TWI827095B - 用以轉移電子元件之裝置、焊接電子元件之方法及製造發光二極體顯示器之方法 - Google Patents
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Abstract
一種用以轉移電子元件之裝置，其係包含一第一承載架、一第二承載架、一致動機構及一撓性推力產生機構。第一承載架係用以承載一目標基板，第二承載架係用以承載一轉移基板。致動機構係可致動使第一承載架和第二承載架為相互靠近及遠離之移動。撓性推力產生機構係設置於鄰近第一承載架或第二承載架處，其可當第一承載架和第二承載架相互靠近移動時，對被承載之目標基板或轉移基板產生一撓性推力。一種焊接電子元件之方法及製造發光二極體顯示器之方法亦被提出。
Description
本發明是有關於一種轉移電子元件之裝置、焊接電子元件之方法及製造發光二極體顯示器之方法。
半導體元件通常是利用磊晶的方式成長於一成長基板上，但隨著半導體元件的各種不同應用的變化，半導體元件最終在成品上時未必會留在原先的成長基板上，而有可能會轉移至一轉移基板上，而最終再轉移至一目標基板上，而形成一最終的成品。
當欲將半導體元件從轉移基板轉移至目標基板時，有一種方法是將轉移基板與目標基板的正面互相面對，並壓合轉移基板與目標基板。習知的壓合方式是將轉移基板與目標基板利用機構對位後直接壓合，讓兩個基板的平面全面接觸。然而，兩個平面的共面狀態不易藉由機構調整，且轉移基板與目標基板的平面度要求高，因此製作費時且費用高。此外，用習知的壓合方式來壓合轉移基板與目標基板時，容易產生壓合力道不均勻的情形，而無法良好的掌控壓合的均勻度。
本發明提供一種用以轉移電子元件之裝置，其可對基板均勻地施力，以產生良好的壓合效果。
本發明提供一種焊接電子元件之方法，其可對基板均勻地施力，以產生良好的壓合效果。
本發明提供一種製造發光二極體顯示器之方法，其具有較高的良率，且能較為準確地固定發光二極體。
本發明的一實施例提出一種用以轉移電子元件之裝置，其係包含一第一承載架、一第二承載架、一致動機構及一撓性推力產生機構。第一承載架係用以承載一目標基板，第二承載架係用以承載一轉移基板。致動機構係可致動使第一承載架和第二承載架為相互靠近及遠離之移動。撓性推力產生機構係設置於鄰近第一承載架或第二承載架處，其可當第一承載架和第二承載架相互靠近移動時，對被承載之目標基板或轉移基板產生一撓性推力。
在本發明的一實施例中，撓性推力產生機構係包括一充滿氣體之氣囊。
在本發明的一實施例中，撓性推力產生機構係包括一囊袋，囊袋係連接一抽進氣機構。當第一承載架和第二承載架相互靠近移動時，抽進氣機構會對囊袋充氣，而當第一承載架和第二承載架相互遠離移動時，抽進氣機構會將囊袋內至少部分之氣體抽出。
在本發明的一實施例中，用以轉移電子元件之裝置更包括一雷射產生機構，其係設置於鄰近第一承載架或第二承載架處，其可產生一雷射光束於被承載之目標基板及/或轉移基板上。
本發明的一實施例提出一種焊接電子元件之方法，其係包括：提供一轉移基板，於其之一面上係設有一電子元件；提供一目標基板，其具有一焊接面和一非焊接面；使轉移基板設有電子元件之一面與目標基板之焊接面相對，並使轉移基板與目標基板相互接近，直至電子元件頂抵目標基板之焊接面；施加一撓性推力於轉移基板未設有電子元件之一面或目標基板之非焊接面上；以及施加一能量光束於電子元件上，而使電子元件脫離轉移基板，焊固於目標基板之焊接面上。
在本發明的一實施例中，撓性推力係由一氣囊頂推轉移基板未設有電子元件之一面或目標基板之非焊接面而產生。
在本發明的一實施例中，氣囊係由一囊袋充氣而產生。
在本發明的一實施例中，能量光束係為一雷射光束。
在本發明的一實施例中，電子元件係為一發光二極體。
在本發明的一實施例中，目標基板係為一薄膜電晶體基板。
本發明的一實施例提出一種製造發光二極體顯示器之方法，其係包括使用上述焊接電子元件之方法焊接發光二極體。
在本發明的實施例的轉移電子元件之裝置、焊接電子元件之方法及製造發光二極體顯示器之方法中，由於對目標基板或轉移基板產生一撓性推力，而撓性推力可以使目標基板或轉移基板均勻受力，因此可以使目標基板與轉移基板產生良好且均勻的壓合效果，進而提高製造良率，且能較為準確地固定電子元件或發光二極體。
