TWI669850B - 天線模組 - Google Patents

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TWI669850B TW106142374A TW106142374A TWI669850B TW I669850 B TWI669850 B TW I669850B TW 106142374 A TW106142374 A TW 106142374A TW 106142374 A TW106142374 A TW 106142374A TW I669850 B TWI669850 B TW I669850B
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Abstract

本發明之天線模組係具備：平板狀之控制基板10，係內藏或載裝半導體元件15；框架基板20，係隔著接合構件41、42而接合於控制基板10的上表面，且露出控制基板10的上表面中央部；以及平板狀之天線基板30，係以和控制基板10相對向之方式，隔著接合構件41、42而接合於框架基板20的上表面，複數個天線圖案34係沿著主面而配置，框架基板20係具有框架本體20A及棧部20B，並且在框架本體20A與棧部20B以及控制基板10與天線基板30之間設有突出部26，該突出部26係以固定的高度抵接於相對應方之控制基板10或框架基板20、天線基板30。

Description

天線模組
本發明係有關於天線模組之相關技術。
近年來，天線模組係由控制基板、框架基板以及天線基板所構成。控制基板、框架基板以及天線基板係隔著接合構件而被接合。接合構件係例如焊劑。如此之天線模組係例如專利文獻1所列舉。
根據如此之天線模組，則由焊劑所構成之接合構件的厚度係會有產生不均之情形，或於天線基板產生彎曲之情形。因此，控制基板及天線基板的間隔或平行度係易於產生不均之情形。當控制基板與天線基板的距離或平行度產生不均之情形時，則天線模組之頻率特性產生極大的不均之情形，而無法良好的進行期望的頻率帶域之高頻信號之傳送接收。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：特開2004-327641號公報
本發明第一態樣之天線模組係具備：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著主面而配置。前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間。在前述框架本體以及前述棧部設有以固定的高度抵接於前述控制基板之複數個突出部，以及以固定的高度抵接於前述天線基板之複數的突出部。
本發明第二態樣之天線模組係具備：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著主面而配置。前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間，前述訊基板以及前述天線基板係在和前述框架基板相對向之面設有複數個突出部，該複數個突出部係以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部。
本發明第三態樣之天線模組係具備：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係 隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著主面而配置。前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間。在前述框架本體以及前述棧部的上表面設有以固定的高度抵接於前述天線基板之複數個突出部，前述控制基板係在其上表面設有以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部之複數個突出部。
