TWI687742B - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置,具有顯示區。顯示區包括第一區以及第二區。顯示裝置包括基板、多條資料線與多條掃描線。基板包括多個第一畫素與多個第二畫素。這些第一畫素設置於第一區中,且呈環狀排列。這些第二畫素設置於第二區中。另,一種顯示裝置亦被提供。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置。
在一般的手機中,會在手機屏幕的上方設置有凹口(Notch Region),以設置攝像元件或其他不同功能的元件,從而使手機實現不同的功能。
但是,由於凹口區佔據了部分的屏幕面積,且凹口區無法顯示影像,使得整體的影像顯示區具有缺口,難以實現高屏占比(screen ratio)設計。
本發明提供一種顯示裝置,其具有高屏占比且以及多功應用的優勢。
本發明的實施例提供一種顯示裝置。顯示裝置的顯示區包括第一區及第二區。顯示裝置包括基板、多條資料線以及多條掃描線。這些資料線包括多條第一組資料線與多條第二組第二資料線。各第一組資料線電性連接資料驅動電路與對應的至少一第一畫素,且各第二組資料線則電性連接資料驅動電路與對應的一第二畫素。這些掃描線包括多條第一組掃描線與多條第二組掃描線。各第一組掃描線電性連接對應的至少一第一畫素與閘極驅動電路,而第二組掃描線電性連接對應的一第二畫素與閘級驅動電路。
本發明的實施例提供一種顯示裝置。顯示裝置的顯示區包括第一區及第二區。顯示裝置包括基板、多條資料線、多條掃描線以及功能模組。這些資料線包括多條第一組資料線與多條第二組資料線。各第一組資料線電性連接資料驅動電路與對應的至少一第一畫素,且各第二組資料線則電性連接資料驅動電路與對應的一第二畫素。這些掃描線包括包括多條第一組掃描線與多條第二組掃描線。各第一組掃描線電性連接對應的至少一第一畫素與閘極驅動電路,而各第二組掃描線電性連接對應的一第二畫素與閘級驅動電路。功能模組對應設置於第一區,且功能模組於基板之正投影與第一中心點重疊。
基於上述,在本發明的實施例的顯示裝置中,顯示區的第一區中設置有以環狀排列的第一畫素,可供所需的功能模組對應設置,而使功能設計上可以更具有調整的靈活度。並且,顯示裝置除了執行功能模組的功能外,更能夠搭配控制位於第一區的多個第一畫素以及位於第二區的多個第二畫素一起顯示畫面,以同時實現顯示畫面以及執行功能模組的功能,具有高屏占比以及多功應用的優勢。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖1B為圖1A中剖線I-I’的剖面示意圖。圖1C為在圖1A中的區域A的放大示意圖。圖1D為在圖1A中的區域B的放大示意圖。圖1E為圖1D中的第一畫素與第二畫素的簡要上視示意圖。圖1F為圖1D中的第一畫素與第二畫素的剖面圖。應注意的是,於圖1D中,具體示出第一畫素與第二畫素的上視結構。於其他圖式中,則以不同的繪示方式來標示第一畫素與第二畫素。
首先,先介紹顯示裝置100中不同區域分別對應具有的功能。
請先參照圖1A,巨觀來說,於本實施例中,顯示裝置100具有顯示區DR與環繞顯示區DR的非顯示區NDR。非顯示區NDR位於顯示區DR以外,亦可被稱為邊框區BR(Border Region)。於本實施例中,顯示區DR為顯示裝置100中用以顯示影像畫面的區域,非顯示區NDR則例如是用以設置顯示裝置100中的電路元件或走線的區域,但不以此為限。於圖1A的實施例中,邊框區BR是環繞於顯示區DR,但本發明不以此為限,舉例而言,邊框區BR可鄰接於顯示區DR的一側邊或兩側邊等,於其他實施例中,顯示區DR亦可為圓形、不規則形狀等,而邊框區BR則鄰接於顯示區DR或位於顯示區DR周邊。
