原子數5～15之直鏈或分支之伸烷基或上述碳原子數12～18之伸烷基、伸芳基及伸烷基依序鍵結而成的基中之亞甲基被取代為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基。其原因在於：藉由上述X為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物，並且成為合成容易者。

又，於本發明中，於n為3之情形時，上述X較佳為3價之碳原子數1～35之脂肪族烴基或該脂肪族烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，尤佳為3價之碳原子數5～15之脂肪族烴基或該脂肪族烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為3價之碳原子數8～15之脂肪族烴基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為3價之碳原子數8～15之脂肪族烴基中之亞甲基被取代為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，其中尤佳為碳原子數為8～15、為自脂肪族烴中之不同之3個碳原子分別各去除1個氫原子而成之基且亞甲基被取代為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基。其原因在於：藉由上述X為上述基，上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物，並且成為合成容易者。

再者，於本發明中，於n為1之情形時，上述X為1價基，例如，於上述化合物A以通式(A1)表示之情形時，上述X較佳為氫原子或碳原子數1～40之烷基等與R⁴ 之較佳之基相同之基，於上述化合物A以通式(A2)表示之情形時，上述X較佳為氫原子、碳原子數1～40之烷基或碳原子數6～30之芳基等與R³ 之較佳之基相同之基，於上述化合物A以通式(A3)表示之情形時，上述X較佳為氫原子、碳原子數1～40之烷基等與R⁵⁵ 之較佳之基相同之基。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性優異者。又，其原因在於：上述化合物A容易製成揮散性較低之化合物，並且成為合成容易者。

作為上述化合物A之具體例，例如可列舉下述式(1)～(75)所表示之化合物。

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

[化17]

[化18]

[化19]

本發明之化合物較佳為上述通式(A1)所表示之化合物，且較佳為式中之n為2或3、X為碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡更優異者。

其中於本發明中，較佳為上述通式(A1)中之R¹ 為氰基或-COOR，R為碳原子數1～10之烷基或碳原子數1～10之烷基中之1個氫原子被取代為乙烯性不飽和基而成之基，R² 為氫原子，R³ 為氫原子、碳原子數1～10之烷基或碳原子數6～15之芳基，X為碳原子數1～35之脂肪族烴基、碳原子數6～35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基，5a為0，n為2或3。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡更優異者。

進而，於上述通式(A1)所表示之化合物中，較佳為式中之R¹ 為氰基或-COOR，R為碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之烷基中之1個氫原子被取代為乙烯性不飽和基而成之基，R² 為氫原子，R³ 為氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數6～12之芳基，X為碳原子數5～10之脂肪族烴基、或碳原子數5～15之脂肪族烴基或碳原子數10～20之含芳香環烴基，且該等基中之亞甲基被取代為-COO-或-OCO-之基，5a為0，n為2或3。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡更優異者。

又，本發明之化合物亦較佳為上述通式(A3)所表示之化合物，其中，較佳為n為1、R⁴ 為碳原子數1～10之烷基或者該等基中之氫原子之1個被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基之1個或者2個以上分別獨立被取代為-COO-或者-OCO-且基中之氫原子之2個以上被取代為乙烯性不飽和基之基的化合物，尤佳為式中之R¹ 為氰基或-COOR，R為碳原子數1～10之烷基或碳原子數1～10之烷基中之氫原子之1個被取代為乙烯性不飽和基之基，R² 為氫原子，R³ 為氫原子、碳原子數1～10之烷基或碳原子數6～15之芳基，R⁴ 為碳原子數1～10之烷基或者該等基中之氫原子之1個被取代為乙烯性不飽和基之基或碳原子數1～40之烷基中之亞甲基之1個或者2個以上分別獨立被取代為-COO-或者-OCO-且基中之氫原子之2個以上被取代為乙烯性不飽和基之基，X為氫原子，5a為0，n為1。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡更優異者。

進而，於上述通式(A3)所表示之化合物中，較佳為式中之R¹ 為氰基或-COOR，R為碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之烷基中之氫原子之1個被取代為乙烯性不飽和基而成之基，R² 為氫原子，R³ 為氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數6～12之芳基，R⁴ 為碳原子數1～5之烷基、碳原子數3～10之烷基中之氫原子之1個被取代為乙烯性不飽和基之基、或碳原子數5～25之烷基中之亞甲基之1個或者2個以上分別獨立被取代為-COO-或者-OCO-且基中之氫原子之2個以上被取代為乙烯性不飽和基之基，X為氫原子，5a為0，n為1。其原因在於：上述化合物A成為400 nm附近之光之吸收性、低揮散性及合成容易性之平衡更優異者。

作為上述化合物A之製造方法，只要為能夠獲得所需結構之化合物A之方法，則無特別限定。作為上述製造方法，例如可列舉如下方法：準備如日本專利特開平11-246627號公報等所記載之具有醛結構之化合物(化合物(1))，對化合物1添加含氰基化合物使之進行反應。作為上述化合物(1)，可列舉具有吲哚-3-甲醛結構之化合物等。又，作為上述含氰基化合物，可列舉氰基乙酸乙酯或丙二腈等。

作為上述化合物A之最大吸收波長，只要為能夠吸收400 nm附近之光者，則無限制，可設為350 nm以上且420 nm以下。最大吸收波長較佳為設為360 nm以上且420 nm以下，較佳為380 nm以上且410 nm以下，較佳為390 nm以上且410 nm以下，較佳為395 nm以上且405 nm以下。其原因在於：藉由上述最大吸收波長為上述範圍內，上述化合物A能夠有效地吸收400 nm附近之光。