本發明第四態樣之天線模組係具備：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著主面而配置。前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間。在前述框架本體以及前述棧部的下表面設有以固定的高度抵接於前述控制基板之複數的突出部，前述天線基板係在其下表面設有以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部之複數個突出部。
10‧‧‧控制基板
11‧‧‧絕緣板
11a‧‧‧鑿穿部
11b‧‧‧黏著劑
11c‧‧‧通孔
11d‧‧‧埋孔樹脂
12‧‧‧導體層
13‧‧‧絕緣層
13a‧‧‧穿孔
14、23、33‧‧‧焊料抗蝕劑層
15‧‧‧半導體元件
16、34‧‧‧天線圖案
17、35‧‧‧框架基板接合焊墊
18‧‧‧外部連接焊墊
20‧‧‧框架基板
20A‧‧‧框架本體
20B‧‧‧棧部
19、26、37‧‧‧突出部
21、31‧‧‧絕緣板
22、32‧‧‧導體層
24‧‧‧控制基板接合焊墊
25‧‧‧天線基板接合焊墊
30‧‧‧天線基板
41、42‧‧‧接合構件
第1圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第1例之概略截面圖。
第2圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第1例之概略分解立體圖。
第3圖係用以說明本發明之天線模組之實施形態的第1例的製造方法之概略截面圖。
第4圖係用以說明本發明之天線模組之實施形態的第1例的製造方法之概略截面圖。
第5圖係用以說明本發明之天線模組之實施形態的第1例的製造方法之概略截面圖。
第6圖係用以說明本發明之天線模組之實施形態的第1例的製造方法之概略截面圖。
第7圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第2例之概略分解截面圖及概略截面圖。
第8圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第3例之概略分解截面圖及概略截面圖。
第9圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第4例之概略分解截面圖及概略截面圖。
第10圖係顯示本發明之天線模組之實施形態的第1例之變形例之概略截面圖。
以概略截面圖將本發明之實施形態的第1例顯示於第1圖，以概略分解立體圖顯示於第2圖。本例之天線模組係由控制基板10、框架基板20以及天線基板 30所構成。控制基板10、框架基板20以及天線基板30係隔著接合構件41及42而被接合。接合構件41係例如焊劑。接合構件42係例如熱硬化性樹脂。
控制基板10係將導體層12及絕緣層13交互地積層複數層於絕緣板11的上下表面而成者。控制基板10的上下表面係覆蓋著焊料抗蝕劑層14。控制基板10係四角平板狀。控制基板10的內部係內藏著半導體元件15。
絕緣板11係由玻璃環氧樹脂等之電氣絕緣材料所構成。絕緣板11的厚度係0.1~0.8mm程度。絕緣板11係形成複數的鑿穿部11a於其中央部。鑿穿部11a係四角形狀。鑿穿部11a的內部係收容著半導體元件15。半導體元件15係隔著黏著劑11b而黏著於鑿穿部11a的內壁。黏著劑11b係由環氧樹脂等之熱硬化性樹脂所構成。
絕緣板11係形成有複數的通孔11c。通孔11c的直徑係75~200μm程度。
絕緣板11的上下表面以及通孔11c的內壁係覆蓋著導體層12。覆蓋於絕緣板11的導體層12係由銅箔及鍍銅層所構成。覆蓋於絕緣板11的導體層12的厚度係5~42μm程度。
覆蓋著導體層12的通孔11c的內部係被埋孔樹脂11d充填。埋孔樹脂11d係將二氧化矽等絕緣填料分散於環氧樹脂等之熱硬化性樹脂而形成。
絕緣層13係由將二氧化矽等絕緣填料分散於環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的電氣絕緣材料所構成。絕 緣層13的厚度係25~50μm程度。絕緣層13係形成複數的穿孔13a。穿孔13a的直徑係30~100μm程度。
各絕緣層13的表面以及穿孔13a內係覆蓋著導體層12。覆蓋於絕緣層13的導體層12係由鍍銅層所構成。覆蓋於絕緣層13的導體層12的厚度係5~42μm程度。
