TWI682824B - 薄膜之加工方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之一形態,係一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B)使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。本發明之其他形態,係一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B’)上述被加工材料薄膜之吸光度為50%以上之波長,且使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。
Description
本發明係有關於一種薄膜之加工方法。更詳言為有關使用鐳射來切削加工薄膜之方法。
鐳射加工係於被加工材料之切削處,藉由對準鐳射之聚焦點,讓被加工材料之該處材料熔融蒸發來切割之加工方法。傳統上,如此之鐳射加工都用於薄膜之切削加工(譬如,茲參考專利文獻1)。然而,當藉由鐳射照射所熔融蒸發之物質,於冷卻且再固化時,會附著於被加工材料且產生外觀不良之瑕疵現象。
【專利文獻1】特開2003-341006號公報
發明之課題,在於提供一種不會於被加工材料之薄膜上產生外觀不良之現象且可使用鐳射來切削加工薄膜之方法。
本發明者們,努力研究之結果,發現除了於薄膜之兩面暫時性貼付保護薄膜之外,也可於上述保護薄膜藉由使用可吸收既定程度以上之光波長之鐳射來進行切削加工,進而達成上述課題。
也就是說,本發明之各種形態,如以下所述。
[1]、一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B)使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。
[2]、如上述[1]所述之方法,其中於上述(A)所貼付之保護薄膜包含有著色劑,且於用於上述(B)之鐳射波長中,具有50%以上之吸光度。
[3]、一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B’)上述被加工材料薄膜之吸光度為50%以上之波長,且使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之
被加工材料薄膜進行切削之步驟。
[4]、如上述[3]所述之方法,其中於上述(A)所貼付之保護薄膜包含有著色劑,且於用於上述(B’)之鐳射波長中,具有50%以上之吸光度。
[5]、如上述[1]~[4]之任一項所述之方法,其中進一步包含有:(C)使用從由熱及活性能量線所組成之群組被選擇之至少一個,讓上述保護薄膜及上述被加工材料薄膜之粘著強度降低到2N/25mm以下之步驟。
[6]、一種方法,係使用上述[1]~[5]之任一項所述之方法,製造出包含有被切削過之被加工材料薄膜之物品。
藉由本發明之方法,不會於被加工材料之薄膜上產生外觀不良之現象且可使用鐳射來切削加工薄膜。因此,該方法用於硬化塗布層積薄膜,特別係可較佳適用於作為切削具有高表面硬度之硬化塗布之硬化塗布層積薄膜之方法。
1‧‧‧於低波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長
2‧‧‧於低波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長
3‧‧‧於高波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長
4‧‧‧於高波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長
5‧‧‧吸光度為50%之線條
6‧‧‧半徑為0.1mm之圓形之切削孔
7‧‧‧兩端部為曲律半徑0.5mm之切削孔
8‧‧‧曲率半徑為10mm之角落部
圖1為說明保護薄膜之吸光度為50%以上之波長示意圖。
圖2為表示於實施例1所完成之物品之平面示意圖。
本發明之方法係一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟。
上述保護薄膜之功能,係藉由暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面而讓藉由鐳射照射所熔融蒸發之物質,可附著於薄膜上大幅降低產生外觀不良之現象。
