JP2023516921A - 基板サポート、基板テーブルおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートは、基板を支持するように構成される第1支持体と、第1支持体から分離され、第1支持体を支持するように構成される本体であって、本体、支持体および/または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、本体および支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第1取出チャネルを備える取出体と、を備える。【選択図】図5
Description
[関連出願へのクロスリファレンス]
本出願は、2020年2月24日に出願された欧州出願20158919.9および2020年3月17日に出願された欧州出願20163571.1の優先権を主張し、これらの全体が参照によって本書に援用される。
本出願は、2020年2月24日に出願された欧州出願20158919.9および2020年3月17日に出願された欧州出願20163571.1の優先権を主張し、これらの全体が参照によって本書に援用される。
[技術分野]
本発明は、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポート、基板テーブル、基板を支持するための方法およびデバイス製造方法に関する。
本発明は、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポート、基板テーブル、基板を支持するための方法およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に適用するように構成される装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用されうる。リソグラフィ装置は、例えば、基板(例えば、ウェーハ)上に提供される放射感応性材料(レジスト)の層上に、パターニングデバイス(例えば、マスク)のパターン(しばしば「デザインレイアウト」または「デザイン」とも表される)を投影してもよい。公知のリソグラフィ装置は、全体パターンをターゲット部分上に一回で露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、放射ビームを通じて所定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンしながら、この方向に平行または非平行に基板を同時にスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。
半導体製造プロセスが継続的に進歩するにつれて、一般的に「ムーアの法則」と表されるトレンドに従って、過去数十年に亘ってデバイス毎のトランジスタ等の機能要素の量が着実に増加しながら、回路要素の寸法は継続的に低減されている。半導体産業は、ムーアの法則に遅れないように、ますます小さいフィーチャを生成することを可能にする技術を追い求めている。パターンを基板上に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用してもよい。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、365nm(i線)、248nm、193nmおよび13.5nmである。
より小さいフィーチャの解像度における更なる改良が、比較的高い屈折率を有する水等の液浸流体を露光中に基板上に提供することによって実現されてもよい。液浸流体の効果は、流体中の露光放射がガス中より短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。液浸流体の効果は、システムの実効的な開口数(NA)を増加させ、焦点深度も増加させるという点にもある。
液浸流体は、流体ハンドリング構造によって、リソグラフィ装置の投影システムと基板の間の局所的な領域に制限されてもよい。基板と制限された液浸液の間の速い相対移動は、局所的な領域からの液浸流体の漏れを引き起こす恐れがある。このような漏れは望ましくなく、基板上の欠陥に繋がる恐れがある。このため、投影システムに対して基板がステップまたはスキャンされるスピードが制限されてしまう。このことは、リソグラフィ装置のスループットを制限する。
半導体製造プロセスの間、基板は基板サポート上に支持される。時間が経つと、基板サポートは損耗し、交換される必要がある。本発明の目的は、より安価に維持でき、損耗した時のサービスに必要なダウンタイムの長さを低減できる基板サポートを提供することである。
本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートが提供される。この基板サポートは、基板を支持するように構成される第1支持体と、第1支持体から分離され、第1支持体を支持するように構成される本体であって、本体、支持体および/または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、本体および支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第1取出チャネルを備える取出体と、を備える。
本発明によれば、基板ステージおよび基板サポートを備える基板テーブルも提供される。
本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を基板サポート上に支持するための方法も提供される。この方法は、基板サポートの第1支持体上で基板を支持することと、第1支持体から分離された本体上で第1支持体を支持することと、本体の熱コンディショナで、本体、支持体および/または基板を熱的に調整することと、本体および支持体を囲む取出体の第1取出チャネルを通じて、基板の周縁部の近くから流体を取り出すことと、を備える。
本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートの第1支持体を交換するための方法も提供される。この方法は、キャリアプレートが第1支持体の厚さ方向に第1支持体を貫通するピンホールを覆うように、キャリアプレートを第1支持体に接続することと、ピンがそれらの端上でキャリアプレートを支持し、ピンが第1支持体の下方の基板サポートの本体を貫通するように、各ピンホールを通って複数のピンを延ばすことと、本体上に第1支持体を下ろす、または、第1支持体を本体から上げるために、ピンの移動を制御することと、を備える。
本発明によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法も提供される。この方法は、基板を基板サポートで支持しながら、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影することと、リソグラフィ装置において基板を支持するための方法、または、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートの第1支持体を交換するための方法を実行することと、を備える。
本発明の更なる実施形態、特徴および利点や、本発明の各種の実施形態、特徴および利点の構造および動作が、付随的な図面を参照しながら以下で詳細に記述される。
以下では、対応する参照符号が対応する部分を表す以下の付随的な模式図を参照して、例示のみを目的として発明の実施形態が記述される。
図1は、リソグラフィ装置の模式図を示す。
図2および図3は、リソグラフィ投影装置において使用するための流体ハンドリングシステムの二つの異なるバージョンを断面において示す。
図4は、リソグラフィ装置の部分を示す。
図5は、発明の実施形態に係る基板サポートを示す。
図6は、比較例に係る基板サポートを示す。
図7~図11は、発明に係る基板サポートの異なるバージョンを示す。
図12および図13は、発明の実施形態のための高さ調整機構の異なるバージョンを示す。
図14は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図15は、発明の実施形態に係る本体上に下ろされる、図14に示されるアセンブリの模式的な断面図である。
図16は、図14および図15に示される第1支持体から分離されているキャリアプレートの模式的な断面図である。
図17は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図18は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図19は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図20は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第1支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図21は、図20に示されるキャリアプレートを第1支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図22は、図20に示される第1支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図23は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第1支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図24は、図23に示されるキャリアプレートを第1支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図25は、図23に示される第1支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図26は、発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図27は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図28は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図1は、リソグラフィ装置の模式図を示す。
図2および図3は、リソグラフィ投影装置において使用するための流体ハンドリングシステムの二つの異なるバージョンを断面において示す。
図4は、リソグラフィ装置の部分を示す。
図5は、発明の実施形態に係る基板サポートを示す。
図6は、比較例に係る基板サポートを示す。
図7~図11は、発明に係る基板サポートの異なるバージョンを示す。
図12および図13は、発明の実施形態のための高さ調整機構の異なるバージョンを示す。
図14は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図15は、発明の実施形態に係る本体上に下ろされる、図14に示されるアセンブリの模式的な断面図である。
図16は、図14および図15に示される第1支持体から分離されているキャリアプレートの模式的な断面図である。
