TWI719076B - 玻璃基板及玻璃板捆包體 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種抑制了自間隔紙至玻璃基板表面之異物之轉印(附著)的玻璃基板。 本發明係包含矽酸鹽玻璃之玻璃基板，其特徵在於：該玻璃基板之表面之ζ電位減去藉由對該玻璃基板進行蝕刻處理而獲得之外部標準之玻璃基板之表面之ζ電位而得的值(Δζ電位)為-15 mV以上。

Description

玻璃基板及玻璃板捆包體

本發明係關於一種玻璃基板、及玻璃板捆包體。

用於液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)、電漿顯示器面板(PDP，Plasma Display Panel)等平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)中之平坦度較高之玻璃基板係將使複數片玻璃基板積層而成者以於捆包容器中倚靠之方式收納、或平積而收納，且進行保管或搬送。關於此種玻璃基板，有時會產生如下缺陷，即，於保管或搬送中，表面會產生瑕疵，表面被環境中之懸浮物質污染等。尤其是，由於FPD用之玻璃基板之表面形成有電氣配線、電極等電路或元件，故而即便表面僅有些許瑕疵或污染，其亦會成為電路之斷線或短路、圖案化不良等之原因，故而要求表面有較高之清潔性。 自先前以來，為了防止玻璃基板之保管或搬送中之瑕疵或由環境中之懸浮物質所導致之污染，採用於玻璃基板之間夾入被稱為玻璃間隔紙(以下，亦稱為間隔紙)之紙，而將相鄰之玻璃基板之表面間分離之方法。 然而，於使玻璃間隔紙介置於玻璃基板間之情形時，因間隔紙壓抵於玻璃基板，故存在於間隔紙之表面之如灰塵、紙屑、樹脂般之微細之異物會被轉印至玻璃基板。並且，以此方式被轉印至玻璃基板表面之微細之異物即便是藉由使用刷等之洗淨亦難以完全去除，尤其於使用表面存在較多異物之玻璃間隔紙之情形時，異物有時會成為如上所述之斷線或短路、圖案化不良之原因。 作為解決上述問題之方法，例如，於專利文獻1中揭示有如下玻璃板捆包體，其係使用將高級飽和脂肪酸之含有率設為0.08質量%以下之玻璃間隔紙，而將玻璃板捆包者。 又，於專利文獻2中揭示有一種具有矽之有機化合物之含量為3 ppm以下之玻璃間隔紙。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開第2011/118502號 [專利文獻2]國際公開第2014/098162號

[發明所欲解決之問題] 伴隨如今之LCD等之高精細化，存在即便為先前並不成為問題之程度的異物之附著亦成為問題之情況。 於專利文獻1、2中，藉由減少玻璃間隔紙中所含之異物之含量，而抑制了玻璃板之表面之污染之產生、形成於玻璃板之表面之配線之斷線等不良的發生。然而，存在如下情況，即，僅靠減少玻璃間隔紙中之異物之含量無法按如今所需求之程度充分地抑制異物轉印至玻璃板。 本發明係為了解決上述問題而成者，其目的在於提供一種玻璃基板，其於使積層之複數片玻璃基板之間介隔玻璃間隔紙而進行收納之情形時，抑制了自間隔紙至玻璃基板表面之異物之轉印及附著。 [解決問題之技術手段] 本發明之玻璃基板係包含矽酸鹽玻璃者，其特徵在於：該玻璃基板之表面之ζ電位減去藉由對該玻璃基板進行蝕刻處理而獲得之外部標準之玻璃基板之表面之ζ電位而得的值(Δζ電位)為-15 mV以上。 又，本發明之玻璃板捆包體之特徵在於具備：玻璃板積層體，其係使複數片本發明之玻璃基板之間介隔玻璃間隔紙積層而成；及捆包用托板，其載置上述玻璃板積層體。 [發明之效果] 關於本發明之玻璃基板，由於表面之ζ電位減去外部標準之玻璃基板之表面ζ電位而得的值即Δζ電位調整為特定之值以上，故而抑制了異物附著於表面。因此，根據本發明之玻璃基板，於使複數片玻璃基板之間介隔玻璃間隔紙而積層並收納之情形時，可獲得自間隔紙至玻璃基板表面之異物之轉印較少的玻璃基板及玻璃板捆包體。

