JP2023019610A - 基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を適切に処理できる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、処理工程と、置換工程と、除去工程とを備える。処理工程は、基板Ｗにリンス液を供給する。置換工程は、基板Ｗ上のリンス液を、第２処理液Ｊに置換する。除去工程は、第２処理液Ｊを基板Ｗから除去する。第２処理液Ｊは、有機溶剤と添加剤を含む。添加剤は、有機溶剤の脱水反応を抑制する。このため、基板処理方法は、基板Ｗを適切に処理できる。【選択図】図３

Description

この発明は、基板処理方法に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板を処理する基板処理方法を開示する。特許文献１の基板処理方法は、処理工程と置換工程と除去工程を備える。処理工程は、基板にリンス液を供給する。置換工程は、基板上のリンス液を有機溶剤に置換する。除去工程は、基板から有機溶剤を除去する。除去工程によって、基板は乾燥される。

特開２０１２－１５６５６１公報

従来の基板処理方法であっても、基板を適切に処理できない場合があった。例えば、基板がパターンを有する場合、従来の基板処理方法であっても、パターンが倒壊する場合があった。例えば、パターンが微細であるとき、従来の基板処理方法であっても、パターンの倒壊を十分に抑制できない場合があった。

このような事情に鑑みてなされたものであって、本発明は、基板を適切に処理できる基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理方法であって、基板に第１処理液を供給する処理工程と、基板上の前記第１処理液を、有機溶剤と添加剤を含む第２処理液に置換する置換工程と、前記第２処理液を基板から除去する除去工程と、を備え、前記添加剤は、前記有機溶剤の脱水反応を抑制する基板処理方法である。

基板処理方法は、処理工程と置換工程と除去工程を備える。処理工程は、基板に第１処理液を供給する。置換工程は、基板上の第１処理液を第２処理液に置換する。置換工程によって、第１処理液は、基板から除去される。除去工程は、第２処理液を基板から除去する。第２処理液が基板から除去されることによって、基板は乾燥される。

第２処理液は、有機溶剤と添加剤を含む。添加剤は、有機溶剤の脱水反応を抑制する。具体的には、添加剤は、第２処理液中における水の生成を抑制する。このため、第２処理液は、実質的に水を含まない。言い換えれば、第２処理液が含む水の量は、極めて少ない。よって、第２処理液の表面張力は、比較的に小さい。したがって、第２処理液は、基板に有意な力を及ぼさない。その結果、基板を好適に保護できる。

以上の通り、基板処理方法によれば、基板を好適に保護しつつ、基板を処理できる。よって、基板処理方法は、基板を適切に処理できる。

上述の基板処理方法において、前記添加剤は、前記第２処理液中のプロトンを減少させることが好ましい。プロトンの量が少ないほど、有機溶剤の脱水反応は起こりにくい。よって、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、前記添加剤は、プロトンを受け取る塩基を含むことが好ましい。塩基がプロトンを受け取ることによって、プロトンは減少する。添加剤は塩基を含む。このため、塩基は第２処理液中のプロトンを好適に減少させる。

上述の基板処理方法において、前記添加材は、炭酸水素イオンおよび炭酸イオンの少なくともいずれかを含むことが好ましい。炭酸水素イオンは塩基の例である。炭酸水素イオンはプロトンを好適に受け取る。よって、炭酸水素イオンは、第２処理液中のプロトンを好適に減少させる。同様に、炭酸イオンは塩基の例である。炭酸イオンはプロトンを好適に受け取る。よって、炭酸イオンは、第２処理液中のプロトンを好適に減少させる。

上述の基板処理方法において、前記添加剤は、弱酸から生成される陰イオンを含むことが好ましい。弱酸から生成される陰イオンは、プロトンを好適に受け取る。よって、弱酸から生成される陰イオンは、第２処理液中のプロトンを好適に減少させる。

上述の基板処理方法において、前記添加剤は、前記第２処理液中のプロトンの増加を抑制することが好ましい。これにより、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、前記添加剤は、前記第２処理液中の水素イオン濃度の変化を緩和する緩衝剤を含むことが好ましい。緩衝剤は、処理液中の水素イオン濃度の変化を緩和する。このため、緩衝剤は、第２処理液中のプロトンの量の変化を緩和する。添加剤は、緩衝剤を含む。よって、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、
前記添加剤は、
二酸化炭素、
４－トルエンスルホン酸、
ナトリウムメトキシド、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、
シュウ酸、
メトキシリチウム、
トリベンジルアミン、
フタル酸水素ナトリウム、
サリチル酸、
フェニール酢酸、
コハク酸水素リチウム、および
トリスマレイン酸塩
の少なくともいずれかを含むことが好ましい。
上に列挙した化合物はそれぞれ、第２処理液中の水素イオン濃度の変化を好適に緩和する。

上述の基板処理方法において、前記有機溶剤は、アルコールを含むことが好ましい。添加剤は、アルコールの脱水反応を、好適に抑制できる。

上述の基板処理方法において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含むことが好ましい。添加剤は、イソプロピルアルコールの脱水反応を、好適に抑制できる。

上述の基板処理方法において、前記置換工程は、前記第２処理液を基板に供給する第１供給工程を含むことが好ましい。置換工程は第１供給工程を含む。第１供給工程は、第２処理液を基板に供給する。このため、置換工程は、基板上の第１処理液を、第２処理液に好適に置換する。

上述の基板処理方法において、前記置換工程は、前記添加剤を基板に供給する第２供給工程を含むことが好ましい。置換工程は、第１供給工程に加えて、第２供給工程を含む。第２供給工程は、添加剤を基板に供給する。このため、基板上の第２処理液における添加剤の濃度は、適切な範囲内に制御される。よって、添加剤は、基板上の有機溶剤の脱水反応を一層好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、前記置換工程は、前記添加剤を基板に供給する第２供給工程と、前記有機溶剤を基板に供給する第３供給工程と、を含むことが好ましい。置換工程は、第２供給工程と第３供給工程を含む。第２供給工程は、添加剤を基板に供給する。第３供給工程は、有機溶剤を基板に供給する。このため、置換工程は、基板上で、添加剤と有機溶剤から第２処理液を生成する。よって、置換工程は、基板上の第１処理液を、第２処理液に好適に置換する。

上述の基板処理方法において前記置換工程では、基板は処理容器の内部に位置し、かつ、前記処理容器は密閉されることが好ましい。置換工程では、基板は処理容器の内部に位置する。置換工程では、処理容器は密閉される。このため、置換工程では、添加剤は第２処理液から過度に放出されない。よって、置換工程において、第２処理液における添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において前記置換工程では、基板が位置する処理空間は閉塞されることが好ましい。置換工程では、処理空間に位置する。置換工程では、処理空間は閉塞される。このため、置換工程では、添加剤は第２処理液から過度に放出されない。よって、置換工程において、第２処理液における添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、前記置換工程では、カバー部材が、基板の上面の近くに配置され、かつ、基板の上面を覆うことが好ましい。置換工程では、カバー部材は、基板の上面の近くに配置される。置換工程では、カバー部材は、基板の上面を覆う。このため、カバー部材は、基板上の第２処理液から放出される添加剤の量を、好適に抑制する。よって、置換工程において、基板上の第２処理液における添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、添加剤は、基板上の有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

上述の基板処理方法において、前記置換工程は、基板を加熱する第１加熱工程を含むことが好ましい。置換工程は、第１加熱工程を含む。このため、置換工程では、第２処理液は高温になる。ここで、有機溶剤の温度が高いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液は添加剤を含む。このため、置換工程が第１加熱工程を含む場合であっても、添加剤は有機溶剤の脱水反応を抑制する。むしろ、置換工程が第１加熱工程を含む場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

上述の基板処理方法において、前記除去工程は、前記添加剤を基板に供給する追加供給工程を含むことが好ましい。除去工程は、追加供給工程を含む。追加供給工程は、添加剤を基板に供給する。このため、除去工程において、第２処理液における添加剤の濃度は、適切な範囲に制御される。したがって、除去工程においても、添加剤は、依然として、基板上の有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。その結果、基板を一層好適に保護できる。

上述の基板処理方法において、前記除去工程は、基板を加熱する第２加熱工程を含むことが好ましい。除去工程は、第２加熱工程を含む。このため、除去工程では、第２処理液は高温になる。ここで、有機溶剤の温度が高いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液は添加剤を含む。このため、除去工程が第２加熱工程を含む場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、除去工程が第２加熱工程を含む場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

上述の基板処理方法において、基板は表面を有し、前記表面は、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含むことが好ましい。基板の表面は、上述した構造を有する。このため、基板の表面は負に帯電し易い。基板の表面が負に帯電する場合、基板の表面はプロトンを引き寄せる。第２処理液中のプロトンの量が多いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液は添加剤を含む。このため、基板の表面が上述した構造を有する場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、基板の表面が上述した構造を有する場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

上述の基板処理方法において、基板は、表面と、前記表面の少なくとも一部に形成されるパターンと、を有することが好ましい。パターンは基板の表面に形成される。このため、第２処理液中のプロトンは、基板の表面の近傍に集まりやすい。第２処理液中のプロトンの量が多いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液は添加剤を含む。このため、パターンが基板の表面に形成される場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、パターンが基板の表面に形成される場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

本発明の基板処理方法によれば、基板を適切に処理できる。

基板処理方法の基本的な手順を示すフローチャートである。 処理工程における基板を模式的に示す図である。 置換工程における基板を模式的に示す図である。 除去工程における基板を模式的に示す図である。 除去工程における基板を模式的に示す図である。 比較例の置換工程における基板を模式的に示す図である。 比較例の除去工程における基板を模式的に示す図である。 比較例の除去工程における基板を模式的に示す図である。 基板処理装置の内部を示す平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 第１実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第２実施形態の処理ユニットの構成を示す図である。 第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第４実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第４実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第５実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第５実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第６実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第６実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第７実施形態の処理ユニットおよび第２処理液生成ユニットの構成を示す図である。 第７実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。

＜１．基板処理方法の基本的な手順および基本的なメカニズム＞
基板処理方法の基本的な手順を説明する。さらに、基板処理方法の基本的なメカニズムを説明する。

図１は、基板処理方法の基本的な手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、基板を処理するための方法である。基板処理方法は、処理工程と置換工程と除去工程を備える。置換工程は、処理工程の後に実行される。除去工程は、置換工程の後に実行される。

ステップＳ１：処理工程
処理工程は、基板Ｗにリンス液を供給する。リンス液は本発明の第１処理液の例である。

図２は、処理工程における基板を模式的に示す図である。図２は、基板Ｗの一部を示す。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。

基板Ｗは、表面Ｗｓを有する。表面Ｗｓは、基板Ｗの外部に露出する。表面Ｗｓは、基板Ｗの露出部に相当する。

表面Ｗｓは、例えば、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含む。言い換えれば、基板Ｗの露出部は、例えば、ポリシリコン、酸化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。

基板Ｗは、例えば、パターンＰを有する。パターンＰは、凹凸形状を有する。パターンＰは表面Ｗｓに形成される。このため、表面Ｗｓは、比較的に大きな表面積を有する。

パターンＰは、例えば、凸部Ｗ１と凹部Ａを有する。凸部Ｗ１は、基板Ｗの一部である。凸部Ｗ１は、構造体である。凸部Ｗ１は、例えば、ポリシリコン、酸化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。凸部Ｗ１は、上方に***する。凹部Ａは、凸部Ｗ１の側方に隣接する。凹部Ａは、空間である。凹部Ａは、上方に開放されている。凸部Ｗ１は、凹部Ａを区画する壁に相当する。凹部Ａは、例えば、極めて狭い。

リンス液Ｇは、基板Ｗと接する。具体的には、リンス液Ｇは、表面Ｗｓと接する。

リンス液Ｇは、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。リンス液Ｇは、例えば、脱イオン水のみからなる。