図17は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図18は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図19は、発明の実施形態に係る第1支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図20は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第1支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図21は、図20に示されるキャリアプレートを第1支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図22は、図20に示される第1支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図23は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第1支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図24は、図23に示されるキャリアプレートを第1支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図25は、図23に示される第1支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図26は、発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図27は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図28は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第1支持体の模式的な平面図である。
図示される特徴は必ずしも実寸通りではなく、示されるサイズおよび/または配置に限定されるものではない。図は、発明に必須ではないオプションの特徴を含むと理解される。更に、装置の全ての特徴が図のそれぞれにおいて示される訳ではなく、図は特定の特徴を記述する上で関連するコンポーネントのいくつかのみを示してもよい。
本文書では、「放射」および「ビーム」の用語が、紫外放射(例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有するもの)を含む全てのタイプの電磁放射を包含するために使用される。
このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」または「パターニングデバイス」の用語は、入射する放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応するパターン形成された断面を付与するために使用されうる一般的なパターニングデバイスを表すものと広義に解釈されてもよい。用語「ライトバルブ」も、この文脈で使用されうる。古典的なマスク(透過型または反射型、バイナリ型、位相シフト型、ハイブリッド型等)の他に、他のこのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDアレイを含む。
図1は、リソグラフィ装置を模式的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームB(例えば、UV放射またはDUV放射)を調整するように構成される照明システム(イルミネータとも表される)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに応じてパターニングデバイスMAを正確に配置するように構成される第1ポジショナPMに接続されるマスクサポート(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに応じて基板サポートWTを正確に配置するように構成される第2ポジショナPWに接続される基板サポート(例えば、基板テーブル)WTと、基板Wのターゲット部分C(例えば、一または複数のダイを含む)上に、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに形成されたパターンを投影するように構成される投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと、を含む。
稼働中、照明システムILは、例えばビームデリバリシステムBDを介して、放射源SOからの放射ビームBを受ける。照明システムILは、放射の方向付け、形成および/または制御のための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型および/または他のタイプの光学コンポーネント等の各種のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せを含んでもよい。イルミネータILは、パターニングデバイスMAの面で、その断面において所望の空間および角度強度分布を有するように、放射ビームBを調整するために使用されてもよい。
ここで使用される用語「投影システム」PSは、使用中の露光放射、および/または、液浸液または真空の使用等の他の要素にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁気型および/または静電型の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む各種のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。用語「投影レンズ」のここでの使用は、より一般的な用語「投影システム」PSと同義に解釈されてもよい。
リソグラフィ装置は、投影システムPSと基板Wの間の液浸空間11を満たすために、基板Wの少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する水等の液浸液によって覆われてもよいタイプである(液浸リソグラフィとも表される)。液浸技術に関するより多くの情報は、参照によって本書に援用されるUS6,952,253において与えられている。
リソグラフィ装置は、二つ以上の基板サポートWTを有するタイプ(「デュアルステージ」とも呼ばれる)でもよい。このような「マルチステージ」装置では、基板サポートWTが並行的に使用されてもよい、および/または、他の基板W上にパターンを露光するために他方の基板サポートWT上の他方の基板Wが使用されている間に、基板Wの後続の露光の準備ステップが一方の基板サポートWT上に位置する基板W上で実行されてもよい。
基板サポートWTに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ(不図示)を備えてもよい。測定ステージは、センサおよび/またはクリーニングデバイスを保持するように設けられる。センサは、投影システムPSの特性または放射ビームBの特性を測定するように設けられてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持してもよい。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の部分、例えば投影システムPSの部分または液浸液を提供するシステムの部分をクリーニングするように設けられてもよい。測定ステージは、基板サポートWTが投影システムPSから離れている時に、投影システムPSの下を移動してもよい。
稼働中、放射ビームBは、マスクサポートMT上に保持されているマスクMA等のパターニングデバイス上に入射し、パターニングデバイスMA上に存在するパターン(デザインレイアウト)によってパターン形成される。マスクMAを経た放射ビームBは、基板Wのターゲット部分C上にビームを集光する投影システムPSを通過する。第2ポジショナPWおよび位置測定システムIFによって、例えば、放射ビームBの経路中の集光および整列位置に異なるターゲット部分Cを配置するために、基板サポートWTが正確に駆動されうる。同様に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に配置するために、第1ポジショナPMおよび適切な他の位置センサ(図1では明示的に示されない)が使用されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して整列されてもよい。図示される基板アライメントマークP1、P2は専用のターゲット部分を占めるが、これらはターゲット部分の間の空間に配置されてもよい。ターゲット部分Cの間に配置される基板アライメントマークP1、P2は、スクライブラインアライメントマークとして知られている。
発明を明らかにするために、デカルト座標系が使用される。デカルト座標系は、三つの軸、すなわち、x軸、y軸およびz軸を有する。三つの軸のそれぞれは、他の二つの軸に直交する。x軸周りの回転は、Rx回転と表される。y軸周りの回転は、Ry回転と表される。z軸周りの回転は、Rz回転と表される。x軸およびy軸は水平面を定め、z軸は鉛直方向を定める。デカルト座標系は発明を限定するものではなく、説明のためだけに使用される。代わりに、円筒座標系等の他の座標系が発明を明らかにするために使用されてもよい。例えば、z軸が水平面に沿う成分を有するように、デカルト座標系の方向は異なるものでもよい。
液浸技術は、より小さいフィーチャの解像度の向上を可能にするために、リソグラフィシステムに導入されている。液浸リソグラフィ装置では、比較的高い屈折率を有する液浸液の液体層が、装置の投影システムPS(これを通じてパターン形成されたビームが基板Wに向かって投影される)と基板Wの間の液浸空間11に介在する。液浸液は、投影システムPSの最終要素の下で、基板Wの少なくとも一部を覆う。このように、露光中の基板Wの少なくとも一部が液浸液に浸る。
商用化されている液浸リソグラフィでは、液浸液は水である。水は、典型的には、半導体製造プラントにおいて一般的に使用される超純水(UPW)等の高純度の蒸留水である。液浸システムでは、UPWが頻繁に浄化され、液浸空間11への液浸液としての供給の前に、追加的な処理ステップを経なければならない場合もある。フッ化炭化水素等の炭化水素および/または水溶液等の、高い屈折率を有する水以外の他の液体も液浸液として使用されうる。更に、液体以外の他の流体も、液浸リソグラフィにおける使用が見込まれている。
本明細書では、最終要素と最終要素に対向する表面の間の液浸空間11に使用中の液浸液が制限される局所化された液浸についての記述において参照がなされる。対向する表面は、基板Wの表面または基板Wの表面と同一面上の支持ステージ(または、基板サポートWT)の表面である(なお、以下のテキストにおける基板Wの表面への参照は、特に断らない限り、加えてまたは代えて基板サポートWTの表面も表し、逆も同様である)。投影システムPSと基板サポートWTの間に存在する流体ハンドリング構造IHは、液浸液を液浸空間11に制限するために使用される。液浸液によって満たされた液浸空間11は平面視で基板Wの最表面より小さく、下方で基板Wおよび基板サポートWTが移動する間、液浸空間11は投影システムPSに対して実質的に静止したままである。
非制限液浸システム(いわゆる「オールウェット」液浸システム)および浴式液浸システム等の他の液浸システムも見込まれている。非制限液浸システムでは、液浸液が最終要素の下の表面より多くを覆う。液浸空間11外の液体は、薄い液体フィルムとして存在する。液体は、基板Wまたは基板Wおよび基板Wと同一面上の基板サポートWTの表面全体を覆ってもよい。バス型システムでは、基板Wが液浸液の浴槽に完全に浸る。