圖1為本發明的一實施例的用以轉移電子元件之裝置的立體示意圖。請參照圖1，本實施例的用以轉移電子元件之裝置100係包含一第一承載架110、一第二承載架120、一致動機構130及一撓性推力產生機構140。第一承載架110係用以承載一目標基板200，第二承載架120係用以承載一轉移基板300。致動機構130係可致動使第一承載架110和第二承載架120為相互靠近及遠離之移動。致動機構130例如為馬達、螺栓、其他致動機構或其組合。撓性推力產生機構140係設置於鄰近第一承載架110或第二承載架120處（圖1中是以鄰近第一承載架110為例），其可當第一承載架110和第二承載架120相互靠近移動時，對被承載之目標基板200或轉移基板300產生一撓性推力（在圖1中是以對目標基板200產生撓性推力為例）。
在本實施例中，撓性推力產生機構140係包括一充滿氣體之氣囊。具體而言，撓性推力產生機構140係包括一囊袋142，囊袋142係連接一抽進氣機構144。當第一承載架110和第二承載架120相互靠近移動時，抽進氣機構144會對囊袋142充氣，而當第一承載架110和第二承載架120相互遠離移動時，抽進氣機構144會將囊袋內至少部分之氣體抽出。抽進氣機構144例如是一抽氣泵浦或其他具有抽氣及進氣功能的裝置。
在本實施例中，用以轉移電子元件之裝置100更包括一雷射產生機構150，其係設置於鄰近第一承載架110或第二承載架120處（圖1是以鄰近第二承載架120為例），其可產生一雷射光束152於被承載之目標基板200及/或轉移基板300上。在本實施例中，雷射產生機構150為一雷射光源，而雷射光束152例如是紅外光雷射光束，但本發明不以此為限。在其他實施例中，雷射光束152也可以是可見光雷射光束或紫外光雷射光束。
圖2A至圖2D為本發明的另一實施例的用以轉移電子元件之裝置在四個不同的操作階段的剖面示意圖。請先參照圖2A，本實施例的用以轉移電子元件之裝置100a類似於圖1之用以轉移電子元件之裝置100，而兩者的主要差異如下所述。本實施例之用以轉移電子元件之裝置100a的撓性推力產生機構140a是設置於鄰近第二承載架120a處。具體而言，第二承載架120a上設置有一透明蓋板160（例如為石英蓋板，但本發明不以此為限），第二承載架120a下方設有一彈性膜141，彈性膜141、透明蓋板160與第二承載架120a之間的空間形成囊袋142中的壓力室143，壓力室143透過一氣體通道145與抽進氣機構144連通。
本實施例的轉移電子元件之裝置100a與上述實施例的用以轉移電子元件之裝置100均可用以執行本發明一實施例的焊接電子元件之方法，以下以採用轉移電子元件之裝置100a為例來進行說明。本實施例的焊接電子元件之方法包括下列步驟。首先，請參照圖2A，提供一轉移基板300，於其之一面（例如表面302上係設有至少一電子元件310（在本實施例中例如是多個電子元件310，而圖2A中的局部放大圖繪示一個電子元件310為例）。此外，提供一目標基板200，其具有一焊接面202和一非焊接面204，其中焊接面202上可配置有多個和電子元件310對應的凸塊210。另一方面，第一承載架110承載目標基板200，而第二承載架120a可透過吸嘴122吸住轉移基板300。在本實施例中，轉移基板300為可讓雷射光束152穿透的透明基板，例如為玻璃基板，而電子元件310透過黏著層320固定於轉移基板300上。一般而言，電子元件310的晶片可在一成長基板上以磊晶製程來製作，待製作完畢後，再將電子元件310從成長基板轉移到轉移基板300，並透過黏著層320將電子元件310固定於轉移基板300上。在本實施例中，電子元件310為發光二極體，例如為發光二極體晶片，但本發明不以此為限。在其他實施例中，電子元件310也可以是其他晶片。在本實施例中，目標基板200為薄膜電晶體基板。然而，在其他實施例中，目標基板200也可以是其他種類的基板，例如矽基板、電路板等，但本發明不以此為限，例如可以是採用較不會吸收雷射光束152的材質所製成的基板皆是較好的選擇。
