JPH08222990A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPH08222990A JPH08222990A JP7021598A JP2159895A JPH08222990A JP H08222990 A JPH08222990 A JP H08222990A JP 7021598 A JP7021598 A JP 7021598A JP 2159895 A JP2159895 A JP 2159895A JP H08222990 A JPH08222990 A JP H08222990A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02582—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of diamond substrates
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波素子の高周波化および省電力化・
小形化のために、表面弾性波の伝搬速度Ｖ、電気機械結
合係数（Ｋ2 ）、及び遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を共
に改良する。 【構成】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配置さ
れた多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ
3 層上に配置されたＳｉＯ2 層と櫛型電極を少なくとも
含み且つｎ次モードの表面弾性波（ｎ＝０，１，２：波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって，前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、且つ前記Ｓ
ｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２
π（ｔ1 ／λ）、及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が一定
の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。
小形化のために、表面弾性波の伝搬速度Ｖ、電気機械結
合係数（Ｋ2 ）、及び遅延時間温度係数（ＴＣＤ）を共
に改良する。 【構成】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配置さ
れた多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ
3 層上に配置されたＳｉＯ2 層と櫛型電極を少なくとも
含み且つｎ次モードの表面弾性波（ｎ＝０，１，２：波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって，前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、且つ前記Ｓ
ｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２
π（ｔ1 ／λ）、及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が一定
の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波の伝搬速度
（Ｖ）、電気機械結合係数（Ｋ2 ）及び遅延時間温度係
数（ＴＣＤ）を共に改良した表面弾性波素子に関する。
（Ｖ）、電気機械結合係数（Ｋ2 ）及び遅延時間温度係
数（ＴＣＤ）を共に改良した表面弾性波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体表面を伝播する表面弾性波（以下
「ＳＡＷ」という）を利用する素子である表面弾性波素
子は、エレクトロメカニカル機能部品に共通した次の特
徴を有する。
「ＳＡＷ」という）を利用する素子である表面弾性波素
子は、エレクトロメカニカル機能部品に共通した次の特
徴を有する。
【０００３】小型かつ軽量である。
【０００４】耐振性、耐衝撃性に優れている。
【０００５】製品のバラツキが少ないため、信頼性が
高い。
高い。
【０００６】回路の無調整化が図れるため、実装の自
動化、簡略化が容易である。
動化、簡略化が容易である。
【０００７】上記したエレクトロメカニカル機能部品に
共通の特徴に加え、表面弾性波素子は更に、温度安定性
に優れ、寿命が長く、位相特性に優れる等の種々の特徴
を有しているため、周波数フィルタ、共振器、遅延デバ
イス、信号処理素子、コンボルバ（convolver ）、オプ
トエレクトロニクス用機能素子等として広く好適に利用
可能である。
共通の特徴に加え、表面弾性波素子は更に、温度安定性
に優れ、寿命が長く、位相特性に優れる等の種々の特徴
を有しているため、周波数フィルタ、共振器、遅延デバ
イス、信号処理素子、コンボルバ（convolver ）、オプ
トエレクトロニクス用機能素子等として広く好適に利用
可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年における衛星通信
や移動体通信等を始めとする通信の分野におけるマルチ
チャンネル化・高周波化に伴い、上記した表面弾性波素
子の分野においても、より高周波域（例えば、ＧＨｚ
帯）で使用可能な素子の開発が要請されている。
や移動体通信等を始めとする通信の分野におけるマルチ
チャンネル化・高周波化に伴い、上記した表面弾性波素
子の分野においても、より高周波域（例えば、ＧＨｚ
帯）で使用可能な素子の開発が要請されている。
【０００９】一般に、表面弾性波素子の動作周波数ｆ
は、ｆ＝Ｖ／λ（ＶはＳＡＷの伝搬速度、λはＳＡＷの
波長）で決定される。波長λは、後述するように櫛型電
極の周期に依存するが、フォトリソグラフィー等の微細
加工技術における限界から、該素子において利用すべき
ＳＡＷの波長λを極端に小さくすることは困難である。
したがって、表面弾性波素子の高周波化のためには、Ｓ
ＡＷの伝搬速度Ｖを大きくすることが好ましいこととな
る。
は、ｆ＝Ｖ／λ（ＶはＳＡＷの伝搬速度、λはＳＡＷの
波長）で決定される。波長λは、後述するように櫛型電
極の周期に依存するが、フォトリソグラフィー等の微細
加工技術における限界から、該素子において利用すべき
ＳＡＷの波長λを極端に小さくすることは困難である。
したがって、表面弾性波素子の高周波化のためには、Ｓ
ＡＷの伝搬速度Ｖを大きくすることが好ましいこととな
る。
【００１０】また、上記した衛星通信や移動体通信を始
めとするの通信の分野等においては、主に表面弾性波素
子の実装上の観点からデバイス全体のより一層の省電力
化・小型化が求められ、したがって、上記した高周波化
と併せて、電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換
する際の変換効率の指標たる電気機械結合係数（Ｋ2）
の改善が求められている。
めとするの通信の分野等においては、主に表面弾性波素
子の実装上の観点からデバイス全体のより一層の省電力
化・小型化が求められ、したがって、上記した高周波化
と併せて、電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換
する際の変換効率の指標たる電気機械結合係数（Ｋ2）
の改善が求められている。
【００１１】さらに、表面波の速度あるいは遅延時間が
温度に依存することは、目的に合致するデバイスを設計
する際に特に注意を要する要素である。このため遅延時
間温度係数は表面波材料としての評価上重要なパラメ−
タ−とみなされている。従来のＬｉＮｂＯ3 ，水晶など
はどちらかの特性の問題を含んでおり、このための検討
がすすめられてきた。
温度に依存することは、目的に合致するデバイスを設計
する際に特に注意を要する要素である。このため遅延時
間温度係数は表面波材料としての評価上重要なパラメ−
タ−とみなされている。従来のＬｉＮｂＯ3 ，水晶など
はどちらかの特性の問題を含んでおり、このための検討
がすすめられてきた。
【００１２】したがって、近年において広く好適に利用
されるべき表面弾性波素子においては、特に、該素子が
利用すべきＳＡＷの伝搬速度Ｖを増大（例えば、Ｖ≧７
０００ｍ／ｓ）させるのみならず、電気機械結合係数
（Ｋ2 ）をも増大（例えば、Ｋ2 ≧２％）させ、さらに
素子周波数の温度に対する安定性をも増大（例えばＴＣ
Ｄ≦±１０ｐｐｍ／℃）させることが、強く要請されて
いる。
されるべき表面弾性波素子においては、特に、該素子が
利用すべきＳＡＷの伝搬速度Ｖを増大（例えば、Ｖ≧７
０００ｍ／ｓ）させるのみならず、電気機械結合係数
（Ｋ2 ）をも増大（例えば、Ｋ2 ≧２％）させ、さらに
素子周波数の温度に対する安定性をも増大（例えばＴＣ
Ｄ≦±１０ｐｐｍ／℃）させることが、強く要請されて
いる。
【００１３】表面弾性波素子として、ダイヤモンド上に
ＬｉＮｂＯ3 層を配置した積層構造が知られている（特
開平６−２１０１１３、特開平６−１１５５３８）。す
なわち、ＬｉＮｂＯ3 ／ダイヤモンド層構成で櫛型電極
を配置した構造を有する表面弾性波素子においては、多
結晶Ｃ軸配向性の層とした上記ＬｉＮｂＯ3 と、特定の
範囲にコントロールしたｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ0 ）な
るパラメータ（λ：利用すべきＳＡＷの波長（μｍ）、
ｔ1 ：ＬｉＮｂＯ3 層の厚さ（μｍ））とを組合せるこ
とで上記Ｖ及びＫ2 が改善されることがを見出されてい
る。またさらに、ＴＣＤを小さくする目的で上記ＬｉＮ
ｂＯ3 ／ダイヤモンド層構成にさらにＳｉＯ2 を配置し
たものも開発されている（特開平６−１１５５３８）。
ＬｉＮｂＯ3 層を配置した積層構造が知られている（特
開平６−２１０１１３、特開平６−１１５５３８）。す
なわち、ＬｉＮｂＯ3 ／ダイヤモンド層構成で櫛型電極
を配置した構造を有する表面弾性波素子においては、多
結晶Ｃ軸配向性の層とした上記ＬｉＮｂＯ3 と、特定の
範囲にコントロールしたｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ0 ）な
るパラメータ（λ：利用すべきＳＡＷの波長（μｍ）、
ｔ1 ：ＬｉＮｂＯ3 層の厚さ（μｍ））とを組合せるこ
とで上記Ｖ及びＫ2 が改善されることがを見出されてい
る。またさらに、ＴＣＤを小さくする目的で上記ＬｉＮ
ｂＯ3 ／ダイヤモンド層構成にさらにＳｉＯ2 を配置し
たものも開発されている（特開平６−１１５５３８）。
【００１４】したがって本発明の目的は、上記に述べた
ようにＳＡＷの伝搬速度Ｖ及び電気機械結合係数
（Ｋ2 ）を増大させ、さらに素子周波数の温度に対する
安定性（ＴＣＤ）をも増大させる表面弾性波素子を提供
することにある。
ようにＳＡＷの伝搬速度Ｖ及び電気機械結合係数
（Ｋ2 ）を増大させ、さらに素子周波数の温度に対する
安定性（ＴＣＤ）をも増大させる表面弾性波素子を提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、ダイヤモンド／ＬｉＮｂＯ3 ／ＳｉＯ2 層構成で
櫛型電極を配置した構造を有する表面弾性波素子におい
ては、多結晶Ｃ軸配向性の層とした上記ＬｉＮｂＯ
3 と、特定の範囲にコントロールしたｋｈ1 ＝２π（ｔ
1 ／λ0 ）及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）なるパラメー
タ（λ：利用すべきＳＡＷの波長（μｍ）、ｔ1 ：Ｌｉ
ＮｂＯ3 層の厚さ（μｍ）、ｔ2 ：ＳｉＯ2層の厚さ
（μｍ））とを組合せることが、上記目的の達成に極め
て効果的であることを見出した。
結果、ダイヤモンド／ＬｉＮｂＯ3 ／ＳｉＯ2 層構成で
櫛型電極を配置した構造を有する表面弾性波素子におい
ては、多結晶Ｃ軸配向性の層とした上記ＬｉＮｂＯ
3 と、特定の範囲にコントロールしたｋｈ1 ＝２π（ｔ
1 ／λ0 ）及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）なるパラメー
タ（λ：利用すべきＳＡＷの波長（μｍ）、ｔ1 ：Ｌｉ
ＮｂＯ3 層の厚さ（μｍ）、ｔ2 ：ＳｉＯ2層の厚さ
（μｍ））とを組合せることが、上記目的の達成に極め
て効果的であることを見出した。
【００１６】本発明の表面弾性波素子は上記知見に基づ
くものである。
くものである。
【００１７】より詳しくは、ダイヤモンドと、該ダイヤ
モンド上に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3
層と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該
櫛形電極上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、
０、１、２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利
用する表面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の
厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／
λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記Ｓ
ｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２
π（ｔ2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にある
ことを特徴とするものである（図４、電極配置Ａ）。
モンド上に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3
層と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該
櫛形電極上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、
０、１、２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利
用する表面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の
厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／
λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記Ｓ
ｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２
π（ｔ2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にある
ことを特徴とするものである（図４、電極配置Ａ）。
【００１８】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極情
に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該
ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極
上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．３≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図５、電極配置Ｂ）。
ヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極情
に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該
ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極
上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．３≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図５、電極配置Ｂ）。
【００１９】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ
3 層と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、
該櫛形電極上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層
上に配置された短絡用電極を少なくとも含み、１、２次
モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾
性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図６、電極配置Ｃ）。
ヤモンド上に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ
3 層と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、
該櫛形電極上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層
上に配置された短絡用電極を少なくとも含み、１、２次
モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾
性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図６、電極配置Ｃ）。
【００２０】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極情
に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該
ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極
上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置さ
れた短絡用電極を少なくとも含み、１、２次モードの表
面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子で
あって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし
た際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1
≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを特徴とする
ものである（図７、電極配置Ｄ）。
ヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極情
に配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該
ＬｉＮｂＯ3 層上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極
上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置さ
れた短絡用電極を少なくとも含み、１、２次モードの表
面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子で
あって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし
た際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1
≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを特徴とする
ものである（図７、電極配置Ｄ）。
【００２１】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含
み、０、１、２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）
を利用する表面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3
層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ
1 ／λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前
記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2
＝２π（ｔ2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲に
あることを特徴とするものである（図８、電極配置
Ｅ）。
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含
み、０、１、２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）
を利用する表面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3
層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ
1 ／λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前
記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2
＝２π（ｔ2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲に
あることを特徴とするものである（図８、電極配置
Ｅ）。
【００２２】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極
情に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図９、電極配置Ｆ）。
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極
情に配置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図９、電極配置Ｆ）。
【００２３】さらに本発明は、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層
上に配置された短絡用電極を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図１０、電極配置Ｇ）。
ヤモンド上に配置された櫛形電極と、該櫛形電極上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層
上に配置された短絡用電極を少なくとも含み、０、１、
２次モードの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ
1 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が
０．２５≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲にあり、前記ＳｉＯ2
層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．８の範囲にあることを
特徴とするものである（図１０、電極配置Ｇ）。
【００２４】
【作用】本発明によれば、ダイヤモンド、ＬｉＮｂＯ3
及びＳｉＯ2 を用い、実際の素子作製という試行錯誤の
煩雑さを低減しつつ、好適な特性を有する表面弾性波素
子を得ることができる。
及びＳｉＯ2 を用い、実際の素子作製という試行錯誤の
煩雑さを低減しつつ、好適な特性を有する表面弾性波素
子を得ることができる。
【００２５】より具体的には、上記電極配置Ａにより、
０次モ−ドの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２
５≦ｋｈ1 ≦０．３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ
2 ≦０．４５の範囲の上記表面弾性波素子が提供され
る。この構成によれば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓ
のＳＡＷ伝搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合
係数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する
表面弾性波素子を形成することができる。
０次モ−ドの表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表
面弾性波素子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２
５≦ｋｈ1 ≦０．３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ
2 ≦０．４５の範囲の上記表面弾性波素子が提供され
る。この構成によれば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓ
のＳＡＷ伝搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合
係数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する
表面弾性波素子を形成することができる。
【００２６】また上記電極配置Ａにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．７≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．７≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００２７】また上記電極配置Ａにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００２８】さらに上記電極配置Ａにより、１次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．５≦Ｋ2 ≦１０％の電気機械結合係数，−
１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性
波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．５≦Ｋ2 ≦１０％の電気機械結合係数，−
１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性
波素子を形成することができる。
【００２９】また上記電極配置Ａにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．８≦Ｋ2 ≦１０．５％の電気機械結合係
数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表
面弾性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．８≦Ｋ2 ≦１０．５％の電気機械結合係
数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表
面弾性波素子を形成することができる。
【００３０】また上記電極配置Ａにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．５≦Ｋ2 ≦９．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、８．５≦Ｋ2 ≦９．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００３１】また上記電極配置Ａにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
８≦Ｋ2 ≦８．５％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
８≦Ｋ2 ≦８．５％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
【００３２】さらに上記電極配置Ａにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２≦Ｋ2 ≦４％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２≦Ｋ2 ≦４％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００３３】上記電極配置Ｂにより、１次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲
の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．６≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲
の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．６≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００３４】また上記電極配置Ｂにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．５≦Ｋ2 ≦２．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．５≦Ｋ2 ≦２．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００３５】また上記電極配置Ｂにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．８≦Ｋ2 ≦２．９％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．８≦Ｋ2 ≦２．９％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００３６】また上記電極配置Ｂにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
３．３≦Ｋ2 ≦３．５％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