以下，對本發明之實施形態進行說明。再者，本發明並不限定於以下之實施形態，只要符合本發明之主旨，則其他實施形態亦可屬於本發明之範疇。 [玻璃基板] 本發明之第1實施形態係包含矽酸鹽玻璃之玻璃基板。並且，其特徵在於：該玻璃基板之表面之ζ電位減去藉由對該玻璃基板進行蝕刻處理而獲得之外部標準之玻璃基板之表面之ζ電位而得的值(Δζ電位)為-15 mV以上。 第1實施形態之玻璃基板例如為LCD、PDP等FPD用之玻璃基板，但並不限定於其，亦可為建築用玻璃基板、車輛用玻璃基板等。 構成該玻璃基板之玻璃只要為矽酸鹽玻璃，則組成並無特別限定，例如，於FPD用之玻璃基板之情形時，較佳為具有包含SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ 及鹼土族金屬之氧化物之組成的鋁矽玻璃。又，就抑制所形成之元件之密接性及不良之觀點而言，鋁矽玻璃之中，更佳為實質上不含有鹼金屬成分之所謂無鹼玻璃。再者，實質上不含有鹼金屬成分係指除了完全不含有鹼金屬成分以外，容許含有製造中之不可避免之成分。具體而言，玻璃組成中之鹼金屬氧化物之含量較佳為0.1質量%以下。 為了獲得玻璃基板，首先，以成為所需之組成之方式調製構成玻璃之各成分之原料，並進行加熱熔融。然後，藉由通氣、攪拌、澄清劑之添加等而將玻璃均質化，並藉由公知之浮式法、壓製法、熔融法、下拉法等，而成形為特定之厚度之板狀。繼而，進行緩冷之後，視需要進行研削、研磨等加工，而製成特定之尺寸、形狀之玻璃基板。然後，對玻璃基板之表面進行研磨之後，將其洗淨。再者，如下所述，為了於洗淨步驟中控制Δζ電位，就可利用研磨後進行之洗淨之方面而言，玻璃基板較佳為研磨之必要性高之浮法玻璃基板。 於研磨步驟中，例如，使用研磨墊，藉由包含研磨粒之研磨劑(漿料)對玻璃基板之表面進行研磨。研磨劑中所含有之研磨粒之種類並無特別限定，可使用二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯及氧化錳等粒子。就研磨效率之方面而言，較佳為氧化鈰粒子。研磨粒之平均粒徑例如較佳為0.8～1.0 μm之範圍。如此，於對玻璃基板之表面進行研磨之後將其洗淨，藉由選擇洗淨方法，可控制玻璃基板之表面之ζ電位。關於研磨後之洗淨，如下所述。 ＜Δζ電位＞ 本發明之第1實施形態之玻璃基板具有-15 mV以上之Δζ電位。此處，Δζ電位係該玻璃基板之表面之ζ電位(以下，稱為表面ζ電位)減去外部標準之玻璃基板(以下，亦稱為外部標準試樣)之表面之ζ電位(以下，稱為基準ζ電位)而得的值。即，Δζ電位係利用以下之式而求出。 Δζ電位＝表面ζ電位－基準ζ電位 表面ζ電位及基準ζ電位可藉由電泳光散射法(亦稱為雷射都卜勒法)而進行測定。測定係例如使用大塚電子股份有限公司製造之ELSZ-2000(ζ電位測定範圍：-200～200 mV)而進行。於利用上述裝置對如玻璃基板般之絕緣性之板狀試樣進行測定之情形時，使用平板用電池單元、及移動速度已知之監測粒子(經表面處理之高分子乳膠)。平板電池單元成為可使板狀試樣密接於箱狀之石英電池之上表面而一體化之構造。再者，關於測定溶劑，使用濃度10 mM(0.01 mol/L)之NaCl溶液，其pH值為5.5～6.0。並且，根據因監測粒子與板狀試樣表面之相互作用而產生之粒子的移動速度之變化，求出板狀試樣表面之ζ電位。 作為外部標準試樣，使用如下試樣：對與測定表面ζ電位之玻璃基板於同一批次製造之玻璃基板實施利用氫氟酸與鹽酸之混酸進行蝕刻處理，且對表面進行蝕刻直至特定之深度，例如，0.4 μm之深度。具體而言，將如下所述者作為外部標準試樣，其係將玻璃板與混酸之水溶液(0.5體積%HF-0.7體積%HCl)一併放入容器中，將其置於100 kHz之超音波洗淨機5分鐘，並於常溫下進行蝕刻處理而成者。並且，對此種外部標準試樣之基準ζ電位之測定係與對實施形態之玻璃基板之表面ζ電位之測定於同一天連續地進行。 外部標準試樣係例如藉由將1片玻璃基板分割成2個部分，並對一個部分實施如上所述之利用氫氟酸與鹽酸之混酸所進行之蝕刻處理而製造出來。