TWI665757B - 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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岡本直樹
Naoki Okamoto
齊藤明
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Fukashi Tanaka
橫森剛
Tsuyoshi Yokomori
二宮勇
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Abstract

係在用上推單元將晶片(die)上推時，有晶片變形並且撓曲直到筒夾的吸附面之下發生洩漏之情形。
係一種半導體製造裝置，其特徵係具備吸附晶片之筒夾部；前述筒夾部具備：有第2抽吸孔之管狀部、保持有第1抽吸孔的吸附部的保持部及位置於前述管狀部的外側之外周部，於前述保持部及前述管狀部與外周部之間所構成之第3抽吸孔，與藉由前述晶片的周邊部朝下方向撓曲使前述第3抽吸孔發生洩漏且藉由其內壓增加而將前述外周部壓下並抵接在前述晶片的周邊部，藉由前述洩漏的發生消除且其內壓減少而將前述外周部拉起並將前述晶片的周邊部拉起之手段。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
本揭示係有關半導體製造裝置，可以適用於例如具備筒夾之晶片接合器(die bonder)。
一般而言，在將被稱作晶片的半導體晶片，例如，搭載在配線基板或導線架等(以下，總稱為基板)的表面之晶片接合器，一般上，係反覆進行使用筒夾等吸附噴嘴將晶片搬送到基板上，藉由賦予壓制力(pressing force)，同時加熱接合材，而進行接合之動作(作業)。
在利用晶片接合器等半導體製造裝置之晶片接合步驟之中，有將自半導體晶圓(以下，簡稱晶圓)被分割之晶片剝離之剝離步驟。在剝離步驟，係從切割膠帶背面利用上推單元將晶片上推，而自被保持在晶片供給部的切割膠帶、1個個剝離，使用筒夾等吸附噴嘴搬送到基板上。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-76410號公報
在用上推單元將晶片(die)上推時，有晶片變形直到筒夾的吸附面之下撓曲、發生洩漏之情形。
本發明之課題在於提供即使晶片變形，也不會因洩漏發生影響真空吸附力喪失之半導體製造裝置。
本發明之其他的課題與新穎的特徵，可以由本說明書的記載以及附圖而詳細得知。
於本說明書揭示中，具有代表性者的概要內容簡單說明如下。
亦即，半導體製造裝置，係依照所拾取的晶片(die)剖面形狀，具備外周部會自動上下之筒夾。
根據上述半導體製造裝置，可以減少洩漏。
1‧‧‧晶片(die)供給部
11‧‧‧晶圓
13‧‧‧上推單元
16‧‧‧切割膠帶
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
22‧‧‧筒夾部
23‧‧‧吸附部
24‧‧‧中央部
26‧‧‧真空抽吸孔
27‧‧‧真空抽吸溝
28‧‧‧外周部
29‧‧‧伸縮管部
3‧‧‧中間載物台部
31‧‧‧中間載物台
4‧‧‧接合部
41‧‧‧接合頭
7‧‧‧控制部
10‧‧‧晶片接合器
D‧‧‧晶片
P‧‧‧基板
圖1係從上俯視關於實施例之晶片接合器(die bonder)之概念圖。
圖2係圖1在從箭頭A方向來看時，拾取頭及接合頭的 動作之說明圖。
圖3係圖示圖1的晶片供給部之外觀斜視圖。
圖4係顯示圖1的晶片供給部之主要部分之概略剖面圖。
圖5係圖4之上推單元之俯視圖。
圖6係關於比較例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖7係關於比較例之筒夾部之底視圖。
圖8係關於實施例之筒夾部之說明圖。
圖9A係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖9B係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖9C係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖9D係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖9E係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖10係供說明關於實施例之晶片接合器的拾取動作用之流程圖。
圖11係供說明關於實施例之半導體裝置之製造方法用之流程圖。
圖12係關於變形例1之筒夾部之說明圖。
圖13A係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖13B係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖13C係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖13D係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖13E係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖14係關於變形例2之筒夾部之說明圖。