流体ハンドリング構造IHは、液浸液を液浸空間11に供給し、液浸液を液浸空間11から除去することで、液浸液を液浸空間11に制限する構造である。それは、流体供給システムの一部である特徴を含む。PCT特許出願公報番号WO99/49504に開示された配置は、液浸空間11の液浸液を供給または回収し、投影システムPS下のステージの相対移動に応じて動作するパイプを備える初期の流体ハンドリング構造である。より新しいデザインでは、流体ハンドリング構造が、投影システムPSの最終要素と基板サポートWTまたは基板Wの間の液浸空間11の境界の少なくとも一部に沿って延び、部分的に液浸空間11を定める。
流体ハンドリング構造IHは、異なる機能の選択肢を有してもよい。各機能は、流体ハンドリング構造IHがその機能を実現することを可能にする対応する特徴から得られてもよい。流体ハンドリング構造IHは、バリアメンバ、シールメンバ、流体供給システム、流体除去システム、液体制限構造等の、それぞれ機能を表す多くの異なる用語によって表されてもよい。
バリアメンバとしての流体ハンドリング構造IHは、液浸空間11からの液浸液の流れに対するバリアである。液体制限構造としての構造は、液浸液を液浸空間11に制限する。シールメンバとしての流体ハンドリング構造IHのシーリングフィーチャは、液浸液を液浸空間11に制限するためのシールを形成する。シーリングフィーチャは、ガスナイフ等のシールメンバの表面における開口からの追加的なガス流を含んでもよい。
一実施形態では、流体ハンドリング構造IHが流体供給システムとして液浸流体を供給してもよい。
一実施形態では、流体ハンドリング構造IHが流体制限システムとして少なくとも部分的に液浸流体を制限してもよい。
一実施形態では、流体ハンドリング構造IHが流体制限構造等のバリアメンバとして液浸流体に対するバリアを提供してもよい。
一実施形態では、流体ハンドリング構造IHが、例えば液浸流体の流れおよび/または位置の制御を支援するために、ガス流を生成または使用してもよい。
ガス流は液浸流体を制限するためのシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造IHはシールメンバと表されてもよい。このようなシールメンバは流体制限構造でもよい。
一実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。この場合の流体ハンドリング構造IHは、液体ハンドリングシステムでもよい。以上の記述を参照して、これらの段落における流体に関して定義される特徴への参照は、液体に関して定義される特徴を含むものと理解される。
リソグラフィ装置は、投影システムPSを有する。基板Wの露光中、投影システムPSは、パターン形成された放射のビームを基板W上に投影する。基板Wに到達するために、放射ビームBの経路は、投影システムPSから、投影システムPSと基板Wの間の流体ハンドリング構造IHによって制限された液浸液を通過する。投影システムPSは、ビームの経路の最後に液浸液と接触するレンズ要素を有する。液浸液と接触するこのレンズ要素は、「最終レンズ要素」または「最終要素」と表されてもよい。最終要素は、少なくとも部分的に流体ハンドリング構造IHによって囲まれる。流体ハンドリング構造IHは、最終要素の下方および対向する表面の上方に液浸液を制限してもよい。
図1に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、コントローラ500を備える。コントローラ500は、基板テーブルWTを制御するように構成される。
図2は、局所化された液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体供給システムは、投影システムPSの最終要素と支持テーブルWTまたは基板Wの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造IH(または液体制限構造)と共に提供される。流体ハンドリング構造IHは、Z方向(光軸の方向)における相対移動はありえるものの、投影システムPSに対してXY面内において実質的に静止している。例では、ガスシール(ガスシールを有するこのようなシステムは、EP1,420,298に開示されている)または液体シール等の非接触シールでもよいシールが、流体ハンドリング構造IHと基板Wの表面の間に形成されている。
流体ハンドリング構造IHは、投影システムPSの最終要素と基板Wの間の空間11に、少なくとも部分的に液浸液を制限する。空間11は、投影システムPSの最終要素の下方に位置して囲む流体ハンドリング構造IHによって少なくとも部分的に形成される。液浸液は、一の液体開口13によって、投影システムPS下および流体ハンドリング構造IH内の空間11内に供給される。液浸液は、他の液体開口13によって除去されてもよい。液浸液は、少なくとも二つの液体開口13を通じて、空間11内に供給されてもよい。いずれの液体開口13が液浸液を供給するために使用されるか、および、オプションでいずれが液浸液を除去するために使用されるかは、支持テーブルWTの移動方向によって異なってもよい。
液浸液は、使用中に流体ハンドリング構造IHの底と基板Wの表面の間に形成されるガスによって形成されるガスシール16等の非接触シールによって空間11に制限されてもよい。ガスシール16におけるガスは、流体ハンドリング構造IHおよび基板Wの間の間隙にインレット15を介して加圧されて提供される。ガスは、アウトレット14を介して取り出される。ガスインレット15における正圧、アウトレット14における真空レベル、間隙の幾何学的配置は、液浸液を制限する内側への高速のガス流が生じるように調整される。このようなシステムは、その全体が参照によって本書に援用されるUS2004/0207824に開示されている。一例では、流体ハンドリング構造IHがガスシール16を有しない。
図3は、実施形態に係る更なる液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。図3に例示されて以下で記述される配置は、図1において前述および例示されたリソグラフィ装置に適用されてもよい。液体供給システムは、投影システムPSの最終要素と支持テーブルWTまたは基板Wの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造IH(または液体制限構造)と共に提供される。
流体ハンドリング構造IHは、投影システムPSの最終要素と基板Wの間の空間11に、少なくとも部分的に液浸液を制限する。空間11は、投影システムPSの最終要素の下方に位置して囲む流体ハンドリング構造IHによって少なくとも部分的に形成される。例では、流体ハンドリング構造IHが、本体メンバ53および多孔質メンバ33を備える。多孔質メンバ33は、プレート状で複数の孔(すなわち、開口または細孔)を有する。一実施形態では、多孔質メンバ33が、多数の小さい孔84がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。このようなシステムは、その全体が参照によって本書に援用されるUS2010/0045949A1に開示されている。
本体メンバ53は、空間11に液浸液を供給可能な供給ポート72と、空間11から液浸液を回収可能な回収ポート73を備える。供給ポート72は、流路74を介して液体供給装置75に接続される。液体供給装置75は、対応する流路74を通じて供給ポート72に液浸液を供給可能である。回収ポート73は、空間11から液浸液を回収可能である。回収ポート73は、流路79を介して液体回収装置80に接続される。液体回収装置80は、回収ポート73を介して回収された液浸液を、流路79を通じて回収する。多孔質メンバ33は、回収ポート73に配置される。供給ポート72を使用して液体供給動作を実行し、多孔質メンバ33を使用して液体回収動作を実行することで、一方の側が投影システムPSと流体ハンドリング構造IHの間にあり、他方の側に基板Wがある空間11が形成される。
図4は、本発明の実施形態の理解にとって有用なリソグラフィ装置の一部を例示する。図4に例示されて以下で記述される配置は、図1において前述および例示されたリソグラフィ装置に適用されてもよい。図4は、基板サポート20および基板Wの断面である。一実施形態では、基板サポート20が、以下でより詳細に記述される熱コンディショナ60の一または複数の調整チャネル61を備える。基板Wのエッジと基板サポート20のエッジの間に間隙5が存在する。基板Wのエッジが結像されている時、または、基板Wが最初に投影システムPS下を移動する時(前述されたように)等の他の時に、流体ハンドリング構造IH(例えば)によって液体で満たされた液浸空間11は、少なくとも部分的に基板Wのエッジと基板サポート20のエッジの間の間隙5を通る。このため、液浸空間11からの液体が間隙5に流入しうる。
基板Wは、一または複数の突起41(すなわち、バール)を備える第1支持体21(例えば、ピンプルまたはバールテーブル)によって保持される。第1支持体21は、オブジェクト保持部の一例である。オブジェクト保持部の他の例は、マスク保持部である。基板Wと基板サポート20の間に適用される負圧は、基板Wが所定位置に確実に保持されることを担保しうる。しかし、液浸液が基板Wと第1支持体21の間に入ってしまうと、特に基板Wを取り外す際に困難をもたらしうる。
間隙5に流入する液浸液に対処するために、間隙5に流入した液浸液を除去するための少なくとも一つのドレイン10、12が基板Wのエッジに提供される。ドレインは一つのみでもよいし、二つより多くてもよいが、図4の一実施形態では、二つのドレイン10、12が例示される。一実施形態では、ドレイン10、12のそれぞれが、基板Wの周縁全体を囲む環状である。
第1ドレイン10(基板W/第1支持体21のエッジの径方向の外側にある)の主な機能は、流体ハンドリング構造IHの液体が存在する液浸空間11に気泡が入ることを防止することである。このような泡は、基板Wの結像に悪影響を及ぼしうる。第1ドレイン10は、間隙5におけるガスが流体ハンドリング構造IHにおける液浸空間11に逃げ込む事態を避けるために存在する。液浸空間11に逃げ込んだガスは、液浸空間11内で浮遊する泡をもたらしうる。このような泡が投影ビームの経路上に来てしまうと、結像エラーに繋がる。第1ドレイン10は、基板Wのエッジと基板Wが配置される基板サポート20における凹みのエッジの間の間隙5からガスを除去するように構成される。基板サポート20における凹みのエッジは、オプションで基板サポート20の第1支持体21から分離されるカバーリング101によって定められてもよい。カバーリング101は、平面視でリング状でもよく、基板Wの外周を囲んでもよい。第1ドレイン10は、ほとんどのガスおよび極小量の液浸液を取り出す。
第2ドレイン12(基板W/第1支持体21のエッジの径方向の内側にある)は、結像後の基板Wの基板テーブルWTからの効率的なリリースを妨げることがないように、液体が間隙5から基板Wの下方に入り込むことを防止するために提供される。第2ドレイン12を提供することで、液体が基板Wの下方に入り込むことによって生じうる問題が低減または除去される。
図4に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、二相流の流路となる第1取出チャネル102を備える。第1取出チャネル102は、ブロック内に形成される。第1および第2ドレイン10、12は、それぞれ各開口107、117および各取出チャネル102、113と共に提供される。取出チャネル102、113は、各流路103、114を通じて各開口107、117との間で流体を流通させる。