３．３≦Ｋ2 ≦３．５％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００３７】さらに上記電極配置Ｂにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．４≦Ｋ2 ≦１．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．４≦Ｋ2 ≦１．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００３８】上記電極配置Ｃにより、０次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
【００３９】また上記電極配置Ｃにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００４０】また上記電極配置Ｃにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．７≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．７≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００４１】さらに上記電極配置Ｃにより、１次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．５≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．５≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００４２】また上記電極配置Ａにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．８≦Ｋ2 ≦８．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．８≦Ｋ2 ≦８．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００４３】また上記電極配置Ｃにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．８≦Ｋ2 ≦８．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．８≦Ｋ2 ≦８．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００４４】また上記電極配置Ｃにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
７．５≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
７．５≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
【００４５】さらに上記電極配置Ｃにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．７≦Ｋ2 ≦３．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．７≦Ｋ2 ≦３．３％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００４６】上記電極配置Ｄにより、１次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲
の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．４≦Ｋ2 ≦１．６％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲
の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．４≦Ｋ2 ≦１．６％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００４７】また上記電極配置Ｄにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．≦Ｋ2 ≦２．２％の電気機械結合係数，−
１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性
波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、２．≦Ｋ2 ≦２．２％の電気機械結合係数，−
１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性
波素子を形成することができる。
【００４８】また上記電極配置Ｄにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．７≦Ｋ2 ≦１．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．７≦Ｋ2 ≦１．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００４９】また上記電極配置Ｄにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
３．２≦Ｋ2 ≦３．３％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
３．２≦Ｋ2 ≦３．３％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００５０】さらに上記電極配置Ｄにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１．４％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１．４％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００５１】上記電極配置Ｅにより、０次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１．３％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１．３％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００５２】また上記電極配置Ｅにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００５３】また上記電極配置Ｅにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．５≦Ｋ2 ≦１．８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．５≦Ｋ2 ≦１．８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００５４】さらに上記電極配置Ｅにより、１次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．５≦Ｋ2 ≦９．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７．５≦Ｋ2 ≦９．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００５５】また上記電極配置Ｅにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７≦Ｋ2 ≦９％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、７≦Ｋ2 ≦９％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００５６】また上記電極配置Ｅにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６．２≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６．２≦Ｋ2 ≦８％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００５７】また上記電極配置Ｅにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
６≦Ｋ2 ≦６．３％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
６≦Ｋ2 ≦６．３％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
【００５８】さらに上記電極配置Ｅにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．５≦Ｋ2 ≦３．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．５≦Ｋ2 ≦３．５％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００５９】上記電極配置Ｆにより、０次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１％の電気機械結合係数，−１０≦ＴＣ
Ｄ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子を形
成することができる。
【００６０】また上記電極配置Ｆにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．２≦Ｋ2 ≦１．３％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．２≦Ｋ2 ≦１．３％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００６１】さらに上記電極配置Ｆにより、１次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦０．７％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦０．７％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００６２】また上記電極配置Ｆにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．４≦Ｋ2 ≦０．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．４≦Ｋ2 ≦０．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００６３】また上記電極配置Ｆにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．６≦Ｋ2 ≦０．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．６≦Ｋ2 ≦０．８％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００６４】また上記電極配置Ｆにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つｋｈ2 ＝０．７〜０．８の
時。この構成によれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓ
のＳＡＷ伝搬速度、Ｋ2 ＝１．２５％の電気機械結合係
数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表
面弾性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つｋｈ2 ＝０．７〜０．８の
時。この構成によれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓ
のＳＡＷ伝搬速度、Ｋ2 ＝１．２５％の電気機械結合係
数，−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表
面弾性波素子を形成することができる。
【００６５】さらに上記電極配置Ｆにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、０．３≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００６６】上記電極配置Ｇにより、０次モ−ドの表面
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．２５≦ｋｈ1 ≦０．
３５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８３００≦Ｖ≦９５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
０．３≦Ｋ2 ≦１．２％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００６７】また上記電極配置Ｇにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．５≦Ｋ2 ≦１．５％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、０．５≦Ｋ2 ≦１．５％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００６８】また上記電極配置Ｇにより、０次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．３≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．２≦ｋｈ2 ≦０．４７
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、７８００≦Ｖ≦８５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速
度、１．３≦Ｋ2 ≦１．７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００６９】さらに上記電極配置Ｇにより、１次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６．２≦Ｋ2 ≦７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ1
≦０．４５の範囲にあり、且つ０．３≦ｋｈ2 ≦０．５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１０００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６．２≦Ｋ2 ≦７％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００７０】また上記電極配置Ｇにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６≦Ｋ2 ≦７．２％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．４５≦ｋｈ1 ≦
０．５５の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．６
