TWI689000B - 電漿切割用遮罩材、遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片之製造方法 - Google Patents

電漿切割用遮罩材、遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種電漿切割用遮罩材、遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片之製造方法，該電漿切割用遮罩材用於電漿步驟，且 上述遮罩材之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1 μm～1.5 μm。

Description

電漿切割用遮罩材、遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片之製造方法
本發明係關於一種電漿切割用遮罩材、遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片之製造方法。
近來，半導體晶片向薄膜化、小晶片化之發展驚人，尤其是如記憶卡或智慧卡等之內置有半導體IC晶片之IC卡要求薄膜化，又，LED、LCD驅動用器件等要求小晶片化。認為今後隨著該等需求增長，半導體晶片之薄膜化、小晶片化之需求將進一步提昇。
該等半導體晶片係藉由在將半導體晶圓於背面研磨步驟或蝕刻步驟等中薄膜化至特定之厚度後，經由切割步驟分割成各個晶片而獲得。 先前，於切割步驟中，使用藉由切割刀片進行切斷之刀片切割方式。然而，於刀片切割方式中，於切斷時由刀片所產生之切削阻力會直接施加至半導體晶圓。因此，有因該切削阻力而於半導體晶片產生微小缺損（碎屑）之情況。碎屑之產生不僅有損半導體晶片之外觀，而且視情形會因抗折強度不足而導致拾取時之晶片破損，甚至於晶片上之電路圖案亦有可能破損。又，於利用刀片之物理切割步驟中，無法使作為晶片彼此之間隔的切口（亦稱為劃線、界道）之寬度較具有厚度之刀片寬度狹小化。其結果為，可自一片晶圓獲得之晶片之數量（產率）減少。進而，晶圓之加工時間較長亦成為問題。
因此，除刀片切割方式以外，亦於切割步驟中利用各種方式。例如具有代表性的為：1）首先以特定之厚度預先於晶圓形成槽，其後進行研削加工而同時進行薄膜化與向晶片之單片化的DBG（預切割）方式；2）藉由雷射進行之雷射切割方式；3）利用水壓進行切割之噴水方式等使用濕式製程之方式；4）藉由雷射於晶圓之厚度方向上形成改質層，進行延伸並分斷而單片化之隱形切割方式；5）併用隱形切割與預切割之方式等。 該等方式各自具有優點。但是，該等方式存在晶片之破損、極小晶片之製造所需之時間較長、表面污染、對切口寬度之狹小化之限制、所獲得之晶片之產率降低、晶片抗折強度之降低、因晶片端面與鄰接晶片碰撞所致之晶片角之缺損等問題。
切割步驟除該等方式以外，亦具有6）電漿切割方式（例如參照專利文獻1）。 電漿切割方式係藉由利用電漿對未被遮罩覆蓋之部位選擇性地蝕刻而分割半導體晶圓之方法。若使用該切割方法，則能夠選擇性地分斷晶片，即便劃線彎曲，亦可毫無問題地分斷。又，由於蝕刻速率非常高，故而近年來視為對於分斷晶片而言最佳之製程之一。
於電漿切割方式中，使用六氟化硫（SF6 ）或四氟化碳（CF4 ）等與晶圓之反應性非常高之氟系氣體作為電漿產生用氣體。於使用該方式之情形時，由於其蝕刻速率較高，故而必須對不進行蝕刻之面實施遮罩保護，必須預先形成遮罩。
作為該遮罩之形成方法，亦如專利文獻1所記載，一般而言使用如下技術，即，於對晶圓之表面塗佈抗蝕劑後，藉由光微影製程去除相當於界道之部分而成為遮罩。因此，為了進行電漿切割，需要電漿切割設備以外之光微影步驟設備，存在晶片成本上升之問題。又，於藉由雷射照射去除遮罩而使劃線露出之步驟中，存在因遮罩材無法順利地吸收雷射而發生反射、散射而無法順利地去除遮罩材之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-19385號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明人等鑒於上述問題而研究出如下內容：作為用於電漿切割之遮罩材，開發一種能夠順利地吸收雷射（雷射之吸收能力優異）而於遮罩去除步驟中無殘渣地去除遮罩之遮罩材。 藉由使用本發明之遮罩材，至少可藉由下述步驟製造半導體晶片。 [步驟] （A）對表面露出之遮罩材層之藉由雷射切斷進行之半導體晶圓之界道部之開口步驟 （B）電漿切割步驟、及 （C）剩餘之遮罩材層之灰化步驟
於步驟（A）中，要求晶圓薄膜加工後之遮罩材層與接觸其之層（於具有黏著劑層之情形時為黏著劑層，於不具有黏著劑層之情形時為基材膜等）之簡單且良好之剝離性、及能夠藉由雷射將遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道以高精度開口之性能。於步驟（B）中，要求保護晶圓免受SF6 電漿等照射電漿之影響之性能，於步驟（C）中要求利用O2 電漿等照射電漿去除遮罩材層之性能。可知若基材表面粗糙度過於粗糙，則存在如下問題：與基材接觸之遮罩材表面、或經由黏著劑層設置之遮罩材表面變得粗糙，於步驟（A）中雷射於遮罩材表面發生散射，結果晶圓之界道無法順利地開口、或殘留較多殘渣。又，可知若基材表面粗糙度過於平滑，則存在如下問題：於剝離分隔件（意指與遮罩材層接觸之表面保護帶或基材膜）時，遮罩材向分隔件側拉伸，於剝離分隔件時遮罩材自晶圓剝離。
因此，本發明之課題在於提供一種電漿切割用遮罩材，其係於使用電漿切割方式之半導體晶片之製造中使用者，且於半導體晶片之製造步驟之各步驟中顯示出優異之性能，又，於遮罩去除步驟中具有優異之去除性。
尤其，本發明之課題在於提供一種於藉由設置遮罩材層而產生之利用雷射開口之切斷、去除性、及利用O2 等之電漿灰化之去除性等應克服之問題方面均優異之遮罩材，且本發明之課題在於提供一種至少具有該等性能優異之遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶、及使用該遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法。 [解決課題之技術手段]
即，本發明之上述課題係藉由下述手段而得以解決。 （1）一種電漿切割用遮罩材，其用於電漿步驟，其特徵在於， 上述遮罩材之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1 μm～1.5 μm。 （2）一種遮罩一體型表面保護帶，其至少具有基材膜及設置於該基材膜上之遮罩材層且用於半導體晶片之製造，其特徵在於， 上述遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1 μm～1.5 μm。 （3）如（2）所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層係與上述基材膜接觸地設置、或經由黏著劑層而設置。 （4）如（2）或（3）所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層於355 nm～10800 nm之波長區域之平行光線吸收率為50%以上。 （5）如（2）至（4）中任一項所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層含有樹脂與至少1種紫外線吸收劑，該紫外線吸收劑係具有選自三口井骨架、二苯甲酮骨架、苯并***骨架及苯甲酸酯骨架之任一骨架之化合物，且 上述遮罩材層中之上述紫外線吸收劑之含量相對於上述樹脂100質量份為0.5～1.5質量份。 （6）如（2）至（4）中任一項所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層含有具有紫外線吸收骨架之(甲基)丙烯酸聚合物。 （7）如（2）至（6）中任一項所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層為輻射硬化型。 （8）如（2）至（6）中任一項所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層係經由黏著劑層而設置，構成上述黏著劑層之黏著劑為感壓型黏著劑。 （9）如（2）至（8）中任一項所記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材膜至少具有聚烯烴樹脂層。 （10）一種半導體晶片之製造方法，其使用至少具有基材膜及設置於該基材膜上之遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶，其特徵在於， 上述遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1 μm～1.5 μm，該製造方法包括下述步驟（a）～（d）。 [步驟] （a）於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，對該半導體晶圓之背面進行研削，於經研削之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，並利用環狀框進行支持固定的步驟； （b）自上述遮罩一體型表面保護帶至少將上述基材膜剝離而使遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道開口的步驟； （c）藉由SF6 電漿將半導體晶圓沿上述界道分斷而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及 （d）去除上述遮罩材層之步驟。 （11）如（10）所記載之半導體晶片之製造方法，其中，上述遮罩材層係與上述基材膜接觸地設置、或經由黏著劑層而設置， 於上述步驟（b）中，為了使上述遮罩材層露出於表面，將上述基材膜剝離、或將上述基材膜與上述黏著劑層一體地剝離。 [發明之效果]
