TWI754333B - 基板固持器、微影設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於支撐一基板之基板固持器、一種包含該基板固持器之微影設備及一種支撐該基板的方法。該基板固持器包含一主體、複數個支撐銷及一板。該板定位於該主體之一表面與由該複數個支撐銷形成的一支撐表面之間。該板可在沿著該主體之該表面與該支撐表面之間的該複數個支撐銷的一方向上致動。該基板固持器亦可包含一主體、一可撓性構件及自該主體之一表面突起的一固定構件。該可撓性構件將一封閉空腔界定於其中且經組態以與支撐於該基板固持器上之該基板形成一密封件。該基板固持器經組態以減小該可撓性構件之該封閉空腔中的壓力。

Description

基板固持器、微影設備及方法
本發明係關於一種用於支撐基板之基板固持器、一種包含基板固持器之微影設備、一種將基板支撐於基板固持器上的方法及一種將基板夾持於基板固持器上之方法。
微影設備係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化器件(例如遮罩)之圖案(通常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如晶圓)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造製程不斷進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如電晶體之功能元件的量一直穩固地增加，此遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了滿足莫耳定律，半導體行業正在尋求使得能夠形成愈來愈小特徵的技術。為將圖案投影至基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長決定經圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前使用之典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。
微影設備可包括用於提供輻射之投影光束的照明系統及用 於支撐圖案化器件的支撐結構。圖案化器件可用於在投影光束之橫截面中向該投影光束賦予圖案。設備亦可包括用於將經圖案化光束投影至基板之目標部分上的投影系統。
在微影設備中，待曝光之基板(其可稱為生產基板)可經固持於基板固持器(有時稱為晶圓台)上。基板固持器可相對於投影系統為可移動的。基板固持器通常包含實心體，該實心體由剛性材料製成且在平面中具有與待支撐之生產基板類似的尺寸。實心體的面向基板之表面可設置有複數個突起(稱為瘤節)。瘤節之遠端表面可符合平面且支撐基板。瘤節可提供若干優點：基板固持器上或基板上之污染物粒子有可能掉落於瘤節之間且因此不會導致基板之變形；相較於使實心體之表面平坦，更易於對瘤節進行加工，因此該等瘤節之末端符合平面；且可調整瘤節之屬性例如以控制將基板夾持至基板固持器。
在製造器件之製程期間，尤其係在形成具有顯著高度的結構(例如所謂的3D-NAND)時，生產基板可變得失真。基板通常可變為「碗狀」，亦即，自上方觀察為凹面；或「傘狀」，亦即，自上方觀察為凸面。出於本發明之目的，形成器件結構之表面稱為頂部表面。在此內容背景中，在垂直於基板之標稱表面的方向(該方向可稱為Z方向)上量測「高度」。碗狀及傘狀基板在經夾持至基板固持器上時在一定程度上變平，例如藉由部分地排空基板與基板固持器之間的空間。然而，若通常由基板之表面上的最低點與基板之表面上的最高點之間的高度差量測之失真量過大，則可能出現各種問題。特定而言，可能難以充分夾持基板，在裝載及卸載基板期間可存在過多瘤節磨損，且基板之表面中的剩餘高度變化可能過大而不能夠在基板之所有部分(尤其靠近邊緣之部分)上進行正確圖案 化。
本發明之一目標為提供一種在一基板上實現有效圖案形成之基板固持器。根據一實施例之一基板固持器可有利地提供支撐一基板的一替代方式。
在一第一實施例中，提供一種用於支撐一基板的基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一表面；複數個支撐銷，其在該複數個支撐銷之近端處連接至該主體的該表面，其中該複數個支撐銷之遠端形成一基板之一支撐表面；及一板，其包含複數個開口，該板定位於該主體之該表面與該支撐表面之間，其中連接至該主體之該表面的該複數個支撐銷中之全部在該板中具有一對應開口，且其中該板可在沿著該主體之該表面與該支撐表面之間的該複數個支撐銷的一方向上致動。
根據該第一實施例，亦提供一種將一基板支撐於如前述技術方案中任一項之基板固持器上的方法，該方法包含：將一基板設置於該基板固持器之該支撐表面上；獲得與以下各者中之一或多者相關的資料：該支撐表面上之該基板的一形狀、該基板與該主體之該表面之間的一壓力及/或自該基板與該主體之該表面之間萃取的流體之一流動速率；基於所獲得資料來判定在該主體之該表面與該支撐表面之間的該板之一較佳位置；將該板在沿著該複數個支撐銷的該方向上移動至該較佳位置；及自該板與該基板之間的一空間萃取流體。
根據一第二實施例，提供一種用於支撐一基板的基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有在該基板支撐於該基板固持器上時面向該基板之一表面；一可撓性構件，其自該主體之該表面突起且具有 一高度，該可撓性構件將一封閉空腔界定於其中且經組態以在一第一狀態下與該基板之一底側形成一密封件；及一固定構件，其自該主體之該表面突起且具有一高度；其中在一第二狀態下，該基板固持器經組態以減小該可撓性構件之該封閉空腔中的一壓力，以使得該基板支撐於該基板固持器上。
根據第二實施例，亦提供一種將一基板夾持至一基板固持器之方法，該方法包含：設置一基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有在該基板支撐於該基板固持器上時面向該基板之一表面；一可撓性構件，其自該主體之該表面突起且具有一高度，該可撓性構件將一封閉空腔界定於其中；及一固定構件，其自該主體之該表面突起且具有一高度；將一基板設置於該基板固持器上，其中在將該基板夾持至該基板固持器之前，該可撓性構件接觸該基板的一底側；將該基板夾持至該基板固持器；且在夾持期間，減小該可撓性構件之該封閉空腔中的該壓力，以使得該基板支撐於該基板固持器上。
根據本發明，亦提供一種包含該基板固持器之微影設備。
下文參考隨附圖式來詳細描述本發明之其他實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例特徵及優點的結構及操作，以及本發明之各種實施例的結構及操作。
1:基板固持器
10:主體
11:表面
12:萃取開口
20:支撐銷
21:近端
22:遠端
23:中心縱軸
30:板
31:開口
32:萃取器部分
33:頂部表面
34:下部表面
35:突起
40:固定密封構件
50:致動器
60:可移動構件
70:構件致動器
80:可移動構件
90:可撓性密封件
100:控制器
101:基板固持器
105:空間
110:主體
111:表面
112:萃取開口
113:開口
114:開口
115:通路
116:開口
120:支撐銷
140:固定構件
200:可撓性構件
201:第一部分
202:第二部分
210:封閉空腔
220:壓力器件
A:箭頭
B:輻射光束/箭頭
BD:光束遞送系統
C:目標部分
c:箭頭
d:距離
IL:照明系統
LA:微影設備
M1:遮罩對準標記
M2:遮罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:遮罩支撐件
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一***
PMS:位置量測系統
PS:投影系統
PW:第二***
SO:輻射源
W:基板
WT:基板支撐件
現將參考隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應附圖標記指示對應部分，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影設備之概述；圖2描繪根據第一實施例的基板固持器之部分的橫截面； 圖3描繪圖2之基板固持器的平面視圖；圖4描繪圖2及圖3之基板固持器的變型；圖5描繪圖2及圖3之基板固持器的變型；圖6描繪圖2及圖3之基板固持器的變型；圖7A及圖7B描繪圖2及圖3之基板固持器的變型；圖8A、圖8B、圖8C及圖8D描繪根據第二實施例的基板固持器之部分的橫截面；圖9描繪圖8A至圖8D之基板固持器的變型；圖10描繪圖8A至圖8D之基板固持器的變型；及圖11描繪根據第一實施例及第二實施例之基板固持器的變型。
諸圖中展示之特徵未必按比例繪製，且所描繪之大小及/或配置不作為限制。將理解，諸圖包括可能對本發明並非必要的視情況選用之特徵。此外，並非基板固持器之所有特徵皆描繪於諸圖中之每一者中，且諸圖可僅展示用於描述特定特徵的相關組件中之一些。
