TWI672779B - 指紋辨識裝置、使用其之行動裝置以及指紋辨識裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種指紋辨識裝置、使用其之行動裝置以及指紋辨識裝置的製造方法，此指紋辨識裝置包括一導電錫球層、一重佈線路層、一影像感測積體電路、一光發射電路、一透光層以及一模壓材料。重佈線路層配置於導電錫球層上，用以電性連接多數個導電錫球。影像感測積體電路包括多數個矽穿孔，該些矽穿孔分別透過該重佈線路層，對應地電性連接上述多數個導電錫球。光發射電路配置於影像感測積體電路之一側，透過該重佈線路層，電性連接該影像感測積體電路，其中，影像感測積體電路控制該光發射電路。透光層被配置於影像感測積體電路上。模壓材料包圍影像感測積體電路。

Description

指紋辨識裝置、使用其之行動裝置以及指紋辨識裝置的製造方法
本發明係關於一種指紋辨識裝置的製造技術，更進一步來說，本發明係關於一種指紋辨識裝置以及指紋辨識裝置的製造方法。
現代產品講究輕薄短小，故許多分離式電路都被整合成積體電路。第1圖繪示為先前技術所揭露之指紋輸入裝置的結構圖。請參考第1圖，在此先前技術中，指紋輸入裝置包括一基底100、一二維影像感測器101以及一發光二極體102。發光二極體102發射指定波長之光線給手指，手指反射出散射光線。二維影像感測器101便直接地由手指的凸起部分(ridge portion)接收上述散射光線，並且，由手指的凹下部分(valley portions)所散射的散射光線則擴散。然而，發光二極體102的光線直射二維影像感測器101，常常導致二維影像感測器101所擷取 的指紋不清楚，導致指紋辨識失敗。
第2圖繪示為先前技術所揭露之指紋輸入裝置的結構圖。請參考第2圖，在此先前技術中，指紋輸入裝置除了包括上述基底100、上述二維影像感測器101以及上述發光二極體102之外，還包括一個遮蔽牆201，此遮蔽牆201可以擋住發光二極體102對二維影像感測器101的直射光線。然而，上述遮蔽牆201製造不易，且容易傾倒損壞。
再者，在封装的結構上，由於二維影像感測器101以及發光二極體102是焊接在基底100上，之後才進行封裝，又，一般基底是以印刷電路板(Print Circuit Board)，故體積無法進一步縮小。又，先進的封裝製程中，有一種製程稱做散入式晶圓等級封裝製程(Fan In Wafer Level Package，Fan In WLP)。此製程的特徵在於，將整個晶圓，在未切割的狀態下，倒轉過來，並且由焊墊進行重新佈線，之後切割，便完成封裝。此封裝可以極度小型化積體電路。然而，此晶圓等級封裝不適用於感測積體電路，例如指紋辨識積體電路。原因在於，封裝完成後的感測積體電路的感測面必須朝向上方，才能感測到光線。然而，此封裝的製程，積體電路會被上下顛倒(up side down)，故封裝完成後的感測積體電路的感測面會朝向下方，導致無法進行感測。
本發明的一目的在於提供一種指紋檢測裝置、使用其之行動裝置以及其製造方法，此指紋檢測裝置可以整合發光二極體，藉由發光二極體補光，讓指紋更加清晰，另外，在整合發光二極體的指紋檢測裝置中，也避免了發光二極體的光線直射影像感測積體電路，具有防止串擾(Crosstalk)與干涉(Interference)之功效。
本發明的一目的在於提供一種指紋辨識裝置以及指紋辨識裝置的製造方法，用以更加小型化，以及整合化指紋辨識裝置與輔助光源。
有鑒於此，本發明提供一種指紋辨識裝置，此指紋辨識裝置包括一導電錫球(solder ball)層、一重佈線路(re-distribution layer，RDL)層、一影像感測積體電路、一光發射電路、一透光層以及一模壓材料。導電錫球層包括多數個導電錫球。重佈線路層配置於導電錫球層上，用以電性連接上述多數個導電錫球。影像感測積體電路包括多數個矽穿孔(through silicon via，TSV)，每一該些矽穿孔內，包括一導電材料，其中，該些矽穿孔分別透過該重佈線路層，對應地電性連接上述多數個導電錫球。光發射電路配置於影像感測積體電路之一側，用以發射一指定光源，包括一第一連接導體，透過該重佈線路層，電性連接該影像感測積體電路的其中之一特定矽穿孔，其中，影像感測積體電路藉由該特定矽穿孔控制該光發射電路。透光層被配置於影像感測積體電路上，其中，透光層可讓光線穿越並進入影像感測積體電路。模壓材料 包圍影像感測積體電路，其中，模壓材料阻擋光發射電路與該影像感測積體電路之間的光行進路徑，避免上述光發射電路的直接照射光線進入影像感測積體電路，提升指紋辨識的品質。
本發明另外提供一種行動裝置，此行動裝置包括一控制電路、一顯示面板一覆蓋保護層以及一指紋辨識裝置。顯示面板電性連接上述控制電路。覆蓋保護層配置於顯示面板上。指紋辨識裝置包括一導電錫球層、一重佈線路層、一影像感測積體電路、一光發射電路、一透光層以及一模壓材料。導電錫球層包括多數個導電錫球。重佈線路層配置於導電錫球層上，用以電性連接上述多數個導電錫球。影像感測積體電路包括多數個矽穿孔，每一該些矽穿孔內，包括一導電材料，其中，該些矽穿孔分別透過該重佈線路層，對應地電性連接上述多數個導電錫球。光發射電路配置於影像感測積體電路之一側，用以發射一指定光源，包括一第一連接導體，透過該重佈線路層，電性連接該影像感測積體電路的其中之一特定矽穿孔，其中，影像感測積體電路藉由該特定矽穿孔控制該光發射電路。透光層被配置於影像感測積體電路上，其中，透光層可讓光線穿越並進入影像感測積體電路。模壓材料包圍影像感測積體電路，其中，模壓材料阻擋光發射電路與該影像感測積體電路之間的光行進路徑，避免上述光發射電路的直接照射光線進入影像感測積體電路，提升指紋辨識的品質。
依照本發明較佳實施例所述之指紋辨識裝置以及行動裝置，上述透光層包括一空間濾波器(spatial filter)，此空間濾波器被配置於該影像感測積體電路上，其中，該空間濾波器具有多數個鄰接的光線通道，且其中，藉由該光線通道，限制可進入該影像感測積體電路之光線的角度，避免散射光線進入該影像感測積體電路。另外，在一較佳實施例中，上述空間濾波器的光線通道構成一二維陣列。
