TWI739745B - 用於一設備前端模組之流動修改配件 - Google Patents

用於一設備前端模組之流動修改配件 Download PDF

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Abstract

一種設備前端模組。一設備前端模組(EFEM)包含依一角度突出遠離該設備前端模組之一內壁且延伸至該設備前端模組(EFEM)之一內部中之一流動修改特徵。該流動修改特徵藉由偏轉氣體流動遠離及/或層流化跨該EFEM之一開口之氣體流動而修改自該EFEM之一頂部流動至一底部之氣體之該流動，此可改良銜接於該EFEM處之一晶圓載具之沖洗效能。

Description

用於一設備前端模組之流動修改配件動 [相關申請案之交叉參考]
本申請案主張以下申請案之權利及優先權：2015年6月17日申請之美國臨時申請案第62/181,018號；2015年10月13日申請之美國臨時申請案第62/240,925號；及2016年3月9日申請之美國臨時申請案第62/305,651號，該等申請案之全文為了全部目的以引用的方式併入本文中。
本發明大體上係關於用於處理矽晶圓及用於半導體製造產業之其他基板之自動化設備，且更特定言之，係關於一種用於修改用於處理矽晶圓及其他基板之一設備前端模組內部之氣體流動之配件。
現代半導體製造設施(稱為「晶圓廠」)使用可處理多個晶圓之工具。通常使用一前開口晶圓傳送盒(FOUP)將晶圓自一儲料器遞送至一工具。FOUP可手提至工具且自工具手提或其等可藉由一自動物料搬運系統(AMHS)或架空軌道(OHT)系統遞送。透過一設備前端模組(EFEM)而將晶圓自FOUP傳送至工具。EFEM通常包含用於接收載具之一裝載埠、一傳送單元及一框架或「微型化無塵室(mini-environment)」。
圖1展示具有沖洗能力之一已知FOUP 2。FOUP 2包含一前開口 (open front)4、一門6及一晶圓容器部分8。透過前開口4而水平***且移除晶圓W。形成於晶圓容器部分8之內側中之槽(不可見)容納晶圓W。門6可包含一密封件且可密封接合晶圓容器部分8以形成與環境氛圍隔離之一內部環境。
參考圖2，FOUP 2亦可包含一沖洗塔10。沖洗塔10可經定位朝向晶圓容器部分8之後側。沖洗塔10促進氣態工作流體或沖洗氣體流動至一基板容器中，使得沖洗氣體可經引導朝向且遠離容置於FOUP中之晶圓。沖洗氣體將掃掠容器及其之內容物，提取殘餘水分、氧氣及大氣微污染物(AMC)且促進顆粒朝向一出口埠或門開口之移動。
將沖洗氣體引入至FOUP內部環境中以達成且維持內部FOUP環境內之低相對濕度及氧位準。沖洗之一挑戰係尤其當移除FOUP門6時，在容器內之基板上方快速且有效地均勻分佈沖洗氣體以達成低相對濕度及氧位準。
已引入新沖洗技術以達成且維持一FOUP環境或其他基板容器環境內之低相對濕度(RH)條件及/或低氧位準。然而，當FOUP門在一打開狀態中時，一例示性FOUP之沖洗效能可對EFEM裝載埠與FOUP開口之間之介面處之氣體流動非常敏感。當FOUP銜接於EFEM處且FOUP門對EFEM裝載埠打開時，(若干)各種EFEM結構可導致亂流氣體流動。另外，在EFEM內流動之氣體可偏轉至打開FOUP中。FOUP-EFEM介面處之亂流氣體流動及至FOUP內部中之氣體之可能偏轉可破壞FOUP之沖洗效能，導致微型化無塵室內之非均一濕度及氧位準，從而難以達成且維持FOUP內部之一減小之相對濕度條件。另外，遍及半導體產業使用許多EFEM構形。由於EFEM裝載埠與用於不同EFEM之FOUP開口之間之介面處之差異，可難以跨使用一單一FOUP沖洗構形之各種EFEM構形達成一均一FOUP打開門沖洗效能。
圖3係展示銜接於鄰近一設備前端模組(EFEM)18之一裝載埠14 上之一已知基板容器12之一示意圖。基板容器12可係任何前開口基板載具，諸如例如一前開口晶圓傳送盒(FOUP)、一前開口裝運箱(FOSB)或一多應用載具(MAC)。為了簡潔起見，已知系統之失效之論述以及本文中描述之實施例之論述在一FOUP之背景內容中描述，如圖1至圖3中展示。然而，熟習此項技術者將通常理解，本文中揭示之許多概念可應用至其他基板容器或載具，且更特定言之，其他前開口基板容器或載具。
在使用中，基板容器12銜接於一裝載埠上且EFEM 18之門(本文中有時亦稱為一裝載埠或一裝載埠開口)打開。接著，門與基板容器12脫離，此允許容置於EFEM 18內之一機械臂接取基板容器12內含有之半導體晶圓W以用於處理。氣體(例如，氮或額外清潔乾燥空氣)在自EFEM之一頂部22至EFEM之一底部26之一方向上流動通過EFEM 18，如由圖3中之箭頭指示。當基板容器12之前開口30與EFEM 18之裝載埠開口34介接從而產生一FOUP-EFEM介面時，流動通過EFEM 18且跨裝載埠開口34之一些氣體可不經意地引導至容器12之容器內部38中，藉由暫時導致基板容器12之微型化無塵室內之相對濕度及/或氧位準之一增加而潛在干擾基板容器12之沖洗能力，此可係非所要的。另外，非全部EFEM具有相同構造。EFEM之大小及尺寸以及EFEM之內部結構可依據製造者而變動。不同製造者之EFEM之間之大小及構造之可變性可在基板容器12與不同EFEM一起利用時產生基板容器12之沖洗效能之差異。
本發明大體上係關於用於處理矽晶圓及用於半導體製造產業之其他基板之自動化設備，且更特定言之，係關於一種用於修改用於處理各種基板(包含矽晶圓)之一設備前端模組內部之氣體流動之配件。
在一項闡釋性實施例中，一種用於修改用於處理矽晶圓之一設 備前端模組內部之氣體流動之流動修改配件包含經構形以定位於一設備前端模組之一開口內及上方之一材料片。該材料片可包含複數個孔或其可係聚合物或金屬材料之一固體片。在一些情況中，該材料片係具有具均一形狀及尺寸之複數個孔之一網。當該材料片經定位成鄰近一內壁時，該材料片具有經設定大小以沿著該EFEM之該開口延伸之一第一側及在遠離該EFEM之該內壁之一方向上延伸且至該EFEM內部中之一第二側。該第一側具有等於或大於該EFEM開口之一寬度之一第一尺寸，且該第二側具有當該第二側延伸至該EFEM內部中時足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一第二尺寸。
在另一實施例中，一種流動修改配件包含一材料片，該材料片在一設備前端模組之一開口上方連接至一內壁，使得該材料片依一角度延伸遠離該內壁至該設備前端模組之一內部中。該材料片具有經設定大小以沿著該設備前端模組之該開口延伸之一第一側及延伸至該設備前端模組之該內部中之一第二側。該第一側具有至少等於該設備前端模組之一裝載埠開口之一寬度之一第一尺寸，且該第二側具有當該材料片延伸至該設備前端模組內部中時足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一第二尺寸。