藉由本發明，可提供一種於使用電漿切割方式之半導體晶片之製造中無需利用光微影製程之遮罩形成，且利用雷射之去除性優異之遮罩材及具有該遮罩材之層之遮罩一體型表面保護帶。 藉此，可提供一種於半導體晶片之製造步驟之各步驟中顯示優異之性能且操作性、作業性亦優異之遮罩一體型表面保護帶、及使用該遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法。 尤其，本發明之遮罩材於藉由設置遮罩材層而產生之利用雷射開口之切斷性、利用O2 電漿灰化之去除性等應克服之問題方面均優異。 其結果為，使用本發明之遮罩材之遮罩一體型表面保護帶尤其可防止藉由雷射將相當於半導體晶圓之界道之部分之遮罩材切斷而使半導體晶圓之界道開口之步驟中之下述問題。即，亦可防止因遮罩材層之雷射光吸收性能不足所致之雷射加工效率之降低及雷射加工之長時間化，或因過量之雷射光之能量投入（照射）而導致遮罩材層熔融，結果晶圓之加工品質變差等問題。
本發明之遮罩材及使用該遮罩材之遮罩一體型表面保護帶能夠使遮罩材順利地吸收雷射而於遮罩去除步驟中無殘渣地去除遮罩，用於藉由電漿切割將半導體晶圓進行分割、單片化而獲得半導體晶片之方法。如以下所說明，藉由使用本發明之電漿切割用遮罩材及遮罩一體型表面保護帶，可於電漿切割時之遮罩去除步驟中無殘渣地去除遮罩，且無需遮罩之前的光微影製程，可大幅地抑制半導體晶片或半導體製品之製造成本。
＜＜遮罩一體型表面保護帶＞＞ 本發明之遮罩一體型表面保護帶至少具有基材膜及遮罩材層（即，至少具有基材膜及遮罩材層）。 遮罩材層可與基材膜接觸地設置，亦可經由黏著劑層而設置（即，基材膜與遮罩材層隔著黏著劑層而相互對向地設置）。 再者，於本發明及本說明書中，將不具有遮罩材層且於基材膜上設置有黏著劑層之帶簡稱為表面保護帶，將具有遮罩材層者稱為遮罩一體型表面保護帶。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係於半導體晶圓之背面研削時為了保護半導體晶圓之圖案面（表面）而貼合於該圖案面使用。 因此，要求與一般之半導體晶圓加工用表面保護帶相同之包含黏著性在內之性能。 具體而言，具有保護形成於半導體晶圓之圖案面之半導體元件之功能。即，於後續步驟之晶圓薄膜化步驟（背面研削步驟）中，為了於半導體晶圓之圖案面支持半導體晶圓並對晶圓之背面進行研削，遮罩一體型表面保護帶必須可耐受該研削時之負荷。因此，遮罩一體型表面保護帶與單純之抗蝕劑膜等不同，其厚度係可被覆形成於圖案面之元件之程度，且其按壓阻力較低，並且密接性高至可與元件以不會產生研削時之灰塵或研削水等之滲入之方式密接之程度的帶。 除該等以外，本發明之遮罩一體型表面保護帶適用於電漿切割方式，於使用電漿切割方式之半導體晶片之製造中可無需利用光微影製程形成遮罩。
因此，本發明之遮罩一體型表面保護帶係用於至少包括下述步驟的半導體晶片之製造，即，上述（A）對表面露出之遮罩材層藉由雷射切斷進行之半導體晶圓之界道部之開口步驟、（B）電漿切割步驟、及（C）剩餘遮罩材層之灰化步驟。
本發明之遮罩一體型表面保護帶尤其是於半導體晶片之製造步驟中能夠實現至少包括下述步驟（a）～（d）之半導體晶片之製造，且較佳為應用於該製造步驟。
[步驟] （a）於將本發明之遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，對該半導體晶圓之背面進行研削，於經研削之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，並利用環狀框進行支持固定的步驟； （b）藉由自遮罩一體型表面保護帶剝離上述基材膜、或一體地剝離基材膜與黏著劑層而使遮罩材層露出於表面，其後藉由雷射將遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道開口的步驟； （c）藉由SF6 電漿將半導體晶圓沿界道分斷而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及 （d）去除遮罩材層之步驟（較佳為藉由O2 電漿去除遮罩材層之灰化步驟）。
以下，依序說明基材膜、遮罩材層（遮罩材）及黏著劑層。
＜基材膜＞ 基材膜可為單層構成，亦可為積層有多層之積層體。 構成基材膜之樹脂或聚合物成分係使用習知之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用之樹脂或聚合物成分。 例如除聚烯烴樹脂或聚酯樹脂、進而(甲基)丙烯酸樹脂以外，亦可列舉聚苯硫醚、聚醚醯亞胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚胺酯（polyurethane）、橡膠類。又，可為該等單體，或者亦可為混合2種以上而成者。
作為聚烯烴樹脂，可列舉選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物之聚烯烴樹脂，於本發明中較佳。 再者，聚乙烯、聚丙烯除均聚乙烯、均聚丙烯以外，通常為了調整密度，包含α-烯烴作為共聚成分。尤其於聚乙烯中，聚乙烯中之α-烯烴之含量一般而言為5莫耳%以下。 聚乙烯係視其密度（比重）等而分類為高密度聚乙烯（HDPE）、低密度聚乙烯（LDPE）、超低密度聚乙烯（VLDPE）、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）、超高分子量聚乙烯（UHMW-PE）。 聚丙烯可列舉均聚丙烯、無規聚丙烯、嵌段聚丙烯。
作為聚乙烯樹脂，除上述以外，可列舉：聚苯乙烯或其共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或(甲基)丙烯酸共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物、或該等之混合物等。
作為聚酯樹脂，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚對苯二甲酸丙二酯（PTT）、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）、聚萘二甲酸乙二酯（PNT）、聚萘二甲酸丁二酯（PBN）。
於本發明中，基材膜較佳為至少具有聚烯烴樹脂層，更佳為聚烯烴，進而較佳為低密度聚烯烴。 又，於基材膜為積層有多層之積層體之情形時，低密度聚乙烯層與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物層之積層體、或聚丙烯層與聚對苯二甲酸乙二酯層之積層體、聚烯烴樹脂層與聚對苯二甲酸乙二酯層、聚萘二甲酸乙二酯層之積層體為較佳之材質之一。
該等基材膜可使用一般之擠壓法而製造。於積層各種樹脂而獲得基材膜之情形時，藉由共擠壓法、層壓法等而製造。此時，亦可如於一般之層壓膜之製法中一般所進行般於樹脂與樹脂之間設置接著層。
於本發明中，就強伸度特性、輻射穿透性之觀點而言，基材膜之厚度較佳為20～200 μm。
＜遮罩材層及遮罩材＞ 遮罩材層係保護半導體晶圓表面（尤其是圖案面）免受電漿切割步驟中之藉由SF6 等電漿照射之蝕刻（切割）之影響之層，且係僅對開口步驟中經去除之半導體晶圓之界道部分選擇性地蝕刻（切割）而能夠高精度地分割半導體晶圓的層。 本發明中，遮罩材層由於貼合於半導體晶圓表面之圖案面而使用，故而與一般之半導體晶圓加工用表面保護帶中之黏著劑層同樣地具有包含黏著性在內之性能。
本發明之遮罩材係一種電漿切割用遮罩材，其用於電漿步驟，且遮罩材之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1 μm～1.5 μm。 遮罩材層係由本發明之遮罩材所構成。
於本說明書中，表面粗糙度Rz係JIS B 0601（1994）所規定之十點平均粗糙度，可根據其而求出。 藉由將表面粗糙度Rz設為0.1 μm～1.5 μm，可獲得利用雷射之遮罩材去除性與防止剝離分隔件（本發明之遮罩一體型表面保護帶中為表面保護帶或基材膜）時之遮罩材剝離之兩種效果。 若表面粗糙度Rz為0.1 μm以上，則可於剝離分隔件時抑制遮罩材自黏著劑（層）或基材膜之表面剝離之問題。反之，若表面粗糙度Rz為1.5 μm以下，則可於利用雷射之遮罩材去除時抑制去除效率之降低或無法去除之問題。
於不具有黏著劑層之情形時，藉由將貼附遮罩材層之側之基材膜之表面粗糙度Rz調節為0.1 μm～1.5 μm，於具有黏著劑層之情形時，藉由將貼附遮罩材層之側之黏著劑層之表面粗糙度Rz調節為0.1 μm～1.5 μm，可將上述遮罩材之表面粗糙度Rz調整為0.1 μm～1.5 μm。進而，黏著劑層之表面粗糙度係起因於將黏著劑層轉印塗敷至基材膜時之分隔件之表面粗糙度，因此亦可藉由調節分隔件之表面粗糙度來進行調節。 更具體而言，於不具有黏著劑層之情形時，例如可藉由控制製造基材膜時使用之冷卻輥之粗糙度而進行調節，又，於使用市售之基材膜之情形時，可藉由控制按壓基材膜之輥之粗糙度而進行調節。 另一方面，於具有黏著劑層之情形時，例如可藉由下述方式來進行調節，即，控制如下輥之粗糙度，該輥對設置於基材膜上之黏著劑層及該黏著劑層上之剝離襯墊從剝離襯墊上進行按壓。
於本發明中，於上述步驟（b）中藉由雷射將露出於表面之遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道開口之步驟中，照射雷射光。 所照射之雷射光並不特別限定於CO2 雷射（二氧化碳之氣體雷射）、YAG雷射（使用釔鋁石榴石之固體雷射）、半導體雷射等。
