TWI687142B - 電路板結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的一些實施例提供一種電路板結構的製造方法。此方法包含提供核心基板；形成絕緣層於核心基板上；形成圖案化金屬層於絕緣層上，其中圖案化金屬層包含線路層和焊墊；形成第一金屬柱於焊墊上，其中第一金屬柱具有頂面；以及形成第一防焊層於圖案化金屬層及第一金屬柱上，其中第一防焊層具有第一開口使第一金屬柱露出，且第一開口具有底面，其中第一金屬柱的頂面高於或等於第一開口的底面。

Description

電路板結構及其製造方法

本發明實施例係有關於一種電路板結構及其製造方法，且特別有關於一種具有金屬柱之電路板結構及其製造方法。

電路板廣泛地使用於各種電子設備當中。電路板上通常具有多個以陣列排列布局的金屬柱突出於防焊層的頂面，在封裝製程中將焊料形成於電路板的金屬柱上，接著利用回焊(reflow)將各種電子零件固定於電路板上，各個電子零件透過電路板內的線路層彼此電性連接。

隨著電子產品被要求輕、薄、短、小及低價化，電路板被要求具有高佈線密度、高產品良率及低生產成本。因此，雖然現有的電路板大抵符合使用上之需求，但仍有需要對電路板及其製程進行改良，以提高電路板的良率及效能，並降低其生產成本。

舉例而言，防焊層開口的底部兩側易受蝕刻或表面處理的影響，使焊墊與防焊層之間形成縫隙。焊接材料可沿著縫隙，水平延伸至其它區域，導致短路及其它信賴性的問題，此現象稱為焊料擠壓(solder extrusion)。

本發明的一些實施例提供一種電路板結構的製造方法。此方法包含提供核心基板；形成絕緣層於核心基板上；形成圖案化金屬層於絕緣層上，其中圖案化金屬層包含線路層和焊墊；形成第一金屬柱於焊墊上，其中第一金屬柱具有頂面；以及形成第一防焊層於圖案化金屬層及第一金屬柱上，其中第一防焊層具有第一開口使第一金屬柱露出，且第一開口具有底面，其中第一金屬柱的頂面高於或等於第一開口的底面。

本發明的一些實施例提供一種電路板結構。此電路板結構包含核心基板；絕緣層設置在核心基板上；圖案化金屬層設置在絕緣層上，其中圖案化金屬層具有線路層和焊墊；第一金屬柱設置在焊墊上且第一金屬柱具有頂面；以及第一防焊層設置在圖案化金屬層及第一金屬柱上，且第一防焊層具有第一開口，使第一金屬柱露出且第一開口具有底面，其中第一金屬柱的頂面高於或等於第一開口的底面。

以下公開許多不同的實施方法或是例子來實行本發明實施例之不同特徵，以下描述具體的元件及其排列的實施例以闡述本發明。當然這些實施例僅用以例示，且不該以此限定本發明實施例的範圍。例如，在說明書中提到第一元件形成於第二元件之上，其包括第一元件與第二元件是直接接觸的實施例，另外也包括於第一元件與第二元件之間另外有其他元件的實施例，亦即，第一元件與第二元件並非直接接觸。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示，這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明實施例，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。

此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的” 及類似的用詞，這些空間相關用詞係為了便於描述圖示中一個(些)元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係，這些空間相關用詞包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則其中使用的空間相關形容詞也可相同地照著解釋。

以下描述一些實施例的變化。在各個不同示意圖及說明的實施例中，使用類似的數字來標註類似的元件。應當理解的是，可在下述方法之前、之中及之後提供額外的操作，且方法中所描述的一些操作可為了此方法的其它實施例而被取代或移除。

本發明實施例之電路板結構之製造方法，係在焊接塊與焊墊之間形成金屬柱。由於上述金屬柱形成於焊接塊與焊墊之間，所以可避免焊接材料水平延伸至其它區域，而可避免短路及其它信賴性問題。再者，焊接面亦可從單一接觸面變為多個接觸面，提升接觸的表面積，增加焊接塊的附著力及電路板結構的信賴性。此外，在形成焊接塊前形成金屬柱，使得填入防焊層的開口的焊接材料的用量可進一步減少。而且，在金屬柱上進行回焊製程時，焊接塊具有自我對準的功能，所以有更佳的對位功能。另外，金屬柱上方具有非焊料罩定義的(non-solder mask defined，N-SMD)結構；下方仍具有焊料罩定義的(solder mask defined，SMD)結構。