圖15A係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖15B係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖15C係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖15D係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖15E係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖16係關於變形例3之筒夾部之說明圖。
圖17A係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖17B係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖17C係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖17D係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖17E係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖18係關於變形例4之筒夾部之說明圖。
圖19係供說明關於實施例之晶片接合器的拾取動作之變形例用之流程圖。
圖20A係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
圖20B係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。
以下，使用圖式說明實施例及變形例。但是，在以下的說明，在相同構成要素附上相同圖號且、省略反覆說明。又，圖式可使說明更為明確，與實際的態樣相比，各部分的寬幅、厚度、形狀等亦有模式表示的場合，其終究只是一例示而已，並非用於限定本發明之解釋。
[實施例]
圖1係顯示關於實施例之晶片接合器(die bonder)的概略之俯視圖。圖2係圖1在從箭頭A方向來看時，拾取頭及接合頭的動作之說明圖。
晶片接合器10，大致區別來說，係具有晶片供給部1、拾取部2、中間載物台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7、與監視、控制各部動作之控制部8。
首先，晶片供給部1係對基板P供給所組裝之晶片D。晶片供給部1，係具有保持晶圓11之晶圓保持台12、與從晶圓11將晶片D上推之以虛線顯示之上推單元13。晶片供給部1係利用未圖示的驅動手段在XY方向移動，使拾取的晶片D在上推單元13的位置移動。
拾取部2，係具有拾取晶片D之拾取頭21，使拾取頭21在Y方向移動之拾取頭的Y驅動部23，與使筒夾部22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示之各驅動部。拾取頭21係具有將被上推的晶片D吸附保持在先端之筒夾部22(也參照圖2)，從晶片供給部1將晶片D拾取、載置在中間載物台31。拾取頭21，係具有使筒夾部22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示之各驅動部。
中間載物台部3，係具有暫時載置晶片D之中間載物台31、與供辨識中間載物台31上的晶片D用之載物台辨識攝影機32。
接合部4，係從中間載物台31將晶片D拾取，在被搬送而去的基板P上接合，或以已經在基板P上被接合的晶片上層積之形式進行接合。接合部4，係具有：與拾取頭21同樣地具備將晶片D吸附保持在先端的筒夾42部(也參照圖2)之接合頭41，使接合頭41在Y方向移動之Y驅動部43，與拍攝基板P的位置辨識標記(未圖示)、辨識接合位置之基板辨識攝影機44。
利用這樣的構成，接合頭41，係根據載物台辨識攝影機32的攝影資料進行補正拾取位置‧姿勢，從中間載物台31拾取晶片D，根據基板辨識攝影機44的攝影資料而在基板P將晶片D接合。
搬送部5，係具備載置一枚或複數枚基板P(在圖1為4枚)的基板搬送托板51、與基板搬送托板51移動之托板軌道52，具有並行被設置之同一構造之第1、第2搬送部。基板搬送托板51，係藉由用沿著托板軌道52設置的未圖示的滾珠螺桿來驅動設在基板搬送托板51的未圖示的螺帽而移動。
利用這樣的構成，基板搬送托板51，係於基板供給部6載置基板P，沿著托板軌道52移動直到接合位置，接合後，移動直到基板搬出部7，並將基板P移交到基板搬出部7。第1、第2搬送部，相互獨立被驅動，在一方的基板搬送托板51載置的基板P將晶片D接合中，另一方的基板搬送托板51，則搬出基板P，回到基板供給部6，進行載置新的基板P等之準備。
控制部8，係具備收納監視、控制晶片接合器10各部動作的程式(軟體)之記憶體，與執行被收納在記憶體的程式之中央處理裝置(CPU)。
其次，使用圖3、圖4說明晶片供給部1之構成。圖3係圖示晶片供給部之外觀斜視圖。圖4係顯示晶片供給部的主要部分之概略剖面圖。
晶片供給部1，係具備在水平方向(XY方向)移動之晶圓保持台12、與在上下方向移動之上推單元13。晶圓保持台12，係具有保持晶圓環14之擴展環15，與將黏接被保持在晶圓環14的複數晶片D之切割膠帶16水平定位之支撐環17。上推單元13係配置在支撐環17的內側。