因此，本發明中，至少遮罩材層於355 nm（YAG雷射）及10800 nm（CO2 雷射）之波長區域之平行光線吸收率較佳為50%以上，更佳為65%以上，進而較佳為75%以上。本發明中，遮罩材層於355 nm～10800 nm之波長區域之平行光線吸收率較佳為50%以上。 此處，平行光線吸收率係包含所使用之遮罩材（層）之厚度在內者，並非轉換為單位厚度者。 若平行光線吸收率為50%以上，則遮罩材層具有充分之雷射光吸收性。藉此，可克服雷射光吸收性不足之情形時所產生之以下之問題。即，於半導體晶圓之界道部之開口步驟中，為了進行開口而需要多次雷射照射而使加工長時間化之問題，或因過量之雷射光之能量投入而導致遮罩材層熔融成為殘渣，結果殘留於半導體晶圓之表面而使加工品質變差之問題。
平行光線吸收率係使用紫外可見分光光度計[例如紫外可見分光光度計UV-1800（商品名，島津製作所股份有限公司製造）]，將遮罩材層安裝於治具，測定波長355 nm、10800 nm中之穿透率，根據下述式而算出。 如上所述，遮罩材層之平行光線穿透率係針對與遮罩一體型表面保護帶中之遮罩材層之厚度相同之厚度之測定用遮罩材樣品之測定值。
平行光線吸收率[%]＝100－平行光線穿透率[%]
[[樹脂]] 構成遮罩材層之樹脂可為任意樹脂，較佳為用作構成一般之半導體晶圓加工用表面保護帶中之黏著劑層之黏著劑的樹脂。 上述黏著劑所使用之樹脂較佳為由(甲基)丙烯酸共聚物所構成之樹脂。 再者，於本發明及本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」係「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之統稱，可為「丙烯酸」、「甲基丙烯酸」之任一者，亦可為該等之混合。例如(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
因此，本發明中，遮罩材層較佳為含有(甲基)丙烯酸共聚物。再者，含有(甲基)丙烯酸共聚物係包含(甲基)丙烯酸共聚物以與硬化劑反應之狀態存在之形態之含義。
(甲基)丙烯酸共聚物可為2種以上之不同之(甲基)丙烯酸酯之共聚物，亦可為(甲基)丙烯酸酯與包含(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯醯胺之具有乙烯性不飽和基之單體之共聚物。 此處，作為具有乙烯性不飽和基之單體，除上述以外，可列舉：(甲基)丙烯腈、苯乙烯、乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、乙烯醇、乙酸乙烯酯、氯乙烯、順丁烯二酸（亦包含酯、酸酐）等。 本發明中，上述聚合物更佳為選自(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸之2種以上之單體之共聚物。又，構成遮罩材層之樹脂中所含之聚合物可為1種共聚物，亦可為多種共聚物之混合物。
(甲基)丙烯酸酯可為(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯，較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯。 又，(甲基)丙烯酸酯之醇部（形成酯之醇）之碳數較佳為1～20，更佳為1～15，進而較佳為1～12。 再者，(甲基)丙烯酸酯之醇部亦可具有取代基（例如羥基）。
(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
上述(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中，(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，進而較佳為90莫耳%以上。又，於(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中(甲基)丙烯酸酯成分之比率並非100莫耳%之情形時，剩餘部分之單體成分較佳為以將(甲基)丙烯醯基作為聚合性基進行聚合之形態存在之單體成分（(甲基)丙烯酸等）。 進而，(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中，具有與下述硬化劑反應之官能基（例如羥基）之(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為1莫耳%以上，更佳為2莫耳%以上，進而較佳為5莫耳%以上，尤佳為10莫耳%以上。再者，具有與上述硬化劑反應之官能基之(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為35莫耳%以下，更佳為25莫耳%以下。
該等共聚物之質量平均分子量通常為30萬～100萬左右。 此處，質量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography：GPC）以聚苯乙烯換算之分子量之形式計測。
遮罩材層中之樹脂（較佳為(甲基)丙烯酸共聚物）之含量（換算成與硬化劑反應之前之狀態之含量）較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進而較佳為95～99.9質量%。
[[硬化劑]] 遮罩材層中之(甲基)丙烯酸共聚物較佳為經硬化，作為遮罩材層形成用組成物，較佳為除含有(甲基)丙烯酸共聚物以外亦含有硬化劑。 硬化劑係藉由與(甲基)丙烯酸共聚物所具有之官能基進行反應而用以調整黏著力及凝聚力者。 作為硬化劑，例如可列舉：1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)苯、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、乙二醇二縮水甘油醚、對苯二甲酸二縮水甘油酯丙烯酸酯等於分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物(以下亦稱為「環氧硬化劑」)、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯及該等之加成物型等於分子中具有2個以上之異氰酸基之異氰酸酯化合物（以下亦稱為「異氰酸酯硬化劑」）、四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯、三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三口井、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三口井等於分子中具有2個以上之氮丙啶基之氮丙啶化合物（氮丙啶硬化劑）等。硬化劑之添加量只要根據所需之黏著力進行調整即可，相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份適宜為0.1～5.0質量份。於本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層中，硬化劑係以與(甲基)丙烯酸共聚物反應之狀態存在。
＜輻射硬化型遮罩材層＞ 遮罩材層可為藉由輻射之照射而硬化之輻射硬化型及非輻射硬化型之任一者。本發明中，無論與遮罩材層接觸之層為基材膜及基材膜上之黏著劑層之任一者之情形時，均如下所述，於半導體晶圓之圖案面上僅殘留遮罩材層，可容易地剝離基材膜或表面保護帶，因此遮罩材層較佳為輻射硬化型。 此處，非輻射硬化型係與黏著劑同樣地亦稱為感壓型，意指由上述所說明之樹脂及藉由硬化劑而硬化之樹脂構成，且不含藉由輻射之照射而硬化之含有乙烯性不飽和基之成分者。
於遮罩材層為輻射硬化型之情形時，於上述步驟（b）中，容易自遮罩一體型表面保護帶中僅將遮罩材層殘留於半導體晶圓面上。 具體而言，藉由自遮罩一體型表面保護帶之基材膜側照射輻射使遮罩材層硬化，遮罩材層與接觸其之層（基材膜、或於表面保護帶之情形時為表面保護帶之黏著劑層）之層間剝離性提高，而變得容易自遮罩一體型表面保護帶剝離基材膜或表面保護帶。 認為其原因在於，藉由輻射照射使遮罩材層三維網狀化而降低黏著力，藉此與接觸遮罩材層之層、例如與黏著劑層之牢固之密接性瓦解，結果能夠簡單地剝離遮罩一體型表面保護帶之與遮罩材層接觸之層、例如黏著劑層。 其中，較佳為藉由輻射照射，遮罩材層與接觸其之基材膜或黏著劑層之密接力變得低於遮罩材層與半導體晶圓之圖案面之間之密接力。 本發明及本說明書中所謂「輻射」係用於包括如紫外線之光線或如電子束之游離性輻射兩者之含義。本發明中，輻射較佳為紫外線。
為了使遮罩材層成為輻射硬化型，只要與一般之半導體晶圓加工用表面保護帶中之輻射硬化型黏著劑同樣地，製成具有藉由輻射而硬化且三維網狀化之性質之遮罩材層即可。 為了成為輻射硬化型，大致分為，遮罩材層含有（1）於側鏈具有乙烯性不飽和基（亦稱為輻射聚合性碳-碳雙鍵且乙烯性雙鍵）之樹脂（聚合物）、或一併含有（2）上述感壓型所使用之樹脂（聚合物）與於分子中具有至少2個乙烯性不飽和基之低分子量化合物（含有低聚物，以下亦稱為輻射聚合性低分子量化合物）即可。 本發明中，上述（1）、（2）均可，較佳為（1）。
作為乙烯性不飽和基，可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯基胺基等。
[（1）於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂] 於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂（聚合物）係藉由使於側鏈具有羥基等反應性官能基（α）之共聚物、與具有與該反應性官能基（α）反應之異氰酸基等官能基（β）且具有乙烯性不飽和基之化合物進行反應而獲得。作為具有反應性官能基β與乙烯性不飽和基之化合物，代表性者可列舉異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。
作為上述官能基（α）、（β），可列舉：羧基、羥基、胺基、巰基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸基（-N=C=O）等。此處，環狀酸酐基係具有環狀之酸酐結構之基。 上述官能基（α）與（β）之組合例如於親核取代反應之情形時，一者為親核劑，另一者為親電子劑。