第1A至1K圖是根據本發明的一些實施例，繪示形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。首先，第1A圖繪示出本發明實施例之電路板結構之製造方法的起始步驟。首先，提供核心基板100。在一些實施例中，核心基板100可包含覆金屬積層板(metal-clad laminate，例如:銅箔基板)，其可包含底板102以及設置於底板102兩相反面上之金屬層104。舉例而言，底板102可包括紙質酚醛樹脂(paper phenolic resin)、複合環氧樹脂(composite epoxy)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、玻璃纖維(glass fiber)、其他適當之絕緣材料或上述之組合，且其厚度可為100 μm至300 μm。金屬層104可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或前述之組合，且其厚度可為5 μm至30 μm。可使用適當之方法形成金屬層104於底板102上，例如:濺鍍(sputtering)、壓合(laminate)、塗佈(coating)或上述之組合。值得注意的是，於本發明一些其他實施例中，核心基板100並不限定為覆金屬積層板，其亦可包括單層板、高密度連接板或其他適當之基板。

接著，請參照第1B圖，在核心基板100上形成絕緣層106。在一些實施例中，可透過將絕緣材料壓合至核心基板100的上表面上，來形成絕緣層106。絕緣層106的絕緣材料可包含紙質酚醛樹脂(paper phenolic resin)、複合環氧樹脂(composite epoxy resin)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、玻璃纖維(glass fiber)、ABF膜(Ajinomoto Build-up Film)、聚苯醚(poly phenylene，PPE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、其他適當之絕緣材料或前述之組合。

然後，在絕緣層106上形成導電層108。在一些實施例中，導電層108的材料可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或前述之組合。在一些實施例中，可利用沉積、壓合或塗佈製程，在絕緣層106上形成導電層108。

接著，請參照第1C圖，形成圖案化罩幕層110於導電層108上。在一些實施例中，圖案化罩幕層110的材料可包含紙質酚醛樹脂(paper phenolic resin)、複合環氧樹脂(composite epoxy)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、玻璃纖維(glass fiber)、ABF膜(Ajinomoto Build-up Film)、液態光阻、其他適當之材料或上述之組合。在一些實施例中，可使用印刷、旋轉塗佈、貼合、其他適當之方式或上述之組合形成尚未圖案化之罩幕層於導電層108上，接著進行曝光、顯影等製程以形成圖案化罩幕層110。

然後，形成圖案化金屬層112於導電層108上。詳細而言，形成圖案化金屬層112於第一圖案化罩幕層110所露出之導電層108上。圖案化金屬層112包含焊墊112a和線路層112b。在一些實施例中，圖案化金屬層112的材料可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或上述之組合。可使用適當之方法形成圖案化金屬層112於導電層108上，例如:電鍍(electroplating)、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用導電層108作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成圖案化金屬層112。

接著，請參照第1D圖，形成罩幕層114於第一圖案化罩幕層110及圖案化金屬層112上。在一些實施例中，罩幕層114的材料可包含紙質酚醛樹脂(paper phenolic resin)、複合環氧樹脂(composite epoxy)、聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、玻璃纖維(glass fiber)、ABF膜(Ajinomoto Build-up Film)、液態光阻、其他適當之材料或上述之組合。在一些實施例中，可使用印刷、旋轉塗佈、貼合、其他適當之方式或上述之組合形成罩幕層114於圖案化罩幕層110及圖案化金屬層112上。

接著，請參照第1E圖，進行曝光、顯影等製程，將罩幕層114圖案化，以露出焊墊112a。

接著，請參照第1F圖，形成第一金屬柱116於焊墊112a上。詳細而言，形成第一金屬柱116於圖案化之罩幕層114所露出之焊墊112a上。在一些實施例中，第一金屬柱116可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或上述之組合。在一特定實施例中，第一金屬柱116包含銅。可使用適當之方法形成第一金屬柱116於焊墊112a上，例如:電鍍、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用焊墊112a作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成第一金屬柱116。

在一些實施例中，第一金屬柱116的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。在後續形成焊接塊的製程中，可藉此增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