依照本發明較佳實施例所述之指紋辨識裝置以及行動裝置，上述光發射電路包括一特定光源發射電路，其中，上述特定光源發射電路配置於該影像感測積體電路之任一側，並電性連接該影像感測積體電路。另外，在一較佳實施例中，上述光發射電路包括一可見光發射電路，其中，可見光發射電路配置於該影像感測積體電路之一側，並電性連接該影像感測積體電路，其中，當進行一指紋辨識時，該可見光發射電路發射一可見光，以讓使用者藉由該可見光得知手指放置位置。再者，在一較佳實施例中，影像感測積體電路的感測面向上。
本發明另外提供一種指紋辨識裝置的製造方法，此指紋辨識裝置的製造方法包括下列步驟：將一影像感測積體電路晶圓，黏合於一第一載板上，其中，該影像感測積體電路晶圓的影像感測面與該載板黏合；將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓，進行一矽穿孔製程；將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓進行解 除黏合；在該影像感測積體電路晶圓的矽穿孔製程面，對一第二載板進行黏合；在該影像感測積體電路晶圓上的多數個影像感測積體電路的感測面上，配置一透光層；在該影像感測積體電路晶圓上的每一該些影像感測積體電路的感測面上，配置一透光層；將該第二載板上的該影像感測積體電路晶圓進行解除黏合；將該影像感測積體電路晶圓進行切割，以獲得多數個影像感測積體電路；將上述多數個影像感測積體電路分別黏合在一第三載板，並在每一該些影像感測積體電路的一側，配置一光發射電路；對每一該些影像感測積體電路以及每一該些對應的光發射電路進行一鑄模成形製程，以獲得一未切割鑄模；將該未切割鑄模與該第三載板進行解除黏合；在該未切割鑄模的解除黏合面，配置一重佈線路層；在重佈線路層製程面，配置一導電錫球層(solder ball)；對該未切割鑄模的鑄模面，進行一研磨製程(grinding)，使每一該些影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料露出；以及進行一切割製程，獲得多數個指紋辨識裝置。
依照本發明較佳實施例所述之指紋辨識裝置的製造方法，上述進行該切割製程的步驟之前，更包括：進行一被覆塗層製程，使每一該些影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料上覆蓋一保護薄膜。另外，上述在該未切割鑄模的解除黏合面，配置該重佈線路層的步驟還包括下列步驟：在該未切割鑄模的解除黏合面，形成一第一聚合物層；以及在該未切割鑄模的 解除黏合面，進行重佈線路製程，使影像感測積體電路晶圓的矽穿孔電性連接至外部配置錫球金屬。
依照本發明較佳實施例所述之指紋辨識裝置的製造方法，上述在重佈線路層製程面，配置該導電錫球層的步驟包括：在重佈線路層，配置導電錫球(solder ball)；以及在重佈線路製程面，配置一第二聚合物層。
本發明的精神在於用於指紋辨識的影像感測積體電路上方配置一個透光層，此透光層可用透過光線。之後，藉由封裝，將光發射電路與用於指紋辨識的影像感測積體電路封在同一個積體電路中。藉此，可以整合光發射電路與用於指紋辨識的影像感測積體電路在同一積體電路中。由於在封裝的時候，鑄模材料包圍了上述用於指紋辨識的影像感測積體電路，故在影像感測積體電路與光發射電路之間，構成了天然的光阻擋構件，因此，避免光發射電路的光線直接射入用於指紋辨識的影像感測積體電路，讓所讀取的指紋更加清晰。
另外，為了讓此指紋辨識裝置的體積更加減小，在製作過程時，在晶圓上製造完成指紋辨識積體電路後，先對晶圓背後做打薄，之後，將所需要的輸入輸出腳位進行矽穿孔技術，在晶圓下方拉出金屬接觸點，以將指紋辨識積體電路的輸入輸出節點固定在晶圓下方。之後，用重佈線路層的方式，將上述多個輸入輸出節點藉由重新佈線方式拉出，並且在指紋辨識面的上方配置透光 層，之後，用將晶圓切割成指紋辨識積體電路單晶片，並一一黏合在一載板上，並且在其周圍配置光發射電路。之後，進行鑄模、配置錫球、切割等製程，獲得多個指紋辨識裝置，藉此，每一個指紋辨識裝置能夠更加的縮小，減少體積以及減低成本。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
101‧‧‧二維影像感測器
102‧‧‧發光二極體
201‧‧‧遮蔽牆
301‧‧‧顯示面板
302‧‧‧控制電路
303‧‧‧覆蓋保護層
304‧‧‧指紋辨識裝置
401‧‧‧聚合物層
402‧‧‧重佈線路層
403‧‧‧影像感測積體電路
404‧‧‧光發射電路
405‧‧‧透光層
406‧‧‧模壓材料
407‧‧‧保護鍍膜
408‧‧‧導電錫球
409‧‧‧矽穿孔(Through Silicon Via，TSV)
410‧‧‧光發射電路載板
411‧‧‧晶圓基底(Wafer Substrate)
501‧‧‧手指的指紋之凸起部分(ridge portion)
502‧‧‧手指的指紋之凹下部分(valley portion)
503‧‧‧保護玻璃(protective glass)
504‧‧‧空間濾波器
505‧‧‧影像感測積體電路
601、701、801‧‧‧光線通道
S901~S917‧‧‧本發明一較佳實施例的指紋辨識裝置的製造方法之步驟流程
901‧‧‧影像感測積體電路晶圓
902‧‧‧用以乘載晶圓的第一載板
903‧‧‧矽穿孔
904‧‧‧影像感測積體電路
905‧‧‧用以乘載晶圓的第二載板
906‧‧‧透光層
907‧‧‧用以乘載晶圓的第三載板
908‧‧‧光發射電路
909‧‧‧鑄模材料
910‧‧‧聚合物層
911‧‧‧重佈線路層
912‧‧‧聚合物層
913‧‧‧導電錫球
914‧‧‧保護膜
915‧‧‧切割道(scribe line)
1001‧‧‧第一聚合物層
1101‧‧‧導電錫球
1102‧‧‧第二聚合物層
第1圖繪示為先前技術的有機發光二極體元件的結構圖。
第2圖繪示為先前技術的白光有機發光二極體元件的結構圖。
第3圖繪示為本發明一較佳實施例之行動裝置的示意圖。
第4圖繪示為本發明一較佳實施例的指紋辨識裝置304的結構圖。
第5圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之操作示意圖。