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１００００≦Ｖ≦１１２００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、６≦Ｋ2 ≦７．２％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００７１】また上記電極配置Ｇにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、５．６≦Ｋ2 ≦６．６％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．５５≦ｋｈ1 ≦
０．６５の範囲にあり、且つ０．４７≦ｋｈ2 ≦０．７
３の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成
によれば、９０００≦Ｖ≦１００００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、５．６≦Ｋ2 ≦６．６％の電気機械結合係数，
−１０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾
性波素子を形成することができる。
【００７２】また上記電極配置Ｇにより、１次モ−ドの
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
５．６≦Ｋ2 ≦５．８％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子
であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．６５≦ｋｈ1 ≦
０．８の範囲にあり、且つ０．７≦ｋｈ2 ≦０．８の範
囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、８０００≦Ｖ≦９０００ｍ／ｓのＳＡＷ伝搬速度、
５．６≦Ｋ2 ≦５．８％の電気機械結合係数，−１０≦
ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波素子
を形成することができる。
【００７３】さらに上記電極配置Ｇにより、２次モ−ド
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．５≦Ｋ2 ≦３％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって、上記ｋｈ1 及びｋｈ2 が０．８≦ｋｈ1 ≦
１．０の範囲にあり、且つ０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５
の範囲の上記表面弾性波素子が提供される。この構成に
よれば、１１２００≦Ｖ≦１２５００ｍ／ｓのＳＡＷ伝
搬速度、１．５≦Ｋ2 ≦３％の電気機械結合係数，−１
０≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ／℃の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
【００７４】以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本
発明を詳細に説明する。
発明を詳細に説明する。
【００７５】（ＳＡＷのモード）ダイヤモンド上にＬｉ
ＮｂＯ3 層及び該ＬｉＮｂＯ3 層上にＳｉＯ2 層を配置
した構成を有する表面弾性波素子において、櫛型電極を
用いてＳＡＷを励振させた場合、伝搬速度Ｖが異なる複
数のＳＡＷ（伝搬速度Ｖの小さい方から、０次モード、
１次モード、２次モード、・・・とする）が励起され
る。
ＮｂＯ3 層及び該ＬｉＮｂＯ3 層上にＳｉＯ2 層を配置
した構成を有する表面弾性波素子において、櫛型電極を
用いてＳＡＷを励振させた場合、伝搬速度Ｖが異なる複
数のＳＡＷ（伝搬速度Ｖの小さい方から、０次モード、
１次モード、２次モード、・・・とする）が励起され
る。
【００７６】したがって、表面弾性波素子が利用してい
るＳＡＷのモードは、該素子の動作周波数におけるＳＡ
Ｗの伝搬速度Ｖを測定することにより決定することがで
きる。
るＳＡＷのモードは、該素子の動作周波数におけるＳＡ
Ｗの伝搬速度Ｖを測定することにより決定することがで
きる。
【００７７】この伝搬速度Ｖは、例えば、Ｖ＝ｆλ（ｆ
は中心周波数；λは櫛型電極の電極幅に基づく波長）の
関係から求めることが可能である。表面弾性波素子を構
成する櫛型電極が、図１に平面形状を示すようなシング
ル電極（電極幅ｄ）の場合、λ＝４ｄであり、図２に平
面形状を示すようなダブル電極（電極幅ｄ）の場合、λ
＝８ｄである。
は中心周波数；λは櫛型電極の電極幅に基づく波長）の
関係から求めることが可能である。表面弾性波素子を構
成する櫛型電極が、図１に平面形状を示すようなシング
ル電極（電極幅ｄ）の場合、λ＝４ｄであり、図２に平
面形状を示すようなダブル電極（電極幅ｄ）の場合、λ
＝８ｄである。
【００７８】（層構成）本発明の表面弾性波素子の層構
成１を示す模式断面図である図３（Ａ）を参照して、こ
の態様における表面弾性波素子は、ダイヤモンドと、該
ダイヤモンド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層に接触して配置された櫛型電極（図示ぜず）
と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層を少な
くとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０、１または２）の
ＳＡＷ（波長：λn μｍ）を利用しているが、該ＬｉＮ
ｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、及び該ＳｉＯ2 層
の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1
／λn ）且つｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λn ）が特定の範囲
内にある。
成１を示す模式断面図である図３（Ａ）を参照して、こ
の態様における表面弾性波素子は、ダイヤモンドと、該
ダイヤモンド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層に接触して配置された櫛型電極（図示ぜず）
と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉＯ2 層を少な
くとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０、１または２）の
ＳＡＷ（波長：λn μｍ）を利用しているが、該ＬｉＮ
ｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、及び該ＳｉＯ2 層
の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1
／λn ）且つｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λn ）が特定の範囲
内にある。
【００７９】また、上記ダイヤモンドが、他の基材上に
設けられたダイヤモンド層を構成している本発明の態様
（図３（Ｂ）の態様、層構成２）における表面弾性波素
子は、例えば単結晶シリコン上に配置されたダイヤモン
ドと、該ダイヤモンド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層
と、該ＬｉＮｂＯ3 層に接触して配置された櫛型電極
（図示ぜず）と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉ
Ｏ2 層を少なくとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０、１
または２）のＳＡＷ（波長：λn μｍ）を利用している
が、該ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、及び
該ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1
＝２π（ｔ1 ／λn ）且つｋｈ2 ＝２π（ｔ 2 ／λn ）
が特定の範囲内にある。
設けられたダイヤモンド層を構成している本発明の態様
（図３（Ｂ）の態様、層構成２）における表面弾性波素
子は、例えば単結晶シリコン上に配置されたダイヤモン
ドと、該ダイヤモンド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層
と、該ＬｉＮｂＯ3 層に接触して配置された櫛型電極
（図示ぜず）と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置されたＳｉ
Ｏ2 層を少なくとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０、１
または２）のＳＡＷ（波長：λn μｍ）を利用している
が、該ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、及び
該ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1
＝２π（ｔ1 ／λn ）且つｋｈ2 ＝２π（ｔ 2 ／λn ）
が特定の範囲内にある。
【００８０】（電極配置）本発明においては、図４〜１
０の模式断面図に示すような櫛型電極４（必要に応じ
て、更に短絡用電極５）の電極配置が好ましく用いられ
る。
０の模式断面図に示すような櫛型電極４（必要に応じ
て、更に短絡用電極５）の電極配置が好ましく用いられ
る。
【００８１】図４に示す構成（電極配置Ａ）において
は、表面弾性波素子はダイヤモンド１と、該ダイヤモン
ド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層２と、該ＬｉＮｂＯ3
層２上に配置された櫛型電極４と、該櫛型電極上に配置
されたＳｉＯ2 層３とからなる。
は、表面弾性波素子はダイヤモンド１と、該ダイヤモン
ド上に配置されたＬｉＮｂＯ3 層２と、該ＬｉＮｂＯ3
層２上に配置された櫛型電極４と、該櫛型電極上に配置
されたＳｉＯ2 層３とからなる。
【００８２】図６に示す構成（電極配置Ｃ）は、上記
「電極配置Ａ」のＳｉＯ2 層上に、更に短絡用電極を配
置してなる。
「電極配置Ａ」のＳｉＯ2 層上に、更に短絡用電極を配
置してなる。
【００８３】図８に示す構成（電極配置Ｅ）において
は、表面弾性波素子はダイヤモンド１と、該ダイヤモン
ド上に配置された櫛型電極４と該櫛型電極上に配置され
たＬｉＮｂＯ3 層２と、該ＬｉＮｂＯ3 層２上に配置さ
れたＳｉＯ2 層３とからなる。
は、表面弾性波素子はダイヤモンド１と、該ダイヤモン
ド上に配置された櫛型電極４と該櫛型電極上に配置され
たＬｉＮｂＯ3 層２と、該ＬｉＮｂＯ3 層２上に配置さ
れたＳｉＯ2 層３とからなる。
【００８４】図１０に示す構成（電極配置Ｇ）は、上記
「電極配置Ｅ」の該ＳｉＯ2 層３上に、更に短絡用電極
５を配置してなる。
「電極配置Ｅ」の該ＳｉＯ2 層３上に、更に短絡用電極
５を配置してなる。
【００８５】図９に示す構成（電極配置Ｆ）は、上記
「電極配置Ｅ」の該ＬｉＮｂＯ3 層２上に配置された短
絡用電極５をさらに配置してなる。
「電極配置Ｅ」の該ＬｉＮｂＯ3 層２上に配置された短
絡用電極５をさらに配置してなる。
【００８６】図５に示す構成（電極配置Ｂ）は上記「電
極配置Ａ」のダイヤモンド１上に、更に短絡用電極５を
配置してなる。
極配置Ａ」のダイヤモンド１上に、更に短絡用電極５を
配置してなる。
【００８７】図７に示す構成（電極配置Ｄ）は上記「電
極配置Ｃ」のダイヤモンド上１に、更に短絡用電極５を
配置してなる。
極配置Ｃ」のダイヤモンド上１に、更に短絡用電極５を
配置してなる。
【００８８】（各層の構成）以下、本発明の表面弾性波
素子を構成する各層について詳細に説明する。
素子を構成する各層について詳細に説明する。
【００８９】（ダイヤモンド）本発明において、上記し
たダイヤモンドとしては、単結晶ダイヤモンドおよび／
又は多結晶ダイヤモンドのいずれも使用可能である。該
ダイヤモンドを得る方法は、特に制限されない。
たダイヤモンドとしては、単結晶ダイヤモンドおよび／
又は多結晶ダイヤモンドのいずれも使用可能である。該
ダイヤモンドを得る方法は、特に制限されない。
【００９０】より具体的には例えば、このダイヤモンド
としては、単結晶ダイヤモンドを用いてもよく、また、
他の材料（基材）上に、ダイヤモンド膜を気相成長させ
て多結晶膜またはエピタキシャル膜としてダイヤモンド
を得てもよい。
としては、単結晶ダイヤモンドを用いてもよく、また、
他の材料（基材）上に、ダイヤモンド膜を気相成長させ
て多結晶膜またはエピタキシャル膜としてダイヤモンド
を得てもよい。
【００９１】このダイヤモンド膜成膜用の基材は、特に
限定されず、表面弾性波素子の用途によって適宜選択す
ることが可能である。本発明において使用可能な基材と
しては、例えば、Ｓｉ等の半導体、金属、ガラス、セラ
ミクス等が挙げられる。
限定されず、表面弾性波素子の用途によって適宜選択す
ることが可能である。本発明において使用可能な基材と
しては、例えば、Ｓｉ等の半導体、金属、ガラス、セラ
ミクス等が挙げられる。
【００９２】本発明において、上記ダイヤモンドがダイ
ヤモンド膜である場合、該ダイヤモンド膜ないしダイヤ
モンド薄膜の成長方法は、特に制限されない。
ヤモンド膜である場合、該ダイヤモンド膜ないしダイヤ
モンド薄膜の成長方法は、特に制限されない。
【００９３】より具体的には例えば、該成長方法とし
て、ＣＶＤ（化学的気相成長）法、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、ＰＶＤ（物理的気相成長）法、スパッタ法、
イオンプレーティング法、プラズマジェット法、火炎法
および熱フィラメント法等の公知の方法が使用可能であ
る。
て、ＣＶＤ（化学的気相成長）法、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、ＰＶＤ（物理的気相成長）法、スパッタ法、
イオンプレーティング法、プラズマジェット法、火炎法
および熱フィラメント法等の公知の方法が使用可能であ
る。
【００９４】本発明では、該ダイヤモンド層の厚さは特
に制限されない。少なくとも、ＳＡＷ（波長：λn μ
ｍ）の（１／２）倍以上あればよい。好ましくは、１倍
以上あれば好適に使用可能である。
に制限されない。少なくとも、ＳＡＷ（波長：λn μ
ｍ）の（１／２）倍以上あればよい。好ましくは、１倍
以上あれば好適に使用可能である。
【００９５】（ＬｉＮｂＯ3 膜）本発明において、上記
ダイアヤモンド上に形成すべきＬｉＮｂＯ3 膜は、単結
晶であってもよく、また多結晶であってもよい。
ダイアヤモンド上に形成すべきＬｉＮｂＯ3 膜は、単結
晶であってもよく、また多結晶であってもよい。
【００９６】ＬｉＮｂＯ3 膜を形成する方法としては、
スパッタリング、蒸着法、ＣＤＶ法、レーザーアニール
法、ＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＤＶ）法、ＭＢＥ（分子線
エピタキシ）法等の公知の方法を特に制限なく使用でき
る。
スパッタリング、蒸着法、ＣＤＶ法、レーザーアニール
法、ＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＤＶ）法、ＭＢＥ（分子線
エピタキシ）法等の公知の方法を特に制限なく使用でき
る。
【００９７】ＬｉＮｂＯ3 膜の厚さは、膜形成後、断面
