TWI725201B - 基板分斷裝置、及基板分斷方法 - Google Patents

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Abstract

本發明可在不使基板欲露出之面受損之情形下去除端材。
本發明之基板分斷裝置具備:工作臺2、按壓裝置1、及吹氣裝置3。工作臺2支持貼合基板G;按壓裝置1從第1基板G1側對端部按壓,使端材GL沿著刻劃線S分斷;吹氣裝置3產生氣流FL,使端材GL從第1基板G1之本體部剝離並移動。

Description

基板分斷裝置、及基板分斷方法
本發明係一種基板分斷裝置,尤其是關於具有在表面形成有為了切離端部之刻劃線之第1基板、與貼合於第1基板背面之第2基板之貼合基板之分斷裝置。同時,本發明亦與基板分斷方法相關。
液晶裝置係由第1基板及第2基板夾著液晶層,並由密封材料貼合之貼合基板所構成。對於如上述之貼合基板,上述基板之其中一塊(例如:第1基板)上形成濾色片(color filter),另一塊基板(例如:第2基板)上形成TFT(Thin Film Transistor)及連接端子。
於上述之貼合基板中,為了與外部之電子機器連接,須使形成於第2基板之連接端子露出。於實際上是液晶裝置之貼合基板中,使形成連接端子之面露出(使貼合基板之其中一塊基板之內側面露出)之基板的分離方法,於專利文獻1所揭示。
於專利文獻1中,首先,在刻劃線形成時,將在第1基板形成刻劃線之滾刀(cutter)之配置位置,與在第2基板形成刻劃線之滾刀之配置位置錯開,形成刻劃線。然後,於將成為被切除側之貼合基板(端材)與成為裝置側之貼合基板分離,使連接端子露出時,在將端材由夾頭(chuck)構件保持之狀態下使夾頭構件遠離成為裝置側之貼合基板。
專利文獻1:日本特開2012-250871號公報。
如上述,藉由以夾頭構件保持端材並移動之方法將端材去除的情形下,夾頭構件之位置須精準地調整,以使端材不會強壓成為裝置側之貼合基板之形成有連接端子之面。因為,若是在端材強壓形成有連接端子之面之狀態下移動端材,連接端子將受損(例如:連接端子上形成刮痕)。
即,於以往習知之端材之分離方法中,夾頭構件之位置需要高精度的調整。再者,當端材僅形成於貼合基板之其中之一基板之情形下,有端材無法被夾頭構件保持之問題。
本發明之目的係於刻劃線形成後將端材去除,使貼合基板之任一基板之內側面露出之情形下,用更單純的方法,去除端材並不使基板欲露出之面受損。
關於本發明之一部分之基板分斷裝置,係具有表面形成有為了切離端部之刻劃線之第1基板、與貼合於第1基板背面之第2基板之貼合基板之分斷裝置。
基板分斷裝置,具備工作臺、按壓裝置、及吹氣裝置。
工作臺,支持貼合基板。
按壓裝置,藉由從第1基板側按壓端部,使端部沿著刻劃線分斷。
吹氣裝置,藉由產生氣流,使端部從第1基板之本體部剝離並移動。
本裝置,不同以往維持端部從第1基板之本體部移動之方式,而是以吹氣裝置產生之氣流,使端部從第1基板之本體部剝離並移動。
藉由此種分斷方式,於使端部從第1基板之本體部移動時, 端部之移動中之位置就算不精準調整,也不會按壓到第2基板之表面。如此,將端部從貼合基板分離時,端部將不會使第2基板之露出面受損。
吹氣裝置,具有配置於本體部之端部之上方,斜向本體部之端部附近之位置之噴嘴。於此,吹氣裝置藉以具有上述之噴嘴,對於端部及/或本體部,使其可以提供端部從本體部移動之最適合之氣流。
關於本發明之另一部分之基板分斷方法,係具有表面形成有為了切離端部之刻劃線之第1基板、與貼合於第1基板背面之第2基板之貼合基板之分斷方法。而且,具有以下步驟。
a:支持貼合基板於工作臺之支持步驟。
b:藉由從第1基板側按壓端部,使端部沿著上述刻劃線分斷之分斷步驟。
c:藉由產生氣流,使端部從第1基板之本體部剝落並移動之吹氣步驟。
吹氣步驟,可於本體部中從離開端部之位置上方,向本體部之端部附近斜向吹出氣流。
本發明,係於形成刻劃線後將端部除去使貼合基板之第2基板之內側面露出之情形下,用更單純的方法,不對第2基板之欲露出之面施以過多壓力並將端材去除。
1‧‧‧按壓裝置
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
2‧‧‧工作臺
3‧‧‧吹氣裝置
31‧‧‧噴嘴
33‧‧‧氣體供應裝置
FL‧‧‧氣流
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
S‧‧‧刻劃線
圖1係本發明之一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。