焊料抗蝕劑層14係由將二氧化矽等之絕緣填料分散於環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的電氣絕緣材料所構成。焊料抗蝕劑層14的厚度係25~50μm程度。
控制基板10的上表面中央部係配設有複數個天線圖案16。天線圖案16係由導體層12所形成。天線圖案16係自上表面側的焊料抗蝕劑層14露出。天線圖案16係例如1邊為0.5~5mm程度的方形。天線圖案16係電氣性的連接於半導體元件15的電極。經由此等的天線圖案16及後述的天線圖案34而在半導體元件15及外部之間進行電波之傳送接收。
控制基板10的上表面外周部係形成複數個框架基板接合焊墊17。框架基板接合焊墊17係由導體層12所形成。框架基板接合焊墊17係自上表面側的焊料抗蝕劑層14而露出。框架基板接合焊墊17係圓形。框架基板接合焊墊17的直徑係300~600μm程度。於框架基板接合焊墊17，係經由由焊劑所構成的接合構件41而接合有框架基板20。接合構件41係例如由錫-銀合金或錫-銀-銅合金所構成。
控制基板10的下表面係形成複數個外部連接焊墊18。外部連接焊墊18係由導體層12所形成。外部連接焊墊18係自下表面側的焊料抗蝕劑層14露出。外部連接焊墊18係圓形。外部連接焊墊18的直徑係300~600μm程度。外部連接焊墊18係電氣性地連接於半導體元件15的電極。外部連接焊墊18係連接於未圖示之主機板等之電氣電路基板。
框架基板20係將導體層22積層於絕緣板21的上下表面。框架基板20的上下表面係覆蓋著焊料抗蝕劑層23。框架基板20係露出控制基板10的上表面中央部。框架基板20係具有四角框狀之框架本體20A以及跨越於其內周間之補強用的棧部20B。框架本體20A係經由由焊劑所形成之接合構件41而接合於控制基板10以及天線基板30。棧部20B係經由由熱硬化性樹脂所形成之接合構件42而接合於控制基板10以及天線基板30。
絕緣板21係由玻璃環氧樹脂等的電氣絕緣材料所構成。絕緣板21的厚度係0.1~0.8mm程度。積層於絕緣板21的導體層22係由銅箔或鍍銅層所構成。導體層22的厚度係5~42μm程度。
焊料抗蝕劑層23係由將二氧化矽等之絕緣填料分散於環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的電氣絕緣材料所構成。焊料抗蝕劑層23的厚度係25~50μm程度。
框架本體20A的下表面係形成控制基板接合焊墊24。控制基板接合焊墊24係由導體層22所形成。 控制基板接合焊墊24係自焊料抗蝕劑層23露出。控制基板接合焊墊24係圓形。控制基板接合焊墊24的直徑係300~600μm程度。控制基板接合焊墊24係經由由焊劑所形成之接合構件41而接合於控制基板10的框架基板接合焊墊17。
於框架本體20A的上表面係形成有天線基板接合焊墊25。天線基板接合焊墊25係由導體層22所形成。天線基板接合焊墊25係自焊料抗蝕劑層23露出。天線基板接合焊墊25係圓形。天線基板接合焊墊25的直徑為300~600μm程度。於天線基板接合焊墊25係經由由焊劑所形成之接合構件41而接合有天線基板30。
天線基板30係將導體層32積層於絕緣板31的上下表面。天線基板30的上下表面係覆蓋著焊料抗蝕劑層33。天線基板30係四角平板狀。天線基板30係以和控制基板10相對向之方式而接合於框架基板20的上表面。
絕緣板31係由玻璃環氧樹脂等的電氣絕緣材料所構成。絕緣板31的厚度係25~100μm程度。積層於絕緣板31的上下表面之導體層32係由銅箔或鍍銅層所構成。導體層32的厚度係5~42μm程度。
焊料抗蝕劑層33係由將二氧化矽等之絕緣填料分散於環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的電氣絕緣材料所構成。焊料抗蝕劑層33的厚度係25~50μm程度。
天線基板30係沿著其上下表面而具有複數 個天線圖案34。天線圖案34係由導體層32所形成。天線圖案34係自焊料抗蝕劑層33露出。天線圖案34係例如1邊為0.5~5mm程度的方形。天線圖案34係和控制基板10的天線圖案16作電磁性的結合。經由此等的天線圖案34及前述的天線圖案16而在半導體元件15及外部之間進行電波之傳送接收。