於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂較佳為由(甲基)丙烯酸共聚物所構成之樹脂。 (甲基)丙烯酸共聚物較佳為至少於由(甲基)丙烯酸酯所獲得之單位結構中具有於該酯之醇部具有乙烯性不飽和基之單位結構的聚合物。 又，上述(甲基)丙烯酸共聚物較佳為除具有上述於醇部具有乙烯性不飽和基之單位結構以外，亦具有由在醇部不具有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、具有其他乙烯性不飽和基之單體所獲得之重複單位。其中，較佳為具有由(甲基)丙烯酸酯及/或(甲基)丙烯酸所獲得之重複單位。尤其，作為由在醇部不具有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸酯所獲得之重複單位，較佳為具有由醇部之碳數為8～12之(甲基)丙烯酸烷基酯所獲得之重複單位。 構成於側鏈具有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物之單體成分中，碳數為8～12之(甲基)丙烯酸烷基酯成分之比率較佳為45～85莫耳%，更佳為50～80莫耳%。
於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂較佳為日本專利第6034522號公報之段落編號0020～0036所記載者，於本說明書中良好地組入該段落編號0020～0036所記載之內容。
[（2）輻射聚合性低分子量化合物] 作為輻射聚合性低分子量化合物，例如可廣泛應用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或寡酯丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯化合物。
又，除上述(甲基)丙烯酸酯化合物以外，亦可使用丙烯酸胺酯低聚物。丙烯酸胺酯低聚物係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物（例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4-二異氰酸酯等）進行反應而獲得封端異氰酸酯胺酯預聚物，並使具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯（例如丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、以及聚乙二醇丙烯酸酯及聚乙二醇甲基丙烯酸酯等含有(甲基)丙烯酸酯基之聚乙二醇等）與該封端異氰酸酯胺酯預聚物進行反應而獲得。
關於作為感壓型所使用之聚合物的(甲基)丙烯酸共聚物與輻射聚合性低分子量化合物之摻合比，較理想為相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，於50～200質量份、較佳為50～150質量份之範圍內摻合輻射聚合性低分子量化合物。於為該摻合比之範圍之情形時，可於輻射照射後使黏著力大幅地降低。
[光自由基聚合起始劑] 於藉由輻射使遮罩材層聚合硬化時，藉由使用光自由基聚合起始劑，可使聚合反應高效率地進行，故而較佳。 光自由基聚合起始劑可列舉：烷基苯酮型聚合起始劑、二芳基酮型聚合起始劑、二醯基型聚合起始劑、醯基氧化膦型聚合起始劑、肟酯型聚合起始劑、鹵化烷基取代-1,3,5-三口井型聚合起始劑、2,4,5-三芳基咪唑二聚物（咯吩二聚物）。 本發明中，較佳為於α位具有羥基之烷基或環烷基苯酮。 光自由基聚合起始劑例如可使用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫口山口星、聯苯醯縮二甲醇、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。藉由將該等中之至少1種添加至遮罩材層中，可使聚合反應高效率地進行。
[硬化劑] 於形成輻射硬化型遮罩材層之樹脂中，該樹脂（聚合物）亦較佳為藉由硬化劑而硬化。尤其是於該樹脂為於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂之情形時，較佳為藉由利用硬化劑使下述遮罩材層硬化而獲得經硬化之於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂，該遮罩材層係使用至少含有硬化前之樹脂與硬化劑之遮罩材層形成用組成物而形成。 該硬化劑較佳為關於感壓型所列舉之硬化劑。遮罩材層形成用組成物中之硬化劑之含量相對於(甲基)丙烯酸共聚物等硬化前之樹脂100質量份適宜為0.1～5.0質量份。 即，於本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層中，硬化劑處於與(甲基)丙烯酸共聚物等硬化前之樹脂反應之狀態。
[紫外線吸收成分] 本發明中，遮罩材層於355 nm～10800 nm之波長區域之平行光線吸收率較佳為50%以上。 為了使遮罩材層於355 nm～10800 nm之波長區域之平行光線吸收率為50%以上，較佳為遮罩材層含有紫外線吸收成分。 作為紫外線吸收成分，較佳為紫外線吸收劑或紫外線吸收性聚合物。
（紫外線吸收劑） 紫外線吸收劑對樹脂之相溶性優異，透明性較高，少量添加便對紫外區域之雷射光具有較高之吸收性能，因此可適宜地利用於本發明。
遮罩材層較佳為含有具有三口井骨架、二苯甲酮骨架、苯并***骨架或苯甲酸酯骨架之紫外線吸收劑中之至少1種作為紫外線吸收劑。 關於該等紫外線吸收劑，例如作為具有三口井骨架之化合物，可列舉：2,4-雙[2-羥基-4-丁氧基苯基]-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三口井、2,4-雙(2,4-二甲基苯基)-6-(2-羥基-4-正辛氧基苯基)-1,3,5-三口井、2-(2,4-二羥基苯基)-4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三口井、2-(2,4-二羥基苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三口井、2-(2-羥基-4-甲氧基苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三口井。
作為具有二苯甲酮骨架之化合物，可列舉：2,4-二羥基二苯甲酮、2,2'-二羥基-4,4'-二甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮。
作為具有苯并***骨架之化合物，可列舉：2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并***、2-(2H-苯并***-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚。
作為具有苯甲酸酯骨架之化合物，可列舉：2,4-二第三丁基苯基-3,5-二第三丁基-4-羥基苯甲酸酯、2,4-二第三丁基苯基-4'-羥基-3',5'-二第三丁基苯甲酸酯等。
紫外線吸收劑亦可使用市售者，例如可列舉：ADEKA股份有限公司製造之Adekastab LA系列（LA-24、LA-29、LA-31、LA-32、LA-36、LA-F70、1413）、BASF公司製造之TINUVIN P、TINUBIN 234、TINUVIN 326、TINUVIN 329、TINUVIN 213、TINUVIN 571、TINUVIN 1577ED、CHIMASSORB 81、TINUVIN 120等。
紫外線吸收劑可使用1種，亦可將2種以上併用。 紫外線吸收劑之添加量只要根據所需之雷射光吸收性能而進行調整即可。遮罩材層中之紫外線吸收劑之含量相對於樹脂（較佳為(甲基)丙烯酸共聚物）100質量份較佳為0.1～5.0質量份，更佳為0.5～1.5質量份。 於形成遮罩材層之樹脂為藉由硬化劑而硬化之樹脂之情形時，上述樹脂100質量份係指利用硬化劑進行硬化前之樹脂。
（紫外線吸收性聚合物） 為了使遮罩材層具有較高之雷射吸收性，較佳為遮罩材層含有紫外線吸收性聚合物。於本說明書中，所謂「紫外線吸收性聚合物」係指藉由導入由具有紫外線吸收基之聚合性單體（共聚性單體）獲得之重複單位作為構成聚合物分子之重複單位（片段）之一而對聚合物自身賦予紫外線吸吸收性能之聚合物。上述紫外線吸收性聚合物與於通用聚合物中混練摻合有紫外線吸收劑之構成相比，不存在紫外線吸收劑成分之溶出或滲出之類的問題。
作為紫外線吸收性聚合物，較佳為於側鏈具有紫外線吸收骨架者。 紫外線吸收骨架可列舉關於紫外線吸收劑所列舉之骨架。本發明中較佳為苯并***骨架、二苯甲酮骨架或三口井骨架。 作為於側鏈具有紫外線吸收骨架之紫外線吸收性聚合物，可列舉以具有該等骨架之單體作為共聚成分之聚合物。作為具有該等骨架之單體，例如較佳可列舉於(甲基)丙烯酸酯化合物之醇部具有上述紫外線吸收骨架之至少1種之化合物。 因此，本發明中，紫外線吸收性聚合物較佳為具有紫外線吸收骨架之(甲基)丙烯酸聚合物，更佳為於側鏈具有苯并***骨架、二苯甲酮骨架及三口井骨架之至少任一紫外線吸收骨架之(甲基)丙烯酸聚合物。
紫外線吸收性聚合物係藉由使於(甲基)丙烯酸酯化合物之醇部具有紫外線吸收骨架之(甲基)丙烯酸酯化合物（單體）聚合（較佳為作為共聚成分進行聚合）而獲得。於使紫外線吸收性聚合物聚合時，此種紫外線吸收性單體可使用1種或併用2種以上。
作為紫外線吸收性單體較佳者係以下述通式（I）～（VII）之任一者表示。