上述最大吸收波長可藉由依據JIS K0115測定吸光度而獲得。上述最大吸收波長例如可藉由如下方式而獲得：準備以成為1.0×10^-5 mol/L之濃度之方式將化合物A溶解於溶劑(氯仿)中而得者作為評價用樣品，繼而，將評價用樣品填充於石英槽(光程長度10 mm，厚度1.25 mm)，使用吸光光度計(例如，U-3900(Hitachi High-Tech Science公司製造)對吸光度進行測定。最大吸收波長可於250 nm以上且600 nm以下之範圍進行測定。

作為上述化合物A之400 nm下之吸光度，可視上述化合物A之用途等適當地設定，例如較佳為0.3以上，其中，較佳為0.4以上，尤佳為0.5以上。其原因在於：上述化合物A能夠有效率地吸收400 nm附近之光。作為吸光度之測定方法，可使用與最大吸收波長之測定方法相同之方法。

作為上述化合物A之450 nm下之吸光度，只要為能夠吸收400 nm附近之光者，則無限制，可設為0.1以下，其中，較佳為0.05以下，尤佳為0.01以下。

作為上述化合物A之350 nm下之吸光度，只要為能夠吸收400 nm附近之光者即可，可設為0.4以下，其中，較佳為0.3以下，尤佳為0.2以下。

作為上述化合物A之300 nm下之吸光度，只要為能夠吸收400 nm附近之光者即可，可設為0.3以下，其中，較佳為0.1以下，尤佳為0.05以下。

作為上述化合物A之包含最大吸收波長之吸收峰之半值寬，只要為能夠吸收400 nm附近之光者，則無限制，例如可設為100 nm以下，其中，較佳為80 nm以下，尤佳為10 nm以上且60 nm以下。其原因在於：藉由上述半值寬為上述範圍，上述化合物A成為能夠有效率地吸收400 nm附近之光者。作為吸收峰之測定方法，可使用與最大吸收波長之測定方法相同之方法。又，半值寬可設為於包含最大吸收波長之吸收峰中成為最大吸收波長下之吸光度(最大吸收峰)之一半之波長之寬度。

作為上述化合物A之常壓下之10%重量減少溫度，只要為具有所需揮散性者，則無限制，可視化合物A之用途等適當設定，例如較佳為250℃以上，其中，較佳為300℃以上，尤佳為350℃以上。其原因在於：上述化合物A成為揮散性較低者。作為上述10%重量減少溫度之上限，由於越高越佳，因此無特別限定，例如可設為450℃以下。關於常壓下之重量減少溫度，可使用示差熱-熱重量同步測定裝置針對試樣約5 mg於氮氣200 mL/min氛圍下以升溫初始溫度30℃、升溫結束溫度500℃、升溫速度10℃/min進行升溫時之試樣測定熱減少量，將相對於30℃時點之試樣重量減量10%之時點之溫度設為10%重量減少溫度。作為示差熱-熱重量同步測定裝置，只要為能夠精度良好地測定熱減少量者即可，例如可使用SII NanoTechnology公司製造之型號：EXSTAR TG/DTA6200。

作為上述化合物A之吸光度維持率，可視化合物A之用途等適當設定，越高越佳，例如較佳為60%以上，較佳為70%以上，其中，較佳為80%以上，尤佳為90%以上。其原因在於：上述化合物A成為耐光性優異者。吸光度維持率可使用下述(1)～(3)之方法。 (1)將化合物A及熱塑性之聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解於二氯甲烷中，並加入至培養皿中使之乾燥，準備作為評價用樣品之化合物A之濃度為3.8質量%之PMMA膜(100 μm)。 (2)對評價用樣品照射氙光240小時。 (3)針對氙光照射前後之評價用樣品，測定化合物A之上述最大吸收波長下之吸光度變化，並計算吸光度維持率(照射後吸光度/照射前吸光度)。

氙光之照射例如可使用氙氣耐候試驗機「ATLAS Weather-Ometer Ci4000」(東洋精機製作所(股)製造)。作為氙光之照射條件，可列舉以下條件。放射照度：0.55 W/m² (波長340 nm) 試驗槽內溫度：62℃ 試驗槽內相對濕度：50%

作為上述化合物A之用途，可用作吸收400 nm附近之光之光吸收劑。作為使用此種光吸收劑之更具體之用途，例如可列舉CD-R、DVD-R、DVD+R、BD-R(Blu-ray Disc Recordable，藍光可錄光碟)等光學記錄介質之記錄層等光記錄材料、液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、電致發光顯示器(ELD)、陰極管顯示裝置(CRT)、螢光顯示管、場發射型顯示器等圖像顯示裝置、分析裝置、半導體裝置製造用、天文觀測用、光通信用、眼鏡片、窗等各種用途中所使用之光學濾光器、墨水、塗料、塗佈劑、密封劑、光纖、汽車內外裝材料、建材等。作為上述液晶顯示裝置(LCD)中所使用之光學濾光器，可列舉彩色濾光片等。又，作為上述電致發光顯示器中所使用之光學濾光器，可列舉防止彩色濾光片、有機電致發光元件(有機EL元件)之光劣化之用途等。上述用途之中，較佳為上述光學濾光器，其中，較佳為防止有機EL元件之光劣化之用途中所使用之光學濾光器。其原因在於：能夠穩定地保護上述有機EL元件免於光劣化。

