TWI782903B - 樹脂組合物及其用途 - Google Patents

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Abstract

一種樹脂組合物，含有嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑，氫化物[D]係將嵌段共聚物[C]予以氫化而得的氫化物，該嵌段共聚物[C]由以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]作為主成分之聚合物嵌段[A]與以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]及來自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元[II]作為主成分之聚合物嵌段[B]構成；嵌段[A]及嵌段[B]之比、及單元[I]及單元[II]之比係特定範圍，氫化物[D]係將共聚物[C]之全部不飽和鍵之90%以上氫化而得者。

Description

樹脂組合物及其用途
本發明係關於在製造偏光板時可有用地使用的樹脂組合物及薄膜、及偏光板。
對於液晶顯示裝置及有機電致發光顯示裝置等顯示裝置而言，要求比以往顯示面積大、重量輕且厚度薄。所以，構成顯示裝置的面板也要求比以往更薄。
顯示裝置一般採用具備偏振片及保護偏振片之保護薄膜的偏光板。為了構成薄型顯示裝置，對於偏光板也要求要更薄。尤其，一般作為偏振片使用的聚乙烯醇等材料，有時在顯示裝置之使用環境會收縮，故於薄且面積大的顯示裝置，如此的收縮所致之翹曲會成為問題。因此，藉由採用厚度10μm以下這類薄型偏振片，可期待除了因為偏振片之厚度減小本身所獲致之顯示裝置之厚度減小以外，也期待減少如此的翹曲的發生。
但習知之製造方法中，當欲製造如此的薄型的聚乙烯醇的偏振片時，常會發生偏振片的熔毀。作為防止偏振片之熔毀且製造含有薄型偏振片之偏光板之方法而言，已有一些方法提出。例如專利文獻1揭示以下方法：將非結晶聚對苯二甲酸乙二醇酯等基材與聚乙烯醇層予以貼合而製成複層薄 膜，並將該複層薄膜供用於包括濕式延伸之偏振片之製造步驟，之後將基材予以剝離。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-215610號公報
專利文獻1記載之方法因為基材剝離後係廢棄，故生產效率不佳。
為了提高生產效率，有人考慮不將基材從偏振片剝離，而是在製品直接當作偏振片保護薄膜使用。但是為了如此，需要有雖經過包括濕式延伸之偏振片之製造步驟而仍可展現作為偏振片保護薄膜之光學性質的基材。具體而言，需要即使經過在濕式延伸中之於50~100℃進行1.2~6.0倍延伸的操作而相位差之展現性仍然充分低的材料。至今尚未找到如此的基材的材料。
因此本發明的目的係提供能有效率地製造偏光板之樹脂組合物及薄膜、及可有效率地製造的偏光板。
為了解決上述課題努力研究，結果本案發明人發現到包括特定之嵌段共聚物與塑化劑之樹脂組合物能解決上述課題，乃完成本發明。
因此依照本發明提供下列[1]~[9]。
[1]一種樹脂組合物，包括嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑，該嵌段共聚物氫化物[D]係將嵌段共聚物[C]予以氫化而得的嵌段共聚物氫化物，該嵌段共聚物[C]由以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]作為主成分之聚合物嵌段[A]與以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]及來自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元[II]作為主成分之聚合物嵌段[B]構成；(i)wA與wB之比(wA/wB)為45/55~85/15，在此wA係該聚合物嵌段[A]佔該嵌段共聚物[C]的重量分率，wB係該聚合物嵌段[B]佔該嵌段共聚物[C]之重量分率，(ii)w[IB]與w[IIB]之比(w[IB]/w[IIB])為40/60~55/45，在此w[IB]係該重複單元[I]佔該聚合物嵌段[B]之重量分率，w[IIB]係該重複單元[II]佔該聚合物嵌段[B]之重量分率，(iii)該嵌段共聚物氫化物[D]係將該嵌段共聚物[C]之全部不飽和鍵中的90%以上氫化而得者。
[2]如[1]所述之樹脂組合物，其熱變形溫度為115℃以下。
[3]如[1]或[2]所述之樹脂組合物，其中，該塑化劑係酯系塑化劑、脂肪族烴系聚合物、或該等之混合物。
[4]一種薄膜，係由如[1]至[3]中任一項所述之樹脂組合物形成。
[5]如[4]所述之薄膜，其係延伸薄膜。
[6]如[4]或[5]所述之薄膜，藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍進行自由端單軸延伸，展現之雙折射可成為0.001以下。
[7]如[4]至[6]中任一項所述之薄膜，藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍進行自由端單軸延伸，最大張力可成為10N/10mm以下。
[8]如[5]所述之薄膜，其Re為20nm以下，Rth為-10nm以上10nm以下。
[9]一種偏光板，具備如[4]至[8]中任一項所述之薄膜作為保護薄膜。
由本發明之樹脂組合物形成之本發明之薄膜，即使經過包括濕式延伸之偏振片之製造步驟仍可成為相位差之展現性充分低之材料，故可有效率地製成高品質的偏光板。又，依照本發明之偏光板，能有效率地製造高品質的偏光板。
以下針對本發明揭示實施形態及例示物詳細說明。惟本發明不限於以下說明之實施形態及例示物，可在不脫離本發明之請求之範圍及其均等範圍的範圍內任意變更並實施。