可將該外部標準試樣之ζ電位設為基準ζ電位，將另一玻璃基板之ζ電位設為表面ζ電位，而求出Δζ電位。 本發明者等人認為，玻璃基板之表面ζ電位、與將玻璃間隔紙壓抵於玻璃基板之表面之情形時來自間隔紙之轉印異物量之間，存在某種因果關係，故而悉心地反覆進行實驗。結果發現，Δζ電位與轉印異物量存在相關關係。存在Δζ電位間接地表示玻璃基板表面之Si-OH基量之可能性，且可預測，Δζ電位越高之玻璃基板，則表面之Si-OH基量越少。並且，本發明者等人認為，玻璃基板表面之Si-OH基會成為來自間隔紙之異物之吸附點，從而思及可藉由控制Δζ電位而抑制轉印異物量。 關於本發明之第1實施形態之玻璃基板，認為，由於Δζ電位成為-15 mV以上，故而減少了玻璃基板表面之Si-OH基量，將間隔紙壓抵於玻璃基板之情形時自間隔紙至玻璃基板之異物之轉印及附著較少。Δζ電位較佳為-13 mV以上。又，因製造較容易，故而，玻璃基板之Δζ電位較佳為0 mV以下。 玻璃基板之表面ζ電位可藉由研磨之後進行之洗淨方法而控制。並且，為了獲得如上所述之Δζ電位為-15 mV以上之玻璃基板，較佳為於研磨後之洗淨步驟中，使用鹼性之水系洗淨液進行洗淨。水系洗淨液係指包含水及洗淨劑之液狀組合物。鹼性之水系洗淨液係含有鹼之水系洗淨液。pH值較佳為10以上13以下，更佳為10以上12.5以下。 於鹼性之水系洗淨液中之洗淨劑為鹼性之情形時，洗淨劑可兼作鹼。於使用並非為鹼性之洗淨劑之情形時，鹼性之水系洗淨液除了該洗淨劑以外，還含有鹼。於此情形時，鹼可為洗淨劑，亦可並非為洗淨劑。作為鹼性之水系洗淨液中所含之鹼，可列舉：鹼金屬氫氧化物或鹼金屬碳酸鹽等鹼金屬化合物、胺類或氫氧化四級銨等，較佳為氫氧化鉀。 鹼性之水系洗淨液可含有螯合劑或界面活性劑作為洗淨劑。作為螯合劑，可列舉：乙二胺四乙酸系螯合劑、葡萄糖酸系螯合劑、氮基三乙酸系螯合劑、亞胺基丁二酸系螯合劑等。作為界面活性劑，較佳為非離子性界面活性劑。 就洗淨性之觀點而言，較佳為於洗淨液中包含螯合劑，但存在螯合劑促進來自玻璃表面之Al成分之萃取之可能性。Al之萃取使玻璃基板表面之Si-OH基增加。即，認為，若萃取出1個3價之Al，則實質上生成3個Si-OH基。由於玻璃基板表面之Si-OH基會成為來自間隔紙之異物附著之吸附點，故而就抑制來自間隔紙之異物之轉印(附著)之觀點而言，不含有螯合劑更好。 洗淨步驟可僅具有使用如上所述之鹼性之水系洗淨液進行洗淨之步驟(以下，稱為鹼洗淨步驟)，但較佳為於鹼洗淨步驟之前設置如下步驟之任一步驟：使用酸性之水系洗淨液進行洗淨之步驟(以下，稱為酸洗淨步驟)、使用pH值大於上述鹼性之水系洗淨液的強鹼性之水系洗淨液進行洗淨之步驟(以下，稱為強鹼洗淨步驟)、及使用氫氧化鉀水溶液進行洗淨之步驟(以下，稱為KOH洗淨步驟)。即，洗淨步驟具有使用至少包含鹼性之水系洗淨液之不同種類之水系洗淨液或氫氧化鉀水溶液之複數個洗淨步驟，且將最後之洗淨步驟設為鹼洗淨步驟係在控制Δζ電位方面較佳。 再者，於本說明書中，用於KOH洗淨步驟中之KOH水溶液不含有螯合劑或界面活性劑等洗淨劑。 酸洗淨步驟中所使用之酸性之水系洗淨液含有有機酸。為了確保玻璃基板表面之平坦性，酸性之水系洗淨液之pH值較佳為2.0～3.5之範圍。作為酸性之水系洗淨液中所含有之有機酸，例如，可列舉：如抗壞血酸、檸檬酸般之有機羧酸、或有機膦酸等，但並不限定於該等有機酸。此處，有機膦酸係指具有式：-P(＝O)(OH)₂ 所表示之膦酸基與碳原子鍵結而成之結構之有機化合物。每1分子有機膦酸之膦酸基之數量較佳為2以上，更佳為2～8，尤佳為2～4。 可與上述有機酸一併添加無機酸(例如：硫酸、磷酸、硝酸、氫氟酸、鹽酸等)，亦可單獨使用無機酸。又，於使用上述無機酸之情形時，為了抑制pH值之變動，亦可與無機酸一併添加該無機酸之鹽。進而，酸性之水系洗淨液可含有如上所述之螯合劑或界面活性劑。 強鹼洗淨步驟中所使用之強鹼性之水系洗淨液含有強鹼。作為強鹼性之水系洗淨液中所含有之強鹼，可列舉NaOH、KOH等。為了確保玻璃基板表面之平坦性，強鹼性之水系洗淨液之pH值在滿足pH值大於一併使用之鹼性之水系洗淨液之條件之基礎上，較佳為12.0～13.5之範圍。