リンス液Ｇはプロトンｑを含む。プロトンｑは水素イオン（Ｈ⁺）である。プロトンｑは正イオンである。

表面Ｗｓがリンス液Ｇと接するとき、表面Ｗｓは負に帯電することがある。言い換えれば、表面Ｗｓがリンス液Ｇと接するとき、表面Ｗｓは負の電位を有することがある。表面Ｗｓが、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含むとき、表面Ｗｓは容易に負に帯電する。リンス液Ｇが脱イオン水であるとき、表面Ｗｓは一層容易に負に帯電する。

表面Ｗｓが負に帯電するとき、表面Ｗｓはプロトンｑを引き寄せる。表面Ｗｓが負に帯電するとき、プロトンｑは表面Ｗｓの近傍に密集する。表面Ｗｓが負に帯電するとき、プロトンｑはパターンＰの近傍に密集する。パターンＰが微細になるにしたがって、表面Ｗｓの近傍に位置するプロトンｑの量は多くなる。凹部Ａが狭くなるにしたがって、表面Ｗｓの近傍に位置するプロトンｑの量は多くなる。

ステップＳ２：置換工程
置換工程は、基板Ｗ上のリンス液Ｇを第２処理液に置換する。置換工程によって、リンス液Ｇは、基板Ｗから除去される。

図３は、置換工程における基板Ｗを模式的に示す図である。第２処理液Ｊは基板Ｗと接する。具体的には、第２処理液Ｊは表面Ｗｓと接する。リンス液Ｇは、既に、基板Ｗからを除去された。このため、リンス液Ｇは、図３に表れない。

第２処理液Ｊは、有機溶剤と添加剤を含む。第２処理液Ｊは、例えば、有機溶剤と添加剤のみからなる。添加剤は、例えば、有機溶剤に溶ける。有機溶剤は、例えば、溶媒に相当する。添加剤は、例えば、溶質に相当する。有機溶剤は、液体である。添加剤は、液体、気体および固体のいずれでもよい。

有機溶剤を説明する。有機溶剤は、比較的に小さい表面張力を有する。例えば、有機溶剤の表面張力は、水の表面張力よりも小さい。

例えば、有機溶剤は、アルコールを含む。例えば、有機溶剤は、アルコールのみからなる。

例えば、有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む。例えば、有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のみからなる。

例えば、有機溶剤は、メチルアルコールおよびエチルアルコールの少なくとも１つを含む。

例えば、有機溶剤は、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、アセトンおよびｔｒａｎｓ－１，２－ジクロロエチレンの少なくとも１つを含む。

添加剤を説明する。添加剤は、有機溶剤の脱水反応を抑制する。脱水反応は、例えば、分子間脱水反応である。脱水反応は、例えば、分子内脱水反応である。仮に有機溶剤の脱水反応が起これば、第２処理液Ｊ中において水が生成される。添加剤は、第２処理液Ｊ中における水の生成を抑制する。

例えば、有機溶剤がアルコールを含むとき、添加剤はアルコールの脱水反応を抑制する。例えば、有機溶剤がイソプロピルアルコールを含むとき、添加剤はイソプロピルアルコールの脱水反応を抑制する。仮にイソプロピルアルコールの分子間脱水反応が起これば、ジイソプロピルエーテルと水が第２処理液Ｊ中において生成される。

例えば、添加剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑを減少させる。第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量が少ないほど、有機溶剤の脱水反応は起こりにくい。よって、添加剤が第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量を減少させるとき、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

図３では、第２処理液Ｊ中のプロトンｑは比較的に少ない。例えば、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量は、リンス液Ｇ中のプロトンｑの量よりも少ない。

例えば、添加剤は、プロトンｑを受けとる塩基を含む。塩基はプロトンｑを受け取る。塩基がプロトンｑを受けとることは、プロトンｑが減少することに相当する。添加剤が塩基を含むとき、添加剤は第２処理液Ｊ中のプロトンｑを好適に減少させる。

例えば、添加剤は、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）および炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）の少なくともいずれかを含む。炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）は、重炭酸イオンとも呼ばれる。炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）と炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）はそれぞれ、塩基の例である。このため、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）と炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）はそれぞれ、プロトンｑを容易に受け取る。具体的には、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）は、プロトンｑ（Ｈ⁺）と結合し、炭酸（Ｈ_２ＣＯ_３）に変化する。炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）は、プロトンｑ（Ｈ⁺）と結合し、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）に変化する。

例えば、添加剤は、弱酸から生成される陰イオンを含む。言い換えれば、添加剤は、弱酸の電離によって得られる陰イオンを含む。添加剤は、弱酸由来のアニオンを含む。弱酸から生成される陰イオンは、プロトンを好適に受け取る。よって、弱酸から生成される陰イオンを添加剤が含むとき、添加剤は第２処理液中のプロトンを好適に減少させる。

ここで、弱酸を定義する。弱酸は、例えば、－３以上の酸解離定数ｐＫａを有する酸である。弱酸は、例えば、２５℃の水中における酸解離定数ｐKａが－３以上である酸である。

例えば、添加剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの増加を抑制する。第２処理液Ｊ中のプロトンｑが増加しないとき、有機溶剤の脱水反応は促進されない。添加剤が第２処理液Ｊ中のプロトンｑの増加を抑制するとき、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

例えば、添加剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量の変化を緩和する。添加剤が第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量の変化を緩和するとき、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

例えば、添加剤は、緩衝剤を含む。緩衝剤は、第２処理液Ｊ中の水素イオン濃度の変化を緩和する。水素イオン濃度は、ｐＨとも呼ばれる。水素イオン濃度は、プロトンｑの濃度に相当する。このため、添加剤が緩衝剤を含むとき、添加剤は第２処理液Ｊにおけるプロトンｑの量の変化を好適に緩和する。

例えば、添加剤は、以下の化合物ａ１－ａ１２の少なくともいずれかを含む。
化合物ａ１：二酸化炭素
化合物ａ２：４－トルエンスルホン酸
化合物ａ３：ナトリウムメトキシド
化合物ａ４：トリフルオロ酢酸ナトリウム
化合物ａ５：シュウ酸
化合物ａ６：メトキシリチウム
化合物ａ７：トリベンジルアミン
化合物ａ８：フタル酸水素ナトリウム
化合物ａ９：サリチル酸
化合物ａ１０：フェニール酢酸
化合物ａ１１：コハク酸水素リチウム
化合物ａ１２：トリスマレイン酸塩

化合物ａ１－ａ１２はそれぞれ、緩衝剤の例である。このため、化合物ａ１－ａ１２はそれぞれ、第２処理液Ｊ中の水素イオン濃度の変化を好適に緩和する。

なお、第２処理液Ｊ中における二酸化炭素の振る舞いは、水中における二酸化炭素の振る舞いと同じ、または、類似である。二酸化炭素の一部は、水中において、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）に変化する。これと同様に、二酸化炭素の一部は、第２処理液Ｊ中において、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）に変化する。

以上の通り、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を抑制する。その結果、第２処理液Ｊは、水を実質的に含まない。言い換えれば、第２処理液Ｊに含まれる水は、極めて少ない。例えば、第２処理液Ｊに含まれる水の濃度は、５０００ｐｐｍ未満である。例えば、第２処理液Ｊに含まれる水の濃度は、２０００ｐｐｍ未満である。

ステップＳ３：除去工程
除去工程は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊを、基板Ｗから除去する。第２処理液Ｊが基板Ｗから除去されることによって、基板Ｗは乾燥される。

図４は、除去工程における基板Ｗを模式的に示す図である。図４は、プロトンｑの図示を省略する。

基板Ｗ上の第２処理液Ｊは、徐々に除去される。基板Ｗ上の第２処理液Ｊの量は、減少する。上述の通り、第２処理液Ｊは、実質的に水を含まない。このため、第２処理液Ｊの表面張力は、比較的に小さい。よって、第２処理液Ｊは基板Ｗに有意な力を及ぼさない。有意な力とは、例えば、基板Ｗに損傷を与えるほど大きな力である。損傷とは、例えば、パターンＰの倒壊である。第２処理液Ｊは基板Ｗに有意な力を及ぼさずに、第２処理液Ｊは基板Ｗから去る。このため、パターンＰは倒れない。凸部Ｗ１は倒れない。

図５は、除去工程における基板Ｗを模式的に示す図である。第２処理液Ｊの全部は、基板Ｗから去る。基板Ｗは乾燥される。

このように、本基板処理方法は、基板Ｗを適切に保護しつつ、基板Ｗを処理する。本基板処理方法は、基板Ｗの表面Ｗｓを適切に保護しつつ、基板Ｗを処理する。よって、本基板処理方法は、基板Ｗを適切に処理する。

参考として、比較例を例示する。比較例は、本基板処理方法と同じように、処理工程と置換工程と除去工程を備える。比較例の処理工程と除去工程は、本基板処理方法の処理工程と除去工程と実質的に同じである。比較例の置換工程は、本基板処理方法の置換工程と異なる。比較例の置換工程では、リンス液Ｇを置換液に置換する。置換液は、有機溶剤を含み、添加剤を含まない。

図６は、比較例の置換工程における基板Ｗを模式的に示す図である。置換液Ｋは基板Ｗと接する。置換液Ｋは、上述の通り、添加剤を含まない。その結果、置換液Ｋ中におけるプロトンｑの量は、比較的に多い。例えば、置換液Ｋ中のプロトンｑの量は、リンス液Ｇ中のプロトンｑの量と同程度である。置換液Ｋ中のプロトンｑの量が多いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。有機溶剤の脱水反応が起こると、水ｒが置換液Ｋ中において生成される。その結果、置換液Ｋは水ｒを含む。置換液Ｋに含まれる水ｒの濃度は、比較的に高い。置換液Ｋに含まれる水ｒの濃度は、第２処理液Ｊに含まれる水の濃度よりも、高い。このため、置換液Ｋは比較的に大きな表面張力を有する。置換液Ｋの表面張力は、第２処理液Ｊの表面張力よりも大きい。

図７は、比較例の除去工程における基板Ｗを模式的に示す図である。図７は、プロトンｑの図示を省略する。

基板Ｗ上の置換液Ｋは、徐々に除去される。上述の通り、置換液Ｋの表面張力は、比較的に大きい。よって、置換液Ｋは基板Ｗに有意な力を及ぼす。その結果、基板Ｗの表面Ｗｓは損傷する。例えば、パターンＰは倒れる。例えば、凸部Ｗ１は倒れる。

図８は、比較例の除去工程における基板Ｗを模式的に示す図である。置換液Ｋの全部は、基板Ｗから去る。基板Ｗは乾燥される。

このように、比較例は、基板Ｗを適切に保護できない。比較例は、基板Ｗの表面Ｗｓを適切に保護できない。よって、比較例は、基板Ｗを適切に処理できない。

以下では、上述した基板処理方法を実施するための複数の実施形態を説明する。

＜２．第１実施形態＞
＜２－１．基板処理装置の概要＞
図９は、基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。

基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック７を備える。処理ブロック７はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。処理ブロック７は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。

本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック７からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。

インデクサ部３は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部４を備える。各キャリア載置部４はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）、ＯＣ（Open Cassette）である。

インデクサ部３は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、キャリア載置部４の後方に配置される。搬送機構５は、基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５はハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、水平面内においてハンド５ａを回転させる。

処理ブロック７は、搬送スペース８と搬送機構９を備える。搬送機構９は搬送スペース８に設置される。搬送機構９は、基板Ｗを搬送する。搬送機構９と搬送機構５は、相互に、基板Ｗを受け渡し可能である。搬送機構９は、ハンド９ａとハンド駆動部９ｂを備える。ハンド９ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部９ｂは、ハンド９ａに連結される。ハンド駆動部９ｂは、ハンド９ａを移動させる。ハンド駆動部９ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド９ａを移動させる。ハンド駆動部９ｂは、例えば、水平面内においてハンド９ａを回転させる。