在又一實施例中，一種用於修改用於處理矽晶圓之一設備前端模組內部之氣體流動之流動修改特徵包含經構形以連接至一內壁且在一設備前端模組之一開口上方之一金屬網配件。該金屬網配件包含經定位成依九十度角度鄰近一第二部分之一第一部分。該第一部分經設定大小以沿著該設備前端模組之該開口延伸且該第二部分經設定大小以延伸至該設備前端模組內部中達足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一距離。
在又其他實施例中，一種設備前端模組包含依一角度突出遠離該設備前端模組之一內壁且至該設備前端模組之一內部中之一流動修 改特徵。該流動修改特徵修改跨該設備前端模組之一開口自該設備前端模組之一頂部流動至一底部之氣體之一流動。
提供前述總結以促進本發明獨有之一些創新特徵之一理解且不意欲係一完全描述。可藉由將整個說明書、申請專利範圍、圖式及摘要視為一整體而獲得本發明之一完全瞭解。
2:前開口晶圓傳送盒(FOUP)
4:前開口
6:門
8:晶圓容器部分
10:沖洗塔
12:基板容器
14:裝載埠
18:設備前端模組(EFEM)
20:內壁
22:設備前端模組(EFEM)之頂部
26:設備前端模組(EFEM)之底部
30:前開口
34:裝載埠開口
36:上壁
38:容器內部
42a:流動修改配件
42b:流動修改配件
50b:流動偏轉器元件
50c:流動偏轉器元件
54:平坦材料片
56a:第一側
56b:第一側
56c:第一側
58a:第二側
58b:第二側
58c:第二側
62:第一部分
64:第二部分
66:最高點
68:第一部分
70:第二部分
80a:層流流動元件
80b:層流流動元件
80c:層流流動元件
82:開口
84:平坦材料片
86a:第一側
86b:第一側
86c:第一側
88a:第二側
88b:第二側
88c:第二側
92:第一部分
94:第二部分
102:層流流動部分
104:導板部分
106:層流流動元件之側
110:流動修改配件
114:安裝凸緣
116:安裝舌片
118:設備前端模組(EFEM)
120:內壁
126:磁性元件
128:螺絲
132:孔
142a:流動修改配件
142b:流動修改配件
142c:流動修改配件
144b:流動修改配件之端
144c:流動修改配件之端
146:第一部分
148:第二部分
150a:流動偏轉器元件
150b:流動偏轉器元件
154:第一側
158:第二側
200:測試設定
204:霧化器
210:流動修改配件
218:設備前端模組(EFEM)
222:突出部分
224:突出部分之底部
230:第一側壁
232:第二側壁
234a:第一端壁
234b:第二端壁
240:上表面
244:下表面
246:內部
248:開口
252:開口
260:流動修改配件
262:葉片/鰭片
264:空隙
α:角度
l:長軸
m:短軸
W:晶圓
當結合隨附圖式考量各項闡釋性實施例之以下描述時可更完全理解本發明。
圖1展示一已知前開口晶圓容器。
圖2展示包含一沖洗塔之一已知前開口晶圓容器。
圖3係與一設備前端模組互動之一已知前開口晶圓載具之一示意性圖解。
圖4A及圖4B係根據本發明之一實施例之一前開口晶圓容器與一設備前端模組之間之互動之放大示意性圖解。
圖5A至圖5C係根據本發明之一實施例之一前開口晶圓容器與一設備前端模組之間之互動之放大示意性圖解。
圖6A至圖6C係根據本發明之實施例之各種流動偏轉器元件之示意圖。
圖7A及圖7B係根據本發明之實施例之其他流動偏轉器元件之示意圖。
圖8A至圖8C係根據本發明之實施例之各種層流流動元件之示意圖。
圖9A至圖9B展示根據本發明之另一實施例之又一層流流動元件之透視圖及端視圖。
圖10係根據本發明之又一層流流動元件之一示意圖。
圖11A至圖11D係根據本發明之實施例之包含各種附接構件之流 動修改配件之示意圖。
圖12至圖19係展示在不同沖洗條件下實行之沖洗效能測試結果之圖表。
圖20係展示一粒子測試設定之一示意圖。
圖21A至圖21C展示針對各粒子測試構形之預及後掃描圖。
雖然本發明服從各種修改及替代形式，但本發明之細節已在圖式中藉由實例展示且將詳細描述。然而，應理解，本發明不將本發明之態樣限於所描述之特定闡釋性實施例。相反地，意圖係涵蓋落於本發明之精神及範疇內之全部修改、等效物及替代例。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，單數形式之「一(a/an)」及「該」包含複數指示物，除非本內容脈絡中清楚另外指明。如此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，通常採用術語「或」在其意義上包含「及/或」，除非本內容脈絡中清楚另外指明。
應參考圖式閱讀以下詳細描述，其中不同圖式中之類似元件相同編號。不必須按比例之詳細描述及圖式描繪闡釋性實施例且不意欲限制本發明之範疇。所描繪之闡釋性實施例僅意欲為例示性。任何闡釋性實施例之選定特徵可併入一額外實施例中，除非明確相反地陳述。
作為前述問題之一緩解，根據本發明之各項實施例，一EFEM 118、218可包含一流動修改特徵，其修改在EFEM 118、218內流動之氣體之流動，且更特定言之，修改在FOUP-EFEM介面處跨EFEM 118、218之裝載埠開口34流動之氣體之流動。提供修改在一EFEM(諸如例如EFEM 118、218)內流動之氣體之流動之一流動修改特徵可增強一FOUP或銜接於裝載埠處之其他基板容器之沖洗效能，及/或當一給定FOUP與來自不同製造者之不同EFEM一起利用時，使該給定 FOUP之沖洗效能均一。另外，當FOUP銜接於具有一流動修改特徵之一EFEM處時可使用FOUP內之一較低沖洗氣體流動速率。
圖4A及圖4B展示與包含一流動修改配件42a、42b之EFEM 118之一裝載埠開口34介接之一基板容器12(諸如例如一FOUP)之一前開口30之示意圖。流動修改配件42a、42b可定位於EFEM內之任何處，只要其修改流動通過裝載埠開口34之氣體之流動。如圖4A及圖4B中展示，流動修改配件42a、42b可經定位在EFEM 118之一裝載埠開口34處或上方鄰近且接觸內壁20。在一些情況中，流動修改配件42a、42b經定位稍微在裝載埠開口34上方。在其他情況中，流動修改配件42a、42b可經定位使得配件42a、42b在裝載埠開口34之一上壁36下方延伸。另外，流動修改配件42a、42b定位於EFEM 118內使得其延伸遠離內壁20且至EFEM 118之內部中，以修改在EFEM 118內流動之氣體之流動，且更特定言之，修改通過裝載埠開口34之氣體之流動。在一些實施例中，流動修改配件42a、42b可經定位成相對於EFEM 118之內壁20呈九十度角度α。在其他實施例中，流動修改配件42a、42b可經定位成相對於EFEM之內壁20呈範圍自約90至約170度之一角度。流動修改配件42a、42b可連同EFEM 118之一內壁一體地形成。替代地，如本文中將更詳細描述，流動修改配件42a、42b可提供為實體連接至EFEM 118之內壁之一分開元件。