請參照圖1B,顯示裝置100具有彼此相對的顯示側DS與背側BS。顯示區DR朝向顯示側DS,使用者可位於顯示側DS以觀賞顯示區DR所顯示的影像畫面。背側BS則是背向顯示側BS的一側。
請參照圖1A至圖1F,於本實施例中,顯示裝置100包括基板110、資料驅動電路120、閘極驅動電路130、多條資料線DL、多條掃描線SL以及功能模組140。於以下的段落中會詳細地說明上述各元件。
基板110為由多個半導體疊層所構成的半導體基板,且例如是畫素陣列基板(pixel array substrate)。於本實施例中,基板110例如是薄膜電晶體基板(Thin film transistor substrate, TFT substrate),但不以此為限。基板110包括多個畫素P。這些畫素P用以於顯示裝置100的顯示區DR中顯示出影像畫面。請參照圖1A、圖1C與圖1D,這些畫素P更包括多個第一畫素P1與多個第二畫素P2。這些第一畫素P1位於第一區DR1中,而這些第二畫素P2位於第二區DR2中。
資料驅動電路120與閘極驅動電路130依據影像資料來提供電氣訊號以驅動這些畫素P而顯示影像畫面。請參照圖1C,資料驅動電路120與閘極驅動電路130皆設置於非顯示區NDR,且設置於基板110的不同側。於本發明的其他實施例中,可因不同需求,像是窄邊框、全面屏、特殊顯示區形狀等設計而調整資料驅動電路120與閘極驅動電路130的位置,如設置於顯示區DR之同一側邊或者位於顯示區DR內,本發明不以此為限。
這些資料線DL與這些掃描線SL係分別用以傳輸由資料驅動電路120與閘極驅動電路130輸出的電氣訊號至這些畫素P中。請參照圖1C,這些資料線DL由資料驅動電路120往顯示區DR的方向延伸,而這些掃描線SL由閘極驅動電路130往顯示區DR的方向延伸。依據不同的設置區域,這些資料線DL與這些掃描線SL可被分為不同組的資料線以及不同組的掃描線,於以下段落會說明分組的方式。
請參照圖1C與圖1D,這些資料線DL可分為第一組資料線DL1與第二組資料線DL2。於本實施例中,第一組資料線DL1通過第一區DR1與第二區DR2。第二組資料線DL2通過第二區DR2。應注意的是,為了清楚表達圖式,圖1D省略示出用以控制畫素P的主動元件,而僅以資料線、掃描線連接畫素P或經過畫素P來簡要地表示電性連接的關係。
類似地,這些掃描線SL可分為第一組掃描線SL1與第二組掃描線SL2。於本實施例中,第一組掃描線SL1通過第一區DR1與第二區DR2。第二組掃描線SL2通過第二區DR2。
於本實施例中,功能模組140係泛指能實現各種不同功能的模組元件,其可為相機模組、光強度感測模組、聲波收發模組或其他具有不同功能的模組。相機模組例如是具有攝像功能的模組。光強度感測模組例如是具有感測外界光束光強度的光學感測模組。聲波收發模組例如是能夠發送聲波或感測聲波的模組。請參照圖1B,於本實施例中,功能模組140具體化為相機模組140a。相機模組140包括成像模組Len與影像感測器IS。成像模組Len例如是用以接收外界光束並使外界光束於影像感測器IS的感測面形成影像。於一實施例中,成像模組Len可為一由多種具有不同屈光度的鏡片所組成的光學成像鏡頭。於另一實施例中,成像模組Len亦可為由多個光學透鏡以陣列排列方式所組成的透鏡陣列。本發明並不以此為限制。
於以下的段落中,會詳細地說明這些第一畫素P1以及這些第二畫素P2的排列方式、畫素P間的電路佈局方式、各畫素P的具體架構與各畫素P內的電路佈局方式、這些第一畫素P1與相機模組140a之間的配置關係。