又，強鹼性之水系洗淨液與上述鹼性之水系洗淨液同樣地，可含有螯合劑或界面活性劑。 KOH洗淨步驟中所使用之KOH水溶液之pH值較佳為12.0～13.5之範圍。 利用上述水系洗淨液或KOH水溶液所進行之玻璃基板之洗淨較佳為以單片方式進行。只要為使水系洗淨液及KOH水溶液直接接觸玻璃基板之表面而將其洗淨之方法，則洗淨方法並無特別限定。可使用擦刮洗淨、噴淋洗淨(噴射洗淨)、浸漬(dip)洗淨等。水系洗淨液及KOH水溶液之溫度並無特別限定，可於室溫(15℃)～95℃下使用。於超過95℃之情形時，有水沸騰之虞，於洗淨操作方面欠佳。洗淨之後，可進行乾燥。作為乾燥方法，可列舉：吹送溫風之方法、或吹送壓縮之空氣之方法等。 於鹼洗淨步驟中，例如，如圖1所示，可採用如下方法：一面對藉由搬送輥1等機構而於洗淨裝置2內於水平方向被連續地搬送之玻璃基板3之上下兩表面吹送自洗淨噴嘴4噴射之洗淨液5，一面利用配置於兩表面側之旋轉刷6進行擦刮(擦洗)。 此處，作為洗淨用之旋轉刷6，使用複數個為PVA(Polyvinyl Alcohol，聚乙烯醇)等製之外徑70～100 mm之圓柱形狀者。並且，將該等刷子以旋轉軸相對於玻璃基板3之被洗淨面為垂直之方式，且以前端部與玻璃基板3之被洗淨面接觸，或成為未達2 mm之間隔之方式配置。旋轉刷6之旋轉速度較佳為設為100～500 rpm。 作為洗淨液5，使用如上所述之鹼性之水系洗淨液，洗淨液5之流量(噴射量)較佳為設為15～40升/分。又，擦刮時間較佳為設為1.5秒以上。 又，包含利用洗淨噴嘴4之洗淨液5之噴射部及旋轉刷6之洗淨部可僅設置1個，亦可設置複數個。於設置複數個洗淨部之情形時，就作業性之觀點而言，利用各洗淨部而噴射之洗淨液(鹼性之水系洗淨液)5較佳為相同組成且相同pH值者，但只要pH值為如上所述之範圍內，則亦可使用不同之pH值之洗淨液進行洗淨。 可於此種鹼洗淨步驟之前，設置酸洗淨步驟、強鹼洗淨步驟、及KOH洗淨步驟之任一步驟(以下，稱為前階段洗淨步驟)。於該情形時，於藉由圖1所示之洗淨裝置2進行鹼洗淨之前，藉由酸性之水系洗淨液、強鹼性之水系洗淨液及KOH水溶液之任一種將研磨後之玻璃基板洗淨(前階段洗淨步驟)。前階段洗淨步驟中之洗淨方法並無特別限定。例如，可採用於酸性或強鹼性之水系洗淨液或者KOH水溶液中浸漬特定之時間之方法。就作業性之觀點而言，較佳為，於圖1所示之洗淨裝置2之前，設置與該洗淨裝置同樣地構成之前階段洗淨裝置，而連續地進行洗淨。即，較佳為，於前階段洗淨裝置中，使酸性之水系洗淨液、強鹼性之水系洗淨液及KOH水溶液之任一種自洗淨噴嘴噴射而進行洗淨之後，連續地藉由用以進行鹼洗淨之洗淨裝置2進行洗淨。 藉由以此方式進行洗淨，可獲得具有-15 mV以上之Δζ電位之實施形態之玻璃基板。 ＜ΔAl/Si值＞ 如上所述，本發明之玻璃基板較佳為包含含有鋁之鋁矽玻璃之玻璃基板。並且，於本發明之玻璃基板為包含鋁矽玻璃之玻璃基板之情形時，ΔAl/Si值較佳為0.20以下。此處，ΔAl/Si值係藉由X射線光電子光譜法(以下，表示為XPS)而測定出之玻璃基板內部之Al/Si值減去同樣地藉由XPS而測定出之玻璃基板表面之Al/Si值而得的值(內部Al/Si值－表面Al/Si值)。ΔAl/Si值更佳為0.15以下，進而較佳為0.12以下。再者，Al/Si值中之Al及Si分別表示Al原子及Si原子之濃度(原子濃度)。 此處，測定玻璃基板內部之Al濃度及Si濃度之點之自表面之深度較佳為設為如下所示般決定之深度。 即，一面利用C₆₀ 離子濺鍍於玻璃基板形成凹穴(凹坑)，一面於各種深度之凹穴之底部測定Al濃度及Si濃度，而求出各原子濃度之深度方向之分佈。然後，求出各原子濃度之深度方向之分佈成為固定的深度，將以該深度測定出之Al濃度與Si濃度之比之值作為基板內部之Al/Si值，並求出該值減去玻璃基板表面之Al/Si值而得之值即ΔAl/Si值。 