在本文獻中，術語「輻射」及「光束」用於涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有436、405、365、248、193、157、126或13.5nm之波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化器件」可廣泛地解釋為係指可用於向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待形成於基板之目標部分中的圖案。在此內容背景中亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射性或反射性、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程 式規劃鏡面陣列及可程式規劃LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備LA。微影設備包括：照明系統(亦稱為照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如EUV輻射或DUV輻射)；遮罩支撐件(例如遮罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如遮罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確定位圖案化器件MA之第一***PM；基板支撐件(例如基板台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確定位基板支撐件WT之第二***PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W的目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件或其任何組合。照明器IL可用於調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在該輻射光束B之橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如使用浸潤式液體或使用真空之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將本文中對術語「投影透鏡」之任何使用視為與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影設備可屬於以下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對較高折射率之浸潤式液體(例如水)覆蓋以便填充投影系統PS與基 板W之間的浸潤空間-此亦稱為浸潤微影。在以引用方式併入本文中的US 6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT(亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，且/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT之外，微影設備亦可包含量測載物台(圖1中未描繪)。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤式液體之系統的一部分。當基板支撐件WT遠離投影系統PS時，量測載物台可在投影系統PS之下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持在遮罩支撐件MT上之圖案化器件(例如遮罩)MA上，且藉由呈現於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)來進行圖案化。在橫穿遮罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二***PW及位置量測系統PMS，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便將不同目標部分C定位於在聚焦且對準之位置處的輻射光束B之路徑中。類似地，第一***PM及可能地另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)可用於相對於輻射光束B之路徑來準確定位圖案化器件MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等基板對準標記 可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記P1、P2稱為切割道對準標記。
在本說明書中，使用笛卡爾(Cartesian)座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉稱為Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明且僅用於闡明。實際上，諸如圓柱形座標系之另一座標系可用於闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可不同，例如以使得z軸具有沿著水平平面之分量。
在微影設備中，有必要以高準確性將待曝光之基板的上部表面定位於由投影系統投影之圖案的空中影像之最佳焦點的平面中。為達成此情形，可將基板固持於基板固持器上。支撐基板之基板固持器的表面可設置有複數個瘤節，該等瘤節之遠端可在標稱支撐平面中共面。瘤節(儘管眾多)的平行於支撐平面之橫截面面積可較小，以使得該等瘤節的遠端之總橫截面面積為基板之表面積的百分之幾，例如小於5%。基板固持器與基板之間的空間中之氣體壓力可相對於基板上方之壓力經減小，以形成將基板夾持至基板固持器的力。
可能需要變更用於將基板夾持至基板固持器之表面的控制。此將關於基板固持器加以描述，該基板固持器可用於例如在將基板暴露於輻射期間(亦即，在如上文所描述一般經圖案化時)使基板保持於預定位置中。
如所提及，需要增加形成於基板上之結構的高度。一般而言，已發現，定位於基板固持器上之基板的失真往往會隨此等結構之高度 增加而增加，從而使基板在基板固持器上之可靠夾持更困難。
即使將增加的高度納入考慮，亦可使夾持更可靠。第一選項為在基板定位於基板固持器上時增加在基板之下萃取之流體的流動速率。第二選項為在基板處於基板固持器上之位置中時減小基板與基板固持器之間的間隙，亦即，藉由使瘤節變得更短。當基板處於基板固持器上之位置中時，此等選項皆可改善夾持。然而，此等選項皆可具有不利影響。
在將基板裝載至基板固持器上時，基板一般並不完全平坦地著陸於基板固持器上。此意謂在基板之裝載期間，基板之一個點往往會與瘤節中之至少一者接觸，且隨後，基板之其餘部分與基板固持器接觸。由於基板橫越基板固持器形成接觸，因此在裝載期間在基板與基板固持器之間的摩擦力可導致基板之平面內變形。平面內變形可增加疊對誤差。上文所描述的用於改善夾持之兩個選項可導致基板之增加的平面內變形，從而導致較大疊對誤差。
因此，儘管此等選項可改善基板之夾持，但該等選項亦可導致增加的疊對誤差，此減少產出量。可減小用於夾持基板之流量以減輕負面影響，但此增加了夾持基板所花費之時間量，且因此亦降低產出量。另外，視基板在裝載期間之平坦程度而定，流動速率可以不同方式影響基板。針對不同類型的平面內變形使用具有不同流動速率設定之流動速率控制器可輔助處理不同基板，但可能較昂貴。
為解決先前技術之缺點中的至少一些，第一實施例提供用於支撐基板之基板固持器。基板固持器經組態以支撐基板。基板固持器可將基板固持在適當位置。基板固持器可定位於上文所描述之基板支撐件WT的部分上或可為基板支撐件WT之部分，亦即，基板固持器及基板支 撐件WT由單件製成。就此而言，基板固持器可經組態以使基板在處於特定位置中之基板固持器上保持在適當位置。舉例而言，基板可在裝載期間裝載至基板上。基板固持器隨後可經組態以使基板相對於基板固持器保持於固定位置中。此可另外稱為夾持基板。
根據第一實施例之基板固持器1的部分橫截面展示於圖2中。基板固持器1包含具有表面11之主體10。主體10可形成基板固持器1之實質部分。表面11在如圖2中所展示一般定位時可為主體10之頂部表面。因此，如所展示，頂部表面在Z方向上可為上部表面。
基板固持器1包含連接至主體10之表面11的複數個支撐銷20。如上文所描述，支撐銷20可另外稱為瘤節。複數個支撐銷20具有在處於適當位置中時位於主體10附近之近端21，及遠端22。遠端22在複數個支撐銷20的與近端21相對之末端處，亦即，位於支撐銷20的遠離主體10之末端處。
複數個支撐銷20具有中心縱軸23，其中沿著中心縱軸23，近端21在支撐銷20之一個末端處，且遠端22在支撐銷20的另一末端處。因此，複數個支撐銷20中之每一者可具有自近端21至遠端22的中心縱軸23。
複數個支撐銷20之遠端22形成基板W之支撐表面。複數個支撐銷20之遠端22可設置成平面。較佳地，支撐表面形成為實質上平坦的平面，亦即，支撐銷20之遠端表面可符合平坦平面且支撐基板W。此在基板W可定位於亦將為實質上平坦的支撐表面上時為有益的，此可在圖案化基板W時減小誤差。
基板固持器1進一步包含板30。板30定位於主體10之表面 11與支撐表面(亦即，由複數個支撐銷20之遠端22形成)之間。處於適當位置中之板30展示於圖2中且展示於圖3中的平面視圖中。板30包含複數個開口31。複數個支撐銷20可定位於複數個開口31內。連接至主體10之表面11的複數個支撐銷20中之全部在板30中具有對應開口31。換言之，複數個支撐銷20中之每一者具有對應開口31。因此，針對每一支撐銷20，在板30中存在開口31。以此方式，板30可適配於支撐銷20中之每一者周圍。複數個開口31中之每一者可在板30中形成為通孔。因此，複數個開口31中之每一者可為可供支撐銷20進入之圓形孔。板30可橫越整個基板W延伸。板30在平面中可為與基板W大約相同的大小。板30在平面中可略微小於基板W。板30可用於在大部分基板W之下提供表面以控制基板W下方的環境。
板30可為盤狀。板30可為實質上圓形的。板30可具有幾公釐之厚度。舉例而言，板30可為大約1至2公釐。板30可為與基板固持器1相同的材料。舉例而言，板30可為玻璃、陶瓷、微晶玻璃(西德製)、SiC或SiSiC等。板30可為金屬。複數個開口31可藉由雷射形成，此在提供經準確塑形之開口時可為有益的。
板30可在橫向於基板固持器1之表面11及/或支撐表面的方向上移動，亦即，板30可不平行於表面11或支撐表面移動。更具體而言，板30可在沿著主體10之表面11與支撐表面之間的複數個支撐銷20的方向上致動。板30可沿著此方向致動至較佳位置。板30可自主體10之表面11朝向複數個支撐銷20之遠端22處的支撐表面移動，或在相反方向上自支撐表面朝向主體10之表面11移動。板30可在沿著複數個支撐銷20之方向上致動可意謂板30沿著支撐銷20之中心縱軸23的方向致動。板30之移動 方向可實質上垂直於主體10之表面11及/或支撐表面。板30可經致動以在展示於圖2中之箭頭B的方向上向上及向下移動，該箭頭B可在Z方向上。
