TWI717925B - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示面板。顯示面板包括一第一基板，包含相鄰的一顯示區與一周邊區；多個畫素單元，設置於所述第一基板，且位於所述顯示區；一控制電路，設置於所述第一基板，且位於所述周邊區，所述控制電路與所述畫素單元電性連接；一平坦層，設置於所述第一基板，從所述顯示區延伸至所述周邊區，且覆蓋所述畫素單元及所述控制電路；一接合墊，設置於所述第一基板，且位於所述平坦層上方。所述接合墊於所述第一基板的投影面積與所述控制電路於所述第一基板的投影面積有重叠區域。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種窄邊框設計的的顯示面板。
隨著科技的發展，顯示裝置被廣泛應用在許多電子產品上，如手機、平板電腦、手錶等。同時，為了滿足更多的需求，電子產品上大多都安裝了具有光學感應功能的元件，例如攝影頭。
近年來，為縮小非顯示區域的占比，顯示面板逐漸朝窄邊框設計方向發展。圖1為現有顯示面板的結構示意圖。如圖1所示，顯示面板10具有顯示區AA及周邊區BA，顯示區AA中形成有畫素結構及畫素電路，周邊區BA中形成有控制電路11、扇出布綫12以及接合墊13，且形成接合墊13的區域中，平坦層14進行了去除。為了更充分利用周邊區的面積，現有的做法為控制電路11以及扇出布綫12採用至少部分重叠的方式。現有的顯示面板中，由於平坦層14在形成接合墊13的區域中進行了去除，且控制電路11與扇出布綫12之間的重叠，容易導致控制電路11與扇出布綫12之間的短路、數據綫 受到噪聲干擾以及水氣由周邊區BA入侵顯示區AA，造成顯示面板的顯示錯誤甚至失效。
因此，如何能更好地減小非顯示區域的面積，避免控制電路與扇出綫路的短路以及數據綫受到干擾，實為需要解決的問題之一。
為解決上述問題，本發明提供一種顯示面板，可以更好地滿足窄邊框設計的需求，避免控制電路與扇出綫路的短路以及數據綫受到干擾，提升顯示效果及顯示面板的成品率。
本發明一實施例的顯示面板，包括一第一基板，包含相鄰的一顯示區與一周邊區；多個畫素單元，設置於所述第一基板，且位於所述顯示區；一控制電路，設置於所述第一基板，且位於所述周邊區，所述控制電路與所述畫素單元電性連接；一平坦層，設置於所述第一基板，從所述顯示區延伸至所述周邊區，且覆蓋所述畫素單元及所述控制電路；一接合墊，設置於所述第一基板，且位於所述平坦層上方；其中，所述接合墊於所述第一基板的投影面積與所述控制電路於所述第一基板的投影面積有重叠區域。
本發明另一實施例的顯示面板，包括一第一基板，包含相鄰的一顯示區與一周邊區；多個畫素單元，設置於所述第一基板，且位於所述顯示區；一布綫結構，設置於所述第一基板，且位於所述周邊區，所述布綫結構與所述畫素單元 電性連接；一平坦層，設置於所述第一基板，從所述顯示區延伸至所述周邊區，且覆蓋所述畫素單元及所述布綫結構；一接合墊，設置於所述第一基板，位於所述平坦層上方且與所述布綫結構電性連接；其中，所述接合墊於所述第一基板的投影面積與所述布綫結構於所述第一基板的投影面積有重叠區域。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。
10、100:顯示面板
AA:顯示區
BA:周邊區
11:控制電路
12:扇出布綫
13:接合墊
14:平坦層
101:第一基板
102:控制電路
103:平坦層
104:接合墊
105:薄膜電晶體
106:布綫結構
107:緩衝層
108:共享電極
109:畫素電極
1021:第一半導體層
1022:第一摻雜區
1023:第二摻雜區
10211:淺摻雜區
1024:閘極絕緣層
1025:第一金屬層
1026:第一絕緣層
1027:第二金屬層
1041:第三金屬層
1042:第二絕緣層
1043:接合墊開口
1044:第四金屬層
1051:第二半導體層
10511:淺摻雜區
1052:第三摻雜區
1053:第四摻雜區
1054:閘極金屬層
1055:源極/汲極金屬層
1061:第一布綫金屬層
1062:第二布綫金屬層
1063:第五金屬層
CH1:第一溝道區
CH2:第二溝道區
圖1為現有顯示面板的結構示意圖。
圖2為本發明一實施例顯示面板的結構示意圖。
圖3為本發明另一實施例顯示面板的結構示意圖。
