TWI741886B

TWI741886B - 熱硬化型抗靜電之黏著片

Info

Publication number: TWI741886B
Application number: TW109141564A
Authority: TW
Inventors: 吳旻哲; 賴俊廷; 林志維
Original assignee: 達邁科技股份有限公司
Priority date: 2020-11-26
Filing date: 2020-11-26
Publication date: 2021-10-01
Also published as: TW202221091A

Abstract

本發明為一種熱硬化型抗靜電之黏著片，其表面電阻係數為等於或小於10¹¹Ω，其係用於100~200℃之高溫濺鍍製程，其包括有：一聚醯亞胺膜；及一熱硬化型抗靜電之黏著組成物，其係黏著於該聚醯亞胺膜上，其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體，該主體聚合物之至少一單體前驅物之飽和烴C數至少≧4，該熱硬化基團的含量為介於0.5至8wt%之間，該熱硬化劑之分解溫度小於該高溫濺鍍製程之溫度，該氟素離子液體之脂肪族之長碳鏈C數至少≧3，且氟素離子液體之單元結構中所含之S數<2。

Description

熱硬化型抗靜電之黏著片

本發明為一種熱硬化型抗靜電之黏著片，特別係指一種用於用於黏著電子元件，使電子元件再經過高溫濺鍍製程，以完成電子元件鍍防EMI金屬層後，可輕易將電子元件自黏著片移除，而無殘膠，且移除過程不因靜電損壞電子元件。

在現有技術中，黏著材料諸如黏著片已被廣泛用於各種產品(例如半導體相關元件)的生產過程中。更具體而言，一般應用於高溫濺鍍製程過程中承載用之黏著片，為了製程過程中濺鍍金屬不至於鍍到電子元件電極或接腳導致元件失效，所以黏著片的黏著力須足以與電子元件相互固定而於濺鍍製程中不與電子元件分離，即不發生剝離。另外，在電子元件經過濺鍍製程後，於進行拾取(pick-up)的步驟中，則需要將黏著片與電子元件分離。因此，用於電子元件鍍防EMI之金屬層之高溫濺鍍製程，所需之黏著片需要同時具備良好的黏著力，以及在經過濺鍍處理後的易剝離的特性。且因應現行更複雜之應用，如耐靜電性很差之電子元件的短暫固定，例如：高頻wifi用之電子元件，會更要求不只要過完製程後要有輕易取下之特性，且元件脫離黏著片時不會因靜電而損壞電子元件等要素。

在現有的用以黏著電子元件之黏著片產品中，經過高溫製程之後，黏著片與電子元件之間的黏著力都會上升，因此，反而使得黏著片與電子元件不易剝離，或電子元件的剝離轉印污染量增多進而產生殘膠等問題。

因此，為了解決上述問題，先前技術文獻(TW106130993)已公開一種熱硬化型黏著組成物以及黏著片，其能通過“所述熱硬化型黏著組成物符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率且是介於80%至98%之間，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力”的技術方案，以使得黏著片可以在固有的半導體晶圓生產過程中的高溫加熱步驟下產生黏著力下降的效果，達到輕易剝離的功效。且技術文獻有提及在組成黏著片上之基膜可以透過鍍金屬達到優異的防靜電特性。但實際應用在一些承載或短暫固定電子元件之相關製程上，會有因基膜鍍金屬層造成電子元件在固定於黏著片上時，使用不透光之黏著片造成使用光學設備不易對位之問題。

而對於抑制電子元件脫離黏著片時產生之靜電，一般習知技術係在黏著片之組成物內添加導電材料減少在剝離過程中產生之靜電，習知技術得知的導電材料眾多，例如離子液體，而又以氟素離子液體具有高耐熱之特性，可用於一般高溫製程所需之黏著組成物之添加，但常產生黏著組成物與氟素離子液體不易匹配之困擾，造成分散不均導致在黏著組成物內形成之導電網絡不夠完整，就算增加其離子液體之添加量，但表面電阻依然無法降低至一定水準，例如無法低於10¹¹Ω。因此，在現有技術中，用於承載電子元件過高溫鍍金屬製程之黏著片仍然有改善的空間。