首先,先介紹這些第一畫素P1以及這些第二畫素P2的排列方式。
於本實施例中,基板110的這些畫素P在不同的設置區域有不同的排列方式。請參照圖1D,在顯示區DR的第一區DR1內,這些第一畫素P1係以環狀排列為主。更具體來說,在第一區DR1具有中心點C1。這些第一畫素P1以中心點C1為中心向外呈輻射狀排列。更具體來說,不同部分的第一畫素P1大致上以中心點C1為中心分別沿著不同方向D1、D2、D3、D4而設置。方向D1~D4彼此互為不同的方向。
另一方面,請參照圖1C與圖1D,在顯示區DR的第二區DR2內,這些第二畫素P2以矩陣方式排列。
因此,在本實施例中,由於這些第一畫素P1係以環狀排列的方式於第一區DR1內排列,而這些第二畫素P2則以矩陣方式於第二區DR2內排列。相較於以矩陣的排列方式,環狀排列的方式使得第一區DR1中的畫素數量面密度小於第二區DR2中的畫素數量面密度,其中畫素數量面密度被定義為區域中的畫素P的數量除以區域面積(即畫素P的數量/區域面積)。也就是說,藉由上述畫素P的不同排列方式,使用者在第一區DR1所觀賞到的顯示畫面的解析度較低,而在第二區DR2所觀賞到的顯示畫面的解析度較高。因此,在第一區DR1的顯示畫面可以顯示解析度需求不高的影像,舉例來說,可以是顯示電池電量、網路訊號強度或時間等圖案。而在第二區DR2的顯示畫面則可以顯示解析度需求較高的影像。
接著,再介紹第一區DR1與第二區DR2中的各畫素P間的電路佈局方式。
請參照圖1C,圖1C中示出第二組資料線DL2與第二組掃描線SL2的電路佈局方式。各第二組資料線DL2在方向D1上延伸。各第二組掃描線SL2在方向D2上延伸。於本實施例中,方向D1實質地垂直於方向D2,但本發明不以此為限,於另一變形例中,方向D1與方向D2可相交,且相交夾角可為大於180度或小於180度,舉例而言,方向D2可如圖1D為水平方向,而方向D1與方向D2的相交夾角可為150度,使得方向D1為以垂直方向(圖1D中的方向D1可視為垂直方向)而順時針方向傾斜30度,因此,可依不同第二畫素P2的排列方式而有所變動。各第二組資料線DL2電性連接資料驅動電路120,且電性連接對應的一第二畫素P2。各第二組掃描線SL2電性連接閘極驅動電路130,且電性連接對應的一第二畫素P2。
請參照圖1D,圖1D中示出第一組資料線DL1與第一組掃描線SL1的電路佈局方式。
於本實施例中,各第一組資料線DL1電性連接於資料驅動電路120與對應的至少一第一畫素P1。於以下的段落以位於第一區DR1中左上角的這些第一畫素P1
x~P1
w來做電性連接的說明範例。
在第一區DR1中,第一組資料線DL1例如是一對一地連接至第一畫素P1。其他的第一組資料線DL1的電性連接關係以此類推,於此不再贅述。
於本實施例中,第一組掃描線SL1電性連接於對應的至少一第一畫素P1與閘極驅動電路130。於以下的段落亦以位於第一區DR1中左上角的這些第一畫素P1
x~P1
w來做電性連接的說明範例。
在第一區DR1中,第一組掃描線SL1例如是一對多地連接至沿著方向D4設置且位於左上角落的這些第一畫素P1
x~P1