B.光吸收劑繼而，針對本發明之光吸收劑進行說明。本發明之光吸收劑之特徵在於包含上述化合物A。藉由包含上述化合物A，上述光吸收劑成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。以下，針對本發明之光吸收劑所包含之各成分詳細地進行說明。

1.化合物A 作為上述化合物A之含量，只要為能夠對光吸收劑賦予所需光吸收性者，則無特別限定。作為上述含量，可於光吸收劑100質量份中設為100質量份，即上述光吸收劑設為上述化合物A。又，上述含量亦可於光吸收劑100質量份中包含未達100質量份，即光吸收劑亦可為包含上述化合物A及其他成分之組合物，例如可設為多於10質量份且99質量份以下，較佳為50質量份以上且95質量份以下。於本說明書中，於未特別申明之情形時，含量為質量基準。

上述光吸收劑中所包含之上述化合物A之種類可僅為1種，亦可為2種以上。上述種類例如可設為2種以上且5種以下。作為上述光吸收劑包含2種上述化合物A之例，例如可列舉包含上述化合物A1及化合物A2者、包含n=1之化合物A及n=2之化合物A者、包含取代吲哚環之氫原子之取代基具有聚合性基之化合物及不具有聚合性基之化合物者等。

關於上述化合物A，由於可設為與「A.化合物」項中記載之內容相同，因此省略此處之說明。

2.其他成分上述光吸收劑係包含上述化合物A者，但亦可為視需要而包含其他成分者。作為此種其他成分，例如可列舉下文所述「C.組合物」之「2.樹脂」及「3.其他成分」項中記載之內容等。

上述光吸收劑之形狀可為粉末狀，亦可為顆粒狀。於為顆粒狀之情形時，作為上述光吸收劑之製造方法，例如可使用如下方法：使用擠出機等將上述化合物A及樹脂進行混合，其後，成型為顆粒狀。

C.組合物繼而，針對本發明之組合物進行說明。本發明之組合物之特徵在於包含上述化合物A、及樹脂。藉由包含上述化合物A，上述組合物成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。以下，針對本發明之組合物中所包含之各成分詳細地進行說明。

1.化合物A 作為上述化合物A之含量，只要為能夠對組合物賦予所需光吸收性者，則無特別限定。作為上述含量，例如可相對於組合物之固形物成分100質量份設為0.05質量份以上且10質量份以下，較佳為0.1質量份以上且5質量份以下。其原因在於：藉由上述含量為上述範圍，能夠對樹脂等有效率地賦予400 nm附近之光之吸收能。所謂固形物成分，係包含除溶劑以外之所有成分者。

上述組合物中所包含之上述化合物A之種類可僅為1種，亦可為2種以上。上述種類例如可設為2種以上且5種以下。

2.樹脂藉由上述組合物包含上述樹脂，能夠穩定地保持上述化合物A。其結果，上述組合物例如容易形成包含上述化合物A之膜、成形體等。作為此種樹脂，只要為能夠穩定地保持化合物A者即可，例如可列舉具有聚合性基之聚合性化合物、不具有聚合性基之聚合物等。

(1)聚合性化合物上述聚合性化合物係具有聚合性基者，藉由使聚合性基彼此聚合，可進行高分子量化，而能夠穩定地保持上述化合物A。上述聚合性化合物係根據上述聚合性基之種類、即聚合反應之種類而不同者，例如可列舉具有自由基聚合性基之自由基聚合性化合物、具有陽離子聚合性基之陽離子聚合性化合物、具有陰離子聚合性基之陰離子聚合性化合物等。

(1-1)自由基聚合性化合物自由基聚合性化合物係具有自由基聚合性基者。作為上述自由基聚合性基，只要為能夠藉由自由基進行聚合者，則無限制，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等乙烯性不飽和基等。(甲基)丙烯醯基可以包括丙烯醯基及甲基丙烯醯基之含義來使用。上述自由基聚合性化合物可設為具有1個以上自由基聚合性基者，可使用具有1個自由基聚合性基之單官能化合物、具有2個以上自由基聚合性基之多官能化合物。

作為上述自由基聚合性化合物，可使用具有酸值之化合物、不具有酸值之化合物等。作為上述具有酸值之化合物，例如可列舉(甲基)丙烯酸等具有羧基等之(甲基)丙烯酸酯化合物。作為上述不具有酸值之化合物，可列舉環氧丙烯酸酯樹脂、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯等不具有羧基等之(甲基)丙烯酸酯化合物。

上述自由基聚合性化合物可單獨使用或將2種以上混合使用。例如，自由基聚合性化合物可將具有乙烯性不飽和基且具有酸值之化合物及具有乙烯性不飽和基且不具有酸值之化合物組合使用。關於自由基聚合性化合物，於將2種以上混合使用之情形時，亦可預先使該等共聚而製成共聚物來使用。作為此種自由基聚合性化合物等，更具體而言，可列舉日本專利特開2016-176009號公報所記載之自由基聚合性化合物等。

(1-2)陽離子聚合性化合物陽離子聚合性化合物係具有陽離子聚合性基者。作為上述陽離子聚合性基，只要為能夠藉由陽離子進行聚合者，則無限制，例如可列舉環氧基、氧雜環丁烷基、乙烯醚基等。作為陽離子聚合性化合物，例如可列舉具有環氧基之環氧化合物及具有氧雜環丁烷基之氧雜環丁烷化合物等具有環狀醚基之化合物、以及具有乙烯醚基之乙烯基醚化合物等。