由於板30在沿著主體10之表面11與支撐表面之間的複數個支撐銷20的方向上致動，因此支撐表面(由複數個支撐銷20之遠端22形成)與板30之間的距離d可變化。
如上文所描述，在基板固持器1上之基板W的裝載期間，減小基板W與基板固持器1之間的間隙及/或增加用於將基板W夾持至基板固持器1之流動速率可對基板W的平面內變形具有不利影響。然而，較大間隙及/或較慢流動速率可減小將基板W一次夾持於基板固持器1上之效應及/或增加將基板W一次夾持於基板固持器1上所花費的時間。因此，在平面內變形之影響、夾持效率及產出量之間需要平衡。
如上文所描述一般致動板30允許控制及改變板30與支撐表面之間的距離d。當基板W在使用時定位於支撐表面上時，此意謂可控制板30與基板W之間的距離。此可在以下情形中為有利的：板30可定位於第一位置中以用於改善或最佳化基板W在基板固持器1上之裝載，且板30可定位於第二位置中以用於改善或最佳化基板W之夾持。舉例而言，在裝載基板W之後，板30可在沿著複數個支撐銷20之方向上朝向支撐表面移動。此減小板30與支撐表面之間的距離d。此意謂夾持可更有效，且即使在極高變形之情況下且即使在使用相對較低的萃取流動速率時，基板W亦可經充分夾持。
距離d可為支撐表面與板30之頂部表面33之間的距離。板30之頂部表面33為面向基板W的表面且與板30之下部表面34相對，其中板30的下部表面34面向主體10之表面11。板30之頂部表面33在圖2中經展 示為上部表面，但將理解，可以其他定向使用基板固持器1。
複數個開口31中之每一者的大小可經設定成僅適配單個支撐銷20。理想地，複數個開口31中之每一者具有與複數個支撐銷20中之每一者類似的大小，以使得開口31中的每一者與複數個支撐銷20中之每一者的外部實質上齊平。因此，在圖3中，複數個開口31形成在複數個開口20中之每一者周圍，但在此圖中在每一支撐銷20周圍看不見間隙。有益的原因為，因為較少流體自板30上方洩漏至板30下方，所以可更準確地控制板30上方之環境。
理想地，板30中之開口31的數目對應於支撐銷20之數目。如下文將描述，儘管板30可另外包含至少一個萃取器部分32，該至少一個萃取器部分32包括開口且對應於主體10上之其他特徵，萃取器部分32可以與複數個開口31不同的方式形成。舉例而言，萃取器部分32可包含具有貫穿的通道之突起。具有相同數目之開口31意謂應幾乎不存在自板30上方洩漏至板30下方之流體。
如圖2及圖3中所展示，複數個支撐銷20可為實質上圓柱形的。一般而言，較佳地，支撐銷20之橫截面形狀沿著縱軸23之長度為均一的，例如如同圖2及圖3中之圓柱形支撐銷20。因為複數個開口31與複數個支撐銷20之間的任何間隙為實質上恆定的，所以此係有益的。此意謂複數個開口31與複數個支撐銷20之間的間隙可較佳地經保持為最小，以減少越過板30(亦即，自板30上方至板30下方)洩漏之流體。較佳地，複數個支撐銷20具有彼此相同之形狀。
應注意，支撐銷不必為實質上圓柱形的，且可使用用於支撐銷20之其他形狀。支撐銷之橫截面形狀亦不必沿著支撐銷之長度為均一 的。舉例而言，複數個支撐銷20中之每一者在形狀方面可為截頭圓錐形(亦即，截圓錐)或可為圓錐形。此例如展示於圖4中。針對複數個支撐銷20使用此類形狀可存在優點。舉例而言，截頭圓錐形支撐銷20可較堅固，且因此斷裂的可能性較小。在圖4中，複數個開口31經展示為具有實質上垂直於板30之表面的側部。然而，開口31之側部可傾斜以更緊密地匹配複數個支撐銷20之形狀。此在減小複數個支撐銷20與複數個開口31之間的間隙以減少越過板30洩漏之流體方面可為有益的。儘管圖5、圖6、圖7A及圖7B之支撐銷20經展示為實質上圓柱形的，但支撐銷30可為任何形狀，且可為例如如圖4中所展示之截頭圓錐形以及關於圖5、圖6、圖7A及/或圖7B所描述之特徵中的任一者。
複數個支撐銷20可以任何合適的方式連接至主體10之表面11。複數個支撐銷20可為附接至主體10之表面11的分離組件。可替代地，複數個支撐銷20可與主體10成一體式。換言之，複數個支撐銷20可形成為自主體10之表面11突起，亦即，複數個支撐銷20可與主體10形成為單個部分。
基板固持器1可經組態以自支撐於支撐表面上之基板W與板30之間萃取流體。在基板W之邊緣處的流體可經吸取於基板下方，且可在如圖2中所展示之箭頭A的方向上移動。在萃取流體時，相對於基板W上方之壓力減小基板W之下的壓力，且基板W的邊緣將朝向基板固持器1降低。可藉由在基板W下方之空間中萃取流體，以在基板固持器1與基板W之間的空間中提供減小的相對壓力來夾持基板W。提供板30意謂壓力僅需要在板30與基板W之間經減小，該在板30與基板W之間一般為比在基板W與主體10之間更小的空間。可藉由減小距離d來減小空間。若將自板30 上方至板30下方之流體洩漏減少或最小化，則控制板30上方之壓力可更有效地進行(如上文所提及)。因此，提供板30(其定位成比主體10之表面11更接近於基板W)及自基板W與板30之間的間隙萃取流體可有利地提供更有效的夾持。
主體10可包含藉以萃取流體之至少一個萃取開口12。板30可包含藉以萃取流體之至少一個萃取器部分32。在板30中可存在相同數目之萃取器部分32作為主體10中的萃取開口12。可存在多個萃取器部分32及萃取開口12。僅舉例而言，如圖3中所展示，可存在三個萃取器部分32(但可存在更多或更少)。
萃取器部分32可對應於基板固持器1之主體10中的萃取開口12。萃取器部分32可與萃取開口12對準。萃取器部分32可與至少一個萃取開口12相互作用。
萃取器部分32可經塑形以位於萃取開口12內。萃取器部分32可形成為在萃取開口12內部齊平。舉例而言，萃取開口12可包含主體10內之孔，且萃取器部分32可形成為具有帶貫穿的通道之突起，該通道位於萃取開口12內且與萃取開口12齊平。舉例而言，如圖2中所展示，萃取器部分32可由適配於萃取開口12內之中空圓柱形突起或經塑形為圓柱形孔的部分形成。然而，此並非必要的，且用於萃取之通道及開口的橫截面可為任何形狀，例如矩形、三角形或正方形。萃取開口12可包含突起，該突起位於形成板30之萃取器部分32的通孔內。在此情況下，應將形成萃取開口12之突起的高度仔細地選擇為例如突起至與支撐表面類似的高度，但允許較小間隙以使得萃取器部分12之突起的頂部不接觸基板W之底側。包括此處所描述之彼等組態的各種組態可因此用於經由板30中之萃取 器部分32及主體10中之萃取開口12自板30上方萃取流體。
因為隨後可使用流體萃取更準確地控制板30上方之環境，所以減小板30與主體10之間的空間為有益的。因此，如上文所指示，在複數個支撐銷20與複數個開口31之間僅設置較小間隙為有益的，此係由於此減少自板30上方至板30下方之流體洩漏。類似地，將萃取開口32設置為在萃取器12內齊平為有益的。類似地，設置橫越主體10之整個表面11之板30為有益的。板30可形成為貼合地適配於定位在板30之徑向外側的實體邊界內。如圖2及圖3中所展示，實體邊界可形成為朝向主體10之邊緣。實體邊界可由固定密封構件40形成。固定密封構件40可為壁型突起，該壁型突起形成於主體10之邊緣周圍，例如形成於主體10的外周周圍。固定密封構件40可形成為圍繞基板W之邊緣在基板W的下側與基板固持器1之間提供密封件。理想地，使形成於板30與基板固持器1之任何其他部分之間的間隙保持為最小以防止流體洩漏至板30下方之空間中，但該等間隙並未小到以致於板30的移動受到限制。
較佳地，板30為實質上平坦的。此意謂板30可更易於沿著複數個支撐銷20移動，且若需要，該板30可定位於主體10之表面11上。此亦意謂板30可非常接近於橫越整個板30之支撐表面。另外或可替代地，板30實質上平行於支撐表面。此亦意謂板30可非常接近於橫越整個板30之支撐表面。
控制器100可經設置且用於判定板30之較佳位置。控制器100可與主體10分離，例如，如圖1及圖2中所展示。然而，將理解，控制器100可形成為主體10之部分、在主體10內或機械耦接或電耦合至主體10。控制器100可視相關資料而判定板30之較佳位置。控制器100可另外 稱為控制單元。控制器100可包含處理器，且可經組態以接收相關資料且使用該資料來控制至少一個致動器50使板30移動至所判定位置，亦即，較佳位置。
可視與支撐表面上之基板W的形狀相關之資料而判定較佳位置。可估計基板W之形狀。可基於所進行之先前量測來預測基板W的所估計形狀。舉例而言，當形成特定製程或層時，可對先前經圖案化之基板進行量測。預測可以係基於先前量測，例如藉由視此等量測而產生平均形狀。可使用至少一個感測器(圖式中未描繪)量測基板W之形狀。可使用用於量測基板W之形狀的任何適合的感測器及/或系統，諸如藉由MTI儀器有限公司的用於量測基板W之彎曲及/或翹曲之裝備，例如如在https：//www.mtiinstruments.com/applications/wafer-bow-and-warp/上所描述。可將來自感測器的與基板W之所量測形狀相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得板30回應於所量測形狀而經致動。因此，板30之位置可經動態控制。
另外或可替代地，可視與基板W與主體10之表面11之間的壓力相關之資料而判定較佳位置。更具體而言，該資料可與基板W與板30之間的空間中之壓力相關。壓力感測器(圖式中未描繪)可用於量測基板W與主體10之表面11之間，或更具體而言，基板W與板30之間的壓力。用於量測基板W下方之空間中的壓力之各種感測器為已知的。舉例而言，如特此以全文引用之方式併入的WO 2017/137129 A1中所揭示之壓力感測器提供可能使用的壓力感測器之實例。可將與由感測器量測之壓力相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得板30回應於所量測壓力而經致動。因此，板30之位置可經動態控制。
