TWI662530B - 發光二極體裝置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法。控制方法包括：於預重置階段施加預重置電壓至發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端，以預重置驅動電晶體的控制端；於第一重置階段使用重置電壓源重置發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端；於補償階段補償驅動電晶體的控制端至補償電位；以及於發光階段驅動電晶體提供驅動電流以驅動發光二極體裝置的發光二極體發光。

Description

發光二極體裝置及其控制方法
本發明是有關於一種發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法。
隨著顯示技術的進步，發光二極體已經被廣泛應用在顯示科技中，而主動矩陣有機發光二極體(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode；AMOLED)即是顯示技術的主要發展重點之一。
主動矩陣有機發光二極體在高速操作時，會產生動態模糊(motion blur)的顯示狀況。
本發明提供一種發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法，可改善動態模糊的狀況。
本發明的發光二極體裝置的控制方法，包括：於預重置階段施加預重置電壓至發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端，以預重置驅動電晶體的控制端，其中預重置電壓增大驅動電晶體 的控制端與第一端間的壓差；於第一重置階段使用重置電壓源重置發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端；於補償階段補償驅動電晶體的控制端至補償電位；以及於發光階段驅動電晶體提供驅動電流以驅動發光二極體裝置的發光二極體發光。
在本發明的一實施例中，上述的預重置電壓為資料信號通過至少一電容耦合至驅動電晶體的控制端的電壓。
在本發明的一實施例中，上述的控制方法更包括於第二重置階段重置驅動電晶體的第一端至目標電位，從而增加驅動電晶體的第一端及第二端之間的電壓差，其中驅動電晶體的第一端耦接發光二極體。
在本發明的一實施例中，上述的發光階段的開始時間點介於第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
在本發明的一實施例中，上述的驅動電晶體的第二端耦接於高電壓源，發光二極體裝置還包括第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關、第六開關以及電荷存儲單元。第開關的第一端與第二端分別耦接參考電壓源與第二開關的第一端。第二開關的第二端用以接收資料信號。電荷存儲單元耦接於第二開關的第一端與驅動電晶體的控制端之間。第三開關與第四開關串接於驅動電晶體的控制端與第二端之間。第五開關耦接於第三開關與第四開關的共同接點與重置電壓源之間。第六開關的第一端與第二端分別耦接於驅動電晶體的第一端與發光二極體的陽極。發光二極體的陰極耦接低電壓源。第一開關與第六開關的 導通狀態受控於發光控制信號。第五開關的導通狀態受控於第一控制信號。第二開關至第四開關的導通狀態受控於第二控制信號。發光二極體裝置的控制方法包括：於預重置階段使受控於第二控制信號的開關導通，並使受控於發光控制信號與第一控制信號的開關斷開；於第一重置階段使受控於第一控制信號與第二控制信號的開關導通，並使受控於發光控制信號的開關斷開；於補償階段使受控於第二控制信號的開關導通，並使受控於發光控制信號與第一控制信號的開關斷開；以及於發光階段使受控於發光控制信號的開關導通，並使受控於第一控制信號與第二控制信號的開關斷開。
在本發明的一實施例中，上述的控制方法於第二重置階段重置第六開關的第二端至目標電位，從而增加驅動電晶體的第一端及第二端之間的電壓差。
在本發明的一實施例中，上述的發光階段的開始時間點介於第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
在本發明的一實施例中，上述的控制方法包括延遲第一控制信號以於第二重置階段產生重置信號重置第六開關的第二端至目標電位。
在本發明的一實施例中，上述的第一開關至第六開關分別包括電晶體。
在本發明的一實施例中，上述的補償電位是高電壓源的電壓準位及驅動電晶體的門檻電壓的差值。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體包括有機發光二極體。