第6圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器504的俯視圖。
第7圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器504的俯視圖。
第8圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器504的俯視圖。
第9圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之製造方法的流程圖。
第9A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S902的示意圖。
第9B圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S903的示意圖。
第9C圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S904的示意圖。
第9D圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S905的示意圖。
第9E圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S906的示意圖。
第9F圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S907的示意圖。
第9G圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S908的示意圖。
第9H圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S909的示意圖。
第9I圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S910的示意圖。
第9J圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S911的示意圖。
第9K圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S912的示意圖。
第9L圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S913的示意圖。
第9M圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S914的示意圖。
第9N圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S915的示意圖。
第9O圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S916的示意圖。
第9P圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S917的示意圖。
第10圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S913之詳細流程圖。
第10A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1001的示意圖。
第11圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S914之詳細流程圖。
第11A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1101的示意圖。
第11B圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1102的示意圖
在實施例與申請專利範圍中，空間相對術語，如“在...之下”，“以下”，“下”，“上方”，“上”等詞彙，可以在本文中用於便於描述，以描述一個元件或特徵的相對於另一元件(多個)或特徵(多個特徵)在圖所示中的對應關係。所屬技術領域具有通常知識者可以理解，除了在附圖中描述的方向，空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用或操作不同方向。舉例來說，如果裝置在圖中被翻轉，則被描述為“下方”或“之下”的元件或特徵將被定向為“上方”，因此，“下方”示範性術語可以包括上方和下方的方位。若所述裝置可被另外定位(旋轉90度或在其它方位)，上述的空間相對術語在此則用以作為所使用的空間相對描述做出相應的解釋。
第3圖繪示為本發明一較佳實施例之行動裝置的示意圖。請參考第3圖，在此實施例中，上述行動裝置包括顯示面板301、控制電路302、覆蓋保護層303以及指紋辨識裝置304。在此實施例中，覆蓋保護層303被配置在顯示面板上方，並且覆蓋整個行動裝置。指紋辨識裝置304則配置於覆蓋保護層303的下方。一般來說，若以目前智慧型手機為例，覆蓋保護層303是以保護玻璃(protective glass)實施。控制電路302電性連接顯示面板301以及指紋辨識裝置304，以控制顯示面板301以及指紋辨識裝置304。在此實施例中，指紋辨識裝置304被配置於覆蓋保護層303，也就是保護玻璃的下方，另外，指紋辨識裝置304在此實施例中，被配置在虛擬觸控按鈕 (home key)下方。
第4圖繪示為本發明一較佳實施例的指紋辨識裝置304的結構圖。請參考第4圖，此指紋辨識裝置包括一聚合物層401、一重佈線路層(re-distribution layer，RDL)402、一影像感測積體電路403、一光發射電路404、一透光層405、一模壓材料406、一保護鍍膜407以及多數個導電錫球(solder ball)408。光發射電路404包括一光發射電路載板410。影像感測積體電路403下方係一晶圓基底(wafer substrate)411。影像感測積體電路403在此實施例中，包括多數個矽穿孔(through silicon via，TSV)409，每一矽穿孔409內具有導電材料。矽穿孔409在此實施例中，是電性連接到影像感測積體電路403的輸出輸入焊墊(I/O pad)，這些矽穿孔409分別透過重佈線路層402，對應地電性連接上述多數個導電錫球408。藉此，影像感測積體電路403的輸出輸入焊墊分別被電性連接到上述導電錫球408。
