TWI729439B - 決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素之效果的方法和設備 - Google Patents

決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素之效果的方法和設備 Download PDF

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Abstract

本發明關於用以決定要引入微影光罩(100,300)之基板(110,310)的一或多個像素的效果的方法，微影光罩(100,300)具有一或多個圖案元件(120,360)，其中一或多個像素用以至少部分地校正微影光罩(100,300)的一或多個誤差(190,390)，方法包含：藉由決定具有一或多個圖案元件(120,360)的微影光罩(100,300)的基板(110,310)的雙折射變化來決定一或多個引入像素的效果。

Description

決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素之效果的方法和設備
[相關專利參照]本專利申請案主張發明名稱為「使用聯合最佳化程序校正微影光罩的誤差(Correction of errors of a photolithographic mask using a joint optimization process)」的美國專利案US 9658527 B2的優先權，其整體內容以引用的方式明確地併入本文。
本發明關於用以決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素的效果的領域。特別地，本發明關於用以決定用於校正微影光罩的誤差的校準例程的方法和設備。
由於半導體工業中的整合密度不斷地提高，微影光罩必須將越來越小的結構投射到感光層上，即晶圓上的光阻。為了滿足此需求，微影光罩的曝光波長已經從近紫外線偏移越過中紫外線而轉移到電磁光譜的遠紫外線區域。目前，通常使用193nm的波長用於晶圓上光阻的曝光。未來，微影光罩將使用在電磁光譜的極紫外(EUV)波長範圍(10nm至15nm)中的明顯更小的波長。
因此，滿足日益增長的解析度要求的微影光罩的製造變得越來越複雜，因此也越來越昂貴。微影光罩、光學光罩或簡單的光罩在其製造過程結束時出現缺陷的情況並不少見。由於光罩製造過程耗時，因此應盡可能修復光罩的缺陷。
微影光罩可具有數個種類或類型的誤差。微影光罩的一種重要缺陷類型為光罩影像放置誤差或定位誤差。這種類型的誤差或缺陷發生的情況為，配置在微影光罩上的圖案的一或多個圖案元件沒有精確地位在其由光罩的佈局資料所預定的位置處。
WO 2013/123973描述了用以藉由將像素的一或多個配置引入至光學元件(較佳為引入至光學元件的光學上不相關的部分)中來補償由光學組件的材料的雙折射所引起的光學系統中的光學元件的偏極化缺陷的方法。
另一種誤差類型為光傳輸在微影光罩區域上的不均勻性，其導致當通過光罩照明晶圓時，施加到晶圓上的光阻的光學強度劑量或簡單劑量發生相應變化。局部施加的光強度劑量或簡單劑量的變化導致在顯影光阻中的圖案元件的結構尺寸發生波動或變化。橫跨微影光罩的區域的圖案元件的成像的均勻性被稱為臨界尺寸均勻性(CDU)。
此外，缺陷的另一重要類型為覆蓋缺陷或疊對精度(OPO)。這種誤差類型與藉由使用兩或多個不同光罩的兩個或更多個後續照明步驟進行成像的晶圓上的特徵元件的偏移有關。此外，光罩的基板的彎曲為另一種誤差類型。
申請人已描述了藉由將像素引入或寫入至光罩的基板中來校正微影光罩的這些和其他誤差的方法。舉例來說，在申請人的美國專利US 9 658 527 B2中描述了這些方法中的一些。此外，申請人已經建構了幾種工具(RegC®、For-Tune®)，這些工具已常規地用以可靠地校正微影光罩的幾種誤差類型。然而，這些缺陷校正程序仍有進一步改進的空間。
因此，本發明的一目的為提供一種方法和一種設備，以改良用於校正微影光罩的缺陷的上述方法。
根據本發明的一態樣，提供如申請專利範圍第1項所述的方法。在一具體事實例中，提供了用以決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素的效果的方法，其中微影光罩具有一或多個圖案元件，且其中一或多個像素用以至少部分地校正微影光罩的一或多個誤差，該方法包含：藉由決定具有一或多個圖案元件的微影光罩的基板的雙折射變化來決定一或多個引入像素的效果。
引入到微影光罩的基板以校正微影光罩的各種類型的誤差或缺陷的像素可局部地改變光罩基板的光學透射率。在下文中，以校正光罩的定位誤差(registration errors)為例來顯示本發明方法的益處。然而，本發明的方法不限於微影光罩的定位誤差的校正。
引入或寫入光罩基板以校正例如定位誤差的像素針對透射通過光罩基板的光輻射產生了小的散射中心。舉例來說，當在其基板中具有像素的已修復光罩在微影照明系統中操作時，校正一或多個定位缺陷的像素可能在光罩的光學透射中引入局部不均勻性。因此，引入校正定位誤差的像素將造成整個光罩的臨界尺寸(CD)變化或微影光罩的臨界尺寸均勻性(CDU)問題。
為了避免在校正定位誤差時的CDU問題，可在決定校正定位誤差的第一類型像素的同時決定第二類型像素的分佈。第二類型像素主要以定義的方式局部地散射撞擊在一或多個像素上的光輻射。第二類像素基本上不會局部地改變基板的密度。一般來說，第二類型像素將連同第一類型像素一起被引入光罩基板中，其中第一類型像素校正例如微影光罩的定位誤差。
一般來說，第一類型的像素和第二類型的像素都沒有均勻地分佈在待校正的微影光罩的基板中。一或多個像素的校正效果取決於像素寫入程序的細節。因此，必須精確地控制引入像素的雷射系統的雷射光束參數。此外，存在最大允許的光學透射變化，其可由掃描器或步進器進行校正，其在微影程序中使用校正後的光罩以將光罩的圖案元件投射到配置在晶圓上的光阻上。因此，像素寫入程序必須進行校準，以確保在光罩位置處不超過允許的光學透射變化。
目前，使用光化波長下的微影的光學透射變化來校準像素寫入程序，以及藉由將一或多個像素引入微影光罩的基板來決定由誤差校正程序所導致的可容許光學透射變化的最大值。
