TWI777113B - 環丁烯之製造方法 - Google Patents
環丁烯之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI777113B TWI777113B TW108147731A TW108147731A TWI777113B TW I777113 B TWI777113 B TW I777113B TW 108147731 A TW108147731 A TW 108147731A TW 108147731 A TW108147731 A TW 108147731A TW I777113 B TWI777113 B TW I777113B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- oxide
- halogen atom
- reaction
- catalyst
- general formula
- Prior art date
Links
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 24
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 58
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WTKBYUSJUDBTIS-UHFFFAOYSA-N [O-2].F.[Mg+2] Chemical compound [O-2].F.[Mg+2] WTKBYUSJUDBTIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006704 dehydrohalogenation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 57
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 28
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000005796 dehydrofluorination reaction Methods 0.000 description 16
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- -1 halogen atoms Chemical compound 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001931 cyclobutenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UHTBGZCYOATXPS-UHFFFAOYSA-M aluminum;oxygen(2-);fluoride Chemical compound [O-2].[F-].[Al+3] UHTBGZCYOATXPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XKKQWEPXPQZMNH-UHFFFAOYSA-M chromium(3+);oxygen(2-);fluoride Chemical compound [O-2].[F-].[Cr+3] XKKQWEPXPQZMNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001930 cyclobutanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- MDKPDHUQPDWHHD-UHFFFAOYSA-M iron(3+);oxygen(2-);fluoride Chemical compound [O-2].[F-].[Fe+3] MDKPDHUQPDWHHD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) fluoride Chemical compound F[Ni]F DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000012450 pharmaceutical intermediate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/25—Preparation of halogenated hydrocarbons by splitting-off hydrogen halides from halogenated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/35—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions not affecting the number of carbon or of halogen atoms in the reaction
- C07C17/357—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions not affecting the number of carbon or of halogen atoms in the reaction by dehydrogenation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C23/00—Compounds containing at least one halogen atom bound to a ring other than a six-membered aromatic ring
- C07C23/02—Monocyclic halogenated hydrocarbons
- C07C23/06—Monocyclic halogenated hydrocarbons with a four-membered ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
本揭示之目的在於以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯。
一種一般式(1)所示之環丁烯之製造方法，其係包含使一般式(2)所示之環丁烷進行脫離反應之步驟，且係在氣相中進行前述脫離反應之步驟；
(式中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
(式中，X1
、X2
、X3
、X4
及Y係與前述相同。X5
及X6
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子、或全氟烷基。)
Description
本揭示係關於環丁烯之製造方法。
包含鹵素原子之環丁烯係作為半導體用乾蝕刻氣體，以及各種冷媒、發泡劑、熱傳遞介質等而有用之化合物。
包含鹵素原子之環丁烯之中，關於1H-五氟環丁烯，已知有藉由脫氟化氫反應而從1H,2H-六氟環丁烷製造1H-五氟環丁烯的方法(例如，非專利文獻1及2)。該技術係在使用玻璃器具之開放反應系統下合成1H-五氟環丁烯。
[先前技術文獻]
[非專利文獻]
[非專利文獻1] Buxton; Tatlow; Journal of the Chemical Society; (1954); p. 1177 - 1179
[非專利文獻2] Fuller,G.; Tatlow,J.C.; Journal of the Chemical Society; (1961); p. 3198 - 3203
[發明所欲解決之課題]
本揭示之目的在於以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯。
[用以解決課題之手段]
本揭示包含以下之構成。
項1.
一種一般式(1)所示之環丁烯之製造方法，其係包含使一般式(2)所示之環丁烷進行脫離反應之步驟，且係在氣相中進行前述脫離反應之步驟；
(式中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或係相異地表示氫原子、鹵素原子、或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
(式中，X1
、X2
、X3
、X4
及Y係與前述相同。X5
及X6
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子、或全氟烷基。)
項2.
