TWI736154B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI736154B
TWI736154B TW109106439A TW109106439A TWI736154B TW I736154 B TWI736154 B TW I736154B TW 109106439 A TW109106439 A TW 109106439A TW 109106439 A TW109106439 A TW 109106439A TW I736154 B TWI736154 B TW I736154B
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unit
gas
circulation
substrate processing
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伊東哲生
菊本憲幸
井上一樹
山田邦夫
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置。在基板處理裝置（100）中，在基板搬送部（120）設置有在索引部（110）與基板處理部（130）之間搬送基板（W）的搬送機器人（122）。搬送風扇過濾單元（126）設置在基板搬送部（120）的上部。排氣口（124p）設置在基板搬送部（120）。循環配管（142）將基板搬送部（120）的排氣口（124p）與搬送風扇過濾單元（126）連結。排氣管（146）與循環配管（142）連接。惰性氣體供給部（148）朝循環配管（142）供給惰性氣體。循環風扇過濾單元（144）在循環配管（142）中的與排氣管（146）的連接部分的下游，相對於循環配管（142）的流路平行地配置。

Description

基板處理裝置
本發明有關於一種基板處理裝置。
基板處理裝置例如用於半導體基板或玻璃基板的製造。在基板處理裝置中，利用處理液對基板進行處理後，使基板乾燥。近年來，基板結構不斷微細化，基板的清洗及乾燥成為問題(專利文獻1)。在專利文獻1的基板處理裝置中，藉由供給惰性氣體來促進處理液的乾燥。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：國際公開第2016/199769號公報
近年來，基板的微細處理越來越受到重視。在專利文獻1的基板處理裝置中，雖然在基板處理時朝基板供給惰性氣體，但有時在基板的搬送中基板暴露在氧環境中，存在基板的特性因基板的氧化而下降的擔憂。
本發明是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種可抑 制搬送中的基板的氧化的基板處理裝置。
根據本發明的一形態，基板處理裝置包括：索引機器人、索引部、基板處理部、搬送機器人、基板搬送部、搬送風扇過濾單元、排氣口、循環配管、排氣管、惰性氣體供給部、以及循環風扇過濾單元。所述索引機器人搬入基板。在所述索引部設置所述索引機器人。所述基板處理部對所述基板進行處理。所述搬送機器人在所述索引部與所述基板處理部之間搬送所述基板。在所述基板搬送部設置所述搬送機器人。所述搬送風扇過濾單元設置在所述基板搬送部的上部。所述排氣口設置在所述基板搬送部。所述循環配管將所述基板搬送部的所述排氣口與所述搬送風扇過濾單元連結。所述排氣管與所述循環配管連接。所述惰性氣體供給部朝所述循環配管供給惰性氣體。所述循環風扇過濾單元在所述循環配管中的與所述排氣管的連接部分的下游，相對於所述循環配管的流路平行地配置。
在某一實施方式中，所述循環風扇過濾單元以沿著垂直方向延長的方式配置。
在某一實施方式中，所述基板處理裝置還包括調整穿過所述排氣管的氣體的流動的閥。
在某一實施方式中，所述循環風扇過濾單元朝所述循環配管吹出已從所述惰性氣體供給部供給的所述惰性氣體。
在某一實施方式中，所述惰性氣體供給部具有：第一供 給部，以第一流量朝所述循環配管供給所述惰性氣體；以及第二供給部，以比所述第一流量多的第二流量朝所述循環配管供給所述惰性氣體。
在某一實施方式中，在氧下降模式的情況下，所述第一供給部及所述第二供給部分別朝所述循環配管供給所述惰性氣體，在維持低氧模式的情況下，所述第一供給部朝所述循環配管供給所述惰性氣體。
在某一實施方式中，所述基板處理裝置還包括朝所述循環配管供給空氣的空氣供給部。
在某一實施方式中，在氧增加模式的情況下，所述空氣供給部朝所述循環配管供給所述空氣。
在某一實施方式中，所述循環風扇過濾單元朝所述循環配管吹出已從所述空氣供給部供給的所述空氣。
在某一實施方式中，多個風扇過濾單元作為所述循環風扇過濾單元而並列配置。
在某一實施方式中，所述循環風扇過濾單元包含風扇、過濾器、以及化學過濾器。
在某一實施方式中，所述基板處理裝置還包括***述循環配管的一部分及所述循環風扇過濾單元的氣體循環櫃。
在某一實施方式中，所述基板處理裝置還包括鄰接於所述氣體循環櫃，朝所述基板處理部供給處理液的處理液櫃。
根據本發明，可抑制搬送中的基板的氧化。
100:基板處理裝置
101:控制裝置
102:控制部
104:存儲部
110:索引部
112:索引機器人
120:基板搬送部
122:搬送機器人
124,126h,144h,144Ah,144Bh:框體
124a:上部
124b:側部
124c:底部
124p:排氣口
124t:平臺
126:搬送風扇過濾單元
126a,144a,144Aa,144Ba:風扇
126b,144b,144Ab,144Bb:過濾器
128:氧濃度計
130:基板處理部
132:腔室
134:基板保持部
134a:旋轉底座
134b:夾持構件
134c:軸
134d:電動馬達
136:處理液供給部
136a:配管
136b,146v:閥
136c:噴嘴
138:杯
140:氣體調整部
140A:氣體循環櫃
142:循環配管
142p:底管
142q:側管
142r:上管
142u:上游部
142v:下游部
142w:隔離壁
144:循環風扇過濾單元
144A:第一風扇過濾單元
144B:第二風扇過濾單元
146:排氣管
146m:馬達
148:惰性氣體供給部
148a:第一供給部
148b:第二供給部
149:空氣供給部
150,150A,150B,150C:處理液櫃
160:邊界壁
Ax:旋轉軸
LP:裝載口
R:旋轉方向
TW:塔
W:基板
X,Y,Z:方向
圖1A是本實施方式的基板處理裝置的示意性的俯視圖，圖1B是本實施方式的基板處理裝置的示意性的側面圖。
圖2A~圖2C分別是氧下降模式、維持低氧模式及氧增加模式的本實施方式的基板處理裝置的示意圖。
圖3是本實施方式的基板處理裝置中的基板處理部的示意圖。