又，本申請案中，「長條狀」的薄膜，係指薄膜長度相對於薄膜寬度為5倍以上者，較佳為具有10倍或更長的長度，具體而言，指具有捲繞成輥狀保存或運送的程度的長度者。薄膜長度相對於寬度的比例的上限不特別限定，例如可為100,000倍以下。
本申請案中，某層或薄膜之面內相位差Re及厚度方向之相位差Rth，係依式Re=(nx-ny)×d及Rth=[{(nx+ny)/2}-nz]×d算出。nx係測定對象之面內之慢軸方向之折射率(面內最大折射率)，ny係垂直測定對象之面內慢軸之方向之折射率，nz係測定對象之厚度方向之折射率，d係測定對象之厚度(nm)。若無特別指明，測定波長設為590nm。
[1.樹脂組合物]
本發明之樹脂組合物包括特定之嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑，嵌段共聚物氫化物[D]係嵌段共聚物[C]之氫化物。嵌段共聚物[C]係由特定之聚合物嵌段[A]與聚合物嵌段[B]構成的共聚物。
[1.1.聚合物嵌段[A]]
聚合物嵌段[A]以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]作為主成分。
聚合物嵌段[A]中之來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]之含量通常為98重量%以上，較佳為99重量%以上。
作為聚合物嵌段[A]之來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]以外之重複單元，例如可列舉來自鏈狀共軛二烯之重複單元[II]及/或來自其他乙烯基化合物(亦即係乙烯基化合物，且不是芳香族乙烯基化合物也不是鏈狀共軛二烯化合物之化合物)之重複單元[III]。其含量為2重量%以下，較佳為1重量%以下。聚合物嵌段[A]中之重複單元[II]及/或重複單元[III]之含量藉由為該少量的範圍內，可以保持嵌段共聚物氫化物[D]之硬鏈段之玻璃轉移溫度Tg2為高值。藉此，能使本發明之樹 脂組合物之耐熱性為良好。
[1.2.聚合物嵌段[B]]
聚合物嵌段[B]係以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]及來自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元[II]作為主成分。
重複單元[I]佔聚合物嵌段[B]之重量分率w[IB]、及重複單元[II]佔聚合物嵌段[B]之重量分率w[IIB]，具有預定之比率。亦即，w[IB]與w[IIB]之比(w[IB]/w[IIB])為40/60以上，較佳為45/55以上，更佳為50/50以上，另外，為55/45以下，較佳為54/46以下，更佳為53/47以下。
w[IB]/w[IIB]藉由為前述範圍內，即使樹脂組合物經過包括濕式延伸之偏振片之製造步驟，仍可成為相位差之展現性充分低的材料。又，聚合物嵌段[B]中之重複單元[I]之相對比率藉由為前述下限以上，可以保持嵌段共聚物氫化物[D]之軟鏈段之玻璃轉移溫度Tg1為高值。藉此，能使本發明之樹脂組合物之耐熱性良好。另一方面，聚合物嵌段[B]中之重複單元[I]之相對比率藉由為前述上限以下，嵌段共聚物氫化物[D]之Tg1與Tg2之區別可為清楚。採用此嵌段時，本發明之樹脂組合物顯示由此等嵌段各別引起的2個個別的玻璃轉移溫度(Tg)，藉此，樹脂組合物之耐熱性可為良好。
聚合物嵌段[B]中之重複單元[I]及重複單元[II]之合計含量，為95重量%以上，較佳為97重量%以上，更佳為99重量%以上。
作為聚合物嵌段[B]中之重複單元[I]及重複單元[II]以外之成分，例如可列舉來自其他乙烯基化合物之重複單 元[III]。其含量為5重量%以下，較佳為3重量%以下，更佳為1重量%以下。藉由聚合物嵌段[B]中之重複單元[I]及重複單元[II]之含有比例為上述範圍，本發明之嵌段共聚物氫化物[D]及由其構成之延伸薄膜的機械強度及柔軟性會維持，並且對於相位差變化之耐熱性有所改善。
[1.3.芳香族乙烯基化合物]
重複單元[I]係來自芳香族乙烯基化合物之單元。本申請案中來自某化合物之單元，係具有由此化合物之聚合獲得之結構之單元。芳香族乙烯基化合物，例如可列舉苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、4-第三丁基苯乙烯、5-第三丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1~6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基之苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1~6之烷氧基作為取代基之苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基之苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。該等之中，考量吸濕性之觀點，苯乙烯、具有碳數1~6之烷基作為取代基之苯乙烯類等不含有極性基之芳香族乙烯基化合物較理想，考量工業上取得之容易性的觀點，苯乙烯尤佳。
[1.4.鏈狀共軛二烯系化合物]
重複單元[II]係來自鏈狀共軛二烯系化合物之單元。鏈狀共軛二烯系化合物例如可列舉1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。其中，考量吸濕性之觀點，宜為不含有極性基之鏈狀共軛二烯系化合物，考量工業上取得 容易性之觀點，1,3-丁二烯、異戊二烯尤佳。
[1.5.其他乙烯基系化合物]
重複單元[III]，係來自乙烯基化合物且不是來自芳香族乙烯基化合物也不是來自鏈狀共軛二烯化合物之化合物之重複單元。如此的化合物，例如可列舉鏈狀烯烴化合物、環狀烯烴化合物、不飽和之環狀酸酐、不飽和醯亞胺化合物等。該等化合物也可以具有腈基、烷氧基羰基、羥基羰基、或鹵素原子作為取代基。