要作為上述保護薄膜,除了以某種程度之強度而可暫時性貼付於被加工材料之薄膜;及於欲使用之鐳射波長中之吸光度為50%以上,較佳為70%以上者以外,其他並無特別限制,也可使用任意之保護薄膜作為上述保護薄膜。譬如可舉例:芳香族聚酯,脂肪族聚酯等之聚酯樹脂:丙烯酸樹脂;聚碳酸酯樹脂;聚乙烯,聚丙烯,聚甲基戊烯(polymethyl pentene)樹脂等之聚烯烴樹脂;玻璃紙(cellophane),三醋酸纖維素(triacetylcellulose),二乙酰纖維素(diacetyl cellulose),乙酰丁酸(acetylcellulosebutyrate)等之纖維素樹脂;聚苯乙烯,丙烯腈.丁二烯.苯乙烯共聚物樹脂(ABS樹脂),苯乙烯.乙烯.丁烯.苯乙烯共聚物,及苯乙烯.乙烯.丙烯.苯乙烯共聚物等之苯乙烯樹脂;聚氯乙烯樹脂;聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride);聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride)等之含氟元素樹脂;其他之聚乙烯醇(polyvinyl alcohol),乙烯乙烯醇(ethylenevinylalcohol),聚醚醚酮(polyetheretherketone),尼龍,聚酰胺,聚酰亞胺,聚氨酯,聚醚酰亞胺
(polyether imide),聚砜(polysulfone),聚醚砜(polyethersulfone)等之樹脂薄膜。此等之薄膜含有無延伸薄膜,單軸延伸薄膜及雙軸延伸薄膜。另外,也可為包含此等之1種或2種以上之層積薄膜。
於本說明書中,所謂「以某種程度之強度而可暫時性貼付於被加工材料之薄膜」,係藉由下列所記載之方法,進行讓上述保護薄膜與被加工材料之薄膜剝離180度測試時之粘著強度,通常為0.01~15N/25mm,較佳為0.05~10N/25mm,更佳為0.05~2N/25mm,較更佳為0.05~1.5N/25mm,最佳為0.05~1N/25mm。若於此範圍時,即可於上述步驟(B)中確實達到抗污之目的。另外,加工後,要去除保護薄膜時,也會降低被加工材料之薄膜受到損壞。
於本說明書之中,粘著強度係依據JIS Z0237:2009且以測試速度300mm/分之條件,進行讓上述保護薄膜與被加工材料之薄膜剝離180度測試時之粘著強度。即使保護薄膜及被加工材料之上述薄膜任一者,係將其機械方向設為測試片之長度方向。
也可於該至少一面使用具有粘著劑層之層積保護薄膜作為上述保護薄膜。作為具有如此之粘著劑層之整體層積保護薄膜,試圖使用之鐳射波長中之吸光度要50%以上,較佳為70%以上。
並無限制粘著劑,也可使用任意之粘著劑。直到結束切削加工時,為了
不使剝離保護薄膜等產生麻煩問題,可舉例具有某種程度較高之粘著力作為較佳之粘著劑。另外,為了於剝離、去除保護薄膜時不會殘膠且可剝離很乾淨,同時,不會於被加工材料之薄膜上產生有裂痕等之瑕疵現象,譬如可舉例使用熱或活性能量線等,讓與被加工材料之上述薄膜之粘著強度降低到2N/25mm以下,較佳為降低到1.5N/25mm以下,最佳為降低到1N/25mm以下來作為較佳之粘著劑。又,降低後之粘著強度,若從被加工材料之薄膜所得之物品直到用來作為觸控面板等構件之前,可於保護薄膜達到抗污之目的的觀點來看,較佳為0.01N/25mm以上,更佳為0.05N/25mm以上。
可舉例:於1分子中具有2個以上之反應性官能基,譬如氨基,乙烯基,環氧基,甲基丙烯酰氧基,丙烯酰氧基,或者異氰酸酯基等之粘著劑;該粘著劑與異氰酸酯硬化劑,光起始劑(photoinitiator)及與有機過氧化物等之至少1種以上之粘著劑組成物等來作為藉由使其熱硬化或活性能量線硬化來降低粘著強度之形態的粘著劑。譬如可舉出含有發泡劑之粘著劑來作為藉由熱或活性能量線來發泡且利用縮小真正之粘著面積來降低粘著強度形式之粘著劑。
上述異氰酸酯硬化劑,係於於1分子中具有2個以上之異氰酸酯基之化合物。譬如可舉例:亞甲基-4-環己基異氰酸酯(cyclohexylisocyanate);甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate)之三羥甲基丙烷(trimethylolpropane)加合物;六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate)之三羥甲基丙烷(trimethylolpropane)加合物;異佛爾酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate)