下面結合附圖對本發明的結構原理和工作原理作具體的描述。
圖2是本發明一實施例顯示面板的結構示意圖。如圖2所示，顯示面板100包括第一基板101以及設置於第一基板101上的控制電路102、平坦層103以及接合墊104。其中，第一基板101具有相鄰設置的顯示區AA以及周邊區BA，顯示區AA中設置有呈矩陣排列的多個畫素單元(圖中未示出)。控制電路102設置於周邊區BA中且與顯示區AA中的畫素單元電性連接，以便驅動畫素單元進行顯示。平坦層103設置於顯 示區AA以及周邊區BA，且覆蓋顯示區AA中的畫素單元以及周邊區的控制電路102。接合墊104設置於平坦層103的上方，且接合墊104以及控制電路102在第一基板101上的投影面積有重叠區域。於本實施例中，顯示面板100還包括形成於第一基板101上的緩衝層107，本發明並不以此為限。
具體的，如圖2所示，控制電路102包括第一半導體層1021，第一半導體層設置於第一基板101上，且第一半導體層1021具有第一摻雜區1022、第二摻雜區1023以及第一溝道區CH1，第一溝道區CH1位於第一摻雜區1022與第二摻雜區1023之間。當然，於本實施例中，第一溝道區CH1與第一摻雜區1022以及第二摻雜區1023之間還分別形成有淺摻雜區10211，本發明並不以此為限。閘極絕緣層1024形成於第一半導體層1021上並覆蓋第一半導體層1021，第一金屬層1025設置於閘極絕緣層1024上，且第一金屬層1025的位置與第一溝道區CH1的位置相對應。第一絕緣層1026形成於第一金屬層1025上並覆蓋第一金屬層1025，在第一絕緣層1026上形成有第二金屬層1027，且第二金屬層1027通過在第一絕緣層1026中形成的通孔連接於第一摻雜區1022或第二摻雜區1023。
再如圖2所示，接合墊104形成在平坦層103上。接合墊104的具體結構為，在平坦層103上設置有第三金屬層1041，第二絕緣層1042形成於第三金屬層1041上並覆蓋第三金屬層1041，且在第二絕緣層1042中形成有接合墊開口1043。進一步，在接合墊開口1043中形成第四金屬層1044，且第四金屬層1044電性連接於第三金屬層1041。於本實施例 中，第二絕緣層1042為多層結構，當然，第二絕緣層142也可為單層或其他多層結構，本發明並不以此為限。
同時，如圖2所示，在顯示區AA中，畫素單元包括多個薄膜電晶體105，薄膜電晶體105包括形成於第一基板101上的第二半導體層1051，第二半導體層1051具有第三摻雜區1052、第四摻雜區1053以及第二溝道區CH2，第二溝道區CH2位於第三摻雜區1052與第四摻雜區1053之間。當然，第二溝道區CH2與第三摻雜區1052以及第四摻雜區1053之間還分別形成有淺摻雜區10511，本發明並不以此為限。閘極絕緣層1024形成於第二半導體層1051上並覆蓋第二半導體層1051。在閘極絕緣層1024上形成閘極金屬層1054，且閘極金屬層1054的位置與第二溝道區CH2的位置相對應。其中，於本實施例中，閘極金屬層1054可以採用與第一金屬層1025相同的膜層製成。第一絕緣層1026形成於閘極金屬層1054上並覆蓋閘極金屬層1054。在第一絕緣層1026上形成有源極/汲極金屬層1055，且源極/汲極金屬層1055通過在第一絕緣層1026中形成的通孔連接於第三摻雜區1052或第四摻雜區1053。其中，於本實施例中，源極/汲極金屬層1055可以採用與第二金屬層1027相同的膜層製成。平坦層103覆蓋源極/汲極金屬層1055以及第一絕緣層1026，再在平坦層103上形成有第二絕緣層1042。其中，在平坦層103與第二絕緣層1042之間形成有共享電極108，共享電極108電性連接於顯示區AA中的畫素單元以及周邊區BA中的控制電路102。在第二絕緣層1042上還設置有畫素電極109，畫素電極109通過在第二絕緣層1042以及 平坦層103中形成的通孔電性連接至源極/汲極金屬層1055。其中，共享電極108以及畫素電極109通常採用透明導電層(ITO1、ITO2)製成，透明導電層(ITO1、ITO2)可以是如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物等的透明導電層，本發明並不以此為限。另外，接合墊104中的第四金屬層1044採用與畫素電極109相同的膜層製成，同樣也可以是如上所述的透明導電層。