本發明的發光二極體裝置包括驅動電晶體以及發光二極體。發光二極體的陽極與陰極分別耦接於驅動電晶體的第一端與低電壓源，驅動電晶體的第二端耦接高電壓源，驅動電晶體的控制端於預重置階段接收預重置電壓而被預重置，驅動電晶體的控制端於第一重置階段接收重置電壓而被重置，驅動電晶體的控制端於補償階段被補償至補償電位，驅動電晶體於發光階段提供驅動電流驅動發光二極體發光，其中預重置電壓增大驅動電晶體的控制端與第一端間的壓差。
在本發明的一實施例中，上述的預重置電壓為資料信號通過至少一電容耦合至驅動電晶體的控制端的電壓。
在本發明的一實施例中，上述的驅動電晶體的第一端於第二重置階段被重置至目標電位，從而增加驅動電晶體的第一端及第二端之間的電壓差。
在本發明的一實施例中，上述的發光階段的開始時間點介於第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體裝置包括第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關、第六開關以及電荷存儲單元。第一開關的第一端與第二端分別耦接參考電壓源與第二開關的第一端。第二開關的第二端用以接收資料信號。第三開關與第四開關串接於驅動電晶體的控制端與第二端之 間。第五開關耦接於第三開關與第四開關的共同接點與重置電壓源之間。第六開關的第一端與第二端分別耦接於驅動電晶體的第一端與發光二極體的陽極。電荷存儲單元耦接於第二開關的第一端與驅動電晶體的控制端之間。第一開關與第六開關的導通狀態受控於發光控制信號。第五開關的導通狀態受控於第一控制信號。第二開關至第四開關的導通狀態受控於第二控制信號，其中於預重置階段使受控於第二控制信號的開關導通，並使受控於發光控制信號與第一控制信號的開關斷開。於第一重置階段使受控於第一控制信號與第二控制信號的開關導通。並使受控於發光控制信號的開關斷開。於補償階段使受控於第二控制信號的開關導通。並使受控於發光控制信號與第一控制信號的開關斷開。於發光階段使受控於發光控制信號的開關導通。並使受控於第一控制信號與第二控制信號的開關斷開。
在本發明的一實施例中，上述的第六開關的第二端發光二極體裝置於第二重置階段被重置至目標電位，從而增加驅動電晶體的第一端及第二端之間的電壓差。
在本發明的一實施例中，上述的發光階段的開始時間點介於第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體裝置包括延遲電路。延遲電路耦接第六開關的第二端，延遲第控制信號以於第二重置階段產生重置信號重置第六開關的第二端至目標電位。
在本發明的一實施例中，上述的第一開關至第六開關分 別包括電晶體。
在本發明的一實施例中，上述的補償電位是高電壓源的電壓準位及驅動電晶體的門檻電壓的差值。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體包括有機發光二極體。
基於上述，本發明的發光二極體裝置藉由在預重置階段預重置驅動電晶體的控制端，在第一重置階段使用重置電壓源重置驅動電晶體的控制端，在補償階段補償驅動電晶體的控制端至補償電位，如此在預重置階段以及第一重置階段拉低驅動電晶體的控制端電壓可有效地增加驅動電晶體源閘極間的電壓差並抵消電路中的耦合效應，而可降低發光二極體裝置的動態殘影。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、300、500‧‧‧發光二極體裝置
Td‧‧‧驅動電晶體
D‧‧‧發光二極體
Id‧‧‧驅動電流
t1‧‧‧第一端
t2‧‧‧第二端
t3‧‧‧控制端
S210~S240‧‧‧步驟
T1~T7‧‧‧開關
C‧‧‧電荷存儲單元
EM‧‧‧發光控制信號
S1、S2‧‧‧控制信號
OVDD‧‧‧高電壓源
OVSS‧‧‧低電壓源
VREF‧‧‧參考電壓源
Vdata‧‧‧資料信號
VINI‧‧‧重置電壓源
P1~P8‧‧‧階段
S710~S750‧‧‧步驟
圖1是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體以及驅動電晶體的耦接示意圖。
圖2是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。
圖3A至圖3G是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。
圖4是對應於圖3A至圖3G的所繪示的控制波形示意圖。
圖5是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體裝置的示意圖。
圖6是依據圖5所繪示的控制波形示意圖。
圖7是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。