之三羥甲基丙烷(trimethylolpropane)加合物;甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate)之異氰脲酸酯(isocyanurate),六亞甲基二(hexamethylenediisocyanate)之異氰脲酸酯(isocyanurate),異佛爾酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate)之異氰脲酸酯(isocyanurate),六亞甲基二(hexamethylenediisocyanate)之縮二脲等之聚異氰酸酯;及上述聚異氰酸酯之方塊型異氰酸酯等之聚氨酯交聯劑等。可使用此等之1種或2種以上之混合物作為異氰酸酯硬化劑。另外,於交聯時,也可因應需要添加二月桂酸二丁基錫(dibutyltin dilaurate),二月桂酸二乙基己酯(dibutyltin diethylhexoate)等觸媒。
譬如可舉出;二苯甲酮(benzophenone)、甲基(methyl)-0-苯甲酰基苯甲酸酯(Benzoyl benzoate)、4-甲基二苯甲酮(methylbenzophenone)、4,4'-雙(二乙氨基(diethylamino))二苯甲酮(benzophenone)、0-甲基鄰苯甲酰(methyl o-benzoylbenzoate)、4-苯甲(phenylbenzophenone)、4-苯甲酰(benzoyl)-4'-甲基二苯二硫(methydiphenyl sulfide)、3,3',4,4'-四(tert-丁基過氧化(butyl peroxycarbonyl))二苯甲酮(benzophenone)、2,4,6-三甲基二苯甲酮(trimethylbenzophenone)等之二苯甲酮化合物;安息香(benzoin)、安息香甲醚(benzoin methyl ether)、安息香***(benzoin diethyl ether)、安息香丙醚(benzoin isopropyl ether)、聯苯酰縮二甲醇(benzil methyl ketal)等之安息香化合物;苯乙酮(acetophenone)、2,2-二甲氧(dimethoxy)-2-苯基苯乙酮(phenylacetophenone)、1-羥基環己基苯基甲酮(hydroxycyclohexyl phenyl ketone)等之苯乙酮(acetophenone)化合物;甲基蒽醌(methylanthraquinone)、
2-乙基蒽醌(ethylanthraquinone)、2-戊蒽醌(amylanthraquinon)等之蒽醌(anthraquinone)化合物;噻噸酮(thioxanthone)、2,4-二乙基苯基(diethylthioxantone)、2,4-二異丙基噻噸(dilsopropylthioxanthone)等之噻噸酮(thioxanthone)化合物;苯乙酮二甲基縮酮(acetophenone dimethyl acetal)等之烷基苯酮(alkyl phenones)化合物;三嗪(triazon)化合物;聯咪唑(biimidazole)化合物、酰基氧化膦類(acylphosphine oxide)化合物;二茂鈦(titanocene)化合物;肟酯(oxime ester)化合物;肟苯乙酸苯酯(oxime ester phenylacetate)化合物;羥基酮(hydroxyketone)化合物及氨基苯甲酸酯(aminobenzoate)化合物等作為上述感光啟始劑。也可使用此等1種或2種以上之混合物作為上述感光啟始劑。
譬如可舉例:過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide),2-tert-丁基過氧化物(butyl peroxide),2,5-二甲基-2,5-2-(tert-butylperoxy)正己烷,2,5-二甲基-2,5-2-(tert-butylperoxy)正己烷-3,1,3-二(tert-butylperoxy isopropyl)苯,1,1-二(tert-butylperoxy)-3,3,5-三甲基(trimethylcyclohexane),n-丁基-4,4-二(tert-butylperoxy)戊酸,過氧化苯甲酰(benzoyl peroxide),p-過氧化氯(chlorobenzoyl peroxide),2,4-過氧化二氯(dichlorobenzoylperoxide),叔丁基過氧化苯甲酸(tert-Butyl peroxybenzoate),叔丁基過氧異丙基(t-butyl peroxy isopropylcarbonate),二酰基過氧化物(diacylperoxide),過氧化月桂酰(lauroyl peroxide)及叔丁基枯基過氧化物(t-butyl cumyl peroxide)等作為有機過氧化物。也可使用此等之1種或2種以上混合物來作為有機過氧化物。