の走査型電子顕微鏡で測定することが可能である。
の走査型電子顕微鏡で測定することが可能である。
【００９８】（ＬｉＮｂＯ3 膜の配向性）本発明におい
ては、上記ダイヤモンド上に形成すべきＬｉＮｂＯ3 膜
は多結晶であり、且つ、圧電性等の点を考慮して、Ｌｉ
ＮｂＯ3 膜の（００１）面が基板と平行になっている膜
（いわゆるＣ軸配向膜）とされている。
ては、上記ダイヤモンド上に形成すべきＬｉＮｂＯ3 膜
は多結晶であり、且つ、圧電性等の点を考慮して、Ｌｉ
ＮｂＯ3 膜の（００１）面が基板と平行になっている膜
（いわゆるＣ軸配向膜）とされている。
【００９９】このＬｉＮｂＯ3 膜の配向性は、例えば、
Ｘ線ロッキングパターン法（結晶面の配向性評価方法の
１つ）によって評価することが可能である。
Ｘ線ロッキングパターン法（結晶面の配向性評価方法の
１つ）によって評価することが可能である。
【０１００】より具体的には例えば、以下のようにして
配向性（面内の配向性）を評価することができる。
配向性（面内の配向性）を評価することができる。
【０１０１】（１）測定試料をＸ線ディフラクトメータ
の試料ホルダーに設置する。
の試料ホルダーに設置する。
【０１０２】（２）Ｘ線ディフラクトパターン法を用い
て、評価すべき面方位を測定する。
て、評価すべき面方位を測定する。
【０１０３】（３）θ軸（測定試料回転）と、２θ軸
（Ｘ線カウンター）とを回転させて、評価すべき面方位
における出力の最大値に、該θ軸と２θ軸とを固定す
る。基板に対してｃ−軸が垂直に配向しているＬｉＮｂ
Ｏ3 膜の場合、（００６）のピークについて２θが３９
°である。
（Ｘ線カウンター）とを回転させて、評価すべき面方位
における出力の最大値に、該θ軸と２θ軸とを固定す
る。基板に対してｃ−軸が垂直に配向しているＬｉＮｂ
Ｏ3 膜の場合、（００６）のピークについて２θが３９
°である。
【０１０４】（４）試料のみを回転させ（θ軸のみ）、
ロッキングカーブを測定する。
ロッキングカーブを測定する。
【０１０５】（５）測定されたロッキングカーブをガウ
ス分布とみなし、その標準偏差σを求める。
ス分布とみなし、その標準偏差σを求める。
【０１０６】上記のようにして測定されたロッキングカ
ーブの標準偏差σが小さい程、ＬｉＮｂＯ3 は良好な配
向性を示している。本発明の表面弾性波素子において
は、このσ値は、８°以下（更には４°以下）であるこ
とが好ましい。
ーブの標準偏差σが小さい程、ＬｉＮｂＯ3 は良好な配
向性を示している。本発明の表面弾性波素子において
は、このσ値は、８°以下（更には４°以下）であるこ
とが好ましい。
【０１０７】（ＳｉＯ2 層）本発明において、上記Ｌｉ
ＮｂＯ3 膜上に形成するＳｉＯ2 は、単結晶、多結晶ま
たはアモルファスであってもよいが、アモルファスＳｉ
Ｏ2 が好適に使用可能である。
ＮｂＯ3 膜上に形成するＳｉＯ2 は、単結晶、多結晶ま
たはアモルファスであってもよいが、アモルファスＳｉ
Ｏ2 が好適に使用可能である。
【０１０８】該膜を形成する方法としては本発明におい
ては特に制限されない。より具体的にいえば、ＣＶＤ
法、ＰＶＤ法、スパッタリング等の公知手段が好適に使
用可能である。
ては特に制限されない。より具体的にいえば、ＣＶＤ
法、ＰＶＤ法、スパッタリング等の公知手段が好適に使
用可能である。
【０１０９】さらに好ましくはＲＦマグネトロンスパッ
タリング装置を使用することが可能である。
タリング装置を使用することが可能である。
【０１１０】（櫛型電極）櫛型電極を形成する材料は、
導電性材料である限り特に制限されない。櫛型電極とし
ての加工性およびコストの点からは、Ａｌ（アルミニウ
ム）が特に好ましく使用可能である。
導電性材料である限り特に制限されない。櫛型電極とし
ての加工性およびコストの点からは、Ａｌ（アルミニウ
ム）が特に好ましく使用可能である。
【０１１１】櫛型電極の厚さは、該電極としての機能を
発揮する限り特に制限されないが、１００〜５０００オ
ングストローム程度（更には１００〜５００オングスト
ローム程度）であることが好ましい。
発揮する限り特に制限されないが、１００〜５０００オ
ングストローム程度（更には１００〜５００オングスト
ローム程度）であることが好ましい。
【０１１２】この厚さが１００オングストローム未満で
は、抵抗率が高くなり損失が増加する。一方、該電極の
厚さが５０００オングストロームを越えると、電極の厚
み、高さによるＳＡＷの反射を引き起こす質量付加効果
が著しくなり、目的とするＳＡＷ特性を阻害する可能性
がある。
は、抵抗率が高くなり損失が増加する。一方、該電極の
厚さが５０００オングストロームを越えると、電極の厚
み、高さによるＳＡＷの反射を引き起こす質量付加効果
が著しくなり、目的とするＳＡＷ特性を阻害する可能性
がある。
【０１１３】櫛型電極の平面形状は、該電極としての機
能を発揮する限り特に制限されないが、図１に模式平面
図を示すような、いわゆるシングル電極、図２に模式平
面図を示すようなダブル電極等が好適に使用可能であ
る。
能を発揮する限り特に制限されないが、図１に模式平面
図を示すような、いわゆるシングル電極、図２に模式平
面図を示すようなダブル電極等が好適に使用可能であ
る。
【０１１４】（短絡用電極）本発明の表面弾性波素子に
おいて、必要に応じて設けられる短絡用電極は、電界を
等電位とすることにより該素子のＳＡＷ特性を変化させ
る機能を有する電極である。この電極は、金属（薄）膜
（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｌ−Ｃｕ等）から構成されて
いることが好ましい。
おいて、必要に応じて設けられる短絡用電極は、電界を
等電位とすることにより該素子のＳＡＷ特性を変化させ
る機能を有する電極である。この電極は、金属（薄）膜
（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｌ−Ｃｕ等）から構成されて
いることが好ましい。
【０１１５】短絡用電極は、上記した櫛型電極とは異な
る機能を有するため、該短絡用電極を構成する材料は、
必ずしも櫛型電極の材料と同一である必要はない。
る機能を有するため、該短絡用電極を構成する材料は、
必ずしも櫛型電極の材料と同一である必要はない。
【０１１６】短絡用電極の厚さは、該電極としての機能
を発揮する限り特に制限されないが、５０〜３０００オ
ングストローム程度（更には１００〜５００オングスト
ローム程度）であることが好ましい。
を発揮する限り特に制限されないが、５０〜３０００オ
ングストローム程度（更には１００〜５００オングスト
ローム程度）であることが好ましい。
【０１１７】この厚さが５０オングストローム未満で
は、等電位の形成が困難となり、他方、３０００オング
ストロームを越えると、ＳＡＷの反射に影響し易くな
る。
は、等電位の形成が困難となり、他方、３０００オング
ストロームを越えると、ＳＡＷの反射に影響し易くな
る。
【０１１８】この短絡用電極は、例えば、櫛型電極と同
様の占有面積を有する「ベタ電極」の平面形状を有する
ことが好ましい。
様の占有面積を有する「ベタ電極」の平面形状を有する
ことが好ましい。
【０１１９】以下実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【０１２０】
（実施例１）単結晶シリコンの（１００）面上に、下記
マイクロ波プラズマＣＶＤで多結晶ダイヤモンド膜を形
成した後、表面研磨して約２０μｍの膜厚を有するダイ
ヤモンド膜を形成した。
マイクロ波プラズマＣＶＤで多結晶ダイヤモンド膜を形
成した後、表面研磨して約２０μｍの膜厚を有するダイ
ヤモンド膜を形成した。
【０１２１】＜ダイヤモンド膜形成条件＞ マイクロ波パワー：１５０Ｗ 反応ガス：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝１：１００ 反応圧力：４０Ｔｏｒｒ 成膜温度：８５０℃ 膜厚（表面研磨後）２０μｍ 次いで、上記ダイヤモンド膜上に、ＬｉＮｂＯ3 膜（膜
厚：０．３８〜１．２７μｍ、６種類）をＲＦマグネト
ロン・スパッタリングで形成した。
厚：０．３８〜１．２７μｍ、６種類）をＲＦマグネト
ロン・スパッタリングで形成した。
【０１２２】上記で形成したＬｉＮｂＯ3 膜は全てＣ軸
配向膜であり、そのＸ線ロッキングカーブのσ値は２〜
３°であった。
配向膜であり、そのＸ線ロッキングカーブのσ値は２〜
３°であった。
【０１２３】＜ＲＦマグネトロン・スパッタリング条件
＞ 圧力：１×１０-2Ｔｏｒｒ 基板温度：６５０℃ Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ＲＦパワー：１５０Ｗ ターゲット Ｌｉ：Ｎｂ＝１：１焼結体（Ｌｉ2 Ｃｏ3
とＮｂ2 Ｏ5 との焼結体） 膜厚：０．３８、０．５１，０．６４，０．７６，１．
０２，１．２７μｍの６種類。
＞ 圧力：１×１０-2Ｔｏｒｒ 基板温度：６５０℃ Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ＲＦパワー：１５０Ｗ ターゲット Ｌｉ：Ｎｂ＝１：１焼結体（Ｌｉ2 Ｃｏ3
とＮｂ2 Ｏ5 との焼結体） 膜厚：０．３８、０．５１，０．６４，０．７６，１．
０２，１．２７μｍの６種類。
【０１２４】更にＡｌを用いて厚さ４００オングストロ
ームの櫛型電極（平面形状：図２のダブル電極、電極幅
ｄ＝１μｍ、周期＝８μｍ）を形成し、更に該櫛型電極
の上に、ＳｉＯ2 膜をＲＦマグネトロンスパッタリング
で図３（Ｂ）に示す層構成および図４に示す電極配置
（電極配置Ａ）を有する表面弾性波素子（入力側櫛型電
極の電極対数：３０、出力側櫛型電極の電極対数：３
０、入出力電極の中心間の距離：４００μｍ）を作製し
た。
ームの櫛型電極（平面形状：図２のダブル電極、電極幅
ｄ＝１μｍ、周期＝８μｍ）を形成し、更に該櫛型電極
の上に、ＳｉＯ2 膜をＲＦマグネトロンスパッタリング
で図３（Ｂ）に示す層構成および図４に示す電極配置
（電極配置Ａ）を有する表面弾性波素子（入力側櫛型電
極の電極対数：３０、出力側櫛型電極の電極対数：３
０、入出力電極の中心間の距離：４００μｍ）を作製し
た。
【０１２５】＜ＲＦマグネトロン・スパッタリング条件
＞ 圧力：０．０２Ｔｏｒｒ 基板温度：６５０℃ Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ＲＦパワー：２００Ｗ ターゲット：ＳｉＯ2 膜厚：０．１３μｍ〜２．０４μｍを４０等分した値の
膜厚 上記で得た表面弾性波素子（電極配置Ａ）の上に、更に
Ａｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングストロー
ム）を形成して、図３（Ｂ）に示す層構成（層構成２）
及び図６に示す電極配置Ｃを有する表面弾性波素子を作
製した。
＞ 圧力：０．０２Ｔｏｒｒ 基板温度：６５０℃ Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ＲＦパワー：２００Ｗ ターゲット：ＳｉＯ2 膜厚：０．１３μｍ〜２．０４μｍを４０等分した値の
膜厚 上記で得た表面弾性波素子（電極配置Ａ）の上に、更に
Ａｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングストロー
ム）を形成して、図３（Ｂ）に示す層構成（層構成２）
及び図６に示す電極配置Ｃを有する表面弾性波素子を作
製した。
【０１２６】更に、各層の形成順を変更した以外は上記
表面弾性波素子の作製と同様にして図８に示す電極配置
Ｅを有する表面弾性波素子，図５に示す電極配置Ｂを有
する表面弾性波素子，図１０に示す電極配置Ｇを有する
表面弾性波素子，図９に示す電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子を作製した。
表面弾性波素子の作製と同様にして図８に示す電極配置
Ｅを有する表面弾性波素子，図５に示す電極配置Ｂを有
する表面弾性波素子，図１０に示す電極配置Ｇを有する
表面弾性波素子，図９に示す電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子を作製した。
【０１２７】更に、図５に示す電極配置Ｂを有する表面
弾性波素子のＳｉＯ2 上にさらにＡｌを用いて短絡用電
極（厚さ：１００オングストローム）を形成して図７に
示す電極配置Ｄを有する表面弾性波素子を作製した。
弾性波素子のＳｉＯ2 上にさらにＡｌを用いて短絡用電
極（厚さ：１００オングストローム）を形成して図７に
示す電極配置Ｄを有する表面弾性波素子を作製した。
【０１２８】上記で得た各表面弾性波素子の入力側電極
に高周波を印加してＳＡＷを励振させ、Ｖ＝ｆλ（ｆは
中心周波数；λ＝８ｄ＝８μｍ）の関係から、励起され
た各モードのＳＡＷの伝搬速度Ｖ（ｍ／ｓ）を求めた。
電気機械結合係数（Ｋ2 ）は、ネットワークアナライザ
（横河ヒューレットパッカード（ＹＨＰ）製、８７１９
Ａ）を用いて櫛型電極（ＩＤＴ、inter-digital transd
ucer）の放射コンダクタンスを測定し、該放射コンダク
タンスの実部Ｇに基づき、 Ｋ2 ＝（Ｇ／８）・ｆ0 ・Ｃ・Ｎ （ｆ0 ：中心周波数、Ｃ：櫛型電極の全静電容量、Ｎ：
櫛型電極の対数）として求めた。
に高周波を印加してＳＡＷを励振させ、Ｖ＝ｆλ（ｆは
中心周波数；λ＝８ｄ＝８μｍ）の関係から、励起され
た各モードのＳＡＷの伝搬速度Ｖ（ｍ／ｓ）を求めた。
電気機械結合係数（Ｋ2 ）は、ネットワークアナライザ
（横河ヒューレットパッカード（ＹＨＰ）製、８７１９
Ａ）を用いて櫛型電極（ＩＤＴ、inter-digital transd
ucer）の放射コンダクタンスを測定し、該放射コンダク
タンスの実部Ｇに基づき、 Ｋ2 ＝（Ｇ／８）・ｆ0 ・Ｃ・Ｎ （ｆ0 ：中心周波数、Ｃ：櫛型電極の全静電容量、Ｎ：
櫛型電極の対数）として求めた。
【０１２９】またＳＡＷの周波数の温度依存性から、周
波数温度係数（ＴＣＦ）を測定し、ＴＣＦ＝−ＴＣＤの
関係からＴＣＤを求めた。
波数温度係数（ＴＣＦ）を測定し、ＴＣＦ＝−ＴＣＤの
関係からＴＣＤを求めた。
【０１３０】表面弾性波素子のＬｉＮｂＯ3 層の厚さｔ
1 （μｍ）およびＳｉＯ2 層の厚さｔ2 （μｍ）は、上
記素子の種々のパラメータ測定後に該素子を切断し、該
切断面を、倍率１０００〜５０００倍の走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）で観察して求めた。
1 （μｍ）およびＳｉＯ2 層の厚さｔ2 （μｍ）は、上
記素子の種々のパラメータ測定後に該素子を切断し、該
切断面を、倍率１０００〜５０００倍の走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）で観察して求めた。
【０１３１】上記により求めたデータに基づき、図３
（Ｂ）に示す層構成（層構成２）を有し、且つ図４〜１
０に示す電極配置（電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｒ，Ｆ，
Ｇ）を有する各表面弾性波素子（λ＝８μｍ）につい
て、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）およびｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）を求めた。
（Ｂ）に示す層構成（層構成２）を有し、且つ図４〜１
０に示す電極配置（電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｒ，Ｆ，
Ｇ）を有する各表面弾性波素子（λ＝８μｍ）につい
て、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）およびｋｈ2 ＝２π（ｔ