在圖2A的步驟中，可使轉移基板300對位於目標基板200，且讓兩者維持特定間隙，例如是使轉移基板300上的電子元件310的接墊312對準目標基板200上的凸塊210。
接著，如圖2B所繪示，使轉移基板300設有電子元件310之一面（即表面302）與目標基板200之焊接面202相對，並使轉移基板300與目標基板200相互接近，直至電子元件310頂抵目標基板200之焊接面202，具體而言，例如是直至電子元件310上的接墊312頂抵焊接面202上的凸塊210。舉例而言，可將轉移基板300放置於目標基板200上，而可使轉移基板300單側先接觸目標基板200，然後再讓轉移基板300的另一側接觸目標基板200。或者，也可以使轉移基板300的每一側都一起下降而同時接觸目標基板200。
之後，如圖2C所繪示，施加一撓性推力於轉移基板300未設有電子元件310之一面（即表面304）或目標基板200之非焊接面204上，而在圖2C中是以施加撓性推力於轉移基板300的表面304上。在本實施例中，可利用抽進氣機構144對壓力室143充氣，而使得囊袋142膨脹，亦即使得彈性膜141往下變形而壓迫轉移基板300，而彈性膜141即施加撓性推力至轉移基板300。也就是說，上述撓性推力是由囊袋142充氣而產生的氣囊頂推轉移基板300未設有電子元件310之一面（即表面304）或目標基板200之非焊接面204而產生。
此外，施加一能量光束（例如一雷射光束152）於電子元件310上，而使電子元件310脫離轉移基板300，焊固於目標基板200之焊接面202上。在本實施例中，可利用雷射產生機構150施加雷射光束152至電子元件310的接墊312與凸塊210上，使凸塊210產生熔融的狀態，進而與接墊312焊固在一起。在本實施例中，雷射產生機構150可使雷射光束152作線性掃描或面掃描，以掃描至不同的電子元件310，或者雷射產生機構150也可以使雷射光束152在特定位置作定點發射，以準確地在不同的時間射向多個不同的電子元件310。在其他實施例中，能量光束也可以是非雷射的一般光束，例如會聚於電子元件310上的光束。在本實施例中，彈性膜141例如為矽膠膜，其對雷射光束152具有耐受性，可被雷射光束152穿透而不至於被燒毀。
再來，如圖2D所繪示，抽進氣機構144將囊袋142中的氣體排出一些，以釋放壓力室143中的氣壓，進而使彈性膜141恢復原本的形狀。另一方面，使第二承載架120a往遠離第一承載架110的方向移動。此時，由於接墊312與凸塊210焊固的結合力大於黏著層320對電子元件310的黏著力，因此電子元件310會與黏著層320分離而脫離轉移基板300，且會藉由凸塊210固定於目標基板200上。目標基板200上可以有電性連接至凸塊210的薄膜電晶體電路，因此，完成圖2D的步驟後，目標基板200及其上的電子元件310便可以形成一發光二極體顯示器，其中多個電子元件310呈陣列排列於目標基板200上，以成為目標基板200的像素。因此，在本實施例中，圖2A至圖2D所示的焊接電子元件之方法可視為一種製造發光二極體顯示器之方法。
在另一實施例中，於圖2C的步驟中，雷射光束152可進一步被施加於黏著層320上，以使黏著層320對電子元件310的黏著力解黏，如此有助於在圖2D的步驟中，使電子元件310更容易脫離黏著層320。
此外，在使電子元件310與黏著層320分離而脫離轉移基板300後，轉移基板300可從第二承載架120a卸載，然後第二承載架120a再搭載另一設有電子元件310的轉移基板300。接著，第二承載架120a可移動至目標基板200上未設置電子元件310的其他區域，進而逐步地分區將電子元件310轉移至整個目標基板200。然而，在另一實施例中，也可以是一個轉移基板300上的電子元件310就涵蓋了整個目標基板200所需的電子元件310，在此情況下只需轉移一次就能提供目標基板200所需的所有電子元件310。