該等之中，考量吸濕性之觀點，乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子之碳數2~20之鏈狀烯烴化合物；乙烯基環己烷、4-乙烯基環己烯、降莰烯等每1分子之碳數5~20之環狀烯烴化合物；等不含極性基者較理想，每1分子之碳數2~20之鏈狀烯烴化合物更佳，乙烯、丙烯尤佳。
[1.6.嵌段共聚物[C]]
理想例中，1分子之嵌段共聚物[C]擁有之聚合物嵌段[A]及聚合物嵌段[B]之數目，通常，聚合物嵌段[A]為2個且聚合物嵌段[B]為1個。所以，嵌段共聚物[C]通常具有[A]-[B]-[A]的三嵌段結構。惟，嵌段共聚物[C]不限定係具三嵌段結構，例如也可為具有如[A]-[B]-[A]-[B]-[A]之五嵌段結構。
1分子之嵌段共聚物[C]擁有2個聚合物嵌段[A]時，它們可彼此相同也可相異。1分子之嵌段共聚物[C]擁有之2個聚合物嵌段[A]之重量平均分子量可相同也可不同。聚合物 嵌段[A]之重量平均分子量Mw(A)宜各為3,000~90,000，較佳為3,500~80,000，更佳為4,000~60,000。
聚合物嵌段[A]之Mw(A)藉由為3,000以上，嵌段共聚物氫化物[D]之機械強度可為良好。另外，聚合物嵌段[A]之Mw(A)藉由為90,000以下，嵌段共聚物氫化物[D]之熔融成形性可為良好。
嵌段共聚物[C]中之聚合物嵌段[A]佔嵌段共聚物[C]之重量分率wA與聚合物嵌段[B]佔嵌段共聚物[C]之重量分率wB，係有預定之比率。亦即wA與wB之比(wA/wB)為45/55以上，較佳為50/50以上，更佳為55/45以上，另外，為85/15以下，較佳為80/20以下，更佳為75/25以下。wA/wB藉由為前述範圍內，樹脂組合物即使經過包括濕式延伸之偏振片之製造步驟仍可成為相位差之展現性充分低之材料。又，wA/wB藉由為前述上限以下，可對於嵌段共聚物氫化物[D]賦予柔軟性，且賦予良好的機械強度。wA/wB藉由為前述下限以上，可賦予良好的耐熱性。
嵌段共聚物[C]之分子量，按以四氫呋喃(THF)作為溶劑之凝膠滲透層析(GPC)測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)，較佳為50,000以上，更佳為55,000以上，又更佳為60,000以上，另外，較佳為150,000以下，更佳為130,000以下，又更佳為100,000以下。又，嵌段共聚物[C]之分子量分布(Mw/Mn)較佳為3以下，更佳為2以下，尤佳為1.5以下。
嵌段共聚物[C]例如可藉由以下方式等製造：利用活性陰離子聚合等方法使含有芳香族乙烯基化合物作為主成 分之單體混合物(a)與含有芳香族乙烯基化合物及鏈狀共軛二烯系化合物作為主成分之單體混合物(b)交替地聚合之方法；按順序使含有芳香族乙烯基化合物作為主成分之單體混合物(a)與含有芳香族乙烯基化合物及鏈狀共軛二烯系化合物作為主成分之單體混合物(b)聚合後，利用偶聯劑使聚合物嵌段[B]之末端彼此偶聯之方法；等。
在使單體混合物(b)聚合而形成共聚物嵌段[B]之步驟，宜少量逐次連續地供給單體混合物(b)到聚合反應體系較佳。藉此，即使是芳香族乙烯基化合物與鏈狀共軛二烯化合物之聚合速度有大幅差異時，仍可形成單體組成均質的共聚物嵌段[B]。藉此，能使嵌段共聚物氫化物[D]之軟鏈段之Tg1成為0℃以上這樣的理想範圍。
若快速地將單體混合物(b)供給予聚合反應體系，聚合速度快的鏈狀共軛二烯的聚合會優先發生，聚合物嵌段[B]變成錐形嵌段(tapered block)，嵌段共聚物氫化物[D]之軟鏈段之Tg1比0℃低，嵌段共聚物氫化物[D]之耐熱性有降低之虞。
[1.7.嵌段共聚物氫化物[D]]
嵌段共聚物氫化物[D]可藉由將嵌段共聚物[C]之主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵、及芳香環之碳-碳不飽和鍵予以氫化而獲得。嵌段共聚物[C]中之聚合物嵌段[A]及聚合物嵌段[B]氫化而得之聚合物嵌段，分別構成嵌段共聚物氫化物「D」之硬鏈段及軟鏈段。
嵌段共聚物氫化物[D]之氫化率為90%以上，較佳為95%以上，更佳為97%以上，再更佳為99%以上。氫化率之 上限宜為100%。嵌段共聚物氫化物[D]之氫化率，係經氫化之碳-碳鍵相對於嵌段共聚物[C]之來自芳香族乙烯基化合物之重複單元中所含之芳香環之碳-碳不飽和鍵及來自鏈狀共軛二烯之重複單元中所含之碳-碳不飽和鍵之合計的比例。氫化率越高，成形體之耐候性、耐熱性及透明性越良好。嵌段共聚物氫化物[D]之氫化率，可利用1H-NMR、或GPC測得之UV檢測器及RI檢測器得出的峰部面積之比較等而求得。
不飽和鍵之氫化方法及反應形態不特別限定，可依既知方法進行。宜為氫化率可為高，聚合物鏈切斷反應少之氫化方法較佳。如此的氫化方法，可列舉國際公開第2011/096389號記載之方法、及國際公開第2012/043708號記載之方法。
氫化反應結束後，將氫化觸媒及/或聚合觸媒從反應溶液除去後，可從獲得之溶液將嵌段共聚物氫化物[D]予以回收。嵌段共聚物氫化物[D]，通常係製成丸粒狀的形狀並供之後之操作。
嵌段共聚物氫化物[D]之分子量，按以THF作為溶劑之GPC測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)，較佳為50,000以上，更佳為55,000以上，又更佳為60,000以上，另外，較佳為150,000以下，更佳為130,000以下，又更佳為100,000以下。嵌段共聚物氫化物[D]之分子量分布(Mw/Mn)較佳為3以下，更佳為2以下，尤佳為1.5以下。Mw及Mw/Mn若為如上述範圍，則成形之延伸薄膜之相對於相位差變化之耐熱性、機械強度良好。
[1.8.塑化劑]