如前述項1之製造方法，其中前述X5
為氫原子，前述X6
為鹵素原子，前述脫離反應為脫鹵氫反應。
項3.
一種含有一般式(1)所示之環丁烯之組成物，其係將組成物總量設為100mol%，而前述一般式(1)所示之環丁烯之含量為95mol%以上；
(式中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
項4.
如前述項3之組成物，其中1H-全氟環丁烯(1H-cC4
F5
H)之含量為99mol%以上，3H-全氟環丁烯(3H-cC4
F5
H)之含量為1mol%以下。
項5.
如前述項3或4之組成物，其係使用作為清洗氣體、蝕刻氣體、沉積氣體或有機合成用建構組元。
[發明之效果]
根據本揭示，能以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯。
本發明者等經過精心研究之結果，發現藉由在氣相中實施使原料化合物進行脫離反應之步驟，即能以高選擇率來製造上述一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯。
本揭示係基於該知識見解，並更加進行重複研究之結果所完成者。
本揭示包括以下之實施形態。
本揭示之一般式(1)所示之環丁烯之製造方法，其係包含：使一般式(2)所示之環丁烷進行脫離反應之步驟。
(式中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
(式中，X1
、X2
、X3
、X4
及Y係與前述相同。X5
及X6
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子、或全氟烷基。)
本揭示係在氣相中進行前述脫離反應之步驟。
本揭示中，藉由滿足上述要件，即能以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯。
本揭示中，「選擇率」係意指相對於來自反應器出口之流出氣體中之原料化合物以外之化合物(包含鹵素原子之環丁烯等)之合計莫耳量的，該流出氣體所包含之目的化合物(包含鹵素原子之環丁烯)之合計莫耳量之比例(mol%)。
本揭示中，「轉化率」係意指相對於供給至反應器之原料化合物(包含鹵素原子之環丁烷)之莫耳量的，來自反應器出口之流出氣體所包含之原料化合物以外之化合物(包含鹵素原子之環丁烯等)之合計莫耳量之比例(mol%)。
又，本揭示之環丁烯之製造方法由於並非係批次反應(batch reaction)而係流通系統之氣相反應，故具有並不需要使用溶劑，且不產生產業廢棄物之優點。
(1)原料化合物
本揭示中，原料化合物為一般式(2)所示之環丁烷。
(式中，X1
、X2
、X3
、X4
、X5
及X6
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
X1
、X2
、X3
、X4
、X5
及X6
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子、或全氟烷基。
Y表示鹵素原子。
X1
、X2
、X3
、X4
、X5
、X6
及Y之鹵素原子，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。
X1
、X2
、X3
、X4
、X5
及X6
之全氟烷基係為全部氫原子被氟原子取代之烷基。全氟烷基係以例如，碳數1~20，較佳為碳數1~12，更佳為碳數1~6，較更佳為碳數1~4，特佳為碳數1~3之全氟烷基為佳。全氟烷基係以直鏈狀，或分枝鏈狀之全氟烷基為佳。作為前述全氟烷基，以三氟甲基(CF3
-)，及五氟乙基(C2
F5
-)為佳。
作為原料化合物之一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷，從能以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯的觀點，以X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基，且X5
為氫原子，X6
為氟原子，Y為氟原子為較佳。
作為原料化合物之一般式(2)所示之環丁烷，可舉出例如，
等之化合物。
該等一般式(2)所示之環丁烷係能單獨使用，也能組合2種以上使用。此種環丁烷係可採用市售品。
一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷在從能以高選擇率來製造包含鹵素原子之環丁烯的觀點，以X1
、X2
、X3
、X4
及X6
為氟原子，X5
為氫原子，Y為氟原子為較佳。
(2)脫離反應
本揭示中進行脫離反應之步驟係在氣相中進行脫離反應。本揭示之進行脫離反應之步驟係在氣相中進行，尤其係以使用固定床反應器之氣相連續流通式來進行為佳。在以氣相連續流通式進行之情況，不僅能簡略化裝置、操作等，且有利於經濟性。