此方法有兩個缺點：(a)與將一或多個像素引入基板所引起的光罩基板的變化相關的主要參數並非光學透射，而是由誤差校正像素所產生的應力。這表示本發明的校準程序使用間接量來描述一或多個像素的效果以及決定最大可容忍的光學透射變化。(b)此外，更重要的是，未來的EUV光罩將為反射式光學元件。光化波長不再能夠用於基於將像素引入微影光罩的基板中來校準誤差校正程序的透射。因此，由於必須在未塗覆的EUV光罩基板上進行光學透射校準，因此對於EUV光罩也使用當前建立的校準程序將導致缺陷校正的工作流程的改變。
本發明的方法考慮了由於寫入用以校正光罩缺陷的一或多個像素而導致的光罩基板中的應力所引起的雙折射的變化。藉由使用誤差校正像素的主要效果，亦即用以校準缺陷校正程序的應力雙折射，可避免當前校準程序的兩個缺點。
決定雙折射的變化可包含在引入一或多個像素之前以及在將一或多個像素引入基板之後量測基板的雙折射。
通常，光學等向性材料用於光罩的基板，例如石英基板或LTE(低溫膨脹)材料。對於這些材料，所誘發的雙折射與應力光學係數K(單 位：[mm2/N])成正比。可將其量測為在量測位置處透射樣品的平行與垂直於應力主軸的兩個入射平紋波之間的光學路徑長度或延遲的差異△。
一或多個誤差可包含以下至少之一：定位誤差、穿過基板的光學透射變化、覆蓋缺陷、以及微影光罩的基板的彎曲。
此可校正的缺陷的列表並不完整。舉例來說，還可藉由將像素引入微影光罩的基板中來校正微影光罩的偏極化缺陷。
在本申請案中，術語「微影光罩」也包含用於奈米壓印技術的模板。
一或多個引入的像素可能不會對已被微影光罩的一或多個圖案元件所修改的光學輻射的偏極化產生影響。這對EUV光罩是正確的；EUV光子不會通過像素所配置的那層。
決定一或多個引入的像素的效果可包含：決定雙折射的變化為用以將一或多個像素引入微影光罩的基板的雷射系統的至少一雷射光束參數的函數。
本發明方法可更包含以下步驟：當將一或多個像素寫入至微影光罩的基板中時，基於所決定的雙折射變化來控制雷射系統的至少一雷射光束參數，以校正微影光罩的一或多個誤差。
藉由根據一或多個雷射光束參數來決定將一或多個像素引入基板的應力所引起的雙折射的改變或變化，可決定可用以控制像素寫入程序的校準曲線。
決定雙折射變化可包含使用一透射光學雙折射量測系統，其使用大於微影光罩的光化波長的波長。此外，決定雙折射變化可包含使用反射光學雙折射量測系統，其使用的波長大於微影光罩的光化波長。
使用應力雙折射作為用以決定由寫入誤差校正像素至光罩基板所引起的應力的量，可使像素效應的決定與光化波長解耦。因此，可獨立於光化波長來選擇用以量測應力雙折射的波長。然而，可將用以量測 應力雙折射的波長與光罩基板的光學特性相適應，使得可以高準確度來決定應力雙折射。
透射光學雙折射量測系統的波長可在可見波長範圍內。
EUV光罩的基板並不透射EUV光子，但在可見光波長範圍內通常為至少部分透射。因此，針對傳統透射式微影光罩(不考慮其光化波長)以及未來的EUV光罩(也與其特定的光化波長無關)，本發明方法可用以藉由寫入一或多個像素來直接地決定由缺陷校正程序所引起的應力雙折射。
至少一雷射光束參數可包含以下至少之一：雷射光束的功率、脈衝長度、脈衝密度、焦點寬度、焦點深度、波長、波前、以及雷射光束的偏極化。
波前描述了在微影光罩的基板中產生一或多個像素的電磁輻射的波前的形狀。
所定義的方法可進一步包含以下步驟：將雙折射的變化與將被引入至微影光罩的基板中的一或多個像素的應力模型相關聯。
前文所定義的方法可更包含：決定基板的光學透射變化為至少一雷射光束參數的函數。
此步驟允許將傳統的校準程序與本申請案中所解釋的新校準程序相連接。此步驟對於將應力雙折射與光學透射變化聯繫在一起也是必需的。
雷射光束的脈衝長度、脈衝密度、焦點寬度、焦點深度、波前、和偏極化可為固定的，且雷射光束的功率可作為參數變化。
所定義的方法可更包含以下步驟：將雙折射的變化與由要引入至基板的一或多個像素所引起的光學透射變化聯結起來，其中至少一雷射光束參數為一參數。
針對微影光罩的每一種基板類型，有可能建立應力雙折射 與所引起的光學透射變化之間的關係。這表示可將光罩基板的光學透射變化推導為在像素寫入程序期間引入基板中的應力的量。
控制至少一雷射光束參數可包含限制至少一雷射光束參數的數值，使得將一或多個像素引入基板在局部上不超過微影光罩的基板的光學透射的變化的預定臨界值。
基於校準程序，其中將應力雙折射決定為光學透射變化的函數且以至少一雷射光束參數作為參數，可確保藉由寫入像素至光罩基板的誤差校正程序有效地校正了微影光罩的缺陷，而沒有引入無法藉由在第二誤差校正程序中將另外的像素寫入基板來校正的一或多個新的誤差。
所定義的方法可更包含決定在雷射系統用以將一或多個像素引入基板所使用的波長下的基板的光學透射變化的步驟。基板可包含用於極紫外(EUV)波長範圍的微影光罩的基板。
如上所述，藉由引入一或多個像素至基板而引入至光罩基板中的應力取決於至少一雷射光束參數。若其他上述雷射光束參數已經固定，則至少一雷射光束參數可為雷射光束的功率。當決定至少一雷射光束參數時，基板(特別是EUV光罩的基板)可能具有光學吸收，其在產生像素的雷射系統進行操作的波長處無法被忽略。特別地，光罩的光學吸收可能隨批次不同而有變化。如果不考慮此效應，則在產生像素的位置處，至少一實際雷射光束參數可能偏離所決定的雷射光束參數。因此，誤差校正程序不是最佳的，甚至可能完全失敗。
決定基板的光學透射變化可包含決定光學透射的變化作為微影光罩的基板的橫向位置的函數。
一般來說，光傳輸可在整個EUV光罩基板上變化。因此，為了藉由像素寫入進行精確的缺陷校正，必須考慮基板在像素寫入波長處的光衰減的變化。
光罩的橫向位置為在微影光罩的平面中的位置(x方向和y方 向)。z方向垂直於光罩平面。
所定義的方法可更包含決定光學透射變化為要將一或多個像素引入基板中的基板的深度及/或橫向位置的函數的步驟。
根據微影光罩的待校正誤差的類型，可引入一或多個像素至光罩基板的不同深度。因此，基板內的雷射光束的衰減可取決於待校正的誤差的類型。為了最佳化缺陷校正程序，考慮引入參數的深度是有利的。
基板在基板的後表面上可具有一塗層，其中當決定至少一雷射光束參數時，塗層具有導電性且在一或多個像素被引入至基板的波長下為至少部分透光的。