圖4是本實施方式的基板處理裝置中的基板搬送部及氣體調整部的示意圖。
圖5是本實施方式的基板處理裝置中的基板搬送部及氣體調整部的示意圖。
圖6是本實施方式的基板處理裝置中的基板搬送部及氣體調整部的示意圖。
圖7A~圖7C分別是氧下降模式、維持低氧模式及氧增加模式的本實施方式的基板處理裝置的示意圖。
圖8A及圖8B是本實施方式的基板處理裝置中的氣體調整部的示意性的部分放大圖。
圖9是本實施方式的基板處理裝置的示意圖。
以下，參照圖式對本發明的基板處理裝置的實施方式進行說明。另外，圖中，對相同或相當部分賦予相同的參照符號且不重複說明。另外，在本申請說明書中，為了容易理解發明，有時記載相互正交的X方向、Y方向及Z方向。典型的是X方向及Y方向與水平方向平行，Z方向與垂直方向平行。
參照圖1A及圖1B，對本實施方式的基板處理裝置100進行說明。圖1A是本實施方式的基板處理裝置100的示意性的俯視圖，圖1B是本實施方式的基板處理裝置100的示意性的側面圖。
基板處理裝置100對基板W進行處理。基板處理裝置100以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除及清洗中的至少一者的方式，對基板W進行處理。
基板W為薄的板狀。典型的是基板W為薄的大致圓板狀。基板W例如包含：半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display，FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光掩模用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。
基板處理裝置100利用處理液對基板W進行處理。此處，基板處理裝置100利用處理液對基板W一片一片地進行處理。
如圖1A所示，基板處理裝置100包括：索引部110、基板搬送部120、基板處理部130、以及氣體調整部140。此處，索 引部110、基板搬送部120及氣體調整部140沿著X方向排列成直線狀，基板搬送部120及基板處理部130沿著Y方向排列成直線狀。基板W從裝載口LP，經由索引部110及基板搬送部120而被搬送至基板處理部130，在基板處理部130中得到處理。其後，基板W從基板處理部130，經由基板搬送部120及索引部110而被搬送至裝載口LP。
氣體調整部140調整基板搬送部120內的氣體的成分。此處，氣體調整部140調整基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
氣體調整部140朝基板搬送部120供給惰性氣體。另外，氣體調整部140排出基板搬送部120內的氣體。另外，氣體調整部140也可以在惰性氣體與空氣之間切換供給至基板搬送部120的氣體。
裝載口LP與索引部110鄰接配置。裝載口LP將多片基板W層疊來收容。
在索引部110設置有索引機器人112。索引機器人112搬送基板W。索引機器人112在裝載口LP與基板搬送部120之間搬送基板W。
在基板搬送部120設置有搬送機器人122。搬送機器人122在索引部110與基板處理部130之間搬送基板W。搬送機器人122有時被稱為中心機器人。
基板搬送部120具有框體124。搬送機器人122由框體124包圍。
框體124包含上部124a、側部124b、以及底部124c。上部124a與側部124b連結，底部124c與側部124b連結。側部124b包圍搬送機器人122的四周。上部124a位於搬送機器人122的上方。搬送機器人122也可以設置在底部124c上。
在框體124的側部124b之中，與索引部110相向的部分設置平臺124t。索引機器人112將基板W載置在框體124的平臺124t。搬送機器人122接收已被載置在平臺124t的基板W。平臺124t用於基板W的交接。
在基板搬送部120的上部124a設置搬送風扇過濾單元126。搬送風扇過濾單元126吸入外部的氣體，對氣體進行過濾後朝規定方向吹出氣體。例如，搬送風扇過濾單元126吸入一側的氣體，對氣體進行過濾後朝另一側吹出氣體。搬送風扇過濾單元126朝框體124內吹送氣體。另外，在本說明書中，有時將搬送風扇過濾單元126記載為搬送FFU126。
搬送FFU126具有風扇與過濾器。在搬送FFU126中，風扇及過濾器配置在框體內。搬送FFU126的過濾器配置在藉由風扇來吹出氣體之側。過濾器從穿過的氣體中過濾懸浮物。
搬送FFU126設置在基板搬送部120的上部124a，搬送FFU126的吹出口朝向框體124的底部124c。因此，已從搬送FFU126吹出的氣體朝垂直下方流動。因此，藉由搬送FFU126而在基板搬送部120形成下降氣流。
另外，在框體124設置排氣口124p。在圖1B中，排氣 口124p設置在框體124的底部124c。另外，排氣口124p也可以設置在框體124的側部124b。已從搬送FFU126朝框體124吹出的氣體穿過框體124的內部後，朝排氣口124p流動。
氣體調整部140包括：循環配管142、循環風扇過濾單元144、排氣管146、以及惰性氣體供給部148。另外，在本說明書中，有時將循環風扇過濾單元144記載為循環FFU144。另外，在本說明書中，有時將惰性氣體供給部148僅記載為氣體供給部148。
循環配管142將基板搬送部120的排氣口124p與搬送FFU126連結。排氣口124p位於循環配管142的上游，搬送FFU126位於循環配管142的下游。藉由循環配管142，可使基板搬送部120內的氣體循環。
在循環配管142設置循環FFU144。循環FFU144對穿過的氣體進行過濾後朝循環配管142內吹出氣體。
循環FFU144具有風扇與過濾器。循環FFU144的風扇及過濾器配置在框體內。循環FFU144吸入外部的氣體，對氣體進行過濾後吹出氣體。循環FFU144的過濾器配置在藉由風扇來吹出氣體的位置。過濾器對穿過的氣體進行過濾。
循環FFU144相對於循環配管142的流路平行地配置。因此，循環FFU144朝循環配管142的側面吹出氣體。
排氣管146與循環配管142連接。基板搬送部120內的氣體經由循環配管142而穿過排氣管146，由此被排出至外部。
在循環配管142與排氣管146的連接部分設置閥146v。閥146v調整穿過排氣管146的氣體的流動。閥146v配置在排氣管146之中與循環配管142的連接部分的附近。
閥146v可開閉。閥146v可在打開狀態與關閉狀態之間切換。例如，閥146v也可以在打開狀態與關閉狀態之間分多個階段來切換。
若閥146v被打開，則循環配管142經由排氣管146而與外部連接。因此，基板搬送部120的空氣從排氣口124p穿過循環配管142後經由排氣管146而被排出至外部。另外，從基板搬送部120排出的氣體的量為與供給至基板搬送部120的氣體的量大致相同的程度，基板搬送部120內的壓力被大致維持成固定。