晶片供給部1，係在上推晶片D時，使保持著晶圓環14的擴展環15降下來。結果，被保持在晶圓環14的切割膠帶16會被拉長、擴大晶片D的間隔，利用上推單元13從晶片D下方將晶片D上推，提高晶片D的拾取性。又，伴隨薄型化，將晶片黏接在基板之接著劑係由液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間黏貼被稱作晶片貼膜(DAF)18的薄膜狀黏接材料。在具有晶片貼膜18之晶圓11，切割，係對著晶圓11與晶片貼膜18進行。從而，在剝離步驟，將晶圓11與晶片貼膜18自切割膠帶16剝離。又，在之後，忽視晶片貼膜18的存在，說明剝離步驟。
其次，使用圖5說明上推單元。圖5係圖4之上推單元之俯視圖。
上推單元13，大致區別來說，具有上推區塊 部131、與圍繞上推區塊部131之周邊部132。上推區塊部131係具有第1區塊131a、與位於第1區塊131a內側的第2區塊131b。周邊部132係具有複數抽吸孔132a。
其次，使用圖6、7說明本發明人等檢討之技術(以下，稱作比較例)。圖6係顯示關於比較例之筒夾部與上推單元之縱剖面圖。圖7係圖6之筒夾部之底視圖。
如圖6所示，筒夾部22R，係具有橡膠頭25R、與保持橡膠頭25R之橡膠頭夾持器24R。在橡膠頭25R設置真空抽吸孔251R。在橡膠頭夾持器24R的中央有真空抽吸孔26R；在橡膠頭夾持器24R的橡膠頭25R的上面側有真空抽吸溝27R。如圖7所示，橡膠頭23R俯視下係與晶片D同樣的矩形狀，作成與晶片D相同程度的大小。又，上推單元13係與實施例的上推單元13相同者。
關於比較例之拾取動作，係從作為切割膠帶16上的目的物之晶片D(剝離對象晶片)於上推單元13與筒夾部22R被定位開始。當定位結束時藉由透過上推單元13的抽吸孔132a或間隙131c、131d進行抽真空，將切割膠帶16吸附在上推單元13的上面。於此狀態下筒夾部22R為朝向晶片D的裝置面邊抽真空邊下降、著地。在此，當上推單元13的主要部分即上推區塊部131升高時，晶片D則在被挾在筒夾部22R與上推區塊131下一併升高，由於切割膠帶16的周邊部仍被真空吸附在上推區塊部131的周邊部132，而於晶片D的周邊產生張力，結果，於晶片D周邊將切割膠帶16剝離。但是，一方面，此時，晶片D周邊係使外側 承受應力、彎曲。如此一來，在與筒夾下面之間會出現間隙，造成空氣流入筒夾部22R的真空抽吸系統(洩漏發生)。一旦洩漏，在晶片D分離時就無法再度保持直到吸附面之下撓曲的晶片D。
其次，使用圖8說明關於實施例之筒夾部。圖8(A)係關於實施例之筒夾部之縱剖面圖。圖8(B)係圖8(A)之筒夾部之底視圖。
筒夾部22，係具有吸附部25、保持吸附部25之中央部24、位於中央部24外側之外周部28、與位於外周部28上之伸縮管(蛇紋管)部29。
吸附部25，係例如由橡膠頭所構成，設置與比較例同樣的未圖示的真空抽吸孔(第1抽吸孔)。吸附部25係與晶片D同樣的矩形狀，但比晶片D還小。
中央部24，係具有保持吸附部25的保持部241、從保持部241在上方伸展之管狀部242、與從管狀部242在水平方向伸展之安裝部243。在管狀部242的中央有真空抽吸孔(第2抽吸孔)26；在保持部241的吸附部25的上面側有真空抽吸溝27。
外周部28係由垂直部281與水平部282所構成，為箱型狀。外周部28係在與中央部24之間具有空間283。垂直部281的內側與中央部24的保持部241的外側相對向之部分係變狹窄，構成抽吸孔(第3抽吸孔)285。外周部28係沿著管狀部242可以上下動。在外周部28的垂直部281的下面設置與晶片D接觸的接觸部221。接觸部221係依 來自上面的力而變形，追隨晶片D的變形而可以密貼。
伸縮管部(伸縮管機構)29係配置成包圍管狀部242，伸縮管291的上端係連接在安裝部243，下端則連接在外周部28的水平部282，在管狀部242與伸縮管291之間有空間292。空間292係由空間283與設在外周部28的水平部282的連通孔284連繫起來。空間292係通過未圖示的孔而連接在真空抽吸孔26。利用伸縮管部29的上下動而構成外周部28上下動。
筒夾部22的底面的外周係與晶片D同樣的矩形狀，大小與晶片D相同程度。筒夾部22的底面的外周可以做成或比晶片D還若干大、或若干小。但是，外周部28(接觸部221)的內側則有必要配置在比晶片D的外周的位置還內側。
其次，使用圖5、9A~9E、10說明關於實施例之根據筒夾部之拾取動作。圖9A~9E係關於實施例之筒夾部與上推單元之剖面圖。圖10係顯示拾取動作之處理流程之流程圖。
步驟S1：控制部8係移動晶圓保持台12使所拾取的晶片D位置於上推單元13的正上方，將剝離對象晶片在上推單元13與筒夾部22定位。移動上推單元13使上推單元13的上面接觸到切割膠帶16的背面。此時，如圖9A所示，控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，藉由透過周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙131c、131d進行抽真空，而將 切割膠帶16吸附在上推單元13的上面。
步驟S2：如圖9A所示，控制部8，係使筒夾部22邊抽真空邊降下，著地在剝離對象的晶片D上，利用具有抽吸孔的吸附部25及抽吸孔285(參照圖8)將晶片D吸附。
步驟S3：控制部8，係使上推單元13的主要部分即上推區塊部131的第1區塊131a及第2區塊131b升高。藉此，晶片D在被挾在筒夾部22與上推區塊部131下一併升高，由於切割膠帶16的周邊部仍被真空吸附在上推區塊部131的周邊部132，而於晶片D的周邊產生張力，結果，於晶片D周邊將切割膠帶16剝離。但是，一方面，此時，如圖9B所示，晶片D周邊係使下側承受應力、彎曲。如此一來，形成在與筒夾下面之間出現間隙，造成空氣流入筒夾部22的真空抽吸系統(洩漏發生)。