上述陽離子聚合性化合物可設為具有1個以上陽離子聚合性基者，可使用具有1個陽離子聚合性基之單官能化合物、具有2個以上陽離子聚合性基之多官能化合物。作為此種陽離子聚合性化合物等，更具體而言，可列舉日本專利特開2016-176009號公報所記載之陽離子聚合性化合物等。關於陽離子聚合性化合物，於將2種以上混合使用之情形時，亦可預先使該等共聚而製成共聚物來使用。陽離子聚合性化合物可與光陽離子起始劑、熱陽離子起始劑等陽離子起始劑一起使用。

(1-3)陰離子聚合性化合物陰離子聚合性化合物係具有陰離子聚合性基者。作為上述陰離子聚合性基，只要為能夠藉由陰離子進行聚合者即可，可列舉環氧基、內酯基等。作為上述陰離子聚合性化合物，例如可列舉具有環氧基之環氧化合物、具有內酯基之內酯化合物、具有(甲基)丙烯醯基之化合物等。上述陰離子聚合性化合物可設為具有1個以上陰離子聚合性基者，可使用具有1個上述聚合性基之單官能化合物、具有2個以上上述聚合性基之多官能化合物。作為上述內酯化合物，可列舉β-丙內酯、ε-己內酯等。作為環氧化合物，可使用上述作為陽離子聚合性化合物所例示之環氧化合物。又，作為具有(甲基)丙烯醯基之化合物，可使用上述作為自由基聚合性化合物所例示者。關於陰離子聚合性化合物，於將2種以上混合使用之情形時，亦可預先使該等共聚而製成共聚物來使用。

(2)不具有聚合性基之聚合物上述聚合物係不具有聚合性基者。作為此種聚合物，只要為包含重複結構者即可，可列舉具有感光性之感光性樹脂、不具有感光性之非感光性樹脂等。

(2-1)感光性樹脂上述感光性樹脂係具有感光性者，例如可列舉與酸產生劑一起使用、並藉由酸之作用實現酯基或縮醛基等之化學鍵之切斷等，而向對顯影液之溶解性增加之方向變化的正型樹脂。作為正型樹脂，例如可使用日本專利特開2016-89085號公報所記載之抗蝕劑基質樹脂或化合物等。

(2-2)非感光性樹脂作為上述非感光性樹脂，只要為不具有感光性者即可，例如可列舉：聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯醇、聚氯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚苯乙烯、聚苯醚、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、降𦯉烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等甲基丙烯酸樹脂、異丁烯順丁烯二酸酐共聚樹脂、環狀烯烴系等熱塑性樹脂。又，亦可使用明膠、酪蛋白、澱粉、纖維素衍生物、海藻酸等天然高分子材料。進而，亦可使用上述聚合性化合物之聚合物。即，上述組合物亦可為包含上述化合物A、及聚合性化合物之組合物之硬化物。

(2-3)聚合物上述聚合物之重量平均分子量(Mw)係視組合物之用途等適當設定，例如可設為1500以上，可設為1500以上且300000以下。上述重量平均分子量Mw例如可使用Tosoh(股)製造之HLC-8120GPC，將溶出溶劑設為添加有0.01莫耳/公升之臭化鋰之N-甲基吡咯啶酮，將校正曲線用聚苯乙烯標準設為Mw377400、210500、96000、50400、20650、10850、5460、2930、1300、580(以上為Polymer Laboratories公司製造之Easi PS-2系列)及Mw1090000(Tosoh(股)製造)，將測定管柱設為TSK-GEL ALPHA-M×2根(Tosoh(股)製造)進行測定而獲得。測定溫度可設為40℃，流速可設為1.0 mL/min。

(3)其他樹脂作為上述樹脂，亦可使用矽系、胺基甲酸酯系、丙烯酸系等之黏著劑、聚乙烯醇縮丁醛接著劑、乙烯-乙酸乙烯酯系接著劑等公知之黏合劑。於使用上述黏合劑之情形時，可視需要使用金屬螯合物系、異氰酸酯系、環氧系等之交聯劑作為硬化劑。

(4)其他上述組合物係包含上述化合物A、及樹脂者，化合物A及樹脂可使用未藉由共價鍵鍵結者，亦可為藉由共價鍵鍵結者。例如，作為樹脂，可列舉於其結構中具備環氧基、胺基、羧基及羥基等反應性官能基之丙烯酸系樹脂或甲基丙烯酸樹脂，可使具有能夠與上述反應性官能基反應而形成共價鍵之基之化合物A對該樹脂進行反應，以化合物A及樹脂之鍵結體之形式而使用。例如，於下文所述之實施例1中，可添加3-溴丙酸等代替1,8-二溴辛烷，製作具有羧基之化合物A，並使其鍵結於具有羥基之樹脂。又，亦可使用具有羥基之化合物作為化合物A，並使其鍵結於具有環氧基、胺基、羧基等之樹脂。作為上述具有反應性官能基之樹脂，可為具有聚合性基者，亦可為不具有聚合性基者。又，作為上述具有反應性官能基之樹脂，可使用聚合物。作為此種聚合物之重量平均分子量，可設為與上述「(2)不具有聚合性基之聚合物」項所記載之內容相同。關於可作為上述具有反應性官能基之樹脂而使用之具有反應性官能基之聚合物之具體例，可列舉東亞合成公司製造之ARUFON UG-4035、ARUFON UG-4010、ARUFON UG-4070、ARUFON UH-2000、ARUFON UH-2041、ARUFON UH-2170、ARUFON UP-1000等。