圖1是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體以及驅動電晶體的耦接示意圖。圖2是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。請同時參考圖1以及圖2，在圖1以及圖2的實施例中，驅動電晶體Td具有第一端t1、第二端t2以及控制端t3。發光二極體D的陽極耦接到驅動電晶體Td的第一端t1。
在本實施例中，控制方法可包括在步驟S210中，在預重置階段施加預重置電壓至發光二極體裝置100的驅動電晶體Td的控制端t3，以預重置驅動電晶體Td的控制端t3。其中預重置電壓可例如為藉由一耦合至驅動電晶體Td的控制端的方式來提供，而不限定必須直接連接電壓源，然在部分實施例中亦可直接提供預重置電壓。只要能夠傳送預重置電壓到驅動電晶體Td的控制端t3，不管是直接、間接、或透過耦合的方式傳送皆可，本發明不加以限制。步驟S220中，在第一重置階段使用重置電壓源重置發光 二極體裝置的驅動電晶體Td的控制端t3。步驟S230中，在補償階段補償驅動電晶體Td的控制端t3到補償電位。以及在步驟S230中，於發光階段驅動電晶體Td提供驅動電流Id以驅動發光二極體裝置100的發光二極體發光D。
在一些實施例中，控制方法還包括了第二重置階段。透過第二重置階段，使得驅動電晶體Td的第一端t1的電壓準位在補償階段之後可被重置到目標電位，以增加驅動電晶體Td的第一端t1及第二端t2之間的電壓差。在一些實施例中，發光階段的開始時間點也可以是緊接於第二重置階段之後。
圖3A至圖3G是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。進一步來說，發光二極體裝置300可如圖3A至圖3G的實施例所示，包括驅動電晶體Td、開關T1~T6以及電荷存儲單元C。發光二極體裝置300的驅動電晶體Td的第二端耦接於高電壓源OVDD。高電壓源OVDD用以提供高電壓準位(例如是5V)，低電壓源OVSS可用以提供小於或等於0V的任意低電壓準位，然不以此為限。開關T1的第一端與第二端分別耦接參考電壓源VREF與電荷存儲單元C。開關T2的第二端用以接收資料信號Vdata。開關T3與開關T4串接於驅動電晶體Td的控制端與第二端之間。開關T5耦接於開關T3與開關T4的共同接點與重置電壓源VINI之間。開關T6的第一端與第二端分別耦接於驅動電晶體Td的第一端與發光二極體D的陽極。電荷存儲單元C耦接於開關T2的第二端與驅動電晶體Td的控制端之間，電荷存儲單 元C可例如以電容來實施。
其中，驅動電晶體Td以及開關T1~T6可分別例如以電晶體來實施。在本實施例中，驅動電晶體Td以及開關T1~T6分別為P型電晶體。並且在本實施例中，發光二極體D可例如為有機發光二極體或是其他種類的電激發光元件，發光二極體的數量可以是一個或是多個，沒有固定的限制。
圖4是對應於圖3A至圖3G的所繪示的控制波形示意圖。如圖4所示，控制波形示意圖區可分為發光階段P1、停止發光階段P2、預重置階段P3、第一重置階段P4、補償階段P5、停止發光階段P6以及發光階段P7等七個階段。為了方便示意，在圖3A至圖3G斷開的開關以打叉示意，而導通的開關以未打叉來示意。
請同時參考圖3A以及圖4，在發光階段P1中，發光控制信號EM的電壓準位下降到低邏輯準位，並且控制信號S1、S2的電壓準位維持在高邏輯準位，如此將使得開關T1、T6處於導通狀態，參考電壓源VREF所提供的電壓(其可例如為1.5V)透過開關T1以及電荷存儲單元C耦合至電晶體Td的控制端，而使驅動電晶體Td導通，從而提供驅動電流至發光二極體D，以驅動發光二極體D進行發光。
請同時參考圖3B以及圖4，在停止發光階段P2中，發光控制信號EM以及控制信號S1、S2的電壓準位為高邏輯準位，如此將使開關T1~T6呈現斷開的狀態，因此在停止發光階段P2 中，發光二極體並無法接收驅動電流而發光，此時驅動電晶體Td的控制端電壓與在發光階段P1中相同。
請同時參考圖3C以及圖4，在預重置階段P3中，控制信號S2的電壓準位下降到低邏輯準位，並且發光控制信號EM以及控制信號S1的電壓準位維持在高邏輯準位，如此將使得開關T2~T4被導通，開關T1、T5~T6被斷開。在預重置階段P3中，資料信號Vdata可提供電壓準位小於參考電壓源VREF的電壓準位(其電壓準位例如為1.5V)的預重置電壓(例如0.5V，然不以此為限)，以下拉驅動電晶體Td的控制端的電壓，進而擴大驅動電晶體Td的控制端與第一端間的壓差，如此可使驅動電晶體Td的控制端的電壓更接近開啟驅動電晶體Td的通道所需的電壓，或預先略微開啟驅動電晶體Td的通道。在本實施例中，預重置電壓為藉由預重置電壓通過開關T2以及電荷存儲單元C耦合至電晶體Td的控制端的方式來提供，在部分實施例中亦可另外設置電壓源直接提供預重置電壓。