本發明提供一種熱硬化型抗靜電之黏著片，其表面電阻係數為等於或小於10¹¹Ω，其係用於100~200℃之高溫濺鍍製程，其包括有：一聚醯亞胺膜；及一黏著組成物，其係黏著於該聚醯亞胺膜上，其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體，該主體聚合物之至少一單體前驅物之飽和烴C數至少≧4，該熱硬化基團的含量為介於0.5至8wt%之間，該熱硬化劑之分解溫度小於該高溫濺鍍製程之溫度，該氟素離子液體之脂肪族之長碳鏈C數至少≧3，且氟素離子液體之單元結構中所含之S數<2。

因此，所述黏著片可以在經選擇的溫度下自被黏附的電子元件輕易剝離，且不產生靜電導致電子元件損壞。具體來說，通過生產過程中固有的加熱步驟可以降低熱硬化型黏著組成物的黏著力，達到輕易剝離熱硬化型黏著片的效果，同時將被黏著體上的剝離轉印污染量控制在為最小值，進而達到不產生殘膠的技術效果。且熱硬化型黏著組成物中包含氟系離子液體，可於剝離過程中不因靜電損壞電子元件。

本發明之效益在於所提供的熱硬化型抗靜電之黏著片，可以在固有的高溫濺鍍生產過程中的高溫加熱步驟下產生黏著力下降的效果，達到輕易剝離的功效，且找到熱硬化型黏著組合物與氟素離子液體之匹配關係進行有效降低黏著片之表面電阻，進而在將該黏著片與電子元件剝離過程中抑制靜電產生。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

10:聚醯亞胺膜

12:熱硬化型抗靜電之黏著組成物

第1圖為本發明之第1實施例。

請參閱第1圖，本發明熱硬化型抗靜電之黏著片，其表面電阻係數為等於或小於10¹¹Ω，其係用於100~200℃之高溫濺鍍製程，其包括有：一聚醯亞胺膜10；及黏著組成物12，其係黏著於10聚醯亞胺膜上，其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體，該主體聚合物之至少一單體前驅物之飽和烴C數至少≧4，該熱硬化基團的含量為介於0.5至8wt%之間，該熱硬化劑之分解溫度小於該高溫濺鍍製程之溫度，該氟素離子液體之脂肪族之長碳鏈C數至少≧3，且氟素離子液體之單元結構中所含之S數<2。

該主體聚合物包括衍生自至少一種單體的至少一個結構單元，且上述單體是含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。在下文中，含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基將被稱為「具有可聚合的碳-碳雙鍵基之單體」。

另外，用以形成主體聚合物的至少一結構單元的單體，例如，含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基可以是飽和烴的(甲基)丙烯酸酯。飽和烴可以包含烷基、環烷基或是其等的組合。舉例而言，飽和烴可以是(甲基)丙烯酸烷基酯或是(甲基)丙烯酸環烷基酯。烷基可以是丁基、辛基、2-乙基己基、癸基、十二烷基、十三烷基或是十八烷基，而環烷基可以是環丁基或是環己基。而烷基與環烷基基於與氟素離子液體之匹配性問題，烷基不可選用甲基或乙基；環烷基不可選用環丙基。具體說明，即因應主體聚合物需與氟素離子液體匹配性之問題，碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基可以是飽和烴的(甲基)丙烯酸酯，且飽和烴的C數至少≧4。

除此之外，與本發明中的主體聚合物有關的單體除了上述飽和烴的(甲基)丙烯酸酯之外，還可以包含其他可共聚合的單體，諸如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯以及(甲基)丙烯酸羧基戊酯等含羧基單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯以及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯基磷酸2-羥乙酯等含磷酸基單體；以及丙烯醯胺以及丙烯腈等。具體來說，當主體聚合物包括衍生自上述單體的結構單元時，主體聚合物的物理性質，例如凝聚力與耐熱性會被提升。事實上，通過使用上述單體，包括主體聚合物的產品在使用期間不易發生殘脫膠的情形，且更可以承受不同的高溫環境。

上述可共聚合的單體可以單獨使用以形成主體聚合物的結構單元，或是，可以同時使用兩種以上的可共聚合的單體以形成主體聚合物的結構單元。

另外，用以形成主體聚合物的結構單元的單體還可以包含多官能單體，以在聚合反應中進行高度交聯反應。舉例而言，多官能單體可以是己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯。

同樣地，上述多官能單體可以被單獨使用，或是可以同時使用兩種以上的多官能單體。或是，如前針對可共聚合的單體所述，在用以形成主體聚合物的結構單元的單體中，可以單獨使用丙烯酸系的單體或是甲基丙烯酸系的單體。通過使用多官能單體，可以使得所衍生而得的主體聚合物具有經改良的凝聚力與耐熱性。