3.其他成分上述組合物係包含上述化合物A者，亦可視需要包含其他成分。作為此種成分，可列舉紫外線吸收劑、起始劑等。

(1)紫外線吸收劑上述組合物藉由包含紫外線吸收劑，能夠穩定地吸收紫外線區域至400 nm附近之高能量之光。其結果，上述組合物例如於用作為了防止有機EL元件之劣化所使用之光學濾光器之情形時，能夠有效地防止劣化。作為上述紫外線吸收劑，可使用作為紫外線吸收劑而普遍使用者。例如，可較佳地使用最大吸收波長未達350 nm者。關於最大吸收波長之測定方法，可設為與上述「A.化合物」項記載之方法相同。

作為上述紫外線吸收劑，具體而言，可列舉日本專利特開2017-008221號公報中記載之2-羥基二苯甲酮類、2-(2'-羥基苯基)苯并***類、苯甲酸酯類及三芳基三𠯤類等、或日本專利特開2002-97224號公報中記載之苯并***系紫外線吸收劑及二苯甲酮系紫外線吸收劑等。又，作為上述紫外線吸收劑，亦可使用藉由加熱處理等表現出紫外線吸收能力之潛在性紫外線吸收劑。作為此種潛在性紫外線吸收劑，例如可使用國際公開第2014/021023號公報中記載之作為潛在性添加劑而記載者。

作為上述紫外線吸收劑之含量，只要為能夠對組合物賦予所需紫外線吸收性者，則無限制，例如可設為與作為上述化合物A之含量而記載之內容相同。作為上述紫外線吸收劑相對於化合物A之質量比率(紫外線吸收劑/化合物A)，只要為能夠對組合物賦予所需光吸收性者即可，為1以上或1以下均不存在問題，例如可設為0.1以上且10以下。

(2)起始劑上述組合物藉由包含起始劑，例如容易用作硬化性組合物。作為此種起始劑，只要為能夠使聚合性化合物進行聚合者即可，例如可列舉：可與自由基聚合性化合物一起添加之自由基聚合起始劑、可與陽離子聚合性化合物一起添加、或可與感光性化合物一起製成酸產生劑而添加之陽離子聚合起始劑、可與陰離子聚合性化合物一起添加之陰離子聚合起始劑等。作為上述自由基聚合起始劑及陽離子聚合起始劑等，更具體而言，可使用日本專利特開2016-176009號公報中記載之自由基聚合起始劑及陽離子起始劑等。又，作為上述陰離子聚合起始劑等，更具體而言，可列舉日本專利特開2017-073389號公報中記載之光陰離子聚合起始劑、熱陰離子聚合起始劑等。

(3)其他作為上述其他成分，亦可包含除紫外線吸收劑、起始劑以外之成分，例如可列舉溶劑、著色劑、無機化合物、使著色劑、無機化合物等分散之分散劑、鏈轉移劑、增感劑、界面活性劑、矽烷偶合劑等添加劑。關於上述添加劑，可使用公知之材料，例如可使用國際公開第2014/021023號公報中記載者。再者，溶劑亦可包含能夠使上述各成分溶解或分散之溶劑。作為溶劑，係於25℃、大氣壓下為液狀且能夠使組合物之各成分分散或溶解者。又，溶劑係不與化合物A及樹脂等反應者。因此，例如分類為聚合性化合物者即便於25℃、大氣壓下為液狀，於本發明之組合物中亦不屬於溶劑。又，作為上述其他成分，亦可包含消光劑、光穩定劑。作為上述消光劑及光穩定劑，例如可列舉日本專利特開2016-160387號公報中記載之鎳衍生物等消光劑、受阻胺化合物(HALS)等。

4.組合物作為上述組合物之製造方法，只要為能夠將上述各成分分散性良好地混合之方法，則無限制，可使用藉由公知之攪拌手段進行混合之方法。例如，於樹脂為熱塑性樹脂之情形時，可使用一面使用擠出機等使樹脂塑化一面將樹脂及化合物A進行混合之方法。又，於包含聚合性化合物之聚合物作為樹脂之情形時，可列舉如下方法：準備包含上述化合物A及聚合性化合物、及視需要之起始劑之組合物，其後，對上述組合物進行硬化處理。作為硬化處理，於包含光聚合起始劑作為起始劑之情形時，可列舉曝光處理，於包含熱聚合起始劑作為起始劑之情形時，可列舉加熱處理。

作為上述組合物之用途，可設為與上述「1.化合物A」項記載之內容相同。

D.光學濾光器繼而，針對本發明之光學濾光器進行說明。本發明之光學濾光器之特徵在於具有包含上述化合物A之光吸收層。藉由上述光吸收層包含上述化合物A，上述光學濾光器成為400 nm附近之光之吸收性更優異者。以下，針對本發明之光學濾光器所包含之光吸收層詳細地進行說明。

1.光吸收層上述光吸收層係包含上述化合物A者。關於上述化合物A及其含量等，由於可設為與上述「C.組合物」項記載之內容相同，因此省略此處之說明。上述光吸收層只要為包含化合物A者，則無限制，亦可為包含樹脂者。又，亦可為除化合物A及樹脂以外視需要包含其他成分者。關於此種樹脂及其他成分，可設為與上述「C.組合物」項記載之「2.樹脂」、「3.其他成分」項記載之內容相同。