処理ブロック７は、複数の処理ユニット１１を備える。処理ユニット１１は、搬送スペース８の側方に配置される。処理ユニット１１は、搬送機構９の側方に配置される。各処理ユニット１１は、基板Ｗに処理を行う。

処理ユニット１１は、基板保持部１３を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。

搬送機構９は、各処理ユニット１１にアクセス可能である。搬送機構９は、基板保持部１３に基板Ｗを渡すことができる。搬送機構９は、基板保持部１３から基板Ｗを取ることができる。

図１０は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０を備える。制御部１０は、搬送機構５、９と処理ユニット１１を制御する。

制御部１０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０が有する情報は、例えば、搬送機構５、９を制御するための搬送情報である。制御部１０が有する情報は、例えば、処理ユニット１１を制御するための処理情報である。処理情報は、処理レシピとも呼ばれる。

基板処理装置１の動作例を簡単に説明する。

インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。具体的には、搬送機構５は、キャリアＣから処理ブロック７の搬送機構９に基板Ｗを渡す。

搬送機構９は、インデクサ部３から、処理ユニット１１に基板Ｗを分配する。具体的には、搬送機構９は、搬送機構５から、各処理ユニット１１の基板保持部１３に基板Ｗを搬送する。

処理ユニット１１は、基板保持部１３に保持された基板Ｗを処理する。処理ユニット１１は、例えば、基板Ｗに液処理を行う。

処理ユニット１１が基板Ｗを処理した後、搬送機構９は、処理ユニット１１からインデクサ部３に基板Ｗを戻す。具体的には、搬送機構９は、基板保持部１３から搬送機構５に基板Ｗを搬送する。

インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。具体的には、搬送機構５は、搬送機構９からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

＜２－２．処理ユニット１１の構成＞
図１１は、第１実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。

基板保持部１３は、１枚の基板Ｗを支持する。基板保持部１３は、基板Ｗを略水平姿勢で支持する。

基板Ｗは、上面Ｗｔと下面Ｗｂを有する。上面Ｗｔと下面Ｗｂはそれぞれ、基板Ｗの表面Ｗｓの一部である。上面Ｗｔは、例えば、上述したパターンＰを含む。下面Ｗｂは、例えば、基板保持部１３と接触する。

処理ユニット１１は、回転駆動部１４を備える。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、基板保持部１３と一体に回転する。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転軸線Ｂ回りに回転する。回転軸線Ｂは、例えば、基板Ｗの中心を通り、鉛直方向Ｚに延びる。

処理ユニット１１は、１つ以上（例えば３つ）の供給部１５ａ、１５ｂ、１５ｃを備える。各供給部１５ａ－１５ｃはそれぞれ、基板Ｗに処理液を供給する。具体的には、各供給部１５ａ－１５ｃはそれぞれ、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、処理液を供給する。各供給部１５ａ－１５ｃはそれぞれ、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上面Ｗｔに、処理液を供給する。

供給部１５ａが基板Ｗに供給する処理液は、薬液である。薬液は、例えば、エッチング液である。薬液は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。供給部１５ｂが基板Ｗに供給する処理液は、リンス液Ｇである。供給部１５ｃが基板Ｗに供給する処理液は、第２処理液Ｊである。

供給部１５ａは、ノズル１６ａを備える。同様に、供給部１５ｂ、１５ｃはそれぞれ、ノズル１６ｂ、１６ｃを備える。ノズル１６ａは、薬液を吐出する。ノズル１６ｂは、リンス液Ｇを吐出する。ノズル１６ｃは、第２処理液Ｊを吐出する。

供給部１５ａは、配管１７ａと弁１８ａを備える。配管１７ａは、ノズル１６ａに接続される。弁１８ａは、配管１７ａに設けられる。弁１８ａが開くとき、ノズル１６ａは薬液を吐出する。弁１８ｂが閉じるとき、ノズル１６ａは薬液を吐出しない。同様に、供給部１５ｂ、１５ｃはそれぞれ、配管１７ｂ、１７ｃと弁１８ｂ、１８ｃを備える。配管１７ｂ、１７ｃはそれぞれ、ノズル１６ｂ、１６ｃに接続される。弁１８ｂ、１８ｃはそれぞれ、配管１７ｂ、１７ｃに設けられる。弁１８ｂは、ノズル１６ｂによるリンス液Ｇの吐出を制御する。弁１８ｃは、ノズル１６ｃによる第２処理液Ｊの吐出を制御する。

供給部１５ａは、薬液供給源１９ａに連通接続される。薬液供給源１９ａは、例えば、配管１７ａに接続される。薬液供給源１９ａは、供給部１５ａに薬液を送る。

供給部１５ｂは、リンス液供給源１９ｂに連通接続される。リンス液供給源１９ｂは、例えば、配管１７ｂに接続される。リンス液供給源１９ｂは、供給部１５ｂにリンス液Ｇを送る。

薬液供給源１９ａは、基板処理装置１の要素であってもよい。例えば、薬液供給源１９ａは、基板処理装置１に含まれる薬液槽であってもよい。あるいは、薬液供給源１９ａは、基板処理装置１の要素でなくてもよい。例えば、薬液供給源１９ａは、基板処理装置１の外部に設置されるユーティリティ設備であってもよい。同様に、リンス液供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素であってもよいし、基板処理装置１の要素でなくてもよい。

基板処理装置１は、第２処理液生成ユニット２１を備える。第２処理液生成ユニット２１は、供給部１５ｃに連通接続される。第２処理液生成ユニット２１は、例えば、配管１７ｃに接続される。第２処理液生成ユニット２１は、供給部１５ｃに第２処理液Ｊを送る。

ここで、第２処理液生成ユニット２１は、複数の処理ユニット１１に設けられる供給部１５ｃに対して、第２処理液Ｊを供給してもよい。あるいは、第２処理液生成ユニット２１は、１つの処理ユニット１１に設けられる供給部１５ｃのみに、第２処理液Ｊを供給してもよい。薬液供給源１９ａおよびリンス液供給源１９ｂについても、同様である。

処理ユニット１１は、さらに、不図示のカップを備えてもよい。カップは、基板保持部１３の周囲に配置される。カップは、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した処理液を受け止める。

図１０を参照する。制御部１０は、回転駆動部１４を制御する。制御部１０は、供給部１５ａ－１５ｃを制御する。具体的には、制御部１０は、弁１８ａ－１８ｃを制御する。

＜２－３．第２処理液生成ユニット２１の構成＞
図１１を参照する。第２処理液生成ユニット２１は、第２処理液Ｊを生成する。

第２処理液生成ユニット２１は、槽２２を備える。槽２２は、供給部１５ｃに連通接続される。槽２２は、例えば配管１７ｃを介して、ノズル１６ｃに連通する。第２処理液生成ユニット２１は、槽２２において、第２処理液Ｊを生成する。

第２処理液生成ユニット２１は、供給部２３ａ、２３ｂを備える。供給部２３ａは、添加剤を槽２２に供給する。供給部２３ｂは、有機溶剤を槽２２に供給する。

供給部２３ａは、配管２４ａと弁２５ａを備える。配管２４ａは、槽２２に連通接続される。弁２５ａは、配管２４ａに設けられる。弁２５ａが開くとき、供給部２３ａは槽２２に添加剤を供給する。弁２５ａが閉じるとき、供給部２３ａは槽２２に添加剤を供給しない。同様に、供給部２３ｂは、配管２４ｂと弁２５ｂを備える。配管２４ｂは、槽２２に連通接続される。弁２５ｂは、配管２４ｂに設けられる。弁２５ｂは、槽２２に対する有機溶剤の供給を制御する。

供給部２３ａは、添加剤供給源２９ａに連通接続される。添加剤供給源２９ａは、例えば、配管２４ａに接続される。添加剤供給源２９ａは、供給部２３ａに添加剤を送る。供給部２３ｂは、有機溶剤供給源２９ｂに連通接続される。有機溶剤供給源２９ｂは、例えば、配管２４ｂに接続される。有機溶剤供給源２９ｂは、供給部２３ｂに有機溶剤を送る。添加剤供給源２９ａおよび有機溶剤供給源２９ｂは、基板処理装置１の要素であってもよいし、基板処理装置１の要素でなくてもよい。

図１０を参照する。制御部１０は、第２処理液生成ユニット２１を制御する。制御部１０は、第２処理液生成ユニット２１と、通信可能に電気的に接続される。

制御部１０は、供給部２３ａ、２３ｂを制御する。制御部１０は、弁２５ａ、２５ｂを制御する。具体的には、制御部１０は、第２処理液生成ユニット２１を制御するための第２処理液生成情報を有する。第２処理液生成情報は、制御部１０の記憶媒体に予め記憶されている。

＜２－４．第２処理液生成ユニット２１の動作例＞
便宜上、図１１を参照する。第２処理液生成ユニット２１は、制御部１０の制御にしたがって、第２処理液Ｊを生成する。具体的には、供給部２３ａは、有機溶剤を槽２２に供給する。供給部２３ｂは、添加剤を槽２２に供給する。有機溶剤と添加剤は、槽２２において、混合される。有機溶剤と添加剤は、槽２２において、第２処理液Ｊになる。さらに、第２処理液Ｊは、槽２２に貯留される。

ここで、制御部１０は、例えば、供給部２３ａ、２３ｂを制御することによって、第２処理液Ｊの生成量を調整してもよい。制御部１０は、例えば、供給部２３ａ、２３ｂを制御することによって、槽２２内の第２処理液Ｊの貯留量を調整してもよい。制御部１０は、例えば、供給部２３ａ、２３ｂを制御することによって、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度を調整してもよい。

＜２－５．処理ユニット１１の動作例＞
図１２は、第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、上述した第２処理液生成ユニット２１の動作と並行して、実行される。基板処理方法は、実質的に処理ユニット１１によって実行される。処理ユニット１１は、制御部１０の制御にしたがって、動作する。

基板処理方法は、薬液供給工程（ステップＳ１ａ）とリンス液供給工程（ステップＳ１ｂ）を備える。薬液供給工程とリンス液供給工程は、処理工程（ステップＳ１）の例である。

基板処理方法は、第１供給工程（ステップＳ２ａ）を備える。第１供給工程は、置換工程（ステップＳ２）の例である。

基板処理方法は、スピンドライ工程（ステップＳ３ａ）を備える。スピンドライ工程は、除去工程（ステップＳ３）の例である。

さらに、基板処理方法は、回転開始工程（ステップＳ１１）と回転停止工程（ステップＳ１２）を備える。基板処理方法を、具体的に説明する。

ステップＳ１１：回転開始工程
基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。基板Ｗは、略水平姿勢で保持される。基板Ｗは回転を開始する。具体的には、回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板Ｗは、基板保持部１３と一体に、回転軸線Ｂ回りに回転する。処理工程と置換工程と除去工程は、基板Ｗが回転した状態で、実行される。

ステップＳ１ａ：薬液供給工程
供給部１５ａは、基板Ｗに薬液を供給する。具体的には、弁１８ａは開く。ノズル１６ｂは薬液を吐出する。薬液は、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。例えば、薬液によって、基板Ｗをエッチングする。例えば、薬液によって、基板Ｗから自然酸化膜を除去する。

その後、供給部１５ａは、基板Ｗに対する薬液の供給を停止する。具体的には、弁１８ａは閉じる。ノズル１６ａは、薬液の吐出を停止する。

ステップＳ１ｂ：リンス液供給工程
供給部１５ｂは、基板Ｗにリンス液Ｇを供給する。具体的には、弁１８ｂは開く。ノズル１６ｂは、リンス液Ｇを吐出する。リンス液Ｇは、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。例えば、リンス液Ｇによって、基板Ｗを洗浄する。例えば、リンス液Ｇによって、基板Ｗから薬液を除去する。

