JP6843606B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
第1の制御方法では、半径方向距離rがある閾値rT1より大きいときに、半径方向距離rと角速度をωの積rωが一定となるように制御を行う。この場合、境界Bの半径方向位置に関わらず、境界Bの半径方向位置におけるウエハWの周速度が同一になる。これによりウエハWの周縁部付近でも液膜LFを拡げようとする力が小さくなるため、液千切れの発生が生じ難くなる。第1の制御方法を採用したときの、半径方向距離rとウエハWの回転速度(rpm)(回転速度は60ω/2πに等しい:但しωの単位はラジアン)との関係の一例を、図6のグラフにおいて白抜き四角で示した。
第2の制御方法では半径方向距離rがある閾値rT2より大きいときに、半径方向距離rと角速度ωの二乗の積rω2が一定になるように制御を行う。この場合、境界Bの半径方向位置に関わらず、境界Bの半径方向位置におけるウエハW上の物体つまり液膜を構成する水が受ける遠心力(=mrω2)が同一になる。これによりウエハWの周縁部付近でも液膜LFを拡げようとする力が小さくなるため、液千切れの発生が生じ難くなる。第2の制御方法を採用したときの、半径方向距離rとウエハWの回転速度(rpm)(回転速度は60ω/2πに等しい:但しωの単位はラジアン)との関係の一例を、図6のグラフにおいて黒丸で示した。半径方向距離置rが閾値rT2以下のときの角速度ωは、第1の制御方法の場合と同様に設定すればよい。
4 制御部(制御装置)
30 基板保持回転機構
31a ベースプレート
43a 処理液供給部
82 ガス噴射部
Claims (12)
- 基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる基板保持回転機構と、
前記基板保持回転機構に保持された前記基板の下方から、前記基板の下面の中央部のみに向けてリンス液を供給するように構成された処理液供給部と、
前記基板を回転させながら前記基板の下面の中央部にリンス液を供給し、その後、前記基板を引き続き回転させながら、リンス液が前記基板の下面の中央部に向けて吐出されている状態から当該リンス液の供給を停止して、前記基板の下面を、中央部から周縁部に向けて徐々に乾燥させてゆくときに、前記基板の下面においてリンス液の液膜が存在している領域とリンス液の液膜が存在していない領域との境界の前記基板の中心からの半径方向距離をrとし前記基板の角速度をωとしたとき、少なくとも前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに、前記半径方向距離rが大きくなるに従って前記角速度ωが小さくなるように、かつ、前記境界より外側のリンス液の液膜が千切れて液滴が生じることが無いように、前記基板保持回転機構により前記基板の回転速度を制御する制御部と
を備えた基板処理装置。 - 前記制御部は、前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに前記半径方向距離rと前記角速度ωの積rωが一定となるように前記基板の回転速度を制御する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記半径方向距離rが前記閾値以下のときの前記積rωが、前記半径方向距離rが前記閾値より大きいときの前記積rω以下となるように前記基板の回転速度を制御する、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記半径方向距離rが前記閾値以下のときの前記角速度ωが、前記半径方向距離rが前記閾値と等しいときの前記角速度ωと等しい一定の値に維持されるように前記基板の回転速度を制御する、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに前記半径方向距離rと前記角速度ωの二乗の積rω2が一定となるように、前記基板の回転速度を制御する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記半径方向距離rが前記閾値以下のときの前記積rω2が、前記半径方向距離rが前記閾値より大きいときの前記積rω2以下となるように前記基板の回転速度を制御する、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記半径方向距離rが前記閾値以下のときの前記角速度ωが、前記半径方向距離rが前記閾値と等しいときの前記角速度ωと等しい一定の値に維持されるように前記基板の回転速度を制御する、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記基板保持回転機構は、前記基板保持回転機構により保持された基板の下方で基板に対向するベースプレートを有し、
前記基板処理装置は、前記基板保持回転機構により保持された基板と前記ベースプレートとの間の空間に、当該基板の中央部の下方から、当該基板の面と実質的に平行な向きであってかつ半径方向外向きに乾燥用ガスを噴射するガス噴射部をさらに備えている、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を水平姿勢で鉛直軸線周りに回転させながら前記基板の下面の中央部のみにリンス液を供給するリンス工程と、
その後、前記基板を引き続き回転させながら、リンス液が前記基板の下面の中央部に向けて吐出されている状態から当該リンス液の供給を停止して、前記基板の下面を、中央部から周縁部に向けて徐々に乾燥させてゆく乾燥工程と、を備え、
前記乾燥工程を実行しているときに、前記基板の下面においてリンス液の液膜が存在している領域とリンス液の液膜が存在していない領域との境界の前記基板の中心からの半径方向距離をrとし前記基板の角速度をωとしたとき、少なくとも前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに、前記半径方向距離rが大きくなるに従って前記角速度ωが小さくなるように、かつ、前記境界より外側のリンス液の液膜が千切れて液滴が生じることが無いように、前記基板の回転速度を制御する、基板処理方法。 - 前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに前記半径方向距離rと前記角速度ωの積rωが一定となるように前記基板の回転速度を制御する、請求項9記載の基板処理方法。
- 前記半径方向距離rがある閾値より大きいときに前記半径方向距離rと前記角速度ωの二乗の積rω2が一定となるように前記基板の回転速度を制御する、請求項9記載の基板処理方法。
- 基板処理装置の動作を制御するための制御部をなすコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項9から11のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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