於具有-15 mV以上之Δζ電位之本發明之玻璃基板中，藉由使基板表面之Al/Si值相對於基板內部之Al/Si值之減少之程度即ΔAl/Si值為0.20以下，而獲得表面之Si-OH基量較少且來自間隔紙之異物不易轉印(附著)之玻璃基板。 於玻璃基板之研磨後之洗淨中，玻璃表面(表層)之Al成分之萃取量越多，則玻璃基板之表面之Si-OH基量變得越多。尤其是，由於Al之價數為3價，故而與作為一般之玻璃成分之1價之鹼金屬元素或2價之鹼土族金屬元素相比，更大程度上促進因萃取出1個原子而導致之Si-OH基之生成。因此，認為，表示玻璃基板表面之Al/Si值與並未萃取出如上所述之Al成分之基板內部之Al/Si值相比低至何種程度之ΔAl/Si值間接地表示玻璃基板表面之Si-OH基量。即，ΔAl/Si值越低，則意味著玻璃基板表面之Al成分之缺失越少，且表示玻璃基板表面之Si-OH基越少。因此，認為該Si-OH基量較少之玻璃基板中抑制了來自間隔紙之異物之轉印(附著)。 具體而言，於Δζ電位為-15 mV以上之玻璃基板中，於基板內部之Al/Si值減去表面之Al/Si值而得之值即ΔAl/Si值為0.20以下之情形時，由於玻璃基板表面之Si-OH基變得充分少，故而可獲得來自間隔紙之異物之轉印量較少之玻璃基板。 ＜來自間隔紙之異物轉印量＞ 自間隔紙轉印至玻璃基板之異物之量係藉由進行如下所示之恆溫恆濕試驗而進行測定並評價。恆溫恆濕試驗係模擬進行保管或搬送之狀況，於複數片玻璃基板之間介裝間隔紙而進行積層，而檢測自間隔紙轉印並附著於玻璃基板之異物(亦稱為微粒)之量。 於恆溫恆濕試驗中，將使複數片玻璃基板之間隔著間隔紙積層而成者於恆溫恆濕槽內施加特定之負載並保管特定之時間之後，藉由純水等對玻璃基板進行擦刮洗淨。然後，檢測出附著且殘留於洗淨後之玻璃基板之表面之異物。 關於附著於玻璃基板之表面之異物(微粒)之檢測，例如，使用FPD用異物檢測裝置HS730(東麗工程股份有限公司製造)。於該異物檢測裝置中，對玻璃基板之表面照射雷射(波長795 nm附近之帶狀雷射)，並利用感測器對來自表面之散射光進行檢測，藉此，檢測出附著於玻璃基板之表面之異物。然後，於運算部中，對由感測器輸出之圖像信號進行圖像處理，並收集被識別為異物之圖像，而運算出附著於玻璃基板之異物之量(每單位面積之個數及大小)。 其次，對作為本發明之第2實施形態之玻璃板捆包體進行說明。 [玻璃板捆包體] 作為本發明之第2實施形態之玻璃板捆包體係具備如下所述者之捆包體：玻璃板積層體，其係使複數片如上所述之第1實施形態之玻璃基板之間介隔間隔紙積層而成；及捆包用托板，其載置該玻璃板積層體。玻璃基板係以玻璃板捆包體之形態被保管或搬送。 圖2概略地表示玻璃板捆包體之一例。再者，圖2係自玻璃基板之側面方向對玻璃板捆包體進行觀察之圖(側視圖)。 圖2所示之玻璃板捆包體10係將玻璃板積層體13收容於捆包用托板14而成，該玻璃板積層體係使複數片玻璃基板11之間介隔間隔紙12積層而成。 間隔紙12係為了防止因玻璃基板11彼此之接觸而使玻璃基板11產生損傷而使用者，其具有大於玻璃基板11之尺寸，且以覆蓋玻璃基板11之整個面之方式配置於各玻璃基板11之間。間隔紙12之種類、物性等並無特別限定，可使用公知者。 捆包用托板14係公知之玻璃板捆包用者，其具有：基台15；傾斜台16，其立設於基台15之上表面之裏部；及載置台17，其載置於基台15之上表面之前部。玻璃板積層體13係以將玻璃基板11以載置於托板14之載置台17之上，且倚靠於傾斜台16之傾斜面之狀態積層之方式被收容。 再者，於玻璃板積層體13與傾斜台16之間亦可介置間隔紙12，又，玻璃板積層體13之最前面之玻璃基板11之表面亦可被間隔紙12覆蓋。 於以此方式構成之玻璃板捆包體10中，亦可視需要將蓋板抵接於最前面之玻璃基板11或間隔紙12，並且架設帶狀體而固定於傾斜台16，又，亦可以覆蓋玻璃板積層體13之整體之方式蓋上防護罩。 再者，如圖2所示，實施形態之玻璃板捆包體10並不限定於玻璃基板11以倚靠之狀態積層之構造者，捆包用托板亦可為將玻璃板積層體以平積狀態載置之構成。