關於上述光吸收層之俯視形狀、面積及厚度等形狀，可視光學濾光器之用途等適當設定。作為上述光吸收層之形成方法，只要為能夠形成所需形狀、厚度之光吸收層者即可，可使用公知之塗膜之形成方法。作為上述形成方法，例如可使用如下方法：塗佈上述「C.組合物」項記載之組合物，並對塗膜進行乾燥處理、硬化處理等。

2.光學濾光器上述光學濾光器可為僅包含上述光吸收層者，亦可為包含除上述光吸收層以外之其他層者。作為上述其他層，可列舉透明支持體、底塗層、抗反射層、硬塗層、潤滑層、黏著劑層等。關於此種各層之內容及其形成方法等，可設為於光學濾光器中普遍所使用者，例如可設為與日本專利特開2011-144280號公報、國際公開第2016/158639號等中記載之內容相同。上述光吸收層例如亦可為用作將上述透明支持體及任意之各層之間接著之接著層等者。此時，上述光學濾光器亦可於作為接著層之光吸收層之表面設置易密接之聚對苯二甲酸乙二酯膜等公知之隔離膜。

上述光學濾光器於用作圖像顯示裝置用之情形時，通常可配置於顯示器之正面。例如，即便將光學濾光器直接貼附於顯示器之表面亦不存在問題，於在顯示器之前面設置有前面板或電磁波遮罩之情形時，可於前面板或電磁波遮罩之正側(外側)或背面側(顯示器側)貼附光學濾光器。又，亦可用作圖像顯示裝置所包含之各構件，例如彩色濾光片、偏光板等光學構件。進而，亦可為直接積層於上述圖像顯示裝置所包含之各構件者。

本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態係例示，具有與本發明之申請專利範圍所記載之技術思想實質上相同之構成並發揮相同之作用效果者不論為何種形態，均包含於本發明之技術範圍中。 [實施例]

以下，列舉實施例及比較例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例等。

[實施例1] 將吲哚-3-甲醛(0.044 mol)及碳酸鉀(0.050 mol)加入至DMF(N,N-dimethylformamide，二甲基甲醯胺)(25 mL)中，並滴加1,8-二溴辛烷(0.020 mol)。於80℃下加熱9小時，其後，利用乙酸乙酯提取反應液，並將油層進行水洗。對來自油層之析出物進行過濾，並利用甲醇進行洗淨，獲得中間物。繼而，將中間物(0.010 mol)、丙二腈(0.022 mol)、哌啶(0.0020 mol)加入至乙醇(50 mL)中，於80℃下加熱5小時。利用乙醇將反應液進行稀釋並對析出物進行過濾、乾燥，獲得下述式(11)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物11)。利用¹ H-NMR及IR(Infrared Radiation，紅外線輻射)確認所獲得之固體為目標物。將所獲得之化合物之¹ H-NMR及IR測定結果示於下述表1及表2。

[實施例2] 使用5-溴-1-戊烯代替1,8-二溴辛烷，使用氰基乙酸乙酯代替丙二腈，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得下述式(40)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物40)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例3] 使用氰基乙酸乙酯代替丙二腈，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得下述式(41)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物41)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例4] 使用2-甲基吲哚-3-甲醛代替吲哚-3-甲醛，使用碘乙烷代替1,8-二溴辛烷，使用氰基乙酸烯丙酯代替丙二腈，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得下述式(62)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物62)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例5] 使用2-苯基吲哚-3-甲醛代替吲哚-3-甲醛，使用2-溴甲基丙烯酸乙酯代替1,8-二溴辛烷，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得下述式(64)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物64)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例6] 使用3-溴丙酸代替1,8-二溴辛烷，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得化合物。繼而，將所獲得之化合物、三羥甲基乙烷(0.010 mol)及4-(二甲基胺基)吡啶(0.010 mol)加入至二氯甲烷(50 mL)中並冷卻至0℃。一面攪拌一面向其中加入二環己基碳二醯亞胺(0.035 mol)。其後，升溫至室溫，並攪拌5小時。自反應液過濾析出物，並利用稀鹽酸、飽和碳酸氫鈉水溶液對濾液進行洗淨。將有機層於減壓下進行脫溶劑，並利用甲醇進行晶析。將析出物進行過濾並進行乾燥，獲得下述式(68)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物68)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[化20]

[表1]

[表2]

[實施例101] 使用3-溴丙酸代替1,8-二溴辛烷，除此以外，於以與實施例1相同之方式所獲得之化合物(0.020 mol)中加入1,4-苯二甲醇(0.010 mol)、THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)(50 mL)、及4-(二甲基胺基)吡啶(0.010 mol)，並冷卻至0℃。一面攪拌一面向其中加入二環己基碳二醯亞胺(0.035 mol)。將溶劑進行蒸餾去除，並利用二氧化矽管柱(氯仿/甲醇=10/1)進行精製，其後，利用甲醇進行再結晶並進行乾燥，獲得下述式(101)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物101)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例102] 使用1,3-丙二醇代替1,4-苯二甲醇，除此以外，以與實施例101相同之方式獲得下述式(102)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物102)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例103] 使用甲基丙烯酸2-羥基-3-丙烯醯氧基丙酯代替1,4-苯二甲醇，除此以外，以與實施例101相同之方式獲得下述式(103)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物103)。利用¹ H-NMR及IR確認所獲得之固體為目標物。