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式中，R表示氫原子或甲基，R1 ～R4 分別獨立地表示取代基。m1表示0～3之整數，m2表示0～4之整數，n1表示0～4之整數，n2表示0～3之整數，n3表示0～5之整數。L1 表示單鍵或二價連結基，L2 表示伸烷基。 此處，下述取代基之說明中之胺基包含-NH2 、烷基胺基、芳基胺基、雜環胺基。
R1 ～R4 中之取代基例如可列舉：鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、雜環基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷基硫基、芳硫基、雜環硫基、羥基、巰基（-SH）、胺基、醯基、醯基胺基、磺醯胺基、胺甲醯基、胺磺醯基、醯氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、磺醯基、羧基、磺基、硝基。
R3 及R4 較佳為烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、胺基。
L1 之二價連結基表示-O-、-S-、-SO2 -、-N(Ra)-、-C(=O)-、伸烷基、伸芳基、二價雜環基、或組合該等而成之基。此處，Ra表示氫原子或取代基。 作為組合該等而成之基，例如可列舉：-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N(Ra)-C(=O)-、-C(=O)-N(Ra)-、-伸烷基-O-、-O-伸烷基-O-、-伸烷基-S-、-伸烷基-N(Ra)-、-伸芳基-O-、-O-伸芳基-O-、-伸芳基-S-、-伸芳基-N(Ra)-等。
L2 之伸烷基之碳數較佳為1～20，更佳為2～18，進而較佳為2～8。例如可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、伸丁基、伸己基、伸辛基。
再者，紫外線吸收劑之較佳之化合物可以上述通式（I）～（VII）中去除-L1 -L2 -O-C(=O)-C(R)=CH2 後之通式表示。
該等紫外線吸收性單體例如可列舉：甲基丙烯酸2-[3-(2H-1,2,3-苯并***-2-基)-4-羥基苯基]乙酯或甲基丙烯酸2-[2-(2-羥基-4-辛氧基苯基)-2H-1,2,3-苯并***-5-基氧基]乙酯、2-[2-羥基-5-(甲基丙烯醯氧基甲基)苯基]-2H-苯并***、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三口井-2-基)-5-[2-(丙烯醯氧基)乙氧基]苯酚、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三口井-2-基)-5-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙氧基]苯酚等。
作為可與上述紫外線吸收性單體共聚之其他單體成分，並無特別限制，可適當選擇而使用。 例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等(甲基)丙烯酸烷基酯類。 又，可列舉(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等含有羥基之不飽和單體。 構成紫外線吸收性聚合物之全部單體成分中，紫外線吸收性單體成分所占比率較佳為50質量%以上。該比率之上限並無特別限制，較佳為70質量%以下。
紫外線吸收聚合物之質量平均分子量較佳為1萬～20萬左右。
紫外線吸收聚合物亦可使用市售者，例如可列舉：新中村化學工業股份有限公司製造之Vanaresin UVA-5080、Vanaresin UVA-5080（OHV20）、Vanaresin UVA-7075、Vanaresin UVA-7075（OHV20）、Vanaresin UVA-55T、Vanaresin UVA-55MHB、Vanaresin UVA-73T、Newcoat UVA-101、Newcoat UVA-102、Newcoat UVA-103、Newcoat UVA-104等，以上均為商品名。
本發明中，亦可不使用作為基礎之樹脂而將紫外線吸收性聚合物作為基礎樹脂。即，亦可單獨使用紫外線吸收性聚合物作為構成遮罩材層之樹脂。 再者，本發明中，於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂自身亦可於側鏈具有紫外線吸收骨架。 此處，於添加至作為基礎之樹脂、例如(甲基)丙烯酸共聚物中使用之情形時，紫外線吸收性聚合物之含量只要根據所需之雷射光吸收性能進行調整即可，相對於作為基礎之樹脂、例如(甲基)丙烯酸共聚物100質量份適宜為5.0～50.0質量份。 又，如上所述，於單獨使用紫外線吸收性聚合物作為構成遮罩材層之樹脂之情形時，遮罩材層中之紫外線吸收性聚合物之含量較佳為90質量%～100質量%。
就利用電漿灰化之去除速度之觀點而言，遮罩材層之厚度較佳為5～100 μm，更佳為5～40 μm。
＜黏著劑層＞ 本發明之遮罩一體型表面保護帶至少具有基材膜與遮罩材層，且遮罩材層係與基材膜接觸地設置、或經由黏著劑層而設置。 本發明中，遮罩材層較佳為經由黏著劑層而設置於基材膜上。即，較佳為於表面保護帶之黏著劑層上具有遮罩材層。
黏著劑層係與遮罩材層一起承擔吸收形成於半導體晶圓之圖案面之元件之凹凸而提高與圖案面之密接性，保護圖案面之作用。為了使遮罩一體型表面保護帶成為可耐受於晶圓薄膜化步驟之負荷者，黏著劑層較佳為於晶圓薄膜化步驟中與遮罩材層或基材膜之密接性較高。另一方面，於晶圓薄膜化步驟後，為了與基材膜一體地自遮罩材層剝離，較佳為與遮罩材層之密接性較低（較佳為剝離性較高）。
構成黏著劑層之黏著劑可使用習知之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用之黏著劑。 黏著劑可為輻射硬化型黏著劑及感壓型黏著劑之任一者，於遮罩材層為輻射硬化型之情形時，較佳為感壓型黏著劑，於遮罩材層為感壓型之情形時，較佳為輻射硬化型黏著劑。 因此，於本發明中，由於遮罩材層較佳為輻射硬化型，故而較佳為感壓型黏著劑。即，本發明之遮罩一體型表面保護帶較佳為具有遮罩材層經由黏著劑層而設置於基材膜上之構成，且構成黏著劑層之黏著劑為感壓型黏著劑。
黏著劑層較佳為直接應用關於遮罩材層所說明之內容。再者，不應用遮罩材層之記載中關於355 nm～10800 nm之波長區域之平行光線吸收率為50%以上、及用於其之紫外線吸收成分的記載。
但是，於本發明中，黏著劑層亦可含有紫外線吸收成分。於此情形時，黏著劑層中之紫外線吸收成分之含量較佳為黏著劑層於355 nm之波長區域之平行光線吸收率未達50%之量，更佳為不含紫外線吸收成分。
就進一步提高形成於圖案面之元件等之保護能力，又，就進一步提高半導體晶圓對圖案面之密接性之觀點而言，黏著劑層之厚度較佳為5～100 μm。再者，雖然亦取決於器件之種類，但半導體晶圓之圖案表面之凹凸大致為數μm～15 μm左右，因此黏著劑層之厚度更佳為5～30 μm。 又，雖然亦取決於器件之種類，但黏著劑層之厚度較佳為遮罩材層之厚度以上，更佳為大於遮罩材層之厚度。
本發明之遮罩一體型表面保護帶中具有黏著劑層之遮罩一體型表面保護帶係如分圖1（b）、（c）所示之構成。 於分圖1（b）、（c）中，遮罩一體型表面保護帶3於基材膜3aa上具有黏著劑層3ab，於該黏著劑層3ab上具有遮罩材層3b。 此處，由基材膜3aa與黏著劑層3ab所構成之帶為表面保護帶3a。 再者，於分圖1（b）、（c）中，於遮罩一體型表面保護帶3不具有黏著劑層3ab之情形時，表面保護帶3a之部分成為基材膜3a。
本發明中，遮罩材層3b或黏著劑層3ab亦可含有習知之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用之樹脂、硬化劑、光自由基聚合起始劑以外之成分。
＜＜半導體晶片之製造方法＞＞ 本發明中，尤佳為藉由包括下述步驟（a）～（d）之步驟製造半導體晶片。
[步驟] （a）於將本發明之遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，對半導體晶圓之背面進行研削，於經研削之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，並利用環狀框進行支持固定的步驟； （b）藉由自遮罩一體型表面保護帶剝離基材膜、或一體地剝離基材膜與黏著劑層而使遮罩材層露出於表面，其後藉由雷射將遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道開口的步驟； （c）藉由SF6 電漿將半導體晶圓沿界道分斷而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及 （d）去除遮罩材層之步驟（較佳為藉由O2 電漿去除遮罩材層之灰化步驟）。 其中，為了於上述步驟（b）中使遮罩材層露出於表面，於本發明之遮罩一體型表面保護帶中遮罩材層與基材膜接觸地設置之情形時，將基材膜剝離，於本發明之遮罩一體型表面保護帶中遮罩材層經由黏著劑層而設置於基材膜之情形時，將基材膜與黏著劑層一體地剝離。
於本發明之半導體晶片之製造方法中，藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，可藉由包括上述步驟（a）～（d）之步驟而製造半導體晶片。
應用本發明之遮罩一體型表面保護帶的上述半導體晶片之製造方法較佳為於上述步驟（d）後包括下述步驟（e）。又，於包括下述步驟（e）之情形時，較佳為於該步驟（e）後進而包括下述步驟（f）。 （e）自晶圓固定帶拾取半導體晶片之步驟 （f）將所拾取之半導體晶片移行至黏晶步驟之步驟
以下，參照圖式對使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法（以下，亦簡稱為「應用本發明之製造方法」）基於其較佳之實施形態進行說明，但本發明除本發明所規定之內容以外，並不限定於下述實施形態。又，各圖式所示之形態係用於使本發明容易理解之示意圖，各構件之尺寸、厚度、或相對大小關係等有為了方便說明而變更大小之情形，並非直接顯示出實際之關係者。又，除本發明所規定之事項以外，亦並不限定於該等圖式所示之外形、形狀。