w。也就是說,這些第一畫素P1x、P1y、P1z、P1w共用單一條第一組掃描線SL1。其他的第一組掃描線SL1的電性連接關係以此類推,於此不再贅述。換句話說,於圖1D的實施例中,位於第一區DR1之第一畫素P1是以放射狀排列設置,且設置在同一延伸方向上的多個第一畫素P1係電性連接於同一掃描線,如第一畫素P1x、第一畫素P1y、第一畫素P1z與第一畫素P1w設置在同一延伸方向(方向D4),並且,同一掃描線(掃描線SL1)電性連接於第一畫素P1x、第一畫素P1y、第一畫素P1z與第一畫素P1w,使得第一畫素P1x、第一畫素P1y、第一畫素P1z與第一畫素P1w由同一條掃描線來控制。此外,第一畫素P1x、第一畫素P1y、第一畫素P1z與第一畫素P1w則分別由不同條的資料線(DL1)所驅動,使得第一畫素P1x、第一畫素P1y、第一畫素P1z與第一畫素P1w可分別被不同的電壓資料所驅動,進而產生不同的影像畫面。於本實施例中,多個第一畫素P1可排列成一線狀,而每一線狀以中心點C1(虛擬中心點C1)為依據,而沿著不同方向(如圖1D之方向D1、方向D2、方向D3與方向D4)向第二區DR2所延伸,進而形成多個第一畫素P1以放射狀排列於第一區DR1。另外,位於第一區DR1的中心點C1可以為實際第一區DR1的中心,但本發明不以此為限,中心點C1亦可視為虛擬中心,亦即僅是第一區DR1的其中一個位置,非為實際的中心點,而中心點C1是用來做為放射排列的依據位置。
因此,在本實施例的顯示裝置100中,資料驅動電路120與閘極驅動電路130可藉由第一組、第二組資料線DL1、DL2以及第一組、第二組掃描線SL1、SL2的電路佈局方式,以控制在第一區DR1與第二區DR2中的這些第一畫素P1與這些第二畫素P2,而顯示出影像畫面。
請再參照圖1D,在第一區DR1中的這些第一畫素P1,係由同一掃描線(單一條第一組掃描線SL1)以及多條資料線(多條第一組資料線DL1)來驅動。於其他的實施例中,亦可以是同一資料線(單一條第一組資料線)以及多條掃描線(多條第一組掃描線)來驅動。並且,於本實施例中,用以控制第一區DR1的第一畫素P1的資料線(第一組資料線DL1)與掃描線(第一組掃描線SL1)不同於用以控制第二區DR2的第二畫素P2的資料線(第二組資料線DL2)與掃描線(第二組掃描線SL2),即,這些第一畫素P1與這些第二畫素P2不共用資料線與掃描線,藉由這樣的電路設計可以實現獨立驅動位於不同區域(第一區DR1或第二區DR2)畫面的優點。於其他的實施例中,第一組掃描線SL1與第一組資料線DL1亦可以電性連接至少部分位於第二區DR的第二畫素P2,即這些第一畫素P1與這些第二畫素P2共用資料線與掃描線,本發明並不以此為限。
接著,再介紹各畫素P的具體架構。
於本實施例中,設置於第一區DR1的第一畫素P1的架構不同於設置於第二區DR2的第二畫素P2的架構。於以下的段落中會先說明第一畫素P1與第二畫素P2的不同之處。
請參照圖1D與圖1E,第一畫素P1包括多個第一子畫素(Sub-pixel)SP1(以三個為例)及穿透區TR。第二畫素P2包括多個第二子畫素SP2(以三個為例)。由於第一畫素P1相較於第二畫素P2更具有一穿透區TR,因此第一畫素P1的穿透率高於第二畫素P2的穿透率。此外,以大小來看,第一畫素P1的面積大於第二畫素P2的面積。
請參照圖1E,各第一、第二子畫素SP1、SP2包括多個主動元件T(作為開關元件)與多個發光元件E。這些第一子畫素SP1分別包括多個不同發光顏色的發光元件R1、G1、B1,且這些發光元件R1、G1、B1分別電性連接於這些主動元件T1~T3。這些第二子畫素SP2亦分別包括多個不同發光顏色的發光元件R2、G2、B2,且這些發光元件R2、G2、B2分別電性連接於這些主動元件T4~T6。詳言之,於本實施例中,第一子畫素SP1R與第二子畫素SP2R分別包括發光顏色為紅色的紅光發光元件R1、R2。第一子畫素SP1G與第二子畫素SP2G分別包括發光顏色為綠色的綠光發光元件G1、G2。第一子畫素SP1B與第二子畫素SP2B分別包括發光顏色為藍色的藍光發光元件B1、B2。於其他的實施例中,第一、第二子畫素SP1、SP2亦可以依據不同的需求而設置其他不同發光顏色的發光元件,本發明並不以此為限。