圖3是本發明另一實施例顯示面板的結構示意圖。如圖3所示，圖3所示實施例與圖2所示實施例的區別在於，在顯示面板100的周邊區BA中，並不僅僅形成有控制電路102，也可能會形成布綫結構106，布綫結構106與顯示區AA中的畫素單元電性連接，以傳送控制和數據信號。接合墊104形成在布綫結構106的上方，且接合墊104以及布綫結構106在第一基板101上的投影面積有重叠區域。
具體的，如圖3所示，布綫結構106包括設置於所述第一基板101上的閘極絕緣層1024，在閘極絕緣層1024上形成第一布綫金屬層1061，第一絕緣層1026形成於第一布綫金屬層1061上並覆蓋第一布綫金屬層1061，第二布綫金屬層1062形成於第一絕緣層1026上，並通過第一絕緣層1026中的通孔與第一布綫金屬層1061實現電性連接。另外，在平坦層103上還形成有第五金屬層1063，且第五金屬層1063分別電性連接於接合墊104中的第三金屬層1041以及布綫結構106中的第二布綫金屬層1062，即布綫結構106與接合墊104之間通過第五金屬層1063實現電性連接。其中，於本實施例中，第一 布綫金屬層1061可以採用與第一金屬層1025相同的膜層製成，第二布綫金屬層1062可以採用與第二金屬層1027相同的膜層製成，第五金屬層1063可以採用與共享電極108相同的膜層製成，且第五金屬層1063可以是如上所述的透明導電層。
上述兩個實施例分別具體介紹了在接合墊104相對於第一基板101垂直下方區域形成控制電路102或布綫結構106的情形，但通常在顯示面板100中，接合墊104下方也可能會同時形成控制電路和/或布綫結構106，在此不再進行贅述。另外，在顯示面板100中還會形成電路板，電路板與接合墊104之間實現電性連接，以便通過接合墊104與顯示面板100之間實現信號傳輸。
綜上，依照本發明的實施例，由於接合墊形成在控制電路和/或布綫結構的上方，即接合墊與控制電路和/或布綫結構之間形成重叠區域，充分利用周邊區域的垂直空間，接合墊與控制電路和/或布綫結構存在共用的水平空間，因而，進一步縮小了顯示面板周邊區的寬度，能够更好地適應窄邊框設計。同時，平坦層從顯示面板的顯示區延伸至周邊區中，可以有效防止水氣入侵顯示區；而且，控制電路和布綫結構之間不形成重叠區域，避免了兩者之間的短路和信號干擾。
當然，本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬於本發明所附的申請專利範圍的保護範圍。
100‧‧‧顯示面板
AA‧‧‧顯示區
BA‧‧‧周邊區
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧控制電路
103‧‧‧平坦層
104‧‧‧接合墊
105‧‧‧薄膜電晶體
107‧‧‧緩衝層
108‧‧‧共享電極
109‧‧‧畫素電極
1021‧‧‧第一半導體層
1022‧‧‧第一摻雜區
1023‧‧‧第二摻雜區
10211‧‧‧淺摻雜區
1024‧‧‧閘極絕緣層
1025‧‧‧第一金屬層
1026‧‧‧第一絕緣層
1027‧‧‧第二金屬層
1041‧‧‧第三金屬層
1042‧‧‧第二絕緣層
1043‧‧‧接合墊開口
1044‧‧‧第四金屬層
1051‧‧‧第二半導體層
10511‧‧‧淺摻雜區
1052‧‧‧第三摻雜區
1053‧‧‧第四摻雜區
1054‧‧‧閘極金屬層
1055‧‧‧源極/汲極金屬層
CH1‧‧‧第一溝道區
CH2‧‧‧第二溝道區

Claims (12)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包含相鄰的一顯示區與一周邊區；多個畫素單元，設置於所述第一基板，且位於所述顯示區；一控制電路，設置於所述第一基板，且位於所述周邊區，所述控制電路與所述畫素單元電性連接，其中所述控制電路包含：一第一半導體層，設置於所述第一基板，且所述第一半導體層具有一第一摻雜區、一第二摻雜區與一第一溝道區，所述第一溝道區位於所述第一摻雜區與所述第二摻雜區之間；一閘極絕緣層，覆蓋於所述第一半導體層；一第一金屬層，設置於所述閘極絕緣層，且位置對應於所述第一溝道區；一第一絕緣層，覆蓋於所述第一金屬層；以及一第二金屬層，設置於所述第一絕緣層，且連接於所述第一摻雜區或所述第二摻雜區；一平坦層，設置於所述第一基板，從所述顯示區延伸至所述周邊區，且覆蓋所述畫素單元及所述控制電路，其中所述平坦層覆蓋於所述第一金屬層、所述第二金屬層與所述第一絕緣層；一接合墊，設置於所述第一基板，且位於所述平坦層上方； 其中，所述接合墊於所述第一基板的投影面積與所述控制電路於所述第一基板的投影面積有重叠區域，其中所述接合墊包含：一第三金屬層，設置於所述平坦層上；一第二絕緣層，覆蓋於所述第三金屬層，且所述第二絕緣層中形成有一接合墊開口；以及一第四金屬層，設置於所述接合墊開口，且連接於所述第三金屬層。
