TWI689122B - 遮罩 - Google Patents

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TWI689122B
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Abstract

本揭露係關於一種遮罩。該遮罩經設計用於圖案化一表面上的有機發光材料。該遮罩包含一基板，該基板具有一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面相對。該遮罩另包含複數個孔洞延伸穿過該基板，具有不大於150um的一間隔，並且每一孔洞於該第一表面具有一第一出口以及於該第二表面具有一第二出口。至少一該複數個孔洞具有一最小尺寸，該最小尺寸不大於約15um。

Description

遮罩
本揭露係關於一種遮罩，特別係關於一種用於圖案化有機發光材料的遮罩及其製造方法。
近年來，平板顯示器越來越受歡迎，並且從口袋尺寸電子裝置(例如行動電話)至壁掛式大螢屏電視皆廣泛採用平板顯示器。如同積體電路(Integrated Circuit，IC)對於電晶體密度需求增加，顯示器的解析度需求亦已經提高。顯示器的解析度高度取決於位於顯示器中之發光單元的密度，這已經縮小了製造商的製程窗口(process window)。再者，近來趨勢轉移至可撓式顯示器，亦造成越來越多製造商對於發光單元選擇由固態發光單元轉變為有機型式發光材料。鑑於上述情況，顯示器製造商不但正在面臨更多的障礙，同時努力趕上市場的變化。
本揭露的一些實施例提供一種遮罩，該遮罩經設計用於圖案化一表面上的有機發光材料。該遮罩包含一基板，該基板具有一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面相對。該遮罩另包含複數個孔洞延伸穿過該基板，具有不大於150um的一間隔，並且每一孔洞於該第一表面具有一第一出口以及於該第二表面具有一第二出口。至少一該複數個孔洞具 有一最小尺寸，該最小尺寸不大於約15um。
在一些實施例中，該基板至少包含Ni或Fe，以及在一些實施例中，該基板係一堆疊結構，具有至少一聚合物層與一金屬層位於其上。
在一些實施例中，該堆疊結構係一三明治結構，並且該聚合物層係位於該金屬層與另一金屬層之間。在一些實施例中，第一出口的尺寸大於該第二出口的尺寸。在一些實施例中，該第一出口的該尺寸係比該第二出口的該尺寸大約1.5至2倍。在一些實施例中，該基板內的該間隔的一偏差係不大於10%。在一些實施例中，該基板的一Ni濃度為約5%與約50%之間。
本揭露的一些實施例提供一種用於圖案化有機發光材料的遮罩，該遮罩包含一基板以及位於該可延伸基質上的一堆疊結構，該基板具有一可延伸基質。該遮罩具有複數個孔洞延伸穿過該可延伸基質，其中該複數個孔洞的一部分的一間隔係不大於約150um。
在一些實施例中，該堆疊結構係配置為一網格圖案。在一些實施例中，該網格圖案具有複數個網格，並且每一單元網格環繞至少兩個貫穿孔洞。在一些實施例中，該堆疊結構具有一熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)不大於該基質的CTE。在一些實施例中，該堆疊結構具有一Ni-Fe合金。在一些實施例中，該Ni-Fe合金的一Ni濃度係自約5%至約50%。
本揭露的一些實施例提供一種遮罩的型成方法，包含提供一聚合物基板，以及配置一金屬層於該聚合物基板上以形成一複合結構。該方法另包含在該複合結構中形成一陣列的貫穿孔洞，其中該陣列的貫穿孔洞具有一間隔，該間隔不大於約150um。
在一些實施例中，該形成方法包含處理該聚合物基質的一表面，其中該表面經配置以接收該金屬層。在一些實施例中，藉由一雷射源，進行在該複合結構中形成一陣列的貫穿孔洞。在一些實施例中，該金屬層係配置為一網格。在一些實施例中，該形成方法包含在形成該陣列的貫穿孔洞之前，擴張該聚合物基板。在一些實施例中，該形成方法包含形成一光阻於該聚合物基板上方。
13:第一基板
14:發光層
14a:發光組件
14b:發光組件
15:第二基板
55:遮罩
100:基板
102:表面
105:孔洞
105a:孔洞
105b:孔洞
105e:出口
105f:出口
120:層
120a:部分
125:光阻層
126:開口
135:材料
135a:柱狀物/台面(mesa)
