TWI729004B - 具有可變數目發射表面之覆晶表面黏著技術發光二極體 - Google Patents
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
一種製作發光二極體(LED)單元之方法包含:將LED配置成一圖案;在該等LED上方形成一光學透明間隔層;在該等LED上方形成一光學反射層;及將該等LED分割成LED單元。該方法可進一步包含:在形成光學透明間隔層之後且在分割LED之前,形成符合LED之一次級發光層;切割LED以形成具有一相同配置之LED群組;在一支撐件上隔開LED群組;且在LED群組之間的空間中形成光學反射層。
Description
本發明係關於半導體發光二極體(LED),且更特定言之,本發明係關於側發射表面黏著技術(SMT)LED。
在照明及顯示應用中,期望使用最少數目之LED均勻照明一漫射器螢幕。在此等應用中,具有減少或抑制之頂部發射之側發射係較佳的。然而,諸多LED係依一全方向場型發射光之朗伯(Lambertian)發射器。因此,需要將朗伯發射器變換為具有可變數目之發射表面(在下文中稱為「N側發射器」)之LED之一LED封裝技術,該等可變發射表面具有特定方位角方向內之增強之橫向輻射場型。
在本發明之一或多個實例中,一種製作發光二極體(LED)單元之方法包含:將LED配置成一圖案;在該等LED上方形成一光學透明間隔層;在該等LED上方形成一光學反射層;且將該等LED分割成LED單元。該方法可進一步包含:在形成光學透明間隔層之後且在分割LED之前形成符合LED之一次級發光層;切割LED以形成具有一相同配置之LED群組;在一支撐件上隔開LED群組;且在LED群組之間之空間中形成光學反射層。
100:等級-1封裝程序
101:發光二極體(LED)單元或封裝
102:視圖
104:發光二極體(LED)
106:支撐件
108:陽極及陰極接觸件
109:正方形或矩形矩陣
110:視圖/透明間隔層
112:層/次級發光層/次級發光燈
112-1:次級光發射器
114:層/光學透明間隔層
114-1:透明間隔
116:層/光學反射層
116-1:反射器
116-2:反射器
116-3:反射器
116-4:反射器
116-5:反射器
118:視圖
119:支撐件
120:視圖
122:正交劃線道
400:等級1封裝程序
401:發光二極體(LED)單元或封裝
402:視圖
404:雙列
406:視圖
408:視圖
410:支撐件
412:視圖
414:發光二極體(LED)群組
416:水平劃線道
418:視圖
420:支撐件
422:視圖
424:視圖
428:正交劃線道/水平劃線道/垂直劃線道
800:等級-1封裝程序
801:發光二極體(LED)單元或封裝
802:視圖
804:陣列
806:視圖
808:視圖
810:視圖/發光二極體(LED)群組
812:發光二極體(LED)群組
814:正交劃線道
816:視圖
818:視圖
820:視圖
824:正交劃線道/垂直及水平劃線道
1200:等級-1封裝程序
1201:發光二極體(LED)單元或封裝
1202:視圖
1204:單一列
1206:視圖
1208:視圖
1210:視圖
1212:發光二極體(LED)群組
1214:水平劃線道
1216:視圖
1218:視圖
1220:視圖
1224:水平劃線道/正交劃線道/垂直劃線道
1600:等級-1封裝程序
1601:發光二極體(LED)單元或封裝
1602:視圖
1604:正交劃線道
1606:發光二極體(LED)群組
1608:視圖
1610:視圖
1612:視圖
1616:正交劃線道/垂直劃線道/水平劃線道
1900:結構或光引擎
1901:發光二極體(LED)單元
1902:印刷電路板(PCB)
1903:反射器
1904:反射圓角
2000:方法
2002:區塊
2004:選用區塊
2006:區塊
2008:選用區塊
2010:選用區塊
2012:區塊
2014:選用區塊
2016:區塊
2018:區塊
2020:區塊
在圖式中:圖1繪示用於製作本發明之實例中之四側發射器封裝之一封裝程序之一俯視圖;圖2及圖3分別繪示本發明之實例中之圖1之一四側發射器封裝之一側視橫截面圖及一俯視圖;圖4及圖5繪示用於製作本發明之實例中之三側發射器封裝之一封裝程序之一俯視圖;圖6及圖7分別繪示本發明之實例中之圖5之一三側發射器封裝之一側視橫截面圖及一俯視圖;圖8及圖9繪示用於製作本發明之實例中之兩側發射器封裝之一封裝程序之一俯視圖;圖10及圖11分別繪示本發明之實例中之圖9之一兩側發射器封裝之一側視橫截面圖及一俯視圖;圖12及圖13繪示用於製作本發明之實例中之兩側發射器封裝之一封裝程序之一俯視圖;圖14及圖15分別繪示本發明之實例中之圖13之一兩側發射器封裝之一側視橫截面圖及一俯視圖;圖16繪示用於製作本發明之實例中之單側發射器封裝之一封裝程序之一俯視圖;圖17及圖18分別繪示本發明之實例中之圖16之一單側發射器封裝之一側視橫截面圖及一俯視圖;圖19繪示由用於整合本發明之實例中之一印刷電路板上之四側或五