若閥146v被關閉，則循環配管142不經由排氣管146與外部連接。因此，基板搬送部120的空氣經由排氣口124p而穿過循環配管142後，再次回到基板搬送部120。
惰性氣體供給部148朝循環配管142供給惰性氣體。已被供給至循環配管142的惰性氣體流入基板搬送部120。
此處，循環FFU144配置在循環配管142與氣體供給部148之間。因此，已從惰性氣體供給部148供給的惰性氣體經由循環FFU144而流入循環配管142。在此情況下，當從氣體供給部148朝循環配管142供給惰性氣體時，惰性氣體在循環FFU144中被過濾並被吹出。由此，可抑制懸浮物與惰性氣體一同流入基板搬送部120。
另外，較佳為循環FFU144可切換惰性氣體與空氣來朝循環配管142吹出。在此情況下，當循環FFU144朝循環配管142吹出空氣時，空氣在循環FFU144中被過濾並被吹出。由此，可抑制懸浮物與空氣一同流入基板搬送部120。
當基板搬送部120搬送基板W時，氣體調整部140經由循環配管142而朝基板搬送部120供給惰性氣體，由此可抑制搬送中的基板W的氧化。在一例中，氣體調整部140將氮氣作為惰性氣體供給至基板搬送部120。或者，氣體調整部140也可以將稀有氣體作為惰性氣體供給至基板搬送部120。例如，氣體調整部140也可以將氬氣作為惰性氣體供給至基板搬送部120。
在本實施方式的基板處理裝置100中，循環FFU144在循環配管142中的與排氣管146的連接部分的下游，相對於循環配管142的流路平行地配置。循環FFU144在其結構上，可供給去除了污染物的流體，因此可抑制基板搬送部120內部的污染。本實施方式的循環FFU144藉由所述配置而取得以下的效果。在循環配管142中的與排氣管146的連接部分的下游中，在循環配管142中流動的流體的壓力容易下降，氧成分容易殘存。相對於此，在基板處理裝置100中，由於循環FFU144位於循環配管142中的與排氣管146的連接部分的下游，因此可抑制在循環配管142中流動的流體的壓力的下降。另外，同時循環FFU144相對於循環配管142的流路平行地配置，因此朝橫穿循環配管142的流路方向的方向供給流體。已被供給的流體產生抑制從循環配管142或排氣管 146混入的流體的進入的功能，所述循環配管142從所述循環FFU144看來位於上游。由此，例如在從循環FFU144吹出惰性氣體的情況下，可降低從外部經由排氣管146而混入的氧氣朝基板搬送部120內部侵入的可能性。
進而，在基板處理裝置100中，在循環配管142中的與排氣管146的連接部分的下游，氣體供給部148供給惰性氣體，因此可抑制空氣從排氣管146進入循環配管142，可減少循環配管142內的氧濃度。因此，可減少循環配管142內的氧濃度及基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
此處，循環FFU144的長邊方向以沿著垂直方向的方式配置。因此，循環FFU144沿著循環配管142的流路來配置。藉由沿著垂直方向配置循環FFU144，可抑制用於設置循環FFU144的地板面積的增大。
本實施方式的基板處理裝置100可適宜地用於設置有半導體的半導體基板的處理。半導體基板在基板處理部130中得到處理。典型的是在半導體基板的基材上層疊有導電層及絕緣層。當製造半導體基板時，基板處理裝置100可適宜地用於導電層及/或絕緣層的清洗及/或加工(例如蝕刻、特性變化等)。
循環配管142具有底管142p、側管142q、以及上管142r。底管142p與側管142q連結，側管142q與上管142r連結。底管142p與基板搬送部120的框體124相比位於更靠垂直下方。側管142q與框體124的高度對應。上管142r與基板搬送部120的框體 124相比位於更靠垂直上方。
底管142p及上管142r在水平方向上延長，側管142q在垂直方向上延長。此處，循環FFU144安裝在循環配管142的側管142q的側部。
基板處理裝置100還包括控制裝置101。控制裝置101對基板處理裝置100的各種運行進行控制。
控制裝置101包括控制部102與存儲部104。控制部102包含處理器。處理器例如具有中央處理運算機(中央處理器(Central Processing Unit，CPU))。或者，處理器也可以具有通用運算機。例如，控制部102對索引部110、基板搬送部120、基板處理部130、以及氣體調整部140進行控制。在一例中，控制部102對索引機器人112、搬送機器人122、搬送FFU126、基板處理部130、循環FFU144、閥146v、以及氣體供給部148進行控制。
存儲部104存儲數據及計算機程序。存儲部104包含主存儲裝置與輔助存儲裝置。主存儲裝置例如為半導體存儲器。輔助存儲裝置例如為半導體存儲器及/或硬盤驅動器。存儲部104也可以包含可移動介質。控制部102執行存儲部104所存儲的計算機程序。
另外，在存儲部104事先存儲有規定了程序的計算機程序，基板處理裝置100按照計算機程序中所規定的程序來運行。
控制部102也可以控制氣體調整部140來調整基板搬送部120的氣體成分。例如，也可以將基板搬送部120內的氣體的 氧濃度從與空氣中的氧濃度相同的程度的狀態，變更成比空氣中的氧濃度少的狀態。在本說明書中，有時將減少基板搬送部120內的氣體的氧濃度的模式稱為氧下降模式。
或者，也可以將基板搬送部120內的氣體的氧濃度從比空氣中的氧濃度少的狀態，變更成與空氣中的氧濃度相同的程度的狀態。在本說明書中，有時將增加基板搬送部120內的氣體的氧濃度的模式稱為氧增加模式。
另外，控制部102也能夠以維持基板搬送部120的氣體的氧濃度的方式控制氣體調整部140。例如，也能夠以比空氣中的氧濃度少的狀態維持基板搬送部120內的氣體的氧濃度。在本說明書中，有時將以比空氣中的氧濃度少的狀態維持基板搬送部120內的氣體的氧濃度的模式稱為維持低氧模式。典型的是當在索引部110與基板處理部130之間橫跨基板搬送部120搬送基板W時，將基板搬送部120維持成低氧濃度。
以下，參照圖2A至圖2C，對由本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140所進行的基板搬送部120的氧濃度的調整進行說明。圖2A是氧下降模式的基板處理裝置100的示意圖，圖2B是維持低氧模式的基板處理裝置100的示意圖，圖2C是氧增加模式的基板處理裝置100的示意圖。另外，在圖2A~圖2C中，僅表示圖1A及圖1B中所示的基板處理裝置100中的基板搬送部120及氣體調整部140。