EUV光罩的基板可具有塗層於其後表面。塗層通常是導電的，使得EUV光罩可固定到電子卡盤。為了校正EUV光罩的缺陷，通常經由光罩基板的背側引入像素。一般來說，在光罩基板的前側上配置有作用為EUV輻射的反射元件的多層結構。因此，EUV光罩的前側通常不可用於將像素引入到光罩基板中。因此，導電的後側塗層在將像素引入EUV光罩的基板中的波長下需為至少部分透光的。
塗層可包含以下至少一種材料：銦錫氧化物(ITO)、氟錫氧化物(FTO)、和銻錫氧化物(ATO)。塗層的厚度可在1nm至200nm的範圍內、較佳為2nm至100nm、更佳為3nm至50nm、且最佳為4nm至30nm。替代地，導電塗層可包含兩層。第一層可包含氮化鉻(CrN)，其厚度為2nm至50nm、較佳為4nm至30nm、更佳為6nm至20nm、且最佳為8nm至12nm。第二層可包含金屬氧化物層，例如氮氧化鉭層，其厚度為50nm至1000nm、較佳為100nm至800nm、且最佳為200nm至600nm。
前文所定義的方法可更包含決定在雷射系統用以將複數個像素引入基板所使用的波長下的基板及/或塗層的光學透射變化的步驟。
塗層通常基於低電阻和高光學透射之間的折衷。基材的背側塗層的光學吸收率可在百分之幾至百分之幾十的範圍內，其取決於塗層 的材料組成和厚度。因此，在決定用以寫入像素的至少一雷射光束參數時，考慮塗層的光學衰減是非常有益的。
決定基板及/或塗層的光學透射變化可包含決定光學透射的變化為微影光罩的基板的橫向位置的函數。類似於基板，塗層的光學透射可能會在光罩基底上波動。這可能是由於塗層深度的位置變化及/或材料成分的局部變化、及/或塗層的摻雜的局部變化而發生。
決定基板的光學透射變化可包含決定基板的光學反射及決定基板的光學透射。此外，決定基板和塗層的光學透射變化可包含決定基板和塗層的光學反射以及決定塗層和基板的光學透射。反射、吸收和透射這三個量基本上特徵化介電材料。藉由量測其中兩個量，可推導出第三個量。
前文所定義的方法更包含決定基板及/或塗層的光學透射變化為要將一或多個像素引入基板中的基板的深度及/或橫向位置的一函數的步驟。
藉由使像素寫入過程一方面適應光罩基板和光罩塗層的光學特性且另一方面適應引入像素的深度，可最佳化誤差校正程序。
一或多個像素可包含具有用於校正一或多個誤差的第一類型像素的第一寫入映射圖，其中第一寫入映射圖描述了要引入到微影光罩的基板中的一或多個像素的分佈。
所定義的方法可進一步包含以下步驟：基於所決定的雙折射變化及/或所決定的在將一或多個像素引入基板中的波長下的基板及/或塗層的光學透射變化，決定具有用以校正基板的光學透射變化的第二類型像素的第二寫入映射圖。
一電腦程式可包含用以使一電腦系統執行本發明以及任一前述態樣的步驟的指令。
根據本發明另一態樣，提供如申請專利範圍第16項所述的 設備。在一具體實施例中，提供了用以決定要引入微影光罩之基板的一或多個像素的一效果的設備，其中針微影光罩具有一或多個圖案元件，其中一或多個像素用以至少部分地校正微影光罩的一或多個誤差，該設備包含：用以藉由決定具有一或多個圖案元件的微影光罩的基板的雙折射變化來決定一或多個引入像素的效果的一裝置。
用以決定雙折射變化的裝置包含以下至少之一：一偏振儀、一橢圓儀、和一雙折射成像系統。
用以決定一或多個引入的像素的效果的裝置可包含用以決定微影光罩的表面上的應力分佈的裝置。用以決定定應力分佈的裝置可包含用以決定表面電漿子共振的設備。當精確地將光罩對內部應力的響應模型化時，有可能使用在光罩任一側上的表面應力的資訊來決定像素效果。
直接決定光罩表面上的應力分佈為決定寫入光罩基板中的像素的效果的替代方法。
本發明設備更包含一光學量測系統，其適於決定基板及/或配置在基板上的塗層的光學反射及/或光學透射。
設備可更包含用以校正一或多個誤差的像素寫入系統。
可將用以決定雙折射變化的裝置、光學量測系統、以及用以校正一或多個誤差的雷射系統結合於單一設備中。
最後，設備可適於執行本發明方法的步驟以及任一前述態樣的步驟。
100:微影光罩
110:基板
120:圖案元件
130:圖案
150:前表面
160:後表面
170:主動區域
175:非主動區域
180:曝光波長
190:誤差，前側
200:模板
210:材料
220:前模板側
230:模板後側
280:電磁輻射
290:誤差
300:入微影光罩
305:多層結構
310:基板
315:基板前側
320:鉬層
325:矽層
330:覆蓋層
335:緩衝結構、緩衝層
340:吸收圖案結構、吸收圖案、吸收結構
345:抗反射層
350:光子
355:光子
360:圖案元件
370:後基板表面
375:塗層
390:誤差
395:虛線
400:設備
410:樣品
420:光源
430:光束
440:光彈性調節器
450:光束
460:光束
470:偵測系統
480:介面
500:光學量測系統
510:樣品
515:介面
520:光源
525:光纖
530:投射系統
535:光束
540:光電偵測器
545:透射部分
550:孔徑
555:第一反射部分
560:濾波器
565:第二反射部分
570:光電偵測器
575:前側
580:後側
600:影像
650:影像
700:像素寫入設備
710:樣品
720:卡盤、保持器
730:雷射系統
735:光束
740:物鏡
745:二向分光鏡
750:單軸定位台
760:電腦系統
765:相機
780:控制器
790:操縱反射鏡
800:結合設備
810:連接
820:連接
830:連接
840:連接
850:控制和處理單元
860:介面
900:圖表
910:曲線
920:量測點
930:衰減-功率關係
1000:圖表
1010:曲線
1020:量測點
1030:曲線
1040:量測點
1050:方程式
1060:方程式
1100:圖表
1110:曲線
1200:流程圖
為了更佳地了解本發明並理解其實際應用，提供以下附圖並在下文中引用。應注意，附圖僅作為示例給出，絕不限制本發明的範疇。