接著，請參照第1G圖，進行刷磨製程以移除部分的第一金屬柱116，以降低電路板結構的整體厚度。在一些實施例中，第一金屬柱116之頂面與罩幕層114之頂面共平面。在一些實施例中，刷磨製程亦會移除部分的罩幕層114，使第一金屬柱116之頂面與罩幕層114之頂面共平面。

接著，請參照第1H圖，進行剝膜製程以移除圖案化罩幕層110及罩幕層114，直到露出部分的導電層108。在一些實施例中，可使用適當之剝膜液以移除圖案化罩幕層110及罩幕層114，例如: NaOH、KOH、其他適當之剝膜液或上述之組合。

然後，進行蝕刻製程以移除露出的導電層108。在焊墊112a、線路層112b及第一金屬柱116包含相同金屬之一些實施例中(例如: 焊墊112a、線路層112b包含銅，且第一金屬柱包括銅)，上述蝕刻製程可為快速蝕刻製程(Quick Etching Process)，其為選擇性蝕刻製程，主要針對導電層108進行咬蝕，以去除原來被圖案化罩幕層110所覆蓋之導電層108並保留足夠厚度之焊墊112a及線路層112b。在另一些實施例中，焊墊112a及線路層112b包含與第一金屬柱116不同之金屬(例如: 焊墊112a及線路層112b包含鎳，第一金屬柱116包含銅)，因此可於上述蝕刻製程中提高蝕刻選擇性，而於移除原來被圖案化罩幕層110所覆蓋之導電層108之後，仍然保留有足夠厚度之焊墊112a及線路層112b。

接著，請參見第1I圖，在圖案化金屬層112及第一金屬柱116上形成第一防焊層118。在一些實施例中，可藉由在圖案化金屬層112及第一金屬柱116上塗佈感光的防焊材料，例如環氧樹脂、胺基甲酸、乙酯樹脂或類似材料，接著將防焊材料固化，以形成第一防焊層118。第一金屬柱116具有遠離核心基板100的頂面116T和靠近核心基板100的底面。

接著，請參見第1J圖，藉由蝕刻製程，蝕刻部分的第一防焊層118，使第一防焊層118具有第一開口120，露出第一金屬柱116。第一開口120具有遠離核心基板100的頂面120T和靠近核心基板100的底面120B。在一些實施例中，第一開口120的頂面120T比第一開口120的底面120B還要寬。在一些實施例中，第一金屬柱116的頂面116T高於或等於第一開口120的底面120B；換句話說，第一金屬柱116的頂面116T不低於第一開口120的底面120B。詳細而言，第一金屬柱116的頂面116T與核心基板100的頂面之間具有第一距離D1，且第一開口120的底面120B與核心基板100的頂面之間具有第二距離D2，其中第一距離D1大於或等於第二距離D2；換句話說，第一距離D1不小於第二距離D2。

在一些實施例中，第一金屬柱116不會突出第一防焊層118的頂面。換句話說，在一些實施例中，第一金屬柱116的頂面116T低於或等於第一開口120的頂面120T。詳細而言，第一開口120的頂面120T與核心基板100的頂面之間具有第三距離D3，其中第一距離D1小於或等於第三距離D3；換句話說，第一距離D1不大於第三距離D3。

在第一開口120的底面120B的同一平面上，第一金屬柱116具有平行於核心基板100的頂面的第一寬度W1，且第一開口120的底面120B具有平行於核心基板100的頂面的第二寬度W2。在一些實施例中，第一金屬柱116的第一寬度W1小於或等於第一開口120的底面120B的第二寬度W2；換句話說，第一金屬柱116的第一寬度W1不大於第一開口120的底面120B的第二寬度W2。

接著，請參見第1K圖，在第一金屬柱116上塗佈焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

在本發明的實施例中，由於將第一金屬柱116形成於焊墊112a和焊接塊122之間，使得後續加熱焊接材料時，液化的焊接材料會沿著第一金屬柱116的側壁流動，因此不會沿水平方向延伸，而與其它元件產生不必要的電性連接，進而避免焊料擠壓(solder extrusion)的問題。

當第一金屬柱116與焊接塊122接觸的頂面116T高於第一開口120的底面120B時，可增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

再者，由於本發明的一些實施例中，使用曝光、顯影等製程，將罩幕層114圖案化，再形成第一金屬柱116，所以第一金屬柱116之間的間距可進一步降低，而縮小電路板結構的尺寸。