本發明所適用之製造方法之較佳實施形態可分類為下述所示之第1及第2實施形態。 再者，下述實施形態所使用之裝置及遮罩一體型表面保護帶以外之材料若無特別說明，則可使用自先前以來用於半導體晶圓之加工之一般之裝置及材料等，其使用條件亦可於一般之使用方法之範圍內視目的而適當設定、最佳化。又，關於各實施形態中共通之材質、構造、方法、效果等省略重複記載。
＜第1實施形態[圖1～圖5]＞ 參照圖1～圖5對應用本發明之製造方法之第1實施形態進行說明。 再者，該等圖如上所述係表示層構成之示意圖，且並非根據實際狀態反映基材膜、黏著劑層、遮罩材層之各厚度者。基材膜或各層之厚度係應用關於已記載之遮罩一體型表面保護帶所說明之內容。
半導體晶圓1具有於其正面S形成有半導體元件之電路等之圖案面2（參照分圖1（a））。於該圖案面2貼合本發明之遮罩一體型表面保護帶3，該遮罩一體型表面保護帶3於在基材膜3aa上設置有黏著劑層3ab的表面保護帶3a之黏著劑層3ab上進而設置有遮罩材層3b（參照分圖1（b）），獲得圖案面2經本發明之遮罩一體型表面保護帶3被覆之半導體晶圓1（參照分圖1（c））。
此處，於圖1之分圖1（b）及（c）中，示出於基材膜上經由黏著劑層而具有遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶3。於此情形時，表面保護帶3a係由基材膜3aa與黏著劑層3ab構成。 於本發明中，亦包含以與基材膜接觸之方式具有遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶3。於該帶之情形時，並非以與基材膜接觸之方式具有黏著劑層，因此於分圖1（b）及（c）中，3a為基材膜。因此，於以後之說明中，關於以與基材膜接觸之方式具有遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶3，將「表面保護帶3a」、「表面保護帶（不包括遮罩一體型表面保護帶）」分別改稱為「基材膜3a」、「表面保護帶」。
其次，利用晶圓研削裝置M1對半導體晶圓1之背面B進行研削，使半導體晶圓1之厚度減薄（參照分圖2（a））。將晶圓固定帶4貼合於該經研削之背面B（參照分圖2（b）），並支持固定於環狀框F（參照分圖2（c））。
自半導體晶圓1剝離遮罩一體型表面保護帶3之表面保護帶3a並且該遮罩材層3b殘留於半導體晶圓1上（參照分圖3（a）），使遮罩材層3b露出（參照分圖3（b））。繼而，自正面S側對以格子狀等適當形成於圖案面2之多個界道（未圖示）照射雷射L，而將相當於遮罩材層3b之界道之部分去除，使半導體晶圓之界道開口（參照分圖3（c））。
切斷遮罩材層3b之雷射照射可使用照射紫外線或紅外線之雷射光之雷射照射裝置。該雷射光照射裝置配設有能夠沿半導體晶圓1之界道自由地移動之雷射照射部，可照射為了去除遮罩材層3b而經適當控制之輸出之雷射。 再者，雷射並不特別限定於CO2 或YAG等，其中，本發明中可適宜地利用作為YAG雷射之三次諧波之355 nm及CO2 雷射之10800 nm之紫外線區域之雷射。即，該等雷射之吸收率對於各種材質非常高，且不施加熱應力，因此可用於要求高品質之微細加工，又，光束直徑較長波長雷射縮小，因此能夠實現更微細之加工，可適宜地利用於本發明。
其次，自正面S側進行利用SF6 氣體之電漿P1之處理，對在界道部分露出之半導體晶圓1進行蝕刻（參照分圖4（a）），並進行分割而單片化為各個晶片7（參照分圖4（b））。繼而，藉由氧氣之電漿P2進行灰化（參照分圖4（c）），將殘留於正面S之遮罩材層3b去除（參照分圖5（a））。然後，最後利用銷M2將經單片化之晶片7頂起並利用吸嘴M3吸附而拾取（參照分圖5（b））。
此處，使用SF6 氣體之半導體晶圓之Si之蝕刻製程亦稱為BOSCH製程，使所露出之Si與將SF6 電漿化而生成之F原子進行反應，以四氟化矽（SiF4 ）之形式去除，亦稱為反應式離子蝕刻（RIE）。另一方面，利用氧氣電漿去除遮罩材層，於半導體製造製程中在亦用作電漿清潔器之方法中亦稱為灰化（ashing），係去除有機物之方法之一。其係為了清潔殘留於半導體器件表面之有機物殘渣而進行。
其次，對上述方法所使用之材料進行說明。再者，下述所說明之材料係可應用於所有本發明之遮罩一體型表面保護帶之材料，並非限定性地應用於將遮罩一體型表面保護帶用於上述方法之情形之材料。
半導體晶圓1係於單面具有形成有半導體元件之電路等之圖案面2的矽晶圓等，圖案面2係形成有半導體元件之電路等之面，且於俯視下具有界道。
晶圓固定帶4保持半導體晶圓1，需要即便暴露於電漿切割步驟亦可耐受之耐電漿性。又，於拾取步驟中要求良好之拾取性，或視情形亦要求延伸性等。此種晶圓固定帶4可使用與上述表面保護帶3a相同之帶。又，一般而言可使用稱為切割帶之習知之電漿切割方式中所利用之公知之切割帶。又，為了容易於拾取後移行至黏晶步驟，亦可使用於黏著劑層與基材膜之間積層有黏晶用接著劑之切割黏晶帶。
於進行電漿切割及電漿灰化時，可使用電漿蝕刻裝置。電漿蝕刻裝置係可對半導體晶圓1進行乾式蝕刻之裝置，且係於真空腔室內製造出密閉處理空間，於高頻側電極載置半導體晶圓1，自與該高頻側電極對向地設置之氣體供給電極側供給電漿產生用氣體者。若對高頻側電極施加高頻電壓，則於氣體供給電極與高頻側電極之間產生電漿，因此利用該電漿。於發熱之高頻電極內使冷媒循環而防止由電漿之熱所引起之半導體晶圓1之升溫。
根據上述半導體晶片之製造方法（半導體晶圓之處理方法），使保護圖案面2之表面保護帶具有電漿切割中之遮罩功能，藉此，無需習知之電漿切割製程中所使用之用以設置抗蝕劑之光微影步驟等。尤其由於使用表面保護帶，故而遮罩之形成無需印刷或轉印等要求高度之位置對準之技術，可簡單地貼合於半導體晶圓表面，可藉由雷射裝置而簡單地形成遮罩。 又，由於可藉由O2 電漿將遮罩材層3b去除，故而可藉由與進行電漿切割之裝置相同之裝置去除遮罩部分。此外，由於自圖案面2側（正面S側）進行電漿切割，故而無需於拾取作業前使晶片之上下反轉。就該等原因而言，可簡化設備，可大幅地抑制製程成本。
＜第2實施形態[圖6]＞ 本實施形態中，於在第1實施形態中之剝離表面保護帶3a之步驟前包括對遮罩一體型表面保護帶3照射紫外線等輻射而使遮罩材層或黏著劑層硬化之步驟的方面與第1實施形態不同。其他步驟與第1實施形態相同。 再者，本發明中，較佳為使遮罩材層硬化而非使黏著劑層硬化。
即，於半導體晶圓1之正面S側貼合遮罩一體型表面保護帶3，於半導體晶圓1之進行研削之背面B側貼合晶圓固定帶4，並支持固定於環狀框F（參照分圖2（c）、分圖6（a）），其後自正面S側朝向遮罩一體型表面保護帶3照射紫外線UV（參照分圖6（b））。然後，於使遮罩一體型表面保護帶3之遮罩材層3b硬化後，去除表面保護帶3a（參照分圖6（c））而使遮罩材層3b露出（參照分圖3（b））。其後，轉移至藉由雷射L將相當於界道之部分之遮罩材層3b切除之步驟。 再者，紫外線之照射係例如以紫外線成為累計照射量500 mJ/cm2 之方式自基材膜側照射至遮罩一體型表面保護帶整體。紫外線照射較佳為使用高壓水銀燈。
本實施形態中所使用之遮罩一體型表面保護帶係將第1實施形態所示之遮罩一體型表面保護帶3中能夠藉由紫外線等輻射而硬化之材質用於遮罩材層3b者。 藉由利用紫外線等使遮罩材層3b硬化，而變得容易自遮罩材層3b剝離表面保護帶3a。
上述各實施形態係本發明之一例，並不限定於此種形態，可於不違反本發明之主旨之限度內進行各製程中之公知製程之添加或削除、變更等。 [實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於此。
實施例1 ＜遮罩一體型表面保護帶之製作＞ 藉由將丙烯酸20 mol%、丙烯酸丁酯70 mol%、丙烯酸甲酯10 mol%以所記載之莫耳比進行混合並於乙酸乙酯溶液中進行聚合，而合成(甲基)丙烯酸共聚物（質量平均分子量：40萬，羥值：0 mgKOH/g，酸值：48.8 mgKOH/g，Tg：-23℃）。 於該(甲基)丙烯酸共聚物之溶液中，相對於該共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之TETRAD-X[Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造，環氧系硬化劑]2.0質量份，獲得黏著劑組成物A。
藉由將甲基丙烯酸1.0 mol%、丙烯酸2-乙基己酯78 mol%、丙烯酸2-羥基乙酯21 mol%以所記載之莫耳比進行混合並於乙酸乙酯溶液中進行聚合，而獲得質量平均分子量70萬之(甲基)丙烯酸共聚物之溶液。 藉由使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯[商品名：Karenz MOI，昭和電工股份有限公司製造]與所獲得之共聚物進行反應而進行加成，獲得含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物（質量平均分子量：70萬，雙鍵量：0.90 meq/g，羥值：33.5 mgKOH/g，酸值：5.5 mgKOH/g，Tg：-68℃）。 相對於所獲得之含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之Coronate L[日本聚胺酯工業股份有限公司製造，異氰酸酯系硬化劑]1.0質量份、作為光自由基聚合起始劑之Irgacure 184（BASF公司製造）2.0質量份、作為紫外線吸收劑之LA-F70（ADEKA股份有限公司製造，三口井骨架之紫外線吸收劑）0.75質量份，而獲得遮罩材層形成用組成物B。