本揭示中進行脫離反應之步驟係以前述X5
為氫原子，前述X6
為鹵素原子，前述脫離反應為脫鹵氫反應為佳。本揭示中進行脫離反應之步驟係以前述X5
為氫原子，前述X6
為氟原子，前述脫離反應為脫氟化氫反應為佳。
例如，作為原料化合物，以一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷中，X1
、X2
、X3
、X4
及X6
為氟原子，X5
為氫原子，Y為氟原子為佳。
以根據以下之反應式，脫離反應係脫氟化氫反應為佳。
觸媒
本揭示中進行脫離反應之步驟係以在觸媒存在下，在氣相下中進行脫離反應為佳。
本步驟所使用之觸媒係以活性碳為佳。本步驟所使用之觸媒係以金屬觸媒為佳。作為金屬觸媒，以選自由氧化鉻、氟化氧化鉻、氟化鉻、氧化鋁、氟化氧化鋁、氟化鋁、氧化鐵、氟化氧化鐵、氟化鐵、氧化鎳、氟化氧化鎳、氟化鎳、氧化鎂、氟化氧化鎂及氟化鎂所成群之至少1種為佳。
該等觸媒之中，從能以更高選擇率來取得目的化合物之觀點，以活性碳、氧化鉻、氟化氧化鉻、氧化鋁、氟化氧化鋁為較佳。又，也能更加提升原料化合物之轉化率。
本步驟中，在氣相中使原料化合物與觸媒接觸之際，以使觸媒在固體狀態(固相)下與原料化合物接觸為佳。
本步驟中，觸媒也可為粉末狀，但在氣相連續流通式之反應中則係以顆粒(pellet)狀為佳。
前述觸媒在藉由BET法所測量之比表面積(以下，亦稱為BET比表面積)通常為10~3,000m2
／g，以10~400m2
／g為佳，較佳為20~375m2
／g，更佳為30~350m2
／g。觸媒之BET比表面積位在此種範圍時，由於觸媒之粒子密度不會有過小的情況，故能以高選擇率取得目的化合物。又，也能提升原料化合物之轉化率。
使用活性碳作為觸媒時，以使用破碎炭、成形炭、顆粒炭、球狀炭等之粉末活性碳為佳。粉末活性碳係以使用在JIS試驗下顯示4篩目(4.76mm)~100篩目(0.149mm)之粒度的粉末活性碳為佳。
使用金屬觸媒作為觸媒時，以被載持於載體上為佳。作為載體，可舉出例如，碳、氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鋯(ZrO2
)、二氧化矽(SiO2
)、氧化鈦(TiO2
)等。作為碳，可舉出如活性碳、非定形碳、石墨、金剛石等。
作為本揭示中之觸媒之一例，說明關於氧化鉻及經氟化之氧化鉻。氧化鉻在例如以Cr2
O3
･nH2
O來表示氧化鉻時，n之值係以3以下為佳，以1~1.5為較佳。又，前述氧化鉻在組成式：CrOm
中，以m通常在1.5＜m＜3之範圍者為佳。作為觸媒，經氟化之氧化鉻係可藉由將氧化鉻予以氟化來調製。作為氟化，可舉出如利用氟化氫(HF)之氟化、利用氟碳等之氟化。
作為觸媒之經氟化之氧化鉻係可依據例如日本專利第3412165號記載之方法來獲得。藉由利用氟化氫來對氧化鉻進行氟化(HF處理)，而可取得經氟化之氧化鉻。氟化之溫度係例如以100~460℃為佳。氟化之壓力係以供給至觸媒反應時之壓力為佳。本揭示中，以使用氟含量多之高氟化-氧化鉻觸媒為佳。高氟化-氧化鉻觸媒係可藉由在比通常還更高溫下長時間來將氧化鉻氟化而取得。
高氟化-氧化鉻觸媒之氟含量係以30質量%以上為佳，以30~45質量%為較佳。氟含量係可藉由觸媒之質量變化，或一般性鉻氧化物之定量分析法進行測量。
脫離反應溫度
本揭示之進行脫離反應之步驟中，反應溫度之下限值在從能更有效率地使脫離反應進行，且能以更高選擇率取得目的化合物觀點，又從抑制轉化率降低之觀點，通常為50℃，以200℃為佳，較佳為250℃，更佳為300℃，特佳為350℃。
脫離反應之反應溫度之上限值在從能更有效率地使脫氟化氫反應進行，且能以更高選擇率取得目的化合物之觀點，且從抑制反應生成物進行分解或聚合所造成之選擇率降低的觀點，通常為500℃，以450℃為佳，較佳為400℃。
脫離反應時間
脫離反應之反應時間係只要拉長原料化合物對觸媒之接觸時間(W／F0
)[W：金屬觸媒之重量(g)，F0
：原料化合物之流量(cc／sec)]就能提升原料化合物之轉化率，但觸媒之量會變多且設備會變大，故為非效率者。
因此，脫氟化氫反應之反應時間再從提升原料化合物之轉化率之觀點，及抑制設備成本之觀點，原料化合物對觸媒之接觸時間(W／F0
)係以5g･sec／cc~300g･sec／cc為佳，以10g･sec／cc~200g･sec／cc為較佳，以15g･sec／cc~ 150g･sec／cc為更佳，以20g･sec／cc~100g･sec／cc為特佳。
上述原料化合物對觸媒之接觸時間係意指原料化合物及觸媒進行接觸之時間。
本揭示之脫離反應在觸媒之存在下，且在氣相中進行之際，尤其係配合觸媒來適宜調整反應溫度與反應時間(接觸時間)，即能以更高選擇率取得目的化合物。
在使用氧化鉻作為觸媒時，反應溫度係以300℃以上為佳，以350℃以上為較佳。又，接觸時間係以10g･sec／cc以上為佳，以20g･sec／cc以上為較佳，以40g･sec／cc以上為更佳。