如圖2A所示，在氧下降模式的情況下，基板處理裝置 100將基板搬送部120的氣體置換成惰性氣體，由此使基板搬送部120內的氣體的氧濃度下降。在此情況下，氣體調整部140朝基板搬送部120供給惰性氣體。另外，氣體調整部140排出基板搬送部120的氣體。
循環FFU144的風扇進行驅動，氣體供給部148朝循環FFU144供給惰性氣體。因此，循環FFU144沿著循環配管142朝搬送FFU126吹出已從氣體供給部148供給的惰性氣體。因此，惰性氣體經由循環FFU144而到達搬送FFU126。搬送FFU126朝框體124內吹出惰性氣體。另外，在圖2A~圖2C的任一者中，搬送FFU126的風扇均進行驅動，搬送FFU126朝基板搬送部120供給穿過了循環配管142的氣體。
閥146v被打開，排氣管146與外部連接。因此，基板搬送部120的空氣穿過循環配管142後經由排氣管146而被排出至外部。另外，從基板搬送部120排出的氣體的量為與供給至基板搬送部120的氣體的量大致相同的程度，基板搬送部120內的壓力被大致維持成固定。
將朝基板搬送部120的惰性氣體的供給及從基板搬送部120的氣體的排出持續規定時間，由此可減少基板搬送部120內的氣體的氧濃度。例如，在氧下降模式的開始時，基板搬送部120內的氣體的氧濃度約為20%，但在氧下降模式的結束時，可將基板搬送部120內的氣體的氧濃度減少至1000ppm以下為止。例如，基板搬送部120內的氣體的氧濃度也可以 是5ppm以上、100ppm以下。
另外，在氧下降模式中，較佳為基板搬送部120不搬送基板W。但是，在氧下降模式中，也可以使搬送機器人122進行與基板W的搬送無關的運行。藉由搬送機器人122的運行，而在框體124內攪拌氣體，因此可將整個框體124內的氣體迅速地置換成惰性氣體。在此情況下，較佳為搬送機器人122在可動範圍內，以最大限度的範圍運行。
如圖2B所示，在維持低氧模式的情況下，基板處理裝置100維持基板搬送部120內的氣體的氧濃度。在此情況下，氣體調整部140使基板搬送部120內的氣體循環。另外，氣體調整部140不排出基板搬送部120的氣體。在維持低氧模式中，將惰性氣體循環使用，由此可抑制與惰性氣體的使用相關的成本的增加。
例如，氣體供給部148停止惰性氣體的供給，循環FFU144的風扇停止驅動。但是，搬送FFU126的風扇保持驅動。
另外，閥146v被關閉，循環配管142與外部隔絕。因此，穿過循環配管142的氣體不經由排氣管146而被排出至外部。
搬送FFU126若朝框體124內吹出氣體，則基板搬送部120內的氣體經由排氣口124p而在循環配管142中流動。其後，氣體到達搬送FFU126，搬送FFU126再次朝框體124內吹出氣體。如此，基板搬送部120內的氣體進行循環。另外，從基板搬送部120排出的氣體的量為與再次供給至基板搬送部120的氣體的量 大致相同的程度，基板搬送部120內的壓力被大致維持成固定。
但是，在從基板搬送部120及/或循環配管142漏出少許氣體的情況下，在基板搬送部120及循環配管142中循環的氣體的壓力下降。因此，氣體供給部148也可以經由搬送FFU126而朝循環配管142供給微量的惰性氣體。
如此，較佳為在基板搬送部120內的氣體的氧濃度已下降的狀態下，在基板搬送部120內搬送基板W。例如，在基板搬送部120內的氣體的氧濃度已下降的狀態下，搬送機器人122接收來自索引部110的基板W，並將基板W搬送至基板處理部130。另外，在基板搬送部120內的氣體的氧濃度已下降的狀態下，搬送機器人122從基板處理部130接收基板W，並將基板W搬送至索引部110。
另外，在基板W的處理完成後，使基板搬送部120內的氣體的氧濃度從下降狀態恢復成通常狀態。例如，在關閉基板處理裝置100的電源的情況下，使基板搬送部120內的氣體的氧濃度從下降狀態恢復成通常狀態。也可以為了維護，而使基板搬送部120內的氣體的氧濃度從下降狀態恢復成通常狀態。
如圖2C所示，在氧增加模式的情況下，基板處理裝置100將基板搬送部120內的氣體置換成空氣，由此增加基板搬送部120內的氣體的氧濃度。在此情況下，氣體調整部140朝基板搬送部120供給空氣。另外，氣體調整部140排出基板搬送部120內的氣體(主要是惰性氣體)。
例如，在循環FFU144與空氣連結的情況下，循環FFU144的風扇進行驅動，循環FFU144朝循環配管142吹出空氣。因此，空氣經由循環配管142而到達搬送FFU126。搬送FFU126朝框體124內吹出空氣。
閥146v被打開，排氣管146與外部連接。因此，基板搬送部120的惰性氣體穿過循環配管142後經由排氣管146而被排出至外部。另外，從基板搬送部120排出的惰性氣體的量為與供給至基板搬送部120的空氣的量大致相同的程度，基板搬送部120內的壓力被大致維持成固定。
將朝基板搬送部120的空氣的供給及從基板搬送部120的惰性氣體的排出持續規定時間，由此可增加基板搬送部120內的氣體的氧濃度。例如，在氧增加模式的開始時，基板搬送部120內的氣體的氧濃度為1000ppm以下，相對於此，在氧增加模式的結束時，基板搬送部120內的氣體的氧濃度增加至約20%為止。
如上所述，在本實施方式的基板處理裝置100中，基板搬送部120可切換成氧下降模式、維持低氧模式及氧增加模式的任一者，可調整基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
在本實施方式的基板處理裝置100中，在基板處理部130中，以將基板W保持成大致水平的狀態利用處理液對其進行處理。
繼而，參照圖3，對本實施方式的基板處理裝置100中的基板處理部130進行說明。圖3是基板處理裝置100中的基板 處理部130的示意圖。
如圖3所示，基板處理部130包括：腔室132、基板保持部134、處理液供給部136、以及杯138。腔室132收容基板W。腔室132為具有內部空間的大致箱形狀。此處，基板處理裝置100為對基板W一片一片地進行處理的逐片型，基板W被一片一片地收容在腔室132。基板W被收容在腔室132內，在腔室132內得到處理。在腔室132收容基板保持部134、處理液供給部136及杯138的至少一部分。
基板保持部134保持基板W。基板保持部134以使基板W的上表面朝向上方，使基板W的背面朝向垂直下方的方式水平地保持基板W。另外，基板保持部134在已保持基板W的狀態下使基板W旋轉。
例如，基板保持部134也可以是夾持基板W的端部的夾持式。或者，基板保持部134也可以具有從背面保持基板W的任意的機構。例如，基板保持部134也可以是真空式。在此情況下，基板保持部134藉由使作為非元件形成面的基板W的背面(下表面)的中央部吸附在上表面來水平地保持基板W。或者，基板保持部134也可以將使多個夾持銷接觸基板W的周端面的夾持式與真空式組合。