側發射器之一安裝程序形成之一結構之一側視橫截面圖;且圖20係製作本發明之實例中之N側發射器之一方法之一流程圖。
在不同圖中使用相同參考符號指示類似或相同元件。
本申請案主張2015年10月7日申請之美國臨時專利申請案第62/238,666號之優先權。美國臨時專利申請案第62/238,666號併入本文中。
圖1繪示用於製作本發明之實例中之發光二極體(LED)單元或封裝101(僅在視圖120中標示一個)之一等級-1封裝程序100之一俯視圖。LED單元101可為自四個橫向表面發射之四側發射器。如在一視圖102中所展示,LED 104(僅標示一個)放置於一支撐件106上。LED 104係可直接黏著或放置於***器或印刷電路板(PCB)之表面上之表面黏著裝置。各LED 104具有一底部接觸表面及頂部及側發射表面。該底部接觸表面包含陽極及陰極接觸件108(以虛線展示)。LED 104可具有0.1毫米(mm)乘0.1mm至10乘10mm2之一面積且具有自10微米(μm)至1mm之一厚度。LED 104可為一覆晶晶片級封裝(CSP)LED。一取置機器自一托盤或一捲盤擷取LED 104且將其等底部接觸表面朝下放置於支撐件106上。LED 104在支撐件106上配置成一圖案,諸如配置成其中平等間隔開相鄰LED 104之一正方形或矩形矩陣109。支撐件106可為一金屬框架上之一黏帶。
如視圖110中所展示,一或多層112、114及116係形成於支撐件106上的LED 104上方。應注意,使用術語「在……上方」時包含一個元件直接位於另一元件頂部。
在本發明之一些實例中,一次級發光層112經形成於支撐件106上的
LED 104上方。次級發光層112(亦被稱為一波長轉換層)將由LED 104發射之部分初級光轉換為具有一不同波長之一次級光。該次級光與初級光之剩餘者組合以產生一所要色彩。次級發光層112可為包含其後接著聚矽氧中之一層磷光體之聚矽氧中之一層氧化鈦(TiOx)(或另一半透明或擴散金屬氧化物)之一層疊。聚矽氧中之TiOx層具有10300μm之一厚度,且聚矽氧層中之磷光體具有10μm至300μm之一厚度。一層疊機器可將次級發光層112層疊於支撐件106上的LED 104上方及之間。當次級發光層112相對較薄時,其符合支撐件106上之LED 104的形貌。在一些實例中,當僅期望初級光時,省略次級發光層112。
一光學透明間隔層114經形成於次級發光層112上方。在無次級發光燈112之其他實例中,透明間隔層114係形成於支撐件106上的LED 104上方。透明間隔層114囊封LED 104且在LED 104與一後續層之間提供合適間隔。透明間隔層114可為聚矽氧或玻璃。透明間隔層114可具有0mm至10mm之一厚度(例如,675μm)。一模製機器將透明間隔層114模製於次級發光層112或LED 104及支撐件106上方。透明間隔層114在LED 104上方具有一完全平面式頂部表面或一平面式頂部表面,其具有凹陷,諸如倒錐形或微坑。
一光學反射層116經形成於透明間隔層110上方。反射層116防止光出射通過LED單元101之頂部。反射層116可為聚矽氧中之TiOx(或另一半透明或擴散金屬氧化物)。反射層116可具有10μm至300μm之一厚度。一模製機器可將一反射層116模製於透明間隔層110上方。反射層116可經模製具有一平面式頂部表面。當透明間隔層114在其頂部表面具有倒錐形或微坑時,反射層116將填入彼等凹陷中。在此方面,由一或多個層112、114及
116共同固持LED 104。
如視圖118中所展示,LED 104(僅標示一個)係藉由其等被轉移至一新支撐件119而翻轉,使得在其等底部接觸表面上的接觸件108(僅標示兩個)可見。如視圖120中所展示,沿正交劃線道122(僅標示兩個)分割LED 104(僅標示一個),以形成個別LED單元101(僅標示一個)。
圖2及圖3分別繪示本發明之實例中之LED單元101之一側視橫截面圖及一俯視圖。LED單元101包含LED 104、該LED之頂部及側發射表面上方之一次級光發射器112-1、該次級光發射器上方之一透明間隔114-1,及該透明間隔之一頂部表面上方之一反射器116-1。LED 104通常具有一矩形棱鏡之形狀,但可為另一形狀,諸如一立方體或一圓筒。次級光發射器112-1具有一高頂帽子之形狀,其具有接收LED 104之一冠部及環繞該LED之底座之一邊緣。透明間隔114-1具有一蓋之形狀,其具有接收次級光發射器112-1之冠部之一開口及座落於該次級光發射器之邊緣上之一輪緣。反射器116-1具有座落於透明間隔114-1之頂部上方之一板的形狀。如圖3中所展示,LED單元101僅自未由反射器116-1覆蓋之其四個橫向表面發射光。