請同時參考圖3D以及圖4，在第一重置階段P4中，控制信號S1的電壓準位下降到低邏輯準位，發光控制信號EM的電壓準位維持在高邏輯準位，以及控制信號S2的電壓準位維持在低邏輯準位，如此將使得開關T2~T5被導通，開關T1、T6被斷開。其中開關T5的導通可使來自於重置電壓源VINI的重置電壓(其可例如設定為-1.5V，然不以此為限，其亦可例如設定為其他低於驅動電晶體Td的控制端在預重置階段P3的電壓)對驅動電晶體Td 的控制端進行重置，以進一步拉低驅動電晶體Td的控制端電壓。此外，資料信號Vdata可在第一重置階段P4轉為提供資料電壓(其可例如為1V或2V，然不以此為限)。
請同時參考圖3E以及圖4，在補償階段P5中，控制信號S1的電壓準位被抬升到高邏輯準位，發光控制信號EM的電壓準位維持在高邏輯準位，以及控制信號S2的電壓準位維持在低邏輯準位，如此將使得開關T2~T4被導通，開關T1、T5~T6被斷開。在補償階段P5中，驅動電晶體Td的控制端的電壓準位可被補償到補償電位，亦即被補償到高電壓源OVDD的電壓準位與驅動電晶體Td的門檻電壓的差值。如此一來，驅動電晶體Td的控制端以及第一端的電壓準位可透過預重置階段P3、第一重置階段P4與補償階段P5的電路動作而得以被校正，進而改善驅動電晶體Td因製程差異而產生的元件特性誤差，以及不同畫面資料間轉換的影響。此外，藉由在預重置階段P3以及第一重置階段P4拉低驅動電晶體Td的控制端電壓可有效地抵消電路中的耦合效應，而可降低發光二極體裝置300的動態殘影。
請同時參考圖3F以及圖4，在停止發光階段P6中，控制信號S2的電壓準位被抬升到高邏輯準位，並且發光控制信號EM以及控制信號S1的電壓準位維持在高邏輯準位，如此將使得驅動電晶體Td以及開關T1~T6都是呈現斷開的狀態，其中電荷存儲單元C上儲存有補償資訊以及資料信號Vdata的電壓資訊(此時驅動電晶體Td的控制端的電壓準位仍等於高電壓源OVDD的電壓準 位與驅動電晶體Td的門檻電壓的差值)。
隨後，請同時參考圖3G以及圖4，在發光階段P7中，發光控制信號EM的電壓準位下降到低邏輯準位，並且控制信號S1、S2的電壓準位維持在高邏輯準位，如此將使得開關T1、T6為導通狀態，而可使驅動電晶體Td的控制端的電壓準位因為電荷存儲單元C的電壓耦合，從而提供對應的驅動電流，而驅動發光二極體D進行發光。
在一些實施例中，發光二極體裝置300可在停止發光階段P6與發光階段P7中加入第二重置階段，以重置開關T6的第二端的電壓準位，以拉大重置開關T6的第一端和第二端之間的電壓差。
圖5是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體裝置的示意圖。圖6是依據圖5所繪示的控制波形示意圖。請參考圖5，與圖3A~3G不同的是，圖5的發光二極體裝置500增加了開關T7。開關T7的第二端耦接於發光二極體的陽極。開關T7的第一端以及控制端共同接收重置信號S3。請參考圖6，與圖4不同的是，圖6另增加了第二重置階段P8。
發光階段P7的開始時間點可例如為介於第二重置階段P8的開始時間點與結束時間點之間。在一些實施例中，發光階段P7的開始時間點也可以是緊接於第二重置階段P8的結束時間點。
請同時參考圖5及圖6，在圖5及圖6的實施例中，重置信號S3的電壓準位在第二重置階段P8中被下拉到低邏輯準位(其 可例如設為1V，然不以此為限)，而導通開關T7。開關T6的第二端的電壓準位也依據重置信號S3的電壓準位，而被重置到目標電位(例如1V)。因此，第二重置階段P8可有效增加驅動電晶體Td的第二端以及第一端之間的電壓差，以提高在發光階段P7中驅動電晶體Td提供給發光二極體D的驅動電流Id，而進一步縮短發光二極體裝置300的動態殘影。
在一些實施例中，重置信號S3可例為藉由對控制信號S1進行延遲而產生。也就是說，可透過信號延遲方式，使所產生的重置信號S3與控制信號S1間具有第二重置階段P8與第一重置階段P4之間的時間延遲。在一些實施例中，可透過將延遲電路耦接至開關T6的第二端或將延遲電路耦接開關T7的第一端來實現信號延遲。
請參考圖7，圖7是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。由圖5以及圖6的實施例可知，發光二極體裝置的控制方法可包括下列步驟。首先，在步驟S710中，於預重置階段施加預重置電壓至發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端，以預重置驅動電晶體的控制端。相同地，本實施例的預重置電壓也可例如為藉由資料信號通過至少一電容耦合至驅動電晶體的控制端的方式來提供，而不需另外設置電壓源，在部分實施例中亦可另外設置電壓源直接提供預重置電壓。在步驟S720中，於第一重置階段使用重置電壓源重置發光二極體裝置的驅動電晶體的控制端。在步驟S730中，於補償階段補償該驅動電 晶體的控制端至補償電位。在步驟S740中，於第二重置階段重置驅動電晶體的第一端至目標電位。在步驟S750中，於發光階段驅動電晶體提供驅動電流以驅動發光二極體裝置的發光二極體發光。關於上述步驟S710~S750的進一步實施方式在前述實施例中已有詳盡的說明，因此在此不再贅述各步驟的實施細節。