使用氧化鋁作為觸媒時，反應溫度係以300℃以上為佳，又，接觸時間係以5g･sec／cc以上為佳。
使用活性碳作為觸媒時，反應溫度係以300℃以上為佳，以350℃以上為較佳，以400℃以上為更佳。又，接觸時間係以5g･sec／cc~55g･sec／cc為佳，以5g･sec／cc~ 50g･sec／cc為較佳，以5g･sec／cc~40g･sec／cc為更佳。
脫離反應壓力
脫離反應之反應壓力在從能更有效率地脫離反應進行之觀點，以-0.05MPa~2MPa為佳，以-0.01MPa~1MPa為較佳，以常壓~0.5MPa為更佳。尚且，本揭示中，在並未標示關於壓力之情況，則為計示壓力。
脫離反應中，作為使原料化合物與觸媒(金屬觸媒等)進行接觸而反應之反應器，只要能承受上述溫度及壓力者，形狀及構造即並無特別限定。作為反應器，可舉出例如，縱型反應器、橫型反應器、多管型反應器等。作為反應器之材質，可舉出例如，玻璃、不鏽鋼、鐵、鎳、鐵鎳合金等。
脫離反應之例示
脫離反應係藉由對反應器連續性投入原料化合物，並從該反應器連續性抽出目的化合物之流通式及批次式之任一方式皆能實施。目的化合物滯留於反應器時，由於脫離反應可能會更加進行，故以流通式來實施為佳。本揭示之進行脫離反應之步驟係以在氣相中進行，尤其係以使用固定床反應器之氣相連續流通式來進行為佳。以氣相連續流通式來進行之情況，不僅可簡略化裝置、操作等，且有利於經濟性。
關於進行脫離反應時之環境，從抑制觸媒(金屬觸媒等)劣化之觀點，以在惰性氣體存在下及／或氟化氫存在下為佳。該惰性氣體係以選自由氮、氦、氬及二氧化碳所成群之至少1種為佳。該等惰性氣體之中，從抑制成本之觀點，以氮為較佳。該惰性氣體之濃度係作成導入至反應器中之氣體成分之0~50mol%為佳。
脫離反應結束後係因應必要依據常法來進行純化處理，而可取得一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯。
(3)目的化合物
本揭示之目的化合物為一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯。
(式中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基。Y表示鹵素原子。)
X1
、X2
、X3
及X4
、以及Y係與前述相同。
所欲製造之一般式(1)所示之環丁烯係可舉出例如，以下
等之化合物。
以一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯中，X1
、X2
、X3
及X4
係相同或相異地表示氫原子、鹵素原子或全氟烷基，Y係氟原子為佳。以一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯中，X1
、X2
、X3
及X4
係氟原子，Y係氟原子為較佳。
本揭示之包含鹵素原子之環丁烯之製造方法中，以一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷作為原料化合物，且X1
、X2
、X3
、X4
及X6
係氟原子，X5
係氫原子，Y係氟原子時之脫離反應為佳。
以根據以下之反應式，且脫離反應係脫氟化氫反應為佳。
目的化合物係以一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，且X1
、X2
、X3
及X4
係氟原子，Y係氟原子為佳。
(4)含有包含鹵素原子之環丁烯之組成物
藉由以上之操作而可取得一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，又如上述般，也有以包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，與一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷之組成物之形態來取得的情況。
作為組成物所包含之一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，以X1
、X2
、X3
及X4
為氟原子，Y為氟原子為佳。
本揭示之包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之組成物中，將前述組成物之總量設為100mol%，一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之含量係以95mol%以上為佳，以99mol%以上為較佳。