その後、供給部１５ｂは、基板Ｗに対するリンス液Ｇの供給を停止する。具体的には、弁１８ｂは閉じる。ノズル１６ｂは、リンス液Ｇの吐出を停止する。

ステップＳ２ａ：第１供給工程
供給部１５ｃは、基板Ｗに第２処理液Ｊを供給する。具体的には、弁１８ｃは開く。ノズル１６ｃは、第２処理液Ｊを吐出する。第２処理液Ｊは、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。第２処理液Ｊの供給によって、基板Ｗ上のリンス液Ｇを第２処理液Ｊに置換する。すなわち、第２処理液Ｊによって、リンス液Ｇは基板Ｗから除去される。第２処理液Ｊの膜は、基板Ｗの上面Ｗｔ上に形成される。

その後、供給部１５ｃは、基板Ｗに対する第２処理液Ｊの供給を停止する。具体的には、弁１８ｃは閉じる。ノズル１６ｃは、第２処理液Ｊの吐出を停止する。

ステップＳ３ａ：スピンドライ工程
第２処理液Ｊを基板Ｗから除去する。具体的には、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに作用する遠心力によって、第２処理液Ｊを基板Ｗから振り切る。第２処理液Ｊは、基板Ｗから飛散する。これにより、第２処理液Ｊは、基板Ｗから除去される。基板Ｗは乾燥する。

例えば、スピンドライ工程における基板Ｗの回転速度は、処理工程における基板Ｗの回転速度よりも高い。例えば、スピンドライ工程における基板Ｗの回転速度は、置換工程における基板Ｗの回転速度よりも高い。

ステップＳ１２：回転停止工程
基板Ｗは回転を停止する。具体的には、回転駆動部１４は、基板保持部１３の回転を停止する。基板保持部１３および基板保持部１３に保持される基板Ｗは、静止する。

＜２－６．第１実施形態の効果＞
基板処理方法は、処理工程と置換工程と除去工程を備える。処理工程は、基板Ｗにリンス液Ｇを供給する。置換工程は、基板Ｗ上のリンス液Ｇを第２処理液Ｊに置換する。置換工程によって、リンス液Ｇは基板Ｗから除去される。除去工程は、第２処理液Ｊを基板Ｗから除去する。第２処理液Ｊが基板Ｗから除去されることによって、基板Ｗは乾燥される。

第２処理液Ｊは、有機溶剤と添加剤を含む。添加剤は、有機溶剤の脱水反応を抑制する。具体的には、第２処理液Ｊ中における水ｒの生成を、添加剤は抑制する。このため、第２処理液Ｊは、実質的に水ｒを含まない。第２処理液Ｊが含む水ｒの量は、極めて少ない。よって、第２処理液Ｊの表面張力は、比較的に小さい。したがって、第２処理液Ｊは、基板Ｗに有意な力を及ぼさない。その結果、基板Ｗを好適に保護できる。例えば、パターンＰの倒壊を好適に防止できる。例えば、凸部Ｗ１の倒壊を好適に防止できる。

以上の通り、基板処理方法によれば、基板Ｗを好適に保護しつつ、基板Ｗを処理できる。よって、基板処理方法は、基板Ｗを適切に処理できる。

例えば、添加剤は第２処理液Ｊ中のプロトンｑを減少させる。よって、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

添加剤は、塩基を含む。塩基は、プロトンｑを受け取る。塩基がプロトンｑを受け取るとき、プロトンｑは減少する。このため、塩基は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑを好適に減少させる。

例えば、添加材は、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）および炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）の少なくともいずれかを含む。炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）はプロトンｑを好適に受け取る。よって、炭酸水素イオン（ＨＣＯ_３ ^－）は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑを好適に減少させる。炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）はプロトンｑを好適に受け取る。よって、炭酸イオン（ＣＯ_３ ^２－）は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑを好適に減少させる。

添加剤は、弱酸から生成される陰イオンを含む。弱酸から生成される陰イオンは、プロトンを好適に受け取る。よって、弱酸から生成される陰イオンは、第２処理液Ｊ中のプロトンｑを好適に減少させる。

例えば、添加剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの増加を抑制する。よって、添加剤は有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

例えば、添加剤は、緩衝剤を含む。緩衝剤は、第２処理液Ｊ中の水素イオン濃度の変化を緩和する。このため、緩衝剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量の変化を好適に緩和する。例えば、緩衝剤は、第２処理液Ｊ中のプロトンｑの増加を好適に緩和する。よって、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

例えば、添加剤は、化合物ａ１－ａ１２の少なくともいずれかを含む。化合物ａ１－ａ１２はそれぞれ、第２処理液Ｊ中の水素イオン濃度の変化を好適に緩和する。

例えば、有機溶剤は、アルコールを含む。この場合、添加剤は、アルコールの脱水反応を、好適に抑制する。

例えば、有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含む。この場合、添加剤は、イソプロピルアルコールの脱水反応を、好適に抑制する。

置換工程は第１供給工程を含む。第１供給工程は、第２処理液Ｊを基板Ｗに供給する。このため、置換工程は、基板Ｗ上のリンス液Ｇを、第２処理液Ｊに好適に置換する。

基板Ｗは表面Ｗｓを有する。表面Ｗｓは、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含む。このため、表面Ｗｓは負に帯電し易い。表面Ｗｓが負に帯電する場合、表面Ｗｓはプロトンｑを引き寄せる。第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量が多いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液Ｊは添加剤を含む。このため、表面Ｗｓがポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含む場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。 むしろ、表面Ｗｓがポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含む場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

基板Ｗは、パターンＰを有する。パターンＰは表面Ｗｓに形成される。このため、第２処理液Ｊ中のプロトンｑは、表面Ｗｓの近傍に集まり易い。第２処理液Ｊ中のプロトンｑの量が多いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液Ｊは添加剤を含む。このため、パターンＰが表面Ｗｓに形成される場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、パターンＰが表面Ｗｓに形成される場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

パターンＰが微細になるほど、第２処理液Ｊ中のプロトンｑは、表面Ｗｓの近傍に一層集まり易い。しかし、パターンＰが微細である場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、パターンＰが微細である場合には、添加剤は一層顕著な機能を発揮する。

＜３．第２実施形態＞
図面を参照して、第２実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第１実施形態では、第２処理液Ｊは、第２処理液生成ユニット２１で生成された。第１実施形態の置換工程は、第２処理液Ｊを基板Ｗに供給した。これに対して、第２実施形態の置換工程は、有機溶剤を基板Ｗに供給し、かつ、添加剤を基板Ｗに供給する。第２実施形態では、第２処理液Ｊは、基板Ｗ上で生成される。

＜３－１．処理ユニット１１の構成＞
図１３は、第２実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。処理ユニット１１は、供給部１５ａ、１５ｂに加えて、供給部１５ｄ、１５ｅを備える。供給部１５ｄは、基板Ｗに添加剤を供給する。供給部１５ｅは、基板Ｗに有機溶剤を供給する。

供給部１５ｄは、ノズル１６ｄを備える。同様に、供給部１５ｅは、ノズル１６ｅを備える。ノズル１６ｄは、添加剤を吐出する。ノズル１６ｅは、有機溶剤を吐出する。

供給部１５ｄは、配管１７ｄと弁１８ｄを備える。配管１７ｄは、ノズル１６ｄに接続される。弁１８ｄは、配管１７ｄに設けられる。弁１８ｄは、ノズル１６ｄによる添加剤の吐出を制御する。同様に、供給部１５ｅは、配管１７ｅと弁１８ｅを備える。配管１７ｅは、ノズル１６ｅに接続される。弁１８ｅは、配管１７ｅに設けられる。弁１８ｅは、ノズル１６ｅによる有機溶剤の供給を制御する。

供給部１５ｄは、添加剤供給源２９ａに連通接続される。添加剤供給源２９ａは、例えば、配管１７ｄに接続される。添加剤供給源２９ａは、供給部１５ｄに添加剤を送る。供給部１５ｅは、有機溶剤供給源２９ｂに連通接続される。有機溶剤供給源２９ｂは、例えば、配管１７ｅに接続される。有機溶剤供給源２９ｂは、供給部１５ｅに有機溶剤を送る。

図示を省略するが、制御部１０は、供給部１５ｄ、１５ｅを制御する。制御部１０は、弁１８ｄ、１８ｅを制御する。

＜３－２．処理ユニット１１の動作例＞
図１４は、第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第２実施形態の基板処理方法は、第２供給工程（ステップＳ２ｂ）と第３供給工程（ステップＳ２ｃ）を備える。第２供給工程と第３供給工程は、置換工程（ステップＳ２）の例である。

第２実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。回転開始工程（ステップＳ１１）では、基板Ｗは回転を開始する。薬液供給工程（ステップＳ１ａ）では、基板Ｗに薬液を供給する。リンス液供給工程（ステップＳ１ｂ）では、基板Ｗにリンス液Ｇを供給する。

リンス液供給工程の後、第２供給工程と第３供給工程が実行される。

第２供給工程（ステップＳ２ｂ）では、供給部１５ｄは、基板Ｗに添加剤を供給する。具体的には、弁１８ｄは開く。ノズル１６ｄは、添加剤を吐出する。添加剤は、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。

その後、供給部１５ｄは、基板Ｗに対する添加剤の供給を停止する。具体的には、弁１８ｄは閉じる。ノズル１６ｄは、添加剤の吐出を停止する。

第３供給工程（ステップＳ２ｃ）では、供給部１５ｅは、基板Ｗに有機溶剤を供給する。具体的には、弁１８ｅは開く。ノズル１６ｅは、有機溶剤を吐出する。有機溶剤は、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。

その後、供給部１５ｅは、基板Ｗに対する有機溶剤の供給を停止する。具体的には、弁１８ｅは閉じる。ノズル１６ｅは、有機溶剤の吐出を停止する。

ここで、第３供給工程が実行される期間の少なくとも一部は、第２供給工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なってもよい。例えば、第２供給工程と第３供給工程は、同時に実行されてもよい。例えば、第２供給工程が開始する前に、第３供給工程は開始してもよい。例えば、第２供給工程が開始した後で、第２供給工程が終了する前に、第３供給工程は開始してもよい。

あるいは、第３供給工程が実行される期間は、第２供給工程が実行される期間と重ならなくてもよい。例えば、第３供給工程が終了した後に、第２供給工程は開始してもよい。例えば、第２供給工程が終了した後に、第３供給工程は開始してもよい。

第２供給工程と第３供給工程において、有機溶剤と添加剤は、基板Ｗ上で第２処理液Ｊになる。

第２供給工程と第３供給工程の少なくともいずれかにおいて、リンス液Ｇは除去される。リンス液Ｇは、有機溶剤および第２処理液Ｊの少なくともいずれかによって、除去される。例えば、基板Ｗ上のリンス液Ｇを有機溶剤に置換し、その後、基板Ｗ上で第２処理液Ｊを生成してもよい。例えば、基板Ｗ上で有機溶剤から第２処理液Ｊを生成しながら、基板Ｗ上のリンス液Ｇを有機溶剤および第２処理液Ｊの少なくともいずれかに置換してもよい。

第２供給工程と第３供給工程の後、スピンドライ工程が実行される。スピンドライ工程（ステップＳ３ａ）では、第２処理液Ｊは基板Ｗから除去される。回転停止工程（ステップＳ１２）では、基板Ｗは回転を停止する。

＜３－３．第２実施形態の効果＞
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。例えば、第２処理液Ｊは有機溶剤と添加剤を含むので、基板Ｗを好適に保護しつつ、基板Ｗを処理できる。さらに、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程は、第２供給工程と第３供給工程を含む。第２供給工程は、添加剤を基板Ｗに供給する。第３供給工程は、有機溶剤を基板Ｗに供給する。このため、置換工程は、基板Ｗ上で、添加剤と有機溶剤から第２処理液Ｊを生成する。よって、置換工程は、基板Ｗ上のリンス液Ｇを、第２処理液Ｊに好適に置換する。