另外或可替代地，可視與自基板W與主體10之表面11之間，或更具體而言，自基板W與板30之間萃取的流體之流動速率相關的資料而判定較佳位置。流動速率感測器(圖式中未描繪)可用於量測經由萃取器部分32及/或萃取開口12萃取之流體的流動速率。用於量測基板W下方之空間中的流動速率之各種感測器為已知的。可將與由感測器量測之流動速率相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得板30回應於所量測流動速率而經致動。因此，板30之位置可經動態控制。
基板固持器1可包含經組態以致動板30之至少一個致動器50。基板固持器1可包含經組態以致動板之複數個致動器50。複數個致動器50可設置於橫越板30之部位處，以準確且有效地控制板30之位置。較佳地，基板固持器1包含經組態以致動板30之至少三個致動器50。設置至少三個致動器50為有益的，此係因為該等致動器50可經定位成可靠地支撐板30。舉例而言，可在平面視圖中以實質上三角形的形狀設置至少三個致動器50。
板30可包含突起35，該突起35與如圖2、圖4、圖5、圖6、圖7A及圖7B中所展示之至少一個致動器50相互作用。舉例而言，突起35可***至至少一個致動器50之一部分中，以使得致動器50可移動突起35以改變板30的位置。然而，此並非必要的，亦即，板30可不包含任何此突起35。替代地，舉例而言，至少一個致動器50可自主體10之表面11突起，且可在沿著複數個支撐銷20的方向上推動板30。
至少一個致動器50可由任何已知的致動器形成，該致動器施加所需的力以使板30在適合的方向上(例如在圖2中，向上及向下)移動。可使用任何適合的機構或機器。僅舉例而言，至少一個致動器50可為 電磁線性致動器(如在E銷模組、壓電致動器、電主軸、氣動致動器中所使用)。至少一個致動器50可經組態以提供在一個方向上之移動，該方向對應於板30沿著複數個支撐銷20的移動方向。至少一個致動器50可由控制器100控制。至少一個致動器50可足夠小以實質上適配於基板固持器1之主體10內。儘管諸圖展示定位於主體10中之致動器50，但此並非必要的。致動器50可定位於主體10下方，且可經定位成接觸板30且使板30自主體10下方移動。因此，致動器50可至少部分或完全在主體10外部。
基板固持器1可進一步包含如圖5、圖6、圖7A及圖7B中之任一者中所展示的可移動構件60。除非下文另外指定，否則如關於圖5、圖6、圖7A及圖7B中之任一者所描述的基板固持器1可包括關於圖1至圖4所描述之特徵中的任一者或全部。
可移動構件60可環繞複數個支撐銷20。可移動構件60可自主體10之表面11突起。基板固持器1可經組態以使可移動構件60向上及向下移動。基板固持器1可經組態以使可移動構件60在與板30相同的方向上(亦即，在沿著複數個支撐銷20之方向上)移動。可移動構件60之移動方向在圖5、圖6、圖7A及圖7B中由箭頭c展示。
可移動構件60在於基板W與基板固持器1之間控制基板W之邊緣處之間隙方面可為有益的。此可減少用於夾持基板W之壓降。此可減少基板W之平面內變形，此係由於可使用相對較低的流體萃取器速率來提供充分夾持。
可移動構件60可定位於板30之邊緣的徑向外側。如圖5中所展示，除了固定密封構件40之外，亦可設置可移動構件60。可移動構件60可鄰近於固定密封構件40且在固定密封構件40之徑向外側。
固定密封構件40可環繞複數個支撐銷20。固定密封構件40可自主體10之表面11突起。固定密封構件40可以任何方式連接至主體10。固定密封構件40可與主體10成一體式。固定密封構件40可定位成鄰近於板30之邊緣且在該邊緣的徑向外側。固定密封構件40可鄰近於可移動構件60且在可移動構件60之徑向內側。此展示於圖5中。
可移動構件60可用於按與固定密封構件40相同的方式與基板W之基底形成密封件。然而，可移動構件60可移動，而固定密封構件40不經組態以相對於主體10移動。基板固持器1可包含經組態以使可移動構件60移動之至少一個構件致動器70。基板固持器1可包含複數個構件致動器70。
基板固持器1可經組態以視與以下各者中之一或多者相關的資料而使可移動構件60移動至較佳位置：支撐表面上之基板W的形狀、基板W與主體10之表面11之間的壓力及/或自基板W與主體10之表面11之間，或更特定而言，自基板W與板30之間萃取的流體之流動速率。
控制器100可經設置且用於判定可移動構件60之較佳位置。控制器100可與主體10分離，如圖5、圖6、圖7A及圖7B中所展示。然而，將理解，控制器100可替代地形成為主體10之部分、在主體10內或機械耦合或電耦接至主體10。具體而言，控制器100可視相關資料而判定可移動構件60之較佳位置。控制器100可另外稱為控制單元。控制器100可包含處理器，且可經組態以接收相關資料且使用該資料來控制至少一個構件致動器70使可移動構件60移動至所判定位置。
相同控制器100可用於判定可移動構件60及板30之較佳位置，如圖5中所展示。可替代地，可改為使用不同控制器，亦即，其中使 用一個控制器來判定且控制板30之位置，且使用另一控制器來判定且控制可移動構件60之位置。無論用哪一種方式，控制器100皆可視相關資料而判定可移動構件60之較佳位置。
如上文所指示，可視與支撐表面上之基板W的形狀相關之資料而判定較佳位置。可估計基板W之形狀。可基於所進行之先前量測來預測基板W的所估計形狀。舉例而言，當形成特定製程或層時，可對先前經圖案化之基板進行量測。預測可以係基於先前量測，例如藉由視此等量測而產生平均形狀。可使用至少一個感測器(圖式中未描繪)量測基板W之形狀。可使用用於量測基板W之形狀的任何適合的感測器及/或系統，諸如藉由MTI儀器有限公司的用於量測基板W之彎曲及/或翹曲之裝備，例如如在https：//www.mtiinstruments.com/applications/wafer-bow-and-warp/上所描述。可將來自感測器的與基板W之所量測形狀相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得可移動構件60回應於所量測形狀而經致動。因此，可移動構件60之位置可經動態控制。
另外或可替代地，如上文所指示，可視與基板W與主體10之表面11之間的壓力相關之資料而判定較佳位置。更具體而言，該資料可與基板W與板30之間的空間中之壓力相關。壓力感測器(圖式中未描繪)可用於量測基板W與主體10之表面11之間，或更具體而言，基板W與板30之間的壓力。用於量測基板W下方之空間中的壓力之各種感測器為已知的。舉例而言，如特此以全文引用之方式併入的WO 2017/137129 A1中所揭示之壓力感測器提供可能使用的適合的壓力感測器之實例。可將與由感測器量測之壓力相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得可移動構件60回應於所量測壓力而經致動。因此，可移動構件60之位置可經動態控 制。
另外或可替代地，可視與自基板W與主體10之表面11之間，或更具體而言，自基板W與板30之間萃取的流體之流動速率相關的資料而判定較佳位置。流動速率感測器(圖式中未描繪)可用於量測經由萃取器部分32及/或萃取開口12萃取之流體的流動速率。用於量測基板W下方之空間中的流動速率之各種感測器為已知的。可將與由感測器量測之流動速率相關的資料作為回饋提供至控制器100，以使得可移動構件60回應於所量測流動速率而經致動。因此，可移動構件60之位置可經動態控制。
至少一個構件致動器70可由任何已知的致動器形成，該致動器施加所需的力以使可移動構件60在適合的方向上(例如在圖5或圖6中，向上及向下)移動。可使用任何適合的機構或機器。僅舉例而言，至少一個構件致動器70可為電磁線性致動器(如在E銷模組、壓電致動器、電主軸、氣動致動器中所使用)。至少一個構件致動器70可經組態以提供在一個方向上之移動，該方向對應於可移動構件60沿著複數個支撐銷20的移動方向。至少一個構件致動器70可由如上文所描述之控制器控制。至少一個構件致動器70可足夠小以實質上適配於基板固持器1之主體10內。儘管諸圖展示定位於主體10中之構件致動器70，但此並非必要的。構件致動器70可定位於主體10下方，且可經定位成接觸板30並使板30自主體10下方移動。因此，構件致動器70可至少部分或完全在主體10外部。
如圖5中所展示，基板固持器1可包含可移動構件60及固定密封構件40，其中可移動構件60在固定密封構件40之徑向外側。然而，此等特徵之位置可調換。因此，固定密封構件40可在可移動構件60之徑向外側，以使得可移動構件60定位成鄰近於板30之邊緣且在該邊緣的徑 向外側，且鄰近於固定密封構件40且在固定密封構件40之徑向內側。
設置可移動構件60以及固定密封構件40以在基板W之邊緣周圍提供較佳密封可為較佳的。然而，不必設置移動構件60及固定密封構件40兩者。舉例而言，可僅設置固定密封構件40，如圖1及圖2中所展示。儘管此可能無法提供與可移動構件60一樣有效的密封，但此可提供不需要對可移動構件60進行額外致動及控制之較低成本解決方案。可替代地，可僅設置可移動構件60，而無固定密封構件40，如圖6中所展示。基板固持器1之其他特徵可如上文關於圖5所描述。
圖7A及圖7B展示所提供之可移動構件80的實例。可移動構件80可與上文關於圖5或圖6中之任一者所描述的可移動構件60相同。應注意，提供了圖7A及圖7B之不具有固定密封構件40的基板固持器1，然而，基板固持器1可另外包含固定密封構件40，如關於圖1、圖2及/或圖5所描述。