2 ／λ）を求めた。
【０１３２】上記で得られた伝搬速度Ｖとパラメータｋ
ｈ2 との関係（依存性）を、図１１（ｋｈ1 ＝０．
３）、図１２（ｋｈ1 ＝０．４）、図１３（ｋｈ1 ＝
０．５）、図１４（ｋｈ1 ＝０．６）、図１５（ｋｈ1
＝０．８）、および図１６（ｋｈ 1 ＝１．０）の各グラ
フに示す。
ｈ2 との関係（依存性）を、図１１（ｋｈ1 ＝０．
３）、図１２（ｋｈ1 ＝０．４）、図１３（ｋｈ1 ＝
０．５）、図１４（ｋｈ1 ＝０．６）、図１５（ｋｈ1
＝０．８）、および図１６（ｋｈ 1 ＝１．０）の各グラ
フに示す。
【０１３３】上記で得られた遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメータｋｈ2 との関係（依存性）を、図１７（ｋｈ
1 ＝０．３）、図１８（ｋｈ1 ＝０．４）、図１９（ｋ
ｈ1＝０．５）、図２０（ｋｈ1 ＝０．６）、図２１
（ｋｈ1 ＝０．８）、および図２１（ｋｈ1 ＝１．０）
の各グラフに示す。
パラメータｋｈ2 との関係（依存性）を、図１７（ｋｈ
1 ＝０．３）、図１８（ｋｈ1 ＝０．４）、図１９（ｋ
ｈ1＝０．５）、図２０（ｋｈ1 ＝０．６）、図２１
（ｋｈ1 ＝０．８）、および図２１（ｋｈ1 ＝１．０）
の各グラフに示す。
【０１３４】上記で得られた表面弾性波素子（図４、電
極配置Ａ）ついて、電気機械結合係数Ｋ2 とパラメータ
ｋｈ1 及びパラメータｋｈ2 との関係（依存性）を、図
２３（ｋｈ1 ＝０．３）、図２４（ｋｈ1 ＝０．４）、
図２５（ｋｈ1 ＝０．５）、図２６（ｋｈ1 ＝０．
６）、図２７（ｋｈ1 ＝０．８）、図２８（ｋｈ1 ＝
１．０）の各グラフに示す。
極配置Ａ）ついて、電気機械結合係数Ｋ2 とパラメータ
ｋｈ1 及びパラメータｋｈ2 との関係（依存性）を、図
２３（ｋｈ1 ＝０．３）、図２４（ｋｈ1 ＝０．４）、
図２５（ｋｈ1 ＝０．５）、図２６（ｋｈ1 ＝０．
６）、図２７（ｋｈ1 ＝０．８）、図２８（ｋｈ1 ＝
１．０）の各グラフに示す。
【０１３５】同様に、上記で得られた表面弾性波素子
（図５、６、７、８、９、１０にそれぞれ示される電極
配置Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ）ついて、電気機械結合係
数Ｋ2とパラメータｋｈ1 及びパラメータｋｈ2 との関
係（依存性）を、図２９〜図３４（電極配置Ｂ）、図３
５〜図４０（電極配置Ｃ）、図４１〜図４６（電極配置
Ｄ）、図４７〜図５２（電極配置Ｅ）、図５３〜図５８
（電極配置Ｆ）、図５９〜図６４（電極配置Ｇ）の各グ
ラフに示す。
（図５、６、７、８、９、１０にそれぞれ示される電極
配置Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ）ついて、電気機械結合係
数Ｋ2とパラメータｋｈ1 及びパラメータｋｈ2 との関
係（依存性）を、図２９〜図３４（電極配置Ｂ）、図３
５〜図４０（電極配置Ｃ）、図４１〜図４６（電極配置
Ｄ）、図４７〜図５２（電極配置Ｅ）、図５３〜図５８
（電極配置Ｆ）、図５９〜図６４（電極配置Ｇ）の各グ
ラフに示す。
【０１３６】（実施例２）単結晶ダイヤモンド（天然
型、タイプＩａ）の（１００）面上に、Ａｌを用いて厚
さ４００オングストロームの櫛形電極（平面形状：図２
のダブル電極、電極幅ｄ＝１μｍ，周期８μｍ）を形成
し、更に櫛形電極の上に、ＬｉＮｂＯ3 層（膜厚：０．
３８〜１．２７μｍ、６種類）をＲＦマグネトロン・ス
パッタリングで形成した。
型、タイプＩａ）の（１００）面上に、Ａｌを用いて厚
さ４００オングストロームの櫛形電極（平面形状：図２
のダブル電極、電極幅ｄ＝１μｍ，周期８μｍ）を形成
し、更に櫛形電極の上に、ＬｉＮｂＯ3 層（膜厚：０．
３８〜１．２７μｍ、６種類）をＲＦマグネトロン・ス
パッタリングで形成した。
【０１３７】上記で形成したＬｉＮｂＯ3 膜は全てＣ軸
配向膜であり、そのＸ線ロッキングカーブのσ値は２〜
３°であった。
配向膜であり、そのＸ線ロッキングカーブのσ値は２〜
３°であった。
【０１３８】更に、上記ＬｉＮｂＯ3 層上にＳｉＯ2 膜
をＲＦマグネトロンスパッタリングで図３（Ａ）に示す
層構成（膜厚：０．１３μｍ〜２．０４μｍを４０等分
した値の膜厚）、および図８に示す電極配置（電極配置
Ｅ）を有する表面弾性波素子（入力側櫛型電極の電極対
数：３０、出力側櫛型電極の電極対数：３０、入出力電
極の中心間の距離：４００μｍ）を作製した。
をＲＦマグネトロンスパッタリングで図３（Ａ）に示す
層構成（膜厚：０．１３μｍ〜２．０４μｍを４０等分
した値の膜厚）、および図８に示す電極配置（電極配置
Ｅ）を有する表面弾性波素子（入力側櫛型電極の電極対
数：３０、出力側櫛型電極の電極対数：３０、入出力電
極の中心間の距離：４００μｍ）を作製した。
【０１３９】更に、各層の形成順を変更した以外は上記
表面弾性波素子の作製と同様にして図４に示す電極配置
Ａを有する表面弾性波素子を作製した。上記で得た表面
弾性波素子（電極配置Ｅ）の該ＬｉＮｂＯ3 層上に、更
にＡｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングストロ
ーム）を形成して、図３（Ａ）に示す層構成（層構成
１）及び図９に示す電極配置Ｆを有する表面弾性波素子
を作製した。
表面弾性波素子の作製と同様にして図４に示す電極配置
Ａを有する表面弾性波素子を作製した。上記で得た表面
弾性波素子（電極配置Ｅ）の該ＬｉＮｂＯ3 層上に、更
にＡｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングストロ
ーム）を形成して、図３（Ａ）に示す層構成（層構成
１）及び図９に示す電極配置Ｆを有する表面弾性波素子
を作製した。
【０１４０】更に、各層の形成順を変更した以外は上記
表面弾性波素子の作製と同様にして図５に示す電極配置
Ｂ，図６に示す電極配置Ｃ，図１０に示す電極配置Ｇを
有する表面弾性波素子を作製した。
表面弾性波素子の作製と同様にして図５に示す電極配置
Ｂ，図６に示す電極配置Ｃ，図１０に示す電極配置Ｇを
有する表面弾性波素子を作製した。
【０１４１】更に、図５に示す電極配置ＢのＳｉＯ2 層
上にＡｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングスト
ローム）を形成して、図３（Ａ）に示す層構成（層構成
１）及び図７に示す電極配置Ｄを有する表面弾性波素子
を作製した。
上にＡｌを用いて短絡用電極（厚さ：１００オングスト
ローム）を形成して、図３（Ａ）に示す層構成（層構成
１）及び図７に示す電極配置Ｄを有する表面弾性波素子
を作製した。
【０１４２】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ダイヤ
モンドと、該ダイヤモンド上に配置された多結晶Ｃ軸配
向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置され
た櫛型電極と、該櫛型電極上に配置されたＳｉＯ2 層を
少なくとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０，１，２）の
ＳＡＷ（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って該ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、且つ
該ＳｉＯ2層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1
＝２π（ｔ1 ／λ）及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が特
定の範囲にある表面弾性波素子が提供される。
モンドと、該ダイヤモンド上に配置された多結晶Ｃ軸配
向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配置され
た櫛型電極と、該櫛型電極上に配置されたＳｉＯ2 層を
少なくとも含み、且つｎ次モード（ｎ＝０，１，２）の
ＳＡＷ（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であ
って該ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とし、且つ
該ＳｉＯ2層の厚さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ1
＝２π（ｔ1 ／λ）及びｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が特
定の範囲にある表面弾性波素子が提供される。
【０１４３】上記構成を有する本発明の表面弾性波素子
によれば、種々のＬｉＮｂＯ3 層厚、ＳｉＯ2 層厚ない
し電極配置において、ＳＡＷの良好な伝搬速度Ｖ（Ｖ≧
７８００ｍ／ｓ）、良好な電気機械結合係数Ｋ2 （０．
３％≦Ｋ2 ≦１０％）そして良好な遅延時間温度係数Ｔ
ＣＤ（−１０ｐｐｍ≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ）が達成可能
となる。
によれば、種々のＬｉＮｂＯ3 層厚、ＳｉＯ2 層厚ない
し電極配置において、ＳＡＷの良好な伝搬速度Ｖ（Ｖ≧
７８００ｍ／ｓ）、良好な電気機械結合係数Ｋ2 （０．
３％≦Ｋ2 ≦１０％）そして良好な遅延時間温度係数Ｔ
ＣＤ（−１０ｐｐｍ≦ＴＣＤ≦１０ｐｐｍ）が達成可能
となる。
【図１】表面弾性波素子を構成する櫛型電極の平面形状
の一例（シングル電極）を示す模式平面図である。
の一例（シングル電極）を示す模式平面図である。
【図２】表面弾性波素子を構成する櫛型電極の平面形状
の一例（ダブル電極）を示す模式平面図である。
の一例（ダブル電極）を示す模式平面図である。
【図３】本発明の表面弾性波素子の層構成の２態様（層
構成１、２）を示す断面図である。
構成１、２）を示す断面図である。
【図４】本発明の表面弾性波素子の電極配置の一態様
（電極配置Ａ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ａ）を示す模式断面図である。
【図５】本発明の表面弾性波素子の電極配置の他の態様
（電極配置Ｂ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｂ）を示す模式断面図である。
【図６】本発明の表面弾性波素子の電極配置の一態様
（電極配置Ｃ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｃ）を示す模式断面図である。
【図７】本発明の表面弾性波素子の電極配置の他の態様
（電極配置Ｄ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｄ）を示す模式断面図である。
【図８】本発明の表面弾性波素子の電極配置の一態様
（電極配置Ｅ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｅ）を示す模式断面図である。
【図９】本発明の表面弾性波素子の電極配置の他の態様
（電極配置Ｆ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｆ）を示す模式断面図である。
【図１０】本発明の表面弾性波素子の電極配置の一態様
（電極配置Ｇ）を示す模式断面図である。
（電極配置Ｇ）を示す模式断面図である。
【図１１】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．３）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．３）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１２】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．４）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．４）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１３】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．５）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．５）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１４】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．６）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．６）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１５】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．８）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．８）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１６】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝１．０）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝１．０）におけるＳＡＷの伝搬速度Ｖとパラメ−タｋ
ｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１７】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．３）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．３）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１８】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．４）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．４）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図１９】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．５）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．５）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図２０】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．６）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．６）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図２１】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．８）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝０．８）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図２２】上記層構成２及び電極配置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝１．０）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