另外，重佈線路層402的另一個功效則是用以將影像感測積體電路403中用來控制光發射電路404之焊墊所電性連接之特定矽穿孔電性連接到光發射電路404。藉此，當進行指紋辨識時，影像感測積體電路403可以控制光發射電路404發射一指定光源，用以提供手指光線，使手指的指紋影像更清晰。透光層405被配置於影像感測積體電路403上，其中，透光層405可讓光線穿越並進入影像感測積體電路403。模壓材料406包圍影像感 測積體電路403，其中，模壓材料406阻擋光發射電路404與影像感測積體電路403之間的光行進路徑，避免上述光發射電路404的直接照射光線進入影像感測積體電路403，提升指紋辨識的品質。
第5圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之操作示意圖。請參考第5圖，501表示手指的指紋之凸起部分(ridge portion)；502表示手指的指紋之凹下部分(valley portion)；503表示保護玻璃(protective glass)；504表示空間濾波器；505表示影像感測積體電路。在此示意圖中，透光層是以空間濾波器504的形式實施，此空間濾波器504具有濾除散射光線，並讓直射光進入影像感測積體電路的功效。由此實施例，可以看出，直射的光線，會穿過空間濾波器504進入到影像感測積體電路505。手指的指紋之凹下部分造成的散射光線會被保護玻璃反射和被空間濾波器504中的非光線通道部分阻擋或吸收，而手指的指紋之凸起部分造成的散射光線會被空間濾波器504中的非光線通道部分阻擋或吸收。因此，影像感測積體電路505便只會接收到實質上直射到影像感測積體電路505的光線，不會接收到散射光線，故可以提升指紋的影像品質。然而，本發明並不限定此透光層的實施方式。
由上述實施例可以看出，本案的指紋辨識裝置是採用直接擷取指紋的方式。故擷取指紋時，本案所擷取的指紋中的凸起部分將會是亮的，手指的指紋中之 凹下部分將會是暗的。一般需要光學元件的指紋辨識裝置是採用全反射式指紋擷取，一般會有一個菱鏡或光導層(light guide layer)，此種指紋辨識裝置與本案較不相同的是，所擷取的指紋中的凸起部分將會是暗的，手指的指紋中之凹下部分將會是亮的。又，一般直接擷取式的指紋辨識裝置需要指紋與影像感測積體電路403在極度接近的情況下，才能擷取到指紋。本案由於設置了一個空間濾波器(spatial filter)504，因此，即便手指距離影像感測積體電路403有一段距離，本案的指紋辨識裝置仍然可以擷取到指紋。
第6圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器(spatial filter)504的俯視圖。請參考第6圖，601表示光線通道。在此實施例中，空間濾波器504的光線通道601是正方形，且整個空間濾波器504的光線通道601被配置為方形矩陣。第7圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器504的俯視圖。請參考第7圖，在此實施例中，空間濾波器504的光線通道701是圓形，且整個空間濾波器504的光線通道701被配置為方形矩陣。第8圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋辨識裝置之空間濾波器504的俯視圖。請參考第8圖，在此實施例中，空間濾波器504的光線通道801是六邊形，且整個空間濾波器504的光線通道801配置為蜂巢狀。
第9圖繪示為本發明一較佳實施例之指 紋辨識裝置之製造方法的流程圖。請參考第9圖，此指紋辨識裝置之製造方法包括下列步驟：
步驟S901：此指紋辨識裝置之製造方法開始。
步驟S902：將一影像感測積體電路晶圓，黏合於一第一載板上，其中，影像感測積體電路晶圓的影像感測面與該載板黏合。請參考第9A圖，第9A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S902的示意圖。標號901表示影像感測積體電路晶圓；標號902表示用以乘載晶圓的第一載板。由第9A圖可以看出影像感測積體電路晶圓901被黏合在第一載板902上。標號915則代表切割道(scribe line)，用以預留作為積體電路切割的位置。
步驟S903：進行一晶圓打薄(wafer thinning)製程。請參考第9B圖，第9B圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S903的示意圖。如第9B圖所示，將晶圓基底厚度變薄，以利後續矽穿孔製程。
步驟S904：將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓，進行一矽穿孔製程。請參考第9C圖，第9C圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S904的示意圖。如第9C圖所示，標號903表示矽穿孔。由基底對影像感測積體電路上所欲引出的輸入輸出點，例如焊墊，進行鑽孔、灌入導體。
步驟S905：將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓進行解除黏合。請參考第9D圖，第9D圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S905的示意圖。如第9D圖所示，載板902與做完矽穿孔製程的該影像感測積體電路晶圓被分離。