於為玻璃基板以成為水平之方式收容於捆包容器之構造之情形時，關於玻璃板積層體之下層之玻璃基板，較如圖2般之玻璃基板以倚靠之狀態載置之構成相比，間隔紙以更強之壓力被壓抵於玻璃基板。因此，藉由採用本發明之玻璃基板，來自間隔紙之異物之轉印量較少之效果更顯著地顯現，故而較佳。 [實施例] 以下，對本發明之實施例具體地進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。於以下之例中，只要並未特別提及，則「%」意指質量%。 (實施例1～4、比較例) 準備實質上不含有鹼金屬成分之包含鋁矽玻璃之浮法玻璃板作為玻璃基板。然後，使用研磨墊，利用包含粒徑0.8～1.0 μm之氧化鈰粒子之漿料狀之研磨劑(昭和電工(股)製造，商品名：SHOROX A10)，對該玻璃基板之於浮拋窯中成形時與熔融錫接觸之表面進行研磨。研磨之後，使用包含碳酸鈣粒子之漿料進行漿料洗淨。 繼而，如下所示般將研磨之後經漿料洗淨之玻璃基板洗淨。 於實施例1中，使用圖1所示之洗淨裝置，進行鹼洗淨。即，一面對玻璃基板吹送利用水將鹼性之洗淨劑原液(Parker Corporation公司製造，商品名：PK-LCG213)稀釋而成之鹼性之水系洗淨液(原液濃度2%，pH值12.31)，一面利用PVA製之旋轉刷進行擦刮洗淨。再者，鹼性之水系洗淨液之溫度係設為25℃，對玻璃基板吹送鹼性之水系洗淨液之時間為12～15秒鐘。又，吹送鹼性之水系洗淨液期間，利用旋轉刷擦刮之時間為3～5秒鐘。其後，利用純水進行洗淨，並使其乾燥。 於實施例2中，首先，將玻璃基板浸漬於利用水將酸性之洗淨劑原液(Parker Corporation公司製造，商品名：PK-LCG492A)稀釋而成之酸性之水系洗淨液(原液濃度0.5%，pH值3.16)中20秒鐘，而進行酸洗淨。繼而，對於經酸洗淨之玻璃基板，使用圖1所示之洗淨裝置，與實施例1同樣地進行鹼洗淨。 於實施例3中，首先，將玻璃基板浸漬於利用水將強鹼性之洗淨劑原液(Parker Corporation公司製造，商品名：PK-LCG22)稀釋而成之強鹼性之水系洗淨液(原液濃度15%，pH值13.25)中20秒鐘，而進行強鹼洗淨。繼而，對於經強鹼洗淨之玻璃基板，使用圖1所示之洗淨裝置，與實施例1同樣地進行鹼洗淨。 於實施例4中，將玻璃基板浸漬於濃度調整為3%之KOH水溶液(pH值13.00)中20秒鐘而進行洗淨之後，使用圖1所示之洗淨裝置，與實施例1同樣地進行鹼洗淨。 於比較例中，使用圖1所示之洗淨裝置進行酸洗淨。即，一面對玻璃基板吹送利用水將酸性之洗淨劑原液(Parker Corporation公司製造，商品名：PK-LCG492A)稀釋而成之酸性之水系洗淨液(原液濃度0.5%，pH值3.16)，一面利用PVA製之旋轉刷進行擦刮洗淨。再者，酸性之水系洗淨液之溫度係設為25℃，對玻璃基板吹送酸性之水系洗淨液之時間為12～15秒鐘，吹送酸性之水系洗淨液期間，利用旋轉刷擦刮之時間為3～5秒鐘。 其次，利用如下所示之方法對實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板之表面之ζ電位(表面ζ電位)、及作為外部標準試樣之經混酸處理之玻璃基板之表面之ζ電位(基準ζ電位)進行測定，而求出Δζ電位(表面ζ電位－基準ζ電位)。又，對於實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板，利用如下所示之方法進行來自間隔紙之異物之轉印試驗，而對轉印至玻璃基板表面之異物(微粒)數量進行測定。進而，利用如下所示之方法，對玻璃基板之表面Al/Si值及內部Al/Si值進行測定，而求出ΔAl/Si值(均為原子濃度比)。 ＜表面ζ電位之測定＞ 表面ζ電位之測定係使用ELSZ-2000(大塚電子股份有限公司製造，測定範圍：-200～200 mV)，並使用平板電池而實施。再者，溶劑係設為濃度10 mM(0.01 mol/L)之NaCl溶液。又，考慮到自平板電池取出之容易度，玻璃基板之尺寸係設為34 mm×14 mm。 ＜基準ζ電位之測定＞ 製作基準ζ電位測定用之玻璃基板。