但是，如圖9C所示，筒夾部22的空間283、292係脫離真空，利用伸縮管291的復原力使伸縮管291於下方向擴展，讓外周部28下降。藉此，吸收洩漏的影響。
步驟S4：控制部8係使筒夾部22升高。藉此，如圖9D所示，晶片D自切割膠帶16被剝離。如圖9E所示，筒夾部22內部的空間283、292係成為真空，伸縮管291在上方向變狹窄，外周部28被拉起，晶片D的周邊也被拉起，晶片D變平坦。即使因洩漏造成晶片D分離並撓曲直到吸附面之下，也能將晶片D再度保持平坦。藉此，可以搬送平坦的晶片D。
步驟S5：控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，停止利用周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙131c、131d之吸附切割膠帶16。控制部8，係移動上推單元13使上推區塊部131的上面離開切割膠帶16的背面。
控制部8係反覆進行步驟S1~S5，拾取晶圓11的良品晶片。
其次，使用圖11說明關於實施例之使用晶片接合器之半導體裝置之製造方法。圖11係顯示半導體裝置之製造方法之流程圖。
步驟S11：將保持被黏貼自晶圓11被分割的晶片D的切割膠帶16之晶圓環14收納到晶圓卡匣(不圖示)、搬入晶片接合器10。控制部8係從被充填晶圓環14的晶圓卡匣將晶圓環14供給至晶片供給部1。此外，準備基板P，將之搬入晶片接合器10。控制部8係於基板供給部6將基板P載置在基板搬送托板51。
步驟S12：控制部8係利用步驟S1~S5將已分割的晶片自晶圓拾取。
步驟S13：控制部8係將拾取的晶片搭載在基板P上或層積在已經接合的晶片上。控制部8係將自晶圓11拾取的晶片D載置在中間載物台31，用接合頭41自中間載物台31再度拾取晶片D，在被搬送過來的基板P進行接合。
步驟S14：控制部8係於基板搬出部7自基板搬 送托板51將晶片D被接合的基板P取出。自晶片接合器10將基板P搬出。
<變形例1>
其次，使用圖12說明關於變形例1之筒夾部。圖12(A)係關於變形例1之筒夾部之縱剖面圖。圖12(B)係圖12(A)之筒夾部之底視圖。
筒夾部22A，係在筒夾部22追加帽子(hat)部222之物。帽子部222係薄板狀地被黏貼在筒夾部22的接觸部221，連接在保持部241外側與外周部28的下面，在本例係於8處設置真空導入溝223。藉由設置帽子部222，由於追隨晶片D變形之處增加而提高與晶片D的吸附性。又，在外周部28的下面沒有帽子部222之部分則與實施例同樣地具有接觸部221。也可以取代帽子部222而將具有抽吸孔的薄片狀構造設置在保持部241的下面與外周部28的下面之間。又，帽子部也可以在後述之變形例2、3之筒夾部追加。
其次，使用圖13A~13E說明關於變形例1之根據筒夾部之拾取動作。圖13A~13E係關於變形例1之筒夾部與上推單元之剖面圖。圖13A~13E係分別對應於圖9A~9E之圖。
如圖13A所示，控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，藉由透過周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙 131c、131d進行抽真空，而將切割膠帶16吸附在上推單元13的上面(步驟S1)。
此外，如圖13A所示，控制部8，係使筒夾部22A邊抽真空邊降下，著地在剝離對象的晶片D上，利用具有抽吸孔的吸附部25及抽吸孔283將晶片D吸附(步驟S2)。
如圖13B所示，控制部8，在使上推單元13的主要部分即上推區塊部131的第1區塊131a及第2區塊131b升高時，晶片D周邊形成於下側承受應力、彎曲，在與筒夾下面之間出現間隙，造成空氣流入筒夾部22A的真空抽吸系統(洩漏發生)。但是，如圖13C所示，筒夾部22A的空間283、292係脫離真空，利用伸縮管291的復原力使伸縮管291於下方向擴展，讓外周部28下降(步驟S3)。藉此，吸收洩漏的影響。又，當外周部28下降時，帽子部222會變斜。
如圖13D所示，在控制部8使筒夾升高時，晶片D被剝離切割膠帶16(步驟S4)。如圖13E所示，筒夾部22A內部的空間283、292係成為真空，伸縮管291在上方向變狹窄，外周部28被拉起，晶片D的周邊也被拉起，晶片D變平坦。又，當外周部28上升時，帽子部222也成為水平。即使因洩漏造成晶片D分離並撓曲直到吸附面之下，晶片D也能再度保持平坦。藉此，可以搬送平坦的晶片D。
<變形例2>
其次，使用圖14說明關於變形例2之筒夾部。圖14(A)係關於實施例之筒夾部之縱剖面圖。圖14(B)係圖14(A)之筒夾部之底視圖。
筒夾部22B，係取代筒夾部22的伸縮管部29而設置隔膜部29B之物。隔膜(diaphragm)部(隔膜機構)29B係配置成包圍管狀部242，隔膜291B的內側端係連接在安裝部243B的下面，外側端係連接在設置於外周部28B的上部之筒部286B的上部。筒部286B於俯視下係圓環狀。中央部24B與外周部28B之間之空間283、與管狀部242與隔膜部29B之間的空間292B，係由設置在外周部28B的水平部282之連通孔284所連繫。空間292B係通過未圖示的孔而連接在真空抽吸孔26。通常時，安裝部243B的下面係在比筒部286B的上部還低的位置。利用隔膜部29B上下動而構成外周部28B上下動。