塑化劑可採用能均勻溶解或分散在嵌段共聚物氫化物[D]者。塑化劑，例如由多元醇與一元羧酸構成的酯系塑化劑(以下稱為「多元醇酯系塑化劑」)、及由多元羧酸與一元醇構成的酯系塑化劑(以下稱為「多元羧酸酯系塑化劑」)等酯系塑化劑、及磷酸酯系塑化劑、脂肪族烴系聚合物等碳水化物酯系塑化劑、及其他聚合物塑化劑。該等之中，酯系塑化劑、脂肪族烴系聚合物、及該等之混合物尤佳。
本發明宜使用之係酯系塑化劑之原料的多元醇，例如如以下者，但本發明不限於此等。可列舉福壽草醇(adonitol)、***膠醇、乙二醇、甘油、二甘油、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、二丁二醇、1,2,4-丁三醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、己三醇、半乳糖醇、甘露醇、3-甲基戊烷-1,3,5-三醇、
Figure 106101504-A0202-12-0012-2
(pinacol)、山梨醇、三羥甲基丙烷、二(三羥甲基)丙烷、三羥甲基乙烷、新戊四醇、二新戊四醇、木糖醇等。尤其，乙二醇、甘油、三羥甲基丙烷較佳。
多元醇酯系塑化劑，例如可列舉乙二醇酯系塑化劑、甘油酯系塑化劑、及其他的多元醇酯系塑化劑。乙二醇酯系塑化劑之例具體而言可列舉乙二醇二乙酸酯、乙二醇二丁酸酯等乙二醇烷酯系之塑化劑、乙二醇二環丙基羧酸酯、乙二醇二環己基羧酸酯(ethylene glycol dicyclohexylcarboxylate)等乙二醇環烷酯系之塑化劑、乙二醇二苯甲酸酯、乙二醇二4-甲基 苯甲酸酯等乙二醇芳酯系之塑化劑。構成該等塑化劑之烷基化基、環烷基化基、芳基化基可相同也可不同，亦可進一步經取代。又，可為烷基化基、環烷基化基、芳基化基之混合物，也可這些取代基彼此以共價鍵來鍵結。且乙二醇部可進一步經取代，也可乙二醇酯之部分結構為聚合物之一部分、或規則地懸掛，也可導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構的一部分。
甘油酯系塑化劑之例具體而言可列舉三乙醯甘油、三丁醯甘油、甘油二乙酸酯辛酸酯、甘油油酸酯丙酸酯等甘油烷酯、甘油三環丙基羧酸酯、甘油三環己基羧酸酯等甘油環烷酯、甘油三苯甲酸酯、甘油4-甲基苯甲酸酯等甘油芳酯、二甘油四乙酸酯、二甘油四丙酸酯、二甘油乙酸酯三辛酸酯、二甘油四月桂酸酯等二甘油烷酯、二甘油四環丁基羧酸酯、二甘油四環戊基羧酸酯等二甘油環烷酯、二甘油四苯甲酸酯、二甘油3-甲基苯甲酸酯等二甘油芳酯等。構成該等塑化劑之烷基化基、環烷基羧酸酯基、芳基化基可相同也可不同，也可進一步經取代。且可為烷基化基、環烷基羧酸酯基、芳基化基之混合物，也可此等取代基彼此以共價鍵來鍵結。甘油、二甘油部也可進一步經取代，甘油酯、二甘油酯之部分結構也可為聚合物之一部分或規則地懸掛，且也可導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構之一部分。
其他多元醇酯系塑化劑具體而言可列舉日本特開2003-12823號公報之段落0030~0033記載之多元醇酯系塑化劑。
構成該等塑化劑之烷基化基、環烷基羧酸酯基、芳基化基可相同也可不同，也可進一步經取代。且也可為烷基化基、環烷基羧酸酯基、芳基化基之混合物，此等取代基彼此也可以共價鍵來鍵結。多元醇部也可進一步經取代，亦可多元醇之部分結構為聚合物一部分、或規則地懸掛，且也可導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構之一部分。
多元羧酸酯系塑化劑之例可以列舉二羧酸酯系塑化劑、及其他之多元羧酸酯系塑化劑。二羧酸酯系塑化劑之例具體而言可列舉二(十二基)丙二酸酯、己二酸二辛酯、癸二酸二丁酯等烷基二羧酸烷酯系之塑化劑、琥珀酸二環戊酯、己二酸二環己酯等烷基二羧酸環烷酯系之塑化劑、琥珀酸二苯酯、戊二酸二4-甲基苯酯等烷基二羧酸芳酯系之塑化劑、1,4-環己烷二羧酸二己基酯、雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸二癸酯等環烷基二羧酸烷酯系之塑化劑、1,2-環丁烷二羧酸二環己酯、1,2-環己基二羧酸二環丙酯等環烷基二羧酸環烷酯系之塑化劑、1,1-環丙基二羧酸二苯酯、1,4-環己烷二羧酸二2-萘酯等環烷基二羧酸芳酯系之塑化劑、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯等芳基二羧酸烷酯系之塑化劑、鄰苯二甲酸二環丙酯、鄰苯二甲酸二環己酯等芳基二羧酸環烷酯系之塑化劑、鄰苯二甲酸二苯酯、鄰苯二甲酸二-4-甲基苯酯等芳基二羧酸芳酯系之塑化劑。
構成該等塑化劑之烷氧基、環烷氧基可相同也可 不同，也可經一取代，該等取代基也可進一步經取代。烷基、環烷基也可混合，此等取代基彼此也可以共價鍵來鍵結。又，構成該等塑化劑之鄰苯二甲酸之芳香環也可經取代，也可為二聚物、三聚物、四聚物等多聚物。又，鄰苯二甲酸酯之部分結構也可為聚合物之一部分、或規則地懸掛於聚合物，也可導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構之一部分。