首先，將與測定表面ζ電位之玻璃基板為同一批次之玻璃基板切斷為數cm見方(例如，5 cm×5 cm)，並對其質量進行測定。然後，將進行質量測定後之玻璃基板與混酸之水溶液(0.5體積%HF-0.7體積%HCl)一併放入開閉自如之帶卡頭之聚乙烯袋中，將其置於100 kHz之超音波洗淨機5分鐘，並於常溫下對玻璃基板進行蝕刻。繼而，對蝕刻後之玻璃基板之質量進行測定，而求出因蝕刻而減少之玻璃基板之質量。然後，根據玻璃基板之質量減少量，確認玻璃基板之單面之蝕刻量約為0.4 μm(兩面約為0.8 μm)。 其次，將以此方式被蝕刻之玻璃基板切斷為利用ELSZ-2000所進行之ζ電位測定之指定尺寸(34 mm×14 mm)，並將其作為外部標準試樣。然後，對於該外部標準試樣，與上述表面ζ電位之測定同樣地進行ζ電位之測定，並將其作為基準ζ電位。再者，對外部標準試樣之基準ζ電位之測定係與表面ζ電位之測定於同一天連續地進行。 ＜來自間隔紙之異物之轉印試驗及轉印異物數量之測定＞ 準備12片將實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板切斷為特定之尺寸(370 mm×470 mm)而成者。然後，使該等玻璃基板之間隔著FPD用間隔紙(特種東海製紙股份有限公司製造，商品名：Kirari)，並於恆溫恆濕槽(溫度40℃，濕度60%)內，於20.6 g/cm² 之負荷下保持3小時。繼而，使用PVA製之旋轉刷對玻璃基板進行純水擦刮洗淨之後，對玻璃基板表面之異物(微粒)數量進行測定。異物數量之測定係使用FPD用異物檢測裝置(東麗工程股份有限公司製造，商品名：HS830e)而進行，並算出附著於玻璃基板之S、M、L各種尺寸之異物數量(每單位面積之個數)及合計數量。 再者，利用上述異物檢測裝置而檢測到之異物之尺寸分為S、M、L之3種類別，S尺寸對應於1.0 μm以上且未達3.0 μm，M尺寸對應於3.0 μm以上且未達5.0 μm，L尺寸對應於5.0 μm以上。又，雖可根據檢測感度而進行普通模式及高感度模式之2種類型之測定，但以更高感度之高感度模式進行了異物數量之測定。 ＜表面Al/Si值之測定＞ 藉由XPS對實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板之表面之Al濃度及Si濃度進行測定，而求出Al/Si值。關於XPS測定，使用日本電子公司製造之光電子光譜裝置JPS-9010MC。測定條件如下所示。 X射線源：Mg-Kα，加速電壓12 kV-發射電流25 mA 中和槍(FLG，Flood Gun)：加速電壓4.0 V-發射電流8.0 mA 檢測角(試樣表面與檢測器所成之角度)：15° 檢測區域：6 mmΦ 試樣尺寸：10 mm×10 mm 解析軟體：SpecSurf 峰值本底去除法：Shirley法 ＜內部Al/Si值之測定＞ 對於用於表面Al/Si值之測定中之實施例1之玻璃基板，藉由使用C₆₀ 離子濺鍍之XPS而對Al濃度及Si濃度之深度方向分佈進行測定。關於XPS測定裝置，使用ULVAC-PHI公司製造之PHI5500，關於解析軟體，使用MultiPak。又，關於峰值本底去除，應用Shirley法。測定條件係將通能設為117.4 eV，將能級設為0.5 eV/級，將監測峰值設為Si(2p)及Al(2p)，將檢測角設為75°。並且，將濺鍍間隔設為5分鐘，每進行5分鐘濺鍍，便對所形成之凹坑底部之Al濃度及Si濃度進行測定。此種測定實施至Al濃度及Si濃度於深度方向成為固定為止。 根據以此方式而獲得之實施例1之玻璃基板中之Al濃度及Si濃度之深度方向分佈之圖，判斷出於濺鍍時間為40分鐘時，Al濃度及Si濃度成為固定。 再者，由於對Si晶圓上之熱氧化膜(SiO₂ 膜)中之C₆₀ 離子濺鍍之濺鍍速度進行測定之結果為1.4 nm/min，故而對於玻璃基板，亦推測為類似之濺鍍速度。因此，認為，於相當於濺鍍時間40分鐘之深度即56 nm以上，玻璃基板內部之Al濃度及Si濃度成為固定，可知內部Al/Si值為0.40。 又，由於實施例1～4及比較例為同一組成之玻璃基板，故而實施例2～4及比較例之內部Al/Si值亦視為與實施例1相同。 對於實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板，將利用上述方法而測定出之表面ζ電位、基準ζ電位、Δζ電位、自間隔紙轉印之異物(微粒)數量、表面Al/Si值、內部Al/Si值、及ΔAl/Si值示於表1中。   [表1]