図4に示されるように、カバーリング101は上面を有する。上面は、第1支持体21上の基板Wの周りを周方向に延びる。リソグラフィ装置の使用時には、流体ハンドリング構造IHが基板サポート20に対して移動する。この相対移動中に、流体ハンドリング構造IHはカバーリング101と基板Wの間の間隙5を通過する。一実施形態では、流体ハンドリング構造IHの下方を移動する基板サポート20によって相対移動がもたらされる。代替的な実施形態では、基板サポート20の上方を移動する流体ハンドリング構造IHによって相対移動がもたらされる。更なる代替的な実施形態では、流体ハンドリング構造IHの下方の基板サポート20の移動および基板サポート20の上方の流体ハンドリング構造IHの移動の両方によって相対移動が提供される。以下の記述では、流体ハンドリング構造IHの移動が、基板サポート20に対する流体ハンドリング構造IHの相対移動を意味するものとして使用される。
図5は、発明の実施形態に係る基板サポート20の模式図である。基板サポート20は、リソグラフィ装置(例えば、図1に示されるリソグラフィ装置)において基板Wを支持するためのものである。露光プロセスの間、基板Wは基板サポート20上に支持される。複数の露光プロセスの間に、基板サポート20上の基板Wが交換されてもよい。この間、基板サポート20には一つの基板Wも支持されていなくてもよい。
図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20が第1支持体21を備える。第1支持体21は、基板Wを支持するように構成される。基板Wが基板サポート20によって支持されている時、基板Wは第1支持体21と直接的に接触する。第1支持体21は、基板Wの下側を物理的に支持する基板サポート20の一部である。図5に示されるように、一実施形態では、第1支持体21が複数のバール41を備える。バール41の末端は、基板Wの下側が支持される面を形成する。基板Wの下側は、バール41の末端に接触する。バール41は、第1支持体21の上側にある。
図5に示されるように、一実施形態では、基板Wの下側と第1支持体21の上側ベース面(複数のバール41の間)の間に空間42がある。一実施形態では、基板サポート20が、基板Wを第1支持体21上に保持するように構成されるクランプを備える。例えば、図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20が、クランプチャネル43を備えるクランプを備える。クランプチャネル43は、基板Wと第1支持体21の間の空間42からガスを取り出すように構成される。クランプチャネル43は、空間42との間で流体を流通させる。図5に示されるように、一実施形態では、クランプチャネル43が、一または複数のクランプ流路44を介して、空間42との間で流体を流通させる。一実施形態では、クランプチャネル43が、基板サポート20の中央を取り巻く環形状を有する。クランプチャネル43は周方向に延びる。一実施形態では、複数のクランプ流路44が、クランプチャネル43を空間42に接続するために鉛直方向に延びる。
図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20が本体22を備える。本体22は、第1支持体21から分離されている。第1支持体21は、本体22を実質的に傷付けることなく、本体22から分離されうる。第1支持体21は、本体22から除去されてもよいし、本体22上に再配置されてもよい。本体22は、第1支持体21を支持するように構成される。
基板サポート20が使用されている間に、基板サポート20は損耗する。例えば、バール41の末端が時間を経て損耗する。バール41が損耗しても、基板サポート20の全体を交換する必要はなく、第1支持体21が交換されうる。例えば、本体22は交換されることなく、第1支持体21が交換されてもよい。一実施形態では、第1支持体21が本体22から除去される。交換された第1支持体21は、本体22上に配置される。そして、交換された第1支持体21を使用して、露光プロセスが続けられる。発明の実施形態は、基板サポート20の可用性を維持するためのコストを低減することが期待される。
基板サポート20の全体を交換する場合に比べて、第1支持体21はより速く交換できる。発明の実施形態は、基板サポート20を維持するために必要なリソグラフィ装置のダウンタイムを低減することが期待される。
図5に示されるように、一実施形態では、本体22が熱コンディショナ60を備える。一実施形態では、熱コンディショナ60が、本体22を熱的に調整するように構成される。加えてまたは代えて、熱コンディショナ60は、第1支持体21を熱的に調整するように構成される。加えてまたは代えて、熱コンディショナ60は、基板Wを熱的に調整するように構成される。本体22、第1支持体21および/または基板Wを熱的に調整することによって、温度プロファイルが制御されうる。特に、熱的な変動によって引き起こされる変形が低減されうる。変形を低減することによって、露光プロセスの正確性が向上されうる。
熱コンディショナ60が熱的に調整する手法は特に限定されない。単なる一例として、図5に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ60が一または複数の調整チャネル61を備える。調整チャネル61は、本体22を貫通してもよい。一実施形態では、調整チャネル61が流体(例えば、ガスおよび/または液体)を含む。
図1に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、コントローラ500を備える。一実施形態では、コントローラ500が、一または複数の調整チャネル61を通じて、流れまたは流体を制御するように構成される。一実施形態では、コントローラ500が、目標物(例えば、本体22、第1支持体21および/または基板W)の温度プロファイルを制御するために、調整チャネル61を通じて流体の流れを制御するように構成される。
図5に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ60が、一または複数のセンサ62を備える。一実施形態では、センサ62が、本体22に取り付けられる、または、本体22に埋め込まれる。一実施形態では、センサ62が温度センサである。一実施形態では、センサ62が、調整チャネル61内を流れる流体の温度を測定するように構成されてもよい。一実施形態では、調整チャネル61に亘って温度プロファイルを検知するために、複数のセンサ62が調整チャネル61に沿った異なる位置に提供される。
図5に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ60が、一または複数のヒータ63を備える。図5に示されるように、一実施形態では、ヒータ63が本体22の下側に取り付けられる。但し、ヒータ63は、本体22または第1支持体21の他の表面に配置されてもよい。加えてまたは代えて、センサが、本体22および/または第1支持体21の表面に提供されてもよい。一実施形態では、コントローラ500が、センサ62からの信号を受け取るように構成され、続いてヒータ63および/または調整チャネル61を通じて流体の流れを制御するように構成される。
基板サポート20では、基板Wを物理的に支持する(および、クランプする)機能が第1支持体21によって実行される。一方、熱的に調整する機能は本体22によって実行される。第1支持体21は本体22から分離されている。基板Wを支持する機能および熱的な安定化の機能が、異なるコンポーネントに分離されている。一の機能が失われた場合(または、要求される実行水準を満たせなくなった場合)は、他のコンポーネントは交換されずに、対応するコンポーネントが交換されうる。発明の実施形態は、実行される機能が要求される水準を満たすように、基板サポート20の維持を容易にすることが期待される。
図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20が取出体100を備える。取出体100は、本体22および第1支持体21を囲む。取出体100は、本体22および第1支持体21の径方向の外側にある。図5に示されるように、一実施形態では、取出体100が本体22から分離されたコンポーネントにおいて提供される。但し、取出体100が本体22および第1支持体21から分離されていることは必須ではない。より詳細に後述されるように、取出体100は、本体22と同じコンポーネントの一部でもよい。このような実施形態では、取出体100は本体22と一緒でなければ交換できない(逆も同様である)。一実施形態では、例えば、図7から10に示されるように、取出体100が本体22と同じコンポーネントの一部である。取出体100は、本体22と一体的に形成されてもよい。取出体100および本体22は、一つのコンポーネントとして一緒に形成される。取出体100および本体22は、互いに分離できない。代替的な実施形態では、取出体100が基板ステージ26と一体的に形成される。
図5に示されるように、一実施形態では、取出体100が第1取出チャネル102を備える。一実施形態では、取出体100が、前述された第1ドレイン10を備える。第1取出チャネル102は、基板Wの周縁部の近くから流体を取り出すように構成される。図5に示されるように、一実施形態では、第1取出チャネル102が、基板Wの周縁の径方向の外側から流体を取り出すように構成される。第1取出チャネル102は、リソグラフィ装置において使用される液浸液内で生じうる泡を除去するように構成される。第1取出チャネル102は、泡を低減することによって、および/または、例えばウォーターマークの発生を低減することによって、画像欠陥の低減に貢献する。
前述のように、取出体100は、欠陥の問題を低減するように構成される。取出体100によって実行される機能は、第1支持体21および本体22によって実行される機能と異なっていてもよい。一の機能が失われた場合、または、要求される実行水準を満たせなくなった場合は、基板サポート20の他のコンポーネントは交換されずに、対応するコンポーネント(例えば、取出体100、第1支持体21または本体22)が交換されうる。
図6は、比較例に係る基板サポート20を模式的に示す。図6に示される比較例では、基板Wを支持する(および、クランプする)機能、および、基板Wを熱的に調整する機能の両方が、同じコンポーネントにおいて実行される。従って、バール41の先端が損耗した場合、熱コンディショナ60および基板Wを支持するバール41の両方を含む本体22全体が交換されなければならない。例えば、熱コンディショナ60がまだ正常に動作しており、交換する必要がない場合であっても、本体22全体の交換が必要になる。
図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20と基板サポート20を支持する基板ステージ26の間の間隙をシールするために、シールメンバ27が提供される。図6に示される比較例では、基板サポート20が交換される時に、シールメンバ27を除去および交換する必要もある。対照的に、図5に示される実施形態では、第1支持体21および/または本体22が交換される間に、取出体100およびシールメンバ27がそのまま留まれる。同様に、取出体100が本体22と同じコンポーネントの一部である実施形態では、第1支持体21が交換される間に、取出体100およびシールメンバ27がそのまま留まれる。発明の実施形態は、基板サポート20の維持に必要な時間を低減することが期待される。