其次，使用圖9A~9E、15A~15E說明關於變形例2之根據筒夾部之拾取動作。圖15A~15E係關於變形例2之筒夾部與上推單元之剖面圖。圖15A~15E係分別對應於圖9A~9E之圖。
如圖15A所示，控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，藉由透過周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙131c、131d進行抽真空，而將切割膠帶16吸附在上推單元13的上面(步驟S1)。
此外，如圖15A所示，控制部8，係使筒夾部22B邊抽真空邊降下，著地在剝離對象的晶片D上，利用具有抽吸孔的吸附部25及抽吸孔283將晶片D吸附(步驟S2)。
如圖15B所示，控制部8，在使上推單元13的主要部分即上推區塊部131的第1區塊131a及第2區塊131b升高時，晶片D周邊形成於下側承受應力、彎曲，在與筒夾下面之間出現間隙，造成空氣流入筒夾部22B的真空抽吸系統(洩漏發生)。但是，如圖15C所示，筒夾部22B的空間283、292B係脫離真空，利用隔膜291B的復原力使上面成為水平，降下外周部28B(步驟S3)。藉此，吸收洩漏的影響。
如圖15D所示，在控制部8使筒夾升高時，晶片D被剝離切割膠帶16(步驟S4)。如圖15E所示，筒夾部22B內部的空間283、292B係成為真空，隔膜291B的上面周邊部在上方向移動，外周部28B被拉起，晶片D的周邊也被拉起，晶片D變平坦。即使因洩漏造成晶片D分離並撓曲直到吸附面之下，晶片D也能再度保持平坦。藉此，可以搬送平坦的晶片D。
<變形例3>
其次，使用圖16說明關於變形例3之筒夾部。圖16(A)係關於實施例之筒夾部之縱剖面圖。圖16(B)係圖16(A)之筒夾部之底視圖。
筒夾部22C，係取代筒夾部22的伸縮管部29而設置活塞部29C之物。活塞部29C係配置成包圍管狀部242，具有蓋部291C與彈簧293C。蓋部291C的內側端係連接在安裝部243C的下面，外側端則連接在筒部286C的上部。彈簧293C係設置在外周部28C的水平部282之間。中央部24C與外周部28C之間之空間283、與管狀部242與活塞部29C之間的空間292C，係由設置在外周部28C的水平部282之連通孔284所連繫。空間292C係通過未圖示的孔而連接在真空抽吸孔26。筒部286C於俯視下係圓環狀。利用彈簧293C上下動而構成外周部28C上下動。
其次，使用圖17A~17E說明關於變形例3之根據筒夾部之拾取動作。圖17A~17E係關於變形例3之筒夾部與上推單元之剖面圖。圖17A~17E係分別對應於圖9A~9E之圖。
如圖17A所示，控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，藉由透過周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙131c、131d進行抽真空，而將切割膠帶16吸附在上推單元13的上面(步驟S1)。
此外，如圖17A所示，控制部8，係使筒夾部22C邊抽真空邊降下，著地在剝離對象的晶片D上，利用具有抽吸孔的吸附部25及抽吸孔283將晶片D吸附(步驟S2)。
如圖17B所示，控制部8，在使上推單元13的 主要部分即上推區塊部131的第1區塊131a及第2區塊131b升高時，晶片D周邊形成於下側承受應力、彎曲，在與筒夾下面之間出現間隙，造成空氣流入筒夾部22C的真空抽吸系統(洩漏發生)。但是，如圖17C所示，筒夾部22C的空間283、292C係脫離真空，利用彈簧293C的復原力，讓外周部28C下降(步驟S3)。藉此，吸收洩漏的影響。
如圖17D所示，在控制部8使筒夾升高時，晶片D被剝離切割膠帶16(步驟S4)。如圖17E所示，筒夾部22C內部的空間283、292C係成為真空，彈簧293C的下端朝上方向移動，外周部28C被拉起，晶片D的周邊也被拉起，晶片D變平坦。即使因洩漏造成晶片D分離並撓曲直到吸附面之下，晶片D也能再度保持平坦。藉此，可以搬送平坦的晶片D。
<變形例4>
其次，使用圖18說明關於變形例4之筒夾部。圖18係關於變形例4之筒夾部之縱剖面圖。
筒夾部22D，係變更筒夾部22B的隔膜部29B之隔膜構成之物。隔膜部29D亦可以包圍管狀部242之方式將2個隔膜291B、293B平行地、空出間隔配置在2處而構成。隔膜291B的內側端係連接在安裝部243B的下面，外側端則連接在外周部28D的上部。隔膜293B的內側端係配置取代變形例2的外周部28B的水平部282，以與隔膜291B的間隔為相同間隔之方式，內側端連接在安裝部244B的下 面，外側端則連接在外周部28D。利用該構造，以2枚隔膜將外周部28D的內側面與保持部241的外側面經常性保持平行，防止接觸。藉此，可以防止因接觸造成之異物或咬入、動作不良。
<變形例5>
其次，使用圖9A~9C、19、20A、20B說明關於實施例之根據筒夾部之拾取動作之變形例。
步驟S1：控制部8係移動晶圓保持台12使所拾取的晶片D位置於上推單元13的正上方，將剝離對象晶片在上推單元13與筒夾部22定位。移動上推單元13使上推單元13的上面接觸到切割膠帶16的背面。此時，如圖9A所示，控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，藉由透過周邊部132的抽吸孔132a與區塊間的間隙131c、131d進行抽真空，而將切割膠帶16吸附在上推單元13的上面。