步驟S906：在影像感測積體電路晶圓的矽穿孔製程面，亦即晶圓的基底面，對一第二載板905進行黏合。如第9E圖所示，第9E圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S906的示意圖。請參考第9E圖，在此實施例中，影像感測積體電路晶圓的矽穿孔製程面，亦即晶圓的基底面，與載板905進行黏合。所屬技術領域具有通常知識者應當知道，載板905與步驟S905的載板904可以是相同載板或不同載板。本發明不以此為限。
步驟S907：在該影像感測積體電路晶圓上的每一個影像感測積體電路的感測面上，配置一透光層906。如第9F圖所示，第9F圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S907的示意圖。請參考第9F圖，透光層906被配置在每一個影像感測積體電路區塊上。
步驟S908：將第二載板905上的影像感測積體電路晶圓進行解除黏合。如第9G圖所示，第9G圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S908的示意圖。請參考第9G圖，影像感測積體 電路晶圓與第二載板905被分離。
步驟S909：將影像感測積體電路晶圓進行切割，以獲得多數個影像感測積體電路。如第9H圖所示，第9H圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S909的示意圖。在此第9H圖中，雖然是以兩個影像感測積體電路做示意，然所屬技術領域具有通常知識者應當知道，一片晶圓幾乎不會僅製作兩個影像感測積體電路。故本發明不以此為限。
步驟S910：將上述多數個影像感測積體電路分別黏合在一第三載板907，並在每一影像感測積體電路的一側，配置一光發射電路908。如第9I圖所示，第9I圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S910的示意圖。
步驟S911：對每一個影像感測積體電路以及每一個對應的光發射電路進行一鑄模成形(molding)製程，以獲得一未切割鑄模的重組晶圓(reconstruction wafer)。如第9J圖所示，第9J圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S911的示意圖。請參考第9J圖，在此實施例中，此鑄模成形製程所使用的鑄模材料909一般來說是環氧樹脂(epoxy)。然本發明不以此為限。
步驟S912：將重組晶圓與該第三載板進行解除黏合。如第9K圖所示，第9K圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S912的示意圖。請參考第9K圖，上述重組晶圓與第三載板907被分離。
步驟S913：在該重組晶圓的解除黏合面，配置一聚合物層與重佈線路層。如第9L圖所示，第9L圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S913的示意圖。請參考第9L圖，透過聚合物層912的電氣絕緣與重佈線路層911的配置，將影像感測積體電路需要被引出的輸入輸出節點透過矽穿孔電性連接到重佈線路層911上。
步驟S914：在該重組晶圓的重佈線路層製程面，配置一聚合物層與植入導電錫球。如第9M圖所示，第9M圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S914的示意圖。請參考第9M圖，藉由聚合物層912的電氣絕緣和保護與導電錫球913的配置，影像感測積體電路需要被引出的輸入輸出節點分別被電性連接到導電錫球913。
步驟S915：對該重組晶圓的鑄模面，進行一研磨製程(grinding)，使每一該些影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料露出。如第9N圖所示，第9N圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S915的示意圖。
步驟S916：對該重組晶圓經過研磨的鑄模面，進行一被覆(coating)塗層製程，使每一影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料上覆蓋一保護薄膜。如第9O圖所示，第9O圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S916的示意圖。請參考第9O圖，在研磨後的表面，被覆一層保護膜914。
步驟S917：對該重組晶圓進行一切割(dicing)製程，獲得多數個指紋辨識裝置。如第9P圖所示，第9P圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S917的示意圖。
上述實施例中，被覆保護膜的步驟S916是選擇性的設計。廠商可以選擇執行步驟S916或不執行步驟S916。有無保護膜並不影響本發明的製造方法。故本發明不以步驟S916為限。
第10圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S913之詳細流程圖。請參考第10圖，上述實施例中，步驟S913所述之在重組晶圓的解除黏合面，配置一重佈線路層，可以包括下列子步驟：
步驟S1001：接續步驟S912，在重組晶圓的解除黏合面，形成一第一聚合物層。如第10A圖所示，第10A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1001的示意圖。請參考第10A圖，標號1001表示第一聚合物層。在此實施例中，第一聚合物層1001還預先留下了矽穿孔以及光發射元件的輸入輸出節點，以便後續重新佈線。
步驟S1002：在重組晶圓的解除黏合面，進行重佈線路製程，請參考第9L圖。藉由此步驟S1002，影像感測積體電路晶圓的矽穿孔以及光發射元件的輸入輸出節點便可以電性連接至外部植入的導電錫球。
第11圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S914之詳細流程圖。請參考第11圖，上述實施例中，步驟S914所述之在重佈線路層(RDL)製程面，配置一導電錫球層，可以包括下列子步驟：