上述の通り、置換工程は、基板Ｗ上で、添加剤と有機溶剤から第２処理液Ｊを生成する。このため、置換工程の実行前に、第２処理液Ｊを準備しなくてもよい。よって、基板処理方法の構成を簡素化できる。さらに、第２実施形態では、第２処理液生成ユニット２１を省略できる。よって、基板処理装置１の構成を簡素化できる。

上述の通り、置換工程は、基板Ｗ上で、添加剤と有機溶剤から第２処理液Ｊを生成する。このため、置換工程は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度を一層適切に制御する。例えば、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は過度に低くならない。

ところで、添加剤は、第２処理液Ｊから放出され易いことがある。言い換えれば、添加剤は、第２処理液Ｊから抜け易いことがある。例えば、添加剤が化合物ａ１（すなわち、二酸化炭素）を含む場合、添加剤は第２処理液Ｊから放出され易い。しかし、上述の通り、第２供給工程と第３供給工程は、基板Ｗ上で第２処理液Ｊを生成する。このため、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合であっても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は適切な範囲に保たれる。むしろ、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合には、第２供給工程と第３供給工程は、顕著な有益性を発揮する。

例えば、第３供給工程が実行される期間の少なくとも一部は、第２供給工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なる。この場合、置換工程に要する時間は好適に短縮される。

例えば、第３供給工程が開始し、その後、第２供給工程は開始する。この場合、基板Ｗ上のリンス液Ｇは有機溶剤によって除去され、その後、基板Ｗ上で第２処理液Ｊが生成される。これにより、第２処理液Ｊを効率良く生成できる。添加剤の使用量を低減できる。

例えば、第３供給工程が終了した後に、第２供給工程が開始される。これにより、第２処理液Ｊを一層効率良く生成できる。添加剤の使用量を一層低減できる。

＜４．第３実施形態＞
図面を参照して、第３実施形態を説明する。なお、第１、第２実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第３実施形態では、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに、添加剤を補充する。

＜４－１．処理ユニット１１の構成＞
図１５は、第３実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。処理ユニット１１は、供給部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを備える。供給部１５ａ－１５ｃの構成は、第１実施形態で説明された。供給部１５ｄの構成は、第２実施形態で説明された。

＜４－２．処理ユニット１１の動作例＞
図１６は、第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第３実施形態の基板処理方法は、第１供給工程（ステップＳ２ａ）に加えて、第２供給工程（ステップＳ２ｂ）を備える。第１供給工程と第２供給工程は、置換工程（ステップＳ２）の例である。

第３実施形態の基板処理方法は、スピンドライ工程（ステップＳ３ａ）に加えて、追加供給工程（ステップＳ３ｂ）を備える。スピンドライ工程と追加供給工程は、除去工程（ステップＳ３）の例である。

第３実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。回転開始工程（ステップＳ１１）では、基板Ｗは回転を開始する。薬液供給工程（ステップＳ２ａ）では、基板Ｗに薬液を供給する。リンス液供給工程（ステップＳ２ｂ）では、基板Ｗにリンス液Ｇを供給する。リンス液供給工程の後、第１供給工程と第２供給工程が実行される。第１供給工程（ステップＳ３ａ）では、基板Ｗに第２処理液Ｊを供給する。第２供給工程（ステップＳ３ｂ）では、基板Ｗに添加剤を供給する。第２供給工程では、添加剤は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに加えられる。

ここで、第２供給工程が実行される期間の少なくとも一部は、第１供給工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なってもよい。例えば、第１供給工程と第２供給工程は、同時に実行されてもよい。例えば、第１供給工程が開始された後で、第１供給工程が終了する前に、第２供給工程は開始してもよい。

あるいは、第２供給工程が実行される期間は、第１供給工程が実行される期間と重ならなくてもよい。例えば、第１供給工程が終了した後に、第２供給工程は開始してもよい。

第１供給工程と第２供給工程の後、スピンドライ工程と追加供給工程が実行される。スピンドライ工程（ステップＳ３ａ）では、第２処理液Ｊは基板Ｗから除去される。

追加供給工程（ステップＳ３ｂ）では、供給部１５ｄは、基板Ｗに添加剤を供給する。具体的には、弁１８ｄは開く。ノズル１６ｄは、添加剤を吐出する。添加剤は、基板Ｗの上面Ｗｔに供給される。

その後、供給部１５ｄは、基板Ｗに対する添加剤の供給を停止する。具体的には、弁１８ｄは閉じる。ノズル１６ｄは、添加剤の吐出を停止する。

ここで、追加供給工程が実行される期間の少なくとも一部は、スピンドライ工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なってもよい。例えば、スピンドライ工程と追加供給工程は、同時に実行されてもよい。例えば、スピンドライ工程が開始された後で、スピンドライ工程が終了する前に、第２供給工程は開始してもよい。

あるいは、追加供給工程が実行される期間は、スピンドライ工程が実行される期間と重ならなくてもよい。例えば、追加供給工程が終了した後に、スピンドライ工程は開始してもよい。

スピンドライ工程が終了する前に、追加供給工程は終了することが好ましい。基板Ｗ上の第２処理液Ｊの全部が基板Ｗから除去される前に、追加供給工程は終了することが好ましい。

第２供給工程と追加供給工程は、時間的に連続してもよい。すなわち、置換工程が終了する前から除去工程が開始した後まで、供給部１５ｄによって添加剤を基板Ｗに供給し続けてもよい。

スピンドライ工程と追加供給工程の後、回転停止工程が実行される。回転停止工程（ステップＳ１２）では、基板Ｗは回転を停止する。

＜４－３．第３実施形態の効果＞
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第３実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程は、第１供給工程に加えて、第２供給工程を含む。第２供給工程は、添加剤を基板に供給する。第２供給工程は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに添加剤を補充する。このため、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲内に制御される。例えば、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は著しく低下しない。よって、添加剤は、基板Ｗ上の有機溶剤の脱水反応を一層好適に抑制する。

例えば、第１供給工程が終了した後に、第２供給工程は開始する。この場合、第２供給工程は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに添加剤を効果的に補充できる。

例えば、第１供給工程が開始された後で、第１供給工程が終了する前に、第２供給工程は開始する。この場合、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度の変化は好適に抑制される。

上述の通り、置換工程は、第２供給工程を含む。このため、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合であっても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は適切に制御される。むしろ、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合には、第２供給工程は一層顕著な有益性を発揮する。

除去工程は、追加供給工程を含む。追加供給工程は、添加剤を基板Ｗに供給する。追加供給工程は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊに添加剤を補充する。このため、除去工程においても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲内に制御される。例えば、除去工程においても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は著しく低下しない。したがって、除去工程においても、添加剤は、基板Ｗ上の有機溶剤の脱水反応を好適に抑制し続ける。その結果、基板Ｗを一層好適に保護できる。

上述の通り、除去工程は、追加供給工程を含む。このため、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合であっても、除去工程においては、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は適切に制御される。むしろ、添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合には、追加供給工程は一層顕著な有益性を発揮する。

＜５．第４実施形態＞
図面を参照して、第４実施形態を説明する。なお、第１－第３実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第４実施形態では、密閉された空間内で基板Ｗを処理する。

＜５－１．処理ユニット１１の構成＞
図１７は、第４実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。処理ユニット１１は、筐体３１を備える。筐体３１は、略箱形状を有する。筐体３１は、搬送スペース８に接する。

筐体３１は、基板保持部１３を収容する。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、基板Ｗは筐体３１に収容される。筐体３１は、ノズル１６ａ－１６ｃを収容する。

具体的には、筐体３１は、空間３１ａを区画する。空間３１ａは、筐体３１の内部に位置する。基板保持部１３は、空間３１ａに設置される。ノズル１６ａ－１６ｃも、空間３１ａに設置される。

筐体３１は、基板搬送口３１ｂを有する。基板搬送口３１ｂは、例えば、筐体３１の側壁に配置される。基板搬送口３１ｂは、空間３１ａと搬送スペース８を連通させる。基板Ｗは、基板搬送口３１ｂを通過可能である。

処理ユニット１１は、シャッタ３２を備える。シャッタ３２は、基板搬送口３１ｂを開閉する。具体的には、処理ユニット１１は、不図示のシャッタ移動機構を備える。シャッタ移動機構は、シャッタ３２を移動させる。シャッタ移動機構によって、シャッタ３２は、第１位置と第２位置に移動する。図１７は、第１位置に位置するシャッタ３２を実線で示す。シャッタ３２が第１位置に位置するとき、シャッタ３２は基板搬送口３１ｂを閉じる。図１７は、第２位置に位置するシャッタ３２を破線で示す。シャッタ３２が第２位置に位置するとき、シャッタ３２は基板搬送口３１ｂを開く。シャッタ３２が第２位置に位置するとき、空間３１ａは基板搬送口３１ｂを通じて搬送スペース８に開放される。シャッタ３２が第２位置に位置するとき、筐体３１は開放される。

処理ユニット１１は、シール部材３３を備える。シール部材３３は、筐体３１とシャッタ３２を密着させる。例えば、シール部材３３は、筐体３１およびシャッタ３２の少なくともいずれかに取り付けられる。シール部材３３は、例えば、Ｏリングである。シャッタ３２が第１位置に位置するとき、シャッタ３２は、シール部材３３を介して、筐体３１と密着する。その結果、シャッタ３２が第１位置に位置するとき、筐体３１は密閉される。シャッタ３２が第１位置に位置するとき、空間３１ａは閉塞される。シャッタ３２が第１位置に位置するとき、空間３１ａは搬送スペース８から遮断される。

図示を省略するが、制御部１０は、シャッタ移動機構を制御する。

筐体３１は、本発明における処理容器の例である。空間３１ａは、本発明における処理空間の例である。

＜５－２．処理ユニット１１の動作例＞
図１８は、第４実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第４実施形態の基板処理方法は、さらに、密閉工程（ステップＳ２１）と、開放工程（ステップＳ２２）を備える。

第４実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。搬送機構９が基板Ｗを基板保持部１３に載置した後、密閉工程が実行される。密閉工程（ステップＳ２１）では、筐体３１は密閉される。具体的には、シャッタ３２は、第２位置から第１位置に移動する。これにより、空間３１ａは閉塞される。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、筐体３１に収容される。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、空間３１ａに位置する。

密閉工程の後、処理工程（ステップＳ１ａ、Ｓ１ｂ）、置換工程（ステップＳ２ａ）および除去工程（ステップＳ３ａ）が実行される。基板Ｗが筐体３１に収容され、かつ、筐体３１が密閉された状態で、処理工程、置換工程および除去工程は実行される。言い換えれば、基板Ｗが位置する空間３１ａが閉塞された状態で、処理工程、置換工程および除去工程は実行される。

除去工程の後、開放工程が実行される。開放工程（ステップＳ２２）では、筐体３１は開放される。具体的には、シャッタ３２は、第１位置から第２位置に移動する。これにより、空間３１ａは開放される。搬送機構９が基板保持部１３上の基板Ｗを取ることを、筐体３１は許容する。

＜５－３．第４実施形態の効果＞
第４実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第４実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程では、基板Ｗは筐体３１の内部に位置し、かつ、筐体３１は密閉される。置換工程では、基板Ｗが位置する空間３１ａは密閉される。このため、置換工程では、添加剤は基板Ｗ上の第２処理液Ｊから過度に放出されない。よって、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。例えば、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は著しく低下しない。仮に添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合であっても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は適切に保たれる。したがって、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