請參照圖1F,為了說明基板110的第一畫素P1的具體架構,於此處僅以第一畫素P1中的第一子畫素SP1為範例說明,其他的第二子畫素SP2、第三子畫素SP3以此類推。
第一子畫素SP1R設置於基材SB上,且第一子畫素SP1R包括主動元件T1、紅光發光元件R1、絕緣層I1、I2以及畫素界定層PDL。
於本實施例中,主動元件T1例如是薄膜電晶體(Thin film transistor, TFT),其包括通道層CH、閘極G、源極D與汲極S。通道層CH、閘極G、源極D與汲極S堆疊設置於基材SB上。閘極G電性連接至對應的掃描線SL,且透過掃描線SL而電性連接至閘極驅動電路130。閘極G重疊於通道層CH,且閘極G與通道層CH之間夾有閘絕緣層GI。源極S與汲極D位於通道層CH上,且電性連接至通道層CH。源極S電性連接至對應的資料線DL,且透過對應的資料線DL而電性連接至資料驅動電路120。
主動元件T是以底部閘極型的薄膜電晶體為例,但本發明不以此為限。在其他實施例中,主動元件T也可以是頂部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。
於本實施例中,第一子畫素SP1內設有的發光元件的態樣例如是有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode, OLED)。具體而言,紅光發光元件R1包括發光層EL、電極層A1與電極層A2。發光層EL夾置於電極層A1與電極層A2之間,且電極層A1、A2電性連接,其中電極層A1例如是作為陰極(Cathode),而電極層A2例如是作為陽極(Anode),但不以此為限。發光層EL的材料例如是有機發光材料,且例如是可被電致發光之後而發出紅光的有機發光材料。
絕緣層I1、I2設置於紅光發光元件R1與主動元件T1之間。一填有導電材料的導通孔貫穿絕緣層I1、I2,導通孔的一端連接於電極層A2,而另一端連接於電極層A1。
畫素界定層PDL亦可稱為畫素定義層,其覆蓋第一子畫素SP1R的主動元件T1且露出第一子畫素SP1R製作發光層EL的區域。並且,畫素界定層PDL更用以將位於其他第一子畫素SP1中的發光層隔開。
此外,在第一子畫素SP1旁設有穿透區TR。於本實施例中,穿透區TR內設有透光材料,其例如是空氣或玻璃,但不以此為限。並且,於圖1F中,穿透區TR設有基材SB,而未設有其他層。於其他的實施例中,亦可以依照製程需求而選擇性地設置一至多層絕緣層或發光層等。應注意的是,穿透區TR不設有使透光度降低的層,舉例來說,穿透區TR不設有金屬層(例如是有機發光二極體的陰極)。具體而言,於圖1F之實施例中,各層別,如絕緣層、發光層、金屬層..等,皆在穿透區TR形成一開口,進而增加穿透區TR的穿透率(對比於其他區域),但本發明不以此為限,於其他變形例中,部分絕緣層依然設置在穿透區TR,而發光層與金屬層則形成開口於穿透區TR,使得在穿透區TR包含基板SB與絕緣層(如閘絕緣層GI、絕緣層I1或絕緣層I2..等)。
至此,第一子畫素SP1R與穿透區TR的架構大致說明完畢。第一子畫素SP1G、第一子畫素SP1B的架構以此類推,其差異在於:其對應設置的發光層EL選用的材料為可被電致發光之後而發出綠光與藍光的有機發光材料。
基板110的第二畫素P2中的第二子畫素SP2R類似於第一子畫素SP1R的架構,其差異在於:第二子畫素SP2R內不設有穿透區TR,因此不再贅述。而第二子畫素SP2G、SP2B亦類似於第二子畫素SP2R的架構,其差異在於:其對應設置的發光層EL選用的材料為可被電致發光之後而發出綠光與藍光的有機發光材料。