因為無構件致動器70用於控制可移動構件80之位置，所以可移動構件80不同於圖5及圖6中所描述及展示的可移動構件60。在此例項中，在可移動構件80上之壓力梯度可提供用以使可移動構件80移動之力。可設置可撓性密封件90，其在可移動構件80與基板固持器1的主體10之間形成密封件。可撓性密封件90可防止來自基板W與基板固持器1之間的空間外部之流體經過可移動構件80。可撓性密封件90可使可移動構件80實質上保持在適當位置，同時允許可移動構件80在如上文所描述(且由箭頭c所展示)之方向上移動，同時亦防止流體在可移動構件80周圍經過。如圖7A中所展示，由箭頭A描繪之朝內的流體流動可在開始夾持基板W時出現。在夾持期間，可移動構件80下方之壓力可歸因於流體萃取而改變， 以在可移動構件80上方的間隙中產生壓力梯度，從而導致可移動構件80向下移動，如圖7B中所展示。可移動構件80可視情況包括可移動構件80之基底與主體10之間的可撓性連接，舉例而言，如圖7A及圖7B中所展示之彈簧81。用於使可移動構件保持在適當位置之可撓性連接同時允許可移動構件80在如上文所描述(且由箭頭c所展示)之方向上移動。
在第一實施例中，可提供包含如在上文所描述之變型中之任一者中的基板固持器之微影設備。微影設備可具有上文所描述及/或關於圖1所展示之特徵中的任一者。
第一實施例可進一步提供使用如在上文所描述之變型中之任一者中的基板固持器1支撐基板W之方法。該方法包含將基板W設置於基板固持器1之支撐表面上。該方法進一步包含獲得與以下各者中之一或多者相關的資料：支撐表面上之基板W的形狀、基板W與主體10之表面11之間的壓力及/或自基板W與主體10之表面11之間萃取的流體之流動速率；基於所獲得資料來判定主體10之表面11與支撐表面之間的板30之較佳位置。此可使用上文所描述之感測器或控制器中的任一者來進行。此外，方法包括使板30在沿著複數個支撐銷20之方向上移動至較佳位置；及自板30與基板W之間的空間萃取流體。較佳地，以本文中所描述之次序來進行該方法的步驟。
如上文所描述，在將基板W裝載於基板固持器上時，基板W一般並不完全平坦地著陸於基板固持器上。此可導致平面內變形，其可增加可藉由已知夾持技術加劇之疊對誤差。翹曲基板亦可導致各種其他問題。舉例而言，基板W之翹曲可形成局部間隙，歸因於基板W之剛度而防止該等局部間隙封閉。存在對可獲得之抽吸壓力之限制，此意謂以此方式 翹曲之基板W可能無法經有效地夾持。
翹曲之基板具有不同形狀，且可具有與其形狀相關的具體問題。碗狀基板之可夾持性可受到局部氣動扭矩限制，該局部氣動扭矩過低以致於無法使基板W彎曲，從而使該基板W滾落支撐件。碗狀基板之可夾持性可受到基板W外部之真空流體洩漏限制。傘狀基板之可夾持性可受到局部間隙處的較大流體洩漏限制。
先前所使用的夾持技術(尤其在碗狀晶圓上)一般涉及在一定距離內且隨時間而變之壓力梯度。此意謂基板W中之局部應力在夾持製程期間隨時間變化。視摩擦而定，此可能導致虛擬滑動之局部變化(滯後)，且有可能導致基板位置的局部不準確性。在此等先前所使用的夾持技術中，進行夾持之速度影響夾持行為及基板位置之可能的不準確性。
使用已知技術之可夾持性可在可有效夾持的翹曲程度方面受到限制。舉例而言，已知技術可僅能夠夾持具有至多500μm之碗狀翹曲的基板W。然而，基板可具有較大翹曲，例如諸如具有550μm至1mm翹曲之彼等翹曲。
因此，用於夾持翹曲基板之技術可用於改善上文所識別的問題中之至少一者，且/或提供為具有較高翹曲度(亦即，超過500μm)之基板提供更有效的夾持之技術。第二實施例提供此類技術。
第二實施例提供用於支撐基板W之基板固持器101。基板固持器101經組態以支撐基板W。基板固持器101可將基板W固持在適當位置。基板固持器101可定位於上文所描述之基板支撐件WT的部分上，或可為上文所描述之基板支撐件WT之部分，亦即，基板固持器101及基板支撐件WT可由單件製成。就此而言，基板固持器101可經組態以使基板 在處於特定位置中之基板固持器101上保持在適當位置。舉例而言，基板W可在裝載期間裝載至基板固持器上。基板固持器101可隨後經組態以使基板W相對於基板固持器101保持於固定位置中。此可另外稱為夾持基板W。
根據第二實施例之基板固持器101的部分橫截面展示於圖8A至圖8D中。基板固持器101之不同組態展示於如下文將描述的圖8A至圖8D中。
基板固持器101包含具有表面111之主體110。主體110可形成基板固持器101之實質部分。表面111在如圖8A至圖8D中所展示一般定位時可為主體110之頂部表面。因此，如所展示，頂部表面在Z方向上可為上部表面。當基板W支撐於基板固持器101上時，表面111面向基板W，亦即，當基板W定位於基板固持器101上時，表面111與基板W之底側面向彼此。
基板固持器101包含可撓性構件200。可撓性構件200可定位於主體110之表面111上。可撓性構件200可自主體110之表面111突起。具體而言，當可撓性構件200在基板固持器101上處於適當位置時，該可撓性構件200可朝向基板W向上突起。換言之，可撓性構件200可自主體110之表面111突出。可撓性構件200可連接至主體110，或更具體而言，連接至主體110之表面111。可撓性構件200可以任何適合的方式(例如使用黏著劑)連接至主體110。用於連接可撓性構件200之一個實例為將可撓性構件200之底部部分圍封於凹槽中，此將有益地為相對直接的。用於連接可撓性構件200之另一實例將為將可撓性構件200夾持於主體110中的兩個突起之間。用於連接可撓性構件200之另一實例將例如藉由將可撓性構件200適配於卡鉤或至少一個蘑菇狀突起上方或使可撓性構件200以『鉤』 在主體110上方/主體110中之任何形狀延伸來將可撓性構件200適配於所形成部分上方。用於連接可撓性構件200之另一實例將為使用線將可撓性膜200縫合至主體110上。
基板固持器101包含固定構件140。固定構件140可定位於主體110之表面111上。固定構件140可自主體110之表面111突起。具體而言，當固定構件140在基板固持器101上處於適當位置時，該固定構件140可朝向基板W向上突起。換言之，固定構件140可自主體110之表面111突出。固定構件140可連接至主體110，或更具體而言，連接至主體110之表面111。固定構件140可以任何適合的方式(例如使用黏著劑)連接至主體110。固定構件140可與主體110成一體式。換言之，固定構件140及主體110可由單件材料形成。
可撓性構件200將封閉空腔210界定於其中。因此，封閉空腔210形成於可撓性構件200內。封閉空腔210在至少部分地由可撓性構件200界定之空間中。可撓性構件200至少部分地環繞封閉空腔210。因此，可撓性構件200形成內部空間(亦即，封閉空腔210)，在該內部空間中可如下文所描述一般控制壓力。
可撓性構件200由可撓性材料形成。封閉空腔210內之壓力的變化影響作用於形成可撓性構件200之材料上的力。因此，封閉空腔210中之壓力的變化可經控制以改變可撓性構件200之形狀。舉例而言，當在封閉空腔210中的壓力增加時，可撓性構件200之形狀可在大小上增大，且當在封閉空腔210中的壓力減小時，可撓性構件200之形狀可在大小上減小。圖8A、圖9及圖10中將可撓性構件200之橫截面展示為實質上圓形的。將理解，可撓性構件200之形狀因封閉空腔210中之壓力的變化 而改變。另外，例如當在封閉空腔210中存在環境壓力時，可撓性構件200之形狀不具限制性，只要可撓性構件200之形狀可如下文所描述一般改變即可。
可撓性構件200具有高度。在此內容背景中，在垂直於表面111之方向(該方向可稱為Z方向)上量測「高度」。可撓性構件200之大小的變化可變更可撓性構件200的高度。舉例而言，隨著可撓性構件200之大小增大，可撓性構件200的高度可增加，且隨著可撓性構件200之大小減小，可撓性構件200的高度可降低。
固定構件140具有一定高度。固定構件140一般由剛性材料形成。因此，固定構件之形狀一般為固定的。因此，固定構件140之高度不顯著變化。
此意謂封閉空腔210內之壓力的變化可變更可撓性構件200之高度，但固定構件140之高度將保持相同。如下文所解釋，封閉空腔210中之壓力可因此經控制以改變可撓性構件200的高度，以使得該高度大於固定構件140之高度或小於固定構件140之高度。
在至少一種組態中，當基板W定位於基板固持器101上時，可撓性構件200可經組態以接觸基板W之底側。可撓性構件200可經組態以在基板固持器101與基板W之間形成密封件。因此，可撓性構件200可用於界定基板W與主體110之間的形成有密封環境之空間105。由可撓性構件200形成之密封件可用於實質上防止流體自空間105流出穿過可撓性構件200。因此，空間105中之壓力可受到基板固持器101控制。
可撓性構件200可在第一狀態下與基板W之底側形成密封件，如圖8A中所描繪。第一狀態可為基板W經置放於基板固持器101上之 組態。第一狀態可以係在將基板W夾持於基板固持器101上之前。因此，在第一狀態下，可撓性構件200可與基板W形成密封件。然而，由密封件形成之空間105中的壓力可與密封件外部(亦即，在可撓性構件200之另一側上的空間105外部)之壓力相同。
在基板W之夾持期間，基板固持器101可經組態以將基板W夾持至基板固持器101。在夾持期間，基板固持器101可經組態以減小空間105中之壓力以在基板固持器101之主體110上將基板W固持在適當位置。將基板W夾持至基板固持器101可使用已知技術進行，例如使用可藉以自空間105萃取流體，較佳地以在空間105中形成真空之至少一個萃取開口112。至少一個萃取開口112可定位於任何適合的位置中以自空間105移除流體。可存在多個萃取開口112。第二狀態可為基板W經夾持至基板固持器101之組態。換言之，第二狀態係在將基板W夾持至基板固持器101期間。
在夾持期間，亦即，在第二狀態期間，基板固持器101可經組態以減小可撓性構件200之封閉空腔210中的壓力。可減小壓力以使得基板W支撐於基板固持器101上。展現將基板W夾持至基板固持器101之組態(亦即，在第二狀態期間)展示於圖8B、圖8C及圖8D中。
隨著封閉空腔210中的壓力減小，可撓性構件200之形狀變更。具體而言，基板固持器101經組態以減小封閉空腔200中之壓力以降低可撓性構件200的高度。因此，在第二狀態下，可在固定構件140與基板W之底側之間形成密封件。歸因於可撓性構件200之高度的變化，可在固定構件140與基板W之間形成密封件。