圖4及圖5繪示用於製作本發明之實例中之LED單元或封裝401(在圖5之視圖424中僅標示一個)之一等級-1封裝程序400之一俯視圖。LED單元401可為三側發射器。參考圖4、視圖402,將LED 104(僅標示一個)之底部接觸表面朝下放置於支撐件106上。將LED 104放置成一圖案,諸如放置成LED之雙列404(僅標示一個)。各雙列404包含一第一列LED(其等接觸墊108處於一第一定向)及一第二列LED(其等接觸墊108處於自該第一定向旋轉180度之一第二定向)。
如視圖406中所展示,次級發光層112係形成於支撐件106上之LED
104上方,且光學透明間隔層114係形成於次級發光層上方。由於次級發光層112相對較薄,所以其符合支撐件106上之LED 104的形貌。在其中僅需要初級光之一些實例中,省略次級發光層112且透明間隔層114係形成於支撐件106上之LED 104上方。透明間隔層114在LED 104上方具有一完全平面式頂部表面或一實質上平面式頂部表面,其具有凹陷,諸如倒錐形或微坑。在此方面,由次級發光層112及透明間隔層114或僅透明間隔層共同固持LED 104。
如視圖408中所展示,LED 104(僅標示一個)係藉由其等被轉移至一新支撐件410而翻轉,使得在LED之底部接觸表面上的接觸件108(僅標示兩個)可見。支撐件410可為由一金屬輪緣支撐之一黏帶。如視圖412中所展示,將LED 104沿水平劃線道416切割成具有相同配置之LED群組414。各LED群組414包含LED 104之一雙列404。
參考圖5、視圖418,LED群組414經隔開且接著藉由其等被轉移至一新支撐件420而翻轉。支撐件420可為一金屬框架上之一黏帶。
如視圖422中所展示,光學反射層116係形成於LED群組414(圖中未標示)上方及之間。反射層116防止光出射通過LED單元401之頂部。反射層116可經模製具有一平面式頂部表面。當LED群組412之透明間隔層114在其頂部表面上具有倒錐形或微坑時,反射層116將落入彼等凹陷中。在此方面,由反射層116共同固持LED群組414。
如視圖424中所展示,LED群組414藉由其等被轉移至一新支撐件119而翻轉,使得在LED 104之底部接觸表面上之接觸件108可見。將LED 104(僅標示一個)沿正交劃線道428(僅標示兩個)分割成個別LED單元401(僅標示一個)。在末端處之垂直劃線道428沿LED群組414(僅標示一個)之左
及右邊緣切割或稍微切入其內,使得無反射層116留在彼等邊緣上。在末端之間之垂直劃線道428在相鄰LED 104之間切割。水平劃線道428切割通過LED群組414之上方及下方之反射層116,使得部分反射層116留在各LED群組中之第一列之頂部邊緣及第二列之底部邊緣上。
圖6及圖7分別繪示本發明之實例中之LED單元401之一側視橫截面圖及一俯視圖。LED單元401包含LED 104、次級光發射器112-1、透明間隔114-1及一反射器116-2。反射器116-2形成座落於透明間隔114-1之頂部及透明間隔之一側及次級光發射器112-1之邊緣上方之兩個板。如圖7中所展示,LED單元401僅自未由反射器116-2覆蓋之三側發射表面發射光。
圖8及圖9繪示用於製作本發明之實例中之LED單元或封裝801(在圖9之視圖820中僅標示一個)之一等級-1封裝程序800之一俯視圖。LED單元801可為兩側發射器。參考圖8、視圖802,將LED 104(僅標示一個)之底部接觸表面朝下放置於支撐件106上。將LED 104放置成一圖案,諸如放置成二乘二陣列804(僅標示一個)。各二乘二陣列804以一螺旋順序包含一第一LED(其之接觸墊108處於一第一定向)、一第二LED(其之接觸墊108處於自該第一定向旋轉90度之一第二定向)、一第三LED(其之接觸墊108處於自該第二定向旋轉90度之一第三定向)及一第四LED(其之接觸墊108處於自該第三定向旋轉90度之一第四定向)。
如視圖806中所展示,次級發光層112形成於支撐件106上之LED 104上方,且光學透明間隔層114形成於發光層上方。由於次級發光層112相對較薄,所以其符合支撐件106上之LED 104之形貌。在其中僅需要初級光之一些實例中,次級發光層112省略且透明間隔層114形成於支撐件106上之LED 104上方。透明間隔層114在LED 104上方具有一完全平面式頂部表面
或一實質上平面式頂部表面,其具有凹陷,諸如倒錐形或微坑。在此方面,由次級發光層112及透明間隔層114或僅透明間隔層共同固持LED 104。