其他多元羧酸酯系塑化劑之例具體而言可列舉三(十二基)三氨基甲酸酯(tridodecyl tricarbamate)、三丁基-meso-丁烷-1,2,3,4-四羧酸酯等烷基多元羧酸烷酯系之塑化劑、三環己基三氨基甲酸酯(tricyclohexyl tricarbamate)、2-羥基-1,2,3-丙烷三羧酸三環丙酯等烷基多元羧酸環烷酯系之塑化劑、2-羥基-1,2,3-丙烷三羧酸三苯酯、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸四3-甲基苯酯等烷基多元羧酸芳酯系之塑化劑、1,2,3,4-環丁烷四羧酸四己酯、1,2,3,4-環戊烷四羧酸四丁酯等環烷基多元羧酸烷酯系之塑化劑、四環丙基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸酯、三環己基-1,3,5-環己基三羧酸酯等環烷基多元羧酸環烷酯系之塑化劑、1,3,5-環己基三羧酸三苯酯、1,2,3,4,5,6-環己基六羧酸六4-甲基苯酯等環烷基多元羧酸芳酯系之塑化劑、苯-1,2,4-三羧酸三(十二基)酯、苯-1,2,4,5-四羧酸四辛酯等芳基多元羧酸烷酯系之塑化劑、苯-1,3,5-三羧酸三環戊酯、苯-1,2,3,5-四羧酸四環己酯等芳基多元羧酸環烷酯系之塑化劑、苯-1,3,5-四羧酸三苯酯、苯-1,2,3,4,5,6-六羧酸六4-甲基苯酯等芳基多元羧酸芳酯系之塑化劑。構成該等塑化劑之烷氧基、環烷氧基可相同也可 不同，且也可為1取代，該等取代基也可進一步經取代。烷基、環烷基亦可混合，此等取代基彼此也可以共價鍵來鍵結。進一步構成該等塑化劑之鄰苯二甲酸之芳香環也可經取代，也可為二聚物、三聚物、四聚物等多聚物。又，鄰苯二甲酸酯之部分結構也可為聚合物之一部分、或規則地懸吊，也可導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構之一部分。
作為磷酸酯系塑化劑之例，具體而言可列舉磷酸三乙醯酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯、磷酸三環戊酯、磷酸環己酯等磷酸環烷酯、磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酚酯(tricresyl phosphate)、磷酸甲苯酚基苯酯(cresylphenyl phosphate)、磷酸辛基二苯酯、磷酸二苯基聯苯酯、磷酸三辛酯、磷酸三丁酯、磷酸三萘酯(trinaphthyl phosphate)、磷酸三(二甲苯基)酯(trixylyl phosphate)、三鄰聯苯磷酸酯等磷酸芳酯。構成該等塑化劑之取代基可相同也可不同，也可進一步經取代。也可為烷基、環烷基、芳基之混合物，且取代基彼此亦可以共價鍵鍵結。
又，可列舉伸乙基雙(二甲基磷酸酯)、伸丁基雙(二乙基磷酸酯)等伸烷基雙(二烷基磷酸酯)、伸乙基雙(二苯基磷酸酯)、伸丙基雙(二萘基磷酸酯)等伸烷基雙(二芳基磷酸酯)、伸苯基雙(二丁基磷酸酯)、聯伸苯基雙(二辛基磷酸酯)等伸芳基雙(二烷基磷酸酯)、伸苯基雙(二苯基磷酸酯)、伸萘基雙(二甲苯甲醯基磷酸酯)等伸芳基雙(二芳基磷酸酯)等磷酸酯。構成該等塑化劑之取代基可相同也可不同，也可進一步經取代。也可以為烷基、環烷基、芳基之混合物，取代基彼此亦可以共價鍵鍵結。
又，磷酸酯之部分結構也可為聚合物之一部分、或規則地懸吊，也可以導入到抗氧化劑、酸捕捉劑、紫外線吸收劑等添加劑之分子結構之一部分。上述化合物之中，磷酸芳酯、伸芳基雙(二芳基磷酸酯)較理想，具體而言，磷酸三苯酯、伸苯基雙(二苯基磷酸酯)較佳。
其次說明碳水化物酯系塑化劑。碳水化物，係指糖類以哌喃糖或呋喃糖(6員環或5員環)之形態存在之單糖類、二糖類或三糖類。碳水化物之非限定之例可列舉葡萄糖、蔗糖、乳糖、纖維雙糖、甘露糖、木糖、核糖、半乳糖、***糖、果糖、山梨糖、纖維三糖及棉子糖等。碳水化物酯係指碳水化物之羥基與羧酸進行脫水縮合而形成的酯化合物，詳言之，係指碳水化物之脂肪族羧酸酯、或芳香族羧酸酯。脂肪族羧酸例如可以列舉乙酸、丙酸等，芳香族羧酸可列舉例如苯甲酸、甲苯甲酸、大茴香酸等。碳水化物具有因應其種類之羥基數目，但亦可一部分羥基和羧酸反應而形成酯化合物，亦可全部羥基和羧酸反應而形成酯化合物。本發明中，全部羥基與羧酸反應而形成酯化合物較佳。
碳水化物酯系塑化劑具體而言可列舉葡萄糖五乙酸酯、葡萄糖五丙酸酯、葡萄糖五丁酸酯、蔗糖八乙酸酯、蔗糖八苯甲酸酯等為理想例，其中，蔗糖八乙酸酯較理想。
聚合物塑化劑具體而言可列舉脂肪族烴系聚合物、脂環族烴系聚合物、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯之共聚物、甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯之共聚物等丙 烯酸系聚合物、聚乙烯基異丁醚、聚N-乙烯基吡咯烷酮等乙烯基系聚合物、聚苯乙烯、聚4-羥基苯乙烯等苯乙烯系聚合物、聚琥珀酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷等聚醚、聚醯胺、聚胺甲酸酯、聚脲等。
脂肪族烴系聚合物之具體例可以列舉聚異丁烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚-1-辛烯、乙烯‧α-烯烴共聚物等之低分子量體及其氫化物；聚異戊二烯、聚異戊二烯-丁二烯共聚物等之低分子量體及其氫化物等。脂肪族烴系聚合物之數量平均分子量為300~5,000較佳。
此等聚合物塑化劑可為由1種重複單元構成之均聚物，也可為具有多數個重複結構體之共聚物。又，也可將2種以上之上述聚合物併用。
本發明之樹脂組合物中，塑化劑之比例相對於嵌段共聚物氫化物[D]100重量份較佳為0.2重量份以上，更佳為0.5重量份以上，又更佳為1.0重量份以上，此外，較佳為30重量份以下，更佳為20重量份以下，又更佳為15重量份以下。塑化劑之比例藉由為前述範圍內，由樹脂組合物獲得之薄膜即使經過濕式延伸之操作，相位差之展現性仍為充分低。
[1.9.任意成分]
本發明之樹脂組合物除了嵌段共聚物氫化物[D]及塑化劑以外，可以含有任意成分。任意成分例如可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑等安定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料、顏料等著色劑；及抗靜電劑。該等摻合劑可單獨使用1種，或 組合使用2種以上，其摻合量可在無損本發明目的之範圍內適當選擇。