Ｅ，Ｆ，Ｇを有する表面弾性波素子（パラメ−タｋｈ1
＝１．０）におけるＳＡＷの遅延時間温度係数ＴＣＤと
パラメ−タｋｈ2 との関係を示すグラフである。
【図２３】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２４】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２５】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２６】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２７】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２８】上記層構成２及び電極配置Ａを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図２９】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３０】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３１】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３２】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３３】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３４】上記層構成２及び電極配置Ｂを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３５】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３６】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３７】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３８】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図３９】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４０】上記層構成２及び電極配置Ｃを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４１】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４２】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４３】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４４】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４５】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４６】上記層構成２及び電極配置Ｄを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４７】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４８】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図４９】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５０】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５１】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５２】上記層構成２及び電極配置Ｅを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５３】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５４】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５５】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５６】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５７】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５８】上記層構成２及び電極配置Ｆを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図５９】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．３）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図６０】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．４）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図６１】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．５）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図６２】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．６）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図６３】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝０．８）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
【図６４】上記層構成２及び電極配置Ｇを有する表面弾
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
性波素子（パラメ−タｋｈ1 ＝１．０）におけるＳＡＷ
の電気機械結合係数Ｋ2 とパラメ−タｋｈ2 との関係を
示すグラフである。
１…ダイヤモンド、２…ｃ軸配向ＬｉＮｂＯ3 層、３…
ＳｉＯ2 層、４…櫛形電極、５…短絡電極。
ＳｉＯ2 層、４…櫛形電極、５…短絡電極。
フロントページの続き (72)発明者 北林 弘之 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 鹿田 真一 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (46)
- 【請求項１】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮ
ｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ０次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．２５≦ｋ
ｈ1 ≦０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚
さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／
λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項２】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．２≦ｋｈ2 ≦
０．４７の範囲にある請求項１記載の表面弾性波素子。 - 【請求項３】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮ
ｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ１次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋ
ｈ1 ≦０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚
さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／
λ）が０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴
とする表面弾性波素子。 - 【請求項４】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．５
５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2 ≦
０．６の範囲にある請求項３記載の表面弾性波素子。 - 【請求項５】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．６
５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2 ≦
０．７３の範囲にある請求項３記載の表面弾性波素子。 - 【請求項６】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．８
の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦０．
８の範囲にある請求項３記載の表面弾性波素子。 - 【請求項７】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮ
ｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ２次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ
1 ≦１．０の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さを
ｔ2（μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５の範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項８】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された短絡用電極と、該短絡用電極上に配置された多
結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上
に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置されたＳ
ｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ１次モードの表面弾性
波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項９】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．５
５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2 ≦
０．６の範囲にある請求項８記載の表面弾性波素子。 - 【請求項１０】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項８記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項１１】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項８記載の表面弾性波素子。 - 【請求項１２】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された短絡用電極と、該短絡用電極上に配置された
多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層
上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置された
ＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ２次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ1 ≦１．
０の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2（μ
ｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５
≦ｋｈ2 ≦０．５５の範囲にあることを特徴とする表面
弾性波素子。 - 【請求項１３】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に
配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ０次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦
０．３５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．２≦ｋｈ2 ≦０．４５の範囲にあることを特徴とす
る表面弾性波素子。 - 【請求項１４】 前記ｋｈ1 が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．
４５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．１≦ｋｈ2 ≦
０．４５の範囲にある請求項１３記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項１５】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．２≦ｋｈ2 ≦
０．４７の範囲にある請求項１３記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項１６】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に
配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ１次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項１７】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2
≦０．６の範囲にある請求項１６記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項１８】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項１６記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項１９】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項１６記載の表面弾性波素子。 - 【請求項２０】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該Ｌｉ