如視圖808中所展示,LED 104(僅標示一個)藉由其等被轉移至一新支撐件410而翻轉,使得在LED 104之底部接觸表面上之接觸件108(僅標示兩個)可見。如在視圖810中所展示,將LED 104(僅標示一個)沿正交劃線道814(僅標示兩個)切割成具有相同配置之LED群組812(僅標示一個)。各LED群組810包含LED 104之一二乘二陣列804。
參考圖9、視圖816,LED群組812經隔開且接著藉由其等被轉移至一新支撐件420而翻轉。
如視圖818中所展示,光學反射層116係形成於LED群組812(圖中未標示)上方及之間。反射層116防止光出射通過LED單元801之頂部。反射層116可經模製具有一平面式頂部表面。當LED群組812之透明間隔層114在其頂部表面上具有倒錐形或微坑時,反射層116將落入彼等凹陷中。在此方面,由反射層116共同固持LED群組812。
如視圖820中所展示,LED群組812係藉由其等被轉移至一新支撐件119而翻轉,使得在LED 104(僅標示一個)之底部接觸表面上的接觸件108(僅標示兩個)可見。將LED 104沿正交劃線道824(僅標示兩個)分割成個別LED單元801(僅標示一個)。一第一組垂直及水平劃線道824沿各LED群組812(僅標示一個)之邊緣切割通過反射層116,使得部分反射層116留在各LED 104之兩個相鄰橫向表面上。一第二組垂直及水平劃線道824在各LED群組812中之相鄰LED 104之間切割,使得各LED 104之兩個相鄰橫向表面無反射層116。
圖10及圖11分別繪示本發明之實例中之LED單元801之一側視橫截面
圖及一俯視圖。LED單元801包含LED 104、次級光發射器112-1、透明間隔114-1及一反射器116-3。反射器116-3形成座落於透明間隔114-1之頂部及透明間隔之兩個相鄰側及次級光發射器112-1之邊緣上方的三個板。如圖11中所展示,LED單元801僅自未由反射器116-3覆蓋之兩個相鄰側發射表面發射光。
圖12及圖13繪示用於製作本發明之實例中之LED單元或封裝1201(僅標示一個)之一等級-1封裝程序1200之一俯視圖。LED單元1201可為兩側發射器。參考圖12、視圖1202,將LED 104(在圖13之視圖1220中僅標示一個)之底部接觸表面朝下放置於支撐件106上。將LED 104放置成一圖案,諸如放置成LED 104之單一列1204(僅標示一個),其中其等接觸墊108(僅標示兩個)係處於相同定向。
如視圖1206中所展示,次級發光層112經形成於支撐件106上之LED 104上方,且光學透明間隔層114經形成於次級發光層上方。由於次級發光層112相對較薄,所以其符合支撐件106上之LED 104的形貌。在其中僅需要初級光之一些實例中,次級發光層112被省略且透明間隔層114係形成於支撐件106上之LED 104上方。透明間隔層114在LED 104上方具有一完全平面式頂部表面或一實質上平面式頂部表面,其具有凹陷,諸如倒錐形或微坑。在此方面,由次級發光層112及透明間隔層114或僅透明間隔層共同固持LED 104。
如視圖1208中所展示,LED 104(僅標示一個)係藉由其等被轉移至一新支撐件410而翻轉,使得在LED 104之底部接觸表面上的接觸件108(僅標示兩個)可見。如在視圖1210中所展示,沿水平劃線道1214(僅標示一個)切割LED 104(僅標示一個)以形成具有相同配置之LED群組1212(僅標示
一個)。各LED群組1212包含LED 104之一列1204。
參考圖13、視圖1216,LED群組1212經隔開且接著藉由其等被轉移至一新支撐件420而翻轉。
如視圖1218中所展示,光學反射層116經形成於LED群組1212(圖中未標示)上方及之間。反射層116防止光出射通過LED單元1201之頂部。反射層116可經模製具有一平面式頂部表面。當LED群組1212之透明間隔層114在其頂部表面上具有倒錐形或微坑時,反射層116將落入彼等凹陷中。在此方面,由反射層116共同固持LED群組1212。
如視圖1220中所展示,LED群組1212係藉由其等被轉移至一新支撐件119而翻轉,使得在LED 104之底部接觸表面上的接觸件108(僅標示兩個)可見。將LED 104(僅標示一個)沿正交劃線道1224(僅標示兩個)分割成個別LED單元1201(僅標示一個)。水平劃線道1224沿LED群組1212(僅標示一個)之頂部及底部邊緣切割通過反射層116,使得部分反射層116留在各LED單元1201的兩個對置橫向表面上。垂直劃線道1224沿LED群組1212的左及右邊緣且在各LED群組中之相鄰LED 104之間切割或稍切入LED群組1212的左及右邊緣內,使得各LED單元1201的其他兩個對置橫向表面無反射層116。
圖14及圖15分別繪示本發明之實例中之一LED單元1201之一側視橫截面圖及一俯視圖。LED單元1201包含LED 104、次級光發射器112-1、透明間隔114-1及一反射器116-4。反射器116-4形成座落於透明間隔114-1之頂部及透明間隔之兩個對置側及次級光發射器112-1之邊緣上方的三個板。如圖15中所展示,LED單元1201僅自未由反射器116-4覆蓋之兩個對置側發射表面發射光。