220:光束
300:光源
302:透鏡
305:光發射器
306:分光器
400:基板
400a:第一表面
400b:第二表面
405:台面
701:層
702:層
703:層
704:層
d:距離
D1:寬度
D2:寬度
h:高度
k:寬度
P:間隔
P’:間隔
S:尺寸
t:間隔
W:寬度
w:最小尺寸
w1:第一尺寸
w2:第二尺寸
圖1A與圖1B例示本揭露實施例的發光元件。
圖2A至2C例示本揭露實施例之發光元件的製造。
圖3A至3I係說明製造裝置(apparatus)的方法。
圖4為金屬層之結晶結構的SEM照片。
圖5A至5C例示本揭露實施例的裝置。
圖6說明製造裝置的方法。
圖7A至7B例示本揭露實施例的裝置。
圖8至圖10說明製造裝置的方法。
圖11例示本揭露實施例的裝置。
圖12至13例示本揭露實施例的裝置。
圖14例示本揭露實施例之裝置的貫穿孔(through hole)。
圖15說明雷射光束來源。
圖16例示本揭露實施例之發光元件的製造。
本揭露提供一種高密度(high density，HD)發光顯示器的製造方法。在本揭露中，「高密度」一詞係定義為發光像素密度為至少等於或大於 800ppi。然而，該方法亦可應用於具有像素密度低於800ppi的發光顯示器。
本揭露亦提供用以製造高密度發光顯示器的裝置。在一些實施例中，該裝置為用於圖案化操作的遮罩。再者，本揭露亦提供該裝置的製造方法。
一種發光顯示器可包含至少一發光面板，其夾置於陽極與陰極之間。在一些實施例中，當形成發光面板時，圖1A與1B說明製造發光元件的一些例示性操作步驟。
在圖1A中，提供一第一基板13，並且一發光層14位於該基板13上。在一些實施例中，第一基板13可為堆疊結構，並且包含一些不同材料。在一些實施例中，第一基板13包含氧化物層。在一些實施例中，第一基板13包含氮化物層。在一些實施例中，第一基板13包含電極結構，該電極結構經配置以提供電流至發光層14。在一些實施例中，第一基板13包含與發光層14相鄰的一電子運輸層(electron transportation layer，ETL)。在一些實施例中，第一基板13包含與發光層14相鄰的一電洞運輸層(hole transportation layer，HTL)。
發光層14可包含有機發光材料。發光層14可包含複數個發光組件(light emitting element)，該等發光組件彼此相鄰且位於基板13上。在一些實施例中，可使用填充材料填充相鄰發光組件之間的間隙。
在圖1B中，第二基板15位於發光層14與基板13上方。在一些實施例中，第二基板15可為堆疊結構並且包含一些不同材料。在一些實施例中，第二基板15包含氧化物層。在一些實施例中，第二基板15包含氮化物層。在一些實施例中，第二基板15包含電極結構，經配置以提供電流至發 光層14。在一些實施例中，第二基板15包含電子運輸層(ETL)與發光層14相鄰。在一些實施例中，第二基板15包含電洞運輸層(HTL)與發光層14相鄰。
遮罩55位於第一基板13上方。第一基板13的頂表面與遮罩55之間可有間隙。有一些孔洞105延伸穿過遮罩55的基板。遮罩55的基板可包含一些不同層，該等不同層係經由接合、黏著或任何合適的製程所層積的。
在圖2B中，有機發光材料140穿過遮罩55中的孔洞105。在一些實施例中，發光元件所需要的發光材料可有不只一種型式或一種顏色。可重複圖2B所示的次步驟(sub-step)。另一遮罩具有與遮罩55不同的圖案可用於不型式的發光材料。
圖案化有機發光層可以陣列形式配置，如圖2C所示，其中一些發光組件位於基板13上。相鄰的發光組件，例如14a與14b，可經配置以發出不同波長的光。在一些實施例中，14a可為發綠光凸塊(bump)，以及14b可為發紅光組件。相鄰發光組件之間間隔的尺寸S可為約5um與約25um之間。
發光組件的寬度k可為約5um與約10um之間，發光組件的高度h可為約1um與約3um之間。
圖3A至圖3I例示本揭露實施例製造如圖2A與2B所示之遮罩的方法。遮罩係用以形成具有高發光像素密度的發光層。在一些實施例中，遮罩可形成密度至少800dpi的發光面板。
提供基板100，如圖3A所示。在一些實施例中，基板100包含可延伸基質，亦即基板100可在外力下有一定程度的變形。在一些實施例中，基板100的基質實質由聚合材料形成。
接著，處理基板100的表面102，如圖3B所示。處理表面102的目的之一係活化表面102。在一些實施例中，表面102為經設計用於異質接合(heterogeneous bonding)之基板100的表面。
在一些實施例中，基板100係選自於聚亞醯胺。可選擇包含金屬或陶瓷的材料層配置於其上。為了增進表面102與待配置之材料之間的附著，處理聚亞醯胺表面102以促進附著。該處理包含使用包含化學濕式製程、光接枝(photografting)、離子束、電漿與濺鍍製程中的任一者。在處理之後，可增加表面102的條件，例如粗糙度、(density of dangling bond)。
圖3C說明採用濕式製程的一些例示處理操作。左側為基板的例示化學式。初始以鹼處理基板100的表面102，以提供對應的聚酰胺鉀(potassium polyamide)。用以處理基板100之表面102的鹼包含KOH、NaOH、Ba(OH)2、Ca(OH)2、及其組合，但不以此為限。在一實施例中，該鹼較佳為KOH。以水沖洗移除多餘的鹼。在一些例子中，另以酸處理基板100的表面102。用以處理基板100之表面102的酸可包含HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、HBr、HI、及其組合，但不以此為限。在一實施例中，酸為HCl。在鹼或酸處理之後，基板100之表面102可進一步於真空下乾燥。基板100之修飾的表面102為聚醯胺酸(polyamic acid)。
在處理基板100的表面102之後，層120配置於基板100經處理的表面102上，如圖3D所示。在一些實施例中，層120為金屬膜(metallic film)。在一些實施例中，層120為Pt(鉑)。用以產生金屬基層的材料可包含鈀、銠、鉑、銥、鋨、金、鎳、鐵、及其組合，但不以此為限。
在一些實施例中，層120的厚度為約10nm與約200nm之間。在一些實施例中，層120的厚度約為基板100之厚度的15%(或更低)。
可經由各種方法，包含化學浸泡(chemical immersion)、電子束(E-beam)、氣相沉積、原子層沉積(atom layer deposition，ALD)等，配置層120於經處理的表面102上。形成鉑金屬基層的一範例係使用化學浸泡。將處理的表面102泡在鉑溶液中。在基板100的修飾表面102上形成鉑金屬基層102之後，將此基板100自鉑溶液移開。
圖3D說明位於基板100上的成品層(finished layer)120。層120可作為晶種層。在形成層120之後，將層120圖案化。
在圖案化操作之後，光阻層125位於層120上方，如圖3E所示。由剖面方向視之，光阻層125圖案化如圖3F所示，以形成一些光阻(photoresist，PR)凸塊於層120上方。一些PR凸塊的寬度W為約5um與50um之間。相鄰的PR凸塊之間存在開口126，以經由開口126局部暴露層120。開口126的尺寸S為約5um與100um之間。尺寸S係自PR凸塊的側壁量測至與其相鄰之另一PR凸塊的對面側壁(facing surface)。在一些實施例中，PR凸塊的側壁並非直的垂直表面，並且可具有正或負斜率以及該側壁與該對面側壁之間的最短距離。在一些實施例中，尺寸S係以顯微鏡由俯視方向量測。再者，相鄰PR凸塊之間的最短距離仍用以定義尺寸S。
在圖3G中，以材料135填充圖3F中的開口126。在一些實施例中，材料135以電鍍(electroplating，EP)填充於開口中。材料135具有熱膨脹係數(CTE)，在本揭露中定義為CTE135。
其中，基板的CTEsubstrate與材料135之CTE135的比率為α。
α=CTE135/CTEsubstrate
在一些實施例中，α為約0.05與1之間。在一些實施例中，α為約0.01與0.05之間。在一些實施例中，α為約0.05與0.08之間。在一些實施例 中，α為約0.01與0.05之間。在一些實施例中，α為約0.05與0.1之間。在一些實施例中，α為約0.1與0.3之間。在一些實施例中，α為約0.3與0.5之間。在一些實施例中，α為約0.5與0.7之間。在一些實施例中，α為約0.7與1.0之間。
材料135具有彈性係數Y135。基板100之彈性係數Ysub與材料135之彈性係數Y135之間的比率為β。
β=Y135/Ysubstrate
在一些實施例中，β大於1。在一些實施例中，β為約1.05與約1.5之間。在一些實施例中，β為約1.5與約1.75之間。在一些實施例中，β為約1.75與約2.0之間。在一些實施例中，β為約2.0與約2.25之間。在一些實施例中，β為約2.25與約5.0之間。在一些實施例中，β為約5.0與約10.0之間。在一些實施例中，β為約10.0與約20.0之間。在一些實施例中，β為約20.0與約25.0之間。
材料135可包含金屬元素，例如Ni、Fe等。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約5%與約50%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約5%與約10%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約10%與約15%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約15%與約25%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約25%與約35%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約35%與約37%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約37%與約45%之間。在一些實施例中，Ni的重量百分比為約45%與約50%之間。
在一實施例中，材料135可為Ni-Fe合金，具有如圖4所示之結晶結構。Ni-Fe合金為柱狀結構，包含正方形、圓形、星形、橢圓形等的顆 粒，但不以此為限。Ni-Fe合金的顆粒尺寸為約1um與20um之間。
以材料135(局部或完全)填充開口之後，移除光阻125並且留下一些柱狀物/台面(mesa)135a於層120與基板100上方，如圖3H所示。圖3H中的柱狀物/台面135a可具有間隔P，該間隔P為約10um與約20um之間。在一些實施例中，間隔P為約20um與約30um之間。在一些實施例中，間隔P為約30um與約40um之間。在一些實施例中，間隔P為約40um與約50um之間。在一些實施例中，間隔P為約50um與約150um之間。間隔P係自柱狀物/台面135a的中心線量測至另一相鄰柱狀物/台面135a的中心線。
在一些實施例中，在基板100內，間隔P的偏差(σ)不大於約5%。在一些實施例中，間隔P的偏差不大於約3%。在一些實施例中，間隔P的偏差不大於約2%。在一些實施例中，間隔P的偏差不大於約1%。
在一些其他的實施例中，亦局部移除層120，如圖3I所示。保留一部分的層120(標示為120a)，其位於柱狀物/台面135a下方。在一些情況下，可藉由SEM(二次電子顯微鏡(Secondary Electronic Microscope))辨識部分120a的厚度與輪廓，並且可經由分析(例如X射線繞射)偵測部分120a的組成。剩餘的部分120a可至少包含Pt(鉑)、Au、Ag、Cu、或其他合適的材料。
圖5A至5C為圖3C的一些實施例之示意圖。在圖5A中，堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a為以陣列形式配置於基板100上之獨立凸塊。在圖5B中，堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a經圖案化成為基板100上的一些分隔條狀物。在圖5C中，堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a經圖案化成為基板100上的網格邊界。
在一些實施例中，可施力(兩側的箭號)於基板100上，以增加間隔P 的尺寸。如圖6所示，基板100在拉伸應力之下擴張(expanded)元件隔由P增加為P’。圖5A或圖5B中的間隔比圖3H或圖3I的間隔P大10%或更多。在一些實施例中，圖5A或圖5B中的間隔比間隔P大15%或更多。在一些實施例中，圖5A或圖5B中的間隔比間隔P大20%或更多。在一些實施例中，圖5A或圖5B中的間隔比間隔P大25%或更多。當間隔P’達到預定值時，可在基板100周圍配置箝具(clamp)，以保持基板100的變形並且將P’維持為預定值。
由於堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a的彈性係數大於基板100的彈性係數，因而堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a防止基板100沿著非圖6所示施力方向之方向變形。堆疊的柱狀物/台面與部分層135a/120a亦有助於如同框架般支持基板100，以便於後續操作。
在一些實施例中，可由一基板製備遮罩55，如圖7A所示。在圖7A中，基板包含至少兩個不同的層(701或702，以及703)堆疊在一起。在一些實施例中，層701與702皆由金屬製成。在一些實施例中，層701與702分別包含鎳。在一些實施例中，層703為聚合層，例如聚亞醯胺。在一些實施例中，層703的CTE約比層701或層702的CTE大1.2倍至約7倍。
在一些實施例中，可由基板製備遮罩55，如圖7B所示。在圖7B中，基板為單層704。在一些實施例中，層704由金屬製成。在一些實施例中，層704包含鎳。
圖8說明經設計以於基板100中鑽貫穿孔洞的操作。在本實施例中，每一單元網格具有一貫穿孔洞105。光源300用以發出多重雷射光束220，其具有不大於500nm的波長，用以鑽孔洞105。在一實施例中，KrF雷射係作為光束220以形成貫穿孔洞104。光源300可包含單一光束或是多重光 束，圖8所示。多重光束鑽孔可一次照射在數個單元網格中形成每一個單元網格有一孔洞，如圖8所示。光源300亦可移動至不同的列或行，如圖9所示。多重光束鑽孔可有助於改良生產量。
光源300亦可偏移一距離d，如圖10所示，以於第二次照射期間在相同單元網格中鑽另一孔洞。在一些實施例中，單元網格可包含超過一個貫穿孔洞。
圖11係一照片，由俯視方向顯示遮罩55的一部分。有一些孔洞105配置為一陣列。層701為金屬膜，以下為聚合物層，兩者結合為一複合結構。第一尺寸(first dimension)w1為13.7um。第二尺寸(second dimension)w2為12.1um。此二尺寸皆係以顯微鏡量測。在此情況下，孔洞105的最小尺寸係定義為12.1um。若孔洞105為圓形，則最小尺寸為由俯視方向量測的孔洞之直徑。對於一些其他形狀，最小尺寸可為由俯視方向量測的最小對角線。
將圖10所示之基板鑽孔形成遮罩的剖面圖係如圖12所示。由剖面觀之，相鄰堆疊135a/120a分隔且具有間隔P’。有兩個貫穿孔洞105a與105b位於兩個堆疊135a/120a(其亦為單元網格)之間。間隔t定義為自孔洞105a之中心線量測至孔洞105b之中心線的距離，間隔t小於P’。在一些實施例中，間隔t亦實質等於圖10中的距離d。在一些實施例中，間隔t為約7um與約15um之間。
由剖面觀之，貫穿孔洞105具有最小尺寸w。如圖13所示，最小尺寸w係自孔洞105的一內部側壁量測至對面的內部側壁。
在一些實施例中，貫穿孔洞105可具有不大於約20um的最小尺寸。在一些實施例中，貫穿孔洞的最小尺寸不大於15um。
除了最小尺寸之外，亦可控制孔洞的最大尺寸。關於如圖11的情況，第二尺寸w2可定義為最大尺寸。對於圓形，直徑亦為最大尺寸。在一些實施例中，孔洞105的最大尺寸不大於20um。
在一些實施例中，貫穿孔洞兩端的尺寸可不相同。如圖14所示，孔洞105係貫穿基板400。基板400具有第一表面400a與第二表面400b，第二表面400b係與第一表面400a相對。孔洞105具有兩個出口105e與105f。出口105e具有寬度D1，其大於出口105f的寬度D2。在一些實施例中，D1約為D2的1.5至2倍。在一些實施例中，出口105e經配置而比出口105f更遠離圖2B所示之基板13，同時配置有機發光材料於基板13上。在一些實施例中，貫穿孔洞105的至少一出口具有圓角。如前述實施例，基板400可具有多層。
多重光束光源300的一範例係如圖15所示。如圖15所示，光源300可包含光發射器305以發出單光束。單光束之波長可小於約300nm。在一些實施例中，該波長為約150nm與約400nm之間。
該單光束經分光器(splitter)306轉移(diverted)成為數個光束(以三個光束為例)。自分光器306發出的光束方向可依照分光器306之設計而變化。在圖15中，來自光發射器305的光束進入分光器306。分光器306產生三個不同光束，包含依循進入光束之原方向的一光束以及垂直於該進入光束的其他兩光束。
光學組件(例如透鏡302)係位於自分光鏡306發射的一些光束之移動路徑上並且用以改變自分光鏡306發射的光束之方向。最後，可形成一些平行光束220，以於遮罩上鑽孔洞。
在一些實施例中，圖16的遮罩係位於基板400上方。基板400之另一 側上的發光材料可穿過孔洞105a與105b，而後到達基板的頂表面並且形成台面(mesa)405。為了依循遮罩的孔洞圖案，可形成數個台面405的陣列或是任何期望的圖案。
在一些實施例中，台面(mesa)405可發光。在一些實施例中，台面405包含有機發光材料。在一些實施例中，相鄰台面405之間隔不大於約6um。
前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本揭露作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施例具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露揭示內容的精神與範圍，並且熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本揭露之精神與範圍。
10:發光元件
13:第一基板
14:發光層

Claims (20)

  1. 一種用於圖案化有機發光材料的遮罩，包括：一基板，包含一基質及一堆疊結構，該基質具有一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面相對，該堆疊結構設置於該基質的第一表面；以及複數個孔洞，延伸穿過該基板，具有不大於150um的一間隔，以及每一個孔洞於該第一表面具有一第一出口以及於該第二表面具有一第二出口，其中該複數個孔洞至少其中之一具有不大於約15um的一最小尺寸；其中該基質之彈性係數與該堆疊結構之彈性係數之間的比率為1.05與25之間。
  2. 如請求項1所述之遮罩，其中該基板至少包含Ni或Fe。
  3. 如請求項1所述之遮罩，其中該基板具有至少一聚合物層與一金屬層堆疊於其上。
  4. 如請求項3所述之遮罩，其中該堆疊結構係一三明治結構，並且該聚合物層係位於該金屬層與另一金屬層之間。
  5. 如請求項1所述之遮罩，其中該第一出口的尺寸大於該第二出口的尺寸。
  6. 如請求項5所述之遮罩，其中該第一出口的該尺寸係比該第二出口的該尺寸大約1.5至2倍。
  7. 如請求項1所述之遮罩，其中該基板內的該間隔的一偏差係不大於10%。
  8. 如請求項1所述之遮罩，其中該基板的一Ni濃度為約5%與約50%之間。
  9. 一種用於圖案化有機發光材料的遮罩，包括：一基板，包含一可延伸基質以及位於該可延伸基質上的一堆疊結構，其中該可延伸基質之彈性係數與該堆疊結構之彈性係數之間的比率為1.05與25之間；以及複數個孔洞，延伸穿過該可延伸基質，其中該複數個孔洞的一部分的一間隔係不大於約150um。
  10. 如請求項9所述之遮罩，其中該堆疊結構係配置為一網格圖案。
  11. 如請求項10所述之遮罩，其中該網格圖案具有複數個單元網格，並且每一單元網格環繞至少兩個孔洞。
  12. 如請求項9所述之遮罩，其中該堆疊結構具有一熱膨脹係數，其不大於該基板的熱膨脹係數。
  13. 如請求項9所述之遮罩，其中該堆疊結構具有一Ni-Fe合金。
  14. 如請求項13所述之遮罩，其中該Ni-Fe合金的一Ni濃度係自約5%至約50%。
  15. 一種遮罩的形成方法，包括：提供一聚合物基板；配置一金屬層於該聚合物基板上，以形成一複合結構，其中該基板之彈性係數與該金屬層之彈性係數之間的比率為1.05與25之間；以及在該複合結構中形成一陣列的貫穿孔洞，其中該陣列的貫穿孔洞具有不大於約150um的一間隔。
  16. 如請求項15所述之形成方法，另包括處理該聚合物基板的一表面，其中該表面係經配置以接收該金屬層。
  17. 如請求項15所述之形成方法，其中藉由一雷射源，進行在該複合結構中形成該陣列的貫穿孔洞。
  18. 如請求項15所述之形成方法，其中該金屬層係經配置為一網格。
  19. 如請求項15所述之形成方法，另包括在形成該陣列的貫穿孔洞之前，擴張該聚合物基板。
  20. 如請求項15所述之形成方法，另包括形成一光阻於該聚合物基板上 方。
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