在本實施例的轉移電子元件之裝置100、100a及焊接電子元件之方法中，由於對目標基板200或轉移基板300產生撓性推力，而撓性推力可以使目標基板200或轉移基板300均勻受力，因此可以使目標基板200與轉移基板300產生良好且均勻的壓合效果，進而提高製造良率，且能較為準確地固定電子元件310。在本實施例中，可藉由精密控制囊袋142中的氣體的氣壓，以讓目標基板200與轉移基板300受到適當且均勻的壓合力。如此一來，目標基板200與轉移基板300在製造時便可以容許較大的公差而仍然能夠被撓性推力均勻地壓合，且兩基板的共面性要求可以較低，如此便能夠有效降低目標基板200與轉移基板300的製造成本與工時。在一實施例中，囊袋142中的氣體的氣壓可以藉由精密調壓閥或氣壓比例閥來控制在適當的氣壓，例如最小可控制在0.05 kg/cm
2，以有效掌控壓合力的參數。
圖3A至圖3E為本發明的又一實施例的用以轉移電子元件之裝置在五個不同的操作階段的剖面示意圖。請參照圖3A至圖3E，本實施例的轉移電子元件之裝置100b與圖2A至圖2D的轉移電子元件之裝置100a類似，而兩者的差異如下所述。本實施例的第二承載架120b具有一第一氣體通道145a與多個第二氣體通道145b，其一端連通至一抽進氣機構（此圖中未繪示），且另一端連通至彈性膜141的上表面。此外，第一承載架110的邊緣可設有吸嘴112，以吸附目標基板200。在本實施例中，目標基板200例如為表面上設置有薄膜電晶體電路的玻璃載板，但本發明不以此為限。本實施例的轉移電子元件之裝置100b可用來執行本發明的另一實施例的焊接電子元件之方法。在如圖3A將目標基板200備妥後，可進行圖3B之步驟，即抽進氣機構對第二氣體通道145b抽氣，以使第二承載架120b吸附轉移基板300。此時，第二氣體通道145b的下端會產生真空室147，以吸附彈性膜141，並使彈性膜141局部變形。彈性膜141局部變形之處與轉移基板300之間亦會產生真空室149，以使轉移基板300吸附於彈性膜141上。
接著，如圖3C所繪示，使轉移基板300與目標基板200對位後，使轉移基板300輕輕接觸目標基板200，並以自然重力放置於目標基板200上，並使抽進氣機構停止對第二氣體通道145b抽氣。此處轉移基板300與目標基板200的對位例如是指使轉移基板上的電子元件310的接墊312對準目標基板200上的凸塊210。在圖3A至圖3E就不再繪示電子元件310、接墊312及凸塊210的細節，電子元件310、接墊312及凸塊210的圖形可參照圖2A至圖2D。
再來，如圖3D所繪示，利用抽進氣機構對第一氣體通道145a充氣，也就是利用正壓氣體對第一氣體通道145a充入正壓，此時會使彈性膜141與第二承載架120b所形成的囊袋142充氣而膨脹，而使得彈性膜141往下變形而對轉移基板300施加撓性推力。此時，第二承載架120b亦慢慢上升至特定高度，以使轉移基板300僅受到囊袋142施加的撓性推力，而不會直接受到第二承載架120b的接觸力。
之後，如圖3E所繪示，在囊袋142維持充氣的狀態下，利用雷射產生機構150施加雷射光束152於電子元件310上，而使電子元件310脫離轉移基板300，焊固於目標基板200之焊接面202上。焊固的細節在圖2C的實施例中已經有詳述，在此不再重述。在本實施例中，雷射產生機構150與囊袋142是設於轉移基板300的相對兩側，但本發明不以此為限。在圖2C的實施例中，雷射產生機構150與囊袋142是設於轉移基板300的同一側。
此後，可再次利用抽進氣機構對第二氣體通道145b抽氣，以使第二承載架120b再次吸附轉移基板300，並使轉移基板300往遠離目標基板200的方向移動，進而使電子元件310脫離轉移基板300，並留在目標基板200上。
綜上所述，在本發明的實施例的轉移電子元件之裝置、焊接電子元件之方法及製造發光二極體顯示器之方法中，由於對目標基板或轉移基板產生一撓性推力，而撓性推力可以使目標基板或轉移基板均勻受力，因此可以使目標基板與轉移基板產生良好且均勻的壓合效果，進而提高製造良率，且能較為準確地固定電子元件或發光二極體。
100、100a、100b:用以轉移電子元件之裝置
110:第一承載架
112、122:吸嘴
120、120a、120b:第二承載架
130:致動機構
140、140a:撓性推力產生機構