此外,於上述的實施例中,發光元件的態樣以有機發光二極體作為範例,但本發明並不以此為限。於其他的實施例中,也可以將發光元件的態樣更換為次毫米發光二極體(Mini LED)或微型發光二極體(Micro LED),其中次毫米發光二極體的尺寸大小例如是落在100微米至200微米的範圍內,而微型發光二極體的尺寸大小例如是微米等級的大小,其尺寸例如是小於100微米且大於0微米的範圍內,本發明並不以此為限。上述的發光二極體尺寸大小例如是由發光二極體的上視圖的對角線的長度來定義為其尺寸的大小,本發明並不以此為限。
接著,再介紹各畫素P(第一畫素P1、第二畫素P2)內的電路佈局方式。
請先參照圖1D,以第一畫素P1x作為說明電路佈局的範例。請參照對應的圖1E,第一組資料線DL1進入到第一畫素P1x之前會先分為三個子資料線,以分別電性連接於主動元件T1~T3。而第一組掃描線SL1電性連接於主動元件T1~T3。
類似地,第二畫素P2的電路佈局方式類似於第一畫素P1內的電路佈局方式,於此不再贅述,其差異在於:所用的是第二組掃描線SL2與第二組資料線DL2。
應注意的是,上述的電路佈局方式,只是一種示例性地電路佈局方式。於其他的實施例中,亦可依據不同的畫素排列方式來設計不同的電路佈局,只要是能夠使這些第一畫素P1與這些第二畫素P2順利地被這些資料線DL以及這些掃描線SL電性連接的佈局方式,係皆落入本發明的範圍內,本發明並不以上述的示例的電路佈局為限。
最後,介紹這些第一畫素P1與相機模組140a之間的配置關係。
請參照圖1B與圖1D,於本實施例中,相機模組140a可設置於顯示裝置100的背側BS,且對應設置於基板110位於第一區DR1的背面上。在本實施例中,顯示裝置100藉由設置在顯示區DR中的第一區DR1的這些第一畫素P1以環狀排列方式排列,因此第一區DR1的穿透度相較於第二區DR2的穿透度高。若顯示裝置100中的相機模組140a對應設置於此第一區DR1,且設置於背側BS,則相機模組140a能夠對應攝入外界光束而感測到影像。同時,顯示裝置100亦可控制位於第一區DR1的這些第一畫素P1與位於第二區DR2的這些第二畫素P2一起顯示影像畫面。因此,本實施例的顯示裝置100能夠實現高屏占比設計。
進一步來說,在本實施例中,相機模組140a與這些第一畫素P1的排列方式具有對應關係。請參照圖1B與圖1D,舉例而言,相機模組140a其於基板110上的正投影OP的中心點C2與這些呈環狀排列的第一畫素P1的中心點C1重疊。如此一來,則可藉由呈環狀排列的畫素排列方式,進一步地提升位於基板110後端相機模組140a的光學擷取品質。
於其他的實施範例中,相機模組140a亦可以替換成具有其他功能的功能模組,本發明並不以此為限。
在此必須說明的是,以下的實施例沿用上述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。
圖2至圖5為在圖1A中的區域B的不同實施例的放大示意圖。應注意的是,於圖2至圖4中省略示出資料線、掃描線,以求圖式清楚。
請參照圖2,圖1A與圖1B中的顯示裝置100中的這些第一畫素P1於第一區R1的排列方式可以不同於圖1D的排列方式,圖2示出了一種可能的排列方式,其與圖1D的主要差異在於:於圖2中,這些第一畫素P1以中心點C1為中心排列成多個同心圓CC,且由中心點C1沿著徑向向外依序例如是排列成三個同心圓CC1、CC2、CC3。