例如，基板保持部134包括：旋轉底座134a、夾持構件134b、軸134c、以及電動馬達134d。夾持構件134b設置在旋轉底座134a。夾持構件134b夾持基板W。典型的是在旋轉底座134a 設置多個夾持構件134b。
軸134c為空心軸。軸134c沿著旋轉軸Ax在垂直方向上延長。旋轉底座134a與軸134c的上端結合。基板W的背面接觸旋轉底座134a，基板W載置在旋轉底座134a的上方。
旋轉底座134a為圓板狀，水平地支撐基板W。軸134c從旋轉底座134a的中央部朝下方延長。電動馬達134d對軸134c賦予旋轉力。電動馬達134d使軸134c朝旋轉方向R旋轉，由此使基板W及旋轉底座134a以旋轉軸Ax為中心進行旋轉。此處，旋轉方向R為逆時針方向。
處理液供給部136包括：配管136a、閥136b、以及噴嘴136c。處理液流入配管136a。噴嘴136c與配管136a連接。來自處理液供給源的處理液被供給至配管136a。在配管136a配置閥136b。若閥136b打開，則處理液被從噴嘴136c供給至基板W。基板W由處理液進行處理。
杯138回收已被供給至基板W的處理液。杯138設置在基板保持部134的周圍。
例如，杯138回收因基板W的旋轉而從基板W飛散的處理液。另外，即便在處理液未被供給至基板W的情況下，杯138也阻擋因基板W的旋轉而產生的氣體的流動(氣流)，使氣流朝下方流動。
杯138也可以在垂直方向上能夠移動。例如，杯138也可以在利用處理液對基板W進行處理時，以覆蓋基板W的側方 的方式上升，在利用處理液對基板W進行處理後，從基板W的側方朝下方下降。如此，基板W在基板處理部130中得到處理。
另外，在圖1A及圖1B以及圖2A至圖2C中，循環FFU144安裝在循環配管142的側面，來自氣體供給部148的惰性氣體經由循環FFU144而供給至循環配管142，但本實施方式並不限定於此。循環FFU144也可以設置在循環配管142內。另外，來自氣體供給部148的惰性氣體也可以在被供給至循環配管142後，由循環FFU144吹出。
繼而，參照圖4，對本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140進行說明。圖4是基板處理裝置100中的基板搬送部120及氣體調整部140的示意圖。
如圖4所示，在循環配管142設置隔離壁142w。隔離壁142w配置在從排氣口124p至搬送FFU126為止之間。此處，隔離壁142w配置在側管142q的內部。循環配管142藉由隔離壁142w而分成上游部142u與下游部142v。上游部142u由底管142p與側管142q的一部分形成。下游部142v由側管142q的剩餘的一部分與上管142r形成。
在隔離壁142w設置有開口部。隔離壁142w的開口部將上游部142u與下游部142v連結。
循環FFU144安裝在隔離壁142w。詳細而言，循環FFU144在下游部142v，設置在隔離壁142w的開口部。循環配管142的上游部142u與下游部142v藉由隔離壁142w中的設置循環 FFU144的區域來連結。循環FFU144吸入上游部142u的氣體，並朝下游部142v吹出。
循環FFU144具有風扇144a、過濾器144b、以及框體144h。風扇144a及過濾器144b配置在框體144h內。在框體144h設置吸入氣體的吸入口、及吹出氣體的吹出口。另外，循環FFU144的吸入口與隔離壁142w的開口部相向，經由開口部而與上游部142u連結。
在循環FFU144中，風扇144a配置在循環路徑的上游側，過濾器144b配置在循環路徑的下游側。已由風扇144a吹出的氣流在穿過過濾器144b時由過濾器144b進行過濾。
框體144h在長邊方向上延長。框體144h以循環FFU144的長邊方向沿著循環配管142的隔離壁142w的方式安裝。此處，循環FFU144以循環FFU144的長邊方向沿著垂直方向的方式配置在隔離壁142w。因此，循環FFU144沿著循環配管142的流路來配置。在循環配管142內部沿著垂直方向配置循環FFU144，由此在比較細的循環配管142內也可以設置循環FFU144。
惰性氣體供給部148朝循環配管142供給惰性氣體。惰性氣體供給部148在氧下降模式及維持低氧模式中朝循環配管142供給惰性氣體。
詳細而言，惰性氣體供給部148與循環配管142的上游部142u的側面連結。惰性氣體供給部148朝循環配管142的上游部142u供給惰性氣體。
循環FFU144吸入已從惰性氣體供給部148供給的惰性氣體，對惰性氣體進行過濾後吹出惰性氣體。此處，循環FFU144在上游部142u吸入惰性氣體，對惰性氣體進行過濾後朝下游部142v吹出惰性氣體。
空氣供給部149朝循環配管142供給空氣。空氣供給部149在氧增加模式中朝循環配管142供給空氣。
詳細而言，空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的側面連結。空氣供給部149朝循環配管142的上游部142u供給空氣。
循環FFU144吸入已從空氣供給部149供給的空氣，對空氣進行過濾後吹出空氣。此處，循環FFU144在上游部142u吸入空氣，對空氣進行過濾後朝下游部142v吹出空氣。
另外，較佳為即便在惰性氣體供給部148及空氣供給部149分別不供給惰性氣體及空氣的情況下，循環FFU144也進行驅動。在此情況下，循環FFU144吸入上游部142u的氣體，進行過濾後朝下游部142v吹出。
氣體供給部148及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的側面連接。較佳為氣體供給部148及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的連接部分經由循環配管142的上游部142u，而與循環FFU144相向。由此，循環FFU144可有效率地吸入已從氣體供給部148供給的惰性氣體及已從空氣供給部149供給的空氣，並有效率地朝下游部142v吹出。
搬送FFU126具有風扇126a、過濾器126b、以及框體126h。風扇126a及過濾器126b配置在框體126h的內部。在框體126h設置吸入氣體的吸入口、及吹出氣體的吹出口。
在搬送FFU126中，風扇126a配置在循環路徑的上游側，過濾器126b配置在循環路徑的下游側。已由風扇126a吹出的氣流在穿過過濾器126b時由過濾器126b進行過濾。
另外，在圖1A及圖1B~圖4中所示的基板處理裝置100中，氣體供給部148從一個配管供給惰性氣體，但本實施方式並不限定於此。氣體供給部148也可以從多個配管供給惰性氣體。