在一些實施例中，如圖4A中展示，流動修改配件42a可係一流動偏轉元件，其偏轉氣體流動遠離裝載埠開口34且遠離FOUP-EFEM介面，延遲氣體流動進入容器12之內部38中。在其他實施例中，如圖4B中展示，流動修改配件42b係具有使流動通過裝載埠開口34且因此FOUP-EFEM介面之亂流氣體流動為層流之複數個孔或開口之一層流流動元件。跨裝載埠開口之一層流氣體流動亦可延遲及/或減少自EFEM 118進入FOUP 12之氣體之量。
形成層流流動元件之開口可具有變動大小及形狀且可包含圓形開口、多邊形形狀之開口(例如，正方形、矩形、菱形、六邊形等)。在一些情況中，開口可具有一均一大小及形狀且可均勻分佈於形成層流流動元件之材料片之表面區域之至少一部分上方。在其他情況中，開口之大小可變動及/或提供於材料片中之開口之數目可沿著層流流動元件之一長度變動。舉例而言，在一些實施例中，提供於層流流動元件中之開口之數目在流動元件之一中間區段中可係最大。在其他情況中，僅可向一流動元件之中間區段提供開口。
另外，在某些情況中，流動修改配件可組合一流動偏轉器元件及一層流流動元件之特徵。
在一些情況中，某些EFEM可具有在裝載埠開口34上方產生一突出部分之一內部結構或一框架。圖5A至圖5C展示與包含一突出部分222之EFEM 218之一裝載埠開口34介接之一容器12之一前開口30之示意圖。一流動修改配件142a、142b、142c自突出部分222延伸使得其延伸至EFEM 218中，以修改在EFEM 218內流動之氣體流動，且更特定言之，修改在FOUP-EFEM介面處跨EFEM 218之裝載埠開口34流動之氣體流動。
流動修改配件142a至142c可連同EFEM 218之一內壁120一體地形成。替代地，如本文中更詳細描述，流動修改配件142a至142c可提供為實體連接至EFEM 218之內壁120之一分開元件。流動修改配件142a至142c可係一層流流動元件或一流動偏轉器元件，如本文中根據各項實施例描述。在一些情況中，流動修改配件142a至142c可組合一流動偏轉器元件及一層流流動元件之特徵。
如圖5A至圖5C中展示，流動修改配件142a至142c經定位成鄰近且接觸由突出部分222界定之EFEM 218之一內壁120。流動修改配件142a至142c定位於EFEM 218內使得其延伸遠離內壁120及突出部分 222之一底部224且至EFEM 218之內部中，以修改在EFEM 218內流動之氣體之流動。
另外，流動修改配件142a至142c經定位在裝載埠開口34處或上方鄰近突出部分222。在一些情況中，流動修改配件142a至142c不在裝載埠開口34之一上壁36下方延伸。流動修改配件142a至142c可定位於裝載埠開口34處或上方，使得流動修改配件之一端144a至144c定位於裝載埠開口34之上壁36與突出部分222之一底部224之間。流動修改配件142a至142c可定位於裝載埠開口34處或上方，使得流動修改配件142a至142c之一端144a至144c定位於裝載埠開口34之上壁36與突出部分222之底部224之間達範圍自當自裝載埠開口34之上壁36量測時之距離之約百分之五至約百分之九十五之一相對距離。相對距離定義為自上壁36量測之距離除以在上壁36與突出部分222之一底部224之間量測之總距離乘以一百。在其他實施例中，流動修改配件142a至142c之一端144a至144c定位於裝載埠開口34之上壁36與突出部分222之底部224之間達範圍為以下之一相對距離：自約百分之十至約百分之九十；自約百分之十至約百分之八十；自約百分之十至約百分之六十；自約百分之十至約百分之四十；及自約百分之十至約百分之二十。在又其他實施例中，流動修改配件142a至142c可定位於裝載埠開口34處或上方，使得流動修改配件142a至142c之一端144a至144c定位於裝載埠開口34之上壁36與突出部分222之一底部224之間之大約中途。在又其他實施例中，流動修改配件142a至142之一端144a至144c可稍微在裝載埠開口34之上壁36下方延伸。
在一些實施例中，如圖5A中展示，流動修改配件142a可大體上為L狀，使得其具有自突出部分222向下延伸之一第一部分146及經定位成相對於第一部分146呈九十度角度使得其延伸至EFEM 218之內部中之一第二部分148。在其他實施例中，流動修改配件142b可經定位 成相對於EFEM 218之內壁120呈大於約九十度之一角度，使得其在一向下方向上延伸遠離突出部分222，如圖5B中展示。在又其他實施例中，流動修改配件142可以一凸或一凹方式彎曲遠離突出部分之底部224，如圖5C中展示。當以此一方式彎曲時，尤其若流動修改配件142c係一固體元件時，流動修改配件142c可充當一機翼。
圖6A至圖6C係可用於偏轉氣體流動遠離一裝載埠開口(諸如圖4A至圖5C中展示之裝載埠開口34)之各種流動偏轉器元件50a至50c之示意圖。偏轉氣體遠離FOUP-EFEM介面及/或延遲氣體流動進入FOUP之內部中可有助於維持打開FOUP內之所要相對濕度及氧位準，可期望此以增加及/或維持來自容置於FOUP內之晶圓或基板之產品良率之一所要位準。如本文中論述，流動偏轉器元件50a至50c可連同一EFEM之一內壁一體地形成，或替代地，可使用各種附接構件提供為連接至一EFEM之內壁之一分開元件。適合附接構件可包含托架、螺絲、黏著劑、磁體及其等之組合。可根據一特定EFEM之大小及構造設定流動偏轉器元件50a至50c之大小及尺寸。換言之，可根據一特定EFEM之大小、尺寸及構造(突出部分或無突出部分)客製化流動偏轉器元件。在一些情況中，設定流動偏轉器元件50a至50c之大小使得其等沿著一選定EFEM之一裝載埠開口之整個寬度延伸。可設定流動偏轉器元件50a至50c之大小使得其等在一裝載埠開口或突出部分之寬度之至少一部分上方延伸。在一些情況中，可設定流動偏轉器元件50a至50c之大小使得其等沿著一選定EFEM之一突出部分之整個寬度延伸。