將上述黏著劑組成物A以乾燥後之厚度成為30 μm之方式塗敷於剝離襯墊上，形成黏著劑層3ab。將該黏著劑層3ab貼合於厚度100 μm之低密度聚乙烯（LDPE）膜之基材膜3aa（與黏著劑層貼合之側之表面粗糙度Rz為0.5 μm），獲得厚度130 μm之表面保護帶3a。
進而，將上述遮罩材層形成用組成物B以乾燥後之厚度成為10 μm之方式塗敷於剝離襯墊上，形成遮罩材層3b。藉由將該遮罩材層3b貼合於將上述表面保護帶3a之剝離襯墊剝離而露出之黏著劑層3ab（利用黏著劑組成物A所形成之層）之表面，而製作遮罩材層3b之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為1.0 μm、總厚為140 μm之紫外線硬化型之遮罩材一體型表面保護帶3。 即，於本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層中，硬化劑（Coronate L）處於與含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物等硬化前之樹脂反應之狀態。 再者，關於遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz，於具有黏著劑層之情形時，藉由調節貼附遮罩材層之側之黏著劑層之表面粗糙度Rz而調節為目標之表面粗糙度之值，另一方面，於不具有黏著劑層之情形時，藉由調節貼附遮罩材層之側之基材膜之表面之粗糙度Rz而調節為目標之表面粗糙度之值。 此處，表面粗糙度Rz係藉由利用雷射顯微鏡之表面粗糙度測定而確認。
＜半導體晶片之製造＞ 使用貼合機DR8500III[商品名：日東精機股份有限公司製造]，於附劃線（界道）之矽晶圓（直徑8英吋）表面貼合上述所獲得之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶。 其後，使用DGP8760[商品名：Disco股份有限公司製造]，將與貼合上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面（晶圓之背面）研削至晶圓之厚度成為50 μm。使用RAD-2700F[商品名：Lintec股份有限公司製造]，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶（晶圓固定帶）上，利用環狀框支持固定（步驟（a））。
於固定後，藉由使用高壓水銀燈自紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶側照射500 mJ/cm2 之紫外線而使遮罩材層3b與表面保護帶3a之間之密接力降低，僅將表面保護帶3a剝離，於晶圓上僅殘留遮罩材層3b。 其次，藉由355 nm波長之YAG雷射或10800 nm之波長之CO2 雷射而去除劃線上之遮罩材層，使劃線開口（步驟（b））。
其後，使用SF6 氣體作為電漿產生用氣體，以15 μm/min之蝕刻速度自遮罩材層側對矽晶圓電漿照射5分鐘。藉由該電漿切割將晶圓切斷而分割成各個晶片（步驟（c））。
繼而，使用氧氣作為電漿產生用氣體，以1.5 μm/min之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材層3b（步驟（d））。
其後，自切割帶側照射紫外線（照射量200 mJ/cm2 ），使切割帶之黏著力降低，拾取晶片。
實施例2 於實施例1中，將遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz調節為1.5 μm，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
實施例3 於實施例1中，將遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz調節為0.2 μm，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
實施例4 將實施例1中所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑即LA-F70（ADEKA股份有限公司製造，三口井骨架之紫外線吸收劑）之摻合量自0.75質量份變更為1.5質量份，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
實施例5 將實施例1中所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑即LA-F70（ADEKA股份有限公司製造，三口井骨架之紫外線吸收劑）變更為紫外線吸收劑LA-31（ADEKA股份有限公司製造，***骨架之紫外線吸收劑），除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
實施例6 將實施例1中所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑即LA-F70（ADEKA股份有限公司製造，三口井骨架之紫外線吸收劑）變更為紫外線吸收劑LA-31（ADEKA股份有限公司製造，***骨架之紫外線吸收劑），且將摻合量自0.75質量份變更為0.5質量份，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
實施例7 不設置實施例1中所形成之黏著劑層3ab，且將實施例1中所使用之遮罩材層形成用組成物B以乾燥後之厚度成為10 μm之方式塗敷於剝離襯墊上，形成遮罩材層3b。藉由將該遮罩材層3b直接貼合於實施例1中所使用之基材膜，而製作總厚110 μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。 再者，遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz係藉由與實施例1相同之方式調節為目標之表面粗糙度Rz。
實施例8 於實施例1中，使用紫外線吸收性聚合物代替遮罩材層形成用組成物B，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。 再者，紫外線吸收性聚合物係使用Vanaresin UVA-5080及Vanaresin UVA-7075[均為新中村化學工業股份有限公司製造]之等質量之混合物。
比較例1 於實施例1中，將遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz調節為2.0 μm，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
比較例2 於實施例1中，將遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz調節為0.05 μm，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作遮罩一體型表面保護帶，藉由與實施例1相同之方式製造半導體晶片。
此處，紫外線吸收劑之LA-F70、LA-31（均為ADEKA股份有限公司製造）及紫外線吸收性聚合物之Vanaresin UVA-5080、Vanaresin UVA-7075[均為新中村化學工業股份有限公司製造]為下述化學結構。
Figure 107136493-A0304-12-0038-1
＜特性及性能評價＞ 以下述試驗例1之方式測定並算出以上述方式獲得之各遮罩材層3b之平行光線吸收率。 又，於實施例1～6及8以及比較例1及2中，以下述試驗例2之方式進行所要剝離之表面保護帶3a之剝離性評價，於實施例7中，以下述試驗例2之方式進行所要剝離之基材膜3a之剝離性評價。 進而，以下述試驗例3及4之方式進行實施例1～8以及比較例1及2中所製作之各遮罩一體型表面保護帶之晶圓界道部之切斷性與遮罩材層之去除性之評價。
[試驗例1]遮罩材層之平行光線吸收率之評價 藉由以下之方法測定遮罩材層於波長355 nm及10800 nm之平行光線穿透率。 使用紫外可見分光光度計UV-1800（島津製作所股份有限公司製造），將遮罩材層安裝於治具，測定於波長355 nm、10800 nm下之平行光線穿透率。於下述式中，使用355 nm及10800 nm之2種平行光線穿透率中之較高值作為平行光線穿透率，算出平行光線吸收率。 再者，遮罩材層之平行光線穿透率係製作與所製作之各遮罩一體型表面保護帶中之遮罩材層之厚度相同之厚度之測定用遮罩材樣品而測得之值。
平行光線吸收率[%]＝100－平行光線穿透率[%]
[試驗例2]表面保護帶或基材膜之剝離性評價 關於上述半導體晶片之製造步驟之步驟（b）中之紫外線照射後之遮罩一體型表面保護帶，用手將分隔件（表面保護帶或基材膜）剝離，於進行該剝離時確認遮罩材層之遮罩材是否自黏著劑層、或基材膜剝離，根據下述基準對剝離性進行評價。
-表面保護帶或基材膜之剝離性之評價基準- ◎：以較弱之力便可簡單地僅將表面保護帶或基材膜剝離。 ○：需要對於剝離而言略強之力，但可僅將表面保護帶或基材膜剝離。 ×：無法剝離、或連同遮罩材層一起剝離。
[試驗例3]利用雷射照射之晶圓界道部之切斷性 於上述半導體晶片之製造步驟之步驟（b）中，於各實施例及比較例中，對遮罩材層照射355 nm之YAG雷射而將相當於遮罩材層之界道之部分去除，根據下述評價基準評價使半導體晶圓之界道開口時之切斷性。 具體而言，自遮罩材層側，藉由fθ透鏡將平均輸出2.5 W、重複頻率1 kHz之YAG雷射之第三高頻（355 nm）以25 μm直徑集光於矽晶圓表面，藉由檢流計掃描振鏡照射雷射光。 雷射光之照射係以2.5 mm/秒之速度進行掃描，每1條線重複進行1次雷射照射，藉此將相當於遮罩材層之界道之部分去除，評價使半導體晶圓之界道開口時之切斷性。
-利用雷射照射之晶圓界道部之切斷性之評價基準- ◎：界道可開口，未產生遮罩材層之殘渣物。 〇：界道可開口，但產生遮罩材層之殘渣物。 ×：無法去除遮罩材層，界道無法開口。