在第一狀態下，可撓性構件200之高度可大於固定構件140 之高度，如圖8A中所描繪。因此，在第一狀態下，當基板W置放於基板固持器101上時，因為可撓性構件200相較於固定構件140自表面111突起得更遠，所以基板W支撐於可撓性構件200上。此外，可撓性構件200可相較於基板固持器101之其他特徵自表面111突起得更遠。在第一狀態下，相較於基板固持器101之在待置放基板W之區域中的全部其他組件，可撓性構件200可自主體110之表面111突起得更遠。換言之，可撓性構件200可形成待置放基板W之最高結構。此意謂在第一狀態期間，可撓性構件200接觸基板W之底側且與基板W形成密封件。
在第二狀態下，歸因於可撓性構件200中之封閉空腔210中的壓力之減小，可撓性構件200之高度改變。壓力之減小可導致可撓性構件200之高度的降低。因此，在第二狀態下，可撓性構件200之高度可降低至等於或甚至小於固定構件140。換言之，在第二狀態下，固定構件140之高度可大於或等於可撓性構件200的高度。
隨著可撓性構件200之高度降低，基板W朝向主體110的表面111移動。此展示於圖8B中，其中基板W比在圖8A中更接近於表面111。當可撓性構件200之高度降低至一定程度(歸因於封閉空腔210中之壓力的減小)時，密封件在固定構件140與基板W的底側之間形成。此組態描繪於圖8C及圖8D中。如將指出，由固定構件140及基板W形成之密封件可以不需要接觸，例如固定構件140可提供洩漏密封件。當固定構件140之高度略微小於支撐銷120的高度，從而在基板W支撐於支撐銷120上時在固定構件140之頂部與基板W的底側之間產生小間隙時，可形成洩漏密封件。此密封件仍將允許壓力在空間105內受控。
如所指示，可控制封閉空腔210中之壓力。可以多種方式 控制此壓力。在展示於圖8A至圖8D中的用於控制壓力之第一變型中，藉由控制空間105中之壓力來控制封閉空腔210中之壓力。此係歸因於封閉空腔210與空間105之間的流體連接(及歸因於與基板固持器101外部之環境的流體隔離)。在展示於圖9中的用於控制壓力之第二變型中，分別控制封閉空腔210中之壓力。此係歸因於封閉空腔210與空間105及基板固持器101外部之環境流體隔離。
在用於控制壓力之第一變型中，封閉空腔210與基板W與基板固持器101的主體110之間的空間105流體連接，如圖8A至圖8D中所展示。換言之，封閉空腔210中之流體可移動至空間105，且反之亦然。可經由萃取開口112自空間105萃取流體。隨著自空間105萃取流體，空間105中之壓力減小。隨著自空間105萃取流體，流體自封閉空腔210經萃取，且封閉空腔210中之壓力亦減小。隨著封閉空腔210中之壓力減小，此降低可撓性構件200的高度，如上文所論述。
在第一變型中，主體110可包含主體110之表面111中的開口113，如圖8A至圖8D中所描繪。開口113可定位於固定構件140之內側。定位於內側之開口113可意謂在平面視圖中在固定構件140之徑向內側。定位於內側之開口113可意謂相對於可撓性構件200在固定構件140的內側。換言之，開口113可定位於固定構件140的與可撓性構件200相對之另一側上。開口113可定位於主體110的界定空間105之一部分上。可撓性構件200之封閉空腔210可與開口113流體連接。此意謂流體可自封閉空腔210穿過達至開口113。
在第一變型中，主體110可包含主體110之表面111中的另一開口114，如圖8A至圖8D中所描繪。另一開口114可定位於固定構件 140外側。定位於外側之另一開口114可意謂在平面視圖中在固定構件140之徑向外側。定位於外側之另一開口114可意謂相對於可撓性構件200在固定構件140的外側。換言之，另一開口114可定位於固定構件140的與可撓性構件200相同之一側上。另一開口114可定位於主體110不與空間105接觸之一部分上。可撓性構件200之封閉空腔210可與開口114流體連接。此意謂流體可自封閉空腔210穿過達至另一開口114。
在第一變型中，主體110可進一步包含開口113與另一開口114之間的通路115。因此，流體可在開口113與另一開口114之間穿過。以此方式，流體可經由開口113、另一開口114及通路115在空間105與封閉空腔210之間穿過。開口113、另一開口114及通路115可具有任何適合的大小以視需要允許流體之穿過，且與基板固持器101的其他組件適配。另一開口114經展示為鄰近於固定構件140，然而，另一開口114可定位於表面111上提供與空間105之流體連接的任何位置。
在第一變型中，可撓性構件200可設置於另一開口114上方。因此，可撓性構件200可形成具有另一開口114之封閉空腔210。可撓性構件200可連接至主體110在另一開口114周圍或附近之表面111。可撓性構件200可以液密方式設置於另一開口114上方。另一開口114可為封閉空腔210中之唯一開口。因此，封閉空腔210中之流體只能經由另一開口114流入及流出封閉空腔210。
在將基板W置放於基板固持器101上之前，周圍壓力為環境壓力(視基板固持器101周圍之環境而定，其可為大氣壓力或設定壓力)。在將基板W置放於基板固持器101上時，空間105中及基板固持器101周圍之壓力為環境壓力。此描繪於圖8A中。
在夾持期間，例如歸因於經由萃取開口112自空間105移除流體，空間105中之壓力減小。因此，空間105中之壓力小於基板W及主體110外部的環境壓力。歸因於在基板W與可撓性構件200之間形成的密封件，可在空間105中維持較低壓力。
隨著空間105中之壓力減小，可撓性構件200之封閉空腔210內的壓力減小，此改變可撓性構件200之形狀。如圖8B中所展示，隨著可撓性構件200之形狀變化，可撓性構件200之高度降低，此導致基板W移動成更接近於基板固持器101的主體110。
可藉由自空間105萃取額外流體來進一步減小壓力，如圖8C中所展示。因此，圖8C中之空間105中的壓力小於圖8B中之空間105中的壓力。在此情況下，封閉空腔210中之壓力亦進一步減小。壓力之此進一步減小降低了可撓性構件200之高度，此展示於圖8C中。當壓力達至某一最小值時，將形成固定構件140與基板W之底側之間的密封件。在此組態中，藉由固定構件140提供密封件以維持空間105中之壓力。在此組態中，可撓性構件200之高度可實質上等於或小於固定構件140的高度。
空間105中之壓力可視情況進一步減小。此將進一步減小可撓性構件200中之壓力，且進一步降低可撓性構件200的高度。在此組態中，可撓性構件200之高度小於固定構件140的高度，如圖8D中所描繪。在此情況下，可撓性構件不接觸基板W之底側。在此情況下，基板W支撐於基板固持器101上，且由固定構件140形成之密封件維持空間105中之減小的壓力。
儘管封閉空腔210經展示為與圖8A至圖8D中之空間105流體連接，但此並非必要的。在用於控制封閉空腔210中之壓力的第二變型 中，封閉空腔210中之流體可以不與空間105中之流體相互作用。因此，封閉空腔210中之壓力可與空間105中之壓力分開控制。舉例而言，如圖9中所展示，基板固持器101可包含經組態以控制封閉空腔210中之壓力的壓力器件220。
在第二變型中，開口116可設置於主體110之表面111中(且開口116可對應於上文所描述之另一開口114)。可撓性構件200可設置於開口116上方。因此，可撓性構件200可形成具有開口116之封閉空腔210。可撓性構件200可連接至主體110在開口116周圍或附近之表面111。可撓性構件200可以液密方式設置於開口116上方。開口116可為封閉空腔210中之唯一開口。因此，封閉空腔210中之流體只能經由開口116流入及流出封閉空腔210。
設置壓力器件220可歸因於壓力器件220所需之額外控制而比第一變型略微更複雜。然而，有利地，因為封閉空腔210未經設置為與空間105流體連接，所以針對第二變型存在較大設計自由度。具體而言，在第一變型中，可撓性構件200應定位於固定構件140之外側，以使得空間105中之壓力的變化可用於改變封閉空腔210中之壓力。無需針對第二變型進行此考量。
儘管在第二變型中使用不同機構，但將理解，可在第二變型及第一變型中以類似方式控制可撓性構件200中之壓力，從而提供較高壓力以與可撓性構件200形成密封件(如在圖8A中)，且減小封閉空腔210中之壓力以降低可撓性構件200的高度，如圖8B、圖8C及圖8D中之任一者中所展示。可設置任何適合的壓力器件220，只要其可用於適當地減小封閉空腔210內之壓力且提供對用以改變如關於圖8A至圖8D所描述的可 撓性構件200之壓力之充分控制即可。
固定構件140可定位成鄰近於可撓性構件200。舉例而言，固定構件140可定位為自主體110突起，而在固定構件140與可撓性構件200之間沒有任何其他突起。固定構件140與可撓性構件200之間的距離可為大約0.2mm至5mm。如圖8A至圖8D中所展示，可撓性構件200之形狀可在第一狀態與第二狀態之間改變，以使得至少0.2mm之距離可適用於確保在可撓性構件200與固定構件140之間不存在接觸，以減少或防止可撓性構件200的磨損。該距離可大於5mm。然而，歸因於基板固持器101及設置於基板固持器101上之其他組件的總大小，該距離較佳地為大約5mm或更小。
固定構件140可定位於可撓性構件200內側。舉例而言，固定構件140可相對於基板固持器101之邊緣定位於可撓性構件200的內側。可撓性構件200可相對於例如由固定構件140及可撓性構件200兩者環繞之特徵及/或空間105定位於固定構件140之外側，亦即，固定構件140可在一側上具有特徵，且在另一側上具有可撓性構件200。定位於內側之固定構件140可意謂在平面視圖中在可撓性構件200的徑向內側。可撓性構件200可環繞固定構件140定位。換言之，可撓性構件200可例如相對於固定構件140之內側的特徵及/或空間定位於固定構件140外部周圍。在圖8A至圖8D、圖9及圖10中，基板固持器101經展示為具有可撓性構件200及固定構件140，該可撓性構件200設置為朝向基板固持器101之外部邊緣，該固定構件140設置於可撓性構件200之內側。其他組態亦為可能的。舉例而言，可撓性構件200可定位於固定構件140之內側。可撓性構件200可相對於基板固持器101之邊緣定位於固定構件140的內側。固定構件140可相對 於例如由固定構件140及可撓性構件200兩者環繞之特徵及/或空間105定位於可撓性構件200之外側，亦即，可撓性構件200可在一側上具有特徵，且在另一側上具有固定構件140。定位於內側之可撓性構件200可意謂在平面視圖中在固定構件140的徑向內側。固定構件140可環繞可撓性構件200定位。換言之，固定構件140可例如相對於可撓性構件200之內側的特徵及/或空間定位於可撓性構件200外部周圍。