譬如可舉例:熱膨脹微膠囊(microcapsule);偶氮二甲酰胺(azodicarbonamide)等之偶氮化合物;N,N’-dinitrosopentamethylenetetramine等之亞硝基化合物;碳酸氫鈉及碳酸氫銨等之碳酸氫;檸檬酸;檸檬酸鈉及草酸等之有機;硼氫化鈉(sodium borohydride);水等作為上述發泡劑。也可使用此等之1種或2種以上混合物來作為發泡劑。
譬如可舉例:日本藤倉化成股份有限公司之「AcrybaseLKG-1701(商品名)」或「AcrybaseLKG-1702(商品名)」等來作為市面上所販賣之此類之黏著劑或具有此類黏著劑層之保護薄膜,或是藉由紫外線硬化來降低黏著強度之形式之黏著劑;又,可舉例日本電工股份有限公司之「REVALPHA(商品名)」等來作為藉由發泡劑來降低黏著強度形式之保護薄膜。
本無特別限制被加工材料之上述薄膜,本發明之方法也可適用於任意薄膜上。被加工材料薄膜也可層積複數層至少1種之薄膜。譬如可舉例硬化塗佈層積薄膜來作為如此之層積薄膜之其中一例子。又,欲使用之鐳射,於該波長中之被加工材料之薄膜吸光度較佳只要選擇50%以上,更佳為70%以上即可。詳述將於後面加以說明。
雖無特別限制被加工材料之上述薄膜厚度,但從實施本發明之方法時之
操作性觀點來看,通常為20μm以上,較佳為50μm以上即可。另外,若從經濟性的觀點來看,通常為1000μm以下,較佳為300μm以下即可。
本發明之方法,包含:(B)使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。較佳者,包含:(B’)上述被加工材料薄膜之吸光度為50%以上之波長,且使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。
於此,所謂「保護薄膜之吸光度為50%以上之波長」,係使用分光度計所測定之於保護薄膜之吸收光譜中吸光度為50%以上之波長領域的意思。譬如,於吸收光譜之示意圖(茲參考圖1)中,從波長1(於低波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長)至波長2(於低波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長),及從波長3(於高波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長)至波長4(於高波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長)之波長領域,「保護薄膜之吸光度為50%以上之波長」。吸收光譜之測定波長領域,只要配合欲使用之鐳射種類且加以適當選擇即可。譬如,若使用碳酸氣體鐳射時,因為會產生波長為9.4μm或波長為10.6μm之紅外線,所以只要測定波長為2500~25000nm(2.5~25μm)之範圍的吸收光譜就足夠了。
譬如,波長為250~25000nm之範圍,就可使用日本島津製作所股份有限公
司製造之分光度計「SolidSpec-3700(商品名)」加以測定。波長為2500~25000nm之範圍,就可使用賽默飛世爾(Thermo Fisher Scientific)股份
有限公司之分光度計「NICOLET IR380(商品名)」加以測定。
另外,若保護薄膜包含有黏著劑層之層積保護薄膜時,從作為整體之層積保護薄膜之吸收光譜來看,決定吸光度為50%以上之波長領域。
相同之,所謂「被加工材料薄膜之吸光度為50%以上之波長」,係使用分光度計所測定之於被加工材料之薄膜的吸收光譜之中,吸光度為50%以上之波長領域的意思。至於測定方法與上述同樣之。另外,相同地,若被加工材料之薄膜為層積薄膜時,從作為整體之層積薄膜之吸收光譜來看,決定吸光度為50%以上之波長領域。
用於本發明之方法之鐳射,係選擇讓該波長為上述保護薄膜之吸光度位於50%以上,較佳者為位於70%以上之波長領域。藉由保護薄膜之吸光度位於50%以上,較佳者位於70%以上之波長領域,而使得鐳射波長於鐳射之聚焦點處中,能夠立刻蒸發或昇華該處之材料來切削保護薄膜。
用於本發明之方法的鐳射,係選擇讓該波長為被加工材料之上述薄膜之吸光度較佳為位於50%以上,更佳係位於70%以上之波長領域,且保護薄膜之吸光度係位於50%以上,較佳為位於70%以上之波長領域。鐳射波長,其中被加工材料之上述薄膜之吸光度為50%以上,較佳者係位於70%以上之波長領域,且,藉由讓保護薄膜之吸光度位於50%以上,較佳位於70%以上之波長領域,於鐳射之聚焦點處中,能夠讓該處之材料立刻蒸發或昇華且切
削保護薄膜及被加工材料之薄膜。
立刻蒸發或昇華之物質,於冷卻且再固化之前,需較多之時間,於該期間中,藉由氣流可從被加工材料之薄膜附近去除或於空中消失。因此,不會於被加工材料之薄膜上產生外觀不良之現象。