[實施例104] 使用季戊四醇三丙烯酸酯代替1,4-苯二甲醇，除此以外，以與實施例101相同之方式獲得下述式(104)所表示之化合物(以下，有時稱為化合物104)。

[化21]

[表3]

[表4]

[比較例1] 準備下述通式(B1)所表示之化合物(以下，化合物B1)。

[化22]

[評價1] 針對實施例及比較例之化合物進行吸光光譜測定，針對常壓下之10%重量減少溫度及吸光度維持率進行評價。

1.吸光光譜依據JIS K0115對實施例及比較例之化合物之吸光度進行測定。具體而言，以成為1.0×10^-5 mol/L之濃度之方式溶解於溶劑(氯仿)中，獲得評價用樣品。繼而，將所獲得之評價用樣品填充於石英池(光程長度10 mm、厚度1.25 mm)中，使用吸光光度計(例如，U-3900(Hitachi High-Tech Science公司製造))對各波長下之吸光度進行測定。將實施例1及比較例1之化合物之測定結果分別示於圖1及圖2。又，將實施例1之化合物即化合物11、實施例103之化合物即化合物103及比較例之化合物即化合物B1之最大吸收波長、半值寬及各波長下之吸光度之測定結果示於下述表3。吸光度測定係於250 nm以上且600 nm以下之範圍內進行測定。

2.常壓下之10%重量減少溫度針對實施例及比較例之化合物，以下述條件測定10%重量減少溫度。將結果示於下述表4。10%重量減少溫度越高，表示揮散性越低。

(10%重量減少溫度之測定條件) 作為示差熱-熱重量同步測定裝置，使用SII NanoTechnology公司製造之型號：EXSTAR TG/DTA6200。關於測定條件，將試樣約5 mg於氮氣200 mL/min氛圍下且於常壓下以升溫初始溫度30℃、升溫結束溫度500℃、升溫速度10℃/min進行升溫，針對此時之試樣測定熱減量，將相對於30℃時點之試樣重量減量了10%之時點之溫度設為10%重量減少溫度。

3.吸光度維持率針對實施例及比較例之化合物，以下述條件測定吸光度維持率，並以下述評價基準進行評價。將結果示於下述表5。吸光度維持率越高，表示耐光性越優異。＜評價基準＞ ○：超過60% △：55%以上且60%以下 ×：未達55%

(吸光度維持率測定條件) 吸光度維持率係使用依序進行下述(1)～(3)之方法。 (1)準備添加有3.8質量%之化合物之聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜(100 μm)並作為評價用樣品。 (2)對評價用樣品照射氙光240小時。 (3)對氙光照射前後之評價用樣品之化合物A之最大吸收波長下之吸光度變化進行測定，並計算吸光度維持率(照射後吸光度/照射前吸光度)。再者，氙光之照射係使用氙氣耐候試驗機「ATLAS Weather-Ometer Ci4000」(東洋精機製作所(股)製造)。又，氙光照射條件係使用以下條件。

(氙光照射條件) 放射照度：0.55 W/m² (波長340 nm) 試驗槽內溫度：62℃ 試驗槽內相對濕度：50%

[表5]

[表6]

[表7]

[評價2] 針對使用實施例及比較例之化合物之聚合性組合物，對硬化性、化合物與樹脂之相溶性、硬化時之釋氣及硬化物之吸光度維持率進行評價。

(聚合性組合物之製備) 將三羥甲基丙烷三丙烯酸酯42質量份、雙酚A型環氧丙烯酸酯(DAICEL-ALLNEX公司製造 EB3700)16質量份、三丙二醇二丙烯酸酯42質量份、調平劑(SH-29A)0.5質量份及自由基起始劑(Irgacure 907)5質量份進行混合，其後，添加將5質量份之化合物A或化合物B1與N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)50質量份進行混合而成之溶液，於40℃下攪拌10分鐘，製備聚合性組合物。

1.硬化性於玻璃基板上旋轉塗佈(500 rpm，7秒鐘)上述聚合性組合物，並使用加熱板於90℃下進行120秒鐘預烘烤。使用高壓水銀燈(20 mW/cm² )作為光源並以200 mJ/cm² 進行曝光，獲得評價用塗膜。針對所獲得之評價用塗膜確認褶皺之有無，並以下述評價基準評價硬化性。將結果示於下述表6。＜評價基準＞〇：無褶皺。 ×：殘留有褶皺。可判斷：褶皺越少，由化合物A而引起之聚合性組合物之硬化阻礙越少。又，可判斷：其結果，可獲得穩定地保持有化合物A之硬化物。

2.相溶性使用將5質量份之化合物A或化合物B1與5～150質量份之DMAc進行混合而成之溶液，除此以外，與上述聚合性組合物之製備相同地獲得聚合性組合物。於利用目視觀察所獲得之聚合性組合物時，根據用以製備無化合物A或化合物B1之析出之聚合性組合物所必需之DMAc之添加量，以下述評價基準評價化合物A或化合物B1與樹脂之相溶性。將結果示於下述表6。〇：DMAc之添加量未達10質量份。 △：DMAc之添加量為10質量份以上且未達100質量份。 ×：DMAc之添加量為100質量份以上。可判斷：DMAc之添加量越少，化合物A與樹脂之相溶性越優異。又，可判斷：藉由化合物A於硬化物中更均勻地分散並保持，可獲得能夠穩定地吸收所需波長之光之硬化物。