如此一來，所形成的主體聚合物作為黏著膠體的內聚力可以被有效提升。在進一步使用具有不同的分解溫度的高溫硬化反應劑時，本發明所提供的黏著片可以通過高溫製備方法而具有良好的剝離效果，且降低殘留於產品表面的汙染物的含量。

另一般習知技術中，為了增加黏著膠體的內聚力，也會添加多異氰酸酯系交聯劑，而在本發明中不加以限制，舉例而言，多異氰酸酯系交聯劑可為甲苯二異氰酸酯(TDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)、二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、二環己基甲烷二異氰酸酯(HMDI)、賴氨酸二異氰酸酯(LDI)或其相關衍生物，其具有通式為R-N=C=O。

如上所述，本發明的主體聚合物可以是通過單獨使用上述單體進行聚合反應而得，或是使用兩種以上的單體的混合物進行聚合反應而得。聚合反應的種類可以是溶液聚合、乳液聚合、整體聚合(mass polymerization)或是懸浮聚合反應。

經過聚合反應而形成主體聚合物後，主體聚合物可以具有大於20萬的重量平均分子量。較佳地，本發明實施例的主體聚合物是具有介於 80萬至350萬之間的重量平均分子量。針對主體聚合物的重量平均分子量，其可以是以膠滲層析法測量並經過計算而得(重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析儀(GPC)，以聚苯乙烯為標準品換算而得)。

具有介於上述範圍之內的重量平均分子量的主體聚合物可以具有較低的寡聚物含量。如此一來，在包含主體聚合物的熱硬化型黏著組成物經過熱硬化程序而自黏附物的表面剝離後，可以大幅減少殘留在黏附物表面的污染物。具體來說，基於上述針對與主體聚合物有關的單體的選擇，可以使得主體聚合物具有較高的分子量。據此，主體聚合物將具有較佳的物理性質，例如不易殘脫膠以及優良的耐熱性等。如此一來，低分子量物質不會隨時間經過於黏著劑中移動，進而確保熱硬化型黏著劑組合物的穩定性。相對的，若主體聚合物的分子量較低，則在黏著劑產品中的低分子量物質會對熱硬化型黏著劑組合物有不利的影響。

在本發明實施例中，主體聚合物、熱硬化基團、熱硬化劑、與氟素離子液體必須相互配合以發揮本發明所欲達成的功效。具體來說，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物所包含的熱硬化基團是有助於高溫熱硬化的基團，且可以是與主體聚合物的結構單元的「具有可聚合的碳-碳雙鍵基之單體」相同的基團。舉例而言，熱硬化基團可以同樣含有可聚合的碳-碳雙鍵基。

除此之外，熱硬化基團是以具有熱硬化基團的單體，或者是具有熱硬化基團的寡聚物的形式存在於硬化黏著劑組成物中。換句話說，熱硬化基團可以具有可聚合的碳-碳雙鍵基的單體或是寡聚物之形式存在。

在本發明中，熱硬化基團可以是通過鍵結方式而位於主體聚合物的側鏈上。或者是，熱硬化基團可以是由經由額外添加的具有熱硬化基團的寡聚物所提供。換句話說，主體聚合物的至少一個結構單元可以是衍生自具有熱硬化基團的單體，且這個結構單元是位於主體聚合物的側鏈上，抑或是在不改變主體聚合物的情況下，額外添加具有熱硬化基團的聚物。在本發明的實施例中，是使用額外添加的具有熱硬化基團的寡聚物作為熱硬化基團的來源。

本發明實施例所使用的熱硬化基團可以衍生自具有熱硬化基團的單體，而具有熱硬化基的單體可以是具有含可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或是具有含可聚合的碳-碳雙鍵的甲基丙烯醯基的單體。或是，本發明實施例所使用的熱硬化基可以衍生自上述具有熱硬化基的單體的寡聚物。舉例而言，本發明實施例所使用的熱硬化基可以衍生自季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；酯-丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基-3-丁烯基氰脲酸酯；或是異氰脲酸酯、異氰脲酸酯化合物等。

另外，當使用具有熱硬化基的單體衍生的寡聚物來構成本發明所提供的熱硬化型黏著組成物中的熱硬化基團時，為了使熱硬化型黏著組成物在高溫(100~200℃)反應後對被黏附物的黏著力被控制在所欲的範圍內，以熱硬化型黏著組成物中主體聚合物的重量為基準，具有熱硬化基的單體中的可聚合的碳-碳雙鍵基的含量為介於0.5至8%之間，較佳是介於1至5%之間，且最佳是介於3至3.6%之間。基於上述範圍，可以適當地選擇熱硬化型黏著組成物中的熱硬化基團的含量。熱硬化基團的位置可以依據產品需求加以調整。