此外，在形成焊接塊前形成金屬柱，使得填入防焊層的開口的焊接材料用量可進一步減少。而且，在金屬柱上進行回焊製程時，焊接塊具有自我對準的功能，所以有更佳的對位功能。另外，金屬柱上方具有非焊料罩定義的(non-solder mask defined，N-SMD)結構；下方仍具有焊料罩定義的(solder mask defined，SMD)結構。

第2A至2B圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第2A圖是接續第1J圖的電路板結構。請參閱第2A圖，進行蝕刻製程以移除部分的第一金屬柱116，使第一金屬柱116的頂面116T低於第一開口120的底面120B。詳細而言，第一距離D1小於第二距離D2。

在一些實施例中，第一金屬柱116的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。在後續形成焊接塊的製程中，可藉此增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

接著，請參見第2B圖，在第一金屬柱116上塗佈焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

第3A和3B圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第3A圖的電路板結構是採用與第1A至1J圖相同的製程所形成。為了更顯著區別圖案化金屬層112的焊墊112a和線路層112b，於第3A圖中以其他排列方式繪示圖案化金屬層112。請參閱第3A圖，在形成第一金屬柱116於焊墊112a上的製程中，亦形成第二金屬柱128於線路層112b上。第一防焊層118的第一開口120露出第一金屬柱116及第二金屬柱128。第二金屬柱128具有遠離核心基板100的頂面128T和靠近核心基板100的底面。在一些實施例中，第二金屬柱128的頂面128T高於或等於第一開口120的底面120B。

在一些實施例中，第二金屬柱128不會突出第一防焊層118的頂面。換句話說，在一些實施例中，第二金屬柱128的頂面128T低於或等於第一開口120的頂面120T。

接著，請參見第3B圖，在第一金屬柱116上形成焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

在一些實施例中，第二金屬柱128的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。在後續的製程中，可藉此增加接觸面積，進而增加與第二金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

由於在線路層112b上形成第二金屬柱128，所以在後續的製程中，亦可提供更好的附著力。

第4A至4F圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第4A圖是接續第1E圖的電路板結構。請參閱第4A圖，形成第一金屬柱116於焊墊112a上。詳細而言，形成第一金屬柱116於圖案化之罩幕層114所露出之焊墊112a上，且第一金屬柱116並未突出圖案化之罩幕層114。或者，相對於核心基板的高度，第一金屬柱116的頂面不高於圖案化之罩幕層114的頂面。可使用適當之方法形成第一金屬柱116於焊墊112a上，例如:電鍍、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用焊墊112a作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成第一金屬柱116。

在一些實施例中，第一金屬柱116的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。在後續形成焊接塊的製程中，可藉此增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

接著，請參閱第4B圖，形成焊接材料122a於第一金屬柱116上。可使用適當之方法形成焊接材料122a於第一金屬柱116上，例如:電鍍、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用第一金屬柱116作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成焊接材料122a。

接著，請參照第4C圖，進行刷磨製程以移除部分的焊接材料122a，使得焊接材料122a之頂面與罩幕層114之頂面共平面。在一些實施例中，刷磨製程亦會移除部分的罩幕層114，使第一金屬柱116之頂面與罩幕層114之頂面共平面。

接著，請參照第4D圖，進行剝膜製程以移除圖案化罩幕層110及罩幕層114，直到露出部分的導電層108。在一些實施例中，可使用適當之剝膜液以移除圖案化罩幕層110及罩幕層114，例如: NaOH、KOH、其他適當之剝膜液或上述之組合。

然後，進行蝕刻製程以移除露出的導電層108。上述蝕刻製程可為快速蝕刻製程(Quick Etching Process)，其為選擇性蝕刻製程，主要僅針對導電層108進行咬蝕，以去除原來被圖案化罩幕層110所覆蓋之導電層108並保留足夠厚度之焊墊112a及線路層112b。

接著，請參見第4E圖，在圖案化金屬層112及焊接材料122a上形成第一防焊層118。在一些實施例中，可藉由在圖案化金屬層112及焊接材料122a上塗佈感光的防焊材料，例如環氧樹脂、胺基甲酸、乙酯樹脂或類似材料，接著將防焊材料固化，以形成第一防焊層118。