本揭示之包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之組成物中，將前述組成物之總量設為100mol%，一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之含量係以1mol%~99.9mol%為佳，以5mol%~99.9mol%為較佳，以10mol%~99.9mol%為更佳。
本揭示之包含鹵素原子之環丁烯之製造方法中，上述脫離反應係可能會生成以下之化合物作為雜質。
本揭示之包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之組成物中，將前述組成物之總量設為100mol%，以1H-全氟環丁烯(1H-cC4
F5
H)之含量為99mol%以上，3H-全氟環丁烯(3H-cC4
F5
H)之含量為1mol%以下為佳。
根據本揭示之製造方法，即使係取得作為包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之組成物的情況，也能以特高選擇率來取得一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，其結果係能減少前述組成物中之一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯以外之成分。根據本揭示之製造方法，可削減為了取得一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯用之純化之勞力。
本揭示之包含一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之組成物係與單獨一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯之情況同樣地，能有效利用於形成半導體、液晶等之最先端微細構造用之蝕刻氣體，以及沉積氣體、有機合成用建構組元、清洗氣體等之各種用途。
前述沉積氣體係意指使蝕刻耐性聚合物層堆積之氣體。
前述有機合成用建構組元係意指能成為具有高反應性骨架之化合物前驅物的物質。例如，在使本揭示之一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯，及包含此之組成物，與CF3
Si(CH3
)3
等之含氟有機矽化合物反應時，導入CF3
基等之氟烷基而能轉換成洗淨劑或能成為含氟醫藥中間體的物質。
以上，說明了本揭示之實施形態，但只要不超出申請專利範圍之要旨及範圍，即能賦予形態或詳細之各種變更。
[實施例]
以下例舉實施例，具體地說明本揭示，但本揭示並非係受到該等實施例所任何限定者。
實施例
實施例之包含鹵素原子之環丁烯之製造方法中，原料化合物係作成一般式(2)所示之包含鹵素原子之環丁烷中，X1
、X2
、X3
、X4
及X6
為氟原子，X5
為氫原子，Y為氟原子。
根據以下之反應式，脫離反應係利用脫氟化氫反應。
目的化合物係作成一般式(1)所示之包含鹵素原子之環丁烯中，X1
、X2
、X3
及X4
為氟原子，Y為氟原子。
又，上述脫離反應中，可能會生成以下之化合物作為雜質。
實施例1~3(氧化鉻觸媒)
使用SUS配管(外徑：1／2吋)作為反應管，且填充以Cr2
O3
為主成分之氧化鉻10g作為觸媒。作為將前述觸媒使用於脫離反應(脫氟化氫反應)之前處理，使反應器流通無水氟化氫，並將反應器之溫度從200℃提升至300℃來進行氟化處理。取出經氟化之氧化鉻，而使用於脫氟化氫反應。經氟化之氧化鉻之BET比表面積為75m2
／g。
對反應器之SUS配管(外徑：1／2吋)添加觸媒之經氟化之氧化鉻(氟化氧化鉻)10g。氮環境下，以200℃乾燥2小時後，以壓力為常壓，cC4
F6
H2
(原料化合物)與經氟化之氧化鉻(觸媒)之接觸時間(W／F0
)成為20g･sec／cc或40g･sec／cc之方式使原料化合物(cC4
F6
H2
)流通於反應器中。
以氣相連續流通式來進行反應。
在250℃或350℃下加熱反應器並開始脫氟化氫反應。
開始脫氟化氫反應直至1小時後，收集通過除害塔之餾出分。
其後，使用氣相層析儀(島津製作所公司製，商品名「GC-2014」)藉由氣相層析／質量分析法(GC／MS)進行質量分析，使用NMR(JEOL公司製，商品名「400YH」)進行利用NMR光譜之構造解析。
從質量分析及構造解析之結果，確認到已生成cC4
F5
H作為目的化合物。實施例1中，從cC4
F6
H2
(原料化合物)之轉化率為3.34mol%，cC4
F5
H(目的化合物)之選擇率(收率)為45.9mol%。實施例2中，轉化率：29.1mol%，選擇率：98.6mol%。實施例3中，轉化率：26.1mol%，選擇率：97.2mol%。
實施例4及5(氧化鋁觸媒)
仿效前述實施例1之實驗方法，使用以Al2
O3
為主成分之氧化鋁作為觸媒。仿效前述實施例1之實驗方法，以cC4
F6
H2
(原料化合物)與氧化鋁(觸媒)之接觸時間(W／F0