另外,若未滿足該波長條件時,保護薄膜或被加工材料之薄膜,可藉由照射鐳射而引起之分子震動所產生之熱進行切削。於是,於被加工材料之薄膜上將產生線條狀等外觀不良之瑕疵現象。另外,需要提高鐳射之輸出,也不經濟。
使用之鐳射,除了選擇讓該波長為被加工材料之上述薄膜之吸光度位於50%以上,更佳係位於70%以上之波長領域,或選擇被加工材料之上述薄膜之吸光度較佳位於50%以上,更佳係位於70%以上之波長領域,且保護薄膜之吸光度係位於50%以上,較佳者為位於70%以上之波長領域之外,其他並無特別限制。譬如可舉例:二氧化碳鐳射,氦氖鐳射,氬離子鐳射及準分子鐳射等之氣體鐳射;介質地使用添加鉻紅寶石晶體之紅寶石鐳射,介質地使用添加鈦藍寶石水晶之鈦藍寶石鐳射,以其他稀土元素置換YAG結晶中之釔的各種YAG鐳射,及使用添加釹YAG之Nd-YAG鐳射等之固體鐳射;液態鐳射;半導體鐳射;自由電子鐳射;金屬蒸氣鐳射;化學鐳射等。照射輸出為0.5~150W程度,且可斟酌上述保護薄膜之厚度,被加工材料之上述薄膜厚度及加工速度等來加以適當調節。
譬如可舉例:二氧化碳鐳射(波長為10.6μm及波長為9.4μm)及雙軸延伸聚對苯二甲酸(polyethylene terephthalate)薄膜或芳香族聚碳酸酯薄膜等之組合,YAG鐳射高諧坡(波長為266nm)及雙軸延伸聚對苯二甲酸(polyethylene terephthalate)薄膜或芳香族聚碳酸酯薄膜等之組合等來作為使用之鐳射及上述保護薄膜之較佳組合。
另外,於使用之鐳射波長中,可於保護薄膜中含有著色劑等使上述保護薄膜之吸光度位於50%以上,較佳者為位於70%以上。也就是說,上述保護薄膜含有著色劑且在用於切削步驟之鐳射波長中,藉由具有50%以上,較佳者為具有70%以上之吸光度,可較佳使用於本發明之方法。此時,上述保護薄膜,若於未含有著色劑之狀態下,用於切削步驟之鐳射波長中,也可具有小於50%之吸光度。
藉由包含於保護薄膜且在用於切削步驟之鐳射波長中,若於保護薄膜具
有50%以上,較佳者為具有70%以上之吸光度的話,並無加以限制,可使用任意著色劑來作為上述著色劑。另外,從藉由著色劑所形成之特性的表達機制來考量,對於使用之鐳射波長來說,即使為紫外線吸收劑,紅外線吸收劑,及遠紅外線吸收劑,也可獲得與著色劑相同之效果。
上述保護薄膜之厚度(具有黏著劑層時,含此之厚度),通常為20~250μ
m,較佳為30~200μm,更佳為40~160μm。
本發明之方法,於結束切削步驟後,較佳者係進一步包含:(C)使用從由熱及活性能量線所組成之群組被選擇之至少一個,讓上述保護薄膜及上述被加工材料薄膜之粘著強度降低到2N/25mm以下之步驟。
也就是說,於切削步驟之前,能夠藉由該步驟讓2N/25mm之上述保護薄膜及上述被加工材料薄膜之粘著強度降低到2N/25mm以下。如此一來,於結束切削加工時之前,藉由具有某程度較高之黏著力,進而可防止剝離保護薄膜等所產生之麻煩問題。另外,於剝離、去除保護薄膜之際也可夠不殘膠且剝離很乾淨。再者,不會於被加工材料之薄膜上產生有裂痕等之瑕疵現象。
有關實施方法,如同於層積保護薄膜項目中所述。
本發明之方法,雖可適用於任意之被加工材料薄膜,但也可用於作為硬化塗佈層積薄膜,尤其係用於作為切削加工具有高表面硬度之硬化塗佈之硬化塗佈層積薄膜的方法。藉由使用本發明之方法,可從硬化塗佈層積薄膜獲得較佳適用於作為觸控面板之顯示面板或透明導電性基板。
以下,雖藉由實施例來說明本發明,但本發明並非限定於此。
針對對象薄膜,使用賽默飛世爾(Thermo Fisher Scientific)股份有限公司之分光度計「NICOLET IR380(商品名)」來測定吸收光譜且計算出於二氧化碳鐳射(波長為9.4μm及波長為10.6μm)中之吸光度。另外,針對對象薄膜,使用日本島津製作所股份有限公司製造之分光度計「SolidSpec-3700(商品名)」來測定吸收光譜,且計算出於YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)及YAG鐳射第4高諧坡(波長為266nm)之中的吸光度。
依據JIS Z0237:2009且以測試速度300mm/分之條件,讓保護薄膜與被加工材料之薄膜進行180度之剝離測試而測定黏著強度。即使保護薄膜及被加工材料薄膜之任一者,係將其機械方向設為測試片之長度方向。
以目視或顯微鏡(100倍)觀察切削端面,且利用以下基準來評價之。
◎(非常良好):即使以顯微鏡觀察也毫無裂痕、細痕及退色。
○(良好):即使以顯微鏡觀察也毫無裂痕及退色。但以顯微鏡觀察有發現到微小之細痕(目視無察覺到)。
△(不良):即使以顯微鏡觀察也毫無裂痕。但,以目視觀察則有退色處及裂痕。