[1.10.物性]
本發明之樹脂組合物其熱變形溫度較佳為115℃以下，更佳為110℃以下。熱變形溫度之下限不特別限定，例如可以為60℃以上。熱變形溫度藉由為此範圍內，從樹脂組合物獲得之薄膜即使經過濕式延伸之操作，相位差展現性仍充分低。熱變形溫度之測定可藉由將薄膜等形狀之樹脂組合物進行熱機械分析(Thermomeehanical analysis、TMA)以進行。分析可使用熱機械分析裝置(例如Seiko Instruments公司製，商品名「TMA/SS7100」)。具有如此的熱變形溫度的樹脂組合物，可藉由調整嵌段共聚物[C]中之重複單元之比例、及樹脂組合物中之嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑之比例而輕易獲得。
[2.薄膜[E]]
本發明之薄膜係從前述本發明之樹脂組合物形成。為了說明方便，本申請案中，本發明之薄膜為了和全部除此以外之薄膜予以區別，有時會表示記載成「薄膜[E]」。
薄膜[E]可藉由將本發明之樹脂組合物利用任意成形方法成形為薄膜狀以製造。成形物可直接製成薄膜[E]，也可進一步視需要施以延伸處理後製成薄膜[E]。
作為將樹脂組合物成形為薄膜狀之方法，例如可列舉熔融擠壓成形。本申請案中，有時為了將利用該熔融擠壓成形獲得之薄膜且未供應給延伸處理者和延伸薄膜予以區別，會稱為「未延伸薄膜」。又，未延伸薄膜進行延伸而成的 薄膜為了和除此以外的全部延伸薄膜予以區別，會表示記載成「延伸薄膜[Es]」。作為偏光板製造用之材料的情形，薄膜[E]較佳為未延伸薄膜。
熔融擠壓步驟，可藉由使本發明之樹脂組合物利用擠壓機而熔融，從安裝在該擠壓機之T模具(die)擠壓成薄膜狀，並將已擠壓之薄膜密合於1個以上之冷卻輥而成形並取下的方法進行。
熔融擠壓成形之成形條件，可以配合使用之樹脂組合物之組成及分子量等條件適當設定。擠壓機之缸筒溫度較佳為190℃以上，更佳為200℃以上，另一方面，較佳為280℃以下，更佳為260℃以下。薄膜拉取機之冷卻輥之溫度較佳為50℃以上，更佳為70℃以上，另一方面，較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。
未延伸薄膜之厚度可因應其使用目的等而適當設定。未延伸薄膜之厚度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，另一方面，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下。未延伸薄膜可以捲成輥狀然後供給下一步的延伸步驟，又，也可供給接續在熔融擠壓步驟之延伸步驟。
本發明之薄膜[E]係由本發明之樹脂組合物形成，故可成為具有適於偏光板之製造之特性者。例如可成為延伸時展現之雙折射、及延伸時之張力小的薄膜。具體而言，可成為具有下列特性(E1)及(E2)中之一者或兩者的薄膜。
特性(E1)：藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍實施自由端單軸延伸，展現之雙折射可成為0.001以下，較佳為 0.0005以下。
特性(E2)：藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍實施自由端單軸延伸，最大張力能成為10N/10mm以下，較佳為8N/10mm以下。
具有特性(E1)及(E2)之薄膜[E]，可藉由調整嵌段共聚物[C]中之重複單元之比例、及樹脂組合物中之嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑之比例而輕易地獲得。
「藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍實施自由端單軸延伸，展現之雙折射能成為特定值以下」，係指當於落在溫度50℃~100℃之範圍內之某溫度及落在倍率1.2~6.0之範圍內之某延伸倍率之條件實施自由端單軸延伸時，展現之雙折射會成為特定值以下之溫度及延伸倍率之條件有1以上。特性(E1)之雙折射之下限可為0.00001。同樣，「藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍實施自由端單軸延伸，最大張力可成為特定值以下」，係指當於落在溫度50℃~100℃之範圍內之某溫度及落在倍率1.2~6.0之範圍內之某延伸倍率之條件實施自由端單軸延伸時，延伸時之最大張力成為特定值以下之溫度及延伸倍率之條件有1以上。特性(E2)之最大張力之下限可為例如0.05N/10mm以上。
本發明之薄膜[E]即使是已延伸之延伸薄膜[Es]，該延伸薄膜[Es]亦宜符合特性(E1)及(E2)中之一者或兩者較佳。亦即，該延伸薄膜[Es]進一步進行自由端單軸延伸時宜符合該等特性(E1)及(E2)較佳。
薄膜[E]之形狀及尺寸可適當調整成因應所望用 途。使用在偏光板之製造時，考量製造效率方面，薄膜[E]為長條狀的薄膜較佳。薄膜[E]用在作為製作偏光板之材料時，薄膜[E]之厚度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，又，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下。
薄膜[E]供應給本發明之偏光板之製造方法時，薄膜[E]係在該偏光板之製造方法之步驟延伸，成為延伸薄膜[Es]。
[2.1.延伸薄膜[Es]]
將未延伸薄膜予以延伸成延伸薄膜[Es]時，延伸條件可適當選擇可獲得所望延伸薄膜[Es]之條件。又，在偏光板之製造方法之步驟將未延伸薄膜延伸成延伸薄膜[Es]時，延伸條件可以配合在偏光板之製造方法中將偏振片材料薄膜予以延伸成偏振片之理想條件並適當設定。