步驟S2：如圖9A所示，控制部8，係使筒夾部22邊抽真空邊降下，著地在剝離對象的晶片D上，利用具有抽吸孔的吸附部25及抽吸孔283將晶片D吸附。
步驟S3：控制部8，係使上推單元13的主要部分即上推區塊部131的第1區塊131a及第2區塊131b升高。藉此，晶片D在被挾在筒夾部22與上推區塊部131下一併升高，由於切割膠帶16的周邊部仍被真空吸附在上推區塊部131的周邊部132，而於晶片D的周邊產生張力，結果，於 晶片D周邊將切割膠帶16剝離。但是，一方面，此時，如圖9B所示，晶片D周邊係使下側承受應力、彎曲。如此一來，形成在與筒夾下面之間出現間隙，造成空氣流入筒夾部22的真空抽吸系統(洩漏發生)。
但是，如圖9C所示，筒夾部22的空間283、292係脫離真空，利用伸縮管291的復原力使伸縮管291於下方向擴展，讓外周部28下降。
步驟S31：控制部8，係作成上推區塊部131的各區塊131a、131b與周邊部132的表面形成同一平面，使筒夾降下。藉此，如圖20A所示，筒夾部22內部的空間283、292係成為真空，伸縮管291在上方向變狹窄，外周部28被拉起，晶片D的周邊也被拉起，晶片D變平坦。即使因洩漏造成晶片D分離並撓曲直到吸附面之下，晶片D也能再度保持平坦。藉此，可以搬送平坦的晶片D。
步驟S4：控制部8係使筒夾部22升高。藉此，如圖20B所示，晶片D自切割膠帶16被剝離。
步驟S51：控制部8，係停止利用周邊部132的抽吸孔132a、與區塊間的間隙131c、131d之吸附切割膠帶16。控制部8，係移動上推單元13使上推部131的上面離開切割膠帶16的背面。
控制部8係反覆進行步驟S1~S51，拾取晶圓11的良品晶片。
關於變形例5的拾取動作，不僅適用於實施例的筒夾，也可適用於關於變形例1~4之筒夾部。又，藉由 使用關於比較例之筒夾部並進行與關於變形例5之拾取動作同樣的動作能夠發揮同樣的效果。即使成為圖6所示之類的狀態晶片D撓曲，當與步驟S31(圖20A)同樣進行時，由於晶片D成為水平(晶片D撓曲解除)，所以筒夾部22R能夠再度保持晶片D。藉此，於步驟S4在使筒夾部22R升高時，可以與圖20B同樣地將晶片D剝離切割膠帶16。
根據以上的實施例及變形例，可以發揮下述之類的作用效果。
(1)關於實施例之筒夾，係可以藉由追隨所拾取的晶片的剖面形狀變化，筒夾的外周部會自動地上下防止吸附晶片時洩漏，確實地進行拾取。
(2)關於實施例之筒夾，係可以使其外周部因應筒夾內的吸附壓而利用伸縮管功能自動地(自然地)上下動。
(3)關於實施例之筒夾，係可以利用其伸縮管的反作用力，控制筒夾外周部對晶片之反作用力(復原力)及拾取開始時外周部的基準位置。
(4)關於變形例2、4之筒夾，係可以使其外周部因應筒夾內的吸附壓而利用隔膜自動地(自然地)上下動。
(5)關於變形例2、4之筒夾，係可以控制其隔膜的背壓，控制筒夾外周部對晶片之反作用力(復原力)及位置。
(6)關於變形例2、4之筒夾，係可以控制其隔膜的背壓，於拾取開始時外周部的位置突出之狀態下開始吸附晶片。
(7)關於變形例1之筒夾，係可以藉由在其吸附部外周 具有帽子構造、且追隨所拾取的晶片的剖面形狀變化，使筒夾的外周部自動地上下、壓下帽子構造的外周，防止洩漏。
(8)關於變形例1之筒夾，係可以藉由在其外周部與吸附部表面具有薄片狀構造、且追隨所拾取的晶片的剖面形狀變化，使外周部壓下，防止洩漏。
(9)關於變形例3之筒夾，係可以藉由具有活塞形狀，使筒夾的外周部因應筒夾內的吸附壓力，利用活塞內壓所形成的壓縮力，自動地(自然地)上下動。
(10)關於變形例5之拾取動作，係可以藉由降下筒夾部及上推區塊部，由於可以將晶片D形成水平，而更確實地將筒夾部22內部做成真空。
以上，基於實施例及變形例具體說明由本案創作人所完成的創作，但本創作並不以前述實施例及變形例為限，當然可以進行種種的變更。
在實施例說明使用區塊上推晶片之例，但也可以取代區塊而使用插針(注射針)。
此外，在實施例，說明使用晶片貼膜之例，但也可以設置在基板塗布接著劑之預成形(preform)部而不使用晶片貼膜。
此外，在實施例，針對自晶片供給部以拾取頭將晶片拾取並載置於中間載物台，以接合頭將被載置於中間載物台的晶片接合到基板之晶片接合器加以說明，但並不以此為限，可以適用於自晶片供給部拾取晶片之半導 體製造裝置。
例如，也可以適用於沒有中間載物台與拾取頭，將晶片供給部的晶片以接合頭接合到基板之晶片接合器。
此外，也可以適用於沒有中間載物台，自晶片供給部將晶片拾取、將晶片拾取頭朝上旋轉並把晶片交付到接合頭、以接合頭接合到基板之覆晶接合器。
此外，可以適用於沒有中間載物台與接合頭，將自晶片供給部以拾取頭拾取之晶片載置於托盤等之晶片分類器(sorter)。