×(不良):即使目視就有裂痕,細痕及退色。
(a1)作為保護薄膜之基材,係使用厚度為100μm之白色透明之聚酯樹脂薄膜且於該一面上使用薄膜線棒(film wire bar)塗佈裝置,讓混合攪拌日本藤倉化成股份有限公司之「AcrybaseLKG-1702」(商品名)100質量部;日本藤倉化成股份有限公司之異氰酸酯硬化劑「LKG-17HN02」(商品名)6.1質量部;日本藤倉化成股份有限公司之光起始劑「KN-101」(商品名)0.85質量部;及乙酸乙酯50質量部所得之黏著劑,能夠塗佈讓乾燥後之黏著劑厚度為10μm而獲得層積保護薄膜。
(a2)作為保護薄膜之基材,除了使用厚度為100μm之白色透明之雙軸延伸聚對苯二甲酸(polyethylene terephthalate)薄膜以外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
(a3)作為保護薄膜之基材,除了使用厚度為100μm之白色透明之芳香族聚碳酸酯薄膜以外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
(a4)作為保護薄膜之基材,除了使用厚度為100μm之藍色透明之聚丙烯薄膜以外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
(a5)作為保護薄膜之基材,除了使用厚度為100μm之白色透明之聚
丙烯薄膜以外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
(a6)作為黏著劑,除了使用合攪拌日本藤倉化成股份有限公司之紫外線硬化性黏著劑「AcrybaseLKG-1701」(商品名)100質量部;日本藤倉化成股份有限公司之異氰酸酯硬化劑「LKG-17HN01」(商品名)3.0質量部;日本藤倉化成股份有限公司之光起始劑「KN-101」(商品名)1.5質量部;及乙酸乙酯50質量部所得之黏著劑之外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
除了將日本藤倉化成股份有限公司之異氰酸酯硬化劑「LKG-17HN02」(商品名)之配合量變更為12.2質量部;及將日本藤倉化成股份有限公司之光起始劑「KN-101」(商品名)之配合量變更為1.7質量部分之外,其餘皆與上述(a1)相同而取得層積保護薄膜。
有關上述(a1)~(a7),係測定吸收光譜且計算出於二氧化碳鐳射(波
長為9.4μm及波長為10.6μm),YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)及YAG鐳射第4高諧坡(波長為266nm)之中的吸光度。結果如表1所示。表格中數值單位為%。
(b1)使用日本EVONIK公司之聚(甲基)丙烯酰亞胺樹脂「PLEXIMID TT70」(商品名),且使用50mm壓擠機(裝設L/D=29,CR=1.86之W螺
桿);模具寬度為680nm之T型模具;於鏡面滾輪與鏡面輸送帶上使用具備有擠壓溶融薄膜機構之捲繞機的裝置,即可得到厚度為250μm之白色透明薄膜。此時之設定條件,擠壓機之溫度設定為C1/C2/C3/AD=280/300/320/320℃;T型模具之設定溫度為320℃;T型模具之唇開度為0.5mm;鏡面滾輪之設定溫度為140℃;鏡面輸送帶之設定溫度為120℃;鏡面輸送帶之下壓力為1.4MPa;接管速度(take-over speed)為5.6m/min。其次,於上述所得之薄膜之兩面,以處理量為167W‧min/m2(放電電力為500W,放電電極之長度為1m,生產線速度為3m/min)的條件下進行尖端放電之處理。兩面之濕潤指數皆為64mN/m。其次,於其中一面,使用模具方式之塗佈裝置且塗佈有混合攪拌下列(γ a)50質量部,下列(γ b)50質量部,下列(γ c)50質量部,下列(γ d)2質量部,下列(γ e)1質量部,下列(γ g)50質量部,下列(γ h)1質量部及下列(γ i)20質量部所得之塗料,而讓硬化後厚度為25μm,進而形成硬化塗佈層。於另一面,使用模具方式之塗佈裝置且塗佈有混合攪拌下列(γ a)50質量部,下列(γ b)50質量部,下列(γ c)50質量部,下列(γ d)2質量部,下列(γ f)0.5質量部,下列(γ g)4質量部,下列(γ h)1質量部及下列(γ i)20質量部所得之塗料,而讓硬化後厚度為25μm,進而形成硬化塗佈層。如此一來,即可獲得具有硬化塗佈層之層積薄膜。依據JIS K5600-5-4且以750g荷重之條件,使用日本三菱鉛筆股份有限公司之鉛筆「UNI」(商品名)所測定鉛筆硬度,兩面皆為9H。