圖16繪示用於製作本發明之實例中之LED單元或封裝1601(僅標示一個)之一等級-1封裝程序1600之一俯視圖。LED單元1601可為單側發射器。程序1600開始於與程序400至視圖408(圖4)相同的步驟。接著,視圖408其後可接著視圖1602,其中沿正交劃線道1604(僅標示兩個)切割LED 104(僅標示一個)以形成具有相同配置之LED群組1606(僅標示一個)。各LED群組1606包含相同雙列404(圖4)中之兩個垂直相鄰LED 104,且該兩個垂直相鄰LED在相距180度之定向中具有其等接觸墊。
如視圖1608中所展示,LED群組1606(僅標示一個)經隔開,且係藉由其等被轉移至一新支撐件420而翻轉。
如視圖1610中所展示,光學反射層116經形成於LED群組1606(圖中未標示)上方及之間。反射層116防止光出射通過LED單元1601之頂部。反射層116可經模製具有一平面式頂部表面。當LED群組1606之透明間隔層114在其頂部表面上具有倒錐形或微坑時,反射層116將落入彼等凹陷中。在此方面,由反射層116共同固持LED群組1606。
如視圖1612中所展示,LED群組1606(僅標示一個)藉由其等被轉移至一新支撐件119而翻轉,使得在LED 104之底部接觸表面上之接觸件108(僅標示兩個)可見。將LED 104(僅標示一個)沿正交劃線道1616(僅標示兩個)分割成個別LED單元1601(僅標示一個)。垂直劃線道1616及一第一組水平劃線道1616沿各LED群組1606之周邊切割通過反射層116,使得部分反射層116留在各LED單元1601之三個相鄰橫向表面上。一第二組水平劃線道1616在各LED群組1606中之LED 104之間切割,使得各LED單元1601之一個橫向表面無反射層116。
圖17及圖18分別繪示本發明之實例中之一LED單元1601之一側視橫
截面圖及一俯視圖。LED單元1601包含LED 104、次級光發射器112-1、透明間隔114-1及一反射器116-5。反射器116-5形成座落於透明間隔114-1之頂部及透明間隔之三個相鄰側及次級光發射器112-1之邊緣上方之四個板。如圖18中所展示,LED單元1601僅自未由反射器116-5覆蓋之一個側發射表面發射光。
圖19繪示由用於整合本發明之實例中之一PCB 1902上之LED單元1901之一等級-2安裝程序形成之一結構或光引擎1900之一側視橫截面圖。LED單元1901可為自其頂部及側發射表面發射光之五側發射器。替代地,LED單元1901可為在其等頂部上具有反射器1903使得LED單元1901可自其等側發射光之四側發射器。例如,LED單元1901可為LED單元101(圖1至圖3)。PCB 1902包含串聯或並聯連接LED單元1901之跡線。可使用數個方法將LED單元1901固定至PCB 1902。例如,將焊膏施加至PCB 1902上之結合區域且擷取LED單元1901且將其等放置於該等結合區域上,且通過一回焊爐發送具有LED單元之PCB以將LED單元固定至PCB。
為了增強特定方位角方向內之橫向輻射場型,將一反射材料分配於LED單元1901之間或LED單元之選定側上。該反射材料可為聚矽氧中之TiOx(或另一半透明或擴散金屬氧化物)。由於毛細管作用,反射材料形成覆蓋LED單元1901之選定側之反射圓角1904以產生所要輻射場型。例如,反射圓角1904可覆蓋各LED單元1901之相鄰側、對置側、三個側。
圖20係製作本發明之實例中之以上描述之N側發射器之一方法2000之一流程圖。方法2000可開始於區塊2002。
在區塊2002中,將LED104配置成一圖案。如以上所描述,該圖案可為一正方形或矩形矩陣109(圖1)、雙列404(圖4)、二乘二陣列804(圖8)
或單列1204(圖12)。區塊2002其後可接著選用區塊2004。
在選用區塊2004中,次級發光層112形成於LED 104上且符合LED 104。當僅需要初級光時可跳過選用區塊2004。選用區塊2004其後可接著區塊2006。
在區塊2006中,當省略次級發光層時,光學透明間隔層114形成於次級發光層112或LED 104上方。區塊2006其後可接著選用區塊2008。
在選用區塊2008中,LED 104經翻轉且切割成LED群組。如以上所描述,LED群組可為LED群組414(圖4)、812(圖8)、1212(圖12)或1606(圖16)。當製作四側發射器時可跳過選用區塊2008。選用區塊2008其後可接著選用區塊2010。
在選用區塊2010中,LED群組經隔開且翻轉或反之亦然。當製作四側發射器時可跳過選用區塊2010。選用區塊2010其後可接著區塊2012。