天線基板30係在其下表面外周部具有框架基板接合焊墊35。框架基板接合焊墊35係由導體層32所形成。框架基板接合焊墊35係自焊料抗蝕劑層33露出。框架基板接合焊墊35係圓形。框架基板接合焊墊35的直徑係300~600μm程度。框架基板接合焊墊35係經由由焊劑所構成的接合構件41而接合於框架基板20的天線基板接合焊墊25。
半導體元件15係高頻元件。半導體元件15係輸入由天線圖案16及34所接收之高頻信號。或者，半導體元件15係輸出自天線圖案16及34傳送之高頻信號。
在本例之天線模組當中，係在框架本體20A及棧部20B的上下表面形成有複數個突出部26。突出部26係形成於焊料抗蝕劑層23上。突出部26係和焊料抗蝕劑層23為相同的材料。在本例之中，突出部26的形狀係例如圓錐台。突出部26的直徑係50~5000μm程度。突出部26的高度係30~100μm程度。下表面側的突出部26係以固定的高度而抵接於控制基板10的上表面。上表面側的突出部26係以固定的高度抵接於天線基板30的下表面。
如此，在本例之天線模組當中，框架基板20係在框架本體20A的內周間具有棧部20B。此外，在框架本體20A及棧部20B的下表面係形成有以固定的高度抵接於控制基板10之複數的突出部26。在框架本體20A及棧部20B的上表面係形成有以固定的高度抵接於天線基板30之複數的突出部26。藉由此等之突出部26，則控制基板10及天線基板30之間隔G1、G2即可保持固定。因此，根據本例之天線模組，控制基板10與天線基板30之間不會產生距離不均或傾毀之情形。因此，根據本例之天線模組，即能提供具有安定的傳送接收特性之天線模組。
繼而說明將上述之例之天線模組的控制基板10、框架基板20以及天線基板30予以接合之方法。
首先，如第3圖所示，準備控制基板10、框架基板20以及天線基板30。又，預先將由焊劑所構成的接合構件41熔接於控制基板10的框架基板接合襯墊17以及天線基板30的框架基板接合襯墊35。此時，將接合構件41自焊料抗蝕劑層14、33突出的高度較突出部26自焊料抗蝕劑層23突出的高度更高10~50μm程度。
此外，如第4圖所示，將控制基板10、框架基板20以及天線基板30予以上下重疊。此時，熔接於控制基板10的接合構件41的頂部係抵接於框架基板20之控制基板接合焊墊24。熔接於天線基板30的接合構件41的頂部係抵接於框架基板20之天線基板接合焊墊25。此時，突出部26、控制基板10以及天線基板30之間係形 成10~50μm程度的隙間。
此外，如第5圖所示，藉由自上方對天線基板30施加荷重並且進行加熱，而使由焊劑所構成的接合構件41熔融。此時，框架基板20之下表面側的突出部26係全部以固定的高度抵接於控制基板10的上表面。框架基板20之上表面側的突出部26係全部以固定的高度抵接於天線基板30的下表面。以將此等之突出部26抵接於控制基板10、天線基板30之狀態而予以冷卻，而使接合構件41硬化。據此，控制基板10、框架基板20以及天線基板30係在對應於框架本體20A的區域當中，以對應於突出部26的高度之特定的間隔被接合。
此外，如第6圖所示，將未硬化之熱硬化性樹脂所構成之液狀的接合構件42注入於框架基板20的棧部20B與控制基板10以及天線基板30之間，並且自天線基板30上方施加荷重且進行加熱而使接合構件42熱硬化於。
此時，框架基板20之下表面側的突出部26係全部以固定的高度抵接於控制基板10的上表面。框架基板20之上表面側的突出部26係全部以固定的高度抵接於天線基板30的下表面。
據此，控制基板10、框架基板20以及天線基板30係在對應於框架本體20A及棧部20B的區域當中，以對應於突出部26的高度之特定的間隔被接合。因此，控制基板10及天線基板30之間不會產生距離不均或 傾斜之情形，且能完成具有安定的傳送接收特性之天線模組。
注入液狀的接合構件42時，係預先設置樹脂注入孔36、27於天線基板30以及框架基板20，並中介此等之樹脂注入孔36、27而進行注入。
繼而以概略分解截面圖及概略截面圖將本發明之實施形態的第2例顯示於第7圖。在第7圖所示之例當中，和上述之第1例相同的處所係賦予相同的符號，並省略其詳細的說明。
在本例當中，係在控制基板10的上表面側之焊料抗蝕劑層14的上表面設有突出部19。在天線基板30的下表面側之焊料抗蝕劑層33的下表面設有突出部37。此等之突出部19及37係由和上述之第1例的突出部26相同的形狀及材料所構成。