Claims (14)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備吸附晶片(die)之筒夾部；前述筒夾部具備：有第1抽吸孔、吸附前述晶片的中央附近之吸附部，保持前述吸附部之保持部，連接在前述保持部、具有與第1抽吸孔連繫的第2抽吸孔之管狀部，位置於前述保持部及前述管狀部的外側之外周部，於前述保持部及前述管狀部與外周部之間所構成之第3抽吸孔，與藉由前述晶片的周邊部朝下方向撓曲使前述第3抽吸孔發生洩漏且藉由其內壓增加而將前述外周部壓下並抵接在前述晶片的周邊部，藉由前述洩漏的發生消除且其內壓減少而將前述外周部拉起並將前述晶片的周邊部拉起之手段。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之半導體製造裝置，其中前述手段係被設在前述外周部的上方、且前述管狀部的外側之伸縮管機構；當內壓增加時以伸縮管機構的復原力將前述外周部壓下，當內壓減少時則以其抽吸力將前述外周部拉起。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之半導體製造裝置，其中前述伸縮管機構，係由從前述管狀部水平伸展之安裝部、前述外周部的水平部、與連接在前述安裝部與前述外周部的水平部之間之伸縮管所構成，與設在前述外周部的水平部之孔相通而使前述伸縮管機構與前述第3抽吸孔連通。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之半導體製造裝置，其中前述手段係被設在前述外周部的上方、且前述管狀部的外側之隔膜機構；當內壓增加時以隔膜機構的復原力將前述外周部壓下，當內壓減少時則以其抽吸力將前述外周部拉起。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之半導體製造裝置，其中前述隔膜機構，係由從前述管狀部水平伸展之安裝部、前述外周部的上部的水平部、前述外周部的上部的垂直部、與連接在前述安裝部、前述外周部的上部的水平部與前述外周部的上部的垂直部之間之隔膜所構成，與設在前述外周部的上部之孔相通而使前述隔膜機構與前述第2抽吸孔連通。
  6. 如申請專利範圍第4項記載之半導體製造裝置，其中前述隔膜機構，係由：從前述管狀部水平伸展的第1安裝部、從比前述第1安裝部下方的前述管狀部水平伸展 的第2安裝部、前述外周部的上部的水平部、連接在前述第1安裝部與前述外周部的上部之間之第1隔膜、與連接在前述第2安裝部與比前述外周部的前述上部下方的前述外周部之間之第2隔膜所構成。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之半導體製造裝置，其中前述手段係被設在前述外周部的上方、且前述管狀部的外側之活塞機構；當內壓增加時以活塞機構的復原力將前述外周部壓下，當內壓減少時則以其抽吸力將前述外周部拉起。
  8. 如申請專利範圍第6項記載之半導體製造裝置，其中前述活塞機構，係由從前述管狀部水平伸展之安裝部、前述外周部的上部的水平部、前述外周部的上部的垂直部、一端連接在前述安裝部的下面及前述管狀部而另一端連接在前述外周部的上部的垂直部之蓋部、與連接在前述蓋部與前述外周部的上部的水平部之間之彈簧所構成，與設在前述外周部的上部之孔相通而使前述活塞機構與前述第2抽吸孔連通。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之半導體製造裝置，其中進而具備將前述晶片由切割膠帶之下吸附、上推之上推單元，與安裝前述筒夾之拾取頭。
  10. 如申請專利範圍第8項記載之半導體製造裝置，其中進而具備載置用前述拾取頭被拾取的晶片之中間載物台，與將被載置在前述中間載物台的晶片在基板或者在已經被接合的晶片之上進行接合之接合頭。
  11. 如申請專利範圍第1項記載之半導體製造裝置，其中前述晶片進而在前述晶片與前述切割膠帶之間具備晶片貼膜(die attach film)。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備：(a)保持具有晶片的切割膠帶之晶圓環之準備步驟，(b)前述基板之準備步驟，與(c)用前述上推單元將前述晶片上推並用前述筒夾將前述晶片拾取之步驟；前述(c)步驟係具備：(c1)吸附前述切割膠帶之步驟，(c2)在前述(c1)步驟後，將前述筒夾降下、吸附前述晶片之步驟，(c3)在前述(c2)步驟後，使前述上推單元的區塊(block)與前述筒夾升高之步驟，(c4)在前述(c3)步驟後，使前述上推單元的區塊與前述筒夾降下之步驟，與(c5)在前述(c4)步驟後，使前述筒夾升高之步驟。
  13. 如申請專利範圍第11項記載之半導體裝置之製造方法，其中進而具備(d)將前述晶片在基板或者在已經被接合的晶片之上進行接合之步驟。
  14. 如申請專利範圍第12項記載之半導體裝置之製造方法，其中前述(c)步驟係進而具有將前述已拾取的晶片載置在中間載物台之步驟；前述(d)步驟係進而具有從前述中間載物台拾取前述晶片之步驟。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101975144B1 (ko) * 2018-04-10 2019-05-03 주식회사 프로텍 다이 본더용 칩 본딩 장치
JP7233079B2 (ja) * 2018-05-31 2023-03-06 ボンドテック株式会社 部品実装システム、部品供給装置および部品実装方法
TWI716925B (zh) * 2018-07-06 2021-01-21 日商新川股份有限公司 半導體晶粒的拾取系統
KR102576705B1 (ko) 2018-08-30 2023-09-08 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 기판의 본딩 방법
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
KR102617347B1 (ko) * 2018-10-04 2023-12-26 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