141:彈性膜
142:囊袋
143:壓力室
144:抽進氣機構
145、145a、145b:氣體通道
147、149:真空室
150:雷射產生機構
152:雷射光束
160:透明蓋板
200:目標基板
202:焊接面
204:非焊接面
210:凸塊
300:轉移基板
302、304:表面
310:電子元件
312:接墊
320:黏著層
圖1為本發明的一實施例的用以轉移電子元件之裝置的立體示意圖。
圖2A至圖2D為本發明的另一實施例的用以轉移電子元件之裝置在四個不同的操作階段的剖面示意圖。
圖3A至圖3E為本發明的又一實施例的用以轉移電子元件之裝置在五個不同的操作階段的剖面示意圖。
100a:用以轉移電子元件之裝置
110:第一承載架
120a:第二承載架
122:吸嘴
140a:撓性推力產生機構
141:彈性膜
142:囊袋
143:壓力室
144:抽進氣機構
145:氣體通道
150:雷射產生機構
152:雷射光束
160:透明蓋板
200:目標基板
202:焊接面
204:非焊接面
210:凸塊
300:轉移基板
302、304:表面
310:電子元件
312:接墊
320:黏著層
Claims (11)
- 一種用以轉移電子元件之裝置，其係包含： 一第一承載架，其係用以承載一目標基板； 一第二承載架，其係用以承載一轉移基板； 一致動機構，其係可致動使該第一承載架和該第二承載架為相互靠近及遠離之移動；以及 一撓性推力產生機構，其係設置於鄰近該第一承載架或該第二承載架處，其可當該第一承載架和該第二承載架相互靠近移動時，對被承載之該目標基板或該轉移基板產生一撓性推力。
- 如請求項1所述之用以轉移電子元件之裝置，其中該撓性推力產生機構係包括一充滿氣體之氣囊。
- 如請求項1所述之用以轉移電子元件之裝置，其中該撓性推力產生機構係包括一囊袋，該囊袋係連接一抽進氣機構，當該第一承載架和該第二承載架相互靠近移動時，該抽進氣機構會對該囊袋充氣，而當該第一承載架和該第二承載架相互遠離移動時，該抽進氣機構會將該囊袋內至少部分之氣體抽出。
- 如請求項1所述之用以轉移電子元件之裝置，其更包括一雷射產生機構，其係設置於鄰近該第一承載架或該第二承載架處，其可產生一雷射光束於被承載之該目標基板及/或該轉移基板上。
- 一種焊接電子元件之方法，其係包括： 提供一轉移基板，於其之一面上係設有一電子元件； 提供一目標基板，其具有一焊接面和一非焊接面； 使該轉移基板設有電子元件之一面與該目標基板之焊接面相對，並使該轉移基板與該目標基板相互接近，直至該電子元件頂抵該目標基板之焊接面； 施加一撓性推力於該轉移基板未設有電子元件之一面或該目標基板之非焊接面上；以及 施加一能量光束於該電子元件上，而使該電子元件脫離該轉移基板，焊固於該目標基板之焊接面上。
- 如請求項5所述之焊接電子元件之方法，其中該撓性推力係由一氣囊頂推該轉移基板未設有電子元件之一面或該目標基板之非焊接面而產生。
- 如請求項6所述之焊接電子元件之方法，其中該氣囊係由一囊袋充氣而產生。
- 如請求項5所述之焊接電子元件之方法，其中該能量光束係為一雷射光束。
- 如請求項5所述之焊接電子元件之方法，其中該電子元件係為一發光二極體。
- 如請求項5所述之焊接電子元件之方法，其中該目標基板係為一薄膜電晶體基板。
- 一種製造發光二極體顯示器之方法，其係包括使用如請求項9所述之焊接電子元件之方法焊接發光二極體。
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|---|---|---|---|---|
| TW201717296A (zh) * | 2012-09-28 | 2017-05-16 | Stats Chippac Ltd | 形成支撐層於薄扇出晶圓級晶片尺寸封裝中之半導體晶粒之上的半導體裝置和方法 |
| TW202221837A (zh) * | 2020-07-31 | 2022-06-01 | 日商Ｖ科技股份有限公司 | 晶片部件之轉移裝置 |
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