該熱硬化劑可以是一種高溫熱硬化反應劑。高溫熱硬化反應劑在高溫過程下可以發生反應而達到降低熱硬化型黏著組成物的黏著力的效果。可用於本發明的熱硬化劑例舉於下表1中，且表1中同時列出其等的分解溫度。

通過熱硬化劑的使用，可以對本發明實施例所提供的熱硬化黏著組成物進行加熱步驟，而利用熱源起始聚合反應。用於本發明中的熱源，來自於加熱高溫(100~200℃)濺鍍時機台所提供，可以是電波、電子束、紅外線、可見光線、紫外線、X射線或是γ射線。然而，本發明的加熱方式(即提供熱源的方式)不在此限制且也可以是通過熱風烘箱、鹵素燈、微波加熱、火爐或蒸氣熱傳導等方式提供熱源。

另因在高溫(100~200℃)濺鍍製程後，可催使熱硬化劑反應達到黏著力下降，進而使電子元件可輕易與黏著片分離，前提是必須熱硬化劑之分解溫度至少<高溫濺鍍製程之溫度。舉例來說，如高溫濺鍍製程溫度為100℃，則熱硬化之挑選為熱硬化劑1~熱硬化劑19，對應分解溫度為66~99℃。

值得注意的是，進行高溫加熱步驟時，除了加熱溫度需要高於所使用的熱硬化劑的分解溫度之外，且加熱時間必須持續至少5分鐘。

舉例而言，當採用上表1中的熱硬化劑35進行高溫加熱步驟，加熱溫度須高於153℃且加熱時間為至少5分鐘。如此一來，方能確保熱硬化型黏著組成物經過加熱而硬化。另以100份的主體聚合物為基準，在熱硬化型黏著組成物中的熱硬化劑的含量是介於0.1至20重量份之間，較佳地熱聚合起始劑的含量是介於0.5至10重量份。

本發明之熱硬化型抗靜電之黏著組成物還可以包括用以起始主體聚合物聚合反應的熱聚合起始劑。熱聚合起始劑可以是過氧化苯(benzoyl peroxide)、偶氮二異丁腈(AIBN)或是其等的混合物。

以100份的主體聚合物為基準，在熱硬化型黏著組成物中的熱聚合起始劑的含量是介於0.1至20重量份之間，較佳地熱聚合起始劑的含量是介於0.5至10重量份。

在本發明所提供的熱硬化型抗靜電之黏著組成物中的氟素離子液體(產品中最低分解溫度>300℃)可以在高溫過程中不發生任何裂解或揮發，抑即在通過高溫(100~200℃)濺鍍製程中不會裂解或揮發進而污染元件。可用於本發明的氟素離子液體(由三菱綜合材料株式會社所購得)之化學結構與型號例舉於下表2中，且表3中同時列出其等的分解溫度。

表二：氟素離子液體之型號與對應之化學結構

表三：氟素離子液體之型號與對應之分解溫度

在本發明實施例中，主體聚合物、熱硬化基團、熱硬化劑、與氟素離子液體必須相互配合以發揮本發明所欲達成的功效，所以所挑選之氟素離子液體必須具有脂肪族之長碳鏈C數至少≧3以及氟素離子液體之單元結構中所含之S數<2。

適用於本發明中的高溫濺鍍製程之溫度，可以是100~200℃區間，因應不同機台、不同鈀材與濺鍍不同之金屬可達防EMI之金屬層。

另於電子元件上鍍可達防EMI之金屬層，不侷限於濺鍍方式，舉例而言，也可使用蒸鍍、離子鍍等方式。

本發明所提供的黏著片可以具有不同形狀。具體來說，黏著片可以是片狀的黏著材料，或者是被捲取成卷狀的黏著材料。另外，黏著片的形狀可以依據應用的領域、用以黏附的產品型態，或是其他製造過程的參數而加以調整，本發明在此並不加以限制。所提供的黏著片可以具有不同形狀。具體來說，黏著片可以是片狀的黏著材料，或者是被捲取成卷狀的黏著材料。另外，黏著片的形狀可以依據應用的領域、用以黏附的產品型態，或是其他製造過程的參數而加以調整，本發明在此並不加以限制。