TWI748763B (zh) * 2020-11-23 2021-12-01 鴻勁精密股份有限公司 拾取機構及其應用之作業設備
JP2022157320A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 芝浦メカトロニクス株式会社 ピックアップコレット、ピックアップ装置及び実装装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977183A (zh) * 2015-03-11 2016-09-28 捷进科技有限公司 贴装装置及贴装方法
CN106057704A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 捷进科技有限公司 接合装置及接合方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04326739A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Mitsubishi Electric Corp ダイボンド方法およびダイボンド装置
JPH11219964A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Toshiba Microelectronics Corp 半導体マウント装置
US6406545B2 (en) * 1999-07-27 2002-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor workpiece processing apparatus and method
JP2001246588A (ja) * 2000-02-29 2001-09-11 Ando Electric Co Ltd 電子部品搬送装置及び電子部品搬送方法
JP4008230B2 (ja) * 2001-11-14 2007-11-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
JP3848606B2 (ja) * 2002-08-26 2006-11-22 日東電工株式会社 コレットおよびそれを用いてチップ部品をピックアップする方法
JP4057875B2 (ja) 2002-10-04 2008-03-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2005302932A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 M Tec Kk チップの分離装置
JP4410062B2 (ja) * 2004-09-03 2010-02-03 株式会社ディスコ チャックテーブル
JP2007194571A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 M Tec Kk 半導体チップの分離方法及び装置
DE102006058299A1 (de) * 2006-12-11 2008-06-12 Robert Bosch Gmbh Handhabungswerkzeug für Bauelemente, insbesondere elektronische Bauelemente
JP2009253060A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP4864816B2 (ja) * 2007-06-19 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
TWI439351B (zh) * 2008-09-29 2014-06-01 Nitto Denko Corp Adsorption tablets
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
JP2014239090A (ja) 2013-06-06 2014-12-18 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ピックアップシステム
JP6200735B2 (ja) * 2013-09-09 2017-09-20 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP2015076410A (ja) 2013-10-04 2015-04-20 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ボンディング方法及びダイボンダ
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977183A (zh) * 2015-03-11 2016-09-28 捷进科技有限公司 贴装装置及贴装方法
CN106057704A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 捷进科技有限公司 接合装置及接合方法

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