ＮｂＯ3 層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に
配置されたＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ２次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ1 ≦１．
０の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2（μ
ｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５
≦ｋｈ2 ≦０．５５の範囲にあることを特徴とする表面
弾性波素子。 - 【請求項２１】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された短絡用電極と、当該短絡用電極上に配置され
た多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3
層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置され
たＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置された短絡用電
極を少なくとも含み、且つ１次モードの表面弾性波（波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって；前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ
1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．４５の
範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）
とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５≦ｋ
ｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項２２】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2
≦０．６の範囲にある請求項２１記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項２３】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項２１記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項２４】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項２１記載の表面弾性波素子。 - 【請求項２５】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された短絡用電極と、当該短絡用電極上に配置され
た多結晶Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3
層上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置され
たＳｉＯ2 層と、該ＳｉＯ2 層上に配置された短絡用電
極を少なくとも含み、且つ２次モードの表面弾性波（波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって；前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ
1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲
にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2（μｍ）とし
た際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５≦ｋｈ2
≦０．５５の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
子。 - 【請求項２６】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ０次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．２５≦ｋ
ｈ1 ≦０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚
さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／
λ）が０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項２７】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．２≦ｋｈ2 ≦
０．４７の範囲にある請求項２６記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項２８】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ１次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋ
ｈ1 ≦０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚
さをｔ2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／
λ）が０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴
とする表面弾性波素子。 - 【請求項２９】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2
≦０．６の範囲にある請求項２８記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項３０】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項２８記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項３１】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項２８記載の表面弾性波素子。 - 【請求項３２】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層を少なくとも含み、且つ２次モード
の表面弾性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素
子であって；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）
とした際に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ
1 ≦１．０の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さを
ｔ2（μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３５≦ｋｈ2 ≦０．５５の範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項３３】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置された短絡用電極と、当該短絡用電極上にＳｉＯ2 層
を少なくとも含み、且つ０次モードの表面弾性波（波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって；前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ
1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．４５の
範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）
とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．１≦ｋｈ
2 ≦０．４５の範囲にあることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項３４】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．２≦ｋｈ2 ≦
０．４７の範囲にある請求項３３記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項３５】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置された短絡用電極と、当該短絡用電極上にＳｉＯ2 層
を少なくとも含み、且つ１次モードの表面弾性波（波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって；前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ
1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦０．４５の
範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2 （μｍ）
とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３≦ｋｈ
2 ≦０．５の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
子。 - 【請求項３６】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2
≦０．６の範囲にある請求項３５記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項３７】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項３５記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項３８】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項３５記載の表面弾性波素子。 - 【請求項３９】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置された短絡用電極と、当該短絡用電極上にＳｉＯ2 層
を少なくとも含み、且つ２次モードの表面弾性波（波
長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であって；前記
ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際に、ｋｈ
1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ1 ≦１．０の範囲
にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2（μｍ）とし
た際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５≦ｋｈ2
≦０．５５の範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
子。 - 【請求項４０】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層と、当該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ０次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．２５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．１≦ｋｈ2 ≦０．４５の範囲にあることを特徴とす
る表面弾性波素子。 - 【請求項４１】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．２≦ｋｈ2 ≦
０．４７の範囲にある請求項４０記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項４２】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層と、当該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ１次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．３５≦ｋｈ1 ≦
０．４５の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ
2 （μｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が
０．３≦ｋｈ2 ≦０．５の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項４３】 前記ｋｈ1 が０．４５≦ｋｈ1 ≦０．
５５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．３５≦ｋｈ2
≦０．６の範囲にある請求項４２記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項４４】 前記ｋｈ1 が０．５５≦ｋｈ1 ≦０．
６５の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．４７≦ｋｈ2
≦０．７３の範囲にある請求項４２記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項４５】 前記ｋｈ1 が０．６５≦ｋｈ1 ≦０．
８の範囲にあり、且つ前記ｋｈ2 が０．７≦ｋｈ2 ≦
０．８の範囲にある請求項４２記載の表面弾性波素子。 - 【請求項４６】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に
配置された櫛型電極と該櫛型電極上に配置された多結晶
Ｃ軸配向性のＬｉＮｂＯ3 と、該ＬｉＮｂＯ3 層上に配
置されたＳｉＯ2 層と、当該ＳｉＯ2 層上に配置された
短絡用電極を少なくとも含み、且つ２次モードの表面弾
性波（波長：λμｍ）を利用する表面弾性波素子であっ
て；前記ＬｉＮｂＯ3 層の厚さをｔ1 （μｍ）とした際
に、ｋｈ1 ＝２π（ｔ1 ／λ）が０．８≦ｋｈ1 ≦１．
０の範囲にあり、且つ前記ＳｉＯ2 層の厚さをｔ2（μ
ｍ）とした際に、ｋｈ2 ＝２π（ｔ2 ／λ）が０．３５
≦ｋｈ2 ≦０．５５の範囲にあることを特徴とする表面
弾性波素子。
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