繼而，參照圖5，對本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140進行說明。圖5是基板處理裝置100中的基板搬送部120及氣體調整部140的示意圖。圖5中所示的氣體調整部140除氣體供給部148具有多個配管這一點以外，具有與參照圖4所述的氣體調整部140相同的構成，為了避免冗長而省略重複的記載。
如圖5所示，惰性氣體供給部148具有第一供給部148a與第二供給部148b。第一供給部148a朝循環配管142供給惰性氣體。第一供給部148a以比較低的流量朝循環配管142供給惰性氣體。例如，第一供給部148a在氧下降模式及/或維持低氧模式中朝循環配管142供給惰性氣體。
第二供給部148b朝循環配管142供給惰性氣體。第二供給部148b以比第一供給部148a多的流量朝循環配管142供給 惰性氣體。例如，第二供給部148b在氧下降模式中朝循環配管142供給惰性氣體。
例如，由第二供給部148b所供給的惰性氣體的流量也可以相對於由第一供給部148a所供給的惰性氣體的流量為2倍以上、100倍以下。較佳為由第二供給部148b所供給的惰性氣體的種類與由第一供給部148a所供給的惰性氣體的種類相同。
第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的側面連接。較佳為第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的連接部分經由循環配管142的上游部142u，而與循環FFU144相向。由此，循環FFU144可有效率地吸入已從第一供給部148a、第二供給部148b供給的惰性氣體及已從空氣供給部149供給的空氣，並有效率地朝下游部142v吹出。
例如，在氧下降模式中，第一供給部148a及第二供給部148b分別朝循環配管142供給惰性氣體。藉由利用第一供給部148a及第二供給部148b供給惰性氣體，可快速地減少基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
另外，在維持低氧模式中，第一供給部148a朝循環配管142供給惰性氣體。此時，第二供給部148b不朝循環配管142供給惰性氣體。由此，可抑制惰性氣體的消耗，並維持基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
另外，如圖5所示，較佳為在基板搬送部120配置氧濃 度計128。可藉由氧濃度計128來測定基板搬送部120內的壓力。另外，配置在排氣管146的閥146v藉由馬達146m的驅動來開閉。較佳為閥146v的開閉由根據氧濃度計128的測定結果來驅動的馬達146m控制。
例如，控制部102(參照圖1A及圖1B)根據氧濃度計128的測定結果來控制閥146v，並且控制第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149。由此，可適宜調整基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
另外，在框體124內，搬送機器人122的內部的氣壓與搬送機器人122的外部的氣壓大致固定，但有時在搬送機器人122的內部設置風扇來使搬送機器人122的內部相對於外部稍微變成負壓，以不使搬送機器人122的內部的微塵因搬送機器人122的運行而朝搬送機器人122的外部擴散。在此情況下，較佳為在框體124，設置位於搬送機器人122的外部的排氣口124p，並且設置將搬送機器人122的內部與循環配管142連結的其他排氣口。
繼而，參照圖6，對本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140進行說明。圖6是基板處理裝置100中的基板搬送部120及氣體調整部140的示意圖。圖6中所示的氣體調整部140除多個風扇過濾單元作為循環FFU144而並列配置這一點以外，具有與參照圖5所述的氣體調整部140相同的構成，為了避免冗長而省略重複的記載。
如圖6所示，第一風扇過濾單元144A及第二風扇過濾 單元144B作為循環FFU144而並列配置。在本說明書中，有時將第一風扇過濾單元144A記載為FFU144A，有時將第二風扇過濾單元144B記載為FFU144B。
FFU144A具有風扇144Aa、過濾器144Ab、以及框體144Ah。第二風扇過濾單元144B具有風扇144Ba、過濾器144Bb、以及框體144Bh。
FFU144A及第二風扇過濾單元144B分別沿著循環配管142的流路來配置。此處，第二風扇過濾單元144B與FFU144A相比配置在更靠上游側。另外，FFU144A及第二風扇過濾單元144B分別設置在隔離壁142w。
另外，第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的側面連接。較佳為第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的連接部分與FFU144A及FFU144B的至少一者相向，或者與FFU144A和FFU144B之間相向。尤其，較佳為第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149與循環配管142的上游部142u的連接部分與FFU144B相向，或者與FFU144A和FFU144B之間相向。由此，循環FFU144可有效率地吸入已從第一供給部148a、第二供給部148b供給的惰性氣體及已從空氣供給部149供給的空氣，並有效率地朝下游部142v吹出。
另外，在本實施方式的基板處理裝置100中，控制部102除控制搬送機器人122、搬送FFU126、以及循環FFU144以外， 還控制第一供給部148a、第二供給部148b及空氣供給部149。由此，可調整基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
以下，參照圖7A至圖7C，對由本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140所進行的基板搬送部120的氧濃度的調整進行說明。圖7A~圖7C分別是氧下降模式、維持低氧模式及氧增加模式的基板處理裝置100的示意圖。在圖7A~圖7C中，僅表示圖1A及圖1B中所示的基板處理裝置100中的基板搬送部120及氣體調整部140。
如圖7A所示，在氧下降模式的情況下，基板處理裝置100將基板搬送部120的氣體置換成惰性氣體，由此使基板搬送部120內的氣體的氧濃度下降。在此情況下，第一供給部148a及第二供給部148b朝循環配管142供給惰性氣體。FFU144A與FFU144B進行驅動來朝下游吹出惰性氣體。在循環配管142中流動的惰性氣體到達搬送FFU126，搬送FFU126朝框體124內吹出惰性氣體。