圖2係用來說明基板分斷方法之按壓步驟之示意圖。
圖3係用來說明基板分斷方法之吹氣步驟之示意圖。
圖4係顯示於吹氣步驟中端材被分離之情形之示意圖。
圖1係本發明之一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。此裝置係為了去除位於貼合基板G之一基板之表面之端部之端材GL的裝置。貼合基板G,如圖1所示,由第1基板G1、與貼合於第1基板G1背面之第2基板G2所構成。於此,第1基板G1之表面形成刻劃線S,並沿著該刻劃線S將端材GL去除。
分斷裝置,包含按壓裝置1、工作臺2、及吹氣裝置3。按壓裝置1,由未繪出於圖式中之支架(gantry)構件等以圖1之紙面垂直方向支持。按壓裝置1,藉由驅動構件M1得自由升降,並具有按壓部11。工作臺2,以第1基板G1於上方之方式配置,支持貼合基板G。又,貼合基板G,係以端材GL設置於離工作臺2之末端面更外側之位置,即以端材GL之下方不存在工作臺2之支持面之方式配置。工作臺2,藉由包含驅動馬達或導引構件等驅動構件M2,得於圖1之左右方向移動。
按壓裝置1之按壓部11,對於貼合基板G,由按壓面11a從第1基板G1側按壓端材GL。如此,端材GK將沿著刻劃線S被分斷。按壓部11係由較第1基板G1之剛性低之樹脂等形成。因此,按壓部11於按壓端材GL時,可彈性變形。
吹氣裝置3係藉由斜對著第1基板G1之本體部之主面產生氣流(例如:空氣中之氮氣等)FL,將由按壓部11之按壓分離之端材GL,從第1基板G1之本體部(端材GL以外之第1基板G1)剝離並移動。
吹氣裝置3,於第1基板G1之本體部之端部(靠近端材GL)之上方,具有以斜向本體部之端部附近之配置的噴嘴31。吹氣裝置3控制與噴嘴31連結之氣體供應裝置33,使從噴嘴31產生具有指定之流速及壓力之氣流FL。由此,吹氣裝置3可提供端材GL一個使其從第1基板G1移動之最佳氣流。
氣流FL之氣體流速或壓力,可基於例如:端材GL之大小或重量作合適調整。
且,噴嘴31之數量並非只限1個,例如,可沿著第1基板G1之寬度方向配置複數之噴嘴。另外,亦可使噴嘴31於第1基板G1之寬度方向移動。以此,對第1基板G1(端材GL)之寬度方向之全體供應氣流FL,得以邊控制端材GL之姿勢,邊將其從第1基板G1之本體部分離。
接著,說明從貼合基板G分斷第1基板G1之端材GL,並將端材GL從第1基板G1去除之方法。
首先,準備貼合著第1基板G1及第2基板G2之貼合基板G,利用未繪出於圖示中之刻劃線形成裝置,於第1基板G1之表面(非與第2基板貼合側之表面),形成刻劃線S。
接著,支持貼合基板G於工作臺2之支持面。於此,將貼合基板G支持於工作臺2上時,如以下方式支持。即,如圖1所示,以表面形成有刻劃線S之第1基板G1在上方之方式配置,且以刻劃線S及端部(為端材GL之部分)位置於工作臺2之支持面更外側之位置之方式,配置貼合基板G。又,端材GL,配置於按壓部11之正下方之位置。
然後,如圖2所示,使按壓部11下降,由按壓面11a將端 材GL向下按壓。此時,端材GL之下方因不存在工作臺2之支持面,藉由按壓部11按壓端材GL之部分,於第1基板之刻劃線S之正下方形成之裂紋往基板厚度方向延伸,使端材GL完全切斷。
之後,如圖3所示,使按壓部11上昇,並由氣體供應裝置33供應氣體至噴嘴31,產生氣流FL。因噴嘴31係以斜向(即,非垂直之角度)本體部之端部附近(或主面)之方式配置,故氣流FL,具有與第1基板G1之主面平行之成分。
由於上述之氣流FL之平行於第1基板G1之主面之成分之風壓,端材如圖4所示,從第1基板G1之本體部切離,而且,向遠離第1基板G1之方向移動。
如此,由於氣流FL,使端材GL不需以一些構件維持移動,而以非接觸之方式,使其從第1基板之本體部分離。於是,在端材GL分離中,因為第2基板G2之露出面不會被端材GL所按壓,所以端材GL不會使該露出面受損。
本發明並不限於如以上之實施形態,在不超越本發明之範圍之情形下,能做各種的變形或修正。
於上述之實施形態中,雖然以空氣或氮氣做為使端材GL移動之氣體,亦可視執行端材GL之分離之環境(空氣),使用其他氣體(例如:氬氣(Argon)等惰性氣體)。
1‧‧‧按壓裝置
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
2‧‧‧工作臺
3‧‧‧吹氣裝置
31‧‧‧噴嘴
33‧‧‧氣體供應裝置
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
S‧‧‧刻劃線
M1‧‧‧驅動構件
M2‧‧‧驅動構件