圖1顯示透射式微影光罩的截面示意圖；圖2示意性地描繪了用於奈米壓印微影的模板的截面圖； 圖3示意性地顯示了反射性極紫外光(EUV)光罩的截面圖；圖4示意性地顯示了可用於決定應力雙折射的設備的一些組件的方塊圖；圖5顯示了允許量測樣品的光學反射和光學透射的光學量測系統的一些組件；圖6的上半圖顯示了EUV光罩的光罩基板的透射在基板上的變化，且下半圖顯示了在反射光罩的基板背面上的塗層的反射的變化，其中兩個圖像均由圖5的光學量測系統所決定；圖7示意性地顯示了像素寫入系統的一些組件的截面圖；圖8示意性地顯示了將圖4的設備、圖5的光學量測系統、和圖7的像素寫入系統組合在一起的設備的截面圖；圖9顯示了由於將像素引入微影光罩的基板中而引起的光化波長下的光學透射變化，其為用以將像素寫入基板的雷射系統的雷射功率的函數；圖10顯示了光化波長處的光學透射變化以及由將像素引入微影光罩的基板中所引起的應力雙折射，其為用以將像素寫入基板中的雷射系統的雷射功率的函數；圖11顯示了針對用以將像素引入光罩基板中的各種雷射功率的應力雙折射(縱坐標)對光學透射變化(橫坐標)的表示；以及圖12顯示了本案的發明方法的流程圖。
在下文中，將參考附圖更充分地描述本發明，其中附圖顯示了本發明的示例性具體實施例。然而，本發明可以不同的形式實施，且不應解釋為受限於本文所提出的具體實施例。而是，提供這些具體實施例使得本公開更為透徹並將本發明的範疇傳達給所屬技術領域中具有通常知 識者。
特別地，在微影光罩的背景下描述了本發明方法。然而，所屬技術領域中具有通常知識者將理解到，所定義的方法不限於校正有缺陷的微影光罩的應用。本發明方法也可用以校正要在奈米壓印微影中使用的缺陷模板200。一般而言，本發明的方法可應用於可藉由引入一或多個造成應力的像素來校正的所有透射光學元件。它適用於光學傳輸均勻度不是關鍵參數的光學元件。
圖1顯示透射式微影光罩100的示意截面圖。光罩100包含具有第一或前表面150和第二或後表面160的基板110。基板110對用於照明晶圓上的光阻的波長必須是透明的。此波長稱作光化波長。曝光波長180可在電磁光譜的深紫外(DUV)光譜範圍內，特別是在193nm附近。一般來說，基板材料包含石英。基板110通常具有152mm×152mm的橫向尺寸和基本上為6.35mm的深度或高度。微影光罩100的基板110在其前表面150上具有通常由鉻製成的圖案130的圖案元件120，其將由佈局資料所預定的圖案元件120成像在配置於晶圓上的光阻中。
在圖1所示的示例中，光罩100具有形式為定位誤差的誤差190，即，兩個或更多個圖案元件120的距離偏離由佈局資料所預定的位置。誤差190也可能是光罩基板110的平面度誤差、覆蓋誤差或通過光罩基板110的光傳輸的不均勻性(圖1中未示出)。
微影光罩100的基板110上帶有圖案元件120的部分被稱作光罩100的主動區域170，而沒有圖案元件120的邊界部分被稱作非主動區域175。具有光化曝光或照明波長的雷射光束經由基板110的第二或後表面160照射光罩100的基板110。
在本申請的上下文中，術語「基本上」是指當使用最新的計量工具量測變量時，所量測變量在其誤差範圍內的指稱。
圖2示意性地顯示了在奈米壓印微影中用以轉移晶圓上的 圖案元件的模板200。模板200包含在UV和DUV光譜範圍內為透明的材料210，通常將熔融二氧化矽用作模板材料。圖2的示例性模板200具有誤差290。在前模板側220上的圖案元件是在與圖1的微影光罩100的圖案元件120的製造非常相似的程序中製造的。因此，本發明原理也可應用在校正在奈米壓印微影中所使用的模板200的各種誤差。模板200由穿過模板後側230的電磁輻射280所照明。
圖3顯示了針對13.5nm的曝光波長的微影光罩300的示意性截面圖。與圖1的微影光罩不同，EUV光罩300為基於多層結構305的反射光學元件。多層結構305作用為反射鏡，其選擇性地反射入射的EUV光子350。EUV光罩300的多層結構305沉積在適當的基板310(例如，熔融二氧化矽基板)的前基板表面315上。其他透明介電質、玻璃材料或半導體材料也可應用作為用於微影光罩的基板，例如ZERODUR®、ULE®或CLEARCERAM®。基板310的材料具有非常低的熱膨脹(LTE)係數是有利的。
多層膜或多層結構305包含20至60對交替的鉬(Mo)層320和矽(Si)層325。每一Mo層320的厚度為4.15nm，並且Si層325的厚度為2.80nm。為了保護多層結構305，在多層結構305的頂部配置了具有7nm深度的原生氧化物的矽覆蓋層330。其他材料也可用於形成覆蓋層330，例如釕。
在多層305中，Mo層320作用為散射層，而矽層325作用為分離層。代替鉬，可使用具有高Z值的其他元素作為散射層，例如鈷(Co)、鎳(Ni)、鎢(W)、錸(Re)、和銥(Ir)。
如已經提到的，EUV光罩300的基板310上的多層結構305作用為EUV電磁輻射的反射鏡。為了成為EUV光罩300，在覆蓋層330上另外沉積緩衝結構335和吸收圖案結構340。可沉積緩衝層335以在處理期間(例如在吸收圖案結構340的蝕刻及/或修復期間)保護多層結構305。可能的緩衝結構材料為例如熔融二氧化矽(SiO2)、氮氧化矽(SiON)、釕(Ru)、鉻(Cr)及/或氮化鉻(CrN)。吸收結構340包含對在EUV波長範圍內的光子具有大吸收常 數的材料。這些材料的示例為鉻(Cr)、氮化鈦(TiN)及/或氮化鉭(TaN)。
可在吸收圖案結構340上另外配置抗反射(AR)層345，以確保沒有光子被吸收圖案340的表面反射。氧氮化鉭(TaON)可用於製造AR層。約50nm的厚度足以基本上吸收入射在吸收結構340上的所有EUV光子350。相反地，入射在覆蓋層330上的大部分光子350係反射為光子355。
在圖3的示例中，圖案元件360具有形式為定位誤差的誤差390。由虛線395指示的圖案元件360的部分應無吸收材料。
與透射式光罩100類似，EUV光罩300的基板310通常具有152mm×152mm的橫向尺寸以及基本上為6.35mm的厚度或高度。基板310的後表面370或後基板表面370具有薄塗層375。塗層375應為導電的，使得可藉由靜電力來固定EUV光罩300，即，其可電性地卡在微影照明系統的樣品台上。此外，塗層在雷射系統用以將像素引入基板310中的波長附近應為至少部分地透光。滿足這兩個要求的材料例如為氧化銦錫(ITO)、氧化氟錫(FTO)、及/或氧化銻錫(ATO)。塗層375可具有10nm至50nm的厚度。替代地，塗層可包含厚度為10nm至20nm的氮化鉻(CrN)層。此外，替代塗層也可能包含厚度在高達600nm範圍內的CrN層和金屬氧化物層。