在區塊2012中,光學反射層116形成於LED 104上方(當製作四側發射器時)或形成於LED群組上方(當製作三側、兩側或單側發射器時)。區塊2012其後可接著選用區塊2014。
在選用區塊2014中,當製作三側、兩側或單側發射器時,反射層116形成於LED群組之間之空間中。區塊2012及選用區塊2014可為相同步驟,因為反射層116經模製於LED群組上方及之間。選用區塊2014其後可接著區塊2016。
在區塊2016中,LED 104或LED群組經翻轉且分割成LED單元。該等LED單元可為LED單元101(圖1)、401(圖4)、801(圖8)、1201(圖12)或1601(圖16)。可測試、分選該等LED單元且將其等儲存於一捲帶中。區塊2002至2016可為一等級-1封裝程序之一部分。區塊2016其後可接著選用區
塊2018。
在區塊2018中,LED單元係表面黏著至一PCB上以形成一結構,諸如一光引擎。選用區塊2018其後可接著選用區塊2020。
在區塊2020中,將一反射材料分配至PCB上之LED單元之側之間或上。反射材料形成覆蓋LED單元之選定側之圓角,使得所得結構產生一所要輻射場型。例如,將反射材料分配至PCB 1902(圖19)上之LED單元1901(圖19)之側之間及上以產生LED單元之選定側上之反射圓角1904(圖19)。
所揭示之實施例之特徵之各種其他調適及組合係在本發明之範疇內。由以下申請專利範圍涵蓋數個實施例。
100‧‧‧等級-1封裝程序
101‧‧‧發光二極體(LED)單元或封裝
102‧‧‧視圖
104‧‧‧發光二極體(LED)
106‧‧‧支撐件
108‧‧‧陽極及陰極接觸件
109‧‧‧正方形或矩形矩陣
110‧‧‧視圖/透明間隔層
112‧‧‧層/次級發光層/次級發光燈
114‧‧‧層/光學透明間隔層
116‧‧‧層/光學反射層
118‧‧‧視圖
119‧‧‧支撐件
120‧‧‧視圖
122‧‧‧正交劃線道
Claims (20)
- 一種形成側發射發光二極體(LED)單元之方法,其包括:將複數個LED配置成在一暫時支撐件上之一圖案;形成符合(conform)該等複數個LED之一次級發光層,以覆蓋該等複數個LED之各者的頂部發射表面及側發射表面;在形成該次級發光層後在該複數個LED上方形成一光學透明間隔層;在該光學透明間隔層上方形成一光學反射層,以形成包括至少該等複數個LED、該次級發光層、該光學透明間隔層及該光學反射層之一結構;且在該光學透明間隔層上方形成該光學反射層之後將該結構分割(singulate)成複數個LED單元,該等複數個LED單元之各者包括該等複數個LED之一者、該次級發光層之一部分、經形成在該等複數個LED之一者上方之該光學透明間隔層之一部分及經形成在該光學透明間隔層之該部分上方之該光學反射層之一部分。
- 如請求項1之方法,進一步包括:在形成該光學反射層之後且在將該結構分割成該等複數個LED單元之前,翻轉(flipping)該結構。
- 如請求項1之方法,其中將該結構分割成該等複數個LED單元進一步包括分割該結構以形成複數個四側(four-sided)發射器,該等複數個四側發射器之各者包括:該等複數個LED之一者; 經形成在該等複數個LED之一者上方之該光學透明間隔層之該部分;及經形成在該光學透明間隔層之該部分上方之該光學反射層之該部分。
- 如請求項1之方法,其中將該結構分割成該等複數個LED單元進一步包括分割該結構以形成複數個四側(four-sided)發射器,該等複數個四側發射器之各者包括:該等複數個LED之一者;形成在該等複數個LED之一者之頂部發射表面及側發射表面上方之該次級發光層之該部分;經形成在該次級發光層之該部分上方之該光學透明間隔層之該部分;及經形成在該光學透明間隔層之該部分上方之該光學反射層之該部分。
- 如請求項1之方法,其中該次級發光層包括一層疊(laminate),該層疊包括一第一層聚矽氧中的磷光體及一第二層聚矽氧中的氧化鈦。
- 如請求項1之方法,其中形成該光學透明間隔層包括將該光學透明間隔層中之微坑(dimple)模製(mold)於該等LED上方。
- 如請求項1之方法,其中該光學透明間隔層包括聚矽氧,且該光學 反射層包括聚矽氧中之氧化鈦。
- 一種形成側發射發光二極體(LED)單元之方法,其包括:將複數個LED配置成在一第一暫時支撐件上之一圖案;將一光學透明間隔層形成在該等複數個LED上方以形成包括至少該等複數個LED及該光學透明間隔層之一第一結構;將該第一結構切割以形成複數個LED群組;將該等複數個LED群組配置在一第二暫時支撐件上,俾使在該第二暫時支撐件上之相鄰LED群組之間形成間隔;將一單一光學反射層形成於在該第二暫時支撐件上之該等複數個LED群組之各者之該光學透明間隔層上方,俾使該單一光學反射層亦經形成在該等相鄰LED群組之間之該等間隔中以形成一第二結構;且在該光學透明間隔層上方形成該單一光學反射層之後將該第二結構分割以形成複數個一邊發射、二邊發射或三邊發射LED單元。