例如將未延伸薄膜予以延伸成延伸薄膜[Es]時，延伸態樣可為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。又，未延伸薄膜為長條狀的薄膜時，延伸方向可以為縱方向(平行於長條狀的薄膜之縱方向之方向)、橫方向(平行於長條狀的薄膜之寬方向之方向)、及斜方向(不是縱方向也不是橫方向的方向)中之任一者。在偏光板之製造方法中和偏振片材料薄膜同時延伸時，考量展現作為偏振片之功能之觀點，實施單軸延伸較佳，自由單軸延伸更理想，縱方向之自由單軸延伸尤佳。延伸倍率較佳為1.3以上，更佳為1.4以上，另外，較佳為5以下，更佳為4以下。延伸溫度較佳為55℃以上，更佳為60℃以上，另外，較佳為80℃以下，更佳為75℃以下。
延伸薄膜[Es]作為偏光板之保護薄膜使用時，其相位差宜小較佳。具體而言，延伸薄膜[Es]之Re較佳為20nm以下，更佳為10nm以下。Re之下限可為0nm。薄膜[Es]之Rth較佳為-10nm以上，更佳為-5nm以上，另外，較佳為10nm以下，更佳為5nm以下。經包括濕式延伸之偏振片之製造步驟然而相位差仍如此地小的薄膜，可藉由調整嵌段共聚物[C]中之重複單元之比例、及樹脂組合物中之嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑之比例而輕易獲得。
延伸薄膜[Es]作為偏光板之保護薄膜使用時，延伸薄膜[Es]之厚度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，另外，較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。延伸薄膜[Es]之厚度藉由為此範圍內，可輕易地獲得理想的光學特性及機械特性。
[3.偏光板]
本發明之偏光板具備前述本發明之薄膜[E]作為保護薄膜。
偏光板通常具備偏振片以及保護其兩面之一對保護薄膜。本發明之偏光板可具備一對保護薄膜中之一者或兩者作為薄膜[E]。
【實施例】
以下參考實施例及比較例對於本發明更詳細說明，但本發明不限定於下列實施例。以下關於成分之量比之「份」及「%」，若無特別指示，係代表重量份。
[評價方法]
[重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn]
嵌段共聚物及嵌段共聚物氫化物之分子量，係利用以THF作為溶離液之GPC獲得之標準聚苯乙烯換算值的方式，於38℃實施測定。測定裝置採用東曹公司製HLC8020GPC。
[氫化率]
嵌段共聚物氫化物[D]之氫化率係利用1H-NMR光譜或GPC分析算出。氫化率99%以下之區域係測定1H-NMR光譜並算出，超過99%之區域係利用GPC分析，由UV檢測器及RI檢測器獲得之峰部面積之比率算出。
[實施例1]
(1-1.嵌段共聚物[C]之合成)
於配備攪拌裝置且內部經充分地氮氣取代之反應器中，裝入脫水環己烷270份及正二丁醚0.59份，然後添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)0.63份(就正丁基鋰量而言)。
(1-1-1.聚合第1階段)
一邊將全部容量於60℃攪拌，一邊歷時60分鐘向反應器內連續地添加脫水苯乙烯30.0份而進行聚合反應，添加結束後維持此狀態進一步將全部容量攪拌20分鐘。溫度從聚合第1階段開始起到聚合第3階段結束為止維持在60℃。利用氣體層析測定反應液，結果於此時點的聚合轉化率為99.5%。
(1-1-2.聚合第2階段)
然後歷時150分鐘將脫水的苯乙烯21.0份及異戊二烯19.0份的混合物連續地添加到反應液中，添加結束後維持此狀態繼續攪拌20分鐘。此時點的聚合轉化率為99.5%。
(1-1-3.聚合第3階段)
然後歷時60分鐘連續地將脫水苯乙烯30.0份添加到反應液中，添加結束後維持此狀態繼續再攪拌20分鐘。於此時點的聚合轉化率大約為100%。在此時點將異丙醇0.5份添加到反應液，使反應停止。藉此，獲得含有嵌段共聚物[C]之混合物。獲得之嵌段共聚物[C]之重量平均分子量(Mw)為68,100，分子量分布(Mw/Mn)為1.03，wA：wB=60：40，w[IB]：w[IIB]=53：47。
(1-2.氫化物[D])
將於(1-1-3)獲得的含有嵌段共聚物[C]的混合物移到配備攪拌裝置之耐壓反應器內，添加作為氫化觸媒之矽藻土載持型鎳觸媒(製品名「製品名「E22U」，鎳載持量60%，日揮觸媒化成公司製)7.0份、及脫水環己烷80份並混合。將反應器內部以氫氣取代，再一邊攪拌溶液一邊供給氫，於溫度190℃、壓力4.5MPa實施6小時氫化反應。
氫化反應結束後，將反應溶液過濾，去除氫化觸媒。於濾液添加已溶有係苯酚系抗氧化劑之四-[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸新戊四醇酯](pentaerythrityl tetrakis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate])(KOYO化學研究所公司製，製品名「Songnox1010」)0.1份的二甲苯溶液1.0份，使其溶解。
其次，使用圓筒型濃縮乾燥器(日立製作所公司製，製品名「CONTRO」)，於溫度260℃、壓力0.001MPa以下的條件，從上述溶液去除為溶劑之環己烷、二甲苯及其他的揮發成分，獲得熔融聚合物。將熔融聚合物利用連結在濃縮乾 燥器的聚合物濾器，連續地於溫度260℃進行過濾。聚合物濾器係使用配備孔徑20μm之不銹鋼製燒結濾器的聚合物濾器(富士濾器公司製)。過濾後，從模具(die)將熔融聚合物擠壓成股線(strand)狀，冷卻並以造粒機製成丸粒狀的形狀。藉此，獲得嵌段共聚物氫化物[D]之丸粒91份。獲得之嵌段共聚物氫化物[D]之重量平均分子量(Mw)為71,400、分子量分布(Mw/Mn)為1.06，氫化率大約為100%。
(1-3.樹脂組合物)