閥146v打開，排氣管146排出基板搬送部120的氣體。因此，基板搬送部120的空氣穿過循環配管142後經由排氣管146而被排出至外部。
將朝基板搬送部120的惰性氣體的供給及從基板搬送部120的氣體的排出持續規定時間，由此可減少基板搬送部120內的氣體的氧濃度。例如，在氧下降模式的開始前，基板搬送部120內的氣體的氧濃度約為20%，但在氧下降模式的結束時，可將基板 搬送部120內的氣體的氧濃度減少至約1000ppm為止。
如圖7B所示，在維持低氧模式的情況下，基板處理裝置100維持基板搬送部120內的氣體的氧濃度。在此情況下，第一供給部148a朝循環配管142供給惰性氣體，另一方面，第二供給部148b不朝循環配管142供給惰性氣體。FFU144A與FFU144B進行驅動來朝下游吹出惰性氣體。在循環配管142中流動的惰性氣體到達搬送FFU126，搬送FFU126朝框體124內吹出惰性氣體。
閥146v關閉，排氣管146不排出基板搬送部120的氣體。因此，基板搬送部120的空氣經由排氣口124p而穿過循環配管142後到達FFU144A與FFU144B。FFU144A與FFU144B再次朝框體124內吹出氣體。另外，較佳為來自第一供給部148a的流量為氣體從基板搬送部120及/或循環配管142漏出的量程度。
如此，基板搬送部120在基板搬送部120內的氣體的氧濃度已減少的狀態下，搬送基板W。另外，在基板W的處理完成後，基板搬送部120內的氣體的氧濃度從下降狀態恢復成通常狀態。
如圖7C所示，在氧增加模式的情況下，基板處理裝置100將基板搬送部120的氣體置換成空氣，由此增加基板搬送部120內的氣體的氧濃度。在此情況下，空氣供給部149朝循環配管142供給空氣。FFU144A與FFU144B進行驅動來朝下游吹出空氣。在循環配管142中流動的空氣到達搬送FFU126，搬送FFU126朝框體124內吹出空氣。
閥146v打開，排氣管146排出基板搬送部120的氣體(主要是惰性氣體)。因此，基板搬送部120的氣體穿過循環配管142後經由排氣管146而被排出至外部。
將朝基板搬送部120的空氣的供給及從基板搬送部120的氣體的排出持續規定時間，由此可增加基板搬送部120內的氣體的氧濃度。例如，在氧增加模式的開始前，基板搬送部120內的氣體的氧濃度約為1000ppm，但在氧增加模式的結束時，基板搬送部120內的氣體的氧濃度可增加至約20%為止。
如上所述，在本實施方式的基板處理裝置100中，基板搬送部120可切換成氧下降模式、維持低氧模式及氧增加模式的任一者，可調整基板搬送部120內的氣體的氧濃度。
另外，在圖6及圖7中所示的循環FFU144中，FFU144A及FFU144B以沿著垂直方向並列的方式排列，但本實施方式並不限定於此。FFU144A及FFU144B也能夠以沿著水平方向並列的方式排列。例如，FFU144A及FFU144B也能夠以沿著Y方向並列的方式排列。
典型的是在搬送機器人122塗抹有機溶劑的潤滑油，以使搬送機器人122順利地運行。在此情況下，若潤滑油的氣化成分在循環配管142流動，並穿過循環FFU144及搬送FFU126，則有時會污染風扇144a、過濾器144b、風扇126a及/或過濾器126b。因此，較佳為在循環FFU144及搬送FFU126的至少一者設置化學過濾器。尤其，較佳為在循環配管142中位於上游側的循環FFU144 包括化學過濾器。
此處，參照圖8A及圖8B，對本實施方式的基板處理裝置100中的氣體調整部140的循環FFU144的構成進行說明。圖8A是基板處理裝置100中的氣體調整部140的示意性的部分放大圖。
如圖8A所示，循環FFU144除風扇144a及過濾器144b以外，還包括化學過濾器144c。此處，從循環配管142的上游朝下游依次配置風扇144a、過濾器144b及化學過濾器144c。
風扇144a吸入外部的氣體，並朝規定的方向吹出氣體。過濾器144b對穿過的氣體的懸浮物進行過濾。化學過濾器144c吸附穿過的氣體的有機溶劑。藉由化學過濾器144c，即便搬送機器人122的潤滑油氣化而混入氣體內，也可以吸附潤滑油的氣化成分，可抑制風扇144a及過濾器144b被潤滑油污染。
另外，在圖8A中所示的循環FFU144中，從循環配管142的上游朝下游依次配置風扇144a、過濾器144b及化學過濾器144c，但本實施方式並不限定於此。風扇144a、過濾器144b及化學過濾器144c也可以按其他順序配置。
如圖8B所示，化學過濾器144c也可以與風扇144a及過濾器144b相比配置在更靠上游側。由此，在循環開始時或搬送機器人122的驅動開始時，即便比較大量的有機溶劑的氣化成分流入循環配管142，也可以抑制風扇144a及過濾器144b被有機溶劑污染。
另外，在圖8B中，化學過濾器144c配置在循環FFU144的框體144h內，但本實施方式並不限定於此。化學過濾器144c也可以安裝在框體144h的外側。或者，化學過濾器144c也可以配置在遠離框體144h的地方。例如，化學過濾器144c也可以配置在循環配管142的上游部142u。
如此，氣體供給部148也可以不經由化學過濾器144c而朝風扇144a及過濾器144b供給氣體。由此，藉由化學過濾器144c來吸附循環配管142中的有機溶劑，並且即便化學過濾器144c略微受到污染，也可以在污染少的狀態下朝循環配管142的下游供給來自氣體供給部148的惰性氣體。
另外，圖1A及圖1B~圖8A及圖8B中所示的氣體調整部140的循環FFU144沿著循環配管142中的順著垂直方向的流路來配置，循環FFU144的長邊方向沿著垂直方向來配置，但本實施方式並不限定於此。循環FFU144也可以沿著循環配管142中的順著水平方向的流路來配置，循環FFU144的長邊方向也可以沿著水平方向來配置。例如，當循環配管142中的在水平方向上延長的水平部分比循環配管142中的在垂直方向上延長的垂直部分長時，較佳為循環FFU144的長邊方向沿著水平方向來配置。由此，可減少殘存在循環配管142內的氧成分，可抑制在基板搬送部120中搬送基板W時的基板W的氧化。
另外，圖1A及圖1B中所示的基板處理裝置100包括一個基板處理部130，但本實施方式並不限定於此。基板處理裝置 100可包括多個基板處理部130。
以下，參照圖9對本實施方式的基板處理裝置100進行說明。圖9是基板處理裝置100的示意性的俯視圖。圖9中所示的基板處理裝置100除包括多個基板處理部130，並且還包括氣體循環櫃140A、處理液櫃150、以及邊界壁160這一點以外，具有與參照圖1A及圖1B所述的基板處理裝置100相同的構成，為了避免冗長而省略重複的記載。
如圖9所示，本實施方式的基板處理裝置100包括多個基板處理部130。多個基板處理部130形成以在俯視中包圍搬送機器人122的方式配置的多個塔TW(圖9中為四個塔TW)。各塔TW包含上下層疊的多個基板處理部130(圖9中為三個基板處理部)。