図5に示されるように、一実施形態では、基板サポート20が第2支持体23を備える。第2支持体23は、本体22から分離されている。第2支持体23は、基板ステージ26上に本体22を支持するように構成される。一実施形態では、本体22が第2支持体23と物理的に接触する。例えば、一実施形態では、本体22の下側が第2支持体23の上部の上で支持される。第2支持体23は、基板ステージ26上に支持される。
図5に示されるように、一実施形態では、第2支持体23が複数のバール91を備える。一実施形態では、第2支持体23のバール91が第1支持体21のバール41より長い。バール91は、第2支持体23の下側において突出している。これらのバール91は、基板ステージ26に向かって延び、基板ステージ26によって支持される。一実施形態では、第2支持体23が、基板サポート20と基板ステージ26の間の相対移動を低減するように構成される。第2支持体23は、基板サポート20と基板ステージ26の間の滑りを低減するように構成される。リソグラフィ装置を使用している間、基板ステージ20には大きな加速が生じる。基板サポート20が基板ステージ26に対して滑ってしまうと、望ましくないオーバーレイエラーに繋がりうる。バール91は、基板ステージ26に対して把持するように構成され、基板サポート20の基板ステージ26に対する滑りを低減する。
第2支持体23は、本体22または第2支持体23を傷付けることなく、本体22から物理的に分離されうる。本体22および第2支持体23の一方または他方を、他方を交換することなく交換できる。例えば、第2支持体23の滑り止め機能が、要求される実行水準を満たせなくなった場合、本体22を交換することなく第2支持体23が交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート20を維持するためのコストを低減することが期待される。
他の例では、例えば、熱コンディショナ60の交換が必要な場合、本体22が交換されてもよい。第2支持体23を交換することなく(または、実質的に移動させることなく)、本体22は交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート20を維持するためのコストを低減することが期待される。
但し、基板サポート20がこのような第2支持体23を備えることは必須ではない。例えば、図7から図12に示されるように、基板サポート20の基板ステージ26に対する滑りを低減する機能は、本体22によって実行されてもよい。バール91は、本体22の下部に提供されてもよい。
図5および7に示されるように、例えば、一実施形態では、本体22がその上側に複数のバール65を備える。バール65は面内に末端を有する。バール65は、第1支持体21を支持するように構成される。本体22の上側のバール65を提供することによって、第1支持体21の構造を簡素なままにできる。第1支持体21の下側は平坦で、実質的にフィーチャレスでもよい。第1支持体の上側は、基板Wを支持するためのバール41を備える。発明の実施形態は、基板Wをクランプするコンポーネントを安価に製造できるようにすることが期待される。
加えて、図5および図8から図10に示されるように、例えば、一実施形態では、第1支持体21が複数のシール突起46を備える。シール突起46は、第1支持体21の上側で突出している。シール突起46は、バール41より短い。シール突起46は、基板Wと接触しない。シール突起46の上部と基板Wの下側の間に小さい間隙が存在する。一実施形態では、シール突起46が、第1支持体21の周りに周方向に延びる、すなわち、シール突起46はそれぞれリングを形成する。シール突起46は、シール突起46を通過する流体の量を低減するように構成される。
但し、本体22にバール65が提供されることは必須ではない。例えば、図8に示される代替的な実施形態では、第1支持体21が、その最下側に複数のバール47を備える。バール47は、面内に末端を有する。バール47は、本体22の上側に接触するように構成される。図8に示されるように、本体22上に提供されるバール65の代わりに、バール47の異なる組が第1支持体21の下側に提供されてもよい。使用中、基板サポート20の他の部分が損耗する前に、バール41、47が損耗する可能性がある。第1支持体21上にバール41、47の両方の組を提供することによって、本体22を交換することなく、単純に第1支持体21を交換することによってバールが交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート20を維持するためのコストを低減することが期待される。
図5に示されるように、一実施形態では、取出体100が第2取出チャネル113を備える。これは他の図にも示される。第2取出チャネル113は、第2ドレイン12の一部である。一実施形態では、第2取出チャネル113が、第1取出チャネル102の径方向の内側から流体を取り出すように構成される。一実施形態では、第2取出チャネル113が、液体が基板Wの下方に流入することを防止するために提供される。但し、このような第2取出チャネル113が提供されることは必須ではない。例えば、図10は、第2取出チャネル113を有しない実施形態を示す。
一実施形態では、液体が基板の中央部Wおよび第1支持体21の間の空間42に到達することを防止するために、第2取出チャネル113が、基板Wの周縁部の下方から流体を取り出すように構成される。図4に示されるように、一実施形態では、第2取出チャネル113が、一または複数の第2流路114を介して、基板Wの周縁部の下方の空間に接続される。一実施形態では、第2取出チャネル113が、基板サポート20の周りに周方向に延びる。一実施形態では、複数の第2流路114が提供される。第2流路114は、第2取出チャネル113および基板Wの周縁部の直下の間で鉛直方向に延びる。
図5に示されるように、一実施形態では、第2取出チャネル113が開いたギャップによって第1取出チャネル102から隔離される。第1取出チャネル102および第2取出チャネル113は、別体24、25に提供されてもよい。別体24、25は、別体24、25のいずれも破損することなく、互いに分離されうる。欠陥の問題を低減する機能(第1取出チャネル102によって実行される)および液体が基板Wの下方に流入することを防止する機能(第2取出チャネル113によって実行される)は、別体24、25によって実行されてもよい。別体24、25の一方を、他方を交換することなく交換できる。発明の実施形態は、基板サポート20を維持するためのコスト低減することが期待される。
図7に示されるように(例えば、図5および8でも視認できる)、一実施形態では、基板サポート20がインナーシール112およびアウターシール111を備える。インナーシール112は、第2取出チャネル113が流体を取り出す開口の径方向の内側に位置する。アウターシール111は、第2取出チャネル113が流体を取り出す開口の径方向の外側に位置する。インナーシール112およびアウターシール111は、基板Wの下側に向かって突出している。インナーシール112およびアウターシール111は、基板サポート20と共に使用中の基板Wと接触するほどには突出していない。代わりに、インナーシール112の上部と基板Wの間、および、アウターシール111の上部と基板Wの間に、小さい間隙が存在する。インナーシール112およびアウターシール111は、使用中に液体がシール111、112と基板Wの間に存在してもよいように構成される。これは、基板Wの中央部における基板Wの下方に液体が到達することを防止する上で役に立つ。
図9に示されるように、一実施形態では、インナーシール112の機能が、第1支持体21の上側におけるシール突起46によって実行される。これは、例えば、インナーシール112が本体22の上側における突起として提供される図7に示される配置の代わりである。図9に示されるように、一実施形態では、第1支持体21を通る上部流路49が提供される。基板Wの周縁部の下方から第2取出チャネル113内に流体が取り出されるように、上部流路49は第2流路114と接続する。
図9に示されるように、例えば、一実施形態では、本体22がシール突起66を備える。シール突起66は、湿気が本体22の上面に到達する可能性を低減するように構成される。これは、本体22の酸化を低減する。
図10に示されるように、一実施形態では、基板サポート20に、例えば図5から図9に示される第2取出チャネル113が提供されない。図10に示されるように、一実施形態では、取出体100、本体22、第1支持体21の間に、開いたギャップまたは流路115が形成される。一実施形態では、開いたギャップまたは流路115が、大気圧または圧力源との間で流体を流通させる。一実施形態では、複数の流路115が、本体22(取出体100と同じコンポーネントの一部でもよい)を通って主に鉛直方向に延びる。代替的な実施形態では、開いたギャップが本体22の周りに周方向に延び、取出体100が本体22とは異なるコンポーネントとして提供されてもよい。一実施形態では、ガス流が開いたギャップまたは流路115を通過する。ガス流は、第1支持体21の上部周縁のシール突起46を通過する。ガス流を提供することによって、シール突起46を越えて液体が基板Wの下側に到達する可能性が低減されうる。第2取出チャネル113を必ずしも提供する必要はない。発明の実施形態は、基板サポート20の複雑性を低減することが期待される。発明の実施形態は、基板サポート20の製造を容易にすることが期待される。
図5および図7から図10において前述および図示されたように、基板サポート20は各種の手法でモジュール化されうる。図11に示されるように、一実施形態では、第1取出チャネル102および第2取出チャネル113の両方と共に取出体100が提供される。取出体100は、第1支持体21および本体22の両方から分離されている。本体22は、直接的に基板ステージ26(すなわち、第2支持体23を介さずに)上に支持される。図11に示されるように、インナーシール112およびアウターシール111は、取出体100の一部として提供される。これは、第1支持体21の径方向寸法を低減する(第1支持体21がインナーシール112の機能を実行するための追加的なシール突起46を必要としないため)。これは、損耗したバール41を交換する必要がある場合に、交換される基板サポート20の量を低減する。
図11に示されるように、一実施形態では、本体22が取出体100の下方に延びる。取出体100の下側は、本体22に結合される。これは、第1支持体21に対する取出体100の高さの制御を容易にする。取出体100の高さをより正確に制御することによって、インナーシール112およびアウターシール111によって提供されるシーリング機能の信頼性が高まる。
図11に示されるように、一実施形態では、一または複数の孔119が本体22に提供される。孔119は、取出体100の径方向の内部と本体22の間の間隙との間で流体を流通させるように構成される。孔119は、基板ステージ26を通って延びる他の孔に接続してもよい。孔119は、大気圧または加圧ガスを提供するように構成される。孔119を上方に通るガス流を提供することによって、液体が基板Wの中央部の下方に到達する可能性が低減される。孔119を通るガス流を提供することによって、第1支持体21への湿気の移動が低減される。第1支持体21への湿気の移動を低減することによって、第1支持体21の酸化が低減される。