將於(1-2)獲得之嵌段共聚物氫化物[D]之丸粒100份與塑化劑(股份公司ADEKA製，商品名「ADEKACIZER PN260」)5份利用雙軸擠壓機混合，獲得樹脂組合物。
(1-4.未延伸薄膜)
將於(1-3)獲得之樹脂組合物供給到配備T模具之熱熔融擠壓薄膜成形機。從T模具擠出樹脂組合物，以4m/分的拉取速度捲繞於輥，藉此將樹脂組合物予以成形。藉此獲得由樹脂組合物構成的長條狀的未延伸薄膜(厚度50μm)。
(1-5.熱變形溫度之測定)
將於(1-4)獲得之未延伸薄膜切斷，獲得5mm×20mm之矩形試樣。針對此試樣，實施熱機械分析(Thermomechanical analysis，TMA)。分析係使用熱機械分析裝置(Seiko Instruments公司製，商品名「TMA/SS7100」)，以拉伸負荷法從20℃以每分鐘升溫5℃直到180℃而實施TMA。將測定結果獲得之應變量反曲點定義為未延伸薄膜之熱變形溫度。
(1-6.延伸性之評價)
將於(1-5)獲得之未延伸薄膜切斷，獲得短邊70mm×長邊90mm之矩形試樣。將此試樣之短邊以夾具固定，對於長邊方向進行自由端延伸。延伸係於60℃設長邊長度為3.0倍之條件實施。此時，薄膜未斷裂者評為「良」，斷裂者評為「不良」。又，測定延伸時需要的張力，並記錄最大張力。
(1-7.雙折射之測定)
於(1-6)實施延伸後之試樣之面內相位差Re，使用相位差計(OPTOSCIENCE公司製，商品名「Mueller matrix polarimeter(Axo Scan)」)測定。測定時，測定波長設為590nm。雙折射係藉由將獲得之面內相位差除以測定處之厚度以求出。又，也一併測定厚度方向之相位差Rth。
[實施例2]
將於(1-3)之塑化劑之使用量變更為10份，除此以外和實施例1同樣進行，獲得樹脂組合物及薄膜並評價。
[實施例3]
將(1-3)中之塑化劑之種類變更為聚丁烯(日油公司製，商品名「日油聚丁烯10SH」)，使用量變更為10份，除此以外和實施例1同樣進行，獲得樹脂組合物及薄膜並評價。
[實施例4]
將(1-3)中之塑化劑之種類變更為聚丁烯(日油公司製，商品名「日油聚丁烯10SH」)，使用量變更為15份，除此以外和實施例1同樣進行，獲得樹脂組合物及薄膜並評價。
[比較例1]
在(1-3)中不使用塑化劑，除此以外和實施例1同樣進行， 獲得樹脂組合物及薄膜並評價。
實施例及比較例之結果彙整表示於表1。
Figure 106101504-A0202-12-0028-1
1)相對於嵌段共聚物氫化物[D]之丸粒100份之摻合量(單元：份)
從表1之結果可知：由本發明之樹脂組合物形成之薄膜，具有低的軟化溫度及良好的延伸性，且由於延伸導致之雙折射之展現低，因而在和偏振片材料薄膜進行共延伸之偏光板之製造方法可有用地使用。

Claims (10)

  1. 一種樹脂組合物，包括嵌段共聚物氫化物[D]與塑化劑，該嵌段共聚物氫化物[D]係將嵌段共聚物[C]予以氫化而得的嵌段共聚物氫化物，該嵌段共聚物[C]由以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]作為主成分之聚合物嵌段[A]與以來自芳香族乙烯基化合物之重複單元[I]及來自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元[II]作為主成分之聚合物嵌段[B]構成；(i)wA與wB之比(wA/wB)為45/55~85/15，在此wA係該聚合物嵌段[A]佔該嵌段共聚物[C]的重量分率，wB係該聚合物嵌段[B]佔該嵌段共聚物[C]之重量分率，(ii)w[IB]與w[IIB]之比(w[IB]/w[IIB])為45/55~55/45，在此w[IB]係該重複單元[I]佔該聚合物嵌段[B]之重量分率，w[IIB]係該重複單元[II]佔該聚合物嵌段[B]之重量分率，(iii)該嵌段共聚物氫化物[D]係將該嵌段共聚物[C]之全部不飽和鍵中的90%以上氫化而得者，其中該樹脂組合物中的該塑化劑的比例，相對於該嵌段共聚物氫化物[D]100重量份，為0.2重量份以上且30重量份以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂組合物，其中該(i)wA與wB之比(wA/wB)為55/45~85/15。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之樹脂組合物，其熱變形溫度為115℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之樹脂組合物，其中，該 塑化劑係酯系塑化劑、脂肪族烴系聚合物、或該等之混合物。
  5. 一種薄膜，係由如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之樹脂組合物形成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜，其係延伸薄膜。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜，藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍進行自由端單軸延伸，展現之雙折射可成為0.001以下。
  8. 如申請專利範圍第5或6項所述之薄膜，藉由於溫度50℃~100℃、倍率1.2~6.0之範圍進行自由端單軸延伸，最大張力可成為10N/10mm以下。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜，其Re為20nm以下，Rth為-10nm以上10nm以下。
  10. 一種偏光板，具備如申請專利範圍第5至9項中任一項所述之薄膜作為保護薄膜。
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