然後，藉由蝕刻製程，蝕刻部分的第一防焊層118，使第一防焊層118具有第一開口120，露出焊接材料122a。在一些實施例中，第一開口120的頂面120T比第一開口120的底面120B還要寬。第一金屬柱116的頂面116T低於第一開口120的底面120B。詳細而言，第一距離D1小於第二距離D2。

接著，請參見第4F圖，加熱焊接材料122a，使焊接材料122a形成焊接塊122。

第5A至5D圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第5A圖接續第1J圖。請參閱第5A圖，形成導電層124於第一防焊層118及第一金屬柱116上和第一防焊層118的第一開口120中。詳細而言，在電路板結構的表面輪廓上順應地形成導電層124。在一些實施例中，導電層124的材料可以是銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或前述之組合。在一些實施例中，可利用沉積、壓合或塗佈製程，在第一防焊層118及第一金屬柱116上形成導電層124。

接著，請參閱第5B圖，形成金屬層130於導電層124上。可使用適當之方法形成金屬層130於導電層124上，例如：電鍍、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用導電層124作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成金屬層130。

接著，請參閱第5C圖，進行刷磨製程以移除部分的導電層124和金屬層130，使得焊接材料122a之頂面與第一防焊層118之頂面共平面。詳細而言，進行刷磨製程以移除在第一防焊層118的第一開口120以外的導電層124和金屬層130。在一些實施例中，刷磨製程亦會移除部分的第一防焊層118。

在一些實施例中，可對金屬層130進行表面處理製程。第一金屬柱116的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。在後續形成焊接塊的製程中，可藉此增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

接著，請參閱第5D圖，在金屬層130上形成焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

此實施例除了利用第一金屬柱116來避免焊料擠壓的問題，此實施例進一步地使用導電層124和金屬層130，使焊接材料更難以水平延伸至其它區域，可進一步避免焊料擠壓的問題。

第6A至6D圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第6A圖接續第1I圖。請參閱第6A圖，進行刷磨製程以移除部分的第一防焊層118，使得第一金屬柱116之頂面與第一防焊層118之頂面共平面。換句話說，第一防焊層118具有第一開口120，露出第一金屬柱116。在一些實施例中，刷磨製程亦會移除部分的第一金屬柱116。

接著，請參閱第6B圖，形成第二防焊層132於第一防焊層118及第一金屬柱116上。在一些實施例中，可藉由在第一防焊層118及第一金屬柱116上塗佈感光的防焊材料，例如環氧樹脂、胺基甲酸、乙酯樹脂或類似材料，接著將防焊材料固化，以形成第二防焊層132。

接著，請參見第6C圖，藉由蝕刻製程，蝕刻部分的第二防焊層132，使第二防焊層132具有第二開口134，使第一金屬柱116的頂面116T露出。第二開口134具有遠離核心基板100的頂面和靠近核心基板100的底面134B。第一金屬柱116的頂面116T與第二開口134的底面134B共平面。詳細而言，第一金屬柱116的頂面116T與核心基板100的頂面之間具有第一距離D1，且第二開口134的底面134B與核心基板100的頂面之間具有第四距離D4，其中第一距離D1等於第四距離D4。

接著，請參見第6D圖，在第一金屬柱116上塗佈焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

第7A至7F圖是根據本發明的另一些實施例所繪示的電路板結構的各個製造階段。值得注意的是，與第1A至1K圖對應的相同或類似的元件或層皆由類似的參考數字標記。在一些實施例中，由類似的參考數字標記的相同或類似的元件或層具有相同的意義，且為了簡潔而不會再重複描述。

第7A圖是接續第1C圖的電路板結構。請參閱第7A圖，進行剝膜製程以移除圖案化罩幕層110，直到露出導電層108。在一些實施例中，可使用適當之剝膜液以移除圖案化罩幕層110，例如: NaOH、KOH、其他適當之剝膜液或上述之組合。然後進行蝕刻製程以移除露出的導電層108。

接著，請參見第7B圖，在圖案化金屬層112及絕緣層106上形成第一防焊層118。在一些實施例中，可藉由在圖案化金屬層112及絕緣層106上塗佈防焊材料，例如環氧樹脂、胺基甲酸、乙酯樹脂、ABF膜或類似材料，接著將防焊材料固化，以形成第一防焊層118。