步驟S1101：在重佈線路層，配置導電錫球。如第11A圖所示，第11A圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1101的示意圖。請參考第11A圖，一般來說，此導電錫球1101可以是錫球或是金球。本發明不以此為限。
步驟S1102：在重佈線路層製程面，配置一第二聚合物層。如第11B圖所示，第11B圖繪示為本發明一較佳實施例之指紋檢測裝置之製造方法的步驟S1102的示意圖。請參考第11B圖，標號1102表示第二聚合物層。
由於上述這些製程，全部都可以在半導體製造機台上製作。除了可以達成系統封裝(system in package，SIP)外，還可以減少指紋辨識裝置的體積。
綜上所述，本發明的精神在於用於指紋辨識的影像感測積體電路上方配置一個透光層，此透光層 可用透過光線。之後，藉由封裝，將光發射電路與用於指紋辨識的影像感測積體電路封在同一個積體電路中。藉此，可以整合光發射電路與用於指紋辨識的影像感測積體電路在同一積體電路中。由於在封裝的時候，鑄模材料包圍了上述用於指紋辨識的影像感測積體電路，故在影像感測積體電路與光發射電路之間，構成了天然的光阻擋構件，因此，避免光發射電路的光線直接射入用於指紋辨識的影像感測積體電路，讓所讀取的指紋更加清晰。
另外，為了讓此指紋辨識裝置的體積更加減小，在製作過程時，在晶圓上製造完成指紋辨識積體電路後，先對晶圓背後做打薄，之後，將所需要的輸入輸出腳位進行矽穿孔技術，在晶圓下方拉出金屬接觸點，以將指紋辨識積體電路的輸入輸出節點固定在晶圓下方。之後，用重佈線路層的方式，將上述多個輸入輸出節點藉由重新佈線方式拉出，並且在指紋辨識面的上方配置透光層，之後，用將晶圓切割成指紋辨識積體電路單晶片，並一一黏合在一載板上，並且在其周圍配置光發射電路。之後，進行鑄模、配置錫球、切割等製程，獲得多個指紋辨識裝置，藉此，每一個指紋辨識裝置能夠更加的縮小，減少體積以及減低成本。
在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅用以方便說明本發明之技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明之精神及以下申請專利範圍之情況，所做之種種變化實施，皆屬於本發明之範圍。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (17)

  1. 一種指紋辨識裝置，包括：一導電錫球(solder ball)層，包括多數個導電錫球；一重佈線路層(re-distribution layer，RDL)，配置於導電錫球層上，用以電性連接上述多數個導電錫球；一影像感測積體電路，包括多數個矽穿孔(through silicon via，TSV)，每一該些矽穿孔內，包括一導電材料，其中，該些矽穿孔分別透過該重佈線路層，對應地電性連接上述多數個導電錫球；一光發射電路，配置於該影像感測積體電路之一側，用以發射一指定光源，包括一第一連接導體，透過該重佈線路層，電性連接該影像感測積體電路的其中之一特定矽穿孔，其中，該影像感測積體電路藉由該特定矽穿孔控制該光發射電路；一透光層，被配置於該影像感測積體電路上，其中，該透光層可讓光線穿越並進入該影像感測積體電路；以及一模壓材料，包圍該影像感測積體電路，其中，該模壓材料阻擋該光發射電路與該影像感測積體電路之間的光行進路徑，避免上述光發射電路的直接照射光線進入該影像感測積體電路，提升指紋辨識的品質。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之指紋辨識裝置，其中，該透光層包括：一空間濾波器(spatial filter)，被配置於該影像感測 積體電路上，其中，該空間濾波器具有多數個鄰接的光線通道，且其中，藉由該光線通道，限制可進入該影像感測積體電路之光線的角度，避免散射光線進入該影像感測積體電路。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之指紋辨識裝置，其中，該光發射電路包括：一特定光源發射電路，其中，該特定光源發射電路配置於該影像感測積體電路之任一側，並電性連接該影像感測積體電路。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之指紋辨識裝置，其中，該光發射電路包括：一可見光發射電路，其中，該可見光發射電路配置於該影像感測積體電路之一側，並電性連接該影像感測積體電路，其中，當進行一指紋辨識時，該可見光發射電路發射一可見光，以讓使用者藉由該可見光得知手指放置位置。
  5. 如申請專利範圍第2項所記載之指紋辨識裝置，其中，該空間濾波器的光線通道構成一二維陣列。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之指紋辨識裝置，其中，該影像感測積體電路的感測面向上。
  7. 一種行動裝置，包括：一控制電路；一顯示面板，電性連接該控制電路；一覆蓋保護層，配置於該顯示面板上；以及一指紋辨識裝置，包括：一導電錫球層，包括多數個導電錫球；一重佈線路層，配置於導電錫球層上，用以電性連接上述多數個導電錫球；一影像感測積體電路，包括多數個矽穿孔，每一該些矽穿孔內，包括一導電材料，其中，該些矽穿孔分別透過該重佈線路層，對應地電性連接上述多數個導電錫球；一光發射電路，配置於該影像感測積體電路之一側，用以發射一指定光源，包括一第一連接導體，透過該重佈線路層，電性連接該影像感測積體電路的其中之一特定矽穿孔，其中，該影像感測積體電路藉由該特定矽穿孔控制該光發射電路；一透光層，被配置於該影像感測積體電路上，其中，該透光層可讓光線穿越並進入該影像感測積體電路；以及一模壓材料，包圍該影像感測積體電路，其中，該模壓材料阻擋該光發射電路與該影像感測積體電路之間的光行進路徑，避免上述光發射電路的直接照射光線進 入該影像感測積體電路，提升指紋辨識的品質。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之行動裝置，其中，該透光層包括：一空間濾波器，被配置於該影像感測積體電路上，其中，該空間濾波器具有多數個鄰接的光線通道，且其中，藉由該光線通道，限制可進入該影像感測積體電路之光線的角度，避免散射光線進入該影像感測積體電路。