在另一替代方案中，可使用非常薄的金屬層用於塗層375。舉例來說，塗層375可包含以下群組中的至少一金屬：鎳(Ni)、鉻(Cr)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鎢(W)、銦(In)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、銠(Rh)、及/或鋅(Zn)、及/或這些金屬中至少兩種的混合物。金屬層的厚度通常小於30nm。
圖4顯示了設備400的橫截面，其可用以決定由引入像素至微影光罩100、300的基板110、310中所引起的應力雙折射。設備400包括光源420，其可為雷射光源420。光源可發射在電磁光譜的可見範圍內的光。舉例來說，在圖4中，氦氖(Helium Neon)雷射被使用作為光源。由光源420所產生的光束430穿過光彈性調節器(PEM)440。PEM 440包含在其入口處的 偏振器(圖4中未示出)，且通常包含壓電轉換器，其週期性地壓縮和擴展光學媒體(其通常為是石英玻璃板)。一般來說，調節頻率為50kHz。因此，光彈性調節器440調節離開偏振器的光束的偏極化。
已調節的光束450透射樣品410。樣品410可為微影光罩100、300的光罩基板110、310，或可為應用於奈米壓印微影的模板200。如在圖1和圖3的上下文中所討論的，微影光罩的基板通常為光學等向性的材料。但是，可能透過光罩製造程序(亦即透過製造用於透射式光罩100的圖案130、或透過製造用於反射光罩300的前側315上圖案元件360及/或後表面370上的塗層375)將應力引入至光罩基板110、310中。因此，在基於基板110、310製造微影光罩100、300之後，沒有缺陷的基板110、310可能具有誘發應力。因此，微影光罩100、300可能顯示出應力雙折射。為了消除這種應力雙折射貢獻，應力雙折射的量測是差異量測，即在將像素引入光罩基板110、310之前和之後量測應力雙折射。
此外，舉例來說，可能因為光罩100、300的不適當固定而將應力暫時地施加到微影光罩100、300。本申請並未考慮由於光罩100、300的不適當操作而引起的這種暫時的應力。
引入像素至光罩100、300的基板100、310中將會以一定義的方式引入一局部永久應力至光罩基板100、300中。已知誘發應力會造成或引起不透性的變化△β ij ，該變化線性地取決於在光罩基板100、300的材料中所誘發出的應力，其中不透性β和介電常數ε的關係如下：
Figure 108125096-A0305-02-0017-1
此相依性可藉助應力光學矩陣的分量來表達：
Figure 108125096-A0305-02-0017-2
其中q為應力光學係數矩陣，σ為應力張量。因此，藉由將像素引入或寫入至基板110、310而在光罩基板110、310的材料中引起的應 力將與基板110、310的材料中的光束的延遲△直接相關，並由以下方程式給出：
Figure 108125096-A0305-02-0018-3
其中，d為光罩基板110、310的厚度，n 0為基板110、310的等向性材料的折射率，且β ij 為光罩100、300的基板材料的不透性矩陣的分量。方程式3描述了在微影光罩100、300的平面中的二維變形模型中的延遲。
由於引入像素至光罩基板110、310中而導致的應力雙折射所引起的延遲以簡單的方式連接到可精確量測的量。具有材料雙折射的微影光罩100、300的延遲△取決於光罩100、300的基板110、310的厚度d以及基板110、310的快軸n F 和慢軸n S 的折射率，如以下方程式所示：△=d．(n S -n F )=d．△n=d．δ (4)
其中δ稱作雙折射。延遲的尺寸為米；一般以奈米表示。
由光罩基板110、310的材料雙折射所引起的延遲△導致離開樣品410的雷射光束460的偏極化相對於入射雷射光束450的偏極化的變化。
離開樣品410的光束460進入偵測系統470。偵測系統470可包含分束反射鏡，其將已調節的光束460分離成具有基本上相同光強度的兩個光束。每一部分光束都通過分析器和濾波器的組合，並接著由光電偵測器進行偵測。偵測系統470內部的組件未顯示於圖4中。
設備400的橫向解析度由調節雷射光束450在樣品410中的焦點寬度所決定。目前，用於決定應力雙折射的橫向解析度在4μm的範圍內。
計算單元(圖4中未示出)可將兩個光電偵測器的量測信號轉換為參數，可從該參數決定樣品410的雙折射。設備400或計算單元提供延遲△和快軸角度作為輸出信號。一般來說，設備400的解析度極限在數皮米 (picometer)的範圍內。解析度可能低至1pm，通常可重複性在約±10pm。
設備400的光源420、PEM 440、和偵測系統470可具有介面480。設備400可經由介面480輸出計算單元的資料。有可能可通過介面480來外部地控制設備400，並通過介面480將其量測資料傳輸到外部電腦系統。
圖4的設備400藉由使光透射穿過基板110、310來決定由引入像素至微影光罩100、300的基板110、310中所引起的應力雙折射。但是，也可能藉由使用僅基於從基板110、310反射的光進行操作的設備(圖4中未示出)來決定應力雙折射。因此，設備可用以分析EUV光罩300的應力雙折射。
圖5示意性地顯示了光學量測系統500的一些組件，其可用以決定光罩基板100、300(特別是EUV光罩300的基板310)的光學吸收。光學量測系統500包含光源520，其可為雷射系統。光源520的波長可適合於用於將像素引入光罩基板110、310中的雷射系統的波長。在圖5的示例中，光源為發光二極體(LED)。藉由電纜515，光源520連接到控制單元(圖5中未示出)。由光源520產生的光通過光纖525連接到投射系統530，其將光束535導引至樣品510上。樣品510可為微影光罩100、300或可為模板200。
入射光束535的第一典型的小部分在樣品510的前側被反射。舉例來說，樣品510的前側575可為透射式光罩100的基板110的後側160，或可為微影光罩300的基板310的塗層375的前側的表面。光束535的第二部分從樣品510的後側580反射。樣品510的後側580可為透射式光罩100的基板110的前側190、或可為EUV光罩300的基板310的前側315。