請參照圖3,圖1A與圖1B中的顯示裝置100中的這些第一畫素P1於第一區R1的排列方式可以不同於圖1D與圖2的排列方式,圖3示出了另一種可能的排列方式,其圖3與圖2與圖1D的主要差異在於:於圖3中,這些第一畫素P1以中心點C1為中心排列成多個同心圓CC’,且由中心點C1沿著徑向向外依序例如式排列成三個同心圓CC1’、CC2’、CC3’。並且,每一個同心圓CC’中的二相鄰的第一畫素P1具有間距D。同心圓CC1’、CC2’、CC3’分別具有間距DS1、DS2、DS3。這些間距DS1、DS2、DS3由中心點C1沿徑向向外遞增。
由另一觀點觀之,於圖3中的每一個同心圓CC’分別具有不同的畫素數量線密度,且這些同心圓CC’分別具有的畫素數量線密度由中心點C1沿徑向向外遞減,其中畫素數量線密度被定義為同心圓CC’所使用的畫素數量除以同心圓CC’的圓周長(即每一個同心圓CC’所使用的第一畫素P1的數量/對應的同心圓CC’的圓周長)。
請參照圖4,圖4的畫素排列方式大致上類似於圖1D的畫素排列方式,其主要差異在於:於圖4中,這些畫素P更包括多個補償畫素SP。這些補償畫素SP設置於第一區R1中,且這些補償畫素SP於第一區R1中所占有的區域不重疊於這些第一畫素P1於第一區R1中所占有的區域。換句話說,多個補償畫素SP係位於多個第一畫素P1與多個第二畫素P2之間,因此,藉由這樣的設置,第一區R1所顯示的影像畫面的影像解析度可以更為提升。補償畫素SP的結構類似於第一畫素P1的結構,於此不再贅述。
請參照圖5,圖5的畫素排列方式大致上類似於圖1D的畫素排列方式,其主要差異在於電路的佈局方式:於圖5中,這些第一畫素P1內不設有主動元件T,而是設置於這些第一畫素P1之外。以沿著方向D4設置且位於左上角落的這些第一畫素為說明。第一組資料線DL1與第一組掃描線SL1電性連接於主動元件T後,再以走線分別電性連接至位於左上角落的這些第一畫素。於本實施例中,藉由上述的設置,可更增加第一區DR1的穿透度。因此,當將功能模組140(如相機模組、光檢測模組..等)應用於具有如圖5所示電路佈局方式之顯示裝置時,更可提高其收光量與檢測效能。
綜上所述,在本發明的實施例的顯示裝置中,顯示區的第一區中設置有以環狀排列的第一畫素,可供所需的功能模組對應設置,而使功能設計上可以更具有調整的靈活度。並且,顯示裝置除了執行功能模組的功能外,更能夠搭配控制位於第一區的多個第一畫素以及位於第二區的多個第二畫素一起顯示畫面,以同時實現顯示畫面以及執行功能模組的功能,具有高屏占比以及多功應用的優勢。
舉例來說,上述的功能模組可以是相機模組,且相機模組設置於顯示裝置的背側且對應設置於第一區。據此,顯示裝置除了可以顯示畫面之外,更能夠藉由第一區的高透光度而實現相機模組的攝像功能。進一步來說,相機模組可搭配這些第一畫素的環狀排列方式,以提升光學擷取品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:顯示裝置 110:基板 120:資料驅動電路 130:閘極驅動電路 140:功能模組 140a:相機模組 A、B:區域 A1、A2:電極層 B1、B2:藍光發光元件 BS:背側 BR:邊框區 C1、C2:中心點 CH:通道層 CC、CC1~CC3、CC’、CC1’~CC3’:同心圓 D:源極 D1~D4:方向 DS、DS1~DS3:間距 DL:資料線 DL1:第一組資料線 DL2:第二組資料線 DS:顯示側 DR:顯示區 DR1:第一區 DR2:第二區 E:發光元件 EL:發光層 G:閘極 G1、G2:綠光發光元件 GI:閘絕緣層 IS:影像感測器 Len:成像模組 NDR:非顯示區 O:導通孔 P:畫素 P1、P1’、P1x、P1y、P1z、P1w、P1x’、P1y’、P1z’、P1w’:第一畫素 P2:第二畫素 PDL:畫素界定層 R1、R2:紅光發光元件 S:源極 SB:基材 SP:補償畫素 SL、SL21、SL22:掃描線 SL1:第一組掃描線 SL2:第二組掃描線 SP1、SP1R、SP1G、SP1B:第一子畫素 SP2、SP2R、SP2G、SP2B:第二子畫素 T、T1~T6:主動元件 TR:穿透區