一実施形態では、孔119が加圧されたガスを提供するように構成される。加圧されたガス流を提供することによって、基板Wのエッジのリフティングを制御できる。基板Wの外縁のリフティングを制御することによって、第1支持体21の最外周のバール41の損耗が低減されうる。発明の実施形態は、基板サポート20の損耗を低減することが期待される。
図11に示されるように、一実施形態では、取出体100と本体22の間に接着層104が提供される。接着層104は、取出体100を本体22に固定する。これは、基板Wから取出体100のインナーシール112およびアウターシール111までの間隙の制御を容易にする。
一実施形態では、接着層104中にビーズが分散される。例えば、接着材中にガラスビーズが分散されてもよい。ビーズのサイズは、インナー/アウターシール111、112の上部と本体22の最表面の径方向の外側部分にあるシール突起66の上部の間に要求される高さステップを提供するために選択されうる。一実施形態では、ビーズが、例えば、45ミクロン、50ミクロンまたは55ミクロンの直径を有する。
図11に示されるように、一実施形態では、第1/第2取出チャネル102、113から本体22(取出体100が取り付けられる)を通り、続いて基板ステージ26を通る流体接続が維持される。流体接続は、ドッグボーンコネクタ105およびリング106によって維持されてもよい。但し、第1/第2取出チャネル102、113の目的のための取出体100と本体22の間の接続は、特に限定されない。
本体22が取出体100の下方に延びることは必須ではない。代替的な実施形態では、取出体100の下側が基板ステージ26に取り付けられる。一実施形態では、基板テーブルWT(基板ステージ26および基板サポート20を備える)が、高さ調整機構130を備える。高さ調整機構130の代わりのバージョンが、例えば図12および図13に示される。高さ調整機構130は、取出体100と基板Wの間の適切なシール間隙を得るために、微調整可能な高さ調整を提供するように構成される。高さ調整機構130は、液体が基板Wの中央部および第1支持体21の間に到達することを防止するように取出体100が構成されるように、基板Wの下方の取出体100の少なくとも一部の高さを制御するように構成される。
図12に示されるように、一実施形態では、高さ調整機構130がインサートメンバ131を備える。インサートメンバ131は、材料のブロックである。インサートメンバ131は、取出体100の下側と基板ステージ26の間に提供される。インサートメンバ131は、本体22から分離されている。インサートメンバ131は、取出体100を基板ステージ26に取り付けるコンポーネントである。
図12に示されるように、一実施形態では、高さ調整機構130がファスナ132を備える。例えば、一実施形態では、ファスナ132がボルトである。図12に示されるように、一実施形態では、ファスナ132が基板ステージ26まで到達しない。ファスナ132は、取出体100をインサートメンバ131に接続する。
図12に示されるように、一実施形態では、取出体100が、インサートメンバ131と係合するように構成される突起134を備える。図12に示されるように、一実施形態では、インサートメンバ131が基板ステージ26上に接着される。
図12に示されるように、一実施形態では、ファスナ132が取出体100をインサートメンバ131に結合する時に、インサートメンバ131が圧縮されるように、インサートメンバ131が切欠部133と共に構成される。基板Wの下方の取出体100の上部の高さを制御するために、インサートメンバ131の圧縮が制御されうる。特に、インサートメンバ131の圧縮を制御するために、ファスナ132によって提供される力が制御されうる。
図12は、ファスナ132およびインサートメンバ131の固形部(すなわち、切欠部133の間)を通る応力の力線135を示す。図12に示されるように、力線135がインサートメンバ131の比較的狭い部分を貫通するように、切欠部133が設けられてもよい。インサートメンバ131の狭い部分が比較的フレキシブルであれば、インサートメンバ131の圧縮制御が容易になる。これは、基板Wの下方の取出体100の高さの制御に役に立つ。特に、切欠部133の間のインサートメンバ131の狭い部分は、リーフスプリング(または、他の可撓部)として機能してもよい。
図12に示される高さ調整機構130は一例に過ぎない。他の例として、代替的な高さ調整機構130が図13に示される。図13に示されるように、一実施形態では、取出体100がリーフスプリング141を備える。リーフスプリング141は、取出体100の残りに固定される下部142を備える。リーフスプリング141は、取出体100と第1支持体21の間に延びる上部143を更に備える。一実施形態では、複数のこのようなリーフスプリング141が基板サポート20の周りに周方向に提供される。代替的な実施形態では、単一のリーフスプリング141が基板サポート20の周りに周方向に延びる。
図13に示されるように、一実施形態では、液体が基板Wの中央部および第1支持体21の間に到達することを防止するように上部143が構成されるように、高さ調整機構130が基板Wの下方の上部143の高さを制御するように構成される。一実施形態では、リーフスプリング141の微調整を可能にするために、セットスクリュー144が提供される。セットスクリュー144は、取出体100の下方に制御された距離だけ突出しうる。セットスクリュー144が取出体100の下部から更に突出すると、セットスクリュー144がリーフスプリング141を押し曲げ、リーフスプリング141の上部143の高さを下げる。図13に示されるように、一実施形態では、接続チャネル140を介して、第1取出チャネル102が第2取出チャネル113と接続されてもよい。
本体22に熱コンディショナ60が設けられる態様は特に限定されない。一実施形態では、熱コンディショナ60が、本体22の表面下に取り付けられる。例えば、一または複数のペルチェ素子および/またはヒータが、本体22および/または取出体100の下面に提供されてもよい。加えてまたは代えて、チャネル61、一または複数のペルチェ素子および/またはヒータ63が、本体22の下部の外周に提供されてもよい。代替的な実施形態では、熱コンディショナ60が本体22の上側に取り付けられる。外部チャネル61および/または一または複数のペルチェ素子および/またはヒータ63は取り付けられてもよい(例えば、本体22上に接着される)。一実施形態では、チャネル61、ヒータ63および/またはセンサ62が、基板ステージ26に設けられる。熱的調整機能の少なくとも一部は、基板ステージ26によって実行される。これは、本体22のデザインを簡素化する上で役に立つ。一実施形態では、基板ステージ26の一部としてバール91が提供される。本体22は、バール91を備えなくてもよい。本体22の下側は、実質的に平坦でもよい。一実施形態では、少なくとも一つのセンサ62が、基板ステージ26の各バール91に提供される。センサ62は、本体22の温度を測定するように構成される。センサ62は、本体22の近傍に位置する。一実施形態では、少なくとも一つのヒータ63が、本体22に対向する基板ステージ26の表面に提供される。一実施形態では、ヒータ63が各センサ62と対になっている。ヒータ63は、各センサ62の近傍に位置する。一実施形態では、ヒータ63が、対のセンサ62からの出力に基づいて制御される。
図5に示されるように、一実施形態では、本体22および第1支持体21の間の他の空間45を介して、クランプチャネル43が空間42との間で流体を流通させる。
図5に示されるように、一実施形態では、少なくとも一つの締結ボルト29によって、基板サポート20が基板ステージ26に対してロックされる。一実施形態では、基板サポート20が基板ステージ26から脱落することを防止する安全ロックとして機能するように、締結ボルト29が構成される。但し、バール91が、基板サポート20の基板ステージ26に対する滑りを防止する機能を実行する。
図5に示されるように、一実施形態では、基板Wを第1支持体21上に下ろすために、一または複数のピン28が使用されてもよい。ピン28は、ローディングおよびアンローディングのシーケンス中に第1支持体21上の基板Wの高さを制御するために、基板サポート20における各ピンホール121を貫通して基板Wを支持する。
図7に示されるように、一実施形態では、結合線64で互いに取り付けられる二つの部分で本体22が形成される。例えば、接着材料が使用されてもよい。
前述したように、基板保持部20の他の部分も交換することなく、第1支持体21は交換されうる。図示されたように、第1支持体21は、基板Wと概ね同様の形状を有する。一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板Wを駆動する、例えば、リソグラフィ装置の異なる部分の間で基板Wを駆動する、および/または、基板Wをリソグラフィ装置との間で搬入または搬出するために駆動するように構成される少なくとも一つのハンドリングツールを備える。一実施形態では、第1支持体21の移動を制御するために、同じハンドリングツールが使用されうる。
図14は、発明の実施形態に係る第1支持体21に結合されるキャリアプレート120の模式的な断面図である。キャリアプレート120は、第1支持体21に結合可能に構成される。キャリアプレート120は、第1支持体21から解放可能(取外し可能)に構成される。図14に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が第1支持体21に結合される時に、キャリアプレート120が第1支持体21におけるピンホール121を覆うように構成される。
前述したように、一実施形態では、複数のピン28が基板Wを支持し、基板サポート20上に基板Wを下ろすために制御されうる。図15は、ピン28によって支持されるキャリアプレート120および第1支持体21のアセンブリを示す。ピンホール121を覆うキャリアプレート120を提供することによって、第1支持体21が効果的にキャリアプレート120に結合されるため、ピン28はキャリアプレート120を介して効果的に第1支持体21を支持できる。発明の実施形態は、第1支持体21の交換を容易にすることが期待される。発明の実施形態は、リソグラフィ装置のダウンタイムを低減することが期待される。キャリアプレート120が提供されることは必須ではない。代替的な実施形態(より詳細に後述される)では、第1支持体21の移動を制御するためにピン28の代替物が提供される。
第1支持体21およびキャリアプレート120が互いに結合されるため、ピン28は基板サポート20の残りの上に第1支持体21を下ろすために制御されうる。第1支持体21が基板サポート20の残りの上に載置されると、キャリアプレート120は除去されうる。図16は、第1支持体21から取り外されるおよび除去されるキャリアプレート120を模式的に示す。一実施形態では、第1支持体21からキャリアプレート120を解放するために、開口44を通じて正圧が適用される。キャリアプレート120は、ピン28によって第1支持体21から持ち上げられうる。一実施形態では、キャリアプレート120が、基板Wをハンドルするために使用される同じハンドリングツールを使用して駆動されうる。