同様に、除去工程では、基板Ｗは筐体３１の内部に位置し、かつ、筐体３１は密閉される。除去工程では、基板Ｗが位置する空間３１ａは密閉される。このため、除去工程においても、添加剤は基板Ｗ上の第２処理液Ｊから過度に放出されない。よって、除去工程においても、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、除去工程においても、添加剤は、依然として、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。その結果、基板Ｗを一層好適に保護できる。

＜６．第５実施形態＞
図面を参照して、第５実施形態を説明する。なお、第１－第４実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第５実施形態の置換工程では、筐体３１とは異なる部材によって、基板Ｗを処理するための空間が密閉される。

＜６－１．処理ユニット１１の構成＞
図１９は、第５実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。図１９は、シャッタ３２の図示を省略する。処理ユニット１１は、内部容器４１を備える。内部容器４１は、筐体３１の内部に設置される。内部容器４１は、基板保持部１３を収容する。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、基板Ｗは内部容器４１に収容される。

具体的には、内部容器４１は、空間４１ａを区画する。空間４１ａは、内部容器４１の内部に位置する。内部容器４１の空間４１ａは、筐体３１の空間３１ａよりも小さい。基板保持部１３は、空間４１ａに設置される。

内部容器４１は、第１部材４２を有する。第１部材４２は、基板保持部１３の周囲に配置される。第１部材４２は、例えば、略円筒形状を有する。第１部材４２は、例えば、上方に開放される。第１部材４２は、例えば、内部容器４１の本体に相当する。例えば、第１部材４２は、カップであってもよい。例えば、第１部材４２は、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した処理液を受け止めてもよい。あるいは、第１部材４２は、カップとは別の部材であってもよい。

内部容器４１は、第２部材４３を有する。第２部材４３は、第１部材４２の上方に配置される。第２部材４３は、基板保持部１３の上方に配置される。第２部材は、内部容器４１の蓋に相当する。

内部容器４１は、シール部材４４を備える。シール部材４４は、第１部材４２と第２部材４３を密着させる。例えば、シール部材４４は、第１部材４２と第２部材４３の少なくともいずれかに取り付けられる。シール部材４４は、例えば、Ｏリングである。

処理ユニット１１は、内部容器移動機構４５を備える。内部容器移動機構４５は内部容器４１を開閉させる。具体的には、内部容器移動機構４５は、第１部材４２に対して第２部材４３を移動させる。

内部容器移動機構４５によって、第２部材４３は、第１位置と第２位置に移動する。図１９は、第１位置に位置する第２部材４３を実線で示す。第２部材４３が第１位置に位置するとき、第２部材４３は、シール部材４４を介して、第１部材４２と密着する。このため、第２部材４３が第１位置に位置するとき、内部容器４１は密閉される。第２部材４３が第１位置に位置するとき、空間４１ａは閉塞される。図１９は、第２位置に位置する第２部材４３を破線で示す。第２位置は、例えば、第１位置の上方の位置である。第２部材４３が第２位置に位置するとき、内部容器４１は開放される。第２部材４３が第２位置に位置するとき、空間４１ａは開放される。

ノズル１６ｃは、第２部材４３に取り付けられている。ノズル１６ｃは、第２部材４３と一体に移動する。第２部材４３が第１位置に位置するとき、ノズル１６ｃは処理位置に位置する。図１９は、処理位置に位置するノズル１６ｃを実線で示す。ノズル１６ｃの処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方の位置である。

処理ユニット１１は、ノズル移動機構４７ａを備える。ノズル移動機構４７ａは、ノズル１６ａを移動させる。ノズル移動機構４７ａによって、ノズル１６ａは待機位置と処理位置に移動する。図１９は、待機位置に位置するノズル１６ａを示す。ノズル１６ａが待機位置に位置するとき、ノズル１６ａは、密閉された内部容器４１の外部に位置する。ノズル１６ａが待機位置に位置するとき、内部容器４１が開閉することを、ノズル１６ａは許容する。図示を省略するが、ノズル１６ａの処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方の位置である。第２部材４３が第２位置に位置するとき、ノズル１６ａが処理位置に移動することを、内部容器４１は許容する。

同様に、処理ユニット１１は、ノズル移動機構４７ｂを備える。ノズル移動機構４７ｂは、ノズル１６ｂを移動させる。ノズル移動機構４７ｂによって、ノズル１６ｂは待機位置と処理位置に移動する。図１８は、待機位置に位置するノズル１６ｂを示す。ノズル１６ｂが待機位置に位置するとき、ノズル１６ｂは、密閉された内部容器４１の外部に位置する。ノズル１６ｂが待機位置に位置するとき、内部容器４１が開閉することを、ノズル１６ｂは許容する。図示を省略するが、ノズル１６ｂの処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方の位置である。第２部材４３が第２位置に位置するとき、ノズル１６ｂが処理位置に移動することを、内部容器４１は許容する。

図示を省略するが、制御部１０は、内部容器移動機構４５を制御する。制御部１０は、ノズル移動機構４７ａ、４７ｂを制御する。

内部容器４１は、本発明における処理容器の例である。空間４１ａは、本発明における処理空間の例である。

＜６－２．処理ユニット１１の動作例＞
図２０は、第５実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第５実施形態の基板処理方法は、さらに、密閉工程（ステップＳ２３）と、開放工程（ステップＳ２４）を備える。

第５実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。基板Ｗが内部容器４１に収容され、かつ、内部容器４１が開放されている状態で、回転開始工程と薬液供給工程とリンス液供給工程は実行される。このため、処理工程（ステップＳ１ａ、Ｓ１ｂ）では、基板Ｗが位置する空間４１ａは開放されている。

薬液供給工程では、ノズル１６ａは待機位置から処理位置に移動する。ノズル１６ａが処理位置に位置するとき、ノズル１６ａは基板Ｗに薬液を供給する。その後、ノズル１６ａは処理位置から待機位置に移動する。

リンス液供給工程では、ノズル１６ｂは待機位置から処理位置に移動する。ノズル１６ｂが処理位置に位置するとき、ノズル１６ｂは基板Ｗにリンス液Ｇを供給する。その後、ノズル１６ｂは処理位置から待機位置に移動する。

リンス液供給工程が終了した後、密閉工程が実行される。密閉工程（ステップＳ２３）では、内部容器４１は密閉される。具体的には、第２部材４３は第２位置から第１位置に移動する。これにより、空間４１ａは閉塞される。基板Ｗは、内部容器４１に収容される。基板Ｗは、空間４１ａに位置する。

密閉工程の後、第１供給工程とスピンドライ工程が実行される。基板Ｗが内部容器４１に収容され、かつ、内部容器４１が密閉された状態で、置換工程（ステップＳ２ａ）および除去工程（ステップＳ３ａ）は実行される。言い換えれば、基板Ｗが位置する空間４１ａが閉塞された状態で、置換工程および除去工程は実行される。

引き続き、回転停止工程が実行される。回転停止工程の後、開放工程が実行される。開放工程（ステップＳ２４）では、筐体３１は開放される。具体的には、第２部材４３は、第１位置から第２位置に移動する。これにより、空間４１ａは開放される。

＜６－３．第５実施形態の効果＞
第５実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第５実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程では、基板Ｗが内部容器４１の内部に位置し、かつ、内部容器４１が密閉される。置換工程では、基板Ｗが位置する空間４１ａは密閉される。このため、置換工程では、添加剤は基板Ｗ上の第２処理液Ｊから過度に放出されない。よって、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、添加剤は、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

特に、内部容器４１の空間４１ａは、筐体３１の空間３１ａよりも小さい。このため、添加剤は第２処理液Ｊから容易に放出されない。よって、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、低下し難い。よって、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、一層容易に制御される。

除去工程では、基板Ｗが内部容器４１の内部に位置し、かつ、内部容器４１が密閉される。除去工程では、基板Ｗが位置する空間４１ａは密閉される。このため、除去工程においても、添加剤は基板Ｗ上の第２処理液Ｊから過度に放出されない。よって、除去工程においても、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、除去工程においても、添加剤は、依然として、有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。その結果、基板Ｗを一層好適に保護できる。

＜７．第６実施形態＞
図面を参照して、第６実施形態を説明する。なお、第１－第５実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第６実施形態の置換工程では、基板Ｗの上面Ｗｔを覆う。第６実施形態の置換工程では、基板Ｗの上面Ｗｔを遮断する。

＜７－１．処理ユニット１１の構成＞
図２１は、第６実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。処理ユニット１１は、カバー部材５１を備える。カバー部材５１は、例えば、略平坦な板形状を有する。図示を省略するが、カバー部材５１は、平面視において、基板Ｗと同等以上の大きさを有する。

処理ユニット１１は、カバー部材移動機構５２を備える。カバー部材移動機構５２は、基板保持部１３に保持される基板Ｗに対して、カバー部材５１を移動させる。

カバー部材移動機構５２によって、カバー部材５１は第１位置に移動する。図２１は、第１位置に位置するカバー部材５１を実線で示す。カバー部材５１が第１位置に位置するとき、カバー部材５１は基板Ｗの上方に位置する。より詳しくは、第１位置は、基板Ｗ上の処理液（例えば、第２処理液Ｊ）の上方の位置である。カバー部材５１が第１位置に位置するとき、カバー部材５１は基板Ｗの上面Ｗｔの近くに位置する。カバー部材５１が第１位置に位置するとき、カバー部材５１は基板Ｗの上面Ｗｔを覆う。

カバー部材移動機構５２によって、カバー部材５１は第２位置に移動する。図２１は、第２位置に位置するカバー部材５１を破線で示す。第２位置は、例えば、第１位置の上方の位置である。カバー部材５１が第２位置に位置するときも、カバー部材５１は基板Ｗの上方に位置する。但し、カバー部材５１が第２位置に位置するとき、カバー部材５１は基板Ｗの上面Ｗｔから遠い。具体的には、第２位置と上面Ｗｔの間の離隔距離は、第１位置と上面Ｗｔの間の離隔距離よりも大きい。

基板Ｗの上方の空間を、上空間Ｍと呼ぶ。上空間Ｍは、カバー部材５１の下方に制限される。カバー部材５１は、上空間Ｍを拡張させ、かつ、収縮させる。具体的には、カバー部材５１が第１位置と第２位置の間で移動するとき、上空間Ｍは鉛直方向Ｚに伸縮する。カバー部材５１が第１位置に位置するとき、上空間Ｍは狭い。カバー部材５１が第２位置に位置するとき、上空間Ｍは大きい。

ノズル１６ｃは、カバー部材５１に取り付けられている。ノズル１６ｃは、カバー部材５１と一体に移動する。カバー部材５１が第１位置に位置するとき、ノズル１６ｃは処理位置に位置する。図２１は、処理位置に位置するノズル１６ｃを、実線で示す。ノズル１６ｃの処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方に位置である。

図２１は、待機位置に位置するノズル１６ａ、１６ｂを示す。ノズル１６ａ、１６ｂが待機位置に位置するとき、ノズル１６ａ、１６ｂは、カバー部材５１の外方に位置する。ノズル１６ａ、１６ｂが待機位置に位置するとき、カバー部材５１が第１位置に移動することを、ノズル１６ａ、１６ｂは許容する。図示を省略するが、ノズル１６ａ、１６ｂの処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方の位置である。カバー部材５１が第２位置に位置するとき、ノズル１６ａ、１６ｂが処理位置に移動することを、カバー部材５１は許容する。

図示を省略するが、制御部１０は、カバー部材移動機構５２を制御する。

＜７－２．処理ユニット１１の動作例＞
図２２は、第６実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第６実施形態の基板処理方法は、さらに、遮断工程（ステップＳ２５）と遮断解除工程（ステップＳ２６）を備える。

第６実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。カバー部材５１が第２位置に位置する状態で、回転開始工程（ステップＳ１１）と薬液供給工程（ステップＳ１ａ）とリンス液供給工程（ステップＳ１ｂ）は実行される。このため、処理工程（ステップＳ１ａ、Ｓ１ｂ）では、上空間Ｍは広い。