另外，本實施方式的基板處理裝置100除索引部110、基板搬送部120、基板處理部130及氣體調整部140以外，還包括氣體循環櫃140A、處理液櫃150、以及邊界壁160。氣體循環櫃140A收容循環配管142的一部分及循環FFU144。例如，氣體循環櫃140A收容循環FFu144與循環配管142的側管142q(參照圖1A及圖1B以及圖4)。
氣體循環櫃140A朝基板搬送部120供給氣體。另外，氣體循環櫃140A排出基板搬送部120的氣體。
在基板處理裝置100中，作為處理液櫃150，配置三個處理液櫃150A、150B、150C。處理液櫃150A與處理液櫃150B鄰 接配置。另外，處理液櫃150C與氣體循環櫃140A鄰接配置。
另外，處理液櫃150A、處理液櫃150B、處理液櫃150C各自的處理液被供給至基板處理部130。在圖9中，為了避免圖式變得過度複雜，表示從處理液櫃150A朝各塔TW的處理液的供給及回收的路徑。
邊界壁160位於設置有索引部110、基板搬送部120、基板處理部130的區域與設置有氣體循環櫃140A及處理液櫃150的區域的邊界。較佳為邊界壁160的高度為與基板處理部130的塔TW的高度相同的程度。
在設置有索引部110、基板搬送部120、基板處理部130的區域中，對基板W進行搬送或處理。在設置有氣體循環櫃140A及處理液櫃150的區域中，調整被供給至基板搬送部120及/或基板處理部130的氣體或處理液。
較佳為在設置有氣體循環櫃140A及處理液櫃150的區域，即便正在進行基板W的搬送或處理，操作者也可以進入來操作。例如，在處理液櫃150A及處理液櫃150B與氣體循環櫃140A及處理液櫃150C之間形成操作區域。即便正在進行基板W的搬送或處理，基板處理裝置100的操作者也可以進入操作區域，可調整氣體循環櫃140A及處理液櫃150的氣體或處理液。
以上，參照圖式對本發明的實施方式進行了說明。但是，本發明並不限定於所述實施方式，可在不脫離其主旨的範圍內在各種形態中實施。另外，藉由將所述實施方式中公開的多個構成元 件適宜組合，可形成各種發明。例如，也可以從實施方式中所示的所有構成元件中去除幾個構成元件。進而，也可以將涉及不同的實施方式的構成元件適宜組合。為了容易理解，圖式以各個構成元件為主體來示意性地表示，經圖示的各構成元件的厚度、長度、個數、間隔等因圖式製作的關係，也存在與實際不同的情況。另外，所述實施方式中所示的各構成元件的材質、形狀、尺寸等為一例，並無特別限定，可在不實質上脫離本發明的效果的範圍內進行各種變更。
產業上的可利用性
本發明可適宜地用於基板處理裝置。
100:基板處理裝置
101:控制裝置
102:控制部
104:存儲部
110:索引部
112:索引機器人
120:基板搬送部
122:搬送機器人
124:框體
124a:上部
124b:側部
124c:底部
124p:排氣口
124t:平臺
126:搬送風扇過濾單元
130:基板處理部
140:氣體調整部
142:循環配管
142p:底管
142q:側管
142r:上管
144:循環風扇過濾單元
146:排氣管
146v:閥
148:惰性氣體供給部
LP:裝載口
W:基板
X,Y,Z:方向

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，包括：索引機器人，搬入基板；索引部，設置有所述索引機器人；基板處理部，對所述基板進行處理；搬送機器人，在所述索引部與所述基板處理部之間搬送所述基板；基板搬送部，設置有所述搬送機器人；搬送風扇過濾單元，設置在所述基板搬送部的上部；排氣口，設置在所述基板搬送部；循環配管，將所述基板搬送部的所述排氣口與所述搬送風扇過濾單元連結；排氣管，與所述循環配管連接；惰性氣體供給部，朝所述循環配管供給惰性氣體；以及循環風扇過濾單元，配置在所述循環配管中的與所述排氣管的連接部分的下游，且在所述循環配管的長邊方向上垂直延伸的部分，所述循環風扇過濾單元的長邊方向以沿著垂直方向的方式配置。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中所述循環風扇過濾單元以沿著垂直方向延長的方式配置。
  3. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括調整穿過所述排氣管的氣體的流動的閥。
  4. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中所述循環風扇過濾單元朝所述循環配管吹出已從所述惰性氣體供給部供給的所述惰性氣體。
  5. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中所述惰性氣體供給部具有：第一供給部，以第一流量朝所述循環配管供給所述惰性氣體；以及第二供給部，以比所述第一流量多的第二流量朝所述循環配管供給所述惰性氣體。
  6. 如請求項5所述的基板處理裝置，其中在氧下降模式的情況下，所述第一供給部及所述第二供給部分別朝所述循環配管供給所述惰性氣體，在維持低氧模式的情況下，所述第一供給部朝所述循環配管供給所述惰性氣體。
  7. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括朝所述循環配管供給空氣的空氣供給部。
  8. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中在氧增加模式的情況下，所述空氣供給部朝所述循環配管供給所述空氣。
  9. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中所述循環風扇過濾單元朝所述循環配管吹出已從所述空氣供給部供給的所述空氣。
  10. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中多個風扇過濾單元作為所述循環風扇過濾單元而並列配置。
  11. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中所述循環風扇過濾單元包含風扇、過濾器、以及化學過濾器。
  12. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括***述循環配管的一部分及所述循環風扇過濾單元的氣體循環櫃。
  13. 如請求項12所述的基板處理裝置，還包括鄰接於所述氣體循環櫃，朝所述基板處理部供給處理液的處理液櫃。
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