  9. 如申請專利範圍第7項所記載之行動裝置，其中，該光發射電路包括：一特定光源發射電路，其中，該特定光源發射電路配置於該影像感測積體電路之任一側，並電性連接該影像感測積體電路。
  10. 如申請專利範圍第7項所記載之行動裝置，其中，該光發射電路包括：一可見光發射電路，其中，該可見光發射電路配置於該影像感測積體電路之一側，並電性連接該影像感測積體電路，其中，當進行一指紋辨識時，該可見光發射電路發射一可見光，以讓使用者藉由該可見光得知手指放置位置。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之行動裝置，其中， 該空間濾波器的光線通道構成一二維陣列。
  12. 如申請專利範圍第7項所記載之行動裝置，其中，該影像感測積體電路的感測面向上。
  13. 一種指紋辨識裝置的製造方法，包括：將一影像感測積體電路晶圓，黏合於一第一載板上，其中，該影像感測積體電路晶圓的影像感測面與該載板黏合；將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓，進行一矽穿孔製程；將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓進行解除黏合；在該影像感測積體電路晶圓的矽穿孔製程面，對一第二載板進行黏合；在該影像感測積體電路晶圓上的多數個影像感測積體電路的一感測面上，配置一透光層；將該第二載板上的該影像感測積體電路晶圓進行解除黏合；將該影像感測積體電路晶圓進行切割，以獲得多數個影像感測積體電路；將上述多數個影像感測積體電路分別黏合在一第三載板，並在每一該些影像感測積體電路的一側，配置一光發射電路； 對每一該些影像感測積體電路以及每一該些對應的光發射電路進行一鑄模成形製程，以獲得一未切割鑄模；將該未切割鑄模與該第三載板進行解除黏合；在該未切割鑄模的解除黏合面，配置一重佈線路層；在重佈線路層製程面，配置一導電錫球層；對該未切割鑄模的鑄模面，進行一研磨製程(grinding)，使每一該些影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料露出；以及進行一切割製程，獲得多數個指紋辨識裝置。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之指紋辨識裝置的製造方法，其中，在進行該切割製程之前，更包括：進行一被覆塗層製程，使每一該些影像感測積體電路上的透光層以及光發射電路的透光材料上覆蓋一保護薄膜。
  15. 如申請專利範圍第13項所記載之指紋辨識裝置的製造方法，其中，在該未切割鑄模的解除黏合面，配置該重佈線路層，更包括：在該未切割鑄模的解除黏合面，形成一第一聚合物層；以及在該未切割鑄模的解除黏合面，進行重佈線路製程，使影像感測積體電路晶圓的矽穿孔電性連接至外部配置錫球金屬。
  16. 如申請專利範圍第13項所記載之指紋辨識裝置的製造方法，其中，在重佈線路層製程面，配置該導電錫球層，包括：在重佈線路層，配置錫球(solder bump)；以及在重佈線路製程面，配置一第二聚合物層。
  17. 如申請專利範圍第13項所記載之指紋辨識裝置的製造方法，其中，將該第一載板上的該影像感測積體電路晶圓，進行該矽穿孔製程之前，更包括：進行一晶圓基底打薄製程。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649856B (zh) * 2016-05-13 2019-02-01 精材科技股份有限公司 晶片封裝體與其製造方法
US10949642B2 (en) * 2017-11-24 2021-03-16 Integrated Biometrics, Llc Method for capture of a fingerprint using an electro-optical material
CN110770749B (zh) * 2019-03-21 2021-09-03 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
CN110290241B (zh) * 2019-06-24 2021-03-02 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置、电子设备及图像获取方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325288A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 凹凸パターン検出装置、その製造方法、凹凸パターン検出方法および携帯機器
JP2008006146A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Oki Electric Ind Co Ltd 指紋認証方法とその装置
TW201618250A (zh) * 2014-11-12 2016-05-16 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282791A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Fujitsu Ltd 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
US7109574B2 (en) * 2002-07-26 2006-09-19 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit package with exposed die surfaces and auxiliary attachment
WO2004093005A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Fujitsu Limited 情報処理装置