(b2)於厚度為250μm之白色透明的雙軸延伸聚對苯二甲酸(polyethylene terephthalate)薄膜之其中一面,使用模具方式之塗佈裝置且塗佈有混合攪拌下列(γ a)50質量部,下列(γ b)50質量部,下列(γ c)50質量部,下列(γ d)2質量部,下列(γ e)1質量部,下列(γ g)4質量部,下列(γ h)1質量部及下列(γ i)20質量部所得之塗料,而讓硬化後厚度為25μm,進而形成硬化塗佈層。接著,於另一面,使用模具方式之塗佈裝置且塗佈有混合攪拌下列(γ a)50質量部,下列(γ b)50質量部,下列(γ c)50質量部,下列(γ d)2質量部,下列(γ f)0.5質量部,下列(γ g)4質量部,下列(γ h)1質量部及下列(γ i)20質量部所得之塗料,而讓硬化後厚度為25μm,進而形成硬化塗佈層。如此一來,即可獲得具有硬化塗佈層之層積薄膜。以上述方法所測定之鉛筆硬度,其兩面皆為5H。
(γ a)從日本化藥股份有限公司得到之聚二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)
(γ b)從日本BASF公司所得到之聚醚丙烯酸酯(polyether acrylate)及奈米二氧化硅(平均粒子直徑為20nm)之50:50(質量比)混合材料「Laromer P09026」(商品名)
(γ c)從日產化學工業股份有限公司所得到之表面改質奈米二氧化硅(平均粒子直徑為15nm)甲基異丁酮(methyl isobutyl ketone)分散液(固體成分為30質量%)「MIBK-ST」(商品名)
(γ d)從信越化學工業股份有限公司所得到之丙烯酸矽烷偶聯劑(3-(丙
烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(acryloxypropyltrimethoxysilane))「KBM-5103」(商品名)
(γ e)從Solvay Solexis公司得到之氟系潑水劑「Flurolink AD1700」(商品名)
(γ f)從雙邦實業股份有限公司所得到之苯酮光起始劑(1-羥基環己基苯基甲酮(hydroxycyclohexyl phenyl ketone))「SB-PI714」(商品名)
(γ h)從日本聚氨酯工業股份有限公司所得到之3官能聚異氰酸酯(polyisocyanate)「coranateHX」(商品名)
(γ i)1-甲氧基-2-丙醇
有關上述(b1)及(b2),係測定吸收光譜且計算出於二氧化碳鐳射(波長為9.4μm及波長為10.6μm),YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)及YAG鐳射第4高諧坡(波長為266nm)之中的吸光度。結果如表1所示。表格中數值單位為%。
於上述(b1)兩面暫時性貼付上述(a1)而讓(a1)之黏著層為(b1)側。測定完(a1)及(b1)之黏著強度後,為3.8N/25mm。其次,使用二氧化碳鐳射(波長為9.4μm及波長為10.6μm),製作出切削成如圖2所示之物品。
圖2中,參考號碼6係半徑為0.1mm之圓形切削孔,參考號碼7係表示兩端部為曲率半徑為0.5mm之切削孔,參考號碼8係表示曲率半徑為10mm之角部。
如此一來,於所得之付有保護薄膜物品,照射100mJ/cm2之以高壓水銀燈為光源之紫外線。照射後之保護薄膜與物品之黏著強度為0.5N/25mm,不會於物品上產生任何之外觀不良知瑕疵點,且可易於剝離、去除保護薄膜。
至於所得到之物品,將進行與切削性有關之上述測試(iii)。
除了使用上述(a2)來取代上述(a1)之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a3)來取代上述(a1)之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a4)來取代上述(a1),使用YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)來取代二氧化碳鐳射之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用YAG鐳射第4高諧坡(波長為266nm)來取代二氧化碳鐳射之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(b2)來取代上述(b1),使用YAG鐳射第4高諧坡(波長為266nm)來取代二氧化碳鐳射之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a4)來取代上述(a1)之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)來取代二氧化碳鐳射之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a5)來取代上述(a1),使用YAG鐳射第3高諧坡(波長為355nm)來取代二氧化碳鐳射之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。