リンス液供給工程が終了した後、遮断工程が実行される。遮断工程（ステップＳ２５）では、基板Ｗの上面Ｗｔは遮断される。具体的には、カバー部材５１は第２位置から第１位置に移動する。カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔの近くに配置される。カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔを覆う。上空間Ｍは、カバー部材５１によって縮小する。

遮断工程の後、第１供給工程とスピンドライ工程が実行される。基板Ｗの上面Ｗｔが遮断された状態で、置換工程（ステップＳ２ａ）および除去工程（ステップＳ３ａ）は実行される。

引き続き、回転停止工程が実行される。回転停止工程の後、遮断解除工程が実行される。遮断解除工程（ステップＳ２６）では、基板Ｗの上面Ｗｔの遮断は解除される。具体的には、カバー部材５１は、第１位置から第２位置に移動する。これにより、上空間Ｍは拡張する。基板Ｗの上面Ｗｔは、実質的に開放される。

＜７－３．第６実施形態の効果＞
第６実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第６実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程では、カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔの近くに配置される。置換工程では、カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔを覆う。このため、カバー部材５１は、基板Ｗ上の第２処理液Ｊから放出される添加剤の量を、好適に抑制する。よって、置換工程において、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。例えば、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は著しく低下しない。仮に添加剤が第２処理液Ｊから放出され易い場合であっても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は適切に保たれる。したがって、添加剤は、基板Ｗ上の有機溶剤の脱水反応を好適に抑制する。

置換工程では、カバー部材５１は、基板Ｗの上方に配置される。このため、置換工程では、添加剤は第２処理液Ｊから放出され難い。よって、置換工程において、第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、容易に制御される。

カバー部材５１は、第１位置と第２位置に移動可能に構成される。第１位置と上面Ｗｔとの間の離隔距離は、第２位置と上面Ｗｔとの間の離隔距離よりも小さい。カバー部材５１が第１位置に位置するときの上空間Ｍは、カバー部材５１が第２位置に位置するときの上空間Ｍよりも、小さい。置換工程では、カバー部材５１は第１位置に配置される。このため、置換工程では、第２処理液Ｊから放出される添加剤の量を、カバー部材５１は好適に抑制する。他方、処理工程では、カバー部材５１は第２位置に配置される。このため、処理工程では、基板Ｗに対する薬液およびリンス液Ｇの供給を、カバー部材５１は妨げない。すなわち、処理工程では、薬液およびリンス液Ｇを基板Ｗに好適に供給できる。

第１位置は、基板Ｗの上方の位置である。第２位置は、第１位置の上方の位置である。このため、カバー部材５１は、第１位置と第２位置の間を、容易に移動できる。

除去工程では、カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔの近くに配置される。除去工程では、カバー部材５１は、基板Ｗの上面Ｗｔを覆う。このため、除去工程においても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊから放出される添加剤の量を、カバー部材５１は抑制する。よって、除去工程においても、基板Ｗ上の第２処理液Ｊにおける添加剤の濃度は、適切な範囲に保たれる。したがって、置換工程および除去工程にわたって、添加剤は、基板Ｗ上の有機溶剤の脱水反応を好適に抑制し続ける。その結果、基板Ｗを一層好適に保護できる。

＜８．第７実施形態＞
図面を参照して、第７実施形態を説明する。なお、第１－第６実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第７実施形態の置換工程では、基板Ｗを加熱する。第７実施形態の除去工程では、基板Ｗを加熱する。

＜８－１．処理ユニット１１の構成＞
図２３は、第７実施形態の処理ユニット１１の構成を示す図である。処理ユニット１１は、加熱部６１を備える。加熱部６１は、筐体３１の内部に設置される。加熱部６１は、基板保持部１３に保持される基板Ｗを加熱する。

加熱部６１は、例えば、第１加熱部６２と第２加熱部６３を備える。第１加熱部６２は、基板保持部１３に保持される基板Ｗの下方に配置される。第２加熱部６３は、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方に配置される。

第１加熱部６２は、例えば、抵抗ヒータを含む。抵抗ヒータは、電気ヒータとも呼ばれる。抵抗ヒータは、例えば、電熱線を含む。第１加熱部６２は、例えば、ランプヒータを含む。ランプヒータは、光ヒータとも呼ばれる。ランプヒータは、例えば、光を照射する光源を含む。第１加熱部６２は、例えば、高温流体を基板Ｗの下面Ｗｂに供給する。高温流体は、基板Ｗを加熱可能な温度を有する。高温流体は、例えば、気体または液体である。

第２加熱部６３は、例えば、抵抗ヒータおよびランプヒータの少なくともいずれかを含む。

図示を省略するが、制御部１０は、加熱部６１を制御する。制御部１０は、第１加熱部６２と第２加熱部６３を制御する。

＜８－２．処理ユニット１１の動作例＞
図２４は、第７実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第７実施形態の基板処理方法は、第１加熱工程（Ｓ２ｄ）と第２加熱工程（ステップＳ３ｃ）を備える。第１供給工程（ステップＳ２ａ）と第１加熱工程（ステップＳ２ｄ）は、置換工程（ステップＳ２）の例である。スピンドライ工程（ステップＳ３ａ）と第２加熱工程（ステップＳ３ｃ）は、除去工程（ステップＳ３）の例である。

第７実施形態の基板処理方法を、具体的に説明する。回転開始工程、薬液供給工程およびリンス液供給工程の後、第１供給工程と第１加熱工程が実行される。第１供給工程では、基板Ｗに第２処理液Ｊを供給する。第１加熱工程では、基板Ｗを加熱する。具体的には、加熱部６１は、基板Ｗを加熱する。例えば、第１加熱部６２および第２加熱部６３の少なくともいずれかは、基板Ｗを加熱する。

ここで、第１加熱工程が実行される期間の少なくとも一部は、第１供給工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なってもよい。例えば、第１供給工程と第１加熱工程は、同時に実行されてもよい。例えば、第１供給工程が開始された後で、第１供給工程が終了する前に、第１加熱工程は開始してもよい。

あるいは、第１加熱工程が実行される期間は、第１供給工程が実行される期間と重ならなくてもよい。例えば、第１供給工程が終了した後に、第１加熱工程は開始してもよい。

第１供給工程および第１加熱工程が終了した後、スピンドライ工程と第２加熱工程が実行される。スピンドライ工程では、第２処理液Ｊは基板Ｗから除去される。第２加熱工程では、基板Ｗを加熱する。具体的には、加熱部６１は、基板Ｗを加熱する。例えば、第１加熱部６２および第２加熱部６３の少なくともいずれかは、基板Ｗを加熱する。

ここで、第２加熱工程が実行される期間の少なくとも一部は、スピンドライ工程が実行される期間の少なくとも一部と、重なってもよい。例えば、スピンドライ工程と第２加熱工程は、同時に実行されてもよい。例えば、スピンドライ工程が開始された後で、スピンドライ工程が終了する前に、第２加熱工程は開始してもよい。

あるいは、第２加熱工程が実行される期間は、スピンドライ工程が実行される期間と重ならなくてもよい。例えば、スピンドライ工程が終了した後に、第２加熱工程は開始してもよい。例えば、第２加熱工程が終了した後に、スピンドライ工程は開始してもよい。

第１加熱工程と第２加熱工程は、時間的に連続してもよい。すなわち、置換工程が終了する前から除去工程が開始した後まで、加熱部６１によって基板Ｗを加熱し続けてもよい。

スピンドライ工程と第２加熱工程の後、回転停止工程が実行される。

＜８－３．第７実施形態の効果＞
第７実施形態によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第７実施形態によれば、以下の効果を奏する。

置換工程は、基板を加熱する第１加熱工程を含む。このため、置換工程では、基板Ｗ上の第２処理液Ｊは加熱される。よって、置換工程では、基板Ｗ上のリンス液Ｇは、第２処理液Ｊに円滑に置換される。言い換えれば、除去工程では、第２処理液Ｊは、基板Ｗ上のリンス液Ｇを、基板Ｗから効率良く除去する。

除去工程は、基板を加熱する第２加熱工程を含む。このため、除去工程では、基板Ｗ上の第２処理液Ｊは加熱される。よって、除去工程では、基板Ｗ上の第２処理液Ｊは効率良く除去される。言い換えれば、除去工程では、基板Ｗは一層短い時間で乾燥する。

有機溶剤の温度が高いほど、有機溶剤の脱水反応は容易に起こる。しかし、上述の通り、第２処理液Ｊは添加剤を含む。このため、置換工程が第１加熱工程を含む場合であっても、添加剤は有機溶剤の脱水反応を抑制する。むしろ、置換工程が第１加熱工程を含む場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

同様の理由により、除去工程が第２加熱工程を含む場合であっても、有機溶剤の脱水反応は添加剤によって抑制される。むしろ、除去工程が第２加熱工程を含む場合には、添加剤は顕著な機能を発揮する。

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）第１－第７実施形態では、第１処理液はリンス液Ｇであった。但し、これに限られない。第１処理液は、リンス液Ｇ以外の処理液を含んでもよい。例えば、第１処理液は薬液であってもよい。例えば、置換工程は、基板Ｗ上の薬液を、第２処理液Ｊに置換してもよい。

（２）第１、第３－第７実施形態では、第２処理液Ｊは、槽２２において第２処理液Ｊを生成した。但し、これに限られない。例えば、第２処理液生成ユニット２１は、供給部１５ｃに連通する流路において、第２処理液Ｊを生成してもよい。

例えば、第２処理液生成ユニット２１は、継ぎ手部材を備える。第２処理液生成ユニット２１は、継ぎ手部材において第２処理液Ｊを生成する。具体的には、継ぎ手部材は、供給部１５ｃ、２３ａ、２３ｂを連結する。例えば、継ぎ手部材は、配管１７ｃ、２４ａ、２４ｂに接続される。例えば、継ぎ手部材は、三方継ぎ手を含む。例えば、継ぎ手部材は、ミキシングバルブを含んでもよい。供給部２３ａは継ぎ手部材に有機溶剤を供給する。供給部２３ｂは継ぎ手部材に添加剤を供給する。有機溶剤と添加剤は、継ぎ手部材において、混合される。有機溶剤と添加剤は、継ぎ手部材において、第２処理液Ｊになる。第２処理液Ｊは、継ぎ手部材から供給部１５ｃに流れる。

（３）第１－第７実施形態において、第２処理液Ｊが基板Ｗに供給される前に、第２処理液から水を除去してもよい。有機溶剤が基板Ｗに供給される前に、有機溶剤から水を除去してもよい。添加剤が基板Ｗに供給される前に、添加剤から水を除去してもよい。

例えば、第２処理液生成ユニット２１は吸着部を備えてもよい。吸着部は、例えば、槽２２内の第２処理液Ｊに浸漬される。吸着部は、第２処理液Ｊに含まれる水を吸着する。吸着部に吸着された水は、第２処理液Ｊから除去された水に相当する。吸着部は、例えば、粒形状またはペレット形状を有する。吸着部は、例えば、ゼオライトである。

例えば、処理ユニット１１および第２処理液生成ユニット２１の少なくともいずれかは、分離部を備えてもよい。分離部は、例えば、配管１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ、２４ａ、２４ｂの少なくともいずれかに設けられる。例えば、配管１７ｃ上の分離部は、配管１７ｃを流れる第２処理液Ｊから水を分離する。これにより、配管１７ｃ上の分離部は、第２処理液Ｊから水を除去する。例えば、配管１７ｄ、２４ａ上の分離部は、配管１７ｄ、２４ａを流れる添加剤から水を分離する。これにより、配管１７ｄ、２４ａ上の分離部は、添加剤から水を除去する。例えば、配管１７ｅ、２４ｂ上の分離部は、配管１７ｅ、２４ｂを流れる有機溶剤から水を分離する。これにより、配管１７ｅ、２４ｂ上の分離部は、有機溶剤から水を除去する。分離部は、例えば、分離フィルタである。分離部は、例えば、ゼオライト膜である。