[試驗例4]利用O2 電漿灰化之遮罩材層之去除性評價 於上述半導體晶片之製造步驟之步驟（d）中，使用雷射顯微鏡[商品名：VK-X100，Keyence股份有限公司製造]，根據表面之橫640 μm×縱480 μm之範圍內之三維資訊（放大率400倍）調查各實施例及比較例中之O2 電漿灰化（以1.5 μm/min之蝕刻速度進行10分鐘灰化）後之遮罩材層之遮罩材有無殘留。具體而言，於半導體晶圓之表面，關於圓之中心、及位於在圓之中心呈直角相交之2條線上且距圓之中心為相等之距離之4點之共計5點（均在橫640 μm×縱480 μm之範圍內），確認遮罩材層有無殘留。
-遮罩材層之去除性之評價基準- 〇：未觀測到遮罩材層之殘留（作為無殘留，於表中記載為「無」）。 ×：明確觀測到遮罩材層之殘留（作為有殘留，於表中記載為「有」）。
將試驗例1～4中所獲得之結果示於下述表1及2。 此處，實施例8之欄中之「-」係指未摻合紫外線吸收劑。 又，比較例2之欄中之「-」係指於「利用雷射照射之晶圓界道部之切斷性」之評價中，遮罩材層於剝離分隔件（表面保護帶）時剝離，無法進行評價。 另一方面，「利用O2 電漿灰化之遮罩材層之去除性」中之「-」係指由於無法進行上述「利用雷射照射之晶圓界道部之切斷性」之評價，故而未進行試驗例4之評價。
[表1]
Figure 107136493-A0304-0001
[表2]
Figure 107136493-A0304-0002
由上述實施例1～8及比較例1、2中之各試驗例之結果可知，於對半導體晶圓進行加工而製造半導體晶片時，藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，於半導體晶圓之圖案面貼附遮罩一體型表面保護帶3，僅自所貼附之遮罩一體型表面保護帶3剝離表面保護帶3a，或者於以與基材膜接觸之方式具有遮罩材層3b之情形時，僅剝離基材膜3a，便可不產生糊劑殘留且簡單地形成遮罩。 而且，可知藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，可使半導體晶圓之界道於雷射照射中無問題地開口，進而遮罩材層3b可藉由O2 電漿而更確實地去除，可高度地抑制不良晶片之產生。
對本發明與其實施態樣一起進行了說明，但認為若本發明者們未特別指定，則並非意欲將本發明者們之發明限定於說明之某個細部，應於不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神與範圍之情況下廣泛地進行解釋。
本案係主張基於2017年10月18日於日本申請專利之日本特願2017-202234之優先權者，將其內容以參照之方式引入本文中作為本說明書之記載之一部分。
1‧‧‧半導體晶圓2‧‧‧圖案面3‧‧‧遮罩材一體型表面保護帶3a‧‧‧表面保護帶（基材膜與黏著劑層）或基材膜3aa‧‧‧表面保護帶之基材膜3ab‧‧‧表面保護帶之黏著劑層3b‧‧‧遮罩材層4‧‧‧晶圓固定帶4a‧‧‧黏著劑層或接著劑層4b‧‧‧基材膜7‧‧‧晶片（亦稱為半導體晶片）S‧‧‧正面B‧‧‧背面M1‧‧‧晶圓研削裝置M2‧‧‧銷M3‧‧‧吸嘴F‧‧‧環狀框L‧‧‧雷射P1‧‧‧SF6氣體之電漿P2‧‧‧氧氣之電漿
圖1係本發明之遮罩一體型表面保護帶之代表性且示意性概略剖面圖、及於使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法之第1實施形態（以下，亦稱為使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之第1實施形態）中對至將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓為止之步驟進行說明之概略剖面圖。於圖1中，分圖1（a）表示半導體晶圓，分圖1（b）表示於半導體晶圓貼合遮罩一體型表面保護帶之情況，分圖1（c）表示貼合有遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓。 圖2係於使用本發明之遮罩一體表面保護帶之第1實施形態中對至半導體晶圓之薄膜化及固定為止之步驟進行說明之概略剖面圖。於圖2中，分圖2（a）表示半導體晶圓之薄膜化處理，分圖2（b）表示於經薄膜化處理之半導體晶圓貼合晶圓固定帶之情況，分圖2（c）表示將半導體晶圓固定於環狀框之狀態。 圖3係於使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之第1實施形態中對至遮罩形成為止之步驟進行說明之概略剖面圖。於圖3中，分圖3（a）表示自遮罩一體型表面保護帶剝離表面保護帶而殘留遮罩材層之情況，分圖3（b）表示露出遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層之狀態，分圖3（c）表示藉由雷射將相當於界道之遮罩材層切除之步驟。 圖4係於使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之第1實施形態中說明電漿切割與電漿灰化之步驟之概略剖面圖。於圖4中，分圖4（a）表示進行電漿切割之情況，分圖4（b）表示經單片化為晶片之狀態，分圖4（c）表示進行電漿灰化之情況。 圖5係於使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之第1實施形態中對至拾取晶片為止之步驟進行說明之概略剖面圖。於圖5中，分圖5（a）表示去除遮罩材層後之狀態，分圖5（b）表示拾取晶片之情況。 圖6係說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法之第2實施形態中之進行紫外線照射處理之前後之狀態的概略剖面圖。於圖6中，分圖6（a）表示將半導體晶圓之正背兩面分別利用遮罩一體型表面保護帶與晶圓固定帶進行被覆並固定之狀態，分圖6（b）表示照射紫外線之情況，分圖6（c）表示自遮罩一體型表面保護帶剝離表面保護帶而殘留遮罩材層之情況。
1‧‧‧半導體晶圓
2‧‧‧圖案面
3b‧‧‧遮罩材層
4‧‧‧晶圓固定帶
7‧‧‧晶片(亦稱為半導體晶片)
F‧‧‧環狀框
S‧‧‧正面
P1‧‧‧SF6氣體之電漿
P2‧‧‧氧氣之電漿

Claims (10)

  1. 一種電漿切割用遮罩材，其用於電漿步驟，其特徵在於，上述遮罩材之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1μm~1.5μm；且上述遮罩材於355nm~10800nm之波長區域之平行光線吸收率為50%以上。
  2. 一種遮罩一體型表面保護帶，其至少具有基材膜及設置於該基材膜上之遮罩材層且用於半導體晶片之製造，其特徵在於，上述遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1μm~1.5μm；且上述遮罩材層於355nm~10800nm之波長區域之平行光線吸收率為50%以上。
  3. 如請求項2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層係與上述基材膜接觸地設置、或經由黏著劑層而設置。
  4. 如請求項2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層含有樹脂與至少1種紫外線吸收劑，該紫外線吸收劑係具有選自三
    Figure 107136493-A0305-02-0046-2
    骨架、二苯甲酮骨架、苯并***骨架及苯甲酸酯骨架之任一骨架之化合物，且上述遮罩材層中之上述紫外線吸收劑之含量相對於上述樹脂100質量份為0.5~1.5質量份。
  5. 如請求項2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層含有具有紫外線吸收骨架之(甲基)丙烯酸聚合物。
  6. 如請求項2、4及5中任一項所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材層為輻射硬化型。
  7. 如請求項2、4及5中任一項所述之遮罩一體型表面保護帶，其 中，上述遮罩材層係經由黏著劑層而設置，且構成上述黏著劑層之黏著劑為感壓型黏著劑。
  8. 如請求項2至5中任一項所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材膜至少具有聚烯烴樹脂層。
  9. 一種半導體晶片之製造方法，其使用至少具有基材膜及設置於該基材膜上之遮罩材層之遮罩一體型表面保護帶，其特徵在於，上述遮罩材層之不與被黏著體接觸之面側之表面粗糙度Rz為0.1μm~1.5μm，且該製造方法包括下述步驟(a)~(d)：[步驟](a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，對該半導體晶圓之背面進行研削，於經研削之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，並利用環狀框進行支持固定的步驟；(b)自上述遮罩一體型表面保護帶至少將上述基材膜剝離而使遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材層中相當於半導體晶圓之界道之部分切斷而使半導體晶圓之界道開口的步驟；(c)藉由SF6電漿將半導體晶圓沿上述界道分斷而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及(d)去除上述遮罩材層之步驟。
  10. 如請求項9所述之半導體晶片之製造方法，其中，上述遮罩材層係與上述基材膜接觸地設置、或經由黏著劑層而設置，且於上述步驟(b)中，為了使上述遮罩材層露出於表面，將上述基材膜剝離、或將上述基材膜與上述黏著層一體地剝離。
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