聚醯亞胺膜10係用以作為熱硬化型黏著組成物支撐，其厚度可以是介於10至300微米(μm)之間，較佳地，為介於12.5至200微米之間。

在本發明中，基膜必須限定為聚醯亞胺膜。因一般習知之膜材種類眾多，但因過高溫濺鍍製程(100~200℃)除了聚醯亞胺膜之外，其餘習知之膜材會有過高溫較易有尺寸帳縮或裂解等問題發生。

另外，醯亞胺膜還可以通過進行表面處理而可以良好地與其他層體相互緊密接合。舉例而言，可以對基膜進行物理處理或是化學處理，或是對基膜同時進行物理處理與化學處理。處理方式可以包括光處理、電暈放電、底塗(undercoat)處理、塗佈處理、交聯處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露以及離子化放射線處理等。

本發明實施例所提供之黏著片中之黏著組成物可以通過塗佈步驟是轉印步驟而形成在基膜的表面。舉例而言，可以直接將熱化型黏著組成物塗佈於聚醯亞胺膜之表面。或者是，可以先將熱硬化型黏著組成物塗佈於一暫時載體的表面，暫時載體的表面預先設置有脫模劑，待塗佈於暫時載體的脫模劑上的熱硬化型黏著組成物乾燥成形後，再將乾燥成形的熱硬化型黏著組成物轉印至聚醯亞胺膜之表面。

在本發明中，黏著組成物的厚度可以是介於1至50微米(μm)之間的範圍內。實務上，為了確保包括黏著片之黏著力，黏著組成物必須具有大於1微米的厚度。

本發明實施例所提供的黏著片除了包括聚醯亞胺膜與黏著組成物之外，還可以進一步包括離型層。離型層可以設置於黏著層的表面，使得黏著層設置於基膜與離型層之間。離型層可以具有介於10至200微米(μm)之間的厚度，且可以由紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯所形成。離型層可以對黏著層提供保護以及隔離的效果，使得黏著片在儲存時不會受到外界環境的因素影響而降低黏著力等特性。

實務上，為了增加離型層的功能性，還可以賦予離型層抗紫外線的功能，藉此可以有效避免黏著片的黏著層受到儲存環境的紫外光影響而發生反應。另外，在使用時輕易將離型層自黏著層分離，離型層的表面可以經過特定表面處理步驟，舉例而言，對離型層的表面進行改質，諸如進行聚矽氧處理、長鏈烷基處理或是氟處理等剝離處理。

本發明實施例所提供的黏著片可用於抗電磁干擾(EMI)之鍍金屬製程，包含能使用濺鍍、蒸鍍與離子鍍等型式，但被貼物(電子元件)不限制於哪一個產業之應用。且黏著片所黏附的物件的材料並不加以限制，舉例而言可以是金屬、陶瓷、玻璃、半導體元件、軟板、硬板、軟硬結合板、LED等電子材料，於相關電子產業生產過程中保護或是乘載用黏著片。

在將黏著片貼附於被黏附物上進行特定的生產或是製造步驟之後，在需要將黏著片自被黏附物移除之前，可以通過被黏附物本身生產程序中的加熱步驟而對黏著片的黏著層進行加熱處理。

一般而言，對本發明實施例所提供的黏著片實施加熱處理的時間是介於5至30分鐘之間。實務上，加熱時間須至少為5分鐘，藉此確保黏著層的黏著力降低率是足以在後續步驟中輕易將被黏附物自黏著片分離，達到容易拾取的技術效果。

接下來將以實施例以及比較例展示本發明所提供的熱硬化型抗靜電之黏著片的內容與效果。

在一升(1L)的圓底燒瓶上裝設有分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、冷凝管、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片的一般聚合用實驗裝置中添加入構成主體聚合物之單體。

主體聚合物的熱聚合起始劑使用相對於單體總量為0.3重量%的AIBN。

接下來，在上述聚合用實驗裝置中通入氮氣，在進行攪拌下利用隔水加熱方式將實驗裝置內溶液溫度控制為65℃±2℃，反應12小時，獲得主體聚合物之主體膠溶液。

於上述獲得的主體膠溶液中混合高溫反應熱硬化反應劑(簡述”熱硬化劑”)、熱硬化基團、氟素離子液體，於下實施例與比較例展示其配方與用量。另需加入多異氰酸酯系交聯劑以及乙酸乙酯，均勻攪拌以獲得黏著劑溶液。