第一反射部分555和第二反射部分565可由孔徑550分開，例如由針孔550隔開。此外，通過孔徑550傳輸的光束由濾波器560過濾，並藉著由光電偵測器570進行量測。因此，第一反射部分555和第二反射部分565可由光電偵測器570依序地量測。也有可能使用兩個不同的光電偵測器570來同時偵測第一反射部分555和第二565反射部分。
第二光電偵測器540配置在樣品510的後面，其偵測透射樣 品510且沒有在樣品510的後側580被反射的入射光535的部分545。光電偵測器540、570可包含光電二極體，例如PIN二極體或崩潰二極體。替代地，光電倍增器可用作光電偵測器540、570。
對反射部分555、565和透射輻射的偵測的橫向解析度取決於入射光束535的焦點寬度，其由投射系統530以及光電偵測器540和570的孔徑550決定。光學量測系統500的橫向解析度在100μm至1mm的範圍內。當使用具有較小開口的孔徑550時，可獲得較高的橫向解析度，但是會犧牲光電偵測器540、570的信號的信噪比。
基於光電偵測器540和570的量測，可決定入射在樣品510上的光束535的反射部分555、565和透射部分545。基於這些量測，可計算基板110、310的吸收或衰減。此外，由光電偵測器540、570所量測的資料還能夠決定EUV光罩300的塗層375的吸收。此外，光電偵測器540、570可量測入射光束535的反射部分555、565和透射部分545，作為光罩基板110、310的橫向位置的函數。因此，量測系統500能夠以高空間解析度決定基板110、310及/或塗層375兩者的吸收或衰減。
圖6的上半部的影像600顯示了入射光束535的透射部分545在微影光罩300上的變化，其為橫向距離的函數。光源520具有532nm的波長。從影像600可看出，整個光罩300的絕對透射變化約為3%。
圖6的下半部影像650再次針對532nm的入射光束535的波長顯示了入射光束535的第一反射部分555在EUV光罩300的基板300的塗層375上的變化。最大絕對變化量為約0.7%。
所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，影像600和650顯示了光束的透射部分545和反射部分555在EUV光罩330的基板310上的絕對數值。這表示EUV光罩300的基板310和塗層375在圖6所示的示例中透射約20%的入射光束535。在圖6的示例中，第一階從樣品510的前側575反射的光555約佔29%。因此，在圖6的示例中，根據A=1-R-T，約50%的入射光 535在EUV光罩300的基板310及塗層375中被吸收。一般來說，第一階反射值在30%至60%的範圍內。此外，一般而言，入射光535的15%至25%透射通過EUV光罩300的基板310和塗層375。因此，在圖6的示例中，EUV光罩的基板310和塗層375的吸收包含15%至55%的範圍。然而，如所述，這只是一個示例。與圖6的示例所示相比，還有其他塗層和基板可能沒有明顯的吸收性、或可能具有更高或更低的光學透射率、或可能具有更高和更低的數值反射率值。
圖7顯示了示例性像素寫入設備700的示意性方塊圖，其可用以校正圖1和圖3的微影光罩100、300以及圖2的模板200的誤差。像素寫入設備700包含可在三個維度上移動的卡盤720。樣品710可藉由使用各種技術(例如夾持)而固定到卡盤720。樣品710倒置安裝至卡盤720，使得其後基板表面朝向物鏡740。樣品710可為微影光罩100、300、或可為模板200。
像素寫入設備700包含脈衝雷射源730，其產生脈衝或光脈衝的束或光束735。雷射源730產生具有可變持續時間的光脈衝。脈衝持續時間可低至10fs(飛秒)，但也可連續增加至100ps(皮秒)。由脈衝雷射源730所產生的光脈衝的脈衝能量也可在從每脈衝0.01μJ到每脈衝10mJ的巨大範圍內調整。此外，光脈衝的重複率包含從1Hz到100MHz的範圍。舉例來說，光脈衝可由在800nm的波長下操作的鈦：藍寶石(Ti：Sapphire)雷射產生。然而，通過將像素引入光罩基板110、310的誤差校正方法並不限於此雷射類型，原則上可使用具有小於到微影光罩100、300的基板110，310或模板200的能帶隙的光子能量並且能夠產生持續時間在飛秒範圍的脈衝的所有雷射類型。因此，舉例來說，也可使用Nd-YAG雷射或染料雷射系統(圖7中未示出)。
操縱反射鏡790將脈衝雷射光束735導引到聚焦物鏡740中。物鏡740將脈衝雷射光束735聚焦通過後基板表面160、370至微影光罩100、300的基板110、310中。所應用的物鏡740的NA(數值孔徑)取決於焦點 的預定光點大小以及在微影光罩100、300的基板110、310內的焦點相對於後基板表面160、370的位置。物鏡740的NA可高達0.9，這導致焦點點直徑基本上為1μm且最大強度基本上為1020W/cm2。
像素寫入設備700還包含控制器780和電腦系統760，其管理樣品保持器720的兩軸定位台在樣品710的平面內的平移(x和y方向)。控制器780和電腦系統760還經由固定有物鏡740的單軸定位台750來控制物鏡740垂直於卡盤720的平面的移動(z方向)。應注意到，在像素寫入設備700的其他具體實施例中，卡盤720可配備有三軸定位系統以將樣品710移動到目標位置且物鏡740可為固定的，或者卡盤720可為固定的且物鏡740可在三個維度上移動。
電腦系統760可為一微處理器、通用處理器、專用處理器、CPU(中央處理單元)等。它可配置在控制器780中、或可為單獨的單元，例如PC(個人電腦)、工作站、大型電腦等。電腦系統760可進一步包含一介面，其經由連接480將電腦系統760連接至圖4的設備400。此外，電腦系統760可經由連接515控制雷射源520，以及藉由連接795控制圖5的光學量測系統500的光電偵測器540和570。
此外，像素寫入設備700也可提供包含CCD(電荷耦合裝置)相機765的觀察系統，其經由二向分光鏡745接收來自配置在卡盤720中的照明源的光。觀察系統有助於導航樣品710到目標位置。此外，觀察系統還可用以藉由光源730的脈衝雷射光束735觀察在樣品710的後基板表面上的修改區域的形成。