JP4823985B2 (ja) * 2007-08-07 2011-11-24 株式会社日立製作所 生体認証装置及び情報端末
US8018065B2 (en) * 2008-02-28 2011-09-13 Atmel Corporation Wafer-level integrated circuit package with top and bottom side electrical connections
US8116540B2 (en) * 2008-04-04 2012-02-14 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits
KR100952921B1 (ko) * 2009-10-20 2010-04-16 정형준 지문 인식 장치
TWI508273B (zh) * 2010-03-19 2015-11-11 Xintec Inc 影像感測元件封裝構件及其製作方法
US9653500B2 (en) * 2010-03-22 2017-05-16 Xintec Inc. Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof
US9030440B2 (en) * 2012-05-18 2015-05-12 Apple Inc. Capacitive sensor packaging
TWI536272B (zh) * 2012-09-27 2016-06-01 光環科技股份有限公司 生物辨識裝置及方法
US9651513B2 (en) * 2012-10-14 2017-05-16 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and button combinations and methods of making same
TWI536528B (zh) * 2013-06-17 2016-06-01 茂丞科技股份有限公司 超薄型全平面式感測裝置
US9984270B2 (en) * 2013-08-05 2018-05-29 Apple Inc. Fingerprint sensor in an electronic device
TWI515829B (zh) * 2013-08-30 2016-01-01 南茂科技股份有限公司 一種晶圓級之封裝方法及封裝結構
US9165793B1 (en) * 2014-05-02 2015-10-20 Invensas Corporation Making electrical components in handle wafers of integrated circuit packages
TW201543641A (zh) * 2014-05-12 2015-11-16 Xintex Inc 晶片封裝體及其製造方法
CN104102924B (zh) * 2014-07-23 2017-11-24 上海思立微电子科技有限公司 具有模压保护层的指纹识别器件及指纹识别组件
CN105845639B (zh) * 2015-01-16 2019-03-19 恒劲科技股份有限公司 电子封装结构及导电结构
TW201640418A (zh) * 2015-05-04 2016-11-16 曦威科技股份有限公司 指紋檢測裝置、使用其之行動裝置以及其製造方法
US9935148B2 (en) * 2015-07-13 2018-04-03 Xintec Inc. Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer
CN205427873U (zh) * 2015-09-16 2016-08-03 茂丞科技股份有限公司 指纹感测单元及指纹感测模块
KR101787832B1 (ko) * 2015-10-22 2017-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 패키지
US9898645B2 (en) * 2015-11-17 2018-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fingerprint sensor device and method
US9792516B2 (en) * 2016-01-26 2017-10-17 Next Biometrics Group Asa Flexible card with fingerprint sensor
US9875388B2 (en) * 2016-02-26 2018-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fingerprint sensor device and method
TWI596716B (zh) * 2016-06-27 2017-08-21 速博思股份有限公司 指紋辨識裝置
US10424540B2 (en) * 2016-10-06 2019-09-24 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325288A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 凹凸パターン検出装置、その製造方法、凹凸パターン検出方法および携帯機器
JP2008006146A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Oki Electric Ind Co Ltd 指紋認証方法とその装置
TW201618250A (zh) * 2014-11-12 2016-05-16 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法

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