3.釋氣於玻璃基板上旋轉塗佈(500 rpm，7秒鐘)上述聚合性組合物，並使用加熱板於90℃下進行120秒鐘預烘烤。使用高壓水銀燈(20 mW/cm² )作為光源，以200 mJ/cm² 進行曝光，獲得硬化膜。於該硬化膜上設置0.7 mm之間隔物及玻璃基板，並使用加熱板以230℃進行2小時加熱。加熱後，對設置於硬化膜上之玻璃基板之吸收光譜(400 nm)進行測定。根據400 nm之吸光度，以下述基準評價釋氣性。將結果示於下述表6。〇：400 nm之吸光度未達0.1。 △：400 nm之吸光度為0.1以上且未達0.5。 ×：400 nm之吸光度為0.5以上。可判斷：400 nm之吸光度越低，化合物A之揮散性越低，化合物A越可於硬化物中穩定地保持。

4.硬化物之吸光度維持率使用藉由與上述「1.硬化性」之評價相同之方法所製作之評價用塗膜代替評價用樣品，除此以外，以與上述[評價1]之「1.吸光度維持率」相同之條件求出吸光度維持率。根據所獲得之吸光度維持率，以下述評價基準評價硬化物之吸光度維持率。將結果示於下述表6。〇：超過60% △：55%以上且60%以下 ×：未達55% 再者，可判斷：吸光度維持率越高，硬化物中之化合物A之揮散性越低，化合物A越可於硬化物中穩定地保持。

[表8]

[彙總] 根據表3及圖1，可確認：實施例1之化合物11例如於400 nm下之吸光度較比較例1之化合物B1高，400 nm附近之光之吸收性優異。根據表4，可確認：實施例1之化合物11及實施例101～103之化合物101～103為耐熱性優異者。根據表5，可確認：實施例之化合物為吸光度維持率優異者。根據表6，可確認：使用實施例之化合物之聚合性組合物為硬化性、化合物與樹脂之相溶性優異、化合物A之揮散性較低、硬化物之吸光度維持率優異者。根據以上結果，可確認：包含化合物A及樹脂之組合物會穩定地吸收400 nm附近之光，例如，於將該組合物用作光學濾光器之情形時，能夠穩定地阻止400 nm附近之光之透過。 [產業上之可利用性]

本發明會發揮出能夠提供400 nm附近之光之吸收性優異之化合物的效果。

圖1係實施例1之化合物之吸光光譜。圖2係比較例1之化合物之吸光光譜。

Claims

一種化合物，其為下述通式(A1)或(A3)所表示之化合物，且滿足下述(1)或(2)：(1)為下述通式(A1)所表示之化合物，且n為2或3之整數，X為碳原子數1~35之脂肪族烴基、碳原子數6~35之含芳香環烴基或該等基中之亞甲基被取代為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-而成之基；(2)為下述通式(A3)所表示之化合物，且n為1，R⁴為碳原子數1~40之烷基中之亞甲基被取代為-COO-或者-OCO-且基中之氫原子被取代為乙烯性不飽和基而成之基，
(式中，R¹表示氰基、-COOR、-OCOR、-CONHR、-NHCOR、-COONHR、-NHCOOR、-COR、-SO₂R、-SOR、-SO₂NRR'、鹵素原子、硝基或膦醯基，R及R'分別獨立表示氫原子、碳原子數1~40之烷基、碳原子數6~30 之芳基、碳原子數7~30之芳烷基或碳原子數2~20之含雜環基，R²表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1~40之烷基、碳原子數6~30之芳基、碳原子數7~30之芳烷基或碳原子數2~20之含雜環基，R及R'以及R²所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR"-、>P=O、-S-S-、-SO₂-或該等之組合，R"表示氫原子或碳原子數1~8之烷基，R及R'以及R²所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子可被取代為乙烯性不飽和基、鹵素原子、醯基、醯氧基、取代胺基、磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、或羧基、磺基、膦酸基或者磷酸基之鹽，n表示1~3之整數，X表示n價基，R³及R⁴表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1~40之烷基、碳原子數6~30之芳基、碳原子數7~30之芳烷基或碳原子數2~20之含雜環基，R⁵及R⁵⁵分別獨立表示鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1~40之烷基、碳原子數6~30之芳基、碳原子數7~30之芳烷基或碳原子數2~20之含雜環基，R³及R⁴以及R⁵及R⁵⁵所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之亞甲基可被取代為碳-碳雙鍵、-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-S-CO-O-、-O-CO-S-、-CO-NH-、-NH-CO-、-NH-CO-O-、-NR"-、>P=O、-S-S-、-SO₂-或該等之組合，R"表示氫原子或碳原子數1~8之烷基，R³及R⁴以及R⁵及R⁵⁵所表示之烷基、芳基、芳烷基及含雜環基中之氫原子可被取代為乙烯性不飽和基、鹵素原子、醯基、醯氧基、取代胺基、磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯胺基、膦酸基、磷酸基、或羧基、磺基、膦酸基或者磷酸基之鹽，5a表示0~4之整數，55a表示0~3之整數)。
如請求項1之化合物，其中上述化合物之常壓下之10%重量減少溫度為250℃以上。
如請求項1之化合物，其中上述化合物於250nm以上且600nm以下之範圍內之最大吸收波長為350nm以上且420nm以下。
一種光吸收劑，其含有如請求項1至3中任一項之化合物。
一種組合物，其含有如請求項1至3中任一項之化合物、及樹脂。
一種光學濾光器，其具有含有如請求項1至3中任一項之化合物之光吸收層。