控制基板10的突出部19係以固定的高度而抵接於框架本體10A以及棧部10B的下表面。天線基板30的突出部37係以固定的高度而抵接於框架本體10A以及棧部10B的上表面。
如此，在本例之天線模組當中，控制基板10係在其上表面具有以固定的高度抵接於框架本體20A以及棧部20B之複數個突出部19。天線基板30係在其下表面具有以固定的高度抵接於框架本體20A以及棧部20B之複數個突出部37。藉由此等之突出部19及37，控制基板10及天線基板30之間隔G1、G2即可保持固定。因此， 根據本例之天線模組，則控制基板10及天線基板30之間不會產生距離不均或傾斜之情形。因此，根據本例之天線模組，即能提供具有安定的傳送接收特性之天線模組。
繼而以概略分解截面圖及概略截面圖將本發明之實施形態的第3例表示於第8圖。在第8圖所示之例當中，和上述之第1例相同的處所係賦予相同的符號，並省略其詳細的說明。
在本例當中，係在控制基板10的上表面側之焊料抗蝕劑層14的上表面設有突出部19。在框架基板20的上表面側之焊料抗蝕劑層23的上表面設有突出部26。此等之突出部19及26係由和上述之第1例的突出部26相同的形狀及材料所構成。
控制基板10的突出部19係以固定的高度而抵接於框架本體10A以及棧部10B的下表面。框架基板20的突出部26係以固定的高度而抵接於天線基板30的下表面。
如此，在本例之天線模組當中，控制基板10係在其上表面具有以固定的高度抵接於框架本體20A以及棧部20B之複數個突出部19。框架基板20係在其上表面具有以固定的高度抵接於天線基板30之複數個突出部26。藉由此等之突出部19及26，控制基板10及天線基板30之間隔G1、G2即可保持固定。因此，根據本例之天線模組，控制基板10及天線基板30之間不會產生距離不均或傾斜之情形。因此，根據本例之天線模組，即能提供 具有安定的傳送接收特性之天線模組。
繼而以概略分解截面圖及概略截面圖將本發明之實施形態的第4例表示於第9圖。在第9圖所示之例當中，和上述之第1例相同的處所係賦予相同的符號，並省略其詳細的說明。
在本例當中，係在框架基板20的下表面側之焊料抗蝕劑層23的下表面設有突出部26。在天線基板30的下表面側之焊料抗蝕劑層33的下表面設有突出部37。此等之突出部26及37係由和上述之第1例的突出部26相同的形狀及材料所構成。
框架基板20的突出部26係以固定的高度而抵接於控制基板10的上表面。天線基板30的突出部37係以固定的高度抵接於框架本體10A以及棧部10B的上表面。
如此，在本例之天線模組當中，框架基板20係在其下表面具有以固定的高度抵接於控制基板10之複數個突出部26。天線基板30係在其下表面具有以固定的高度抵接於框架本體20A以及棧部20B之複數個突出部37。藉由此等之突出部26及37，控制基板10及天線基板30之間隔G1、G2即可保持固定。因此，根據本例之天線模組，則控制基板10及天線基板30之間不會產生距離不均或傾斜之情形。因此，根據本例之天線模組，即能提供具有安定的傳送接收特性之天線模組。
本發明之天線模組係框架基板為於框架本 體之內周間具有棧部，並且亦在框架本體及棧部與控制基板及天線基板之間設有突出部，該突出部係以固定的高度抵接於相對應方之控制基板或框架基板、天線基板。因此，控制基板及天線基板之間不會產生距離不均或傾毀之情形。其結果，即能形成具有期望的頻率帶域之高頻信號之安定的傳送接收特性之天線模組。
又，本發明並不限定於上述之各例的天線模組，可在申請專利範圍所記載的範圍內，作各種的變更或改良。例如，上述之各例中，控制基板10、框架基板20與天線基板30雖係藉由焊劑所構成的接合構件41以及熱硬化性樹脂所構成的接合構件42之2種類的接合構件而被接合，但如第10圖所示，控制基板10、框架基板20以及天線基板30亦可僅藉由熱硬化性樹脂所構成的接合構件42而接合。該情形時，即能使天線模組之控制基板10、框架基板20以及天線基板30之接合方法更簡便。
上述之各例中，突出部19、26、37雖為圓錐台形狀，但，亦可為圓柱或角錐台、角柱等、十字形柱或另外的形狀。
上述之各例中，半導體元件15雖係內藏於控制基板10，但半導體元件15亦可載裝於控制基板的上表面及/或下表面。