)成為10g･sec／cc或40g･sec／cc之方式，使原料化合物流通於反應器中。仿效前述實施例1之實驗方法，在400℃下加熱反應器並開始脫氟化氫反應。除前述條件以外，其他係與實施例1同樣地操作來實施脫氟化氫反應、質量分析及構造解析。
從質量分析及構造解析之結果，確認到已生成cC4
F5
H作為目的化合物。實施例4中，從cC4
F6
H2
(原料化合物)之轉化率為7.92mol%，cC4
F5
H(目的化合物)之選擇率為45.1mol%。實施例5中，轉化率：4.11mol%，選擇率：35.0mol%。
實施例6~10(活性碳觸媒)
仿效前述實施例1之實驗方法，使用活性碳作為觸媒。仿效前述實施例1之實驗方法，以cC4
F6
H2
(原料化合物)與活性碳(觸媒)之接觸時間(W／F0
)成為10g･sec／cc、27g･sec／cc或47g･sec／cc之方式，使原料化合物流通於反應器中。仿效前述實施例1之實驗方法，在300℃、350℃或400℃下加熱反應器並開始脫氟化氫反應。除前述條件以外，其他係與實施例1同樣地操作來實施脫氟化氫反應、質量分析及構造解析。
從質量分析及構造解析之結果，確認到已生成cC4
F5
H作為目的化合物。實施例6中，從cC4
F6
H2
(原料化合物)之轉化率為57.6mol%，cC4
F5
H(目的化合物)之選擇率為95.3mol%。實施例7中，轉化率：97.7mol%，選擇率：68.3mol%。實施例8中，轉化率：84.1mol%，選擇率：83.8mol%。實施例9中，轉化率：72.3mol%，選擇率：94.6mol%。實施例10中，轉化率：84.7mol%、選擇率：95.7mol%。
將各實施例之結果展示於以下之表1。表1中，接觸時間(W／F0
)係意指進行流通之原料氣體係以何種程度之速度來放流，即，觸媒及原料氣體進行接觸之時間。
Claims (3)
- 一種一般式(1)所示之環丁烯之製造方法，其係包含使一般式(2)所示之環丁烷進行脫離反應之步驟，且係在觸媒之存在下在氣相中進行前述脫離反應之步驟；
- 如請求項1之製造方法，其中前述X5為氫原子，前述X6為鹵素原子，前述脫離反應為脫鹵氫反應(dehydrohalogenation reaction)。
- 如請求項1或2之製造方法，其中前述脫離反應步驟係以氣相連續流通式來進行。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018245665A JP6835060B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | シクロブテンの製造方法 |
| JP2018-245665 | 2018-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202035349A TW202035349A (zh) | 2020-10-01 |
| TWI777113B true TWI777113B (zh) | 2022-09-11 |
Family
ID=71127736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108147731A TWI777113B (zh) | 2018-12-27 | 2019-12-26 | 環丁烯之製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6835060B2 (zh) |
| KR (1) | KR102566765B1 (zh) |
| CN (1) | CN113227026A (zh) |
| SG (1) | SG11202106891PA (zh) |
| TW (1) | TWI777113B (zh) |
| WO (1) | WO2020137825A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023049515A1 (en) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | Honeywell International Inc. | Fluorine substituted cyclobutene compounds, and compositions, methods and uses including same |