  2. 根據請求項1所述的顯示面板，其中，所述畫素單元中包括多個薄膜電晶體，每一所述薄膜電晶體包含：一第二半導體層，設置於所述第一基板，且所述第二半導體層具有一第三摻雜區、一第四摻雜區與一第二溝道區，所述第二溝道區位於所述第三摻雜區與所述第四摻雜區之間，其中所述閘極絕緣層覆蓋於所述第二半導體層；一閘極金屬層，設置於所述閘極絕緣層，且位置對應於所述第二溝道區，且所述第一絕緣層覆蓋於所述閘極金屬層，其中所述閘極金屬層與所述第一金屬層的材料相同；一源極/汲極金屬層，設置於所述第一絕緣層，且連接於所述第三摻雜區或所述第四摻雜區，且所述平坦層分別覆蓋於所述源極/汲極金屬層與所述第一絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋於所述平坦層，其中所述源極/汲極金屬層與所述第二金屬層的材料相同；一共享電極，設置於所述平坦層上；以及 一畫素電極，設置於所述第二絕緣層上，且電性連於所述源極/汲極金屬層，其中所述畫素電極與所述第四金屬層的材料相同。
  3. 根據請求項2所述的顯示面板，其中，更包括一布綫結構，設置於所述周邊區，所述布綫結構包含：一第一布綫金屬層，設置於所述閘極絕緣層，其中所述第一布綫金屬層與所述第一金屬層的材料相同，且所述第一絕緣層覆蓋於部分所述第一布綫金屬層；以及一第二布綫金屬層，連接於所述第一布綫金屬層，其中所述第二布綫金屬層與所述第二金屬層的材料相同；其中，所述顯示面板更包括一第五金屬層，設置於所述平坦層上方，且分別電性連接於所述第二布綫金屬層與所述接合墊，其中所述第五金屬層與所述共享電極的材料相同。
  4. 根據請求項3所述的顯示面板，其中，所述第四金屬層、所述共享電極、所述畫素電極或所述第五金屬層可以是透明導電層。
  5. 根據請求項4所述的顯示面板，其中，所述透明導電層可以是金屬氧化物導電材料。
  6. 根據請求項5所述的顯示面板，其中，所述金屬氧化物導電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物。
  7. 根據請求項1所述的顯示面板，更包含一電路板，設置於所述接合墊，且所述電路板電性連接於所述接合墊。
  8. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包含相鄰的一顯示區與一周邊區；多個畫素單元，設置於所述第一基板，且位於所述顯示區；一布綫結構，設置於所述第一基板，且位於所述周邊區，所述布綫結構與所述畫素單元電性連接；一平坦層，設置於所述第一基板，從所述顯示區延伸至所述周邊區，且覆蓋所述畫素單元及所述布綫結構；一接合墊，設置於所述第一基板，位於所述平坦層上方且與所述布綫結構電性連接；其中，所述接合墊於所述第一基板的投影面積與所述布綫結構於所述第一基板的投影面積有重叠區域。
  9. 根據請求項8所述的顯示面板，其中，所述布綫結構包含：一閘極絕緣層，設置於所述第一基板；一第一布綫金屬層，設置於所述閘極絕緣層；一第一絕緣層，覆蓋於所述第一布綫金屬層；以及一第二布綫金屬層，設置於所述第一絕緣層，且連接於所述第一布綫金屬層。
  10. 根據請求項8所述的顯示面板，其中，所述接合墊包含：一第三金屬層，設置於所述平坦層上；一第二絕緣層，覆蓋於所述第三金屬層，且所述第二絕緣層中形成有一接合墊開口； 一第四金屬層，設置於所述接合墊開口，且連接於所述第三金屬層。
  11. 根據請求項10所述的顯示面板，還包括一第五金屬層，所述接合墊與所述布綫結構通過所述第五金屬層實現電性連接。
  12. 根據請求項8所述的顯示面板，更包含一電路板，設置於所述接合墊，且所述電路板電性連接於所述接合墊。
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