（４）第１、第３－第７実施形態では、第２処理液Ｊは、第２処理液生成ユニット２１において生成された。但し、これに限られない。例えば、第２処理液Ｊは、供給部１５ｃにおいて生成されてもよい。

例えば、ノズル１６ｃにおいて、第２処理液Ｊを生成してもよい。具体的には、ノズル１６ｃは、供給部２３ａ、２３ｂに連通接続される。例えば、ノズル１６ｃは、配管２４ａ、２４ｂに接続される。供給部２３ａはノズル１６ｃに有機溶剤を供給する。供給部２３ｂはノズル１６ｃに添加剤を供給する。有機溶剤と添加剤は、ノズル１６ｃにおいて、混合される。有機溶剤と添加剤は、ノズル１６ｃにおいて、第２処理液Ｊになる。第２処理液Ｊは、ノズル１６ｃから吐出される。

（５）第１－第７実施形態では、処理ユニット１１は、ノズル１６ａ－１６ｃを備えた。但し、これに限られない。例えば、処理ユニット１１は、ノズル１６ａ－１６ｃに代えて、共通ノズルを備えてもよい。共通ノズルは、供給部１５ａ、１５ｂ、１５ｃによって、共用される。具体的には、共通ノズルは、配管１７ａ、１７ｂ、１７ｃに接続される。弁１８ａが開くとき、共通ノズルは薬液を吐出する。同様に、弁１８ｂが開くとき、共通ノズルはリンス液Ｇを吐出する。弁１８ｃが開くとき、共通ノズルは第２処理液Ｊを吐出する。本変形実施形態によっても、処理工程および置換工程を好適に実行できる。

（６）第７実施形態において、第１加熱工程および第２加熱工程の一方を省略してもよい。

（７）第１－第７実施形態では、処理ユニット１１は、枚葉式に分類された。但し、これに限られない。例えば、処理ユニット１１は、バッチ式に分類されてもよい。すなわち、処理ユニット１１は、一度に複数の基板Ｗを処理してもよい。第１－第７実施形態では、処理工程、置換工程および助教工程では基板Ｗは回転する。但し、これに限られない。例えば、処理工程、置換工程および除去工程の少なくともいずれかにおいて、基板Ｗは回転しなくてもよい。

図示を省略するが、バッチ式に分類される処理ユニット１１の構成を例示する。処理ユニット１１は、処理槽と基板保持部と昇降駆動部を備える。供給部１５ａ－１５ｃは、処理槽に接続される。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、複数枚の基板Ｗを一度に保持する。基板保持部は、基板Ｗを略垂直姿勢で支持する。昇降駆動部は、処理槽に対して基板保持部を昇降させる。昇降駆動部によって、基板保持部は下位置と上位置に移動する。基板保持部が下位置に位置するとき、基板保持部に保持される基板Ｗは処理槽の内部に位置する。基板保持部が下位置に位置するとき、基板保持部に保持される基板Ｗは静止する。基板保持部が上位置に位置するとき、基板保持部に保持される基板Ｗは処理槽の上方に位置する。基板保持部が上位置に位置するとき、基板保持部に保持される基板Ｗは静止する。

処理工程は、例えば、薬液供給工程とリンス液供給工程を含む。

薬液供給工程では、供給部１５ａは薬液を処理槽に供給する。処理槽は薬液を貯留する。基板保持部は下位置に位置する。基板保持部に保持される基板Ｗは、処理槽の薬液に浸漬される。このように、薬液は基板Ｗに供給される。

リンス液供給工程では、薬液が処理槽から排出される。供給部１５ｂはリンス液Ｇを処理槽に供給する。処理槽はリンス液Ｇを貯留する。基板保持部は下位置に位置する。基板保持部に保持される基板Ｗは、処理槽のリンス液Ｇに浸漬される。このように、リンス液Ｇは基板Ｗに供給される。

置換工程では、リンス液Ｇが処理槽から排出される。供給部１５ｃは第２処理液Ｊを処理槽に供給する。処理槽は第２処理液Ｊを貯留する。基板保持部は下位置に位置する。基板保持部に保持される基板Ｗは処理槽の第２処理液Ｊに浸漬される。このように、リンス液Ｇは第２処理液Ｊに置換される。第２処理液Ｊは基板Ｗに供給される。

除去工程では、基板保持部は下位置から上位置に移動する。基板保持部に保持される基板Ｗは、処理槽の第２処理液Ｊから引き上げられる。これにより、第２処理液Ｊは基板Ｗから除去される。

このように、本変形実施形態においても、処理工程と置換工程と除去工程を好適に実行できる。

（８）第１－第７実施形態では、基板Ｗは、パターンＰを有した。但し、これに限られない。例えば、基板Ｗは、パターンＰを有しなくてもよい。例えば、パターンＰは、基板Ｗの表面Ｗｓに形成されていなくてもよい。基板ＷがパターンＰを有しない場合であっても、基板処理方法は、基板Ｗを好適に保護しつつ、基板Ｗを処理できる。したがって、基板ＷがパターンＰを有しない場合であっても、基板処理方法は、基板Ｗを適切に処理できる。

（９）第１－第７実施形態および上記（１）から（８）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

例えば、第２、第３実施形態の第２供給工程（ステップＳ２ｂ）を、第４－第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第４－第７実施形態の基板処理方法は、第２供給工程を含んでもよい。

例えば、第３実施形態の第３供給工程（ステップＳ２ｃ）を、第１、第２、第４－第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第１、第２、第４－第７実施形態の基板処理方法は、第３供給工程を含んでもよい。

例えば、第７実施形態の第１加熱工程（ステップＳ２ｄ）を、第１－第６実施形態に適用してもよい。具体的には、第１－第６実施形態の基板処理方法は、第１加熱工程を含んでもよい。

例えば、第３実施形態の追加供給工程（ステップＳ３ｂ）を、第１、第２、第４－第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第１、第２、第４－第７実施形態の基板処理方法は、追加供給工程を含んでもよい。

例えば、第７実施形態の第２加熱工程（ステップＳ３ｃ）を、第１－第６実施形態に適用してもよい。具体的には、第１－第６実施形態の基板処理方法は、第２加熱工程を含んでもよい。

例えば、第４、第５実施形態の筐体３１を、第１－第３、第６、第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第１－第３、第６、第７実施形態の処理ユニット１１は、第４、第５実施形態の筐体３１を備えてもよい。

例えば、第５実施形態の内部容器４１を、第１－第４、第６、第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第１－第４、第６、第７実施形態の処理ユニット１１は、第５実施形態の内部容器４１を備えてもよい。

例えば、第６実施形態のカバー部材５１を、第１－第５、第７実施形態に適用してもよい。具体的には、第１－第５、第７実施形態の処理ユニット１１は、第６実施形態のカバー部材５１を備えてもよい。

例えば、第７実施形態の加熱部６１を、第１－第６実施形態に適用してもよい。例えば、第１－第６実施形態の処理ユニット１１は、第７実施形態の加熱部６１を備えてもよい。例えば、第１－第６実施形態の処理ユニット１１は、第７実施形態の第１加熱部６２を備えてもよい。例えば、第１－第６実施形態の処理ユニット１１は、第７実施形態の第２加熱部６３を備えてもよい。

１ … 基板処理装置
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１３ … 基板保持部
１５ａ … 供給部（薬液供給部）
１５ｂ … 供給部（リンス液供給部）
１５ｃ … 供給部（第２処理液供給部）
１５ｄ … 供給部（添加剤供給部）
１５ｅ … 供給部（有機溶剤供給部）
１６ａ … ノズル（薬液ノズル）
１６ｂ … ノズル（リンス液ノズル）
１６ｃ … ノズル（第２処理液ノズル）
１６ｄ … ノズル（添加剤ノズル）
１６ｅ … ノズル（有機溶剤ノズル）
２１ … 第２処理液生成ユニット
３１ … 筐体（処理容器）
３１ａ … 空間（処理空間）
４１ … 内部容器（処理容器）
４１ａ … 空間（処理空間）
５１ … カバー部材
６１ … 加熱部
６２ … 第１加熱部
６３ … 第２加熱部
Ａ … 凹部
Ｇ … リンス液（第１処理液）
Ｊ … 第２処理液
Ｐ … パターン
ｑ … プロトン
ｒ … 水
Ｓ１ … 処理工程
Ｓ１ａ … 薬液供給工程（処理工程）
Ｓ１ｂ … リンス液供給工程（処理工程）
Ｓ２ … 置換工程
Ｓ２ａ … 第１供給工程（置換工程）
Ｓ２ｂ … 第２供給工程（置換工程）
Ｓ２ｃ … 第３供給工程（置換工程）
Ｓ２ｄ … 第１加熱工程（置換工程）
Ｓ３ … 除去工程
Ｓ３ａ … スピンドライ工程（除去工程）
Ｓ３ｂ … 追加供給工程（除去工程）
Ｓ３ｃ … 第２加熱工程（除去工程）
Ｗ … 基板
Ｗｓ … 基板の表面
Ｗ１ … 凸部

Claims (18)

1. 基板処理方法であって、
   基板に第１処理液を供給する処理工程と、
   基板上の前記第１処理液を、有機溶剤と添加剤を含む第２処理液に置換する置換工程と、
   前記第２処理液を基板から除去する除去工程と、
   を備え、
   前記添加剤は、前記有機溶剤の脱水反応を抑制する
   基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記添加剤は、前記第２処理液中のプロトンを減少させる
   基板処理方法。
3. 請求項１または２に記載の基板処理方法において、
   前記添加剤は、プロトンを受け取る塩基を含む
   基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記添加材は、炭酸水素イオンおよび炭酸イオンの少なくともいずれかを含む
   基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記添加剤は、前記第２処理液中の水素イオン濃度の変化を緩和する緩衝剤を含む
   基板処理方法。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記添加剤は、
   二酸化炭素、
   ４－トルエンスルホン酸、
   ナトリウムメトキシド、
   トリフルオロ酢酸ナトリウム、
   シュウ酸、
   メトキシリチウム、
   トリベンジルアミン、
   フタル酸水素ナトリウム、
   サリチル酸、
   フェニール酢酸、
   コハク酸水素リチウム、および
   トリスマレイン酸塩
   の少なくともいずれかを含む基板処理方法。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記有機溶剤は、アルコールを含む
   基板処理方法。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含む
   基板処理方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記置換工程は、前記第２処理液を基板に供給する第１供給工程を含む
   基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記置換工程は、前記添加剤を基板に供給する第２供給工程を含む
    基板処理方法。
11. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記置換工程は、
    前記添加剤を基板に供給する第２供給工程と、
    前記有機溶剤を基板に供給する第３供給工程と、
    を含む
    基板処理方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記置換工程では、基板は処理容器の内部に位置し、かつ、前記処理容器は密閉される
    基板処理方法。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記置換工程では、カバー部材が、基板の上面の近くに配置され、かつ、基板の上面を覆う
    基板処理方法。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記置換工程は、基板を加熱する第１加熱工程を含む
    基板処理方法。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記除去工程は、前記添加剤を基板に供給する追加供給工程を含む
    基板処理方法。
16. 請求項１から１５のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記除去工程は、基板を加熱する第２加熱工程を含む
    基板処理方法。
17. 請求項１から１６のいずれかに記載の基板処理方法において、
    基板は表面を有し、
    前記表面は、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の少なくともいずれかを含む
    基板処理方法。
18. 請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    基板は、
    表面と、
    前記表面の少なくとも一部に形成されるパターンと、
    を有する
    基板処理方法。

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