此外，在上述之各例中，框架基板接合焊墊17、外部連接焊墊18、控制基板接合焊墊24、天線基板接合焊墊25以及框架基板接合焊墊35之形狀，亦可為 圓形以外的形狀。

Claims (11)

  1. 一種天線模組，係包括：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著上表面及下表面而配置；前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間；其中在前述框架基板的上下表面覆蓋有焊料抗蝕劑層；在前述框架本體以及前述棧部的前述焊料抗蝕劑層上設有以固定的高度抵接於前述控制基板之複數個突出部，以及以固定的高度抵接於前述天線基板之複數個突出部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之天線模組，其中，前述突出部係由和前述焊料抗蝕劑層相同的材料所構成。
  3. 一種天線模組，係包括：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著上表面及下表面而配置；前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間；其中前述控制基板以及前述天線基板係在和前述框架基板相對向之面覆蓋有焊料抗蝕劑層，且於該焊料抗蝕劑層上設有複數個突出部，該複數個突出部係以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之天線模組，其中，前述突出部係由和前述焊料抗蝕劑層相同的材料所構成。
  5. 一種天線模組，係包括：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著上表面及下表面而配置；前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間；其中在前述框架基板的上表面覆蓋有焊料抗蝕劑層；在前述框架本體以及前述棧部的上表面的前述焊料抗蝕劑層上設有以固定的高度抵接於前述天線基板之複數個突出部；且前述控制基板係在其上表面覆蓋有焊料抗蝕劑層，且於該焊料抗蝕劑層上設有以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部之複數個突出部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之天線模組，其中，前述突出部係由和前述焊料抗蝕劑層相同的材料所構成。
  7. 一種天線模組，係包括：平板狀之控制基板，係內藏或載裝半導體元件；框架基板，係隔著接合構件而接合於該控制基板的上表面，且露出前述控制基板的上表面中央部；以及平板狀之天線基板，係以和前述控制基板相對向之方式，隔著接合構件而接合於該框架基板的上表面，複數個天線圖案係沿著上表面及下表面而配置；前述框架基板係具有：框狀之框架本體，係沿著前述控制基板的外周部；以及補強用的棧部，係跨越於該框架本體的內周間；其中在前述框架基板的下表面覆蓋有焊料抗蝕劑層；在前述框架本體以及前述棧部的下表面的前述焊料抗蝕劑層上設有以固定的高度抵接於前述控制基板之複數個突出部，前述天線基板係在其下表面覆蓋有焊料抗蝕劑層，於該焊料抗蝕劑層上設有以固定的高度抵接於前述框架本體以及前述棧部之複數個突出部。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之天線模組，其中，前述突出部係由和前述焊料抗蝕劑層相同的材料所構成。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之天線模組，其中，前述接合構件係由熱硬化性樹脂所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之天線模組，其中，前述突出部係圓錐台形狀、圓柱、角錐台、角柱等、十字形柱或另外的任意一個之形狀。
  11. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之天線模組，其中，前述半導體元件係載裝於前述控制基板的上表面及下表面之至少一方。
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