在一項實施例中，如圖6A中展示，流動偏轉器元件50a可係一金屬或聚合物材料之一平坦片54，當平坦材料片54經定位成鄰近且接觸EFEM之一內壁且在EFEM之一裝載埠開口上方時，平坦片54具有經構形以沿著一EFEM之裝載埠開口之至少一部分延伸之一第一側56a及 經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側58a。在一些情況中，第一側56a具有等於或大於EFEM之裝載埠開口之寬度之一第一大尺寸，且第二側58a具有允許第二側延伸至EFEM內部中達足以偏轉氣體之流動遠離EFEM之裝載埠開口之一距離之一第二小尺寸。在一些情況中，當自EFEM之內壁量測時，第二側58a可延伸至少約0.25吋(0.635cm)多達約4吋(10.16cm)之一距離至EFEM內部中。特定言之，當自EFEM之內壁量測時，第二側58a可延伸至少以下之一距離至EFEM內部中：約0.5吋(1.27cm)多達約3吋(7.62cm)；約0.50吋(1.27cm)多達約2吋(7.62cm)；且更特定言之，自約0.50吋(1.27cm)多達約1吋(2.54cm)。在許多情況中，第一側56a之第一尺寸大於第二側58a之第二尺寸，使得平坦材料片54具有一大體上矩形形狀。在一些情況中，平坦材料片係不鏽鋼之一固體片。
流動偏轉器元件50a可經放置成依相對於EFEM之內壁量測之一角度鄰近EFEM之內壁，如參考圖5A及圖5B在本文中描述。在一些情況中，流動偏轉器50a可經放置成依在平坦材料片之一上表面與EFEM之內壁之間量測之一90度角度鄰近EFEM之內壁。在其他情況中，流動偏轉器元件可經定位成依在平坦材料片之一上表面與EFEM之內壁之間量測之範圍自90度至約170度之一角度鄰近且接觸EFEM之內壁。
在另一實施例中，如圖6B中展示，流動偏轉器元件50b可包含一第一部分62及一第二部分64。第二部分62可經定位成沿著流動偏轉器元件50b之一短軸(m)相對於第二部分64呈一角度。另外，當流動偏轉器元件50b經定位成鄰近EFEM之一內壁且在EFEM之一裝載埠開口上方時，流動偏轉器元件50b包含經構形以沿著一EFEM之一裝載埠開口延伸之一第一側56b及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側58b。在圖5B中展示之實施例中，第一側56b具有一第一尺寸，該第一尺寸大於EFEM之裝載埠開口之寬度，因 此容納經定位成鄰近EFEM之內壁之成角度之第一部分62及第二部分64。在此實施例中，流動偏轉器元件50b經構形使得其可支撐抵於EFEM之兩個相對內壁或否則由該兩個相對內壁支撐，其中第一側56b經定位抵於包含裝載埠開口之內壁。在使用中，在EFEM內向下流動之氣體撞擊流動偏轉器元件50b之最高點66。流動偏轉器50b之最高點66在如由圖6B中之箭頭描繪之兩個不同方向上使氣體流動轉向，使得氣體流動遠離裝載埠開口(例如，圖4A至圖5C中展示之裝載埠開口34)之左側及右側。使氣體流動轉向遠離裝載埠開口34之側可係偏轉氣體遠離FOUP-EFEM介面及/或延遲氣體流動進入銜接於裝載埠處之一FOUP之內部中之另一有用方法。雖然展示一不同最高點66，但亦預想流動偏轉器元件50b可以一大體上半圓形形狀修圓。
圖6C展示一偏轉器元件50c之又一實施例。類似於參考圖6A及圖6B在上文中論述之流動偏轉器元件50a、50b，當流動偏轉器元件50c經定位成鄰近EFEM之一內壁時，流動偏轉器元件50c包含經構形以至少部分沿著一EFEM之一裝載埠開口之一寬度延伸之一第一側56c及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側58c。在圖5C中展示之實施例中，流動偏轉器元件50c亦包含經定位成沿著偏轉器元件50c之一長軸(1)相對於一第二部分70呈一角度之一第一部分68。第一部分68與第二部分70之間量測之角度α可小於約九十度。在一些情況中，第一部分68與第二部分70之間量測之角度α約45度。在此實施例中，包含第一側56c之第一部分68經構形以經定位成鄰近且接觸一EFEM之一內壁，使得第二部分70依第一部分68與第二部分70之間量測之角度延伸遠離內壁且至EFEM之內部中。在一些情況中，第一部分68可經定位成鄰近內壁且在EFEM之一裝載埠開口上方，使得第二部分70依一向下角度延伸至EFEM內部中。在其他情況中，第一部分68可經定位成鄰近一內壁且在EFEM之一裝載埠開 口上方，使得第二部分70依一向上角度延伸至EFEM內部中。另外，在一些情況中，第一側56c具有等於或大於EFEM之裝載埠開口之寬度之一第一尺寸，且第二側58c具有甚至當第二部分70經定位成相對於第一部分68呈一角度時允許第二側延伸至EFEM內部中達足以偏轉氣體之流動遠離EFEM之裝載埠開口之一距離之一第二尺寸。在一些情況中，當自EFEM之內壁量測時，第二側58c可延伸至少約0.25吋(0.635cm)多達約4吋(10.16cm)之一距離至EFEM內部中。特定言之，當自EFEM之內壁量測時，第二側58c可延伸至少以下之一距離至EFEM內部中：約0.5吋(1.27cm)多達約3吋(7.62cm)；約0.50吋(1.27cm)多達約2吋(7.62cm)；且更特定言之，自約0.50吋(1.27cm)多達約1吋(2.54cm)。
圖7A及圖7B展示一流動偏轉器150a、150b之其他實施例。在由圖7A、圖7B描繪之實施例中，流動偏轉器元件150a、150b彎曲且在一些情況中可充當偏轉氣體流動遠離裝載埠開口及FOUP-EFEM介面之一機翼。當流動偏轉器元件150a、150b經定位成鄰近EFEM之一內壁時，流動偏轉器元件150a、150b之各者具有經設定大小及尺寸以至少部分沿著一EFEM之一裝載埠開口延伸之一第一側154及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側158。在圖7A中描繪之實施例中，流動偏轉器元件150a以一凹方式彎曲。在圖7B中展示之描繪中，流動偏轉器150b以一凸方式彎曲。流動偏轉器元件150a、150b可由一金屬或塑膠材料之固體片製造。在一些實施例中，流動偏轉器元件150a、150b由不鏽鋼之一固體片製造。
圖8A至圖8C係可用於使跨一裝載埠開口流動之氣體之亂流流動為層流之各種層流流動元件80a至80c之示意圖。層流化FOUP-EFEM介面處之氣體流動可減小進入打開FOUP之氣體之量且可有助於維持打開FOUP內之所要相對濕度及氧位準，可期望此以增加及/或維持來 自容置於FOUP內之晶圓或其他基板之產品良率之一所要位準。如本文中論述，層流元件80a至80c可連同一EFEM之內壁一體地形成，或替代地，可使用各種附接構件提供為連接至一EFEM之內壁之一分開元件。適合附接構件可包含托架、螺絲、黏著劑、磁體及其等之組合。
在一項實施例中，如圖8A中展示，層流流動元件80a可係一金屬或聚合物材料之一平坦片84，其包含使通過層流流動元件80a之氣體之流動為層流之複數個孔或開口82。形成層流流動元件80a之開口82可具有變動大小及形狀且可包含圓形開口、多邊形形狀之開口(例如，正方形、矩形、菱形、六邊形等)、槽或狹縫。開口82可具有一均一大小及形狀且可均勻分佈於形成層流流動元件80a之材料片84之一表面區域之至少一部分上方。在一些情況中，開口82分佈於形成層流流動元件80a之材料片84之表面區域之至少百分之25上方且更特定言之，分佈於形成層流流動元件80a之材料片84之表面區域之至少百分之50多達百分之100上方。在其他情況中，開口82之大小可變動及/或提供於材料片84中之開口之數目可沿著層流流動元件80a之一長度變動。舉例而言，在一些實施例中，提供於層流流動元件80a中之開口82之數目在流動元件80a之一中間區段中可係最大。