接著，請參見第7C圖，在一些實施例中，可利用鑽孔技術，例如機械鑽孔、雷射鑽孔、其他適當之方法或前述之組合，自第一防焊層118的頂面向下形成露出焊墊112a的第一開口120。

接著，請參見第7D圖，形成導電層124於第一防焊層118及焊墊112a上和第一開口120中。詳細而言，在電路板結構的表面輪廓上順應性地形成導電層124。在一些實施例中，導電層124的材料可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或前述之組合。在一些實施例中，可利用沉積、壓合或塗佈製程，在第一防焊層118及焊墊112a上和第一開口120中形成導電層124。

接著，請參見第7E圖，形成金屬層126於導電層124上。舉例而言，金屬層126可包含銅、鎢、銀、錫、鎳、鈷、鉻、鈦、鉛、金、鉍、銻、鋅、鋯、鎂、銦、碲、鎵、其他適當之金屬材料、其合金或上述之組合。可使用適當之方法形成金屬層126於導電層124上，例如:沉積、電鍍、濺鍍、壓合、塗佈或上述之組合。在一些實施例中，可使用導電層124作為電鍍起始層進行電鍍製程，以形成金屬層126。在一些實施例中，可利用沉積製程，例如物理沉積製程，以形成金屬層126。

接著，請參見第7F圖，可利用蝕刻製程以移除部分的導電層124和金屬層126，使金屬層126在第一開口120中形成第一金屬柱116。在一些實施例中，藉由蝕刻製程，使在第一開口120中的第一金屬柱116的頂面116T和導電層124低於第一防焊層118的頂面。

由於導電層124的厚度極小，有時可忽略導電層124的厚度。因此，在第一開口120的底面120B的同一平面上，第一金屬柱116之相對於頂面116T的底面116B的第一寬度W1約小於或等於第一開口120的底面120B的第二寬度W2。

接著，請參見第7G圖，在金屬層126上塗佈焊接材料。之後，加熱焊接材料，使焊接材料形成焊接塊122。

除了第一金屬柱116形成於焊墊112a和焊接塊122之間外，還具有導電層124在第一金屬柱116和第一防焊層118之間，可進一步避免焊料擠壓(solder extrusion)的問題。

值得注意的是，本發明的實施例為了簡化圖式，僅繪示電路板結構的最外層結構和上半部作為示意圖。然而，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解的是，在最外層結構與核心基板之間亦可包含其它結構，例如內連線結構，且下半部亦可同時進行同樣的製程，而節省製程時間。或者，亦可視實際情況而定，進行不同的製程。

綜合上述，由於將第一金屬柱形成於焊墊上，使得後續加熱焊接材料時，液化的焊接材料可沿著第一金屬柱的側壁流動，換句話說，液化的焊接材料的流動方向從原本的水平方向變成 垂直，因此不會與其它元件產生不必要的電性連接，進而避免焊球擠壓(solder extrusion)的問題。

當第一金屬柱的頂面高於第一開口的底面時，可增加焊接面的接觸面積，進而增加焊接塊與第一金屬柱之間的附著力，提升電路板結構的信賴性及良率。

再者，由於本發明的一些實施例中，使用曝光、顯影等製程，將罩幕層圖案化，再形成第一金屬柱，所以第一金屬柱之間的間距可進一步降低，而減少電路板結構的尺寸。

此外，在形成焊接塊前形成金屬柱，使得填入防焊層的開口的焊接材料用量可進一步減少。而且，後續進行回焊(reflow)製程時，具有自我對準(self-alignment)的功能，因此對位效果極佳。

前述概述了一些實施例的部件，使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更加理解本發明實施例的觀點。本發明所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，他們可以輕易使用本發明實施例作為基礎，設計或修改其他的製程或是結構，以達到與在此介紹的實施例相同的目的及/或優點。本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應理解，此類等效的結構並不悖離本發明的精神與範疇，並且不悖離本發明的精神與範疇的情況下，在此可以做各種的改變、取代和替換。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。