換言之,實施例4及比較例3,僅於使用(a4)藍色透明之聚丙烯薄膜(含著色劑)或(a5)白色透明之聚丙烯薄膜(不含著色劑)上有所不同。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a6)來取代上述(a1)之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。照射後之保護薄膜及物品之黏著強度為2.0N/25mm,當於物品剝離、去除保護薄膜之際,雖以目視看不出來,但以放大鏡(倍率10倍)來看,可確認出會產生看得到的程度之些微剝離痕。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
除了使用上述(a6)來取代上述(a1)且將紫外線照射量以200mJ/cm2來取代100mJ/cm2之外,其他皆與實施例1相同,進行付有保護薄膜物品之製造及紫外線照射。照射後之保護薄膜及物品之黏著強度為1.5N/25mm,於物品上無產生任何外觀不良知瑕疵點且可易於剝離、去除保護薄膜。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
於上述(b1)兩面暫時性貼付上述(a7)而讓(a7)之黏著層成為(b1)側。測定完(a7)及(b1)之黏著強度後,為2.1N/25mm。其次,使用二氧化碳鐳射(波長為9.4μm及波長為10.6μm),製作出切削成如圖2所示之物品。當從物品要剝離、去除保護薄膜時,雖以目視看不出來,但以放大鏡(倍率10倍)來看,可確認出於被加工材料薄膜上已產生出某程度之些微剝離痕。有關黏著強度及切削性之測試結果,如表2所示。
藉由本發明之方法,不會於被加工材料之硬化塗布層積薄膜上產生外觀不良之瑕疵現象,且可使用鐳射來進行切削加工。
另外,於保護薄膜上含有著色劑且若於使用之鐳射波長中之吸光度為50%以上的話,即使於不含有著色劑狀態下且於使用之鐳射波長中之吸光度為小於50%,確認出已解決外觀不良之問題。另外,於比較例上,於切削端面會產生即使以目視就看出之退色處或細痕。
1‧‧‧於低波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長
2‧‧‧於低波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長
3‧‧‧於高波長側吸收峰值之低波長側,吸光度為50%之波長
4‧‧‧於高波長側吸收峰值之高波長側,吸光度為50%之波長
5‧‧‧吸光度為50%之線條
Claims (7)
- 一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B)使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中於上述(A)所貼付之保護薄膜包含有著色劑,且於用於上述(B)之鐳射波長中,具有50%以上之吸光度。
- 一種薄膜之加工方法,係包含有:(A)藉由讓保護薄膜暫時性貼付於被加工材料之薄膜兩面,取得於兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜之步驟;以及(B’)上述據加工材料薄膜之吸光度為50%以上之波長,且使用上述保護薄膜之吸光度為50%以上之波長的鐳射,對在上述兩面貼付有保護薄膜之被加工材料薄膜進行切削之步驟。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法,其中於上述(A)所貼付之保護薄膜包含有著色劑,且於用於上述(B’)之鐳射波長中,具有50%以上之吸光度。
- 如申請專利範圍第1~4之任一項所述之方法,其中進一步包含有:(C)使用從由熱及活性能量線所組成之群組被選擇之至少一個,讓上述保護薄膜及上述被加工材料薄膜之粘著強度降低到2N/25mm以下之步驟。
- 一種薄膜之加工方法,係使用申請專利範圍第1~4之任一項所 述之方法,製造出包含有被切削過之被加工材料薄膜之物品。
- 一種薄膜之加工方法,係使用申請專利範圍第5項所述之方法,製造出包含有被切削過之被加工材料薄膜之物品。
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