在一項實施例中，層流流動元件由具有一均一形狀及尺寸之一網形成。網可係一編織網或其可係一多孔網。可基於特定EFEM、EFEM之內部結構及EFEM內之條件(諸如在EFEM內流動之氣體之速度)選擇網大小。針對一編織網，網大小通常係用於形成網之線或長絲之直徑之一變體。無關於線直徑，網大小可定義為每一線性吋之開口之數目。一較低網大小(例如，大小2或4)具有較大開口且適合於在EFEM內之氣體流動之一較高速度。一較高網大小(例如，10或12)具有較小開口且更適合於在EFEM內之氣體流動之一較低速度。在一些 情況中，用於形成圖8A至圖8C中展示之層流流動元件80a至80c之至少一部分之網大小的範圍可係每一線性吋自2至40個開口。在其他情況中，網大小的範圍可係每一線性吋自6至12個開口，且更特定言之，每一線性吋自8至10個開口。
網可由一抗腐蝕金屬或金屬合金形成。在一些情況中，使用一抗腐蝕塗層塗佈網。在一項實施例中，網係不鏽鋼網。
當平坦材料片84經定位成鄰近EFEM之一內壁且在EFEM之一裝載埠開口處或上方時，層流流動元件80a包含經構形以沿著一EFEM之一裝載埠開口之至少一部分延伸之一第一側86a及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側88a。在一些情況中，第一側86a具有等於或大於EFEM之裝載埠開口之寬度之一第一尺寸，且第二側88a具有允許第二側88a延伸至EFEM內部中達足以使EFEM內且跨裝載埠開口之氣體之流動為層流之一距離之一第二尺寸。在一些情況中，當自EFEM之內壁量測時，第二側88a可延伸至少約0.25吋(0.635cm)多達約4吋(10.16cm)之一距離至EFEM內部中。特定言之，當自EFEM之內壁量測時，第二側88a可延伸至少以下之一距離至EFEM內部中：約0.5吋(1.27cm)多達約3吋(7.62cm)；約0.50吋(1.27cm)多達約2吋(7.62cm)；且更特定言之，自約0.50吋(1.27cm)多達約1吋(2.54cm)。在許多情況中，第一側86a之第一尺寸大於第二側88a之第二尺寸，使得層流流動元件80a具有一大體上矩形形狀。
層流流動元件58a可經放置成依相對於EFEM之內壁量測之一角度鄰近EFEM之內壁，如參考圖5A及圖5B在本文中描述。在一些情況中，層流流動元件80a可經放置成依在平坦材料片84之一上表面與EFEM之內壁之間量測之一90度角度鄰近EFEM之內壁。在其他情況中，層流流動元件可經定位成依在平坦材料片84之一上表面與EFEM之內壁之間量測之範圍自90度至約170度之一角度鄰近且接觸EFEM之 內壁。
在另一實施例中，如圖8B中展示，層流流動元件80b由具有複數個開口之一材料形成，如參考圖8A在本文中描述。在一些情況中，層流流動元件80b由一金屬網(諸如例如不鏽鋼金屬網)形成。網大小的範圍可係每一線性吋自2至40個開口，每一線性吋自6至12個開口，且更特定言之，每一線性吋自8至10個開口。當層流流動元件80b經定位成鄰近且接觸EFEM之一內壁時，層流流動元件80b可包含經構形以沿著一EFEM之一裝載埠開口延伸之一第一側86b及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側88b。在一些情況中，第一側86b具有等於或大於EFEM之裝載埠開口之寬度之一第一尺寸，且第二側88b具有允許第二側延伸至EFEM內部中達足以使EFEM內之氣體之流動為層流之一距離之一第二尺寸。在一些情況中，當自EFEM之內壁量測時，第二側88b可延伸至少約0.25吋(0.635cm)多達約4吋(10.16cm)之一距離至EFEM內部中。特定言之，當自EFEM之內壁量測時，第二側88b可延伸至少以下之一距離至EFEM內部中：約0.5吋(1.27cm)多達約3吋(7.62cm)；約0.50吋(1.27cm)多達約2吋(7.62cm)；且更特定言之，自約0.50吋(1.27cm)多達約1吋(2.54cm)。
另外，如圖8B中展示，層流流動元件80b包含一第一部分92及一第二部分94。第一部分92可經定位成沿著層流流動元件80b之一長軸(1)相對於第二部分94呈一角度。在一些情況中，第一部分92經定位成相對於第二部分94呈範圍自約90度至約170度之一角度。更特定言之，第一部分92可經定位成相對於第二部分94呈90度角度，使得層流流動元件80b大體上為L狀。在一些情況中，第一部分92可用作一安裝凸緣以在EFEM之裝載埠開口上方將層流流動元件80b耦合至一EFEM之一內壁。雖然將第一部分92描繪為包含複數個開口，但替代地，其 可由一固體材料形成。
圖8C展示一層流流動元件80c之又一實施例。類似於本文中論述之層流流動元件80a及80b，當層流流動元件80c經定位成鄰近EFEM之一內壁時，層流流動元件80c可包含經構形以沿著一EFEM之一裝載埠開口延伸之一第一側86c及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之一第二側88c。第一側86c具有等於或大於EFEM之裝載埠開口之寬度之一第一尺寸，且第二側88c具有允許第二側延伸至EFEM內部中達足以使EFEM內之氣體之流動為層流之一距離之一第二尺寸。在許多情況中，第一尺寸大於第二尺寸。另外，如圖8C中展示，層流流動元件80c包含由具有複數個開口之材料形成(如參考圖8A及圖8B在本文中描述)之一層流流動部分102及由一固體材料片形成之一導板部分104。在一些情況中，層流流動部分102由具有具均一形狀及大小之開口之一金屬網形成。在一項實施例中，層流流動部分120由具有範圍自6至12、且更特定言之、自8至10之一網大小之不鏽鋼網形成。導板部分104可耦合至層流流動元件80c之一側106，該側106經定位成對置於第一側86c，使得導板部分104經定位遠離附接層流流動元件80c之內壁且定位於EFEM內部內。當在自EFEM之頂部至底部之一向下方向上流動之氣體流動命中導板部分104時，導板部分增加沖洗流動之流動速度且引導氣體流動朝向層流流動元件80c之層流流動部分102。繼而，此可增加流動速度且使跨裝載埠開口且在FOUP-EFEM介面處之氣體流動為層流。增加FOUP-EFEM介面處之流動及/或層流化流動可減少進入打開FOUP之氣體之量且可有助於維持打開FOUP內之所要相對濕度及氧位準，可期望此以增加及/或維持來自容置於FOUP內之晶圓之產品良率之一所要位準。