- 如請求項8之方法,進一步包括:在形成該光學透明間隔層之後且在切割該第一結構之前,翻轉該第一結構。
- 如請求項8之方法,進一步包括:在切割該第一結構之後且在配置該等LED群組之前,翻轉該等LED群組之各者。
- 如請求項10之方法,進一步包括:在形成該光學反射層之後且在分割該第二結構之前,翻轉該該第二結構。
- 如請求項8之方法,其進一步包括在將該等複數個LED配置在該第一暫時支撐件上之後且在形成該光學透明間隔層之前,形成符合該等複數個LED之一次級發光層,以覆蓋該等複數個LED之各者的頂部發射表面及側發射表面。
- 如請求項12之方法,其中:將該等LED配置成該圖案包括將雙列(double rows)LED放置於該第一暫時支撐件上,各雙列包括:一第一列LED,其中其等接觸墊處於一第一定向;及一第二列LED,其中其等接觸墊處於自該第一定向旋轉180度之一第二定向;該等複數個LED群組之各者包括一雙列LED,且分割該第二結構進一步包括分割該第二結構俾使該光學反射層之一部份覆蓋該等複數個LED單元之各者之一頂部表面及該等複數個LED單元之各者之一單一橫向(lateral)表面,以形成複數個三邊發射LED單元。
- 如請求項12之方法,其中:將該等LED配置成該圖案包括:將LED之二乘二陣列放置於該第一暫時支撐件上,各二乘二陣列以一螺旋順序包括:一第一LED,其中其之接觸墊處於一第一定向;一第二LED,其中其之接觸墊處於自該第一定向旋轉90度之一第二定向;一第三LED,其中其之接觸墊處於自該第二定向旋轉90度之一第三定向;及一第四LED,其中其之接觸墊處於自該第三定向旋轉90度之一第四定向; 該等複數個LED群組之各者包括一二乘二陣列,且分割進一步包括分割該第二結構俾使該光學反射層之一部分覆蓋該等複數個LED單元之各者之一頂部表面及該等複數個LED單元之各者之二橫向表面,以形成複數個二邊發射LED單元。
- 如請求項12之方法,其中:將該等LED配置成該圖案包括將一相同定向之LED之列放置於該第一暫時支撐件上;該等LED群組之各者包括一單一列LED,且分割進一步包括分割該第二結構俾使該光學反射層之一部分覆蓋該等複數個LED單元之各者之一頂部表面及該等複數個LED單元之各者之二橫向表面,以形成複數個二邊發射LED單元。
- 如請求項12之方法,其中:將該等LED配置成該圖案包括將雙列LED放置於該第一暫時支撐件,各雙列包括:一第一列LED,其中其等接觸墊處於一第一定向;及一第二列LED,其中其等接觸墊處於自該第一定向旋轉180度之一第二定向;該等LED群組之各者包括一雙列LED中之兩個垂直相鄰LED,且分割進一步包括分割該第二結構俾使該光學反射層之一部分覆蓋該等複數個LED單元之各者之一頂部表面及該等複數個LED單元之各者之二橫向表面,以形成複數個二邊發射LED單元。
- 一種形成側發射發光二極體(LED)單元之方法,其包括: 將複數個LED配置成在一暫時支撐件上之一圖案;將一光學透明間隔層形成在一透明基板上之全部該等複數個LED上方;在該光學透明間隔層上方形成一光學反射層,覆蓋該光學透明間隔層之一完整表面或一中介層(intervening layer),以形成包括至少該等複數個LED、該光學透明間隔層及該光學反射層之一結構;且在該光學反射層經形成在該光學透明間隔層上方之後將該結構分割成複數個LED單元,該等複數個LED單元之各者包括至少該等複數個LED之一者、圍繞該等複數個LED之至少一者之頂部表面及側表面之該光學透明間隔層之一部分及經形成在該光學透明間隔層之該部分之該光學反射層之一部分。
- 如請求項17之方法,進一步包括:在形成該光學反射層之後且在將該結構分割成該等複數個LED單元之前,翻轉該結構。
- 如請求項17之方法,其中將該結構分割成該等複數個LED單元進一步包括分割該結構以形成複數個四側發射器,該等複數個四側發射器之各者包括:該等複數個LED之一者;經形成在該等複數個LED之一者上方之該光學透明間隔層之該部分;及經形成在該光學透明間隔層之該部分上方之該光學反射層之該部分。
- 如請求項17之方法,其中將該結構分割成該等複數個LED單元進一步包括分割該結構以形成複數個四側發射器,該等複數個四側發射器之各者包括:該等複數個LED之一者;形成在該等複數個LED之一者之頂部發射表面及側發射表面上方之該次級發光層之該部分;經形成在該次級發光層之該部分上方之該光學透明間隔層之該部分;及經形成在該光學透明間隔層之該部分上方之該光學反射層之該部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562238666P | 2015-10-07 | 2015-10-07 | |