綜上所述，本發明的發光二極體裝置藉由在預重置階段預重置驅動電晶體的控制端，在第一重置階段使用重置電壓源重置驅動電晶體的控制端，在補償階段補償驅動電晶體的控制端至補償電位，如此在預重置階段以及第一重置階段拉低驅動電晶體的控制端電壓可有效地增加驅動電晶體源閘極間的電壓差並抵消電路中的耦合效應，而可降低發光二極體裝置的動態殘影。在部分實施例中，還可在第二重置階段下拉驅動電晶體的第一端的電壓準位，以增加驅動電晶體的第二端以及第一端之間的電壓差。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (22)

  1. 一種發光二極體裝置的控制方法，包括：於一預重置階段施加一預重置電壓至該發光二極體裝置的一驅動電晶體的控制端，以預重置該驅動電晶體的該控制端，該預重置電壓增大該驅動電晶體的該控制端與該驅動電晶體的一第一端間的壓差，其中該驅動電晶體的該第一端為源極，且該驅動電晶體的該控制端為閘極；於一第一重置階段使用一重置電壓源重置該發光二極體裝置的該驅動電晶體的該控制端；於一補償階段補償該驅動電晶體的該控制端至一補償電位；以及於一發光階段該驅動電晶體提供一驅動電流以驅動該發光二極體裝置的一發光二極體發光，其中該第一重置階段不同於該發光階段。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該預重置電壓為一資料信號通過至少一電容耦合至該驅動電晶體的該控制端的電壓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置的控制方法，更包括：於一第二重置階段重置該驅動電晶體的該第一端至一目標電位，從而增加該驅動電晶體的該第一端及一第二端之間的電壓差，其中該驅動電晶體的該第一端耦接該發光二極體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該發光階段的開始時間點介於該第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該驅動電晶體的第二端耦接於一高電壓源，該發光二極體裝置還包括一第一開關、一第二開關、一第三開關、一第四開關、一第五開關、一第六開關以及一電荷存儲單元，該第一開關的第一端與第二端分別耦接一參考電壓源與該第二開關的第一端，該第二開關的第二端用以接收一資料信號，該電荷存儲單元耦接於該第二開關的第一端與該驅動電晶體的控制端之間，該第三開關與該第四開關串接於該驅動電晶體的控制端與第二端之間，該第五開關耦接於該第三開關與該第四開關的共同接點與該重置電壓源之間，該第六開關的第一端與第二端分別耦接於該驅動電晶體的該第一端與該發光二極體的陽極，該發光二極體的陰極耦接一低電壓源，該第一開關與第六開關的導通狀態受控於一發光控制信號，該第五開關的導通狀態受控於一第一控制信號，該第二開關至該第四開關的導通狀態受控於一第二控制信號，該發光二極體裝置的控制方法包括：於該預重置階段使受控於該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號與該第一控制信號的開關斷開；於該第一重置階段使受控於該第一控制信號與該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號的開關斷開；於該補償階段使受控於該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號與該第一控制信號的開關斷開；以及於該發光階段使受控於該發光控制信號的開關導通，並使受控於該第一控制信號與該第二控制信號的開關斷開。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置的控制方法包括：於一第二重置階段重置該第六開關的第二端至一目標電位，從而增加該驅動電晶體的該第一端及該第二端之間的電壓差。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該發光階段的開始時間點介於該第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體裝置的控制方法，包括：延遲該第一控制信號以於該第二重置階段產生一重置信號重置該第六開關的第二端至該目標電位。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該第一開關至該第六開關分別包括一電晶體。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該補償電位是該高電壓源的電壓準位及該驅動電晶體的一門檻電壓的差值。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置的控制方法，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