圖9A至圖9B展示一流動修改配件210之又一實施例之不同視圖。如圖9A及圖9B中展示，流動修改配件210組合一流動偏轉器元件及一 層流流動元件之特徵。當流動修改配件210經定位成鄰近且接觸EFEM之一內壁時，流動修改配件210包含經構形以沿著一EFEM之一裝載埠開口延伸之一第一側壁230、對置於第一側壁230且具有一或多個開口248之一第二側壁232及經構形以在遠離EFEM之內壁之一方向上延伸且至EFEM內部中之第一端壁234a及第二端壁234。如展示，流動修改配件210係三維配件，其由第一端壁234a及第二端壁234b、第一側壁230及第二側壁232及上表面240及下表面244界定，其等一起界定允許上表面240與下表面244之間之氣體之流動之一內部246。配件210之上表面240包含複數個開口252，且下表面244係固體。複數個開口248提供於配件210之至少一側壁246中以容許氣體流動出配件210之內部空間。可基於特定EFEM及EFEM內之流動條件選擇開口248、253之大小及形狀。在一些情況中，上表面240由具有具一均一大小及形狀之開口之一網形成。側壁232中之開口248可係圖9A中描繪之槽或狹縫。替代地，側壁232亦可由具有具一均一大小及形狀之開口之一網形成。在使用中，氣體流動穿過配件210之上表面240之開口252且至內部空間中。在配件210之內部空間內，氣體流動由固體下表面244偏轉，迫使氣體穿過側壁232中之開口248自配件210之內部空間逸出。流動配件210可由一抗腐蝕金屬或金屬合金形成且在一些情況中可包含一抗腐蝕塗層。在一項實施例中，流動配件210由不鏽鋼形成。
圖11展示一流動修改配件260之又一實施例之一透視圖。如同參考圖9A及圖9B在上文中論述之流動修改配件210，流動修改配件260亦係三維配件且包含彼此隔開用於層流化氣體流動之複數個向下延伸之葉片或鰭片262。在EFEM內流動之氣體在界定於鰭片262之各者之間之空隙264內流動。在一些情況中，葉片或鰭片262可朝向個別鰭片262之一底部漸縮。可基於特定EFEM及EFEM內之條件(例如，氣體流動速度)選擇各鰭片262之間之距離。針對EFEM內之較高流動速度， 可選擇具有一起較緊密間隔之較大數目個鰭片之一流動修改配件。針對具有一低流動速度之一EFEM，具有依一較大距離彼此隔開之較小數目個鰭片之一流動修改配件可較恰當。在一些情況中，個別鰭片之寬度可變動且會影響鰭片之間之間距及鰭片之數目。流動修改配件260可由包含抗腐蝕金屬及金屬合金之各種材料形成且可包含一抗腐蝕塗層。在一項實施例中，流動修改配件260由不鏽鋼形成。
如根據各項實施例在本文中描述，可使用各種附接構件以將一流動修改配件固定至一EFEM之一內部。例示性附接構件包含黏著劑、黏著帶、磁體、托架、螺絲及/或類似者。在一些情況中，如圖11A至圖11D中展示，流動修改配件110(展示為一層流流動元件)可包含一安裝凸緣114(圖11A及圖11C)或沿著配件110之第一側120提供之複數個安裝舌片116(圖11B及圖11D)。在一些情況中，安裝凸緣114及/或安裝舌片116可連同流動修改配件之剩餘部分一體地形成。在其他情況中，安裝凸緣114及/或安裝舌片116可形成為分開元件且熔融或焊接至流動修改配件。因為安裝凸緣及/或舌片未曝露至氣體流動，因此其等不需要具有相同材料構造。舉例而言，在配件係包含一金屬網之一層流流動元件之情況下，安裝凸緣及/或安裝舌片不需要由一網形成，而是，安裝凸緣及/或安裝舌片可由一固體金屬材料形成。在一些實施例中，一黏著劑124(圖11A)可提供於安裝凸緣114或安裝舌片116之後側上，使得配件110可黏著附接至EFEM之內壁。在其他情況中，磁性元件126(圖11B)可固定至安裝凸緣114或安裝舌片116之後側，以便將配件110磁性附接且固定至EFEM之內壁。在又其他實施例中，如圖11C中展示，可使用一或多個螺絲128或其他緊固件以將配件110固定至EFEM之內壁。在又其他實施例中，安裝凸緣114或舌片116可包含可經構形以接合且容納自配件110安裝至其之EFEM之內壁向外突出之一對應結構之一或多個孔132。
實例
在使用兩個不同設備前端模組或裝載埠(EFEM)之不同沖洗條件下評估一流動修改配件對由Entegris,Inc製造且市售之一SPECTRATM FOUP之沖洗效能之影響。FOUP裝載有二十五個半導體晶圓。用於量測FOUP內部之相對濕度位準之相對濕度感測器放置於第1、13及25個晶圓上在晶圓之前側、後側、右側及左側處。針對銜接於EFEM內部存在且不存在一網流動修改元件之兩個EFEM之各者處之FOUP在不同沖洗條件(例如，以公升每分鐘(lpm)量測之氣體流動速率及氣體)下記錄在不同位置處之相對濕度百分比(%RH)位準。圖12至圖19係展示針對在不同條件下實行之沖洗效能測試之各者之測試結果之圖表。在表1中總結與圖12至圖19中顯示之各測試結果相關聯之測試條件。
Figure 105118625-A0305-02-0022-1
圖12至圖15展示在銜接於一SINFONIA TECHNOLOGYTM Co.,Ltd EFEM(Sinfonia LP)處之一FOUP內含有之第1、13及25個晶圓(在下文中稱為晶圓1、晶圓13及晶圓25)之前側、左側、右側及後側處的所記錄之相對濕度百分比(%RH)。在EFEM內部存在且不存在一網流動修改元件之不同沖洗條件(例如，氣體流動速率及氣體)下記錄不同 位置處之相對濕度百分比位準。
圖12展示針對銜接於具有以15 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之額外清潔乾燥空氣(XCDA)之一EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖12展示當EFEM(Sinfonia LP)內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之前側及右側處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。在晶圓13之前側處觀察到相對濕度百分比(%RH)之一類似減少。晶圓13定位於FOUP之大約中間。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著改變。
由於晶圓1之位置在FOUP之頂部處，因此晶圓1係最可能受到至FOUP中之氣體之偏轉及亦流動通過FOUP開口之氣體之亂流流動影響之晶圓。因而，在晶圓1處觀察到相對濕度百分比之最顯著減小。定位於FOUP之底部處之晶圓25最不可能受到至FOUP中之氣體之偏轉及亦流動通過FOUP開口之氣體之亂流流動影響。因而，在晶圓25之各種位置(例如，前側、左側、右側及後側)處未觀察到當前相對濕度之顯著改變不令人驚訝。