| CN118139944A (zh) * | 2021-09-27 | 2024-06-04 | 霍尼韦尔国际公司 | 氟取代的环丁烯化合物以及包含其的组合物、方法和用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201202172A (en) * | 2010-04-02 | 2012-01-16 | Solvay | Process for dehydrofluorinating hydrochlorofluoroalkanes and products obtained thereby |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2891968A (en) * | 1955-08-12 | 1959-06-23 | Du Pont | Difluorobutenedioic acids, their alkali metal salts, their alkyl esters and anhydride, and process for preparing them |
| GB844604A (en) * | 1955-09-14 | 1960-08-17 | Robert Neville Haszeldine | Halogenated organic compounds |
| JPH07100673B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1995-11-01 | 旭化成工業株式会社 | １−フルオロシクロヘキセンの製造法 |
| KR940002713B1 (ko) * | 1991-12-03 | 1994-03-31 | 주식회사 코오롱 | 디아조타입 감광체 원료의 제조방법 |
| TWI298716B (zh) * | 2001-08-06 | 2008-07-11 | Showa Denko Kk | |
| US7560602B2 (en) * | 2005-11-03 | 2009-07-14 | Honeywell International Inc. | Process for manufacture of fluorinated olefins |
| KR101592056B1 (ko) * | 2008-07-18 | 2016-02-05 | 제온 코포레이션 | 함수소 플루오로올레핀 화합물의 제조 방법 |
| JP5311009B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2013-10-09 | 日本ゼオン株式会社 | 含水素フルオロオレフィン化合物の製造方法 |
| JP5158366B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-03-06 | 日本ゼオン株式会社 | 含水素フルオロオレフィン化合物の製造方法 |
| JP5056963B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2012-10-24 | ダイキン工業株式会社 | 含フッ素アルカンの製造方法 |
| EP2569269A4 (en) * | 2010-05-03 | 2014-01-29 | Arkema Inc | DEHYDROFLUORINATION OF PENTAFLUORO CANNES FOR FORMING TETRAFLUOROLEFINS |
| CN102836722B (zh) * | 2012-09-06 | 2014-10-15 | 西安近代化学研究所 | 一种卤氟烷烃脱卤化氢制备含氟烯烃的催化剂及其制备方法 |
| KR102258218B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2021-05-28 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 함불소 화합물의 제조 방법 |
| CN105107533B (zh) * | 2015-08-18 | 2019-04-09 | 巨化集团技术中心 | 一种气相脱氟化氢催化剂的制备方法 |
| CN107739294B (zh) * | 2017-10-17 | 2020-08-21 | 北京宇极科技发展有限公司 | 气相脱氟化氢制备氢氟环戊烯的方法 |
| CN107721810B (zh) * | 2017-11-07 | 2020-12-01 | 中国民航大学 | 一种合成灭火剂八氟环丁烷的方法 |
| JP7166911B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2022-11-08 | ダイキン工業株式会社 | シクロブテンの製造方法 |
-
2018
- 2018-12-27 JP JP2018245665A patent/JP6835060B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-19 CN CN201980086441.9A patent/CN113227026A/zh active Pending