相對於主體膠之單體總量，添加2%多異氰酸酯系交聯劑(甲苯二異氰酸酯，CAS number：584-84-9，由Sigma-Aldrich購得)。

利用塗佈機將所獲得之聚合物溶液或黏著劑溶液塗佈於經聚矽氧系化合物進行剝離處理的PET膜的剝離處理面上，並於100℃之乾燥機中乾燥30分鐘，獲得厚度為20μm的黏著層。

事先對聚醯亞胺膜的單面進行電暈處理。基膜的厚度為25μm。

用手壓輥將黏著層貼合於該聚醯亞胺膜之電暈處理面上，於50℃下密接化處理72小時，製作黏著片。將黏著片固定在鐵框上，鐵框中間裸露出之黏著片可以將電子元件固定其中，接下來放置於濺鍍機台中濺鍍銅金屬，控制機台溫度在150℃情況下進行濺鍍。

A.表面電阻量測(Ω)：

表面電阻量測儀器型號：PRS-801；操作規範：參照ASTM D257；操作方法：將黏著片裁成長10公分×寬10公分之樣品。將樣品放置於絕緣的平面上，將檢測筆(PRF-922B)垂直按壓於測試面，再按下RESET後，接著按下TEST鈕，即可量測表面電阻數值。

B.剝離過程之情況：

在元件經由黏著片乘載情況下，經過高溫濺鍍製程後，了解將電子元件於黏著片上剝離之狀況。使用人工方式將黏著片與電子元件先剝離出一開口，在嘗試可否於電子元件被貼面撕除黏著片，來判斷剝離程度之情況，舉例而言，如果無法使用人工方式將電子元件被貼面撕除黏著片，即判斷為不易剝離。

C.剝離過程後之元件被黏著片汙染情況：

在元件經由黏著片乘載情況下，經過高溫濺鍍製程後，將元件於黏著片上剝離，使用顯微鏡觀察元件之被貼面有無殘膠(倍率：400X)。

D.濺鍍過程後之黏著片與被貼物之服貼狀況：

在元件經由黏著片乘載情況下，經過高溫濺鍍製程後，使用目視觀察黏著片與被貼物之服貼狀況。

下述含量(%)都以熱硬化型黏著組成物的總重計算

實施例1：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：0.5%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

實施例2：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸己酯及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：0.5%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

實施例3：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：8%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

實施例4：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

實施例5：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之EMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例1：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丙酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：0.5%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例2：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：9%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例3：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：0.3%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例4：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIN111。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例5：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之EMIN111。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例6：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之TEATFSI。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例7：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之MTOATFSI。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例8：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(32)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PET膜。

比較例9：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(34)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例10：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(35)：0.5%之3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

比較例11：

主體聚合物：500克(g)的乙酸乙酯、40.5g的甲基丙烯酸丁酯以及2.2g的丙烯酸。熱硬化基團：4%之丙烯酸甲酯；熱硬化劑(36)：0.5%之 3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧雜環庚烷氟素離子液體：1~5%之BMIEF41。(添加1~5%觀察表面電阻最低為最佳添加量)；基膜：PI膜。

實施例與比較例比較

上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。

10:聚醯亞胺膜

12:熱硬化型抗靜電之黏著組成物

Claims

一種熱硬化型抗靜電之黏著片，其表面電阻係數為等於或小於10¹¹Ω，其係用於100~200℃之高溫濺鍍製程，其包括有：一聚醯亞胺膜；及一熱硬化型抗靜電之黏著組成物，其係黏著於該聚醯亞胺膜上，其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體，該主體聚合物之至少一單體前驅物之飽和烴C數至少≧4，該熱硬化基團的含量以該主體聚合物為基準介於0.5至8wt%之間，該熱硬化劑之分解溫度小於該高溫濺鍍製程之溫度，該氟素離子液體之脂肪族之長碳鏈之碳(C)數至少≧3，且氟素離子液體之單元結構中所含之硫(S)數<2。
如請求項1所述之熱硬化型抗靜電之黏著片，其中，該主體聚合物之至少一單體前驅物包括有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是一含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。
如請求項1所述之熱硬化型抗靜電之黏著片，其中，該熱硬化基團具有所述熱硬化基團的一單體或者是具有該熱硬化基團的一寡聚物的形式。
如請求項1所述之熱硬化型抗靜電之黏著片，其中，該熱硬化型抗靜電之黏著組成物更包括有用以起始主體聚合物反應之熱聚合起始劑。