  12. 一種發光二極體裝置，包括：一驅動電晶體；以及一發光二極體，其陽極與陰極分別耦接於該驅動電晶體的第一端與一低電壓源，該驅動電晶體的第二端耦接一高電壓源，該驅動電晶體的該控制端於一預重置階段接收一預重置電壓而被預重置，該驅動電晶體的該控制端於一第一重置階段接收一重置電壓而被重置，該驅動電晶體的該控制端於一補償階段被補償至一補償電位，該驅動電晶體於一發光階段提供一驅動電流驅動該發光二極體發光，其中該預重置電壓增大該驅動電晶體的該控制端與該驅動電晶體的第一端間的壓差，其中該驅動電晶體的該第一端為源極，且該驅動電晶體的該控制端為閘極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體裝置，其中該預重置電壓為一資料信號通過至少一電容耦合至該驅動電晶體的該控制端的電壓。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體裝置，其中該驅動電晶體的第一端於一第二重置階段被重置至一目標電位，從而增加該驅動電晶體的該第一端及該驅動電晶體的一第二端之間的電壓差。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體裝置，其中該發光階段的開始時間點介於該第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體裝置，包括：一第一開關；一第二開關，該第一開關的第一端與第二端分別耦接一參考電壓源與該第二開關的第一端，該第二開關的第二端用以接收一資料信號；一第三開關；一第四開關，該第三開關與該第四開關串接於該驅動電晶體的該控制端與第二端之間；一第五開關，該第五開關耦接於該第三開關與該第四開關的共同接點與該重置電壓源之間；一第六開關，該第六開關的第一端與第二端分別耦接於該驅動電晶體的第一端與該發光二極體的陽極；以及一電荷存儲單元，該電荷存儲單元耦接於該第二開關的第一端與該驅動電晶體的該控制端之間，該第一開關與第六開關的導通狀態受控於一發光控制信號，該第五開關的導通狀態受控於一第一控制信號，該第二開關至該第四開關的導通狀態受控於一第二控制信號，其中於該預重置階段使受控於該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號與該第一控制信號的開關斷開，於該第一重置階段使受控於該第一控制信號與該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號的開關斷開，於該補償階段使受控於該第二控制信號的開關導通，並使受控於該發光控制信號與該第一控制信號的開關斷開，於該發光階段使受控於該發光控制信號的開關導通，並使受控於該第一控制信號與該第二控制信號的開關斷開。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體裝置，其中於一第二重置階段該第六開關的第二端被重置至一目標電位，從而增加該驅動電晶體的該第一端及一第二端之間的電壓差。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的發光二極體裝置，其中該發光階段的開始時間點介於該第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光二極體裝置，包括：一延遲電路，耦接該第六開關的第二端，延遲該第一控制信號以於該第二重置階段產生一重置信號重置該第六開關的第二端至該目標電位。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體裝置，其中該第一開關至該第六開關分別包括一電晶體。
  21. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體裝置，其中該補償電位是該高電壓源的電壓準位及該驅動電晶體的一門檻電壓的差值。
  22. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體裝置，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
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