- 2019-12-19 KR KR1020217023297A patent/KR102566765B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-19 WO PCT/JP2019/049900 patent/WO2020137825A1/ja active Application Filing
- 2019-12-19 SG SG11202106891PA patent/SG11202106891PA/en unknown
- 2019-12-26 TW TW108147731A patent/TWI777113B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201202172A (en) * | 2010-04-02 | 2012-01-16 | Solvay | Process for dehydrofluorinating hydrochlorofluoroalkanes and products obtained thereby |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 期刊 BUXTON, M. W. ET AL. The reaction of highly fluorinated organic compounds. Part V. 1H:2H-Hexafluorocyclobutane and 1H- Pentafluorocyclobut-1-ene JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY 1954 1177-1179; * |
| 期刊 FULLER, G. ET AL. Some isomeric hexafluorocyclobutanes and pentafluorocyclobutenes JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY 1961 3198-3203 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210108993A (ko) | 2021-09-03 |
| KR102566765B1 (ko) | 2023-08-16 |
| WO2020137825A1 (ja) | 2020-07-02 |
| JP2020105114A (ja) | 2020-07-09 |
| TW202035349A (zh) | 2020-10-01 |
| JP6835060B2 (ja) | 2021-02-24 |
| CN113227026A (zh) | 2021-08-06 |
| SG11202106891PA (en) | 2021-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6673413B2 (ja) | フルオロオレフィンの製造方法 | |
| JP5704218B2 (ja) | ドライエッチングガスの製造方法 | |
| JP6827246B2 (ja) | ハロゲン化ブテン化合物の製造方法 | |
| TWI777113B (zh) | 環丁烯之製造方法 | |
| WO2014094587A1 (zh) | 一种制备1,3,3,3-四氟丙烯的工艺 | |
| EP3929172A1 (en) | Halogenated alkene compound and method for manufacturing fluorinated alkyne compound | |
| TWI798518B (zh) | 環丁烷之製造方法 | |
| JP7436777B2 (ja) | フルオロオレフィン化合物の製造方法 | |
| TWI791907B (zh) | 全氟環烯烴化合物之製造方法 | |
| RU2784315C1 (ru) | Способ получения циклобутена | |
| JP2021014410A (ja) | ビニル化合物の製造方法 | |
| RU2807184C9 (ru) | Способ получения циклобутана | |
| RU2807184C2 (ru) | Способ получения циклобутана | |
| JP2019151629A (ja) | 化合物の製造方法 | |
| JP2021011474A (ja) | フッ化ビニル化合物の製造方法 | |
| CN117597322A (zh) | 烯烃的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |