JP2002313981A

JP2002313981A - チップ部品の作製方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

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Publication number: JP2002313981A
Application number: JP2001120297A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yanagisawa; 喜行柳澤; Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-18
Filing date: 2001-04-18
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】微細なチップ部品化を可能とし、また、チッ
プ部品へのビアホール形成を簡単なものとする。【解決手段】機能素子を絶縁性物質に埋め込み、絶縁
性物質をダイシングして各機能素子毎に分割してチップ
部品とする。このとき、レーザビームを照射してダイシ
ングを行う。また、レーザビームを照射して機能素子の
電極に対応して絶縁性物質にビアホールを形成する。こ
れらダイシングとビアホール形成を同時に行ってもよ
い。ダイシングやビアホール形成をレーザビームを用い
て行うことにより、微細加工が可能となり、微小チップ
部品にも対応可能となる。また、プロセスも簡便であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ部品の作製
方法に関するものであり、さらには、これを応用し微細
加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方
法および画像表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配列して画像
表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオ
ードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体
のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。例
えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、
素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各
素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて
形成することが通常行われている。

【０００３】一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、Ｌ
ＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤー
ボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により
外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われて
いる。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表
示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピ
ッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。

【０００４】発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。

【０００５】そこで各素子を集積度高く形成し、各素子
を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術が有り、例えば米国特許第5438241号に記載され
る薄膜転写法や、特開平１１-１４２８７８号に記載さ
れる表示用トランジスタアレイパネルの形成方法などの
技術が知られている。米国特許第5438241号では基板上
に密に形成した素子が粗に配置し直される転写方法が開
示されており、接着剤付きの伸縮性基板に素子を転写し
た後、各素子の間隔と位置をモニターしながら伸縮性基
板がＸ方向とＹ方向に伸張される。そして伸張された基
板上の各素子が所要のディスプレイパネル上に転写され
る。また、特開平１１-１４２８７８号に記載される技
術では、第１の基板上の液晶表示部を構成する薄膜トラ
ンジスタが第２の基板上に全体転写され、次にその第２
の基板から選択的に画素ピッチに対応する第３の基板に
転写する技術が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のような転写技術
により画像表示装置を製造する場合、効率的な転写、精
度の良い転写を実現するために、素子をチップ部品化す
ることが好ましい。ここで、素子をチップ部品化するに
は、素子を絶縁性物質（例えば樹脂）に埋め込み、これ
を素子毎に切り出せばよい。また、チップ部品化したと
きには、素子の電極に対応して電気的接続を取るための
ビアホールの形成も必要である。

【０００７】素子が埋め込まれた樹脂をダイシングして
チップ部品として切り出すには、通常は機械的な手段が
考えられる。例えば、ダイシングブレードを回転しなが
ら樹脂に押し当て、剪断力によりこれを切断する方法で
ある。しかしながら、機械的な手段では、いわゆるバリ
が発生し易く、微細加工には向かない。また、機械的加
工では、歪みが発生し、不要な応力が加わる虞れもあ
る。

【０００８】チップ部品に素子の電極に対応したビアホ
ールを形成する場合も同様である。また、ビアホールの
形成方法としては、エッチングなどの手法も考えられる
が、工程が非常に煩雑であり、生産性の点で不利であ
る。特に、異なる材料が多層化されている場合には、エ
ッチャントを変更して複数回のエッチングが必要となる
など、プロセス数が増加し製造コストの増加を招く。

【０００９】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、機能素子に対応して微細なチップ部
品化が可能なチップ部品の作製方法を提供することを目
的とし、さらには、それを応用した素子の配列方法、画
像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、ビアホールを簡単に形成することが可能
なチップ部品の作製方法を提供することを目的とし、さ
らには、それを応用した素子の配列方法、画像表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発
明は、プロセス数を減らし製造コストを低減することが
可能なチップ部品の作製方法、素子の配列方法、画像表
示装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のチップ部品の作製方法は、機能素子を絶
縁性物質に埋め込み、当該絶縁性物質を切断して各機能
素子毎に分割するチップ部品の作製方法において、レー
ザビームを照射して上記絶縁性物質の切断を行うことを
特徴とするものである。また、機能素子を絶縁性物質に
埋め込み、機能素子の電極に対応して絶縁性物質にビア
ホールを形成するチップ部品の作製方法において、レー
ザビームを照射して上記絶縁性物質にビアホールを形成
することを特徴とする。

【００１１】ダイシングにレーザビームを用いること
で、微細機能素子に対応した微細加工が可能であり、微
小チップ部品の切り出しが実現される。このとき、歪み
が発生したり、不要な応力が加わることはない。ビアホ
ール形成も同様であり、レーザビームを用いることで微
細加工が可能である。また、エッチングに比べてプロセ
スが簡便である。特に、ダイシングとビアホール形成を
レーザビームを用いて同時に行えば、プロセス数が大幅
に減り、製造コストの低減が図られる。

【００１２】一方、本発明の素子の配列方法は、第一基
板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する
素子の配列方法において、前記第一基板上に保持された
前記素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイシングによ
り素子毎に分離して樹脂形成チップとする工程と、前記
第一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間した
状態となるように前記樹脂形成チップを第二基板上に転
写する転写工程とを有し、上記ダイシングは、レーザビ
ームを照射することにより行うこと特徴とするものであ
る。

【００１３】また、第一基板上に配列された複数の素子
を第二基板上に再配列する素子の配列方法において、前
記第一基板上に保持された前記素子を樹脂で固めた後、
前記樹脂を用いたダイシングにより素子毎に分離して樹
脂形成チップとする工程と、前記第一基板上で前記素子
が配列された状態よりは離間した状態となるように前記
樹脂形成チップを第二基板上に転写する転写工程とを有
し、レーザビームの照射により上記素子の電極に対応し
て上記樹脂にビアホールを形成することを特徴とするも
のである。上記方法においては、上記チップ部品の作製
方法の利点をそのままに、素子の転写が効率的且つ確実
に行われるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を
円滑に実施することができる。

【００１４】さらに、本発明の画像表示装置の製造方法
は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の
製造方法において、前記第一基板上に保持された前記発
光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイシングにより
発光素子毎に分離して樹脂形成チップとする工程と、前
記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは離
間した状態となるように前記樹脂形成チップを第二基板
上に転写する転写工程とを有し、上記ダイシングは、レ
ーザビームを照射することにより行うこと特徴とするも
のである。

【００１５】また、発光素子をマトリクス状に配置した
画像表示装置の製造方法において、前記第一基板上に保
持された前記発光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂を用
いたダイシングにより発光素子毎に分離して樹脂形成チ
ップとする工程と、前記第一基板上で前記発光素子が配
列された状態よりは離間した状態となるように前記樹脂
形成チップを第二基板上に転写する転写工程とを有し、
レーザビームの照射により上記発光素子の電極に対応し
て上記樹脂にビアホールを形成することを特徴とするも
のである。

【００１６】上記画像表示装置の製造方法によれば、上
記チップ部品の作製方法によりチップ部品化された発光
素子が、上記配列方法によってマトリクス状に配置さ
れ、画像表示部分が構成される。したがって、密な状態
すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された
発光素子を、効率よく離間して再配置することができ、
生産性が大幅に改善される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したチップ部
品の作製方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製
造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
最初に、二段階拡大転写法を例にして、チップ部品の作
製方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法を
説明する。

【００１８】本例では、先ず、高集積度をもって第一基
板上に作成された素子を第一基板上で素子が配列された
状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に
転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子を
さらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写
を行う。なお、本例では転写を２段階としているが、素
子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそ
れ以上の多段階とすることもできる。

【００１９】図１は二段階拡大転写法の基本的な工程を
示す図である。まず、図１の(a)に示す第一基板１０上
に、例えば発光素子のような素子１２を密に形成する。
素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される
素子の数を多くすることができ、製品コストを下げるこ
とができる。第一基板１０は例えば半導体ウエハ、ガラ
ス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチッ
ク基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子
１２は第一基板１０上に直接形成したものであっても良
く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっ
ても良い。

【００２０】次に図１の(b)に示すように、第一基板１
０から各素子１２が図中破線で示す一時保持用部材１１
に転写され、この一時保持用部材１１の上に各素子１２
が保持される。ここで隣接する素子１２は離間され、図
示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２
はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写され
るが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広
げるように転写される。このとき離間される距離は、特
に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や
電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。
一時保持用部材１１上に第一基板１０から転写した際に
第一基板１０上の全部の素子が離間されて転写されるよ
うにすることができる。この場合には、一時保持用部材
１１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数
（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じた
サイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材１１上
に第一基板１０上の一部の素子が離間されて転写される
ようにすることも可能である。

【００２１】このような第一転写工程の後、図１の(c)
に示すように、一時保持用部材１１上に存在する素子１
２は離間されていることから、各素子１２毎に素子周り
の樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周り
の樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転
写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成され
る。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配
線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配
線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成さ
れるものである。なお、図１の(c)には電極パッドは図
示していない。各素子１２の周りを樹脂１３が覆うこと
で樹脂形成チップ１４が形成される。素子１２は平面
上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置するが、一方の
辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。

【００２２】次に、図１の(d)に示すように、第二転写
工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材
１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹脂形成チ
ップ１４ごと更に離間するように第二基板１５上に転写
される。

【００２３】第二転写工程においても、隣接する素子１
２は樹脂形成チップ１４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程のよって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程のよって配置された素子１２のピッチとな
る。ここで第一基板１０から一時保持用部材１１での離
間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材１１か
ら第二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわされる。拡大
率ｎ、ｍはそれぞれ整数であっても良く、整数でなくと
もＥが整数となる組み合わせ（例えばｎ＝2.4でｍ＝5）
であれば良い。

【００２４】第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごと
離間された各素子１２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。

【００２５】図１に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後
に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用
して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従っ
て、画像表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間
の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子
間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、
実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、
ここで第一基板１０、１０ａから一時保持用部材１１、
１１ａでの離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）と
し、一時保持用部材１１、１１ａから第二基板１５での
離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に
一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときで
は、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の
転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要
が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメン
トの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第
二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただ
けの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意
図する場合においては、（ｎ＋ｍ）^２＝ｎ^２＋２ｎｍ＋
ｍ^２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減ら
すことができることになる。従って、製造工程も回数分
だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合
に有益となる。

【００２６】なお、図１に示した二段階拡大転写法にお
いては、素子１２を例えば発光素子としているが、これ
に限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換
素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオー
ド素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、
微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これ
らの組み合わせなどであっても良い。

【００２７】上記転写工程においては、発光ダイオード
は樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上
から第二基板にそれぞれ転写されるが、この樹脂形成チ
ップについて図２及び図３を参照して説明する。

【００２８】樹脂形成チップ２０は、離間して配置され
ている素子２１の周りを樹脂２２で固めたものであり、
このような樹脂形成チップ２０は、一時保持用部材から
第二基板に素子２１を転写する場合に使用できるもので
ある。本発明は、この樹脂形成チップ２０のダイシン
グ、あるいはビアホールの形成に適用されるものである
が、それについては後に詳述する。

【００２９】樹脂形成チップ２０は略平板上でその主た
る面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ２０の
形状は樹脂２２を固めて形成された形状であり、具体的
には未硬化の樹脂を各素子２１を含むように全面に塗布
し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断
することで得られる形状である。なお、この樹脂形成チ
ップ２０の一時保持用部材側の面には、先に述べたよう
な凹部を形成し、後述の転写工程において飛散方向を制
御するようにしてもよい。

【００３０】略平板状の樹脂２２の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド２３，２４が形成される。これら電
極パッド２３，２４の形成は全面に電極パッド２３，２
４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層
を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極
形状にパターンニングすることで形成される。これら電
極パッド２３，２４は発光素子である素子２１のｐ電極
とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必
要な場合には樹脂２２にビアホールなどが形成される。

【００３１】ここで電極パッド２３，２４は樹脂形成チ
ップ２０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲ
ート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを
３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド２３，
２４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成
時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにす
るためである。電極パッド２３，２４の形状も正方形に
限定されず他の形状としても良い。

【００３２】このような樹脂形成チップ２０を構成する
ことで、素子２１の周りが樹脂２２で被覆され平坦化に
よって精度良く電極パッド２３，２４を形成できるとと
もに素子２１に比べて広い領域に電極パッド２３，２４
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、
比較的大き目のサイズの電極パッド２３，２４を利用し
た配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。

【００３３】次に、図４に本例の二段階拡大転写法で使
用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図
４の（ａ）が素子断面図であり、図４の（ｂ）が平面図
である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであ
り、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子で
ある。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板
を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが
生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファ
イア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生
じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。

【００３４】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長
層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４
もクラッドとして機能する。

【００３５】このような発光ダイオードには、ｐ電極３
５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層３１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６
の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。

【００３６】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００３７】次に、図５から図１２までを参照しなが
ら、図１に示す発光素子の配列方法の具体的手法につい
て説明する。発光素子は図４に示したＧａＮ系の発光ダ
イオードを用いている。

【００３８】先ず、図５に示すように、第一基板４１の
主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状に
形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２０
μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材料
としてはサファイア基板などのように光ダイオード４２
に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられ
る。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成され
ているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分
離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード
４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例
えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基
板４１を一時保持用部材４３に対峙させて図５に示すよ
うに選択的な転写を行う。

【００３９】一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙
する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形
成されている。ここで一時保持用部材４３の例として
は、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板な
どを用いることができ、一時保持用部材４３上の剥離層
４４の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水
溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、
ポリイミドなどを用いることができる。また一時保持用
部材４３の接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型
接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかか
らなる層を用いることができる。一例としては、一時保
持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４
としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層４５とし
てのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。

【００４０】一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬
化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダ
イオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化
した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調
整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２
００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転
写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態
にすればよい。このようなアライメントの後、転写対象
位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一基板４１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を第一基板
４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード４２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。

【００４１】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａ
Ｎ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層
４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他
のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２につ
いては、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓ
であり、レーザも照射されていないために、一時保持用
部材４３側に転写されることはない。なお、図５では１
つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射され
ているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様
に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものとす
る。このような選択的な転写によっては発光ダイオード
４２第一基板４１上に配列されている時よりも離間して
一時保持用部材４３上に配列される。

【００４２】発光ダイオード４２は一時保持用部材４３
の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード４
２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、
発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されているため、図６に示すように電極
パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイオ
ード４２の裏面と電気的に接続される。

【００４３】接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラ
ズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて
洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードを
サファイア基板からなる第一基板４１から剥離したとき
には、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａ
をエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液も
しくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４
６をパターニングする。このときのカソード側の電極パ
ッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４
６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくは
Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極
の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を
さえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大
きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。

【００４４】上記電極パッド４６の形成の後、ダイシン
グプロセスにより発光ダイオード４２毎に硬化した接着
剤層４５を分断し、各発光ダイオード４２に対応した樹
脂形成チップとする。ここで、ダイシングプロセスは、
レーザビームを用いたレーザダイシングにより行う。こ
れが本願の第１の発明である。ダイシングによる切り込
み幅は画像表示装置の画素内の接着剤層４５で覆われた
発光ダイオード４２の大きさに依存するが、２０μｍ以
下の幅の狭い切り込みが必要なときには、上記レーザビ
ームを用いたレーザによる加工を行うことが必要であ
る。このとき、レーザビームとしては、エキシマレー
ザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどを用いる
ことができる。

【００４５】図６は一時保持用部材４４から発光ダイオ
ード４２を第二の一時保持用部材４７に転写して、アノ
ード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、
アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着
剤層４５をダイシングした状態を示している。このダイ
シングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオ
ード４２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分
離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離
するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数
の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一
時保持用部材４７の表面が臨む。第二の一時保持用部材
４７は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗
布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが
照射されると粘着力が低下するものを利用できる。

【００４６】このプロセスの例として、接着剤層４５の
表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出
してくるまでエッチングする。ビアホール５０の形成
は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザなどを用いて行う。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシング
プロセスは上記の通り、レーザビームを用いたダイシン
グにより行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内
の樹脂からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード
４２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザ
にて幅約４０μｍの溝加工を行い、チップの形状を形成
する。

【００４７】次に、機械的手段を用いて発光ダイオード
４２が第二の一時保持用部材４７から剥離される。この
とき、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形
成されている。この剥離層４８は例えばフッ素コート、
シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリ
イミドなどを用いて作成することができる。このような
剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から例え
ばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これにより、例
えば剥離層４４としてポリイミドを形成した場合では、
ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーシ
ョンにより剥離が発生して、各発光ダイオード４２は第
二の一時保持部材４７から上記機械的手段により容易に
剥離可能となる。

【００４８】図８は、第二の一時保持用部材４７上に配
列している発光ダイオード４２を吸着装置５３でピック
アップするところを示した図である。このときの吸着孔
５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口
していて、発光ダイオード４２を多数個、一括で吸着で
きるようになっている。このときの開口径は、例えば約
φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口
されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸
着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したも
の、もしくはステンレス（ＳＵＳ）などの金属板５２を
エッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の
吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されてお
り、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光
ダイオード４２の吸着が可能になる。発光ダイオード４
２はこの段階で樹脂４３で覆われており、その上面は略
平坦化されており、このために吸着装置５３による選択
的な吸着を容易に進めることができる。

【００４９】図９は発光ダイオード４２を第二基板６０
に転写するところを示した図である。第二基板６０に装
着する際に第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６が塗
布されており、その発光ダイオード４２下面の接着剤層
５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０に
固着して配列させることができる。この装着時には、吸
着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態とな
り、吸着装置５３と発光ダイオード４２との吸着による
結合状態は解放される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着
剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成
することができる。発光ダイオード４２が配置される位
置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間
したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化さ
せるエネルギーは第二基板６０の裏面から供給される。
ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性
接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード４２の下面の
み硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様にレーザ照射
にて接着剤を溶融させ接着を行う。

【００５０】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる
側の面に黒クロム層５８を形成する。このようにするこ
とで画像のコントラストを向上させることができると共
に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、
選択的に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が
早く硬化するようにすることができる。この転写時のＵ
Ｖ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約1000mJ/c
m²を照射する。

【００５１】図１０はＲＧＢの３色の発光ダイオード４
２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を
塗布した状態を示す図である。図８および図９で用いた
吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウ
ントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントす
ると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画
素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着
剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることが
できる。３色の発光ダイオード４２、６１、６２は必ず
しも同じ形状でなくとも良い。図１０では赤色の発光ダ
イオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とさ
れ、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異なっ
ているが、この段階では各発光ダイオード４２、６１、
６２は既に樹脂形成チップとして樹脂４３で覆われてお
り、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実
現される。

【００５２】次に、図１１に示すように、発光ダイオー
ド４２の電極パッド４６，４９や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成する。この開口部の形成もレーザビームを用い
て行う。これが本願の第２の発明である。

【００５３】このときに形成する開口部すなわちビアホ
ールは、発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド
４６、４９の面積を大きくしているので、ビアホール形
状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオード
に直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成でき
る。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド
４６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。
また、ビアホールＨの深さは配線基板と接続するもの、
アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続する
ものの３種類の深さがあるので、形成に当たっては例え
ばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを開口
する。

【００５４】図１２は配線形成工程を示す図である。絶
縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０
を形成した後、発光ダイオード４２、６１、６２のアノ
ード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の
電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した
図である。

【００５５】その後、保護層を配線上に形成し、画像表
示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図１０
の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が
使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆
う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接
続して駆動パネルを製作することになる。

【００５６】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持さ
せた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広が
った間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４６、４
９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズ
の大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が行われ
るために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズ
が著しく大きな場合であっても容易に配線を形成でき
る。また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダイオ
ード４２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる
とともに素子に比べて広い領域に電極パッド４６，４９
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。

【００５７】次に、レーザダイシングとレーザビームに
よるビアホール形成を適用した素子の配列方法、画像表
示装置の製造方法の変形例について説明する。第１の変
形例は、発光ダイオードの向きが先の例とは逆である場
合に適用したものである。すなわち、本例では、発光ダ
イオードの先端が第二基板側を向いている。図１３〜図
２０は、この第１の変形例におけるプロセスを示すもの
である。

【００５８】図１３に示すように、発光ダイオード８１
は、埋め込み樹脂８２中に埋め込まれた状態で剥離用樹
脂層８３が形成された供給基板８４上に配列形成されて
いる。各発光ダイオード８１の底面及び先端には、電極
パッド８５，８６が形成されており、外部回路との接続
を図るようになっている。また、先にも述べたように、
各発光ダイオード８１は、その先端を図中下方に向けて
（供給基板８４に向けて）配置されている。

【００５９】この状態で、先ず、レーザビームを照射し
てダイシングを行い、各発光ダイオード８１に分断し、
チップ部品化する。分断された各部が以下の工程におい
て樹脂形成チップ８７として取り扱われる。レーザビー
ムの照射によるダイシングには、先の例と同様、エキシ
マレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどを
用いることができる。

【００６０】上記ダイシングにより分割された樹脂形成
チップ８７は、図１４に示すように、吸着治具８８など
を用いて選択的に供給基板８４から剥離され、図１５に
示すように、配線パターン８９が形成された実装基板９
０上に転写される。なお、図１４に示す工程において、
樹脂形成チップ８７を供給基板８４から剥離するには、
供給基板８４の裏面側から選択的にＹＡＧ第３高調波レ
ーザビームを照射すればよく、これによりレーザアブレ
ーションが起こり樹脂形成チップ８７は供給基板８４か
ら容易に剥離される。

【００６１】また、図１５に示す工程においては、ＹＡ
Ｇグリーンレーザビームを実装基板９０の裏面側から照
射することで、接着剤層９１を選択的に硬化し、樹脂形
成チップ８７を実装基板９０に固定する。実装基板９０
には、上記配線パターン８９が形成される他、裏面側に
も配線パターン９２が形成され、これら配線パターン８
９，９２間がスルーホール９３によって電気的に接続さ
れている。したがって、上記樹脂形成チップ８７の電極
パッド８５，８６を上記配線パターン８９と電気的に接
続すれば、スルーホール９３を介して実装基板９０の裏
面側の配線パターン９２へと引き出され、この実装基板
９０の裏面側において外部回路との接続が可能になる。
実装基板９０の裏面には、上記配線パターン９２を覆っ
て保護層９４が形成されており、この配線パターン９２
の損傷や腐食を防止するようになっている。

【００６２】次いで、図１６に示すように異種機能を有
する樹脂形成チップ９５を同様にして実装基板９０上に
実装し、図１７に示すように絶縁層９６をオーバーコー
トする。このとき、異種機能を有する樹脂形成チップ９
５も同様に所定のピッチに拡大して実装基板９０上にボ
ンディングされる。絶縁層９６は、全素子分の樹脂形成
チップに対して配線するために、実装基板９０の全面に
被覆される。

【００６３】この絶縁層９６の形成の後、図１８に示す
ように、各樹脂形成チップ８７，９５の電極パッド及び
実装基板９０上の配線パターン９２に対応して電気的接
続のためのビアホール９７を形成する。ビアホール９７
の形成は、やはりレーザビームの照射により行う。使用
するレーザビームは、先のダイシングと同様、エキシマ
レーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどが用
いられる。最後に図１９に示すｐ側配線９８の形成、及
び図２０に示すｎ側配線９９の形成を行い、画像表示装
置を完成する。

【００６４】上記変形例においても、ダイシングやビア
ホールの形成にレーザビームを用いているので、各発光
ダイオードに対応した微細加工が可能であり、微小チッ
プ部品の切り出しが実現される。このとき、歪みが発生
したり、不要な応力が加わることはない。ビアホール形
成も同様であり、レーザビームを用いることで微細加工
が可能である。また、エッチングに比べてプロセスが簡
便である。

【００６５】上記レーザダイシングとビアホール形成
は、同時に行うこともできる。これらを同時に行うこと
により、プロセス数を減らすことができ、製造コストを
低下することができる。これが第２の変形例である。こ
の第２の変形例は、基本的には図１３〜図２０に示す第
１の変形例と同じであり、樹脂形成チップのビアホール
形成をレーザダイシングと同時に行う点のみが異なる。

【００６６】以下、この第２の変形例について説明す
る。本例では、先ず、図２１に示すように、樹脂形成チ
ップ８７へ分割するためのレーザダイシングと同時に、
樹脂形成チップ８７のｐ側電極パッド８６に対応したビ
アホール１００の形成を行う。これらレーザダイシング
とビアホール形成は、いずれも埋め込み樹脂８２に対し
て行うので、レーザビームを照射して同時に行うことが
できる。

【００６７】その後、図２２に示すように転写対象とな
る樹脂形成チップ８７を選択的に供給基板８４から剥離
し、これを図２３に示すように実装基板９０上に転写固
定し、さらに図２４に示すように異種機能を有する樹脂
形成チップ９５を同様に実装基板９０に転写実装し、図
２５に示すように絶縁層９６を形成する。

【００６８】次いで、この絶縁層９６に各樹脂形成チッ
プ８７，９５の電極パッド及び実装基板９０上の配線パ
ターン９２に対応して電気的接続のためのビアホール９
７を形成するが、このビアホール９７の形成は一括フォ
トビア形成により行うことができる。すなわち、先の図
２１に示す工程において、樹脂形成チップ８７にはビア
ホール１００が既に形成されており、ここでのビアホー
ル形成は、絶縁層９６に対して行えばよい。したがっ
て、一括フォトビア形成が可能である。樹脂形成チップ
８７に予めビアホール１００が形成されていない場合に
は、このビアホール形成を絶縁層９６と埋め込み樹脂８
２の異なる材質に対して行わなければならず、一括フォ
トビア形成は難しい。

【００６９】最後に図２２に示すｐ側配線９８の形成、
及び図２３に示すｎ側配線９９の形成を行い、画像表示
装置を完成する。この第２の変形例では、レーザダイシ
ングとビアホール形成を同時に行っているので、プロセ
ス数を減らすことができ、製造コストを低下することが
できる。

【００７０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本願
発明のチップ部品の作製方法によれば、機能素子に対応
して微細なチップ部品化が可能であり、また、ビアホー
ルを簡単に形成することが可能である。さらに、これら
を同時に行うことにより、プロセス数を減らし製造コス
トを低減することが可能である。

【００７１】また、本発明の素子の配列方法によれば、
上記チップ部品の作製方法の利点をそのままに、素子の
転写を効率的、確実に行うことができ、素子間の距離を
大きくする拡大転写を円滑に実施することが可能であ
る。同様に、本発明の画像表示装置の製造方法によれ
ば、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施し
て作成された発光素子を、効率よく離間して再配置する
ことができ、したがって精度の高い画像表示装置を生産
性良く製造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】素子の配列方法を示す模式図である。

【図２】樹脂形成チップの概略斜視図である。

【図３】樹脂形成チップの概略平面図である。

【図４】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断
面図、（ｂ）は平面図である。

【図５】第一転写工程を示す概略断面図である。

【図６】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。

【図７】第二の一時保持用部材への転写後の電極パッド
形成工程及びダイシング工程を示す概略断面図である。

【図８】吸着工程を示す概略断面図である。

【図９】第二転写工程を示す概略断面図である。

【図１０】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。

【図１１】ビアホール形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１２】配線形成工程を示す概略断面図である。

【図１３】第１の変形例を示すものであり、レーザダイ
シング工程を示す概略断面図である。

【図１４】樹脂形成チップの選択ピックアップ工程を示
す概略断面図である。

【図１５】実装基板へのボンディング工程を示す概略断
面図である。

【図１６】異種機能を有する樹脂形成チップのボンディ
ング工程を示す概略断面図である。

【図１７】絶縁層のオーバーコート工程を示す概略断面
図である。

【図１８】ビアホール形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１９】ｐ側電極形成工程を示す概略断面図である。

【図２０】ｎ側電極形成工程を示す概略断面図である。

【図２１】第２の変形例を示すものであり、レーザダイ
シング工程及び樹脂形成チップへのビアホール形成工程
を示す概略断面図である。

【図２２】樹脂形成チップの選択ピックアップ工程を示
す概略断面図である。

【図２３】実装基板へのボンディング工程を示す概略断
面図である。

【図２４】異種機能を有する樹脂形成チップのボンディ
ング工程を示す概略断面図である。

【図２５】絶縁層のオーバーコート工程を示す概略断面
図である。

【図２６】一括フォトビア形成工程を示す概略断面図で
ある。

【図２７】ｐ側電極形成工程を示す概略断面図である。

【図２８】ｎ側電極形成工程を示す概略断面図である。

【符号の説明】

４２発光ダイオード４５接着剤層４６，４９電極パッド６５，６６，６７，６８，６９，７０開口部（ビアホ
ール）８７樹脂形成チップ９７，１００ビアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】機能素子を絶縁性物質に埋め込み、当該
絶縁性物質を切断して各機能素子毎に分割するチップ部
品の作製方法において、レーザビームを照射して上記絶
縁性物質の切断を行うことを特徴とするチップ部品の作
製方法。
【請求項２】機能素子を絶縁性物質に埋め込み、機能
素子の電極に対応して絶縁性物質にビアホールを形成す
るチップ部品の作製方法において、レーザビームを照射
して上記絶縁性物質にビアホールを形成することを特徴
とするチップ部品の作製方法。
【請求項３】上記レーザビームの照射により、各機能
素子毎に分割する絶縁性物質の切断をともに行うことを
特徴とする請求項２記載のチップ部品の作製方法。
【請求項４】第一基板上に配列された複数の素子を第
二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第
一基板上に保持された前記素子を樹脂で固めた後、前記
樹脂をダイシングにより素子毎に分離して樹脂形成チッ
プとする工程と、前記第一基板上で前記素子が配列され
た状態よりは離間した状態となるように前記樹脂形成チ
ップを第二基板上に転写する転写工程とを有し、上記ダ
イシングは、レーザビームを照射することにより行うこ
と特徴とする素子の配列方法。
【請求項５】上記レーザビームの照射によるダイシン
グとともに、レーザビームの照射により素子の電極に対
応して樹脂にビアホールを形成することを特徴とする請
求項４記載の素子の配列方法。
【請求項６】前記素子は窒化物半導体を用いた半導体
素子であることを特徴とする請求項４記載の素子の配列
方法。
【請求項７】前記素子は発光素子、液晶制御素子、光
電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダ
イオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気
素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分
であることを特徴とする請求項４記載の素子の配列方
法。
【請求項８】第一基板上に配列された複数の素子を第
二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第
一基板上に保持された前記素子を樹脂で固めた後、前記
樹脂を用いたダイシングにより素子毎に分離して樹脂形
成チップとする工程と、前記第一基板上で前記素子が配
列された状態よりは離間した状態となるように前記樹脂
形成チップを第二基板上に転写する転写工程とを有し、
レーザビームの照射により上記素子の電極に対応して上
記樹脂にビアホールを形成することを特徴とする素子の
配列方法。
【請求項９】前記素子は窒化物半導体を用いた半導体
素子であることを特徴とする請求項８記載の素子の配列
方法。
【請求項１０】前記素子は発光素子、液晶制御素子、
光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部
分であることを特徴とする請求項８記載の素子の配列方
法。
【請求項１１】発光素子をマトリクス状に配置した画
像表示装置の製造方法において、前記第一基板上に保持
された前記発光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイ
シングにより発光素子毎に分離して樹脂形成チップとす
る工程と、前記第一基板上で前記発光素子が配列された
状態よりは離間した状態となるように前記樹脂形成チッ
プを第二基板上に転写する転写工程とを有し、上記ダイ
シングは、レーザビームを照射することにより行うこと
特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】上記レーザビームの照射によるダイシ
ングと同時に、レーザビームの照射により発光素子の電
極に対応して樹脂にビアホールを形成することを特徴と
する請求項１１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】発光素子をマトリクス状に配置した画
像表示装置の製造方法において、前記第一基板上に保持
された前記発光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂を用い
たダイシングにより発光素子毎に分離して樹脂形成チッ
プとする工程と、前記第一基板上で前記発光素子が配列
された状態よりは離間した状態となるように前記樹脂形
成チップを第二基板上に転写する転写工程とを有し、レ
ーザビームの照射により上記発光素子の電極に対応して
上記樹脂にビアホールを形成することを特徴とする画像
表示装置の製造方法。