図14から図16に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が、複数の接続突起122を備える。接続突起122は、キャリアプレート120のベースプレート125から第1支持体21に向かって突出するように構成される。キャリアプレート120は、ベースプレート125および接続突起122を備える。ベースプレート125は平坦である。一実施形態では、ベースプレート125および接続突起122が同じ材料で形成される。キャリアプレート120を形成するために、ベースプレート125は接続突起122と一体的に形成される。図14に示されるように、一実施形態では、ベースプレート125が第1支持体21に近づける距離を接続突起122が制限する。図14に示されるように、一実施形態では、接続突起122が接触面123を有する。接触面123は、直接的にまたは接着材料を介して第1支持体21に接触するように構成される。
接続突起122を提供することによって、バール41の末端がキャリアプレート120に接触しない。キャリアプレート120は、第1支持体21の上側におけるバール41の末端がキャリアプレート120から隔離されている状態で、第1支持体21の上側における複数のバール41の間で第1支持体21によって支持される。発明の実施形態は、バール41の損耗を更に防止することが期待される。
図17は、発明の実施形態に係るキャリアプレート120の模式図である。図17に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120の第1支持体21に対向する表面が十分に平坦であり、キャリアプレート120が第1支持体21に結合される時に、第1支持体21の上側のバール41の末端でキャリアプレート120が支持される。図17に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が第1支持体21に近づける距離を接続突起122が制限しない。代わりに、バール41の末端がキャリアプレート120を支持する。バール41の末端は、直接的にまたは接着材料を介してベースプレート表面124に接触する。
図14および図15に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120の一部のみが第1支持体21に接触する。これは接着力を制限し、キャリアプレート120および第1支持体21の分離を容易にする。
図17および図19に示されるように、例えば、キャリアプレート120が複数のバール41の間の第1支持体21の表面に接触することは必須ではない。一実施形態では、接着力が制限されるように、複数のバール41の間の表面が粗い。複数のバール41の間の粗い表面に接触することを要求しないことによって、粗い表面が第1支持体21に結合されているキャリアプレート120に悪影響を及ぼさない。
図17に示される配置では、バール41の末端がキャリアプレート120に接触する。第1支持体21が交換される理由の一つは、バールが損耗しうるためである。第1支持体21の交換が必要な場合、バール41の末端は特に滑らかでもよい。バール41の末端は、特に第1支持体21を取り外すために、キャリアプレート120への好適な接着を可能にする。
キャリアプレート120が第1支持体21に結合される態様は特に限定されない。図18は、キャリアプレート120を第1支持体21に結合するための接着材料126の使用を模式的に示す。図18に示されるように、一実施形態では、第1支持体21と接続突起122の接触面123の間に接着材料126が提供される。加えてまたは代えて、複数のバール41の末端とベースプレート表面124の間に接着材料126は提供されうる。
接着材料126は、キャリアプレート120が第1支持体21に結合される時に、キャリアプレート120を第1支持体21に一時的に接着するためのものである。接着材料126は、特に限定されない。一実施形態では、接着材料(結合材料)126が接着材料を備える。代替的な実施形態では、接着材料126の代わりに液体(例えば、水)の層が提供される。キャリアプレート120と第1支持体21の結合状態を維持するために毛管圧が使用されうる。
図17に示される配置では、ベースプレート表面124の凹みに接着材料が適用されてもよい。接着材料を凹みに制限することによって、接着材料が他のコンポーネントに接触してしまう可能性が低減される。
図19に示されるように、加えてまたは代えて、圧力によってキャリアプレート120が第1支持体21にクランプされる。一実施形態では、キャリアプレート120が、少なくとも一つの内部チャネル127を備える。内部チャネル127は、第1開口128を、少なくとも一つの第2開口129に流通可能に接続するためのものである。第1開口128および第2開口129は、キャリアプレート120の表面にある。図19に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が第1支持体21に結合される時に、キャリアプレート120がピンホール121の一つを覆う位置に第1開口128がある。
第2開口129は、キャリアプレート120が第1支持体21の上側に対向する位置にある。一実施形態では、内部チャネル127を通って第2開口129から第1開口128に向かい、第1開口128を通じて流出するガス流を生成するために、第1開口128が負圧に接続されうる。これは、キャリアプレート120が第1支持体21に結合される時に、キャリアプレート120と第1支持体21の間の領域における圧力を低減しうる。キャリアプレート120と第1支持体21の間の圧力より高い包囲圧力の結果として、キャリアプレート120および第1支持体21が互いに保持されうる。
図19に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120を支持するピン28に対応する位置に第1開口128がある。一実施形態では、ピン28が、第1開口128を通じて内部チャネル127から流体を取り出すためのチャネルを備える。第2開口129の数は特に限定されない。内部チャネル127の数は特に限定されない。一実施形態では、第1開口128が、各ピンホール121について提供される。
一実施形態では、キャリアプレート120が、導電材料およびキャリアプレート120が第1支持体21に接続される時に導電材料を第1支持体21から電気的に絶縁するように構成される絶縁層を備える。導電材料は、第1支持体21に対する電位差を有しうる。キャリアプレート120と第1支持体21の間の静電引力は、キャリアプレート120を第1支持体21に結合する上で役に立ちうる。一実施形態では、絶縁層がキャリアプレート120を囲む薄い層として提供される。
図20から図22は、発明の実施形態に係る第1支持体21から解放されているキャリアプレート120の異なるステージを示す。図20に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が少なくとも一つの接続機構151を備える。接続機構151は、キャリアプレート120を第1支持体21に機械的にロックするように構成される。一実施形態では、接続機構151は、第1支持体21の各ピンホール121において、キャリアプレート120を第1支持体21にロックする。
図20に示されるように、一実施形態では、接続機構151がチャンバ153を備える。チャンバ153は、各ピン28を受けるように構成される。チャンバ153は、ピン28がキャリアプレート120を支持する時に、ピン28の接触端を受ける。一実施形態では、キャリアプレート120が第1支持体21から解放されうるように、チャンバ153内の圧力がチャンバ153外の大気圧より十分に低い場合にロックを解放するように接続機構151が構成される。キャリアプレート120は、ロックが解放されると第1支持体21から解放されうる。
図20に示されるように、一実施形態では、接続機構151が少なくとも一つのロック要素152を備える。ロック要素152は、ピンホール121を貫通し、キャリアプレート120のベースプレート125と反対側の第1支持体21の表面と係合するように構成される。ロック要素152の数は特に限定されない。一実施形態では、二つ、三つ、四つまたは四つより多いロック要素152が提供される。ロック要素152は、ピンホール121の周りに周方向に均一に分布していてもよい。一実施形態では、ロック要素152が、ピンホール121の内周面に沿って周方向に実質的に連続している。ロック要素152は、その一端において、キャリアプレート120のベースプレート125に固定的に接続されている。一実施形態では、ロック要素152がキャリアプレート120のベースプレート125と一体的に形成される。
一実施形態では、チャンバ153内の圧力を低減するために、チャンバ153が負圧に接続される。キャリアプレート120が第1支持体21から解放される時に、チャンバ153は負圧に接続される。前述したように、一実施形態では、ピン28の接触端の上方から流体を取り出すためのチャネルをピン28が備える。一実施形態では、ピン28におけるチャネルが、チャンバ153内の圧力を低減するために、チャンバ153から流体を取り出すように構成される。図20に示されるように、一実施形態では、ピン28のチャネルをチャンバ153に流通可能に接続するための複数の細孔154が提供される。細孔154の数および形状は特に限定されない。一実施形態では、細孔154を備えるメッシュが提供される。一実施形態では、メッシュが、キャリアプレート120のベースプレート125と一体的に形成される。一実施形態では、ピン28がキャリアプレート120を支持している時に、ピン28内のチャネルがチャンバ153と流通可能に接続されるように、ピン28の接触端がピン28の長さ方向に完全には直交しない。
図21は、チャンバ153内の圧力が低減される処理ステップを示す。チャンバ153内の圧力が下がる結果、ロック要素152がピン28に向かって内側に曲がる。このため、キャリアプレート120のベースプレート125と反対側の第1支持体21の表面とロック要素152の係合が解除される。ロック要素152と第1支持体21の係合が解除されると、キャリアプレート120はもはや第1支持体21にロックされない。図22に示されるように、キャリアプレート120は第1支持体21から解放されうる。
図23から図25は、発明の実施形態に係る代替的な接続機構151を模式的に示す。図23に示されるように、一実施形態では、チャンバ153がハウジング157によって定められる。一実施形態では、第1支持体21と反対側のキャリアプレート120の表面から、ハウジング157の一部が突出している。一実施形態では、ハウジング157が、ベースプレート125と別のコンポーネントとして形成され、後にベースプレート125に接続される。発明の実施形態は、キャリアプレート120の製造を容易にすることが期待される。ベースプレート125のデザインは、よりシンプルになる。
一実施形態では、ハウジング157のために使用される材料が、キャリアプレート120のベースプレート125のために使用される材料と異なる。図23に示されるように、一実施形態では、ロック要素152が、チャンバ153を定めるハウジング157と一体的に形成される。
図23に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が、アンロックチャネル部155を備える。アンロックチャネル部155は、流体がキャリアプレート120を第1支持体21からアンロックするために流通可能なアンロックチャネルを定める。図23に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が、ハウジング157をアンロックチャネル部155に接続するように構成される弾性メンバ156を備える。一実施形態では、アンロックチャネル部155が、キャリアプレート120のベースプレート125の一部である。