儘管展示於圖8A至圖8D、圖9及圖10中之組態展示定位於基板固持器101之邊緣周圍的固定構件140及可撓性構件200，但此並非必要的。可撓性構件140及固定構件200可定位於其他部位中。固定構件140及固定構件200可定位於基板固持器101上之任何位置，以在夾持之前及夾持期間提供一或多個適合的密封件。
多個固定構件140及可撓性構件200可設置於不同部位中。舉例而言，第一固定構件140及第一可撓性構件200可設置於基板固持器101之邊緣周圍，且第二固定構件140及第二可撓性構件200可設置於基板固持器101上的例如用於萃取流體之特徵(諸如孔)周圍。亦可在額外或替代特徵周圍設置額外固定構件140及可撓性構件200。
舉例而言，基板固持器101可包含可與空間105外部之環境流體連接的至少一個孔。至少一個孔可為萃取開口112。可設置提昇機構經定位成使基板W在夾持期間升高及/或較低之至少一個孔。因此，可撓性構件200及固定構件140可設置於基板固持器101之至少一個孔周圍。可撓性構件200可環繞固定構件140，或反之亦然。可撓性構件200可在如上文所描述之固定構件140的內側，此意謂可撓性構件200比固定構件140更接近於至少一個孔。換言之，固定構件140可環繞可撓性構件200定位。 可替代地，固定構件140可在如上文所描述之可撓性構件200的內側，此意謂固定構件140更接近於至少一個孔。換言之，可撓性構件200可環繞固定構件140定位。
另外或可替代地，若感測器(圖中未描繪)定位於主體110之表面111上，則可撓性構件200及固定構件140可環繞至少一個感測器定位。可撓性構件200可環繞固定構件140，或反之亦然。可撓性構件200可在如上文所描述之固定構件140的內側，此意謂可撓性構件200比固定構件140更接近於至少一個感測器。換言之，固定構件140可環繞可撓性構件200定位。可替代地，固定構件140可在如上文所描述之可撓性構件200的內側，此意謂固定構件140更接近於至少一個感測器。換言之，可撓性構件200可環繞固定構件140定位。
另外或可替代地，如至少圖8A至圖8D中所展示，主體110包含主體110之表面上的支撐銷120。儘管圖8A至圖8D、圖9及圖10之支撐銷20經展示為實質上截頭圓錐形，但支撐銷30可為任何形狀，且可為圓柱形，如至少第一實施例之圖5中所展示。可撓性構件200及固定構件140可環繞支撐銷120。換言之，可撓性構件200及固定構件140可在平面視圖中(亦即，在垂直於x-y平面之視圖中)形成於支撐銷周圍。可撓性構件200可環繞固定構件140，或反之亦然。如上文所描述，可撓性構件200可在固定構件140之內側，此意謂可撓性構件200比固定構件140更接近於支撐銷120。換言之，固定構件140可環繞可撓性構件200定位。可替代地，如上文所描述，固定構件140可在可撓性構件200之內側，此意謂固定構件140更接近於支撐銷120。換言之，可撓性構件200可環繞固定構件140定位。
針對可撓性構件200使用可撓性材料意謂可撓性構件200可在不同方向上(諸如在X-Y平面上)移動。此可有利於允許可撓性構件200在基板W定位於基板固持器101上時相對於基板W移動。此可能有益地減小在裝載期間在基板W與基板固持器101之間的摩擦力，且可因此導致基板W之平面內變形的減少。
較佳地，可撓性構件200由可在處於如圖8A中所展示之環境壓力(其可為大氣壓力)中時維持其形狀以支撐基板W的材料製成。較佳地，該材料可彈性變形以降低可撓性構件200之高度，如圖8B至圖8D中所展示。較佳地，當壓力恢復至如圖8A中之環境壓力時，材料隨後可恢復至其原始形狀。可撓性構件200可由任何適合的材料製成。僅舉例而言，可撓性構件200可包含熱塑性、氟橡膠(Viton)、橡膠及/或金屬。可撓性構件200可由此等材料中之任一種或此等材料中之至少一種以及另一種材料的組合形成。可撓性構件200可由單種材料形成。可撓性構件可由多種材料形成。
隨時間推移，可存在可撓性構件200(尤其係接觸基板W之部分)之磨損。應注意，可撓性構件200之近端部分可連接至主體110的表面111，且可撓性構件200之遠端部分(亦即，圖8A至圖8D中之頂部部分)可經組態以接觸基板W的底側(在至少第一階段中)。因此，可撓性構件200之至少遠端部分可隨時間磨損，該遠端部分為可撓性構件200的接觸基板W之部分。
為減少或防止磨損，可撓性構件200之至少一部分可包含耐磨材料。較佳地，至少遠端部分包含耐磨材料。在實例中，可撓性構件200可包含耐磨塗層。耐磨塗層可設置於可撓性構件200之整個外部表面 周圍。耐磨塗層可僅設置於可撓性構件200之遠端部分上或設置於可撓性構件200的至少遠端部分上。耐磨塗層可由任何適合的材料形成。僅舉例而言，耐磨塗層可包含合成鑽石、聚醚醯亞胺(PEI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜及/或聚四氟乙烯(例如鐵氟龍)。另外或可替代地，形成可撓性構件200或可撓性構件200之至少部分的材料可含有耐磨材料。耐磨材料可為耐磨或減少磨損之任何適合的材料。僅舉例而言，耐磨材料可為熱塑性的，例如聚醚醯亞胺(PEI)，例如靜電耗散PEI，諸如SEMITRON ESD 410(PEI)BLACK。其他實例包括聚醚醚酮(PEEK)、氧化鋁碳化矽(SiC)及/或不鏽鋼，例如AISI 420。具體而言，可撓性構件200之遠端部分可為耐磨的。此例如展示於圖10中，其中可撓性構件200包含由第一材料製成之第一部分201及由第二材料製成的第二部分202。第一材料可為任何材料或包含以下各者之材料的組合：如上文所描述之熱塑性、氟橡膠、橡膠及/或金屬。第二材料可為任何耐磨材料。
可設置控制器100以控制可撓性構件200中之壓力。控制器100可用於控制對來自至少一個萃取開口112之流體的萃取及/或控制壓力器件220。控制器100可為與上文所描述的相同的控制器。因此，控制器100可用於控制第一實施例及/或第二實施例的所呈現之任何特徵。可替代地，控制器可與控制器100分離。即使控制器分離，其仍可具有與上文所描述之控制器100相同的特徵。
第二實施例之優點可至少包括台狀(晶圓處置器儲存單元瘤節台、晶圓台、基板台/支撐件、晶圓處置器溫度穩定單元)子模組上的基板W之增加的翹曲可夾持性，該等台狀子模組具有足以維持平坦基板W之夾持力。使用可撓性構件200提供密封件，該可撓性構件在夾持期間有幫 助，但視需要，在最終夾持狀態下不觸碰基板W。將可撓性構件200設置為耐磨可移動部分，該耐磨可移動部分亦為可撓的。如所描述，可撓性構件200及固定構件140可應用於各種部位中以改善密封件/夾持之形成。除了改善可夾持性之外，使用如所描述的可撓性構件200及固定構件140亦可允許夾持真空在時間及空間上更均勻地堆積，此在減少局部滯後方面可為有益的。
將理解，存在第一實施例及第二實施例之對應特徵。此等對應特徵(該等對應特徵中之一些但非全部在此處經列出)可為可互換的。舉例而言，第一實施例之至少基板固持器1可與第二實施例的基板固持器101互換。舉例而言，第一實施例之至少萃取開口12可與第二實施例的至少一個萃取開口112互換。舉例而言，第一實施例之至少複數個支撐銷20可與第二實施例的支撐銷120互換。舉例而言，第一實施例之至少固定密封構件40可與第二實施例的固定構件140互換。舉例而言，第一實施例之至少表面11可與第二實施例的表面111互換。舉例而言，第一實施例之至少主體10可與第二實施例的主體110互換。
可設置第二實施例之特徵以及第一實施例的包括如上文所描述之變型中之任一者的特徵。舉例而言，第二實施例之基板固持器101可包含如上述變型中之任一者中所描述的板30。圖11僅作為實例而提供，以展示如在圖2中之板30以及圖8A的基板固持器。出於偏好而將圖11中之支撐銷120設置為圓柱形銷，然而，此並非必要的。可設置與如圖2至圖7B中之任一者中所展示的板30相關之特徵以及與如圖8A至圖10中之任一者中所展示的可撓性構件200相關之特徵。
類似地，第一實施例可設置有第二實施例之特徵中的任一 者。應注意，除了第二實施例之可撓性構件200之外，亦可設置第一實施例之可移動構件60、80。可替代地，第一實施例之可移動構件60、80可包含可撓性構件200的特徵，諸如封閉空腔210。
因此，在第一實施例中，可移動構件60、80可為可撓的且將封閉空腔210界定於其中。可移動構件60、80可經組態以在第一狀態下(第一狀態如關於第二實施例所描述)與基板W之底側形成密封件。基板固持器1之主體10可包含自主體10之表面11突起且具有高度的固定構件140。在第二狀態(第二狀態如關於第二實施例所描述)下，基板固持器1經組態以減小可移動構件之封閉空腔210中的壓力，以使得基板W支撐於基板固持器1上。在此情況下，可移動構件60、80及/或基板固持器1可包含如關於第二實施例所描述的其他特徵或變型中之任一者。
在第二實施例中，可提供微影設備，其包含如在上文所描述之第二實施例(視情況包括第一實施例之任何特徵/變型)的變型中之任一者中的基板固持器101。微影設備可具有上文關於第二實施例(視情況包括第一實施例之任何特徵/變型)所描述及/或關於圖1所展示的特徵中之任一者。
第二實施例可進一步提供使用基板固持器101將基板W夾持至基板固持器的方法。該方法包含設置如第二實施例的變型中之任一者中所描述的基板固持器101。該方法進一步包含將基板W設置於基板固持器101上，其中在將基板W夾持至基板固持器101之前，可撓性構件200接觸基板W之底側。舉例而言，藉由自基板W下方之至少一個萃取開口112萃取流體來將基板W夾持至基板固持器101。該方法包含在夾持期間減小可撓性構件200之封閉空腔210中的壓力，以使得基板W支撐於基板固持 器101上。較佳地，以本文中所描述之次序來進行該方法的步驟。