其次，基於表1之測定結果，分別檢查玻璃基板之Δζ電位與自間隔紙轉印之異物數量之合計的關係、及玻璃基板之ΔAl/Si值與自間隔紙轉印之異物數量之合計的關係。將玻璃基板之Δζ電位與來自間隔紙之轉印異物數量的關係示於圖3中，將ΔAl/Si值與來自間隔紙之轉印異物數量的關係示於圖4中。 由圖3可知，玻璃基板之Δζ電位與玻璃基板表面之轉印異物數量存在負之相關關係，玻璃基板之Δζ電位之值變得越大，則自間隔紙轉印至玻璃基板表面之異物數量變得越少。並且，可知，於玻璃基板之Δζ電位為-15 mV以上之情形時，可獲得玻璃基板表面之轉印異物數量充分少的玻璃基板。 又，由圖4可知，玻璃基板之ΔAl/Si值與玻璃基板表面之轉印異物數量存在正的相關關係，玻璃基板之ΔAl/Si值變得越小，則玻璃基板表面之轉印異物數量變得越少。並且，可知，於玻璃基板之ΔAl/Si值為0.2以下之情形時，可獲得轉印異物數量充分少的玻璃基板。 [產業上之可利用性] 根據本發明之玻璃基板，於使複數片玻璃基板之間介隔間隔紙而進行積層並收納之情形時，自間隔紙至玻璃基板表面之異物之轉印較少，且可抑制由異物污染所導致之斷線或短路、圖案化不良等缺陷。因此，本發明之玻璃基板可有效地應用於如LCD般之FPD用中所使用之玻璃基板。

1‧‧‧搬送輥2‧‧‧洗淨室3‧‧‧玻璃基板4‧‧‧洗淨噴嘴5‧‧‧洗淨液6‧‧‧旋轉刷10‧‧‧玻璃板捆包體11‧‧‧玻璃基板12‧‧‧間隔紙13‧‧‧玻璃板積層體14‧‧‧捆包用托板15‧‧‧基台16‧‧‧傾斜台17‧‧‧載置台

圖1係表示用以獲得作為本發明之第1實施形態之玻璃基板的洗淨方法之一例之圖。 圖2係概略地表示作為本發明之第2實施形態之玻璃板捆包體之一例之側視圖。 圖3係表示實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板之Δζ電位與轉印至玻璃基板表面之異物之合計數量之關係之圖。 圖4係表示實施例1～4及比較例中所獲得之玻璃基板之ΔAl/Si值與轉印至玻璃基板表面之異物之合計數量之關係之圖。

Claims (8)

1. 一種玻璃基板，其係包含實質上不含有鹼金屬成分之矽酸鹽玻璃者，上述玻璃基板之表面之ζ電位減去藉由對該玻璃基板進行蝕刻處理而獲得之外部標準之玻璃基板之表面之ζ電位而得的值(△ζ電位)為-13mV以上。
2. 如請求項1之玻璃基板，其中上述△ζ電位為0mV以下。
3. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板為浮法玻璃基板。
4. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述矽酸鹽玻璃包含鋁，且藉由X射線光電子光譜法而測定出之上述玻璃基板內部中之鋁與矽之原子濃度之比之值減去上述玻璃基板表面中之鋁與矽之原子濃度之比之值而得的值(△Al/Si值)為0.20以下。
5. 如請求項3之玻璃基板，其中上述△Al/Si值為0.15以下。
6. 一種玻璃板捆包體，其具備：玻璃板積層體，其係使複數片如請求項1至5中任一項之玻璃基板之間介隔玻璃間隔紙積層而成；及捆包用托板，其載置上述玻璃板積層體。
7. 如請求項6之玻璃板捆包體，其中上述捆包用托板係將上述玻璃板積層體以平積狀態載置之構成。
8. 如請求項6或7之玻璃板捆包體，其中上述玻璃基板為平板顯示器用之玻璃基板。

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