図24に示されるように、一実施形態では、ピン28内のチャネルがアンロックチャネル部155内のアンロックチャネルに接続される。これは、チャンバ153内の圧力が低減されることを可能にする。チャンバ153内の圧力が低減されると、ハウジング157が、キャリアプレート120のベースプレート125に対して下方に引っ張られる。図24に示されるように、一実施形態では、ベースプレート125に対するハウジング157の下方への移動がロック要素152を曲げるように、ハウジング157がベースプレート125の表面に対して傾斜した部分を備える。ロック要素152が曲がると、ロック要素152と第1支持体21の係合が解除される。ロック要素152と第1支持体21の係合が解除されると、キャリアプレート120が第1支持体21からアンロックされる。チャンバ153内の圧力が低減されると、弾性メンバ156は圧縮されうる。そうでない場合、図23に示されるように、弾性メンバ156は、キャリアプレート120のベースプレート125に対するハウジング157の高い位置を維持する。図25に示されるように、キャリアプレート120がアンロックされると、キャリアプレート120は第1支持体21から解放されうる。
キャリアプレート120が提供されることは必須ではない。図26は、発明の実施形態に係る第1支持体21の模式的な平面図である。図26に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート120が提供されない。この結果、各ピンホール121を通ってピン28が自由に延びられる。一実施形態では、ピン28が、基板サポート20の本体22上に第1支持体21を下ろすために使用されない。一実施形態では、基板Wを下ろすために使用されるピン28と異なる位置に、ピン160の追加的な組が提供される。ピン160の上部の輪郭が図26に示されている。一実施形態では、第1支持体21より低い基板サポート20の部分に、ピン160を通すためのピンホールの更なる組が提供される。例えば、このような更なるピンホールの組は、本体22に提供される。ピン160は、本体22における更なるピンホールの組を貫通し、第1支持体21の下面を支持する。一方、基板Wを支持するためのピン28は、本体22および第1支持体21の両方を貫通するピンホール121を貫通する。
代替的な実施形態では、基板Wを下ろすために使用されるピン28が、第1支持体21が本体22上のターゲット位置と異なる回転位置にある時に、第1支持体21を支持する。第1支持体21は、ピン28によって支持され、その回転方向において本体22上に下ろされうる。第1支持体21を通るピンホール121がピン28と整列しないため、キャリアプレート120は必須ではない。これは、第1支持体21が、その最終ターゲット位置に対して回転しているためである。第1支持体21が本体22によって支持されると、本体22上のターゲット回転位置に到達するように第1支持体21が回転される。第1支持体21が本体22上のターゲット位置に来ると、第1支持体21の上方の基板Wを支持するためにピン28がピンホール121を貫通できるように、ピンホール121が第1支持体21と本体22の間に整列する。一実施形態では、第1支持体21を本体22上で回転させる回転ツールが提供される。本体22によって支持された第1支持体21を回転させることによって、キャリアプレート120を提供する必要がなく、ピン160の別の組を提供する必要がない。
図27は、発明の実施形態に係る第1支持体21の模式的な平面図である。図27に示されるように、第1支持体21は、ハンドリングのために把持されている。図27に示されるように、一実施形態では、第1支持体21を把持するために複数のエッジグリッパ161が提供される。エッジグリッパ161は、第1支持体21の外縁を把持するように構成される。一実施形態では、エッジグリッパ161が、第1支持体21のハンドリングのためのハンドリングツールとは別のハンドリングツールに構成される。別のハンドリングツールを提供することによって、第1支持体21を下ろすためのピン28を使用する必要がなく、キャリアプレート120を提供する必要がない。
図28は、発明の実施形態に係る第1支持体21の模式的な平面図である。図28に示されるように、第1支持体21は、ハンドリングのために把持されている。図28に示されるように、一実施形態では、第1支持体21の上部を把持するために、上部グリッパ162が提供される。上部グリッパ162を提供することによって、キャリアプレート120または支持体21のハンドリングのためのピン160の異なる組を提供する必要がない。一実施形態では、上部グリッパ162が、第1支持体21のハンドリングのためのハンドリングツールと別のハンドリングツールに構成される。別のハンドリングツールは、基板Wを第1支持体21上に下ろすために使用されるピン28から分離されている。
図において例示された異なる実施形態において示された特徴は、互換性を欠くことが明らかでない限り互いに組み合わされうる。単なる一例として、第1支持体21の下側にバール47を提供する特徴(図8に示される)が、図5、9、10または11に示される配置に適用されてもよい。特に、図9に示される配置は、本体22の上側にあるバール65を、第1支持体21の下側に提供されるバール47で置換することによって変更されうる。図に示される特徴の他の組合せも、同様に可能である。
Claims (15)
- 基板を支持するように構成される第1支持体と、
第1支持体から分離され、第1支持体を支持するように構成される本体であって、本体、第1支持体および/または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、
本体および第1支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第1取出チャネルを備える取出体と、
を備える、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポート。 - 本体から分離され、基板ステージ上で本体を支持するように構成される第2支持体であって、基板サポートと基板ステージの間の相対移動を低減するように構成される第2支持体を備える、請求項1に記載の基板サポート。
- 本体は、その上側に、第1支持体を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
または、
第1支持体は、その下側に、本体の上側に接触するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備える、
請求項1または2に記載の基板サポート。 - 取出体は、第1取出チャネルの径方向の内側から流体を取り出すように構成される第2取出チャネルであって、基板の周縁部の下方から流体を取り出すように構成され、液体が基板の中央部と第1支持体の間の空間に到達することを防止し、開いたギャップによって第1取出チャネルから隔離される第2取出チャネルを備える、請求項1から3のいずれかに記載の基板サポート。
- 開いたギャップまたは流路が、取出体、本体、第1支持体の間に形成され、または、取出体が本体と一体的に形成される、請求項1から4のいずれかに記載の基板サポート。
- 開いたギャップまたは流路が、大気圧または圧力源との間で流体を流通させ、および/または、本体が取出体の下方に延び、取出体の下側が本体に結合され、取出体と本体の間に接着層が提供される、請求項5に記載の基板サポート。
- 熱コンディショナが本体の表面下に取り付けられ、および/または、第1支持体上に基板を下ろすための各ピンが貫通できるように構成されるピンホールが、第1支持体の厚さ方向に第1支持体を貫通する、請求項1から6のいずれかに記載の基板サポート。
- 第1支持体に対して結合可能および解放可能に構成され、第1支持体に結合されている時にピンホールを覆うように構成されるキャリアプレートを備える、請求項7に記載の基板サポート。
- 第1支持体は、その上側に、基板を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
キャリアプレートは、第1支持体の上側のバールの末端がキャリアプレートから隔離されながら、キャリアプレートが第1支持体の上側のバールの間で第1支持体によって支持されるように構成される接続突起を備える、
または、
第1支持体は、その上側に、基板を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
キャリアプレートは、第1支持体に対向する表面が十分に平坦であり、キャリアプレートが第1支持体に結合される時に、第1支持体の上側のバールの末端がキャリアプレートを支持する、
請求項8に記載の基板サポート。 - キャリアプレートが第1支持体に結合される時に、キャリアプレートを第1支持体に一時的に接着するための接着材料を備える、および/または、キャリアプレートが第1開口を少なくとも一つの第2開口に流通可能に接続するための少なくとも一つの内部チャネルを備え、キャリアプレートが第1支持体に結合される時にキャリアプレートがピンホールの一つを覆う位置に第1開口があり、キャリアプレートが第1支持体の上側に対向する位置に第2開口がある、および/または、キャリアプレートが導電材料およびキャリアプレートが第1支持体に結合される時に導電材料を第1支持体から電気的に絶縁するように構成される絶縁層を備える、および/または、キャリアプレートが第1支持体の各ピンホールにキャリアプレートを機械的にロックするように構成される少なくとも一つの接続機構を備える、請求項8または9に記載の基板サポート。
- 接続機構は、各ピンを受けるように構成されるチャンバを備え、接続機構は、チャンバ内の圧力がチャンバ外の大気圧より十分に低く、キャリアプレートが第1支持体から解放されうる時に、ロックを解放するように構成される、請求項10に記載の基板サポート。
- 基板ステージと、
取出体の下側が基板ステージに取り付けられる請求項5または6に記載の基板サポートと、
を備える基板テーブル。 - 液体が基板の中央部と第1支持体の間に到達することを防止するように取出体が構成されるように、基板の下方の取出体の少なくとも一部の高さを制御するように構成される高さ調整機構を備える、請求項12に記載の基板テーブル。
- 高さ調整機構は、取出体の下側と基板ステージの間のインサートメンバと、取出体をインサートメンバに結合するように構成されるファスナと、を備え、
インサートメンバは、基板の下方の取出体の高さを制御するためにファスナが取出体をインサートメンバに結合する時に、インサートメンバが圧縮されるように切欠部と共に構成される、
または、
取出体は、取出体の残りに固定される下部と、取出体と第1支持体の間に延びる上部と、を備えるリーフスプリングを備え、
高さ調整機構は、液体が基板の中央部と第1支持体の間に到達することを防止するように上部が構成されるように、基板の下方の上部の高さを制御するように構成される、
請求項13に記載の基板テーブル。 - 基板ステージと、
取出体が基板ステージに設けられる請求項1から4のいずれかに記載の基板サポートと、
を備える基板テーブル。
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