US62/238,666 | 2015-10-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201724584A TW201724584A (zh) | 2017-07-01 |
TWI729004B true TWI729004B (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=56959026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105130551A TWI729004B (zh) | 2015-10-07 | 2016-09-22 | 具有可變數目發射表面之覆晶表面黏著技術發光二極體 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10693048B2 (zh) |
EP (1) | EP3360169A1 (zh) |
JP (1) | JP6865217B2 (zh) |
KR (1) | KR102608856B1 (zh) |
CN (1) | CN108431972B (zh) |
TW (1) | TWI729004B (zh) |
WO (1) | WO2017062119A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102608856B1 (ko) | 2015-10-07 | 2023-12-04 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 가변 수의 방출 표면들을 갖는 플립-칩 smt led들 |
EP3454386B1 (en) * | 2017-07-21 | 2020-11-25 | Maven Optronics Co., Ltd. | Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same |
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DE102018106972B4 (de) | 2018-03-23 | 2024-05-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement mit reflektiver vergussmasse und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
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- 2016-09-02 CN CN201680071794.8A patent/CN108431972B/zh active Active
- 2016-09-02 EP EP16767434.0A patent/EP3360169A1/en active Pending
- 2016-09-02 WO PCT/US2016/050071 patent/WO2017062119A1/en active Application Filing
- 2016-09-02 JP JP2018517700A patent/JP6865217B2/ja active Active
- 2016-09-22 TW TW105130551A patent/TWI729004B/zh active
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JP6865217B2 (ja) | 2021-04-28 |
US20200279985A1 (en) | 2020-09-03 |
US11374155B2 (en) | 2022-06-28 |
KR20180063278A (ko) | 2018-06-11 |
JP2018531513A (ja) | 2018-10-25 |
WO2017062119A1 (en) | 2017-04-13 |
EP3360169A1 (en) | 2018-08-15 |
TW201724584A (zh) | 2017-07-01 |
KR102608856B1 (ko) | 2023-12-04 |
US10693048B2 (en) | 2020-06-23 |
CN108431972B (zh) | 2022-02-11 |
US20190088840A1 (en) | 2019-03-21 |
CN108431972A (zh) | 2018-08-21 |
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