電腦系統760可包含處理單元，其根據經由介面480而從設備400所獲得以及經由介面515而從量測系統500所獲得的誤差資料及量測資料來決定雷射光束735的雷射光束參數。藉由考慮設備400和量測系統500兩者的實驗資料，可有效地校正微影光罩100、300的一或多個誤差中的一個，而沒有誤差校正程序會引起光罩100、300的新缺陷的風險。像素寫入 程序的更多細節在US 9 658 527 B2中描述。
圖8示意性地顯示了結合設備800的截面圖，其將圖4的設備400、圖5的光學量測系統500、和圖7的像素寫入設備700結合於單一裝置中。控制和處理單元850通過連接810控制設備400、通過連接820控制量測系統500、並通過連接830控制像素寫入設備。此外，控制和處理單元850經由連接840連接到外部介面860。
控制和處理單元850藉由設備400來控制應力雙折射的量測，並通過連接810從設備400獲得實驗資料。此外，控制和處理單元控制基板310及/或塗層375的光學反射和光學透射的量測並接收量測的資料。舉例來說，基於這些資料，控制和處理單元850可決定入射在光罩基板110、310的塗層375上的雷射光束735的功率作為基板310內的深度的函數。因為像素的校正效應強烈地取決於生成像素的位置處的局部能量密度，因此像素寫入設備的誤差校正程序可由像素寫入設備700精確地控制。
控制和處理單元850可經由介面860和連接840從缺陷計量系統接收光罩100、300的誤差資料。基於所獲得的誤差資料、所決定的基板110、310的應力雙折射、以及所決定的基板110、310的反射和透射特性，控制和處理單元可決定像素寫入設備700的雷射光束參數。控制和處理單元850可以硬體、軟體、韌體及其組合來實現。控制和處理單元850可包含演算法，其根據從設備400和光學量測系統500接收的量測資料來計算像素寫入設備700的雷射系統730的雷射光束735的參數。
圖9的圖表900顯示了已經引入複數個像素配置的微影光罩100的基板110的光學透射變化的量測結果。在圖9和隨後的圖10中，複數個像素配置中的每個像素配置內的像素具有固定的密度。在圖9的示例中，像素配置的橫向尺寸為3mm×3mm，且像素在兩個方向上具有約4μm的間距。所有像素配置都已寫入基板110的中心，在3.175mm的深度。已經使用像素寫入設備700的雷射系統730的不同功率水平將各種像素配置引入到基 板110中。用以將像素配置引入到光罩基板110中的雷射光束參數顯示於以下的表格。
Figure 108125096-A0305-02-0024-4
為了獲得圖9所示的量測點，已經用DUV(深紫外)燈以CW(連續波)模式照射了具有像素配置的基板110。已經使用窄帶濾波器過濾DUV的輻射。或者，圖9的量測資料也可在光罩100的光化波長(即193nm)下進行量測。因此，可將微影照明系統的光源用於此量測。一般而言，微影照明系統的光源以CW模式或準CW模式輻射基板110。
從圖表900可以看出，在深紫外(DUV)波長範圍內的光學輻射的衰減幾乎隨像素寫入過程中所使用的雷射功率呈線性增加。圖9顯示了擬合到量測點920的曲線910的細節。基於曲線910，可建立查找表，其可用以決定包含第二類型像素的第二像素配置，其中第二類型像素補償了在光罩100的基板110上的光學透射或DUV衰減的變化。基於查找表，可固定雷射系統730的雷射光束參數以寫入具有用以補償微影光罩100的光學透射變化的至少一第二類型像素的第二類型像素配置。
在圖9所示的示例中，光罩基板110的可容許光學衰減的最大值為3%。可藉由掃描器或步進器來補償基板110的光學衰減量，其使用校正後的微影光罩100將光罩100的圖案130投射到配置在晶圓的光阻。因此，在像素寫入程序(其校正了例如微影光罩100的誤差190)期間，最大可容忍的 光學衰減決定了雷射光束735的最大功率。點劃線930顯示了這種關係。
圖9描述了用於缺陷校正程序或RegC程序的傳統校準程序，此程序將像素引入微影光罩100的基板110中。如上所述，此校準程序不再能用於EUV光罩300。EUV光罩300的基板310對於光化波長不是透明的。此外，傳統的校準程序從所引起的基板110的光學透射的變化而間接地推斷出引入到光罩基板110中的像素的影響。此外，光學透射不是EUV光罩300的相關參數。它不必保持在恆定水平，而是可自由選擇。
圖10再次顯示了以像素寫入系統700的雷射光束735的不同功率水平被寫入到光罩基板110中的像素配置的光學透射變化或光衰減。在圖10中，像素配置寫入裸光罩基板110。量測點1020由旋轉的正方形表示。對於量測點1020，在圖表1000的右側給出坐標。方程式1060給出了擬合曲線1030。
圖10也顯示了在裸光罩基板110中的相同像素配置的應力雙折射量測。量測點1040由圖10中的正方形表示。擬合曲線1010的結果由圖表1000中的1050給出。圖10中所示的應力雙折射量測為差異量測。這表示在將像素配置引入光罩基板110之前已經量測了基板110的應力雙折射。因此，圖10所示的資料不包含在引入像素配置之前可能已經存在於基板110中的應力雙折射的影響。
圖表1000清楚地顯示了像素配置引起應力雙折射。此外，圖10也揭示了應力雙折射隨將像素配置引入基板110中的雷射功率而變化。此外，量測點1020和1040以及所計算的曲線1010和1030顯示了應力雙折射變化與DUV波長範圍內的光輻射衰減之間存在相關性。
圖11顯示了一圖表，其中針對用以寫入像素配置至基板110的各種雷射功率水平，在橫坐標上表示圖10的光衰減資料，在縱坐標上表示圖10的應力雙折射資料。從曲線1110可清楚地看到，在光學衰減和由已使用具有不同功率水平的雷射光束735寫入的像素配置所引起的應力雙折 射之間存在線性關係。
因此，圖11的圖表1100驗證了應力雙折射量測可用於透射式微影光罩100的RegC程序的校準。除了傳統的校準程序之外，還可使用應力雙折射的決定。然而，基於應力雙折射決定的RegC校準程序也可取代基於由寫入至基板110的像素所引起的光衰減的量測的本校準方法。