Claims (4)

  1. 一種基板分斷裝置,係具有表面形成 為了切離端部之刻劃線之第1基板、與貼合於上述第1基板背面之第2基板之貼合基板之分斷裝置,其具備:工作臺,支持上述貼合基板;按壓裝置,藉由從上述第1基板側按壓上述端部,使上述端部沿著上述刻劃線分斷;及吹氣裝置,藉由產生氣流,使上述端部從上述第1基板之本體部剝離並移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板分斷裝置,其中,上述吹氣裝置,具有配置於上述本體部中上述端部之上方,斜向上述本體部之上述端部附近之噴嘴。
  3. 一種基板分斷方法,係具有表面形成有為了切離端部之刻劃線之第1基板、與貼合於上述第1基板背面之第2基板之貼合基板之分斷方法,其具備:支持步驟,支持上述貼合基板於工作臺;分斷步驟,藉由從上述第1基板側按壓上述端部,使上述端部沿著上述刻劃線分斷;及吹氣步驟,藉由產生氣流,使上述端部從上述第1基板之本體部剝離並移動。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板分斷方法,其中,上述吹氣步驟,係於上述本體部中從離開上述端部之位置上方,向上述本體部之上述端部附 近斜向吹出氣流。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4849812A (zh) * 1971-10-19 1973-07-13
JPH063633A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JP4849812B2 (ja) 2004-03-26 2012-01-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子およびケイ素化合物
JP2015164895A (ja) * 2015-03-23 2015-09-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 分断装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007156310A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶パネルの製造方法
JP2008094691A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Seiko Epson Corp ガラスカレットの除去装置、ガラスカレットの除去方法および基板分断装置
KR100959104B1 (ko) * 2008-07-16 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 패널 절단 장치
JP5228852B2 (ja) * 2008-12-01 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 基板の分割方法および基板の分割装置
KR101355435B1 (ko) * 2012-05-04 2014-01-28 삼성코닝정밀소재 주식회사 유리기판 브레이킹 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4849812A (zh) * 1971-10-19 1973-07-13
JPH063633A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JP4849812B2 (ja) 2004-03-26 2012-01-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子およびケイ素化合物
JP2015164895A (ja) * 2015-03-23 2015-09-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 分断装置

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