圖1A為本發明實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。 圖1B為圖1A中剖線I-I’的剖面示意圖。 圖1C為在圖1A中的區域A的放大示意圖。 圖1D為在圖1A中的區域B的放大示意圖。 圖1E為圖1D中的第一畫素與第二畫素的簡要上視示意圖。 圖1F為圖1D中的第一畫素與第二畫素的剖面圖。 圖2至圖5為在圖1A中的區域B的不同實施例的放大示意圖。
D1~D4:方向 DL1:第一組資料線 DL2:第二組資料線 DR:顯示區 DR1:第一區 DR2:第二區 P:畫素 P1、P1x、P1y、P1z、P1w:第一畫素 P2:第二畫素 SL:掃描線 SL1:第一組掃描線 SL2:第二組掃描線 SP1R、SP1G、SP1B:第一子畫素 SP2R、SP2G、SP2B:第二子畫素 TR:穿透區
Claims (7)
- 一種顯示裝置,該顯示裝置的一顯示區包括一第一區及一第二區,且該顯示裝置包括:一基板,包括:多個第一畫素,設置於該第一區中,且以該第一區中的一第一中心點呈環狀排列;多個第二畫素,設置於該第二區中;一閘極驅動電路,設置該基板;以及一資料驅動電路,設置該基板;多條資料線,包括多條第一組資料線與多條第二組第二資料線,其中,各該第一組資料線電性連接該資料驅動電路與對應的至少一該第一畫素,且各該第二組資料線則電性連接該資料驅動電路與對應的一該第二畫素;以及多條掃描線,包括多條第一組掃描線與多條第二組掃描線,其中,各該第一組掃描線電性連接對應的至少一該第一畫素與該閘極驅動電路,而該第二組掃描線電性連接對應的一該第二畫素與該閘級驅動電路;以及一功能模組,對應設置於該第一區,且該功能模組於該基板之一正投影與該第一中心點重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中,在該第一區中,該些第一畫素以該第一中心點為中心向外呈輻射狀排列。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中,在該第一區中,該些第一畫素以該第一中心點為中心排列成多個同心圓。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,其中各該同心圓中的二相鄰的第一畫素之間具有一間距,且該些同心圓具有的該些間距由該第一中心點沿徑向向外遞增。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中在該第二區中,該些第二畫素以矩陣的方式排列。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些畫素更包括多個補償畫素,該些補償畫素位於該第一區中,且該些補償畫素於該第一區中所占有的區域不重疊於該些第一畫素於該第一區中所占有的區域。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該正投影具有一第二中心點,且該第二中心點重疊於該第一中心點。
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