100:核心基板

102:底板

104、126、130:金屬層

106:絕緣層

108、124:導電層

110:圖案化罩幕層

112:圖案化金屬層

112a:焊墊

112b:線路層

114:罩幕層

116:第一金屬柱

116B、120B、134B:底面

116T、120T:頂面

118:第一防焊層

120:第一開口

122:焊接塊

122a:焊接材料

122B:底面

128:第二金屬柱

132:第二防焊層

D1:第一距離

D2:第二距離

D3:第三距離

D4:第四距離

W1:第一寬度

W2:第二寬度

以下將配合所附圖式詳述本發明之實施例。值得注意的是，依據在業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本發明實施例的特徵。 第1A至1K圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第2A和2B圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第3A至3B圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第4A至4F圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第5A至5D圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第6A至6D圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。 第7A至7G圖是根據本發明的一些實施例，說明形成電路板結構之各個中間階段的剖面示意圖。

100:核心基板

102:底板

104:金屬層

106:絕緣層

108、124:導電層

110:圖案化罩幕層

112:圖案化金屬層

112a:焊墊

112b:線路層

114:罩幕層

116:第一金屬柱

116T、120T:頂面

118:第一防焊層

120:第一開口

120B:底面

D1:第一距離

D2:第二距離

D3:第三距離

W1:第一寬度

W2:第二寬度

Claims (14)

1. 一種電路板結構的製造方法，包括：提供一核心基板；形成一絕緣層於該核心基板上；形成一圖案化金屬層於該絕緣層上，其中該圖案化金屬層包括一線路層和一焊墊；形成一第一金屬柱於該焊墊上，其中該第一金屬柱具有一頂面；形成一第一防焊層於該圖案化金屬層及該第一金屬柱上，其中該第一防焊層具有一第一開口，使該第一金屬柱露出且該第一開口具有一底面，其中該第一金屬柱的該頂面高於或等於該第一開口的該底面；以及形成一焊接塊於該第一金屬柱上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電路板結構的製造方法，其中該第一防焊層的該第一開口具有一底面，且在該第一開口的該底面的同一平面上，第一金屬柱具有一第一寬度，且該第一開口的該底面具有一第二寬度，其中該第一寬度小於或等於該第二寬度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電路板結構的製造方法，更包括形成一第二金屬柱於該線路層上。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電路板結構的製造方法，其中該第一防焊層的該第一開口使該第二金屬柱露出。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電路板結構的製造方法，更包括形成一第二防焊層在該第一防焊層上，其中該第二防焊層具有一第二開口，使該第一金屬柱露出。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電路板結構的製造方法，更包括：形成一導電層於該第一開口中；以及形成一金屬層於該導電層上。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電路板結構的製造方法，其中形成該焊接塊於該第一金屬柱上的步驟包括：在該第一金屬柱形成於該焊墊上之後，且在形成該第一防焊層於該圖案化金屬層及該第一金屬柱之前，形成一焊接材料於該第一金屬柱上；以及加熱該焊接材料，使該焊接材料形成該焊接塊。
8. 一種電路板結構，包括：一核心基板；一絕緣層，設置在該核心基板上；一圖案化金屬層，設置在該絕緣層上，其中該圖案化金屬層具有一線路層和一焊墊；一第一金屬柱，設置在該焊墊上且該第一金屬柱具有一頂面；一第一防焊層，設置在該圖案化金屬層及該第一金屬柱上，且該第一防焊層具有一第一開口，使該第一金屬柱露出且該第一開口具有一底面，其中該第一金屬柱的該頂面高於或等於該第一開口的該 底面；以及一焊接塊，設置在該第一金屬柱上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電路板結構，其中第一防焊層的該第一開口具有一底面，且在該第一開口的該底面的同一平面上，該第一金屬柱具有一第一寬度，且該第一開口的該底面具有一第二寬度，其中該第一寬度小於或等於該第二寬度。
10. 如申請專利範圍第8項所述之電路板結構，更包括一第二金屬柱，設置在該線路層上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電路板結構，其中該第一防焊層的該第一開口使該第二金屬柱露出。
12. 如申請專利範圍第8項所述之電路板結構，更包括一第二防焊層，設置在該第一防焊層上且該第二防焊層具有一第二開口，使該第一金屬柱露出。
13. 如申請專利範圍第8項所述之電路板結構，更包括：一導電層，設置在該第一開口中；以及一金屬層，設置在該導電層上。
14. 如申請專利範圍第8項所述之電路板結構，其中該第一金屬柱的上視形狀包括矩形、梯形、倒梯形、T字形、倒L字形、鋸齒形、十字形、圓形、橢圓形或前述之組合。

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