儘管在本文中可具體地參考微影設備在IC之製造中的使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，可將本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用視為分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及的基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多次，例如以便形成多層IC，以使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已含有一或多個經處理層的基板。
儘管可在上文具體地參考本發明之實施例在光學微影之內容背景中的使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用中。
雖然上文已描述本發明之具體實施例，但將瞭解，可以與所描述不同的其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1:基板固持器
10:主體
11:表面
12:萃取開口
20:支撐銷
21:近端
22:遠端
23:中心縱軸
30:板
31:開口
32:萃取器部分
33:頂部表面
34:下部表面
35:突起
40:固定密封構件
50:致動器
100:控制器
A:箭頭
B:箭頭
d:距離
W:基板

Claims (10)

  1. 一種用於支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一表面；複數個支撐銷(supporting pins)，其在該複數個支撐銷之近端(proximal ends)處連接至該主體的該表面，其中該複數個支撐銷之遠端(distal ends)形成一基板之一支撐表面；及一板，其包含複數個開口，該板定位於該主體的該表面與該支撐表面之間，其中連接至該主體之該表面的該複數個支撐銷中之全部在該板中具有一對應開口，且其中該板可在沿著該主體之該表面與該支撐表面之間的該複數個支撐銷的一方向上致動(actuatable)。
  2. 如請求項1之基板固持器，其中該基板固持器經組態以自支撐於該支撐表面上的該基板與該板之間萃取(extract)流體。
  3. 如請求項1之基板固持器，其中該主體包含藉以萃取該流體之至少一個萃取開口(extraction opening)，且該板包含藉以萃取該流體的至少一個萃取器部分(extractor portion)，該萃取器部分對應於該萃取開口。
  4. 如請求項1之基板固持器，其中該板實質上平坦且實質上平行於該支撐表面，且/或其中該板視與以下各者中之一或多者相關的資料而可致動 至一較佳位置：該支撐表面上之該基板的一形狀；該基板與該主體之該表面之間的一壓力；及自該基板與該主體之該表面之間萃取的流體之一流動速率。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板固持器，其中該基板固持器包含經組態以致動該板的複數個致動器，且/或其中該基板固持器進一步包含環繞該複數個支撐銷且自該主體之該表面突起(protruding)之一可移動構件(movable member)，其中該基板固持器經組態以使該可移動構件在沿著該複數個支撐銷之該方向上移動；且/或進一步包含環繞該複數個支撐銷且自該主體的該表面突起的一固定密封構件(fixed sealing member)，其中該固定密封構件定位成鄰近於該板之一邊緣且在該邊緣的徑向外側(radially outwards)，且鄰近於該可移動構件且在該可移動構件之徑向內側(radially inwards)。
  6. 如請求項5之基板固持器，其中該基板固持器包含經組態以移動該可移動構件的複數個構件致動器，且/或其中該基板固持器經組態以視與以下各者中之一或多者相關的資料而使該可移動構件移動至一較佳位置：(i)該支撐表面上之該基板的一形狀；(ii)該基板與該主體之該表面之間的一壓力；及(iii)自該基板與該主體之該表面之間萃取的流體之一流動速率。
  7. 如請求項5之基板固持器，其進一步包含一固定構件，該固定構件自 該主體之該表面突起且具有一高度；其中該可移動構件為可撓的(flexible)且將一封閉空腔(enclosed cavity)界定於其中，該可移動構件具有一高度且經組態以在一第一狀態下與該基板之一底側(underside)形成一密封件(seal)；且其中在一第二狀態下，該基板固持器經組態以減小可撓的該可移動構件之該封閉空腔中的一壓力，以使得該基板支撐於該基板固持器上。
  8. 如請求項7之基板固持器，其中該基板固持器經組態以在該第二狀態下減小該封閉空腔中之該壓力，以降低該可移動構件之該高度，且以在該固定構件與該基板之該底側之間形成一密封件。
  9. 如請求項7之基板固持器，其中該第一狀態係在將該基板夾持(clamping)於該基板固持器上之前，且該第二狀態係在將該基板夾持於該基板固持器上期間，且/或其中該可移動構件定位成鄰近於該板的一邊緣且在該邊緣之徑向外側。
  10. 一種微影設備，其包含如請求項1至9中任一項之基板固持器。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4359867A1 (en) * 2021-06-24 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. Structures for use on a substrate holder, substrate holder, lithographic apparatus and method
EP4227738A1 (en) * 2022-02-14 2023-08-16 ASML Netherlands B.V. Clamp

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008156366A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-24 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
CN101916050A (zh) * 2004-06-23 2010-12-15 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
TW201632241A (zh) * 2014-12-19 2016-09-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 一種流體處理結構、一種微影設備及一種裝置製造方法
WO2017102162A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
US20190080955A1 (en) * 2017-09-12 2019-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lift Pin Assembly, Substrate Support Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
WO2019064577A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社ニコン 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2016143706A (ja) * 2015-01-30 2016-08-08 株式会社東芝 基板保持装置および半導体装置の製造方法
CN113376974A (zh) 2016-02-08 2021-09-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101916050A (zh) * 2004-06-23 2010-12-15 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
WO2008156366A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-24 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
TW201632241A (zh) * 2014-12-19 2016-09-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 一種流體處理結構、一種微影設備及一種裝置製造方法
WO2017102162A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
US20190080955A1 (en) * 2017-09-12 2019-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lift Pin Assembly, Substrate Support Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
WO2019064577A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社ニコン 基板搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、基板搬送方法、及び露光方法

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