圖13展示針對銜接於具有以20 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之額外清潔乾燥空氣(XCDA)之一EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖13展示當Sinfonia LP EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓13之前側處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。在晶圓1及25處未觀察到相對濕度百分比(%RH)之顯著改變。
圖14展示針對銜接於具有以40 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之氮氣(N2)之一EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記 錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖14展示當Sinfonia LP EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之全部四個位置處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。當EFEM內包含一網層流流動元件時，在晶圓13處觀察到相對濕度百分比之一適度減少。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著改變。
圖15展示針對銜接於具有以50 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之氮氣(N2)之一EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖15展示當Sinfonia LP EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之全部四個位置處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。針對定位於FOUP之大約中間之晶圓13之全部四個位置觀察到相對濕度百分比(%RH)之一類似減少。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著改變。
自圖12至圖15中展示之結果，可開始斷定一網層流流動元件併入至EFEM中對較高流動速率下之相對濕度百分比具有一較大影響。
圖16至圖19展示在銜接於一Brooks Automation,Inc.裝載埠(Brooks LP)處之一FOUP內含有之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的所記錄之相對濕度百分比(%RH)。在EFEM內部存在且不存在一網流動修改元件之不同沖洗條件(例如，氣體流動速率及氣體)下記錄不同位置處之相對濕度位準。
圖16展示針對銜接於具有以30 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之額外清潔乾燥空氣(XCDA)之一Brooks EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比 (%RH)。圖16展示當Brooks EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之前側及右側處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。在晶圓13之前側處亦觀察到相對濕度百分比(%RH)之一減少。晶圓13定位於FOUP之大約中間。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著改變。
由於晶圓1之位置在FOUP之頂部處，因此晶圓1係最可能受到至FOUP中之氣體之偏轉及亦流動通過FOUP開口之氣體之亂流流動影響之晶圓。因而，在晶圓1處觀察到相對濕度百分比之最顯著減小。定位於FOUP之底部處之晶圓25最不可能受到至FOUP中之氣體之偏轉及亦流動通過FOUP開口之氣體之亂流流動影響。因而，在晶圓25之各種位置(例如，前側、左側、右側及後側)處未觀察到當前相對濕度之顯著改變不令人驚訝。
圖17展示針對銜接於具有以40 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之額外清潔乾燥空氣(XCDA)之一Brooks EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。在晶圓1、13及25上之任何位置處未觀察到相對濕度百分比(%RH)之顯著改變。
圖18展示針對銜接於具有以40 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之氮氣(N2)之一Brooks EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖18展示當Brooks EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之全部四個位置處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。當EFEM內包含一網層流流動元件時，在晶圓13之前側及右側處觀察到相對濕度百分比之一適度減少。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著 改變。
圖19展示針對銜接於具有以50 lpm/埠之一流動速率在EFEM內流動之氮氣(N2)之一Brooks EFEM處之一FOUP的所記錄之打開門沖洗結果。記錄在定位於FOUP內部之晶圓1、晶圓13及晶圓25之前側、左側、右側及後側處的FOUP內部之相對濕度百分比(%RH)。圖9展示當Brooks EFEM內存在一網層流流動元件時，在定位於FOUP內部之晶圓1之全部四個位置處量測之相對濕度百分比(%RH)減少。在定位於FOUP之大約中間之晶圓13之前側及後側處觀察到相對濕度百分比(%RH)之一適度減少。在晶圓25處未觀察到相對濕度百分比之顯著改變。
如由圖12至圖19中展示之測試結果證明，當EFEM內存在一網層流流動元件時，針對任一氣體且在不同流動速率下在兩個EFEM處改良FOUP之整體沖洗效能。
粒子測試