甚至更重要的是，如圖4所示，設備400使用HeNe雷射源作為光源420，使得應力雙折射在632nm的波長下進行量測。因此，還可對在可見波長範圍內通常為光學透明的EUV光罩300的基板310進行應力雙折射的量測。藉由將RegC校準與光化波長解耦，可將本申請案中描述的方法用於透射式微影光罩100和反射式微影光罩300兩者。
最後，圖12顯示了本發明方法的流程圖1200。方法開始於1210。在步驟1220，藉由決定具有一或多個圖案元件120、360的微影光罩100、300的基板110、310的雙折射的變化來決定一或多個所引入像素的效果。此步驟可由設計用於執行應力雙折射量測的設備400來執行。
在步驟1230，基於所決定的一或多個引入像素的效果來決定至少一雷射光束參數。步驟1230為本發明方法的選擇性步驟。這由流程圖1200中的虛線框表示。方法在步驟1240結束。
1100:圖表
1110:曲線

Claims (19)

  1. 一種用以決定要引入一微影光罩之一基板的一或多個像素的一效果的方法，該微影光罩具有一或多個圖案元件，其中該一或多個像素用以至少部分地校正該微影光罩的一或多個誤差，該方法包含：藉由決定具有該一或多個圖案元件的該微影光罩的該基板的一雙折射變化來決定該一或多個引入像素的該效果，其中決定該一或多個引入像素的該效果包含決定該雙折射變化為用以將該一或多個像素引入至該微影光罩的該基板的一雷射系統的至少一雷射光束參數的一函數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含以下步驟：當將該一或多個像素寫入至該微影光罩的該基板中時，基於所決定的該雙折射變化來控制該雷射系統的該至少一雷射光束參數，以校正該微影光罩的一或多個誤差。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中決定該雙折射變化包含使用一透射光學雙折射量測系統，該透射光學雙折射量測系統使用的一波長大於該微影光罩的一光化波長。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中該至少一雷射光束參數包含以下至少之一：該雷射光束的一功率、一脈衝長度、一脈衝密度、一焦點寬度、一焦點深度、一波長、一波前、以及該雷射光束的一 偏極化。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包含決定該基板的一光學透射變化為該至少一雷射光束參數的一函數的步驟。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包含以下步驟：將該雙折射變化與由要引入至該基板的該一或多個像素所引起的一光學透射變化聯結起來，該至少一雷射光束參數為一參數。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中控制該至少一雷射光束參數包含限制該至少一雷射光束參數的一數值，使得將該一或多個像素引入該基板在局部上不超過該微影光罩的該基板的該光學透射的變化的一預定臨界值。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包含決定在該雷射系統用以將該一或多個像素引入至該基板所使用的波長下的該基板的一光學透射變化的步驟。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，更包含決定一光學透射變化為要將該一或多個像素引入該基板中的該基板的一深度及/或一橫向位置的函數的步驟。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的方法，其中該基板在該 基板的一後表面上具有一塗層，該塗層具有導電性且在該一或多個像素被引入至該基板的該波長下為至少部分透光的。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，更包含決定該基板及/或該塗層在該雷射系統用以將該複數個像素引入該基板所使用的該波長下的一光學透射變化的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中決定該基板及/或該塗層的該光學透射變化包含決定該光學透射的一變化為該微影光罩的該基板的一橫向位置的函數。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的方法，更包含決定該基板或該塗層的該光學透射變化要將該一或多個像素引入該基板中的該基板的該深度及/或該橫向位置的一函數的步驟。
  14. 一種電腦程式，包含用以使一電腦系統執行申請專利範圍第1項至第13項的任何一項的步驟的指令。
  15. 一種用以決定要引入一微影光罩之一基板的一或多個像素的一效果的設備，該微影光罩具有一或多個圖案元件，其中該一或多個像素用以至少部分地校正該微影光罩的一或多個誤差，該設備包含：一裝置，用以藉由決定具有該一或多個圖案元件的該微影光罩的該基板的一雙折射變化來決定該一或多個引入像素的該效果， 其中用以藉由決定該雙折射變化來決定該一或多個引入像素的該效果的該裝置適於決定該雙折射變化為用以將該一或多個像素引入至該微影光罩的該基板的一雷射系統的至少一雷射光束參數的一函數。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的設備，其中用以藉由決定該雙折射變化來決定該一或多個引入像素的該效果的該裝置包含以下至少之一：一偏振儀、一橢圓儀、和一雙折射成像系統。
  17. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的設備，更包含一光學量測系統，其適於決定該基板及/或配置在該基板上的一塗層的一光學反射及/或一光學透射。
  18. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的設備，其中該設備更包含用以校正該一或多個誤差的一像素寫入系統。
  19. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的的設備，其中該設備適於執行申請專利範圍第1-13項中的任何一項的步驟。
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