亦已知FOUP沖洗防止粒子或AMC滲入FOUP中，可由一損害之FFU或EFEM內之任何移動部分而產生粒子或AMC。圖20展示測試設定200以評估對晶圓保護免於粒子污染之EFC影響。此測試係藉由量測在使用/不使用EFC/擴散器沖洗之情況下晶圓上之粒子增加值而評估EFC粒子防止效率。在CDA沖洗(40slpm/埠)期間藉由一霧化器204達30秒而產生100nm PSL粒子。藉由比較在預掃描與後掃描(KLA Tencor,SP1-TBI)之間90至120nm大小頻格之粒子計數而量測晶圓1及25上之粒子增加量。評估三個測試條件：(1)擴散器沖洗與EFC一起；(2)僅擴散器沖洗；及(3)無沖洗且無EFC。
下文中之表2展示EFC粒子測試結果，該等結果展示針對三個不同測試條件之粒子增加量及粒子防止效率。如結果中展示，EFC可針對晶圓1將粒子防止效率自67%(僅擴散器)改良至99%(擴散器+EFC) 且針對晶圓25自89%改良至97%。
Figure 105118625-A0305-02-0027-2
圖21A至圖21C展示針對各測試構形之預/後掃描圖且在圖中清楚觀察到100nm PSL粒子沈積(在圖中為橙色90至120nm大小分格)。針對僅擴散器構形之粒子沈積主要集中在晶圓前側位置處，而無沖洗/無EFC構形展示晶圓1上之晶圓前側沈積及晶圓25上之晶圓後側沈積。此係因為在無沖洗之情況下，EFEM空氣穿透至FOUP之下槽中且自上槽之後側離開。
已因此描述本發明之若干闡釋性實施例，熟習此項技術者將容易瞭解，可在隨附申請專利範圍之範疇內進行且使用又其他實施例。已在前述描述中闡述由本說明書涵蓋之本發明之許多優點。然而，應理解，本發明在許多方面僅係闡釋性。可詳細，特定言之，在零件之形狀、大小及配置方面進行改變而不超過本發明之範疇。當然，以表達隨附申請專利範圍之語言界定本發明之範疇。
12:基板容器
20:內壁
30:前開口
34:裝載埠開口
38:容器內部
42a:流動修改配件
118:設備前端模組(EFEM)

Claims (25)

  1. 一種用於修改用於處理矽晶圓之一設備前端模組內部之氣體流動之流動修改配件，該流動修改配件包括定位於一設備前端模組之一開口內及上方之一材料，其中該材料係一材料片，該材料片包括複數個開口且當一晶圓容器耦合至該設備前端模組時該材料片充當抵抗氣體流動至該晶圓容器中之一緩衝；藉由包含有該複數個開口的該材料片使通過該複數個開口之氣體流動減少擾動亂流並使其層流化而接近層流流動狀態。
  2. 如請求項1之流動修改配件，其中當該材料片經定位成鄰近一內壁時，該材料片包含經設定大小以沿著該設備前端模組之該開口延伸之一第一側及在遠離該設備前端模組之該內壁之一方向上延伸且至該設備前端模組內部中之一第二側，該第一側具有等於或大於該設備前端模組開口之一寬度之一第一尺寸，且該第二側具有當該第二側延伸至該設備前端模組內部中時足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一第二尺寸。
  3. 如請求項1之流動修改配件，其中該材料片具有經定位成沿著該材料片之一短軸相對於一第二部分呈一角度之一第一部分。
  4. 如請求項1之流動修改配件，其中該材料片具有經定位成沿著該材料片之一長軸相對於一第二部分呈一角度之一第一部分。
  5. 如請求項1之流動修改配件，其中該材料片具有一平坦構形。
  6. 如請求項1之流動修改配件，其進一步包括沿著該第一側之一長度延伸之一安裝凸緣。
  7. 如請求項6之流動修改配件，其中該安裝凸緣包括沿著該安裝凸緣之一長度安置之一黏著劑或一或多個磁性元件之任何一者。
  8. 如請求項6之流動修改配件，其中該安裝凸緣包括經構形以接合 提供於該設備前端模組之該內壁上之一對應特徵之一或多個孔。
  9. 如請求項1之流動修改配件，其進一步包括用於將該材料安裝至該設備前端模組之該內壁之一或多個安裝舌片。
  10. 如請求項1之流動修改配件，其進一步包括用於增加該設備前端模組內之氣體流動之速度之一導板。
  11. 如請求項1之流動修改配件，其中該材料片係一金屬網。
  12. 一種流動修改配件，其包括：一材料片，其在一設備前端模組之一開口上方連接至一內壁，使得該材料片依一角度延伸遠離該內壁至該設備前端模組之一內部中，且其中該材料片包括複數個開口且具有一第一側及一第二側，該第一側經設定大小以沿著該設備前端模組之該開口延伸，該第一側具有至少等於該設備前端模組之一裝載埠開口之一寬度之一第一尺寸，該第二側延伸至該設備前端模組之該內部中，該第二側具有當該材料片延伸至該設備前端模組內部中時足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一第二尺寸。
  13. 如請求項12之流動修改配件，其中該流動修改配件連同該設備前端模組之內壁一體地形成。
  14. 如請求項12之流動修改配件，其中該流動修改配件實體連接至該設備前端模組之該內壁。
  15. 如請求項12之流動修改配件，其中該流動修改配件依相對於該內壁量測之一角度延伸至該設備前端模組之該內部中。
  16. 如請求項15之流動修改配件，其中該角度係相對於該內壁量測之一九十度角度。
  17. 如請求項15之流動修改配件，其中該角度相對於該內壁量測大於九十度。
  18. 如請求項12之流動修改配件，其中該材料片包括一金屬網。
  19. 一種用於修改用於處理矽晶圓之一設備前端模組內部之氣體流動之流動修改特徵，該流動修改特徵包括：一流動修改配件，該流動修改配件包括複數個開口，並且經構形以連接至一內壁且在一設備前端模組之一開口上方，該流動修改配件具有經定位成依一角度鄰近一第二部分之一第一部分，該第一部分經設定大小以沿著該設備前端模組之該開口延伸，且該第二部分經設定大小以延伸至該設備前端模組內部中達足以修改在該設備前端模組內部流動之氣體之一距離。
  20. 如請求項19之流動修改特徵，其進一步包括用於將該流動修改配件之該第一部分連接至該設備前端模組之該內壁之附接構件。
  21. 一種設備前端模組，其包括依一角度突出遠離該設備前端模組之一內壁且至該設備前端模組之一內部中之一流動修改特徵，該流動修改特徵包括複數個開口且修改跨該設備前端模組之一開口自該設備前端模組之一頂部流動至一底部之氣體之一流動；藉由包含有該複數個開口的該流動修改特徵使通過該複數個開口之氣體流動減少擾動亂流並使其層流化而接近層流流動狀態。
  22. 如請求項21之設備前端模組，其中該角度係相對於該設備前端模組之該內壁量測之一九十度角度。
  23. 如請求項21之設備前端模組，其中該流動修改特徵連接至該內壁。
  24. 如請求項21之設備前端模組，其中該流動修改特徵連同該內壁一體地形成。
  25. 如請求項21之設備前端模組，其中該流動修改特徵包括一固體材料片。
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